JP2000348381A - 光記録再生装置及び光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】光透過領域とマスク領域との境界が明瞭であ
り、均一な光透過領域とマスク領域を形成可能な媒体を
用いることにより、Ｃ／Ｎ比，ＢＥＲ等を改善する。 【解決手段】ディスク状の基板１１上に積層された記録
層１５と、記録層１５の基板１１側に形成され、光照射
により光透過特性が変化するマスク層１３とから成る光
記録媒体Ｍ１と、回転する光記録媒体Ｍ１の記録層１５
に光を照射しその反射光を検出することにより情報を読
み取る光ピックアップとを具備し、マスク層１３に光を
照射してから光透過特性が変化するまでの期間Ｔr を、
０．１λ／（ＮＡ×ＶL ）≦Ｔr ≦０．８λ／（ＮＡ×
ＶL ）（λ：光波長，ＮＡ：光ピックアップの対物レン
ズの開口数，ＶL ：基板の線速度）とした光記録媒体を
用いた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、記録層にレーザ光
等の光を照射しその反射光を検出することにより情報を
再生する光記録再生装置であって、記録層の片側及び／
又は両側に、照射光の波長又は強度によって光学特性が
変化するマスク層を積層させることで高密度記録を可能
にした、超解像（Magnetically induced Super Resolut
ion ：ＭＳＲ）型の光記録媒体を用いた光記録再生装置
及び光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の光記録再生装置Ｄのブロック図を
図２に示す。同図において、１はディスク状の光記録媒
体の一種である光磁気ディスク、２は光磁気ディスクを
記録及び再生時に回転させるモーター、３は記録時に光
磁気ディスク面に対し垂直方向に沿って上下方向に変調
した磁場を印加する磁気へッド、４は再生時に記録ビッ
トに光を照射し反射光の偏光方向（カー回転角）からデ
ィジタル信号を検出する光ピックアップである。また、
５は記録データを変調して磁気記録信号及び光記録信号
を発生させ磁気ヘッド３及び光ピックアップ４に供給す
る記録データ回路、６は光磁気ディスク面からの反射光
を光ピックアップ４で受光しその反射光による信号をデ
ィジタルの再生データに変換する再生データ回路であ
る。

【０００３】また、７は制御回路であり、ＣＰＵ（Cent
er of Processing Unit ：中央処理装置）等と駆動用プ
ログラムソフトを内蔵したＲＯＭ等を有するコンピュー
タ９からの指令に基づき各種制御を行う。前記指令と
は、記録動作指令、再生動作指令等である。８は記憶回
路であり、書き込まれたデータを１セクタ毎に分割し記
録用データとして記録データ回路６に供給する。

【０００４】上記光記録再生装置Ｄの場合、光ピックア
ップ４は反射光のカー回転角を検知することで記録層の
２値情報を検出するが、ＣＤ（Compact Disc）等の光デ
ィスク用の光記録再生装置では記録ビットの凹凸による
反射光の反射率変化からディジタル信号を検出し、相変
化型の光ディスク用の光記録再生装置では記録ビットの
結晶相−非晶質相の２状態の違いによる反射率の相違か
らディジタル信号を検出する。

【０００５】そして、光ピックアップ４の基本構成は、
半導体レーザ等の光源部、光源部からの光を光記録媒体
側へ反射させるビームスプリッタ、ビームスプリッタか
らの光を光記録媒体のトラックに集光させる対物レン
ズ、トラックで反射され前記対物レンズ，ビームスプリ
ッタを逆に通過した反射光を検出するトラッキング信号
検出器、及び焦点検出器等から成る。また、トラッキン
グ信号の検出機構について図３に示す。同図において、
１０はディスク状の光記録媒体であってその主面に螺旋
状の記録用のトラックを形成した光記録媒体、１１はト
ラックに沿って形成された案内溝（グルーブ）、１２は
記録ビット１６が形成されるトラックとしてのランド、
１３は光ピックアップの１部品である対物レンズ、１４
は光ピックアップの１部品であり、トラックの凹凸で反
射回折された２つの１次回折光及び０次回折光を検出す
る２個のフォトダイオード等の光検出素子から成るトラ
ッキング信号検出器である。尚、１５は光ピックアップ
部である。

【０００６】また、従来、各種光記録媒体は以下のよう
な構成である。温度によって結晶質と非晶質の２状態に
相変化可能な光記録層を有する相変化型の光記録媒体の
場合、プラスチック等からなるディスク状の透明基板上
に、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂ 等から成る第一透明誘電体層、Ｇ
ｅＴｅ等の相変化型の光記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂ 等か
ら成る第二透明誘電体層、Ａｌ等からなる反射層を順次
積層したものが提案されている。

【０００７】また、光磁気記録媒体の場合、プラスチッ
ク等からなるディスク状の透明基板上に、サイアロン
（Ｓｉ，Ａｌ，Ｏ，Ｎの非晶質膜），Ｓｉ₃ Ｎ₄ ，Ｓｉ
Ｏ₂ 等の第一透明誘電体層、ＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ，
ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ等からなる少なくとも
１層の光磁気記録層、第一透明誘電体層と同様の組成で
ある第二透明誘電体層、Ａｌ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｌ−Ｔｉ
合金等からなる反射層から構成されたものが提案されて
いる。その他、ポリカーボネート基板上にデジタル信号
用のピット（穴）等の凹凸を形成し、その凹凸上にＡｌ
層等の反射層をパターン形成したＣＤ（Compact Disc）
等がある。

【０００８】このような光記録媒体において、従来、位
相ピットが形成された光ディスク上に、温度によって反
射率が変化するＳｂ₂ Ｓｅ₃ 等のカルコゲンアモルファ
ス材料から成る層を形成し、読み出し光の走査スポット
内で反射率を部分的に変化させながら位相ピットを読み
取ることにより、走査スポットの一部をマスクして走査
スポット径を等価的に縮小した形とすることができ、対
物レンズの開口数や半導体レーザの波長によって決まる
検出限界を超えて高密度再生が可能なもの、所謂ＭＳＲ
に関するものが公知である（従来例１：特開平３−２９
２６３２号公報，特開平５−８９５１１号公報参照）。

【０００９】また、従来例２として、記録膜から見て光
入射側にフタロシアニン類，シアニン色素のうち少なく
とも１種から成る光吸収中心を含む層を設け、その光吸
収中心を吸収飽和の状態にして記録又は再生のうち少な
くとも一方を行うことにより、記録密度を向上させた光
記録媒体が提案されている（従来例２：特開平５−２２
５６１１号公報参照）。

【００１０】従来例３として、情報記録層と、フォトク
ロミック性マスク層とを有する光記録媒体を再生する方
法であって、複数のトラックに跨がるスポットサイズで
着色光スポットをトラックに対して相対的に走査し、ト
ラック幅方向に同一トラックが複数回走査されるように
してマスク層を複数回着色光照射することにより着色状
態にする工程と、着色されたスポットに再生光を照射し
てマスク層を消色しながらトラックに対し相対的に走査
し、トラックの情報を再生する工程とを備えたことによ
り、フォトンモードで反応する光記録媒体を、小型かつ
低コストの装置で効率的に再生可能になるという再生方
法が提案されている（従来例３：特開平８−２６３８４
３号公報参照）。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例１では、再生レーザ光の照射によりそのスポット内
で部分的に溶融後結晶化し得る相変化材料層をマスク層
として用いているが、このようなマスク層には以下のよ
うな問題点があった。即ち、光記録媒体の製造時に融点
の低いマスク層は、他の記録層等のスパッタリング法に
よる成膜時や熱硬化性樹脂等のコーティング時に、溶融
又は軟化し易く、そのため均一なマスク層を形成し難い
ものであった。また、相変化型の記録層を用いた場合、
記録層の結晶化温度とマスク層の融点が近似しており、
マスク層のみを相変化させようとしても記録層の相変化
が同時に起こり、記録層のデータが乱れていた。更に、
繰り返し記録再生を行うと、Ｃ／Ｎ比，ＢＥＲ（Bit Er
ror Rate）等の特性が劣化し易かった。

【００１２】また、上記従来例２においては、照射光強
度がある一定値以上になると光を透過させる性質の可飽
和吸収体から成るマスク層、即ち光強度制御型のマスク
層を用い、照射光スポットのうち光強度の大きい中心部
を光透過状態とし、他の部分を不透過状態（マスク）と
するように制御している。しかしながら、このような光
強度制御型のマスク層では、照射光の微妙に異なる光強
度分布でもってマスクを形成しなければならず、実際上
均一な光透過領域とマスクを形成することは困難であ
り、マスクのばらつきが大きいという問題点があった。

【００１３】上記従来例３のフォトクロミック性マスク
層は、強度の弱い光が照射された部分まで消色され易
く、光透過領域とマスクとの境界がぼやけたり、マスク
が十分に形成できない場合があった。

【００１４】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は、相変化型の記録層を用い
てもその結晶化温度とマスク層の融点が近似していない
ことで、マスク層の相変化と記録層の相変化を区別して
行うことができ、また繰り返し記録再生特性を向上させ
ることである。また、フォトクロミック性マスク層であ
って、均一な光透過領域とマスクを形成でき、光透過領
域とマスクとの境界が明瞭なマスク層を有する光記録媒
体を用いることで、Ｃ／Ｎ比，ＢＥＲ等が改善されたも
のとすることである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の光記録再生装置
は、基板上に積層された記録層と、該記録層の少なくと
も片面側に形成され、光照射により光透過特性が変化す
るマスク層とから成る光記録媒体と、前記記録層に光を
照射しその反射光を検出することにより情報を読み取る
光ピックアップとを具備し、前記マスク層に光を照射し
てから光透過特性が変化するまでの期間をＴr とした場
合、０．１λ／（ＮＡ×ＶL ）≦Ｔr ≦０．８λ／（Ｎ
Ａ×ＶL ）（但し、λ：光波長，ＮＡ：光ピックアップ
の対物レンズの開口数，ＶL ：記録ビットと光スポット
との相対速度）とした光記録媒体を用いたことを特徴と
する。

【００１６】本発明は、上記構成により、繰り返し記録
再生特性が向上し、また均一な光透過領域とマスクを形
成でき、光透過領域とマスクとの境界が明瞭な光記録媒
体を用いることで、Ｃ／Ｎ比，ＢＥＲ等が改善されると
いう作用効果を有する。

【００１７】また本発明の光記録媒体は、基板上に積層
された記録層と、該記録層の少なくとも片面側に形成さ
れ、光照射により光透過特性が変化するマスク層とから
成り、前記マスク層に光を照射してから光透過特性が変
化するまでの期間をＴr とした場合、３ｎｓｅｃ≦Ｔr
≦１００ｎｓｅｃであることを特徴とする。好ましく
は、５ｎｓｅｃ≦Ｔr ≦３０ｎｓｅｃである。

【００１８】このような構成により、再生信号出力（Ｃ
／Ｎ比）を維持して光記録媒体の記録密度を向上し得
る。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明の光記録再生装置について
以下に説明する。本発明の光記録再生装置の基本構成は
図１のものと同様であり、ディスク状の基板上に積層さ
れた記録層と、記録層の少なくとも片面側に形成され、
光照射により光透過特性が変化するマスク層とを有する
光記録媒体と、回転する光記録媒体の記録層に光を照射
しその反射光を検出することにより情報を読み取る光ピ
ックアップとを具備する。前記マスク層と相変化型の記
録層を有する光記録媒体Ｍ１（以下、媒体Ｍ１という）
を図１に示す。同図において、１１はポリカーボネー
ト，ポリオレフィン，ポリアセタール，ポリメチルメタ
クリレート，エポキシ樹脂，アクリル樹脂，ガラス，樹
脂層を表面に形成した強化ガラス，透光性セラミック等
から成るディスク状の基板、１２はＺｎＳ−ＳｉＯ₂ 等
から成る第一透明誘電体層、１３はマスク層、１４はＺ
ｎＳ−ＳｉＯ₂ 等から成る第二透明誘電体層、１５は相
変化型の記録層、１６はＺｎＳ−ＳｉＯ₂ 等から成る第
三透明誘電体層、１７はＡｌ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｌ−Ｔｉ
合金，Ａｌ−Ｃｒ合金等から成る反射層である。

【００２０】本発明において、記録層１５はＧｅＴｅ，
ＧｅＳｂＴｅ，ＡｇＩｎＳｂＴｅ，ＩｎＳｅＴｌＣｏ，
ＩｎＳｂＴｅ等のカルコゲン化物から成る材料がよく、
なかでもＧｅＴｅ，ＧｅＳｂＴｅが書き換え可能回数が
大きく、結晶化する際に短時間の結晶化が可能であり、
非晶質状態の安定性も高いという点で好ましい。

【００２１】また、Ｇｅ_a Ｓｂ_b Ｔｅ_c （ａ＋ｂ＋ｃ＝
１００原子％）とした場合、５ａｔ（原子）％≦ａ≦７
０ａｔ％がよく、ａ＜５ａｔ％では結晶化速度が遅く、
７０ａｔ％＜ａでは非晶質状態が不安定になる。０ａｔ
％≦ｂ≦５０ａｔ％がよく、５０ａｔ％＜ｂでは非晶質
状態が不安定になる。４０ａｔ％≦ｃ≦７０ａｔ％がよ
く、ｃ＜４０ａｔ％では結晶化温度が高くなりすぎ、７
０ａｔ％＜ｃのときも結晶化温度が高くなりすぎる。ま
た、記録層１５の厚さは、５〜５００ｎｍがよく、５ｎ
ｍ未満では結晶質状態と非晶質状態間の反射率差が小さ
くなり、５００ｎｍを超えると繰り返し記録再生による
ＢＥＲ等の特性劣化が大きくなる。より好ましくは、１
０〜４００ｎｍである。

【００２２】上記第一，第二，第三透明誘電体層１２，
１４，１６は、記録層１５及びマスク層１３の保護層と
して機能するものであり、その材質はＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ₂ ，ＳｉＮ系材料，ＳｉＯＮ系材料，ＳｉＯ₂ ，Ｓｉ
Ｏ，ＴｉＯ₂ ，Ａｌ₂ Ｏ₃ ，Ｙ₂Ｏ₃ ，ＴａＮ，Ａｌ
Ｎ，ＺｎＳ，Ｓｂ₂ Ｓ₃ ，ＳｎＳｅ₂ ，Ｓｂ₂ Ｓｅ₃ ，
ＣｅＦ₃ ，アモルァスＳｉ（以下、ａ−Ｓｉと表記す
る），ＴｉＢ₂ ，Ｂ₄ Ｃ，Ｂ，Ｃ等が好ましい。特に、
ＺｎＳ−ＳｉＯ₂ がよく、この材料は高温での特性変化
が少ない。（ＺｎＳ）_x （ＳｉＯ₂ ）_100-x とした場
合、６０モル％≦ｘ≦９５モル％が好適であり、ｘ＜６
０モル％では耐熱性が悪く、ｘ＞９５モル％ではＺｎＳ
の粒径が大きくなりジッターを劣化させる。

【００２３】また、反射層１７は反射率が高いＡｌ，Ａ
ｌＣｒ合金，ＡｌＣｕ合金，ＡｌＴｉ合金，Ａｕ，Ａ
ｇ，ＡｕＣｕ合金，Ｐｔ，ＡｕＰｔ合金等が好ましく用
いられる。

【００２４】本発明のマスク層１３は、照射光の波長又
は熱により光透過特性が変化するものであり、その材質
はアゾベンゼン，スピロインドリノナフトオキサジン，
スピロピラン等のフォトクロミック材料、ＧｅＳｂ₄ Ｔ
ｅ₇ ，ＧｅＳｂ_4.5 Ｔｅ₇ ，ＧｅＳｂ₅ Ｔｅ₇ ，Ｓｂ₂
Ｔｅ₃ 等のカルコゲン化物から成る相変化型材料が好ま
しい。このうち、ＧｅＳｂＴｅについて、Ｇｅ_d Ｓｂ_e
Ｔｅ_f （ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００ａｔ％）とした場合、５ａ
ｔ％≦ｄ≦５０ａｔ％，１０ａｔ％≦ｅ≦６０ａｔ％，
４０ａｔ％≦ｆ≦７０ａｔ％とするのが良い。ｄ＜５ａ
ｔ％では、相変化時間が長くなり、ｄ＞５０ａｔ％で
は、相変化する温度が高くなる。ｅ＜１０ａｔ％では、
相変化する温度が高くなり、ｅ＞６０ａｔ％では、相変
化時間が長くなる。ｆ＜４０ａｔ％では、相変化時間が
長くなり、ｆ＞７０ａｔ％では、相変化する温度が高く
なる。

【００２５】上記マスク層１３の材料のうち、アゾベン
ゼン，スピロインドリノナフトオキサジン，スピロピラ
ン等のフォトクロミック材料は、波長が３５０〜４５０
ｎｍ（紫外線領域）の光を照射した場合ある吸収係数値
となりその状態が維持され、７００〜８００ｎｍ（赤外
線領域）の光を照射した場合他の吸収係数値となりその
状態が維持される。従って、吸収係数の違いによって２
状態間で光透過特性が変化する。また、他のフォトクロ
ミック材料として、光を照射した場合ある吸収係数値と
なり所定時間後吸収係数が元の状態になるもの、２状態
間で屈折率が異なるもの等があり、これらも本発明では
使用可能である。

【００２６】また、ＧｅＳｂ₄ Ｔｅ₇ ，ＧｅＳｂ_4.5 Ｔ
ｅ₇ ，ＧｅＳｂ₅ Ｔｅ₇ ，Ｓｂ₂ Ｔｅ₃ 等のカルコゲン
化物は、照射光の波長よりも強度に依存性があり、３〜
６ｍＷのローパワーのレーザ光を照射した場合ある屈折
率となりその状態が維持され、８ｍＷ以上のハイパワー
のレーザ光を照射した場合他の屈折率となりその状態が
維持される。そして、マスク層１３に隣接する第二，第
三透明誘電体層１２，１４の厚さを調整することで光の
干渉効果により、前記の２状態間で光透過特性が変化す
る。

【００２７】一方、マスク層１３の材料として、情報の
再生時に光照射により溶融して結晶化することで光学的
特性が変化するものは不適であり、記録層１５として相
変化型の材料を用いた場合に、マスク層１３の融点と記
録層１５の相転移点が近接することになる。その結果、
マスク層１３のみを相変化させようとしても記録層１５
の相変化が同時に起こり易く、記録層１５のデータが乱
れることになる。

【００２８】本発明のマスク層１３は、光が照射されて
から光透過特性が変化するまでの期間をＴr とした場
合、０．１λ／（ＮＡ×ＶL ）≦Ｔr ≦０．８λ／（Ｎ
Ａ×ＶL ）（但し、λ：光波長，ＮＡ：光ピックアップ
の対物レンズの開口数，ＶL ：記録ビットと光スポット
との相対速度）となる特性を有する。また、上記本発明
のフォトクロミック材料、相変化型材料を用いて、その
組成比等を調整することによっても前記Ｔr の範囲内の
ものとすることができる。そして、Ｔr ＜０．１λ／
（ＮＡ×ＶL ）では、光透過特性の変化する期間Ｔr が
短すぎるため、高記録密度にすると信号出力（Ｃ／Ｎ
比）が低下し易い。Ｔr ＞０．８λ／（ＮＡ×ＶL ）で
は、再生時の分解能が低下しＢＥＲ等が劣化し易い。好
ましくは、０．３λ／（ＮＡ×ＶL ）≦Ｔr ≦０．５λ
／（ＮＡ×ＶL ）である。

【００２９】上記マスク層１３の厚さは１０〜５０００
Åが良く、１０Å未満では光透過特性の変化量が小さく
なり、５０００Åを超えると光透過特性の変化のばらつ
きが大きくなる。

【００３０】また、マスク層１３は記録層１５の反射層
１７側に設けても良く、例えば基板１１，第一透明誘電
体層１２，記録層１５，第二透明誘電体層１４，マスク
層１３，反射層１７を順次積層させた構成とすることも
できる。この場合、マスク層１３が、Ａｌ合金等から成
り熱伝導性に優れる反射層１７に隣接しているため、放
熱性が向上し、繰り返し記録再生に対する耐久性が良好
になる。尚、この場合第三透明誘電体層１６は不要であ
る。更には、マスク層１３は記録層１５の両面側に設け
ても構わない。

【００３１】更に、マスク層１３とそれに隣接する透明
誘電体層の厚さを調整し、照射光（再生光）に対する干
渉効果により反射防止性を付与し、光透過領域での光透
過率を極大化させることも可能である。

【００３２】本発明の光記録媒体は、基板１１上に積層
された記録層１５と、記録層１５の少なくとも片面側に
形成され、光照射により光透過特性が変化するマスク層
１３とから成り、マスク層１３に光を照射してから光透
過特性が変化するまでの期間をＴr とした場合、３ｎｓ
ｅｃ≦Ｔr ≦１００ｎｓｅｃである。Ｔr ＜３ｎｓｅｃ
では、ＶL が２０ｍ／ｓｅｃ以上のかなりの高速にな
り、高記録密度にすると信号出力（Ｃ／Ｎ比）が低下し
易くなると共に、高速対応のために光記録再生装置が高
コスト化する。１００ｎｓｅｃ＜Ｔr では、高記録密度
化するのが困難になる。好ましくは、５ｎｓｅｃ≦Ｔr
≦３０ｎｓｅｃである。

【００３３】上記実施形態では、相変化型の記録層１５
を用いた媒体について説明したが、本発明はこれに限ら
ず、光磁気記録層を用いた光磁気ディスク、基板１１に
記録ビット用の凹凸を形成しＡｌ，Ａｌ合金等の反射層
を形成した所謂ＣＤ等の光ディスク、シアニン色素，ア
ズレニウム色素等のポリメチン系色素を記録層に用いた
光ディスク等にも適用できる。光磁気ディスクの場合、
光磁気記録層はＣｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ等の遷移
金属元素と、Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ等の
希土類元素との非晶質合金であり、例えばＴｂＦｅ，Ｔ
ｂＦｅＣｏ，ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＦ
ｅＣｏ等からなる。

【００３４】また従来、基板１１上に記録層１５、反射
層１７等の各層を順次積層し、基板１１の裏面側から再
生用のレーザ光を入射する構成を採っていたが、本発明
は、基板１１上に反射層１７、記録層１５を順次積層
し、基板１１の記録層１５側から再生用のレーザ光を入
射する構成のものにも適用できる。更に本発明は、上述
した如く、記録層１５とマスク層１３以外に第一，第
二，第三透明誘電体層１２，１４，１６等を設けても構
わない。

【００３５】本発明の光記録媒体は、ＣＤ（Compact Di
sc），ＣＤ−ＲＷ（Compact Disc ReWritable ），ＤＶ
Ｄ（Digital Versatile Disc），ＤＶＤ−ＲＷ（Digita
l Versatile Disc ReWritable ），相変化型光ディスク
等の光ディスク、光磁気ディスクなどのディスク状の光
記録媒体に限らず、記録ビットを直線状に形成した光カ
ード，光磁気カード等のカード型の光記録媒体も含む。

【００３６】本発明において、記録層１５等の各層を基
板１１の両面に積層する（この場合、基板１１上に反射
層１７、記録層１５の順に積層する）、又は片面に各層
を積層した２枚の基板１１を貼り付けることにより２倍
の記録密度としても良い。また本発明は、レーザビーム
をパルス変調する光強度変調方式で記録するものに限ら
ず、電子ビーム、電磁波等のエネルギー線による加熱方
式での記録も応用可能である。

【００３７】かくして、本発明は、繰り返し記録再生特
性が向上し、また均一な光透過領域とマスクを形成で
き、光透過領域とマスクとの境界が明瞭な媒体を用いる
ことで、Ｃ／Ｎ比，ＢＥＲ等が改善されるという作用効
果を有する。

【００３８】尚、本発明は上記の実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。

【００３９】

【実施例】本発明の実施例を以下に説明する。

【００４０】（実施例１）図１の媒体Ｍ１（光ディス
ク）を以下のようにして構成した。厚さ０．６ｍｍのポ
リカーボネートから成る３．５インチ径のディスク状の
基板１１の主面上に、以下の各層をマグネトロンスパッ
タリング法により順次成膜した。

【００４１】膜厚約１０００Å，（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ
₂ ）₂₀から成る第一透明誘電体層１２、膜厚約１０００
Åの各種材料（表１）からなるマスク層１３、膜厚約２
００Å，（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂ ）₂₀から成る第二透明
誘電体層１４、膜厚約２００Å，Ｇｅ₂ Ｓｂ₂ Ｔｅ₅ か
ら成る記録層１５、膜厚約２００Å，（ＺｎＳ）₈₀（Ｓ
ｉＯ₂ ）₂₀から成る第三透明誘電体層１６、膜厚約１０
００Å，Ａｌ−Ｃｒ合金から成る反射層１７である。

【００４２】そして、これらの光ディスクについて、先
ず記録ビットと光スポットとの相対速度として、光ディ
スクのトラックの線速度を１０ｍ／ｓｅｃとし、光波長
４１０ｎｍで１３ｍＷ（非晶質状態に対応）と５ｍＷ
（結晶質状態に対応）にパルス変調されたレーザビーム
を照射し、記録ビット長が０．２μｍ，０．４μｍ，
０．８μｍの３種の信号を記録した。次いで、半導体レ
ーザの光波長λ、対物レンズの開口数ＮＡ＝０．５５の
光ピックアップを用い、線速度ＶL ＝１０ｍ／ｓｅｃで
再生しＣ／Ｎ比を測定した結果を表１に示す。

【００４３】尚、表１のアゾベンゼン，スピロインドリ
ノナフトオキサジン，スピロピランは、λ＝４１０ｎｍ
の光照射で吸光度は各々０．４，０．８，０．８に変化
し、λ＝７００〜８００ｎｍの光照射で吸光度は各々ほ
ぼ０になる。また、ＧｅＳｂ₄ Ｔｅ₇ ，ＧｅＳｂ_4.5 Ｔ
ｅ₇ ，ＧｅＳｂ₅ Ｔｅ₇ ，Ｓｂ₂ Ｔｅ₃ は、２〜５ｍＷ
のローパワーのレーザ光を照射した場合屈折率は各々
１．７＋ｉ３．４，１．７＋ｉ３．５，１．８＋ｉ３．
５，２．０＋ｉ３．６になり、６ｍＷ以上のハイパワー
のレーザ光を照射した場合屈折率は各々２．６＋ｉ２．
６，２．５＋ｉ２．７，２．５＋ｉ２．７，２．３＋ｉ
２．９になる。表１において、アゾベンゼンとＳｂ₂ Ｔ
ｅ₃ は本発明の範囲外とされているが、線速度、λ、Ｎ
Ａの条件によっては本発明の範囲内とし得る。

【００４４】更に、アゾベンゼン，スピロインドリノナ
フトオキサジン，スピロピランを用いた例では、当初波
長４１０ｎｍ，レーザ光パワー＝２ｍＷの光を照射して
マスク層１３をマスク化しておき、読取時にλ＝７２０
ｎｍ，レーザ光パワー＝２ｍＷとし、マスク層１３を透
明化して読み取るようにした。ＧｅＳｂ₄ Ｔｅ₇ ，Ｇｅ
Ｓｂ_4.5 Ｔｅ₇ ，ＧｅＳｂ₅ Ｔｅ₇ ，Ｓｂ₂ Ｔｅ₃ を用
いた例では、当初波長４１０ｎｍ，レーザ光パワー＝６
ｍＷの光を照射してマスク層１３をマスク化しておき、
読取時にλ＝４１０ｎｍ，レーザ光パワー＝２ｍＷと
し、マスク層１３を透明化して読み取るようにした。

【００４５】

【表１】

【００４６】表１に示すように、本発明品（ＮＯ．２〜
６）は記録ビットのビット長が短くなってもＣ／Ｎ比の
劣化が小さく高記録密度化に適している。これに対し、
比較例（ＮＯ．１，７）のものは、ＮＯ．１でビット長
が長いものはＣ／Ｎ比が良好なのを除きＣ／Ｎ比が劣化
している上、記録ビットのビット長が短くなる程Ｃ／Ｎ
比の劣化が大きく、全く実用性がないことが判った。

【００４７】（実施例２）媒体（光ディスク）を以下の
ようにして構成した。厚さ０．６ｍｍのポリカーボネー
トから成る３．５インチ径のディスク状の基板の主面上
に、以下の各層をマグネトロンスパッタリング法により
順次成膜した。

【００４８】膜厚約１０００Å，（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ
₂ ）₂₀から成る第一透明誘電体層、膜厚約２００Å，Ｇ
ｅ₂ Ｓｂ₂ Ｔｅ₅ から成る記録層、膜厚約２００Å，
（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂ ）₂₀から成る第二透明誘電体
層、膜厚約２０００Åの各種材料（表２）からなるマス
ク層、膜厚約１０００Å，Ａｌ−Ｃｒ合金から成る反射
層である。

【００４９】そして、これらの光ディスクについて、先
ず光ディスクのトラックの線速度を１０ｍ／ｓｅｃと
し、光波長４１０ｎｍで１３ｍＷ（非晶質状態に対応）
と５ｍＷ（結晶質状態に対応）にパルス変調されたレー
ザビームを照射し、記録ビット長が０．２μｍ，０．４
μｍ，０．８μｍの３種の信号を記録した。次いで、半
導体レーザの光波長λ、対物レンズの開口数ＮＡ＝０．
５５の光ピックアップを用い、線速度ＶL ＝１０ｍ／ｓ
ｅｃで再生しＣ／Ｎ比を測定した結果を表２に示す。
尚、マスク層のマスク化及び透明化の条件は実施例１と
同様とした。

【００５０】

【表２】

【００５１】表２に示すように、本発明品（ＮＯ．２〜
６）は記録ビットのビット長が短くなってもＣ／Ｎ比の
劣化が小さく高記録密度化に適している。これに対し、
比較例（ＮＯ．１，７）のものは、ＮＯ．１でビット長
が長いものはＣ／Ｎ比が良好なのを除きＣ／Ｎ比が劣化
している上、記録ビットのビット長が短くなる程Ｃ／Ｎ
比の劣化が大きく、全く実用性がないことが判った。

【００５２】（実施例３）媒体（光ディスク）を以下の
ようにして構成した。厚さ０．６ｍｍのポリカーボネー
トから成る３．５インチ径のディスク状の基板を用い、
その主面のトラックに沿って凹凸からなる記録ビットを
多数形成し、前記主面に以下の各層をマグネトロンスパ
ッタリング法により順次成膜した。膜厚約２０００Åの
各種材料（表３）からなるマスク層、膜厚約１０００
Å，Ａｌ−Ｔｉ合金から成る反射層である。このとき、
各種マスク層に対し、記録ビット長が０．２μｍ，０．
４μｍ，０．８μｍの３種の媒体をそれぞれ作製した。

【００５３】そして、これらの光ディスクについて、半
導体レーザの光波長λ、対物レンズの開口数ＮＡ＝０．
５５の光ピックアップを用い、線速度ＶL ＝１０ｍ／ｓ
ｅｃで再生しＣ／Ｎ比を測定した結果を表３に示す。
尚、マスク層のマスク化及び透明化の条件は実施例１と
同様とした。

【００５４】

【表３】

【００５５】表３に示すように、本発明品（ＮＯ．２〜
６）は記録ビットのビット長が短くなってもＢＥＲの劣
化が小さく高記録密度化に適している。これに対し、比
較例（ＮＯ．１，７）のものは、ＮＯ．１でビット長が
長いものはＢＥＲが良好なのを除きＢＥＲが劣化してい
る上、記録ビットのビット長が短くなる程ＢＥＲの劣化
が大きく、全く実用性がないことが判った。

【００５６】

【発明の効果】本発明は、記録層の少なくとも片面側に
形成され、光照射により光透過特性が変化するマスク層
を有する光記録媒体と、記録層に光を照射しその反射光
を検出することにより情報を読み取る光ピックアップと
を具備し、マスク層に光を照射してから光透過特性が変
化するまでの期間をＴr とした場合、０．１λ／（ＮＡ
×ＶL ）≦Ｔr ≦０．８λ／（ＮＡ×ＶL ）（但し、
λ：光波長，ＮＡ：光ピックアップの対物レンズの開口
数，ＶL ：記録ビットと光スポットとの相対速度）とし
た光記録媒体を用いたことにより、光透過領域とマスク
領域との境界が明瞭であり、均一な光透過領域とマスク
領域を形成可能な媒体を用いることで、Ｃ／Ｎ比，ＢＥ
Ｒ等が改善され、また繰り返し記録再生特性が向上する
という作用効果を有する。

【００５７】また本発明の光記録媒体は、マスク層に光
を照射してから光透過特性が変化するまでの期間をＴr
とした場合、３ｎｓｅｃ≦Ｔr ≦１００ｎｓｅｃである
ことにより、再生信号出力（Ｃ／Ｎ比）を維持して光記
録媒体の記録密度を向上し得る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録媒体の部分断面図である。

【図２】本発明の光磁気ディスク用の光記録再生装置の
基本構成を示すブロック図である。

【図３】光ピックアップのトラッキング動作を説明する
ものであり、光ピックアップ及び光記録媒体の斜視図で
ある。

【符号の説明】

１：光磁気ディスク ２：モーター ３：磁気ヘッド ４：光ピックアップ ５：記録データ回路 ６：再生データ回路 ７：制御回路 ８：記憶回路 ９：コンピュータ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に積層された記録層と、該記録層の
   少なくとも片面側に形成され、光照射により光透過特性
   が変化するマスク層とから成る光記録媒体と、前記記録
   層に光を照射しその反射光を検出することにより情報を
   読み取る光ピックアップとを具備し、前記マスク層に光
   を照射してから光透過特性が変化するまでの期間をＴr
   とした場合、０．１λ／（ＮＡ×ＶL ）≦Ｔr ≦０．８
   λ／（ＮＡ×ＶL ）（但し、λ：光波長，ＮＡ：光ピッ
   クアップの対物レンズの開口数，ＶL ：記録ビットと光
   スポットとの相対速度）とした光記録媒体を用いたこと
   を特徴とする光記録再生装置。
2. 【請求項２】基板上に積層された記録層と、該記録層の
   少なくとも片面側に形成され、光照射により光透過特性
   が変化するマスク層とから成り、前記マスク層に光を照
   射してから光透過特性が変化するまでの期間をＴr とし
   た場合、３ｎｓｅｃ≦Ｔr ≦１００ｎｓｅｃであること
   を特徴とする光記録媒体。