JP2000347051A - Optical/electrical wiring board, its manufacturing method and package board - Google Patents

Optical/electrical wiring board, its manufacturing method and package board

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JP2000347051A
JP2000347051A JP2000087195A JP2000087195A JP2000347051A JP 2000347051 A JP2000347051 A JP 2000347051A JP 2000087195 A JP2000087195 A JP 2000087195A JP 2000087195 A JP2000087195 A JP 2000087195A JP 2000347051 A JP2000347051 A JP 2000347051A
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optical
core
electrical
wiring
electrical wiring
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JP2000087195A
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Japanese (ja)
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Taketo Tsukamoto
健人 塚本
Koichi Kumai
晃一 熊井
Shigeru Hirayama
茂 平山
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Toppan Printing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical/electrical wiring board which is capable of high-density mounting or miniaturization and which enables the mounting of optical parts to be performed in the same method as that of electrical parts. SOLUTION: The device is an optical/electrical wiring board having an optical wiring layer 13, which is provided with a core 1 for propagating light and with a clad 2 for burying the core 1, on the electrical wiring 10 of a wiring base plate 9; it is equipped with a mirror 3 installed in a part of the core 1, a pad 5 installed for the purpose of soldering optical components on the periphery immediately above the mirror 3, and a via hole 12 for electrically connecting the pad 5 to the electrical wiring of the base plate 9. For aligning at the time of the manufacturing, it is desirable to use an alignment mark 4.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光配線と電気配線
とが混在する光・電気配線基板及びその製造方法並びに
その基板に光素子等の光部品と電気素子等の電気部品と
を実装した実装基板に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical / electrical wiring board in which optical wiring and electric wiring are mixed, a method of manufacturing the same, and an optical component such as an optical element and an electric component such as an electric element mounted on the substrate. Related to a mounting board.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体大規模集積回路(LSI)
等の電気素子ではトランジスターの集積度が高まり、そ
の動作速度はクロック周波数で1GHzに達するものが
出現するに至っている。
2. Description of the Related Art Recently, semiconductor large-scale integrated circuits (LSIs)
In such electric elements, the degree of integration of transistors is increasing, and the operation speed of the transistors reaches 1 GHz in clock frequency.

【0003】この高集積化された電気素子を電気配線基
板に実装するために、BGA(Ball Grid A
rray)やCSP(Chip Size Packa
ge)等のパッケージが開発され、実用化されている。
図11はBGAパッケージに電気素子を実装し電気配線
基板へ実装した構造の概略を示したものである。
In order to mount the highly integrated electric element on an electric wiring board, a BGA (Ball Grid A) is used.
rray) and CSP (Chip Size Packa)
Ge) etc. have been developed and put into practical use.
FIG. 11 schematically shows a structure in which an electric element is mounted on a BGA package and mounted on an electric wiring board.

【0004】ガラス布にエポキシ樹脂等を含浸した銅貼
基板をベースに、絶縁層、導体層を交互に積層したいわ
ゆるビルドアップ多層積層板152の片側表面に金等で
バンプ153が形成され、電気素子151の電極と電気
接続されている。また、反対表面には金等で表面処理さ
れたパッド157が形成され、半田ボール154を介し
て電気配線基板155上に半田接続されている。周辺の
電気素子(図示せず)とは電気配線156を介して、電
気信号のやりとりを行うようになっている。
A so-called build-up multilayer laminate 152 in which insulating layers and conductor layers are alternately laminated on a copper-clad substrate impregnated with an epoxy resin or the like in a glass cloth has bumps 153 formed on one surface of the laminate 152 made of gold or the like. The electrode of the element 151 is electrically connected. A pad 157, which is surface-treated with gold or the like, is formed on the opposite surface, and is connected to the electric wiring board 155 via solder balls 154 by soldering. Electric signals are exchanged with peripheral electric elements (not shown) via electric wiring 156.

【0005】電気素子内部のクロック周波数が高くなる
につれて、電気素子外部の素子間信号速度も高くなる要
求がある。しかし、素子間の電気配線に高速の信号が流
れると、電気配線の形状不良による反射等のノイズ、あ
るいは、クロストークの影響が避けられなくなる。ま
た、電気配線から電磁波が発生して周囲に悪影響を与え
るという問題も発生する。このため、現状では、電気素
子間の信号速度をわざわざ落とし、これらの問題が起こ
らない程度にシステムが構築されている。これでは、高
集積された電気素子の機能が充分生かされていないこと
になる。
There is a demand that as the clock frequency inside the electric element increases, the signal speed between elements outside the electric element also increases. However, when a high-speed signal flows through the electric wiring between the elements, noise such as reflection due to a defective shape of the electric wiring or the influence of crosstalk cannot be avoided. In addition, there is also a problem that electromagnetic waves are generated from the electric wiring and adversely affect the surroundings. For this reason, at present, the signal speed between the electric elements is bothersomely reduced, and the system is constructed so that these problems do not occur. In this case, the function of the highly integrated electric element is not sufficiently utilized.

【0006】このような問題を解決するために、電気配
線基板上の銅による電気配線の一部を光ファイバーによ
る光配線に置き換え、電気信号の代わりに光信号を利用
することが考えられている。なぜなら、光信号の場合
は、ノイズ及び電磁波の発生を抑えられるからである。
In order to solve such a problem, it has been considered to replace a part of the electric wiring made of copper on the electric wiring board with an optical wiring made of an optical fiber and use an optical signal instead of an electric signal. This is because, in the case of an optical signal, generation of noise and electromagnetic waves can be suppressed.

【0007】電気信号を光信号に置き換えた系では、電
気信号は電気素子からBGAパッケージの電気配線を通
り、さらに、基板上の電気配線を経て、同基板上に設置
された光素子で光信号に変換され、同基板上の光ファイ
バに伝わる。すなわち、図12のように、BGAパッケ
ージ162の周辺部にレーザ等の発光素子やフォトダイ
オード等の受光素子である光素子166を配置させた形
態をとる。場合によっては、BGAパッケージと光素子
の間にドライバーICが存在する。
In a system in which an electric signal is replaced with an optical signal, the electric signal passes through the electric wiring of the BGA package from the electric element, further passes through the electric wiring on the substrate, and is transmitted by the optical element installed on the substrate. And transmitted to the optical fiber on the same substrate. That is, as shown in FIG. 12, a light emitting element such as a laser or an optical element 166 which is a light receiving element such as a photodiode is arranged around the BGA package 162. In some cases, a driver IC exists between the BGA package and the optical device.

【0008】電気配線基板上の銅配線の一部を光ファイ
バによる光配線に置き換えた光・電気配線基板として、
一般的には、“山口ら「ファイバーボードを用いた光バ
ス高密度化の一検討」電子情報通信学会エレクトロニク
スソサイエティ大会、C−3−49、1997年”で記
載のように、電気配線部の周辺部に光ファイバーを配置
させたり、あるいは、電気配線基板の上部空間にフリー
な状態で光ファイバーを配置させている場合が多い。し
かし、これらの形態ではファイバー設置部分に無駄が多
く電子機器の小型化を困難にしている。
An optical / electrical wiring board in which a part of the copper wiring on the electric wiring board is replaced by an optical wiring using an optical fiber,
In general, as described in "Yamaguchi et al.," Study of Optical Bus Densification Using Fiber Board ", IEICE Electronics Society Conference, C-3-49, 1997," In many cases, optical fibers are arranged in the peripheral area, or optical fibers are arranged in a free state in the upper space of the electric wiring board. Is making it difficult.

【0009】この問題を解決するため、特開平3−29
905号公報や特開平5−281429号公報にて述べ
られているように、電気配線基板上に光ファイバを絶縁
膜で固定した基板(光・電気配線基板)が提案されてい
る。
In order to solve this problem, Japanese Patent Laid-Open Publication No.
As described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 905 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-281429, a substrate (optical / electrical wiring substrate) in which an optical fiber is fixed on an electric wiring substrate with an insulating film has been proposed.

【0010】このような光・電気配線基板は、レーザダ
イオードやフォトダイオード等の光素子166の光軸と
光配線である光ファイバー167の光軸とを光学的に一
致させることが難しく、一般に熟練労働者に頼らなけれ
ば一致させられなかった。従って、リフロー炉などで自
動的にハンダ付けできるBGAパッケージ等の電気部品
と比較して、光素子を光・電気配線基板に実装すること
は、非常に高価なものになるという欠点があった。
In such an optical / electrical wiring board, it is difficult to optically match the optical axis of an optical element 166 such as a laser diode or a photodiode with the optical axis of an optical fiber 167 which is an optical wiring. I couldn't agree without relying on others. Therefore, as compared with an electric component such as a BGA package that can be automatically soldered in a reflow furnace or the like, mounting an optical element on an optical / electrical wiring board has a disadvantage that it is very expensive.

【0011】さらに、光配線として光ファイバを用いる
場合、その屈曲性の限界から、複雑な形状の光配線には
対応しきれず、設計の自由度が低くなってしまい、高密
度配線あるいは基板の小型化に対応できないという問題
があった。
Further, when an optical fiber is used as the optical wiring, it cannot cope with an optical wiring having a complicated shape due to the limit of its flexibility, and the degree of freedom of design is reduced. There was a problem that it could not cope with.

【0012】このため、電気配線基板の上に、光配線と
して、光導波路を用いた光・電気配線基板の構成がいく
つか提案されている。たとえば、特開平4−14668
4号公報や特開平6−258544号公報に述べられて
いる。光導波路の構成は光信号が伝搬するコアが、光信
号をコアに閉じこめるクラッド層に埋設されている。コ
アパターンの形成方法は、フォトリソグラフィ技術によ
り、メタルマスクを形成し、ドライエッチングで作製す
るか、コア材料に感光性が付与されている場合は露光、
現像処理にて作製できる。このため、フォトマスクのパ
ターンを基に光配線を形成できるため、その設計の自由
度は高くなる。また、比較的短距離の伝送にも対応が可
能となる。
For this reason, several configurations of an optical / electrical wiring board using an optical waveguide as an optical wiring on an electric wiring board have been proposed. For example, Japanese Unexamined Patent Publication No.
No. 4 and JP-A-6-258544. In the configuration of the optical waveguide, a core through which an optical signal propagates is embedded in a clad layer that confine the optical signal to the core. The method of forming the core pattern is to form a metal mask by photolithography technology and produce it by dry etching or, if the core material is given photosensitivity, exposure,
It can be produced by development processing. For this reason, since the optical wiring can be formed based on the pattern of the photomask, the degree of freedom of the design is increased. Also, transmission over a relatively short distance can be supported.

【0013】しかしながら、光配線として光導波路を用
いた光・電気配線基板においても、光ファイバーを用い
た場合と同様に光軸合わせは非常に困難となる。先にあ
げた特開平4−146684号公報や特開平6−258
544号公報では、レーザーダイオードやフォトダイオ
ード等の光素子と光導波路との光軸合わせの構造につい
ては明記されていない。
However, even in an optical / electrical wiring board using an optical waveguide as an optical wiring, it is very difficult to align the optical axis as in the case where an optical fiber is used. The above-mentioned JP-A-4-146684 and JP-A-6-258
In Japanese Patent Application Publication No. 544, there is no description about the structure of optical axis alignment between an optical element such as a laser diode or a photodiode and an optical waveguide.

【0014】また、特開平6−69490号公報では、
同様に光配線として光導波路を用いた光・電気配線基板
について述べられているが、光素子と光導波路の接続は
光ファイバーを用いているため、同様に光軸合わせが非
常に困難となる。
In Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-69490,
Similarly, an optical / electrical wiring board using an optical waveguide as the optical wiring is described. However, since the connection between the optical element and the optical waveguide uses an optical fiber, the optical axis alignment becomes very difficult similarly.

【0015】一方、電気配線基板上に光導波路を形成す
る方法として、特開平9−236731号公報では、セ
ラミック多層配線基板上に、直に、ビルドアップして形
成する方法、すなわち、セラミック多層配線基板上にク
ラッド層を形成し、コアパターンを形成し、さらに、そ
の上からクラッド層で覆う方法が提案されている。
On the other hand, as a method of forming an optical waveguide on an electric wiring board, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 9-236731 discloses a method of directly building up and forming a ceramic multilayer wiring board on a ceramic multilayer wiring board. There has been proposed a method in which a clad layer is formed on a substrate, a core pattern is formed, and the core pattern is further covered with the clad layer.

【0016】しかしながら、光配線層の下地としての電
気配線基板表面は、電気配線が多層化されていること
で、非常に大きな凹凸が形成されている。このため、そ
の表面直に光導波路を形成すると、その凹凸のために光
信号の伝搬損失が大きくなるという問題点が発生する。
However, very large irregularities are formed on the surface of the electric wiring board as a base of the optical wiring layer due to the multilayered electric wiring. For this reason, if the optical waveguide is formed directly on the surface, there is a problem that the propagation loss of the optical signal increases due to the unevenness.

【0017】[0017]

【発明が解決しようとする課題】本発明は係る従来技術
の欠点に鑑みてなされたもので、高密度実装又は小型化
が可能で、しかも、光部品の実装が電気部品の実装とが
同じ方法で行える光・電気配線基板を提供することを課
題とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks of the prior art, and is capable of high-density mounting or miniaturization, and in which optical components are mounted in the same manner as electrical components. It is an object of the present invention to provide an optical / electrical wiring board which can be realized by the above.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】本発明において上記の課
題を達成するために、まず請求項1の発明では、電気配
線を有する基板の電気配線の上に、光を伝搬させるコア
とそのコアを埋没させるクラッドとを有する光配線層を
備える光・電気配線基板であって、コアの一部に設けら
れたミラーと、ミラーの直上の周囲に光部品をハンダ付
けするために設けられたパッドと、パッドと基板の電気
配線とを電気接続するビアホールと、を具備することを
特徴とする光・電気配線基板としたものである。
In order to achieve the above-mentioned object, according to the first aspect of the present invention, a core for transmitting light and a core for propagating light on electric wiring of a substrate having electric wiring are provided. An optical / electrical wiring board including an optical wiring layer having a buried cladding, a mirror provided on a part of a core, and a pad provided for soldering an optical component immediately above the mirror. And a via hole for electrically connecting the pad and the electric wiring of the substrate.

【0019】また請求項2の発明では、電気配線を有す
る基板の電気配線の上に、光を伝搬させるコアとそのコ
アを埋没させるクラッドとを有する光配線層を備える光
・電気配線基板であって、コアの一部に設けられたミラ
ーと、ミラーの直上の周囲に光部品をハンダ付けするた
めに設けられた光部品用のパッドと、電気部品をハンダ
付けするために光配線層上に設けられた電気部品用のパ
ッドと、光部品又は電気部品用のパッドと基板の電気配
線とを電気接続するビアホールと、を具備することを特
徴とする光・電気配線基板としたものである。
According to the second aspect of the present invention, there is provided an optical / electrical wiring board including an optical wiring layer having a core for transmitting light and a clad for burying the core, on the electric wiring of the substrate having the electric wiring. A mirror provided on a part of the core, a pad for the optical component provided for soldering the optical component immediately above the mirror, and an optical wiring layer for soldering the electrical component. An optical / electrical wiring board, comprising: a provided pad for an electrical component; and a via hole for electrically connecting the optical component or the pad for the electrical component to an electrical wiring of the substrate.

【0020】また請求項3の発明では、電気配線を有す
る基板の電気配線の上に、光を伝搬させるコアとそのコ
アを埋没させるクラッドとを有する光配線層を備える光
・電気配線基板であって、コアの一部に設けられたミラ
ーと、ミラーの直上の周囲に光部品をハンダ付けするた
めに設けられた光部品用のパッドと、電気部品をハンダ
付けするために光配線層上に設けられた電気部品用のパ
ッドと、光部品又は電気部品用のパッドと基板の電気配
線とを電気接続するビアホールと、光配線層上に設けら
れた電気配線と、を具備することを特徴とする光・電気
配線基板としたものである。
According to a third aspect of the present invention, there is provided an optical / electrical wiring board including an optical wiring layer having a core for transmitting light and a clad for burying the core, on the electric wiring of the substrate having the electric wiring. A mirror provided on a part of the core, a pad for the optical component provided for soldering the optical component immediately above the mirror, and an optical wiring layer for soldering the electrical component. It is characterized by comprising a provided electric component pad, an optical component or a via hole for electrically connecting the electric component pad and an electric wiring of the substrate, and an electric wiring provided on the optical wiring layer. Optical and electric wiring boards.

【0021】また請求項4の発明では、光配線層表面に
クラッドの屈折率と等しい樹脂層が形成され、該光部品
及び電気部品をハンダ付けするために設けられたパッド
上に孔が形成され、該パッド表面が露出していることを
特徴とする請求項1〜3記載の光・電気配線基板とした
ものである。
According to the present invention, a resin layer having the same refractive index as the clad is formed on the surface of the optical wiring layer, and a hole is formed on a pad provided for soldering the optical component and the electrical component. 4. The optical / electrical wiring board according to claim 1, wherein said pad surface is exposed.

【0022】また請求項5の発明では、位置決めをする
アライメントマークと光を伝搬させるコアとそれらアラ
イメントマーク及びコアを埋没させるクラッドとを有す
る光配線層を支持体の上に作る工程と、アライメントマ
ークを基準にしてコアの一部にミラーを設けて光配線層
を、電気配線を有する基板に接着する工程と、基板上の
電気配線とビアホールで電気接続しているパッドを、ア
ライメントマークを基準にして光配線層上に作る工程と
を含む光・電気配線基板の製造方法であって、コアとア
ライメントマークとを同時に形成することを特徴とする
光・電気配線基板の製造方法としたものである。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a step of forming an optical wiring layer having a positioning alignment mark, a core for transmitting light, and a cladding for burying the alignment mark and the core on a support, Bonding the optical wiring layer to a substrate having electrical wiring by providing a mirror on a part of the core based on the reference, and connecting the electrical wiring on the substrate to the electrical wiring with via holes using the alignment mark as a reference. Forming a core and an alignment mark at the same time, comprising the steps of: forming a core and an alignment mark simultaneously on the optical / wiring layer. .

【0023】また請求項6の発明では、位置決めをする
アライメントマークと光を伝搬させるコアとそれらアラ
イメントマーク及びコアを埋没させるクラッドとを有す
る光配線層を支持体の上に作る工程と、アライメントマ
ークを基準にしてコアの一部にミラーを設けて光配線層
を、電気配線を有する基板に接着する工程と、基板上の
電気配線とビアホールで電気接続しているパッドを、ア
ライメントマークを基準にして光配線層上に作る工程
と、光配線層表面にクラッドの屈折率と等しい樹脂層を
形成し、アライメントマーク基準にして孔を形成する工
程を含む光・電気配線基板の製造方法であって、コアと
アライメントマークとを同時に形成することを特徴とす
る光・電気配線基板の製造方法としたものである。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method of forming an optical wiring layer on a support having an alignment mark for positioning, a core for transmitting light, and a cladding for burying the alignment mark and the core, Bonding the optical wiring layer to a substrate having electrical wiring by providing a mirror on a part of the core based on the reference, and connecting the electrical wiring on the substrate to the electrical wiring with via holes using the alignment mark as a reference. Forming a resin layer equal to the refractive index of the clad on the surface of the optical wiring layer, and forming a hole with reference to the alignment mark. , And a core and an alignment mark are formed at the same time.

【0024】また請求項7の発明では、請求項1〜4の
何れか1項記載の光・電気配線基板に光部品又は/及び
電気部品を実装したことを特徴とする実装基板としたも
のである。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a mounting board characterized by mounting an optical component and / or an electrical component on the optical / electrical wiring board according to any one of the first to fourth aspects. is there.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】1.光・電気配線基板 本発明の光・電気配線基板において、光部品(光素子)
を実装する部分の上面図を図1及び図2に示す。また、
コア1に沿って切断された断面図を図3及び図4に示
す。光配線層13は、光信号が伝搬するコア1と光信号
をコアに閉じこめるクラッド2からなる。コアを形成す
る材料の屈折率をクラッドのそれに比べ高くすることに
より、光信号はコア内を伝搬する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Optical / Electric Wiring Board In the optical / electrical wiring board of the present invention, an optical component (optical element)
1 and 2 show a top view of a portion on which is mounted. Also,
3 and 4 are sectional views taken along the core 1. FIG. The optical wiring layer 13 includes a core 1 through which an optical signal propagates and a clad 2 that confine the optical signal to the core. By making the refractive index of the material forming the core higher than that of the cladding, the optical signal propagates in the core.

【0026】光配線層13は接着剤11を介し、電気配
線10を有する基板9と固定されている。また、光配線
層13の表面には光部品と電気的接続をとるためのパッ
ド5、ランド6及びパッド5とランド6を接続するため
の電気配線7が設置され、ランド6と基板9上の電気配
線10とはビアホール12を介して電気接続される。図
示はしていないが、電気部品と基板上の電気配線との電
気接続も同様に行われる。
The optical wiring layer 13 is fixed to the substrate 9 having the electric wiring 10 via the adhesive 11. Further, on the surface of the optical wiring layer 13, pads 5 and lands 6 for electrically connecting with the optical component and electric wiring 7 for connecting the pads 5 and the lands 6 are provided. The electrical wiring 10 is electrically connected via the via hole 12. Although not shown, the electric connection between the electric component and the electric wiring on the substrate is similarly performed.

【0027】基板9は単層の絶縁基板でも、多層電気配
線基板でも良い。また、基板材料も、ポリイミドフィル
ムやガラス布にエポキシ樹脂等を含浸させた基板等を用
いることができる。あるいは、セラミック基板でも良
い。
The substrate 9 may be a single-layer insulating substrate or a multilayer electric wiring substrate. As a substrate material, a substrate in which a polyimide film or a glass cloth is impregnated with an epoxy resin or the like can be used. Alternatively, a ceramic substrate may be used.

【0028】また、光配線層13のコア1には45°の
ミラー3が設置されている。ミラー3を介して、光導波
路とレーザーダイオードやフォトダイオード等の光部品
の間で光信号は伝搬される。ミラー面界面はコアより屈
折率の低い樹脂を接触させるか、空気と接触させても良
い。また、金属薄膜を形成しても良い。
A 45 ° mirror 3 is provided on the core 1 of the optical wiring layer 13. An optical signal is propagated between the optical waveguide and an optical component such as a laser diode or a photodiode via the mirror 3. The mirror surface interface may be brought into contact with a resin having a lower refractive index than the core, or may be brought into contact with air. Further, a metal thin film may be formed.

【0029】図1では、コア1に設けられたミラー3直
上の周辺部に光部品と電気接続するためのパッド5が配
置されている。パッドの数は4つに限定される必要はな
く、任意の数であっても良い。さらには、形状も円形に
限定される必要はなく、任意の形状であって良く。光部
品との接続のためのはんだボールや金属リード等に合わ
せた形状を選ぶことができる。
In FIG. 1, a pad 5 for electrical connection with an optical component is arranged at a peripheral portion immediately above a mirror 3 provided on the core 1. The number of pads need not be limited to four, but may be any number. Further, the shape need not be limited to a circle, but may be any shape. A shape suitable for a solder ball, a metal lead, or the like for connection with an optical component can be selected.

【0030】また、図1には、パッド5の位置を決める
ためのアライメントマーク4、並びに、ミラー3の位置
を決めるためのアライメントマーク8が形成されてい
る。これら、アライメントマークはコア1と同時に形成
される。一方、図2では、アライメントマーク8が形成
されていない例を示す。
In FIG. 1, an alignment mark 4 for determining the position of the pad 5 and an alignment mark 8 for determining the position of the mirror 3 are formed. These alignment marks are formed simultaneously with the core 1. On the other hand, FIG. 2 shows an example in which the alignment mark 8 is not formed.

【0031】図3(a)及び(b)では、光配線層13
の表面にパッド5、ランド6及び電気配線7が露出して
いる断面図を示す。ミラー3は図3(a)や(b)のよ
うな構造に形成できる。
3A and 3B, the optical wiring layer 13
Is a cross-sectional view in which pads 5, lands 6 and electric wires 7 are exposed on the surface of FIG. The mirror 3 can be formed in a structure as shown in FIGS.

【0032】図4(a)及び(b)では、光配線層13
の表面のランド6と電気配線7は、クラッド2と同じ屈
折率の樹脂層14で被覆され、光部品と電気接続するた
めのパッド5部分のみ、露出している。また、図示はし
ていないが、電気部品と電気接続するためのパッドも同
様に露出する必要がある。
4A and 4B, the optical wiring layer 13
Are covered with a resin layer 14 having the same refractive index as that of the cladding 2, and only the pad 5 for electrical connection with the optical component is exposed. Further, although not shown, pads for electrically connecting to the electric components also need to be exposed.

【0033】2.光・電気配線基板の製造方法 本発明の光・電気配線基板の製造方法は、基本的には、
次の通りである。まず、電気配線を有する基板とは別
に、支持体の上で光配線層を作る。このとき、コアとア
ライメントマークをフォトリソグラフィー技術によって
同時に作る。次に、アライメントマークを基準として、
コアの一部にミラーを設けて光配線層を基板に接着す
る。さらに、ビアホールによって基板上の電気配線と電
気接続しているパッドを、アライメントマークを基準と
して、光配線層上に作る。
2. Method for Manufacturing Optical / Electrical Wiring Board The method for manufacturing an optical / electrical wiring board of the present invention is basically
It is as follows. First, an optical wiring layer is formed on a support separately from a substrate having electric wiring. At this time, the core and the alignment mark are simultaneously formed by photolithography. Next, based on the alignment mark,
A mirror is provided in a part of the core, and the optical wiring layer is bonded to the substrate. Further, a pad electrically connected to the electric wiring on the substrate by the via hole is formed on the optical wiring layer with reference to the alignment mark.

【0034】本製造方法では、光配線を凹凸のある電気
配線を有する絶縁基板上に直に、積み上げて作製するの
ではなく、あらかじめ別の支持体に作製し、電気配線基
板に貼り付けている。これにより、下地の電気配線基板
の凹凸を緩和し、凹凸による光信号の損失をある程度、
低減することができる。
In this manufacturing method, the optical wiring is not directly formed on the insulating substrate having the uneven electric wiring, but is formed on another support in advance and attached to the electric wiring substrate. . As a result, the unevenness of the underlying electric wiring board is reduced, and the loss of the optical signal due to the unevenness is reduced to some extent.
Can be reduced.

【0035】以下、2つの実施の形態を説明する。Hereinafter, two embodiments will be described.

【0036】<光・電気配線基板の製造方法の第1の実
施の形態>光・電気配線基板の製造方法の第1の実施の
形態として、図3(a)に示す光・電気配線基板を、図
5の(a)〜(o)の流れに従って説明する。
<First Embodiment of Method of Manufacturing Optical / Electrical Wiring Board> As a first embodiment of a method of manufacturing an optical / electrical wiring board, the optical / electrical wiring board shown in FIG. The description will be made in accordance with the flow of FIGS.

【0037】図5の(a)のように、第1の支持体21
であるシリコンウエハの上に、剥離層22として、C
r、Cuの薄膜層をスパッタし、その後、硫酸銅めっき
浴中にてCu層を約10μm 形成した。
As shown in FIG. 5A, the first support 21
As a release layer 22 on a silicon wafer
A thin film layer of r and Cu was sputtered, and then a Cu layer was formed to about 10 μm in a copper sulfate plating bath.

【0038】図5の(b)のように、剥離層22の上
に、第1のクラッド23としてポリイミドOPI−N1
005(日立化成工業(株)製)をスピンコートし、3
50℃にてイミド化させた。この時の膜厚は20μm で
あった。
As shown in FIG. 5B, a polyimide OPI-N1 is formed on the release layer 22 as a first clad 23.
005 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.)
It was imidized at 50 ° C. At this time, the film thickness was 20 μm.

【0039】図5の(c)のように、第1のクラッド2
3の上にコア24としてポリイミドOPI−N1305
(日立化成(株)製)を同様にスピンコートし、350
℃でイミド化させた。この時の膜厚は8μm であった。
この光配線層に用いられるコア並びにクラッド材料はポ
リイミド樹脂に限らず、フッ素化あるいは重水素化した
エポキシ樹脂、メタクリル酸エステル樹脂等の高分子材
料の中で、光信号に用いられる光の波長により損失の少
ない材料を選ぶことができる。
As shown in FIG. 5C, the first clad 2
Polyimide OPI-N1305 as core 24 on 3
(Manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) and spin-coated
It was imidized at ℃. At this time, the film thickness was 8 μm.
The core and cladding materials used for this optical wiring layer are not limited to polyimide resins, but can be selected from polymer materials such as fluorinated or deuterated epoxy resins and methacrylate resins, depending on the wavelength of light used for optical signals. Materials with low loss can be selected.

【0040】さらに、コア層表面にAlを蒸着し、フォ
トレジストの所定のパターンを形成し、エッチング処理
を行い、Alのメタルマスク25及び26を形成した。
メタルマスク25は光配線となるコアパターンを、メタ
ルマスク26はアライメントマークパターンを示す。
Further, Al was vapor-deposited on the surface of the core layer, a predetermined pattern of a photoresist was formed, and etching was performed to form Al metal masks 25 and 26.
The metal mask 25 indicates a core pattern to be an optical wiring, and the metal mask 26 indicates an alignment mark pattern.

【0041】図5の(d)のように、酸素ガスを用い、
反応性イオンエッチングにてコア24をエッチングし
た。さらに、メタルマスクであるAl膜をエッチング除
去してコア(光配線)パターン27及びアライメントマ
ークパターン28を同時に形成した。このときのコアパ
ターンの線幅は8μmであり、断面形状は高さ8μm、
幅8μmの正方形となった。断面の寸法は、これに限ら
ず、伝送モード、コアとクラッドの屈折率差によって5
μmから100μmで選ぶことができる。
As shown in FIG. 5D, using oxygen gas,
The core 24 was etched by reactive ion etching. Further, the Al film serving as the metal mask was removed by etching to form a core (optical wiring) pattern 27 and an alignment mark pattern 28 at the same time. At this time, the line width of the core pattern was 8 μm, the sectional shape was 8 μm in height,
It became a square having a width of 8 μm. The size of the cross section is not limited to this, and may vary depending on the transmission mode and the refractive index difference between the core and the clad.
It can be selected from μm to 100 μm.

【0042】図5の(e)のように、第2のクラッド2
9としてOPI−1005を同様にコートしてイミド化
させる。この時のクラッド厚は、コア光配線層上で20
μmであった。
As shown in FIG. 5E, the second clad 2
As No. 9, OPI-1005 is similarly coated and imidized. The cladding thickness at this time is 20 on the core optical wiring layer.
μm.

【0043】図5の(f)のように、第2クラッド29
の表面に、Cr、Cuの金属薄膜層をスパッタし、加え
て、硫酸銅めっき浴中にてCu層を約10μm 形成し
た。さらに、フォトリソグラフィー技術によりフォトレ
ジストのパターンを形成し、エッチング液にてエッチン
グすることにより、パッド30、電気配線およびランド
を形成した。ランドには、後ほどレーザにてビアホール
形成用の孔部を形成するための開口部31をあらかじめ
設けておいた。図示はしていないが、同時に、電気部品
接続のためのパッド、電気配線及びランドも形成した。
As shown in FIG. 5F, the second clad 29
Was sputtered with a metal thin film layer of Cr and Cu, and a Cu layer was formed to a thickness of about 10 μm in a copper sulfate plating bath. Further, a pattern of a photoresist was formed by a photolithography technique, and etching was performed with an etching solution to form a pad 30, an electric wiring, and a land. An opening 31 for forming a hole for forming a via hole with a laser later was previously provided in the land. Although not shown, pads, electrical wiring, and lands for electrical component connection were also formed at the same time.

【0044】図5の(g)のように、銅で形成したパッ
ド30、電気配線及びランドを剥離液から保護するため
に、保護膜としてフォトレジスト32をコーティングし
た。
As shown in FIG. 5 (g), a photoresist 32 was coated as a protective film in order to protect the pad 30, the electric wiring and the land made of copper from the stripping solution.

【0045】図5の(h)のように、剥離液として塩化
第2鉄液を用いて剥離層22中のCu層を溶解し、光配
線層を剥離して光配線フィルムを作製した。
As shown in FIG. 5 (h), the Cu layer in the release layer 22 was dissolved using a ferric chloride solution as a release liquid, and the optical wiring layer was peeled off to produce an optical wiring film.

【0046】図5の(i)のように、光配線層上のパッ
ド、電気配線及びランドが形成されている側を、第2の
支持体33に接着剤で接着させる。第2の支持体33は
光配層が接着されていない側からアライメントマーク2
8が見えるように透明なものを利用する。また、接着剤
は、剥離しやすいものを用いるか、あるいは、紫外線で
硬化することにより接着力が低下するものを用いる。
As shown in FIG. 5 (i), the side on which the pads, electrical wiring and lands on the optical wiring layer are formed is adhered to the second support 33 with an adhesive. The second support 33 is provided with the alignment mark 2 from the side where the light distribution layer is not bonded.
Use a transparent one so that 8 can be seen. Further, as the adhesive, an adhesive which is easily peeled off or an adhesive whose adhesive strength is reduced by curing with ultraviolet rays is used.

【0047】図5の(j)のように、コアパターン27
を形成する際に同時に形成していたアライメントマーク
(図示せず)を基準に、コアパターン27の一部に機械
加工で基板と45°の角度にミラー34を形成した。
As shown in FIG. 5 (j), the core pattern 27
A mirror 34 was formed on a part of the core pattern 27 at an angle of 45 ° with respect to the substrate by machining a part of the core pattern 27 with reference to an alignment mark (not shown) formed at the same time when the pattern was formed.

【0048】図5の(k)のように、電気配線36を有
する基板35上に、接着剤として熱可塑性を示す変成ポ
リイミド樹脂37を20μm コーティング、乾燥させ、
光配線層のミラー加工した面を貼り合わせ加熱接着し
た。
As shown in FIG. 5 (k), a modified polyimide resin 37 exhibiting thermoplasticity is coated on the substrate 35 having the electric wiring 36 by 20 μm as an adhesive and dried.
The mirror-processed surface of the optical wiring layer was bonded and heated and bonded.

【0049】図5の(l)のように、紫外線を照射する
ことにより第2の支持体33を剥離した。
As shown in FIG. 5 (l), the second support 33 was peeled off by irradiating ultraviolet rays.

【0050】図5の(m)のように、光配線層上に、保
護膜として、めっきレジスト38をコーティングした。
As shown in FIG. 5M, a plating resist 38 was coated as a protective film on the optical wiring layer.

【0051】図5の(n)のように、ビアホールを形成
する位置として、ランドの開口部31に、レーザにてビ
アホール用の孔39を形成した。レーザとしては、エキ
シマレーザ、炭酸ガスレーザ、YAGレーザなどが適し
ている。
As shown in FIG. 5 (n), a hole 39 for a via hole was formed in the opening 31 of the land as a position for forming the via hole by using a laser. An excimer laser, a carbon dioxide laser, a YAG laser, or the like is suitable as the laser.

【0052】図5の(o)のように、光配線層表面に並
びにレーザ加工を施した孔内部に、スパッタにてCr、
Cuの金属薄膜を形成し、この金属薄膜を電極として、
硫酸銅浴中でビアホール内部並びにランド部に銅めっき
を行った。さらに、保護膜であるめっきレジスト38を
除去し、ビアホール40及びランド41を形成して、本
発明の第1の実施形態の光・電気配線基板を得た。
As shown in FIG. 5 (o), the surface of the optical wiring layer and the inside of the laser-processed hole were sputtered with Cr,
A metal thin film of Cu is formed, and this metal thin film is used as an electrode,
Copper plating was performed on the inside and the land of the via hole in a copper sulfate bath. Further, the plating resist 38 serving as a protective film was removed, and a via hole 40 and a land 41 were formed. Thus, the optical / electrical wiring board according to the first embodiment of the present invention was obtained.

【0053】<光・電気配線基板の製造方法の第2の実
施の形態>光・電気配線基板の製造方法の第2の実施の
形態として、図3(a)に示す光・電気配線基板を、図
6の(a)〜(m)の流れに従って説明する。
<Second Embodiment of Method for Manufacturing Optical / Electrical Wiring Board> As a second embodiment of the method for manufacturing an optical / electrical wiring board, the optical / electrical wiring board shown in FIG. The description will be made in accordance with the flow of FIGS.

【0054】図6の(a)のように、支持体51である
シリコンウエハの上に、剥離層52として、Cr、Cu
の薄膜層をスパッタし、その後、硫酸銅めっき浴中にて
Cu層を約10μm 形成した。
As shown in FIG. 6A, a release layer 52 of Cr, Cu
Then, a Cu layer was formed to a thickness of about 10 μm in a copper sulfate plating bath.

【0055】図6の(b)のように、剥離層52の上
に、第1のクラッド53としてポリイミドOPI−N1
005(日立化成工業(株)製)をスピンコートし、3
50℃にてイミド化させた。この時の膜厚は20μm で
あった。
As shown in FIG. 6B, a polyimide OPI-N1 is formed on the release layer 52 as a first clad 53.
005 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.)
It was imidized at 50 ° C. At this time, the film thickness was 20 μm.

【0056】図6の(c)のように、第1のクラッド5
3の上にコア54としてポリイミドOPI−N1305
(日立化成(株)製)を同様にスピンコートし、350
℃でイミド化させた。この時の膜厚は8μm であった。
この光配線層に用いられるコア並びにクラッド材料はポ
リイミド樹脂に限らず、フッ素化あるいは重水素化した
エポキシ樹脂、メタクリル酸エステル樹脂等の高分子材
料の中で、光信号に用いられる光の波長により損失の少
ない材料を選ぶことができる。
As shown in FIG. 6C, the first clad 5
3. Polyimide OPI-N1305 as core 54 on 3
(Manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) and spin-coated
It was imidized at ℃. At this time, the film thickness was 8 μm.
The core and cladding materials used for this optical wiring layer are not limited to polyimide resins, but can be selected from polymer materials such as fluorinated or deuterated epoxy resins and methacrylate resins, depending on the wavelength of light used for optical signals. Materials with low loss can be selected.

【0057】さらに、コア層表面にAlを蒸着し、フォ
トレジストの所定のパターンを形成し、エッチング処理
を行い、Alのメタルマスク55及び56を形成した。
メタルマスク55は光配線となるコアパターンを、メタ
ルマスク56はアライメントマークパターンを示す。
Further, Al was vapor-deposited on the surface of the core layer, a predetermined pattern of photoresist was formed, and an etching process was performed to form Al metal masks 55 and 56.
The metal mask 55 indicates a core pattern to be an optical wiring, and the metal mask 56 indicates an alignment mark pattern.

【0058】図6の(d)のように、酸素ガスを用い、
反応性イオンエッチングにてコア54をエッチングし
た。さらに、メタルマスクであるAl膜をエッチング除
去してコア(光配線)パターン57及びアライメントマ
ークパターン58を同時に形成した。このときのコアパ
ターンの線幅は8μmであり、断面形状は高さ8μm、
幅8μmの正方形となった。断面の寸法は、これに限ら
ず、伝送モード、コアとクラッドの屈折率差によって5
μmから100μmで選ぶことができる。
As shown in FIG. 6D, using oxygen gas,
The core 54 was etched by reactive ion etching. Further, the Al film serving as a metal mask was removed by etching to form a core (optical wiring) pattern 57 and an alignment mark pattern 58 at the same time. At this time, the line width of the core pattern was 8 μm, the sectional shape was 8 μm in height,
It became a square having a width of 8 μm. The size of the cross section is not limited to this, and may vary depending on the transmission mode and the refractive index difference between the core and the clad.
It can be selected from μm to 100 μm.

【0059】図6の(e)のように、第2のクラッド5
9としてOPI−1005を同様にコートしてイミド化
させる。この時のクラッド厚は、コア光配線層上で20
μmであった。
As shown in FIG. 6E, the second clad 5
As No. 9, OPI-1005 is similarly coated and imidized. The cladding thickness at this time is 20 on the core optical wiring layer.
μm.

【0060】図6の(f)のように、コアパターン57
を形成する際に同時に形成していたアライメントマーク
(図示せず)を基準に、コアパターン57の一部に機械
加工で基板と45°の角度にミラー60を形成した。
As shown in FIG. 6F, the core pattern 57
A mirror 60 was formed on a part of the core pattern 57 at an angle of 45 ° with respect to the substrate by machining on a part of the alignment mark (not shown) formed at the same time when the substrate was formed.

【0061】図6の(g)のように、剥離液として塩化
第2鉄液を用いて剥離層中のCu層を溶解し、光配線層
を剥離して光配線フィルムを作製した。
As shown in FIG. 6 (g), the Cu layer in the release layer was dissolved using a ferric chloride solution as the release liquid, and the optical wiring layer was peeled off to produce an optical wiring film.

【0062】図6の(h)のように、電気配線62を有
する基板61上に、接着剤として熱可塑性を示す変成ポ
リイミド樹脂63を20μm コーティング、乾燥させ、
光配線層のミラー加工した面を貼り合わせ加熱接着し
た。
As shown in FIG. 6 (h), a modified polyimide resin 63 exhibiting thermoplasticity is coated on the substrate 61 having the electric wiring 62 as an adhesive by 20 μm and dried.
The mirror-processed surface of the optical wiring layer was bonded and heated and bonded.

【0063】図6の(i)のように、ビアホールを形成
する位置に、レーザにてビアホール用の孔64を形成し
た。レーザとしては、エキシマレーザ、炭酸ガスレー
ザ、YAGレーザなどが適している。
As shown in FIG. 6I, holes 64 for via holes were formed at positions where via holes were to be formed using a laser. An excimer laser, a carbon dioxide laser, a YAG laser, or the like is suitable as the laser.

【0064】図6の(j)のように、光配線層表面に並
びにレーザ加工を施した孔内部に、スパッタにてCr、
Cuの金属薄膜65を形成した。
As shown in FIG. 6 (j), Cr,
A Cu metal thin film 65 was formed.

【0065】図6の(k)のように、パッド部、ランド
部及び電気配線部以外の光配線層表面にめっきレジスト
のパターン66を形成した。
As shown in FIG. 6K, a plating resist pattern 66 was formed on the surface of the optical wiring layer other than the pad portion, the land portion, and the electrical wiring portion.

【0066】図6の(l)のように、金属薄膜65を電
極として、硫酸銅浴中でビアホール内部、パッド部、ラ
ンド部及び電気配線部に銅めっきを行った。
As shown in FIG. 6 (l), the inside of the via hole, the pad portion, the land portion, and the electric wiring portion were subjected to copper plating in a copper sulfate bath using the metal thin film 65 as an electrode.

【0067】図6の(m)のように、めっきレジスト6
6を剥離し、さらに、金属薄膜65をソフトエッチング
にて除去して、ビアホール67、パッド、ランド68及
び電気配線を形成して、本発明の第2の実施形態の光・
電気配線基板を得た。
As shown in FIG. 6 (m), the plating resist 6
6, the metal thin film 65 is removed by soft etching, and a via hole 67, a pad, a land 68, and an electric wiring are formed, and the light and light of the second embodiment of the present invention are formed.
An electric wiring board was obtained.

【0068】<光・電気配線基板の製造方法の第3の実
施の形態>光・電気配線基板の製造方法の第3の実施の
形態として、図3(b)に示す光・電気配線基板を、図
7の(a)〜(p)の流れに従って説明する。
<Third Embodiment of Method for Manufacturing Optical / Electrical Wiring Board> As a third embodiment of the method for manufacturing an optical / electrical wiring board, the optical / electrical wiring board shown in FIG. , Will be described in accordance with the flow of FIGS.

【0069】図7の(a)のように、第1の支持体71
であるシリコンウエハの上に、剥離層72として、C
r、Cuの薄膜層をスパッタし、その後、硫酸銅めっき
浴中にてCu層を約10μm 形成した。
As shown in FIG. 7A, the first support 71
As a release layer 72 on a silicon wafer
A thin film layer of r and Cu was sputtered, and then a Cu layer was formed to about 10 μm in a copper sulfate plating bath.

【0070】図7の(b)のように、剥離層72の上
に、第1のクラッド73としてポリイミドOPI−N1
005(日立化成工業(株)製)をスピンコートし、3
50℃にてイミド化させた。この時の膜厚は20μm で
あった。
As shown in FIG. 7B, a polyimide OPI-N1 is formed on the release layer 72 as a first cladding 73.
005 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.)
It was imidized at 50 ° C. At this time, the film thickness was 20 μm.

【0071】図7の(c)のように、第1のクラッド7
3の上にコア74としてポリイミドOPI−N1305
(日立化成(株)製)を同様にスピンコートし、350
℃でイミド化させた。この時の膜厚は8μm であった。
この光配線層に用いられるコア並びにクラッド材料はポ
リイミド樹脂に限らず、フッ素化あるいは重水素化した
エポキシ樹脂、メタクリル酸エステル樹脂等の高分子材
料の中で、光信号に用いられる光の波長により損失の少
ない材料を選ぶことができる。
As shown in FIG. 7C, the first clad 7
Polyimide OPI-N1305 as core 74 on 3
(Manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) and spin-coated
It was imidized at ℃. At this time, the film thickness was 8 μm.
The core and cladding materials used for this optical wiring layer are not limited to polyimide resins, but can be selected from polymer materials such as fluorinated or deuterated epoxy resins and methacrylate resins, depending on the wavelength of light used for optical signals. Materials with low loss can be selected.

【0072】さらに、コア層表面にAlを蒸着し、フォ
トレジストの所定のパターンを形成し、エッチング処理
を行い、Alのメタルマスク75及び76を形成した。
メタルマスク75は光配線となるコアパターンを、メタ
ルマスク76はアライメントマークパターンを示す。
Further, Al was vapor-deposited on the surface of the core layer, a predetermined pattern of photoresist was formed, and etching was performed to form Al metal masks 75 and 76.
The metal mask 75 indicates a core pattern to be an optical wiring, and the metal mask 76 indicates an alignment mark pattern.

【0073】図7の(d)のように、酸素ガスを用い、
反応性イオンエッチングにてコア74をエッチングし
た。さらに、メタルマスクであるAl膜をエッチング除
去してコア(光配線)パターン77及びアライメントマ
ークパターン78を同時に形成した。このときのコアパ
ターンの線幅は8μmであり、断面形状は高さ8μm、
幅8μmの正方形となった。断面の寸法は、これに限ら
ず、伝送モード、コアとクラッドの屈折率差によって5
μmから100μmで選ぶことができる。
Using oxygen gas as shown in FIG.
The core 74 was etched by reactive ion etching. Further, the Al film serving as a metal mask was removed by etching to form a core (optical wiring) pattern 77 and an alignment mark pattern 78 at the same time. At this time, the line width of the core pattern was 8 μm, the sectional shape was 8 μm in height,
It became a square having a width of 8 μm. The size of the cross section is not limited to this, and may vary depending on the transmission mode and the refractive index difference between the core and the clad.
It can be selected from μm to 100 μm.

【0074】図7の(e)のように、第2のクラッド7
9としてOPI−1005を同様にコートしてイミド化
させる。この時のクラッド厚は、コア光配線層上で20
μmであった。
As shown in FIG. 7E, the second clad 7
As No. 9, OPI-1005 is similarly coated and imidized. The cladding thickness at this time is 20 on the core optical wiring layer.
μm.

【0075】図7の(f)のように、第2クラッド79
の表面に、Cr、Cuの薄膜層をスパッタし、加えて、
硫酸銅めっき浴中にてCu層を約10μm 形成した。さ
らに、フォトリソグラフィー技術によりフォトレジスト
のパターンを形成し、エッチング液にてエッチングする
ことにより、パッド80、電気配線およびランドを形成
した。ランドには、後ほどレーザにてビアホール形成用
の孔部を形成するための開口部81をあらかじめ設けて
おいた。図示はしていないが、同時に、電気部品接続の
ためのパッド、電気配線及びランドも形成した。
As shown in FIG. 7F, the second clad 79
On the surface of, sputtered a thin layer of Cr, Cu,
A Cu layer of about 10 μm was formed in a copper sulfate plating bath. Further, a pattern of a photoresist was formed by a photolithography technique, and etching was performed with an etchant to form a pad 80, an electric wiring, and a land. An opening 81 for forming a hole for forming a via hole with a laser later was previously provided in the land. Although not shown, pads, electrical wiring, and lands for electrical component connection were also formed at the same time.

【0076】図7の(g)のように、銅で形成したパッ
ド80、電気配線及びランドを剥離液から保護するため
に、保護膜としてフォトレジスト82をコーティングし
た。
As shown in FIG. 7G, a photoresist 82 was coated as a protective film in order to protect the pad 80, the electric wiring and the land formed of copper from the stripping solution.

【0077】図7の(h)のように、剥離液として塩化
第2鉄液を用いて剥離層中のCu層を溶解し、光配線層
を剥離して光配線フィルムを作製した。
As shown in FIG. 7 (h), the Cu layer in the release layer was dissolved using a ferric chloride solution as a release liquid, and the optical wiring layer was peeled off to produce an optical wiring film.

【0078】図7の(i)のように、光配線層上のパッ
ド、電気配線及びランドが形成されている側を、第2の
支持体83に接着剤で接着させる。第2の支持体83は
光配層が接着されていない側からアライメントマーク7
8が見えるように透明なものを利用する。また、接着剤
は、剥離しやすいものを用いるか、あるいは、紫外線で
硬化することにより接着力が低下するものを用いる。
As shown in FIG. 7 (i), the side on which the pads, electric wiring and lands on the optical wiring layer are formed is adhered to the second support 83 with an adhesive. The second support 83 is provided with the alignment mark 7 from the side where the light distribution layer is not bonded.
Use a transparent one so that 8 can be seen. Further, as the adhesive, an adhesive which is easily peeled off or an adhesive whose adhesive strength is reduced by curing with ultraviolet rays is used.

【0079】さらに、光配線層の接着面とは反対の面上
に、Cr、Cuの薄膜層をスパッタし、加えて、硫酸銅
めっき浴中にてCu層を約10μm 形成した。さらに、
フォトリソグラフィー技術によりフォトレジストのパタ
ーンを形成し、エッチング液にてエッチングすることに
より、ミラー形成のためのレーザー用マスク84を形成
した。レーザー用マスクには開口部85が形成されてお
り、レーザー光を照射することにより開口部のみ加工が
可能となる。本レーザー用マスクの位置も、反対面のパ
ッド同様、アライメントマーク78で規定される。
Further, a thin film layer of Cr and Cu was sputtered on the surface opposite to the bonding surface of the optical wiring layer, and a Cu layer was formed to about 10 μm in a copper sulfate plating bath. further,
A photoresist pattern was formed by a photolithography technique, and etching was performed with an etchant, thereby forming a laser mask 84 for forming a mirror. An opening 85 is formed in the laser mask, and only the opening can be processed by irradiating a laser beam. The position of the present laser mask is also defined by the alignment mark 78 similarly to the pad on the opposite surface.

【0080】図7の(j)のように、レーザーマスク部
に、基板面に対して45°の角度からレーザーを照射す
ることにより、基板と45°の角度にミラー34を形成
した。レーザーとしては、エキシマレーザー、炭酸ガス
レーザー、YAGレーザーなどが適している。
As shown in FIG. 7 (j), a mirror was formed at a 45 ° angle with the substrate by irradiating the laser mask portion with a laser at an angle of 45 ° with respect to the substrate surface. As the laser, an excimer laser, a carbon dioxide laser, a YAG laser, or the like is suitable.

【0081】図7の(k)のように、レーザーマスク8
4をエッチング液にて除去した。
As shown in FIG. 7 (k), the laser mask 8
4 was removed with an etching solution.

【0082】図7の(l)のように、電気配線88を有
する基板87上に、接着剤として熱可塑性を示す変成ポ
リイミド樹脂89を20μm コーティング、乾燥させ、
光配線層のミラー加工した面を貼り合わせ加熱接着し
た。
As shown in FIG. 7 (l), a modified polyimide resin 89 exhibiting thermoplasticity is coated on a substrate 87 having an electric wiring 88 by 20 μm as an adhesive and dried.
The mirror-processed surface of the optical wiring layer was bonded and heated and bonded.

【0083】図7の(m)のように、紫外線を照射する
ことにより第2の支持体83を剥離した。
As shown in FIG. 7 (m), the second support 83 was peeled off by irradiating ultraviolet rays.

【0084】図7の(n)のように、光配線層上に、保
護膜として、めっきレジスト90をコーティングした。
As shown in FIG. 7 (n), a plating resist 90 was coated on the optical wiring layer as a protective film.

【0085】図7の(o)のように、ビアホールを形成
する位置として、ランドの開口部81に、レーザーにて
ビアホール用の孔91を形成した。レーザーとしては、
エキシマレーザー、炭酸ガスレーザー、YAGレーザー
などが適している。
As shown in FIG. 7 (o), as a position for forming a via hole, a hole 91 for a via hole was formed in the opening 81 of the land using a laser. As a laser,
Excimer laser, carbon dioxide laser, YAG laser and the like are suitable.

【0086】図7の(p)のように、光配線層表面に並
びにレーザー加工を施した孔内部に、スパッタにてC
r、Cuの金属薄膜を形成し、この金属薄膜を電極とし
て、硫酸銅浴中でビアホール内部並びにランド部に銅め
っきを行った。さらに、保護膜としてのめっきレジスト
90を除去し、ビアホール92及びランド93を形成し
て、本発明の第3の実施形態の光・電気配線基板を得
た。
As shown in FIG. 7 (p), C was sputtered into the surface of the optical wiring layer and the inside of the laser-processed hole.
A metal thin film of r and Cu was formed, and the inside of the via hole and the land were copper-plated in a copper sulfate bath using the metal thin film as an electrode. Further, the plating resist 90 as a protective film was removed, and a via hole 92 and a land 93 were formed to obtain an optical / electrical wiring board according to the third embodiment of the present invention.

【0087】また、詳細には説明しないが、本発明の第
3の実施形態において、図7の(f)で、パッド、ラン
ド及び電気配線を形成する際に同時に、ミラー形成のた
めのレーザー用マスクを形成し、基板と45°の角度で
レーザー加工を行いミラーを形成することもできる。こ
れにより、工程が簡略化できるだけでなく、パッドとミ
ラーの位置が1枚のフォトマスクにて精度良く決まる。
Although not described in detail, in the third embodiment of the present invention, in FIG. 7 (f), when a pad, a land and an electric wiring are formed, a laser A mirror can also be formed by forming a mask and performing laser processing on the substrate at an angle of 45 °. As a result, not only can the process be simplified, but also the positions of the pad and the mirror can be accurately determined by one photomask.

【0088】<光・電気配線基板の製造方法の第4の実
施の形態>光・電気配線基板の製造方法の第4の実施の
形態として、図4(a)に示す光・電気配線基板を、図
8の(a)〜(q)の流れに従って説明する。
<Fourth Embodiment of Method for Manufacturing Optical / Electrical Wiring Board> As a fourth embodiment of the method for manufacturing an optical / electrical wiring board, the optical / electrical wiring board shown in FIG. 8 (a) to 8 (q).

【0089】図8の(a)のように、支持体101であ
るシリコンウエハの上に、剥離層102として、Cr、
Cuの薄膜層をスパッタし、その後、硫酸銅めっき浴中
にてCu層を約10μm 形成した。
As shown in FIG. 8A, a release layer 102 is formed on a silicon wafer serving as a support 101 as a release layer 102.
A Cu thin film layer was sputtered, and then a Cu layer was formed to about 10 μm in a copper sulfate plating bath.

【0090】図8の(b)のように、剥離層102の上
に、第1のクラッド103としてポリイミドOPI−N
1005(日立化成工業(株)製)をスピンコートし、
350℃にてイミド化させた。この時の膜厚は20μm
であった。
As shown in FIG. 8B, a polyimide OPI-N is formed on the release layer 102 as a first cladding 103.
1005 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.)
It was imidized at 350 ° C. The film thickness at this time is 20 μm
Met.

【0091】図8の(c)のように、第1のクラッド1
03の上にコア104としてポリイミドOPI−N13
05(日立化成(株)製)を同様にスピンコートし、3
50℃でイミド化させた。この時の膜厚は8μm であっ
た。この光配線層に用いられるコア並びにクラッド材料
はポリイミド樹脂に限らず、フッ素化あるいは重水素化
したエポキシ樹脂、メタクリル酸エステル樹脂等の高分
子材料の中で、光信号に用いられる光の波長により損失
の少ない材料を選ぶことができる。
As shown in FIG. 8C, the first clad 1
03 as a core 104 as a polyimide OPI-N13
05 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.)
It was imidized at 50 ° C. At this time, the film thickness was 8 μm. The core and cladding materials used for this optical wiring layer are not limited to polyimide resins, but can be selected from polymer materials such as fluorinated or deuterated epoxy resins and methacrylate resins, depending on the wavelength of light used for optical signals. Materials with low loss can be selected.

【0092】さらに、コア層表面にAlを蒸着し、フォ
トレジストの所定のパターンを形成し、エッチング処理
を行い、Alのメタルマスク105及び106を形成し
た。メタルマスク105は光配線となるコアパターン
を、メタルマスク106はアライメントマークパターン
を示す。
Further, Al was vapor-deposited on the surface of the core layer, a predetermined pattern of photoresist was formed, and etching was performed to form Al metal masks 105 and 106. The metal mask 105 indicates a core pattern to be an optical wiring, and the metal mask 106 indicates an alignment mark pattern.

【0093】図8の(d)のように、酸素ガスを用い、
反応性イオンエッチングにてコア104をエッチングし
た。さらに、メタルマスクであるAl膜をエッチング除
去してコア(光配線)パターン107及びアライメント
マークパターン108を同時に形成した。このときのコ
アパターンの線幅は8μmであり、断面形状は高さ8μ
m、幅8μmの正方形となった。断面の寸法は、これに
限らず、伝送モード、コアとクラッドの屈折率差によっ
て5μmから100μmで選ぶことができる。
As shown in FIG. 8D, oxygen gas is used.
The core 104 was etched by reactive ion etching. Further, the Al film serving as a metal mask was removed by etching to form a core (optical wiring) pattern 107 and an alignment mark pattern 108 at the same time. At this time, the line width of the core pattern was 8 μm, and the cross-sectional shape was 8 μm in height.
m and a width of 8 μm. The size of the cross section is not limited to this, and can be selected from 5 μm to 100 μm depending on the transmission mode and the refractive index difference between the core and the clad.

【0094】図8の(e)のように、第2のクラッド1
09としてOPI−1005を同様にコートしてイミド
化させる。この時のクラッド厚は、コア光配線層上で2
0μm であった。
As shown in FIG. 8E, the second clad 1
As O09, OPI-1005 is similarly coated and imidized. The cladding thickness at this time is 2 on the core optical wiring layer.
It was 0 μm.

【0095】図8の(f)のように、第2クラッド10
9の表面に、Cr、Cuの薄膜層をスパッタし、加え
て、硫酸銅めっき浴中にてCu層を約10μm 形成し
た。さらに、フォトリソグラフィー技術によりフォトレ
ジストのパターンを形成し、エッチング液にてエッチン
グすることにより、パッド110、電気配線およびラン
ドを形成した。ランドには、後ほどレーザーにてビアホ
ール形成用の孔部を形成するための開口部111をあら
かじめ設けておいた。図示はしていないが、同時に、電
気部品接続のためのパッド、電気配線及びランドも形成
した。
As shown in FIG. 8F, the second clad 10
On the surface of No. 9, a thin layer of Cr and Cu was sputtered, and a Cu layer was formed in a thickness of about 10 μm in a copper sulfate plating bath. Further, a pattern of a photoresist was formed by a photolithography technique, and etching was performed with an etching solution to form a pad 110, an electric wiring, and a land. An opening 111 for forming a hole for forming a via hole by a laser later was previously provided in the land. Although not shown, pads, electrical wiring, and lands for electrical component connection were also formed at the same time.

【0096】図8の(g)のように、銅で形成したパッ
ド110、電気配線及びランドを剥離液から保護するた
めに、保護膜としてフォトレジスト112をコーティン
グした。
As shown in FIG. 8 (g), a photoresist 112 was coated as a protective film in order to protect the pad 110, the electric wiring and the land made of copper from the stripping solution.

【0097】図8の(h)のように、剥離液として塩化
第2鉄液を用いて剥離層中のCu層を溶解し、光配線層
を剥離して光配線フィルムを作製した。
As shown in FIG. 8H, the Cu layer in the release layer was dissolved using a ferric chloride solution as the release liquid, and the optical wiring layer was peeled off to produce an optical wiring film.

【0098】図8の(i)のように、光配線層上のパッ
ド、電気配線及びランドが形成されている側を、第2の
支持体113に接着剤で接着させる。第2の支持体11
3は光配層が接着されていない側からアライメントマー
ク108が見えるように透明なものを利用する。また、
接着剤は、剥離しやすいものを用いるか、あるいは、紫
外線で硬化することにより接着力が低下するものを用い
る。
As shown in FIG. 8 (i), the side on which the pads, electric wiring and lands on the optical wiring layer are formed is bonded to the second support 113 with an adhesive. Second support 11
3 is a transparent one so that the alignment mark 108 can be seen from the side where the light distribution layer is not bonded. Also,
As the adhesive, an adhesive which is easy to peel off or an adhesive whose adhesive strength is reduced by being cured by ultraviolet rays is used.

【0099】図8の(j)のように、コアパターン10
7を形成する際に同時に形成していたアライメントマー
ク(図示せず)を基準に、コアパターン107の一部に
機械加工で基板と45°の角度にミラー114を形成し
た。
As shown in FIG. 8 (j), the core pattern 10
A mirror 114 was formed on a part of the core pattern 107 at an angle of 45 ° with respect to the substrate by machining a part of the core pattern 107 with reference to an alignment mark (not shown) formed at the same time when the substrate 7 was formed.

【0100】図8の(k)のように、電気配線116を
有する基板115上に、接着剤として熱可塑性を示す変
成ポリイミド樹脂117を20μm コーティング、乾燥
させ、光配線層のミラー加工した面を貼り合わせ加熱接
着した。
As shown in FIG. 8 (k), a modified polyimide resin 117 showing thermoplasticity is coated on the substrate 115 having the electric wiring 116 by 20 μm as an adhesive, dried, and the mirror-processed surface of the optical wiring layer is formed. Bonding and heat bonding were performed.

【0101】図8の(l)のように、紫外線を照射する
ことにより第2の支持体113を剥離した。
As shown in FIG. 8 (l), the second support 113 was peeled off by irradiation with ultraviolet rays.

【0102】図8の(m)のように、光配線層上に、保
護膜として、めっきレジスト118をコーティングし
た。
As shown in FIG. 8M, a plating resist 118 was coated on the optical wiring layer as a protective film.

【0103】図8の(n)のように、ビアホールを形成
する位置として、ランドの開口部111に、レーザーに
てビアホール用の孔119を形成した。レーザーとして
は、エキシマレーザー、炭酸ガスレーザー、YAGレー
ザーなどが適している。
As shown in FIG. 8 (n), a hole 119 for a via hole was formed in the opening 111 of the land by a laser as a position for forming a via hole. As the laser, an excimer laser, a carbon dioxide laser, a YAG laser, or the like is suitable.

【0104】図8の(o)のように、光配線層表面に並
びにレーザー加工を施した孔内部に、スパッタにてC
r、Cuの金属薄膜を形成し、この金属薄膜を電極とし
て、硫酸銅浴中でビアホール内部並びにランド部に銅め
っきを行った。さらに、めっきレジスト118を除去
し、ビアホール120及びランド121を形成した。
As shown in FIG. 8 (o), the surface of the optical wiring layer and the inside of the laser-processed hole are C
A metal thin film of r and Cu was formed, and the inside of the via hole and the land were copper-plated in a copper sulfate bath using the metal thin film as an electrode. Further, the plating resist 118 was removed, and a via hole 120 and a land 121 were formed.

【0105】図8の(p)のように、光配線層表面に、
クラッドに用いたポリイミドOPI−N1005(日立
化成工業(株)製)をスピンコートし、350℃にてイ
ミド化させた。この時の膜厚は10μm であった。
As shown in FIG. 8 (p), on the surface of the optical wiring layer,
The polyimide OPI-N1005 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) used for the clad was spin-coated and imidized at 350 ° C. At this time, the film thickness was 10 μm.

【0106】図8の(q)のように、アライメントマー
ク108を基準にして、パッド部にレーザー光を照射し
て、パッド上のポリイミドを除去した。レーザーとして
は、エキシマレーザー、炭酸ガスレーザー、YAGレー
ザーなどが適している。これにより、本発明の第4の実
施形態の光・電気配線基板を得た。
As shown in FIG. 8 (q), the pad portion was irradiated with laser light with reference to the alignment mark 108 to remove the polyimide on the pad. As the laser, an excimer laser, a carbon dioxide laser, a YAG laser, or the like is suitable. Thus, an optical / electrical wiring board according to the fourth embodiment of the present invention was obtained.

【0107】また、詳細な説明は省略するが、前述の第
2から第3の実施形態にて作製した光・電気基板の光配
線層上に、同様に、クラッドに用いたポリイミドOPI
−N1005(日立化成工業(株)製)層を形成し、パ
ッド上のポリイミドを除去することにより、図4(a)
及び(b)に記載の光・電気配線基板を作製することが
できる。
Although a detailed description is omitted, the polyimide OPI similarly used for the clad is formed on the optical wiring layer of the optical / electrical substrate manufactured in the second to third embodiments.
-N1005 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) layer was formed, and the polyimide on the pad was removed.
And the optical / electrical wiring board described in (b) can be manufactured.

【0108】3.実装基板 本発明の光・電気配線基板に光部品である発光素子、受
光素子を実装した形態をそれぞれ図9(a)及び(b)
に示す。また、電気部品であり、ハンダボール142を
有するBGAパッケージ141を実装した形態を図10
に示す。
3. Mounting substrate FIGS. 9A and 9B show a configuration in which a light emitting element and a light receiving element as optical components are mounted on the optical / electrical wiring board of the present invention.
Shown in FIG. 10 shows a form in which a BGA package 141 having solder balls 142 is mounted as an electric component.
Shown in

【0109】図9(a)では、発光素子131の発光面
132から照射されたレーザー光135はミラー134
にて反射され、光配線層のコアを伝搬する。また、図9
(b)では、光配線層のコアを伝搬してきたレーザー光
はミラー139にて反射し、受光素子136の受光面1
37に照射される。
In FIG. 9A, the laser light 135 emitted from the light emitting surface 132 of the light emitting element 131 is reflected by the mirror 134.
And propagates through the core of the optical wiring layer. FIG.
In (b), the laser light propagating through the core of the optical wiring layer is reflected by the mirror 139, and is reflected on the light receiving surface 1 of the light receiving element 136.
37.

【0110】光部品と光・電気配線基板の電気接続はは
んだボール133、138で行われるが、金属リードを
有する光部品の場合はパッドとはんだ接合される。
The electrical connection between the optical component and the optical / electrical wiring board is made by solder balls 133 and 138. In the case of the optical component having metal leads, the optical component is soldered to the pad.

【0111】先に述べたように、コアとアライメントマ
ークを同時に形成することにより、アライメントマーク
を基準にパッドの位置、機械加工によって形成されたミ
ラーの位置、あるいは、レーザー用マスクによって形成
されたミラーの位置が精度良く決まる。さらには、パッ
ドと光部品を接合するためのはんだのセルフアライメン
ト効果により光部品の発光面や受光面の位置とも精度良
く決まることになる。また、光配線層表面にクラッドの
屈折率と同じ材料の樹脂層を形成し、アライメントマー
クを基準に、パッド表面の樹脂をレーザーにて除去する
ことにより、さらに、はんだボールやリードのハンダ接
合時に光部品の位置精度が高くなる。
As described above, by simultaneously forming the core and the alignment mark, the position of the pad with respect to the alignment mark, the position of the mirror formed by machining, or the mirror formed by the laser mask is used. Is determined accurately. Further, the positions of the light emitting surface and the light receiving surface of the optical component are determined with high accuracy due to the self-alignment effect of the solder for joining the pad and the optical component. In addition, a resin layer of the same material as the refractive index of the clad is formed on the surface of the optical wiring layer, and the resin on the pad surface is removed with a laser based on the alignment mark. The positional accuracy of the optical component is increased.

【0112】したがって、図10に示す電気部品と同様
に光部品が光・電気配線基板にリフロー炉を通して表面
実装するだけで、精度良く光部品の光軸と光導波路の光
軸を合わせることが可能になった。
Therefore, the optical component can be precisely aligned with the optical axis of the optical waveguide only by surface mounting the optical component on the optical / electrical wiring board through the reflow furnace, similarly to the electrical component shown in FIG. Became.

【0113】[0113]

【発明の効果】本発明は、次のような効果がある。The present invention has the following effects.

【0114】第1に、電気配線を有する基板の上に光配
線層を設けるので、高密度実装又は小型化が可能である
という効果がある。
First, since the optical wiring layer is provided on the substrate having the electrical wiring, there is an effect that high-density mounting or miniaturization is possible.

【0115】第2に、コアと光部品用パッドとミラーの
位置関係が意図されたものに極めて近いので、光部品の
光軸とコアの光軸とを光学的に一致させることが容易で
あり、それゆえ光部品と電気部品とを同時に実装できる
という効果がある。
Second, since the positional relationship between the core, the optical component pad, and the mirror is very close to the intended one, it is easy to optically match the optical axis of the optical component with the optical axis of the core. Therefore, there is an effect that the optical component and the electric component can be mounted simultaneously.

【0116】第3に、光配線層上にも電気配線を設ける
ことができるので電気配線間のクロストークを抑えるこ
とができるという効果がある。
Third, since an electric wiring can be provided also on the optical wiring layer, there is an effect that crosstalk between the electric wirings can be suppressed.

【0117】第4に、電気配線を有する基板とは別に、
支持体の上に光配線層を作製し、その光配線層を基板に
接着するので、基板上の電気配線の上に直接光配線層を
作製する場合と比較して、基板上の電気配線の凹凸の影
響を少なくでき、コアの光伝搬損出を低減できるという
効果がある。
Fourth, apart from a substrate having electric wiring,
Since the optical wiring layer is formed on the support and the optical wiring layer is bonded to the substrate, the electric wiring layer on the substrate is compared with the case where the optical wiring layer is formed directly on the electric wiring on the substrate. There is an effect that the influence of the unevenness can be reduced and the loss of light propagation of the core can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の光・電気配線基板を示す上面図。FIG. 1 is a top view showing an optical / electrical wiring board of the present invention.

【図2】本発明の光・電気配線基板を示す上面図。FIG. 2 is a top view showing the optical / electrical wiring board of the present invention.

【図3】本発明の光・電気配線基板を示す断面図。FIG. 3 is a sectional view showing an optical / electrical wiring board according to the present invention.

【図4】本発明の光・電気配線基板を示す断面図。FIG. 4 is a sectional view showing an optical / electrical wiring board according to the present invention.

【図5】本発明の光・電気配線基板の製造方法を示す断
面図。
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing an optical / electrical wiring board according to the present invention.

【図6】本発明の光・電気配線基板の製造方法を示す断
面図。
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing an optical / electrical wiring board according to the present invention.

【図7】本発明の光・電気配線基板の製造方法を示す断
面図。
FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing an optical / electrical wiring board according to the present invention.

【図8】本発明の光・電気配線基板の製造方法を示す断
面図。
FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing an optical / electrical wiring board according to the present invention.

【図9】本発明の光・電気配線基板に光部品を実装した
構造を説明する断面図。
FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a structure in which an optical component is mounted on the optical / electrical wiring board of the present invention.

【図10】本発明の光・電気配線基板に電気部品を実装
した構造を説明する断面図。
FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a structure in which electric components are mounted on the optical / electrical wiring board of the present invention.

【図11】従来の電気配線基板に電気部品を実装した構
造を示す断面図。
FIG. 11 is a sectional view showing a structure in which electric components are mounted on a conventional electric wiring board.

【図12】従来の光・電気配線基板に光素子や電気素子
を実装した構造を示す断面図。
FIG. 12 is a cross-sectional view showing a structure in which an optical element or an electric element is mounted on a conventional optical / electrical wiring board.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…コア 2…クラッド 3…ミラー 4…アライメントマーク 5…パッド 6…ランド 7…電気配線 8…アライメントマーク 9…基板 10…電気配線 11…接着剤層 12…ビアホール 13…光配線層 14…樹脂層 15…孔部 21…第1の支持体 22…剥離層 23…第1のクラッド 24…コア 25…メタルマスク 26…メタルマスク 27…コアパターン 28…アライメントマーク 29…第2のクラッド 30…パッド 31…開口部 32…保護膜 33…第2の支持体 34…ミラー 35…基板 36…電気配線 37…接着剤層 38…保護膜 39…孔部 40…ビアホール 41…ランド 51…支持体 52…剥離層 53…第1のクラッド 54…コア 55…メタルマスク 56…メタルマスク 57…コアパターン 58…アライメントマーク 59…第2のクラッド 60…ミラー 61…基板 62…電気配線 63…接着剤層 64…孔部 65…金属薄膜 66…めっきレジスト 67…ビアホール 68…ランド 71…第1の支持体 72…剥離層 73…第1のクラッド 74…コア 75…メタルマスク 76…メタルマスク 77…コアパターン 78…アライメントマーク 79…第2のクラッド 80…パッド 81…開口部 82…保護膜 83…第2の支持体 84…レーザ用マスク 85…開口部 86…ミラー 87…基板 88…電気配線 89…接着剤層 90…保護膜 91…孔部 92…ビアホール 93…ランド 101…第1の支持体 102…剥離層 103…第1のクラッド 104…コア 105…メタルマスク 106…メタルマスク 107…コアパターン 108…アライメントマーク 109…第2のクラッド 110…パッド 111…開口部 112…保護膜 113…第2の支持体 114…ミラー 115…基板 116…電気配線 117…接着剤層 118…保護膜 119…孔部 120…ビアホール 121…ランド 122…樹脂層 123…開口部 131…発光素子 132…発光面 133…はんだボール 134…ミラー 135…レーザー光 136…受光素子 137…受光面 138…半田ボール 139…ミラー 140…レーザー光 141…電気部品 142…はんだボール 151…電気素子 152…ビルドアップ多層積層板 153…バンプ 154…半田ボール 155…電気配線基板 156…電気配線 157…パッド 161…電気素子 162…BGAパッケージ 163…半田ボール 164…電気配線基板 165…電気配線 166…光素子 167…光ファイバ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Core 2 ... Clad 3 ... Mirror 4 ... Alignment mark 5 ... Pad 6 ... Land 7 ... Electrical wiring 8 ... Alignment mark 9 ... Substrate 10 ... Electrical wiring 11 ... Adhesive layer 12 ... Via hole 13 ... Optical wiring layer 14 ... Resin Layer 15: Hole 21: First support 22: Release layer 23: First clad 24: Core 25: Metal mask 26: Metal mask 27: Core pattern 28: Alignment mark 29: Second clad 30: Pad DESCRIPTION OF SYMBOLS 31 ... Opening part 32 ... Protective film 33 ... Second support 34 ... Mirror 35 ... Substrate 36 ... Electrical wiring 37 ... Adhesive layer 38 ... Protective film 39 ... Hole 40 ... Via hole 41 ... Land 51 ... Support 52 Release layer 53 First clad 54 Core 55 Metal mask 56 Metal mask 57 Core pattern 58 Alignment mark 59 ... second clad 60 ... mirror 61 ... substrate 62 ... electric wiring 63 ... adhesive layer 64 ... hole 65 ... metal thin film 66 ... plating resist 67 ... via hole 68 ... land 71 ... first support 72 ... peeling layer 73 first clad 74 core 75 metal mask 76 metal mask 77 core pattern 78 alignment mark 79 second clad 80 pad 81 opening 82 protective film 83 second support 84 ... Laser mask 85 ... Opening 86 ... Mirror 87 ... Substrate 88 ... Electrical wiring 89 ... Adhesive layer 90 ... Protective film 91 ... Hole 92 ... Via hole 93 ... Land 101 ... First support 102 ... Release layer 103 ... First clad 104: core 105: metal mask 106: metal mask 107: core pattern 108: alignment marker 109 ... second clad 110 ... pad 111 ... opening 112 ... protective film 113 ... second support 114 ... mirror 115 ... substrate 116 ... electrical wiring 117 ... adhesive layer 118 ... protective film 119 ... hole 120 ... via hole 121 land 122 resin layer 123 opening 131 light emitting element 132 light emitting surface 133 solder ball 134 mirror 135 laser light 136 light receiving element 137 light receiving surface 138 solder ball 139 mirror 140 laser light 141 ... Electrical component 142 ... Solder ball 151 ... Electrical element 152 ... Build-up multilayer laminate 153 ... Bump 154 ... Solder ball 155 ... Electrical wiring board 156 ... Electrical wiring 157 ... Pad 161 ... Electrical element 162 ... BGA package 163 ... Solder ball 164 ... Electrical wiring board 165 ... Electrical wiring 166: Optical element 167: Optical fiber

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Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】電気配線を有する基板の電気配線の上に、
光を伝搬させるコアとそのコアを埋没させるクラッドと
を有する光配線層を備える光・電気配線基板であって、 コアの一部に設けられたミラーと、 ミラーの直上の周囲に光部品をハンダ付けするために設
けられたパッドと、 パッドと基板の電気配線とを電気接続するビアホール
と、 を具備することを特徴とする光・電気配線基板。
An electric wiring on a substrate having electric wiring,
An optical / electrical wiring board comprising an optical wiring layer having a core for transmitting light and a cladding for burying the core, wherein a mirror provided on a part of the core and an optical component are soldered immediately above the mirror. An optical / electrical wiring board, comprising: a pad provided for attaching the pad; and a via hole for electrically connecting the pad to an electric wiring of the board.
【請求項2】電気配線を有する基板の電気配線の上に、
光を伝搬させるコアとそのコアを埋没させるクラッドと
を有する光配線層を備える光・電気配線基板であって、 コアの一部に設けられたミラーと、 ミラーの直上の周囲に光部品をハンダ付けするために設
けられた光部品用のパッドと、 電気部品をハンダ付けするために光配線層上に設けられ
た電気部品用のパッドと、 光部品又は電気部品用のパッドと基板の電気配線とを電
気接続するビアホールと、 を具備することを特徴とする光・電気配線基板。
2. The method according to claim 1, further comprising the step of:
An optical / electrical wiring board comprising an optical wiring layer having a core for transmitting light and a cladding for burying the core, wherein a mirror provided on a part of the core and an optical component are soldered immediately above the mirror. A pad for an optical component provided for attachment; a pad for an electrical component provided on an optical wiring layer for soldering an electrical component; and a pad for an optical component or an electrical component and electrical wiring between the substrate. An optical / electrical wiring board, comprising: a via hole for electrically connecting the circuit board;
【請求項3】電気配線を有する基板の電気配線の上に、
光を伝搬させるコアとそのコアを埋没させるクラッドと
を有する光配線層を備える光・電気配線基板であって、 コアの一部に設けられたミラーと、 ミラーの直上の周囲に光部品をハンダ付けするために設
けられた光部品用のパッドと、 電気部品をハンダ付けするために光配線層上に設けられ
た電気部品用のパッドと、 光部品又は電気部品用のパッドと基板の電気配線とを電
気接続するビアホールと、 光配線層上に設けられた電気配線と、を具備することを
特徴とする光・電気配線基板。
3. The method according to claim 1, further comprising the step of:
An optical / electrical wiring board comprising an optical wiring layer having a core for transmitting light and a cladding for burying the core, wherein a mirror provided on a part of the core and an optical component are soldered immediately above the mirror. A pad for an optical component provided for attachment; a pad for an electrical component provided on an optical wiring layer for soldering an electrical component; and a pad for an optical component or an electrical component and electrical wiring between the substrate. An optical / electrical wiring board, comprising: a via hole for electrically connecting the optical wiring; and an electrical wiring provided on the optical wiring layer.
【請求項4】光配線層表面にクラッドの屈折率と等しい
樹脂層が形成され、該光部品及び電気部品をハンダ付け
するために設けられたパッド上に孔が形成され、該パッ
ド表面が露出していることを特徴とする請求項1〜3の
何れか1項記載の光・電気配線基板。
4. A resin layer having a refractive index equal to that of a clad is formed on a surface of an optical wiring layer, holes are formed on pads provided for soldering the optical component and the electrical component, and the surface of the pad is exposed. The optical / electrical wiring board according to any one of claims 1 to 3, wherein:
【請求項5】位置決めをするアライメントマークと光を
伝搬させるコアとそれらアライメントマーク及びコアを
埋没させるクラッドとを有する光配線層を支持体の上に
作る工程と、アライメントマークを基準にしてコアの一
部にミラーを設けて光配線層を、電気配線を有する基板
に接着する工程と、基板上の電気配線とビアホールで電
気接続しているパッドを、アライメントマークを基準に
して光配線層上に作る工程とを含む光・電気配線基板の
製造方法であって、 コアとアライメントマークとを同時に形成することを特
徴とする光・電気配線基板の製造方法。
5. A step of forming, on a support, an optical wiring layer having an alignment mark for positioning, a core for transmitting light, and a clad for burying the alignment mark and the core, the core having a core based on the alignment mark. A step of bonding the optical wiring layer to a substrate having electrical wiring by partially providing a mirror, and placing a pad electrically connected to the electrical wiring on the substrate through a via hole on the optical wiring layer with reference to the alignment mark. A method of manufacturing an optical / electrical wiring board, comprising: forming a core and an alignment mark simultaneously.
【請求項6】位置決めをするアライメントマークと光を
伝搬させるコアとそれらアライメントマーク及びコアを
埋没させるクラッドとを有する光配線層を支持体の上に
作る工程と、アライメントマークを基準にしてコアの一
部にミラーを設けて光配線層を、電気配線を有する基板
に接着する工程と、基板上の電気配線とビアホールで電
気接続しているパッドを、アライメントマークを基準に
して光配線層上に作る工程と、光配線層表面にクラッド
の屈折率と等しい樹脂層を形成し、アライメントマーク
基準にして孔を形成する工程を含む光・電気配線基板の
製造方法であって、 コアとアライメントマークとを同時に形成することを特
徴とする光・電気配線基板の製造方法。
6. A step of forming, on a support, an optical wiring layer having an alignment mark for positioning, a core for transmitting light, and a clad for burying the alignment mark and the core, the core having a core based on the alignment mark. A step of bonding the optical wiring layer to a substrate having electrical wiring by partially providing a mirror, and placing a pad electrically connected to the electrical wiring on the substrate through a via hole on the optical wiring layer with reference to the alignment mark. A method of manufacturing an optical / electrical wiring board, comprising the steps of: forming a resin layer equal to the refractive index of a clad on the surface of an optical wiring layer; and forming a hole based on an alignment mark. Forming an optical / electrical wiring board at the same time.
【請求項7】請求項1〜4の何れか1項記載の光・電気
配線基板に光部品又は/及び電気部品を実装したことを
特徴とする実装基板。
7. A mounting board, wherein an optical component and / or an electrical component is mounted on the optical / electrical wiring board according to claim 1.
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