JP2000340876A - Optical semiconductor element package and manufacture thereof - Google Patents

Optical semiconductor element package and manufacture thereof

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JP2000340876A
JP2000340876A JP2000001644A JP2000001644A JP2000340876A JP 2000340876 A JP2000340876 A JP 2000340876A JP 2000001644 A JP2000001644 A JP 2000001644A JP 2000001644 A JP2000001644 A JP 2000001644A JP 2000340876 A JP2000340876 A JP 2000340876A
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Japan
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optical semiconductor
package
wiring board
semiconductor element
metal frame
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JP2000001644A
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Japanese (ja)
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Takahiro Okada
貴弘 岡田
Hideaki Murata
秀明 村田
Masato Sakata
正人 坂田
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Furukawa Electric Co Ltd
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Furukawa Electric Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a package for optical semiconductor element at a low cost, which is satisfactory in heat release property, prevents short circuits due to sagging of a wire, and has high tensile strength of outer leads, and manufacturing method of the package. SOLUTION: This package is constituted of a metal frame 3 and a metal bottom plate 1 and provided with a case in which an optical semiconductor element is accommodated, a wiring board for inputting and outputting an electrical signal which is arranged at the position where the element does not exist in an immediately upper part and an immediately lower part in the case, and outer leads 5 led out to the outside via the sidewall of the metal frame 3. The wiring board is connected with the outer leads and connected with the element through wire bonding. The input and output of an electrical signal of the element to the outside are to be performed via the bonding wires, the wiring board and the outer leads.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は光半導体素子用パッ
ケージ及びその製造方法に関する。
The present invention relates to a package for an optical semiconductor device and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の光半導体素子用パッケージは、図
4の斜視図および図5の平面図に示すように、金属底板
11と、この金属底板の上部に筐体をなすように固定さ
れる金属枠体13とから主として構成されている。金属
底板11の上には半導体レーザ素子などの光半導体素子
やこれを冷却するためのペルチェ素子などが搭載され
る。
2. Description of the Related Art As shown in a perspective view of FIG. 4 and a plan view of FIG. 5, a conventional package for an optical semiconductor device is fixed to a metal bottom plate 11 so as to form a housing above the metal bottom plate. It is mainly composed of the metal frame 13. On the metal bottom plate 11, an optical semiconductor device such as a semiconductor laser device and a Peltier device for cooling the semiconductor device are mounted.

【0003】一般に、光半導体素子から発生した熱は、
その下部に配置されたペルチェ素子によって冷却され、
最終的にはペルチェ素子の反対面から金属底板11を通
じて、モジュール外部に排出される。
Generally, the heat generated from an optical semiconductor device is
Cooled by the Peltier element arranged underneath,
Finally, it is discharged from the opposite surface of the Peltier element to the outside of the module through the metal bottom plate 11.

【0004】また、金属枠体13には光ファイバが取り
付けられる窓枠14が設けられ、金属枠体13の側面部
には電気信号入出力用の端子12が取り付けられてい
る。この端子12の外側には外部リード15と接合する
ためのパッド16が、また、内側には筐体内部に配置さ
れる光半導体素子等とワイヤボンディングするためのパ
ッド17が設けられている。
A metal frame 13 is provided with a window frame 14 to which an optical fiber is mounted, and a side portion of the metal frame 13 is provided with an electric signal input / output terminal 12. Pads 16 for bonding to the external leads 15 are provided outside the terminals 12, and pads 17 for wire bonding to an optical semiconductor element or the like arranged inside the housing are provided on the inside.

【0005】このように構成される光半導体素子用パッ
ケージにおいて、光半導体素子とパッド17とをつなぐ
ボンディングワイヤの距離が長すぎると、ワイヤのたれ
等により不具合が発生するので、筐体内部のパッド17
は、筐体外部のパッド16とは異なり、光半導体素子の
周辺に集められている。
In the optical semiconductor device package having the above-described structure, if the distance between the bonding wires connecting the optical semiconductor device and the pads 17 is too long, a problem occurs due to the slack of the wires. 17
Are collected around the optical semiconductor element, unlike the pads 16 outside the housing.

【0006】すなわち、筐体内部のパッド17は、ワイ
ヤのピッチを変換する役割も果たしている。また、ボン
ディングワイヤが互いに交差するとショート等の危険が
あるため、このような交差配線を避ける役割も果たして
いる。
That is, the pad 17 inside the housing also plays a role of converting the pitch of the wire. Further, if the bonding wires cross each other, there is a danger of a short circuit or the like.

【0007】なお、配線基板の表層部に全ての配線を設
けることが困難な場合には、この配線基板(端子)12
はしばしば多層基板として用いられる。また、金属枠体
13の上側には気密に封止するように金属蓋体が取り付
けられる。
If it is difficult to provide all the wiring on the surface layer of the wiring board, the wiring board (terminal) 12
Is often used as a multilayer substrate. A metal lid is attached to the upper side of the metal frame 13 so as to hermetically seal it.

【0008】金属枠体13は、主としてセラミックから
なる電気信号入出力用端子12と熱膨張係数が近似して
いる材料により構成されることが望ましい。そのような
材料として、Fe−Ni合金やFe−Ni−Co合金が
用いられる。
The metal frame 13 is desirably made of a material whose thermal expansion coefficient is similar to that of the electric signal input / output terminal 12 mainly made of ceramic. As such a material, an Fe-Ni alloy or an Fe-Ni-Co alloy is used.

【0009】主としてセラミックからなる電気信号入出
力用端子12は、ろう付け等により、金属枠体に金属接
合される。そのため、図6に示すように、4面ある接合
部(A面、2つのC面、およびD面)にはメタライズ処
理がなされる。具体的には、電極となるパッド面Bおよ
び端子の上下面A,DにW等をメタライズした後、所定
の長さに切断し、切断面CにMo−Mn等のメタライズ
処理がなされることが多い。
The electrical signal input / output terminals 12, which are mainly made of ceramic, are metal-bonded to the metal frame by brazing or the like. Therefore, as shown in FIG. 6, the metallization process is performed on the four joints (the A surface, the two C surfaces, and the D surface). Specifically, after W or the like is metallized on the pad surface B serving as an electrode and the upper and lower surfaces A and D of the terminal, it is cut to a predetermined length, and the cut surface C is subjected to a metallization process such as Mo-Mn. There are many.

【0010】また、金属底板11には、金属枠体13と
近似した熱膨張係数を持ち、且つ半導体レーザ素子等で
発生する熱を速やかに放散させる必要から、高い熱伝導
率を有する材料を用いる必要がある。そのような材料と
して、Cu−W合金などが用いられる。なお、金属枠体
13と金属底板11は、ろう材により接合される。
For the metal bottom plate 11, a material having a thermal expansion coefficient close to that of the metal frame 13 and having a high thermal conductivity is used because it is necessary to quickly dissipate heat generated by a semiconductor laser device or the like. There is a need. As such a material, a Cu-W alloy or the like is used. The metal frame 13 and the metal bottom plate 11 are joined by a brazing material.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】以上説明した、図4お
よび図5に示す従来の光半導体素子用パッケージでは、
主としてアルミナ等のセラミックからなる電気信号入出
力用端子12は、金属枠体13に気密性を維持するよう
に取り付ける必要があるため、金属枠体13に設けられ
た凹状の取り付け部に、非常に厳しい寸法公差で嵌合さ
せる必要がある。しかし、主としてセラミックからなる
端子12を前記第1の工程の後に、非常に厳しい寸法公
差で機械加工し、仕上げるのは、容易ではなく、非常に
高コストとなるという問題がある。
As described above, the conventional optical semiconductor device packages shown in FIGS.
The electric signal input / output terminals 12 mainly made of ceramics such as alumina need to be attached to the metal frame 13 so as to maintain airtightness. Must be fitted with tight dimensional tolerances. However, there is a problem that it is not easy to machine and finish the terminal 12 mainly made of ceramic after the first step with a very tight dimensional tolerance, resulting in a very high cost.

【0012】また、パッド面以外の4面(A面、2つの
C面、およびD面)にわたって、しかも前記の通り、2
回に分けてメタライズ処理をするのは、高コストであ
る。
In addition, over four surfaces other than the pad surface (A surface, two C surfaces, and D surface), and as described above,
It is costly to perform the metallization process separately.

【0013】このような問題を回避するために、電気信
号入出力用の配線基板を金属枠体13の内部に配置し、
外部リード15を金属枠体13の側面に設けられた貫通
穴18を通じて外部に導出し、貫通穴18を例えばガラ
ス材料等の封止材で封止することも考えられる。
In order to avoid such a problem, a wiring board for inputting and outputting an electric signal is arranged inside the metal frame 13,
It is also conceivable that the external lead 15 is led out through a through hole 18 provided on the side surface of the metal frame 13 and the through hole 18 is sealed with a sealing material such as a glass material.

【0014】そのためには、金属枠体13の外部に存在
している配線基板と外部リード15との接合部を金属枠
体13の内部に作り込む必要がある。しかし、光半導体
モジュールには小型化が要求されているので、少なくと
も従来の光半導体素子用パッケージより大きな金属枠体
13を使用して、金属枠体13の内部のスペースを大き
くすることはできない。
For this purpose, it is necessary to form a joint between the external lead 15 and the wiring board existing outside the metal frame 13 inside the metal frame 13. However, since the optical semiconductor module is required to be reduced in size, it is not possible to use a metal frame 13 at least larger than a conventional package for an optical semiconductor element to increase the space inside the metal frame 13.

【0015】一方、光半導体素子から発生する熱の確実
な放熱という観点から、放熱ルートとなる光半導体素子
―ペルチェ素子―金属底板11のそれぞれの間の熱抵抗
は、極力下げる必要があり、これらの間に熱伝導の悪い
配線基板を介在させることは出来ない。更に、光半導体
素子から発せられた光を確実に光ファイバに伝えるため
の光学系を維持する必要もある。
On the other hand, from the viewpoint of reliable heat dissipation of the heat generated from the optical semiconductor element, the thermal resistance between the optical semiconductor element, the Peltier element, and the metal bottom plate 11 serving as a heat radiation route must be reduced as much as possible. A wiring board with poor heat conduction cannot be interposed between them. Further, it is necessary to maintain an optical system for reliably transmitting light emitted from the optical semiconductor element to the optical fiber.

【0016】また、配線基板をなくし、外部リード15
と光半導体素子等を直接ワイヤボンディングすることも
考えられるが、この場合、外部リード15のピッチが変
換されていないので、ボンディング長さが長くなり、ワ
イヤのだれによる短絡等の不都合を起こしやすいという
問題がある。
Further, the wiring board is eliminated, and the external leads 15 are removed.
It is conceivable that wire bonding is directly performed between the semiconductor chip and the optical semiconductor element, but in this case, since the pitch of the external leads 15 is not converted, the bonding length is increased, and it is easy to cause inconvenience such as short-circuit due to dripping of the wire. There's a problem.

【0017】従って、やはり、ピッチ変換用の配線基板
を金属枠体13の内部に作り込む必要がある。しかし、
以上のような制約条件を満たしつつ、上記の効果を獲得
した光半導体素子用パッケージは未だ存在しない。
Therefore, a wiring board for pitch conversion must be formed inside the metal frame 13. But,
There is no package for an optical semiconductor device that has attained the above-mentioned effects while satisfying the above-described constraints.

【0018】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れ、放熱性が良好であり、ワイヤのだれによる短絡を防
止した、低コストの光半導体素子用パッケージを提供す
ることを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a low-cost package for an optical semiconductor device which has good heat dissipation and prevents short-circuiting due to dripping of wires.

【0019】本発明の他の目的は、上記光半導体素子用
パッケージの製造方法を提供することにある。
It is another object of the present invention to provide a method for manufacturing the above-mentioned package for an optical semiconductor device.

【0020】[0020]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、金属枠体と金属底板とからなり、光半導
体素子が収容される筐体、この筐体の内部の、その直上
部および直下部に前記光半導体素子が存在しない位置に
配置された電気信号入出力用の配線基板、および前記金
属枠体の側壁を介して外へ導出する外部リードとを具備
し、前記配線基板は、前記外部リードに接続されるとと
もに、前記ワイヤボンディングにより前記光半導体素子
に接続されており、前記光半導体素子の外部との電気信
号の入出力は、これらボンディングワイヤ、配線基板お
よび外部リードを介して行われることを特徴とする光半
導体素子用パッケージを提供する。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, the present invention relates to a housing including a metal frame and a metal bottom plate, in which an optical semiconductor element is housed, and an inside of the housing, directly above the housing. And a wiring board for electric signal input / output arranged at a position immediately below the optical semiconductor element, and an external lead led out through a side wall of the metal frame, wherein the wiring board is , Connected to the external lead, and connected to the optical semiconductor element by the wire bonding. Input and output of an electric signal to and from the outside of the optical semiconductor element are performed through the bonding wire, the wiring board, and the external lead. The present invention provides an optical semiconductor device package characterized by being carried out.

【0021】この場合、配線基板をガラスセラミック材
料により形成するこが出来る。上述の光半導体素子用パ
ッケージにおいて、配線基板は、上面に光半導体素子と
ワイヤボンディングするための上部電極を、下面に外部
リードと接合するための下部電極を有する構成とするこ
とができ、また、それに加え、筐体の金属底板と配線基
板との間に、スペーサーを配置した構成とすることが出
来る。
In this case, the wiring board can be formed of a glass ceramic material. In the above-described package for an optical semiconductor element, the wiring substrate may have a configuration in which an upper electrode has an upper electrode for wire bonding with the optical semiconductor element on an upper surface, and a lower electrode for bonding to an external lead on a lower surface. In addition, a configuration in which a spacer is arranged between the metal bottom plate of the housing and the wiring board can be adopted.

【0022】また、スペーサーを、前記金属枠体または
金属底板の一部として形成することが出来る。更に、外
部リードを、金属枠体の側面に設けられた貫通孔を通し
て外部に導出し、この貫通孔における外部リードの周囲
を、ガラス材料等からなる封止材により封止することが
出来る。
The spacer can be formed as a part of the metal frame or the metal bottom plate. Further, the external lead can be led out through a through hole provided on the side surface of the metal frame, and the periphery of the external lead in the through hole can be sealed with a sealing material made of a glass material or the like.

【0023】また、本発明は、上述の光半導体素子用パ
ッケージの製造方法であって、前記スペーサーを、前記
金属枠体または金属底板と金属射出成形により一体的に
成形することを特徴とする光半導体素子用パッケージの
製造方法を提供する。
According to the present invention, there is provided a method of manufacturing a package for an optical semiconductor device as described above, wherein the spacer is formed integrally with the metal frame or metal bottom plate by metal injection molding. Provided is a method for manufacturing a package for a semiconductor device.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。図1は、本発明の一実施
形態に係る光半導体素子用パッケージを示す斜視図、図
2はその平面図、図3は図2のA―A断面図である。こ
の光半導体素子用パッケージは、図1ないし図3に示す
ように、金属底板1と、この金属底板1の上に筐体をな
すように固定される金属枠体3とから主として構成され
ている。金属底板1の上には半導体レーザ素子などの光
半導体素子やこれを冷却するためのペルチェ素子などが
搭載される。光半導体素子から発生した熱は、その下部
に配置されたペルチェ素子によって冷却され、最終的に
はペルチェ素子の反対面から金属底板1を通じて、モジ
ュール外部に排出される。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing an optical semiconductor device package according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view thereof, and FIG. 3 is a sectional view taken along line AA of FIG. As shown in FIGS. 1 to 3, the package for an optical semiconductor device mainly includes a metal bottom plate 1 and a metal frame 3 fixed to form a housing on the metal bottom plate 1. . On the metal bottom plate 1, an optical semiconductor device such as a semiconductor laser device and a Peltier device for cooling the semiconductor device are mounted. The heat generated from the optical semiconductor element is cooled by the Peltier element disposed under the optical semiconductor element, and is finally discharged from the opposite surface of the Peltier element to the outside of the module through the metal bottom plate 1.

【0025】筐体内の四隅の金属底板1上には、金属底
板1または金属枠体3と同様の材質からなるスペーサー
9が設けられており、これらスペーサー9上に、無機材
料からなる電気信号入出力の配線基板2が配置されてい
る。スペーサー9は、金属底板1または金属枠体3の一
部として、即ち、金属底板1または金属枠体3と一体的
に形成してもよい。一体的な形成は、例えば金属射出成
型(MIM)により行うことが出来る。
Spacers 9 made of the same material as the metal bottom plate 1 or the metal frame 3 are provided on the metal bottom plate 1 at the four corners in the housing. On these spacers 9, an electric signal input made of an inorganic material is provided. An output wiring board 2 is arranged. The spacer 9 may be formed as a part of the metal bottom plate 1 or the metal frame 3, that is, integrally with the metal bottom plate 1 or the metal frame 3. The integral formation can be performed by, for example, metal injection molding (MIM).

【0026】配線基板2の上面もしくは下面には、外部
リード5と接合するためのパッド6が、上面には光半導
体素子とワイヤボンディングするためのパッド7がそれ
ぞれ設けられている。光半導体素子は、ボンディングワ
イヤによりパッド7に接続される。また、金属枠体3の
側面部には、貫通孔8が形成され、パッド6に接続され
た外部リード5がこの貫通孔8を通して外部に導出され
る。このようにして、光半導体素子の外部との電気信号
の入出力が、これらボンディングワイヤ、配線基板2お
よび外部リード5を介して行われる。
A pad 6 for bonding to an external lead 5 is provided on the upper or lower surface of the wiring board 2, and a pad 7 for wire bonding with the optical semiconductor element is provided on the upper surface. The optical semiconductor element is connected to the pad 7 by a bonding wire. A through hole 8 is formed in the side surface of the metal frame 3, and the external lead 5 connected to the pad 6 is led out through the through hole 8. In this way, the input and output of electric signals to and from the outside of the optical semiconductor element are performed via the bonding wires, the wiring board 2 and the external leads 5.

【0027】金属枠体3の側面部に形成された貫通孔8
における外部リードの周囲は、ガラス材料等からなる封
止材により封止され、それによって金属枠体3及び金属
底板1からなる筐体の気密性が維持される。
The through hole 8 formed in the side surface of the metal frame 3
Is sealed with a sealing material made of a glass material or the like, whereby the airtightness of the housing made of the metal frame 3 and the metal bottom plate 1 is maintained.

【0028】金属枠体3には、光ファイバが取り付けら
れる光ファイバ取付け用窓枠4が設けられている。この
窓枠4は、金属枠体3と同様の材質により構成され、ろ
う付けや半田により取り付けられてもよいが、射出成型
等により、金属枠体3と一体的に形成されてもよい。
The metal frame 3 is provided with an optical fiber attaching window frame 4 to which an optical fiber is attached. The window frame 4 is made of the same material as the metal frame 3 and may be attached by brazing or soldering, but may be formed integrally with the metal frame 3 by injection molding or the like.

【0029】金属枠体3は、主としてセラミック材料や
ガラスセラミック材料からなる電気信号入出力用配線基
板2と熱膨張係数が近似している材料により構成される
ことが望ましい。そのような材料として、Fe−Ni合
金やFe−Ni−Co合金が用いられる。
The metal frame 3 is desirably made of a material whose thermal expansion coefficient is close to that of the electric signal input / output wiring board 2 mainly made of a ceramic material or a glass ceramic material. As such a material, an Fe-Ni alloy or an Fe-Ni-Co alloy is used.

【0030】また、金属底板1には、金属枠体3と近似
した熱膨張係数を持ち、且つ半導体レーザ素子等で発生
する熱を速やかに放散させる必要から、高い熱伝導率を
有する材料を用いる必要がある。そのような材料とし
て、Cu−W合金などが用いられる。なお、金属枠体3
と金属底板1は、ろう材により接合される。金属枠体3
の上側には気密に封止するように金属蓋体が取り付けら
れる。
For the metal bottom plate 1, a material having a thermal expansion coefficient close to that of the metal frame 3 and having a high thermal conductivity is used because it is necessary to quickly dissipate heat generated by a semiconductor laser device or the like. There is a need. As such a material, a Cu-W alloy or the like is used. The metal frame 3
And the metal bottom plate 1 are joined by a brazing material. Metal frame 3
A metal lid is attached to the upper side of the housing so as to hermetically seal it.

【0031】以上のように構成される本発明の光半導体
素子用パッケージでは、金属枠体3と金属底板1からな
る筐体の内部に、無機材料からなる電気信号入出力の配
線基板2を配置している。そのため、筐体の一部に電気
信号入出力用端子2をはめ込む従来の光半導体素子用パ
ッケージと比較して、配線基板の寸法公差を緩くするこ
とが可能になる。従って、例えば、焼結したままで後加
工の無い、或いは極めてわずかに後加工がなされた配線
基板2を使用することも可能になるので、製造コストを
下げることが出来るという利点がある。
In the optical semiconductor device package of the present invention configured as described above, an electric signal input / output wiring board 2 made of an inorganic material is arranged inside a housing made of a metal frame 3 and a metal bottom plate 1. are doing. Therefore, the dimensional tolerance of the wiring board can be reduced as compared with the conventional optical semiconductor element package in which the electric signal input / output terminal 2 is fitted into a part of the housing. Therefore, for example, it is possible to use the wiring board 2 which has been sintered and has no post-processing or has been slightly post-processed, so that there is an advantage that the manufacturing cost can be reduced.

【0032】また、メタライズ処理が必要となるのは多
くとも2面であり、特に接合のために必要なのは1面で
あり、いずれも一回の処理で同時に完了するので、低コ
ストである。
Further, at most two metallization processes are required, and in particular, only one surface is required for bonding, and both are completed simultaneously in one process, so that the cost is low.

【0033】また、配線基板2の最下面にパッド6を設
け、パッド6において外部リード5と接合することによ
り、限定された狭い空間においても配線基板2を配置す
ることができる。
Further, by providing the pads 6 on the lowermost surface of the wiring board 2 and joining the pads 6 to the external leads 5, the wiring board 2 can be arranged even in a limited narrow space.

【0034】また、配線基板2の両端部と金属底板1と
の間にスペーサー9を設け、スペーサー9により配線基
板2を支持することにより、たとえ外部リードの剛性が
低く、折れ曲がり易かったとしても、ワイヤボンディン
グ時の衝撃により外部リードが変形して、配線基板2が
傾くのを防ぐことができる。
Further, by providing a spacer 9 between both ends of the wiring board 2 and the metal bottom plate 1 and supporting the wiring board 2 by the spacer 9, even if the rigidity of the external lead is low and the external lead is easily bent, It is possible to prevent the external leads from being deformed due to the impact at the time of wire bonding and the wiring board 2 from being tilted.

【0035】更に、電気配線においては接地部を設ける
必要があることが多いので、スペーサー9は金属材料に
より構成するのが望ましく、また、配線基板2とは金属
接合し、少なくとも金属枠体3もしくは金属底板1と金
属的に接続させるのが望ましい。
Further, since it is often necessary to provide a grounding portion in the electric wiring, it is desirable that the spacer 9 be made of a metal material. Further, the spacer 9 is metal-bonded to the wiring board 2 and at least the metal frame 3 or It is desirable to make a metallic connection with the metal bottom plate 1.

【0036】電気信号入出力用の配線基板は、アルミナ
を中心としたセラミック材料により構成することが出来
るが、高周波信号の伝播特性の向上を図るため、ガラス
セラミック質(低温焼成セラミックとも呼ばれている)
により構成することが望ましい。
The wiring board for inputting and outputting electric signals can be made of a ceramic material mainly composed of alumina. However, in order to improve the propagation characteristics of high-frequency signals, a glass ceramic material (also called a low-temperature fired ceramic) is used. Yes)
It is desirable to be constituted by.

【0037】ガラスセラミックは、例えばホウ珪酸ガラ
スのようなガラス質とアルミナのようなセラミック質の
複合材料であり、比較的誘電率の高いアルミナの量が少
ないため、誘電率が低く、また、焼成温度が1000℃
以下と低いため、配線層として、従来のセラミック端子
で用いられているWに代わって伝導性に優れるCuやA
gを使用することができる。そのため、高周波信号の伝
播特性の向上した電気信号入出力用端子を提供すること
ができる。
The glass ceramic is a composite material of a glass material such as borosilicate glass and a ceramic material such as alumina. Since the amount of alumina having a relatively high dielectric constant is small, the dielectric constant is low. Temperature is 1000 ℃
Therefore, Cu and A, which have excellent conductivity, are used as wiring layers instead of W used in conventional ceramic terminals.
g can be used. Therefore, it is possible to provide an electric signal input / output terminal with improved propagation characteristics of a high-frequency signal.

【0038】また、ガラスセラミックは、焼成温度が低
い上に、導体材料としてAg,Ag−Pdのような金属
を用いた場合には、大気中で焼成する事も可能なため、
低コストな電気信号入出力用端子を得ることも出来る。
Further, glass ceramics can be fired in the air if the firing temperature is low and a metal such as Ag or Ag-Pd is used as the conductor material.
It is also possible to obtain a low-cost electric signal input / output terminal.

【0039】しかしながら、このガラスセラミックは、
ろう付け等により500℃以上の熱履歴を受けると、強
度が低下するという欠点がある。そのため、従来の光半
導体素子用パッケージにガラスセラミックからなる端子
(配線基板)を用いた場合、外部リード15に引張り応
力がかかると、端子12そのものに破損を生じ、結果的
に要求される外部リードの引張り強度を維持できないと
いう問題があった。
However, this glass ceramic is
If a heat history of 500 ° C. or more is received by brazing or the like, there is a disadvantage that the strength is reduced. Therefore, when a terminal (wiring board) made of glass ceramic is used for a conventional package for an optical semiconductor element, when a tensile stress is applied to the external lead 15, the terminal 12 itself is damaged, and as a result, the required external lead is used. Has a problem that the tensile strength of the steel cannot be maintained.

【0040】これに対し、本発明の光半導体素子用パッ
ケージにおいては、金属枠体3に設けられた貫通穴8に
外部リード5を挿入した後に、外部リード5の周囲の間
隙をガラス材料等の封止材を用いて封止することによ
り、外部リード5に応力が加わった場合でも、電気信号
入出力用の配線基板2との接合部においてではなく、金
属枠体3における貫通穴8の封止部において、この応力
が受け止められるので、配線基板2が当初の状態より脆
化するなどして、外部リード5と配線基板2の接合強度
が低下したとしても、その部分に大きな応力がかかるこ
とはないので、外部リード5の引張り強度を維持するこ
とができる。
On the other hand, in the optical semiconductor device package of the present invention, after the external lead 5 is inserted into the through hole 8 provided in the metal frame 3, the gap around the external lead 5 is made of glass material or the like. Even when stress is applied to the external leads 5 by sealing with a sealing material, the sealing of the through holes 8 in the metal frame 3 is not performed at the bonding portion with the wiring substrate 2 for inputting and outputting electric signals. Since this stress is received by the stopping portion, even if the bonding strength between the external lead 5 and the wiring board 2 is reduced due to the brittleness of the wiring board 2 from the initial state, a large stress is applied to that portion. Therefore, the tensile strength of the external lead 5 can be maintained.

【0041】また、このような外部リードを挿入した貫
通孔8を封止することにより、外部リード5を金属から
なる筐体と短絡させることなく、外部に導出させるとと
もに、金属枠体3と金属底板1からなる筐体の気密性を
維持することができる。
Further, by sealing the through hole 8 into which the external lead is inserted, the external lead 5 is led out to the outside without being short-circuited to the metal housing, and the metal frame 3 and the metal The airtightness of the housing made of the bottom plate 1 can be maintained.

【0042】従って、本発明の光半導体素子用のパッケ
ージを使用することにより、高周波特性に優れるガラス
セラミック材料からなる電気信号入出力用配線基板2を
使用することができ、それによって高周波特性に優れた
光半導体素子用パッケージを提供することも可能にな
る。
Therefore, by using the package for an optical semiconductor device of the present invention, it is possible to use the electric signal input / output wiring board 2 made of a glass-ceramic material having excellent high-frequency characteristics. It is also possible to provide a package for an optical semiconductor device.

【0043】また、配線基板2と金属底板1の間のスペ
ーサーは、これを独立した部材として製作することも可
能であるが、これを金属枠体3あるいは金属底板1の一
部として形成した方がコスト的に安く好ましい。特に、
金属枠体3を金属射出成型(MIM)によって作製すれ
ば、スペーサー9と一体的な金型を作ることにより、ス
ペーサー9のためにかかる費用を無視することができる
ので、その利点がさらに大きくなり、好ましい。
Although the spacer between the wiring board 2 and the metal bottom plate 1 can be manufactured as an independent member, it is preferable that the spacer is formed as a part of the metal frame 3 or the metal bottom plate 1. Is preferable in terms of cost. In particular,
If the metal frame 3 is manufactured by metal injection molding (MIM), the cost for the spacer 9 can be neglected by forming a mold integral with the spacer 9, and the advantage is further increased. ,preferable.

【0044】以上のように、本発明は、光半導体素子用
パッケージとして要求される条件を全て満たし、さら
に、安価な光半導体素子用パッケージを提供することを
可能とする。
As described above, the present invention satisfies all of the conditions required for a package for an optical semiconductor device and makes it possible to provide an inexpensive package for an optical semiconductor device.

【0045】[0045]

【実施例】以下、本発明の実施例を示し、本発明の効果
をより具体的に説明する。 実施例1 Cu−Wからなる金属底板1、コバール(Fe−29N
i−17Co(wt%))からなり、貫通孔8を有する
金属枠体3、コバールからなる光ファイバ取付け用窓枠
4、主としてアルミナからなり、所定の部分がWメタラ
イズされ、Niめっきされた4層からなる配線基板2、
コバールからなるスペーサー9、及び外部リード5を形
成するリードフレームを用意した。
EXAMPLES Examples of the present invention will be shown below to explain the effects of the present invention more specifically. Example 1 Metal bottom plate 1 made of Cu-W, Kovar (Fe-29N)
i-17Co (wt%)), a metal frame 3 having a through hole 8, an optical fiber mounting window frame 4 made of Kovar, and mainly made of alumina, a predetermined portion of which is W-metallized and plated with Ni. Wiring board 2 made of layers,
A spacer 9 made of Kovar and a lead frame for forming the external lead 5 were prepared.

【0046】これらのうち、外部リード5を除く各部材
をカーボン治具にセットし、水素雰囲気800℃の条件
でAgろう付けして組み立てた。即ち、金属枠体3に金
属底板1を接合し、金属枠体3の4隅の金属底板1上に
スペーサー9を接合し、スペーサー9上に配線基板2を
接合し、かつ、金属枠体3に光ファイバ取付け用窓枠4
を接合した。ろう材としてはCu−Ag共晶合金を用い
た、このようにして得た構造にNiめっき、Auめっき
を施した後、光ファイバ取り付け用窓枠4のウインドウ
封止部および外部リード5の取付け予定部のAuめっき
を除去し、一方、予めAuめっきの施された外部リード
を形成するリードフレーム、および光ファイバ取り付け
用窓4の気密を維持するためのウインドウを別のカーボ
ン治具にセットした。
Of these components, each member except the external lead 5 was set on a carbon jig, and assembled by brazing with Ag under a hydrogen atmosphere at 800 ° C. That is, the metal bottom plate 1 is joined to the metal frame 3, the spacer 9 is joined to the metal bottom plate 1 at the four corners of the metal frame 3, the wiring board 2 is joined to the spacer 9, and the metal frame 3 Window frame 4 for mounting optical fiber
Was joined. A Cu-Ag eutectic alloy was used as the brazing material. The structure obtained in this manner was subjected to Ni plating and Au plating, and then the window sealing portion of the optical fiber mounting window frame 4 and the mounting of the external leads 5 were performed. The Au plating of the planned portion was removed, while the lead frame for forming the Au-plated external leads and the window for maintaining the airtightness of the optical fiber mounting window 4 were set in another carbon jig. .

【0047】次いで、金属枠体3の貫通穴8及びウイン
ドウ封止部に低融点ガラス(PbO・SiO2 系)を配
置し、また、外部リード5と配線基板2の間にAg−C
u−Sn系のろう材の箔を配置して、窒素雰囲気で58
0℃の熱処理をすることにより、外部リード5を配線基
板2に接合すると共に、金属枠体3側面の貫通穴8と光
ファイバ取り付け用窓枠4を気密封止した。
Next, low melting point glass (PbO.SiO 2 type) is disposed in the through hole 8 of the metal frame 3 and the window sealing portion, and Ag-C is provided between the external lead 5 and the wiring board 2.
Placing u-Sn brazing material foil in a nitrogen atmosphere
By performing a heat treatment at 0 ° C., the external leads 5 were joined to the wiring board 2, and the through holes 8 on the side surfaces of the metal frame 3 and the optical fiber mounting window frame 4 were hermetically sealed.

【0048】このようにして得たパッケージに、所定の
内部部品を搭載して蓋をし、完全に気密封止して光半導
体モジュールとした。この光半導体モジュールを作動さ
せたところ、何ら問題はなかった。
A predetermined internal component was mounted on the package thus obtained, and the package was covered with the package. The package was hermetically sealed to obtain an optical semiconductor module. When this optical semiconductor module was operated, there was no problem.

【0049】実施例2 MIMによりスペーサー相当部を一体的に形成したコバ
ールからなる金属枠体3、Cu−Wからなる金属底板
1、コバールからなる外部リード5形成用リードフレー
ム、およびPbO・B2 3 ・SiO2 ガラスとアルミ
ナが重量比40:60で構成されるガラスセラミックか
らなり、その両面にメタライズが施された配線基板2を
用意した。
Example 2 A metal frame 3 made of Kovar, in which a spacer equivalent portion is integrally formed by MIM, a metal bottom plate 1 made of Cu-W, a lead frame for forming external leads 5 made of Kovar, and PbO.B 2 A wiring board 2 made of glass ceramic composed of O 3 · SiO 2 glass and alumina in a weight ratio of 40:60, and metallized on both surfaces thereof was prepared.

【0050】金属枠体3と金属底板1を共晶Agろうで
ろう付けした後、カーボン治具を用いて400℃の窒素
雰囲気で、配線基板2と金属枠体3のスペーサー部9を
Au−Si共晶合金により、配線基板2と外部リード5
をAu−Si共晶合金により、それぞれろう付けすると
ともに、光ファイバ取り付け用窓枠4のウィンドウ封止
部及び金属枠体3側面の貫通穴8を低融点ガラス(Pb
O・B2 3 系)で封止した。
After the metal frame 3 and the metal bottom plate 1 are brazed by eutectic Ag brazing, the wiring board 2 and the spacer portions 9 of the metal frame 3 are Au-bonded in a nitrogen atmosphere at 400 ° C. using a carbon jig. Wiring board 2 and external leads 5 are made of Si eutectic alloy
Are respectively brazed with an Au-Si eutectic alloy, and the window sealing portion of the window frame 4 for attaching the optical fiber and the through hole 8 on the side surface of the metal frame 3 are made of low melting glass (Pb
(O.B 2 O 3 system).

【0051】このようにして得たパッケージと、同様に
製作し、貫通穴8をガラス封止しなかったパッケージの
リードをそれぞれ引っ張ったところ、前者の引張り強度
が約30kgf/mm2 であり、実用上十分な引張り強
度を示したのに対し、後者は5kgf/mm2 しかな
く、十分な引張り強度を示さなかった。
When the lead of the package obtained in the same manner as that of the package manufactured in the same manner as above and the through-hole 8 was not sealed with glass was pulled, the tensile strength of the former was about 30 kgf / mm 2. While the latter showed sufficient tensile strength, the latter had only 5 kgf / mm 2 and did not show sufficient tensile strength.

【0052】よって、貫通穴8をガラス封止した構造に
することにより、配線基板とリードとの接合部にかかる
応力を減少させることができるので、十分な引張り強度
を付与することができることが確認された。
Therefore, it is confirmed that the stress applied to the joint between the wiring board and the lead can be reduced by forming the through-hole 8 in a glass-sealed structure, so that sufficient tensile strength can be provided. Was done.

【0053】実施例3 実施例1と同様にして、図7〜9に示すパッケージを製
作した。図7は、本実施例に係るパッケージの斜視図、
図8は平面図、図9は、図8のB−B断面図である。
Example 3 In the same manner as in Example 1, the packages shown in FIGS. FIG. 7 is a perspective view of a package according to the present embodiment,
FIG. 8 is a plan view, and FIG. 9 is a sectional view taken along line BB of FIG.

【0054】図1〜3に示す実施例1に係るパッケージ
では、外部リード5との接合パッド6が電気信号入出力
用配線基板2の下面に、光半導体素子とワイヤボンディ
ングするためのパッド7が上面に形成されているのに対
し、図7〜図9に示すパッケージは、外部リード5との
接合パッド6と光半導体素子とワイヤボンディングする
ためのパッド7が、両方とも電気信号入出力用配線基板
2の上面に形成されている。
In the package according to the first embodiment shown in FIGS. 1 to 3, a bonding pad 6 for connecting to an external lead 5 has a pad 7 for wire bonding with an optical semiconductor element on the lower surface of the electric signal input / output wiring board 2. 7 to 9, the bonding pads 6 for bonding to the external leads 5 and the pads 7 for wire bonding to the optical semiconductor element are both formed on the upper surface. It is formed on the upper surface of the substrate 2.

【0055】このようにして得たパッケージに、所定の
内部部品を搭載して蓋をし、完全に気密封止して光半導
体モジュールとした。この光半導体モジュールを作動さ
せたところ、何ら問題はなかった。
A predetermined internal component was mounted on the package thus obtained, and the package was capped. The package was hermetically sealed to obtain an optical semiconductor module. When this optical semiconductor module was operated, there was no problem.

【0056】なお、図7〜9に示すパッケージにおい
て、配線スペースが足らず、パッド6とパッド7を結ぶ
配線を基板に形成できない場合には、ワイヤボンデイン
グにより配線を形成することが出来る。
In the package shown in FIGS. 7 to 9, if the wiring space is insufficient and the wiring connecting the pads 6 and 7 cannot be formed on the substrate, the wiring can be formed by wire bonding.

【0057】実施例4 実施例1と同様にして、図10〜図12に示すパッケー
ジを製作した。図10は、本実施例に係るパッケージの
斜視図、図11は平面図、図12は、図11のC−C断
面図である。
Example 4 In the same manner as in Example 1, the package shown in FIGS. 10 to 12 was manufactured. FIG. 10 is a perspective view of the package according to the present embodiment, FIG. 11 is a plan view, and FIG. 12 is a cross-sectional view taken along line CC of FIG.

【0058】図10〜図12に示すパッケージは、通
常、左右に2つある電気信号入出力用基板2が、パッケ
ージ後部において接続され、一体化されたものである。
即ち、電気信号入出力用基板2はコの字形の形状を有し
ている。
In the package shown in FIGS. 10 to 12, two electric signal input / output substrates 2 on the right and left sides are usually connected and integrated at the rear part of the package.
That is, the electric signal input / output substrate 2 has a U-shape.

【0059】このように、図10〜図12に示すパッケ
ージは、光半導体素子の左右に加え、後部にも光半導体
等とワイヤボンディングするためのパッドを設けること
ができるため、モジュールの配線が容易となるという利
点を有する。
As described above, the package shown in FIGS. 10 to 12 can be provided with pads for wire bonding with an optical semiconductor or the like at the rear in addition to the left and right sides of the optical semiconductor element, so that the wiring of the module is easy. It has the advantage that it becomes.

【0060】[0060]

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よると、要求される特性を満たし、且つ従来より安価な
光半導体素子用パッケージを提供することができる。ま
た、ガラスセラミック質からなる配線基板を用いること
により、高周波信号の伝播特性に優れた光半導体素子用
パッケージを提供することができる。
As described in detail above, according to the present invention, it is possible to provide a package for an optical semiconductor device which satisfies required characteristics and is less expensive than the conventional one. Further, by using a wiring board made of glass ceramic, it is possible to provide a package for an optical semiconductor element having excellent high-frequency signal propagation characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係る光半導体素子用パッ
ケージを示す斜視図。
FIG. 1 is a perspective view showing an optical semiconductor element package according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施形態に係る光半導体素子用パッ
ケージを示す平面図。
FIG. 2 is a plan view showing an optical semiconductor device package according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施形態に係る光半導体素子用パッ
ケージを示す図2のA―A断面図。
FIG. 3 is a cross-sectional view of the optical semiconductor device package according to one embodiment of the present invention, taken along line AA of FIG. 2;

【図4】従来の光半導体素子用パッケージを示す斜視
図。
FIG. 4 is a perspective view showing a conventional package for an optical semiconductor element.

【図5】従来の光半導体素子用パッケージを示す平面
図。
FIG. 5 is a plan view showing a conventional package for an optical semiconductor element.

【図6】従来の光半導体素子用パッケージにおける電気
信号入出力用端子を示す斜視図。
FIG. 6 is a perspective view showing electric signal input / output terminals in a conventional optical semiconductor element package.

【図7】本発明の他の実施形態に係る光半導体素子用パ
ッケージを示す斜視図、
FIG. 7 is a perspective view showing an optical semiconductor element package according to another embodiment of the present invention;

【図8】本発明の他の実施形態に係る光半導体素子用パ
ッケージを示す平面図。
FIG. 8 is a plan view showing an optical semiconductor device package according to another embodiment of the present invention.

【図9】本発明の他の実施形態に係る光半導体素子用パ
ッケージを示す図8のB―B断面図。
FIG. 9 is a sectional view taken along the line BB of FIG. 8, showing an optical semiconductor element package according to another embodiment of the present invention.

【図10】本発明の更に他の実施形態に係る光半導体素
子用パッケージを示す斜視図。
FIG. 10 is a perspective view showing an optical semiconductor element package according to still another embodiment of the present invention.

【図11】本発明の更に他の実施形態に係る光半導体素
子用パッケージを示す平面図。
FIG. 11 is a plan view showing an optical semiconductor device package according to still another embodiment of the present invention.

【図12】本発明の更に他の実施形態に係る光半導体素
子用パッケージを示す図11のC−C断面図。
FIG. 12 is a cross-sectional view of a package for an optical semiconductor device according to still another embodiment of the present invention, taken along line CC of FIG. 11;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,11…金属底板 2,12…電気信号入出力用端子(電気信号入出力用配
線基板) 3,13…金属枠体 4,14…光ファイバ取り付け用窓枠 5,15…外部リード 6,16外部リード接合用パッド 7,17ワイヤボンディング用パッド 8,18…貫通穴 9…スペーサー
1, 11: Metal bottom plate 2, 12: Electric signal input / output terminal (electric signal input / output wiring board) 3, 13: Metal frame 4, 14 ... Optical fiber mounting window frame 5, 15: External lead 6, 16 Pad for external lead bonding 7, 17 Pad for wire bonding 8, 18 ... Through hole 9 ... Spacer

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】金属枠体と金属底板とからなり、光半導体
素子が収容される筐体、この筐体の内部の、その直上部
および直下部に前記光半導体素子が存在しない位置に配
置された電気信号入出力用の配線基板、および前記金属
枠体の側壁を介して外へ導出する外部リードとを具備
し、前記配線基板は、前記外部リードに接続されるとと
もに、ワイヤボンディングにより前記光半導体素子に接
続されており、前記光半導体素子の外部との電気信号の
入出力は、これらボンディングワイヤ、配線基板および
外部リードを介して行われることを特徴とする光半導体
素子用パッケージ。
1. A housing comprising a metal frame and a metal bottom plate, in which an optical semiconductor element is accommodated, and which is disposed in a position inside the housing immediately above and immediately below the optical semiconductor element. A wiring board for inputting / outputting an electric signal, and an external lead led out through a side wall of the metal frame. The wiring board is connected to the external lead, and the optical board is connected to the external lead by wire bonding. An optical semiconductor element package connected to a semiconductor element, wherein input and output of electric signals to and from the outside of the optical semiconductor element are performed via these bonding wires, a wiring board, and external leads.
【請求項2】前記配線基板は、上面に第1の電極を、下
面に第2の電極をそれぞれ有し、前記第1の電極は前記
光半導体素子とワイヤボンディングされ、前記第2の電
極は前記外部リードと接合されていることを特徴とする
請求項1に記載の光半導体素子用パッケージ。
2. The wiring board has a first electrode on an upper surface and a second electrode on a lower surface, wherein the first electrode is wire-bonded to the optical semiconductor element, and the second electrode is 2. The package for an optical semiconductor device according to claim 1, wherein the package is bonded to the external lead.
【請求項3】前記配線基板は、上面に第1の電極を、下
面に第2の電極をそれぞれ有し、前記第1の電極は前記
光半導体素子とワイヤボンディングされ、前記第2の電
極は前記外部リードと接合されており、前記筐体の金属
底板と前記配線基板との間に、スペーサーを配置したこ
とを特徴とする請求項1に記載の光半導体素子用パッケ
ージ。
3. The wiring board has a first electrode on an upper surface and a second electrode on a lower surface, wherein the first electrode is wire-bonded to the optical semiconductor element, and the second electrode is The optical semiconductor device package according to claim 1, wherein a spacer is joined to the external lead, and a spacer is arranged between the metal bottom plate of the housing and the wiring board.
【請求項4】前記配線基板がガラスセラミック材料によ
り形成されていることを特徴とする請求項1ないし3の
いずれかの項に記載の光半導体素子用パッケージ。
4. The package for an optical semiconductor device according to claim 1, wherein said wiring board is formed of a glass ceramic material.
【請求項5】前記スペーサーが、前記金属枠体または金
属底板の一部として形成されていることを特徴とする請
求項1ないし4のいずれかの項に記載の光半導体素子用
パッケージ。
5. The package for an optical semiconductor device according to claim 1, wherein the spacer is formed as a part of the metal frame or a metal bottom plate.
【請求項6】前記外部リードは、前記金属枠体の側面に
設けられた貫通孔を通して外部に導出され、この貫通孔
における外部リードの周囲は、ガラス材料等からなる封
止材により封止されていることを特徴とする請求項1な
いし5のいずれかの項に記載の光半導体素子用パッケー
ジ。
6. The external lead is led out through a through hole provided in a side surface of the metal frame, and a periphery of the external lead in the through hole is sealed with a sealing material made of a glass material or the like. The package for an optical semiconductor device according to claim 1, wherein:
【請求項7】請求項5に記載の光半導体素子用パッケー
ジの製造方法であって、前記スペーサーを、前記金属枠
体または金属底板と金属射出成形により一体的に成形す
ることを特徴とする光半導体素子用パッケージの製造方
法。
7. The method of manufacturing a package for an optical semiconductor device according to claim 5, wherein the spacer is formed integrally with the metal frame or the metal bottom plate by metal injection molding. A method for manufacturing a package for a semiconductor element.
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