JP2000340874A - Semiconductor laser module - Google Patents

Semiconductor laser module

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JP2000340874A
JP2000340874A JP11153038A JP15303899A JP2000340874A JP 2000340874 A JP2000340874 A JP 2000340874A JP 11153038 A JP11153038 A JP 11153038A JP 15303899 A JP15303899 A JP 15303899A JP 2000340874 A JP2000340874 A JP 2000340874A
Authority
JP
Japan
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electric signal
semiconductor laser
printed circuit
package
chip
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Pending
Application number
JP11153038A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroaki Yamamoto
浩明 山本
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a semiconductor laser module which is not damaged, even when internal stresses are generated between components as the result of thermal expansion or thermal contraction in each component. SOLUTION: When an environmental temperature changes and the height of a package 11 is changed, deviation is generated between the height position of an upper part of a mount for an electric signal line and the height position of an upper part of a chip mount 13. Since both ends of a conductor plate 51 are bonded to the mount 20 and the mount 13, this means that a load is applied to the conductor plate 51. Since the plate 51 is constituted as a single- layer structure in a section between a printed board 41 and a printed board 42, deflection is generated in the part and the load due to deviation of the height positions is absorbed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザモジ
ュールに関し、より特定的には、電気信号を光信号に変
換するための半導体レーザモジュールに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser module, and more particularly, to a semiconductor laser module for converting an electric signal into an optical signal.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、高度情報化が益々進み、光通信の
分野では、伝送速度が10Gb/sを超えるデジタル信
号,マイクロ波信号,ミリ波信号等を光伝送するシステ
ムが要求されるようになってきている。勿論、光源であ
る半導体レーザモジュールについても一層の広帯域化が
求められている。
2. Description of the Related Art In recent years, with the advance of advanced information technology, in the field of optical communication, a system for optically transmitting digital signals, microwave signals, millimeter-wave signals, and the like having a transmission speed exceeding 10 Gb / s is required. It has become to. Needless to say, a semiconductor laser module as a light source is required to have a wider band.

【0003】ところで、温度制御用のペルチェ素子を内
蔵した半導体レーザモジュールでは、ペルチェ素子が大
きなコンデンサ容量を持っているために、このコンデン
サ容量が周波数帯域の広帯域化を制限する要因になって
いた。広帯域化を図る方法としては、例えば特開平10
−125997号公報に一例が示されている。以下、図
8および図9を参照して、特開平10−125997号
公報に示された従来の半導体レーザモジュールについて
説明する。
[0003] In a semiconductor laser module having a built-in Peltier element for temperature control, the Peltier element has a large capacitor capacity, and this capacitor capacity is a factor that limits the broadening of the frequency band. As a method for widening the bandwidth, for example, Japanese Patent Application Laid-Open
One example is shown in -125997. Hereinafter, a conventional semiconductor laser module disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-125997 will be described with reference to FIGS.

【0004】図8は、特開平10−125997号公報
に開示されている従来の半導体レーザモジュールの断面
図である。また、図9は、図8のAの箇所を上から見た
図である。
FIG. 8 is a sectional view of a conventional semiconductor laser module disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-125997. FIG. 9 is a diagram of the portion A in FIG. 8 as viewed from above.

【0005】図8において、パッケージ711の底面に
ハンダ付けされたペルチェ素子712の上には、レンズ
マウント714が置かれている。レンズマウント714
の上には、チップマウント713がハンダ付けされ、当
該チップマウント713の上に半導体レーザチップ71
0が保持されている。半導体レーザチップ710は、紙
面に対して垂直な方向に光が出射するものとする。光を
集光するためのレンズ等がパッケージ711内に設けら
れているが、図示は省略している。
In FIG. 8, a lens mount 714 is placed on a Peltier element 712 soldered to the bottom of a package 711. Lens mount 714
A chip mount 713 is soldered on the semiconductor laser chip 71 on the chip mount 713.
0 is held. The semiconductor laser chip 710 emits light in a direction perpendicular to the plane of the drawing. A lens or the like for condensing light is provided in the package 711, but is not shown.

【0006】図9に示すように、パッケージ711の側
壁に取り付けられた絶縁板732の上には、電気信号線
728aおよび728bが形成されている。電気信号線
728aには外部から電気信号が印加され、電気信号線
728bはグランドに接地される。絶縁板732とチッ
プマウント713との間は、セラミック板733によっ
て橋架される。このセラミック板733の表面には電気
信号線733aが形成され、裏面には導電膜733bが
形成される。セラミック板733の裏面に形成された導
電膜733bは、その一端がチップマウント713に接
続され、その他端が電気信号線728bに接続される。
従って、チップマウント713は、導電膜733bおよ
び電気信号線728bを介して、グランドに接地されて
いる。電気信号線733aは、その一端がワイヤ730
を介して半導体レーザチップ710と接続され、その他
端がワイヤ30を介して電気信号線728aと接続され
る。
As shown in FIG. 9, electric signal lines 728a and 728b are formed on an insulating plate 732 attached to a side wall of a package 711. An electric signal is externally applied to the electric signal line 728a, and the electric signal line 728b is grounded. The ceramic plate 733 is bridged between the insulating plate 732 and the chip mount 713. An electric signal line 733a is formed on the front surface of the ceramic plate 733, and a conductive film 733b is formed on the back surface. One end of the conductive film 733b formed on the back surface of the ceramic plate 733 is connected to the chip mount 713, and the other end is connected to the electric signal line 728b.
Therefore, the chip mount 713 is grounded through the conductive film 733b and the electric signal line 728b. One end of the electric signal line 733a is a wire 730.
And the other end is connected to the electric signal line 728a via the wire 30.

【0007】ペルチェ素子712が持つコンデンサ容量
の影響を低減し周波数帯域を広帯域に伸ばすには、チッ
プマウント713と、グランドに接地されている電気信
号線728bとの間の距離をなるべく短くする必要があ
る。特開平10−125997号公報では、チップマウ
ント713と、グランドに接地されている電気信号線7
28bとの間に、導電膜733bを備えたセラミック板
733を置くことで広帯域化を図っている。
In order to reduce the effect of the capacitance of the capacitor of the Peltier element 712 and extend the frequency band over a wide band, it is necessary to minimize the distance between the chip mount 713 and the electric signal line 728b grounded to the ground. is there. In JP-A-10-125997, a chip mount 713 and an electric signal line 7 grounded to the ground are described.
The band is broadened by placing a ceramic plate 733 provided with a conductive film 733b between the ceramic plate 283 and the conductive film 733b.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】温度可変素子としての
ペルチェ素子712は、半導体レーザチップ710の温
度が一定になる様に動作している。レンズマウント71
4やチップマウント713も、半導体レーザチップ71
0と同一温度に保たれていることになる。ところで、パ
ッケージ711の周囲温度が上がると、パッケージ71
1が熱膨張を起こし、セラミック板733がチップマウ
ント713に接合している部分の高さ位置と、セラミッ
ク板733が絶縁板732に接合している部分の高さ位
置との間にずれが生じることになる。パッケージ711
の材質をCu−Wとした場合、その熱膨張率は、約10
×10-6[1/℃]である。パッケージ711の底部か
ら絶縁板732までの高さが約5mmとする。周囲温度
が25℃を基準に±50℃変化した場合、セラミック板
733の左右の高さは±2.5μm変化することにな
る。そのため、チップマウント713とセラミック板7
33との間、あるいはセラミック板733と絶縁板73
2との間の接着面に負荷がかかり、接着部にひびが入っ
たり、セラミック板733がチップマウント713や絶
縁板732から剥離し、半導体レーザモジュールの信頼
性が損なわれる恐れがある。
The Peltier device 712 as a temperature variable device operates so that the temperature of the semiconductor laser chip 710 becomes constant. Lens mount 71
4 and the chip mount 713 are also the semiconductor laser chip 71.
This means that the temperature is kept the same as 0. By the way, when the ambient temperature of the package 711 increases, the package 71
1 causes thermal expansion, and a shift occurs between the height position of the portion where the ceramic plate 733 is joined to the chip mount 713 and the height position of the portion where the ceramic plate 733 is joined to the insulating plate 732. Will be. Package 711
Is Cu-W, the coefficient of thermal expansion is about 10
× 10 −6 [1 / ° C.]. The height from the bottom of the package 711 to the insulating plate 732 is about 5 mm. When the ambient temperature changes by ± 50 ° C. with reference to 25 ° C., the height of the left and right sides of the ceramic plate 733 changes by ± 2.5 μm. Therefore, the chip mount 713 and the ceramic plate 7
33, or between the ceramic plate 733 and the insulating plate 73.
There is a possibility that a load is applied to the bonding surface between the semiconductor laser module 2 and the bonding portion, and the ceramic plate 733 is peeled off from the chip mount 713 or the insulating plate 732, thereby deteriorating the reliability of the semiconductor laser module.

【0009】それ故に、本発明の目的は、周囲温度の変
動によって各部品に熱膨張または熱収縮が起こり、それ
によって部品間に内部応力が生じても、損傷を受けるこ
との少ない半導体レーザモジュールを提供することであ
る。
Therefore, an object of the present invention is to provide a semiconductor laser module which is less likely to be damaged even if an internal stress is generated between components due to thermal expansion or thermal contraction of each component due to fluctuations in ambient temperature. To provide.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段および発明の効果】本発明
は、上記のような目的を達成するために、以下に述べる
ような特徴を有している。
Means for Solving the Problems and Effects of the Invention The present invention has the following features in order to achieve the above object.

【0011】第1の発明は、電気信号を光信号に変換す
るための半導体レーザモジュールであって、パッケージ
と、パッケージの内底部に設けられたペルチェ素子と、
ペルチェ素子の上部に設けられたチップマウントと、チ
ップマウントの上部に設けられた半導体レーザチップ
と、パッケージの側面に設けられ、外部から与えられる
電気信号をパッケージの内部に導くための電気信号導入
部と、電気信号導入部とチップマウントとの間に橋架さ
れた導体板と、導体板の上に所定の間隔を隔てて設けら
れ、それぞれの上に電気信号線が形成された複数のプリ
ント基板と、電気信号導入部によって導入された電気信
号が、各プリント基板上の電気信号線を介して半導体レ
ーザチップに供給されるように配線するためのワイヤ手
段とを備え、導体板は、各プリント基板間において容易
にたわむ構造を有していることを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor laser module for converting an electric signal into an optical signal, comprising: a package; a Peltier device provided at an inner bottom of the package;
A chip mount provided on top of the Peltier element, a semiconductor laser chip provided on top of the chip mount, and an electric signal introduction unit provided on a side surface of the package for guiding an externally applied electric signal to the inside of the package And, a conductor plate bridged between the electric signal introduction unit and the chip mount, and a plurality of printed circuit boards provided at predetermined intervals on the conductor plate, each having an electric signal line formed thereon. Wire means for wiring so that an electric signal introduced by the electric signal introduction unit is supplied to the semiconductor laser chip via an electric signal line on each printed circuit board. It is characterized by having a structure that bends easily between them.

【0012】上記のように、第1の発明によれば、半導
体レーザモジュールの周囲温度が変動しても、プリント
基板間の隙間の部分における導体板の部分がたわむの
で、チップマウントと導体板との間や電気信号導入部と
導体板との間にひびが入ることや、導体板が剥離するこ
とを防ぐことができる。
As described above, according to the first aspect, even if the ambient temperature of the semiconductor laser module fluctuates, the portion of the conductor plate in the gap between the printed circuit boards bends, so that the chip mount and the conductor plate are displaced. It is possible to prevent cracks between the electric signal introducing portion and the conductor plate, and to prevent the conductor plate from peeling off.

【0013】第2の発明は、第1の発明に従属する発明
であって、チップマウントの上部には、半導体レーザチ
ップと共に、当該半導体レーザチップのテスト用のプリ
ント基板が予め設けられており、ワイヤ手段は、電気信
号導入部によって導入された電気信号が、各プリント基
板上の電気信号線およびテスト用のプリント基板を介し
て半導体レーザチップに供給されるように配線すること
を特徴とする。
A second invention is an invention according to the first invention, wherein a printed circuit board for testing the semiconductor laser chip is provided in advance with the semiconductor laser chip above the chip mount, The wiring means is arranged so that the electric signal introduced by the electric signal introducing unit is supplied to the semiconductor laser chip via the electric signal line on each printed circuit board and the test printed circuit board.

【0014】上記のように、第2の発明によれば、予め
チップマウントの上に、半導体レーザチップと共に、テ
スト用のプリント基板を設置し互いに配線しておくこと
により、モジュール内部の部品組み立ての際に、半導体
レーザチップにワイヤ等を取り付けるのではなくチップ
マウント上のプリント基板にワイヤ等を取り付ければよ
く、作業効率を上げることができる。
As described above, according to the second aspect of the present invention, a printed circuit board for testing is installed together with the semiconductor laser chip on the chip mount in advance and wired to each other, thereby assembling parts inside the module. At this time, wires and the like may be attached to the printed circuit board on the chip mount instead of attaching the wires and the like to the semiconductor laser chip, so that the working efficiency can be improved.

【0015】第3の発明は、電気信号を光信号に変換す
るための半導体レーザモジュールであって、パッケージ
と、パッケージの内底部に設けられたペルチェ素子と、
ペルチェ素子の上部に設けられたチップマウントと、チ
ップマウントの上部に設けられた半導体レーザチップ
と、パッケージの側面に設けられ、外部から与えられる
電気信号をパッケージの内部に導くための電気信号導入
部と、電気信号導入部とチップマウントとの間に橋架さ
れた導体板と、導体板の上に設けられ、その上に電気信
号線が形成された1つのプリント基板と、電気信号導入
部によって導入された電気信号が、プリント基板上の電
気信号線を介して半導体レーザチップに供給されるよう
に配線するためのワイヤ手段とを備え、プリント基板の
長さは、導体板の長さよりも十分に短く選ばれており、
導体板は、プリント基板が設けられていない端の部分に
おいて容易にたわむ構造を有していることを特徴とす
る。
A third invention is a semiconductor laser module for converting an electric signal into an optical signal, comprising a package, a Peltier device provided at an inner bottom of the package,
A chip mount provided on top of the Peltier element, a semiconductor laser chip provided on top of the chip mount, and an electric signal introduction unit provided on a side surface of the package for guiding an externally applied electric signal to the inside of the package And a conductor plate bridged between the electric signal introduction unit and the chip mount, one printed circuit board provided on the conductor plate and having electric signal lines formed thereon, and an electric signal introduction unit. Wire means for wiring so that the supplied electric signal is supplied to the semiconductor laser chip via an electric signal line on the printed circuit board, and the length of the printed circuit board is sufficiently longer than the length of the conductive plate. Chosen short,
The conductor plate is characterized in that it has a structure that bends easily at the end where the printed board is not provided.

【0016】上記のように、第3の発明によれば、半導
体レーザモジュールの周囲温度が変動しても、プリント
基板の端の部分における導体板の部分がたわむので、チ
ップマウントと導体板との間や電気信号線用マウントと
導体板との間にひびが入ることや、導体板が剥離するこ
とを防ぐことができる。
As described above, according to the third aspect of the present invention, even if the ambient temperature of the semiconductor laser module fluctuates, the portion of the conductor plate at the end of the printed circuit board bends, so that the connection between the chip mount and the conductor plate is reduced. It is possible to prevent cracks between the conductors and between the electric signal line mount and the conductor plate, and prevent the conductor plate from peeling off.

【0017】第4の発明は、第3の発明に従属する発明
であって、チップマウントの上部には、半導体レーザチ
ップと共に、当該半導体レーザチップのテスト用のプリ
ント基板が予め設けられており、ワイヤ手段は、電気信
号導入部によって導入された電気信号が、各プリント基
板上の電気信号線およびテスト用のプリント基板を介し
て半導体レーザチップに供給されるように配線すること
を特徴とする。
A fourth invention is an invention according to the third invention, wherein a printed circuit board for testing the semiconductor laser chip is provided in advance on the chip mount together with the semiconductor laser chip, The wiring means is arranged so that the electric signal introduced by the electric signal introducing unit is supplied to the semiconductor laser chip via the electric signal line on each printed circuit board and the test printed circuit board.

【0018】上記のように、第4の発明によれば、予め
チップマウントの上に、半導体レーザチップと共に、テ
スト用のプリント基板を設置し互いに配線しておくこと
により、モジュール内部の部品組み立ての際に、半導体
レーザチップにワイヤ等を取り付けるのではなくチップ
マウント上のプリント基板にワイヤ等を取り付ければよ
く、作業効率を上げることができる。
As described above, according to the fourth aspect of the present invention, a test printed circuit board and a semiconductor laser chip are previously mounted on a chip mount and wired to each other, thereby assembling parts inside the module. At this time, wires and the like may be attached to the printed circuit board on the chip mount instead of attaching the wires and the like to the semiconductor laser chip, so that the working efficiency can be improved.

【0019】第5の発明は、電気信号を光信号に変換す
るための半導体レーザモジュールであって、パッケージ
と、パッケージの内底部に設けられたペルチェ素子と、
ペルチェ素子の上部に設けられたチップマウントと、チ
ップマウントの上部に設けられた半導体レーザチップ
と、パッケージの側面に設けられ、外部から与えられる
電気信号をパッケージの内部に導くための電気信号導入
部と、パッケージの内部であって電気信号導入部の下部
に設けられ、少なくともパッケージ側面に密着した金属
ブロックと、金属ブロックとチップマウントとの間に橋
架された導体板と、導体板の上に所定の間隔を隔てて設
けられ、それぞれの上に電気信号線が形成された複数の
プリント基板と、電気信号導入部によって導入された電
気信号が、各プリント基板上の電気信号線を介して半導
体レーザチップに供給されるように配線するためのワイ
ヤ手段とを備え、導体板は、各プリント基板間において
容易にたわむ構造を有していることを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor laser module for converting an electric signal into an optical signal, comprising: a package; a Peltier device provided at an inner bottom of the package;
A chip mount provided on top of the Peltier element, a semiconductor laser chip provided on top of the chip mount, and an electric signal introduction unit provided on a side surface of the package for guiding an externally applied electric signal to the inside of the package A metal block provided inside the package and below the electric signal introducing portion and closely attached to at least a side surface of the package; a conductor plate bridged between the metal block and the chip mount; And a plurality of printed circuit boards on which electric signal lines are formed, and an electric signal introduced by the electric signal introduction unit is connected to the semiconductor laser via the electric signal lines on each printed circuit board. Wire means for wiring so as to be supplied to the chip, and the conductor plate has a structure that easily bends between each printed circuit board. And characterized in that it.

【0020】上記のように、第5の発明によれば、半導
体レーザモジュールの周囲温度が変動しても、プリント
基板間の隙間の部分における導体板の部分がたわむの
で、チップマウントと導体板との間や金属ブロックと導
体板との間にひびが入ることや、導体板が剥離すること
を防ぐことができる。
As described above, according to the fifth aspect, even if the ambient temperature of the semiconductor laser module fluctuates, the portion of the conductor plate in the gap between the printed circuit boards bends, so that the chip mount and the conductor plate are not bent. It is possible to prevent cracks between the metal block and the metal block and the conductor plate, and prevent the conductor plate from peeling off.

【0021】第6の発明は、第5の発明に従属する発明
であって、チップマウントの上部には、半導体レーザチ
ップと共に、当該半導体レーザチップのテスト用のプリ
ント基板が予め設けられており、ワイヤ手段は、電気信
号導入部によって導入された電気信号が、各プリント基
板上の電気信号線およびテスト用のプリント基板を介し
て半導体レーザチップに供給されるように配線すること
を特徴とする。
A sixth invention is an invention according to the fifth invention, wherein a printed circuit board for testing the semiconductor laser chip is provided on an upper part of the chip mount together with the semiconductor laser chip, The wiring means is arranged so that the electric signal introduced by the electric signal introducing unit is supplied to the semiconductor laser chip via the electric signal line on each printed circuit board and the test printed circuit board.

【0022】上記のように、第6の発明によれば、予め
チップマウントの上に、半導体レーザチップと共に、テ
スト用のプリント基板を設置し互いに配線しておくこと
により、モジュール内部の部品組み立ての際に、半導体
レーザチップにワイヤ等を取り付けるのではなくチップ
マウント上のプリント基板にワイヤ等を取り付ければよ
く、作業効率を上げることができる。
As described above, according to the sixth aspect of the present invention, a test printed circuit board and a semiconductor laser chip are mounted on a chip mount in advance and wired to each other, thereby assembling parts inside the module. At this time, wires and the like may be attached to the printed circuit board on the chip mount instead of attaching the wires and the like to the semiconductor laser chip, so that the working efficiency can be improved.

【0023】第7の発明は、第5の発明に従属する発明
であって、金属ブロックの熱膨張係数は、パッケージの
熱膨張係数よりも小さいことを特徴とする。
A seventh invention is the invention according to the fifth invention, wherein the coefficient of thermal expansion of the metal block is smaller than the coefficient of thermal expansion of the package.

【0024】上記のように、第7の発明によれば、金属
ブロックの熱膨張係数がパッケージの熱膨張係数よりも
小さいので、温度変化によって生じる導体板の左右の高
さのずれを小さくすることができる。その結果、導体板
に対して加わる機械的負荷も小さくなり、より一層壊れ
にくい半導体レーザモジュールが得られる。
As described above, according to the seventh aspect, the thermal expansion coefficient of the metal block is smaller than the thermal expansion coefficient of the package. Can be. As a result, the mechanical load applied to the conductor plate is reduced, and a semiconductor laser module that is more difficult to break can be obtained.

【0025】第8の発明は、第7の発明に従属する発明
であって、金属ブロックにおいて電気信号導入部と対向
する部分には、切り欠きまたは段差が設けられているこ
とを特徴とする。
An eighth invention is an invention according to the seventh invention, wherein a notch or a step is provided in a portion of the metal block facing the electric signal introducing portion.

【0026】上記のように、第8の発明によれば、金属
ブロックにおいて電気信号導入部と対向する部分に切り
欠きまたは段差を設けることにより、熱膨張係数の違い
によって電気信号導入部と金属ブロックとの対向部分で
干渉が生じるのを防止するようにしている。
As described above, according to the eighth aspect of the invention, the notch or the step is provided in a portion of the metal block facing the electric signal introduction portion, so that the electric signal introduction portion and the metal block are formed due to a difference in thermal expansion coefficient. In such a case, interference is prevented from occurring at a portion opposed to the above.

【0027】第9の発明は、電気信号を光信号に変換す
るための半導体レーザモジュールであって、パッケージ
と、パッケージの内底部に設けられたペルチェ素子と、
ペルチェ素子の上部に設けられたチップマウントと、チ
ップマウントの上部に設けられた半導体レーザチップ
と、パッケージの側面に設けられ、外部から与えられる
電気信号をパッケージの内部に導くための電気信号導入
部と、パッケージの内部であって電気信号導入部の下部
に設けられ、少なくともパッケージ側面に密着した金属
ブロックと、金属ブロックとチップマウントとの間に橋
架された導体板と、導体板の上に設けられ、その上に電
気信号線が形成された1つのプリント基板と、電気信号
導入部によって導入された電気信号が、プリント基板上
の電気信号線を介して半導体レーザチップに供給される
ように配線するためのワイヤ手段とを備え、プリント基
板の長さは、導体板の長さよりも十分に短く選ばれてお
り、導体板は、プリント基板が設けられていない部分に
おいて容易にたわむ構造を有していることを特徴とす
る。
A ninth invention is a semiconductor laser module for converting an electric signal to an optical signal, comprising: a package; a Peltier device provided at an inner bottom of the package;
A chip mount provided on top of the Peltier element, a semiconductor laser chip provided on top of the chip mount, and an electric signal introduction unit provided on a side surface of the package for guiding an externally applied electric signal to the inside of the package And a metal block provided inside the package and below the electric signal introducing portion and closely attached to at least a side surface of the package, a conductor plate bridged between the metal block and the chip mount, and provided on the conductor plate. A printed circuit board on which an electric signal line is formed, and wiring so that the electric signal introduced by the electric signal introducing section is supplied to the semiconductor laser chip via the electric signal line on the printed circuit board. And the length of the printed circuit board is selected to be sufficiently shorter than the length of the conductive plate. Characterized in that it has a readily flexed structure at a portion where bets substrate is not provided.

【0028】上記のように、第9の発明によれば、半導
体レーザモジュールの周囲温度が変動しても、プリント
基板の端の部分における導体板の部分がたわむので、チ
ップマウントと導体板との間や金属ブロックと導体板と
の間にひびが入ることや、導体板が剥離することを防ぐ
ことができる。
As described above, according to the ninth aspect, even if the ambient temperature of the semiconductor laser module fluctuates, the portion of the conductor plate at the end of the printed circuit board bends, so that the connection between the chip mount and the conductor plate is prevented. Cracks between the metal blocks and between the metal block and the conductive plate, and peeling of the conductive plate can be prevented.

【0029】第10の発明は、第9の発明に従属する発
明であって、チップマウントの上部には、半導体レーザ
チップと共に、当該半導体レーザチップのテスト用のプ
リント基板が予め設けられており、ワイヤ手段は、電気
信号導入部によって導入された電気信号が、各プリント
基板上の電気信号線およびテスト用のプリント基板を介
して半導体レーザチップに供給されるように配線するこ
とを特徴とする。
A tenth invention is an invention according to the ninth invention, wherein a printed circuit board for testing the semiconductor laser chip is provided above the chip mount together with the semiconductor laser chip. The wiring means is arranged so that the electric signal introduced by the electric signal introducing unit is supplied to the semiconductor laser chip via the electric signal line on each printed circuit board and the test printed circuit board.

【0030】上記のように、第10の発明によれば、予
めチップマウントの上に、半導体レーザチップと共に、
テスト用のプリント基板を設置し互いに配線しておくこ
とにより、モジュール内部の部品組み立ての際に、半導
体レーザチップにワイヤ等を取り付けるのではなくチッ
プマウント上のプリント基板にワイヤ等を取り付ければ
よく、作業効率を上げることができる。
As described above, according to the tenth aspect, the semiconductor laser chip is mounted on the chip mount in advance.
By installing test printed circuit boards and wiring them together, when assembling components inside the module, instead of attaching wires etc. to the semiconductor laser chip, it is only necessary to attach wires etc. to the printed board on the chip mount, Work efficiency can be improved.

【0031】第11の発明は、第9の発明に従属する発
明であって、金属ブロックの熱膨張係数は、パッケージ
の熱膨張係数よりも小さいことを特徴とする。
An eleventh invention is an invention according to the ninth invention, wherein the coefficient of thermal expansion of the metal block is smaller than the coefficient of thermal expansion of the package.

【0032】上記のように、第11の発明によれば、金
属ブロックの熱膨張係数がパッケージの熱膨張係数より
も小さいので、温度変化によって生じる導体板の左右の
高さのずれを小さくすることができる。その結果、導体
板に対して加わる機械的負荷も小さくなり、より一層壊
れにくい半導体レーザモジュールが得られる。
As described above, according to the eleventh aspect, since the coefficient of thermal expansion of the metal block is smaller than the coefficient of thermal expansion of the package, it is possible to reduce the deviation between the left and right heights of the conductor plate caused by a temperature change. Can be. As a result, the mechanical load applied to the conductor plate is reduced, and a semiconductor laser module that is more difficult to break can be obtained.

【0033】第12の発明は、第11の発明に従属する
発明であって、金属ブロックにおいて電気信号導入部と
対向する部分には、切り欠きまたは段差が設けられてい
ることを特徴とする。
A twelfth aspect is the invention according to the eleventh aspect, wherein a notch or a step is provided in a portion of the metal block facing the electric signal introducing portion.

【0034】上記のように、第12の発明によれば、金
属ブロックにおいて電気信号導入部と対向する部分に切
り欠きまたは段差を設けることにより、熱膨張係数の違
いによって電気信号導入部と金属ブロックとの対向部分
で干渉が生じるのを防止するようにしている。
As described above, according to the twelfth aspect, the notch or the step is provided in a portion of the metal block facing the electric signal introducing portion, so that the electric signal introducing portion and the metal block are formed due to a difference in thermal expansion coefficient. In such a case, interference is prevented from occurring at a portion opposed to the above.

【0035】[0035]

【発明の実施の形態】(第1の実施形態)図1は、本発
明の第1の実施形態に係る半導体レーザモジュールの断
面を示す図である。図2は、図1のBの部分を上から見
た図である。
FIG. 1 is a diagram showing a cross section of a semiconductor laser module according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a view of the portion B in FIG. 1 as viewed from above.

【0036】図1において、パッケージ11の底面にハ
ンダ付けされたペルチェ素子12の上には、チップマウ
ント13がハンダ付けされている。チップマウント13
の上には、半導体レーザチップ10が保持されている。
半導体レーザチップ10は、紙面に対して垂直な方向に
光が出射するものとする。光を集光するためのレンズ等
がパッケージ11内に設けられているが、図示は省略し
ている。
In FIG. 1, a chip mount 13 is soldered on a Peltier device 12 soldered to the bottom surface of a package 11. Tip mount 13
A semiconductor laser chip 10 is held on the substrate.
The semiconductor laser chip 10 emits light in a direction perpendicular to the paper surface. A lens or the like for condensing light is provided in the package 11, but is not shown.

【0037】パッケージ11の側壁には、貫通孔が開け
られ、この貫通孔には電気信号線用マウント20が取り
付けられている。電気信号線用マウント20は、絶縁体
で構成されている。図2に示すように、電気信号線用マ
ウント20の上には、電気信号線21aおよび21bが
形成されている。なお、電気信号線21aにはパッケー
ジ外部からの電気信号が印加され、電気信号線21bは
グランドに接地されている。電気信号線用マウント20
とチップマウント13との間は、導体板51によって橋
架されている。これによって、導体板51は、チップマ
ウント13と接続されると共に、電気信号線21bと接
続される。導体板51の上には、2枚のプリント基板4
1および42が所定の間隔を隔てて取り付けられてい
る。プリント基板41および42の母材は、セラミック
とする。ただし、フッ素樹脂やガラスエポキシ樹脂であ
ってもよい。なお、本実施形態では、導体板51の上に
2枚のプリント基板が取り付けられているが、それ以上
の枚数のプリント基板が設けられてもよい。プリント基
板41および42の上には、電気信号線33aが配線さ
れている。電気信号線用マウント20の上に配線されて
いる電気信号線21aの一端とプリント基板41の上の
電気信号線33aとの間、プリント基板41の上の電気
信号線33aとプリント基板42の上の電気信号線33
aとの間、プリント基板42の上の電気信号線33aと
半導体レーザチップ10との間は、それぞれワイヤ30
によって接続されている。
A through hole is formed in a side wall of the package 11, and a mount 20 for an electric signal line is mounted in the through hole. The electric signal line mount 20 is made of an insulator. As shown in FIG. 2, electric signal lines 21a and 21b are formed on the electric signal line mount 20. An electric signal from the outside of the package is applied to the electric signal line 21a, and the electric signal line 21b is grounded. Electric signal line mount 20
A bridge between the chip mount 13 and the conductor plate 51 is provided. Thus, the conductor plate 51 is connected to the chip mount 13 and to the electric signal line 21b. On the conductor plate 51, two printed circuit boards 4
1 and 42 are attached at a predetermined interval. The base material of the printed boards 41 and 42 is ceramic. However, a fluorine resin or a glass epoxy resin may be used. In the present embodiment, two printed boards are mounted on the conductive plate 51, but more printed boards may be provided. On the printed boards 41 and 42, electric signal lines 33a are wired. Between one end of the electric signal line 21a wired on the electric signal line mount 20 and the electric signal line 33a on the printed circuit board 41, and between the electric signal line 33a on the printed circuit board 41 and the printed circuit board 42. Electrical signal line 33
a between the electrical signal line 33a on the printed circuit board 42 and the semiconductor laser chip 10,
Connected by

【0038】半導体レーザチップ10に供給されるべき
電気信号は、電気信号線21aを介して、パッケージ1
1の外部からその内部へと入力される。その後、当該電
気信号は、プリント基板41,42の上部の電気信号線
33aおよびワイヤ30を伝わって、半導体レーザチッ
プ10に供給される。また、半導体レーザチップ10
は、チップマウント13、導体板51および電気信号線
21bを介して、グランドに接地される。これによっ
て、半導体レーザチップ10の駆動が可能となる。
An electric signal to be supplied to the semiconductor laser chip 10 is transmitted to the package 1 via an electric signal line 21a.
1 is input from outside. Thereafter, the electric signal is supplied to the semiconductor laser chip 10 through the electric signal line 33a and the wire 30 on the upper portions of the printed boards 41 and 42. In addition, the semiconductor laser chip 10
Is grounded to the ground via the chip mount 13, the conductor plate 51, and the electric signal line 21b. Thus, the semiconductor laser chip 10 can be driven.

【0039】上記のように、電気信号線21bとチップ
マウント13との間に導体板51を設けることで、半導
体レーザチップ10とパッケージ11との間の電気的距
離を短縮化することができる。これにより、ペルチェ素
子12が持つコンデンサ容量の影響を低減化でき、周波
数帯域を広帯域に伸ばすことができる。
As described above, by providing the conductor plate 51 between the electric signal line 21b and the chip mount 13, the electric distance between the semiconductor laser chip 10 and the package 11 can be shortened. As a result, the effect of the capacitance of the Peltier element 12 can be reduced, and the frequency band can be extended over a wide band.

【0040】今、周囲温度が変化し、パッケージ11の
高さが変動したと仮定する。このとき、電気信号線用マ
ウント20の上部の高さ位置と、チップマウント13の
上部の高さ位置との間で、ずれが生じてしまう。このよ
うに、高さ位置のずれが生じた場合、導体板51の両端
は、電気信号線用マウント20とチップマウント13と
にそれぞれ接着されているので、導体板51に対して負
荷がかかることになる。しかしながら、導体板51は、
プリント基板41とプリント基板42との間の部分で単
層構造(すなわち、プリント基板が乗っていない構造)
となっているため、その部分でたわみが生じ、それによ
って高さ位置のずれから受ける負荷が吸収される。この
ように、導体板51の一部をたわみが生じやすい構造と
することにより、チップマウント13と導体板51との
間や、電気信号線用マウント20と導体板51との間
に、ひびが入ることを防ぐことができる。また、導体板
51がチップマウント13や電気信号線用マウント20
から剥離することを防ぐことができる。
Now, it is assumed that the ambient temperature changes and the height of the package 11 changes. At this time, a deviation occurs between the height position above the electric signal line mount 20 and the height position above the chip mount 13. As described above, when the height position shifts, since both ends of the conductor plate 51 are bonded to the electric signal line mount 20 and the chip mount 13, a load may be applied to the conductor plate 51. become. However, the conductor plate 51
A single-layer structure between the printed circuit board 41 and the printed circuit board 42 (that is, a structure without a printed circuit board)
, Deflection occurs at that portion, thereby absorbing the load received from the displacement of the height position. As described above, by forming a part of the conductor plate 51 so as to be easily bent, cracks are formed between the chip mount 13 and the conductor plate 51 or between the electric signal line mount 20 and the conductor plate 51. Can be prevented from entering. Further, the conductor plate 51 is mounted on the chip mount 13 or the electric signal line mount 20.
From the surface.

【0041】(第2の実施形態)図3は、本発明の第2
の実施形態に係る半導体レーザモジュールの断面を示す
図である。図3において、本実施形態の半導体レーザモ
ジュールでは、電気信号線用マウント20とチップマウ
ント13との間は、導体板52によって橋架されてお
り、この導体板52の上には、1枚のプリント基板43
が取り付けられている。ただし、プリント基板43の長
さは、導体板52の長さよりも十分短いものとする。本
実施形態のその他の構成は、第1の実施形態と同様であ
り、相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明
を省略する。
(Second Embodiment) FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention.
It is a figure showing the section of the semiconductor laser module concerning an embodiment. In FIG. 3, in the semiconductor laser module of the present embodiment, the electric signal line mount 20 and the chip mount 13 are bridged by a conductor plate 52, and one printed Substrate 43
Is attached. However, the length of the printed circuit board 43 is sufficiently shorter than the length of the conductor plate 52. Other configurations of the present embodiment are the same as those of the first embodiment. Corresponding portions have the same reference characters allotted, and description thereof will not be repeated.

【0042】本実施形態では、周囲温度の変化によっ
て、電気信号線用マウント20の上部の高さ位置と、チ
ップマウント13の上部の高さ位置との間でずれが生じ
た場合、導体板52に対して加わる負荷は、導体板52
がチップマウント13とプリント基板43との間の端の
部分でたわむことによって吸収される。すなわち、導体
板52は、チップマウント13とプリント基板43との
間の部分が単層構造となっているため、その部分が容易
にたわむようになっている。このように、本実施形態
は、前述した第1の実施形態の場合と同様に、導体板5
2の一部をたわみが生じやすい構造とすることにより、
チップマウント13と導体板52との間や、電気信号線
用マウント20と導体板52との間に、ひびが入ること
を防ぐことができる。また、導体板52がチップマウン
ト13や電気信号線用マウント20から剥離することを
防ぐことができる。
In this embodiment, when a difference occurs between the height position of the upper part of the electrical signal line mount 20 and the height position of the upper part of the chip mount 13 due to a change in the ambient temperature, the conductor plate 52 Is applied to the conductor plate 52
Is absorbed by bending at the end portion between the chip mount 13 and the printed circuit board 43. That is, since the portion of the conductor plate 52 between the chip mount 13 and the printed circuit board 43 has a single-layer structure, the portion is easily bent. As described above, in the present embodiment, similarly to the case of the above-described first embodiment, the conductive plate 5
By making a part of 2 a structure that easily causes deflection,
Cracks can be prevented between the chip mount 13 and the conductor plate 52 and between the electric signal line mount 20 and the conductor plate 52. Further, it is possible to prevent the conductive plate 52 from peeling off from the chip mount 13 or the electric signal line mount 20.

【0043】(第3の実施形態)図4は、本発明の第3
の実施形態に係る半導体レーザモジュールの断面を示す
図である。図5は、図3のCの部分を上から見た図であ
る。
(Third Embodiment) FIG. 4 shows a third embodiment of the present invention.
It is a figure showing the section of the semiconductor laser module concerning an embodiment. FIG. 5 is a view of a portion C in FIG. 3 as viewed from above.

【0044】図4および図5において、本実施形態で
は、パッケージ11の内部側壁に密着して金属ブロック
15が取り付けられている。この金属ブロック15は、
パッケージ11を介して、グランドに接地されている。
そして、電気信号線用マウント20の一端および導体板
51の一端が、この金属ブロックの上に載置される。な
お、導体板51の一端は、金属ブロック15の上に固着
される必要があるが、電気信号線用マウント20の一端
は、金属ブロック15の上に単に載置されていても良
い。
4 and 5, in this embodiment, a metal block 15 is attached in close contact with the inner side wall of the package 11. This metal block 15
It is grounded through the package 11 to the ground.
Then, one end of the electric signal line mount 20 and one end of the conductor plate 51 are mounted on the metal block. One end of the conductor plate 51 needs to be fixed on the metal block 15, but one end of the electric signal line mount 20 may be simply placed on the metal block 15.

【0045】上記のように、本実施形態では、導体板5
1によって、金属ブロック15とチップマウント13と
の間が橋架されている。この導体板51の上には、第1
の実施形態と同様に、2枚のプリント基板41および4
2が所定の間隔を隔てて取り付けられている。なお、本
実施形態では、導体板51の上に2枚のプリント基板が
取り付けられているが、それ以上の枚数のプリント基板
が設けられてもよい。また、電気信号線用マウント20
の上には、電気信号線21aが形成されている。そし
て、電気信号線用マウント20の上に配線されている電
気信号線21aの一端とプリント基板41の上の電気信
号線33aとの間、プリント基板41の上の電気信号線
33aとプリント基板42の上の電気信号線33aとの
間、プリント基板42の上の電気信号線33aと半導体
レーザチップ10との間は、それぞれワイヤ30で接続
されている。本実施形態のその他の構成は、前述した第
1の実施形態と同様であり、相当する部分には同一の参
照番号を付し、その説明を省略する。
As described above, in the present embodiment, the conductive plate 5
1 bridges between the metal block 15 and the chip mount 13. On this conductor plate 51, the first
In the same manner as in the embodiment, the two printed circuit boards 41 and 4
2 are attached at a predetermined interval. In the present embodiment, two printed boards are mounted on the conductor plate 51, but more printed boards may be provided. Also, the electric signal line mount 20
An electric signal line 21a is formed on the upper side. Then, between one end of the electric signal line 21a wired on the electric signal line mount 20 and the electric signal line 33a on the printed circuit board 41, and between the electric signal line 33a on the printed circuit board 41 and the printed circuit board 42. The electrical signal line 33a on the printed circuit board 42 and the electrical signal line 33a on the printed circuit board 42 and the semiconductor laser chip 10 are connected by wires 30 respectively. Other configurations of the present embodiment are the same as those of the above-described first embodiment. Corresponding portions are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0046】半導体レーザチップ10に供給されるべき
電気信号は、電気信号線21aを介して、パッケージ1
1の外部からその内部へと入力される。その後、当該電
気信号は、プリント基板41,42の上部の電気信号線
33aおよびワイヤ30を伝わって、半導体レーザチッ
プ10に供給される。また、半導体レーザチップ10
は、チップマウント13、導体板51、金属ブロック1
5およびパッケージ11を介して、グランドに接地され
る。これによって、半導体レーザチップ10の駆動が可
能となる。
An electric signal to be supplied to the semiconductor laser chip 10 is supplied to the package 1 via an electric signal line 21a.
1 is input from outside. Thereafter, the electric signal is supplied to the semiconductor laser chip 10 through the electric signal line 33a and the wire 30 on the upper portions of the printed boards 41 and 42. In addition, the semiconductor laser chip 10
Are the chip mount 13, the conductor plate 51, and the metal block 1.
5 and ground via the package 11. Thus, the semiconductor laser chip 10 can be driven.

【0047】上記のように、パッケージ11の内部側壁
に密着するように電気ブロック15を設け、そして、導
体板51を金属ブロック15とチップマウント13との
間に設けることで、半導体レーザチップ10とパッケー
ジ11との間の実効的な電気的距離をより一層短縮化す
ることができる。これにより、ペルチェ素子12が持つ
コンデンサ容量の影響をより一層低減化でき、周波数帯
域を広帯域に伸ばすことができる。
As described above, the electric block 15 is provided so as to be in close contact with the inner side wall of the package 11, and the conductor plate 51 is provided between the metal block 15 and the chip mount 13 so that the semiconductor laser chip 10 The effective electrical distance from the package 11 can be further reduced. As a result, the effect of the capacitor capacitance of the Peltier element 12 can be further reduced, and the frequency band can be extended over a wide band.

【0048】本実施形態では、周囲温度の変化によっ
て、金属ブロック15の上部の高さ位置と、チップマウ
ント13の上部の高さ位置との間にずれが生じた場合、
導体板51に対して負荷が加わるが、この負荷は、導体
板51がプリント基板41とプリント基板42との間の
部分でたわむことによって吸収される。これは、第1の
実施形態における負荷吸収構造と同様である。なお、本
実施形態では、金属ブロック15として、パッケージ1
1の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有する材質の
ものを使用することにより、第1の実施形態に比べて、
周囲温度の変化によって導体板51に対して加わる負荷
を小さくすることができる。ただし、周囲温度がパッケ
ージ11の内部温度よりも低下した場合、パッケージ1
1の熱収縮が金属ブロック15の熱収縮よりも大きくな
るため、電気信号線用マウント20の下部が金属ブロッ
ク15の上部と接触し、電気信号線用マウント20がパ
ッケージ11から剥離する恐れがある。そこで、電気信
号線用マウント20の下部と対向する部分の金属ブロッ
ク15の上部において、接触を避けるための切り欠きま
たは段差を設けておくことが好ましい。
In the present embodiment, when a difference occurs between the height position above the metal block 15 and the height position above the chip mount 13 due to a change in the ambient temperature,
A load is applied to the conductor plate 51, and the load is absorbed by the flexure of the conductor plate 51 at a portion between the printed board 41 and the printed board 42. This is the same as the load absorbing structure in the first embodiment. In this embodiment, the package 1 is used as the metal block 15.
By using a material having a coefficient of thermal expansion smaller than the coefficient of thermal expansion of 1, compared to the first embodiment,
The load applied to the conductor plate 51 due to the change in the ambient temperature can be reduced. However, if the ambient temperature is lower than the internal temperature of the package 11, the package 1
Since the heat shrinkage of 1 is greater than the heat shrinkage of the metal block 15, the lower part of the electric signal line mount 20 may come into contact with the upper part of the metal block 15, and the electric signal line mount 20 may be separated from the package 11. . Therefore, it is preferable to provide a notch or a step on the upper portion of the metal block 15 facing the lower portion of the electric signal line mount 20 to avoid contact.

【0049】上記のように、本実施形態では、導体板5
1の一部をたわみが生じやすい構造とすることにより、
チップマウント13と導体板51との間や、金属ブロッ
ク15と導体板51との間に、ひびが入ることを防ぐこ
とができる。また、導体板51がチップマウント13や
金属ブロック15から剥離することを防ぐことができ
る。
As described above, in the present embodiment, the conductive plate 5
By making a part of 1 easy to bend,
Cracks can be prevented between the chip mount 13 and the conductor plate 51 and between the metal block 15 and the conductor plate 51. In addition, it is possible to prevent the conductor plate 51 from peeling off from the chip mount 13 or the metal block 15.

【0050】(第4の実施形態)図6は、本発明の第4
の実施形態に係る半導体レーザモジュールの断面を示す
図である。図6において、本実施形態の半導体レーザモ
ジュールでは、金属ブロック15とチップマウント13
との間は、導体板52によって橋架されており、この導
体板52の上には、1枚のプリント基板43が取り付け
られている。ただし、プリント基板43の長さは、導体
板52の長さよりも十分に短いものとする。本実施形態
のその他の構成は、前述の第3の実施形態と同様であ
り、相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明
を省略する。
(Fourth Embodiment) FIG. 6 shows a fourth embodiment of the present invention.
It is a figure showing the section of the semiconductor laser module concerning an embodiment. In FIG. 6, in the semiconductor laser module of the present embodiment, the metal block 15 and the chip mount 13
Is bridged by a conductor plate 52, and a single printed circuit board 43 is mounted on the conductor plate 52. However, the length of the printed circuit board 43 is sufficiently shorter than the length of the conductor plate 52. Other configurations of the present embodiment are the same as those of the above-described third embodiment, and corresponding portions are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0051】周囲温度が変化して金属ブロック15の高
さが変動した場合、導体板52に対して加わる負荷は、
導体板52がチップマウント13とプリント基板43と
の間の部分でたわむことによって吸収される。このよう
な負荷吸収構造は、前述の第2の実施形態と同様であ
る。
When the ambient temperature changes and the height of the metal block 15 changes, the load applied to the conductor plate 52 is
The conductor plate 52 is absorbed by bending at a portion between the chip mount 13 and the printed board 43. Such a load absorbing structure is the same as in the above-described second embodiment.

【0052】(第5の実施形態)図7は、本発明の第5
の実施形態に係る半導体レーザモジュールの断面を示す
図である。図7において、チップマウント13の上に
は、予め半導体レーザチップ10と共に、プリント基板
40が保持されている。このプリント基板40は、モジ
ュール組立前に半導体レーザチップ10をテストするた
めに用いられるもので、その上には、電気信号線が配線
されている。また、プリント基板40の上の電気信号線
と半導体レーザチップ10との間は、ワイヤ30で接続
されている。すなわち、テスト時においては、半導体レ
ーザチップ10に何らかの駆動信号を供給する必要があ
るが、そのために半導体レーザチップ10に直接ワイヤ
ボンディングすることは、面倒であり、また半導体レー
ザチップ10を傷つけるおそれがある。そこで、チップ
マウント13上に、半導体レーザチップ10と接続され
たプリント基板40を予め設けておくことにより、テス
ト時における配線作業を容易化すると共に、半導体レー
ザチップ10の損傷を防止するようにしている。
(Fifth Embodiment) FIG. 7 shows a fifth embodiment of the present invention.
It is a figure showing the section of the semiconductor laser module concerning an embodiment. 7, a printed circuit board 40 is held on the chip mount 13 together with the semiconductor laser chip 10 in advance. The printed circuit board 40 is used for testing the semiconductor laser chip 10 before assembling the module, on which electric signal lines are wired. The electrical signal lines on the printed circuit board 40 and the semiconductor laser chip 10 are connected by wires 30. That is, it is necessary to supply some drive signal to the semiconductor laser chip 10 at the time of a test. Therefore, it is troublesome to directly wire-bond the semiconductor laser chip 10 to the semiconductor laser chip 10, and the semiconductor laser chip 10 may be damaged. is there. Therefore, by providing a printed circuit board 40 connected to the semiconductor laser chip 10 on the chip mount 13 in advance, the wiring work at the time of the test is facilitated and the semiconductor laser chip 10 is prevented from being damaged. I have.

【0053】図5を参照して説明した第3の実施形態の
場合と同様に、電気信号線用マウント20の上に配線さ
れている電気信号線21aの一端とプリント基板41の
上の電気信号線33aとの間、プリント基板41の上の
電気信号線33aとプリント基板42の上の電気信号線
33aとの間は、それぞれワイヤ30で接続されてい
る。また、プリント基板42の上の電気信号線33aと
プリント基板40の上の電気信号線との間も、ワイヤ3
0で接続されている。本実施形態のその他の構成は、第
3の実施形態と同様であり、相当する部分には同一の参
照番号を付し、その説明を省略する。
As in the case of the third embodiment described with reference to FIG. 5, one end of the electric signal line 21a wired on the electric signal line mount 20 and the electric signal on the printed circuit board 41. The wires 30 are connected to the wires 33a and between the electric signal lines 33a on the printed circuit board 41 and the electric signal lines 33a on the printed circuit board 42, respectively. In addition, a wire 3 is also provided between the electric signal line 33a on the printed board 42 and the electric signal line on the printed board 40.
0 is connected. Other configurations of the present embodiment are the same as those of the third embodiment, and the corresponding portions are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0054】周囲温度が変化して金属ブロック15の高
さが変動した場合、導体板51に対して加わる負荷は、
導体板51がプリント基板41と42との間の部分でた
わむことにより吸収される。このような負荷吸収構造
は、第3の実施形態と同様である。
When the ambient temperature changes and the height of the metal block 15 changes, the load applied to the conductor plate 51 is:
The conductor plate 51 is absorbed by bending at a portion between the printed boards 41 and 42. Such a load absorbing structure is the same as in the third embodiment.

【0055】ところで、上記第5の実施形態では、プリ
ント基板40の上の電気信号線と半導体レーザチップ1
0との間は、予めワイヤ30で接続されているため、モ
ジュール内の部品組立時においては、プリント基板42
の上の電気信号線33aは、半導体レーザチップ10と
直接接続されるのではなく、プリント基板40の上の電
気信号線と接続される。一般的に、半導体レーザチップ
10に対する配線は、微細作業を伴うため困難性を伴う
が、プリント基板間の配線はそれに比べて容易である。
従って、本実施形態は、第3の実施形態に比べて、組立
作業性に優れていると言える。
In the fifth embodiment, the electric signal lines on the printed circuit board 40 and the semiconductor laser chip 1
0 is previously connected by the wire 30, so that when assembling parts in the module, the printed circuit board 42 is not connected.
The electric signal line 33a on the printed circuit board is not directly connected to the semiconductor laser chip 10, but is connected to the electric signal line on the printed circuit board 40. Generally, wiring to the semiconductor laser chip 10 involves difficulties due to the fine work involved, but wiring between printed boards is easier than that.
Therefore, it can be said that the present embodiment is superior in assembling workability as compared with the third embodiment.

【0056】なお、上記第5の実施形態では、第3の実
施形態の構成に対して、チップマウント13の上に予め
半導体レーザチップ10と共に、プリント基板40を設
けるようにしたが、第3の実施形態にかかわらず、第
1,第2および第4の実施形態においても、チップマウ
ント13の上に予め半導体レーザチップ10と共に、プ
リント基板40を設けるようにしても良い。
In the fifth embodiment, the printed circuit board 40 is provided together with the semiconductor laser chip 10 on the chip mount 13 in advance in the configuration of the third embodiment. Regardless of the embodiment, also in the first, second and fourth embodiments, a printed circuit board 40 may be provided on the chip mount 13 together with the semiconductor laser chip 10 in advance.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態に係る半導体レーザモ
ジュールの断面を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a cross section of a semiconductor laser module according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1のBの部分を上から見た図である。FIG. 2 is a view of a portion B in FIG. 1 as viewed from above.

【図3】本発明の第2の実施形態に係る半導体レーザモ
ジュールの断面を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a cross section of a semiconductor laser module according to a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第3の実施形態に係る半導体レーザモ
ジュールの断面を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a cross section of a semiconductor laser module according to a third embodiment of the present invention.

【図5】図4のCの部分を上から見た図である。FIG. 5 is a view of a portion C in FIG. 4 as viewed from above.

【図6】本発明の第4の実施形態に係る半導体レーザモ
ジュールの断面を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a cross section of a semiconductor laser module according to a fourth embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第5の実施形態に係る半導体レーザモ
ジュールの断面を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a cross section of a semiconductor laser module according to a fifth embodiment of the present invention.

【図8】従来の半導体レーザモジュールの断面を示す図
である。
FIG. 8 is a diagram showing a cross section of a conventional semiconductor laser module.

【図9】図8のAの部分を上から見た図である。FIG. 9 is a view of the portion A in FIG. 8 as viewed from above.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…半導体レーザチップ 11…パッケージ 12…ペルチェ素子 13…チップマウント 15…金属ブロック 20…電気信号線用マウント 21…電気信号線 30…ワイヤ 40、41、42、43、47、48…プリント基板 51、52、53、54…導体板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Semiconductor laser chip 11 ... Package 12 ... Peltier element 13 ... Chip mount 15 ... Metal block 20 ... Electric signal line mount 21 ... Electric signal line 30 ... Wires 40, 41, 42, 43, 47, 48 ... Printed circuit board 51 , 52, 53, 54 ... conductor plate

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電気信号を光信号に変換するための半導
体レーザモジュールであって、 パッケージと、 前記パッケージの内底部に設けられたペルチェ素子と、 前記ペルチェ素子の上部に設けられたチップマウント
と、 前記チップマウントの上部に設けられた半導体レーザチ
ップと、 前記パッケージの側面に設けられ、外部から与えられる
電気信号をパッケージの内部に導くための電気信号導入
部と、 前記電気信号導入部と前記チップマウントとの間に橋架
された導体板と、 前記導体板の上に所定の間隔を隔てて設けられ、それぞ
れの上に電気信号線が形成された複数のプリント基板
と、 前記電気信号導入部によって導入された電気信号が、各
前記プリント基板上の電気信号線を介して前記半導体レ
ーザチップに供給されるように配線するためのワイヤ手
段とを備え、 前記導体板は、各前記プリント基板間において容易にた
わむ構造を有していることを特徴とする、半導体レーザ
モジュール。
1. A semiconductor laser module for converting an electric signal into an optical signal, comprising: a package; a Peltier device provided on an inner bottom of the package; and a chip mount provided on an upper portion of the Peltier device. A semiconductor laser chip provided on an upper portion of the chip mount; an electric signal introduction unit provided on a side surface of the package for guiding an externally applied electric signal to the inside of the package; A conductor plate bridged between the conductor plate and a chip mount; a plurality of printed circuit boards provided on the conductor plate at predetermined intervals, each having an electric signal line formed thereon; Wiring so that the electric signal introduced by the above is supplied to the semiconductor laser chip via an electric signal line on each of the printed circuit boards. And a fit of the wire means, said conductive plate, characterized in that it has a readily flexed structure between each of said printed circuit board, the semiconductor laser module.
【請求項2】 前記チップマウントの上部には、前記半
導体レーザチップと共に、当該半導体レーザチップのテ
スト用のプリント基板が予め設けられており、前記ワイ
ヤ手段は、前記電気信号導入部によって導入された電気
信号が、各前記プリント基板上の電気信号線および前記
テスト用のプリント基板を介して前記半導体レーザチッ
プに供給されるように配線することを特徴とする、請求
項1に記載の半導体レーザモジュール。
2. A printed circuit board for testing the semiconductor laser chip is provided on the upper part of the chip mount together with the semiconductor laser chip, and the wire means is introduced by the electric signal introduction unit. 2. The semiconductor laser module according to claim 1, wherein wiring is performed so that an electric signal is supplied to the semiconductor laser chip via an electric signal line on each of the printed circuit boards and the test printed circuit board. 3. .
【請求項3】 電気信号を光信号に変換するための半導
体レーザモジュールであって、 パッケージと、 前記パッケージの内底部に設けられたペルチェ素子と、 前記ペルチェ素子の上部に設けられたチップマウント
と、 前記チップマウントの上部に設けられた半導体レーザチ
ップと、 前記パッケージの側面に設けられ、外部から与えられる
電気信号をパッケージの内部に導くための電気信号導入
部と、 前記電気信号導入部と前記チップマウントとの間に橋架
された導体板と、 前記導体板の上に設けられ、その上に電気信号線が形成
された1つのプリント基板と、 前記電気信号導入部によって導入された電気信号が、前
記プリント基板上の電気信号線を介して前記半導体レー
ザチップに供給されるように配線するためのワイヤ手段
とを備え、 前記プリント基板の長さは、前記導体板の長さよりも十
分に短く選ばれており、 前記導体板は、前記プリント基板が設けられていない端
の部分において容易にたわむ構造を有していることを特
徴とする、半導体レーザモジュール。
3. A semiconductor laser module for converting an electric signal to an optical signal, comprising: a package; a Peltier device provided on an inner bottom of the package; and a chip mount provided on an upper portion of the Peltier device. A semiconductor laser chip provided on an upper portion of the chip mount; an electric signal introduction unit provided on a side surface of the package for guiding an externally applied electric signal to the inside of the package; A conductor plate bridged between the chip mount, a single printed circuit board provided on the conductor plate and having an electric signal line formed thereon, and an electric signal introduced by the electric signal introduction unit. Wire means for wiring so as to be supplied to the semiconductor laser chip via an electric signal line on the printed circuit board, The length of the printed board is selected to be sufficiently shorter than the length of the conductive board, and the conductive board has a structure that bends easily at an end portion where the printed board is not provided. A semiconductor laser module, characterized in that:
【請求項4】 前記チップマウントの上部には、前記半
導体レーザチップと共に、当該半導体レーザチップのテ
スト用のプリント基板が予め設けられており、前記ワイ
ヤ手段は、前記電気信号導入部によって導入された電気
信号が、各前記プリント基板上の電気信号線および前記
テスト用のプリント基板を介して前記半導体レーザチッ
プに供給されるように配線することを特徴とする、請求
項3に記載の半導体レーザモジュール。
4. A printed circuit board for testing the semiconductor laser chip is provided in advance on the chip mount together with the semiconductor laser chip, and the wire means is introduced by the electric signal introduction unit. 4. The semiconductor laser module according to claim 3, wherein wiring is performed so that an electric signal is supplied to the semiconductor laser chip via an electric signal line on each of the printed circuit boards and the test printed circuit board. 5. .
【請求項5】 電気信号を光信号に変換するための半導
体レーザモジュールであって、 パッケージと、 前記パッケージの内底部に設けられたペルチェ素子と、 前記ペルチェ素子の上部に設けられたチップマウント
と、 前記チップマウントの上部に設けられた半導体レーザチ
ップと、 前記パッケージの側面に設けられ、外部から与えられる
電気信号をパッケージの内部に導くための電気信号導入
部と、 前記パッケージの内部であって前記電気信号導入部の下
部に設けられ、少なくとも前記パッケージ側面に密着し
た金属ブロックと、 前記金属ブロックと前記チップマウントとの間に橋架さ
れた導体板と、 前記導体板の上に所定の間隔を隔てて設けられ、それぞ
れの上に電気信号線が形成された複数のプリント基板
と、 前記電気信号導入部によって導入された電気信号が、各
前記プリント基板上の電気信号線を介して前記半導体レ
ーザチップに供給されるように配線するためのワイヤ手
段とを備え、 前記導体板は、各前記プリント基板間において容易にた
わむ構造を有していることを特徴とする、半導体レーザ
モジュール。
5. A semiconductor laser module for converting an electric signal into an optical signal, comprising: a package; a Peltier device provided on an inner bottom of the package; and a chip mount provided on an upper portion of the Peltier device. A semiconductor laser chip provided on an upper part of the chip mount; an electric signal introduction unit provided on a side surface of the package for guiding an externally applied electric signal to the inside of the package; A metal block provided at a lower portion of the electric signal introduction unit and closely attached to at least a side surface of the package; a conductor plate bridged between the metal block and the chip mount; and a predetermined gap above the conductor plate. A plurality of printed circuit boards, which are provided at intervals, and on each of which an electric signal line is formed; and Wire means for wiring so that the introduced electric signal is supplied to the semiconductor laser chip via an electric signal line on each of the printed circuit boards, wherein the conductive plate is provided between each of the printed circuit boards. Wherein the semiconductor laser module has a structure that bends easily.
【請求項6】 前記チップマウントの上部には、前記半
導体レーザチップと共に、当該半導体レーザチップのテ
スト用のプリント基板が予め設けられており、前記ワイ
ヤ手段は、前記電気信号導入部によって導入された電気
信号が、各前記プリント基板上の電気信号線および前記
テスト用のプリント基板を介して前記半導体レーザチッ
プに供給されるように配線することを特徴とする、請求
項5に記載の半導体レーザモジュール。
6. A printed circuit board for testing the semiconductor laser chip is provided in advance on the chip mount together with the semiconductor laser chip, and the wire means is introduced by the electric signal introduction unit. 6. The semiconductor laser module according to claim 5, wherein wiring is performed so that an electric signal is supplied to the semiconductor laser chip via an electric signal line on each of the printed circuit boards and the test printed circuit board. .
【請求項7】 前記金属ブロックの熱膨張係数は、前記
パッケージの熱膨張係数よりも小さいことを特徴とす
る、請求項5に記載の半導体レーザモジュール。
7. The semiconductor laser module according to claim 5, wherein a coefficient of thermal expansion of the metal block is smaller than a coefficient of thermal expansion of the package.
【請求項8】 前記金属ブロックにおいて前記電気信号
導入部と対向する部部には、切り欠きまたは段差が設け
られていることを特徴とする、請求項7に記載の半導体
レーザモジュール。
8. The semiconductor laser module according to claim 7, wherein a notch or a step is provided in a portion of said metal block facing said electric signal introducing portion.
【請求項9】 電気信号を光信号に変換するための半導
体レーザモジュールであって、 パッケージと、 前記パッケージの内底部に設けられたペルチェ素子と、 前記ペルチェ素子の上部に設けられたチップマウント
と、 前記チップマウントの上部に設けられた半導体レーザチ
ップと、 前記パッケージの側面に設けられ、外部から与えられる
電気信号をパッケージの内部に導くための電気信号導入
部と、 前記パッケージの内部であって前記電気信号導入部の下
部に設けられ、少なくとも前記パッケージ側面に密着し
た金属ブロックと、 前記金属ブロックと前記チップマウントとの間に橋架さ
れた導体板と、 前記導体板の上に設けられ、その上に電気信号線が形成
された1つのプリント基板と、 前記電気信号導入部によって導入された電気信号が、前
記プリント基板上の電気信号線を介して前記半導体レー
ザチップに供給されるように配線するためのワイヤ手段
とを備え、 前記プリント基板の長さは、前記導体板の長さよりも十
分に短く選ばれており、 前記導体板は、前記プリント基板が設けられていない部
分において容易にたわむ構造を有していることを特徴と
する、半導体レーザモジュール。
9. A semiconductor laser module for converting an electric signal into an optical signal, comprising: a package; a Peltier element provided on an inner bottom of the package; and a chip mount provided on an upper part of the Peltier element. A semiconductor laser chip provided on an upper part of the chip mount; an electric signal introduction unit provided on a side surface of the package for guiding an externally applied electric signal to the inside of the package; A metal block provided at a lower portion of the electric signal introduction unit and closely attached to at least the side surface of the package, a conductor plate bridged between the metal block and the chip mount, and provided on the conductor plate, One printed circuit board having an electric signal line formed thereon, and an electric signal introduced by the electric signal introduction unit Has a wire means for wiring so as to be supplied to the semiconductor laser chip via an electric signal line on the printed board, wherein the length of the printed board is sufficiently longer than the length of the conductor plate. The semiconductor laser module, which is selected to be short, has a structure in which the conductor plate easily bends in a portion where the printed board is not provided.
【請求項10】 前記チップマウントの上部には、前記
半導体レーザチップと共に、当該半導体レーザチップの
テスト用のプリント基板が予め設けられており、前記ワ
イヤ手段は、前記電気信号導入部によって導入された電
気信号が、各前記プリント基板上の電気信号線および前
記テスト用のプリント基板を介して前記半導体レーザチ
ップに供給されるように配線することを特徴とする、請
求項9に記載の半導体レーザモジュール。
10. A printed circuit board for testing the semiconductor laser chip is provided in advance on the chip mount together with the semiconductor laser chip, and the wire means is introduced by the electric signal introduction unit. 10. The semiconductor laser module according to claim 9, wherein wiring is performed so that an electric signal is supplied to the semiconductor laser chip via an electric signal line on each of the printed circuit boards and the test printed circuit board. .
【請求項11】 前記金属ブロックの熱膨張係数は、前
記パッケージの熱膨張係数よりも小さいことを特徴とす
る、請求項9に記載の半導体レーザモジュール。
11. The semiconductor laser module according to claim 9, wherein a coefficient of thermal expansion of the metal block is smaller than a coefficient of thermal expansion of the package.
【請求項12】 前記金属ブロックにおいて前記電気信
号導入部と対向する部部には、切り欠きまたは段差が設
けられていることを特徴とする、請求項11に記載の半
導体レーザモジュール。
12. The semiconductor laser module according to claim 11, wherein a notch or a step is provided in a portion of the metal block facing the electric signal introducing portion.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003010867A1 (en) * 2001-07-24 2003-02-06 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical semiconductor module and method of producing the same
US6740963B2 (en) 2001-05-09 2004-05-25 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Optical module

Cited By (3)

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WO2003010867A1 (en) * 2001-07-24 2003-02-06 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical semiconductor module and method of producing the same
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