JP2001094189A - Ceramic package - Google Patents

Ceramic package

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JP2001094189A
JP2001094189A JP26882299A JP26882299A JP2001094189A JP 2001094189 A JP2001094189 A JP 2001094189A JP 26882299 A JP26882299 A JP 26882299A JP 26882299 A JP26882299 A JP 26882299A JP 2001094189 A JP2001094189 A JP 2001094189A
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JP
Japan
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ceramic package
metal member
package
conductor
ground conductor
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Application number
JP26882299A
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Japanese (ja)
Inventor
Takashi Tadokoro
貴志 田所
Masanobu Okayasu
雅信 岡安
Makoto Nakamura
誠 中村
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a ceramic package, which enables high-density packaging also in a transmission of a 50 Ω system, a 25 Ω system or the like, can transmit high-frequency power at low cost, and moreover without discontinuity of its characteristic impedance and moreover, enables efficient heat dissipation. SOLUTION: A ceramic package, which has a metal member 6 having a step, a wiring board 7 mounted on the member 6, and microstrip lines 4 which are penetrated a ceramic film to connect with signal conductors 3, is constituted. Even though components of different thicknesses are mounted on the member 6, the steps of the components are properly adjusted to make even the heights of the upper surfaces of the components, the length of the wire at connecting of the components with each other with a gold wire is made shortest, to prevent the inductance of the package from being increased and the member 6 is formed as a ground conductor, whereby high-frequency power is transmitted without discontinuity of the characteristic impedance of the package and heat, which is generated from the components mounted on the member 6, can be efficiently made to radiate through the member 6.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、安価でしかも高密
度実装に適し、また特性インピーダンスの不連続なしに
高周波電力を伝送できるセラミックパッケージに関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ceramic package which is inexpensive, is suitable for high-density mounting, and can transmit high-frequency power without discontinuity in characteristic impedance.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の高周波伝送用セラミックパッケー
ジの概略を図4に示す。
2. Description of the Related Art FIG. 4 schematically shows a conventional ceramic package for high frequency transmission.

【0003】図4において、1はリード(外部回路との
接続用導体)、2は接地導線、3は信号線、4はマイク
ロストリップ線路、5は導体パッドである。
In FIG. 4, 1 is a lead (conductor for connection to an external circuit), 2 is a ground conductor, 3 is a signal line, 4 is a microstrip line, and 5 is a conductor pad.

【0004】マイクロストリップ線路4は、セラミック
を貫通して信号線3と接続し、セラミックを貫通する部
分においてもストリップ線路を構成している。またパッ
ケージの外側面には、信号線3とその両脇に配置された
接地導線2よりなるコプレーナ線路が構成されている。
従って、それぞれの伝送線路を、特性インピーダンスが
50Ωや25Ωになるように設計し、製作し、それを用
いて高周波電力の伝送を行うことができる。
[0004] The microstrip line 4 penetrates the ceramic and is connected to the signal line 3, and the portion penetrating the ceramic also constitutes a strip line. On the outer surface of the package, a coplanar line composed of the signal line 3 and the ground conductors 2 arranged on both sides thereof is formed.
Therefore, each transmission line can be designed and manufactured so that the characteristic impedance becomes 50Ω or 25Ω, and high-frequency power can be transmitted using the same.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、半導体レーザ
等の光素子をセラミックパッケージに搭載する場合は、
その抵抗値が3〜10Ω程度であるので、素子直近に4
0〜47Ω程度のチップ抵抗を置かなければ50Ω系と
してのインピーダンス整合が取れないが、チップ抵抗の
大きさは小さいものでも1mm角程度あるため、高密度
実装には不向きであった。特に、テープファイバを使っ
た多チャンネルのモジュールを作る際は、ファイバ間隔
が250μmであるため素子も250μm間隔で配置さ
れることが多いが、そのときにチップ抵抗を使うとすれ
ば、チップ抵抗はその間隔では配置できないため、別の
場所に設置して、素子とチップ抵抗との長距離間を金ワ
イヤ等で接続しなければならず、インダクタンス上昇の
原因となり、伝送帯域を狭めることになっていた。
However, when an optical element such as a semiconductor laser is mounted on a ceramic package,
Since the resistance value is about 3 to 10Ω, 4
Unless a chip resistor of about 0 to 47 Ω is placed, impedance matching as a 50 Ω system cannot be achieved. However, even a small chip resistor is about 1 mm square, so it is not suitable for high-density mounting. In particular, when making a multi-channel module using a tape fiber, the elements are often arranged at intervals of 250 μm because the fiber interval is 250 μm, but if chip resistance is used at that time, the chip resistance will be Since they cannot be arranged at such intervals, they must be installed in another place and the long distance between the element and the chip resistor must be connected with a gold wire or the like, causing an increase in inductance and narrowing the transmission band. Was.

【0006】また、例えばセラミックパッケージのリー
ド線ピッチが1.27mmで特性インピーダンスを25
Ωにする場合は、パッケージ外側面の信号線の幅を1.
24mmとし、接地導線との間隙を30μmにしなけれ
ばならず、そのような狭い間隙をもつ導線構成の実現は
困難であった。
Further, for example, when the lead pitch of a ceramic package is 1.27 mm and the characteristic impedance is 25
In the case of Ω, the width of the signal line on the outer surface of the package is set to 1.
It was 24 mm, and the gap with the ground conductor had to be 30 μm, and it was difficult to realize a conductor configuration having such a narrow gap.

【0007】さらに、半導体レーザや半導体光アンプを
搭載する場合は、素子が発する熱の放散が効率的に行え
ないという問題点があった。
Further, when a semiconductor laser or a semiconductor optical amplifier is mounted, there is a problem that heat generated by the element cannot be efficiently dissipated.

【0008】本発明の目的は、上述の問題点を解決し、
50Ω系や25Ω系等においても高密度実装が可能であ
り、安価で、しかも特性インピーダンスの不連続なしに
高周波電力を伝送でき、さらに、効率的な放熱が可能な
セラミックパッケージを提供することにある。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems,
It is an object of the present invention to provide a ceramic package which can be mounted at a high density even in a 50Ω system or a 25Ω system, can transmit high frequency power at low cost without discontinuity of characteristic impedance, and can efficiently radiate heat. .

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明においては、請求項1に記載したように、
底面部に露出した金属部材を有するセラミックパッケー
ジであって、該金属部材が段差を有することを特徴とす
るセラミックパッケージを構成する。
In order to achieve the above-mentioned object, according to the present invention, as described in claim 1,
A ceramic package having a metal member exposed on a bottom surface portion, wherein the metal member has a step.

【0010】また、本発明においては、請求項2に記載
したように、ビアホールを有するコプレーナ線路を備え
た配線板を上記金属部材上に搭載していることを特徴と
する請求項1記載のセラミックパッケージを構成する。
In the present invention, a wiring board having a coplanar line having a via hole is mounted on the metal member. Configure the package.

【0011】また、本発明においては、請求項3に記載
したように、マイクロストリップ導体を備えた配線板を
上記金属部材上に搭載していることを特徴とする請求項
1記載のセラミックパッケージを構成する。
Further, in the present invention, the wiring board provided with the microstrip conductor is mounted on the metal member as described in claim 3. Constitute.

【0012】また、本発明においては、請求項4に記載
したように、上記配線板上の伝送線路の一部分に薄膜抵
抗体が形成されていることを特徴とする請求項2または
3記載のセラミックパッケージを構成する。
Further, in the present invention, as described in claim 4, a thin film resistor is formed in a part of the transmission line on the wiring board. Configure the package.

【0013】また、本発明においては、請求項5に記載
したように、上記金属部材を付加接地導体とする接地導
体付きコプレーナ線路を外側面に有することを特徴とす
る請求項1、2、3または4記載のセラミックパッケー
ジを構成する。ここに、「接地導体付きコプレーナ線
路」は、誘電体層を隔てて接地導体が付加されているコ
プレーナ線路を意味する。
Further, in the present invention, a coplanar line with a ground conductor having the metal member as an additional ground conductor is provided on an outer surface thereof. Or the ceramic package described in 4 is constituted. Here, "coplanar line with ground conductor" means a coplanar line to which a ground conductor is added with a dielectric layer interposed therebetween.

【0014】また、本発明においては、請求項6に記載
したように、上記金属部材を接地導体とするマイクロス
トリップ線路を外側面に有することを特徴とする請求項
1、2、3または4記載のセラミックパッケージを構成
する。ここに、「接地導体」はマイクロストリップ線路
の構成要素である接地導体を意味する。
Further, in the present invention, as described in claim 6, a microstrip line having the metal member as a ground conductor is provided on an outer surface thereof. Of the ceramic package. Here, the “ground conductor” means a ground conductor that is a component of the microstrip line.

【0015】上述のように、本発明に係るセラミックパ
ッケージは、段差を有する金属部材をパッケージ底面部
に露出させて有することを特徴としている。段差を適当
にすることによって、当該金属部材の上に厚さの異なる
部品を並べても、部品の上面の高さを揃えることがで
き、金ワイヤによる接続の際にワイヤの長さを最小にす
ることができ、インダクタンスの増大を防ぐことができ
る。
As described above, the ceramic package according to the present invention is characterized in that a metal member having a step is exposed at the bottom of the package. By arranging the steps appropriately, even if parts having different thicknesses are arranged on the metal member, the heights of the upper surfaces of the parts can be made uniform, and the length of the wires can be minimized when connecting with gold wires. And an increase in inductance can be prevented.

【0016】また、上記金属部材の上に、コプレーナ線
路やマイクロストリップ導体を形成した配線板を置くこ
とによって、任意の特性インピーダンスを有する高周波
線路を実現できる。すなわち、配線板の基板として用い
る材料の誘電率、厚さ、および導体パターンの幅や間隔
を適当に設計することで、金属部材を接地導体として、
任意の特性インピーダンスを持つ接地導体付きコプレー
ナ線路やマイクロストリップ線路を実現できる。特に、
接地導体付きコプレーナ線路においては、信号線を挟む
導体パターン部にビアホールを設け、金属部材と電気的
に結合することによって、接地電位の安定化がはかれ、
高周波特性の優れる線路を実現できる。
Further, a high-frequency line having an arbitrary characteristic impedance can be realized by placing a wiring board on which a coplanar line or a microstrip conductor is formed on the metal member. That is, by appropriately designing the dielectric constant of the material used as the substrate of the wiring board, the thickness, and the width and interval of the conductor pattern, the metal member as a ground conductor,
A coplanar line or microstrip line with a ground conductor having an arbitrary characteristic impedance can be realized. In particular,
In a coplanar line with a ground conductor, a via hole is provided in a conductor pattern portion sandwiching a signal line, and the ground potential is stabilized by being electrically coupled to a metal member.
A line with excellent high-frequency characteristics can be realized.

【0017】また、配線板によりピッチ変換を行うこと
で光素子を250μm間隔で高密度に実装することもで
きる。この場合には、必要に応じて、伝送線路の一部分
に薄膜抵抗体を形成して、良好なインピーダンス整合性
を実現する。
Further, by performing pitch conversion using a wiring board, optical elements can be mounted at a high density at intervals of 250 μm. In this case, if necessary, a thin film resistor is formed on a part of the transmission line to realize good impedance matching.

【0018】また、上記金属はセラミックパッケージ外
側面に配置された信号線に対しても接地導体として作用
するので、外側面においても、信号線を構成要素とする
接地導体付きコプレーナ線路の設計や、マイクロストリ
ップ線路の設計が可能となり、任意の特性インピーダン
スを実現することができ、特性インピーダンスの不連続
なしに高周波電力を伝送できるようになる。
Further, since the above-mentioned metal also acts as a ground conductor for a signal line disposed on the outer surface of the ceramic package, a coplanar line with a ground conductor having the signal line as a component can be designed on the outer surface. A microstrip line can be designed, an arbitrary characteristic impedance can be realized, and high-frequency power can be transmitted without discontinuity of the characteristic impedance.

【0019】さらに、バルク状の金属部材を用いること
により、素子が発する熱をパッケージ底面部分へ効率的
に放散させることが可能となり、安定した特性で素子を
動作させることができる。
Further, by using the bulk metal member, the heat generated by the device can be efficiently dissipated to the bottom surface of the package, and the device can be operated with stable characteristics.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0021】(実施例1)本発明の第1の実施例を図1
に示す。図1の(a)は本発明によるセラミックパッケ
ージの全体像を表す鳥瞰図であり、図1の(b)はその
断面図である。
(Embodiment 1) FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention.
Shown in FIG. 1A is a bird's-eye view showing an overall image of a ceramic package according to the present invention, and FIG. 1B is a sectional view thereof.

【0022】図1において、1はリード、2は接地導
線、3は信号線、4はマイクロストリップ線路、5は導
体パッドである。
In FIG. 1, 1 is a lead, 2 is a ground conductor, 3 is a signal line, 4 is a microstrip line, and 5 is a conductor pad.

【0023】6は断面形状がL字型のCuWでできた金
属部材であり、それには、図に示したように、高さにつ
いて段差がある。金属部材6の段差の下の面にはデバイ
ス等が実装され、段差の上の面にはセラミック基板上に
金属をパターニングしてできた配線板7が搭載される。
なお、図1の(b)においては、セラミックと接地導線
2と金属部材6とについて、断面を斜線で示してある。
Reference numeral 6 denotes a metal member made of CuW having an L-shaped cross section, which has a step in height as shown in the figure. A device or the like is mounted on a surface below the step of the metal member 6, and a wiring board 7 formed by patterning a metal on a ceramic substrate is mounted on a surface above the step.
In FIG. 1B, the cross sections of the ceramic, the ground conductor 2 and the metal member 6 are indicated by oblique lines.

【0024】配線板7上の配線パターンの一例として、
500μm間隔の信号線をピッチ変換するパターンを図
2に示す。信号線13を挟む導体パターン部14にはビ
アホール15が設けられ、このビアホール15を通し
て、導体パターン部14は金属部材(図1における6)
と電気的に結合され、信号線13と導体パターン部14
とが、金属部材6を付加接地導体とする接地導体付きコ
プレーナ線路を形成している。この場合に、配線基板と
して厚さ300μmのセラミック板を使用すれば、特性
インピーダンスは50Ωになっている。また、信号線1
3のそれぞれに薄膜抵抗16を付けている。
As an example of the wiring pattern on the wiring board 7,
FIG. 2 shows a pattern for converting the pitch of signal lines at 500 μm intervals. A via hole 15 is provided in the conductor pattern portion 14 sandwiching the signal line 13, and the conductor pattern portion 14 is made of a metal member (6 in FIG. 1) through the via hole 15.
Is electrically coupled to the signal line 13 and the conductor pattern portion 14.
Form a coplanar line with a ground conductor using the metal member 6 as an additional ground conductor. In this case, if a 300 μm thick ceramic plate is used as the wiring board, the characteristic impedance is 50Ω. Also, signal line 1
3 is provided with a thin film resistor 16.

【0025】図1において、マイクロストリップ線路4
は、セラミックを貫通して信号線3と接続し、セラミッ
クを貫通する部分においてもストリップ線路を構成して
いる。また、パッケージ外側面においては、信号線3と
その両脇に配置された接地導線2、および金属部材6に
よって接地導体付きコプレーナ線路が形成されている。
従って、それぞれの伝送線路を特定の特性インピーダン
スに設計し、製作し、それを用いて、特性インピーダン
スの不連続なしに高周波電力の伝送を行うことができ
る。
In FIG. 1, the microstrip line 4
Are connected to the signal line 3 through the ceramic, and also form a strip line at the portion penetrating the ceramic. Further, on the outer surface of the package, a coplanar line with a ground conductor is formed by the signal line 3, the ground conductors 2 arranged on both sides thereof, and the metal member 6.
Therefore, it is possible to design and manufacture each transmission line to have a specific characteristic impedance and use it to transmit high-frequency power without discontinuity of the characteristic impedance.

【0026】なお、上記の配線板7上のコプレーナ線路
の代わりにマイクロストリップ導体を用いても、そのマ
イクロストリップ導体と、接地導体としての金属部材6
とからなるマイクロストリップ線路が形成され、上記と
同様の効果が現れる。
Note that even if a microstrip conductor is used instead of the coplanar line on the wiring board 7, the microstrip conductor and the metal member 6 as a ground conductor are used.
Is formed, and the same effect as described above appears.

【0027】同様に、信号線3が接地導体2を近接して
伴わないマイクロストリップ導体である場合において
も、信号線3と金属部材6がマイクロストリップ線路を
構成し、上記と同様の効果が現れる。
Similarly, even when the signal line 3 is a microstrip conductor not accompanied by the ground conductor 2, the signal line 3 and the metal member 6 constitute a microstrip line, and the same effect as described above appears. .

【0028】また、セラミックパッケージに形成された
導体パッド5はセラミックに形成されたビアホールによ
り底面方向に配線され、底面付近でピッチ変換され、そ
れぞれに対応するリード1と接続されている。
The conductor pads 5 formed on the ceramic package are wired in the direction of the bottom surface by via holes formed in the ceramic, are pitch-converted near the bottom surface, and are connected to the corresponding leads 1.

【0029】このようなセラミックパッケージは、通常
の方法により底面に穴の空いた状態のセラミックパッケ
ージを用意し、断面がL字型の金属部材を下からはめ込
み固定することで製作される。
Such a ceramic package is manufactured by preparing a ceramic package having a hole in the bottom surface by a usual method, and fitting and fixing an L-shaped metal member from below.

【0030】上述の実施例において金属部材としてCu
Wを使用したが、銅、アルミニウム、金、コバール等の
金属を使用しても良いし、その断面形状もL字型のみで
なく凸型あるいは凹型等の形状であっても良い。
In the above embodiment, Cu was used as the metal member.
Although W is used, metal such as copper, aluminum, gold, and Kovar may be used, and the cross-sectional shape may be not only L-shaped but also convex or concave.

【0031】(実施例2)次に本発明の第2の実施例を
図3に示す。図3の(a)は本発明によるセラミックパ
ッケージを使ったモジュールの全体像を表す鳥瞰図であ
り、図3の(b)はその断面図である。なお、図3の
(b)においては、セラミックと接地導線と金属部材と
について、断面を斜線で示してある。
(Embodiment 2) FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention. FIG. 3A is a bird's-eye view showing an overall image of a module using the ceramic package according to the present invention, and FIG. 3B is a sectional view thereof. In FIG. 3B, the cross sections of the ceramic, the ground conductor, and the metal member are shown by oblique lines.

【0032】図3において、セラミックパッケージの中
央部にペルチェ素子12が搭載され、その上にV字型の
溝のついたシリコン基板10と温度検出用のチップサー
ミスタ9が乗っている。シリコン基板10上で配線用導
体が形成された部分には半導体レーザ11が搭載され、
またV溝が形成された部分には光ファイバ8が搭載され
ている。半導体レーザ11への電流注入はシリコン基板
10上に形成された配線用導体と配線板7上に形成され
た配線導体を金ワイヤで接続することで実現される。配
線板7はL字型の金属部材6を付加接地導体とする接地
導体付きコプレーナ線路を形成しており、また、コプレ
ーナ線路の途中に抵抗体を搭載している。配線板7とセ
ラミックパッケージ上のマイクロストリップ線路4の間
およびチップサーミスタ9とセラミックパッケージ上の
導体パッド5の間も金ワイヤにより接続されている。一
方、ペルチェ素子12とセラミックパッケージ上の導体
パッド5の間はペルチェ素子のリードをハンダ付けする
ことで接続される。
In FIG. 3, a Peltier element 12 is mounted at the center of a ceramic package, and a silicon substrate 10 having a V-shaped groove and a chip thermistor 9 for temperature detection are mounted thereon. A semiconductor laser 11 is mounted on a portion of the silicon substrate 10 where the wiring conductor is formed,
The optical fiber 8 is mounted on the portion where the V-groove is formed. The current injection into the semiconductor laser 11 is realized by connecting the wiring conductor formed on the silicon substrate 10 and the wiring conductor formed on the wiring board 7 with gold wires. The wiring board 7 forms a coplanar line with a ground conductor using the L-shaped metal member 6 as an additional ground conductor, and a resistor is mounted in the middle of the coplanar line. Gold wires are also connected between the wiring board 7 and the microstrip line 4 on the ceramic package and between the chip thermistor 9 and the conductor pad 5 on the ceramic package. On the other hand, the Peltier element 12 and the conductor pad 5 on the ceramic package are connected by soldering the lead of the Peltier element.

【0033】上記の金ワイヤによる配線において、金属
部材の段差を適当にすることによって、図3に示したよ
うに、金ワイヤによって接続される面の高さを揃えれ
ば、配線の長さを最小にすることができ、インダクタン
スの増大を防ぐことができる。
In the above-described wiring using gold wires, if the heights of the surfaces connected by the gold wires are made uniform as shown in FIG. And an increase in inductance can be prevented.

【0034】このようにして製作した半導体レーザモジ
ュールをペルチェ素子とサーミスタにより25℃に温度
設定して動作させたところ、半導体レーザヘの電流注入
量が29mAの時に、光ファイバからの光出力として1
mWが安定して得られた。また、2.5Gbpsの疑似
ランダムパターンの信号に対しエラーフリー動作が確認
された。
When the semiconductor laser module manufactured as described above was operated at a temperature set to 25 ° C. by a Peltier device and a thermistor, when the current injection amount to the semiconductor laser was 29 mA, the optical output from the optical fiber was 1
mW was obtained stably. In addition, an error-free operation was confirmed for a pseudo random pattern signal of 2.5 Gbps.

【0035】上記実施例においてはペルチェ素子上にV
溝付きのシリコン基板を乗せたが、セラミック等の基板
でも良いし、基板無しでもかまわない。また半導体レー
ザを搭載したが、半導体光アンプ等の半導体素子でも良
いし、電子デバイスでもかまわない。
In the above embodiment, the V
Although a silicon substrate with a groove is placed, a substrate made of ceramic or the like may be used, or a substrate without a substrate may be used. In addition, although a semiconductor laser is mounted, a semiconductor element such as a semiconductor optical amplifier or an electronic device may be used.

【0036】なお、実施例1の場合と同様に、上記のコ
プレーナ線路の代わりにマイクロストリップ線路を用い
ても、上記と同様の効果が現れる。また、金属部材の段
差は、高さ方向のみならず、一般の方向、たとえば水平
方向に形成さていてもよい。
As in the case of the first embodiment, the same effects as described above can be obtained by using a microstrip line instead of the coplanar line. Further, the step of the metal member may be formed not only in the height direction but also in a general direction, for example, a horizontal direction.

【0037】[0037]

【発明の効果】本発明に係るセラミックパッケージは段
差を有する金属部材を底面部に露出させて有し、その段
差を適当にすることによって、ペルチェ素子や半導体光
部品、半導体電子部品、配線板等、厚さの異なるものを
搭載した時に、全体の表面を同一の高さに合わせること
ができ、金ワイヤによる接続の際にワイヤの長さを最小
にすることができ、インダクタンスの増大を防ぐことが
できる。
The ceramic package according to the present invention has a metal member having a step exposed on the bottom surface, and by appropriately adjusting the step, a Peltier element, a semiconductor optical component, a semiconductor electronic component, a wiring board, etc. When mounted with different thickness, the whole surface can be adjusted to the same height, the length of the wire can be minimized when connecting with gold wire, and the inductance will not increase Can be.

【0038】また、金属部材を接地導体として、その上
に乗せる配線板を接地導体付きコプレーナ線路あるいは
マイクロストリップ線路とすること、およびセラミック
パッケージ外側面に接地導体付きコプレーナ線路やマイ
クロストリップ線路を形成することができるため、高周
波電力をインピーダンス整合性良く供給することが可能
となる。
In addition, a metal member is used as a ground conductor, and a wiring board mounted thereon is a coplanar line or microstrip line with a ground conductor, and a coplanar line or microstrip line with a ground conductor is formed on the outer surface of the ceramic package. Therefore, high-frequency power can be supplied with good impedance matching.

【0039】さらに、本発明に係るセラミックパッケー
ジを使い、セラミックパッケージ内に半導体素子を内蔵
したモジュールを製作すれば、素子が発する熱を効率的
に放散させることができ、素子の安定動作が可能となる
という効果がある。
Further, by using the ceramic package according to the present invention and manufacturing a module in which a semiconductor element is built in the ceramic package, the heat generated by the element can be efficiently dissipated and the element can operate stably. It has the effect of becoming.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例に係るセラミックパッケ
ージを示す概念図であり、(a)は鳥瞰図、(b)は断
面図である。
FIGS. 1A and 1B are conceptual views showing a ceramic package according to a first embodiment of the present invention, wherein FIG. 1A is a bird's-eye view and FIG.

【図2】配線板のパターンの一例を示す概念図である。FIG. 2 is a conceptual diagram illustrating an example of a pattern of a wiring board.

【図3】本発明の第2の実施例に係るセラミックパッケ
ージを示す概念図であり、(a)は鳥瞰図、(b)は断
面図である。
3A and 3B are conceptual diagrams showing a ceramic package according to a second embodiment of the present invention, wherein FIG. 3A is a bird's-eye view and FIG. 3B is a sectional view.

【図4】従来の高周波伝送用セラミックパッケージを示
す概念図である。
FIG. 4 is a conceptual diagram showing a conventional ceramic package for high frequency transmission.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…リード、2…接地導線、3…信号線、4…マイクロ
ストリップ線路、5…導体パッド、6…金属部材、7…
配線板、8…光ファイバ、9…チップサーミスタ、10
…V溝付シリコン基板、11…半導体レーザ、12…ペ
ルチェ素子、13…信号線、14…導体パターン部、1
5…ビアホール、16…薄膜抵抗。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Lead, 2 ... Grounding conductor, 3 ... Signal line, 4 ... Microstrip line, 5 ... Conductor pad, 6 ... Metal member, 7 ...
Wiring board, 8: Optical fiber, 9: Chip thermistor, 10
... V-grooved silicon substrate, 11 ... Semiconductor laser, 12 ... Peltier element, 13 ... Signal line, 14 ... Conductor pattern part, 1
5: Via hole, 16: Thin film resistor.

フロントページの続き (72)発明者 中村 誠 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 Fターム(参考) 5F073 BA01 FA01 FA06 FA13 FA23 FA25 FA27 FA30 Continued on the front page (72) Inventor Makoto Nakamura 2-3-1 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo F-term (reference) in Nippon Telegraph and Telephone Corporation 5F073 BA01 FA01 FA06 FA13 FA23 FA25 FA27 FA30

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】底面部に露出した金属部材を有するセラミ
ックパッケージであって、該金属部材が段差を有するこ
とを特徴とするセラミックパッケージ。
1. A ceramic package having a metal member exposed at a bottom portion, wherein the metal member has a step.
【請求項2】ビアホールを有するコプレーナ線路を備え
た配線板を上記金属部材上に搭載していることを特徴と
する請求項1記載のセラミックパッケージ。
2. The ceramic package according to claim 1, wherein a wiring board having a coplanar line having a via hole is mounted on said metal member.
【請求項3】マイクロストリップ導体を備えた配線板を
上記金属部材上に搭載していることを特徴とする請求項
1記載のセラミックパッケージ。
3. The ceramic package according to claim 1, wherein a wiring board having a microstrip conductor is mounted on said metal member.
【請求項4】上記配線板上の伝送線路の一部分に薄膜抵
抗体が形成されていることを特徴とする請求項2または
3記載のセラミックパッケージ。
4. The ceramic package according to claim 2, wherein a thin film resistor is formed on a part of the transmission line on the wiring board.
【請求項5】上記金属部材を付加接地導体とする接地導
体付きコプレーナ線路を外側面に有することを特徴とす
る請求項1、2、3または4記載のセラミックパッケー
ジ。
5. The ceramic package according to claim 1, wherein a coplanar line with a ground conductor having said metal member as an additional ground conductor is provided on an outer surface.
【請求項6】上記金属部材を接地導体とするマイクロス
トリップ線路を外側面に有することを特徴とする請求項
1、2、3または4記載のセラミックパッケージ。
6. The ceramic package according to claim 1, further comprising a microstrip line having said metal member as a ground conductor on an outer surface.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003056669A1 (en) * 2001-12-26 2003-07-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Wavelength monitor apparatus, optical module, and optical module assembling method
WO2019138909A1 (en) * 2018-01-12 2019-07-18 ローム株式会社 Semiconductor laser device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003056669A1 (en) * 2001-12-26 2003-07-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Wavelength monitor apparatus, optical module, and optical module assembling method
US7148965B2 (en) 2001-12-26 2006-12-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Wavelength monitor, optical module, and optical module packaging method
WO2019138909A1 (en) * 2018-01-12 2019-07-18 ローム株式会社 Semiconductor laser device
JP2019125614A (en) * 2018-01-12 2019-07-25 ローム株式会社 Semiconductor laser device
CN111566882A (en) * 2018-01-12 2020-08-21 罗姆股份有限公司 Semiconductor laser device
CN111566882B (en) * 2018-01-12 2022-12-27 罗姆股份有限公司 Semiconductor laser device
US11575244B2 (en) 2018-01-12 2023-02-07 Rohm Co., Ltd. Semiconductor laser device

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