JP2000336499A5 - - Google Patents

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【特許請求の範囲】
【請求項１】 陰電極と陽電極との間に該陽電極と電気的に接続された導電性隔壁が配置された陽極化成装置を利用し、前記陰電極と前記導電性隔壁との間に基板を配置して、陽極化成反応によって該基板に多孔質層を形成するための処理方法であって、
前記陰電極と処理対象の基板とを第１の電解質溶液を介して電気的に接触させると共に前記導電性隔壁と該基板とを第２の電解質溶液を介して電気的に接触させる準備工程と、
前記陰電極と前記陽電極との間に電流を流すことにより前記基板の前記陰電極側の面に多孔質層を形成する陽極化成工程と、
を含み、前記第１の電解質溶液として、前記基板を多孔質化する能力を有する電解質溶液を使用し、前記第２の電解質溶液として、実質的に前記導電性隔壁を多孔質化する能力を有しない電解質溶液を使用することを特徴とする処理方法。
【請求項２】 前記第２の電解質溶液として、前記導電性隔壁を電解エッチングする能力を有する電解質溶液を使用することを特徴とする請求項１に記載の処理方法。
【請求項３】 前記導電性隔壁は、処理対象の基板と同質の材料で構成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の処理方法。
【請求項４】 前記導電性隔壁は、Ｓｉ材料で構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の処理方法。
【請求項５】 前記第１の電解質溶液及び前記第２の電解質溶液は、共に弗化水素を含有する溶液であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の処理方法。
【請求項６】 前記第１の電解質溶液は、前記第２の電解質溶液よりも、弗化水素の濃度が高いことを特徴とする請求項５に記載の処理方法。
【請求項７】 前記陽極化成工程では、前記基板に、互いに多孔度が異なる２以上の層からなる多層構造の多孔質層を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の処理方法。