JP2000334881A - Cage-shaped silsesquioxane-containing film - Google Patents
Cage-shaped silsesquioxane-containing filmInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、かご状シルセスキ
オキサンを含有することを特徴とする微細空隙を有する
金属酸化物ゾル組成物、金属酸化物ゲル組成物、樹脂組
成物および該組成物によって形成されるかご状シルセス
キオキサン含有皮膜およびその製造方法、さらには該皮
膜を有する光学特性改良フィルムに関する。[0001] The present invention relates to a metal oxide sol composition, a metal oxide gel composition, a resin composition and a metal oxide sol composition having fine voids, characterized by containing cage silsesquioxane. The present invention relates to a cage-like silsesquioxane-containing film formed by the method and a method for producing the same, and further relates to an optical property improving film having the film.
【0002】[0002]
【従来の技術】光機能性材料や電子機能性材料、化学生
体機能材料などの機能性薄膜の研究・開発が近年盛んに
行われている。機能性薄膜の中でも、特に金属酸化物含
有皮膜や有機系樹脂皮膜を用いた機能性材料の研究・開
発が盛んであり、具体的には太陽電池、透明電極、光メ
モリ、バッテリー電解質、触媒等の研究・開発が報告さ
れている。なお、ここで言う「金属」には、通常周期律
表においては「非金属」と定義されているシリコンやホ
ウ素も含まれる。2. Description of the Related Art In recent years, research and development of functional thin films such as optical functional materials, electronic functional materials, and chemical biological functional materials have been actively conducted. Among functional thin films, research and development of functional materials using metal oxide-containing coatings and organic resin coatings have been actively conducted.Specifically, solar cells, transparent electrodes, optical memories, battery electrolytes, catalysts, etc. Research and development have been reported. The “metal” mentioned here also includes silicon and boron which are usually defined as “non-metal” in the periodic table.
【0003】また、近年液晶ディスプレイやプラズマデ
ィスプレイパネルに代表される電子ディスプレイが数多
く開発され、実用に供している。これらのディスプレイ
の発展に伴い、美しさ、見やすさ、人体影響の削減、誤
動作防止等を目的とした光学特性改良フィルムが広く研
究され実際に使用されている。そのようなフィルムの代
表例としてはアンチグレアフィルム、反射防止フィルム
(アンチリフレクションフィルム)、視野角拡大フィル
ム、ライトコントロールフィルム、電磁波シールドフィ
ルム、赤外線(熱線)カットフィルム等が挙げられる
が、これらの光学特性改良フィルムにも金属酸化物含有
皮膜や有機系樹脂皮膜を用いることができる。In recent years, a large number of electronic displays typified by liquid crystal displays and plasma display panels have been developed and put to practical use. With the development of these displays, optical property improving films for the purpose of beauty, legibility, reduction of the influence of the human body, prevention of malfunction, and the like have been widely studied and actually used. Typical examples of such a film include an anti-glare film, an anti-reflection film (anti-reflection film), a viewing angle widening film, a light control film, an electromagnetic wave shielding film, an infrared (heat ray) cut film, and the like. A metal oxide-containing film or an organic resin film can also be used for the improved film.
【0004】例えば、反射防止フィルムの場合は、通常
SiO2やTiO2、ZrO2、Y2O3等の屈折率の異な
る金属酸化物の皮膜や有機高分子皮膜等を3〜4層積層
して作られている。For example, in the case of an anti-reflection film, three to four layers of metal oxide films having different refractive indexes such as SiO 2 , TiO 2 , ZrO 2 , Y 2 O 3 and organic polymer films are usually laminated. It is made.
【0005】光学的シミュレーションによれば、反射防
止フィルムを作製する際に単層で屈折率が1.25以下
の皮膜を作ることができれば上記のような多層構成にす
る必要はなく、製造コスト上も有利になるはずである
が、そのような超低屈折率でかつ膜物性に優れる皮膜を
得る技術は現状では開発されておらず、その開発が望ま
れている。According to an optical simulation, if a single-layer film having a refractive index of 1.25 or less can be formed at the time of manufacturing an antireflection film, it is not necessary to adopt a multilayer structure as described above. However, a technique for obtaining a film having such an ultra-low refractive index and excellent film properties has not been developed at present, and its development is desired.
【0006】また、光学フィルム以外でも、例えばIC
やLSIに代表される半導体において、より誘電率の低
い材料(Low K マテリアル)が必要とされ、その
材料としてSiO2等の金属酸化物が用いられている
が、基本的には屈折率が低い材料ほど誘電率も低くなる
傾向があることが知られており、この観点からも同様の
材料(低誘電率、すなわち低屈折率材料)が必要とされ
ている。[0006] In addition to the optical film, for example, IC
In semiconductors such as semiconductors and LSIs, a material having a lower dielectric constant (Low K material) is required, and a metal oxide such as SiO 2 is used as the material, but the refractive index is basically low. It is known that a material has a tendency to have a lower dielectric constant, and from this viewpoint, a similar material (a material having a low dielectric constant, that is, a material having a low refractive index) is required.
【0007】一方、金属酸化物薄膜を得る方法として
は、均質、透明性、材料の選択が広い等の理由により、
金属アルコキシドおよびその加水分解物を用いるゾルゲ
ル法が広く用いられている。On the other hand, as a method of obtaining a metal oxide thin film, homogeneity, transparency, wide selection of materials, etc.
The sol-gel method using a metal alkoxide and its hydrolyzate is widely used.
【0008】また、最近では、機能をさらに付与するこ
とや物性を改良するために有機化合物を併用すること
で、無機ポリマーと有機ポリマーが均質化した有機・無
機ハイブリット膜の研究も行われている。In recent years, an organic / inorganic hybrid film in which an inorganic polymer and an organic polymer are homogenized by further using an organic compound to further impart a function or improve physical properties has been studied. .
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】光学特性改良に関して
は、特に反射防止フィルムを構成する膜強度及び耐久性
の良好な超低屈折率皮膜を製造する技術が望まれている
が、基本的には皮膜中に空気やガス状分子をナノメータ
ーオーダーの大きさで封入する技術が必要であり、なお
かつそのような微細な空隙を広い面積で均一にかつ安価
に製造する技術は全く見つかっていない。本発明は、上
記のような問題点を解決するものであり、具体的には新
規なかご状シルセスキオキサン含有皮膜およびその製造
方法を提供するものである。With respect to the improvement of the optical characteristics, a technique for producing an ultra-low refractive index film having good film strength and durability, which constitutes an antireflection film, is desired. A technique for encapsulating air or gaseous molecules in a film with a size on the order of nanometers is required, and a technique for producing such fine voids uniformly over a large area at low cost has not been found at all. The present invention solves the above problems, and specifically provides a novel cage-like silsesquioxane-containing coating and a method for producing the same.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、分子自体
にオングストロームオーダーの空隙を有するかご状シル
セスキオキサンを有機ポリマーまたは無機ポリマー(金
属酸化物ゲル)に混合(コンポジット)した複合組成物
を基材上に塗設することにより、簡便に微少空隙を含有
する皮膜が得られることを見いだし、本発明に至ったも
のである。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present inventors have developed a composite composition in which a cage silsesquioxane having a porosity in the order of angstroms in a molecule itself is mixed with an organic polymer or an inorganic polymer (metal oxide gel). The present inventors have found that a film containing microscopic voids can be easily obtained by applying an object on a substrate, and the present invention has been accomplished.
【0011】本発明は下記の構成により達成された。The present invention has been achieved by the following constitutions.
【0012】1.透明基材上に、少なくとも1種のかご
状シルセスキオキサンを含有する膜を有することを特徴
とするフィルム。1. A film comprising a transparent substrate and a film containing at least one kind of cage silsesquioxane.
【0013】2.かご状のシルセスキオキサンが下記一
般式(1)〜(7)で表される化合物であることを特徴
とする前記1に記載のフィルム。2. 2. The film according to the above 1, wherein the cage-like silsesquioxane is a compound represented by the following general formulas (1) to (7).
【0014】[0014]
【化3】 Embedded image
【0015】[0015]
【化4】 Embedded image
【0016】(式中、Rは水素原子、アルキル基、アル
ケニル基又はアリール基を表し、複数のRは同じであっ
てもよい。) 3.少なくとも1種の金属アルコキシドまたは金属塩
に、少なくとも1種のかご状シルセスキオキサンを含有
させた金属酸化物ゾルまたは金属酸化物ゲルであること
を特徴とする組成物。(In the formula, R represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group or an aryl group, and a plurality of Rs may be the same.) A composition characterized by being a metal oxide sol or a metal oxide gel in which at least one metal alkoxide or metal salt contains at least one cage silsesquioxane.
【0017】4.基材上に、少なくとも1種の金属アル
コキシドまたは金属塩に、少なくとも1種のかご状シル
セスキオキサンを含有させた金属酸化物ゾルまたは金属
酸化物ゲル組成物を塗布することにより形成されたこと
を特徴とするかご状シルセスキオキサン含有皮膜。4. Formed by applying a metal oxide sol or a metal oxide gel composition containing at least one kind of cage silsesquioxane to at least one kind of metal alkoxide or metal salt on a substrate A cage-like silsesquioxane-containing coating characterized by the following.
【0018】5.基材上に、少なくとも1種の金属アル
コキシドまたは金属塩に、少なくとも1種のかご状シル
セスキオキサンを含有させた金属酸化物ゾルまたは金属
酸化物ゲル組成物を塗布することを特徴とするかご状シ
ルセスキオキサン含有皮膜の製造方法。5. A cage comprising applying a metal oxide sol or a metal oxide gel composition containing at least one kind of cage silsesquioxane to at least one kind of metal alkoxide or metal salt on a substrate. A method for producing a silsesquioxane-containing film.
【0019】6.少なくとも1種の有機ポリマーに、少
なくとも1種のかご状シルセスキオキサンを含有させた
ことを特徴とする樹脂組成物。6. A resin composition characterized in that at least one kind of organic polymer contains at least one kind of cage silsesquioxane.
【0020】7.基材上に、少なくとも1種の有機ポリ
マーに、少なくとも1種のかご状シルセスキオキサンを
含有させた樹脂組成物を塗布することにより形成された
ことを特徴とするかご状シルセスキオキサン含有皮膜。[7] FIG. A cage-like silsesquioxane-containing resin composition formed by applying a resin composition containing at least one kind of cage-like silsesquioxane to at least one kind of organic polymer on a substrate. Film.
【0021】8.基材上に、少なくとも1種の有機ポリ
マーに、少なくとも1種のかご状シルセスキオキサンを
含有させた樹脂組成物を塗布することを特徴とするかご
状シルセスキオキサン含有皮膜の製造方法。8. A method for producing a cage-like silsesquioxane-containing film, comprising applying a resin composition containing at least one kind of cage-like silsesquioxane to at least one kind of organic polymer on a substrate.
【0022】9.かご状シルセスキオキサンを含有する
膜が、少なくとも1種の金属アルコキシドまたは金属塩
に、少なくとも1種のかご状シルセスキオキサンを含有
させた金属酸化物ゾルまたは金属酸化物ゲル組成物を、
透明基材上に塗設し形成されたものであることを特徴と
する前記1または2に記載のフィルム。9. A film containing cage silsesquioxane is a metal oxide sol or metal oxide gel composition containing at least one cage silsesquioxane in at least one metal alkoxide or metal salt,
3. The film according to the above item 1 or 2, wherein the film is formed by coating on a transparent substrate.
【0023】10.かご状シルセスキオキサンを含有す
る膜が、少なくとも1種の有機ポリマーに、少なくとも
1種のかご状シルセスキオキサンを含有させた樹脂組成
物を、透明基材上に塗設し形成されたものであることを
特徴とする前記1または2に記載のフィルム。10. A film containing cage silsesquioxane was formed by applying a resin composition containing at least one kind of cage silsesquioxane to at least one kind of organic polymer on a transparent substrate. 3. The film according to the above 1 or 2, which is a film.
【0024】11.かご状シルセスキオキサンを含有す
る膜が、少なくとも1種の金属アルコキシドまたは金属
塩及び少なくとも1種の有機ポリマーに、少なくとも1
種のかご状シルセスキオキサンを含有させたポリマーコ
ンポジット金属酸化物ゾルまたはポリマーコンポジット
金属酸化物ゲル組成物を、透明基材上に塗設し形成され
たものであることを特徴とする前記1、2、9又は10
に記載のフィルム。11. A film containing cage silsesquioxane is coated with at least one metal alkoxide or metal salt and at least one organic polymer with at least one metal alkoxide or metal salt.
A polymer composite metal oxide sol or a polymer composite metal oxide gel composition containing a kind of cage silsesquioxane, which is formed by coating on a transparent substrate. 2, 9, or 10
The film according to 1.
【0025】以下に本発明を詳述する。Hereinafter, the present invention will be described in detail.
【0026】従って、本発明のかご状シルセスキオキサ
ンを用いる事により、金属アルコキシドや金属塩から得
られる、ゾル、或いはゲル化合物から得られる金属酸化
物の皮膜或いは、これと有機化合物からなる、所謂無機
有機コンポジット膜、或いは有機のポリマー膜からも容
易にオングストロームオーダーの空隙を有する膜が得ら
れる。本発明のかご状シルセスキオキサンを含有する皮
膜では、かご状シルセスキオキサンが有する分子レベル
の空孔により、かご状シルセスキオキサンを含有させる
ことにより皮膜内に簡便に微小空隙を作製することがで
きる。つまり、本発明では、かご状シルセスキオキサン
を何らかのバインダーに含有させ基材上に塗設すること
により、低屈折率、低誘電率の皮膜が作製でき、反射防
止フィルムのような光学特性改良フィルムが作製できる
ことがわかった。Therefore, by using the cage silsesquioxane of the present invention, a metal oxide film obtained from a metal alkoxide or a metal salt, a metal oxide film obtained from a sol or gel compound, or a metal oxide film obtained from the metal oxide film or an organic compound, A film having voids on the order of angstroms can be easily obtained from a so-called inorganic-organic composite film or an organic polymer film. In the film containing the cage-like silsesquioxane of the present invention, the cage-like silsesquioxane has molecular-level vacancies. can do. In other words, in the present invention, a low-refractive-index, low-dielectric-constant film can be produced by adding a cage-like silsesquioxane to some kind of binder and coating it on a substrate, thereby improving optical properties such as an antireflection film. It was found that a film could be produced.
【0027】本発明で用いられるかご状シルセスキオキ
サンについて説明する。The cage silsesquioxane used in the present invention will be described.
【0028】シルセスキオキサン(Silsesqui
oxane)はTレジンとも呼ばれるもので、通常のシ
リカが〔SiO2〕の一般式で表されるのに対し、シル
セスキオキサン(ポリシルセスキオキサンとも言う)は
〔RSiO1.5〕で表される化合物であり、通常はテト
ラエトキシシランに代表されるテトラアルコキシシラン
(Si(OR′)4)の1つのアルコキシ基をアルキル
基またはアリール基に置き換えた(RSi(O
R′)3)化合物の加水分解−重縮合で合成されるポリ
シロキサンであり、分子配列の形状として、代表的には
無定形、ラダー状、かご状(完全縮合ケージ状)があ
る。Silsesquioxane (Silsesquioxane)
oxane) is also called T resin, and ordinary silica is represented by the general formula of [SiO 2 ], whereas silsesquioxane (also called polysilsesquioxane) is represented by [RSiO 1.5 ]. A compound in which one alkoxy group of tetraalkoxysilane (Si (OR ′) 4 ) typically represented by tetraethoxysilane is replaced with an alkyl group or an aryl group (RSi (O
R ') 3 ) A polysiloxane synthesized by hydrolysis-polycondensation of a compound, and typically has an amorphous, ladder-like, or cage-like (completely condensed cage-like) molecular arrangement.
【0029】本発明で用いられるかご状シルセスキオキ
サンとしては、具体的には〔RSiO1.5〕8の化学式で
表されるタイプ(一般式(1))、〔RSiO1.5〕10
の化学式で表されるタイプ(一般式(2))、〔RSi
O1.5〕12の化学式で表されるタイプ(一般式
(3))、〔RSiO1.5〕14の化学式で表されるタイ
プ(一般式(4)、一般式(5))および〔RSiO
1.5〕16の化学式で表されるタイプ(一般式(6)、一
般式(7))が知られている。The cage silsesquioxane used in the present invention is, specifically, a type represented by the chemical formula [RSiO 1.5 ] 8 (general formula (1)), [RSiO 1.5 ] 10
(General formula (2)) represented by the chemical formula
O 1.5 ] 12 (general formula (3)), [RSiO 1.5 ] 14 type (general formula (4), general formula (5)) and [RSiO
1.5 ] The types (general formulas (6) and (7)) represented by 16 chemical formulas are known.
【0030】この中で本発明での使用にあたり最も好ま
しいものは一般式(1)で表される立方体構造のもの
(T8−シルセスキオキサンとも呼ばれる)ものであ
る。Among them, the most preferable one for use in the present invention is one having a cubic structure represented by the general formula (1) (also called T8-silsesquioxane).
【0031】より具体的には、「高分子学会誌 第47
巻12月号(1998年)第899ページ」やチッソ株
式会社/アズマックス株式会社発行のカタログ「特殊シ
リコン試薬第7版(平成10年11月3日発行)」の第
351ページに詳しい説明が記載されている。More specifically, “Journal of the Society of Polymer Science, No. 47
Vol. December issue (1998), page 899 ”and the catalog“ Special Silicon Reagent, 7th Edition (issued on November 3, 1998) ”issued by Chisso Corporation / Azmax Corporation. Have been.
【0032】本発明の一般式(1)〜(7)で表される
化合物において、Rで表されるアルキル基としては、直
鎖状のものでも分岐状のものでもよく、更に置換基によ
って置換されていてもよい。具体的には、メチル基、エ
チル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、イソプ
ロピル基、2−エチルヘキシル基、tert−ブチル
基、2−クロロエチル基、メタクリロキシプロピル基、
アリル基、3−アミノプロピル基、3−メルカプトプロ
ピル基、3−グリシドキシプロピル基等があげられる。In the compounds represented by formulas (1) to (7) of the present invention, the alkyl group represented by R may be linear or branched, and further substituted by a substituent. It may be. Specifically, methyl, ethyl, cyclopentyl, cyclohexyl, isopropyl, 2-ethylhexyl, tert-butyl, 2-chloroethyl, methacryloxypropyl,
Examples include an allyl group, a 3-aminopropyl group, a 3-mercaptopropyl group, and a 3-glycidoxypropyl group.
【0033】本発明の一般式(1)〜(7)で表される
化合物において、Rで表されるアルケニル基としては、
直鎖状のものでも分岐状のものでもよく、更に置換基に
よって置換されていてもよい。具体的には、ビニル基、
1−シクロヘキセニル基、2,2−ジメチルビニル基等
が挙げられる。In the compounds represented by the general formulas (1) to (7) of the present invention, the alkenyl group represented by R is
It may be linear or branched, and may be further substituted by a substituent. Specifically, a vinyl group,
Examples thereof include a 1-cyclohexenyl group and a 2,2-dimethylvinyl group.
【0034】本発明の一般式(1)〜(7)で表される
化合物において、Rで表されるアリール基としては、6
π系でも10π系でもよく、更に置換基によって置換さ
れていてもよい。具体的には、フェニル基、1−ナフチ
ル基、2−ナフチル基、フェナントリル基等が挙げられ
る。In the compounds represented by formulas (1) to (7) of the present invention, the aryl group represented by R is 6
It may be a π system or a 10π system, and may be further substituted with a substituent. Specific examples include a phenyl group, a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group, and a phenanthryl group.
【0035】本発明の一般式(1)〜(7)で表される
化合物において、Rで表される置換基又は水素原子の中
で好ましいものは、水素原子、メチル基、エチル基、シ
クロペンチル基、シクロヘキシル基、イソプロピル基、
2−エチルヘキシル基、2−クロロエチル基、メタクリ
ロキシプロピル基、アリル基、3−アミノプロピル基、
3−メルカプトプロピル基、3−グリシドプロピル基、
ビニル基、フェニル基である。In the compounds represented by the general formulas (1) to (7) of the present invention, among the substituents represented by R or a hydrogen atom, preferred are a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group and a cyclopentyl group. , Cyclohexyl group, isopropyl group,
2-ethylhexyl group, 2-chloroethyl group, methacryloxypropyl group, allyl group, 3-aminopropyl group,
3-mercaptopropyl group, 3-glycidopropyl group,
A vinyl group and a phenyl group.
【0036】R′についてはRの好ましい置換基として
あげたアルキル基と同じものを表す。R ′ represents the same alkyl group as a preferable substituent of R.
【0037】かご状シルセスキオキサンは、対応する
(RSi(OR′)3)化合物の加水分解−重縮合で合
成されるが、その具体例を以下に示す。The cage silsesquioxane is synthesized by hydrolysis-polycondensation of the corresponding (RSi (OR ') 3 ) compound, and specific examples thereof are shown below.
【0038】[0038]
【化5】 Embedded image
【0039】[0039]
【化6】 Embedded image
【0040】[0040]
【化7】 Embedded image
【0041】[0041]
【化8】 Embedded image
【0042】[0042]
【化9】 Embedded image
【0043】[0043]
【化10】 Embedded image
【0044】[0044]
【化11】 Embedded image
【0045】[0045]
【化12】 Embedded image
【0046】この中で、ヒドロ−T8−シルセスキオキ
サン(S−1)、メタクリロキシプロピルヘプタシクロ
ペンチル−T8−シルセスキオキサン(S−12)、オ
クタキス(ジメチルシロキシ)−T8−シルセスキオキ
サン(S−13)およびオクタビニル−T8−シルセス
キオキサン(S−14)はチッソ株式会社から市販され
ている。Among them, hydro-T8-silsesquioxane (S-1), methacryloxypropylheptacyclopentyl-T8-silsesquioxane (S-12), octakis (dimethylsiloxy) -T8-silsesquioxane Sun (S-13) and octavinyl-T8-silsesquioxane (S-14) are commercially available from Chisso Corporation.
【0047】本発明で用いられる金属アルコキシド、金
属塩の「金属」とは、一般に周期律表等で定義されてい
る「金属類(Metals)」の他に「遷移金属(Tr
ansition Metals)」の全ての元素、
「ランタノイド」の全ての元素、「アクチノイド」の全
ての元素、および「非金属(Non Metals)」
として定義されるホウ素、珪素(シリコン)を含んだも
のとして定義する。The “metal” of the metal alkoxide and metal salt used in the present invention generally includes “transition metal (Tr)” in addition to “metals” defined in the periodic table and the like.
anion metals) "
All elements of "lanthanoid", all elements of "actinoid", and "Non Metals"
Is defined as containing boron and silicon (silicon).
【0048】金属アルコキシドから金属酸化物皮膜を得
るには、所謂ゾル・ゲル法と呼ばれる方法が用いられ
る。即ち金属アルコキシド溶液に、低温でのゾル・ゲル
反応を可能にするため、好ましくは酸触媒を加え、加水
分解を起こさせることにより縮合反応を促進し、金属酸
化物膜ゾル乃至ゲルを生成する。これを基材上に塗布乾
燥し、その後、必要なら、熱処理、紫外線処理或いはプ
ラズマ処理等を行うことにより、三次元架橋の進んだ金
属酸化物皮膜を得ることが出来る。ここで、通常触媒と
しては塩酸、酢酸、硝酸等の無機酸、酢酸、トリフロロ
酢酸、p−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等の
有機酸等が用いられる。又、ルイス酸、例えばゲルマニ
ウム、チタン、アルミニウム、アンチモン、錫などの金
属の酢酸塩、その他の有機酸塩、ハロゲン化物、燐酸塩
などを併用してもよい。To obtain a metal oxide film from a metal alkoxide, a method called a so-called sol-gel method is used. That is, in order to enable a sol-gel reaction at a low temperature to the metal alkoxide solution, preferably, an acid catalyst is added to cause a hydrolysis to accelerate the condensation reaction to produce a metal oxide film sol or gel. This is applied to a substrate and dried, and then, if necessary, a heat treatment, an ultraviolet treatment, a plasma treatment, or the like is performed to obtain a metal oxide film with advanced three-dimensional crosslinking. Here, as the catalyst, generally used are inorganic acids such as hydrochloric acid, acetic acid and nitric acid, and organic acids such as acetic acid, trifluoroacetic acid, p-toluenesulfonic acid and methanesulfonic acid. In addition, Lewis acids, for example, acetates of metals such as germanium, titanium, aluminum, antimony, and tin, other organic acid salts, halides, and phosphates may be used in combination.
【0049】また、触媒として、このような酸類の代り
に、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリ
エタノールアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン
など、DBU(ジアザビシクロウンデセン−1)、DB
N(ジアザビシクロノネン)などのビシクロ環系アミ
ン、アンモニア、ホスフィン等の塩基を用いることがで
きる。さらに、酸及び塩基の処理を複数回併用しても良
い。As a catalyst, DBU (diazabicycloundecene-1), DBU such as monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, diethylamine and triethylamine may be used instead of such acids.
Bases such as bicyclocyclic amines such as N (diazabicyclononene), ammonia, and phosphine can be used. Furthermore, acid and base treatments may be used multiple times.
【0050】金属アルコキシド等の成分は溶剤に溶解又
は分散されるが、溶剤としては、上記の金属アルコキシ
ド、又これに加え必要なら、有機化合物、触媒等を例え
ばプラスチックフィルム上、ガラス基板上等に塗設し、
薄膜を形成させる場合、塗布後に溶剤を蒸発させる必要
性があるため、揮発性の溶媒が好ましく、かつ、金属ア
ルコキシドや有機化合物、触媒等と反応せず、しかもプ
ラスチックフィルムなどの基体を溶解しないものであれ
ば、いかなるものでもよく、通常、用いられる溶剤を用
いることができる。例えば、エチルアルコール、メチル
アルコール、イソプロピルアルコール、n−プロピルア
ルコール、メトキシメチルアルコールなどのアルコー
ル、水、酢酸エチル、酢酸メチルなどの酢酸エステル、
アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン、テトラヒ
ドロフランなどのエーテル、エチレングリコールモノエ
チルエーテルなどのエチレングリコールモノアルキルエ
ーテル、ジメチルフォルムアミド、ジメチルスルフォキ
シド、アセチルアセトンなどが挙げられる。The components such as metal alkoxides are dissolved or dispersed in a solvent. As the solvent, the above-mentioned metal alkoxides, and if necessary, an organic compound, a catalyst, etc., for example, on a plastic film, a glass substrate, etc. Painted,
When forming a thin film, it is necessary to evaporate the solvent after coating, so a volatile solvent is preferable, and it does not react with metal alkoxides, organic compounds, catalysts, etc., and does not dissolve a substrate such as a plastic film. Any solvent can be used as long as the solvent is usually used. For example, ethyl alcohol, methyl alcohol, isopropyl alcohol, n-propyl alcohol, alcohols such as methoxymethyl alcohol, water, ethyl acetate, acetate such as methyl acetate,
Examples thereof include ketones such as acetone and methyl ethyl ketone, ethers such as tetrahydrofuran, ethylene glycol monoalkyl ethers such as ethylene glycol monoethyl ether, dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, and acetylacetone.
【0051】上記の方法により金属アルコキシド或いは
金属塩から得られた金属酸化物皮膜に本発明のシルセス
キオキサンを含有させることにより微細な空孔を有する
金属酸化物の膜を得ることできる。By incorporating the silsesquioxane of the present invention into a metal oxide film obtained from a metal alkoxide or a metal salt by the above method, a metal oxide film having fine pores can be obtained.
【0052】本発明に用いられる金属アルコキシドに於
いて、Alのアルコキシドの例としては、アルミニウム
(III)n−ブトキサイド、アルミニウム(III)s−ブ
トキサイド、アルミニウム(III)t−ブトキサイド、
アルミニウム(III)エトキサイド、アルミニウム(II
I)イソプロポキサイド、アルミニウム(III)s−ブト
キサイドビス(エチルアセトアセテート)、アルミニウ
ム(III)ジ−s−ブトキサイドエチルアセトアセテー
ト、アルミニウム(III)ジイソプポキサイドエチルア
セトアセテート、アルミニウム(III)エトキシエトキ
シエトキサイド、アルミニウムヘキサフルオロペンタジ
オネート、アルミニウム(III)3−ヒドロキシ−2−
メチル−4−ピロネート、アルミニウム9−オクタデセ
ニルアセトアセテートジイソプロポキサイド、アルミニ
ウム(III)2,4−ペンタンジオネート、アルミニウ
ムフェノキサイド、アルミニウム(III)2,2,6,
6,−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオネート、S
iのアルコキシドの例としては、テトラメトキシシラ
ン、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシシラ
ン、テトラ−n−プロポキシシラン、テトラ−n−ブト
キシシラン、テトラ−sec−ブトキシシラン、テトラ
−t−ブトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メ
チルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラ
ン、メチルトリブトキシシラン、ジメチルジメトキシシ
ラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジプロポキ
シシラン、ジメチルジブトキシシラン、トリメチルメト
キシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリメチルプ
ロポキシシラン、トリメチルブトキシシラン、Tiのア
ルコキシドの例としては、チタンn−ブトキサイド、チ
タンメトキサイド、チタンエトキサイド、チタンn−プ
ロポキサイド、チタンイソプロポキサイド、チタンt−
ブトキサイド、チタンn−ノニルオキサイド、チタンi
−ブトキサイド、チタンメトキシプロポキサイド、チタ
ンクロロトリイソプロポキサイド、チタンジクロライド
ジエトキサイド、チタンヨードイソプロポキシド、チタ
ンジn−ブトキサイド(ビス−2,4−ペンタジオネー
ト)、チタンジi−プロポキサイド(ビス−2,4−ペ
ンタジオネート)、チタンジイソプロポキサイドビス
(テトラメチルヘプタンジオネート)、チタンジイソプ
ロポキサイドビス(エチルアセトアセテート)、チタン
2−エチルヘキシオキシド、チタンオキシドビス(ペン
タジオネート)、チタンオキシビス(テトラメチルヘプ
タンジオネート)、テトラキス(トリメチルシロキシ)
チタン、チタンアリルアセトアセテートトリイソプロポ
キシド、チタンビス(トリエタノールアミン)ジイソプ
ロポキシド、チタンメタクリレートトリイソプロポキシ
ド、(2−メタクリルオキシエトキシ)トリイソプロポ
キシチタネート、チタンメタクリルオキシエチルアセト
アセテートトリイソプロキサイド、チタンメチルフェノ
キサイド、Vのアルコキシドの例としては、バナジウム
トリイソプロポキサイドオキサイド、バナジウムトリイ
ソブトキサイドオキサイド、バナジウム(III)2,4
−ペンタンジオネート、バナジウム(IV)オキシドビス
(2,4−ペンタンジオネート)、バナジウム(IV)オ
キシビス(ベンゾイルアセトネート)、Znのアルコキ
シドの例としては、亜鉛N,N−ジメチルアミノエトキ
サイド、亜鉛メトキシエトキサイド、亜鉛2,4−ペン
タンジオネート、亜鉛−2,2,6,6−テトラメチル
3,5−ヘプタンジオネート、Srのアルコキシドの例
としては、ストロンチウムイソプロキサイド、ストロン
チウムメトキシプロキサイド、ストロンチウムヘキサフ
ルオロペンタンジオネート、ストロンチウム2,4−ペ
ンタンジオネート、ストロンチウム2,2,6,6,−
テトラメチル−3,5−ヘプタンジオネート、Yのアル
コキシドの例としては、イットリウムイソプロポキサイ
ド、イットリウムメトキシエトキサイド、イットリウム
ヘキサフルオロペンタンジオネート、イットリウム2,
4−ペンタンジオネート、イットリウムヘキサフルオロ
イソプロポキサイドジアンモニア錯体、イットリウム
6,6,7,7,8,8,8−ヘプタフルオロ−2,2
−ジメチル−3,5−オクタンヂオネート、イットリウ
ム2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジ
オネート、Zrのアルコキシドの例としては、ジルコニ
ウムエトキサイド、ジルコニウムイソプロポキサイド、
ジルコニウムn−プロポキサイド、ジルコニウムn−ブ
トキサイド、ジルコニウムt−ブトキサイド、ジルコニ
ウム2−エチルヘキシルオキサイド、ジルコニウム2−
メチル−2−ブトキサイド、テトラキス(トリメチルシ
ロキシ)ジルコニウム、ジルコニウムジn−ブトキサイ
ド(ビス−2,4−ペンタンジオネート)、ジルコニウ
ムジイソプロポキサイドビス(2,2,6,6,−テト
ラメチル−3,5−ヘプタンジオネート、ジルコニウム
ジメタクリレートジブトキサイド、ジルコニウムヘキサ
フルオロペンタンジオネート、ジルコニウムメタクリル
オキシエチルアセトアセテートトリn−プロポキサイ
ド、ジルコニウム2,4−ペンタンジオネート、ジルコ
ニウム2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタ
ンジオネート、ジルコニウムトリフルオロペンタンジオ
ネート、Inのアルコキシドの例としては、インジウム
メトキシエトキサイド、インジウムイソプロポキサイ
ド、インジウムn−プロポキサイド、インジウムn−ブ
トキサイド、インジウムt−ブトキサイド、インジウム
ヘキサフルオロペンタンジオネート、インジウム2,4
−ペンタンジオネート、インジウムメチル(トリメチ
ル)アセチルアセトネート、インジウムトリフルオロペ
ンタンジオネート、Snのアルコキシドの例としては、
スズ(II)メトキサイド、スズ(II)エトキサイド、テ
トライソプロポキシスズ、テトラ−t−ブトキシスズ、
テトラ−n−ブトキシスズ、ビス(2,4−ペンタンジ
オネート)ジクロスズ、スズ(II)2,4−ペンタンジ
オネート、ナトリウムスズエトキサイド、Taのアルコ
キシドの例としては、タンタル(IV)メトキサイド、タ
ンタル(IV)エトキサイド、タンタル(IV)イソプロポ
キサイド、タンタル(IV)n−プロポキサイド、タンタ
ル(IV)n−ブトキサイド、タンタル(IV)t−ブトキ
サイド、タンタルナトリウムメトキサイド、タンタル
(IV)トリフルオロエトキサイド、タンタル(IV)テト
ラエトキサイドペンタンジオネート、Wのアルコキシド
の例としては、タングステン(V)エトキサイド、タン
グステン(VI)エトキサイド、タングステン(VI)フェ
ノキサイド、Tlのアルコキシドの例としては、タリウ
ム(I)エトキサイド、タリウム(I)イソプロポキシ
ド、タリウム(I)n−プロポキシド、タリウム(I)
n−ブトキシド、タリウム(I)t−ブトキシド、タリ
ウム(I)タリウム2,4−ペンタジオネート、Sbの
アルコキシドの例としては、アンチモン(III)メトキ
サイド、アンチモン(III)エトキサイド、アンチモン
(III)n−ブトキサイド、アンチモン(III)t−ブト
キサイド、Ceのアルコキシドの例としては、セリウム
(IV)エトキサイド、セリウム(IV)イソプロポキサイ
ド、セリウム(IV)n−プロポキサイド、セリウム(I
V)n−ブトキサイド、セリウム(IV)t−ブトキサイ
ド、セリウム(IV)メトキシエトキサイド、セリウム
(III)2,4−ペンタジオネート、セリウム(IV)
2,2,6,6−テトラメチルヘプタンジオネート、セ
リウム(III)6,6,7,7,8,8,8−ヘプタフ
ルオロ−2,2−ジメチル−3,5−オクタンジオネー
ト、セリウム(IV)テノイルトリフルオロアセテート、
Liのアルコキシドの例としては、リチウムメトキサイ
ド、リチウムエトキサイド、リチウムイソポロポキサイ
ド、リチウムt−ブトキサイド、リチウム2,4−ペン
タンジオネート、リチウムテトラメチルヘプタンジオネ
ート、Beのアルコキシドの例としては、ベリリウム
2,4−ペンタンジオネートBのアルコキシドの例とし
ては、ホウ素メトキサイド、ホウ素エトキサイド、ホウ
素イソプロポキサイド、ホウ素n−ブトキサイド、ホウ
素t−ブトキサイド、ホウ素アリルオキサイド、Naの
アルコキシドの例としては、ナトリウム2,4−ペンタ
ンジオネート、ナトリウムアセチルアセトナート、ナト
リウムアルミニウムハイドライドビス(メトキシエトキ
サイド)、ナトリウムエトキサイド、Mgのアルコキシ
ドの例としては、マグネシウムメトキサイド、マグネシ
ウムエトキサイド、マグネシウムn−プロポキサイド、
マグネシウムイソプロポキシド、マグネシウムn−ブト
キサイド、マグネシウムt−ブトキサイド、マグネシウ
ムトリフルオロペンタジオネート、マグネシウム2,4
−ペンタジオネート、マグネシウムヘキサフルオロペン
タジオネート、マグネシウムメトキシエトキサイド、マ
グネシウムメチルカルボネート、Kのアルコキシドの例
としては、カリウムt−ブトキサイド、カリウム2,4
−ペンタンジオネート、Caのアルコキシドの例として
は、カルシウムメトキサイド、カルシウムエトキサイ
ド、カルシウムメトキシエトキサイド、カルシウム2,
4−ペンタンジオネート、カルシウム2,2,6,6−
テトラメチル−3,5−ヘプタンジオネート、カルシウ
ムヘキサフルオロペンタジオネート、カルシウム6,
6,7,7,8,8,8−ヘプタフルオロ−2,2−ジ
メチル−3,5−オクタンジオネート、Scのアルコキ
シドの例としては、スカンジウム(III)2,2,6,
6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオネート、Cr
のアルコキシドの例としては、クロム(III)イソプロ
ポキサイド、クロム(III)2,4−ペンタンジオネー
ト、クロム(III)ヘキサフルオロペンタンジオネー
ト、クロム(III)トリフルオロペンタンジオネート、
クロム(III)ベンゾイルアセトネート、クロム(III)
2,2,6,6、−テトラメチルヘプタンジオネート、
Coのアルコキシドの例としては、コバルトカルボニル
メトキサイド、コバルト(III)2,4−ペンタンジオ
ネート、Mnのアルコキシドの例としては、マンガン
(II)メトキサイド、マンガン(II)2,4−ペンタン
ジオネート、Feのアルコキシドの例としては、鉄(II
I)エトキサイド、鉄(III)2,4−ペンタンジオネー
ト、鉄(III)トリフルオロペンタンジオネート、鉄(I
II)ベンゾイルアセトネート、Niのアルコキシドの例
としては、ニッケル(II)2,4−ペンタンジオネー
ト、ニッケル(II)ヘキサフルオロペンタンジオネー
ト、ニッケル(II)2,2,6,6−テトラメチル−
3,5−ヘプタンジオネート、Cuのアルコキシドの例
としては、銅(II)メトキサイド、銅(II)エトキサイ
ド、銅(II)メトキシエトキシエトキサイド、銅(II)
2,4−ペンタンジオネート、銅(II)2,2,6,
6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオネート、
銅(II)トリフルオロペンタンジオネート、銅(II)ヘ
キサフルオロペンタンジオネート、銅(I)ヘキサフル
オロペンタンジオネートシクロオクタンジエン錯体、銅
(II)エチルアセトアセテート、銅(II)ジメチルアミ
ノエトキサイド、銅(II)ベンゾイルアセトネート、銅
(II)1,3−ジフェニル−1,3−プロパンジオネー
ト、銅(II)6,6,7,7,8,8,8−ヘプタフル
オロ−2,2−ジメチル−3,5−オクタンジオネート
Gaのアルコキシドの例としては、ガリウム(III)エ
トキサイド、ガリウム(III)2,4−ペンタンジオネ
ート、ガリウム(III)2,2,6,6,−テトラメチ
ルヘプタンジオネート、Geのアルコキシドの例として
は、ゲルマニウムメトキサイド、ゲルマニウムエトキサ
イド、ゲルマニウムイソプロポキサイド、ゲルマニウム
n−ブトキサイド、ゲルマニウムt−ブトキサイド、R
bのアルコキシドの例としては、ルビジウム2,4−ペ
ンタンジオネート、Nbのアルコキシドの例としては、
ニオブ(V)エトキサイド、ニオブ(V)イソプロポキ
サイド、ニオブ(V)n−プロポキサイド、ニオブ
(V)n−ブトキサイド、Moのアルコキシドの例とし
ては、モリブデン(V)エトキサイド、モリブデン
(V)イソプロポキサイド、モリブデン(V)n−プロ
ポキサイド、モリブデン(V)n−ブトキサイド、モリ
ブデン(VI)オキシドビス(2,4−ペンタンジオネー
ト)、Cdのアルコキシドの例としては、カドミニウム
2,4−ペンタンジオネート、Csのアルコキシドの例
としては、セシウムメトキサイド、セシウムエトキサイ
ド、セシウムイソプロポキサイド、セシウムn−プロポ
キサイド、セシウムn−ブトキサイド、セシウムt−ブ
トキサイド、Baのアルコキシドの例としては、バリウ
ムイソプロポキサイド、バリウムメトキシプロポキサイ
ド、バリウムn−ブトキサイド、バリウムt−ブトキサ
イド、バリウム2,4−ペンタンジオネート、バリウム
ヘキサフルオロペンタンジオネート、バリウム(II)
6,6,7,7,8,8,8−ヘプタンフルオロ−2,
2−ジメチル−3,5−オクタンジオネート、バリウム
(II)2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタ
ンジオネート、Laのアルコキシドの例としては、ラン
タンイソプロポキサイド、ランタンメトキシプロポキサ
イド、ランタンn−ブトキサイド、ランタンt−ブトキ
サイド、ランタン2,4−ペンタンジオネート、ランタ
ン2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジ
オネート、Hfのアルコキシドの例としては、ハフニウ
ムエトキサイド、ハフニウムイソプロポキサイド、ハフ
ニウムメトキシプロポキサイド、ハフニウムn−ブトキ
サイド、ハフニウムt−ブトキサイド、ハフニウム2,
4−ペンタンジオネート、ハフニウムテトラメチルヘプ
タンジオネート、ハフニウムトリフルオロペンタンジオ
ネート、Pbのアルコキシドの例としては、鉛(II)
6,6,7,7,8,8,8−ヘプタフルオロ−2,2
−ジメチル−3,5−オクタンジオネート、鉛(II)エ
キサフルオロペンタンジオネート、鉛(II)2,4−ペ
ンタンジオネート、鉛(II)2,2,6,6−テトラメ
チル−3,5−ヘプタンジオネート、鉛チタンオキソア
セトエトキシエトキサイド、Biのアルコキシドの例と
しては、ビスマス(III)n−ブトキサイド、ビスマス
(III)t−ブトキサイド、ビスマス(III)t−ペント
キサイド、ビスマス(III)ヘキサフルオロペンタンジ
オネート、ビスマス(III)テトラメチルヘプタンジオ
ネート、Prのアルコキシドの例としては、プラセオジ
ウムn−ブトキサイド、プラセオジウムt−ブトキサイ
ド、プラセオジウムメトキシプロポキサイド、プラセオ
ジウムヘキサフルオロペンタンジオネート、プラセオジ
ウム2,4−ペンタンジオネート、プラセオジウム2,
2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオネー
ト、プラセオジウム(III)6,6,7,7,8,8,
8−ヘプタフルオロ−2,2−ジメチル−3,5−オク
タンジオネート、Ndのアルコキシドの例としては、ネ
オジウムn−ブトキサイド、ネオジウムt−ブトキサイ
ド、ネオジウムメトキシプロポキサイド、ネオジウムメ
トキシエトキサイド、ネオジウムヘキサフルオロペンタ
ンジオネート、ネオジウム2,4−ペンタンジオネー
ト、ネオジウム2,2,6,6−テトラメチル−3,5
−ヘプタンジオネート、ネオジウムトリフルオロペンタ
ンジオネート、ネオジウム6,6,7,7,8,8,8
−ヘプタフルオロ−2,2−ジメチル−3,5−オクタ
ンジオネート、Smのアルコキシドの例としては、サマ
リウム(III)イソプロポキサイド、サマリウム(III)
n−ブトキサイド、サマリウム(III)t−ブトキサイ
ド、サマリウム(III)メトキシプロポキサイド、サマ
リウム(III)メトキシエトキサイド、サマリウム(II
I)2,4−ペンタンジオネート、サマリウム(III)
2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオ
ネート、サマリウム(III)テイノルトリフルオロアセ
テート、Euのアルコキシドの例としては、ユーロピウ
ムn−ブトキサイド、ユーロピウムt−ブトキサイド、
ユーロピウムメトキシプロポキサイド、ユーロピウムメ
トキシエトキサイド、ユーロピウム2,4−ペンタンジ
オネート、ユーロピウム2,2,6,6−テトラメチル
−3,5−ヘプタンジオネート、ユーロピウムテイノル
トリフルオロアセテート、ユーロピウム6,6,7,
7,8,8,8−ヘプタフルオロ−2,2−ジメチル−
3,5−オクタンジオネート、ユーロピウム1,3−ジ
フェニル−1,3−プロパンジオネート、Gdのアルコ
キシドの例としては、ガドリニウムn−ブトキサイド、
ガドリニウムt−ブトキサイド、ガドリニウムメトキシ
プロポキサイド、ガドリニウムメトキシエトキサイド、
ガドリニウム2,4−ペンタンジオネート、ガドリニウ
ム2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジ
オネート、ガドリニウム6,6,7,7,8,8,8−
ヘプタフルオロ−2,2−ジメチル−3,5−オクタン
ジオネート、Tbのアルコキシドの例としては、テルビ
ウムn−ブトキサイド、テルビウムt−ブトキサイド、
テルビウムメトキシプロポキサイド、テルビウムメトキ
シエトキサイド、テルビウム2,4−ペンタンジオネー
ト、テルビウム2,2,6,6−テトラメチル−3,5
−ヘプタンジオネート、Dyのアルコキシドの例として
は、ジスプロジウムn−ブトキサイド、ジスプロジウム
t−ブトキサイド、ジスプロジウムメトキシプロポキサ
イド、ジスプロジウムメトキシエトキサイド、ジスプロ
ジウム2,4−ペンタンジオネート、ジスプロジウム
2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオ
ネート、Hoのアルコキシドの例としては、ホルミウム
n−ブトキサイド、ホルミウムt−ブトキサイド、ホル
ミウムメトキシプロポキサイド、ホルミウムメトキシエ
トキサイド、ホルミウム2,4−ペンタンジオネート、
ホルミウム2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘ
プタンジオネート、Erのアルコキシドの例としては、
エルビウムn−ブトキサイド、エルビウムt−ブトキサ
イド、エルビウムメトキシプロポキサイド、エルビウム
メトキシエトキサイド、エルビウム2,4−ペンタンジ
オネート、エルビウム2,2,6,6−テトラメチル−
3,5−ヘプタンジオネート、エルビウム6,6,7,
7,8,8,8−ヘプタフルオロ−2,2−ジメチル−
3,5−オクタンジオネート、Tmのアルコキシドの例
としては、ツリウムn−ブトキサイド、ツリウムt−ブ
トキサイド、ツリウムメトキシプロポキサイド、ツリウ
ムメトキシエトキサイド、ツリウム2,4−ペンタンジ
オネート、ツリウム2,2,6,6−テトラメチル−
3,5−ヘプタンジオネート、Ybのアルコキシドの例
としては、イッテルビウムn−ブトキサイド、イッテル
ビウムt−ブトキサイド、イッテルビウムメトキシプロ
ポキサイド、イッテルビウムメトキシエトキサイド、イ
ッテルビウム2,4−ペンタンジオネート、イッテルビ
ウム2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタン
ジオネート、イッテルビウム6,6,7,7,8,8,
8−ヘプタフルオロ−2,2−ジメチル−3,5−オク
タンジオネート、Luのアルコキシドの例としては、ル
テチウムn−ブトキサイド、ルテチウムt−ブトキサイ
ド、ルテチウムメトキシプロポキサイド、ルテチウムメ
トキシエトキサイド、ルテチウム2,4−ペンタンジオ
ネート、ルテチウム2,2,6,6−テトラメチル−
3,5−ヘプタンジオネート等の金属アルコキシドが挙
げられる。また、これらの金属アルコキシドは、一部が
加水分解、重合反応した多量体も使用できる。この例と
しては、チタンイソプロポキシドやチタンブトキシドの
多量体が挙げられる。これらの金属アルコキシドは単独
で又は2種以上組み合わせて用いる事が出来る。In the metal alkoxide used in the present invention, examples of the alkoxide of Al include aluminum (III) n-butoxide, aluminum (III) s-butoxide, aluminum (III) t-butoxide,
Aluminum (III) ethoxide, aluminum (II
I) isopropoxide, aluminum (III) s-butoxide bis (ethyl acetoacetate), aluminum (III) di-s-butoxide ethyl acetoacetate, aluminum (III) diisopropoxide ethyl acetoacetate, aluminum (III) Ethoxy ethoxy ethoxide, aluminum hexafluoropentadionate, aluminum (III) 3-hydroxy-2-
Methyl-4-pyronate, aluminum 9-octadecenylacetoacetate diisopropoxide, aluminum (III) 2,4-pentanedionate, aluminum phenoxide, aluminum (III) 2,2,6
6, -tetramethyl-3,5-heptanedionate, S
Examples of the alkoxide of i include tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetraisopropoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetra-n-butoxysilane, tetra-sec-butoxysilane, tetra-t-butoxysilane, methyl Trimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltripropoxysilane, methyltributoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, dimethyldipropoxysilane, dimethyldibutoxysilane, trimethylmethoxysilane, trimethylethoxysilane, trimethylpropoxysilane, Examples of trimethylbutoxysilane and alkoxide of Ti include titanium n-butoxide, titanium methoxide, titanium ethoxide, titanium n-propoxide, titanium Sopuropokisaido, titanium t-
Butoxide, titanium n-nonyl oxide, titanium i
-Butoxide, titanium methoxypropoxide, titanium chlorotriisopropoxide, titanium dichloride diethoxide, titanium iodoisopropoxide, titanium di-n-butoxide (bis-2,4-pentadionate), titanium dii-propoxide (bis -2,4-pentadionate), titanium diisopropoxide bis (tetramethylheptane dionate), titanium diisopropoxide bis (ethyl acetoacetate), titanium 2-ethylhexoxide, titanium oxide bis (pentadioxide Nitrate), titanium oxybis (tetramethyl heptane dionate), tetrakis (trimethylsiloxy)
Titanium, titanium allyl acetoacetate triisopropoxide, titanium bis (triethanolamine) diisopropoxide, titanium methacrylate triisopropoxide, (2-methacryloxyethoxy) triisopropoxy titanate, titanium methacryloxyethyl acetoacetate triisopropoxide Examples of the side, titanium methylphenoxide, and alkoxide of V include vanadium triisopropoxide oxide, vanadium triisobutoxide oxide, and vanadium (III) 2,4
Examples of pentanedionate, vanadium (IV) oxide bis (2,4-pentanedionate), vanadium (IV) oxybis (benzoylacetonate), and alkoxide of Zn include zinc N, N-dimethylamino ethoxide, zinc Examples of methoxy ethoxide, zinc 2,4-pentanedionate, zinc-2,2,6,6-tetramethyl 3,5-heptanedionate, and alkoxide of Sr include strontium isopropylate and strontium methoxyoxide. , Strontium hexafluoropentanedionate, strontium 2,4-pentanedionate, strontium 2,2,6,6,-
Examples of tetramethyl-3,5-heptanedionate, alkoxide of Y include yttrium isopropoxide, yttrium methoxy ethoxide, yttrium hexafluoropentanedionate, yttrium 2,
4-pentanedionate, yttrium hexafluoroisopropoxide diammonium complex, yttrium 6,6,7,7,8,8,8-heptafluoro-2,2
-Dimethyl-3,5-octane dionate, yttrium 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate, examples of alkoxides of Zr include zirconium ethoxide, zirconium isopropoxide,
Zirconium n-propoxide, zirconium n-butoxide, zirconium t-butoxide, zirconium 2-ethylhexyl oxide, zirconium 2-
Methyl-2-butoxide, tetrakis (trimethylsiloxy) zirconium, zirconium di-n-butoxide (bis-2,4-pentanedionate), zirconium diisopropoxide bis (2,2,6,6, -tetramethyl-3) , 5-heptanedionate, zirconium dimethacrylate dibutoxide, zirconium hexafluoropentanedionate, zirconium methacryloxyethyl acetoacetate tri-n-propoxide, zirconium 2,4-pentanedionate, zirconium 2,2,6,6- Examples of tetramethyl-3,5-heptanedionate, zirconium trifluoropentanedionate, and alkoxides of In include indium methoxy ethoxide, indium isopropoxide, and indium n-propyl. Pokisaido, indium n- butoxide, indium t- butoxide, indium hexafluoropentanedionate, indium 2,4
Examples of pentanedionate, indium methyl (trimethyl) acetylacetonate, indium trifluoropentanedionate, Sn alkoxide include:
Tin (II) methoxide, tin (II) ethoxide, tetraisopropoxy tin, tetra-t-butoxy tin,
Examples of tetra-n-butoxy tin, bis (2,4-pentanedionate) dicross, tin (II) 2,4-pentanedionate, sodium tin ethoxide, and alkoxide of Ta include tantalum (IV) methoxide and tantalum. (IV) ethoxide, tantalum (IV) isopropoxide, tantalum (IV) n-propoxide, tantalum (IV) n-butoxide, tantalum (IV) t-butoxide, tantalum sodium methoxide, tantalum (IV) trifluoroethoxide , Tantalum (IV) tetraethoxide pentanedionate, examples of alkoxides of W include tungsten (V) ethoxide, tungsten (VI) ethoxide, tungsten (VI) phenoxide, and alkoxides of Tl include thallium (I) ) Ethoxide, Tali (I) isopropoxide, thallium (I) n-propoxide, thallium (I)
Examples of alkoxides of n-butoxide, thallium (I) t-butoxide, thallium (I) thallium 2,4-pentadionate, and Sb include antimony (III) methoxide, antimony (III) ethoxide, and antimony (III) n -Butoxide, antimony (III) t-butoxide, and alkoxides of Ce include cerium (IV) ethoxide, cerium (IV) isopropoxide, cerium (IV) n-propoxide, cerium (I
V) n-butoxide, cerium (IV) t-butoxide, cerium (IV) methoxy ethoxide, cerium (III) 2,4-pentadionate, cerium (IV)
2,2,6,6-tetramethylheptanedionate, cerium (III) 6,6,7,7,8,8,8-heptafluoro-2,2-dimethyl-3,5-octandionate, cerium (IV) tenoyl trifluoroacetate,
Examples of Li alkoxides include lithium methoxide, lithium ethoxide, lithium isopoloxide, lithium t-butoxide, lithium 2,4-pentanedionate, lithium tetramethylheptanedionate, and Be alkoxides. Examples of alkoxides of beryllium 2,4-pentanedionate B include boron methoxide, boron ethoxide, boron isopropoxide, boron n-butoxide, boron t-butoxide, boron allyl oxide, and examples of alkoxides of Na. Examples of sodium 2,4-pentanedionate, sodium acetylacetonate, sodium aluminum hydride bis (methoxy ethoxide), sodium ethoxide, and Mg alkoxide include: Neshi um methoxide, magnesium ethoxide, magnesium n- propoxide,
Magnesium isopropoxide, magnesium n-butoxide, magnesium t-butoxide, magnesium trifluoropentadionate, magnesium 2,4
Examples of pentadionate, magnesium hexafluoropentadionate, magnesium methoxy ethoxide, magnesium methyl carbonate, and alkoxide of K include potassium t-butoxide, potassium 2,4
Examples of pentanedionate, alkoxide of Ca include calcium methoxide, calcium ethoxide, calcium methoxy ethoxide, calcium 2,
4-pentanedionate, calcium 2,2,6,6-
Tetramethyl-3,5-heptanedionate, calcium hexafluoropentadionate, calcium 6,
Examples of 6,7,7,8,8,8-heptafluoro-2,2-dimethyl-3,5-octandionate and alkoxides of Sc include scandium (III) 2,2,6
6-tetramethyl-3,5-heptanedionate, Cr
Examples of the alkoxide of chromium (III) isopropoxide, chromium (III) 2,4-pentanedionate, chromium (III) hexafluoropentanedionate, chromium (III) trifluoropentanedionate,
Chromium (III) benzoylacetonate, chromium (III)
2,2,6,6-tetramethylheptanedionate,
Examples of alkoxides of Co include cobalt carbonyl methoxide and cobalt (III) 2,4-pentanedionate. Examples of alkoxides of Mn include manganese (II) methoxide and manganese (II) 2,4-pentanedionate. Examples of the alkoxides of Fe and Fe include iron (II
I) ethoxide, iron (III) 2,4-pentanedionate, iron (III) trifluoropentanedionate, iron (I
II) Examples of benzoylacetonate and alkoxide of Ni include nickel (II) 2,4-pentanedionate, nickel (II) hexafluoropentanedionate, nickel (II) 2,2,6,6-tetramethyl −
Examples of 3,5-heptanedionate and Cu alkoxide include copper (II) methoxide, copper (II) ethoxide, copper (II) methoxyethoxy ethoxide, and copper (II)
2,4-pentanedionate, copper (II) 2,2,6
6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate,
Copper (II) trifluoropentanedionate, Copper (II) hexafluoropentanedionate, Copper (I) hexafluoropentanedionate cyclooctanediene complex, Copper (II) ethyl acetoacetate, Copper (II) dimethylamino ethoxide , Copper (II) benzoylacetonate, copper (II) 1,3-diphenyl-1,3-propanedionate, copper (II) 6,6,7,7,8,8,8-heptafluoro-2, Examples of alkoxides of 2-dimethyl-3,5-octandionate Ga include gallium (III) ethoxide, gallium (III) 2,4-pentanedionate, and gallium (III) 2,2,6,6,-. Examples of tetramethylheptane dionate and Ge alkoxide include germanium methoxide, germanium ethoxide, germanium isopro Kisaido, germanium n- butoxide, germanium t- butoxide, R
Examples of the alkoxide of b include rubidium 2,4-pentanedionate; examples of the alkoxide of Nb include:
Examples of niobium (V) ethoxide, niobium (V) isopropoxide, niobium (V) n-propoxide, niobium (V) n-butoxide, and alkoxides of Mo include molybdenum (V) ethoxide, molybdenum (V) isopropoxide. Examples of alkoxides of side, molybdenum (V) n-propoxide, molybdenum (V) n-butoxide, molybdenum (VI) oxide bis (2,4-pentanedionate) and Cd include cadmium 2,4-pentanedionate; Examples of alkoxides of Cs include cesium methoxide, cesium ethoxide, cesium isopropoxide, cesium n-propoxide, cesium n-butoxide, cesium t-butoxide, and examples of alkoxides of Ba include barium isopropoxide, ba Um methoxy propoxide, barium n- butoxide, barium t- butoxide, barium 2,4-pentanedionate, barium hexafluoropentanedionate, barium (II)
6,6,7,7,8,8,8-heptanefluoro-2,
Examples of 2-dimethyl-3,5-octandionate, barium (II) 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate and alkoxides of La include lanthanum isopropoxide and lanthanum methoxy. Examples of propoxide, lanthanum n-butoxide, lanthanum t-butoxide, lanthanum 2,4-pentanedionate, lanthanum 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate, alkoxides of Hf Hafnium ethoxide, hafnium isopropoxide, hafnium methoxypropoxide, hafnium n-butoxide, hafnium t-butoxide, hafnium 2,
Examples of 4-pentanedionate, hafnium tetramethylheptanedionate, hafnium trifluoropentanedionate, and alkoxide of Pb include lead (II).
6,6,7,7,8,8,8-heptafluoro-2,2
-Dimethyl-3,5-octandionate, lead (II) exafluoropentanedionate, lead (II) 2,4-pentanedionate, lead (II) 2,2,6,6-tetramethyl-3, Examples of 5-heptanedionate, lead titanium oxoacetoethoxyethoxyoxide, and alkoxide of Bi include bismuth (III) n-butoxide, bismuth (III) t-butoxide, bismuth (III) t-pentoxide, and bismuth ( III) Examples of alkoxides of hexafluoropentanedionate, bismuth (III) tetramethylheptanedionate, and Pr include praseodymium n-butoxide, praseodymium t-butoxide, praseodymium methoxypropoxide, praseodymium hexafluoropentanedionate, praseodymium 2,4-pentanedione Door, praseodymium 2,
2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate, praseodymium (III) 6,6,7,7,8,8,
Examples of alkoxides of 8-heptafluoro-2,2-dimethyl-3,5-octandionate and Nd include neodymium n-butoxide, neodymium t-butoxide, neodymium methoxy propoxide, neodymium methoxy ethoxide, and neodymium hexadeoxy. Fluoropentanedionate, neodymium 2,4-pentanedionate, neodymium 2,2,6,6-tetramethyl-3,5
-Heptandionate, neodymium trifluoropentanedionate, neodymium 6,6,7,7,8,8,8
Heptafluoro-2,2-dimethyl-3,5-octandionate, examples of alkoxides of Sm include samarium (III) isopropoxide, samarium (III)
n-butoxide, samarium (III) t-butoxide, samarium (III) methoxypropoxide, samarium (III) methoxyethoxide, samarium (II
I) 2,4-pentanedionate, samarium (III)
Examples of 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate, samarium (III) tinol trifluoroacetate and alkoxide of Eu include europium n-butoxide, europium t-butoxide,
Europium methoxy propoxide, europium methoxy ethoxide, europium 2,4-pentanedionate, europium 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate, europium tinol trifluoroacetate, europium 6,6 , 7,
7,8,8,8-heptafluoro-2,2-dimethyl-
Examples of 3,5-octandionate, europium 1,3-diphenyl-1,3-propanedionate, and alkoxide of Gd include gadolinium n-butoxide,
Gadolinium t-butoxide, gadolinium methoxypropoxide, gadolinium methoxyethoxide,
Gadolinium 2,4-pentanedionate, gadolinium 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate, gadolinium 6,6,7,7,8,8,8-
Examples of alkoxides of heptafluoro-2,2-dimethyl-3,5-octandionate and Tb include terbium n-butoxide, terbium t-butoxide,
Terbium methoxypropoxide, terbium methoxyethoxide, terbium 2,4-pentanedionate, terbium 2,2,6,6-tetramethyl-3,5
-Examples of alkoxides of heptandionate and Dy include disprosium n-butoxide, disprosium t-butoxide, disprosium methoxypropoxide, disprosium methoxyethoxide, disprosium 2,4-pentanedionate, disprosium. Examples of alkoxides of 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate and Ho include holmium n-butoxide, holmium t-butoxide, holmium methoxy propoxide, holmium methoxy ethoxide, and holmium 2 , 4-pentanedionate,
Examples of holmium 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate and alkoxide of Er include:
Erbium n-butoxide, erbium t-butoxide, erbium methoxypropoxide, erbium methoxyethoxide, erbium 2,4-pentanedionate, erbium 2,2,6,6-tetramethyl-
3,5-heptanedionate, erbium 6,6,7,
7,8,8,8-heptafluoro-2,2-dimethyl-
Examples of alkoxides of 3,5-octandionate and Tm include thulium n-butoxide, thulium t-butoxide, thulium methoxypropoxide, thulium methoxyethoxide, thulium 2,4-pentanedionate, and thulium 2,2. , 6,6-tetramethyl-
Examples of alkoxides of 3,5-heptanedionate and Yb include ytterbium n-butoxide, ytterbium t-butoxide, ytterbium methoxypropoxide, ytterbium methoxyethoxide, ytterbium 2,4-pentanedionate, ytterbium 2,2 , 6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate, ytterbium 6,6,7,7,8,8,
Examples of octoxides of 8-heptafluoro-2,2-dimethyl-3,5-octandionate and Lu include lutetium n-butoxide, lutetium t-butoxide, lutetium methoxypropoxide, lutetium methoxyethoxide, and lutetium 2 , 4-pentanedionate, lutetium 2,2,6,6-tetramethyl-
Metal alkoxides such as 3,5-heptanedionate are exemplified. Moreover, these metal alkoxides can also be used as a polymer partially hydrolyzed and polymerized. Examples thereof include multimers of titanium isopropoxide and titanium butoxide. These metal alkoxides can be used alone or in combination of two or more.
【0053】また、これらの金属アルコキシドは、対応
する金属ハロゲン化物(例えば四塩化チタン)と対応す
るアルコール(例えばn−プロパノール)またはβ−ジ
ケトン(例えば2,4−ペンタンジオン)またはβ−ケ
トエステル(例えば3−オキソブタン酸エチル)を混合
し、部分的に金属アルコキシドを形成した状態のもので
も構わない。Further, these metal alkoxides may be prepared from a corresponding metal halide (eg, titanium tetrachloride) and a corresponding alcohol (eg, n-propanol), β-diketone (eg, 2,4-pentanedione) or β-ketoester (eg, For example, the mixture may be a mixture of ethyl 3-oxobutanoate and a partially formed metal alkoxide.
【0054】本発明に用いられる金属塩の例としては、
ハロゲン化物、硝酸塩、硫酸塩等の無機塩、りん酸の
塩、カルボン酸の塩等の有機物の塩が挙げられる。カル
ボン酸の例としては、アクリル酸、メタクリル酸、酢
酸、サリチル酸、ぎ酸、シュウ酸、プロピオン酸、乳
酸、p−トルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、フマ
ル酸、イタコン酸、マレイン酸、ビニルスルホン酸等が
挙げられる。Examples of the metal salt used in the present invention include:
Inorganic salts such as halides, nitrates and sulfates; salts of organic substances such as salts of phosphoric acid and salts of carboxylic acids. Examples of carboxylic acids include acrylic acid, methacrylic acid, acetic acid, salicylic acid, formic acid, oxalic acid, propionic acid, lactic acid, p-toluenesulfonic acid, trifluoroacetic acid, fumaric acid, itaconic acid, maleic acid, vinylsulfonic acid And the like.
【0055】本発明で使用される金属アルコキシドまた
は金属塩のうち最も好ましいものはケイ素のアルコキシ
ドまたはその塩であるが、ケイ素の場合は隣接位に炭素
原子を配置することもでき、そのような化合物(ケイ素
含有有機化合物)を金属アルコキシドまたは金属塩とし
て単独または併用して用いても良い。The most preferred metal alkoxide or metal salt used in the present invention is a silicon alkoxide or a salt thereof. In the case of silicon, a carbon atom can be arranged at an adjacent position. (Silicon-containing organic compound) may be used alone or in combination as a metal alkoxide or metal salt.
【0056】ケイ素含有有機化合物のうち高分子タイプ
のものとしては、まず、ポリシランやポリシロキサンの
末端に有機基が置換したタイプとして、片末端ビニル官
能性ポリシラン、両末端ビニル官能性ポリシラン、片末
端ビニル官能性ポリシロキサン、両末端ビニル官能性ポ
リシロキサンおよびこれらの化合物を反応させたビニル
官能性ポリシラン等がある。Among the silicon-containing organic compounds, the high-molecular type compounds include polysilanes and polysiloxanes in which an organic group is substituted at the terminal, and a vinyl functional polysilane at one end, a vinyl functional polysilane at both ends, There are vinyl-functional polysiloxane, vinyl-functional polysiloxane at both ends, and vinyl-functional polysilane obtained by reacting these compounds.
【0057】ケイ素含有有機化合物のうち低分子タイプ
の具体例としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニル
トリ(β−メトキシエトキシ)シラン、ジビニロキシジ
メトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシ
ル)−エチルトリアルコキシシラン、アクリロイルオキ
シエチルトリエトキシシラン、グリシジルオキシエチル
トリエトキシシラン、γ−アクリロイルオキシ−n−プ
ロピルトリ−n−プロピルオキシシラン、γ−メタクリ
ロイルオキシ−n−プロピル−n−プロピルオキシシラ
ン、ジ(γ−アクリロイルオキシ−n−プロピル)ジ−
n−プロピルオキシシラン、アクリロイルオキシジメト
キシエチルシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノ
プロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)
γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミ
ノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−γ−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロ
ピルトリメトキシシランなどが挙げられる。Specific examples of the low-molecular type among the silicon-containing organic compounds include vinyltrimethoxysilane, vinyltri (β-methoxyethoxy) silane, divinyloxydimethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) -ethyl Trialkoxysilane, acryloyloxyethyltriethoxysilane, glycidyloxyethyltriethoxysilane, γ-acryloyloxy-n-propyltri-n-propyloxysilane, γ-methacryloyloxy-n-propyl-n-propyloxysilane, di (Γ-acryloyloxy-n-propyl) di-
n-propyloxysilane, acryloyloxydimethoxyethylsilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β (aminoethyl)
γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane and the like.
【0058】さらに、本発明では上記のようなケイ素含
有有機化合物には重合性樹脂を併用(ポリマーハイブリ
ッド)してもよく、重合性樹脂の例としては、重合可能
なビニル基、アリル基、アクリロイル基、メタクリロイ
ル基、イソプロペニル基、エポキシ基等の重合性基を2
つ以上有するものが好ましい。アクリロイル基、メタク
リロイル基またはエポキシ基が特に好ましく、アクリル
基、メタクリル基を有する多官能モノマーまたはオリゴ
マーで架橋構造または網目構造を形成するものがさらに
好ましい。アクリルウレタン樹脂系、ポリエステルポリ
オールアクリレート等を使用することが出来る。Further, in the present invention, a polymerizable resin may be used in combination with the above-mentioned silicon-containing organic compound (polymer hybrid). Examples of the polymerizable resin include a polymerizable vinyl group, allyl group and acryloyl. Group, a methacryloyl group, an isopropenyl group or an epoxy group
Those having at least two are preferred. An acryloyl group, a methacryloyl group or an epoxy group is particularly preferable, and a polyfunctional monomer or oligomer having an acryl group or a methacryl group that forms a crosslinked structure or a network structure is more preferable. Acrylic urethane resin, polyester polyol acrylate and the like can be used.
【0059】アクリルウレタン樹脂は、ポリエステルポ
リオールにイソシアネートモノマー、もしくはプレポリ
マーを反応させて得られた生成物に更に2−ヒドロキシ
エチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレ
ート(以下アクリレートにはメタクリレートを包含する
ものとしてアクリレートのみを表示する)、2−ヒドロ
キシプロピルアクリレート等の水酸基を有するアクリレ
ート系のモノマーを反応させることによって容易に得る
ことが出来る(例えば特開昭59−151110号公
報)。The acrylic urethane resin is obtained by reacting a polyester polyol with an isocyanate monomer or a prepolymer, and further adding 2-hydroxyethyl acrylate and 2-hydroxyethyl methacrylate (hereinafter acrylate includes methacrylate). (Only acrylate is indicated), and can be easily obtained by reacting an acrylate monomer having a hydroxyl group such as 2-hydroxypropyl acrylate (for example, JP-A-59-151110).
【0060】ポリエステルアクリレート系樹脂は、ポリ
エステル末端の水酸基に2−ヒドロキシエチルアクリレ
ート、グリシジルアクリレート、アクリル酸のようなモ
ノマーを反応させることによって容易に得ることが出来
る(例えば、特開昭59−15112号公報)。The polyester acrylate resin can be easily obtained by reacting a monomer such as 2-hydroxyethyl acrylate, glycidyl acrylate or acrylic acid with the hydroxyl group at the terminal of the polyester (for example, JP-A-59-15112). Gazette).
【0061】エポキシアクリレート系樹脂は、エポキシ
基の末端の水酸基にアクリル酸、アクリル酸クロライ
ド、グリシジルアクリレートのようなモノマーを反応さ
せて得られる。The epoxy acrylate resin is obtained by reacting a monomer such as acrylic acid, acrylic acid chloride or glycidyl acrylate with the hydroxyl group at the terminal of the epoxy group.
【0062】ポリオールアクリレート系樹脂としては、
エチレングリコール(メタ)アクリレート、ポリエチレ
ングリコールジ(メタ)アクリレートグリセリントリ
(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリア
クリレート、ペンタエイスリトールトリアクリレート、
ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリス
リトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトール
ヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサア
クリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールペン
タエリスリトール等を挙げることが出来る。As the polyol acrylate resin,
Ethylene glycol (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate glycerin tri (meth) acrylate, trimethylolpropane triacrylate, pentaaceritol triacrylate,
Examples thereof include pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, and alkyl-modified dipentaerythritol pentaerythritol.
【0063】エポキシ樹脂としては、芳香族エポキシ化
合物(多価フェノールのポリジグリシジルエーテル)、
水素添加ビスフェノールAまたはビスフェノールAとエ
ピクロルヒドリンとの反応物のグリシジルエーテル、エ
ポキシノボラック樹脂、脂肪酸エポキシ樹脂としては、
脂肪族多価アルコール、またはそのアルキレンオキサイ
ド付加物のポリジグリシジルエーテル、脂肪族長鎖多価
アルコールまたはそのアルキレンオキサイド付加物のポ
リジグリシジル、ポリジグリシジルエステル、グリシジ
ルアクリレートやグリシジルメタクリレートのホモポリ
マー、コポリマーなどが挙げられる。As the epoxy resin, aromatic epoxy compounds (polydiglycidyl ether of polyhydric phenol),
Glycidyl ether of a reaction product of hydrogenated bisphenol A or bisphenol A and epichlorohydrin, epoxy novolak resin, and fatty acid epoxy resin include:
Aliphatic polyhydric alcohols, or polydiglycidyl ethers of their alkylene oxide adducts, polydiglycidyl, polydiglycidyl esters of aliphatic long-chain polyhydric alcohols or their alkylene oxide adducts, homopolymers of glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate, copolymers and the like. Can be
【0064】本発明で使用される有機ポリマーとして
は、シルセスキオキサンを含有することができるもので
あれば特に制限はなく、有機ポリマー膜にシルセスキオ
キサンを含有させるだけで前記オングストロームオーダ
ーの細孔を有する膜が得られる。The organic polymer used in the present invention is not particularly limited as long as it can contain silsesquioxane. The organic polymer film of the angstrom order can be obtained only by containing silsesquioxane in the organic polymer film. A membrane having pores is obtained.
【0065】これらのポリマーとして例えば、ポリアク
リレート、ポリメタクリレート、アミノポリアクリルア
ミド、イソブチレン無水マレイン酸アミド、AAS(ア
クリロニトリル−アクリレート−スチレンコポリマ
ー)、AES(アクリロニトリル−エチレン−プロピレ
ン−スチレンコポリマー)、AS(アクリロニトリル−
スチレンコポリマー)、ABS(アクリロニトリル−ブ
タジエン−スチレンコポリマー)、ACS(アクリロニ
トリル−スチレンコポリマーと塩素化ポリエチレンのブ
レンド)、MBS(メチルメタクリレート−ブタジエン
−スチレンコポリマー)、エチレン−塩化ビニルコポリ
マー、エチレン−酢酸ビニルコポリマー、エチレン酢酸
ビニル塩化ビニルグラフトコポリマー、エチレンビニル
アルコールコポリマー、塩素化ポリ塩化ビニル、塩素化
ポリエチレン、塩素化ポリプロピレン、カルボキシビニ
ルポリマー、ケトン樹脂、フッ素化プラスチック、ポリ
テトラフルオロエチレン、フッ化エチレンポリプロピレ
ンコポリマー、PFA(テトラフルオロエチレン−パー
フルオロアルコキシビニルエーテルコポリマー)、ポリ
クロロトリフルオロエチレン、エチレンテトラフルオロ
エチレンコポリマー、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ
化ビニル、ポリアセタール、ポリアミド、ナイロン、共
重合ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアリレート、
ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポ
リエチレン、ポリエチレンオキサイド、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニリデ
ンラテックス、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポ
リグルタミン酸エステル、ポリ酢酸ビニル、ポリスチレ
ン、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリアミン
サルホン、ポリパラビニルフェノール、ポリパラメチル
スチレン、ポリアリルアミン、ポリビニルアルコール、
ポリ酢酸ビニル、ポリビニルエーテル、ポリビニルブチ
ラール、ポリビニルホルマール、ポリフェニレンエーテ
ル、ポリフェニレンサルファイド、ポリブタジエン、ポ
リブチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリメチ
ルペンテン、ポリメチルメタクリレート、エポキシ樹
脂、オリゴエステルアクリレート、キシレン樹脂、グア
ナミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ビニルエステル
樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、フラ
ン樹脂、ポリイミド、ポリウレタン、セルロース、セル
ロースアセテート、セルロイド、セルロース脂肪酸エス
テル、セルロース芳香族カルボン酸エステル、セルロー
ス誘導体、ポリオキサゾリン、ポリビニルピロリドン、
ポリ酢酸ビニル、ポリエチレングリコールジメチルエー
テル、ゼラチン等がその代表例として挙げられる。Examples of these polymers include polyacrylate, polymethacrylate, aminopolyacrylamide, isobutylene maleic anhydride, AAS (acrylonitrile-acrylate-styrene copolymer), AES (acrylonitrile-ethylene-propylene-styrene copolymer), and AS (acrylonitrile −
Styrene copolymer), ABS (acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer), ACS (blend of acrylonitrile-styrene copolymer and chlorinated polyethylene), MBS (methyl methacrylate-butadiene-styrene copolymer), ethylene-vinyl chloride copolymer, ethylene-vinyl acetate copolymer , Ethylene vinyl acetate vinyl chloride graft copolymer, ethylene vinyl alcohol copolymer, chlorinated polyvinyl chloride, chlorinated polyethylene, chlorinated polypropylene, carboxyvinyl polymer, ketone resin, fluorinated plastic, polytetrafluoroethylene, fluorinated ethylene polypropylene copolymer, PFA (tetrafluoroethylene-perfluoroalkoxy vinyl ether copolymer), polychlorotrifluoro Ethylene, ethylene tetrafluoroethylene copolymers, polyvinylidene fluoride, polyvinyl fluoride, polyacetal, polyamide, nylon, copolymer polyamide, polyamideimide, polyarylate,
Polyetherimide, polyetheretherketone, polyethylene, polyethyleneoxide, polyethyleneterephthalate, polyvinylidene chloride, polyvinylidene chloride latex, polyvinyl chloride, polycarbonate, polyglutamic acid ester, polyvinyl acetate, polystyrene, polysulfone, polyethersulfone, polyamine Sulfone, polyparavinylphenol, polyparamethylstyrene, polyallylamine, polyvinyl alcohol,
Polyvinyl acetate, polyvinyl ether, polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polyphenylene ether, polyphenylene sulfide, polybutadiene, polybutylene terephthalate, polypropylene, polymethylpentene, polymethyl methacrylate, epoxy resin, oligoester acrylate, xylene resin, guanamine resin, diallyl phthalate Resin, vinyl ester resin, phenol resin, unsaturated polyester resin, furan resin, polyimide, polyurethane, cellulose, cellulose acetate, celluloid, cellulose fatty acid ester, cellulose aromatic carboxylate ester, cellulose derivative, polyoxazoline, polyvinylpyrrolidone,
Representative examples thereof include polyvinyl acetate, polyethylene glycol dimethyl ether, and gelatin.
【0066】また本発明ではかご状シルセスキオキサン
に有機ポリマーとして重合性樹脂を併用(ポリマーハイ
ブリッド)してもよく、重合性樹脂の例としては、重合
可能なビニル基、アリル基、アクリロイル基、メタクリ
ロイル基、イソプロペニル基、エポキシ基等の重合性基
を2つ以上有するものが好ましい。アクリロイル基、メ
タクリロイル基またはエポキシ基が特に好ましく、アク
リル基、メタクリル基を有する多官能モノマーまたはオ
リゴマーで架橋構造または網目構造を形成するものがさ
らに好ましい。アクリルウレタン樹脂系、ポリエステル
ポリオールアクリレート等を使用することが出来る。In the present invention, a cage-like silsesquioxane may be used in combination with a polymerizable resin as an organic polymer (polymer hybrid). Examples of the polymerizable resin include a polymerizable vinyl group, allyl group and acryloyl group. And those having two or more polymerizable groups such as methacryloyl group, isopropenyl group and epoxy group. An acryloyl group, a methacryloyl group or an epoxy group is particularly preferable, and a polyfunctional monomer or oligomer having an acryl group or a methacryl group that forms a crosslinked structure or a network structure is more preferable. Acrylic urethane resin, polyester polyol acrylate and the like can be used.
【0067】アクリルウレタン樹脂は、ポリエステルポ
リオールにイソシアネートモノマー、もしくはプレポリ
マーを反応させて得られた生成物に更に2−ヒドロキシ
エチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレ
ート(以下アクリレートにはメタクリレートを包含する
ものとしてアクリレートのみを表示する)、2−ヒドロ
キシプロピルアクリレート等の水酸基を有するアクリレ
ート系のモノマーを反応させることによって容易に得る
ことが出来る(例えば特開昭59−151110号公
報)。The acrylic urethane resin is obtained by reacting a polyester polyol with an isocyanate monomer or a prepolymer, and further adding 2-hydroxyethyl acrylate and 2-hydroxyethyl methacrylate (hereinafter acrylate includes methacrylate). (Only acrylate is indicated), and can be easily obtained by reacting an acrylate monomer having a hydroxyl group such as 2-hydroxypropyl acrylate (for example, JP-A-59-151110).
【0068】ポリエステルアクリレート系樹脂は、ポリ
エステル末端の水酸基に2−ヒドロキシエチルアクリレ
ート、グリシジルアクリレート、アクリル酸のようなモ
ノマーを反応させることによって容易に得ることが出来
る(例えば、特開昭59−15112号公報)。The polyester acrylate resin can be easily obtained by reacting a monomer such as 2-hydroxyethyl acrylate, glycidyl acrylate or acrylic acid with the hydroxyl group at the terminal of the polyester (for example, JP-A-59-15112). Gazette).
【0069】エポキシアクリレート系樹脂は、エポキシ
基の末端の水酸基にアクリル酸、アクリル酸クロライ
ド、グリシジルアクリレートのようなモノマーを反応さ
せて得られる。The epoxy acrylate resin is obtained by reacting a monomer such as acrylic acid, acrylic acid chloride or glycidyl acrylate with the hydroxyl group at the terminal of the epoxy group.
【0070】ポリオールアクリレート系樹脂としては、
エチレングリコール(メタ)アクリレート、ポリエチレ
ングリコールジ(メタ)アクリレートグリセリントリ
(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリア
クリレート、ペンタエイスリトールトリアクリレート、
ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリス
リトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトール
ヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサア
クリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールペン
タエリスリトール等を挙げることが出来る。As the polyol acrylate resin,
Ethylene glycol (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate glycerin tri (meth) acrylate, trimethylolpropane triacrylate, pentaaceritol triacrylate,
Examples thereof include pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, and alkyl-modified dipentaerythritol pentaerythritol.
【0071】エポキシ樹脂としては、芳香族エポキシ化
合物(多価フェノールのポリジグリシジルエーテル)、
水素添加ビスフェノールAまたはビスフェノールAとエ
ピクロルヒドリンとの反応物のグリシジルエーテル、エ
ポキシノボラック樹脂、脂肪酸エポキシ樹脂としては、
脂肪族多価アルコール、またはそのアルキレンオキサイ
ド付加物のポリジグリシジルエーテル、脂肪族長鎖多価
アルコールまたはそのアルキレンオキサイド付加物のポ
リジグリシジル、ポリジグリシジルエステル、グリシジ
ルアクリレートやグリシジルメタクリレートのホモポリ
マー、コポリマーなどが挙げられる。As the epoxy resin, aromatic epoxy compounds (polydiglycidyl ether of polyhydric phenol),
Glycidyl ether of a reaction product of hydrogenated bisphenol A or bisphenol A and epichlorohydrin, epoxy novolak resin, and fatty acid epoxy resin include:
Aliphatic polyhydric alcohols, or polydiglycidyl ethers of their alkylene oxide adducts, polydiglycidyl, polydiglycidyl esters of aliphatic long-chain polyhydric alcohols or their alkylene oxide adducts, homopolymers of glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate, copolymers and the like. Can be
【0072】本発明に用いられる有機ポリマーは、単独
で用いても、2種類以上を併用しても良く、前記の低分
子有機化合物と併用しても良い。The organic polymer used in the present invention may be used alone or in combination of two or more, and may be used in combination with the above-mentioned low molecular weight organic compound.
【0073】さらに分子内に芳香族基を含有する金属ア
ルコキシドまたは金属塩を使用する場合、例えばトリエ
トキシフェニルシランやジクロロジフェニルシランを原
料として金属酸化物ゾルを合成する場合には、これらの
金属に結合したアリール基とπ電子−π電子相互作用す
るような、主鎖内にアリール基を有するポリマーを使用
することも好ましい用法として挙げられる。主鎖内にア
リール基を有するポリマーの代表例としては、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリスチレン、ビスフェノールA
等の多価フェノールを原料とするポリカーボネートやエ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、ジアリルフタレート樹脂
等が挙げられる。Further, when a metal alkoxide or a metal salt containing an aromatic group in a molecule is used, for example, when a metal oxide sol is synthesized from triethoxyphenylsilane or dichlorodiphenylsilane as a raw material, these metals may be used. It is also preferable to use a polymer having an aryl group in the main chain, which has a π-electron interaction with the bonded aryl group. Representative examples of the polymer having an aryl group in the main chain include polyethylene terephthalate, polystyrene, bisphenol A
And the like, such as polycarbonate, epoxy resin, phenol resin and diallyl phthalate resin using a polyhydric phenol as a raw material.
【0074】さらに、本発明においては、有機ポリマー
以外の任意の低分子有機化合物を添加しても良い。Further, in the present invention, any low molecular organic compound other than the organic polymer may be added.
【0075】本発明で用いられる金属アルコキシドまた
は金属塩、および有機ポリマーの使用量は、かご状シル
セスキオキサンの溶液または分散物またはそれ単体と相
溶する範囲であれば特に制限はないが、好ましくはかご
状シルセスキオキサンに対して重量百分率で0.1〜1
0000%、より好ましくは、10〜1000%であ
る。The amount of the metal alkoxide or metal salt used in the present invention and the amount of the organic polymer used are not particularly limited as long as they are compatible with the caged silsesquioxane solution or dispersion or a single substance thereof. Preferably, the weight percentage is 0.1 to 1 relative to the cage silsesquioxane.
0000%, more preferably 10 to 1000%.
【0076】本発明の基材には金属、ガラス、シリコ
ン、樹脂等、何を用いてもかまわないが透明な基材が好
ましい。なかでも、セルロースアセテート系フィルム
(TAC、CAP等)、ポリエステル系フィルム、ポリ
カーボネート系フィルム、ノルボネン系フィルム、ポリ
アリレート系フィルム、及びポリスルフォン系フィルム
が好ましい。特にセルローストリアセテートフィルム
(TAC)、セルロースアセテートプロピオネートフィ
ルム(CAP)、ポリカーボネートフィルム、一軸延伸
ポリエチレンテレフタレートフィルムが好ましい。The substrate of the present invention may be any material such as metal, glass, silicon and resin, but a transparent substrate is preferred. Among them, cellulose acetate films (such as TAC and CAP), polyester films, polycarbonate films, norbonene films, polyarylate films, and polysulfone films are preferred. Particularly, a cellulose triacetate film (TAC), a cellulose acetate propionate film (CAP), a polycarbonate film, and a uniaxially stretched polyethylene terephthalate film are preferable.
【0077】本発明の塗布方式はディッピング、スピン
コーター、ナイフコーター、バーコーター、ブレードコ
ーター、スクイズコーター、リバースロールコーター、
グラビアロールコーター、カーテンコーター、スプレイ
コーター、ダイコーター等の公知の塗布機を用いること
が出来、連続塗布が可能な方法が好ましく用いられる。The coating method of the present invention includes dipping, spin coater, knife coater, bar coater, blade coater, squeeze coater, reverse roll coater,
A known coating machine such as a gravure roll coater, a curtain coater, a spray coater, and a die coater can be used, and a method capable of continuous coating is preferably used.
【0078】さらに、本発明のかご状シルセスキオキサ
ン含有組成物またはそれを塗設した皮膜には、必要に応
じて熱処理、紫外線等の光照射、またはプラズマ処理を
行って皮膜の物性を改良しても良い。Further, the cage-like silsesquioxane-containing composition of the present invention or the film coated with the same is subjected to heat treatment, light irradiation such as ultraviolet rays, or plasma treatment as necessary to improve the physical properties of the film. You may.
【0079】本発明のかご状シルセスキオキサン含有組
成物またはそれを塗設した皮膜の用途に特に制限はない
が、例えば、アンチグレアフィルム、反射防止フィルム
(アンチリフレクションフィルム)、視野角拡大フィル
ム、ライトコントロールフィルム、電磁波シールドフィ
ルム、赤外線(熱線)カットフィルム等の光学フィルム
や、ICやLSI等の半導体に用いられる低誘電率材料
として使用することができる。The use of the cage silsesquioxane-containing composition of the present invention or the film coated with the same is not particularly limited. Examples thereof include an anti-glare film, an antireflection film (anti-reflection film), a viewing angle widening film, It can be used as an optical film such as a light control film, an electromagnetic wave shielding film, and an infrared (heat ray) cut film, and a low dielectric constant material used for semiconductors such as IC and LSI.
【0080】[0080]
【実施例】以下実施例により本発明を具体的に説明する
が、本発明はこれにより限定されるものではない。EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
【0081】実施例に用いた評価方法は以下に示す評価
方法で行った。The evaluation method used in the examples was as follows.
【0082】(屈折率の測定)アッベ屈折率計(アタゴ
株式会社製)を用いて屈折率を測定した。(Measurement of Refractive Index) The refractive index was measured using an Abbe refractometer (manufactured by Atago Co., Ltd.).
【0083】(膜強度の測定)1cm2あたり100g
の荷重を、スチールウール(#0000)にかけ、10
往復した時の傷の本数または傷の様子を目視で観察した
(傷なしを10とし10段階の官能評価とした)。(Measurement of film strength) 100 g per 1 cm 2
Load on steel wool (# 0000)
The number of scratches or the state of the scratches when reciprocating was visually observed (no scratch was 10 and the sensory evaluation was a 10-step scale).
【0084】(耐久性)試料を80℃、90%RHの条
件で2週間保存した後、状態を目視で観察した。(Durability) After the sample was stored under the conditions of 80 ° C. and 90% RH for 2 weeks, the state was visually observed.
【0085】実施例1 テトラエトキシシラン2gをエタノール12gに溶解し
た。この溶液に1Nの塩酸2gを添加して加水分解を行
い、ゾルを調製した。このゾルに化合物S−1を1.0
g、テトラヒドロフラン10gに溶解したシルセスキオ
キサン溶液を加え、50℃で2時間撹拌してシルセスキ
オキサン−シリカ組成物とした。Example 1 2 g of tetraethoxysilane was dissolved in 12 g of ethanol. 2 g of 1N hydrochloric acid was added to this solution to carry out hydrolysis to prepare a sol. Compound S-1 was added to this sol in an amount of 1.0
g, and a silsesquioxane solution dissolved in 10 g of tetrahydrofuran, and stirred at 50 ° C. for 2 hours to obtain a silsesquioxane-silica composition.
【0086】この組成物をアクリル板(厚さ3mm、屈
折率1.49)上に、スピンコート(回転数1500r
pm)後、乾燥し、かご状シルセスキオキサンを含有す
るSiO2のゲル膜を形成した。このゲル膜に、紫外線
照射装置1を用いて、45秒間紫外線照射処理を行い、
かご状シルセスキオキサン含有酸化物皮膜(A−1)を
作製した。This composition was spin-coated on an acrylic plate (thickness: 3 mm, refractive index: 1.49) (at 1500 rpm).
pm), followed by drying to form a cage-like silsesquioxane-containing SiO 2 gel film. This gel film was subjected to an ultraviolet irradiation treatment for 45 seconds using an ultraviolet irradiation device 1,
A cage silsesquioxane-containing oxide film (A-1) was produced.
【0087】 紫外線照射装置1:UV照射装置アイグラフィック社製 電源:3kW ランプ:高圧水銀ランプ 実施例2 テトラエトキシシラン2gをエタノール12gに溶解し
た。この溶液に化合物S−13を1.0g、テトラヒド
ロフラン10gに溶解したシルセスキオキサン溶液を加
え、さらにアルミニウム(III)2,4−ペンタンジオ
ネート0.1gを加えて50℃で2時間撹拌してシルセ
スキオキサン−シリカ組成物とした。UV irradiation apparatus 1: UV irradiation apparatus Power supply: 3 kW Lamp: high-pressure mercury lamp Example 2 2 g of tetraethoxysilane was dissolved in 12 g of ethanol. To this solution, a solution of silsesquioxane dissolved in 1.0 g of compound S-13 and 10 g of tetrahydrofuran was added, and 0.1 g of aluminum (III) 2,4-pentanedionate was further added, followed by stirring at 50 ° C. for 2 hours. To obtain a silsesquioxane-silica composition.
【0088】この組成物をアクリル板(厚さ3mm、屈
折率1.49)上に、スピンコート(回転数1500r
pm)後、乾燥し、かご状シルセスキオキサンを含有す
るSiO2のゲル膜を形成した。このゲル膜に、実施例
1で用いた紫外線照射装置1にて、45秒間紫外線照射
処理を行い、かご状シルセスキオキサン含有酸化物皮膜
(A−2)を作製した。This composition was spin-coated on an acrylic plate (thickness: 3 mm, refractive index: 1.49) (at 1500 rpm).
pm), followed by drying to form a cage-like silsesquioxane-containing SiO 2 gel film. This gel film was subjected to ultraviolet irradiation for 45 seconds using the ultraviolet irradiation apparatus 1 used in Example 1 to produce a cage-like silsesquioxane-containing oxide film (A-2).
【0089】実施例3 10gのテトラヒドロフランにポリパーフルオロオクチ
ルアクリレート(平均分子量約2万)2gを溶解した溶
液に化合物S−12を1.0g、テトラヒドロフラン1
0gに溶解したシルセスキオキサン溶液を加えてシルセ
スキオキサン含有樹脂組成物を作製した。Example 3 1.0 g of compound S-12 and a solution of 2 g of polyperfluorooctyl acrylate (average molecular weight: about 20,000) in 10 g of tetrahydrofuran,
A silsesquioxane solution dissolved in 0 g was added to prepare a silsesquioxane-containing resin composition.
【0090】この組成物をアクリル板(厚さ3mm、屈
折率1.49)上に、スピンコート(回転数1500r
pm)後、乾燥し、かご状シルセスキオキサンを含有す
る樹脂膜を形成した。この樹脂膜に、紫外線照射装置1
を用いて、45秒間紫外線照射処理を行い、かご状シル
セスキオキサン含有皮膜(A−3)を作製した。This composition was spin-coated on an acrylic plate (thickness: 3 mm, refractive index: 1.49) (at 1500 rpm).
pm) and then dried to form a cage-like silsesquioxane-containing resin film. An ultraviolet irradiation device 1
Was applied for 45 seconds to prepare a cage-like silsesquioxane-containing film (A-3).
【0091】実施例4 10gのテトラヒドロフランにポリパーフルオロオクチ
ルアクリレート(平均分子量約2万)2gを溶解した溶
液に化合物S−14を1.0g、テトラヒドロフラン1
0gに溶解したシルセスキオキサン溶液を加えてシルセ
スキオキサン含有樹脂組成物を作製した。Example 4 A solution prepared by dissolving 2 g of polyperfluorooctyl acrylate (average molecular weight: about 20,000) in 10 g of tetrahydrofuran was mixed with 1.0 g of compound S-14 and 1 g of tetrahydrofuran 1
A silsesquioxane solution dissolved in 0 g was added to prepare a silsesquioxane-containing resin composition.
【0092】この組成物をアクリル板(厚さ3mm、屈
折率1.49)上に、スピンコート(回転数1500r
pm)後、乾燥し、かご状シルセスキオキサンを含有す
る樹脂膜を形成した。この樹脂膜に、紫外線照射装置1
を用いて、45秒間紫外線照射処理を行い、かご状シル
セスキオキサン含有皮膜(A−4)を作製した。This composition was spin-coated on an acrylic plate (thickness: 3 mm, refractive index: 1.49) (at 1500 rpm).
pm) and then dried to form a cage-like silsesquioxane-containing resin film. An ultraviolet irradiation device 1
Was applied for 45 seconds to produce a cage-like silsesquioxane-containing film (A-4).
【0093】実施例5 テトラエトキシシラン2gをエタノール12gに溶解
し、さらに5gのメタノールにポリビニルピロリドン
(平均分子量約1万)0.5gを溶解した溶液を添加し
た。この溶液に化合物S−1を1.0g、テトラヒドロ
フラン10gに溶解したシルセスキオキサン溶液を加
え、さらにアルミニウム(III)2,4−ペンタンジオ
ネート0.1gを加えて50℃で2時間撹拌してシルセ
スキオキサン−シリカ−ポリマーの混合組成物とした。Example 5 A solution prepared by dissolving 2 g of tetraethoxysilane in 12 g of ethanol and further dissolving 0.5 g of polyvinylpyrrolidone (average molecular weight: about 10,000) in 5 g of methanol was added. To this solution, a solution of silsesquioxane dissolved in 1.0 g of compound S-1 and 10 g of tetrahydrofuran was added, and 0.1 g of aluminum (III) 2,4-pentanedionate was further added, followed by stirring at 50 ° C. for 2 hours. To obtain a silsesquioxane-silica-polymer mixed composition.
【0094】この組成物をアクリル板(厚さ3mm、屈
折率1.49)上に、スピンコート(回転数1500r
pm)後、乾燥し、かご状シルセスキオキサンとポリマ
ーを含有するSiO2のゲル膜を形成した。このゲル膜
に、紫外線照射装置1を用いて、45秒間紫外線照射処
理を行い、かご状シルセスキオキサン含有酸化物皮膜
(A−5)を作製した。This composition was spin-coated (at 1500 rpm) on an acrylic plate (thickness: 3 mm, refractive index: 1.49).
pm), followed by drying to form a gel film of SiO 2 containing cage silsesquioxane and a polymer. This gel film was subjected to an ultraviolet irradiation treatment for 45 seconds using an ultraviolet irradiation device 1 to prepare a cage-like silsesquioxane-containing oxide film (A-5).
【0095】実施例6 10gのテトラヒドロフランにポリパーフルオロオクチ
ルアクリレート(平均分子量約2万)2gを溶解した溶
液に、チッソ株式会社製の末端ビニルポリジメチルシロ
キサンDMS−V03(分子量500、ビニル含有量1
0〜12%)2gおよび化合物S−14を1.0g、テ
トラヒドロフラン10gに溶解したシルセスキオキサン
溶液を加えてシルセスキオキサン含有樹脂組成物を作製
した。Example 6 A solution prepared by dissolving 2 g of polyperfluorooctyl acrylate (average molecular weight: about 20,000) in 10 g of tetrahydrofuran was mixed with a terminal vinyl polydimethylsiloxane DMS-V03 manufactured by Chisso Corporation (molecular weight: 500, vinyl content: 1).
(0 to 12%), a silsesquioxane solution in which 1.0 g of compound S-14 and 1.0 g of tetrahydrofuran were dissolved was added to prepare a silsesquioxane-containing resin composition.
【0096】この組成物をアクリル板(厚さ3mm、屈
折率1.49)上に、スピンコート(回転数1500r
pm)後、乾燥し、かご状シルセスキオキサンを含有す
る樹脂膜を形成した。この樹脂膜に、紫外線照射装置1
を用いて、45秒間紫外線照射処理を行い、かご状シル
セスキオキサン含有皮膜(A−6)を作製した。This composition was spin-coated on an acrylic plate (thickness: 3 mm, refractive index: 1.49) (at 1500 rpm).
pm) and then dried to form a cage-like silsesquioxane-containing resin film. An ultraviolet irradiation device 1
Was applied for 45 seconds to produce a cage-like silsesquioxane-containing film (A-6).
【0097】比較例1 テトラエトキシシラン2gをエタノール12gに溶解し
た。この溶液に1Nの塩酸2gを添加して加水分解を行
い、ゾルを調製した。Comparative Example 1 2 g of tetraethoxysilane was dissolved in 12 g of ethanol. 2 g of 1N hydrochloric acid was added to this solution to carry out hydrolysis to prepare a sol.
【0098】このゾル液をアクリル板(厚さ3mm、屈
折率1.49)上に、スピンコート(回転数1500r
pm)後、乾燥し、SiO2のゲル膜を形成した。この
ゲル膜に、紫外線照射装置1を用いて、45秒間紫外線
照射処理を行い、酸化物皮膜(R−1)を作製した。This sol solution was spin-coated on an acrylic plate (thickness: 3 mm, refractive index: 1.49) (at 1500 rpm).
pm), and dried to form a gel film of SiO 2 . The gel film was subjected to an ultraviolet irradiation treatment for 45 seconds using the ultraviolet irradiation device 1 to produce an oxide film (R-1).
【0099】比較例2 10gのテトラヒドロフランにポリパーフルオロオクチ
ルアクリレート(平均分子量約2万)2gを溶解した溶
液をアクリル板(厚さ3mm、屈折率1.49)上に、
スピンコート(回転数1500rpm)後、乾燥し、樹
脂膜を形成した。この樹脂膜に、紫外線照射装置1を用
いて、45秒間紫外線照射処理を行い、樹脂皮膜(R−
2)を作製した。Comparative Example 2 A solution prepared by dissolving 2 g of polyperfluorooctyl acrylate (average molecular weight: about 20,000) in 10 g of tetrahydrofuran was placed on an acrylic plate (thickness: 3 mm, refractive index: 1.49).
After spin coating (at 1500 rpm), drying was performed to form a resin film. This resin film was subjected to an ultraviolet irradiation treatment for 45 seconds using an ultraviolet irradiation device 1 to obtain a resin film (R-
2) was produced.
【0100】比較例3 10gのテトラヒドロフランにポリパーフルオロオクチ
ルアクリレート(平均分子量約2万)2gを溶解した溶
液に、チッソ株式会社製の末端ビニルポリジメチルシロ
キサンDMS−V03(分子量500、ビニル含有量1
0〜12%)2gを加えてポリシロキサン含有樹脂組成
物を作製した。Comparative Example 3 In a solution prepared by dissolving 2 g of polyperfluorooctyl acrylate (average molecular weight: about 20,000) in 10 g of tetrahydrofuran, vinyl-terminated polydimethylsiloxane DMS-V03 manufactured by Chisso Corporation (molecular weight: 500, vinyl content: 1)
(0 to 12%) was added to prepare a polysiloxane-containing resin composition.
【0101】この組成物をアクリル板(厚さ3mm、屈
折率1.49)上に、スピンコート(回転数1500r
pm)後、乾燥し、ポリシロキサンを含有する樹脂膜を
形成した。この樹脂膜に、紫外線照射装置1を用いて、
45秒間紫外線照射処理を行い、ポリシロキサン含有樹
脂皮膜(R−3)を作製した。This composition was spin-coated (at 1500 rpm) on an acrylic plate (thickness: 3 mm, refractive index: 1.49).
pm) and then dried to form a resin film containing polysiloxane. Using an ultraviolet irradiation device 1 on this resin film,
An ultraviolet irradiation treatment was performed for 45 seconds to produce a polysiloxane-containing resin film (R-3).
【0102】比較例4(非かご状シルセスキオキサンを
用いた場合) 比較例2と同様に、10gのテトラヒドロフランにポリ
パーフルオロオクチルアクリレート(平均分子量約2
万)2gを溶解した。ここに、チッソ株式会社製ポリメ
チルシルセスキオキサン(SST−3M02)1gをテ
トラヒドロフラン10gに溶解したシルセスキオキサン
溶液を加えて非かご状シルセスキオキサン含有樹脂組成
物を作製した。Comparative Example 4 (when non-cage silsesquioxane was used) As in Comparative Example 2, 10 g of tetrahydrofuran was mixed with polyperfluorooctyl acrylate (average molecular weight of about 2
2 g) was dissolved. A silsesquioxane solution obtained by dissolving 1 g of polymethylsilsesquioxane (SST-3M02) manufactured by Chisso Corporation in 10 g of tetrahydrofuran was added to prepare a non-cage-like silsesquioxane-containing resin composition.
【0103】この溶液をアクリル板(厚さ3mm、屈折
率1.49)上に、スピンコート(回転数1500rp
m)後、乾燥し、樹脂膜を形成した。この樹脂膜に、紫
外線照射装置1を用いて、45秒間紫外線照射処理を行
い、樹脂皮膜(R−4)を作製した。This solution was spin-coated on an acrylic plate (thickness: 3 mm, refractive index: 1.49) (at 1500 rpm).
After m), drying was performed to form a resin film. This resin film was subjected to an ultraviolet irradiation treatment for 45 seconds using the ultraviolet irradiation device 1 to produce a resin film (R-4).
【0104】表1に実施例1〜実施例6および比較例1
〜比較例4でアクリル板上に作製した被膜の物性値を示
す。Table 1 shows Examples 1 to 6 and Comparative Example 1.
The physical property values of the coating films prepared on the acrylic plate in Comparative Example 4 are shown.
【0105】[0105]
【表1】 [Table 1]
【0106】表1の結果から明らかなように、本発明の
かご状シルセスキオキサンを含有した皮膜は、バインダ
ーがシリカ(A−1、A−2)、有機ポリマー(A−
3、A−4)、有機ポリマーコンポジットシリカ(A−
5)および有機ポリマーコンポジットシリコーン(A−
6)の何れの場合でも、かご状シルセスキオキサンを含
有しない皮膜(R−1、R−2、R−3)に比べ屈折率
の低下と膜強度の上昇、耐久性の向上が認められた。ま
た、非かご状のシルセスキオキサンであるポリメチルシ
ルセスキオキサンを含有した皮膜(R−4)は膜強度の
上昇と耐久性の向上は認められたが本研究において最も
重要な因子である屈折率の低下は全く認められなかっ
た。As is clear from the results shown in Table 1, the film containing the cage-like silsesquioxane of the present invention has a binder of silica (A-1, A-2) and an organic polymer (A-
3, A-4), organic polymer composite silica (A-
5) and organic polymer composite silicone (A-
In any of the cases 6), a decrease in the refractive index, an increase in the film strength, and an improvement in the durability are observed as compared with the films (R-1, R-2, R-3) containing no cage silsesquioxane. Was. The film (R-4) containing polymethylsilsesquioxane, a non-cage-like silsesquioxane, showed an increase in film strength and an improvement in durability, but was the most important factor in this study. No decrease in the refractive index was observed at all.
【0107】この結果から、本発明のかご状シルセスキ
オキサンを含有する皮膜では、かご状シルセスキオキサ
ンが有する分子レベルの空孔が屈折率を低下させること
に有効に機能していることが明らかになった。つまり、
逆に言うとかご状シルセスキオキサンを含有させること
により皮膜内に簡便に微小空隙を作製することができ、
その結果として屈折率が下がる。当然屈折率の低い膜が
できれば反射防止用の光学フィルムとして使用すること
ができるし、また屈折率と関連する物性である誘電率も
当然のことながら下がる。つまり、本発明では、かご状
シルセスキオキサンを何らかのバインダーで基材上に塗
設することにより、低屈折率や低誘電率の皮膜が作製で
きるとともに、反射防止フィルムのような光学特性改良
フィルムが作製でき、さらにその皮膜の膜強度や耐久性
等の改善もなされることがわかった。From these results, it can be seen that in the cage-like silsesquioxane-containing film of the present invention, the molecular-level vacancies of the cage-like silsesquioxane function effectively to lower the refractive index. Was revealed. That is,
Conversely, by including a cage-like silsesquioxane, it is possible to easily produce microvoids in the film,
As a result, the refractive index decreases. Naturally, if a film having a low refractive index is formed, it can be used as an optical film for antireflection, and the dielectric constant, which is a physical property related to the refractive index, is naturally lowered. That is, in the present invention, by coating a cage-like silsesquioxane on a base material with a certain binder, a film having a low refractive index or a low dielectric constant can be produced, and an optical property improving film such as an antireflection film can be formed. It was found that the film could be produced, and that the film strength and durability of the film could be improved.
【0108】実施例7 実施例3で作製した塗布液を厚さ3μmのアクリル樹脂
のハードコートを塗設したトリアセチルセルロースベー
ス(厚さ80μm)にワイヤーバーでウエット膜厚15
μmで塗布、乾燥後実施例3と同様に紫外線照射処理を
施し、反射防止フィルム(AR−1)を作製した。Example 7 The coating liquid prepared in Example 3 was applied to a triacetyl cellulose base (80 μm in thickness) coated with a 3 μm-thick acrylic resin hard coat by a wire bar to a wet film thickness of 15 μm.
After coating and drying at μm, ultraviolet irradiation treatment was performed in the same manner as in Example 3 to prepare an antireflection film (AR-1).
【0109】また、比較として比較例2で作製した塗布
液を上記のAR−1と同じ条件で塗布し、同じ処理を行
って、比較用の反射防止フィルム(AR−2)を作製し
た。For comparison, the coating solution prepared in Comparative Example 2 was applied under the same conditions as AR-1 described above, and the same treatment was carried out to prepare a comparative antireflection film (AR-2).
【0110】この2種の反射防止フィルムの反射率を4
50nmと650nmで測定した。The reflectivity of the two types of antireflection films was 4
Measurements were taken at 50 nm and 650 nm.
【0111】その結果を表2に示す。Table 2 shows the results.
【0112】[0112]
【表2】 [Table 2]
【0113】表2の結果から明らかなように、本発明の
かご状シルセスキオキサンを含有した皮膜を塗設した反
射防止フィルム(AR−1)では比較試料(AR−2)
に比べ大幅に反射率が低下し、優れた反射防止性能を有
することがわかった。As is clear from the results shown in Table 2, the antireflection film (AR-1) coated with the cage-like silsesquioxane-containing coating film of the present invention was a comparative sample (AR-2).
It was found that the reflectance was significantly reduced as compared with that of Example 1, and that the composition had excellent antireflection performance.
【0114】実施例8 実施例1のテトラエトキシシランを同重量の以下に示す
金属アルコキシドまたは金属塩に替えた以外は実施例1
と全く同様の金属酸化物含有塗布液を作製し、実施例1
と同じ条件で塗布した。Example 8 Example 1 was repeated except that tetraethoxysilane of Example 1 was replaced with the same weight of the following metal alkoxide or metal salt.
A metal oxide-containing coating solution was prepared in exactly the same manner as in
The coating was performed under the same conditions as in
【0115】さらに、比較例1のテトラエトキシシラン
を同重量の以下に示す金属アルコキシドまたは金属塩に
替えた以外は比較例1と全く同様の金属酸化物含有塗布
液を作製し、比較例1と同じ条件で塗布した。Further, a metal oxide-containing coating solution was prepared in exactly the same manner as in Comparative Example 1 except that tetraethoxysilane of Comparative Example 1 was replaced with the same weight of a metal alkoxide or metal salt shown below. It was applied under the same conditions.
【0116】このようにして得られた塗布試料を実施例
1と同じ条件の処理を施した後、実施例1〜6と同じ方
法で屈折率を測定した。The coated sample thus obtained was treated under the same conditions as in Example 1 and the refractive index was measured by the same method as in Examples 1 to 6.
【0117】その結果、全ての金属酸化物膜でかご状シ
ルセスキオキサンを含有した皮膜で、対応するかご状シ
ルセスキオキサンを含有しない皮膜に対し有意な屈折率
低下を確認した。As a result, it was confirmed that all the metal oxide films containing the cage silsesquioxane showed a significant decrease in the refractive index as compared with the corresponding films not containing the cage silsesquioxane.
【0118】金属アルコキシドまたは金属塩 4−1 アルミニウムトリ−n−ブトキシド 4−2 テトライソプロポキシチタン 4−3 亜鉛2,4−ペンタンジオネート 4−4 ストロンチウム2,4−ペンタンジオネート 4−5 イットリウムイソプロポキサイド 4−6 ジルコニウム−n−ピロポキサイド 4−7 マグネシウムエトキサイド 4−8 テトラ−t−ブトキシスズ 4−9 カルシウムヘキサフルオロペンタンジオネー
ト 4−10 ユウロピウム2,4−ペンタンジオネート 4−11 テルビウム2,4−ペンタンジオネート 4−12 アンチモンブトキサイド 4−13 塩化ニオブMetal alkoxide or metal salt 4-1 Aluminum tri-n-butoxide 4-2 Tetraisopropoxytitanium 4-3 Zinc 2,4-pentanedionate 4-4 Strontium 2,4-pentanedionate 4-5 Yttrium Isopropoxide 4-6 zirconium-n-pyroxide 4-7 magnesium ethoxide 4-8 tetra-t-butoxytin 4-9 calcium hexafluoropentanedionate 4-10 europium 2,4-pentanedionate 4-11 terbium 2 , 4-Pentandionate 4-12 Antimony butoxide 4-13 Niobium chloride
【0119】[0119]
【発明の効果】かご状シルセスキオキサンを基材上に塗
設することにより、低屈折率の皮膜が作製できるととも
に、反射防止フィルムのような光学特性改良フィルムが
作製でき、さらにその皮膜の膜強度や耐久性等の改善も
なされることがわかった。By coating a cage-like silsesquioxane on a substrate, a film having a low refractive index can be produced, and a film having improved optical properties such as an antireflection film can be produced. It was found that the film strength and durability were also improved.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C08K 5/057 C08K 5/057 4J002 5/09 5/09 4J035 C08L 83/04 C08L 83/04 4J038 101/16 C09D 7/12 Z C09D 7/12 183/04 183/04 201/00 201/00 C07F 7/18 X // C07F 7/18 7/21 7/21 C08J 5/18 CFH C08J 5/18 CFH C08L 101/00 Fターム(参考) 4F071 AA01 AA67 AB18 AC05 AC09 AH19 BA03 BC02 4F100 AA02B AH06B AH08B AK01B AK25A AT00A BA02 CA30B CA30H CC01B EH46 EJ54 GB41 JD06 JM01B JN01A JN06 JN08 4G059 AA08 AA11 AC02 AC09 EA05 EB05 FA05 FA07 FA29 FB05 4G072 BB09 FF01 FF07 FF09 GG02 HH28 HH30 JJ14 LL11 LL15 MM02 NN21 PP01 PP03 PP17 UU01 4H049 VN01 VP08 VP09 VP10 VQ02 VQ03 VQ07 VQ26 VQ48 VQ78 VQ86 VQ88 VR11 VR21 VR43 VR44 VS02 VS03 VS07 VS26 VS48 VS78 VU29 4J002 AB012 AC032 BB032 BB062 BB122 BB242 BC062 BC082 BD042 BD062 BD102 BD122 BD142 BD152 BD172 BE022 BE032 BE042 BE052 BE062 BF022 BG042 BG062 BG122 BH022 BJ002 BN062 BN072 BN102 BN122 BN152 BN162 CB002 CC022 CC122 CD002 CD203 CF062 CF072 CF162 CF212 CF273 CG002 CH022 CH092 CK023 CL002 CM042 CN032 CP012 CP031 CP142 DD026 DF036 DG046 DH046 EC076 EG046 EG056 EG106 EX036 EX066 EX076 EX086 GP00 4J035 BA12 CA01K CA022 CA072 CA102 CA112 CA132 CA142 CA152 CA172 CA192 CA262 LA07 LB01 LB20 4J038 DL031 EA001 HA126 HA216 HA336 HA376 HA416 JA16 JA47 JC32 KA12 NA11 NA17 PB08 PC02 PC03 PC08 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C08K 5/057 C08K 5/057 4J002 5/09 5/09 4J035 C08L 83/04 C08L 83/04 4J038 101 / 16 C09D 7/12 Z C09D 7/12 183/04 183/04 201/00 201/00 C07F 7/18 X // C07F 7/18 7/21 7/21 C08J 5/18 CFH C08J 5/18 CFH C08L 101/00 F-term (reference) 4F071 AA01 AA67 AB18 AC05 AC09 AH19 BA03 BC02 4F100 AA02B AH06B AH08B AK01B AK25A AT00A BA02 CA30B CA30H CC01B EH46 EJ54 GB41 JD06 JM01B JN01A JN08 FA05A05FAN FF07 FF09 GG02 HH28 HH30 JJ14 LL11 LL15 MM02 NN21 PP01 PP03 PP17 UU01 4H049 VN01 VP08 VP09 VP10 VQ02 VQ03 VQ07 VQ26 VQ48 VQ78 VQ86 VQ88 VR11 VR21 VR43 VR44 VS 02 VS03 VS07 VS26 VS48 VS78 VU29 4J002 AB012 AC032 BB032 BB062 BB122 BB242 BC062 BC082 BD042 BD062 BD102 BD122 BD142 BD152 BD172 BE022 BE032 BE042 BE052 CF062 BF022 BG042 BG062 BG122 CB122 BN122 CB122 BN122 CB122 CG002 CH022 CH092 CK023 CL002 CM042 CN032 CP012 CP031 CP142 DD026 DF036 DG046 DH046 EC076 EG046 EG056 EG106 EX036 EX066 EX076 EX086 GP00 4J035 BA12 CA01K CA022 CA072 CA102 CA112 CA132 CA142 CA152 CA172 CA01 CA262 LA074 KA12 NA11 NA17 PB08 PC02 PC03 PC08
Claims (11)
シルセスキオキサンを含有する膜を有することを特徴と
するフィルム。1. A film having a film containing at least one kind of cage silsesquioxane on a transparent substrate.
式(1)〜(7)で表される化合物であることを特徴と
する請求項1に記載のフィルム。 【化1】 【化2】 (式中、Rは水素原子、アルキル基、アルケニル基又は
アリール基を表し、複数のRは同じであってもよい。)2. The film according to claim 1, wherein the cage-like silsesquioxane is a compound represented by the following general formulas (1) to (7). Embedded image Embedded image (In the formula, R represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, or an aryl group, and a plurality of Rs may be the same.)
は金属塩に、少なくとも1種のかご状シルセスキオキサ
ンを含有させた金属酸化物ゾルまたは金属酸化物ゲルで
あることを特徴とする組成物。3. A composition characterized by being a metal oxide sol or a metal oxide gel containing at least one kind of cage silsesquioxane in at least one kind of metal alkoxide or metal salt.
キシドまたは金属塩に、少なくとも1種のかご状シルセ
スキオキサンを含有させた金属酸化物ゾルまたは金属酸
化物ゲル組成物を塗布することにより形成されたことを
特徴とするかご状シルセスキオキサン含有皮膜。4. Applying a metal oxide sol or a metal oxide gel composition comprising at least one metal alkoxide or metal salt and at least one cage silsesquioxane contained on a substrate. A cage-like silsesquioxane-containing film formed by:
キシドまたは金属塩に、少なくとも1種のかご状シルセ
スキオキサンを含有させた金属酸化物ゾルまたは金属酸
化物ゲル組成物を塗布することを特徴とするかご状シル
セスキオキサン含有皮膜の製造方法。5. A method for applying a metal oxide sol or a metal oxide gel composition comprising at least one metal alkoxide or metal salt and at least one cage silsesquioxane to a substrate. A method for producing a cage-like silsesquioxane-containing coating, characterized in that:
くとも1種のかご状シルセスキオキサンを含有させたこ
とを特徴とする樹脂組成物。6. A resin composition characterized in that at least one kind of organic polymer contains at least one kind of cage silsesquioxane.
ーに、少なくとも1種のかご状シルセスキオキサンを含
有させた樹脂組成物を塗布することにより形成されたこ
とを特徴とするかご状シルセスキオキサン含有皮膜。7. A cage formed by applying a resin composition containing at least one cage silsesquioxane to at least one organic polymer on a substrate. Silsesquioxane-containing coating.
ーに、少なくとも1種のかご状シルセスキオキサンを含
有させた樹脂組成物を塗布することを特徴とするかご状
シルセスキオキサン含有皮膜の製造方法。8. A cage-like silsesquioxane-containing resin composition comprising applying a resin composition comprising at least one kind of organic polymer and at least one kind of cage-like silsesquioxane on a substrate. Manufacturing method of the film.
が、少なくとも1種の金属アルコキシドまたは金属塩
に、少なくとも1種のかご状シルセスキオキサンを含有
させた金属酸化物ゾルまたは金属酸化物ゲル組成物を、
透明基材上に塗設し形成されたものであることを特徴と
する請求項1または2に記載のフィルム。9. A metal oxide sol or metal oxide in which a film containing a cage silsesquioxane contains at least one cage silsesquioxane in at least one metal alkoxide or metal salt. Gel composition,
The film according to claim 1, wherein the film is formed by coating on a transparent substrate.
膜が、少なくとも1種の有機ポリマーに、少なくとも1
種のかご状シルセスキオキサンを含有させた樹脂組成物
を、透明基材上に塗設し形成されたものであることを特
徴とする請求項1または2に記載のフィルム。10. The method of claim 1, wherein the film containing the cage silsesquioxane comprises at least one organic polymer and at least one organic polymer.
3. The film according to claim 1, wherein the resin composition containing a kind of cage-like silsesquioxane is formed by coating on a transparent substrate. 4.
膜が、少なくとも1種の金属アルコキシドまたは金属塩
及び少なくとも1種の有機ポリマーに、少なくとも1種
のかご状シルセスキオキサンを含有させたポリマーコン
ポジット金属酸化物ゾルまたはポリマーコンポジット金
属酸化物ゲル組成物を、透明基材上に塗設し形成された
ものであることを特徴とする請求項1、2、9又は10
に記載のフィルム。11. A polymer comprising a cage silsesquioxane containing at least one metal alkoxide or metal salt and at least one organic polymer containing at least one cage silsesquioxane. The composite metal oxide sol or the polymer composite metal oxide gel composition is formed by coating on a transparent substrate.
The film according to 1.
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