JP2000327489A - 単結晶引上装置 - Google Patents
単結晶引上装置Info
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- JP2000327489A JP2000327489A JP11141072A JP14107299A JP2000327489A JP 2000327489 A JP2000327489 A JP 2000327489A JP 11141072 A JP11141072 A JP 11141072A JP 14107299 A JP14107299 A JP 14107299A JP 2000327489 A JP2000327489 A JP 2000327489A
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- JP
- Japan
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- single crystal
- radiation shield
- insulating cylinder
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 使用電力量を小さくすることができ、装置に
使用するガスの流れを一方向に整流化することができる
単結晶引上装置を提供する。 【解決手段】 チャンバ内に輻射シールドを備えたＣＺ
法による単結晶引上装置において、輻射シールドの外側
に下向きに広がるように複数の断熱筒を多層式に伸縮可
能に取り付ける構成とする。
使用するガスの流れを一方向に整流化することができる
単結晶引上装置を提供する。 【解決手段】 チャンバ内に輻射シールドを備えたＣＺ
法による単結晶引上装置において、輻射シールドの外側
に下向きに広がるように複数の断熱筒を多層式に伸縮可
能に取り付ける構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チャンバ内に輻射
シールドを備えたＣＺ法による単結晶引上装置に関す
る。
シールドを備えたＣＺ法による単結晶引上装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、輻射シールドを使用した単結晶引
上装置において、原料のポリシリコンを溶融する際に
は、溶融前のポリシリコンへの干渉を避けるため輻射シ
ールドを上昇させている。
上装置において、原料のポリシリコンを溶融する際に
は、溶融前のポリシリコンへの干渉を避けるため輻射シ
ールドを上昇させている。
【０００３】また、従来の単結晶引上装置においては、
ポリシリコンを入れるルツボとヒータを取り囲むように
保温材が配置されている。
ポリシリコンを入れるルツボとヒータを取り囲むように
保温材が配置されている。
【０００４】このような構成においては、輻射シールド
を上昇させた際に、輻射シールドの回りに隙間が生じて
いた。つまり、輻射シールドと保温材との間に隙間が生
じていた。
を上昇させた際に、輻射シールドの回りに隙間が生じて
いた。つまり、輻射シールドと保温材との間に隙間が生
じていた。
【０００５】このため、ヒータからの熱が単結晶引上装
置の上方に逃げてしまう。その結果、ポリシリコンの溶
融に時間がかかり、使用電力量が大きなものとなってい
た。
置の上方に逃げてしまう。その結果、ポリシリコンの溶
融に時間がかかり、使用電力量が大きなものとなってい
た。
【０００６】さらに、ポリシリコンの溶融に時間がかか
ると、石英ルツボの変形が激しくなり、長時間の引上に
耐えられないとともに、湯漏れの恐れもあった。
ると、石英ルツボの変形が激しくなり、長時間の引上に
耐えられないとともに、湯漏れの恐れもあった。
【０００７】また、石英ルツボから不純物がシリコン融
液に溶けだし、シリコン単結晶に対する不純物の除去率
を低下させる原因ともなっていた。
液に溶けだし、シリコン単結晶に対する不純物の除去率
を低下させる原因ともなっていた。
【０００８】また、単結晶引上装置において使用するガ
スが流れる方向は１方向ではなく、主に２方向であっ
た。一方は、輻射シールドに設けた開口部からチャンバ
の下方に向かう方向であった。もう一方は、輻射シール
ドに設けた開口部から、輻射シールドと保温材の隙間を
通ってチャンバの上方に向かう方向であった。このよう
に、ガスの流れが一方向に整流化されていないため、単
結晶引上装置内において不純物や反応物が舞い上がって
しまっていた。
スが流れる方向は１方向ではなく、主に２方向であっ
た。一方は、輻射シールドに設けた開口部からチャンバ
の下方に向かう方向であった。もう一方は、輻射シール
ドに設けた開口部から、輻射シールドと保温材の隙間を
通ってチャンバの上方に向かう方向であった。このよう
に、ガスの流れが一方向に整流化されていないため、単
結晶引上装置内において不純物や反応物が舞い上がって
しまっていた。
【０００９】このため、保温材上部、石英ルツボ内等に
不純物や反応物が付着しやすく、単結晶引上時に単結晶
に対する不純物の除去率を低下させる原因となってい
た。
不純物や反応物が付着しやすく、単結晶引上時に単結晶
に対する不純物の除去率を低下させる原因となってい
た。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、使用電力量
を小さくできるとともに、装置に使用するガスを整流化
することができる単結晶引上装置を提供することを目的
とする。
を小さくできるとともに、装置に使用するガスを整流化
することができる単結晶引上装置を提供することを目的
とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明による解決手段の
一つは、チャンバ内に輻射シールドを備えたＣＺ法によ
る単結晶引上装置において、輻射シールドの外側に下向
きに広がるように複数の断熱筒を多層式に伸縮可能に取
り付けたことを特徴とする単結晶引上装置である。
一つは、チャンバ内に輻射シールドを備えたＣＺ法によ
る単結晶引上装置において、輻射シールドの外側に下向
きに広がるように複数の断熱筒を多層式に伸縮可能に取
り付けたことを特徴とする単結晶引上装置である。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明は、原料の溶融時の省エネ
ルギーを図り、装置に使用するガスを整流化することが
できる単結晶引上装置を提供するものである。
ルギーを図り、装置に使用するガスを整流化することが
できる単結晶引上装置を提供するものである。
【００１３】本発明の典型例は、チャンバ内に輻射シー
ルドを備えたＣＺ法による単結晶引上装置において、輻
射シールドの外側に下向きに広がるように複数の断熱筒
を多層式に伸縮可能に取り付けた単結晶引上装置であ
る。
ルドを備えたＣＺ法による単結晶引上装置において、輻
射シールドの外側に下向きに広がるように複数の断熱筒
を多層式に伸縮可能に取り付けた単結晶引上装置であ
る。
【００１４】複数の断熱筒のそれぞれは、円筒の上端に
内周に張り出すフランジを形成するとともに、円筒の下
端に少くとも外周に張り出すフランジを形成した筒型で
あり、輻射シールド（２６）の外側に下向きに広がるよ
うに組立てられていることが好ましい。
内周に張り出すフランジを形成するとともに、円筒の下
端に少くとも外周に張り出すフランジを形成した筒型で
あり、輻射シールド（２６）の外側に下向きに広がるよ
うに組立てられていることが好ましい。
【００１５】好ましくは、チャンバ内に保温材を備え、
複数の断熱筒からなる断熱筒組立体を保温材に接続す
る。
複数の断熱筒からなる断熱筒組立体を保温材に接続す
る。
【００１６】さらに好ましくは、断熱筒組立体の下端が
保温材に隙間を生じないように接続されるようにする。
保温材に隙間を生じないように接続されるようにする。
【００１７】原料の溶融時に輻射シールドが上方に位置
する際にも、単結晶引上時に輻射シールドが下方に位置
する際にも、断熱筒組立体の下端が保温剤に隙間なく接
続されていることが好ましい。
する際にも、単結晶引上時に輻射シールドが下方に位置
する際にも、断熱筒組立体の下端が保温剤に隙間なく接
続されていることが好ましい。
【００１８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。
て説明する。
【００１９】図１は、本発明の実施例による溶融時の単
結晶引上装置の一部を示す縦断面図である。
結晶引上装置の一部を示す縦断面図である。
【００２０】単結晶引上装置は、チャンバ１２を有して
いる。チャンバ１２の内部には、ルツボ１４が配置され
ている。ルツボ１４は、カーボンルツボ１６と石英ルツ
ボ１８から成る。ルツボ１４は支持部材２０によって支
持されている。ルツボ１４の周囲には、ヒータ２２が配
置されている。ルツボ１４と、ヒータ２２を取り囲むよ
うに、チャンバ１２に保温材２４が配置されている。保
温材２４は、断熱を効果的に行うために円筒型であるこ
とが好ましい。
いる。チャンバ１２の内部には、ルツボ１４が配置され
ている。ルツボ１４は、カーボンルツボ１６と石英ルツ
ボ１８から成る。ルツボ１４は支持部材２０によって支
持されている。ルツボ１４の周囲には、ヒータ２２が配
置されている。ルツボ１４と、ヒータ２２を取り囲むよ
うに、チャンバ１２に保温材２４が配置されている。保
温材２４は、断熱を効果的に行うために円筒型であるこ
とが好ましい。
【００２１】また、ルツボ１４の上方には、輻射シール
ド２６がワイヤ２８で吊られている。輻射シールド２６
は、鉢筒型である。輻射シールド２６の縦断面の形状
は、図１に示す形状である。輻射シールドの下部には開
口部３０が設けられている。輻射シールド２６の上部に
は、つば部３２が形成されている。
ド２６がワイヤ２８で吊られている。輻射シールド２６
は、鉢筒型である。輻射シールド２６の縦断面の形状
は、図１に示す形状である。輻射シールドの下部には開
口部３０が設けられている。輻射シールド２６の上部に
は、つば部３２が形成されている。
【００２２】輻射シールドのつば部３２には、断熱筒組
立体３４が取り付けられている。断熱筒組立体３４は、
第１断熱筒３６と、第２断熱筒３８と、第３断熱筒４０
と、第４断熱筒４２からなり、４つの層を形成すること
ができる。
立体３４が取り付けられている。断熱筒組立体３４は、
第１断熱筒３６と、第２断熱筒３８と、第３断熱筒４０
と、第４断熱筒４２からなり、４つの層を形成すること
ができる。
【００２３】第２断熱筒３８は、第１断熱筒３６の外側
に配置されている。第１断熱筒３６と第２断熱筒３８
は、相互に鉛直方向に移動することができる。第３断熱
筒４０は、第２断熱筒３８の外側に配置されている。第
２断熱筒３８と第３断熱筒４０は、相互に鉛直方向に移
動することができる。第４断熱筒４２は、第３断熱筒４
０の外側に配置されている。第３断熱筒４０と第４断熱
筒４２は、相互に鉛直方向に移動することができる。こ
のため、断熱筒組立体３４は自在に伸縮することができ
る。
に配置されている。第１断熱筒３６と第２断熱筒３８
は、相互に鉛直方向に移動することができる。第３断熱
筒４０は、第２断熱筒３８の外側に配置されている。第
２断熱筒３８と第３断熱筒４０は、相互に鉛直方向に移
動することができる。第４断熱筒４２は、第３断熱筒４
０の外側に配置されている。第３断熱筒４０と第４断熱
筒４２は、相互に鉛直方向に移動することができる。こ
のため、断熱筒組立体３４は自在に伸縮することができ
る。
【００２４】このように、輻射シールドのつば部３２に
は、輻射シールド２６の外側に下向きに広がるように複
数の断熱筒３６、３８、４０、４２が多層式に伸縮可能
に取りつけられている。
は、輻射シールド２６の外側に下向きに広がるように複
数の断熱筒３６、３８、４０、４２が多層式に伸縮可能
に取りつけられている。
【００２５】なお、輻射シールドのつば部３２には、輻
射シールド２６の外側に下向きに広がるように複数の断
熱筒３６、３８、４０、４２を多層式に伸縮可能に取り
付ける代わりに、輻射シールド２６の外側に下向きに広
がるようにテレスコピックタイプの断熱筒組立体を取り
付けることもできる。テレスコピックタイプの断熱筒組
立体とは、複数の断熱筒が入れ子式の構造で組み合わさ
れた断熱筒組立体をいう。テレスコピックタイプの断熱
筒組立体３４は入れ子式の構造を有しているので、伸縮
自在とすることができる。
射シールド２６の外側に下向きに広がるように複数の断
熱筒３６、３８、４０、４２を多層式に伸縮可能に取り
付ける代わりに、輻射シールド２６の外側に下向きに広
がるようにテレスコピックタイプの断熱筒組立体を取り
付けることもできる。テレスコピックタイプの断熱筒組
立体とは、複数の断熱筒が入れ子式の構造で組み合わさ
れた断熱筒組立体をいう。テレスコピックタイプの断熱
筒組立体３４は入れ子式の構造を有しているので、伸縮
自在とすることができる。
【００２６】断熱筒組立体３４を構成する第１断熱筒３
６と、第２断熱筒３８と、第３断熱筒４０と、第４断熱
筒４２の形状について説明する。
６と、第２断熱筒３８と、第３断熱筒４０と、第４断熱
筒４２の形状について説明する。
【００２７】第１断熱筒３６は、円筒の上端に内周に張
り出すフランジを形成するとともに、円筒の下端に少く
とも外周に張り出すフランジを形成した筒型である。第
１断熱筒の一部である円筒の下端には、さらに、内周に
張り出すフランジを形成することもできる。第２断熱筒
３８は、円筒の上端に内周に張り出すフランジを形成す
るとともに、円筒の下端に少くとも外周に張り出すフラ
ンジを形成した筒型である。第２断熱筒の一部である円
筒の下端には、さらに、内周に張り出すフランジを形成
することもできる。第３断熱筒４０は、円筒の上端に内
周に張り出すフランジを形成するとともに、円筒の下端
に少くとも外周に張り出すフランジを形成した筒型であ
る。第３断熱筒の一部である円筒の下端には、さらに、
内周に張り出すフランジを形成することもできる。第４
断熱筒４２は、円筒の上端に内周に張り出すフランジを
形成するとともに、円筒の下端に少くとも外周に張り出
すフランジを形成した筒型である。第４断熱筒の一部で
ある円筒の下端には、さらに、内周に張り出すフランジ
を形成することもできる。
り出すフランジを形成するとともに、円筒の下端に少く
とも外周に張り出すフランジを形成した筒型である。第
１断熱筒の一部である円筒の下端には、さらに、内周に
張り出すフランジを形成することもできる。第２断熱筒
３８は、円筒の上端に内周に張り出すフランジを形成す
るとともに、円筒の下端に少くとも外周に張り出すフラ
ンジを形成した筒型である。第２断熱筒の一部である円
筒の下端には、さらに、内周に張り出すフランジを形成
することもできる。第３断熱筒４０は、円筒の上端に内
周に張り出すフランジを形成するとともに、円筒の下端
に少くとも外周に張り出すフランジを形成した筒型であ
る。第３断熱筒の一部である円筒の下端には、さらに、
内周に張り出すフランジを形成することもできる。第４
断熱筒４２は、円筒の上端に内周に張り出すフランジを
形成するとともに、円筒の下端に少くとも外周に張り出
すフランジを形成した筒型である。第４断熱筒の一部で
ある円筒の下端には、さらに、内周に張り出すフランジ
を形成することもできる。
【００２８】これらの断熱筒３６、３８、４０、４２を
輻射シールド２６の外側に下向きに広がるように組立て
ることができる。
輻射シールド２６の外側に下向きに広がるように組立て
ることができる。
【００２９】ポリシリコンの溶融の際には、ルツボ１４
にポリシリコン２３を山積みにし、輻射シールド２６を
上昇させる。輻射シールド２６は、図示しないシールド
昇降装置によってワイヤ２８を巻き上げて上昇させるこ
とができる。
にポリシリコン２３を山積みにし、輻射シールド２６を
上昇させる。輻射シールド２６は、図示しないシールド
昇降装置によってワイヤ２８を巻き上げて上昇させるこ
とができる。
【００３０】輻射シールド２６が上昇すると、断熱筒組
立体３４は、自重によって輻射シールド２６の外側に下
向きに広がって伸びる。このため、断熱筒組立体３４の
一部である第４断熱筒４２は、保温材２４に接触させて
おくことができる。なお、第４断熱筒４２を保温材２４
に取り付けて接触させておくこともできる。
立体３４は、自重によって輻射シールド２６の外側に下
向きに広がって伸びる。このため、断熱筒組立体３４の
一部である第４断熱筒４２は、保温材２４に接触させて
おくことができる。なお、第４断熱筒４２を保温材２４
に取り付けて接触させておくこともできる。
【００３１】したがって、ヒータ２２でポリシリコン２
３を溶融する際、輻射シールド２６を上昇させるが、断
熱筒組立体３４が伸びて保温材２４との間をつなぐ。輻
射シールド２６と保温材２４との間に隙間をなくすこと
ができるので、ポリシリコンの溶融時における熱の拡散
を防ぎ、ポリシリコンの溶融時におけるガスの流れを一
方向(Ｓ方向)にすることができる。
３を溶融する際、輻射シールド２６を上昇させるが、断
熱筒組立体３４が伸びて保温材２４との間をつなぐ。輻
射シールド２６と保温材２４との間に隙間をなくすこと
ができるので、ポリシリコンの溶融時における熱の拡散
を防ぎ、ポリシリコンの溶融時におけるガスの流れを一
方向(Ｓ方向)にすることができる。
【００３２】ポリシリコン２３の溶融を完了した後は、
輻射シールド２６を適性位置まで下降させ、単結晶引上
げ工程をすることができる。
輻射シールド２６を適性位置まで下降させ、単結晶引上
げ工程をすることができる。
【００３３】図２は、本発明の実施例による単結晶引上
時の単結晶引上装置の一部を示す縦断面図である。
時の単結晶引上装置の一部を示す縦断面図である。
【００３４】ルツボ１４には、シリコン融液４４が満た
されており、シリコンインゴット４６が引上げられてい
る。
されており、シリコンインゴット４６が引上げられてい
る。
【００３５】輻射シールド２６が下降した際には、断熱
筒組立体３４は縮んで重なり、断熱筒組立体３４の一部
である第４断熱筒４２を保温材２４と接触させておくこ
とができる。なお、第４断熱筒４２を保温材２４に取り
付けて接触させておくこともできる。
筒組立体３４は縮んで重なり、断熱筒組立体３４の一部
である第４断熱筒４２を保温材２４と接触させておくこ
とができる。なお、第４断熱筒４２を保温材２４に取り
付けて接触させておくこともできる。
【００３６】つまり、断熱筒組立体３４は、輻射シール
ド２６と保温材２４との間に隙間が生じないようにする
ことができる。
ド２６と保温材２４との間に隙間が生じないようにする
ことができる。
【００３７】したがって、単結晶を引上げる時にも、溶
融時と同様に熱の拡散を防ぎ、ガスの通路を塞ぐことが
できる。このため、単結晶引上げ中にも熱の拡散を防
ぎ、ガスの流れを一方向（Ｔ方向）にすることができ
る。
融時と同様に熱の拡散を防ぎ、ガスの通路を塞ぐことが
できる。このため、単結晶引上げ中にも熱の拡散を防
ぎ、ガスの流れを一方向（Ｔ方向）にすることができ
る。
【００３８】本発明は、以上の実施例に限定されない。
【００３９】前述の実施例においては、ポリシリコンの
溶融時や単結晶の引上げ時に第４断熱筒を保温材と接触
させているが、接触させるのは第４断熱筒に限定されな
い。断熱筒組立体のどの部分が接触していても本発明の
効果を奏する。
溶融時や単結晶の引上げ時に第４断熱筒を保温材と接触
させているが、接触させるのは第４断熱筒に限定されな
い。断熱筒組立体のどの部分が接触していても本発明の
効果を奏する。
【００４０】さらに、断熱筒組立体を保温材に接触させ
ることは必須のことではない。断熱筒組立体と保温材の
間の隙間が小さいものであれば、断熱筒組立体と保温材
を接触させなくても本発明による効果を十分得ることが
できる。
ることは必須のことではない。断熱筒組立体と保温材の
間の隙間が小さいものであれば、断熱筒組立体と保温材
を接触させなくても本発明による効果を十分得ることが
できる。
【００４１】また、本発明の単結晶引上装置は、断熱筒
組立体がルツボとヒータを取り囲むように配置され、そ
の断熱筒組立体の上部が輻射シールドに取り付けられる
構成としてもよい。このようにしても、ポリシリコンの
溶融時に、熱の拡散を防ぎ、ガスの流れを一方向に整流
化することができる。また、単結晶引上げ時にも、熱の
拡散を防ぎ、ガスの流れを一方向に整流化することがで
きる。
組立体がルツボとヒータを取り囲むように配置され、そ
の断熱筒組立体の上部が輻射シールドに取り付けられる
構成としてもよい。このようにしても、ポリシリコンの
溶融時に、熱の拡散を防ぎ、ガスの流れを一方向に整流
化することができる。また、単結晶引上げ時にも、熱の
拡散を防ぎ、ガスの流れを一方向に整流化することがで
きる。
【００４２】また、本発明の単結晶引上装置において
は、原料の溶融時や単結晶の引上げ時だけでなく、シリ
コンを溶融しないカーボンの空焼き時にも、使用電力を
小さくすることができ、空焼き時に使用するガスの流れ
を一方向に整流化することができる。
は、原料の溶融時や単結晶の引上げ時だけでなく、シリ
コンを溶融しないカーボンの空焼き時にも、使用電力を
小さくすることができ、空焼き時に使用するガスの流れ
を一方向に整流化することができる。
【００４３】
【発明の効果】本発明によれば、輻射シールドの外側に
下向きに広がるように複数の断熱筒を多層式に伸縮可能
に取り付けている。その結果、単結晶引き上げ時にも、
石英ルツボ上面を越えてチャージしたポリシリコンの溶
融時にも断熱可能である。
下向きに広がるように複数の断熱筒を多層式に伸縮可能
に取り付けている。その結果、単結晶引き上げ時にも、
石英ルツボ上面を越えてチャージしたポリシリコンの溶
融時にも断熱可能である。
【００４４】ポリシリコンの溶融時にも断熱可能であ
り、輻射シールドより上方への熱の拡散を防げるため、
短時間でのポリシリコンの溶融が可能となり省電力化を
図ることができる。短時間でポリシリコンの溶融が可能
となったため、石英ルツボの変形が少なく、長時間の引
上げにも対応可能となった。
り、輻射シールドより上方への熱の拡散を防げるため、
短時間でのポリシリコンの溶融が可能となり省電力化を
図ることができる。短時間でポリシリコンの溶融が可能
となったため、石英ルツボの変形が少なく、長時間の引
上げにも対応可能となった。
【００４５】また、本発明によれば、ポリシリコンの溶
融時にも、単結晶引き上げ時にもガスの流れを一方向に
整流化することができる。
融時にも、単結晶引き上げ時にもガスの流れを一方向に
整流化することができる。
【００４６】単結晶引上時のみならず、ポリシリコンの
溶融時にもガスの流れが一方向に整流化されることによ
り、単結晶引上装置における反応物や不純物の舞い上が
りを抑えることができる。したがって、反応物や不純物
の、ルツボや断熱材上部等への付着が少なくなるととも
に、シリコン単結晶に対する不純物の除去率を向上する
ことができる。
溶融時にもガスの流れが一方向に整流化されることによ
り、単結晶引上装置における反応物や不純物の舞い上が
りを抑えることができる。したがって、反応物や不純物
の、ルツボや断熱材上部等への付着が少なくなるととも
に、シリコン単結晶に対する不純物の除去率を向上する
ことができる。
【図１】本発明の実施例による溶融時の単結晶引上装置
の一部を示す縦断面図。
の一部を示す縦断面図。
【図２】本発明の実施例による単結晶引き上げ時の単結
晶引上装置の一部を示す縦断面図。
晶引上装置の一部を示す縦断面図。
１２ チャンバ １４ ルツボ １６ カーボンルツボ １８ 石英ルツボ ２０ 支持部材 ２２ ヒータ ２３ ポリシリコン ２４ 保温材 ２６ 輻射シールド ２８ ワイヤ ３０ 開口部 ３２ つば部 ３４ 断熱筒組立体 ３６ 第１断熱筒 ３８ 第２断熱筒 ４０ 第３断熱筒 ４２ 第４断熱筒 ４４ シリコン融液 ４６ シリコンインゴット Ｓ、Ｔ ガスの流れる方向
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 掘 義明 新潟県北蒲原郡聖籠町東港六丁目861番５ 号 新潟東芝セラミックス株式会社内 Ｆターム(参考） 4G077 AA02 BA04 CF10 EG19 EG24 EG25
Claims (3)
- 【請求項１】 チャンバ（１２）内に輻射シールド（２
６）を備えたＣＺ法による単結晶引上装置において、輻
射シールド（２６）の外側に下向きに広がるように複数
の断熱筒(３６、３８、４０、４２)を多層式に伸縮可能
に取り付けたことを特徴とする単結晶引上装置。 - 【請求項２】 チャンバ（１２）内に輻射シールド（２
６）を備えたＣＺ法による単結晶引上装置において、輻
射シールド（２６）の外側に下向きに広がるように複数
の断熱筒(３６、３８、４０、４２)から成るテレスコピ
ックタイプの断熱筒組立体（３４）を取り付けたことを
特徴とする単結晶引上装置。 - 【請求項３】 各断熱筒(３６、３８、４０、４２)が、
円筒の上端に内周に張り出すフランジを形成するととも
に、円筒の下端に少くとも外周に張り出すフランジを形
成した筒型であり、輻射シールド（２６）の外側に下向
きに広がるように組立てられていることを特徴とする請
求項１又は２に記載の単結晶引上装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11141072A JP2000327489A (ja) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | 単結晶引上装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|---|
| WO2012031417A1 (zh) * | 2010-09-08 | 2012-03-15 | 有研半导体材料股份有限公司 | 一种直拉硅单晶棒内缺陷的调节方法 |
| JP2019199374A (ja) * | 2018-05-16 | 2019-11-21 | 住友金属鉱山株式会社 | 粉末状原料の充填方法 |
-
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2012031417A1 (zh) * | 2010-09-08 | 2012-03-15 | 有研半导体材料股份有限公司 | 一种直拉硅单晶棒内缺陷的调节方法 |
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| JP7006500B2 (ja) | 2018-05-16 | 2022-01-24 | 住友金属鉱山株式会社 | 粉末状原料の充填方法 |
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