JP2000323836A - Manufacture of metal core for printed wiring board having metal core - Google Patents

Manufacture of metal core for printed wiring board having metal core

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JP2000323836A
JP2000323836A JP11133333A JP13333399A JP2000323836A JP 2000323836 A JP2000323836 A JP 2000323836A JP 11133333 A JP11133333 A JP 11133333A JP 13333399 A JP13333399 A JP 13333399A JP 2000323836 A JP2000323836 A JP 2000323836A
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wiring board
printed wiring
metal core
metal
semiconductor chip
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JP11133333A
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Japanese (ja)
Inventor
Nobuyuki Ikeguchi
信之 池口
Toshihiko Kobayashi
敏彦 小林
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Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Original Assignee
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
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Publication date
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  • Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a metal core for a printed wiring board having excellent heat radiation, heat resistance after humid adsorption and the like with favorable workability at low cost in a printed wiring board having a metal core. SOLUTION: A clearance hole or slit is formed at a site other than where a semiconductor chip is mounted in a metal plate used to constitute a metal core. Subsequently, a metal core is formed by machining the semiconductor chip mounting site so that a plurality of protrusions in a truncated cone shape slightly taller than the metal core are provided on front and rear surfaces. Furthermore, a polyfunctional cyanate ester resin composite is used as a thermosetting resin composite. There can be provided a metal core for a printed wiring board for use in a semiconductor plastic package in a structure which is excellent in connection between the inner-layer metal core and the outer metal foil layer and heat radiation and suitable for mass production. Furthermore, there is provided a metal core with which a package excellent in properties such as electric insulation, anti-migration and the like after pressure cooking can be provided.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップを少
なくとも1個小型プリント配線板に搭載した形の、新規
な金属芯入り半導体プラスチックパッケージの金属芯の
製造方法に関する。得られたプリント配線板は、マイク
ロプロセッサー、マイクロコントローラー、ASIC、グラ
フィック等の比較的高ワットで、多端子高密度の半導体
プラスチックパッケージへの使用に適している。本半導
体プラスチックパッケージは、ハンダボールを用いてマ
ザーボードプリント配線板に実装して電子機器として使
用される。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a metal core of a novel semiconductor plastic package having a metal core, wherein at least one semiconductor chip is mounted on a small printed wiring board. The resulting printed wiring board is suitable for use in relatively high wattage, multi-terminal, high-density semiconductor plastic packages such as microprocessors, microcontrollers, ASICs, and graphics. The present semiconductor plastic package is mounted on a motherboard printed wiring board using solder balls and used as an electronic device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体プラスチックパッケージと
して、プラスチックボールグリッドアレイ(P-BGA)やプ
ラスチックランドグリッドアレイ(P-LGA)等、プラスチ
ックプリント配線板の上面に半導体チップを固定し、こ
のチップを、プリント配線板上面に形成された導体回路
にワイヤボンディングで結合し、プリント配線板の下面
にはハンダボールを用いて、マザーボードプリント配線
板と接続するための導体パッドを形成し、表裏回路導体
がメッキされたスルーホールで接続されて、半導体チッ
プが樹脂封止されている構造の半導体プラスチックパッ
ケージが公知である。本公知構造において、半導体から
発生する熱をマザーボードプリント配線板に拡散させる
ため、半導体チップを固定するための上面の金属箔から
下面に接続するメッキされた熱拡散スルーホールが形成
されている。この熱拡散スルーホールの孔を通して、水
分が半導体固定に使われている銀粉入り樹脂接着剤に吸
湿され、マザーボードへの実装時の加熱により、また、
半導体部品をマザーボードから取り外す際の加熱によ
り、層間フクレを生じさせる危険性があり、これはポッ
プコーン現象と呼ばれている。このポップコーン現象が
発生した場合、パッケージは使用不能となることが多
く、この現象を大幅に改善する必要がある。また、半導
体の高機能化、高密度化は、ますます発熱量の増大を意
味し、熱放散用のための半導体チップ直下のスルーホー
ルのみでは熱の放散は不十分となってきている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a semiconductor plastic package, a semiconductor chip such as a plastic ball grid array (P-BGA) or a plastic land grid array (P-LGA) is fixed on the upper surface of a plastic printed wiring board. It is connected to the conductor circuit formed on the upper surface of the printed wiring board by wire bonding, and the lower surface of the printed wiring board is formed with conductor pads for connection with the motherboard printed wiring board using solder balls, and the front and back circuit conductors are plated 2. Description of the Related Art A semiconductor plastic package having a structure in which a semiconductor chip is sealed with a resin by connecting through a formed through hole is known. In the known structure, a plated heat diffusion through hole is formed from the upper metal foil for fixing the semiconductor chip to the lower surface in order to diffuse the heat generated from the semiconductor to the motherboard printed wiring board. Through this heat diffusion through hole, moisture is absorbed by the resin adhesive containing silver powder used for fixing the semiconductor, and by heating when mounting on the motherboard,
There is a risk of causing interlayer blisters due to heating when the semiconductor component is removed from the motherboard, which is called a popcorn phenomenon. When this popcorn phenomenon occurs, the package often becomes unusable, and it is necessary to greatly improve this phenomenon. In addition, higher functionality and higher density of semiconductors mean more and more heat generation, and heat dissipation is insufficient with only through holes directly below the semiconductor chip for heat dissipation.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の問題
点を改善した金属芯入り半導プラスチッパッケージ用プ
リント配線板を提供するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a printed wiring board for a semiconductor plastic package containing a metal core in which the above problems are improved.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、プ
リント配線板の厚さ方向の一部に、プリント配線板とほ
ぼ同じ大きさの金属板を配置し、プリント配線板の片面
に少なくとも1個の半導体チップを固定し、該金属板と
プリント配線板表面の信号伝播回路導体とを熱硬化性樹
脂組成物で絶縁し、該回路導体と半導体チップとをワイ
ヤボンディング或いはフリップチップボンデヂィングで
接続し、少なくともプリント配線板表面上の信号伝搬回
路導体と、プリント配線板反対面に形成された回路導体
もしくは該パッケージを外部とハンダボールで接続する
ために形成された回路導体パッドとを、金属板と熱硬化
性樹脂組成物組成物で絶縁されたスルーホール導体で結
線し、ワイヤボンデヂィング接続の場合には、少なくと
も半導体チップ、半導体チップ、ワイヤ、ボンディング
パッドを樹脂封止している構造の半導体プラスチックパ
ッケージに用いるプリント配線板用金属芯の製造方法に
おいて、まず金属芯となる金属板の、半導体チップを搭
載する箇所以外にクリアランスホール又はスリット孔を
あけ、次いで、半導体チップ搭載箇所を、金型などで異
形状に加工して、表裏に複数の円錐台形の金属突起を、
金属板より高さがやや高くなるように両側から圧力を掛
けて形成して金属芯を作成するプリント配線板用金属芯
の製造方法を提供する。この金属芯を化学処理し、その
両側に、半導体チップ搭載用円錐台形状金属突起部面積
をくりぬいたプリプレグ、樹脂シート、或いは塗布樹脂
層を、積層成形後に金属突起よりやや低めに絶縁層が形
成されるように配置し、その外側に金属箔を置き、加
熱、加圧、好ましくは真空下に積層成形して一体化し、
金属芯入り両面金属箔張積層板を作成する。これに、ス
ルホール用貫通孔などをあけ、必要によりデスミア処理
を施し、金属メッキを施し、表面の半導体チップ搭載部
金属箔上の部分を残し、その他には回路を形成し、少な
くとも表面の半導体チップ搭載用金属箔上、ボンディン
グパッド、裏面のボールパッド上を除いてメッキレジス
トで被覆し、ニッケルメッキ、金メッキを施して金属芯
入半導体プラスチックパッケージ用プリント配線板とす
る。得られた半導体プラスチックパッケージは、熱伝導
性に優れ、半導体チップの下面からの吸湿がなく、吸湿
後の耐熱性すなわちポップコーン現象が大幅に改善され
る。さらに、熱硬化性樹脂として多官能性シアン酸エス
テル樹脂組成物を用いることにより、プレッシャークッ
カー後の電気絶縁性、耐マイグレーション性等に優れ、
加えて大量生産にも適しており、経済性の改善された、
新規な構造の半導体プラスチックパッケージを得ること
ができる。
That is, according to the present invention, a metal plate having substantially the same size as a printed wiring board is arranged in a part of the printed wiring board in a thickness direction, and at least one metal plate is provided on one surface of the printed wiring board. The semiconductor chip is fixed, the metal plate and the signal propagation circuit conductor on the surface of the printed wiring board are insulated with a thermosetting resin composition, and the circuit conductor and the semiconductor chip are bonded by wire bonding or flip chip bonding. Connecting, at least a signal propagation circuit conductor on the surface of the printed wiring board, and a circuit conductor formed on the opposite surface of the printed wiring board or a circuit conductor pad formed for connecting the package to the outside with solder balls. The board is connected with a through-hole conductor insulated with a thermosetting resin composition composition, and in the case of wire bonding connection, at least a semiconductor chip, In a method of manufacturing a metal core for a printed wiring board used for a semiconductor plastic package having a structure in which a conductive chip, a wire, and a bonding pad are sealed with a resin, first, a clearance is formed on a metal plate serving as the metal core except for a portion where the semiconductor chip is mounted. Drill a hole or a slit hole, then process the semiconductor chip mounting location into a different shape using a mold, etc., and form a plurality of truncated cone-shaped metal protrusions on the front and back,
Provided is a method for manufacturing a metal core for a printed wiring board, wherein a metal core is formed by applying pressure from both sides so as to be slightly higher than a metal plate. This metal core is chemically treated, and a prepreg, a resin sheet, or a coating resin layer having a truncated cone-shaped metal projection area for mounting a semiconductor chip is formed on both sides thereof, and an insulating layer is formed slightly lower than the metal projection after lamination molding. Arranged so that it is placed, put a metal foil on the outside, heat, pressurized, preferably laminated and integrated under vacuum, integrated,
Create double-sided metal foil clad laminate with metal core. Drill through holes for through holes, apply desmear treatment if necessary, apply metal plating, leave the part on the metal foil on the surface of the semiconductor chip mounting part, and form a circuit on the other, at least the semiconductor chip on the surface Except for the mounting metal foil, the bonding pad, and the ball pad on the back surface, the coated wiring is covered with a plating resist, and nickel plating and gold plating are performed to obtain a printed wiring board for a semiconductor plastic package with a metal core. The obtained semiconductor plastic package is excellent in thermal conductivity, does not absorb moisture from the lower surface of the semiconductor chip, and greatly improves heat resistance after absorbing moisture, that is, the popcorn phenomenon. Furthermore, by using a polyfunctional cyanate resin composition as a thermosetting resin, it is excellent in electrical insulation after pressure cooker, migration resistance, and the like,
In addition, it is suitable for mass production and has improved economy.
A semiconductor plastic package having a novel structure can be obtained.

【0005】[0005]

【発明の実施の形態】本発明で製造された銅張板を用い
て作成された半導体プラスチックパッケージは、厚み方
向の一部に、プリント配線板とほぼ同じ大きさの金属板
を配置し、プリント配線板の片面に少なくとも1個以上
の半導体チップを固定し、該金属板とプリント配線板表
面の信号伝播回路導体とを熱硬化性樹脂組成物で絶縁
し、この信号伝搬回路導体と半導体チップとをワイヤボ
ンディング或いはフリップチップボンディングで接続
し、少なくともプリント配線板表面上の該回路導体と、
プリント配線板反対面に形成された回路導体もしくは該
パッケージを外部とハンダボールで接続するために形成
された回路導体パッドとを、金属板と樹脂組成物で絶縁
されたスルーホール導体で結線し、ワイヤボンディング
接続の場合、少なくとも半導体チップ、ワイヤ、ボンデ
ィングパッドを樹脂封止している構造の半導体プラスチ
ックパッケージである。本発明の金属芯は、まず金属板
の、半導体チップを搭載する箇所以外に、クリアランス
ホール、又はスリット孔を形成し、次いで、パッケージ
のほぼ中央に形成された半導体チップを搭載する部分
は、金型加工などで表裏に圧力を掛けて複数の円錐台形
状突起を、その高さが金属板よりやや高めとなるように
形成し、金属芯とする。この金属芯の表面を化学処理
し、金属突起部を有する面積よりやや大きめに突起部分
を切除した半硬化状態のプリプレグ、樹脂シート、或い
は塗布樹脂層を配置し、その外側に金属箔を置き、加
熱、加圧下、好ましくは真空下に積層成形して一体化し
た後、メカニカルドリル、レーザーなどにてスルーホー
ル用貫通孔を、内層の金属板に接触しないようにあけ、
必要によりデスミア処理後に金属メッキを施し、表裏に
回路を形成する。ワイヤボンディング接続の場合、少な
くとも表面の半導体チップ、ワイヤボンディングパッ
ド、裏面のボールパッド以外をメッキレジストで被覆
し、ニッケルメッキ、金メッキを施してプリント配線板
を作成する。表面の円錐台形状金属突起に接触した金属
箔上に半導体チップを固定し、半導体チップはワイヤボ
ンディング或いはフリップチップボンディングで周囲の
回路導体と接続されている。、ワイヤボンディングの場
合には、少なくとも半導体チップ、ボンディングワイ
ヤ、ボンディングパッドが樹脂封止されている。裏面の
円錐台形突起上の、貴金属メッキされた金属箔と接続し
たハンダボールパッドにはハンダボールを溶融させてマ
ザーボードプリント配線板と接合した形態とし、表裏の
回路導体及び導通用のメッキされたスルーホールは、熱
硬化性樹脂組成物で絶縁された構造となっている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A semiconductor plastic package manufactured by using a copper-clad board manufactured according to the present invention has a metal plate having substantially the same size as a printed wiring board arranged in a part of the thickness direction. At least one or more semiconductor chips are fixed to one surface of the wiring board, and the metal plate and the signal propagation circuit conductor on the surface of the printed wiring board are insulated with a thermosetting resin composition. Are connected by wire bonding or flip chip bonding, and at least the circuit conductor on the surface of the printed wiring board,
A circuit conductor formed on the opposite surface of the printed wiring board or a circuit conductor pad formed for connecting the package to the outside with solder balls, is connected with a metal plate and a through-hole conductor insulated with a resin composition, In the case of wire bonding connection, a semiconductor plastic package having a structure in which at least a semiconductor chip, a wire, and a bonding pad are resin-sealed. In the metal core of the present invention, first, a clearance hole or a slit hole is formed in a metal plate other than the portion where the semiconductor chip is mounted, and then the portion where the semiconductor chip formed substantially in the center of the package is mounted is formed of gold. A plurality of truncated cone-shaped protrusions are formed by applying pressure to the front and back surfaces by molding or the like so that the height thereof is slightly higher than that of the metal plate, thereby forming a metal core. The surface of this metal core is chemically treated, and a semi-cured prepreg, a resin sheet, or a coating resin layer in which the protrusions are cut off slightly larger than the area having the metal protrusions is arranged, and a metal foil is placed outside the prepreg, Heating, under pressure, preferably after laminating and integrating under vacuum, mechanical drill, through holes for through holes with laser, etc., so as not to contact the inner metal plate,
If necessary, metal plating is performed after the desmear treatment to form circuits on the front and back. In the case of the wire bonding connection, at least parts other than the semiconductor chip, the wire bonding pads on the front surface, and the ball pads on the back surface are covered with a plating resist, and nickel plating and gold plating are performed to produce a printed wiring board. A semiconductor chip is fixed on a metal foil in contact with a truncated conical metal protrusion on the surface, and the semiconductor chip is connected to surrounding circuit conductors by wire bonding or flip chip bonding. In the case of wire bonding, at least a semiconductor chip, bonding wires, and bonding pads are sealed with a resin. The solder ball pad connected to the precious metal-plated metal foil on the frustoconical projection on the back side is made by melting the solder ball and joining it to the motherboard printed wiring board, and the front and back circuit conductors and plated through for conduction The holes have a structure insulated by a thermosetting resin composition.

【0006】公知のスルーホールを有する金属芯プリン
ト配線板の上面に半導体チップを固定する方法において
は、従来のP-BGAパッケージと同様に半導体チップから
の熱は直下の熱放散用スルーホールに落として熱放散せ
ざるを得ず、 ポップコーン現象は改善できない。本発
明においては、金属芯とする金属平板の、半導体チップ
を搭載する箇所以外に、公知の方法で、クリアランスホ
ール又はスリット孔をあけ、次いで中央の半導体チップ
搭載面積部分に、機械加工で圧力を両面に掛け、複数の
円錐台形状の金属突起を形成する。この金属突起の高さ
は、金属板の高さよりやや高め、好ましくは50〜150μm
の高さとなるように形成する。この金属芯の両面に、金
属突起面積よりやや大きめに孔をあけた半硬化状態のプ
リプレグ、樹脂シート或いは塗布樹脂層を積層成形後に
突起の高さよりやや低めになるようにして配置し、その
外側には金属箔を置いて、加熱、加圧、好ましくは真空
下に、積層成形して、内層金属芯入り両面金属箔張板を
製造する。クリアランスホール又はスリット孔の箇所
に、内層の金属芯に接触しないように、メカニカルドリ
ル或いはレーザーなどで表裏回路導通用のスルーホール
をあけ、必要によりデスミア処理を施し、金属メッキを
施した後に、表裏に回路を形成する。その後、少なくと
も、半導体チップ搭載部、ボンディングパッド部、及び
裏面のハンダボールパッド部以外をメッキレジストで被
覆し、ニッケルメッキ、金メッキを施してプリント配線
板とする。
In a known method of fixing a semiconductor chip on the upper surface of a metal-core printed wiring board having a through hole, heat from the semiconductor chip is dropped to a heat dissipation through hole immediately below, similarly to a conventional P-BGA package. Heat must be dissipated, and the popcorn phenomenon cannot be improved. In the present invention, in a metal flat plate serving as a metal core, in addition to the place where the semiconductor chip is mounted, a clearance hole or a slit hole is formed by a known method, and then the central semiconductor chip mounting area is pressurized by machining. A plurality of truncated cone-shaped metal projections are formed on both sides. The height of the metal projection is slightly higher than the height of the metal plate, preferably 50 to 150 μm.
Is formed to have a height of On both sides of this metal core, a semi-cured prepreg, a resin sheet or a coating resin layer with a hole slightly larger than the area of the metal protrusion is arranged so as to be slightly lower than the height of the protrusion after lamination molding, and , A metal foil is placed and laminated under heat, pressure and preferably under vacuum to produce a double-sided metal foil clad board with an inner metal core. At the clearance hole or slit hole, make a through hole for front and back circuit conduction with a mechanical drill or laser etc. so that it does not contact the metal core of the inner layer, perform desmear treatment if necessary, apply metal plating, To form a circuit. After that, at least parts other than the semiconductor chip mounting part, the bonding pad part, and the solder ball pad part on the back surface are covered with a plating resist, and nickel plating and gold plating are performed to obtain a printed wiring board.

【0007】金属芯の形成方法としては、特に限定しな
いが、例えば、まず金属平板の、円錐台形金属突起部を
形成する範囲を残して、クリアランスホール又はスリッ
ト孔を、打ち抜き加工、ドリル、レーザー、エッチング
などであけ、次いで、金属板の円錐台形突起を形成する
位置のみに、金型などで上下から圧力を掛けて、円錐台
形突起を機械的な加工で形成する。この場合、円錐台形
の突起の大きさは特に限定しないが、好ましくは、台形
上部の径が50〜500μm、下部の径が100μm〜1mmとす
る。金属突起の高さは、元の金属板の高さよりやや高
め、好ましくは50〜150μm高めとする。
The method of forming the metal core is not particularly limited. For example, first, a clearance hole or a slit hole is punched, drilled, laser, or the like, except for a region where a truncated cone-shaped metal projection is formed on a flat metal plate. Etching or the like is performed, and then pressure is applied from above and below with a mold or the like to only the position where the truncated conical projection of the metal plate is formed, and the truncated conical projection is formed by mechanical processing. In this case, the size of the truncated cone-shaped projection is not particularly limited, but preferably, the diameter of the upper portion of the trapezoid is 50 to 500 μm, and the diameter of the lower portion is 100 μm to 1 mm. The height of the metal projection is slightly higher than the height of the original metal plate, preferably 50 to 150 μm.

【0008】円錐台形状突起とクリアランスホール又は
スリット孔が形成された金属板の表面を公知の方法で酸
化処理、微細凹凸形成、皮膜形成等の接着性や電気絶縁
性向上のための表面処理を必要に応じて施す。円錐台形
状突起上には、熱伝導性接着剤、又はハンダを付着させ
ておいてもよい。表面処理された表裏面の円錐台形状突
起の部分には、その形状の面積よりやや大きめのプリプ
レグ、樹脂シート、或いは塗布樹脂層を、円錐台形状の
突起の高さより積層成形後にやや低めになるように配置
し、その外側に金属箔を置き、加熱、加圧、好ましくは
真空下に積層成形し、クリアランスホール又はスリット
孔に熱硬化性樹脂を充填するとともに、円錐台形金属突
起部先端を表層の金属箔に食い込ませるか、強く接触さ
せて接合させて一体化し、金属芯入り両面金属箔張板を
作成する。
The surface of the metal plate on which the truncated cone-shaped protrusions and the clearance holes or slit holes are formed is subjected to a surface treatment for improving adhesion and electrical insulation such as oxidation treatment, formation of fine irregularities, and formation of a film by a known method. Apply as needed. A heat conductive adhesive or solder may be adhered to the truncated conical projection. In the surface-treated front and back frusto-conical protrusions, the prepreg, resin sheet, or coating resin layer slightly larger than the area of the shape is slightly lower than the height of the truncated conical protrusions after lamination molding. Arranged in such a way, put a metal foil on the outside, heat, pressurize, preferably laminated under vacuum, fill the clearance hole or slit hole with thermosetting resin, and put the tip of the truncated cone-shaped metal protrusion on the surface Or a metal foil with a metal core to form a double-sided metal foil clad board.

【0009】得られた両面金属箔張板の、クリアランス
ホールまたはスリット孔が形成された箇所に、スルーホ
ールをメカニカルドリル或いはレーザー等、公知の方法
で金属芯と接触しないようにあけ、全体を金属メッキす
る。裏面は金属突起部と接触する箇所を避けてボールパ
ッドを形成するのが好ましい。この場合、このボールパ
ッドを金属突起上の金属箔と回路で接続するようにして
全体に公知の方法で回路を形成するようにする。この場
合、少なくとも表層の半導体チップ搭載部、ボンディン
グパッド部、及び裏面のハンダボールパッド部以外をメ
ッキレジストで被覆し、ニッケル、金メッキを施し、プ
リント配線板を作成する。その後、ワイヤボンディング
では、表面の半導体チップ搭載部に熱伝導性接着剤で半
導体チップを接着固定し、ワイヤボンディングし、樹脂
封止して半導体プラスチックパッケージとする。フリッ
プチップボンディングの場合、放熱用のバンプは中央の
円錐台形状突起が接触している金属箔面の上に接続し、
信号伝播用バンプは、それ以外の信号伝播用回路に接続
する。基板と半導体チップの間の隙間はアンダーフィル
レジンにて充填し、硬化して固定する。裏面のハンダボ
ールパッドは、円錐台形突起上に形成しても良いが、ボ
ールの接着力を向上させるためには円錐台形突起上にボ
ールパッドと接続する回路を設け、この導体と接続する
ようにして、突起部上部以外に作成するのが好ましい。
そしてこの裏面のハンダボールパッド部をハンダボール
でマザーボードプリント配線板に接合する。半導体チッ
プから発生した熱は、半導体チップ搭載部分から熱伝導
して金属芯の円錐台形突起部を通り、金属芯に伝達し、
反対面の金属円錐台形突起を通ってハンダボール用パッ
ドに伝導し、ハンダボールで接合したマザーボードプリ
ント配線板に拡散する。
In the obtained double-sided metal foil-clad board, a through hole is formed at a place where a clearance hole or a slit hole is formed so as not to come into contact with a metal core by a known method such as a mechanical drill or a laser. Plate. It is preferable that a ball pad be formed on the back surface so as not to be in contact with the metal protrusion. In this case, the ball pad is connected to the metal foil on the metal protrusion by a circuit so that a circuit is formed by a generally known method. In this case, at least the surface layer other than the semiconductor chip mounting portion, the bonding pad portion, and the solder ball pad portion on the back surface are covered with a plating resist, and nickel and gold plating is performed to produce a printed wiring board. Thereafter, in the wire bonding, a semiconductor chip is bonded and fixed to the semiconductor chip mounting portion on the surface with a thermally conductive adhesive, wire-bonded, and resin-sealed to obtain a semiconductor plastic package. In the case of flip chip bonding, the heat dissipation bump is connected to the metal foil surface where the central frustoconical projection is in contact,
The signal propagation bumps are connected to other signal propagation circuits. The gap between the substrate and the semiconductor chip is filled with an underfill resin, cured and fixed. The solder ball pad on the back surface may be formed on a truncated conical projection, but in order to improve the adhesion of the ball, a circuit for connecting to the ball pad is provided on the truncated conical projection and connected to this conductor. Therefore, it is preferable to make it on the portion other than the upper portion of the protrusion.
Then, the solder ball pad portion on the back surface is joined to the motherboard printed wiring board with solder balls. The heat generated from the semiconductor chip is conducted from the semiconductor chip mounting portion, passes through the truncated conical projection of the metal core, and is transmitted to the metal core,
Conduction is transmitted to the solder ball pad through the metal truncated conical protrusion on the opposite surface, and diffuses to the motherboard printed wiring board joined by the solder ball.

【0010】金属板の側面については、熱硬化性樹脂組
成物で埋め込まれている形、露出している形、いずれの
形でも良いが、錆発生を防ぐ等の点から熱硬化性樹脂組
成物で被覆されている方が好ましい。
[0010] The side surface of the metal plate may be in a form of being embedded with the thermosetting resin composition or in an exposed form, but from the viewpoint of preventing rusting, etc. It is more preferable that it is coated with.

【0011】表裏信号回路用のスルーホール用孔は、樹
脂の埋め込まれた金属板クリアランスホール又はスリッ
ト孔のほぼ中央に、金属板と接触しないように形成す
る。次いで無電解メッキや電解メッキによりスルーホー
ル内部の導体層を形成して、メッキされたスルーホール
を形成する。
The through hole for the front and back signal circuits is formed substantially at the center of the metal plate clearance hole or slit hole in which the resin is embedded so as not to contact the metal plate. Next, a conductor layer inside the through hole is formed by electroless plating or electrolytic plating to form a plated through hole.

【0012】表裏の回路を形成後、貴金属メッキを、少
なくとも、半導体チップ搭載部分、ボンディングパッド
部分及びハンダボールパッド部分の表面に形成してプリ
ント配線板を完成させる。この場合、貴金属メッキの必
要のない箇所は、事前にメッキレジストで被覆してお
く。または、メッキ後に、必要により公知の熱硬化性樹
脂組成物、或いは光選択熱硬化性樹脂組成物で、少なく
ともボンディングパッド、反対面のハンダボール接着用
パッド以外の表面に皮膜を形成する。
After the front and back circuits are formed, noble metal plating is formed on at least the surfaces of the semiconductor chip mounting portion, the bonding pad portion, and the solder ball pad portion to complete the printed wiring board. In this case, a portion that does not require noble metal plating is covered with a plating resist in advance. Alternatively, after plating, a film is formed on at least the surface other than the bonding pad and the opposite surface of the solder ball bonding pad with a known thermosetting resin composition or a photo-selective thermosetting resin composition as necessary.

【0013】ワイヤボンディングの場合、該プリント配
線板の、内層円錐台形金属芯上に接触した表層の金属箔
上に半導体チップを、熱伝導性接着剤を用いて固定し、
さらに半導体チップとプリント配線板回路のボンディン
グパッドとをワイヤボンディング法で接続し、少なくと
も、半導体チップ、ボンディングワイヤ、及びボンディ
ングパッドを公知の封止樹脂で封止する。
In the case of wire bonding, a semiconductor chip is fixed on a surface metal foil in contact with the inner layer frustum-shaped metal core of the printed wiring board using a heat conductive adhesive,
Further, the semiconductor chip and the bonding pad of the printed wiring board circuit are connected by a wire bonding method, and at least the semiconductor chip, the bonding wire, and the bonding pad are sealed with a known sealing resin.

【0014】半導体チップと反対面のハンダボール接続
用導体パッドに、ハンダボールを接続してP-BGAを作
り、マザーボードプリント配線板上の回路にハンダボー
ルを重ね、熱によってボールを熔融接続するか、または
パッケージにハンダボールをつけずにP-LGAを作り、マ
ザーボードプリント配線板に実装する時に、マザーボー
ドプリント配線板面に形成されたハンダボール接続用導
体パッドとP-LGA用のハンダボール用導体パッドとを、
ハンダボールを加熱熔融することにより接続する。
A solder ball is connected to the solder ball connecting conductor pad on the opposite side of the semiconductor chip to form a P-BGA, and the solder ball is superimposed on a circuit on a motherboard printed wiring board, and the ball is melt-connected by heat. When making a P-LGA without attaching solder balls to the package and mounting it on the motherboard printed wiring board, the solder ball connection conductor pad formed on the motherboard printed wiring board surface and the solder ball conductor for the P-LGA The pad and
The solder balls are connected by heating and melting.

【0015】本発明に用いる金属板は、特に限定しない
が、高弾性率、高熱伝導性で、厚さ30〜100μm、好適に
は50〜75μmである。具体的には、純銅、無酸素銅、そ
の他、銅が95重量%以上のFe、Sn、P、Cr、Zr、.Zn等と
の合金が好適に使用される。また、合金の表面を銅メッ
キした金属板等も使用され得る。
The metal plate used in the present invention is not particularly limited, but has a high elastic modulus and a high thermal conductivity and a thickness of 30 to 100 μm, preferably 50 to 75 μm. Specifically, pure copper, oxygen-free copper, and alloys of Fe, Sn, P, Cr, Zr, .Zn and the like containing 95% by weight or more of copper are preferably used. Further, a metal plate or the like in which the surface of the alloy is plated with copper may be used.

【0016】本発明の金属円錐台形突起部の高さは、特
に限定はないが、ベースの金属板より50〜150μm高めと
なるようにするのが好い。又、プリプレグ、樹脂シート
等の絶縁層の厚さは、積層成形後に金属円錐台形突起の
高さよりやや低め、好ましくは5〜10μm低めとなるよう
にし、積層成形後に、円錐台形突起の間、及びクリアラ
ンスホール又はスリット孔に樹脂を充填し、円錐台形突
起の先端部は、少なくとも表層金属箔の一部と圧力で接
触、接合させる。
The height of the metal truncated conical protrusion of the present invention is not particularly limited, but is preferably set to be 50 to 150 μm higher than the base metal plate. Also, the thickness of the insulating layer of the prepreg, the resin sheet, etc., is slightly lower than the height of the metal truncated conical projections after lamination molding, preferably 5 to 10 μm lower, after lamination molding, between the truncated conical projections, and The clearance hole or the slit hole is filled with resin, and the tip of the truncated conical projection is brought into contact with and joined to at least a part of the surface metal foil by pressure.

【0017】金属円錐台形突起部形成範囲は、半導体チ
ップ面積前後であり、一般的には5〜20mm角以内とし、
半導体チップ固定箇所及びその反対面に存在するように
する。好ましくは、裏面の金属突起部と接触した金属箔
の箇所を避けてボールパッドを形成し、このボールパッ
ドと回路で突起上の金属箔と接続するようにして、ボー
ルパッド部と基板との接着強度を保持し、ボールに横か
ら圧力がかかった場合の剥離強度(ボールシェア強度)
が保持できるようにする。
The range in which the metal truncated cone-shaped protrusions are formed is around the semiconductor chip area, and is generally within 5 to 20 mm square.
It should be present at the semiconductor chip fixing location and the opposite surface. Preferably, a ball pad is formed avoiding a portion of the metal foil in contact with the metal projection on the back surface, and the ball pad and the circuit are connected to the metal foil on the projection so that the ball pad is bonded to the substrate. Peel strength (ball shear strength) when pressure is applied to the ball from the side while maintaining strength
To be able to hold.

【0018】本発明で使用される熱硬化性樹脂組成物の
樹脂としては、一般に公知の熱硬化性樹脂が使用され
る。具体的には、エポキシ樹脂、多官能性シアン酸エス
テル樹脂、 多官能性マレイミドーシアン酸エステル樹
脂、多官能性マレイミド樹脂、不飽和基含有ポリフェニ
レンエーテル樹脂等が挙げられ、1種或いは2種類以上が
組み合わせて使用される。耐熱性、耐湿性、耐マイグレ
ーション性、吸湿後の電気的特性等の点から多官能性シ
アン酸エステル樹脂組成物が好適である。
As the resin of the thermosetting resin composition used in the present invention, generally known thermosetting resins are used. Specifically, an epoxy resin, a polyfunctional cyanate ester resin, a polyfunctional maleimide-cyanate ester resin, a polyfunctional maleimide resin, an unsaturated group-containing polyphenylene ether resin, and the like, and one or more kinds Are used in combination. Polyfunctional cyanate ester resin compositions are preferred from the viewpoints of heat resistance, moisture resistance, migration resistance, electrical properties after moisture absorption, and the like.

【0019】本発明の好適な熱硬化性樹脂分である多官
能性シアン酸エステル化合物とは、分子内に2個以上の
シアナト基を有する化合物である。具体的に例示する
と、1,3-又は1,4-ジシアナトベンゼン、1,3,5-トリシア
ナトベンゼン、1,3-、1,4-、1,6-、1,8-、2,6-又は2,7-
ジシアナトナフタレン、1,3,6-トリシアナトナフタレ
ン、4,4-ジシアナトビフェニル、ビス(4-ジシアナトフ
ェニル)メタン、2,2-ビス(4-シアナトフェニル)プロパ
ン、2,2-ビス(3,5-ジブロモー4-シアナトフェニル)プロ
パン、ビス(4-シアナトフェニル)エーテル、ビス(4-シ
アナトフェニル)チオエーテル、ビス(4-シアナトフェニ
ル)スルホン、トリス(4-シアナトフェニル)ホスファイ
ト、トリス(4-シアナトフェニル)ホスフェート、および
ノボラックとハロゲン化シアンとの反応により得られる
シアネート類などである。
The polyfunctional cyanate compound which is a preferred thermosetting resin component of the present invention is a compound having two or more cyanato groups in a molecule. Specific examples include 1,3- or 1,4-dicyanatobenzene, 1,3,5-tricyanatobenzene, 1,3-, 1,4-, 1,6-, 1,8-, 2 , 6- or 2,7-
Dicyanatonaphthalene, 1,3,6-tricyanatonaphthalene, 4,4-dicyanatobiphenyl, bis (4-dicyanatophenyl) methane, 2,2-bis (4-cyanatophenyl) propane, 2,2- Bis (3,5-dibromo-4-cyanatophenyl) propane, bis (4-cyanatophenyl) ether, bis (4-cyanatophenyl) thioether, bis (4-cyanatophenyl) sulfone, tris (4-cy (Anatophenyl) phosphite, tris (4-cyanatophenyl) phosphate, and cyanates obtained by reacting novolak with cyanogen halide.

【0020】これらのほかに特公昭41-1928、同43-1846
8、同44-4791、同45-11712、同46-41112、同47-26853及
び特開昭51-63149号公報等に記載の多官能性シアン酸エ
ステル化合物類も用いられ得る。また、これら多官能性
シアン酸エステル化合物のシアナト基の三量化によって
形成されるトリアジン環を有する分子量400〜6,000のプ
レポリマーが使用される。このプレポリマーは、上記の
多官能性シアン酸エステルモノマーを、例えば鉱酸、ル
イス酸等の酸類;ナトリウムアルコラート等、第三級ア
ミン類等の塩基;炭酸ナトリウム等の塩類等を触媒とし
て重合させることにより得られる。このプレポリマー中
には一部未反応のモノマーも含まれており、モノマーと
プレポリマーとの混合物の形態をしており、このような
原料は本発明の用途に好適に使用される。一般には可溶
な有機溶剤に溶解させて使用する。
In addition to these, Japanese Patent Publication Nos. 41-1928 and 43-1846
8, polyfunctional cyanate compounds described in JP-A-44-4791, JP-A-45-11712, JP-A-46-41112, JP-A-47-26853 and JP-A-51-63149 can also be used. Further, a prepolymer having a molecular weight of 400 to 6,000 and having a triazine ring formed by trimerization of a cyanato group of these polyfunctional cyanate compounds is used. This prepolymer is obtained by polymerizing the above-mentioned polyfunctional cyanate ester monomer with a catalyst such as an acid such as a mineral acid or a Lewis acid; a base such as a tertiary amine such as sodium alcoholate; or a salt such as sodium carbonate. It can be obtained by: The prepolymer also contains some unreacted monomers and is in the form of a mixture of the monomer and the prepolymer, and such a raw material is suitably used for the purpose of the present invention. Generally, it is used after being dissolved in a soluble organic solvent.

【0021】エポキシ樹脂としては、一般に公知のもの
が使用できる。具体的には、液状或いは固形のビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹
脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂;ブタ
ジエン、ペンタジエン、ビニルシクロヘキセン、ジシク
ロペンチルエーテル等の二重結合をエポキシ化したポリ
エポキシ化合物類;ポリオール、水酸基含有シリコン樹
脂類とエポハロヒドリンとの反応によって得られるポリ
グリシジル化合物類等が挙げられる。これらは1種或い
は2種類以上が組み合わせて使用され得る。
As the epoxy resin, a generally known epoxy resin can be used. Specifically, liquid or solid bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, alicyclic epoxy resin; butadiene, pentadiene, vinylcyclohexene, dicyclopentyl ether, etc. And polyglycidyl compounds obtained by reacting a polyol, a hydroxyl-containing silicone resin with an epohalohydrin, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

【0022】ポリイミド樹脂としては、一般に公知のも
のが使用され得る。具体的には、多官能性マレイミド類
とポリアミン類との反応物、特公昭57-005406 に記載の
末端三重結合のポリイミドが挙げられる。
As the polyimide resin, generally known ones can be used. Specific examples thereof include a reaction product of a polyfunctional maleimide and a polyamine, and a polyimide having a terminal triple bond described in JP-B-57-005406.

【0023】これらの熱硬化性樹脂は、単独でも使用さ
れるが、特性のバランスを考え、適宜組み合わせて使用
するのが良い。
These thermosetting resins may be used alone, but it is preferable to use them in an appropriate combination in consideration of the balance of properties.

【0024】本発明で使用される熱硬化性樹脂組成物に
は、組成物本来の特性が損なわれない範囲で、所望に応
じて種々の添加物を配合することができる。これらの添
加物としては、不飽和ポリエステル等の重合性二重結合
含有モノマー類及びそのプレポリマー類;ポリブタジエ
ン、エポキシ化ブタジエン、マレイン化ブタジエン、ブ
タジエン-アクリロニトリル共重合体、ポリクロロプレ
ン、ブタジエン-スチレン共重合体、ポリイソプレン、
ブチルゴム、フッ素ゴム、天然ゴム等の低分子量液状〜
高分子量のelasticなゴム類;ポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリブテン、ポリ-4-メチルペンテン、ポリスチ
レン、AS樹脂、ABS樹脂、MBS樹脂、スチレン-イソプレ
ンゴム、ポリエチレン-プロピレン共重合体、4-フッ化
エチレン-6-フッ化エチレン共重合体類;ポリカーボネー
ト、ポリフェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリエス
テル、ポリフェニレンサルファイド等の高分子量プレポ
リマー若しくはオリゴマー;ポリウレタン等が例示さ
れ、適宜使用される。また、その他、公知の無機或いは
有機の充填剤、染料、顔料、増粘剤、滑剤、消泡剤、分
散剤、レベリング剤、光増感剤、難燃剤、光沢剤、重合
禁止剤、チキソ性付与剤等の各種添加剤が、所望に応じ
て適宜組み合わせて用いられる。必要により、反応基を
有する化合物は硬化剤、触媒が適宜配合される。
Various additives can be added to the thermosetting resin composition used in the present invention, if desired, as long as the inherent properties of the composition are not impaired. These additives include polymerizable double bond-containing monomers such as unsaturated polyesters and prepolymers thereof; polybutadiene, epoxidized butadiene, maleated butadiene, butadiene-acrylonitrile copolymer, polychloroprene, butadiene-styrene copolymer. Polymer, polyisoprene,
Low molecular weight liquid such as butyl rubber, fluoro rubber, natural rubber, etc.
High molecular weight elastic rubbers; polyethylene, polypropylene, polybutene, poly-4-methylpentene, polystyrene, AS resin, ABS resin, MBS resin, styrene-isoprene rubber, polyethylene-propylene copolymer, 4-fluoroethylene- 6-fluorinated ethylene copolymers; high molecular weight prepolymers or oligomers such as polycarbonate, polyphenylene ether, polysulfone, polyester, and polyphenylene sulfide; and polyurethane are exemplified and used as appropriate. Other known inorganic or organic fillers, dyes, pigments, thickeners, lubricants, defoamers, dispersants, leveling agents, photosensitizers, flame retardants, brighteners, polymerization inhibitors, thixotropic Various additives such as imparting agents are used in combination as needed. If necessary, the compound having a reactive group is appropriately blended with a curing agent and a catalyst.

【0025】本発明の熱硬化性樹脂組成物は、それ自体
は加熱により硬化するが硬化速度が遅く、作業性、経済
性等に劣るため使用した熱硬化性樹脂に対して公知の熱
硬化触媒を用い得る。使用量は、熱硬化性樹脂100重量
部に対して0.005〜10重量部、好ましくは0.01〜5重量部
である。
The thermosetting resin composition of the present invention can be cured by heating itself, but has a low curing rate and is inferior in workability and economic efficiency. Can be used. The amount used is 0.005 to 10 parts by weight, preferably 0.01 to 5 parts by weight, per 100 parts by weight of the thermosetting resin.

【0026】プリプレグの補強基材として使用するもの
は、一般に公知の無機或いは有機の織布、不織布が使用
される。具体的には、Eガラス、Sガラス、Dガラス等の
公知のガラス繊維布、全芳香族ポリアミド繊維布、液晶
ポリエステル繊維布等が挙げられる。これらは、混抄で
も良い。 また、ポリイミドフィルム等のフィルムの表
裏に熱硬化性樹脂組成物を塗布、加熱して半硬化状態に
したものも使用できる。
As the reinforcing base material of the prepreg, generally known inorganic or organic woven or nonwoven fabric is used. Specific examples include known glass fiber cloths such as E glass, S glass, and D glass, wholly aromatic polyamide fiber cloths, and liquid crystal polyester fiber cloths. These may be mixed. Alternatively, a thermosetting resin composition applied to the front and back of a film such as a polyimide film and heated to a semi-cured state can be used.

【0027】最外層の金属箔は、一般に公知のものが使
用できる。好適には厚さ3〜18μmの銅箔、ニッケル箔等
が使用される。
As the outermost metal foil, generally known ones can be used. Preferably, a copper foil, a nickel foil or the like having a thickness of 3 to 18 μm is used.

【0028】金属板に形成するクリアランスホール径又
はスリット幅は、表裏導通用スルーホール径よりやや大
きめに形成する。具体的には、該スルーホール壁と金属
板クリアランスホール又はスリット孔壁とは50μm以上
の距離が、熱硬化性樹脂組成物で絶縁されていることが
好ましい。表裏導通用スルーホール径については、特に
限定はないが、50〜300μmが好適である。
The diameter of the clearance hole or the width of the slit formed in the metal plate is slightly larger than the diameter of the through hole for front and back conduction. Specifically, it is preferable that a distance of 50 μm or more between the through hole wall and the metal plate clearance hole or the slit hole wall is insulated by the thermosetting resin composition. The diameter of the through hole for front / back conduction is not particularly limited, but is preferably 50 to 300 μm.

【0029】本発明のプリント配線板用プリプレグを作
成する場合、基材に熱硬化性樹脂組成物を含浸、乾燥
し、半硬化状態の積層材料とする。また基材を使用しな
い半硬化状態とした樹脂シートが使用できる。また塗料
も使用できる。プリプレグ等の半硬化の樹脂層を作成す
る温度は一般的には100〜180℃である。時間は5〜60分
であり、目的とするフローの程度により、適宜選択す
る。
When preparing the prepreg for a printed wiring board of the present invention, the substrate is impregnated with a thermosetting resin composition and dried to obtain a semi-cured laminated material. Further, a resin sheet in a semi-cured state without using a base material can be used. Paints can also be used. The temperature for forming a semi-cured resin layer such as a prepreg is generally 100 to 180 ° C. The time is 5 to 60 minutes, and is appropriately selected depending on the desired flow rate.

【0030】本発明の金属芯及びこれを用いた半導体プ
ラスチックパッケージ用プリント配線板を作成する方法
は特に限定しないが、例えば以下(図1、2)の方法に
よる。 (1) 金属芯となる金属板(a)の、半導体チップを固定す
る箇所以外の箇所にクリアランスホール(b)を打ち抜き
であけ、 (2) 中央部の半導体チップ搭載部面積部分に金型(c)で
円錐台形状突起(d)を形成し、この表面を黒色酸化銅処
理する。 (3) この両面に、中央部の金属突起部面積部分よりや
や大きめにくりぬいたプリプレグを配置し、加熱、加
圧、真空下に積層成形して金属芯入り両面金属箔張積層
板(e)を作成する。その後、 (4) クリアランスホール部に、金属芯と接触しないよ
うにメカニカルドリルにて孔をあけ、 (5) デスミア処理後に全体を銅メッキし、 (6) 表裏に回路を形成し、 (7) 金属芯の表面の円錐台形突起と接触する半導体チ
ップの搭載用金属箔を残し、裏面のハンダボールパッド
を円錐台形突起部上を避けて直接金属突起部上の銅箔と
回路で接続するようにして表裏に回路を形成し、半導体
チップ搭載部となる表面の金属箔部、ボンディングパッ
ド、及び裏面のハンダボールパッド部を除いてメッキレ
ジストで覆い、ニッケルメッキ、金メッキを施してプリ
ント配線板を作成する。 (8-1) ワイヤボンディングの場合、表面には半導体チ
ップを銀ペーストで接着固定し、ワイヤボンディング
後、少なくとも半導体チップ、ワイヤ、ワイヤボンディ
ングパッドを樹脂封止する。裏面には、ハンダボールを
パッドに溶融接合して半導体プラスチックパッケージと
する。 (8-2) フリップチップボンディングの場合、放熱用バ
ンプを金属芯が接触した中央の金属箔上に接合し、信号
用バンプは信号伝播用パッドにバンプを接合する。
The method for producing the metal core of the present invention and the printed wiring board for a semiconductor plastic package using the metal core are not particularly limited, but for example, the following method (FIGS. 1 and 2). (1) In the metal plate (a) serving as the metal core, a clearance hole (b) is punched out at a place other than the place where the semiconductor chip is fixed, and (2) a mold ( A projection with a truncated cone shape (d) is formed in c), and this surface is treated with black copper oxide. (3) On both sides, arrange the prepreg which is slightly larger than the area of the metal protrusion at the center part, heat, press, and laminate under vacuum to form a double-sided metal foil clad laminate with metal core (e) Create Then, (4) a hole is drilled in the clearance hole with a mechanical drill so as not to contact the metal core. (5) The whole is plated with copper after the desmear treatment. (6) A circuit is formed on both sides, (7) Leave the metal foil for mounting the semiconductor chip in contact with the truncated conical protrusion on the surface of the metal core, and connect the solder ball pad on the back side directly to the copper foil on the metal protrusion with a circuit avoiding the truncated cone. Circuits are formed on the front and back sides, and except for the metal foil part, bonding pad and solder ball pad part on the surface that will be the semiconductor chip mounting part, it is covered with plating resist, and nickel plating and gold plating are applied to create a printed wiring board I do. (8-1) In the case of wire bonding, a semiconductor chip is bonded and fixed to the surface with a silver paste, and after the wire bonding, at least the semiconductor chip, wires, and wire bonding pads are resin-sealed. On the back surface, a solder ball is melt-bonded to a pad to form a semiconductor plastic package. (8-2) In the case of flip-chip bonding, a heat dissipation bump is joined to a central metal foil in contact with a metal core, and a signal bump is joined to a signal propagation pad.

【0031】[0031]

【実施例】以下に実施例、比較例で本発明を具体的に説
明する。尚、特に断らない限り、『部』は重量部を表
す。 実施例1 2,2-ビス(4-シアナトフェニル)プロパン900部、ビス(4-
マレイミドフェニル)メタン100部を150℃に熔融させ、
撹拌しながら4時間反応させ、プレポリマーを得た。こ
れをメチルエチルケトンとジメチルホルムアミドの混合
溶剤に溶解した。これにビスフェノールA型エポキシ樹
脂(商品名:エピコート1001、油化シェルエポキシ<株>
製)400部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(商品
名:ESCN-220F、住友化学工業<株>製)600部を加え、均
一に溶解混合した。更に触媒としてオクチル酸亜鉛0.4
部を加え、溶解混合し、これに無機充填剤(商品名:焼成
タルク、日本タルク<株>製)500部を加え、均一撹拌混
合してワニスAを得た。このワニスを厚さ150μmのガラ
ス織布に含浸、乾燥して、ゲル化時間(at170℃)50秒、1
70℃、20kgf/cm2、5分間での樹脂流れ10mmとなるように
作成した、絶縁層の厚さ80μmの半硬化状態のプリプレ
グBを得た。
The present invention will be specifically described below with reference to examples and comparative examples. Unless otherwise specified, “parts” indicates parts by weight. Example 1 900 parts of 2,2-bis (4-cyanatophenyl) propane and bis (4-
100 parts of (maleimidophenyl) methane are melted at 150 ° C,
The mixture was reacted for 4 hours with stirring to obtain a prepolymer. This was dissolved in a mixed solvent of methyl ethyl ketone and dimethylformamide. Add bisphenol A type epoxy resin (trade name: Epicoat 1001, Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.)
) And 600 parts of a cresol novolac type epoxy resin (trade name: ESCN-220F, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) were uniformly mixed and dissolved. Further, as a catalyst, zinc octylate 0.4
Was added and dissolved and mixed. To this, 500 parts of an inorganic filler (trade name: calcined talc, manufactured by Nippon Talc Co., Ltd.) was added, and uniformly mixed by stirring to obtain Varnish A. The varnish was impregnated with a 150 μm thick glass woven fabric, dried, and gelled for 50 seconds (at 170 ° C.), 1
A semi-cured prepreg B having an insulating layer thickness of 80 μm was prepared so that the resin flow was 10 mm at 70 ° C., 20 kgf / cm 2 , and 5 minutes.

【0032】一方、内層金属板となる厚さ70μmのCu:9
9.9%,Fe:0.07%,P:0.03%の合金板を用意し、大きさ50mm
角のパッケージの半導体チップ搭載部以外に、孔径0.6m
mのクリアランスホールをあけた。一方、中央部の半導
体チップを搭載する部分の15mm角内に、上下から金型を
使用して、元の金属板より高さ75μm、底部径945μm、
上部径212μmの円錐台形の突起を36個、裏面にも36個作
成した。金属板全面に黒色酸化銅処理を施し、この表裏
面に上記プリプレグBの半導体チップ搭載部を面積15mm
角打ち抜いたものを置き、その上下に12μmの電解銅箔
を配置して、200℃、20kgf/cm2、30mmHg以下の真空下で
2時間積層成形し、一体化した。クリアランスホール部
に孔径0.25mmのスルーホールをメカニカルドリルにてあ
け、デスミア処理後に全体に無電解、電解メッキにて20
μm銅メッキを施し、表裏面に回路を形成した。裏面の
ハンダボールパッドは、円錐台形上を避けて作成した。
半導体チップ搭載部、ワイヤボンディング部、及び裏面
のボールパッド部以外にメッキレジストを形成し、ニッ
ケル、金メッキを施してプリント配線板を完成した。表
面の半導体チップ搭載部である円錐台形状突起部先端と
接触して熱伝導性のある銅箔表面に、大きさ13mm角の半
導体チップを銀ペーストで接着固定した後、ワイヤボン
ディングを行い、次いでシリカ入りエポキシ封止用コン
パウンド樹脂を用い、半導体チップ、ワイヤ及びボンデ
ィングパッドを樹脂封止し、裏面にハンダボールを接合
して半導体パッケージを作成した。この半導体プラスチ
ックパッケージをエポキシ樹脂マザーボードプリント配
線板にハンダボールを熔融接合した。評価結果を表1に
示す。
On the other hand, a 70 μm-thick Cu: 9
Prepare an alloy plate of 9.9%, Fe: 0.07%, P: 0.03%, size 50 mm
In addition to the semiconductor chip mounting part of the corner package, the hole diameter is 0.6 m
The clearance hole of m was opened. On the other hand, within 15 mm square of the part where the semiconductor chip in the center is mounted, using a mold from the top and bottom, 75 μm higher than the original metal plate, bottom diameter 945 μm,
Thirty-six frustoconical protrusions with an upper diameter of 212 μm and thirty-six were also formed on the back surface. The entire surface of the metal plate is subjected to black copper oxide treatment, and the semiconductor chip mounting portion of the prepreg B is 15 mm in area on the front and back surfaces.
Place one punched out corners, place the electrolytic copper foil of 12μm above and below, 200 ℃, 20kgf / cm 2 , 30mmHg or less under vacuum
Lamination molding was carried out for 2 hours and integrated. A through hole with a hole diameter of 0.25 mm is drilled in the clearance hole with a mechanical drill, and after desmearing, the whole is electroless and electrolytically plated.
A circuit was formed on the front and back surfaces by applying a μm copper plating. The solder ball pad on the back was created avoiding the truncated cone.
A plating resist was formed on portions other than the semiconductor chip mounting portion, the wire bonding portion, and the ball pad portion on the back surface, and nickel and gold plating were performed thereon to complete a printed wiring board. After bonding a semiconductor chip of 13 mm square with silver paste on the heat conductive copper foil surface in contact with the tip of the truncated cone-shaped protrusion that is the semiconductor chip mounting part on the surface, wire bonding is performed, and then A semiconductor chip, a wire and a bonding pad were resin-encapsulated using a silica-containing epoxy encapsulation compound resin, and a solder ball was bonded to the back surface to produce a semiconductor package. This semiconductor plastic package was melt-bonded with a solder ball to an epoxy resin mother board printed wiring board. Table 1 shows the evaluation results.

【0033】比較例1 実施例1において、裏面のハンダボールパッドを円錐台
形状突起の上に形成し、プリント配線板を同様に作成
し、マザーボードプリント配線板にハンダボールで接合
した。評価結果を表1に示す。
Comparative Example 1 In Example 1, a solder ball pad on the back surface was formed on a truncated cone-shaped projection, a printed wiring board was prepared in the same manner, and joined to a motherboard printed wiring board with solder balls. Table 1 shows the evaluation results.

【0034】比較例2 実施例1のプリプレグB(図3、g)を2枚使用し、上下
に12μmの電解銅箔(図3、f)を配置し、200℃、20kgf/c
m2、30mmHg以下の真空下に2時間積層成形し、両面銅張
積層板を得た。所定の位置に孔径0.25mmφのスルーホー
ルをドリルであけ、デスミア処理後に銅メッキを施し
た。この板の上下に公知の方法で回路を形成し、メッキ
レジストで被覆後、ニッケル、金メッキを施した。これ
は半導体チップを搭載する箇所に放熱用のスルーホール
(図3、h)が形成されており、この上に銀ペースト(図
3、l)で半導体チツプを接着し、ワイヤボンディング
(図3、m)後、エポキシの封止用コンパウンドで実施例1
と同様に樹脂封止(図3、j)し、ハンダボール(図3、
o)を接合した。同様にマザーボードに接合した。評価結
果を表1に示す。
Comparative Example 2 Two prepregs B (FIG. 3, g) of Example 1 were used, and 12 μm electrolytic copper foils (FIG. 3, f) were arranged on the upper and lower sides at 200 ° C. and 20 kgf / c.
Lamination molding was performed for 2 hours under a vacuum of m 2 and 30 mmHg or less to obtain a double-sided copper-clad laminate. A through hole having a hole diameter of 0.25 mmφ was drilled at a predetermined position, and copper plating was performed after desmear treatment. Circuits were formed on and under the plate by a known method, and were covered with a plating resist and then plated with nickel and gold. This is a through hole for heat dissipation at the place where the semiconductor chip is mounted
(FIG. 3, h) is formed, and a semiconductor chip is bonded thereon with a silver paste (FIG. 3, l), and wire bonding is performed.
(FIG. 3, m) After that, using the epoxy sealing compound in Example 1,
Resin sealing (Fig. 3, j) in the same manner as above, and solder balls (Fig. 3,
o) was joined. Similarly joined to the motherboard. Table 1 shows the evaluation results.

【0035】比較例3 エポキシ樹脂(商品名:エピコート5045、油化シェルエ
ポキシ<株>製)300部、及びエポキシ樹脂(商品名:E
SCN220F、住友化学工業<株>製)700部、ジシアンジア
ミド35部、2-エチル-4-メチルイミダゾール1部をメチル
エチルケトンとジメチルホルムアミドとの混合溶剤に溶
解し、これを厚さ100μmのガラス織布に含浸、乾燥させ
て、ゲル化時間10秒、樹脂流れ98μmのノーフロープリ
プレグ(プリプレグC、図4、p)、及びゲル化時間150
秒、樹脂流れ18mmのハイフロープリプレグ(プリプレグ
D)を作成した。このプリプレグDを2枚使用し、190℃、
20kgf/cm2、30mmHg以下の真空下で2時間積層成形し、両
面銅張積層板を作成した。後は比較例1と同様にしてプ
リント配線板を作成し、半導体チップ搭載部分をザグリ
マシーンにてくりぬき、裏面に厚さ200μmの銅板を、上
記ノーフロープリプレグC(図4、p)を打ち抜いたもの
を使用して、加熱、加圧下に同様に接着させ、放熱板付
きプリント配線板を作成した。これはややソリが発生し
た。この放熱板に直接銀ペースト(図4、l)で半導体チ
ップ(図4、k)を接着させ、ワイヤボンディング(図4、
m)で接続後、液状エポキシ樹脂(図4、j)で封止した。
同様にマザーボードプリント配線板に接合した。評価結
果を表1に示す。
Comparative Example 3 300 parts of an epoxy resin (trade name: Epicoat 5045, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.) and an epoxy resin (trade name: E
SCN220F, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) 700 parts, dicyandiamide 35 parts, 2-ethyl-4-methylimidazole 1 part are dissolved in a mixed solvent of methyl ethyl ketone and dimethylformamide, and this is dissolved in a 100 μm thick glass woven fabric. Impregnate, dry, gel flow time 10 seconds, resin flow 98 μm no-flow prepreg (prepreg C, FIG. 4, p), and gel time 150
Seconds, resin flow 18mm high flow prepreg (prepreg
D) created. Using two prepregs D, 190 ℃,
Laminate molding was performed for 2 hours under a vacuum of 20 kgf / cm 2 and 30 mmHg or less to prepare a double-sided copper-clad laminate. Thereafter, a printed wiring board was prepared in the same manner as in Comparative Example 1, the semiconductor chip mounting portion was cut out with a counterbore machine, and a copper plate having a thickness of 200 μm was punched out from the no-flow prepreg C (FIG. 4, p) on the back surface. The printed circuit board with the heat radiating plate was prepared by bonding the same under heat and pressure. This slightly warped. A semiconductor chip (FIG. 4, k) is bonded directly to the heat sink with a silver paste (FIG. 4, l), and wire bonding (FIG. 4,
m), and sealed with a liquid epoxy resin (FIG. 4, j).
Similarly, it was joined to a motherboard printed wiring board. Table 1 shows the evaluation results.

【0036】 表1項 目 実 施 例 比 較 例 1 1 2 3 ボールシェア強度 1.5 1.0 ー ー (kgf) 吸湿後の耐熱性A) 常 態 異常なし ー 異常なし 異常なし 24hrs. 異常なし ー 異常なし 異常なし 48hrs. 異常なし ー 異常なし 異常なし 72hrs. 異常なし ー 異常なし 異常なし 96hrs. 異常なし ー 異常なし 一部剥離 120hrs. 異常なし ー 一部剥離 一部剥離 144hrs. 異常なし ー 一部剥離 一部剥離 168hrs. 異常なし ー 一部剥離 一部剥離 吸湿後の耐熱性B) 常 態 異常なし ー 異常なし 異常なし 24hrs. 異常なし ー 一部剥離 一部剥離 48hrs. 異常なし ー 剥離大 剥離大 72hrs. 異常なし ー ワイヤ切れ ワイヤ切れ 96hrs. 異常なし ー ワイヤ切れ ワイヤ切れ 120hrs. 異常なし ー ワイヤ切れ ワイヤ切れ 144hrs. 異常なし ー − − 168hrs. 異常なし ー − −[0036] Table 1 Item implementation example comparisons Example 1 1 2 3 Ball shear strength 1.5 1.0 over over (kgf) heat resistance A) normal status abnormality Not determined No change No change after moisture absorption 24hrs. No error over No change No abnormalities 48hrs. No abnormalities-No abnormalities No abnormalities 72hrs. No abnormalities-No abnormalities No abnormalities 96hrs. No abnormalities-No abnormalities Partially peeled 120hrs. No abnormalities-Partially peeled partial peelings 144hrs. No abnormalities-Partial peeling one Partial peeling 168hrs. No abnormality-Partial peeling Partial peeling Heat resistance after moisture absorption B) Normal No abnormality-No abnormality No abnormality 24hrs. No abnormality-Partial peeling Partial peeling 48hrs. No abnormality-Large peeling Large peeling large 72hrs No abnormality-Wire break 96hrs. No error-Wire break 120hrs. No problem-Wire break 144hrs. No problem---168hrs. No problem---

【0037】 表1(続)項 目 実 施 例 比 較 例 1 1 2 3 プレッシャークッカー 処理後の絶縁抵抗値(Ω) 常 態 5X1014 ー 6X1014 6X1014 200hrs. 7X1012 ー 5X1012 5X108 500hrs. 8X1011 ー 4X1011 < 108 700hrs. 3X1010 ー 5X1010 ー 1000hrs. 2X1010 ー 2X1010 ー 耐マイグレーション性Ω) 常 態 5X1013 ー 5X1013 4X1013 200hrs. 6X1011 ー 4X1011 3X109 500hrs. 7X1011 ー 5X1011 < 108 700hrs. 2X1011 ー 1X1011 ー 1000hrs. 8X1010 ー 8X1010 ー ガラス転移温度(℃) 234 234 234 160 放熱性(℃) 36 ー 56 48 [0037] Table 1 (Continued) Item implementation example comparisons Example 1 1 2 3 pressure cooker treatment after the insulation resistance (Omega) normal state 5X10 14 over 6X10 14 6X10 14 200hrs. 7X10 12 over 5X10 12 5X10 8 500hrs . 8X10 11 over 4X10 11 <10 8 700hrs. 3X10 10 over 5X10 10 over 1000hrs. 2X10 10 over 2X10 10 over migration resistance Omega) normal state 5X10 13 over 5X10 13 4X10 13 200hrs. 6X10 11 over 4X10 11 3X10 9 500hrs. 7 × 10 11 over 5X10 11 <10 8 700hrs. 2X10 11 over 1X10 11 over 1000hrs. 8X10 10 over 8X10 10 over the glass transition temperature (℃) 234 234 234 160 heat radiation (° C.) 36 over 56 48

【0038】<測定方法> 1)ボールシェア強度 径0.65mmのボールパッド部にハンダボールを付け、横か
ら押して剥離する時の強度を測定した。 2)吸湿後の耐熱性A) JEDEC STANDARD TEST METHOD A113-A LEVEL3:30℃・60%
RHで所定時間処理後、220℃リフローソルダー3サイクル
後の基板の異常有無について、断面観察及び電気的チェ
ックによって確認した。 3)吸湿後の耐熱性B) JEDEC STANDARD TEST METHOD A113-A LEVEL2:85℃・60%
RHで所定時間(Max.168hrs.)処理後、220℃リフローソル
ダー3サイクル後の基板の異常の有無を断面観察及び電
気的チェックによって確認した。 4)プレッシャークッカー処理後の絶縁抵抗値 端子間(ライン/スペース=70/70μm)の櫛形パターン
を作成し、この上に、それぞれ使用したプリプレグを配
置し、積層成形したものを、121℃・2気圧で所定時間処
理した後、25℃・60%RHで2時間後処理を行い、500VDCを
印加60秒後に、端子間の絶縁抵抗値を測定した。 5)耐マイグレーション性 上記4)の試験片を85℃・85%RH、50VDC 印加して端子間
の絶縁抵抗値を測定した。 6)ガラス転移温度 DMA法にて測定した。 7)放熱性 パッケージを同一マザーボードプリント配線板にハンダ
ボールで接着させ、1000時間連続使用してから、パッケ
ージの温度を測定した。
<Measurement Method> 1) Ball Shear Strength A solder ball was attached to a ball pad having a diameter of 0.65 mm, and the strength at the time of peeling by pressing from the side was measured. 2) Heat resistance after moisture absorption A) JEDEC STANDARD TEST METHOD A113-A LEVEL3: 30 ℃ ・ 60%
After treatment at RH for a predetermined time, the presence or absence of an abnormality in the substrate after three cycles of reflow soldering at 220 ° C. was confirmed by cross-sectional observation and electrical check. 3) Heat resistance after moisture absorption B) JEDEC STANDARD TEST METHOD A113-A LEVEL2: 85 ℃ ・ 60%
After processing at RH for a predetermined time (Max. 168 hrs.), The presence or absence of abnormality in the substrate after three cycles of reflow soldering at 220 ° C. was confirmed by cross-sectional observation and electrical check. 4) Insulation resistance value after pressure cooker treatment A comb-shaped pattern between terminals (line / space = 70/70 μm) was created, and the prepregs used were placed on each of these patterns. After treatment for a predetermined time at atmospheric pressure, post-treatment was performed at 25 ° C. and 60% RH for 2 hours, and insulation resistance between terminals was measured 60 seconds after 500 VDC was applied. 5) Migration resistance The test piece of 4) was applied at 85 ° C. and 85% RH at 50 VDC, and the insulation resistance between the terminals was measured. 6) Glass transition temperature Measured by the DMA method. 7) Heat dissipation The package was bonded to the same motherboard printed wiring board with solder balls and used continuously for 1000 hours, and then the temperature of the package was measured.

【0039】[0039]

【発明の効果】本発明によれば、プリント配線板の厚さ
方向の一部に、プリント配線板とほぼ同じ大きさの金属
板を配置し、プリント配線板の片面に、少なくとも1個
の半導体チップを固定し、該金属板とプリント配線板表
面の信号伝播回路導体とを熱硬化性樹脂組成物で絶縁
し、信号伝搬回路導体と半導体チップとをワイヤボンデ
ィング或いはフリップチップボンディングで接続し、少
なくともプリント配線板表面上の該回路導体と、プリン
ト配線板反対面に形成された回路導体もしくは該半導体
プラスチックパッケージを外部とハンダボール導体で結
線し、ワイヤボンディングにおいては、少なくとも半導
体チップ、ワイヤ、ボンディングパッドを樹脂封止して
いる構造の半導体プラスチックパッケージに用いるプリ
ント配線板金属芯の製造方法において、金属芯となる金
属板の、半導体チップを搭載する箇所以外にクリアラン
スホール又はスリット孔を形成し、次いで、半導体チッ
プを搭載する箇所に、機械加工で表裏に複数の円錐台形
状突起を、金属芯の元の高さよりやや高くなるように形
成して金属芯を作成する金属芯の製造方法が提供され
る。機械加工により円錐台形状突起を形成することによ
り、エッチングなどで形成するよりは安価に、且つ短時
間で製造でき、経済的である。更に、この金属芯の全面
に化学処理を施し、その両面に、円錐台形状突起面積よ
りやや大きめに切除した熱硬化性樹脂組成物のプリプレ
グ、樹脂シート或いは塗布樹脂層を配置し、その外側に
金属箔を置き、加熱、加圧下に積層成形して一体化した
後、表面に回路を形成し、スルーホール用貫通孔をあ
け、デスミア処理後に金属メッキを施し、表面の半導体
チップ搭載部分に半導体チップを固定し、好適には裏面
のハンダボールパッドを円錐台形突起部上を避けて、表
裏に回路を形成し、少なくとも表裏の半導体チップ搭載
用金属箔上、ボンディングパッド、裏面のボールパッド
以外をメッキレジストで被覆し、ニッケルメッキ、金メ
ッキを施して得られる金属芯入りプリント配線板とする
ことにより、ハンダボールとの接着強度にも優れ、半導
体チップの下面からの吸湿がなく、吸湿後の耐熱性、す
なわちポップコーン現象が大幅に改善できるプリント配
線板の提供を可能とする金属芯の製造方法が提供され
る。さらに、樹脂として多官能性シアン酸エステル樹脂
組成物を用いることにより、プレッシャークッカー処理
後の電気絶縁性、耐マイグレーション性に優れ、加えて
大量生産にも適しており、経済性の改善された、新規な
構造の半導体プラスチックパッケージの製造方法が提供
される。
According to the present invention, a metal plate having substantially the same size as a printed wiring board is arranged in a part of the printed wiring board in the thickness direction, and at least one semiconductor is provided on one surface of the printed wiring board. The chip is fixed, the metal plate and the signal transmission circuit conductor on the surface of the printed wiring board are insulated with a thermosetting resin composition, and the signal transmission circuit conductor and the semiconductor chip are connected by wire bonding or flip chip bonding. The circuit conductor on the surface of the printed wiring board and the circuit conductor or the semiconductor plastic package formed on the opposite surface of the printed wiring board are connected to the outside by a solder ball conductor. In wire bonding, at least a semiconductor chip, a wire, and a bonding pad are provided. Printed circuit board metal core used for semiconductor plastic package with resin-sealed structure In the manufacturing method, a clearance hole or a slit hole is formed in a metal plate serving as a metal core other than a portion where the semiconductor chip is mounted, and then a plurality of truncated cone-shaped protrusions are formed on the front and back sides by machining at the portion where the semiconductor chip is mounted. Is formed so as to be slightly higher than the original height of the metal core to provide a metal core manufacturing method. By forming the truncated-cone-shaped projections by machining, it can be manufactured at lower cost and in a shorter time than when formed by etching or the like, and is economical. Furthermore, a chemical treatment is applied to the entire surface of the metal core, and a prepreg, a resin sheet or a coating resin layer of a thermosetting resin composition, which is cut slightly larger than the area of the truncated cone, is disposed on both surfaces thereof, and the outside thereof is provided. After placing the metal foil, laminating it under heat and pressure and integrating it, form a circuit on the surface, open a through hole for through hole, apply metal plating after desmear treatment, The chip is fixed, preferably avoiding the solder ball pad on the back surface on the truncated conical protrusion, forming a circuit on the front and back, at least on the metal foil for mounting the semiconductor chip on the front and back, the bonding pad, except for the ball pad on the back surface. By coating with a plating resist and forming a printed wiring board with a metal core obtained by applying nickel plating and gold plating, it has excellent adhesion strength with solder balls, No moisture absorption from the lower surface of the conductor chip, heat resistance after moisture absorption, i.e. method of manufacturing a metal core to allow the provision of a printed wiring board popcorn phenomenon can be greatly improved is provided. Furthermore, by using a polyfunctional cyanate ester resin composition as a resin, the electric insulation after pressure cooker treatment, excellent in migration resistance, in addition to being suitable for mass production, improved economy, A method for manufacturing a semiconductor plastic package having a novel structure is provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の金属芯入り半導体プラスチックパッケ
ージに使用する両面銅張積層板の製造工程図である。
FIG. 1 is a manufacturing process diagram of a double-sided copper-clad laminate used for a semiconductor plastic package containing a metal core of the present invention.

【図2】本発明のその他の形状の金属芯の製造工程図で
ある。
FIG. 2 is a view showing a manufacturing process of a metal core having another shape according to the present invention.

【図3】比較例1の半導体プラスチックパッケージ製造
工程図である。
3 is a manufacturing process diagram of a semiconductor plastic package of Comparative Example 1. FIG.

【図4】比較例2の半導体プラスチックパッケージ製造
工程図である。
FIG. 4 is a manufacturing process diagram of a semiconductor plastic package of Comparative Example 2.

【符号の説明】 a 金属板 b クリアランスホール c 円錐台形突起作成用金型 d 円錐台形金属突起 e 金属芯入り両面銅張積層板 f 銅箔 g プリプレグB h 放熱用スルーホール i 表裏回路導通用スルーホール j 封止樹脂 k 半導体チップ l 銀ペースト m ボンディングワイヤ n メッキレジスト o ハンダボール p プリプレグC[Description of Signs] a Metal plate b Clearance hole c Mold for making truncated cones d Metal truncated cones e Double-sided copper-clad laminate with metal core f Copper foil g Prepreg B h Through holes for heat dissipation i Through holes for front and back circuit conduction Hole j sealing resin k semiconductor chip l silver paste m bonding wire n plating resist o solder ball p prepreg C

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 プリント配線板の厚さ方向の一部に、プ
リント配線板とほぼ同じ大きさの金属板を配置し、プリ
ント配線板の片面に少なくとも1個の半導体チップを固
定し、該金属板とプリント配線板表面の信号伝播回路導
体とを熱硬化性樹脂組成物で絶縁し、該回路導体と半導
体チップとをワイヤボンディング或いはフリップチップ
ボンディングで接続し、少なくともプリント配線板表面
上の信号伝播回路導体と、プリント配線板反対面に形成
された回路導体もしくは該パッケージを外部とハンダボ
ールで接続するために形成された回路導体パッドとを、
金属板と樹脂組成物で絶縁されたスルーホール導体で結
線している構造の半導体プラスチックパッケージに用い
るプリント配線板用金属芯の製造方法において、金属芯
となる金属板の、半導体チップを搭載する箇所以外にク
リアランスホール又はスリット孔を形成し、次いで、半
導体チップ搭載箇所を、表裏に複数の円錐台形状突起が
金属芯の高さよりやや高くなるように、機械加工して形
成することを特徴とする金属芯入りプリント配線板用の
金属芯の製造方法。
A metal plate having substantially the same size as the printed wiring board is disposed on a part of the printed wiring board in a thickness direction, and at least one semiconductor chip is fixed to one surface of the printed wiring board; The board and the signal propagation circuit conductor on the surface of the printed wiring board are insulated with a thermosetting resin composition, and the circuit conductor and the semiconductor chip are connected by wire bonding or flip chip bonding, and at least signal propagation on the surface of the printed wiring board is performed. A circuit conductor and a circuit conductor pad formed on the opposite surface of the printed wiring board or a circuit conductor pad formed for connecting the package to the outside with solder balls,
In a method of manufacturing a metal core for a printed wiring board used for a semiconductor plastic package having a structure in which a metal plate and a through hole conductor insulated by a resin composition are connected, a portion of a metal plate serving as a metal core on which a semiconductor chip is mounted In addition, a clearance hole or a slit hole is formed, and then the semiconductor chip mounting portion is formed by machining so that a plurality of truncated cone-shaped protrusions on the front and back are slightly higher than the height of the metal core. A method for manufacturing a metal core for a printed wiring board with a metal core.
【請求項2】 機械加工が、半導体チップ搭載部分とな
る金属板の両面から凹凸のある金型をプレスして金属板
の両面に円錐台形状突起を設ける方法であることを特徴
とする請求項1記載の金属芯入りプリント配線板用の金
属芯の製造方法。
2. The method according to claim 1, wherein the machining is a method of pressing a metal mold having irregularities from both sides of the metal plate to be a semiconductor chip mounting portion to provide truncated conical projections on both sides of the metal plate. A method for producing a metal core for a printed wiring board containing a metal core according to claim 1.
【請求項3】 金属板が、銅95重量%以上の銅合金、或
いは純銅である請求項1または2記載の金属芯入りプリ
ント配線板用の金属芯の製造方法。
3. The method according to claim 1, wherein the metal plate is a copper alloy containing 95% by weight or more of copper or pure copper.
【請求項4】 熱硬化性樹脂が、多官能性シアン酸エス
テル、該シアン酸エステルプレポリマーを必須成分とす
る熱硬化性樹脂組成物である請求項1記載の半導体プラ
スチックパッケージ用プリント配線板の製造方法。
4. The printed wiring board for a semiconductor plastic package according to claim 1, wherein the thermosetting resin is a polyfunctional cyanate ester and a thermosetting resin composition containing the cyanate ester prepolymer as an essential component. Production method.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009218392A (en) * 2008-03-11 2009-09-24 Furukawa Electric Co Ltd:The Metal core multilayer printed wiring board

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JP2009218392A (en) * 2008-03-11 2009-09-24 Furukawa Electric Co Ltd:The Metal core multilayer printed wiring board

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