JP2000260901A - Multilayer printed wiring board for metal core semiconductor plastic package - Google Patents

Multilayer printed wiring board for metal core semiconductor plastic package

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JP2000260901A
JP2000260901A JP5758599A JP5758599A JP2000260901A JP 2000260901 A JP2000260901 A JP 2000260901A JP 5758599 A JP5758599 A JP 5758599A JP 5758599 A JP5758599 A JP 5758599A JP 2000260901 A JP2000260901 A JP 2000260901A
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wiring board
semiconductor chip
metal
metal foil
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Morio Take
杜夫 岳
Nobuyuki Ikeguchi
信之 池口
Toshihiko Kobayashi
敏彦 小林
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Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
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  • Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a multiplayer printed wiring board for semiconductor plastic package excellent in connectivity between inner metal core and outer metal foil, heat dissipation properties, heat resistance after moisture absorption, and the like. SOLUTION: In a cavity semiconductor plastic package of ball grid array employing a metal core having a plurality of truncated conical metallic protrusions 1 on the surface and rear, prepreg having scooped protrusions are arranged on the opposite sides of the metal core and hot pressed and then a circuit is formed only on the surface. It is then treated chemically and a prepreg (g) having a scooped semiconductor chip mounting part is arranged again on the surface. Subsequently, through holes (i) and blind holes are made, immediate upper part of the metal foil for mounting a semiconductor is cut off after desmearing, flow-out resin is removed by sandblasting, circuits are formed on the surface and rear, plating resist is applied and followed by noble metal plating.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップを少
なくとも1個小型プリント配線板に搭載した形の、新規
な金属芯入り半導体プラスチックパッケージ用多層プリ
ント配線板に関する。得られたプリント配線板は、マイ
クロプロセッサー、マイクロコントローラー、ASIC、グ
ラフィック等の比較的高ワットで、多端子高密度の半導
体プラスチックパッケージに用いる。本半導体プラスチ
ックパッケージは、ハンダボールを用いてマザーボード
プリント配線板に実装して電子機器として使用される。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a novel multilayer printed wiring board for a semiconductor plastic package containing a metal core, wherein at least one semiconductor chip is mounted on a small printed wiring board. The obtained printed wiring board is used for a relatively high wattage, multi-terminal, high-density semiconductor plastic package such as a microprocessor, a microcontroller, an ASIC, and a graphic. The present semiconductor plastic package is mounted on a motherboard printed wiring board using solder balls and used as an electronic device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体プラスチックパッケージと
して、プラスチックボールグリッドアレイ(P-BGA)やプ
ラスチックランドグリッドアレイ(P-LGA)等、プラスチ
ックプリント配線板の上面に半導体チップを固定し、こ
のチップを、プリント配線板上面に形成された導体回路
にワイヤボンディングで結合し、プリント配線板の下面
にはハンダボールを用いて、マザーボードプリント配線
板と接続するための導体パッドを形成し、表裏回路導体
がメッキされたスルーホールで接続されて、半導体チッ
プが樹脂封止されている構造の半導体プラスチックパッ
ケージが公知である。本公知構造において、半導体から
発生する熱をマザーボードプリント配線板に拡散させる
ため、半導体チップを固定するための上面の金属箔から
下面に接続するメッキされた熱拡散スルーホールが形成
されている。該スルーホールの孔を通して、水分が半導
体固定に使われている銀粉入り樹脂接着剤に吸湿され、
マザーボードへの実装時の加熱により、また、半導体部
品をマザーボードから取り外す際の加熱により、層間フ
クレを生じる危険性があり、これはポップコーン現象と
呼ばれている。このポップコーン現象が発生した場合、
パッケージは使用不能となることが多く、この現象を大
幅に改善する必要がある。また、半導体の高機能化、高
密度化は、ますます発熱量の増大を意味し、熱放散用に
設けられる半導体チップ直下のスルーホールのみでは熱
の放散は不十分となってきている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a semiconductor plastic package, a semiconductor chip such as a plastic ball grid array (P-BGA) or a plastic land grid array (P-LGA) is fixed on the upper surface of a plastic printed wiring board. It is connected to the conductor circuit formed on the upper surface of the printed wiring board by wire bonding, and the lower surface of the printed wiring board is formed with conductor pads for connection with the motherboard printed wiring board using solder balls, and the front and back circuit conductors are plated 2. Description of the Related Art A semiconductor plastic package having a structure in which a semiconductor chip is sealed with a resin by connecting through a formed through hole is known. In the known structure, a plated heat diffusion through hole is formed from the upper metal foil for fixing the semiconductor chip to the lower surface in order to diffuse the heat generated from the semiconductor to the motherboard printed wiring board. Through the hole of the through hole, moisture is absorbed by the resin adhesive containing silver powder used for fixing the semiconductor,
There is a danger that interlayer blisters may occur due to heating during mounting on the motherboard and heating when removing the semiconductor component from the motherboard, which is called a popcorn phenomenon. When this popcorn phenomenon occurs,
Packages are often unusable, and this phenomenon needs to be greatly improved. In addition, higher functionality and higher density of semiconductors mean more and more heat generation, and heat dissipation is becoming insufficient only with through holes provided directly below the semiconductor chip for heat dissipation.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の問題
点を改善した金属芯入り半導プラスチッパッケージ用多
層プリント配線板を提供する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a multi-layer printed wiring board for a semiconductor plastic package containing a metal core, in which the above problems are improved.

【0004】[0004]

【発明が解決するための手段】すなわち、本発明は、プ
リント配線板の厚さ方向の一部に、プリント配線板とほ
ぼ同じ大きさの金属板を配置し、プリント配線板の片面
に少なくとも1個の半導体チップを熱伝導性接着剤で固
定し、該金属板とプリント配線板表面の信号伝播回路導
体とを熱硬化性樹脂組成物で絶縁し、該回路導体と半導
体チップとをワイヤボンディングで接続し、少なくとも
プリント配線板表面上の該回路導体と、プリント配線板
反対面に形成された回路導体もしくは該パッケージを外
部とハンダボールで接続するために形成された回路導体
パッドとを、金属板と熱硬化性樹脂組成物組成物で絶縁
されたスルーホール導体で結線し、少なくとも半導体チ
ップ、半導体チップ、ワイヤ、ボンディングパッドを樹
脂封止している構造の半導体プラスチックパッケージ用
プリント配線板において、表裏に複数の円錐台形の金属
突起、または熱伝導性接着剤或いはハンダが付着した該
金属突起部と、表裏導通孔形成のためのクリアランスホ
ールまたはスリット孔が形成されている金属板を化学処
理し、表裏面の該金属突起部に半導体チップを搭載する
面積よりやや大きめに切削した半硬化状態の熱硬化性樹
脂組成物のプリプレグ、樹脂シート、或いは塗布による
塗布樹脂層を配置し、その外側に金属箔を配置し、加
熱、加圧下に、好ましくは真空下に、積層成形して一体
化した後、表面に回路を形成し、金属箔表面を化学処理
してから、その外側に半導体チップ面積よりやや大きめ
に切除したプリプレグ、樹脂シート、塗布樹脂層を配置
し、その外側には金属箔、片面金属箔張積層板、または
片面に回路を形成して、化学処理を施した両面板或いは
多層板を、回路が樹脂側を向くように置き、加熱、加圧
下に、好ましくは真空下に、積層成形して得られる金属
芯入り多層両面板に、スルホール用貫通孔、ブラインド
孔をあけ、デスミア処理後に金属メッキを施し、表裏に
回路を形成してから、表面の半導体チップ搭載部金属箔
上の部分を切除し、少なくとも表面の半導体チップ搭載
用金属箔上、ボンディングパッド、裏面のボールパッド
上を除いてメッキレジストで被覆し、ニッケルメッキ、
金メッキを施して得られる金属芯入半導体プラスチック
パッケージ用多層プリント配線板に関する。得られた半
導体プラスチックパッケージは、電気、熱伝導性に優
れ、ハンダボールの基板への密着性に優れ、半導体チッ
プの下面からの吸湿がなく、吸湿後の耐熱性すなわちポ
ップコーン現象が大幅に改善できるとともに、熱硬化性
樹脂として多官能性シアン酸エステル組成物を用いるこ
とにより、プレッシャークッカー後の電気絶縁性、耐マ
イグレーション性等に優れ、加えて大量生産性にも適し
ており、経済性の改善された、新規な構造の半導体プラ
スチックパッケージを得ることができ、本発明を完成す
るに至った。
That is, according to the present invention, a metal plate having substantially the same size as a printed wiring board is disposed in a part of the printed wiring board in a thickness direction, and at least one metal plate is provided on one surface of the printed wiring board. The semiconductor chips are fixed with a heat conductive adhesive, the metal plate and the signal transmission circuit conductor on the surface of the printed wiring board are insulated with a thermosetting resin composition, and the circuit conductor and the semiconductor chip are bonded by wire bonding. Connecting the circuit conductor on at least the surface of the printed wiring board and a circuit conductor formed on the opposite surface of the printed wiring board or a circuit conductor pad formed for connecting the package to the outside with solder balls, And a through-hole conductor insulated with a thermosetting resin composition, and at least a semiconductor chip, a semiconductor chip, a wire, and a bonding pad are resin-sealed. In a printed wiring board for a semiconductor plastic package, a plurality of truncated cone-shaped metal projections on the front and back, or the metal projections to which a heat conductive adhesive or solder is attached, and clearance holes or slit holes for forming front and back conduction holes. A prepreg, resin sheet, or application of a semi-cured thermosetting resin composition, which is formed by chemically treating the formed metal plate and cutting the surface slightly larger than the area for mounting the semiconductor chip on the metal protrusions on the front and back surfaces. After disposing the applied resin layer, disposing the metal foil on the outside, laminating and integrating under heat and pressure, preferably under vacuum, forming a circuit on the surface, chemically treating the metal foil surface After that, a prepreg, resin sheet, and coating resin layer, which are cut slightly larger than the semiconductor chip area, are placed on the outside, and metal foil and single-sided metal foil are placed on the outside. Laminate board, or forming a circuit on one side, place a double-sided board or multilayer board subjected to chemical treatment, with the circuit facing the resin side, under heat, under pressure, preferably under vacuum, laminate molding Drill through holes for blind holes and blind holes on the obtained double-sided board with metal core, apply metal plating after desmear treatment, form circuits on the front and back, and cut off the surface on the metal foil on the semiconductor chip mounting part on the surface Then, at least on the metal foil for mounting the semiconductor chip on the front surface, the bonding pad, except for the ball pad on the back surface, coating with a plating resist, nickel plating,
The present invention relates to a multilayer printed wiring board for a semiconductor plastic package having a metal core obtained by applying gold plating. The resulting semiconductor plastic package has excellent electrical and thermal conductivity, excellent adhesion of the solder balls to the substrate, no moisture absorption from the lower surface of the semiconductor chip, and can greatly improve the heat resistance after moisture absorption, that is, the popcorn phenomenon. At the same time, by using a polyfunctional cyanate composition as a thermosetting resin, it is excellent in electrical insulation after pressure cooker, migration resistance, etc., and in addition, suitable for mass production, improving economic efficiency. Thus, a semiconductor plastic package having a novel structure can be obtained, and the present invention has been completed.

【0005】[0005]

【発明の実施の形態】本発明で製造された両面多層金属
箔張板を用いて作成された半導体プラスチックパッケー
ジは、厚み方向の一部に、プリント配線板とほぼ同じ大
きさの金属板が配置されており、プリント配線板の片面
に少なくとも1個以上の半導体チップを熱伝導性接着剤
で固定し、該金属板とプリント配線板表面の信号伝播回
路導体とを熱硬化性樹脂組成物で絶縁し、該回路導体と
半導体チップとをワイヤボンディングで接続し、少なく
ともプリント配線板表面上の該回路導体と、プリント配
線板反対面に形成された回路導体もしくは該パッケージ
を外部とハンダボールで接続するために形成された回路
導体パッドとを、金属板と樹脂組成物で絶縁されたスル
ーホール導体で結線し、少なくとも半導体チップ、ワイ
ヤ、ボンディングパッドを樹脂封止している構造の半導
体プラスチックパッケージにおいて、表裏に複数の円錐
台形状金属突起を有する金属芯、またはその上に熱伝導
性接着剤或いはハンダを付着させた金属芯の、突起以外
の箇所にクリアランスホール、またはスリット孔を形成
し、この金属芯の円錐台形状金属突起が存在する表裏面
に、半導体チップを搭載する面積よりやや大きめにその
部分を切除した半硬化状態のプリプレグ、樹脂シート、
或いは塗布樹脂層を配置し、その外側に金属箔を置き、
加熱、加圧下、好ましくは真空下に積層成形して一体化
した後、表面に回路を形成し、金属箔表面を化学処理し
てから、その外側に、半導体チップを搭載する箇所の面
積よりやや大きめにくりぬいた半硬化状態のプリプレ
グ、樹脂シート、或いは塗布樹脂層を配置し、その上に
金属箔、片面金属箔張積層板、または片面に回路を形成
し、金属箔表面を化学処理した両面板或いは多層板を、
回路側が内側を向くように置き、積層成形して両面金属
箔張多層板を作成する。この後、メカニカルドリル、レ
ーザーなどにてスルーホール用貫通孔を、内層の金属板
に接触しないようにあけ、さらにはブラインド孔をあ
け、デスミア処理後に金属メッキを施し、回路を定法に
て形成し、表面の半導体チップを搭載する金属箔上の部
分を、公知の方法にて切除し、少なくとも表面の半導体
チップ、ワイヤボンディングパッド、裏面のボールパッ
ド以外をメッキレジストで被覆し、ニッケルメッキ、金
メッキを施してプリント配線板が作成される。表面の円
錐台形状金属突起に接触した金属箔上には半導体チップ
を熱伝導性接着剤で固定し、ワイヤボンディングで周囲
の回路導体と接続し、少なくとも半導体チップ、ボンデ
ィングワイヤ、ボンディングパッドを樹脂封止し、裏面
の円錐台形突起上の、貴金属メッキされた金属箔と接続
したハンダボールパッドにハンダボールを溶融させてマ
ザーボードプリント配線板と接合した形態とし、表裏の
回路導体及び導通用のメッキされたスルーホールは、熱
硬化性樹脂組成物で絶縁された構造となっている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A semiconductor plastic package produced by using a double-sided multilayer metal foil clad board manufactured according to the present invention has a metal plate substantially the same size as a printed wiring board arranged in a part of the thickness direction. At least one semiconductor chip is fixed to one surface of the printed wiring board with a heat conductive adhesive, and the metal plate and the signal transmission circuit conductor on the surface of the printed wiring board are insulated with a thermosetting resin composition. Then, the circuit conductor and the semiconductor chip are connected by wire bonding, and at least the circuit conductor on the surface of the printed wiring board and the circuit conductor or the package formed on the opposite surface of the printed wiring board are connected to the outside with solder balls. The circuit conductor pad formed for this purpose is connected with a metal plate and a through-hole conductor insulated with a resin composition, and at least a semiconductor chip, a wire, and a bonding In a semiconductor plastic package having a structure in which a pad is resin-sealed, a metal core having a plurality of truncated cone-shaped metal projections on the front and back, or a metal core having a thermally conductive adhesive or solder adhered thereon. A semi-cured prepreg in which a clearance hole or slit hole is formed in a part other than the above, and the part is cut off slightly larger than the area where the semiconductor chip is mounted on the front and back surfaces where the truncated conical metal projection of this metal core exists , Resin sheet,
Or place a coating resin layer, put a metal foil on the outside,
After laminating under heating, pressurizing, preferably under vacuum and integrating, a circuit is formed on the surface, the metal foil surface is chemically treated, and outside, a little more than the area of the place where the semiconductor chip is mounted. A semi-cured prepreg, resin sheet, or coated resin layer that is oversized is placed, and a metal foil, a single-sided metal foil-clad laminate, or a circuit is formed on one side, and both sides of the metal foil surface are chemically treated. Board or multilayer board,
The circuit side faces inward and is laminated and molded to create a double-sided metal foil-clad multilayer board. After this, a through hole for through hole is made with a mechanical drill, laser, etc. so that it does not contact the metal plate of the inner layer, further a blind hole is made, metal plating is applied after desmear treatment, and a circuit is formed by a standard method. A portion of the surface of the metal foil on which the semiconductor chip is mounted is cut off by a known method, and at least the surface semiconductor chip, the wire bonding pad, and the ball pad on the rear surface are covered with a plating resist, and nickel plating and gold plating are performed. To form a printed wiring board. A semiconductor chip is fixed on the metal foil in contact with the truncated cone-shaped metal protrusion on the surface with a heat conductive adhesive, connected to the surrounding circuit conductor by wire bonding, and at least the semiconductor chip, bonding wires and bonding pads are sealed with resin. Stop the solder ball on the solder ball pad connected to the precious metal plated metal foil on the frustum-shaped projection on the back side, and make it a form that is joined to the motherboard printed wiring board, and the front and back circuit conductors and the plated for conduction The through hole has a structure insulated by a thermosetting resin composition.

【0006】公知のスルーホールを有する金属芯プリン
ト配線板の上面に半導体チップを固定する方法において
は、従来のP-BGAパッケージと同様に半導体チップから
の熱は直下の熱放散用スルーホールに落として熱放散せ
ざるを得ず、ポップコーン現象は改善できない。本発明
は、金属芯とする金属平板の両面に、あらかじめ公知の
エッチング等の方法で、表裏面に円錐台形状金属突起を
形成し、クリアランスホール又はスリット孔をあけ、両
面に半導体チップの面積よりやや大きめに孔をあけた半
硬化状態のプリプレグ、樹脂シート或いは塗布樹脂層を
積層成形後に金属突起の高さよりやや低めになるように
して配置し、その外側には金属箔を置いて、加熱、加
圧、好ましくは真空下に、積層成形して、外層金属箔部
と円錐台形状突起部先端が接続するようにして一体化
し、内層金属芯入り両面金属箔張板を製造する。これを
用い、その片面に回路を形成し、化学処理を施した後、
その上に半導体チップよりやや大きめに孔を形成した半
硬化状態のプリプレグ、樹脂シート、或いは樹脂層を、
好適にはローフロー或いはノーフローとなるようにして
配置し、その上に金属箔、片面金属箔張積層板、または
片面に回路を形成し、化学処理を施した両面板或いは両
面金属箔張多層板を、回路側が内側を向くように配置
し、同様に積層成形して多層板とする。両面に回路を形
成した後、この板の半導体チップを搭載するための、円
錐台形状突起先端が接触した金属箔の真上の金属箔、及
び/又は基材をルーター、サンドブラストなど、一般に
公知の方法で切除し、その後、必要により、半導体チッ
プを搭載する金属箔面上に流れ出した樹脂を、少なくと
も半導体チップが搭載できる程度、好ましくは半導体チ
ップの面積以上に金属箔面が露出するように、好ましく
はサンドブラスト法で加工し、通常の方法にて回路を形
成して、キャビティ型の多層プリント配線板とする。
In a known method of fixing a semiconductor chip on the upper surface of a metal-core printed wiring board having a through hole, heat from the semiconductor chip is dropped to a heat dissipation through hole immediately below, similarly to a conventional P-BGA package. Heat must be dissipated and the popcorn phenomenon cannot be improved. The present invention forms a truncated-cone-shaped metal projection on the front and back surfaces on both surfaces of a metal flat plate serving as a metal core by a known etching method or the like in advance, drills a clearance hole or a slit hole, and increases the surface area of the semiconductor chip on both surfaces. A semi-cured prepreg with a slightly larger hole, a resin sheet or a coating resin layer is placed so that it is slightly lower than the height of the metal projections after lamination molding, and a metal foil is placed on the outside, heating, The laminate is molded under pressure, preferably under vacuum, and integrated so that the outer metal foil portion and the tip of the truncated cone-shaped protrusion are connected to produce a double-sided metal foil clad board with an inner metal core. After using this to form a circuit on one side and subject it to chemical treatment,
A semi-cured prepreg, resin sheet, or resin layer with a hole slightly larger than the semiconductor chip
Preferably placed in a low-flow or no-flow, a metal foil, a single-sided metal foil-clad laminate, or a circuit formed on one side, and a chemically treated double-sided board or double-sided metal foil-clad multilayer board Are arranged so that the circuit side faces inward, and similarly laminated and formed into a multilayer board. After forming a circuit on both sides, a metal foil directly above the metal foil with which the frusto-conical projection tip is in contact, and / or a base material such as a router or sandblast for mounting the semiconductor chip of this plate is known. Cut off by the method, and then, if necessary, the resin that has flowed out onto the metal foil surface on which the semiconductor chip is mounted, at least to the extent that the semiconductor chip can be mounted, preferably such that the metal foil surface is exposed to an area equal to or larger than the semiconductor chip, Preferably, it is processed by a sand blast method, and a circuit is formed by an ordinary method to obtain a cavity-type multilayer printed wiring board.

【0007】金属芯の形成方法としては、特に限定しな
いが、例えば、まず金属平板の、金属突起部を形成する
範囲を残して、金属板の約1/2の厚みを両側からエッ
チング除去し、エッチングレジストを除去後、再び全面
を液状のエッチングレジストで覆い、表裏面の円錐台形
状金属突起部を形成する箇所にエッチングレジストを円
形で残し、同時にクリアランスホール又はスリット孔を
形成する箇所のエッチングレジストを除去し、両側から
エッチング液にてエッチングして表裏面に円錐台形突起
を形成すると同時に、クリアランスホール又はスリット
孔を形成する方法等で金属芯を作成する。
The method of forming the metal core is not particularly limited. For example, first, about half of the thickness of the metal plate is etched away from both sides except for the area where the metal protrusion is formed on the metal plate. After removing the etching resist, cover the entire surface again with a liquid etching resist, leave the etching resist in a circular shape on the front and rear surfaces where the truncated cone-shaped metal protrusions are formed, and at the same time, etch the resist resist where clearance holes or slit holes are formed. Is removed and etched from both sides with an etching solution to form a truncated conical projection on the front and back surfaces, and at the same time, a metal core is formed by a method of forming a clearance hole or a slit hole.

【0008】該円錐台形状突起とクリアランスホール又
はスリット孔が形成された金属板の表面を公知の方法で
酸化処理、微細凹凸形成、皮膜形成等の接着性や電気絶
縁性向上のための表面処理を必要に応じて施す。該円錐
台形状突起上には、熱伝導性接着剤、又はハンダを付着
させておくことも可能である。該表面処理された表裏面
の円錐台形状突起の部分には、その形状の面積よりやや
大きめのプリプレグ、樹脂シート、或いは塗布樹脂層
を、積層成形後に台形状の突起の高さよりやや低めにな
るように配置し、その外側に金属箔を置き、加熱、加
圧、好ましくは真空下に積層成形し、クリアランスホー
ル又はスリット孔に熱硬化性樹脂を充填するとともに、
円錐台形金属突起部先端を表層の金属箔に食い込ませて
接合させる。この半導体チップを搭載する側に回路を形
成し、金属表面処理を行い、この上に、半導体チップ面
積よりやや大きめとなるように切除したプリプレグ、樹
脂シート、或いは塗布樹脂層を配置し、その上に金属
箔、片面金属箔張積層板、又は片面に回路を形成して化
学処理を施した両面金属箔張板或いは両面金属箔張多層
板を、回路側が内側を向くようにして置き、同様に積層
成形して多層板とした。スルーホール用貫通孔を形成
し、さらにはブラインド孔をあけ、デスミア処理し、金
属メッキし、回路形成後、この表面に半導体チップを搭
載する、円錐台形状金属突起先端が接触する金属箔の真
上の金属箔及び/又は基材をルーターなどにて切除し、
樹脂が流れ出して、半導体チップを搭載する金属箔上に
樹脂が残存する場合には、好ましくはサンドブラスト法
にて該樹脂を削除する。
The surface of the metal plate on which the truncated cone-shaped projections and the clearance holes or slit holes are formed is subjected to oxidation treatment, formation of fine unevenness, formation of a film, and other surface treatments for improving adhesion and electrical insulation by known methods. Is applied as needed. A heat conductive adhesive or solder may be attached to the truncated conical projection. A prepreg, a resin sheet, or a coating resin layer, which is slightly larger than the area of the shape, is slightly lower than the height of the trapezoidal protrusion after lamination molding in the truncated conical protrusions on the front and back surfaces after the surface treatment. Arranged in such a way, placing a metal foil on the outside, heating, pressurizing, preferably laminating under vacuum, filling the clearance hole or slit hole with thermosetting resin,
The tip of the truncated-cone-shaped metal projection is cut into the metal foil on the surface layer and joined. A circuit is formed on the side on which the semiconductor chip is mounted, a metal surface treatment is performed, and a prepreg, a resin sheet, or a coating resin layer cut out so as to be slightly larger than the semiconductor chip area is arranged thereon. Put a metal foil, a single-sided metal foil-clad laminate, or a double-sided metal foil-clad multilayer board or a double-sided metal foil-clad multilayer board that has been subjected to chemical treatment by forming a circuit on one side, with the circuit side facing inward, and It was laminated and formed into a multilayer board. After forming a through hole for through hole, further drilling a blind hole, desmearing, metal plating, forming a circuit, mounting a semiconductor chip on this surface, a metal frustum of the frusto-conical metal protrusion contacting Cut off the upper metal foil and / or base material with a router, etc.
If the resin flows out and remains on the metal foil on which the semiconductor chip is mounted, the resin is preferably removed by sandblasting.

【0009】得られた両面金属箔張多層板の、クリアラ
ンスホールまたはスリット孔が形成された箇所に、スル
ーホールをメカニカルドリル或いはレーザー等、公知の
方法で金属芯と接触しないようにあけ、全体を金属メッ
キする。表面の円錐台形突起先端部が表層金属箔と接触
している箇所を半導体チップ搭載部として残す。裏面は
金属突起部と接触する箇所或いはその箇所を避けてボー
ルパッドを形成する。この場合、このボールパッドを金
属突起上の金属箔と回路で接続するようにして全体に公
知の方法で回路を形成するようにする。少なくとも表層
の半導体チップ搭載部、ボンディングパッド部、及び裏
面のハンダボールパッド部をメッキレジストで被覆し、
ニッケル、金メッキを施し、プリント配線板を作成す
る。その後、表面の半導体チップ搭載部に熱伝導性接着
剤で半導体チップを接着固定し、ワイヤボンディング
し、樹脂封止して半導体プラスチックパッケージとす
る。裏面のハンダボールパッドは、円錐台形突起上に形
成しても良いが、ボールの接着力を向上させるためには
円錐台形突起上に回路を形成し、この回路と接続させ
て、突起部上部以外に作成するのが好ましい。そしてこ
の裏面のハンダボールパッド部をハンダボールを溶融し
てマザーボードプリント配線板に接合する。半導体チッ
プから発生した熱は、半導体チップ搭載部分から熱伝導
して金属芯の円錐台形突起部を通り、金属芯に伝達し、
反対面の金属円錐台形突起を通ってハンダボール用パッ
ドに伝導し、ハンダボールで接合したマザーボードプリ
ント配線板に拡散する。
In the obtained double-sided metal foil-clad multilayer board, a through hole is formed in a place where a clearance hole or a slit hole is formed so as not to be in contact with a metal core by a known method such as a mechanical drill or a laser. Metal plating. A portion where the tip of the truncated cone-shaped protrusion on the surface is in contact with the surface metal foil is left as a semiconductor chip mounting portion. On the back surface, a ball pad is formed so as to avoid a portion which is in contact with the metal protrusion or the portion. In this case, the ball pad is connected to the metal foil on the metal protrusion by a circuit so that a circuit is formed by a generally known method. At least the semiconductor chip mounting portion of the surface layer, the bonding pad portion, and the solder ball pad portion on the back surface are covered with a plating resist,
Nickel and gold plating are applied to create a printed wiring board. Thereafter, the semiconductor chip is bonded and fixed to the semiconductor chip mounting portion on the surface with a heat conductive adhesive, wire-bonded, and resin-sealed to obtain a semiconductor plastic package. The solder ball pad on the back surface may be formed on a truncated conical projection, but in order to improve the adhesive strength of the ball, a circuit is formed on the truncated conical projection and connected to this circuit, except for the upper part of the projection. It is preferable to create it. Then, the solder ball pads on the back surface are joined to the motherboard printed wiring board by melting the solder balls. The heat generated from the semiconductor chip is conducted from the semiconductor chip mounting portion, passes through the truncated conical projection of the metal core, and is transmitted to the metal core,
Conduction is transmitted to the solder ball pad through the metal truncated conical protrusion on the opposite surface, and diffuses to the motherboard printed wiring board joined by the solder ball.

【0010】金属板の側面については、熱硬化性樹脂組
成物で被覆している形、露出している形、いずれの形で
も良いが、錆発生を防ぐ等の点から熱硬化性樹脂組成物
で被覆されている方が好ましい。
The side surface of the metal plate may be coated or exposed with the thermosetting resin composition, but may be formed in any shape. It is more preferable that it is coated with.

【0011】表裏信号回路用のスルーホール用孔は、樹
脂の埋め込まれた金属板クリアランスホール又はスリッ
ト孔のほぼ中央に、金属板と接触しないように形成す
る。次いで無電解メッキや電解メッキによりスルーホー
ル内部の金属層を形成して、メッキされたスルーホール
を形成する。
The through hole for the front and back signal circuits is formed substantially at the center of the metal plate clearance hole or slit hole in which the resin is embedded so as not to contact the metal plate. Next, a metal layer inside the through hole is formed by electroless plating or electrolytic plating to form a plated through hole.

【0012】表裏の回路を形成後、貴金属メッキを、少
なくともワイヤボンディングパッド表面に形成してプリ
ント配線板を完成させる。この場合、貴金属メッキの必
要のない箇所は、事前にメッキレジストで被覆してお
く。または、メッキ後に、必要により公知の熱硬化性樹
脂組成物、或いは光選択熱硬化性樹脂組成物で、少なく
とも半導体チップ搭載部、ボンディングパッド、反対面
のハンダボール接着用パッド以外の表面に皮膜を形成す
る。
After forming the front and back circuits, a noble metal plating is formed on at least the surface of the wire bonding pad to complete the printed wiring board. In this case, a portion that does not require noble metal plating is covered with a plating resist in advance. Or, after plating, if necessary, a known thermosetting resin composition, or a photoselective thermosetting resin composition, at least a semiconductor chip mounting portion, a bonding pad, a coating on a surface other than the solder ball bonding pad on the opposite surface. Form.

【0013】該プリント配線板の、内層円錐台形金属芯
上に接触した表層の金属箔上に半導体チップを、熱伝導
性接着剤を用いて固定し、さらに半導体チップとプリン
ト配線板回路のボンディングパッドとをワイヤボンディ
ング法で接続し、少なくとも、半導体チップ、ボンディ
ングワイヤ、及びボンディングパッドを公知の封止樹脂
で封止する。
[0013] A semiconductor chip is fixed on a surface metal foil in contact with the inner layer frustum-shaped metal core of the printed wiring board using a thermally conductive adhesive, and further, a bonding pad of the semiconductor chip and a printed wiring board circuit is provided. Are connected by a wire bonding method, and at least the semiconductor chip, the bonding wires, and the bonding pads are sealed with a known sealing resin.

【0014】半導体チップと反対面のハンダボール接続
用導体パッドに、ハンダボールを接続してP-BGAを作
り、マザーボードプリント配線板上の回路にハンダボー
ルを重ね、熱によってボールを熔融接続するか、または
パッケージにハンダボールをつけずにP-LGAを作り、マ
ザーボードプリント配線板に実装する時に、マザーボー
ドプリント配線板面に形成されたハンダボール接続用導
体パッドとP-LGA用のハンダボール用導体パッドとを、
ハンダボールを加熱溶融することにより接続する。
A solder ball is connected to the solder ball connecting conductor pad on the opposite side of the semiconductor chip to form a P-BGA, and the solder ball is superimposed on a circuit on a motherboard printed wiring board, and the ball is melt-connected by heat. When making a P-LGA without attaching solder balls to the package and mounting it on the motherboard printed wiring board, the solder ball connection conductor pad formed on the motherboard printed wiring board surface and the solder ball conductor for the P-LGA The pad and
The solder balls are connected by heating and melting.

【0015】本発明に用いる金属板は、特に限定しない
が、高弾性率、高熱伝導性で、厚さ150〜500μmのもの
が好適である。具体的には、純銅、無酸素銅、その他、
銅が95重量%以上のFe、Sn、P、Cr、Zr、.Zn等との合金
が好適に使用される。また、合金の表面を銅メッキした
金属板等も使用され得る。
Although the metal plate used in the present invention is not particularly limited, a metal plate having a high elastic modulus, a high thermal conductivity and a thickness of 150 to 500 μm is suitable. Specifically, pure copper, oxygen-free copper, and others,
An alloy of 95% by weight or more of copper with Fe, Sn, P, Cr, Zr, .Zn, or the like is preferably used. Further, a metal plate or the like in which the surface of the alloy is plated with copper may be used.

【0016】本発明の金属円錐台形突起部の高さは、特
に限定はないが、50〜150μmが好適である。又、プリプ
レグ、樹脂シート等の絶縁層の厚さは、積層成形後に、
金属円錐台形突起の高さよりやや低め、好ましくは5〜1
0μm低めとなるようにし、積層成形後に、円錐台形突
起の間、及びクリアランスホール又はスリット孔に樹脂
を充填し、円錐台形突起の先端部は、少なくとも表層金
属箔の一部と圧力で接触、接合させる。又、この場合、
円錐台形状の突起上には、一般に公知の鉛フリーハン
ダ、銀ペースト、銅ペーストなどの熱伝導性接着剤等を
付着させ、外側の金属箔と接着接続することもできる。
円錐台形突起円錐台形の大きさは、特に限定しないが、
一般には、底部の径が0.5〜5mm、上部の径が0〜1mmとす
る。
The height of the metal truncated conical protrusion of the present invention is not particularly limited, but is preferably 50 to 150 μm. Also, the thickness of the insulating layer such as prepreg, resin sheet, etc., after lamination molding,
Slightly lower than the height of the metal frustum, preferably 5 to 1
After lamination molding, resin is filled between the truncated cone-shaped protrusions and the clearance holes or slit holes, and the tip of the truncated cone-shaped protrusion contacts and joins at least a part of the surface metal foil by pressure after lamination molding. Let it. Also, in this case,
A generally known heat-conductive adhesive such as lead-free solder, silver paste, or copper paste may be adhered to the truncated cone-shaped protrusion, and the protrusion may be bonded to the outer metal foil.
The size of the truncated cone is not particularly limited,
Generally, the diameter at the bottom is 0.5-5 mm and the diameter at the top is 0-1 mm.

【0017】サンドブラスト法とは、湿式或いは乾式で
微粒子の砂を高速で吹き付け、表面の樹脂等を削って除
去する方法である。粒子としては、例えば20〜40μm位
のガラスビーズ、炭化ケイ素等、一般に公知の粉体が使
用される。
The sand blasting method is a method in which fine or particulate sand is sprayed at a high speed in a wet or dry manner, and the resin or the like on the surface is shaved and removed. As the particles, generally known powders such as glass beads or silicon carbide having a size of about 20 to 40 μm are used.

【0018】金属円錐台形突起部形成範囲は、半導体チ
ップ面積前後であり、一般的には5〜20mm角以内とし、
半導体チップ固定箇所及びその反対面に存在するように
する。好ましくは、裏面の金属突起部と接触した金属箔
の箇所を避けてボールパッドを形成し、このボールパッ
ドと回路で突起上の金属箔と接続するようにして、ボー
ルパッド部と基板との接着強度を保持し、ボールに横か
ら圧力がかかった場合の剥離強度(ボールシェア強度)
が保持できるようにする。
The range in which the metal truncated cone-shaped protrusions are formed is around the semiconductor chip area, and generally within 5 to 20 mm square.
It should be present at the semiconductor chip fixing location and the opposite surface. Preferably, a ball pad is formed avoiding a portion of the metal foil in contact with the metal projection on the back surface, and the ball pad and the circuit are connected to the metal foil on the projection so that the ball pad is bonded to the substrate. Peel strength (ball shear strength) when pressure is applied to the ball from the side while maintaining strength
To be able to hold.

【0019】本発明で使用される熱硬化性樹脂組成物の
樹脂としては、一般に公知の熱硬化性樹脂が使用され
る。具体的には、エポキシ樹脂、多官能性シアン酸エス
テル樹脂、 多官能性マレイミドーシアン酸エステル樹
脂、多官能性マレイミド樹脂、不飽和基含有ポリフェニ
レンエーテル樹脂等が挙げられ、1種或いは2種類以上が
組み合わせて使用される。耐熱性、耐湿性、耐マイグレ
ーション性、吸湿後の電気的特性等の点から多官能性シ
アン酸エステル樹脂組成物が好適である。
As the resin of the thermosetting resin composition used in the present invention, generally known thermosetting resins are used. Specifically, an epoxy resin, a polyfunctional cyanate ester resin, a polyfunctional maleimide-cyanate ester resin, a polyfunctional maleimide resin, an unsaturated group-containing polyphenylene ether resin, and the like, and one or more kinds Are used in combination. Polyfunctional cyanate ester resin compositions are preferred from the viewpoints of heat resistance, moisture resistance, migration resistance, electrical properties after moisture absorption, and the like.

【0020】本発明の好適な熱硬化性樹脂分である多官
能性シアン酸エステル化合物とは、分子内に2個以上の
シアナト基を有する化合物である。具体的に例示する
と、1,3-又は1,4-ジシアナトベンゼン、1,3,5-トリシア
ナトベンゼン、1,3-、1,4-、1,6-、1,8-、2,6-又は2,7-
ジシアナトナフタレン、1,3,6-トリシアナトナフタレ
ン、4,4-ジシアナトビフェニル、ビス(4-ジシアナトフ
ェニル)メタン、2,2-ビス(4-シアナトフェニル)プロパ
ン、2,2-ビス(3,5-ジブロモー4-シアナトフェニル)プロ
パン、ビス(4-シアナトフェニル)エーテル、ビス(4-シ
アナトフェニル)チオエーテル、ビス(4-シアナトフェニ
ル)スルホン、トリス(4-シアナトフェニル)ホスファイ
ト、トリス(4-シアナトフェニル)ホスフェート、および
ノボラックとハロゲン化シアンとの反応により得られる
シアネート類などである。
The polyfunctional cyanate compound which is a preferred thermosetting resin component of the present invention is a compound having two or more cyanato groups in a molecule. Specific examples include 1,3- or 1,4-dicyanatobenzene, 1,3,5-tricyanatobenzene, 1,3-, 1,4-, 1,6-, 1,8-, 2 , 6- or 2,7-
Dicyanatonaphthalene, 1,3,6-tricyanatonaphthalene, 4,4-dicyanatobiphenyl, bis (4-dicyanatophenyl) methane, 2,2-bis (4-cyanatophenyl) propane, 2,2- Bis (3,5-dibromo-4-cyanatophenyl) propane, bis (4-cyanatophenyl) ether, bis (4-cyanatophenyl) thioether, bis (4-cyanatophenyl) sulfone, tris (4-cy (Anatophenyl) phosphite, tris (4-cyanatophenyl) phosphate, and cyanates obtained by reacting novolak with cyanogen halide.

【0021】これらのほかに特公昭41-1928、同43-1846
8、同44-4791、同45-11712、同46-41112、同47-26853及
び特開昭51-63149号公報等に記載の多官能性シアン酸エ
ステル化合物類も用いられ得る。また、これら多官能性
シアン酸エステル化合物のシアナト基の三量化によって
形成されるトリアジン環を有する分子量400〜6,000のプ
レポリマーが使用される。このプレポリマーは、上記の
多官能性シアン酸エステルモノマーを、例えば鉱酸、ル
イス酸等の酸類;ナトリウムアルコラート等、第三級ア
ミン類等の塩基;炭酸ナトリウム等の塩類等を触媒とし
て重合させることにより得られる。このプレポリマー中
には一部未反応のモノマーも含まれており、モノマーと
プレポリマーとの混合物の形態をしており、このような
原料は本発明の用途に好適に使用される。一般には可溶
な有機溶剤に溶解させて使用する。
In addition to these, Japanese Patent Publication Nos. 41-1928 and 43-1846
8, polyfunctional cyanate compounds described in JP-A-44-4791, JP-A-45-11712, JP-A-46-41112, JP-A-47-26853 and JP-A-51-63149 can also be used. Further, a prepolymer having a molecular weight of 400 to 6,000 and having a triazine ring formed by trimerization of a cyanato group of these polyfunctional cyanate compounds is used. This prepolymer is obtained by polymerizing the above-mentioned polyfunctional cyanate ester monomer with a catalyst such as an acid such as a mineral acid or a Lewis acid; a base such as a tertiary amine such as sodium alcoholate; or a salt such as sodium carbonate. It can be obtained by: The prepolymer also contains some unreacted monomers and is in the form of a mixture of the monomer and the prepolymer, and such a raw material is suitably used for the purpose of the present invention. Generally, it is used after being dissolved in a soluble organic solvent.

【0022】エポキシ樹脂としては、一般に公知のもの
が使用できる。具体的には、液状或いは固形のビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹
脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂;ブタ
ジエン、ペンタジエン、ビニルシクロヘキセン、ジシク
ロペンチルエーテル等の二重結合をエポキシ化したポリ
エポキシ化合物類;ポリオール、水酸基含有シリコン樹
脂類とエポハロヒドリンとの反応によって得られるポリ
グリシジル化合物類等が挙げられる。これらは1種或い
は2種類以上が組み合わせて使用され得る。
As the epoxy resin, a generally known epoxy resin can be used. Specifically, liquid or solid bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, alicyclic epoxy resin; butadiene, pentadiene, vinylcyclohexene, dicyclopentyl ether, etc. And polyglycidyl compounds obtained by reacting a polyol, a hydroxyl-containing silicone resin with an epohalohydrin, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

【0023】ポリイミド樹脂としては、一般に公知のも
のが使用され得る。具体的には、多官能性マレイミド類
とポリアミン類との反応物、特公昭57-005406 に記載の
末端三重結合のポリイミドが挙げられる。
As the polyimide resin, generally known ones can be used. Specific examples thereof include a reaction product of a polyfunctional maleimide and a polyamine, and a polyimide having a terminal triple bond described in JP-B-57-005406.

【0024】これらの熱硬化性樹脂は、単独でも使用さ
れるが、特性のバランスを考え、適宜組み合わせて使用
するのが良い。
These thermosetting resins may be used alone, but it is preferable to use them in combination as appropriate in consideration of the balance of properties.

【0025】本発明の熱硬化性樹脂組成物には、組成物
本来の特性が損なわれない範囲で、所望に応じて種々の
添加物を配合することができる。これらの添加物として
は、不飽和ポリエステル等の重合性二重結合含有モノマ
ー類及びそのプレポリマー類;ポリブタジエン、エポキ
シ化ブタジエン、マレイン化ブタジエン、ブタジエン-
アクリロニトリル共重合体、ポリクロロプレン、ブタジ
エン-スチレン共重合体、ポリイソプレン、ブチルゴ
ム、フッ素ゴム、天然ゴム等の低分子量液状〜高分子量
のelasticなゴム類;ポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リブテン、ポリ-4-メチルペンテン、ポリスチレン、AS
樹脂、ABS樹脂、MBS樹脂、スチレン-イソプレンゴム、
ポリエチレン-プロピレン共重合体、4-フッ化エチレン-
6-フッ化エチレン共重合体類;ポリカーボネート、ポリ
フェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリエステル、ポ
リフェニレンサルファイド等の高分子量プレポリマー若
しくはオリゴマー;ポリウレタン等が例示され、適宜使
用される。また、その他、公知の無機或いは有機の充填
剤、染料、顔料、増粘剤、滑剤、消泡剤、分散剤、レベ
リング剤、光増感剤、難燃剤、光沢剤、重合禁止剤、チ
キソ性付与剤等の各種添加剤が、所望に応じて適宜組み
合わせて用いられる。必要により、反応基を有する化合
物は硬化剤、触媒が適宜配合される。
Various additives can be added to the thermosetting resin composition of the present invention, if desired, as long as the inherent properties of the composition are not impaired. These additives include polymerizable double bond-containing monomers such as unsaturated polyesters and prepolymers thereof; polybutadiene, epoxidized butadiene, maleated butadiene, butadiene-
Low molecular weight liquid to high molecular weight elastic rubbers such as acrylonitrile copolymer, polychloroprene, butadiene-styrene copolymer, polyisoprene, butyl rubber, fluororubber, natural rubber; polyethylene, polypropylene, polybutene, poly-4-methyl Penten, polystyrene, AS
Resin, ABS resin, MBS resin, styrene-isoprene rubber,
Polyethylene-propylene copolymer, 4-fluoroethylene-
6-fluorinated ethylene copolymers; high molecular weight prepolymers or oligomers such as polycarbonate, polyphenylene ether, polysulfone, polyester, and polyphenylene sulfide; and polyurethane are exemplified and used as appropriate. Other known inorganic or organic fillers, dyes, pigments, thickeners, lubricants, defoamers, dispersants, leveling agents, photosensitizers, flame retardants, brighteners, polymerization inhibitors, thixotropic Various additives such as imparting agents are used in combination as needed. If necessary, the compound having a reactive group is appropriately blended with a curing agent and a catalyst.

【0026】本発明の熱硬化性樹脂組成物は、それ自体
は加熱により硬化するが硬化速度が遅く、作業性、経済
性等に劣るため使用した熱硬化性樹脂に対して公知の熱
硬化触媒を用い得る。使用量は、熱硬化性樹脂100重量
部に対して0.005〜10重量部、好ましくは0.01〜5重量部
である。
The thermosetting resin composition of the present invention can be cured by heating itself, but has a low curing rate and is inferior in workability and economical efficiency. Can be used. The amount used is 0.005 to 10 parts by weight, preferably 0.01 to 5 parts by weight, per 100 parts by weight of the thermosetting resin.

【0027】プリプレグの補強基材として使用するもの
は、一般に公知の無機或いは有機の織布、不織布が使用
される。具体的には、Eガラス、Sガラス、Dガラス等の
公知のガラス繊維布、全芳香族ポリアミド繊維布、液晶
ポリエステル繊維布等が挙げられる。これらは、混抄で
も良い。 また、ポリイミドフィルム等のフィルムの表
裏に熱硬化性樹脂組成物を塗布、加熱して半硬化状態に
したものも使用できる。
As the reinforcing base material of the prepreg, generally known inorganic or organic woven or nonwoven fabric is used. Specific examples include known glass fiber cloths such as E glass, S glass, and D glass, wholly aromatic polyamide fiber cloths, and liquid crystal polyester fiber cloths. These may be mixed. Alternatively, a thermosetting resin composition applied to the front and back of a film such as a polyimide film and heated to a semi-cured state can be used.

【0028】最外層の金属箔は、一般に公知のものが使
用できる。好適には厚さ3〜18μmの銅箔、ニッケル箔等
が使用される。内層の銅箔は、好適には厚さ18〜70μm
を使用する。
As the outermost metal foil, generally known ones can be used. Preferably, a copper foil, a nickel foil or the like having a thickness of 3 to 18 μm is used. The inner layer copper foil is preferably 18-70 μm thick
Use

【0029】金属板に形成するクリアランスホール径又
はスリット孔幅は、表裏導通用スルーホール径よりやや
大きめに形成する。具体的には、該スルーホール壁と金
属板クリアランスホール又はスリット孔壁とは50μm以
上の距離が、熱硬化性樹脂組成物で絶縁されていること
が好ましい。表裏導通用スルーホール径については、特
に限定はないが、50〜300μmが好適である。
The diameter of the clearance hole or the width of the slit hole formed in the metal plate is formed to be slightly larger than the diameter of the through hole for front / back conduction. Specifically, it is preferable that a distance of 50 μm or more between the through hole wall and the metal plate clearance hole or the slit hole wall is insulated by the thermosetting resin composition. The diameter of the through hole for front / back conduction is not particularly limited, but is preferably 50 to 300 μm.

【0030】本発明のプリント配線板用プリプレグを作
成する場合、基材に熱硬化性樹脂組成物を含浸、乾燥
し、半硬化状態の積層材料とする。また基材を使用しな
い半硬化状態とした樹脂シートが使用できる。また塗料
も使用できる。プリプレグ等の半硬化の樹脂層を作成す
る温度は一般的には100〜180℃である。時間は5〜60分
であり、目的とするフローの程度により、適宜選択す
る。
When preparing a prepreg for a printed wiring board of the present invention, a substrate is impregnated with a thermosetting resin composition and dried to obtain a semi-cured laminated material. Further, a resin sheet in a semi-cured state without using a base material can be used. Paints can also be used. The temperature for forming a semi-cured resin layer such as a prepreg is generally 100 to 180 ° C. The time is 5 to 60 minutes, and is appropriately selected depending on the desired flow rate.

【0031】本発明の金属芯の入った半導体プラスチッ
クパッケージ用プリント配線板を作成する方法は特に限
定しないが、例えば以下(図1、2)の方法による。 (1)金属芯となる金属板全面を液状エッチングレジスト
で被覆し、加熱して溶剤を除去した後、半導体チップを
固定する箇所、反対面の金属円錐台形突起を形成する範
囲のレジストを全面残し、その他を約厚みの1/2エッ
チングする。 (2)エッチングレジストを除去した後、 (3)再び液状エッチングレジストで全面を被覆し、表面
の凸台形状部分の円錐台形状突起として残す部分に円形
状にレジストを残し、加えてクリアランスホール部以外
のレジスト全部を残し、 (4)エッチングにて上下からエッチング液でエッチング
して、表裏面に円錐台形の突起を形成すると同時にクリ
アランスホールを形成する。 (5)表裏に、金属突起部面積よりやや大きめの孔をあけ
たプリプレグ(図1−c)を配置し、その外側に銅箔
(図1−a)を配置する。この場合、孔は必ずしも大き
めとしなくても、図1−(2)のように、端部の円錐台
形突起に一部重なる形態でも差し支えないが、大きめの
方が好ましい。 (6)加熱、加圧、真空下に積層成形して、金属円錐台形
突起間、及びクリアランスホール内に樹脂を流入、充填
し、一体化する(図1−(4))。 (7)表面に回路を形成し、化学処理を施した後、この上
に再び、半導体チップを搭載する箇所に、その面積より
やや大きめに孔をあけた半硬化状態のプリプレグ、樹脂
シート或いは塗布樹脂層を配置し、その上に金属箔、片
面金属箔張積層板、または片面に回路を形成して化学処
理を施した両面板或いは多層板を、回路側が内側を向く
ように配置し(図2−(5))、同様に積層成形する
(図2−(6))。 (8)クリアランスホール部に、金属芯と接触しないよう
にメカニカルドリルにて孔をあけ、 (9)デスミア処理後に全体を銅メッキし、 (10)表面に回路を形成し、半導体チップを搭載する金属
箔真上の金属箔及び/又は基材をルーターにて切削除去
し、 (11)積層成形時に樹脂が半導体チップ搭載箇所の金属箔
上に流れ出している(図2−j)場合には、サンドブラ
スト法等にて金属箔面上の樹脂を除去し、 (12)半導体チップ搭載部となる表面の金属箔部、ボンデ
ィングパッド、及び裏面のハンダボールパッド部を除い
てメッキレジストで覆い、ニッケルメッキ、金メッキを
施してプリント配線板を作成する。 (13)表面には半導体チップを銀ペーストで接着固定し、
ワイヤボンディング後、少なくとも半導体チップ、ワイ
ヤ、ワイヤボンディングパッドを樹脂封止する。裏面に
は、ハンダボールをパッドに溶融接合して半導体プラス
チックパッケージとする。
The method for producing the printed wiring board for a semiconductor plastic package having a metal core according to the present invention is not particularly limited. For example, the following method (FIGS. 1 and 2) is used. (1) The entire surface of the metal plate serving as the metal core is coated with a liquid etching resist, and the solvent is removed by heating.After that, the semiconductor chip is fixed, and the entire surface of the resist which forms the frustum of the metal cone on the opposite surface is left. And the others are etched by about 1/2 of the thickness. (2) After removing the etching resist, (3) Cover the entire surface again with the liquid etching resist, leave the resist in a circular shape in the part to be left as a truncated conical projection on the surface of the convex trapezoid, and in addition, a clearance hole part (4) Etching is performed with an etching solution from above and below by etching to form a truncated cone-shaped projection on the front and back surfaces and simultaneously form a clearance hole. (5) A prepreg (FIG. 1-c) having a hole slightly larger than the area of the metal protrusion is arranged on the front and back sides, and a copper foil (FIG. 1-a) is arranged outside the prepreg. In this case, the hole does not necessarily have to be large, as shown in FIG. 1- (2), but may partially overlap the frustoconical projection at the end, but a larger hole is preferable. (6) Lamination molding is performed under heat, pressure, and vacuum, and resin is flowed into and filled between the metal truncated conical protrusions and the clearance holes, and integrated (FIG. 1- (4)). (7) After forming a circuit on the surface and subjecting it to a chemical treatment, a semi-cured prepreg, resin sheet or coating is formed on the part where the semiconductor chip is to be mounted again, with a hole slightly larger than its area. A resin layer is arranged, and a metal foil, a single-sided metal foil-clad laminate, or a double-sided board or a multilayer board on which a circuit is formed and a chemical treatment is performed on one side is arranged so that the circuit side faces inward (see FIG. 2- (5)), and laminate molding is performed in the same manner (FIG. 2- (6)). (8) Make a hole in the clearance hole with a mechanical drill so as not to contact the metal core, (9) Copper plating the whole after desmearing, (10) Form a circuit on the surface, and mount the semiconductor chip The metal foil and / or base material directly above the metal foil are cut and removed by a router. (11) If the resin is flowing out onto the metal foil at the semiconductor chip mounting location during lamination molding (FIG. 2-j), The resin on the metal foil surface is removed by sand blasting, etc. (12) Cover with a plating resist except for the metal foil part, bonding pad, and solder ball pad part on the back surface that will be the semiconductor chip mounting part, and nickel plating Then, a printed wiring board is prepared by applying gold plating. (13) The semiconductor chip is bonded and fixed on the surface with silver paste,
After the wire bonding, at least the semiconductor chip, the wires, and the wire bonding pads are resin-sealed. On the back surface, a solder ball is melt-bonded to a pad to form a semiconductor plastic package.

【0032】[0032]

【実施例】以下に実施例、比較例で本発明を具体的に説
明する。尚、特に断らない限り、『部』は重量部を表
す。 実施例1 2,2-ビス(4-シアナトフェニル)プロパン900部、ビス(4-
マレイミドフェニル)メタン100部を150℃に熔融させ、
撹拌しながら4時間反応させ、プレポリマーを得た。こ
れをメチルエチルケトンとジメチルホルムアミドの混合
溶剤に溶解した。これにビスフェノールA型エポキシ樹
脂(商品名:エピコート1001、油化シェルエポキシ<株>
製)400部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(商品
名:ESCN-220F、住友化学工業<株>製)600部を加え、均
一に溶解混合した。更に触媒としてオクチル酸亜鉛0.4
部を加え、溶解混合し、これに無機充填剤(商品名:焼成
タルクBST#200、日本タルク<株>製)500部を加え、均
一撹拌混合してワニスAを得た。このワニスを厚さ100μ
mのガラス織布に含浸、乾燥して、ゲル化時間(at170℃)
50秒、170℃、20kgf/cm2、5分間での樹脂流れ10mmとな
るように作成した、絶縁層の厚さ144μmの半硬化状態の
プリプレグB、樹脂流れ0.5mm、ゲル化時間13秒、厚さ1
45μmのプリプレグCを得た。一方、内層金属板となる
厚さ490μmのCu:99.9%,Fe:0.07%,P:0.03%の合金板を用
意し、大きさ50mm角のパッケージの半導体チップ搭載部
及びその反対面の範囲をエッチングレジストを残し、両
側から140μmエッチングして中央部表裏が凸の金属板と
した。エッチングレジストを除去し、再びこの全面に液
状エッチングレジストを25μm付着させ、中央部の半導
体チップ搭載部及び裏面に形成する円錐台形突起部とな
る箇所に、径300μmの円形のエッチングレジストを残
し、クリアランスホール部のエッチングレジストを除い
て、上下からエッチングにて金属板を溶解し。金属板表
面の中央13mm角内に、表面は高さ140μm、底部径655μ
m、上部径199μmの円錐台形の突起を256個、裏面は64個
作成すると同時に、この円錐台形状突起部の周囲に孔径
0.6mmφのクリアランスホールをあけた(図1-f)。金属
板全面に黒色酸化銅処理を施し、この表裏面に上記プリ
プレグBの半導体チップ搭載部を面積15mm角打ち抜いた
もの(f)を置き、その上下に12μmの電解銅箔(a)を配置
して、200℃、20kgf/cm2、30mmHg以下の真空下で2時間
積層成形し、一体化した。その後、表面の銅箔に回路を
形成し、黒色酸化銅処理を施した後、表面に上記プリプ
レグCの半導体チップ搭載部を面積14mm角打ち抜いたも
の(g)を配置し、その上下に12μmの電解銅箔を置き、同
様な条件で積層成形し、多層板とした。クリアランスホ
ール部に孔径0.25mmのスルーホールをメカニカルドリル
にてあけ、デスミア処理後に全体に無電解、電解メッキ
にて15μm銅メッキを施し(k)、表裏面に回路を形成し
た。裏面のハンダボールパッドは、円錐台形上を避けて
作成した。中央の半導体チップ搭載金属箔真上の銅箔を
ルーターで切除し、半導体チップ搭載部、ワイヤボンデ
ィング部、及び裏面のボールパッド部以外にメッキレジ
ストを形成し、ニッケル、金メッキを施してプリント配
線板を完成した。表面の半導体チップ搭載部である円錐
台形状突起部先端と接触して熱伝導性のある銅箔表面
に、大きさ13mm角の半導体チップ(n)を銀ペースト(o)で
接着固定した後、ワイヤボンディングを行い、次いでシ
リカ入りエポキシ封止用コンパウンド樹脂(q)を用い、
半導体チップ(n)、ワイヤ(p)及びボンディングパッドを
樹脂封止し、裏面にハンダボール(r)を接合して半導体
パッケージを作成した。この半導体プラスチックパッケ
ージをエポキシ樹脂マザーボードプリント配線板にハン
ダボールを溶融接合した。評価結果を表1に示す。
The present invention will be specifically described below with reference to examples and comparative examples. Unless otherwise specified, “parts” indicates parts by weight. Example 1 900 parts of 2,2-bis (4-cyanatophenyl) propane,
100 parts of (maleimidophenyl) methane are melted at 150 ° C,
The mixture was reacted for 4 hours with stirring to obtain a prepolymer. This was dissolved in a mixed solvent of methyl ethyl ketone and dimethylformamide. Add bisphenol A type epoxy resin (trade name: Epicoat 1001, Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.)
) And 600 parts of a cresol novolac type epoxy resin (trade name: ESCN-220F, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) were uniformly mixed and dissolved. Further, as a catalyst, zinc octylate 0.4
Was added and dissolved and mixed. To this, 500 parts of an inorganic filler (trade name: calcined talc BST # 200, manufactured by Nippon Talc Co., Ltd.) was added, followed by uniform stirring and mixing to obtain Varnish A. This varnish is 100μ thick
m glass woven cloth, dried, gel time (at 170 ℃)
50 seconds, 170 ° C., 20 kgf / cm 2 , prepreg B in a semi-cured state having a thickness of 144 μm of a semi-cured resin having a thickness of 144 μm, a resin flow of 0.5 mm, a gelation time of 13 seconds, and a resin flow of 10 mm in 5 minutes. Thickness 1
Prepreg C of 45 μm was obtained. On the other hand, an alloy plate of Cu: 99.9%, Fe: 0.07%, P: 0.03% with a thickness of 490 μm to be the inner metal plate was prepared, and the area of the semiconductor chip mounting part of a 50 mm square package and its opposite surface was With the etching resist left, the metal plate was etched 140 μm from both sides to form a metal plate with a convex front and back. The etching resist was removed, and a liquid etching resist of 25 μm was adhered to the entire surface again, leaving a circular etching resist having a diameter of 300 μm at the center of the semiconductor chip mounting portion and a portion to be formed into a truncated conical projection formed on the back surface, and a clearance was provided. Except for the etching resist in the hole, the metal plate was dissolved by etching from above and below. Within 13 mm square at the center of the metal plate surface, the surface is 140 μm high and the bottom diameter is 655 μm
m, 256 frusto-conical projections with a top diameter of 199 μm and 64 on the back side, and a hole diameter around this frusto-conical projection.
A 0.6mmφ clearance hole was drilled (Fig. 1-f). The entire surface of the metal plate is subjected to black copper oxide treatment, and a semiconductor chip mounting portion of the prepreg B is punched out in a 15 mm square area (f) on the front and back surfaces, and a 12 μm electrolytic copper foil (a) is arranged above and below. Then, they were laminated and molded at 200 ° C. under a vacuum of 20 kgf / cm 2 , 30 mmHg or less for 2 hours, and integrated. Thereafter, a circuit was formed on the copper foil on the surface, and after performing a black copper oxide treatment, a semiconductor chip mounting portion of the prepreg C was punched out in an area of 14 mm square (g) on the surface, and 12 μm was placed above and below it. An electrolytic copper foil was placed and laminated and formed under the same conditions to obtain a multilayer board. Through holes having a diameter of 0.25 mm were drilled in the clearance holes with a mechanical drill, and after desmearing, the whole was electrolessly plated with 15 μm copper by electrolytic plating (k) to form circuits on the front and back surfaces. The solder ball pad on the back was created avoiding the truncated cone. The copper foil directly above the metal foil on the center of the semiconductor chip is cut off with a router, a plating resist is formed on the semiconductor chip mounting part, the wire bonding part, and the ball pad part on the back surface, and nickel and gold plating are applied to the printed wiring board Was completed. After bonding the semiconductor chip (n) with a size of 13 mm square with silver paste (o) to the surface of the heat conductive copper foil in contact with the tip of the truncated conical protrusion that is the semiconductor chip mounting part on the surface, Perform wire bonding, then use a silica-containing epoxy sealing compound resin (q),
The semiconductor chip (n), the wire (p), and the bonding pad were sealed with a resin, and a solder ball (r) was bonded to the back surface to form a semiconductor package. This semiconductor plastic package was melt-bonded with a solder ball to an epoxy resin mother board printed wiring board. Table 1 shows the evaluation results.

【0033】実施例2 実施例1において、円錐台形突起上に銀ペーストを5μm
となるように付着させ、2回目の積層成形時に使用した
表面の銅箔の代わりに、プリプレグBを1枚使用し、こ
の両面に12μmの電解銅箔を置き、同様に積層成形した
両面銅張積層板の片面に回路を形成して黒色酸化銅処理
を施した板を、プリプレグCの代わりにプリプレグBを
打ち抜いたものを配置し、両面板の回路側がプリプレグ
側を向くように置き、同様に積層成形して多層板を得
た。このクリアランスホールの箇所にスルーホール用貫
通孔をあけ、表面には孔径100μmのブラインド孔を炭酸
ガスレーザーであけ、デスミア処理後、無電解、電解銅
メッキにて厚さ17μm付着させた。表裏に回路を形成
後、表面の半導体チップを搭載する金属箔の真上の基材
をルーターにて切削除去した後、表側からサンドブラス
ト法にて砂を吹き付け、半導体チップ搭載銅箔上に流れ
出した樹脂を除去した後、半導体チップ搭載部である銅
箔部、ボンディングパッド部、及び裏面のボールパッド
部以外をメッキレジストで覆い、ニッケルメッキ、金メ
ッキを施してキャビティ型多層プリント配線板を作成し
た。同様に半導体チップを搭載し、ワイヤボンディン
グ、樹脂封止を行い、ハンダボールを接続し、マザーボ
ードプリント配線板に接合した。評価結果を表1に示
す。
Example 2 In Example 1, 5 μm of silver paste was applied on the truncated conical projection.
In place of the copper foil on the surface used at the time of the second lamination molding, one prepreg B was used, and a 12 μm electrolytic copper foil was placed on both sides of the prepreg. A board formed by forming a circuit on one side of the laminated board and subjected to black copper oxide treatment, a prepreg B is punched in place of the prepreg C, and the circuit side of the double-sided board is placed so as to face the prepreg side. Lamination molding was performed to obtain a multilayer board. A through hole for a through hole was made at the location of this clearance hole, and a blind hole having a hole diameter of 100 μm was made on the surface with a carbon dioxide gas laser. After desmearing, a thickness of 17 μm was applied by electroless copper plating. After forming the circuit on the front and back, the base material directly above the metal foil on which the semiconductor chip on the surface was mounted was cut and removed with a router, and sand was sprayed from the front side by sandblasting, and it flowed out onto the copper foil on which the semiconductor chip was mounted After the resin was removed, the portions other than the copper foil portion, the bonding pad portion, and the ball pad portion on the back surface, which were the semiconductor chip mounting portions, were covered with a plating resist, and nickel plating and gold plating were performed to produce a cavity-type multilayer printed wiring board. Similarly, a semiconductor chip was mounted, wire bonding and resin sealing were performed, solder balls were connected, and the chips were bonded to a motherboard printed wiring board. Table 1 shows the evaluation results.

【0034】比較例1 実施例2において、裏面のハンダボールパッドを円錐台
形状突起の上に形成し、サンドブラスト法にて半導体チ
ップ搭載銅箔部表面の樹脂を除去せずに半導体チップを
搭載し、プリント配線板を同様に作成し、マザーボード
プリント配線板にハンダボールで接合した。評価結果を
表1に示す。
Comparative Example 1 In Example 2, a solder ball pad on the back surface was formed on a truncated cone-shaped projection, and a semiconductor chip was mounted without removing the resin on the surface of the semiconductor chip mounting copper foil portion by sandblasting. A printed wiring board was prepared in the same manner and joined to a motherboard printed wiring board with solder balls. Table 1 shows the evaluation results.

【0035】比較例2 実施例1のプリプレグBを2枚使用し、上下に12μmの電
解銅箔を配置し、200℃、20kgf/cm2、30mmHg以下の真空
下に2時間積層成形し、両面銅張積層板を得た。所定の
位置に孔径0.25mmφのスルーホールをドリルであけ、デ
スミア処理後に銅メッキを施した。この板の上下に公知
の方法で回路を形成し、メッキレジストで被覆後、ニッ
ケル、金メッキを施した。これは半導体チップを搭載す
る箇所に放熱用のスルーホールが形成されており、この
上に銀ペーストで半導体チツプを接着し、ワイヤボンデ
ィング後、エポキシ封止用コンパウンドで実施例1と同
様に樹脂封止し、ハンダボールを接合した(図3)。同様
にマザーボードに接合した。評価結果を表1に示す。
Comparative Example 2 Two prepregs B of Example 1 were used, and 12 μm electrolytic copper foils were arranged on the upper and lower sides, and laminated and molded at 200 ° C., 20 kgf / cm 2 , and a vacuum of 30 mmHg or less for 2 hours. A copper-clad laminate was obtained. A through hole having a hole diameter of 0.25 mmφ was drilled at a predetermined position, and copper plating was performed after desmear treatment. Circuits were formed on and under the plate by a known method, and were covered with a plating resist and then plated with nickel and gold. This has a through hole for heat dissipation at the place where the semiconductor chip is mounted, a semiconductor chip is bonded with a silver paste on this, and after wire bonding, resin sealing is performed with an epoxy sealing compound in the same manner as in Example 1. And solder balls were joined (FIG. 3). Similarly joined to the motherboard. Table 1 shows the evaluation results.

【0036】比較例3 エポキシ樹脂(商品名:エピコート5045、油化シェルエ
ポキシ<株>製)300部、及びエポキシ樹脂(商品名:E
SCN220F、住友化学工業<株>製)700部、ジシアンジア
ミド35部、2-エチル-4-メチルイミダゾール1部をメチル
エチルケトンとジメチルホルムアミドとの混合溶剤に溶
解し、これを厚さ100μmのガラス織布に含浸、乾燥させ
て、ゲル化時間10秒、樹脂流れ98μmのノーフロープリ
プレグ(プリプレグD)、及びゲル化時間150秒、樹脂
流れ18mmのハイフロープリプレグ(プリプレグE)を作
成した。このプリプレグEを2枚使用し、190℃、20kgf/c
m2、30mmHg以下の真空下で2時間積層成形し、両面銅張
積層板を作成した。後は比較例1と同様にしてプリント
配線板を作成し、半導体チップ搭載部分をザグリマシー
ンにてくりぬき、裏面に厚さ200μmの銅板を、上記ノー
フロープリプレグDを打ち抜いたものを使用して、加
熱、加圧下に同様に接着させ、放熱板付きプリント配線
板を作成した。これはややソリが発生した。この放熱板
に直接銀ペーストで半導体チップを接着させ、ワイヤボ
ンディングで接続後、液状エポキシ樹脂で封止した(図
4)。同様にマザーボードプリント配線板に接合した。評
価結果を表1に示す。
Comparative Example 3 300 parts of epoxy resin (trade name: Epicoat 5045, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.) and epoxy resin (trade name: E
SCN220F, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) 700 parts, dicyandiamide 35 parts, 2-ethyl-4-methylimidazole 1 part are dissolved in a mixed solvent of methyl ethyl ketone and dimethylformamide, and this is dissolved in a 100 μm thick glass woven fabric. Impregnation and drying were performed to prepare a no-flow prepreg (prepreg D) having a gelling time of 10 seconds and a resin flow of 98 μm, and a high-flow prepreg (prepreg E) having a gelling time of 150 seconds and a resin flow of 18 mm. Using two pieces of this prepreg E, 190 ℃, 20kgf / c
Laminate molding was performed for 2 hours under a vacuum of m 2 and 30 mmHg or less to prepare a double-sided copper-clad laminate. Thereafter, a printed wiring board was prepared in the same manner as in Comparative Example 1, the semiconductor chip mounting portion was cut out with a counterbore machine, and a copper plate having a thickness of 200 μm on the back surface was punched out of the no-flow prepreg D. Bonding was similarly performed under heat and pressure to produce a printed wiring board with a heat sink. This slightly warped. A semiconductor chip was directly adhered to this heat sink with silver paste, connected by wire bonding, and sealed with liquid epoxy resin (Fig.
Four). Similarly, it was joined to a motherboard printed wiring board. Table 1 shows the evaluation results.

【0037】 表1 項 目 実 施 例 比 較 例 1 2 1 2 3 ボールシェア強度 1.6 1.5 1.2 ー ー (kgf) 吸湿後の耐熱性A) 常 態 異常なし 異常なし ー 異常なし 異常なし 24hrs. 異常なし 異常なし ー 異常なし 異常なし 48hrs. 異常なし 異常なし ー 異常なし 異常なし 72hrs. 異常なし 異常なし ー 異常なし 異常なし 96hrs. 異常なし 異常なし ー 異常なし 一部剥離 120hrs. 異常なし 異常なし ー 一部剥離 一部剥離 144hrs. 異常なし 異常なし ー 一部剥離 一部剥離 168hrs. 異常なし 異常なし ー 一部剥離 一部剥離 吸湿後の耐熱性B) 常 態 異常なし 異常なし ー 異常なし 異常なし 24hrs. 異常なし 異常なし ー 一部剥離 一部剥離 48hrs. 異常なし 異常なし ー 剥離大 剥離大 72hrs. 異常なし 異常なし ー ワイヤ切れ ワイヤ切れ 96hrs . 異常なし 異常なし ー ワイヤ切れ ワイヤ切れ 120hrs. 異常なし 異常なし ー ワイヤ切れ ワイヤ切れ 144hrs. 異常なし 異常なし ー − − 168hrs. 異常なし 異常なし ー − −[0037] Table 1 Item implementation example comparisons Example 1 2 1 2 3 Ball shear strength 1.6 1.5 1.2 over over (kgf) heat resistance A after moisture absorption) normal state No change No change over No change No change 24hrs. Abnormality None No error-No error No error 48hrs. No error No error-No error No error 72hrs. No error No error-No error No error 96hrs. No error No error-No error Partial peeling 120hrs. No error No error-1 Partial peeling Partial peeling 144hrs. No abnormality No abnormality-Partial peeling Partial peeling 168hrs. No abnormality No abnormality-Partial peeling Partial peeling Heat resistance after moisture absorption B) Normal No abnormality No abnormality-No abnormality-No abnormality 24hrs No abnormality No abnormality-Partially peeled Partially peeled 48hrs. No abnormality No abnormality-No abnormality-Large peeled large peeled 72hrs. No abnormality-No abnormality-Wire break Wire break 96hrs. No abnormality No abnormality-Wire break Wire break 120hrs. No abnormalities No abnormalities-No broken wires 144hrs. No abnormalities No abnormalities---168hrs. No abnormalities No abnormalities---

【0038】 表1 項 目 実 施 例 比 較 例 1 2 1 2 3 プレッシャークッカー 処理後の絶縁抵抗値 (Ω) 常 態 5X1014 4X1014 ー 6X1014 6X1014 200hrs. 6X1012 5X1012 ー 5X1012 5X108 500hrs. 7X1011 7x1011 ー 4X1011 < 108 700hrs. 4X1010 6X1010 ー 5X1010 ー 1000hrs. 2X1010 3X1010 ー 2X1010 ー 耐マイグレーション性(Ω) 常 態 5X1013 6X1013 ー 5X1013 4X1013 200hrs. 5X1011 5X1011 ー 4X1011 3X109 500hrs. 6X1011 4X1011 ー 5X1011 <108 700hrs. 3X1011 1X1011 ー 1X1011 ー 1000hrs. 9X1010 9X1010 ー 8X1010 ー ガラス転移温度 (℃) 234 234 234 234 160 放熱性(℃) 35 36 59 56 48[0038] 1 Item implementation example ratio Table compare Example 1 2 1 2 3 pressure cooker treatment after the insulation resistance (Omega) normal state 5X10 14 4X10 14 over 6X10 14 6X10 14 200hrs. 6X10 12 5X10 12 over 5X10 12 5X10 8 500hrs. 7X10 11 7x10 11 over 4X10 11 <10 8 700hrs. 4X10 10 6X10 10 over 5X10 10 over 1000hrs. 2X10 10 3X10 10 over 2X10 10 over migration resistance (Omega) normal state 5X10 13 6 × 10 13 over 5X10 13 4X10 13 200hrs. 5X10 11 5X10 11 over 4X10 11 3X10 9 500hrs. 6X10 11 4X10 11 over 5X10 11 <10 8 700hrs. 3X10 11 1X10 11 over 1X10 11 over 1000hrs. 9X10 10 9X10 10 over 8X10 10 over the glass transition temperature (° C.) 234 234 234 234 160 Heat dissipation (° C) 35 36 59 56 48

【0039】<測定方法> 1)ボールシェア強度 径0.6mmのボールパッド部にハンダボールを付け、横か
ら押して剥離する時の強度を測定した。 2)吸湿後の耐熱性A) JEDEC STANDARD TEST METHOD A113-A LEVEL3:30℃・60%
RHで所定時間処理後、220℃リフローソルダー3サイクル
後の基板の異常の有無について、断面観察及び電気的チ
ェックによって確認した。 3)吸湿後の耐熱性B) JEDEC STANDARD TEST METHOD A113-A LEVEL2:85℃・60%
RHで所定時間(Max.168hrs.)処理後、220℃リフローソル
ダー3サイクル後の基板の異常の有無を断面観察及び電
気的チェックによって確認した。 4)プレッシャークッカー処理後の絶縁抵抗値 端子間(ライン/スペース=70/70μm)の櫛形パターン
を作成し、この上に、それぞれ使用したプリプレグを配
置し、積層成形したものを、121℃・2気圧で所定時間処
理した後、25℃・60%RHで2時間後処理を行い、500VDCを
印加60秒後に、端子間の絶縁抵抗値を測定した。 5)耐マイグレーション性 上記4)の試験片を85℃・85%RH、50VDC 印加して端子間
の絶縁抵抗値を測定した。 6)ガラス転移温度 DMA法にて測定した。 7)放熱性 パッケージを同一マザーボードプリント配線板にハンダ
ボールで接着させ、1000時間連続使用してから、パッケ
ージの温度を測定した。
<Measurement Method> 1) Ball Shear Strength A solder ball was attached to a ball pad having a diameter of 0.6 mm, and the strength when peeled off by pressing from the side was measured. 2) Heat resistance after moisture absorption A) JEDEC STANDARD TEST METHOD A113-A LEVEL3: 30 ℃ ・ 60%
After the treatment with RH for a predetermined time, the presence or absence of an abnormality in the substrate after three cycles of reflow soldering at 220 ° C. was confirmed by cross-sectional observation and electrical check. 3) Heat resistance after moisture absorption B) JEDEC STANDARD TEST METHOD A113-A LEVEL2: 85 ℃ ・ 60%
After processing at RH for a predetermined time (Max. 168 hrs.), The presence or absence of abnormality in the substrate after three cycles of reflow soldering at 220 ° C. was confirmed by cross-sectional observation and electrical check. 4) Insulation resistance value after pressure cooker treatment A comb-shaped pattern between terminals (line / space = 70/70 μm) was created, and the prepregs used were placed on each of these patterns. After treatment for a predetermined time at atmospheric pressure, post-treatment was performed at 25 ° C. and 60% RH for 2 hours, and insulation resistance between terminals was measured 60 seconds after 500 VDC was applied. 5) Migration resistance The test piece of 4) was applied at 85 ° C. and 85% RH at 50 VDC, and the insulation resistance between the terminals was measured. 6) Glass transition temperature Measured by the DMA method. 7) Heat dissipation The package was bonded to the same motherboard printed wiring board with solder balls and used continuously for 1000 hours, and then the temperature of the package was measured.

【0040】[0040]

【発明の効果】プリント配線板の厚さ方向のほぼ中央部
に、プリント配線板とほぼ同じ大きさの金属板が配置さ
れており、プリント配線板の片面に、少なくとも1個の
半導体チップを熱伝導性接着剤で固定し、該回路導体と
半導体チップとをワイヤボンディングで接続し、少なく
ともプリント配線板表面上の該回路導体と、プリント配
線板反対面に形成された回路導体もしくは該半導体プラ
スチックパッケージを外部とハンダボール導体で結線
し、少なくとも半導体チップ、ワイヤ、ボンディングパ
ッドを樹脂封止している構造の半導体プラスチックパッ
ケージ用プリント配線板において、表裏に複数の円錐台
形状の金属突起、または熱伝導性接着剤またはハンダが
付着した該金属突起部と、表裏導通孔形成のためのクリ
アランスホールまたはスリット孔が形成されている金属
板の表裏面に、該金属突起部に半導体チップの面積より
やや大きめに孔をあけた半硬化状態の熱硬化性樹脂組成
物のプリプレグ、樹脂シート或いは塗布樹脂層を配置
し、その外側に金属箔を置き、加熱、加圧下に積層成形
して一体化した後、表面に回路を形成し、金属箔表面を
化学処理してから、その外側に半導体チップ面積よりや
や大きめに切除した孔を有するプリプレグ、樹脂シー
ト、或いは塗布樹脂層を配置し、その上に金属箔、片面
金属箔張板、または片面に回路を形成し、化学処理を施
した両面金属箔張板或いは両面金属箔張多層板を、回路
側が内側を向くように配置し、加熱、加圧下、好ましく
は真空下、に積層成形して多層板を作成し、スルーホー
ル用貫通孔、ブラインド孔をあけ、デスミア処理後に金
属メッキを施し、表裏に回路を形成後、好適には裏面の
ハンダボールパッドを円錐台形突起部上を避けて表裏に
回路を形成し、表面の半導体チップ搭載部分の真上の金
属箔及び/又は基材を切除してから、少なくとも表裏の
半導体チップ搭載用金属箔上、ボンディングパッド、裏
面のボールパッド以外をメッキレジストで被覆し、ニッ
ケルメッキ、金メッキを施して得られる金属芯入りプリ
ント配線板とすることにより、これを用いて得られた半
導体プラスチックパッケージでは、ハンダボールとの接
着強度にも優れ、半導体チップの下面からの吸湿がな
く、吸湿後の耐熱性、すなわちポップコーン現象が大幅
に改善でき、樹脂として多官能性シアン酸エステル樹脂
組成物を用いることにより、プレッシャークッカー処理
後の絶縁性、耐マイグレーション性に優れ、加えて大量
生産性にも適しており、経済性の改善された、新規な構
造の半導体プラスチックパッケージに用いる多層プリン
ト配線板を得ることができた。
According to the present invention, a metal plate having substantially the same size as the printed wiring board is disposed substantially at the center in the thickness direction of the printed wiring board, and at least one semiconductor chip is thermally mounted on one surface of the printed wiring board. The circuit conductor is fixed with a conductive adhesive, the circuit conductor is connected to the semiconductor chip by wire bonding, and at least the circuit conductor on the surface of the printed wiring board and the circuit conductor or the semiconductor plastic package formed on the opposite surface of the printed wiring board Is connected to the outside by a solder ball conductor, and at least the semiconductor chip, wire, and bonding pad are resin-sealed. The metal projection to which the conductive adhesive or solder is attached, and a clearance hole or A prepreg, a resin sheet or a coating resin layer of a semi-cured thermosetting resin composition in which holes are formed slightly larger than the area of the semiconductor chip in the metal projections on the front and back surfaces of the metal plate in which the slit holes are formed. After placing the metal foil on the outside, laminating and molding under heat and pressure and integrating, form a circuit on the surface, chemically treat the metal foil surface, and outside the semiconductor chip area Placing a prepreg, resin sheet, or coated resin layer with holes that have been cut slightly larger, metal foil, a single-sided metal foil-clad board, or a circuit formed on one side, and chemically treated double-sided metal foil-clad A board or a double-sided metal foil-clad multilayer board is arranged so that the circuit side faces inward, and laminated under heat, pressure, preferably under vacuum to form a multilayer board, and through holes for through holes and blind holes are formed. Opening, Desumi After processing, metal plating is applied, and after forming a circuit on the front and back, a circuit is formed on the front and back, preferably avoiding the solder ball pad on the back on the truncated conical projection, and a metal foil just above the semiconductor chip mounting part on the front And / or after removing the base material, at least the metal foil for mounting the semiconductor chip on the front and back surfaces, the bonding pads, and the ball pads on the back surface are covered with a plating resist, and nickel-plated or gold-plated prints obtained by applying gold plating By using a wiring board, the semiconductor plastic package obtained using this has excellent adhesive strength with solder balls, does not absorb moisture from the lower surface of the semiconductor chip, and has significant heat resistance after moisture absorption, that is, a popcorn phenomenon. By using a polyfunctional cyanate resin composition as the resin, insulation after pressure cooker treatment can be improved. A multilayer printed wiring board for use in a semiconductor plastic package having a novel structure, which has excellent heat resistance and migration resistance, is suitable for mass production, and has improved economic efficiency, was obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施例1の金属芯入り半導体プラスチックパッ
ケージ製造工程図である。
FIG. 1 is a manufacturing process diagram of a semiconductor plastic package containing a metal core of Example 1.

【図2】実施例1の金属芯入り半導体プラスチックパッ
ケージ製造工程図である。
FIG. 2 is a manufacturing process diagram of a semiconductor plastic package containing a metal core of Example 1.

【図3】比較例1の半導体プラスチックパッケージ製造
工程図である。
3 is a manufacturing process diagram of a semiconductor plastic package of Comparative Example 1. FIG.

【図4】比較例2の半導体プラスチックパッケージ製造
工程図である。
FIG. 4 is a manufacturing process diagram of a semiconductor plastic package of Comparative Example 2.

【符号の説明】 a 銅箔 b プリプレグB c 半導体チップ搭載部分のプリプレグを切除
した部分 d 金属芯 e 円錐台形状突起 f クリアランスホール g プリプレグC h 化学処理された回路導体 i 表裏回路導通用スルーホール部 j プリプレグCから流れ出した樹脂 k 銅メッキ部分 l メッキレジスト m 半導体チップ搭載用金属箔 n 半導体チップ 0 銀ペースト p ボンディングワイヤ q 封止樹脂 r ハンダボール s 熱放散用スルーホール t プリプレグD
[Explanation of Symbols] a Copper foil b Pre-preg B c Part where the prepreg is cut off from the semiconductor chip mounting part d Metal core e Truncated cone-shaped projection f Clearance hole g Pre-preg Ch Ch Chemically treated circuit conductor i Through-hole for front and back circuit conduction Part j Resin flowing out of prepreg C k Copper plated part l Plating resist m Metal foil for mounting semiconductor chip n Semiconductor chip 0 Silver paste p Bonding wire q Sealing resin r Solder ball s Heat dissipation through hole t Prepreg D

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 敏彦 東京都葛飾区新宿6丁目1番1号 三菱瓦 斯化学株式会社東京工場内 Fターム(参考) 5E315 AA05 AA11 BB01 BB04 BB05 BB14 BB15 CC01 CC15 CC16 DD15 DD17 DD20 DD25 GG01 GG05 GG09 GG13 GG20  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Toshihiko Kobayashi F-term (reference) 5E315 AA05 AA11 BB01 BB04 BB05 BB14 BB15 CC01 CC15 CC16 DD15 DD17 DD20 DD25 GG01 GG05 GG09 GG13 GG20

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 プリント配線板の厚さ方向の一部に、プ
リント配線板とほぼ同じ大きさの金属板を配置し、プリ
ント配線板の片面に少なくとも1個の半導体チップを熱
伝導性接着剤で固定し、該金属板とプリント配線板表面
の信号伝播回路導体とを熱硬化性樹脂組成物で絶縁し、
該回路導体と半導体チップとをワイヤボンディングで接
続し、少なくともプリント配線板表面上の該回路導体
と、プリント配線板反対面に形成された回路導体もしく
は該パッケージを外部とハンダボールで接続するために
形成された回路導体パッドとを、金属板と樹脂組成物で
絶縁されたスルーホール導体で結線し、少なくとも半導
体チップ、ワイヤ、ボンディングパッドを樹脂封止して
いる構造の半導体プラスチックパッケージ用プリント配
線板において、 表裏に複数の円錐台形の金属突起、または熱伝導性接着
剤或いはハンダが付着した該金属突起部と、表裏導通孔
形成のためのクリアランスホールまたはスリット孔が形
成されている金属板の表裏面に、該金属突起部の箇所
を、半導体チップを搭載する面積よりやや大きめに切除
した半硬化状態の熱硬化性樹脂組成物のプリプレグ、樹
脂シート、或いは塗布樹脂層を配置し、その外側に金属
箔を置き、加熱、加圧下に積層成形して一体化した後、
表面に回路を形成し、金属箔表面を化学処理してから、
その外側に半導体チップの面積よりやや大きめに切除し
たプリプレグ、樹脂シート、或いは塗布樹脂層を配置
し、その上に金属箔、片面金属箔張積層板、または両面
銅張板或いは多層板の片面に回路を形成してから表面処
理を施したものを、回路側が内側を向くように配置し、
加熱、加圧下に積層成形して多層板を作成し、スルーホ
ール用貫通孔、ブラインド孔をあけ、デスミア処理後に
金属メッキを施し、表裏に回路を形成し、表面の半導体
チップ搭載部金属箔上の部分を切除してから、少なくと
も表面の半導体チップ搭載用金属箔上、ボンディングパ
ッド、裏面のボールパッド以外をメッキレジストで被覆
し、ニッケルメッキ、金メッキを施して得られることを
特徴とする金属芯入半導体プラスチックパッケージ用多
層プリント配線板。
A metal plate having a size substantially the same as that of a printed wiring board is disposed on a part of the printed wiring board in a thickness direction, and at least one semiconductor chip is attached to one surface of the printed wiring board with a heat conductive adhesive. And insulate the metal plate and the signal transmission circuit conductor on the surface of the printed wiring board with a thermosetting resin composition,
To connect the circuit conductor and the semiconductor chip by wire bonding, and to connect at least the circuit conductor on the surface of the printed wiring board and the circuit conductor or the package formed on the opposite surface of the printed wiring board to the outside with solder balls. A printed wiring board for a semiconductor plastic package having a structure in which a formed circuit conductor pad is connected to a metal plate and a through-hole conductor insulated with a resin composition, and at least a semiconductor chip, a wire, and a bonding pad are resin-sealed. A plurality of truncated cone-shaped metal projections, or a metal projection having heat conductive adhesive or solder attached to the front and back, and a metal plate having a clearance hole or slit hole for forming a front and back conduction hole. On the back surface, the portion of the metal protrusion is cut off slightly larger than the area for mounting the semiconductor chip. A prepreg of a thermosetting resin composition in a cured state, a resin sheet, or a coating resin layer is arranged, a metal foil is placed outside the prepreg, heated, laminated and integrated under pressure, and then integrated.
After forming a circuit on the surface and chemically treating the metal foil surface,
A prepreg, resin sheet, or coated resin layer cut slightly larger than the area of the semiconductor chip is placed on the outside, and a metal foil, a single-sided metal foil-clad laminate, or a double-sided copper-clad board or a multilayer board is placed on it. After forming the circuit, place the surface treatment, so that the circuit side faces inward,
Laminate and mold under heat and pressure to create a multilayer board, drill through holes for blind holes, blind holes, apply metal plating after desmear treatment, form circuits on the front and back, on the metal foil on the surface of the semiconductor chip mounting part A metal core obtained by cutting at least a part of the metal foil for mounting a semiconductor chip on the front surface, bonding pads and a ball pad on the back surface with a plating resist, and performing nickel plating and gold plating. Multilayer printed wiring board for semiconductor plastic package.
【請求項2】 該半導体チップ搭載部金属箔上に流れ出
した樹脂を、サンドブラスト法で、少なくとも半導体チ
ップを搭載する面積の金属面が露出するように処理して
得られる両面金属箔張多層板を用いることを特徴とする
請求項1記載の半導体プラスチックパッケージ用プリン
ト配線板。
2. A double-sided metal foil-clad multilayer board obtained by treating the resin flowing out onto the metal foil on the semiconductor chip mounting portion by sandblasting so that at least a metal surface of an area where the semiconductor chip is mounted is exposed. The printed wiring board for a semiconductor plastic package according to claim 1, wherein the printed wiring board is used.
【請求項3】 該金属板が、銅95重量%以上の銅合金、或
いは純銅である請求項1または2記載の半導体プラスチ
ックパッケージ用プリント配線板。
3. The printed wiring board for a semiconductor plastic package according to claim 1, wherein said metal plate is a copper alloy containing 95% by weight or more of copper or pure copper.
【請求項4】 該熱硬化性樹脂が、多官能性シアン酸エ
ステル、該シアン酸エステルプレポリマーを必須成分と
する熱硬化性樹脂組成物である請求項1、2または3記載
の半導体プラスチックパッケージ用プリント配線板。
4. The semiconductor plastic package according to claim 1, wherein the thermosetting resin is a thermosetting resin composition containing a polyfunctional cyanate ester and the cyanate ester prepolymer as essential components. For printed wiring boards.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6670699B2 (en) 2001-03-13 2003-12-30 Nec Corporation Semiconductor device packaging structure
TWI462194B (en) * 2011-08-25 2014-11-21 Chipmos Technologies Inc Semiconductor package structure and manufacturing method thereof
CN105208797A (en) * 2015-08-11 2015-12-30 深圳崇达多层线路板有限公司 Manufacture method of semi-plugged nickel and gold immersion

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TWI462194B (en) * 2011-08-25 2014-11-21 Chipmos Technologies Inc Semiconductor package structure and manufacturing method thereof
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