JP2000323816A - Manufacture of printed wiring board - Google Patents

Manufacture of printed wiring board

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JP2000323816A
JP2000323816A JP13345299A JP13345299A JP2000323816A JP 2000323816 A JP2000323816 A JP 2000323816A JP 13345299 A JP13345299 A JP 13345299A JP 13345299 A JP13345299 A JP 13345299A JP 2000323816 A JP2000323816 A JP 2000323816A
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plating
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forming
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  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a printed wiring board capable of reliably forming wiring layers on resin insulating layers. SOLUTION: The method of manufacturing a printed wiring board comprises the following steps: forming electroless Cu plated layers 17 and 18 on roughened resin insulating layers 13 and 14, the layers 17 and 18 satisfying the inequality R30<=0.061 exp(0.18X) with respect to the narrowest conductor gap X of wiring layers, R30 being the 10 point average roughness for a distance between 30 μm; forming plated resist layers 23 and 24 on the layers 17 and 18; and forming electrolytically Cu plated layers 27 and 28 on the exposed layers 17 and 18, thereafter stripping the layers 23 and 24, and forming wiring layers 3 and 4 by etching. As a result, the contact strength between the layers 23 and 24 and the layers 17 and 18 is increased, thereby suppressing the floating and/or flaking of the layers 23 and 24.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂絶縁層を有す
るプリント配線板の製造方法に関し、特に、配線層を確
実に形成することのできるプリント配線板の製造方法に
関する。
The present invention relates to a method of manufacturing a printed wiring board having a resin insulating layer, and more particularly to a method of manufacturing a printed wiring board capable of forming a wiring layer reliably.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、樹脂製のプリント配線板を製
造するにあたり、配線層は、例えば次のようにして、樹
脂絶縁層上に形成されている。即ち、図12(a)に部
分拡大図を示すように、表面に樹脂絶縁層102を有す
る被積層基板101を用意し、その全面に無電解メッキ
を施して、無電解メッキ層103を形成する。
2. Description of the Related Art Conventionally, when manufacturing a printed wiring board made of resin, a wiring layer is formed on a resin insulating layer as follows, for example. That is, as shown in a partially enlarged view of FIG. 12A, a laminated substrate 101 having a resin insulating layer 102 on the surface is prepared, and the entire surface is subjected to electroless plating to form an electroless plated layer 103. .

【0003】次に、図12(b)に示すように、無電解
メッキ層103上に感光性のドライフィルム104を全
面に貼り付ける。さらに、図12(c)に示すように、
これを露光・現像して、所定パターンのメッキレジスト
層105を形成する。次に、図13(a)に示すよう
に、電解メッキを施し、メッキレジスト層105から露
出した無電解メッキ層103上に、電解メッキを厚付け
して、電解メッキ層106を形成する。その後、メッキ
レジスト層105を剥離して、クイックエッチングを行
い、不要な無電解メッキ層103等をエッチングして除
去すると、図13(b)に示すように、樹脂絶縁層10
2上に配線層107が形成される。
[0003] Next, as shown in FIG. 12 (b), a photosensitive dry film 104 is attached on the entire surface of the electroless plating layer 103. Further, as shown in FIG.
This is exposed and developed to form a plating resist layer 105 having a predetermined pattern. Next, as shown in FIG. 13A, electrolytic plating is performed, and electrolytic plating is thickened on the electroless plating layer 103 exposed from the plating resist layer 105 to form an electrolytic plating layer 106. Thereafter, the plating resist layer 105 is peeled off, quick etching is performed, and unnecessary portions of the electroless plating layer 103 and the like are removed by etching. Then, as shown in FIG.
2, a wiring layer 107 is formed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ドライ
フィルム104から所定パターンのメッキレジスト層1
05を形成する際(図12(b)及び(c)参照)、例
えば、現像で現像液を噴射したときに、メッキレジスト
層105の一部が、無電解メッキ層103から剥がれた
り、浮いたりしてしまうことがある。特に、導体間隙D
A(図13(b)参照)が小さい導体パターンを持つ配
線層107を形成する場合、即ち、メッキレジスト層1
05のパターンの幅RA(図12(c)参照)が狭くな
ると、メッキレジスト層105がその部分で無電解メッ
キ層103から剥がれたり、浮いたりし易くなる。メッ
キレジスト層105に剥がれや浮きが生じると、その剥
がれた部分の無電解メッキ層103上にも電解メッキ層
が形成されるので、ショートを生じることになる。
However, from the dry film 104, the plating resist layer 1 having a predetermined pattern is formed.
At the time of forming the layer 05 (see FIGS. 12B and 12C), for example, when a developing solution is sprayed during development, a part of the plating resist layer 105 may peel off or float from the electroless plating layer 103. May be done. In particular, the conductor gap D
A (see FIG. 13B) when forming the wiring layer 107 having a small conductor pattern, that is, the plating resist layer 1
When the width RA (see FIG. 12C) of the pattern 05 becomes narrow, the plating resist layer 105 is easily peeled off or floated from the electroless plating layer 103 at that portion. If the plating resist layer 105 peels or floats, an electrolytic plating layer is formed also on the electroless plating layer 103 at the peeled portion, which causes a short circuit.

【0005】本発明者は、検討の結果、メッキレジスト
層105と無電解メッキ層103との密着強度は、無電
解メッキ層103の表面粗さに影響されることを見出し
た。即ち、無電解メッキ層103の表面粗さが大きい
と、メッキレジスト層105が無電解メッキ層103か
ら剥がれたり、浮いたりし易くなることを見出した。
As a result of the study, the present inventor has found that the adhesion strength between the plating resist layer 105 and the electroless plating layer 103 is affected by the surface roughness of the electroless plating layer 103. That is, it has been found that when the surface roughness of the electroless plating layer 103 is large, the plating resist layer 105 is easily peeled off or floated from the electroless plating layer 103.

【0006】通常、樹脂絶縁層102上に配線層107
を形成する場合、樹脂絶縁層102と配線層107(無
電解メッキ層103)との密着強度を、アンカー効果に
より高くするために、無電解メッキ層103を形成する
前に、予め樹脂絶縁層102の表面102Aを粗化して
いる(図12(a)参照)。このように粗化された樹脂
絶縁層102上に、無電解メッキ層103を形成する
と、無電解メッキ層103の表面103Aも、樹脂絶縁
層102の表面102Aと同様に粗面となる。このた
め、メッキレジスト層105が無電解メッキ層103か
ら剥がれ易くなると考えられた。
Usually, the wiring layer 107 is formed on the resin insulating layer 102.
In order to increase the adhesion strength between the resin insulating layer 102 and the wiring layer 107 (electroless plating layer 103) by the anchor effect, the resin insulating layer 102 is formed before forming the electroless plating layer 103. Is roughened (see FIG. 12A). When the electroless plating layer 103 is formed on the resin insulating layer 102 thus roughened, the surface 103A of the electroless plating layer 103 also becomes rough like the surface 102A of the resin insulating layer 102. Therefore, it was considered that the plating resist layer 105 was easily peeled off from the electroless plating layer 103.

【0007】また、配線層107の導体間隙DAが小さ
くなるほど、無電解メッキ層103の表面粗さを小さく
しないと、メッキレジスト層105の剥がれや浮きが生
じ易いことも見出した。即ち、メッキレジスト層105
の剥がれ易さは、配線層107の導体間隙DAの大き
さ、及び無電解メッキ層103の表面粗さと関係がある
ことも判ってきた。
It has also been found that the smaller the conductor gap DA of the wiring layer 107 is, the smaller the surface roughness of the electroless plating layer 103 is, the more the peeling or floating of the plating resist layer 105 is likely to occur. That is, the plating resist layer 105
It has also been found that the ease of peeling is related to the size of the conductor gap DA of the wiring layer 107 and the surface roughness of the electroless plating layer 103.

【0008】本発明はかかる知見に鑑みてなされたもの
であって、メッキレジスト層が無電解メッキ層から剥が
れたり、浮いたりするのを抑制し、樹脂絶縁層上に確実
に配線層を形成することのできるプリント配線基板の製
造方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of such knowledge, and suppresses the plating resist layer from peeling off or floating from the electroless plating layer, and reliably forms a wiring layer on the resin insulating layer. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a printed wiring board which can be used.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段、作用及び効果】その解決
手段は、樹脂絶縁層上に、最も幅狭な導体間隙がX(μ
m)である導体パターンを有する配線層を備えるプリン
ト配線板の製造方法であって、表面が粗化された上記樹
脂絶縁層上に、表面の30μm間10点平均粗さR
30(μm)が、15≦X≦25の範囲で、式 R30
0.061exp(0.18X)を満たす無電解メッキ
層を形成する無電解メッキ層形成工程と、上記無電解メ
ッキ層上に所定パターンのメッキレジスト層を形成する
レジスト層形成工程と、上記メッキレジスト層から露出
した上記無電解メッキ層上に、電解メッキ層を形成した
後、上記メッキレジスト層を剥離し、剥離後露出した上
記無電解メッキ層をエッチングして、配線層を形成する
配線層形成工程と、を備えることを特徴とするプリント
配線板の製造方法である。
Means for Solving the Problems, Functions and Effects The means for solving the problem is that the narrowest conductor gap is X (μ) on the resin insulating layer.
m) is a method for manufacturing a printed wiring board provided with a wiring layer having a conductor pattern, wherein the surface of the resin insulating layer having a roughened surface has a 10-point average roughness R of 30 μm on the surface.
30 (μm) is within the range of 15 ≦ X ≦ 25, and the formula R 30
An electroless plating layer forming step of forming an electroless plating layer satisfying 0.061 exp (0.18X); a resist layer forming step of forming a plating resist layer having a predetermined pattern on the electroless plating layer; On the electroless plating layer exposed from the layer, after forming an electrolytic plating layer, peeling the plating resist layer, etching the electroless plating layer exposed after peeling, forming a wiring layer to form a wiring layer And a process for producing a printed wiring board.

【0010】このプリント配線板は、最も幅狭な導体間
隙X(μm)が15μmから25μmの範囲の導体パタ
ーンを有する配線層を備える。本発明によれば、樹脂絶
縁層は、配線層との密着強度や、さらに樹脂絶縁層を積
層する場合には、樹脂絶縁層同士の密着強度を高くする
ために、その表面が粗化されている。そして、無電解メ
ッキ層形成工程で、この粗化された樹脂絶縁層上に、表
面の30μm間10点平均粗さR30が、R30≦0.06
1exp(0.18X)を満たすように、例えば厚付け
するなどして、無電解メッキ層を形成する。
This printed wiring board includes a wiring layer having a conductor pattern in which the narrowest conductor gap X (μm) is in the range of 15 μm to 25 μm. According to the present invention, the surface of the resin insulating layer is roughened in order to increase the adhesive strength between the wiring layer and the adhesive strength between the resin insulating layers when the resin insulating layer is further laminated. I have. Then, in the electroless plating layer forming step, a 10-point average roughness R 30 of 30 μm on the surface of the roughened resin insulating layer is set to R 30 ≦ 0.06.
An electroless plating layer is formed by, for example, thickening so as to satisfy 1 exp (0.18X).

【0011】このように表面粗さR30の小さい無電解メ
ッキ層を形成すると、レジスト層形成工程で、無電解メ
ッキ層上にメッキレジスト層を形成する際、無電解メッ
キ層とメッキレジスト層とを密着強度を高くすることが
できる。このため、樹脂絶縁層の表面が大きく粗化され
ていても、無電解メッキ層の表面粗さR30を上記式を満
たすように小さくすることで、メッキレジスト層が無電
解メッキ層から剥がれたり、浮いたりするのを抑制し、
歩留まり80%以上を確保することができる。
[0011] With this form of the surface roughness R 30 of small non-electrolytic plating layer, a resist layer forming step, when forming the plating resist layer in an electroless plating layer, and an electroless plating layer and the plating resist layer Can increase the adhesion strength. Therefore, even if the surface of the resin insulating layer is larger roughened, the surface roughness R 30 of the electroless plating layer is made smaller to satisfy the above equation, the plating resist layer is peeled off from the electroless plating layer , Suppresses floating,
A yield of 80% or more can be secured.

【0012】従って、その後、配線層形成工程で、電解
メッキを施す際、メッキレジスト層の剥がれや浮きが抑
制されているので、ショートを生じ難く、メッキレジス
ト層から露出した無電解メッキ層上にだけ、電解メッキ
層を形成することができる。さらに、樹脂絶縁層が粗化
されていることにより、樹脂絶縁層と配線層(無電解メ
ッキ層)との密着強度も高い。このため、樹脂絶縁層上
に確実に配線層を形成することができる。
[0012] Therefore, when performing electroplating in the wiring layer forming step, the plating resist layer is prevented from peeling or floating, so that a short circuit is unlikely to occur, and the plating resist layer is exposed on the electroless plating layer exposed from the plating resist layer. Only the electrolytic plating layer can be formed. Further, since the resin insulating layer is roughened, the adhesion strength between the resin insulating layer and the wiring layer (electroless plating layer) is high. Therefore, the wiring layer can be reliably formed on the resin insulating layer.

【0013】なお、本明細書中で、30μm間10点平
均粗さR30とは、30μmの間隔において、JIS規定
の表面粗さRzの測定方法に準じて測定された表面粗さ
をいう。各点の測定は、電子顕微鏡または光学顕微鏡下
で無電解メッキ層等の切断面を拡大して行う。また、プ
リント配線板製造後に、無電解メッキ層の表面粗さR 30
を測定する場合において、樹脂絶縁層にビアが形成され
ているときには、このビアの側面に形成された無電解メ
ッキ層の表面粗さR30を便宜的に測定することもでき
る。
Note that, in this specification, 10 points flat between 30 μm
Average roughness R30Is defined by JIS at 30 μm intervals
Surface roughness measured according to the method of measuring surface roughness Rz
Say. Each point is measured under an electron microscope or an optical microscope.
To enlarge the cut surface of the electroless plating layer or the like. Also,
After manufacturing the lint wiring board, the surface roughness R of the electroless plating layer 30
Is measured, a via is formed in the resin insulation layer.
The electroless medium formed on the side of this via.
Surface roughness R of stick layer30Can be conveniently measured
You.

【0014】ここで、樹脂絶縁層としては、配線層(無
電解メッキ層)との密着性や熱膨張率等を考慮して適宜
選択すれば良く、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹
脂、BT樹脂、PPE樹脂等の樹脂や、これらの樹脂と
ガラス繊維(ガラス織布やガラス不織布)やポリアミド
繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質
PTFE等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ
樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等が挙
げられる。
Here, the resin insulating layer may be appropriately selected in consideration of the adhesion to the wiring layer (electroless plating layer), the coefficient of thermal expansion, and the like. For example, epoxy resin, polyimide resin, BT resin, Resin such as PPE resin, composite material of these resins with organic fiber such as glass fiber (glass woven fabric or glass non-woven fabric) or polyamide fiber, or three-dimensional mesh-like fluororesin base material such as continuous porous PTFE And a resin-resin composite material impregnated with a resin such as an epoxy resin.

【0015】また、樹脂絶縁層の表面は、配線層等との
密着強度を考慮して粗化されていれば良く、その表面粗
さは適宜選択することができる。また、樹脂絶縁層の表
面は、例えば、クロム酸や過マンガン酸カリウムなどで
化学的に粗化されたものの他、研磨などで物理的に粗化
されたものでも良い。また、メッキレジスト層の形成方
法としては、例えば、感光性のドライフィルムを貼り付
け、所定のパターンに露光・現像して形成すれば良い。
あるいは、レジスト層を全面に塗布し、所定のパターン
に露光・現像して形成しても良い。
The surface of the resin insulating layer may be roughened in consideration of the adhesion strength with the wiring layer and the like, and the surface roughness can be appropriately selected. The surface of the resin insulating layer may be, for example, chemically roughened with chromic acid or potassium permanganate, or may be physically roughened by polishing or the like. As a method for forming the plating resist layer, for example, a photosensitive dry film may be attached and formed by exposing and developing a predetermined pattern.
Alternatively, a resist layer may be applied over the entire surface, and may be formed by exposing and developing into a predetermined pattern.

【0016】また、プリント配線板としては、樹脂絶縁
層と配線層とを備えるものであれば良く、例えば、コア
基板の片面あるいは両面に、あるいはコア基板なしで、
絶縁層と配線層とを順に複数層積層したものなどが挙げ
られる。さらに、プリント配線板の主面上に、集積回路
チップ等の電子部品を搭載したり、他の基板に接続した
りするための接続パッドや、入出力端子としてのピンな
どを備えるものでも良い。
The printed wiring board may be any one provided with a resin insulating layer and a wiring layer. For example, the printed wiring board may be provided on one or both sides of a core substrate or without a core substrate.
An example in which a plurality of insulating layers and wiring layers are sequentially stacked is given. Further, a connection pad for mounting an electronic component such as an integrated circuit chip on the main surface of the printed wiring board or connecting to another substrate, or a pin as an input / output terminal may be provided.

【0017】さらに、樹脂絶縁層上に、最も幅狭な導体
間隙がX(μm)である導体パターンを有する配線層を
備えるプリント配線板の製造方法であって、表面が粗化
された上記樹脂絶縁層上に、表面の30μm間10点平
均粗さR30(μm)が、15≦X≦32の範囲で、式
30≦0.15exp(0.12X)を満たす無電解メ
ッキ層を形成する無電解メッキ層形成工程と、上記無電
解メッキ層上に所定パターンのメッキレジスト層を形成
するレジスト層形成工程と、上記メッキレジスト層から
露出した上記無電解メッキ層上に、電解メッキ層を形成
した後、上記メッキレジスト層を剥離し、剥離後露出し
た上記無電解メッキ層をエッチングして、配線層を形成
する配線層形成工程と、を備えることを特徴とするプリ
ント配線板の製造方法とすると良い。
Further, the present invention provides a method for manufacturing a printed wiring board comprising a wiring layer having a conductor pattern having a narrowest conductor gap of X (μm) on a resin insulating layer, wherein the resin has a roughened surface. On the insulating layer, the average roughness R 30 (μm) of 10 points between 30 μm on the surface is in the range of 15 ≦ X ≦ 32,
An electroless plating layer forming step of forming an electroless plating layer satisfying R 30 ≦ 0.15exp (0.12X); a resist layer forming step of forming a plating resist layer of a predetermined pattern on the electroless plating layer; After forming an electrolytic plating layer on the electroless plating layer exposed from the plating resist layer, the plating resist layer is peeled off, and the electroless plating layer exposed after peeling is etched to form a wiring layer. And a wiring layer forming step.

【0018】本発明によれば、無電解メッキ層形成工程
で、粗化された樹脂絶縁層上に、配線層のうち、最も幅
狭な導体間隙X(μm)に対して、表面の30μm間1
0点平均粗さR30(μm)が、R30≦0.15exp
(0.12X)を満たすように、無電解メッキ層を形成
する。つまり、無電解メッキ層の表面粗さR30をさらに
小さい値とする。
According to the present invention, in the step of forming the electroless plating layer, the narrowest conductor gap X (μm) among the wiring layers is formed on the roughened resin insulating layer by a distance of 30 μm on the surface. 1
0 point average roughness R 30 (μm) is R 30 ≦ 0.15exp
An electroless plating layer is formed so as to satisfy (0.12X). That is, a smaller value of the surface roughness R 30 of the electroless plating layer.

【0019】このため、レジスト層形成工程で、無電解
メッキ層上にメッキレジスト層を形成する際、無電解メ
ッキ層とメッキレジスト層とを密着強度を、より高くす
ることができるので、メッキレジスト層の剥がれや浮き
をより抑制し、歩留まり90%以上を確保することがで
きる。従って、その後、配線層形成工程で、よりショー
トを生じ難く、メッキレジスト層から露出した無電解メ
ッキ層上にだけ、電解メッキ層を形成することができる
ので、より確実に配線層を形成することができる。
Therefore, when the plating resist layer is formed on the electroless plating layer in the resist layer forming step, the adhesion strength between the electroless plating layer and the plating resist layer can be further increased. Separation and floating of the layer can be further suppressed, and a yield of 90% or more can be secured. Therefore, in the subsequent wiring layer forming step, a short circuit is less likely to occur, and the electrolytic plating layer can be formed only on the electroless plating layer exposed from the plating resist layer, so that the wiring layer can be formed more reliably. Can be.

【0020】さらに、樹脂絶縁層上に、最も幅狭な導体
間隙がX(μm)である導体パターンを有する配線層を
備えるプリント配線板の製造方法であって、表面が粗化
された上記樹脂絶縁層上に、表面の30μm間10点平
均粗さR30(μm)が、15≦X≦32の範囲で、式
30≦2.0exp(0.071X)を満たす無電解メ
ッキ層を形成する無電解メッキ層形成工程と、上記無電
解メッキ層上に所定パターンのメッキレジスト層を形成
するレジスト層形成工程と、上記メッキレジスト層から
露出した上記無電解メッキ層上に、電解メッキ層を形成
した後、上記メッキレジスト層を剥離し、剥離後露出し
た上記無電解メッキ層をエッチングして、配線層を形成
する配線層形成工程と、を備えることを特徴とするプリ
ント配線板の製造方法とすると良い。
Further, the present invention provides a method for manufacturing a printed wiring board comprising a wiring layer having a conductor pattern having a narrowest conductor gap of X (μm) on a resin insulating layer, wherein the resin has a roughened surface. On the insulating layer, the average roughness R 30 (μm) of 10 points between 30 μm on the surface is in the range of 15 ≦ X ≦ 32,
An electroless plating layer forming step of forming an electroless plating layer satisfying R 30 ≦ 2.0exp (0.071X); a resist layer forming step of forming a plating resist layer having a predetermined pattern on the electroless plating layer; After forming an electrolytic plating layer on the electroless plating layer exposed from the plating resist layer, the plating resist layer is peeled off, and the electroless plating layer exposed after peeling is etched to form a wiring layer. And a wiring layer forming step.

【0021】本発明によれば、無電解メッキ層形成工程
で、粗化された樹脂絶縁層上に、配線層のうち、最も幅
狭な導体間隙X(μm)に対して、表面の30μm間1
0点平均粗さR30(μm)が、R30≦2.0exp
(0.071X)を満たすように、無電解メッキ層を形
成する。つまり、無電解メッキ層の表面粗さR30をさら
に小さい値とする。
According to the present invention, in the step of forming the electroless plating layer, the narrowest conductor gap X (μm) of the wiring layer is formed on the roughened resin insulating layer by a distance of 30 μm on the surface. 1
0 point average roughness R 30 (μm) is R 30 ≦ 2.0exp
(0.071X), an electroless plating layer is formed. That is, a smaller value of the surface roughness R 30 of the electroless plating layer.

【0022】このため、レジスト層形成工程で、無電解
メッキ層上にメッキレジスト層を形成する際、無電解メ
ッキ層とメッキレジスト層とを密着強度を、さらに高く
することができるので、メッキレジスト層の剥がれや浮
きをさらに抑制し、歩留まりほぼ100%を確保するこ
とができる。従って、その後、配線層形成工程で、さら
にショートを生じ難く、メッキレジスト層から露出した
無電解メッキ層上にだけ、電解メッキ層を形成すること
ができるので、さらに確実に配線層を形成することがで
きる。
For this reason, in forming the plating resist layer on the electroless plating layer in the resist layer forming step, the adhesion strength between the electroless plating layer and the plating resist layer can be further increased. Peeling and lifting of the layer can be further suppressed, and a yield of almost 100% can be secured. Therefore, in the subsequent wiring layer forming step, a short circuit is less likely to occur, and the electrolytic plating layer can be formed only on the electroless plating layer exposed from the plating resist layer, so that the wiring layer can be formed more reliably. Can be.

【0023】さらに、上記のプリント配線板の製造方法
であって、前記樹脂絶縁層の表面の30μm間10点平
均粗さR30が、前記式及びR30≧0.5μmを満たすこ
とを特徴とするプリント配線板の製造方法とするのが好
ましい。
Further, in the above-mentioned method for manufacturing a printed wiring board, the surface of the resin insulating layer preferably has a 10-point average roughness R 30 of 30 μm satisfying the above expression and R 30 ≧ 0.5 μm. It is preferable to adopt a method for manufacturing a printed wiring board.

【0024】樹脂絶縁層の表面の30μm間10点平均
粗さR30が、上記式R30≦0.061exp(0.18
X)、R30≦0.15exp(0.12X)、または、
30≦2.0exp(0.071X)を満たし、かつ、
30≧0.5μmを満たす場合には、無電解メッキ層を
薄付けしたとき、具体的には1μm以下に薄付けしたと
き、無電解メッキ層の表面粗さも、樹脂絶縁層の表面粗
さとほとんど変わらなくなる。即ち、樹脂絶縁層の表面
粗さがR30≦0.061exp(0.18X)を満たす
とき、無電解メッキ層の表面の30μm間10点平均粗
さR30も、この式を満たす。また、樹脂絶縁層の表面粗
さがR30≦0.15exp(0.12X)を満たすと
き、無電解メッキ層の表面粗さR30も、この式を満た
す。また、樹脂絶縁層の表面粗さがR30≦2.0exp
(0.071X)を満たすとき、無電解メッキ層の表面
粗さR30も、この式を満たす。
The 10-point average roughness R 30 of 30 μm on the surface of the resin insulating layer is expressed by the above formula: R 30 ≦ 0.061 exp (0.18
X), R 30 ≦ 0.15exp (0.12X), or
R 30 ≦ 2.0exp (0.071X) is satisfied, and
When R 30 ≧ 0.5 μm is satisfied, when the electroless plating layer is thinned, specifically when the electroless plating layer is thinned to 1 μm or less, the surface roughness of the electroless plating layer is also smaller than the surface roughness of the resin insulating layer. Almost unchanged. That is, when the surface roughness of the resin insulating layer satisfies R 30 ≦ 0.061 exp (0.18 ×), the 10-point average roughness R 30 of 30 μm on the surface of the electroless plating layer also satisfies this equation. When the surface roughness of the resin insulating layer satisfies R 30 ≦ 0.15 exp (0.12 ×), the surface roughness R 30 of the electroless plating layer also satisfies this equation. Further, the surface roughness of the resin insulating layer is R 30 ≦ 2.0 exp.
(0.071X) when satisfying the surface roughness R 30 of the electroless plating layer also satisfies this equation.

【0025】従って、メッキレジスト層と無電解メッキ
層との密着強度が高くされるので、メッキレジスト層が
無電解メッキ層から剥がれたり、浮いたりするのを抑制
することができる上、無電解メッキ層を薄く付ければ足
りるので、その時間とコストを削減することができる。
しかも、樹脂絶縁層の表面粗さR30が0.5μm以上で
は、樹脂絶縁層と配線層(無電解メッキ層)との密着強
度も確保することができる。
Therefore, since the adhesion strength between the plating resist layer and the electroless plating layer is increased, it is possible to prevent the plating resist layer from peeling off or floating from the electroless plating layer, and furthermore, to prevent the electroless plating layer from floating. It is sufficient to make the thinner, so that the time and cost can be reduced.
Moreover, the surface roughness R 30 of the resin insulation layer is 0.5μm or more, the adhesion strength between the resin insulating layer and a wiring layer (electroless plating layer) can be ensured.

【0026】なお、樹脂絶縁層の表面粗さが、式 R30
≦0.061exp(0.18X)よりも、式 R30
0.15exp(0.12X)、さらには、式 R30
2.0exp(0.071X)を満たすようにすれば、
メッキレジスト層が無電解メッキ層から剥がれたり、浮
いたりするのを抑制する効果がより高くなる。このた
め、プリント配線板製造時の歩留まりもより向上させる
ことができる。
It should be noted that the surface roughness of the resin insulating layer is determined by the formula R 30
≦ 0.061 exp (0.18X), the formula R 30
0.15 exp (0.12X), furthermore, the formula R 30
If 2.0exp (0.071X) is satisfied,
The effect of suppressing the plating resist layer from peeling off or floating from the electroless plating layer is further enhanced. For this reason, the yield at the time of manufacturing a printed wiring board can be further improved.

【0027】[0027]

【発明の実施の形態】(実施形態1)以下、本発明の実
施の形態を、図を参照しつつ説明する。本実施形態で製
造されるプリント配線板1について、図1(a)に主面
1A側から見た平面図を、図1(b)に図1(a)の破
線部における部分拡大図を示す。
Embodiment 1 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1A shows a plan view of the printed wiring board 1 manufactured in the present embodiment as viewed from the main surface 1A side, and FIG. 1B shows a partially enlarged view of a broken line portion in FIG. 1A. .

【0028】このプリント配線板1は、図1(a)に示
すように、主面1A及び裏面(図示しない)を有し、4
2.5×42.5mmの略正方形板状をなす。この主面
1A側には、集積回路チップを搭載するためのIC搭載
領域2が形成されている。また、主面1A側には、配線
層3が形成されている。図1(b)に示すように、配線
層3の一部は、図中上下方向に、一定の導体間隙Xで櫛
状に並んで形成されている。この部分の配線層3の導体
幅DHは20μmであり、導体間隙Xは20μmであ
る。
The printed wiring board 1 has a main surface 1A and a back surface (not shown) as shown in FIG.
It has a substantially square plate shape of 2.5 × 42.5 mm. On the main surface 1A side, an IC mounting area 2 for mounting an integrated circuit chip is formed. The wiring layer 3 is formed on the main surface 1A side. As shown in FIG. 1B, a part of the wiring layer 3 is formed in a comb shape with a certain conductor gap X in the vertical direction in the figure. The conductor width DH of the wiring layer 3 in this portion is 20 μm, and the conductor gap X is 20 μm.

【0029】なお、このプリント配線板1において、配
線層3のうち、図1(b)に示す部分の導体間隙Xが、
最も幅狭(20μm)にされている。このため、プリン
ト配線板1を製造するにあたり、後述するように、樹脂
絶縁層上に無電解Cuメッキ層を形成する際、この部分
に対応するメッキレジスト層が、無電解Cuメッキ層か
ら最も剥がれたり、浮いたりし易い。
In the printed wiring board 1, the conductor gap X in the portion of the wiring layer 3 shown in FIG.
It is the narrowest (20 μm). For this reason, in manufacturing the printed wiring board 1, as described later, when forming an electroless Cu plating layer on the resin insulating layer, the plating resist layer corresponding to this portion is most peeled off from the electroless Cu plating layer. And easy to float.

【0030】次に、上記プリント配線板1の製造方法に
ついて、図2〜図4を参照しつつ説明する。まず、被積
層基板11を用意する。図2(a)は、被積層基板11
のうち図1(b)のA−A断面に対応した部分の部分拡
大断面図を示す(図2〜図4の各図についても同
じ。)。この被積層基板11は、公知の手法により、B
Tレジンからなるコア基板12の両面に、エポキシ系樹
脂からなる樹脂絶縁層13,14が積層されたものであ
る。これら樹脂絶縁層13,14の表面13A,13B
(被積層基板11の主面11A及び裏面11B)は、過
マンガン酸カリウムによって予め粗化されており、その
30μm間10点平均粗さR30は、約1.3μmとされ
ている。
Next, a method of manufacturing the printed wiring board 1 will be described with reference to FIGS. First, the laminated substrate 11 is prepared. FIG. 2A shows the laminated substrate 11.
FIG. 2 shows a partially enlarged cross-sectional view of a portion corresponding to the AA cross section of FIG. 1B (the same applies to FIGS. 2 to 4). The substrate to be laminated 11 is formed by a known method.
Resin insulating layers 13 and 14 made of epoxy resin are laminated on both surfaces of a core substrate 12 made of T resin. Surfaces 13A, 13B of these resin insulating layers 13, 14
(The main surface 11A and the back surface 11B of the laminated substrate 11) are previously roughened by potassium permanganate, and the 10-point average roughness R 30 for 30 μm is set to about 1.3 μm.

【0031】次に、無電解メッキ層形成工程において、
図2(b)に示すように、被積層基板11の全面に無電
解Cuメッキ(奥野製薬社製メッキ液ビルドカッパー)
を施し、厚さ0.7μmの無電解Cuメッキ層17,1
8を形成する。このとき、無電解Cuメッキ層17,1
8の厚さが、1μm以下と比較的薄いため、その下の樹
脂絶縁層13,14の表面粗さR30の影響を強く受け
る。このため、無電解Cuメッキ層17,18の表面1
7A,18Aの30μm間10点平均粗さR30は、樹脂
絶縁層13,14の表面粗さR30とほぼ同等の約1.3
μmとなる。
Next, in the electroless plating layer forming step,
As shown in FIG. 2B, electroless Cu plating (plating solution build copper manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) is applied to the entire surface of the substrate 11 to be laminated.
And a 0.7 μm-thick electroless Cu plating layer 17, 1
8 is formed. At this time, the electroless Cu plating layers 17, 1
The thickness of 8, relatively thin, 1μm or less strongly influenced by the surface roughness R 30 of the resin insulating layers 13 and 14 thereunder. Therefore, the surface 1 of the electroless Cu plating layers 17 and 18
7A, 30 [mu] m between the ten point average roughness R 30 of 18A is about approximately equal to the surface roughness R 30 of the resin insulating layers 13 and 14 1.3
μm.

【0032】このように樹脂絶縁層13,14の表面粗
さR30を、無電解Cuメッキ層17,18の所望の表面
粗さR30と同等にしておくと、無電解Cuメッキ層1
7,18を薄く付けても、無電解Cuメッキ層17,1
8の表面17A,18Aで所望の粗さR30が得られるの
で、その時間やコストを削減することができる。しか
も、樹脂絶縁層13,14が予め粗化されていることに
より、樹脂絶縁層13,14と無電解Cuメッキ層1
7,18との密着強度は、十分に高くなっている。
[0032] In this way the surface roughness R 30 of the resin insulating layers 13 and 14, keep the equivalent desired surface roughness R 30 of electroless Cu plating layers 17 and 18, an electroless Cu plating layer 1
Even if the layers 7 and 18 are thin, the electroless Cu plating layers 17 and 1
Surface 17A of 8, because the desired roughness R 30 can be obtained in 18A, it is possible to reduce the time and cost. Moreover, since the resin insulating layers 13 and 14 are roughened in advance, the resin insulating layers 13 and 14 and the electroless Cu plating layer 1 are not roughened.
The adhesion strength with 7, 18 is sufficiently high.

【0033】次に、レジスト層形成工程において、図3
(a)に示すように、これら無電解Cuメッキ層17,
18上に、アクリル系樹脂(水溶性アクリル)からなる
感光性のドライフィルム(ニチゴーモートン社製NIT
225)21,22をそれぞれ全面に貼り付ける。
Next, in the resist layer forming step, FIG.
As shown in (a), these electroless Cu plating layers 17,
18 is a photosensitive dry film (Nichigo Morton NIT) made of an acrylic resin (water-soluble acrylic).
225) 21 and 22 are respectively adhered to the entire surface.

【0034】次に、図3(b)に示すように、貼り付け
たドライフィルム21,22を、所定パターンのマスク
(図示しない)を用いて露光し、その後現像して、配線
層3等に対応した所定パターンのメッキレジスト層2
3,24を形成する。その際、特に現像液(Na2CO3
1.1wt%)を噴射するときに、その圧力でメッキレ
ジスト層23,24、中でもパターンの幅RBが最も狭
くなっている部分(図3(b)で示す部分)が剥がれ易
い。特に、本実施形態にように、配線層の最も幅狭な導
体間隙X(20μm)が狭くなっている場合には、メッ
キレジスト層23,24の剥がれや浮きが発生しやす
い。
Next, as shown in FIG. 3B, the attached dry films 21 and 22 are exposed using a mask (not shown) having a predetermined pattern, and then developed to form a wiring layer 3 and the like. Corresponding plating resist layer 2 of predetermined pattern
3, 24 are formed. At that time, especially the developer (Na 2 CO 3
(1.1 wt%), the plating resist layers 23 and 24, particularly the part where the width RB of the pattern is the narrowest (part shown in FIG. 3B), are easily peeled off by the pressure. In particular, as in the present embodiment, when the narrowest conductor gap X (20 μm) of the wiring layer is narrow, the plating resist layers 23 and 24 are likely to peel off or float.

【0035】しかし、本実施形態では、無電解Cuメッ
キ層17,18の表面粗さR30は、約1.3μmと小さ
くされているので、無電解Cuメッキ層17,18とメ
ッキレジスト層23,24との密着強度が、十分に高
い。このため、この工程で、メッキレジスト層23,2
4が無電解Cuメッキ層17,18から剥がれたり、浮
いたりし難い。
However, in this embodiment, since the surface roughness R 30 of the electroless Cu plating layers 17 and 18 is reduced to about 1.3 μm, the electroless Cu plating layers 17 and 18 and the plating resist layer 23 are formed. , 24 are sufficiently high. Therefore, in this step, the plating resist layers 23, 2
4 hardly peels off or floats from the electroless Cu plating layers 17, 18.

【0036】次に、配線層形成工程において、図4
(a)に示すように、電解Cuメッキを施し、メッキレ
ジスト層23,24から露出した無電解Cuメッキ層1
7,18上に、厚さ15μmの電解Cuメッキ層27,
28を形成する。その際、メッキレジスト層23,24
には剥がれや浮きがなく、無電解Cuメッキ層17,1
8に密着しているので、ショートを生じることなく、露
出した無電解Cuメッキ層17,18上にだけ、電解C
uメッキ層27,28を形成することができる。
Next, in the wiring layer forming step, FIG.
As shown in (a), the electroless Cu plating is applied to the electroless Cu plating layer 1 exposed from the plating resist layers 23 and 24.
7 and 18, a 15 μm-thick electrolytic Cu plating layer 27,
28 are formed. At this time, the plating resist layers 23, 24
Has no peeling or floating, and has no electroless Cu plating layers 17 and 1
8, no short circuit occurs, and only the exposed electroless Cu plating layers 17 and 18
The u plating layers 27 and 28 can be formed.

【0037】その後、メッキレジスト層23,24を剥
離し、クイックエッチングにより、露出した無電解Cu
メッキ層17,18を除去して、図4(b)に示すよう
に、配線層3,4を形成する。このとき、エッチング液
は全面に噴射されるので、露出した無電解Cuメッキ層
17,18が除去されるとともに、電解Cuメッキ層2
7,28の表面も一部除去される。しかし、電解Cuメ
ッキ層27,28(厚さ15μm)は、無電解Cuメッ
キ層17,18(厚さ0.7μm)よりも十分に厚く形
成されているので、配線層3,4がエッチングにより除
去されてしまうことはない。このようにして、被積層基
板11の樹脂絶縁層13,14上に配線層3,4が形成
され、プリント配線板1が完成する。
Thereafter, the plating resist layers 23 and 24 are peeled off, and the exposed electroless Cu is removed by quick etching.
The plating layers 17 and 18 are removed, and wiring layers 3 and 4 are formed as shown in FIG. At this time, since the etching solution is sprayed on the entire surface, the exposed electroless Cu plating layers 17 and 18 are removed, and the electrolytic Cu plating layer 2 is removed.
A part of the surface of 7, 28 is also removed. However, since the electrolytic Cu plating layers 27 and 28 (thickness 15 μm) are formed sufficiently thicker than the electroless Cu plating layers 17 and 18 (thickness 0.7 μm), the wiring layers 3 and 4 are etched. It will not be removed. In this manner, the wiring layers 3 and 4 are formed on the resin insulating layers 13 and 14 of the substrate 11 to be laminated, and the printed wiring board 1 is completed.

【0038】なお、本実施形態では、被積層基板11の
樹脂絶縁層13,14の表面13A,14Aを過マンガ
ン酸カリウムにより粗化しているが、樹脂絶縁層の材質
に応じて、例えばクロム酸などにより粗化しても良い。
また、その表面13A,14Aを研磨して粗化しても良
い。また、樹脂絶縁層13,14の表面粗さR30は、約
1.3μmとされているが、樹脂絶縁層13,14と配
線層3とのアンカー効果をより高くしたい場合には、表
面粗さR30をより大きくすることもできる。この場合、
無電解メッキ層形成工程で、無電解メッキを厚く付ける
ことにより、無電解メッキ層17,18の表面17A,
18Aを所望の表面粗さ、例えばR30=1.3μmとす
る。
In this embodiment, the surfaces 13A and 14A of the resin insulating layers 13 and 14 of the laminated substrate 11 are roughened with potassium permanganate. However, depending on the material of the resin insulating layer, for example, chromic acid may be used. It may be roughened by, for example, roughening.
The surfaces 13A and 14A may be polished and roughened. The surface roughness R 30 of the resin insulating layers 13 and 14 is about 1.3 μm. However, if it is desired to further enhance the anchor effect between the resin insulating layers 13 and 14 and the wiring layer 3, the surface roughness R 30 may be increased. it is also possible to further increase the R 30 is. in this case,
In the electroless plating layer forming step, the surface 17A of the electroless plating layers 17, 18 is formed by thickening the electroless plating.
18A has a desired surface roughness, for example, R 30 = 1.3 μm.

【0039】また、本実施形態では、配線層形成工程
で、メッキレジスト層23,24を剥離した後、そのま
まの状態で、エッチング液を噴射して、配線層3,4を
形成している。しかし、メッキレジスト層23,24を
剥離した後、電解Cuメッキ層27,28の表面に、N
iメッキやSnメッキなどの保護膜を形成してから、エ
ッチングを行ってもよい。この場合は、電解Cuメッキ
層27,28の表面が、保護膜によってエッチング液か
ら保護されるので、配線層3,4の表面はエッチングさ
れなくなる。
In the present embodiment, in the wiring layer forming step, after the plating resist layers 23 and 24 are peeled off, the wiring layers 3 and 4 are formed by spraying an etching solution in the same state. However, after the plating resist layers 23 and 24 are peeled off, the surfaces of the electrolytic Cu plating layers 27 and 28
Etching may be performed after forming a protective film such as i-plate or Sn-plate. In this case, since the surfaces of the electrolytic Cu plating layers 27 and 28 are protected from the etching solution by the protective film, the surfaces of the wiring layers 3 and 4 are not etched.

【0040】上記プリント配線板1の配線層3につい
て、最も幅狭な導体間隙Xを様々に変更して、無電解C
uメッキ層17,18の表面17A,18Aの30μm
間10点平均粗さR30と、レジスト層形成工程後の歩留
まりとの関係について、以下に述べるように調査し、そ
の結果を図5〜図8の各グラフに示した。
With respect to the wiring layer 3 of the printed wiring board 1, the narrowest conductor gap X is variously changed,
30 μm of the surfaces 17A, 18A of the u-plated layers 17, 18
And between 10-point average roughness R 30, the relationship between the yield after the resist layer forming step, examined as described below, and the results are shown in the graphs of FIGS. 5-8.

【0041】まず、配線層3が、最も幅狭な導体間隙X
が20μmである導体パターンを有する上記プリント配
線板1について、以下の調査を行った。即ち、樹脂絶縁
層13,14の表面13A,14Aの30μm間10点
平均粗さR30を適宜変更することにより、無電解Cuメ
ッキ層17,18の表面17A,18Aの30μm間1
0点平均粗さR30を様々に変化させた多数の試料つい
て、レジスト層形成工程後の歩留まりを調査した。そし
て、これらの調査をもとに、無電解Cuメッキ層17,
18の表面粗さR30とメッキレジスト層23,24形成
後の歩留まりとの関係について、図5のグラフにまとめ
た。図5に示すグラフの横軸は、無電解Cuメッキ層1
7,18の表面17A,18Aの30μm間10点平均
粗さR30(μm)を示し、縦軸は、メッキレジスト層2
3,24形成後の歩留まり(%)を示す(図6〜図8に
ついても同じ。)。
First, the wiring layer 3 has the narrowest conductor gap X.
The following investigation was conducted on the printed wiring board 1 having a conductor pattern having a thickness of 20 μm. That is, the surface 13A of the resin insulating layers 13 and 14, by appropriately changing the 14A 30 [mu] m between the ten point average roughness R 30 of the surface 17A of the electroless Cu plating layers 17 and 18, between 18A 30 [mu] m of 1
For multiple samples the 0-point average roughness R 30 variously varied to investigate the yield after the resist layer forming step. Then, based on these investigations, the electroless Cu plating layer 17,
Relation between 18 surface roughness R 30 and yield after plating resist layers 23 and 24 formed of, summarized in the graph of FIG. The horizontal axis of the graph shown in FIG.
The 10-point average roughness R 30 (μm) between 30 μm of the surfaces 17A and 18A of the surfaces 7 and 18 is shown.
The yield (%) after formation of 3, 24 is shown (the same applies to FIGS. 6 to 8).

【0042】なお、レジスト層形成工程で、メッキレジ
スト層23,24が、無電解メッキ層17,18から剥
がれたり、浮いたりすることなく形成された試料につい
ては、配線層形成工程において、ショートを生じること
なく、確実に配線層3,4を形成することができた。こ
れに対し、メッキレジスト層23,24が無電解メッキ
層17,18から剥がれたり浮いたりした試料は、いず
れもショートを生じた。
In the sample in which the plating resist layers 23 and 24 were not peeled off or floated from the electroless plated layers 17 and 18 in the resist layer forming step, a short circuit was caused in the wiring layer forming step. The wiring layers 3 and 4 could be reliably formed without any occurrence. In contrast, any of the samples in which the plating resist layers 23 and 24 were peeled off or floated from the electroless plating layers 17 and 18 caused a short circuit.

【0043】このグラフから判るように、配線層3のう
ち最も幅狭な導体間隙がX=20μmでは、無電解Cu
メッキ17,18の表面粗さR30が、図中にB100で示
すように、0.97μm以下で、歩留まりがほぼ100
%になる。一方、無電解Cuメッキ17,18の表面粗
さR30が0.97μm以上になると、歩留まりが徐々に
低下し始める。特に、無電解Cuメッキ17,18の表
面粗さR30が約2μmを越えると、急激に歩留まりが低
下する。なお、このグラフより、レジスト層形成工程後
の歩留まりを80%以上にするには、無電解Cuメッキ
層17,18の表面粗さR30を、図中にB80で示すよう
に、R30=1.96μm以下にすれば良いことが判る。
また、歩留まりを90%以上にするには、図中にB90
示すように、R30=1.67μm以下にすれば良く、ま
た、歩留まりをほぼ100%にするには、図中にB100
で示すように、R3 0=0.97μm以下にすれば良いこ
とが判る。
As can be seen from this graph, the wiring layer 3
When the narrowest conductor gap is X = 20 μm, electroless Cu
Surface roughness R of plating 17, 1830But B in the figure100Indicated by
As shown in FIG.
%become. On the other hand, the surface roughness of the electroless Cu plating 17, 18
Sa R30Is 0.97μm or more, the yield gradually increases
Begins to drop. In particular, the table of electroless Cu plating 17, 18
Surface roughness R30Exceeds about 2 μm, the yield suddenly decreases.
Down. From this graph, it can be seen that after the resist layer forming step,
Cu plating to increase yield of 80% or more
Surface roughness R of layers 17 and 1830And B in the figure80As shown
And R30It can be seen that it is sufficient to set the thickness to 1.96 μm or less.
To increase the yield to 90% or more, B90so
As shown, R30= 1.67 μm or less.
To make the yield almost 100%, B100
As shown by RThree 0= 0.97 μm or less
I understand.

【0044】次に、上記プリント配線板1の配線層3に
ついて、最も幅狭な導体間隙Xを20μmから15μm
に変更したプリント配線板についても、上記調査と同様
にして調査を行った。即ち、樹脂絶縁層13,14の表
面粗さR30を適宜変更することにより、無電解Cuメッ
キ層17,18の表面粗さR30を様々に変化させた多数
の試料ついて、レジスト層形成工程後の歩留まりを調査
した。そして、これらの調査をもとに、無電解Cuメッ
キ層17,18の表面粗さR30とメッキレジスト層形成
後の歩留まりとの関係について、図6のグラフにまとめ
た。
Next, regarding the wiring layer 3 of the printed wiring board 1, the narrowest conductor gap X is set to 20 μm to 15 μm.
The printed wiring board changed to the above was also investigated in the same manner as the above investigation. That is, by appropriately changing the surface roughness R 30 of the resin insulating layers 13 and 14, a resist layer forming step is performed for a number of samples in which the surface roughness R 30 of the electroless Cu plating layers 17 and 18 is variously changed. Later the yield was investigated. Then, based on these studies, the relationship between the surface roughness R 30 and yield after plating resist layer formed of an electroless Cu plating layers 17 and 18, are summarized in the graph of FIG.

【0045】このグラフから判るように、配線層のうち
最も幅狭な導体間隙がX=15μmでは、無電解Cuメ
ッキ層17,18の表面粗さR30が約0.9μm以下
で、レジスト層形成工程後の歩留まりが高くなる。一
方、無電解Cuメッキ層17,18の表面粗さR30が約
1.5μm以上では、メッキレジスト層形成後の歩留ま
りは、ほとんどない。
As can be seen from this graph, when the narrowest conductor gap among the wiring layers is X = 15 μm, the surface roughness R 30 of the electroless Cu plating layers 17 and 18 is about 0.9 μm or less, and the resist layer The yield after the forming process is increased. On the other hand, the surface roughness R 30 of electroless Cu plating layer 17 is about 1.5μm or more, the yield after the plating resist layer formation, little.

【0046】最も幅狭な導体間隙がX=20μmである
上記調査と比べると、無電解Cuメッキ層17,18の
表面粗さR30を小さい値にしないと、歩留まりが高くな
らない。また、無電解Cuメッキ層17,18の表面粗
さR30が約0.9μmを越えると、大きな割合で歩留ま
りが低下していく。なお、このグラフより、レジスト層
形成工程後の歩留まりを80%以上にするには、無電解
Cuメッキ層17,18の表面粗さR30を、図中にA80
で示すように、R30=0.90μm以下にすれば良いこ
とが判る。また、歩留まりを90%以上にするには、図
中にA90で示すように、R30=0.76μm以下にすれ
ば良く、また、歩留まりをほぼ100%にするには、図
中にA100で示すように、R3 0=0.50μm以下にす
れば良いことが判る。
The narrowest conductor gap is X = 20 μm
Compared to the above investigation, the electroless Cu plating layers 17 and 18
Surface roughness R30If the value is not set to a small value, the yield
No. Also, the surface roughness of the electroless Cu plating layers 17 and 18
Sa R30Exceeds about 0.9 μm, the yield is large.
Is decreasing. From this graph, it can be seen that the resist layer
To increase the yield after the formation process to 80% or more,
Surface roughness R of Cu plating layers 17 and 1830And A in the figure80
As shown by R30= 0.90 μm or less
I understand. To increase the yield to 90% or more,
A in90As shown by R30= 0.76μm or less
To make the yield almost 100%,
A in100As shown by RThree 0= 0.50 μm or less
It turns out that we should do it.

【0047】次に、上記プリント配線板1の配線層3に
ついて、最も幅狭な導体間隙Xを20μmから25μm
に変更したプリント配線板についても、上記各調査と同
様にして以下の調査を行った。即ち、樹脂絶縁層13,
14の表面粗さR30を適宜変更することにより、無電解
Cuメッキ層17,18の表面粗さR30を様々に変化さ
せた多数の試料ついて、レジスト層形成工程後の歩留ま
りを調査した。そして、これらの調査をもとに、無電解
Cuメッキ層17,18の表面粗さR30とメッキレジス
ト層形成後の歩留まりとの関係について、図7のグラフ
にまとめた。
Next, regarding the wiring layer 3 of the printed wiring board 1, the narrowest conductor gap X is set to 20 μm to 25 μm.
The following investigations were also conducted on the printed wiring board changed to the above in the same manner as the above investigations. That is, the resin insulating layer 13,
The yield after the resist layer forming step was investigated for a number of samples in which the surface roughness R 30 of the electroless Cu plating layers 17 and 18 was variously changed by appropriately changing the surface roughness R 30 of the 14. Then, based on these studies, the relationship between the surface roughness R 30 and yield after plating resist layer formed of an electroless Cu plating layers 17 and 18, are summarized in the graph of FIG.

【0048】このグラフから判るように、配線層のうち
最も幅狭な導体間隙がX=25μmでは、無電解Cuメ
ッキ17,18の表面粗さR30が、図中にC100で示す
ように、1.35μm以下で、歩留まりがほぼ100%
になる。一方、無電解Cuメッキ17,18の表面粗さ
30が1.35μm以上になると、歩留まりが徐々に低
下し始める。しかし、配線層のうち最も幅狭な導体間隙
がX=20μmの場合と比べると、無電解Cuメッキ1
7,18の表面粗さR30が大きくなっても、歩留まりの
低下の割合が小さい。なお、このグラフより、レジスト
層形成工程後の歩留まりを80%以上にするには、無電
解Cuメッキ層17,18の表面粗さR30を、図中にC
80で示すように、R30=5.32μm以下にすれば良い
ことが判る。また、歩留まりを90%以上にするには、
図中にC90で示すように、R30=3.91μm以下にす
れば良く、また、歩留まりをほぼ100%にするには、
図中にC100で示すように、R3 0=1.35μm以下に
すれば良いことが判る。
As can be seen from this graph, of the wiring layers
When the narrowest conductor gap is X = 25 μm, the electroless Cu
Surface roughness R of jacks 17, 1830But C in the figure100Indicated by
As described above, the yield is almost 100% at 1.35 μm or less.
become. On the other hand, the surface roughness of the electroless Cu plating 17, 18
R30Is 1.35 μm or more, the yield gradually decreases.
Start dropping. However, the narrowest conductor gap in the wiring layer
Compared to the case where X = 20 μm, the electroless Cu plating 1
Surface roughness R of 7, 1830Even if becomes large, the yield
The rate of decline is small. From this graph, the resist
In order to increase the yield after the layer formation process to 80% or more,
Surface roughness R of the decomposed Cu plating layers 17, 1830In the figure
80As shown by R30= 5.32 μm or less
You can see that. In order to increase the yield to 90% or more,
C in the figure90As shown by R30= 3.91 μm or less
In order to make the yield almost 100%,
C in the figure100As shown by RThree 0= 1.35 μm or less
I know what I should do.

【0049】次に、上記プリント配線板1の配線層3に
ついて、最も幅狭な導体間隙Xを20μmから32μm
に変更したプリント配線板についても、上記各調査と同
様にして以下の調査を行った。即ち、樹脂絶縁層13,
14の表面粗さR30を適宜変更することにより、無電解
Cuメッキ層17,18の表面粗さR30を様々に変化さ
せた多数の試料ついて、レジスト層形成工程後の歩留ま
りを調査した。そして、これらの調査をもとに、無電解
Cuメッキ層17,18の表面粗さR30とメッキレジス
ト層形成後の歩留まりとの関係について、図8のグラフ
にまとめた。
Next, for the wiring layer 3 of the printed wiring board 1, the narrowest conductor gap X is set to 20 μm to 32 μm.
The following investigations were also conducted on the printed wiring board changed to the above in the same manner as the above investigations. That is, the resin insulating layer 13,
The yield after the resist layer forming step was investigated for a number of samples in which the surface roughness R 30 of the electroless Cu plating layers 17 and 18 was variously changed by appropriately changing the surface roughness R 30 of the 14. Then, based on these studies, the relationship between the surface roughness R 30 and yield after plating resist layer formed of an electroless Cu plating layers 17 and 18, are summarized in the graph of FIG.

【0050】このグラフから判るように、配線層のうち
最も幅狭な導体間隙がX=32μmでは、無電解Cuメ
ッキ17,18の表面粗さR30が、図中にD100で示す
ように、1.74μm以下で、歩留まりがほぼ100%
になる。一方、無電解Cuメッキ17,18の表面粗さ
30が1.74μm以上になると、歩留まりが徐々に低
下し始める。しかし、導体間隙がそれぞれX=15,2
0,25μmである上記各調査と比べると、無電解Cu
メッキ17,18の表面粗さR30が大きくなったとき、
歩留まりの低下の割合がさらに小さくなっている。な
お、このグラフより、レジスト層形成工程後の歩留まり
を90%以上にするには、無電解Cuメッキ層17,1
8の表面粗さR30を、図中にD90で示すように、R30
5.59μm以下にすれば良いことが判る。また、歩留
まりをほぼ100%にするには、図中にD100で示すよ
うに、R30=1.74μm以下にすれば良いことが判
る。
As can be seen from this graph, when the narrowest conductor gap in the wiring layer is X = 32 μm, the surface roughness R 30 of the electroless Cu platings 17 and 18 is as shown by D 100 in the figure. 1.100 μm or less, almost 100% yield
become. On the other hand, when the surface roughness R 30 of the electroless Cu platings 17 and 18 is 1.74 μm or more, the yield gradually starts to decrease. However, when the conductor gap is X = 15,2
Compared to the above investigations, which are 0.25 μm, electroless Cu
When the surface roughness R 30 of the plating 17, 18 is increased,
The rate of decrease in yield is even smaller. According to this graph, in order to increase the yield after the resist layer forming step to 90% or more, the electroless Cu plating layers 17 and 1 are required.
The surface roughness R 30 of No. 8 was calculated as R 30 = D 90 as shown by D 90 in the figure.
It is understood that it is sufficient to set the thickness to 5.59 μm or less. Also, it can be seen that the yield can be made almost 100% by setting R 30 to 1.74 μm or less, as indicated by D 100 in the figure.

【0051】以上の各調査から、配線層のうち、最も幅
狭な導体間隙Xが大きくなるにつれて、無電解Cuメッ
キ層17,18の表面粗さR30が大きくても良いことが
判る(図5〜図8参照)。つまり、所望の歩留まりを得
るには、最も幅狭な導体間隙Xが小さいほど、無電解C
uメッキ層17,18の表面粗さR30を小さくする必要
があり、逆に、最も幅狭な導体間隙Xが大きくなると、
無電解Cuメッキ層17,18の表面粗さR30が大きく
ても良いという相関関係を有する。また、より高い歩留
まりを得るためには、無電解Cuメッキ層17,18の
表面粗さR30をより小さくしなけらばならない。
From the above investigations, it can be seen that the surface roughness R 30 of the electroless Cu plating layers 17 and 18 may be larger as the narrowest conductor gap X among the wiring layers is larger (FIG. 9). 5 to 8). In other words, in order to obtain a desired yield, the smaller the narrowest conductor gap X, the more the electroless C
It is necessary to reduce the surface roughness R 30 of the u-plated layers 17 and 18, and conversely, if the narrowest conductor gap X increases,
Having a correlation with a surface roughness R 30 of electroless Cu plating layer 17 and 18 may be larger. Further, in order to obtain a higher yield must be such kicked smaller surface roughness R 30 of electroless Cu plating layers 17 and 18.

【0052】そこで、レジスト層形成工程後に、80
%、90%及びほぼ100%の歩留まりをそれぞれ得る
ために必要な無電解Cuメッキ層17,18の表面粗さ
30を求めるために、配線層のうち最も幅狭な導体間隙
Xと無電解Cuメッキ層17,18の表面粗さR30との
関係について調べた。図9〜図11のグラフを参照しつ
つ、以下に説明する。
Therefore, after the resist layer forming step, 80
%, In order to obtain 90% and almost 100% of the yield surface roughness R 30 of electroless Cu plating layers 17 and 18 required to obtain respectively, electroless and narrowest conductor gap X of the wiring layer We examined the relationship between the surface roughness R 30 of the Cu-plated layer 17, 18. This will be described below with reference to the graphs in FIGS.

【0053】まず、メッキレジスト層形成後の歩留まり
を80%以上とする場合の最も幅狭な導体間隙Xと無電
解Cuメッキ層17,18の表面粗さR30との関係につ
いて、図9に示す。このグラフの横軸は、配線層のうち
最も幅狭な導体間隙X(μm)を示し、縦軸は、無電解
Cuメッキ層17,18の表面17A,18Aの30μ
m間10点平均粗さR30(μm)を示す(図10及び図
11についても同じ。)。なお、図中のA80,B80,C
80の各点は、図5〜図7に示すA80,B80,C 80にそれ
ぞれ対応している。
First, the yield after forming the plating resist layer
Of the narrowest conductor gap X when no
Surface roughness R of the decomposed Cu plating layers 17, 1830Relationship with
And shown in FIG. The horizontal axis of this graph is
The narrowest conductor gap X (μm) is shown, and the vertical axis is electroless.
30μ of the surface 17A, 18A of the Cu plating layers 17, 18
10 points average roughness R between m30(Μm) (FIG. 10 and FIG.
Same for 11. ). Note that A in FIG.80, B80, C
80Are points A shown in FIGS.80, B80, C 80Into it
Each is supported.

【0054】このグラフは、上記調査より求めた各グラ
フ(図5〜図7参照)より、最も幅狭な導体間隙が、X
=15,20,25μmのそれぞれについて、歩留まり
が80%となるときの表面粗さR30を求め、これらの点
(A80,B80,C80)をもとに近似したグラフである。
このグラフは、式 R30=0.061exp(0.18
X)で表される。このグラフより、配線層のうち最も幅
狭な導体間隙Xに対して、無電解Cuメッキ17,18
の表面粗さR30を、式 R30≦0.061exp(0.
18X)を満たす値とすれば、メッキレジスト層形成後
の歩留まりを80%以上にすることができることにな
る。
In this graph, the narrowest conductor gap is represented by X from the graphs (see FIGS. 5 to 7) obtained from the above investigation.
= 15,20,25 μm is a graph obtained by obtaining the surface roughness R 30 when the yield becomes 80% and approximating based on these points (A 80 , B 80 , C 80 ).
This graph shows the equation R 30 = 0.061exp (0.18
X). According to this graph, electroless Cu plating 17, 18 was applied to the narrowest conductor gap X in the wiring layer.
Of the surface roughness R 30 of the formula: R 30 ≦ 0.061 exp (0.
18X), the yield after forming the plating resist layer can be 80% or more.

【0055】次に、メッキレジスト層形成後の歩留まり
を90%以上とする場合の最も幅狭な導体間隙Xと無電
解Cuメッキ層17,18の表面粗さR30との関係につ
いて、図10に示す。なお、図中のA90,B90,C90
90の各点は、図5〜図8に示すA90,B90,C90,D
90にそれぞれ対応している。このグラフも、上記調査よ
り求めた各グラフ(図5〜図8参照)より、最も幅狭な
導体間隙が、X=15,20,25,32μmのそれぞ
れについて、歩留まりが90%となるときの表面粗さR
30を求め、これらの点(A90,B90,C90,D90)をも
とに近似したグラフである。このグラフは、式 R30
0.15exp(0.12X)で表される。このグラフ
より、配線層のうち最も幅狭な導体間隙Xに対して、無
電解Cuメッキ17,18の表面粗さR30を、式 R30
≦0.15exp(0.12X)を満たす値とすれば、
メッキレジスト層形成後の歩留まりを90%以上にする
ことができることになる。
Next, the relationship between the narrowest conductor gap X and the surface roughness R 30 of the electroless Cu plating layers 17 and 18 when the yield after forming the plating resist layer is 90% or more is shown in FIG. Shown in A 90 , B 90 , C 90 ,
Each point D 90 is, A 90, B 90 shown in FIGS. 5 to 8, C 90, D
Each corresponds to 90 . Also in this graph, the narrowest conductor gaps are obtained when the yield is 90% for each of X = 15, 20, 25, and 32 μm from the graphs (see FIGS. 5 to 8) obtained from the above investigation. Surface roughness R
30 is a graph approximated based on these points (A 90 , B 90 , C 90 , D 90 ). This graph shows the equation R 30 =
It is represented by 0.15exp (0.12X). From this graph, the surface roughness R 30 of the electroless Cu platings 17 and 18 for the narrowest conductor gap X in the wiring layer is calculated by the equation R 30
If the value satisfies ≦ 0.15exp (0.12X),
The yield after the plating resist layer is formed can be 90% or more.

【0056】次に、メッキレジスト層形成後の歩留まり
をほぼ100%とする場合の最も幅狭な導体間隙Xと無
電解Cuメッキ層17,18の表面粗さR30との関係に
ついて、図11に示す。なお、図中のA100,B100,C
100,D100の各点は、図5〜図8に示すA100,B100
100,D100にそれぞれ対応している。このグラフも、
上記調査より求めた各グラフ(図5〜図8参照)より、
最も幅狭な導体間隙が、X=15,20,25,32μ
mのそれぞれについて、歩留まりがほぼ100%となる
値のうち、最も大きい表面粗さR30をそれぞれ求め、こ
れらの点(A100,B100,C100,D100)をもとに近似
したグラフである。このグラフは、式 R30=2.0e
xp(0.071X)で表される。このグラフより、配
線層のうち最も幅狭な導体間隙Xに対して、無電解Cu
メッキ17,18の表面粗さR30を、式 R30≦2.0
exp(0.071X)を満たす値とすれば、メッキレ
ジスト層形成後の歩留まりをほぼ100%にすることが
できることになる。
Next, the relationship between the narrowest conductor gap X and the surface roughness R 30 of the electroless Cu plating layers 17 and 18 when the yield after the formation of the plating resist layer is approximately 100% is shown in FIG. Shown in Note that A 100 , B 100 , C
100 and D 100 are represented by A 100 , B 100 ,
C 100 and D 100 respectively. This graph also
From each graph (see FIGS. 5 to 8) obtained from the above survey,
The narrowest conductor gap is X = 15,20,25,32μ
For each m, of the yield is almost 100% value to obtain the largest surface roughness R 30 respectively, a graph which approximates these points (A 100, B 100, C 100, D 100) to the original It is. This graph is based on the equation R 30 = 2.0e
xp (0.071X). From this graph, it can be seen that the electroless Cu
The surface roughness R 30 of the platings 17 and 18 is calculated by the following equation: R 30 ≦ 2.0
If the value satisfies exp (0.071X), the yield after forming the plating resist layer can be almost 100%.

【0057】このように、図9〜図11のグラフより、
配線層のうち最も幅狭な導体間隙が15≦X≦25の範
囲において、R30≦0.061exp(0.18X)を
満たすように、無電解Cuメッキ17,18の表面粗さ
30を設定すれば、メッキレジスト層形成後の歩留まり
80%以上を得ることができる。また、配線層のうち最
も幅狭な導体間隙が15≦X≦32の範囲において、R
30≦0.15exp(0.12X)を満たすように、無
電解Cuメッキ17,18の表面粗さR30を設定すれ
ば、メッキレジスト層形成後の歩留まり90%以上を得
ることができる。また、配線層のうち最も幅狭な導体間
隙が15≦X≦32の範囲において、R 30≦2.0ex
p(0.071X)を満たすように、無電解Cuメッキ
17,18の表面粗さR30を設定すれば、メッキレジス
ト層形成後の歩留まりほぼ100%を得ることができ
る。
As described above, according to the graphs of FIGS.
The narrowest conductor gap in the wiring layer is in the range of 15 ≦ X ≦ 25.
In the box, R30≤0.061exp (0.18X)
Surface roughness of electroless Cu plating 17, 18 to satisfy
R30The yield after plating resist layer formation
80% or more can be obtained. In addition, the most
When the narrow conductor gap is in the range of 15 ≦ X ≦ 32, R
30≤ 0.15exp (0.12X)
Surface roughness R of electrolytic Cu plating 17, 1830Set
For example, a yield after plating resist layer formation of 90% or more is obtained.
Can be Also, between the narrowest conductors in the wiring layer
When the gap is in the range of 15 ≦ X ≦ 32, R 30≤2.0ex
Electroless Cu plating to satisfy p (0.071X)
Surface roughness R of 17, 1830If you set the plating resist
Almost 100% yield after the formation of
You.

【0058】以上で説明したように、本実施形態のプリ
ント配線板の製造方法でよれば、無電解メッキ層形成工
程において、配線層のうち最も幅狭な導体間隙Xに対し
て、表面の30μm間10点平均粗さR30が、R30
0.061exp(0.18X)、R30≦0.15ex
p(0.12X)、及び、R30≦2.0exp(0.0
71X)を満たすように、無電解Cuメッキ層17,1
8が形成される。
As described above, according to the method of manufacturing a printed wiring board of the present embodiment, in the step of forming the electroless plating layer, the narrowest conductor gap X in the wiring layer is reduced by 30 μm on the surface. 10 point average roughness R 30 is less than R 30
0.061exp (0.18X), R 30 ≦ 0.15ex
p (0.12X) and R 30 ≦ 2.0exp (0.0
71X) so that the electroless Cu plating layers 17, 1
8 are formed.

【0059】このため、レジスト層形成工程において、
所定パターンのメッキレジスト層を形成する際、メッキ
レジスト層と無電解Cuメッキ層17,18との密着強
度を十分に高くすることができる。よって、この工程
で、メッキレジスト層の一部が、無電解Cuメッキ層1
7,18から剥がれたり、浮いたりするのを抑制するこ
とができる。従って、その後配線層形成工程で、電解C
uメッキ層27,28を形成する際、所定の位置にだ
け、確実に電解Cuメッキ層27,28を形成すること
ができるので、確実に配線層を形成することができ、プ
リント配線板の製造時の歩留まりを向上させることがで
きる。
Therefore, in the resist layer forming step,
When a plating resist layer having a predetermined pattern is formed, the adhesion strength between the plating resist layer and the electroless Cu plating layers 17 and 18 can be sufficiently increased. Therefore, in this step, a part of the plating resist layer is
Peeling or floating from 7, 18 can be suppressed. Therefore, in the subsequent wiring layer forming step, the electrolytic C
When forming the u-plated layers 27 and 28, the electrolytic Cu-plated layers 27 and 28 can be reliably formed only at predetermined positions, so that the wiring layers can be reliably formed and the printed wiring board can be manufactured. The yield at the time can be improved.

【0060】以上において、本発明を各実施形態に即し
て説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して
適用できることはいうまでもない。例えば、上記実施形
態では、配線層は、一定の導体間隙Xで導体が櫛上に並
んだ導体パターンを有しているが(図1(b)参照)、
導体同士が平行に並んでいない導体パターンをなす配線
層においても、本発明を適用することができる。このよ
うな場合でも、導体間隙が最も幅狭な部分で、メッキレ
ジスト層が無電解Cuメッキ層から最も剥がれ易くなる
ので、本発明の適用により、この部分のメッキレジスト
層の剥がれや浮きを抑制することができ、この部分での
ショートの発生を防止することができる。
In the above, the present invention has been described with reference to the respective embodiments. However, the present invention is not limited to the above embodiments, and it can be said that the present invention can be appropriately modified and applied without departing from the gist thereof. Not even. For example, in the above-described embodiment, the wiring layer has a conductor pattern in which conductors are arranged on a comb at a fixed conductor gap X (see FIG. 1B).
The present invention can be applied to a wiring layer having a conductor pattern in which conductors are not arranged in parallel. Even in such a case, since the plating resist layer is most easily peeled off from the electroless Cu plating layer in the portion where the conductor gap is the narrowest, by applying the present invention, the peeling and floating of the plating resist layer in this portion are suppressed. And the occurrence of a short circuit in this portion can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施形態1に係るプリント配線板を示す図であ
り、(a)は主面側から見た平面図を示し、(b)は
(a)の破線部における部分拡大図を示す。
FIGS. 1A and 1B are diagrams showing a printed wiring board according to a first embodiment, in which FIG. 1A is a plan view as viewed from a main surface side, and FIG. 1B is a partially enlarged view of a broken line portion in FIG.

【図2】実施形態1に係るプリント配線板の製造方法を
示す部分拡大断面図であり、(a)は被積層基板を示
し、(b)は無電解Cuメッキ層を形成した状態を示
す。
FIGS. 2A and 2B are partially enlarged cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a printed wiring board according to Embodiment 1, in which FIG. 2A illustrates a substrate to be laminated, and FIG. 2B illustrates a state in which an electroless Cu plating layer is formed.

【図3】実施形態1に係るプリント配線板をの製造方法
を示す部分拡大断面図であり、(a)はドライフィルム
を貼り付けた状態を示し、(b)はメッキレジスト層を
形成した状態を示す。
FIGS. 3A and 3B are partially enlarged cross-sectional views illustrating a method for manufacturing the printed wiring board according to Embodiment 1, in which FIG. 3A illustrates a state in which a dry film is attached, and FIG. 3B illustrates a state in which a plating resist layer is formed. Is shown.

【図4】実施形態1に係るプリント配線板をの製造方法
を示す部分拡大断面図であり、(a)は電解Cuメッキ
層を形成した状態を示し、(b)は配線層を形成した状
態を示す。
FIGS. 4A and 4B are partially enlarged cross-sectional views illustrating a method for manufacturing the printed wiring board according to Embodiment 1, in which FIG. 4A illustrates a state in which an electrolytic Cu plating layer is formed, and FIG. Is shown.

【図5】実施形態1に係り、導体間隙20μmにおける
無電解Cuメッキの表面粗さと歩留まりとの関係を示す
グラフである。
FIG. 5 is a graph showing a relationship between a surface roughness of electroless Cu plating and a yield in a conductor gap of 20 μm according to the first embodiment.

【図6】実施形態1に係り、導体間隙15μmにおける
無電解Cuメッキの表面粗さと歩留まりとの関係を示す
グラフである。
FIG. 6 is a graph showing a relationship between a surface roughness of electroless Cu plating and a yield in a conductor gap of 15 μm according to the first embodiment.

【図7】実施形態1に係り、導体間隙25μmにおける
無電解Cuメッキの表面粗さと歩留まりとの関係を示す
グラフである。
FIG. 7 is a graph showing the relationship between the surface roughness of electroless Cu plating at a conductor gap of 25 μm and the yield according to the first embodiment.

【図8】実施形態1に係り、導体間隙32μmにおける
無電解Cuメッキの表面粗さと歩留まりとの関係を示す
グラフである。
FIG. 8 is a graph showing the relationship between the surface roughness and the yield of electroless Cu plating at a conductor gap of 32 μm according to the first embodiment.

【図9】実施形態1に係り、歩留まり80%における導
体間隙と無電解Cuメッキの表面粗さとの関係を示すグ
ラフである。
FIG. 9 is a graph showing a relationship between a conductor gap and a surface roughness of electroless Cu plating at a yield of 80% according to the first embodiment.

【図10】実施形態1に係り、歩留まり90%における
導体間隙と無電解Cuメッキの表面粗さとの関係を示す
グラフである。
FIG. 10 is a graph showing a relationship between a conductor gap and a surface roughness of electroless Cu plating at a yield of 90% according to the first embodiment.

【図11】実施形態1に係り、歩留まり100%におけ
る導体間隙と無電解Cuメッキの表面粗さとの関係を示
すグラフである。
FIG. 11 is a graph showing a relationship between a conductor gap and a surface roughness of electroless Cu plating at a yield of 100% according to the first embodiment.

【図12】従来技術に係るプリント配線板の製造方法を
示す部分拡大断面図であり、(a)は樹脂絶縁層上に無
電解メッキ層を形成した状態を示し、(b)は無電解メ
ッキ層上にドライフィルムを貼付した状態を示し、
(c)はメッキレジスト層を形成した状態を示す。
12A and 12B are partially enlarged cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a printed wiring board according to a conventional technique, wherein FIG. 12A shows a state in which an electroless plating layer is formed on a resin insulating layer, and FIG. Shows the state where the dry film is attached on the layer,
(C) shows a state where a plating resist layer is formed.

【図13】従来技術に係るプリント配線板の製造方法を
示す部分拡大断面図であり、(a)は電解メッキ層を形
成した状態を示し、(b)は配線層を形成した状態を示
す。
13A and 13B are partially enlarged cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a printed wiring board according to the related art, in which FIG. 13A illustrates a state where an electrolytic plating layer is formed, and FIG. 13B illustrates a state where a wiring layer is formed.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 プリント配線板 3,4 配線層 11 被積層基板 13,14 樹脂絶縁層 13A,14A (樹脂絶縁層の)表面 17,18 無電解Cuメッキ層 17A,18A (無電解Cuメッキ層の)表面 23,24 メッキレジスト層 27,28 電解Cuメッキ層 X 導体間隙 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Printed wiring board 3, 4 Wiring layer 11 Substrate to be laminated 13, 14 Resin insulating layer 13A, 14A (of resin insulating layer) Surface 17, 18 Electroless Cu plating layer 17A, 18A (Electroless Cu plating layer) Surface 23 , 24 plating resist layer 27, 28 electrolytic Cu plating layer X conductor gap

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】樹脂絶縁層上に、最も幅狭な導体間隙がX
(μm)である導体パターンを有する配線層を備えるプ
リント配線板の製造方法であって、 表面が粗化された上記樹脂絶縁層上に、表面の30μm
間10点平均粗さR30(μm)が、15≦X≦25の範
囲で、 式 R30≦0.061exp(0.18X) を満たす無電解メッキ層を形成する無電解メッキ層形成
工程と、 上記無電解メッキ層上に所定パターンのメッキレジスト
層を形成するレジスト層形成工程と、 上記メッキレジスト層から露出した上記無電解メッキ層
上に、電解メッキ層を形成した後、上記メッキレジスト
層を剥離し、剥離後露出した上記無電解メッキ層をエッ
チングして、配線層を形成する配線層形成工程と、を備
えることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
A first conductor gap formed on the resin insulating layer;
A method for manufacturing a printed wiring board comprising a wiring layer having a conductor pattern of (μm), comprising:
10 while the average roughness R 30 is ([mu] m), in the range of 15 ≦ X ≦ 25, and electroless plating layer forming step of forming an electroless plating layer satisfying the formula R 30 ≦ 0.061exp (0.18X) A resist layer forming step of forming a plating resist layer having a predetermined pattern on the electroless plating layer, and forming an electrolytic plating layer on the electroless plating layer exposed from the plating resist layer, and then forming the plating resist layer And a wiring layer forming step of forming a wiring layer by etching the electroless plating layer exposed after the peeling.
【請求項2】樹脂絶縁層上に、最も幅狭な導体間隙がX
(μm)である導体パターンを有する配線層を備えるプ
リント配線板の製造方法であって、 表面が粗化された上記樹脂絶縁層上に、表面の30μm
間10点平均粗さR30(μm)が、15≦X≦32の範
囲で、 式 R30≦0.15exp(0.12X) を満たす無電解メッキ層を形成する無電解メッキ層形成
工程と、 上記無電解メッキ層上に所定パターンのメッキレジスト
層を形成するレジスト層形成工程と、 上記メッキレジスト層から露出した上記無電解メッキ層
上に、電解メッキ層を形成した後、上記メッキレジスト
層を剥離し、剥離後露出した上記無電解メッキ層をエッ
チングして、配線層を形成する配線層形成工程と、を備
えることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
2. The method according to claim 1, wherein the narrowest conductor gap is X on the resin insulating layer.
A method for manufacturing a printed wiring board comprising a wiring layer having a conductor pattern of (μm), comprising:
10 while the average roughness R 30 is ([mu] m), in the range of 15 ≦ X ≦ 32, and electroless plating layer forming step of forming an electroless plating layer satisfying the formula R 30 ≦ 0.15exp (0.12X) A resist layer forming step of forming a plating resist layer having a predetermined pattern on the electroless plating layer, and forming an electrolytic plating layer on the electroless plating layer exposed from the plating resist layer, and then forming the plating resist layer And a wiring layer forming step of forming a wiring layer by etching the electroless plating layer exposed after the peeling.
【請求項3】樹脂絶縁層上に、最も幅狭な導体間隙がX
(μm)である導体パターンを有する配線層を備えるプ
リント配線板の製造方法であって、 表面が粗化された上記樹脂絶縁層上に、表面の30μm
間10点平均粗さR30(μm)が、15≦X≦32の範
囲で、 式 R30≦2.0exp(0.071X) を満たす無電解メッキ層を形成する無電解メッキ層形成
工程と、 上記無電解メッキ層上に所定パターンのメッキレジスト
層を形成するレジスト層形成工程と、 上記メッキレジスト層から露出した上記無電解メッキ層
上に、電解メッキ層を形成した後、上記メッキレジスト
層を剥離し、剥離後露出した上記無電解メッキ層をエッ
チングして、配線層を形成する配線層形成工程と、を備
えることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
3. The method according to claim 1, wherein the narrowest conductor gap is X on the resin insulating layer.
A method for manufacturing a printed wiring board comprising a wiring layer having a conductor pattern of (μm), comprising:
10 while the average roughness R 30 is ([mu] m), in the range of 15 ≦ X ≦ 32, and electroless plating layer forming step of forming an electroless plating layer satisfying the formula R 30 ≦ 2.0exp (0.071X) A resist layer forming step of forming a plating resist layer having a predetermined pattern on the electroless plating layer, and forming an electrolytic plating layer on the electroless plating layer exposed from the plating resist layer, and then forming the plating resist layer And a wiring layer forming step of forming a wiring layer by etching the electroless plating layer exposed after the peeling.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030073919A (en) * 2002-03-14 2003-09-19 주식회사 심텍 The fabrication method of multi-layer printed circuit board using single etching semi-additive process
KR100688864B1 (en) * 2005-02-25 2007-03-02 삼성전기주식회사 Printed circuit board, flip chip ball grid array board and method for manufacturing the same

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KR20030073919A (en) * 2002-03-14 2003-09-19 주식회사 심텍 The fabrication method of multi-layer printed circuit board using single etching semi-additive process
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