JP2000321585A - 液晶セルの注入口封止方法 - Google Patents
液晶セルの注入口封止方法Info
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- JP2000321585A JP2000321585A JP11126140A JP12614099A JP2000321585A JP 2000321585 A JP2000321585 A JP 2000321585A JP 11126140 A JP11126140 A JP 11126140A JP 12614099 A JP12614099 A JP 12614099A JP 2000321585 A JP2000321585 A JP 2000321585A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザー照射により注入口周辺の封止剤被接
着面を粗面化することにより、封止剤と基板との接着性
を向上させた液晶セルの注入口封止方法を提供するこ
と。 【解決手段】 相対向する透明な基板１、１で構成され
た液晶セルＡ内に液晶材料４を注入した後注入口２を封
止剤６で封止する液晶セルの注入口封止方法であって、
注入口２の封止剤被接着面２ａをレーザー照射により粗
面化した後、封止剤６を塗布する。
着面を粗面化することにより、封止剤と基板との接着性
を向上させた液晶セルの注入口封止方法を提供するこ
と。 【解決手段】 相対向する透明な基板１、１で構成され
た液晶セルＡ内に液晶材料４を注入した後注入口２を封
止剤６で封止する液晶セルの注入口封止方法であって、
注入口２の封止剤被接着面２ａをレーザー照射により粗
面化した後、封止剤６を塗布する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶セルの注入口
封止方法に関し、詳しくは、液晶デバイスの製造工程に
おいて、液晶セルに液晶材料を注入した後封止剤で注入
口を封止する方法に関するものである。
封止方法に関し、詳しくは、液晶デバイスの製造工程に
おいて、液晶セルに液晶材料を注入した後封止剤で注入
口を封止する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６に示すように、液晶デバイスの製造
工程において、２枚の相対向する透明基板１，１の間
に、注入口２を除く外周部をシール剤３によりシールし
て液晶セルＡを作成し、この液晶セルＡ中に液晶材料４
を注入した後、注入口２を封止剤６で封止する。この注
入口２の封止手段としては、光硬化性封口剤からなる第
１の封止剤６を注入口２に塗布して硬化させ、次いで熱
硬化性封口剤からなる第２の封止剤９によって２重に封
止するようにした技術がある（特開平５−４０２５５号
公報参照）。
工程において、２枚の相対向する透明基板１，１の間
に、注入口２を除く外周部をシール剤３によりシールし
て液晶セルＡを作成し、この液晶セルＡ中に液晶材料４
を注入した後、注入口２を封止剤６で封止する。この注
入口２の封止手段としては、光硬化性封口剤からなる第
１の封止剤６を注入口２に塗布して硬化させ、次いで熱
硬化性封口剤からなる第２の封止剤９によって２重に封
止するようにした技術がある（特開平５−４０２５５号
公報参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、単に注
入口２に封止剤を塗布、硬化して封止する手段は、光硬
化性又は熱硬化性の封止剤６、９を用いて２重封止を採
用したとしても、ガラス基板１との接着性が弱く、剥離
しやすい上に液晶セルＡ内へ水分が侵入しやすいという
問題がある。
入口２に封止剤を塗布、硬化して封止する手段は、光硬
化性又は熱硬化性の封止剤６、９を用いて２重封止を採
用したとしても、ガラス基板１との接着性が弱く、剥離
しやすい上に液晶セルＡ内へ水分が侵入しやすいという
問題がある。
【０００４】本発明は上述の点に着目してなされたもの
で、レーザー照射により注入口周辺の封止剤被接着面を
粗面化することにより、封止剤と基板との接着性を向上
させた液晶セルの注入口封止方法を提供することを目的
とする。
で、レーザー照射により注入口周辺の封止剤被接着面を
粗面化することにより、封止剤と基板との接着性を向上
させた液晶セルの注入口封止方法を提供することを目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、相対向する透明な基板で構
成された液晶セル内に液晶材料を注入した後、注入口を
封止剤で封止する液晶セルの注入口封止方法であって、
前記注入口の封止剤被接着面をレーザー照射により粗面
化処理した後前記封止剤を塗布することを特徴とするも
のである。
め、請求項１記載の発明は、相対向する透明な基板で構
成された液晶セル内に液晶材料を注入した後、注入口を
封止剤で封止する液晶セルの注入口封止方法であって、
前記注入口の封止剤被接着面をレーザー照射により粗面
化処理した後前記封止剤を塗布することを特徴とするも
のである。
【０００６】このため、請求項１記載の発明では、注入
口の封止剤被接着面がレーザー照射で粗面化処理され、
封止剤被接着面と封止剤の接着性が改善され、封止剤の
剥離や水分の侵入がなくなる。
口の封止剤被接着面がレーザー照射で粗面化処理され、
封止剤被接着面と封止剤の接着性が改善され、封止剤の
剥離や水分の侵入がなくなる。
【０００７】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の液晶セルの注入口封止方法であって、前記封止剤の
表面をレーザー照射して粗面化処理した後第２の封止剤
を塗布して多層化することを特徴とするものである。
載の液晶セルの注入口封止方法であって、前記封止剤の
表面をレーザー照射して粗面化処理した後第２の封止剤
を塗布して多層化することを特徴とするものである。
【０００８】このため、請求項２記載の発明では、多層
化した封止剤相互間の界面での接着性も向上する。
化した封止剤相互間の界面での接着性も向上する。
【０００９】また、請求項３記載の発明は、請求項１ま
たは２記載の液晶セルの注入口封止方法であって、前記
封止剤被接着面を粗面化した後の中心線平均粗さは、
０．５μｍ以上であることを特徴とするものである。
たは２記載の液晶セルの注入口封止方法であって、前記
封止剤被接着面を粗面化した後の中心線平均粗さは、
０．５μｍ以上であることを特徴とするものである。
【００１０】このため、請求項３記載の発明では、封止
剤との接着性が十分な、凹凸を有する粗面が、形成され
る。
剤との接着性が十分な、凹凸を有する粗面が、形成され
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。なお、図６と同一部材または同一
機能のものは同一符号で示している。
に基づいて説明する。なお、図６と同一部材または同一
機能のものは同一符号で示している。
【００１２】図１、図２及び図３において、２枚の透明
な基板１、１を相対抗して適当な間隔Ｌをもって配置
し、注入口２を除く外周部をシール材３でシールするこ
とにより液晶セルＡが構成されている。基板１は、通
常、ガラス基板が使用されるが、透明なプラスチックフ
ィルム等も用いられる。この液晶セルＡ中に注入口２か
ら液晶材料４を注入した後、注入口２を以下のようにし
て封止する。
な基板１、１を相対抗して適当な間隔Ｌをもって配置
し、注入口２を除く外周部をシール材３でシールするこ
とにより液晶セルＡが構成されている。基板１は、通
常、ガラス基板が使用されるが、透明なプラスチックフ
ィルム等も用いられる。この液晶セルＡ中に注入口２か
ら液晶材料４を注入した後、注入口２を以下のようにし
て封止する。
【００１３】先ず、注入口２周辺に溜まっている液晶を
布等で拭き取った後、レーザー照射装置を用いて注入口
２の周辺を照射することにより、注入口２の封止剤被接
着面、すなわち、注入口２の内壁面２ａを粗面化する。
布等で拭き取った後、レーザー照射装置を用いて注入口
２の周辺を照射することにより、注入口２の封止剤被接
着面、すなわち、注入口２の内壁面２ａを粗面化する。
【００１４】次いで、光硬化性封止剤６を注入口２にを
引き込み、これに紫外線を照射し硬化させる。このよう
に注入口２の内壁面２ａを粗面化処理することにより、
封止剤６と基板１との接着性が向上する。
引き込み、これに紫外線を照射し硬化させる。このよう
に注入口２の内壁面２ａを粗面化処理することにより、
封止剤６と基板１との接着性が向上する。
【００１５】レーザー光７は、図２に示すように鉛直面
８に対してある角度Θだけ傾けて注入口２の内壁面２
ａ、２ａを照射する。この傾きΘが小さいと、レーザー
光７が液晶セルＡの内部まで到達し、シール材３を傷つ
ける可能性がある。レーザー光７の傾きは、鉛直方向に
対し、ＴａｎΘ≧Ｌ／ｄ（但し、Ｌは基板１、１間の寸
法、ｄは注入口２の高さ）を満足するようなΘの値であ
ることが望ましい。
８に対してある角度Θだけ傾けて注入口２の内壁面２
ａ、２ａを照射する。この傾きΘが小さいと、レーザー
光７が液晶セルＡの内部まで到達し、シール材３を傷つ
ける可能性がある。レーザー光７の傾きは、鉛直方向に
対し、ＴａｎΘ≧Ｌ／ｄ（但し、Ｌは基板１、１間の寸
法、ｄは注入口２の高さ）を満足するようなΘの値であ
ることが望ましい。
【００１６】レーザー照射をジグザグで断続的（連続的
照射と休止の繰り返し、図３参照）に照射することによ
り、内壁面２ａが粗面化される。
照射と休止の繰り返し、図３参照）に照射することによ
り、内壁面２ａが粗面化される。
【００１７】図４に、エネルギー４Ｗの炭酸ガスレーザ
ーを０．２秒間照射したときの基板１の表面プロフィー
ルを示す。該図で明らかなように、レーザー中心点ＬO
に対して垂直高さＨが３μｍ、幅Ｔが０．５μｍの凹凸
部が形成された。
ーを０．２秒間照射したときの基板１の表面プロフィー
ルを示す。該図で明らかなように、レーザー中心点ＬO
に対して垂直高さＨが３μｍ、幅Ｔが０．５μｍの凹凸
部が形成された。
【００１８】このようにしてレーザー照射で粗面化処理
した後、封止剤６を塗布して硬化させる。なお、封止剤
６としては、一般に使用されている光硬化性封止剤が使
用される。粗面化処理で封止剤被接着面である内壁面２
ａの表面積が増すことで、基板１と封止剤５の密着性が
増す。粗面化処理による封止剤被接着面の表面粗さは、
レーザー照射をしていない部分よりも大きければ接着性
改善効果があると考えられるが、中心線平均粗さＲａ
（ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９８２）が、０．５μｍ以上
となると接着性が著しく改善されることが確かめられ
た。
した後、封止剤６を塗布して硬化させる。なお、封止剤
６としては、一般に使用されている光硬化性封止剤が使
用される。粗面化処理で封止剤被接着面である内壁面２
ａの表面積が増すことで、基板１と封止剤５の密着性が
増す。粗面化処理による封止剤被接着面の表面粗さは、
レーザー照射をしていない部分よりも大きければ接着性
改善効果があると考えられるが、中心線平均粗さＲａ
（ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９８２）が、０．５μｍ以上
となると接着性が著しく改善されることが確かめられ
た。
【００１９】以下、具体的な実験例により本発明方法を
説明する。
説明する。
【００２０】〔実験例〕注入口２付近に溜まっている液
晶を布等で拭き取った後、炭酸ガスレーザーをジグザグ
で断続的に照射した。この際、レーザー光７の傾きΘを
上式を満足する角度とし、注入口２の内壁面２ａ、２ａ
を照射した。次いで、封止用の紫外線硬化型樹脂を注入
口２にを引き込み、これに紫外線を照射し硬化させた。
晶を布等で拭き取った後、炭酸ガスレーザーをジグザグ
で断続的に照射した。この際、レーザー光７の傾きΘを
上式を満足する角度とし、注入口２の内壁面２ａ、２ａ
を照射した。次いで、封止用の紫外線硬化型樹脂を注入
口２にを引き込み、これに紫外線を照射し硬化させた。
【００２１】上述のように、レーザー照射により注入口
２の封止剤被接着面（内壁面）２ａの粗面化処理を行っ
て封止した製品について熱衝撃試験を行った結果を図５
に示す。該図において、サンプルＡ，Ｂ（本発明）は、
粗面化処理を行い、Ｒａ（μｍ）を各々０．５、０．７
としたもの、サンプルＣ（比較例）は、粗面化処理を行
い、Ｒａを０．３としたもの、サンプルＤ（比較例）
は、粗面化処理を行わない未処理のものを各々示してい
る。熱衝撃試験は、サンプルを２週間、６０〜−１０°
Ｃに曝し、熱衝撃を繰り返し加えた後、封止部に指で応
力を加え、剥離しなかったものを○、剥離したものを×
で示した。未処理サンプルＤ、及びレーザーによる粗面
化処理は施したがＲａが０．３μｍのサンプルＣは，封
止剤が基板１から簡単に剥離したが、適当な粗面化処理
を行ったサンプルＡ，Ｂは剥離が生じなかった。
２の封止剤被接着面（内壁面）２ａの粗面化処理を行っ
て封止した製品について熱衝撃試験を行った結果を図５
に示す。該図において、サンプルＡ，Ｂ（本発明）は、
粗面化処理を行い、Ｒａ（μｍ）を各々０．５、０．７
としたもの、サンプルＣ（比較例）は、粗面化処理を行
い、Ｒａを０．３としたもの、サンプルＤ（比較例）
は、粗面化処理を行わない未処理のものを各々示してい
る。熱衝撃試験は、サンプルを２週間、６０〜−１０°
Ｃに曝し、熱衝撃を繰り返し加えた後、封止部に指で応
力を加え、剥離しなかったものを○、剥離したものを×
で示した。未処理サンプルＤ、及びレーザーによる粗面
化処理は施したがＲａが０．３μｍのサンプルＣは，封
止剤が基板１から簡単に剥離したが、適当な粗面化処理
を行ったサンプルＡ，Ｂは剥離が生じなかった。
【００２２】上記実験例では、封止剤６を１層だけの例
を示しが、多層化することも可能である。この場合は、
レーザーの照射エネルギーを上記実施例のときの１／１
０にして封止剤６の上から照射することにより、封止剤
６表面を粗面化し、その上に熱硬化性樹脂からなる第２
の封止剤９を塗布した後硬化させる（図１参照）。これ
により、封止剤を多層化する際の界面の接着性の改善も
可能となる。
を示しが、多層化することも可能である。この場合は、
レーザーの照射エネルギーを上記実施例のときの１／１
０にして封止剤６の上から照射することにより、封止剤
６表面を粗面化し、その上に熱硬化性樹脂からなる第２
の封止剤９を塗布した後硬化させる（図１参照）。これ
により、封止剤を多層化する際の界面の接着性の改善も
可能となる。
【００２３】なお、上記実施例では、レーザー照射に炭
酸ガスレーザーを使用した例を示したが、これに限定す
るものではなく、ＹＡＧレーザー、あるいは他のパルス
発振レーザー等任意のレーザー装置を使用しても同等の
効果が得られる。
酸ガスレーザーを使用した例を示したが、これに限定す
るものではなく、ＹＡＧレーザー、あるいは他のパルス
発振レーザー等任意のレーザー装置を使用しても同等の
効果が得られる。
【００２４】
【発明の効果】以上、詳述したように、請求項１記載の
発明によれば、注入口の封止剤被接着面をレーザー照射
により粗面化した後、封止剤を塗布するようにしたの
で、注入口の封止剤被接着面と封止剤の接着性が改善さ
れ、基板と封止剤の密着性が向上し、剥離や水分の侵入
を防止し、液晶の信頼性を向上させることが可能とな
る。
発明によれば、注入口の封止剤被接着面をレーザー照射
により粗面化した後、封止剤を塗布するようにしたの
で、注入口の封止剤被接着面と封止剤の接着性が改善さ
れ、基板と封止剤の密着性が向上し、剥離や水分の侵入
を防止し、液晶の信頼性を向上させることが可能とな
る。
【００２５】また、請求項２記載の発明によれば、封止
剤の表面をレーザー照射して粗面化処理した後第２の封
止剤を塗布して多層化するようにしたので、請求項１記
載の発明の効果に加えて、多層化した封止剤相互間の界
面での接着性も向上する。
剤の表面をレーザー照射して粗面化処理した後第２の封
止剤を塗布して多層化するようにしたので、請求項１記
載の発明の効果に加えて、多層化した封止剤相互間の界
面での接着性も向上する。
【００２６】また、請求項３記載の発明によれば、封止
剤被接着面を粗面化した後の中心線平均粗さは、０．５
μｍ以上であるので、請求項１または２記載の発明の効
果に加えて、封止剤との接着性が十分な凹凸を有する粗
面が形成され、これにより注入口の封止剤による封止機
能を充分に奏することができる。
剤被接着面を粗面化した後の中心線平均粗さは、０．５
μｍ以上であるので、請求項１または２記載の発明の効
果に加えて、封止剤との接着性が十分な凹凸を有する粗
面が形成され、これにより注入口の封止剤による封止機
能を充分に奏することができる。
【図１】本発明方法による液晶セルの概略正面図であ
る。
る。
【図２】図１の中央縦断面図である。
【図３】図１の上面図である。
【図４】レーザー照射による粗面化処理した基板表面の
状態を示すグラフである。
状態を示すグラフである。
【図５】本発明方法により封止されたサンプルの熱衝撃
試験の評価結果を示す表である。
試験の評価結果を示す表である。
【図６】従来方法による封止例を示す正面図である。
１ 基板 ２ 注入口 ２ａ 内壁面（封止剤被接着面） ４ 液晶材料 ６ 封止剤 ９ 第２の封止剤 Ａ 液晶セル Ｒａ 中心線平均粗さ
Claims (3)
- 【請求項１】 相対向する透明な基板で構成された液晶
セル内に液晶材料を注入した後、注入口を封止剤で封止
する液晶セルの注入口封止方法であって、 前記注入口の封止剤被接着面をレーザー照射により粗面
化処理した後前記封止剤を塗布することを特徴とする液
晶セルの注入口封止方法。 - 【請求項２】 前記封止剤の表面をレーザー照射して粗
面化処理した後、第２の封止剤を塗布して多層化するこ
とを特徴とする請求項１記載の液晶セルの注入口封止方
法。 - 【請求項３】 前記封止剤被接着面を粗面化した後の中
心線平均粗さは、０．５μｍ以上であることを特徴とす
る請求項１又は２記載の液晶セルの注入口封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11126140A JP2000321585A (ja) | 1999-05-06 | 1999-05-06 | 液晶セルの注入口封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11126140A JP2000321585A (ja) | 1999-05-06 | 1999-05-06 | 液晶セルの注入口封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000321585A true JP2000321585A (ja) | 2000-11-24 |
Family
ID=14927674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11126140A Pending JP2000321585A (ja) | 1999-05-06 | 1999-05-06 | 液晶セルの注入口封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000321585A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008129331A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Citizen Holdings Co Ltd | 液晶素子の製造方法 |
| US9209437B2 (en) | 2008-07-03 | 2015-12-08 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Secondary battery having electrolyte injection hole and method of fabricating the same |
-
1999
- 1999-05-06 JP JP11126140A patent/JP2000321585A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008129331A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Citizen Holdings Co Ltd | 液晶素子の製造方法 |
| US9209437B2 (en) | 2008-07-03 | 2015-12-08 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Secondary battery having electrolyte injection hole and method of fabricating the same |
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