JP2000314881A - 光反射性基板の製造方法 - Google Patents
光反射性基板の製造方法Info
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Abstract
ガ型感光性樹脂により、ガラスなどの基板上にほぼ理想
的な波形の凹凸からなる光拡散層を形成する。 【解決手段】 表面が平滑なガラスもしくはプラスチッ
クからなる基板1の表面1a上に化学増幅系ネガ型感光
性樹脂2を所定の厚さに塗布した後、その化学増幅系ネ
ガ型感光性樹脂2を基板1の背面1b側から所定のパタ
ーンを有するフォトマスク3を介して部分的に露光して
現像することにより、基板1上に感光性樹脂からなる凸
部2aを規則的もしくは不規則的に形成して粗面化し、
その凸部面を含む一方の基板面全面に金属膜よりなる光
反射層を形成する。
Description
子の一方の電極基板として用いられる光反射層を有する
光反射性基板の製造方法に関するものである。
の光に求めているため、透過型もしくは半透過型液晶表
示素子のようにバックライトを必要としない。このた
め、消費電力が少なくて済むとともに、薄型化・軽量化
が可能である。
示パネルの外部に光反射板を偏光板と一体として設ける
か、もしくは液晶表示パネル内部に光反射層を例えばア
ルミスパッタなどにて形成するようにしている。特に、
パネル内部に光反射層を設ける場合には、視角を広げ光
源としての室内・室外の照明光を効率よく使用するた
め、別途にパネル内もしくはパネル外に光拡散層を設け
るようにしている。
ネル内部に設けられることが好ましい。そのため、従来
においては、液晶表示パネルの一方のガラスを凹凸加工
して、その表面に光反射膜をスパッタしたり、そのガラ
ス面に感光性樹脂を均一に塗布した後、フォトリソ処理
により所定の形状をトレースする方法などが知られてい
る。
工には機械的加工と化学的加工とがある。ガラスを粉粒
体などにより機械的に粗面化するにしても、凹凸を微細
にするのに限度があり、凹凸制御も困難である。また、
ガラスを弗酸などにより化学的に粗面化するにしても、
ガラス本来のうねりが顕著に出てくることがあり、その
うねりが表示品位に影響をおよぼすおそれがある。
方法によると、凹凸の大きさやピッチなどのプロファイ
ルを自由に設計できる点でメリットがある。この種の感
光性樹脂としては、ネガ型とポジ型とがあるが、光の照
射により反応が進み、光の照射部が不溶化となるネガ型
が多く用いられている。しかしながら、感光性樹脂によ
る場合でも次のような課題があった。
光性樹脂を均一に塗布した後、その樹脂面側からフォト
マスクを介して露光するようにしているため、現像する
過程で、図4に示されているように、ガラス面1に残さ
れた樹脂膜による凸部2の根元部分が浸食され逆テーパ
状となってしまい、これでは良好な光拡散性が得られな
い。
としては、断面が滑らかな波形(山形)であることが好
ましいとされる。凸部2の形状が図4のような逆テーパ
状となっても、樹脂が溶融性のものであれば、後加熱に
より波形に変えることも可能である。
脂を使用すると、光反射膜の形成、透明導電膜の形成、
配向膜の形成などの工程温度に耐えられないので、光拡
散用の凹凸形成の目的には適用できない。
な工程を変更することなく、耐熱性ネガ型感光性樹脂に
より、ガラスなどの基板上にほぼ理想的な波形の凹凸か
らなる光拡散層を形成することができる。
もしくはプラスチックからなる基板の一方の面(表面)
上に化学増幅系ネガ型感光性樹脂を所定の厚さに塗布し
た後、その化学増幅系ネガ型感光性樹脂を基板の他方の
面(背面)側から所定のパターンを有するフォトマスク
を介して部分的に露光して現像することにより、基板上
に感光性樹脂からなる凸部を規則的もしくは不規則的に
形成して粗面化し、その凸部面を含む一方の基板面全面
に金属膜よりなる光反射層を形成することを特徴として
いる。
ら露光することにより、基板の厚さ分、その光路が長く
されるのに伴なって、フォトマスクを通過した光が干渉
による回り込み現象により、マスクの透孔よりも広げら
れて感光性樹脂に照射されるため、基板上に本来残され
る樹脂の凸部の周りに滑らかな裾部が形成され、ほぼ理
想的な断面波状の凸部が得られる。
膜厚残量が100%となる露光量の基準値(感光特性)
をE0として、背面側からの露光量が1.0×E0〜
5.0×E0であることが好ましい。
は、光の照射によって酸などを発生する成分と、その酸
などを触媒として不溶化反応を起こすような反応系とを
含むものである。この樹脂を用いることでわずかな光の
照射で大きな溶解性の変化が現れることから感度が高く
なり、ファインな解像度が得られる。
脂は、超高耐熱性のフォトレジストであるノボラック系
光熱硬化樹脂であることが好ましく、これによれば、き
わめて熱的に安定した凹凸が得られる。すなわち、露光
量、プリベイクなどの加熱条件および現像時間などに左
右されにくく、常に安定した形状の凹凸が得られる。
晶表示素子に適用する場合には、光反射層上にカラーフ
ィルタ層を形成し、さらに同カラーフィルタ層上に合成
樹脂よりなる表面平滑化層を形成すればよい。
る実施例によりさらに詳しく説明する。
示されているように、液晶表示素子の透明電極基板とし
て用いられる例えばガラス基板1の表面1a側(図1に
おいて上面側)に、フォトレジストとしての化学増幅系
ネガ型感光性樹脂2をスピンナーなどにより均一の厚さ
に塗布する。
熱性のフォトレジストであるノボラック系光熱硬化樹脂
であることが好ましく、具体的にはクラリアントジャパ
ン社製の超高耐熱性化学増幅系ネガ型フォトレジストE
xp407などが例示される。
た後、ガラス基板1の背面1b側(図1において下面
側)に、凹凸を形成するための所定のパターンを有する
フォトマスク3をセットする。そして、図示しない光源
よりガラス基板1の背面1b側からフォトマスク3を介
して化学増幅系ネガ型感光性樹脂2に光を照射する。
量は好ましくは次のように設定されるとよい。すなわ
ち、現像後膜厚残量が100%となる露光量の基準値を
E0とした場合、背面側からの露光量は1.0×E0〜
5.0×E0の範囲内とする。この範囲から外れると、
滑らかな裾部が形成し難くなる。
re Bake)および現像を行ないポストベイクす
る。これにより、図3に例示されているように、ガラス
基板1上にほぼ理想的に近い断面波形の凸部2aが形成
される。そして、最終的に凸部2aを含むガラス基板1
の表面1a全面に、例えばアルミニウムなどの金属反射
膜を形成する。
し、不規則的(ランダム)であってもよいが、モアレ対
策としてはランダムがよい。なお、PEBは化学増幅系
ネガ型感光性樹脂2が光の照射によって酸を発生し、そ
の酸が触媒となって架橋反応を起こす工程であり、その
結果、照射部分の樹脂が現像液に溶けなくなる。
た矢印および図2の基板背面での光エネルギー強度分布
グラフを参照して、上記のようにほぼ理想的に近い断面
波形の凸部2aが形成される理由を説明する。
トマスク3に形成されているマイクロホール(透孔)3
aに対応する領域(マイクロホール3aの投影面積部
分)には直進した光がそのまま照射されるが、これに伴
なってその周辺にも干渉による回り込み現象により分散
された光が照射される。
0を超えているとすると、上記投影面積部分の光エネル
ギー強度は基準値E0以上、すなわち膜厚の全体が反応
するしきい値レベル以上の強度となるが、その周辺の光
エネルギー強度は基準値E0以下となる。このため、周
辺部では膜全体が反応するに至らず、膜厚の内、基板面
側のみが反応することになる。これにより、凸部2aに
滑らかな裾が形成される。
面に感光性樹脂として、クラリアントジャパン社製の超
高耐熱性化学増幅系ネガ型フォトレジストExp407
をスピンナーにて厚さ約2.0μmに塗布した後、90
℃のホットプレート上で約90秒間仮乾燥した。そし
て、プロキシミティ方式露光機を用い、ガラス基板を感
光性樹脂塗布面が下になるようにしてテーブルにセット
し、フォトマスクをそのガラス基板上に配置し、基準値
E0の3.0倍のエネルギー量を照射した。なお、フォ
トマスクには、直径5μmの円状の遮光部を平均ピッチ
10μmになるようにランダムに配置したものを用い
た。130℃で90秒間PEBを行ない、室温にて1.
0%NaOHの現像液で現像した。その後、240℃で
2時間ポストベイクを行ない硬化させた。この感光性樹
脂による凹凸面を観察したところ、山−山の平均ピッチ
が10μmで高さ2.0μmの波形形状であった。そし
て、この凹凸面上にアルミニウム反射膜をスパッタにて
約1000Åの厚さに形成し、光拡散性能の指標である
反射率半値幅を測定したところ、その入射光角度は約2
5゜であった(受光は基板垂直方向)。
塗布面上に配置し、光照射エネルギー量を基準値E0の
1.5倍としたほかは、上記実施例1と同様にして光反
射性基板を得た。凹凸面を観察したところ、山−山の平
均ピッチは10μm、高さは2.0μmであったが、凸
部の肩が図4に例示されているような逆テーパになって
いた。反射率半値幅は約10゜であり、拡散性能は十分
ではなかった。
基板上に塗布した感光性フォトレジストをその基板の背
面側から露光するようにしたことにより、基本的な工程
を変更することなく、耐熱性ネガ型感光性樹脂により、
ガラスなどの基板上にほぼ理想的な波形の凹凸からなる
光拡散層を形成することができる。
図。
ー強度分布を示したグラフ。
した拡大断面図。
示した拡大断面図。
Claims (3)
- 【請求項1】 反射型液晶表示素子の一方の基板として
用いられる光反射性基板の製造方法において、 表面が平滑なガラスもしくはプラスチックからなる基板
の一方の面上に化学増幅系ネガ型感光性樹脂を所定の厚
さに塗布した後、その化学増幅系ネガ型感光性樹脂を上
記基板の他方の面側から所定のパターンを有するフォト
マスクを介して部分的に露光して現像することにより、
上記基板上に感光性樹脂からなる凸部を規則的もしくは
不規則的に形成して粗面化し、その凸部面を含む一方の
基板面全面に金属膜よりなる光反射層を形成することを
特徴とする光反射性基板の製造方法。 - 【請求項2】 現像後膜厚残量が100%となる露光量
の基準値をE0として、上記基板の他方の面側からの露
光量が1.0×E0〜5.0×E0である請求項1に記
載の光反射性基板の製造方法。 - 【請求項3】 上記化学増幅系ネガ型感光性樹脂がノボ
ラック系光熱硬化樹脂である請求項1または2に記載の
光反射性基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12339999A JP3995229B2 (ja) | 1999-04-30 | 1999-04-30 | 光反射性基板の製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2000314881A true JP2000314881A (ja) | 2000-11-14 |
JP3995229B2 JP3995229B2 (ja) | 2007-10-24 |
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JP (1) | JP3995229B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004151685A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-05-27 | Seiko Epson Corp | 反射基板の製造方法及び電気光学装置の製造方法 |
-
1999
- 1999-04-30 JP JP12339999A patent/JP3995229B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP2004151685A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-05-27 | Seiko Epson Corp | 反射基板の製造方法及び電気光学装置の製造方法 |
US7008807B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-03-07 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method of electro-optical device substrate and manufacturing method of electro-optical device |
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