JP2000313637A - Low melting point glass for coating electrode and glass ceramic composition for coating electrode - Google Patents

Low melting point glass for coating electrode and glass ceramic composition for coating electrode

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JP2000313637A
JP2000313637A JP2000001782A JP2000001782A JP2000313637A JP 2000313637 A JP2000313637 A JP 2000313637A JP 2000001782 A JP2000001782 A JP 2000001782A JP 2000001782 A JP2000001782 A JP 2000001782A JP 2000313637 A JP2000313637 A JP 2000313637A
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正道 谷田
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恒夫 真鍋
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain low melting point glass which is used for coating electrodes, can form a glass coating layer on the electrode in a single layer structure, has a low dielectric constant, and does no require another coating on a driving circuit wiring portion. SOLUTION: This low melting point glass comprises 20 to 60 wt.% of PbO, 0 to 30 wt.% of Bi2O3, 20 to 55 wt.% of B2O3, 0 to 10 wt.% of SiO2, 0 to 15 wt.% of Al2O3, 0 to 35 wt.% of MgO+CaO, 0 to 35 wt.% of BaO, and 0 to 8 wt.% of ZnO. The low melting point glass preferably further contains SnO2 and/or CeO2 in an amount of <=4.8 wt.%.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ITO(スズがド
ープされた酸化インジウム)または酸化スズ(フッ素、
アンチモン、等がドープされた酸化スズを含む。)等の
透明電極を絶縁被覆するのに適した低融点ガラス、およ
びプラズマディスプレイ装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ITO (tin-doped indium oxide) or tin oxide (fluorine,
Includes tin oxide doped with antimony, and the like. The present invention relates to a low-melting-point glass suitable for insulatingly covering a transparent electrode such as a transparent electrode and a plasma display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、薄型の平板型カラー表示装置が注
目を集めている。このような表示装置においては、画像
を形成する画素における表示状態を制御するために各画
素に電極を形成しなければならない。画像の質の低下を
防ぐために、このような電極として透明電極が用いられ
ている。透明電極としては、ガラス基板上に形成された
ITOまたは酸化スズの薄膜が多く用いられている。
2. Description of the Related Art In recent years, thin flat panel color display devices have attracted attention. In such a display device, an electrode must be formed in each pixel in order to control a display state in a pixel forming an image. A transparent electrode is used as such an electrode in order to prevent deterioration in image quality. As the transparent electrode, a thin film of ITO or tin oxide formed on a glass substrate is often used.

【0003】特に、前記表示装置の表示面として使用さ
れるガラス基板の表面に形成される透明電極は、精細な
画像を実現するために細い線状に加工される。そして各
画素を独自に制御するためには、このような微細に加工
された透明電極相互の絶縁性を確保する必要がある。と
ころが、ガラス基板の表面に水分が存在する場合やガラ
ス基板中にアルカリ成分が存在する場合、このガラス基
板の表面を介して若干の電流が流れてしまうことがあ
る。このような電流を防止するには、透明電極間に絶縁
層を形成することが有効である。また、透明電極間に形
成される絶縁層による画像の質の低下を防ぐためには、
この絶縁層は透明であることが好ましい。
In particular, a transparent electrode formed on a surface of a glass substrate used as a display surface of the display device is processed into a thin line to realize a fine image. In order to control each pixel independently, it is necessary to ensure the insulation between the finely processed transparent electrodes. However, when moisture is present on the surface of the glass substrate or when an alkali component is present in the glass substrate, a slight current may flow through the surface of the glass substrate. In order to prevent such a current, it is effective to form an insulating layer between the transparent electrodes. Further, in order to prevent deterioration of image quality due to the insulating layer formed between the transparent electrodes,
This insulating layer is preferably transparent.

【0004】このような絶縁層を形成する絶縁材料とし
ては種々のものが知られているが、なかでも、透明であ
り信頼性の高い絶縁材料であるガラス材料が広く用いら
れている。最近大型平面カラーディスプレイ装置として
期待されているプラズマディスプレイ表示装置(典型的
には、表示面として使用される前面基板、背面基板およ
び隔壁によりセルが区画形成されており、該セル中でプ
ラズマ放電を発生させることにより画像を形成する表示
装置。以下PDPという。)の前面基板においては、前
記透明電極をプラズマから保護するプラズマ耐久性に優
れたガラス被覆層が必須である。
Various insulating materials for forming such an insulating layer are known, and among them, a glass material which is a transparent and highly reliable insulating material is widely used. Recently, a plasma display device expected as a large flat color display device (typically, a cell is defined by a front substrate, a rear substrate, and a partition used as a display surface, and a plasma discharge is generated in the cell. In a front substrate of a display device that forms an image by generating the same (hereinafter referred to as a PDP), a glass coating layer having excellent plasma durability for protecting the transparent electrode from plasma is essential.

【0005】また、PDPの背面基板においても、その
上に形成された電極をガラス被覆層によって被覆する。
このガラス被覆層に対しては、隔壁上に形成された蛍光
体からプラズマにより発生した光を表示光として有効に
使用するために高い光反射性を求められることが多く、
また、前記光の背面基板からの逸出を防止するために遮
光性を求められることもある。
[0005] Also, on the rear substrate of the PDP, the electrodes formed thereon are covered with a glass coating layer.
For this glass coating layer, high light reflectivity is often required in order to effectively use light generated by plasma from the phosphor formed on the partition wall as display light,
Further, a light shielding property may be required to prevent the light from escaping from the rear substrate.

【0006】このようなガラス被覆層は、スパッタ法等
により真空下で形成する方法もあるが、低融点ガラス粉
末をペースト化してガラス基板上に塗布し焼成する方法
が従来より広く行われている。
There is a method of forming such a glass coating layer under a vacuum by a sputtering method or the like. However, a method of pasting a low-melting glass powder, applying the paste on a glass substrate, and firing it has been widely used. .

【0007】なお、駆動回路配線部分の電極は露出して
いる必要がある。従来は、たとえば特開平6−2674
24に開示されているように、ガラス被覆層に用いるペ
ーストとは別の、酸溶解性に優れたZnO含有ペースト
を用いて駆動回路配線部分を被覆し、最後に希硝酸等の
酸性溶液を用いてこの被覆を除去していた。
[0007] The electrodes of the drive circuit wiring portion must be exposed. Conventionally, for example, Japanese Unexamined Patent Application Publication No.
24, the driving circuit wiring portion is coated with a ZnO-containing paste having excellent acid solubility, which is different from the paste used for the glass coating layer, and finally, an acidic solution such as dilute nitric acid is used. The leverage had been removed.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】低融点ガラス粉末を焼
成して透明電極上にガラス被覆層を形成する際の透明電
極とガラス被覆層との反応を抑制するために、特開平7
−105855には、高軟化点ガラス層を下層、低軟化
点ガラス層を上層とする二層構造のガラス被覆層が開示
されている。しかし、単層構造のガラス被覆層に比べ工
程が増加する、等の問題があった。
In order to suppress the reaction between the transparent electrode and the glass coating layer when the glass coating layer is formed on the transparent electrode by firing the low melting point glass powder, Japanese Patent Application Laid-Open No.
-105855 discloses a glass coating layer having a two-layer structure in which a high softening point glass layer is a lower layer and a low softening point glass layer is an upper layer. However, there is a problem that the number of steps is increased as compared with a glass coating layer having a single-layer structure.

【0009】また、従来のガラス被覆層の誘電率は高か
った。そのためセルの静電容量が大きくなり、プラズマ
発光1回あたりの放電電流が大きくPDPの消費電力が
高い問題があった。特開平8−77930には、比誘電
率が8以下のガラス被覆層が開示されているが、電極と
ガラス被覆層との反応を防止し、またガラス被覆層のア
ルカリ成分の電極への拡散を防止するために、電極とガ
ラス被覆層との間に保護層が形成されている。
Further, the dielectric constant of the conventional glass coating layer was high. Therefore, there has been a problem that the capacitance of the cell is increased, the discharge current per plasma emission is large, and the power consumption of the PDP is high. Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-77930 discloses a glass coating layer having a relative dielectric constant of 8 or less, which prevents a reaction between the electrode and the glass coating layer and prevents the alkali component of the glass coating layer from diffusing into the electrode. To prevent this, a protective layer is formed between the electrode and the glass coating layer.

【0010】また、駆動回路配線部分の電極の露出につ
いては、酸に溶けやすいガラス被覆層の使用が特開平1
0−316451に開示されている。これにより、駆動
回路配線部分について別の被覆を行う必要はなくなり、
被覆材料種類の増加や工程の増加を回避できる。しか
し、ここで開示されているガラス被覆層の比誘電率は1
5という高い値であり、誘電率に関する前記問題が残っ
ている。
As for the exposure of the electrodes in the drive circuit wiring portion, use of a glass coating layer which is easily soluble in acid is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. HEI 11 (1999).
0-316451. This eliminates the need for separate coating of the drive circuit wiring,
It is possible to avoid an increase in types of coating materials and an increase in steps. However, the relative permittivity of the glass coating layer disclosed herein is 1
This is a high value of 5, and the above-mentioned problem concerning the dielectric constant remains.

【0011】本発明は、ガラス被覆層を単層構造にで
き、誘電率も低く、かつ駆動回路配線部分について別の
被覆を行う必要がない電極被覆用低融点ガラス、駆動回
路配線部分について別の被覆を行う必要がない電極被覆
用ガラスセラミック組成物、および前記電極被覆用低融
点ガラスおよび/または前記電極被覆用ガラスセラミッ
ク組成物を用いたプラズマディスプレイ装置、を提供す
ることを目的とする。
According to the present invention, the glass coating layer can be formed into a single-layer structure, the dielectric constant is low, and there is no need to perform another coating on the driving circuit wiring portion. An object of the present invention is to provide a glass-ceramic composition for electrode coating that does not require coating, and a low-melting glass for electrode coating and / or a plasma display device using the glass-ceramic composition for electrode coating.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明は、下記酸化物基
準の質量百分率表示で実質的に、 PbO 20〜60%、 Bi23 0〜30%、 B23 20〜55%、 SiO2 0〜10%、 Al23 0〜15%、 MgO+CaO 0〜35%、 SrO 0〜35%、 BaO 0〜35%、 ZnO 0〜 8%、 からなる電極被覆用低融点ガラス、および、前記電極被
覆用低融点ガラスの粉末100質量部に対し無機顔料の
粉末を0.5〜40質量部の割合で含む電極被覆用ガラ
スセラミック組成物、を提供する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is substantially represented by mass percentage based on the following oxides, PbO 20~60%, Bi 2 O 3 0~30%, B 2 O 3 20~55%, SiO 2 0~10%, Al 2 O 3 0~15%, MgO + CaO 0~35%, SrO 0~35%, BaO 0~35%, ZnO 0~ 8%, for covering electrodes low melting point glass made of, and And a glass-ceramic composition for coating an electrode, comprising an inorganic pigment powder in a proportion of 0.5 to 40 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the low-melting glass powder for forming an electrode.

【0013】また、前面基板を有するプラズマディスプ
レイ装置であって、前面基板を構成するガラス基板上の
透明電極が前記電極被覆用低融点ガラスにより被覆され
ているプラズマディスプレイ装置、および、背面基板を
有するプラズマディスプレイ装置であって、背面基板を
構成するガラス基板上の電極が前記電極被覆用ガラスセ
ラミック組成物の焼成体により被覆されているプラズマ
ディスプレイ装置、を提供する。
The present invention also provides a plasma display device having a front substrate, wherein a transparent electrode on a glass substrate constituting the front substrate is covered with the low-melting glass for covering the electrode, and a back substrate. Provided is a plasma display device, wherein an electrode on a glass substrate constituting a rear substrate is coated with a fired body of the glass ceramic composition for coating an electrode.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】本発明の電極被覆用低融点ガラス
(以下単に本発明のガラスという。)は、通常は粉末状
にして使用される。本発明のガラスの粉末は、印刷性を
付与するための有機ビヒクル等を用いてガラスペースト
とされ、これを、ガラス基板上に形成された電極上に塗
布、焼成して電極を被覆する。PDPにおいては、本発
明のガラスは前面基板の透明電極の被覆に好適に使用さ
れる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The low melting glass for electrode coating of the present invention (hereinafter simply referred to as the glass of the present invention) is usually used in the form of powder. The glass powder of the present invention is made into a glass paste using an organic vehicle or the like for imparting printability, and this is applied onto an electrode formed on a glass substrate and fired to cover the electrode. In PDP, the glass of the present invention is suitably used for coating a transparent electrode on a front substrate.

【0015】本発明のガラスの軟化点は520〜650
℃であることが好ましい。理由を以下に述べる。前記ガ
ラス基板としては、通常、ガラス転移点が550〜62
0℃のものが用いられる。この場合、ガラス基板の変形
を避けるために、前記ガラスペーストの焼成は620℃
以下で行われる。焼成を620℃以下で行うためには、
本発明のガラスの軟化点は650℃以下であることが好
ましい。また、前記焼成時の早い段階で本発明のガラス
が軟化流動して電極を完全に被覆し電極の電気特性劣化
を防止するためにも、650℃以下であることが好まし
い。より好ましくは640℃以下である。
The glass of the present invention has a softening point of 520 to 650.
C. is preferred. The reason is described below. The glass substrate usually has a glass transition point of 550 to 62.
The one at 0 ° C. is used. In this case, in order to avoid deformation of the glass substrate, the firing of the glass paste is performed at 620 ° C.
This is done below. In order to perform firing at 620 ° C. or less,
The softening point of the glass of the present invention is preferably 650 ° C. or less. Further, the temperature is preferably 650 ° C. or lower so that the glass of the present invention softens and flows at the early stage of the baking to completely cover the electrode and prevent the deterioration of the electrical characteristics of the electrode. The temperature is more preferably 640 ° C or lower.

【0016】一方、PDPの前面基板において、ITO
または酸化スズ等の透明電極のみでは電気抵抗が高すぎ
る場合、これら透明電極上にAgやAlや三層構造のC
r−Cu−Cr等の金属層(以下、この金属層を金属電
極という。)を形成する場合がある。軟化点が520℃
未満のガラスによりこれら金属電極を被覆すると、金属
電極が侵食されたり、金属電極を介して透明電極の侵食
が促進されたりするおそれがある。焼成が550〜62
0℃で行われる場合、軟化点が480℃未満のガラスに
より金属電極を被覆するとこれら電極の侵食が顕著にな
る。また、軟化点が480〜520℃未満のガラスによ
り金属電極を被覆する場合には、電極の侵食はなくなる
が、焼成時にガラス層中の気泡が大きくなり透過率が減
少する。
On the other hand, on the front substrate of PDP, ITO
Alternatively, if the electrical resistance is too high with only a transparent electrode such as tin oxide, Ag, Al, or a three-layer C
A metal layer such as r-Cu-Cr (hereinafter, this metal layer is referred to as a metal electrode) may be formed. Softening point is 520 ° C
If these metal electrodes are covered with less than the glass, the metal electrodes may be eroded or the erosion of the transparent electrode may be accelerated via the metal electrodes. 550-62
When performed at 0 ° C., the erosion of these electrodes becomes significant when the metal electrodes are coated with glass having a softening point of less than 480 ° C. When the metal electrode is covered with glass having a softening point of less than 480 to 520 ° C., erosion of the electrode is eliminated, but bubbles in the glass layer become large at the time of firing and the transmittance is reduced.

【0017】したがって本発明のガラスの軟化点は52
0℃以上であることが好ましい。より好ましくは550
℃以上、特に好ましくは580℃以上である。また、軟
化点が520℃以上であればガラス被覆層を単層構造に
できる。さらに軟化点が580℃以上であれば、軟化流
動が完全に始まる前にガラスペースト中の有機ビヒクル
は完全に揮発し、有機ビヒクルの炭化物がガラス被覆層
中に残って透過率を低下させるおそれは少ない。すなわ
ち、ガラス被覆層の透過率を高くできる可能性が高くな
る。
Therefore, the softening point of the glass of the present invention is 52
The temperature is preferably 0 ° C. or higher. More preferably 550
° C or higher, particularly preferably 580 ° C or higher. When the softening point is 520 ° C. or higher, the glass coating layer can have a single-layer structure. Further, if the softening point is 580 ° C. or higher, there is a possibility that the organic vehicle in the glass paste completely volatilizes before the softening flow completely starts, and carbides of the organic vehicle remain in the glass coating layer to lower the transmittance. Few. That is, there is a high possibility that the transmittance of the glass coating layer can be increased.

【0018】前記ガラス基板としては、通常、膨張係数
が80×10-7〜90×10-7/℃のものが用いられ
る。したがってこのようなガラス基板と膨張特性をマッ
チングさせ、ガラス基板のそりや強度の低下を防止する
ためには、本発明のガラスの50〜350℃の平均線膨
張係数(以下単に膨張係数という。)は60×10-7
90×10-7/℃であることが好ましい。より好ましく
は70×10-7〜85×10-7/℃である。
As the glass substrate, one having an expansion coefficient of 80 × 10 −7 to 90 × 10 −7 / ° C. is usually used. Therefore, in order to match the expansion characteristics with such a glass substrate, and to prevent the glass substrate from warping or lowering its strength, the glass of the present invention has an average linear expansion coefficient of 50 to 350 ° C. (hereinafter simply referred to as expansion coefficient). Is 60 × 10 -7
It is preferably 90 × 10 −7 / ° C. More preferably, it is 70 × 10 −7 to 85 × 10 −7 / ° C.

【0019】本発明のガラスの比誘電率は10.5以下
であることが好ましい。10.5超ではPDPのセルの
静電容量が大きくなりすぎ、PDPの消費電力が増大す
るおそれがある。より好ましくは10.0以下である。
The relative permittivity of the glass of the present invention is preferably 10.5 or less. If it exceeds 10.5, the capacitance of the cell of the PDP becomes too large, and the power consumption of the PDP may increase. More preferably, it is 10.0 or less.

【0020】本発明のガラスは酸に溶けやすく、駆動回
路配線部分についても本発明のガラスを用いて被覆で
き、別の被覆を行う必要がない。この場合、駆動回路配
線部分の被覆については酸処理を行い、該被覆は溶解除
去される。なお、該被覆は、焼成時における駆動回路配
線部分の酸化、すなわち電気特性劣化を防止する。
The glass of the present invention is easily soluble in acid, and the drive circuit wiring portion can be coated with the glass of the present invention, so that another coating is not required. In this case, the coating of the drive circuit wiring portion is subjected to an acid treatment, and the coating is dissolved and removed. Note that the coating prevents oxidation of the driving circuit wiring portion during firing, that is, deterioration of electrical characteristics.

【0021】本発明のガラスは、下記酸化物基準の質量
百分率表示で実質的に、 PbO 20〜60%、 Bi23 0〜30%、 B23 20〜55%、 SiO2 0〜10%、 Al23 0〜15%、 MgO+CaO 0〜35%、 SrO 0〜35%、 BaO 0〜35%、 ZnO 0〜 8%、 からなる。
The glass of the present invention is substantially represented by mass percentage based on the following oxides, PbO 20~60%, Bi 2 O 3 0~30%, B 2 O 3 20~55%, SiO 2 0~ 10%, Al 2 O 3 0~15 %, MgO + CaO 0~35%, SrO 0~35%, BaO 0~35%, ZnO 0~ 8%, consisting of.

【0022】好ましくは、実質的に、 PbO 20〜55%、 Bi23 0〜20%、 B23 30〜50%、 SiO2 0〜 7%、 Al23 0〜10%、 MgO+CaO 0〜30%、 SrO 0〜30%、 BaO 0〜30%、 ZnO 0〜 5%、 からなる(好ましい組成A)。[0022] Preferably, substantially, PbO 20~55%, Bi 2 O 3 0~20%, B 2 O 3 30~50%, SiO 2 0~ 7%, Al 2 O 3 0~10%, MgO + CaO 0 to 30%, SrO 0 to 30%, BaO 0 to 30%, ZnO 0 to 5% (preferable composition A).

【0023】より好ましくは、実質的に、 PbO 22〜40%、 B23 35〜50%、 SiO2 0〜 5%、 Al23 0〜 5%、 SrO 0〜25%、 BaO 0〜30%、 ZnO 0〜 5%、 からなり、Bi23、MgOおよびCaOを実質的に含
まない(より好ましい組成B)。
More preferably, 22 to 40% of PbO, 35 to 50% of B 2 O 3 , 0 to 5% of SiO 2, 0 to 5% of Al 2 O 3, 0 to 25% of SrO, and BaO 0 ~30%, ZnO 0~ 5%, made free of Bi 2 O 3, MgO and CaO in a substantially (more preferred composition B).

【0024】以下で組成限定理由を、質量百分率表示を
用いて説明する。PbOは軟化点を下げ、膨張係数を大
きくする効果を有し、必須成分である。60%超では、
比誘電率が大きくなるおそれがある、または、黄色に着
色するおそれがある。好ましくは55%以下である。2
0%未満では軟化点が高くなりすぎ、また、膨張係数が
小さくなりすぎ、また、分相するおそれがある。好まし
くは22%以上である。特に透過率を高くするために
は、22〜40%とすることが好ましい。
Hereinafter, the reasons for limiting the composition will be described with reference to the percentage by mass. PbO has an effect of lowering the softening point and increasing the expansion coefficient, and is an essential component. At over 60%
There is a possibility that the relative permittivity may be increased, or there is a possibility that the color is colored yellow. Preferably it is 55% or less. 2
If it is less than 0%, the softening point becomes too high, the expansion coefficient becomes too small, and the phases may be separated. Preferably it is 22% or more. In particular, in order to increase the transmittance, the content is preferably set to 22 to 40%.

【0025】Bi23は必須成分ではないが、軟化点を
下げ、膨張係数を大きくするために30%まで含有して
もよい。30%超では膨張係数が大きくなりすぎるおそ
れがある、または、着色するおそれがある。好ましくは
20%以下である。特に透過率を高くするためには実質
的に0%、すなわち不純物レベルとすることが好まし
い。
Bi 2 O 3 is not an essential component, but may be contained up to 30% in order to lower the softening point and increase the expansion coefficient. If it exceeds 30%, the expansion coefficient may become too large, or coloring may occur. Preferably it is 20% or less. Particularly, in order to increase the transmittance, it is preferable to set the transmittance to substantially 0%, that is, the impurity level.

【0026】B23はガラス安定化のための必須成分で
ある。55%超では、軟化点が高くなりすぎ、また分相
するおそれがある。好ましくは50%以下である。20
%未満では、PbOまたはBi23が多くなりすぎ黄色
に着色するおそれがある。好ましくは30%以上、より
好ましくは35%以上である。
B 2 O 3 is an essential component for stabilizing glass. If it exceeds 55%, the softening point becomes too high, and phase separation may occur. Preferably it is 50% or less. 20
%, There is a possibility that PbO or Bi 2 O 3 becomes excessively large, and may be colored yellow. It is preferably at least 30%, more preferably at least 35%.

【0027】SiO2は必須成分ではないが、ガラス安
定化のために10%まで含有してもよい。10%超で
は、軟化点が高くなりすぎ、また酸に溶けにくくなるお
それがある。より好ましくは7%以下、特に好ましくは
5%以下である。
Although SiO 2 is not an essential component, it may be contained up to 10% for stabilizing the glass. If it exceeds 10%, the softening point may be too high and it may be difficult to dissolve in acid. It is more preferably at most 7%, particularly preferably at most 5%.

【0028】SiO2の含有量とSiO2およびB23
合量との比、SiO2/(SiO2+B23)は0.2以
下であることが好ましい。0.2超では酸に溶けにくく
なるおそれがある。より好ましくは0.15以下であ
る。
The ratio of the content of SiO 2 to the total amount of SiO 2 and B 2 O 3 , that is, SiO 2 / (SiO 2 + B 2 O 3 ) is preferably 0.2 or less. If it exceeds 0.2, it may be difficult to dissolve in acid. It is more preferably 0.15 or less.

【0029】Al23は必須成分ではないが、ガラス安
定化のために15%まで含有してもよい。15%超で
は、失透するおそれがある。より好ましくは10%以
下、特に好ましくは5%以下である。
Al 2 O 3 is not an essential component, but may be contained up to 15% for glass stabilization. If it exceeds 15%, devitrification may occur. It is more preferably at most 10%, particularly preferably at most 5%.

【0030】MgOおよびCaOはいずれも必須成分で
はないが、耐水性を向上させるために、または分相を防
ぐために、合量で35%まで含有してもよい。35%超
では、失透するおそれがある。好ましくは30%以下で
ある。特に透過率を高くするためには実質的に0%、す
なわち不純物レベルとすることが好ましい。
Neither MgO nor CaO is an essential component, but may contain up to 35% in total in order to improve water resistance or prevent phase separation. If it exceeds 35%, devitrification may occur. Preferably it is 30% or less. Particularly, in order to increase the transmittance, it is preferable to set the transmittance to substantially 0%, that is, the impurity level.

【0031】SrOは必須成分ではないが、耐水性を向
上させるために、または分相を防ぐために、35%まで
含有してもよい。35%超では、失透するおそれがあ
る。好ましくは30%以下、より好ましくは25%以下
である。
SrO is not an essential component, but may be contained up to 35% in order to improve water resistance or prevent phase separation. If it exceeds 35%, devitrification may occur. It is preferably at most 30%, more preferably at most 25%.

【0032】BaOは必須成分ではないが、耐水性を向
上させるために、または分相を防ぐために、35%まで
含有してもよい。35%超では、失透するおそれがあ
る。好ましくは30%以下である。
BaO is not an essential component, but may be contained up to 35% in order to improve water resistance or prevent phase separation. If it exceeds 35%, devitrification may occur. Preferably it is 30% or less.

【0033】ZnOは必須成分ではないが、軟化点を下
げるために8%まで含有してもよい。8%超では、比誘
電率が大きくなりすぎるおそれがある。より好ましくは
5%以下である。
Although ZnO is not an essential component, it may be contained up to 8% in order to lower the softening point. If it exceeds 8%, the dielectric constant may be too large. It is more preferably at most 5%.

【0034】本発明のガラスは実質的に上記成分からな
るが、この他の成分も合量で5%まで添加してもよい。
ここでいう5%は添加量であり、含有量に換算すると
4.8%(=5×100/105)である。
The glass of the present invention consists essentially of the above components, but other components may be added up to 5% in total.
Here, 5% is the amount of addition, which is 4.8% (= 5 × 100/105) in terms of the content.

【0035】たとえば、SnO2および/またはCeO2
は、焼成して得られるガラス被覆層の透過率を高くする
ために合量で4.8%まで含有してもよい。4.8%超
ではSnO2、CeO2に起因する着色が顕著になりかえ
って前記透過率が低下するおそれがある。SnO2およ
びCeO2の含有量はそれぞれ3%以下であることがよ
り好ましい。特に好ましくはそれぞれ2%以下、最も好
ましくは1.5%以下である。また、前記「好ましい組
成A」、前記「より好ましい組成B」においては、Sn
2およびCeO2の含有量はそれぞれ2%以下であるこ
とが好ましく、それぞれ1.5%以下であることがより
好ましい。
For example, SnO 2 and / or CeO 2
May be contained in a total amount of up to 4.8% in order to increase the transmittance of the glass coating layer obtained by firing. If it exceeds 4.8%, coloring caused by SnO 2 and CeO 2 may be remarkable, and the transmittance may be reduced. The contents of SnO 2 and CeO 2 are more preferably 3% or less, respectively. Particularly preferably, they are each 2% or less, most preferably 1.5% or less. In the “preferred composition A” and the “more preferred composition B”, Sn
The contents of O 2 and CeO 2 are each preferably 2% or less, and more preferably 1.5% or less, respectively.

【0036】また、軟化点および膨張係数の調整、ガラ
スの安定性および化学的耐久性の向上、等のために、T
iO2、ZrO2、La23、等を添加してもよい。さら
に、Li2O、Na2O、K2O等のアルカリ金属酸化物
やF等のハロゲン成分を軟化点を低下させるために、絶
縁性等を阻害しない範囲で添加してもよい。
Further, in order to adjust the softening point and expansion coefficient, to improve the stability and chemical durability of the glass, etc., T
iO 2, ZrO 2, La 2 O 3, etc. may be added. Further, an alkali metal oxide such as Li 2 O, Na 2 O and K 2 O and a halogen component such as F may be added in order to lower the softening point within a range that does not impair the insulating property.

【0037】本発明のガラスを焼成する温度(以下焼成
温度という。)は、軟化点よりも低く、かつ軟化点との
差は20〜40℃であることが好ましい。この範囲外で
は透過率が低下するおそれがある。特に好ましくは前記
差は25〜35℃である。
The temperature for firing the glass of the present invention (hereinafter referred to as firing temperature) is preferably lower than the softening point, and the difference from the softening point is preferably 20 to 40 ° C. Outside this range, the transmittance may decrease. Particularly preferably, said difference is between 25 and 35C.

【0038】次に、本発明の電極被覆用ガラスセラミッ
ク組成物(以下単に本発明のガラスセラミック組成物と
いう。)について述べる。本発明のガラスセラミック組
成物は有機ビヒクル等を用いてペースト化される。ペー
スト化された本発明のガラスセラミック組成物を、ガラ
ス基板上に形成された電極上に塗布、焼成して焼成体と
し、電極を被覆する。PDPにおいては、本発明のガラ
スセラミック組成物は背面基板の電極の被覆に好適に使
用される。
Next, the glass-ceramic composition for coating an electrode of the present invention (hereinafter simply referred to as the glass-ceramic composition of the present invention) will be described. The glass ceramic composition of the present invention is made into a paste using an organic vehicle or the like. The paste-formed glass-ceramic composition of the present invention is applied to an electrode formed on a glass substrate and fired to form a fired body, which covers the electrode. In PDP, the glass ceramic composition of the present invention is suitably used for coating an electrode on a rear substrate.

【0039】無機顔料は、本発明のガラスセラミック組
成物の必須成分であり、前記焼成体に光反射性または遮
光性を付与する。光反射性を付与するためには白色無機
顔料を使用することが好ましい。この白色無機顔料は、
TiO2、Al23およびZrO2からなる群から選ばれ
た1種以上であることがより好ましい。
The inorganic pigment is an essential component of the glass ceramic composition of the present invention, and imparts light-reflecting or light-blocking properties to the fired body. In order to impart light reflectivity, it is preferable to use a white inorganic pigment. This white inorganic pigment,
More preferably, it is at least one selected from the group consisting of TiO 2 , Al 2 O 3 and ZrO 2 .

【0040】遮光性を付与するためには黒色無機顔料を
使用することが好ましい。この黒色無機顔料は、Cr2
3、MnO2、Fe23、CoO、NiO、CuO、お
よびこれらの複合酸化物からなる群から選ばれた1種以
上であることがより好ましい。
In order to impart light-shielding properties, it is preferable to use a black inorganic pigment. This black inorganic pigment is composed of Cr 2
More preferably, it is at least one selected from the group consisting of O 3 , MnO 2 , Fe 2 O 3 , CoO, NiO, CuO, and composite oxides thereof.

【0041】本発明のガラスの粉末100質量部に対し
無機顔料の含有量が40質量部超では、焼成時にガラス
が充分には軟化流動できず、焼成時に生成した気泡が焼
成体内部に残留するおそれがある。好ましくは30質量
部以下である。0.5質量部未満では、充分な光反射性
または遮光性が得られないおそれがある。
When the content of the inorganic pigment is more than 40 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the glass powder of the present invention, the glass cannot be sufficiently softened and flowed at the time of firing, and bubbles generated at the time of firing remain in the fired body. There is a risk. Preferably it is 30 parts by mass or less. If the amount is less than 0.5 parts by mass, sufficient light reflectivity or light-shielding property may not be obtained.

【0042】本発明のガラスセラミック組成物は本発明
のガラスの粉末と無機顔料の粉末を必須成分として含む
が、本発明の目的を損なわない範囲において、この他の
成分を、本発明のガラスの粉末100質量部に対し合量
で30質量部まで含有してもよい。たとえば、PDP背
面基板の電極の被覆に使用する場合、シリカ等のフィラ
ーや酸化スズを含有してもよい。
The glass-ceramic composition of the present invention contains the powder of the glass of the present invention and the powder of an inorganic pigment as essential components, but the other components may be added to the glass of the present invention within a range not to impair the object of the present invention. It may be contained up to 30 parts by mass based on 100 parts by mass of the powder. For example, when used for coating an electrode of a PDP rear substrate, a filler such as silica or tin oxide may be contained.

【0043】本発明のガラスセラミック組成物の焼成体
の膨張係数は、60×10-7〜90×10-7/℃である
ことが好ましい。より好ましくは70×10-7〜85×
10 -7/℃である。その理由は、本発明のガラスに対す
る理由と同じである。
A fired body of the glass ceramic composition of the present invention
Has an expansion coefficient of 60 × 10-7~ 90 × 10-7/ ° C
Is preferred. More preferably 70 × 10-7~ 85x
10 -7/ ° C. The reason is that the glass of the present invention
For the same reason.

【0044】次に、本発明のプラズマディスプレイ装置
(以下本発明のPDPという。)について述べる。本発
明のPDPの第1の態様においては、PDPの前面基板
の透明電極が本発明のガラスにより被覆されている。
Next, the plasma display device of the present invention (hereinafter referred to as the PDP of the present invention) will be described. In the first aspect of the PDP of the present invention, the transparent electrode on the front substrate of the PDP is coated with the glass of the present invention.

【0045】本発明のPDPの第1の態様の好ましい態
様においては、ガラス基板の上に透明電極が形成され該
透明電極が本発明のガラスにより被覆されている前面基
板について、波長550nmの光の透過率が70%以上
であり、濁度が30%以下である。前記透過率が70%
未満または濁度が30%超ではPDPの画質が低下す
る。前記透過率は、より好ましくは75%以上、特に好
ましくは80%以上である。また、濁度は、より好まし
くは25%以下、特に好ましくは20%以下である。な
お、前面基板に使用されるガラス基板自体の前記透過率
および濁度の代表的な値は、ガラス基板厚さ2.8mm
の場合、それぞれ90%、0.4%である。
In a preferred embodiment of the first aspect of the PDP of the present invention, a transparent electrode is formed on a glass substrate, and the transparent electrode is coated with the glass of the present invention. The transmittance is 70% or more, and the turbidity is 30% or less. The transmittance is 70%
If the turbidity is less than 30% or more than 30%, the image quality of the PDP deteriorates. The transmittance is more preferably at least 75%, particularly preferably at least 80%. The turbidity is more preferably at most 25%, particularly preferably at most 20%. A typical value of the transmittance and the turbidity of the glass substrate itself used as the front substrate is a glass substrate thickness of 2.8 mm.
Are 90% and 0.4%, respectively.

【0046】また、透明電極は、たとえば幅0.5mm
の帯状であり、それぞれの帯状電極が平行するように形
成される。各帯状電極中心線間の距離は、たとえば0.
83〜1.0mmであり、この場合、透明電極がガラス
基板表面を占める割合は50〜60%である。
The transparent electrode has a width of, for example, 0.5 mm.
And the strip electrodes are formed so as to be parallel to each other. The distance between each strip-shaped electrode center line is, for example, 0.1 mm.
In this case, the ratio of the transparent electrode occupying the surface of the glass substrate is 50 to 60%.

【0047】本発明のPDPの第2の態様においては、
PDPの背面基板の電極が本発明のガラスセラミック組
成物により被覆されている。
In a second embodiment of the PDP of the present invention,
The electrode on the back substrate of the PDP is coated with the glass ceramic composition of the present invention.

【0048】本発明のPDPは、たとえば交流方式のも
のであれば次のようにして製造される。図1に示すよう
に、ガラス基板1aの表面にパターニングされた透明電
極2およびバス線(図示せず)を形成する。次に、本発
明のガラスの粉末を塗布・焼成してガラス層3を形成す
る。最後に保護膜として酸化マグネシウムの層(図示せ
ず)を形成し、前面基板10とする。一方、ガラス基板
1bの上には、パターニングされたアドレス用電極5を
形成する。次に、ストライプ状に隔壁6を形成し、さら
に蛍光体層4を印刷・焼成して背面基板20とする。
The PDP of the present invention is manufactured as follows, for example, if it is of the AC type. As shown in FIG. 1, a patterned transparent electrode 2 and bus lines (not shown) are formed on the surface of a glass substrate 1a. Next, the glass layer 3 is formed by applying and firing the glass powder of the present invention. Finally, a layer of magnesium oxide (not shown) is formed as a protective film to form a front substrate 10. On the other hand, a patterned address electrode 5 is formed on the glass substrate 1b. Next, the partition 6 is formed in a stripe shape, and the phosphor layer 4 is further printed and fired to form the rear substrate 20.

【0049】前面基板10と背面基板20の周縁にシー
ル材(図示せず)をディスペンサで塗布し、透明電極2
とアドレス用電極5が対向するように組み立てた後、焼
成してプラズマディスプレイ装置とする。そしてプラズ
マディスプレイ装置内部を排気して、放電空間7にNe
やHe−Xeなどの放電ガスを封入する。なお、上記の
例は交流方式のものであるが、本発明は直流方式のもの
にも適用できる。
A sealing material (not shown) is applied to the periphery of the front substrate 10 and the rear substrate 20 with a dispenser, and the transparent electrode 2
After assembling such that the address electrodes 5 face each other, firing is performed to obtain a plasma display device. Then, the inside of the plasma display device is evacuated, and Ne
And a discharge gas such as He-Xe. Although the above example is of an AC type, the present invention can be applied to a DC type.

【0050】[0050]

【実施例】表のPbOからCeO2までの欄に質量百分
率で示す組成となるように、酸化鉛、酸化ビスマス、無
水ホウ酸、ケイ砂、アルミナ、酸化マグネシウム、炭酸
カルシウム、炭酸ストロンチウム、炭酸バリウム、酸化
亜鉛、酸化スズ、酸化セリウムを調合して混合した。次
に、この混合原料を1300℃の電気炉中で白金ルツボ
を用いて1時間溶融し、薄板状ガラスに成形した。この
薄板状ガラスをボールミルで粉砕し、低融点ガラスの粉
末を得た(例1〜35)。SiO2の含有量とSiO2
よびB23の合量との比、SiO2/(SiO2+B
23)も表に示す。
EXAMPLES Lead oxide, bismuth oxide, boric anhydride, silica sand, alumina, magnesium oxide, calcium carbonate, strontium carbonate, barium carbonate were prepared so as to have the composition shown by mass percentage in the columns from PbO to CeO 2 in the table. , Zinc oxide, tin oxide, and cerium oxide were mixed and mixed. Next, this mixed raw material was melted in a 1300 ° C. electric furnace using a platinum crucible for 1 hour, and formed into a thin glass sheet. This thin glass sheet was pulverized with a ball mill to obtain low melting glass powder (Examples 1 to 35). The ratio of the content of SiO 2 to the total amount of SiO 2 and B 2 O 3 , SiO 2 / (SiO 2 + B
2 O 3 ) is also shown in the table.

【0051】その軟化点(単位:℃)、膨張係数(単
位:10-7/℃)および比誘電率を表に示す。なお、比
誘電率については例1〜24について測定した。 軟化点:示差熱分析計を用いて測定した。 膨張係数:低融点ガラスの粉末を成形後、表に示す焼成
温度(単位:℃)で10分間焼成して得た焼成体を直径
5mm、長さ2cmの円柱状に加工し、熱膨張計で50
〜350℃の平均線膨張係数を測定した。 比誘電率:前記焼成体を50mm×50mm×厚さ3m
mに加工し、その表面に電極を蒸着して周波数1MHz
での比誘電率を測定した。
The softening point (unit: ° C.), expansion coefficient (unit: 10 −7 / ° C.) and relative permittivity are shown in the table. The relative permittivity was measured for Examples 1 to 24. Softening point: Measured using a differential thermal analyzer. Expansion coefficient: After molding the powder of the low melting glass, the fired body obtained by firing at the firing temperature (unit: ° C.) shown in the table for 10 minutes is processed into a cylindrical shape having a diameter of 5 mm and a length of 2 cm, and is measured with a thermal dilatometer. 50
The average linear expansion coefficient at ~ 350 ° C was measured. Relative permittivity: The fired body is 50 mm × 50 mm × thickness 3 m
m, electrode is deposited on the surface and frequency is 1MHz
Was measured.

【0052】例1〜24の低融点ガラスについては、そ
の粉末100gを有機ビヒクル25gと混練し、ガラス
ペーストを作製した。前記有機ビヒクルは、ジエチレン
グリコールモノブチルエーテルアセテートまたはα−テ
ルピネオールにエチルセルロースを質量百分率表示で7
〜18%溶解したものである。
With respect to the low melting point glasses of Examples 1 to 24, 100 g of the powder was kneaded with 25 g of an organic vehicle to prepare a glass paste. The organic vehicle can be obtained by adding ethyl cellulose to diethylene glycol monobutyl ether acetate or α-terpineol in a mass percentage of 7%.
~ 18% dissolved.

【0053】次に、膜厚が200nmで幅が0.5mm
のITO透明電極を、各ITO透明電極の中心線間距離
が1.0mmとなるように平行に多数形成した、大きさ
10cm×10cm、厚さ2.8mmのガラス基板を用
意した。このガラス基板は、質量百分率で表わした組成
が、SiO2:58、Al23:7、Na2O:4、K 2
O:6.5、MgO:2、CaO:5、SrO:7、B
aO:7.5、ZrO2:3、ガラス転移点が626
℃、膨張係数が83×10-7/℃、であるガラスからな
る。また、前記ITO透明電極はガラス基板の片面に形
成されている。
Next, a film thickness of 200 nm and a width of 0.5 mm
The distance between the center lines of each ITO transparent electrode
Are formed in parallel so that the size is 1.0 mm.
For glass substrate of 10cm × 10cm, thickness 2.8mm
I thought. This glass substrate has a composition expressed as a percentage by mass.
But SiOTwo: 58, AlTwoOThree: 7, NaTwoO: 4, K Two
O: 6.5, MgO: 2, CaO: 5, SrO: 7, B
aO: 7.5, ZrOTwo: 3, glass transition point is 626
° C, expansion coefficient 83 × 10-7/ ° C, which is glass
You. The ITO transparent electrode is formed on one side of a glass substrate.
Has been established.

【0054】ITO透明電極が形成されている30mm
×30mmの部分に前記ガラスペーストを均一にスクリ
ーン印刷した後、120℃で10分間乾燥した。このガ
ラス基板を昇温速度10℃/分で、表に示す焼成温度
(単位:℃)になるまで加熱し、さらにその温度に30
分間維持して、焼成した。透明電極を被覆するガラス被
覆層の厚さは22〜25μmであった。
30 mm on which an ITO transparent electrode is formed
The glass paste was uniformly screen-printed on a portion of × 30 mm, and then dried at 120 ° C. for 10 minutes. The glass substrate was heated at a heating rate of 10 ° C./min until the firing temperature (unit: ° C.) shown in the table was reached.
Hold for a minute and bake. The thickness of the glass coating layer covering the transparent electrode was 22 to 25 μm.

【0055】焼成後のガラス基板について、550nm
の光の透過率(単位:%)および濁度(単位:%)を測
定した。 透過率:(株)日立製作所製の自記分光光度計U−35
00(積分球型)を用いて波長550nmの光の透過率
を測定した。サンプルのない状態を100%とした。透
過率は70%以上であることが好ましい。
For the fired glass substrate, 550 nm
Were measured for light transmittance (unit:%) and turbidity (unit:%). Transmittance: Self-recording spectrophotometer U-35 manufactured by Hitachi, Ltd.
The transmittance of light having a wavelength of 550 nm was measured using 00 (integrating sphere). The state without the sample was defined as 100%. The transmittance is preferably 70% or more.

【0056】濁度:(株)スガ試験器製のヘーズメータ
(ハロゲン球を用いたC光源)を使用した。ハロゲン球
からの光をレンズを通して平行光線とし、サンプルに入
射させ、積分球により全光線透過率Ttと拡散透過率Td
を測定した。濁度は、 濁度(%)=(Td/Tt)×100 により算出した。30%以下であることが好ましい。
Turbidity: A haze meter (C light source using halogen bulb) manufactured by Suga Test Instruments Co., Ltd. was used. The light from the halogen sphere is converted into a parallel light beam through a lens, is incident on the sample, and is transmitted by the integrating sphere to the total light transmittance Tt and the diffuse transmittance Td.
Was measured. Turbidity was calculated by turbidity (%) = (T d / T t ) × 100. It is preferably at most 30%.

【0057】例25〜35の低融点ガラスについては、
その粉末100質量部に対して、表の無機顔料の欄に質
量部で示した量の白色無機顔料を混合し、混合粉末を作
製した。この混合粉末100gと、例1〜24において
使用した有機ビヒクル25gとを混練し、ガラスペース
トとした。
For the low melting glasses of Examples 25-35,
100 parts by mass of the powder was mixed with the amount of white inorganic pigment shown in parts by mass in the column of inorganic pigment in the table to prepare a mixed powder. 100 g of the mixed powder and 25 g of the organic vehicle used in Examples 1 to 24 were kneaded to obtain a glass paste.

【0058】このガラスペーストを前記ガラス基板の片
面のほぼ中央の45mm×25mmの領域に均一にスク
リーン印刷した後、120℃で10分間乾燥した。この
ガラス基板を昇温速度10℃/分で、表に示す焼成温度
になるまで加熱し、さらにその温度に30分間維持し
て、焼成した。ガラス基板上に形成されたガラス被覆層
の厚さは20μmであった。
This glass paste was uniformly screen-printed on a 45 mm × 25 mm area substantially at the center of one side of the glass substrate, and then dried at 120 ° C. for 10 minutes. The glass substrate was heated at a heating rate of 10 ° C./min until the sintering temperature shown in the table was reached, and the sintering was maintained at that temperature for 30 minutes. The thickness of the glass coating layer formed on the glass substrate was 20 μm.

【0059】例1〜35で得られたガラス被覆層が酸に
溶けやすいか否かを評価するために以下に述べる酸溶解
試験を行い、酸溶解時間(単位:分)を測定した。結果
を同じく表に示す。酸溶解試験:ガラス被覆層を形成し
たガラス基板を、20℃、質量百分率濃度が5%の硝酸
に最大60分間浸漬し、浸漬後のガラス基板の重量を測
定した。浸漬後のガラス基板の重量と浸漬前のガラス基
板の重量とが同じになる浸漬時間を求め、この浸漬時間
を酸溶解時間とした。酸溶解時間は10分以下であるこ
とが好ましい。
In order to evaluate whether or not the glass coating layers obtained in Examples 1 to 35 are easily soluble in acid, an acid dissolution test described below was performed, and the acid dissolution time (unit: minute) was measured. The results are also shown in the table. Acid dissolution test: The glass substrate on which the glass coating layer was formed was immersed in nitric acid having a mass percentage concentration of 5% at 20 ° C. for a maximum of 60 minutes, and the weight of the immersed glass substrate was measured. An immersion time at which the weight of the glass substrate after immersion was equal to the weight of the glass substrate before immersion was determined, and this immersion time was defined as the acid dissolution time. The acid dissolution time is preferably 10 minutes or less.

【0060】例1〜21はPDP前面基板の透明電極の
被覆に使用できる実施例であり、例25〜34はPDP
背面基板の電極の被覆に使用できる実施例であり、例2
2〜24および例35は比較例である。
Examples 1 to 21 are examples that can be used for coating a transparent electrode on a PDP front substrate, and Examples 25 to 34 are PDPs.
Example 2 which can be used for coating an electrode on a rear substrate.
Examples 2 to 24 and Example 35 are comparative examples.

【0061】[0061]

【表1】 [Table 1]

【0062】[0062]

【表2】 [Table 2]

【0063】[0063]

【表3】 [Table 3]

【0064】[0064]

【表4】 [Table 4]

【0065】[0065]

【表5】 [Table 5]

【0066】[0066]

【発明の効果】本発明のガラスを用いることにより、ガ
ラス基板上の透明電極を被覆するガラス被覆層を単層構
造にでき、工程を削減できる。また、ガラス被覆層の誘
電率を低くでき、PDPの消費電力を節減できる。本発
明のガラスまたは本発明のガラスセラミック組成物を用
いてガラス基板上に形成したガラス被覆層は酸に溶けや
すく、駆動回路配線部分の被覆にも使用できる。したが
って、駆動回路配線部分についてのみ特に酸に溶けやす
い被覆を行う必要はなくなる。
By using the glass of the present invention, the glass coating layer covering the transparent electrode on the glass substrate can have a single-layer structure, and the number of steps can be reduced. Further, the dielectric constant of the glass coating layer can be reduced, and the power consumption of the PDP can be reduced. The glass coating layer formed on the glass substrate using the glass of the present invention or the glass ceramic composition of the present invention is easily soluble in acid and can be used for coating the drive circuit wiring portion. Therefore, it is not necessary to provide a coating that is particularly easily soluble in acid only on the drive circuit wiring portion.

【0067】さらに、本発明のガラスは、本発明のガラ
スセラミック組成物に用いられる低融点ガラスとしても
使用でき、PDPの前面基板にも背面基板にも使用でき
る。本発明のPDPの前面基板は透過率が高く、画質が
優れている。さらに、本発明のガラスまたは本発明のガ
ラスセラミック組成物を用いて製造されるので、製造費
用を低減できる。
Further, the glass of the present invention can be used as a low-melting glass used in the glass-ceramic composition of the present invention, and can be used for both a front substrate and a rear substrate of a PDP. The front substrate of the PDP of the present invention has high transmittance and excellent image quality. Furthermore, since it is manufactured using the glass of the present invention or the glass-ceramic composition of the present invention, manufacturing costs can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のプラズマディスプレイ装置を示す断面
図。
FIG. 1 is a sectional view showing a plasma display device of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a:ガラス基板 1b:ガラス基板 2:透明電極 3:ガラス層 4:蛍光体層 5:アドレス用電極 6:隔壁 7:放電空間 10:前面基板 20:背面基板 1a: Glass substrate 1b: Glass substrate 2: Transparent electrode 3: Glass layer 4: Phosphor layer 5: Address electrode 6: Partition wall 7: Discharge space 10: Front substrate 20: Back substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01J 11/02 H01J 11/02 B (72)発明者 谷田 正道 福島県郡山市待池台1−8 郡山西部第二 工業団地 旭硝子郡山電材株式会社内 (72)発明者 真鍋 恒夫 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社内 (72)発明者 青木 由美子 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社内──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01J 11/02 H01J 11/02 B (72) Inventor Masamichi Yata 1-8 Koriyama, Machiikedai, Koriyama-shi, Fukushima Asahi Glass Koriyama Electric Materials Co., Ltd. Inside the corporation

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】下記酸化物基準の質量百分率表示で実質的
に、 PbO 20〜60%、 Bi23 0〜30%、 B23 20〜55%、 SiO2 0〜10%、 Al23 0〜15%、 MgO+CaO 0〜35%、 SrO 0〜35%、 BaO 0〜35%、 ZnO 0〜 8%、 からなる電極被覆用低融点ガラス。
1. A substantially by mass percentage based on the following oxides, PbO 20~60%, Bi 2 O 3 0~30%, B 2 O 3 20~55%, SiO 2 0~10%, Al A low-melting glass for electrode coating comprising: 0 to 15% 2 O 3, 0 to 35% MgO + CaO, 0 to 35% SrO, 0 to 35% BaO, and 0 to 8% ZnO.
【請求項2】SnO2および/またはCeO2を含有し、
これらの含有量の合計が質量百分率表示で4.8%以下
である請求項1に記載の電極被覆用低融点ガラス。
2. It contains SnO 2 and / or CeO 2 ,
The low melting glass for electrode coating according to claim 1, wherein the total of these contents is 4.8% or less in terms of mass percentage.
【請求項3】軟化点が520〜650℃である請求項1
または2に記載の電極被覆用低融点ガラス。
3. The softening point is 520 to 650 ° C.
Or the low-melting glass for electrode coating according to 2.
【請求項4】50〜350℃における平均線膨張係数が
60×10-7〜90×10-7/℃である請求項1、2ま
たは3に記載の電極被覆用低融点ガラス。
4. The low melting glass for electrode coating according to claim 1, wherein the average linear expansion coefficient at 50 to 350 ° C. is 60 × 10 −7 to 90 × 10 −7 / ° C.
【請求項5】比誘電率が10.5以下である請求項1〜
4のいずれかに記載の電極被覆用低融点ガラス。
5. The method according to claim 1, wherein the relative dielectric constant is 10.5 or less.
5. The low-melting glass for coating an electrode according to any one of 4.
【請求項6】請求項1〜5のいずれかに記載の電極被覆
用低融点ガラスと無機顔料の粉末とを含む電極被覆用ガ
ラスセラミック組成物であって、前記電極被覆用低融点
ガラスの粉末100質量部に対し前記無機顔料の粉末を
0.5〜40質量部の割合で含む電極被覆用ガラスセラ
ミック組成物。
6. A glass-ceramic composition for electrode coating comprising the low-melting glass for electrode coating according to any one of claims 1 to 5 and a powder of an inorganic pigment, wherein the powder of the low-melting glass for electrode coating is provided. A glass-ceramic composition for electrode coating, comprising 0.5 to 40 parts by mass of the inorganic pigment powder with respect to 100 parts by mass.
【請求項7】無機顔料が、TiO2、Al23およびZ
rO2からなる群から選ばれた1種以上である請求項6
に記載の電極被覆用ガラスセラミック組成物。
7. An inorganic pigment comprising TiO 2 , Al 2 O 3 and Z
7. At least one member selected from the group consisting of rO 2.
The glass-ceramic composition for coating an electrode according to the above.
【請求項8】50〜350℃における平均線膨張係数が
60×10-7〜90×10-7/℃である請求項6または
7に記載の電極被覆用ガラスセラミック組成物。
8. The glass-ceramic composition for coating an electrode according to claim 6, wherein the average linear expansion coefficient at 50 to 350 ° C. is 60 × 10 −7 to 90 × 10 −7 / ° C.
【請求項9】前面基板を有するプラズマディスプレイ装
置であって、前面基板を構成するガラス基板上の透明電
極が請求項1〜5のいずれかに記載の電極被覆用低融点
ガラスにより被覆されているプラズマディスプレイ装
置。
9. A plasma display device having a front substrate, wherein a transparent electrode on a glass substrate constituting the front substrate is coated with the low-melting glass for electrode coating according to any one of claims 1 to 5. Plasma display device.
【請求項10】前面基板について、波長550nmの光
の透過率が70%以上であり、濁度が30%以下である
請求項9に記載のプラズマディスプレイ装置。
10. The plasma display device according to claim 9, wherein the front substrate has a transmittance of light having a wavelength of 550 nm of 70% or more and a turbidity of 30% or less.
【請求項11】背面基板を有するプラズマディスプレイ
装置であって、背面基板を構成するガラス基板上の電極
が請求項6〜8のいずれかに記載の電極被覆用ガラスセ
ラミック組成物の焼成体により被覆されているプラズマ
ディスプレイ装置。
11. A plasma display device having a rear substrate, wherein electrodes on a glass substrate constituting the rear substrate are coated with the fired body of the glass-ceramic composition for electrode coating according to claim 6. Plasma display device.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2002102733A1 (en) * 2001-06-15 2002-12-27 Asahi Glass Company, Limited Method for producing glass substrate with metal electrode
KR100535173B1 (en) * 2001-11-30 2005-12-08 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 Electrode material, dielectric material and plasma display panel using them
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002102733A1 (en) * 2001-06-15 2002-12-27 Asahi Glass Company, Limited Method for producing glass substrate with metal electrode
KR100535173B1 (en) * 2001-11-30 2005-12-08 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 Electrode material, dielectric material and plasma display panel using them
US6987358B2 (en) 2002-08-08 2006-01-17 Asahi Glass Company, Limited Glass for covering electrodes, colored powder for covering electrodes and plasma display device
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