JP2000304524A - 合わせずれ評価方法及び合わせずれ評価装置 - Google Patents
合わせずれ評価方法及び合わせずれ評価装置Info
- Publication number
- JP2000304524A JP2000304524A JP11111010A JP11101099A JP2000304524A JP 2000304524 A JP2000304524 A JP 2000304524A JP 11111010 A JP11111010 A JP 11111010A JP 11101099 A JP11101099 A JP 11101099A JP 2000304524 A JP2000304524 A JP 2000304524A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- misalignment
- electron
- electrons
- electron microscope
- observation object
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
することが可能な合わせずれ評価方法及び合わせずれ評
価装置を提供すること。 【解決手段】 表面に絶縁層が設けられた少なくとも二
層以上からなる観察対象物11に形成された積層パター
ンの位置の合わせずれを電子顕微鏡装置10を用いて評
価する合わせずれ評価方法であり、電子鏡筒12から発
せられる電子の加速電圧、電子密度、及び電子の照射時
間を制御回路16で制御し、絶縁酸化膜で覆われた観察
対象物11から反射された二次電子を二次電子検出器1
3で検出し、さらにこの検出結果を処理装置14により
処理して観察対象物11に形成された積層パターンの位
置ずれを算出することを特徴とする。
Description
た合わせずれ評価方法及び合わせずれ評価装置に関す
る。
ー素子を作製する場合、エッチングにより溝を形成した
後、この溝に例えばPo−Si等の材質を埋め込んでト
レンチ構造を形成し、さらにこのトレンチ構造の上部に
ゲート絶縁膜を形成している。
とゲート絶縁膜の位置が合っているか否かを検出する必
要があるが、かかる合わせずれ検出では、光学式顕微鏡
では分解能が足りないので、上記トレンチゲートパワー
素子を壁開してその壁開した断面を断面SEM等の電子
顕微鏡を用いて検査している。
パワー素子以外の基板、例えば表面がレジストで覆われ
た基板においても、同様に基板の壁開を行った後に電子
顕微鏡を用いて検査している。
ように基板を壁開してこの断面を断面SEMにより検査
する検査方法では、所定の枚数毎に基板を壁開する必要
が生じてしまう。基板を壁開してしまうと、所定の工程
を経て形成した基板を無駄にしてしまい、コストの無駄
となっている。
料、或いは同種材料であっても変質したり電子密度が異
なっているパターンに対応した2次電子の発生量の変化
を検出する検査を、壁開せずに行うことが望まれてい
る。
で、その目的とするところは、壁開せずに観察対象物の
積層パターンを認識することが可能な合わせずれ評価方
法及び合わせずれ評価装置を提供することにある。
に、請求項1記載の発明は、表面に絶縁層が設けられた
少なくとも二層以上からなる観察対象物に形成された積
層パターンの位置の合わせずれを電子顕微鏡を用いて評
価する合わせずれ評価方法において、上記電子顕微鏡か
ら発せられる電子の加速電圧を制御する第1の制御工程
と、上記電子顕微鏡から発せられる電子の電子密度を制
御する第2の制御工程と、上記電子顕微鏡から発せられ
る電子の照射時間を制御する第3の制御工程と、上記電
子顕微鏡本体から観察対象物に向けて電子を照射する照
射工程と、上記観察対象物から反射される二次電子を検
出する検出工程と、上記検出工程での検出結果を演算処
理して観察対象物の積層パターンの位置ずれを算出する
位置ずれ算出工程と、を具備することを特徴とする合わ
せずれ評価方法である。
程、第2の制御工程、及び第3の制御工程は、同時に行
うことを特徴とする請求項1記載の合わせずれ評価方法
である。
程、第2の制御工程、及び第3の制御工程は、上記位置
ずれ算出工程での夫々の層の認識結果に基づいてフィー
ドバック制御されることを特徴とする請求項1又は請求
項2記載の合わせずれ評価方法である。
けられた少なくとも二層以上からなる観察対象物に形成
された積層パターンの位置の合わせずれを電子顕微鏡を
用いて評価する合わせずれ評価方法において、上記電子
顕微鏡本体から観察対象物に向けて電子を照射する照射
工程と、上記観察対象物から反射される二次電子を検出
する検出工程と、上記検出工程での検出結果を演算処理
して観察対象物の積層パターンの位置ずれを算出する位
置ずれ算出工程と、上記位置ずれ算出工程での位置ずれ
の算出度合いに応じて上記電子顕微鏡から発せられる電
子の加速電圧を制御する第1の制御工程と、上記位置ず
れ算出工程での位置ずれの算出度合いに応じて上記電子
顕微鏡から発せられる電子の電子密度を制御する第2の
制御工程と、上記位置ずれ算出工程での位置ずれの算出
度合いに応じて上記電子顕微鏡から発せられる電子の照
射時間を制御する第3の制御工程と、を具備することを
特徴とする合わせずれ評価方法である。
工程は、積層パターンの夫々の層の縁の認識と、一方の
層の幅方向における縁から他方の層の幅方向における縁
迄の長さの測定とを行うことを特徴とする請求項1乃至
請求項4のいずれかに記載の合わせずれ評価方法であ
る。
けられた少なくとも二層以上からなる積層パターンの位
置の合わせずれを評価する合わせずれ評価装置におい
て、電子顕微鏡本体と、上記電子顕微鏡本体に設けら
れ、この電子顕微鏡本体から観察対象物に発せられる電
子の加速電圧、電子密度、及び電子の照射時間を制御す
る制御手段と、上記観察対象物から反射される二次電子
を検出する二次電子検出手段と、上記二次電子検出手段
から伝送される検出結果を演算処理して観察対象物の積
層パターンの位置ずれを算出する位置ずれ算出手段と、
を具備することを特徴とする合わせずれ評価装置であ
る。
上記位置ずれ算出手段での夫々の層の位置の認識結果に
基づいてフィードバック制御されることを特徴とする請
求項6記載の合わせずれ評価装置である。
けられた少なくとも二層以上からなる積層パターンの位
置の合わせずれを評価する合わせずれ評価装置におい
て、観察対象物に向けて電子を照射する電子顕微鏡本体
と、上記観察対象物から反射される二次電子を検出する
二次電子検出手段と、上記二次電子検出手段から伝送さ
れる検出結果を演算処理して観察対象物の積層パターン
の位置ずれを算出する位置ずれ算出手段と、上記位置ず
れ算出手段により位置ずれを算出できなかった場合に、
上記電子顕微鏡から観察対象物に発せられる電子の加速
電圧、電子密度、及び電子の照射時間を制御する制御手
段と、を具備することを特徴とする合わせずれ評価装置
である。
手段は、積層パターンの夫々の層の縁の認識と、一方の
層の幅方向における縁から他方の層の幅方向における縁
迄の長さの測定とを行うことを特徴とする請求項6乃至
請求項8のいずれかに記載の合わせずれ評価装置であ
る。
生じる。請求項1の発明によると、加速電圧を制御する
第1の制御工程、電子密度を制御する第2の制御工程、
及び電子の照射時間を制御する第3の制御工程を有した
構成のため、これら加速電圧、電子密度、電子の照射時
間を適宜の値に設定することにより絶縁層に積層して設
けられた積層パターンを認識することが可能となる。
することが可能となり、観察対象物を壁開する必要がな
くなり、この観察対象物の生産性を向上させることがで
きる。それにより、コストの低減を図ることも可能とな
る。
速電圧、電子密度、及び照射時間に設定することによっ
ても積層パターンを良好に認識することが可能となり、
観察対象物を構成する層の位置の合わせずれを検出し
て、各層の位置の合わせずれが生じている度合いを算出
することが可能となる。
程、第2の制御工程、及び第3の制御工程を同時に行う
ことにより、絶縁層で覆われた積層パターンを認識する
ことが可能となる。
ずれ認識により観察対象物の夫々の層の認識結果に基づ
いてフィードバック制御されるので、絶縁層で覆われた
積層パターンを認識することが可能となっている。
程での位置ずれの算出度合いに応じて電子顕微鏡から発
せられる電子の加速電圧、電子密度、及び照射時間が制
御される。このため、加速電圧等を制御調整すれば、良
好な位置ずれの算出結果を得ることが可能となる。
パターンの夫々の層の縁の認識と、一方の層の幅方向に
おける縁から他方の層の幅方向における縁迄の長さの測
定とを行うため、観察対象物に位置ずれが生じているか
否かを位置ずれ算出により測定することが可能となる。
それにより、壁開せずに観察対象物の非破壊検査を良好
に行うことが可能となる。
を制御して照射した後に、二次電子検出手段及び位置ず
れ算出手段で処理を行えば、積層パターンの位置の合わ
せずれを良好に検出することが可能となる。
な加速電圧、電子密度、及び照射時間となるように制御
手段を制御することによっても積層パターンを良好に認
識することが可能となっている。
できなかった場合に、電子顕微鏡から観察対象物に発せ
られる電子の加速電圧、電子密度、及び電子の照射時間
を制御するので、これらの値を適正な値に制御すれば、
積層パターンを壁開せずに良好に認識することが可能と
なる。
いて、図1ないし図9に基づいて説明する。
せずれ評価装置としての電子顕微鏡装置10である。こ
の電子顕微鏡装置10は、CD−SEM等の走査型電子
顕微鏡であり、観察対象物11に電子を放射可能として
いる。
対向配置された電子鏡筒12と、観察対象物から飛び出
した二次電子の量を検出する二次電子検出手段としての
二次電子検出器13と、この二次電子からの信号を処理
するパーソナルコンピュータ等の位置ずれ算出手段とし
ての処理装置14と、この処理装置14における処理結
果に基づいて電子鏡筒12を制御する制御手段としての
制御回路15とを備えている。
のアナログ信号をデジタル信号に変換するA/D変換器
16と、A/D変換器16でデジタル化した二次電子観
察像を一時的に記憶させておくことが可能なフレームメ
モリ17と、フレームメモリ17に記憶された二次電子
観察像を演算処理する演算処理装置18と、補助メモリ
19とから構成されている。
の内容に対して、補助メモリ19に保存されているプロ
グラムを実行し、得られた二次電子観察像の特徴量を算
出する。制御回路15は、演算処理装置18で得られた
特徴量に基づいて電子銃20、加速レンズ21、偏向レ
ンズ22、対物レンズ23に印加する電圧又は流す電流
及びその時間を制御する。すなわち、制御回路15で
は、電子の加速電圧と、電子の電子密度と、電子の照射
時間とを適宜の値に制御するように構成されている。な
お、これら加速電圧、電子密度、及び照射時間は、夫々
独立に制御可能に構成されている。
20から放出された電子は、加速レンズ21により適宜
の高電圧で加速され、偏向コイル22で一旦焦点を結ぶ
ように偏向される。さらに、対物レンズ23を通過する
ことにより、観察対象物11の表面上で再び焦点が結ば
れる。このとき、電子ビームのスポット径は、数nmと
なるように焦結される。
た電子ビーム(1次電子)は、この観察対象物11を構
成する物質中に存在している電子にエネルギを供与する
ことになり、それによって観察対象物11から電子が外
へ飛び出す。このようにして飛び出した電子が二次電子
であり、その発生領域は入射してきた電子ビームの拡散
範囲とほぼ同じ広がりを有している。また、観察対象物
11から脱出する二次電子のエネルギは、50kV以下
と低くなっており、表面から10nm以内で発生した二
次電子が数kVの電界で二次電子検出器13に引き寄せ
られ、検出される。
出し、その検出量信号がディスプレイ24に表示され
る。すなわち、観察対象物11の表面から10nm以内
で発生した二次電子が、この観察対象物11から放出さ
れて結像としての働きを為す。
電子以外にも反射電子が放射されるが、この反射電子を
検出するための反射電子検出器を別途設ける構成として
も構わない。
出された検出信号が処理装置14に伝送され、A/D変
換器16を通過してフレームメモリ17に記憶される。
そして、このフレームメモリ17に記憶された検出結果
(画像データ)に対して、補助メモリ19に保存されて
いるプログラムが実行される。このプログラムは、上記
画像データに対し、この画像データの画像パターンから
例えば絶縁酸化膜の縁(以下、絶縁酸化膜ラインと呼
ぶ)の位置を認識し、さらに、例えば絶縁酸化膜に配線
パターンが覆われている場合、この配線パターンの位置
(配線パターンの縁の位置であり、以下、配線パターン
ラインと呼ぶ。)を認識する。
縁酸化膜の層の絶縁酸化膜ラインから、この絶縁酸化膜
が積層して設けられている配線パターンライン迄の長さ
の測定を行い、この長さの測定を絶縁酸化膜の幅方向の
両側ともに行う。そして、この両側の測定結果より、絶
縁酸化膜ラインに対して配線パターンラインの位置が適
正な位置か否かを評価する。
わせずれを評価できるように構成されている。
に接続されており、上述の配線パターンの認識結果に基
づいて、この制御回路15をフィードバック制御するこ
とが可能である。すなわち、上述の補助メモリ19に保
存されているプログラムが実行されて画像の認識をした
結果、積層されて表面に存しない第2層、第3層等の積
層パターンが認識できないときは、上記制御回路15に
おいて加速電圧と、電子密度と、照射時間とを夫々独立
に自動的に制御調整する。それによって、積層パターン
を自動的に認識する。
も、上記補助メモリ19に保存されている。
制御可能な構成とはせずに、制御回路15における夫々
の値をマニュアル調整する構成としても構わない。
ク制御する場合でも、補助メモリ19以外の箇所、例え
ば制御回路15に上述の制御プログラムを組み込む構成
としても構わない。
察を行う観察対象物11の断面の一例として、その形状
を図2に示す。この図に示す観察対象物11は、平坦に
形成されたSiを材質とする下地25の上面に、タング
ステン(W)を材質とする配線26を形成し、更にこれ
ら下地25と配線26とを覆うように絶縁酸化膜(Si
O2 )27を形成する。
膜27の下地の上面からの厚さを1300nmに形成
し、配線の下地25の上面からの厚さを300nmに形
成する。すなわち、配線26の上面から絶縁酸化膜27
の上面までの絶縁酸化膜27の厚さを1000nmとな
るように形成する。
1に対して、試料電圧として1200Vを付与する。ま
た、この観察対象物11に向かう電子を加速するための
顕微鏡側電圧として2000Vを付与する。すなわち、
試料電圧と顕微鏡側電圧の差である加速電圧が800V
となるように設定する。
に示すように、絶縁酸化膜27で覆われた配線26のパ
ターンを観察することができない。
差である加速電圧が1850Vとなるように設定し、こ
れと共に、このような加速電圧付与の条件下、電子密度
及び電子の照射時間も適宜に設定した場合には、図3
(b)の電子顕微鏡写真に示すように、絶縁酸化膜27
で覆われた配線26のパターンを観察することが可能と
なった。なお、この配線26のパターンは、約1秒後に
は図3(c)の電子顕微鏡写真に示すように観察するこ
とができなくなった。
生じた原因を考察する。
6のパターンの検出の有無の相違が生じる一つの原因と
しては、図2に示すように、下地25の上面に配線26
のパターンを形成した場合と、配線26のパターンを形
成しない場合とでは絶縁酸化膜27の厚さの相違によ
り、絶縁酸化膜27の有する静電容量に差が生じている
ことが起因すると考えられる。
が形成されていない部位(すなわち、配線26のパター
ンが形成されている部位よりも絶縁酸化膜27が厚く形
成されている部位)での絶縁酸化膜27の有する容量を
C1 、配線27のパターンが形成されている部位(す
なわち、配線パターンが形成されていない部位よりも絶
縁酸化膜27が薄く形成されている部位)での絶縁酸化
膜27の容量をC2とすると、これらC1 とC2 に
相違が生じていることがその原因として考えられる。
りも大きくなり、このC1 の方に多くの電荷が蓄えら
れ、そのため加速電圧が一定以上に大きくなると、電荷
が一定以上蓄えられたC1 の部分でチャージアップが
発生する。そして、このC1 部分の表面より二次電子が
放出され、これが電子顕微鏡装置10で検出されて図3
に示すように配線26のパターンが認識可能となると考
えられる。
射する時間を長くすると、この観察対象物11の全体に
亘って電荷が蓄えられて、C1 とC2 の部分での二
次電子の放出量に差が生じなくなる。このため、短時間
のみ(上述の実験では、約1秒間)配線26のパターン
を観察することができると考えられる。
この加速電圧により加速される電子の電子密度と、電子
の照射時間の要素を調整することにより、配線26のパ
ターンを観察することが可能となると考えられる。
場合について述べたが、観察対象物はこれに限られず、
上述のように表面が絶縁体(絶縁酸化膜を含む)で覆わ
れた種々の観察対象物についても同様の方法により観察
を行うことが可能となっている。この観察対象物の例と
しては、図4に示すように、下地Si基板31の表面が
レジスト32で覆われた構成がある。
0Vとした場合には図5(b)の電子顕微鏡写真に示す
ように溝の形状33が鮮明に判別できないものとなって
いるが、加速電圧を1850Vとした場合には、図5
(a)の電子顕微鏡写真に示すように溝の形状33が鮮
明に判別可能となっている。
し、その次に加速電圧を800Vに設定し、続いて再び
1850Vに加速電圧を設定した場合の観察結果は、図
5(c)の電子顕微鏡写真に示すようになっている。こ
の場合は、最初に1850Vに加速電圧を設定した図5
(a)の方が、後に1850Vに加速電圧を設定した図
5(c)の場合よりも溝の形状33を鮮明に判別できる
ようになっている。
32で覆われた構成の他の例としては、溝36が略十字
形状を為すように形成された観察対象物35がある。こ
の観察対象物35を、電子顕微鏡装置10を用いて観察
した電子顕微鏡写真を図6に示す。この溝36は、その
幅が500nmに形成されており、またレジストとして
SAL606が500nmの膜厚で塗布されている。ま
た、加速電圧を2keVに設定している。すると、図6
に示すように、溝36が略十字形状を為しているのを観
察することが可能となる。
ated Gate Bipolar Transis
tor)である場合について、以下に説明する。
うな構成となっている。すなわち、このIGBT40
は、パワーMOSFETであるπ−MOSの裏面にP型
層を設けた構造となっている。具体的には、他端側にコ
レクタ電極41を有し、このコレクタ電極41に対し
て、P形領域に形成されたコレクタ層42が設けられて
いる。
れており、この配線43によりコレクタ44と接続され
ている。
重ねられている。Nベース45は、Siなどのシリコン
を材質として形成されている。このNベース45に対
し、例えばエッチングなどによって溝46を形成し、そ
の後にこの溝46に対してPoly−Si47を埋め込
んでトレンチライン48を形成する。
トレンチライン48の上面を覆うように絶縁酸化膜49
を被せる。この場合、トレンチライン48の幅寸法より
も絶縁酸化膜49の幅寸法が広くなるように、絶縁酸化
膜49を形成する。
の上面に形成した場合、トレンチライン48に対する絶
縁酸化膜49の位置がずれていないか否かが問題とな
る。すなわち、図7に示すように、トレンチライン48
の長手方向に平行な側面と、この方向に平行な絶縁酸化
膜49の側面との間の間隔が、一端側と他端側の両方の
側においてほぼ等しい寸法となっていることを要する。
すなわち、aとbの寸法がほぼ等しくならなければ、こ
れらの位置の合わせずれとなり不良の原因となる。
の合わせずれを検出する場合にも、上述のように所定の
加速電圧、電子密度、照射時間に設定すれば、絶縁酸化
膜49に対するトレンチライン48の位置を、図8及び
図9の電子顕微鏡写真に示すように認識することが可能
となっている。ここで、図8(a)、図8(b)、図9
(a)及び図9(b)の順に従って、IGBT40の観
察結果は拡大されている。
40の一種としてU−IGBTや、U−IGET(In
jection Enhanced Gate Tra
nsistor)を用いた場合でも、同様である。
合わせずれ評価方法によると、観察対象物11を壁開せ
ずに合わせずれが生じているか否かの観察を行うことが
できるので、観察対象物11を無駄にすることがない。
すなわち、制御回路15により加速電圧と、電子密度
と、照射時間とを夫々独立に制御調整することにより、
表面に絶縁酸化膜が形成された観察対象物11の積層パ
ターンを観察することが可能となる。
無駄にすることが無くなり、生産性の向上によるコスト
の低減を図ることが可能となる。
いるか否かの認識をすることができる。
内蔵されているプログラムにより、ディスプレイ18に
表示された画像が処理されて絶縁酸化膜ラインの位置の
認識や、この絶縁酸化膜に覆われた配線パターンの位置
を認識することが可能となる。
識、及び絶縁酸化膜に覆われた配線パターンの位置の認
識を行った後に、絶縁酸化膜の端部から、この絶縁酸化
膜が積層して設けられている積層パターンの端部迄の長
さの測定を行い、この絶縁酸化膜のラインに対して積層
パターンのラインの位置があっているか否かを評価する
ことが可能となる。
壁開して位置ずれの確認を行う必要がなくなり、観察対
象物11,30,40に無駄が生じることがなくなる。
4での認識結果に基づいてフィードバック制御される構
成のため、観察対象物11を観察させたときに積層パタ
ーンが最初は認識できなくても、自動的に認識させるこ
とが可能となる。
が可能となる。
したが、本発明はこれ以外にも種々変形可能となってい
る。以下それについて述べる。
ついて説明したが、これ以外の観察対象物を観察する場
合にも、本発明の合わせずれ評価方法を適用可能であ
る。ここで、本発明を適用可能な観察対象物としては、
表面が絶縁体で覆われている必要があり、この絶縁体で
表面が覆われた観察対象物ならば、上述の加速電圧、電
子密度、及び照射時間を調整することにより、積層され
た積層パターンを認識することが可能となっている。
料、或いは同種材料であっても変質したものや電子密度
が異なっているパターン等も、本発明を用いて認識可能
となっている。
の他に、例えばレジスト等、種々の材質に対して本発明
を適用可能である。
測のためのプログラムと、同じくこの補助メモリ19に
内蔵された制御プログラムとを一体化させても構わな
い。
速電圧、電子密度、及び照射時間の制御は、電子を照射
しながらマニュアル若しくは自動的に制御調整するもの
である。しかしながら、測定対象によって予め加速電
圧、電子密度、及び照射時間をどの程度の値に設定すれ
ば良いか分かっているときは、測定対象の種類によって
測定前に予め適宜の加速電圧、電子密度、及び照射時間
に制御調整しておくことも可能である。
度、及び照射時間の制御調整には2つの概念があり、1
つは上述の実施の形態で述べたように、電子を照射しな
がら加速電圧等を制御調整するという概念である。ま
た、もう1つは電子を照射する前に観察対象物の種類に
応じて加速電圧等を制御調整するという概念である。そ
して、これら両方の概念も、本発明に含まれるものであ
る。
に実現させる構成としても、構わない。
おいて、種々変更可能となっている。
加速電圧を制御する第1の制御手段、電子密度を制御す
る第2の制御手段、及び電子の照射時間を制御する第3
の制御手段を有した構成のため、これら加速電圧、電子
密度、電子の照射時間を適宜の値に設定することにより
絶縁層に積層して設けられた積層パターンを認識するこ
とが可能である。
することが可能となり、観察対象物を壁開する必要がな
くなり、この観察対象物の生産性を向上させることがで
きる。それにより、コストの低減を図ることも可能とな
る。
速電圧、電子密度、及び照射時間に設定することによっ
ても積層パターンを良好に認識することが可能となって
いる。
装置の構成を示す概略図。
化膜により下地Siに形成された配線が覆われた構成を
示す断面図。
の観察結果を示す電子顕微鏡写真であり、(a)は加速
電圧が800Vである場合、(b)は加速電圧が185
0Vである場合、(c)は(b)に示した観察結果が得
られてから1秒後の観察結果を示す。
ーンが形成された下地Si基板がレジストで覆われた構
成を示す図。
の観察結果を示す電子顕微鏡写真であり、(a)は加速
電圧が1850Vである場合、(b)は加速電圧が80
0Vである場合、(c)は(b)の条件の後に(a)の
条件に戻して加速電圧を1850Vとした場合の観察結
果を示す。
の溝パターンが下地Si基板に形成された観察対象物の
観察結果を示す電子顕微鏡写真。
BTの構成を示す側面断面図。
の認識結果を示す電子顕微鏡写真であり、(a)から
(b)に向かい観察対象物の認識結果の倍率を拡大変更
して示した状態を示す。
の認識結果を示す電子顕微鏡写真であり、(c)から
(b)に向かい観察対象物の認識結果の倍率を更に拡大
変更して示した状態を示す。
Claims (9)
- 【請求項1】 表面に絶縁層が設けられた少なくとも二
層以上からなる観察対象物に形成された積層パターンの
位置の合わせずれを電子顕微鏡を用いて評価する合わせ
ずれ評価方法において、 上記電子顕微鏡から発せられる電子の加速電圧を制御す
る第1の制御工程と、 上記電子顕微鏡から発せられる電子の電子密度を制御す
る第2の制御工程と、 上記電子顕微鏡から発せられる電子の照射時間を制御す
る第3の制御工程と、 上記電子顕微鏡本体から観察対象物に向けて電子を照射
する照射工程と、 上記観察対象物から反射される二次電子を検出する検出
工程と、 上記検出工程での検出結果を演算処理して観察対象物の
積層パターンの位置ずれを算出する位置ずれ算出工程
と、 を具備することを特徴とする合わせずれ評価方法。 - 【請求項2】 上記第1の制御工程、第2の制御工程、
及び第3の制御工程は、同時に行うことを特徴とする請
求項1記載の合わせずれ評価方法。 - 【請求項3】 上記第1の制御工程、第2の制御工程、
及び第3の制御工程は、上記位置ずれ算出工程での夫々
の層の認識結果に基づいてフィードバック制御されるこ
とを特徴とする請求項1又は請求項2記載の合わせずれ
評価方法。 - 【請求項4】 表面に絶縁層が設けられた少なくとも二
層以上からなる観察対象物に形成された積層パターンの
位置の合わせずれを電子顕微鏡を用いて評価する合わせ
ずれ評価方法において、 上記電子顕微鏡本体から観察対象物に向けて電子を照射
する照射工程と、 上記観察対象物から反射される二次電子を検出する検出
工程と、 上記検出工程での検出結果を演算処理して観察対象物の
積層パターンの位置ずれを算出する位置ずれ算出工程
と、 上記位置ずれ算出工程での位置ずれの算出度合いに応じ
て上記電子顕微鏡から発せられる電子の加速電圧を制御
する第1の制御工程と、 上記位置ずれ算出工程での位置ずれの算出度合いに応じ
て上記電子顕微鏡から発せられる電子の電子密度を制御
する第2の制御工程と、 上記位置ずれ算出工程での位置ずれの算出度合いに応じ
て上記電子顕微鏡から発せられる電子の照射時間を制御
する第3の制御工程と、 を具備することを特徴とする合わせずれ評価方法。 - 【請求項5】 上記位置ずれ算出工程は、積層パターン
の夫々の層の縁の認識と、一方の層の幅方向における縁
から他方の層の幅方向における縁迄の長さの測定とを行
うことを特徴とする請求項2乃至請求項4のいずれかに
記載の合わせずれ評価方法。 - 【請求項6】 表面に絶縁層が設けられた少なくとも二
層以上からなる積層パターンの位置の合わせずれを評価
する合わせずれ評価装置において、 電子顕微鏡本体と、 上記電子顕微鏡本体に設けられ、この電子顕微鏡本体か
ら観察対象物に発せられる電子の加速電圧、電子密度、
及び電子の照射時間を制御する制御手段と、 上記観察対象物から反射される二次電子を検出する二次
電子検出手段と、 上記二次電子検出手段から伝送される検出結果を演算処
理して観察対象物の積層パターンの位置ずれを算出する
位置ずれ算出手段と、 を具備することを特徴とする合わせずれ評価装置。 - 【請求項7】 上記制御手段は、上記位置ずれ算出手段
での夫々の層の位置の認識結果に基づいてフィードバッ
ク制御されることを特徴とする請求項6記載の合わせず
れ評価装置。 - 【請求項8】 表面に絶縁層が設けられた少なくとも二
層以上からなる積層パターンの位置の合わせずれを評価
する合わせずれ評価装置において、 観察対象物に向けて電子を照射する電子顕微鏡本体と、 上記観察対象物から反射される二次電子を検出する二次
電子検出手段と、 上記二次電子検出手段から伝送される検出結果を演算処
理して観察対象物の積層パターンの位置ずれを算出する
位置ずれ算出手段と、 上記位置ずれ算出手段により位置ずれを算出できなかっ
た場合に、上記電子顕微鏡から観察対象物に発せられる
電子の加速電圧、電子密度、及び電子の照射時間を制御
する制御手段と、 を具備することを特徴とする合わせずれ評価装置。 - 【請求項9】 上記位置ずれ算出手段は、積層パターン
の夫々の層の縁の認識と、一方の層の幅方向における縁
から他方の層の幅方向における縁迄の長さの測定とを行
うことを特徴とする請求項6乃至請求項8のいずれかに
記載の合わせずれ評価装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11101099A JP4128691B2 (ja) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | 合わせずれ評価方法及び合わせずれ評価装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11101099A JP4128691B2 (ja) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | 合わせずれ評価方法及び合わせずれ評価装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000304524A true JP2000304524A (ja) | 2000-11-02 |
JP4128691B2 JP4128691B2 (ja) | 2008-07-30 |
Family
ID=14550123
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11101099A Expired - Fee Related JP4128691B2 (ja) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | 合わせずれ評価方法及び合わせずれ評価装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4128691B2 (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02159508A (ja) * | 1988-12-12 | 1990-06-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 荷電ビームを用いた測定装置における照射条件決定方法およびそれに用いる評価パタン |
JPH0676778A (ja) * | 1992-08-26 | 1994-03-18 | Jeol Ltd | 2次電子像表示方法および走査電子顕微鏡 |
JPH07153673A (ja) * | 1993-11-30 | 1995-06-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法および測定マークパターン |
JPH10221046A (ja) * | 1997-02-06 | 1998-08-21 | Hitachi Ltd | 走査型荷電粒子顕微鏡 |
JPH10294345A (ja) * | 1996-03-05 | 1998-11-04 | Hitachi Ltd | 回路パターンの検査方法及び検査装置 |
JPH1144664A (ja) * | 1997-07-29 | 1999-02-16 | Matsushita Electron Corp | 重ね合わせ測定方法及び測定装置及び測定パターン |
JP2000243695A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-09-08 | Toshiba Corp | 合わせずれ検査方法、半導体装置の製造方法及び合わせずれ検査プログラムを記録した記録媒体 |
-
1999
- 1999-04-19 JP JP11101099A patent/JP4128691B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02159508A (ja) * | 1988-12-12 | 1990-06-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 荷電ビームを用いた測定装置における照射条件決定方法およびそれに用いる評価パタン |
JPH0676778A (ja) * | 1992-08-26 | 1994-03-18 | Jeol Ltd | 2次電子像表示方法および走査電子顕微鏡 |
JPH07153673A (ja) * | 1993-11-30 | 1995-06-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法および測定マークパターン |
JPH10294345A (ja) * | 1996-03-05 | 1998-11-04 | Hitachi Ltd | 回路パターンの検査方法及び検査装置 |
JPH10221046A (ja) * | 1997-02-06 | 1998-08-21 | Hitachi Ltd | 走査型荷電粒子顕微鏡 |
JPH1144664A (ja) * | 1997-07-29 | 1999-02-16 | Matsushita Electron Corp | 重ね合わせ測定方法及び測定装置及び測定パターン |
JP2000243695A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-09-08 | Toshiba Corp | 合わせずれ検査方法、半導体装置の製造方法及び合わせずれ検査プログラムを記録した記録媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4128691B2 (ja) | 2008-07-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7164126B2 (en) | Method of forming a sample image and charged particle beam apparatus | |
US7019293B1 (en) | Position detecting system and method | |
JP4969231B2 (ja) | 試料電位情報検出方法及び荷電粒子線装置 | |
US20100019148A1 (en) | Inspection apparatus for circuit pattern | |
US20030111602A1 (en) | Method of forming a sample image and charged particle beam apparatus | |
US20070158560A1 (en) | Charged particle beam system, semiconductor inspection system, and method of machining sample | |
US7218126B2 (en) | Inspection method and apparatus for circuit pattern | |
US20070029478A1 (en) | Method of forming a sample image and charged particle beam apparatus | |
JPH0868772A (ja) | 電子ビーム・マイクロスコピーを用いた自動マスク検査装置及び方法 | |
JPH11214461A (ja) | 半導体装置のホール開口検査方法とそのための装置 | |
JPH08329875A (ja) | 走査型電子顕微鏡及びその試料像表示方法 | |
JPH10300450A (ja) | 荷電粒子ビームを用いたホールの検査方法 | |
JP2000304524A (ja) | 合わせずれ評価方法及び合わせずれ評価装置 | |
JPH08195181A (ja) | 走査型電子顕微鏡 | |
JP2001148232A (ja) | 走査形電子顕微鏡 | |
JP5686627B2 (ja) | パターン寸法測定方法、及び荷電粒子線装置 | |
JP2000260380A (ja) | 電子ビーム検査装置 | |
JPH0727549A (ja) | 測長機能を備えた走査電子顕微鏡 | |
US7560693B2 (en) | Electron-beam size measuring apparatus and size measuring method with electron beams | |
JP2001093950A (ja) | 半導体パターン検査装置および半導体パターン検査方法 | |
JPS59155941A (ja) | 電子ビーム検査方法および装置 | |
JP3132796B2 (ja) | 半導体素子の観察方法及びそれに用いる走査形電子顕微鏡 | |
JPH10221046A (ja) | 走査型荷電粒子顕微鏡 | |
JP7508671B2 (ja) | リターディング電圧を用いた電子線検査装置 | |
KR100239754B1 (ko) | 주사전자현미경용 얼라인먼트 포지션 시료 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060310 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071004 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071120 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080219 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080418 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080513 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080515 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120523 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120523 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130523 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130523 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140523 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |