JP2000298626A - フラッシュメモリ回路の活性化方式及びその方法 - Google Patents

フラッシュメモリ回路の活性化方式及びその方法

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JP2000298626A
JP2000298626A JP10558399A JP10558399A JP2000298626A JP 2000298626 A JP2000298626 A JP 2000298626A JP 10558399 A JP10558399 A JP 10558399A JP 10558399 A JP10558399 A JP 10558399A JP 2000298626 A JP2000298626 A JP 2000298626A
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flash memory
area
memory circuit
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Toshihiro Haruki
敏宏 春木
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NEC Corp
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NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】データ書き込み、あるいはデータ消去の機能を
持つフラッシュメモリ回路において、時間経過によるデ
ータ変化、データ化けによる不具合が発生することによ
る装置障害を未然に防ぐことができるフラッシュメモリ
回路の活性化方式及びその方法を提供する。 【解決手段】アドレスにより複数の領域に分割され、該
複数の領域のうち一部の領域がバッファ領域として残さ
れ、バッファ領域を除いた有効領域に分割して有効情報
が記憶されるフラッシュメモリ回路と、有効情報の1の
有効領域からバッファ領域への転送を繰り返す転送手段
と、を備え、1回の転送により転送元の領域は有効領域
からバッファ領域となり、転送先の領域はバッファ領域
から有効領域となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はフラッシュメモリ回
路の活性化方式及びその方法に関し、特に移動体基地局
装置に用いられるフラッシュメモリ回路の活性化方式及
びその方法に関する。
【0002】
【従来の技術】自動車/携帯電話システム、PHSに代
表される移動体通信システムの基地局装置には数多くの
フラッシュメモリ回路が利用されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】これらのフラッシュメ
モリ回路は基地局装置を動作させるオペレーションソフ
トや契約者情報、課金情報を記憶するために利用され
る。またセンター設備からのデータ/ソフトダウンロー
ドによるデータ書き換えにより新たな機能追加、情報変
更が可能となる。
【0004】このような重要なデータを記憶しているフ
ラッシュメモリ回路において、長時間アクセスがされな
い(データの読み出し、書き換え等の活性化がされな
い)場合、フラッシュメモリ回路のデータが電圧低下に
よるデータ変化、データ化けを起こす場合があった。
【0005】図5に示すようにフラッシュメモリ回路の
データは「1」又は「0」のデータを記憶している。デ
ータが「1」又は「0」であることは電圧レベルを閾値
と比較することにより判断しているが、「1」のデータ
の電圧が時間の経過により徐々に低下して、「0」と判
断される電圧レベルに低下することがある。これにより
データ変化、データ化けが発生することとなる。
【0006】本発明は、データ書き込み、あるいはデー
タ消去の機能を持つフラッシュメモリ回路において、時
間経過によるデータ変化、データ化けによる不具合が発
生することによる装置障害を未然に防ぐことができるフ
ラッシュメモリ回路の活性化方式及びその方法を提供す
ることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明によるフラッシュ
メモリ回路の活性化方式は、アドレスにより複数の領域
に分割され、該複数の領域のうち一部の領域がバッファ
領域として残され、バッファ領域を除いた有効領域に分
割して有効情報が記憶されるフラッシュメモリ回路と、
有効情報の1の有効領域からバッファ領域への転送を繰
り返す転送手段と、を備え、1回の転送により転送元の
領域は有効領域からバッファ領域となり、転送先の領域
はバッファ領域から有効領域となることを特徴とする。
【0008】また、本発明によるフラッシュメモリ回路
の活性化方式は、アドレスにより複数の領域に分割さ
れ、該複数の領域に分割して有効情報が記憶される第1
のフラッシュメモリ回路と、前記複数の領域のうちの各
々の領域と容量が同一の又は上回る第2のフラッシュメ
モリ回路と、1の領域に記憶されている有効情報の当該
1の領域から前記第2のフラッシュメモリ回路への転送
と、前記第2のフラッシュメモリ回路から当該1の領域
への転送を繰り返す転送手段と、を備えることを特徴と
する。
【0009】更に、本発明によるフラッシュメモリ回路
の活性化方式は、有効情報が記憶される第1のフラッシ
ュメモリ回路と、前記第1のフラッシュメモリ回路と容
量が同一の又は上回る第2のフラッシュメモリ回路と、
前記有効情報の前記第1のフラッシュメモリ回路から前
記第2のフラッシュメモリ回路への転送と前記第2のフ
ラッシュメモリ回路から前記第1のフラッシュメモリ回
路への転送を行う転送手段と、を備えることを特徴とす
る。
【0010】本発明によるフラッシュメモリ回路の活性
化方法は、フラッシュメモリ回路を用意するステップ
と、前記フラッシュメモリ回路をアドレスにより複数の
領域に分割し、該複数の領域のうち一部の領域をバッフ
ァ領域として残し、バッファ領域を除いた有効領域に分
割して有効情報を記憶しておくステップと、有効情報の
1の有効領域からバッファ領域への転送を繰り返すステ
ップと、を有し、1回の転送により転送元の領域は有効
領域からバッファ領域となり、転送先の領域はバッファ
領域から有効領域となることを特徴とする。
【0011】また、本発明によるフラッシュメモリ回路
の活性化方法は、第1のフラッシュメモリを用意するス
テップと、前記第1のフラッシュメモリ回路をアドレス
により複数の領域に分割し、該複数の領域に分割して有
効情報を記憶しておくステップと、前記複数の領域のう
ちの各々の領域と容量が同一の又は上回る第2のフラッ
シュメモリ回路を用意するステップと、1の領域に記憶
されている有効情報の当該1の領域から前記第2のフラ
ッシュメモリ回路への転送と、前記第2のフラッシュメ
モリ回路から当該1の領域への転送を繰り返すステップ
と、を有することを特徴とする。
【0012】更に、本発明によるフラッシュメモリ回路
の活性化方法は、第1のフラッシュメモリを用意するス
テップと、前記第1のフラッシュメモリに有効情報を記
憶するステップと、前記第1のフラッシュメモリ回路と
容量が同一の又は上回る第2のフラッシュメモリ回路を
用意するステップと、前記有効情報の前記第1のフラッ
シュメモリ回路から前記第2のフラッシュメモリ回路へ
の転送と前記第2のフラッシュメモリ回路から前記第1
のフラッシュメモリ回路への転送を行うステップと、を
有することを特徴とする。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態では、一定期間
毎にメモリデータの活性化(データの読み込み、転送、
再書き込み)を次の方法で実施することにより、電圧低
下を起こしているデータを再度元の状態に戻し、これに
よりデータ変化、データ化けを未然に防ぐ。
【0014】1.フラッシュメモリ回路の空き容量を利
用し、データの活性化(読み込み、転送、再書き込み)
をすることにより行う。
【0015】2.別の小容量フラッシュメモリ回路を利
用して、情報転送(データの読み込み、転送、書き込
み、消去)することにより行う。
【0016】3.元のフラッシュメモリ回路と同容量の
フラッシュメモリ回路を利用して、情報転送(データの
読み込み、転送、書き込み、消去)することにより行
う。
【0017】本実施形態によるフラッシュメモリ回路の
活性化方式を備える移動体基地局装置の構成例を図4に
示す。移動体基地局装置はアンテナ101、無線部10
2、制御部103、有線回路制御部104(スイッチン
グ、タイマー機能を含む)、DSU(Digital Service U
nit)105、フラッシュメモリ回路106及び電源部1
07を備える。
【0018】主要構成部の具体的な機能/動作に付いて
説明する。
【0019】移動体端末108から送信された電波をア
ンテナ101で受信した後、無線部102で電波を信号
に変換し、制御部103で信号を音声、データに変換す
る。受信したデータ中の加入者情報、課金情報をフラッ
シュメモリ回路106のデータと比較し、正規の加入者
と判断した場合、移動体端末108は有線回線制御部1
04、DSU105を経由し公衆網109と接続され
る。
【0020】また、公衆網109に接続された監視/制
御装置であるセンター設備110より加入者情報/オペ
レーションソフトをDSU105経由して、有線回線制
御部104が受け、有線回線制御部104はそのうちの
加入者情報をフラッシュメモリ回路106に書き込まれ
ている加入者情報と比較し、センター設備110より送
られてきた加入者情報/オペレーションソフトが正規の
情報であると判断した場合、フラッシュメモリ回路10
6に記憶されている加入者情報/オペレーションソフト
のうちオペレーションソフトをセンター設備110から
ダウンロードされたオペレーションソフトにより上書き
する。
【0021】[実施形態1]実施形態1を図1を参照し
て説明する。
【0022】図1に示すようにフラッシュメモリ回路1
06をアドレスにより複数の情報エリアに細分化し、1
つの情報エリアだけを情報の無い状態にしておく。図1
の例ではメモリ回路を6個の情報エリア(情報エリア
1、情報エリア2、...、情報エリア6)に細分化
し、まず、それらの情報エリアのうち情報エリア1から
情報エリア5までに有効な情報を記憶させ、情報エリア
6には有効な情報を記憶させない状態にする。ここで有
線回線制御部104内のタイマーの情報によりある一定
期間毎に(たとえば6ヶ月毎に)空いている情報エリア
6にその前の情報エリアである情報エリア5の情報を転
送する。この際のデータの読み出し、転送、再書き込み
の一連の動作により、データの活性化が行われる。次
に、同様に、空いた情報エリア5に情報エリア4の情報
を転送する。この様な転送を、情報エリア2に情報エリ
ア1の情報が転送されるまで繰り返す。この一連の情報
転送を有線回線制御部104のタイマーに設定された期
間毎に実行することにより、読み込み、転送、再書き込
みによるフラッシュメモリ回路の活性化をして、データ
変化、データ化けを防ぐことが出来る。
【0023】[実施形態2]実施形態2を図2を参照し
て説明する。
【0024】図2に示すようにフラッシュメモリ回路1
06とそのフラッシュメモリ回路に比較して容量の小さ
なフラッシュメモリ回路121により装置を構成する。
また、フラッシュメモリ回路106をアドレスにより複
数の情報エリアに細分化し、全ての情報エリアに細分化
された情報を記憶しておく。有線回線制御部104内の
タイマーの情報によりある一定期間毎に細分化された情
報を一度小容量のフラッシュメモリ回路121に転送
し、再度元のフラッシュメモリ回路の細分化された情報
エリアに情報転送する。この際のデータの読み出し、転
送、再書き込みの一連の動作により、データの活性化が
行われる。同様に細分化された情報の全てについて、小
容量のフラッシュメモリ回路121への転送と、小容量
のフラッシュメモリ回路121からの逆転送を行う。
【0025】図2を参照して説明するとフラッシュメモ
リ回路106の情報1を小容量のフラッシュメモリ回路
121に転送し、情報エリア1を空あるいはそのままの
状態とする。次に小容量のフラッシュメモリ回路121
にある情報1を元のフラッシュメモリ回路106の情報
エリア1に転送し、書き込み或いは上書きを実施する。
情報エリア1について上記の動作が終了したならば、同
様に情報エリア2〜5についての同様な動作を繰り返
す。最後に小容量のフラッシュメモリ121には情報が
無い状態で作業が終了する。この一連の情報転送を有線
回線制御部104のタイマーに設定された期間毎に実行
することにより、読み込み、転送、再書き込みによるフ
ラッシュメモリ回路の活性化をして、データ変化、デー
タ化けを防ぐことが出来る。
【0026】[実施形態3]実施形態3を図3を参照し
て説明する。
【0027】図3に示すように当該フラッシュメモリ回
路106と同じ容量を持つ他のフラッシュメモリ回路1
22により装置を構成する。有線回線制御部104のタ
イマーの情報によりある一定期間毎にフラッシュメモリ
回路106の情報を同じ容量のフラッシュメモリ回路1
22に転送し、再度フラッシュメモリ回路122から元
のフラッシュメモリ回路106に情報転送する。この際
のデータの読み出し、転送、再書き込みの一連の動作に
より、データの活性化が行われる。この一連の情報転送
を有線回線制御部104のタイマーに設定された期間毎
に実行することにより、読み込み、転送、再書き込みに
よるフラッシュメモリ回路の活性化をして、データ変
化、データ化けを防ぐことが出来る。
【0028】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
以下の効果が奏される。
【0029】第一の効果は特別のフラッシュメモリ回路
を設けること無く読み込み、転送、再書き込みよりなる
フラッシュメモリ回路の活性化を実施することにより、
データ変化、データ化けを防ぐことが出来ることにあ
る。
【0030】第二の効果は非常に容量の少ないフラッシ
ュメモリ回路を利用することにより、効率よく読み込
み、転送、再書き込みよりなるフラッシュメモリ回路の
活性化を実施することにより、データ変化、データ化け
を防ぐことが出来ることにある。
【0031】第三の効果は元のフラッシュメモリ回路と
同じ容量のフラッシュメモリ回路を利用することによ
り、短時間に読み込み、転送、再書き込みよりなるフラ
ッシュメモリ回路の活性化を実施することにより、デー
タ変化、データ化けを防ぐことが出来ることにある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態1によるフラッシュメモリの
活性化方式を説明するための図である。
【図2】本発明の実施形態2によるフラッシュメモリの
活性化方式を説明するための図である。
【図3】本発明の実施形態3によるフラッシュメモリの
活性化方式を説明するための図である。
【図4】本発明の実施形態によるフラッシュメモリ回路
の活性化方式を適用する移動体基地局の構成を示すブロ
ック図である。
【図5】フラッシュメモリ回路のデータ化けを説明する
ための図である。
【符号の説明】
101 アンテナ 102 無線部 103 制御部 104 有線回線制御部 105 DSU 106 フラッシュメモリ回路 107 電源部 109 公衆網 110 センター設備 121 小容量のフラッシュメモリ回路 122 同様量のフラッシュメモリ回路

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アドレスにより複数の領域に分割され、
    該複数の領域のうち一部の領域がバッファ領域として残
    され、バッファ領域を除いた有効領域に分割して有効情
    報が記憶されるフラッシュメモリ回路と、 有効情報の1の有効領域からバッファ領域への転送を繰
    り返す転送手段と、 を備え、1回の転送により転送元の領域は有効領域から
    バッファ領域となり、転送先の領域はバッファ領域から
    有効領域となることを特徴とするフラッシュメモリ回路
    の活性化方式。
  2. 【請求項2】 アドレスにより複数の領域に分割され、
    該複数の領域に分割して有効情報が記憶される第1のフ
    ラッシュメモリ回路と、 前記複数の領域のうちの各々の領域と容量が同一の又は
    上回る第2のフラッシュメモリ回路と、 1の領域に記憶されている有効情報の当該1の領域から
    前記第2のフラッシュメモリ回路への転送と、前記第2
    のフラッシュメモリ回路から当該1の領域への転送を繰
    り返す転送手段と、 を備えることを特徴とするフラッシュメモリ回路の活性
    化方式。
  3. 【請求項3】 有効情報が記憶される第1のフラッシュ
    メモリ回路と、 前記第1のフラッシュメモリ回路と容量が同一の又は上
    回る第2のフラッシュメモリ回路と、 前記有効情報の前記第1のフラッシュメモリ回路から前
    記第2のフラッシュメモリ回路への転送と前記第2のフ
    ラッシュメモリ回路から前記第1のフラッシュメモリ回
    路への転送を行う転送手段と、 を備えることを特徴とするフラッシュメモリ回路の活性
    化方式。
  4. 【請求項4】 フラッシュメモリ回路を用意するステッ
    プと、 前記フラッシュメモリ回路をアドレスにより複数の領域
    に分割し、該複数の領域のうち一部の領域をバッファ領
    域として残し、バッファ領域を除いた有効領域に分割し
    て有効情報を記憶しておくステップと、 有効情報の1の有効領域からバッファ領域への転送を繰
    り返すステップと、 を有し、1回の転送により転送元の領域は有効領域から
    バッファ領域となり、転送先の領域はバッファ領域から
    有効領域となることを特徴とするフラッシュメモリ回路
    の活性化方法。
  5. 【請求項5】 第1のフラッシュメモリを用意するステ
    ップと、 前記第1のフラッシュメモリ回路をアドレスにより複数
    の領域に分割し、該複数の領域に分割して有効情報を記
    憶しておくステップと、 前記複数の領域のうちの各々の領域と容量が同一の又は
    上回る第2のフラッシュメモリ回路を用意するステップ
    と、 1の領域に記憶されている有効情報の当該1の領域から
    前記第2のフラッシュメモリ回路への転送と、前記第2
    のフラッシュメモリ回路から当該1の領域への転送を繰
    り返すステップと、 を有することを特徴とするフラッシュメモリ回路の活性
    化方法。
  6. 【請求項6】 第1のフラッシュメモリを用意するステ
    ップと、前記第1のフラッシュメモリに有効情報を記憶
    するステップと、 前記第1のフラッシュメモリ回路と容量が同一の又は上
    回る第2のフラッシュメモリ回路を用意するステップ
    と、 前記有効情報の前記第1のフラッシュメモリ回路から前
    記第2のフラッシュメモリ回路への転送と前記第2のフ
    ラッシュメモリ回路から前記第1のフラッシュメモリ回
    路への転送を行うステップと、 を有することを特徴とするフラッシュメモリ回路の活性
    化方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011216082A (ja) * 2010-03-18 2011-10-27 Kyocera Mita Corp 記憶制御装置、画像形成装置および記憶制御方法
JP2013205933A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Mitsubishi Electric Corp ファームウェア更新装置およびその方法
JP2016540297A (ja) * 2013-11-11 2016-12-22 クアルコム,インコーポレイテッド Nandメモリデバイス内に記憶されたデータのフェールセーフリフレッシュ

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