JP2000286611A - デュアルバンド非可逆回路装置 - Google Patents
デュアルバンド非可逆回路装置Info
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- circuit
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
- H01P1/38—Circulators
- H01P1/383—Junction circulators, e.g. Y-circulators
- H01P1/387—Strip line circulators
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Transceivers (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 2つの非可逆回路装置を並列接続しても挿入
損失の劣化を生じることなく、帯域幅が広く、小型、低
背で構造が簡単で、かつ電力消費の少ないデュアルバン
ド非可逆回路装置を提供することにある。 【解決手段】 1つの磁気回路中で、各々異なった周波
数帯域で動作する2つのサーキュレータ素子1,9を有
して構成される。サーキュレータ素子1は低周波側で動
作する集中定数型で構成され、サーキュレータ素子9は
高周波側で動作する分布定数型で構成されている。
損失の劣化を生じることなく、帯域幅が広く、小型、低
背で構造が簡単で、かつ電力消費の少ないデュアルバン
ド非可逆回路装置を提供することにある。 【解決手段】 1つの磁気回路中で、各々異なった周波
数帯域で動作する2つのサーキュレータ素子1,9を有
して構成される。サーキュレータ素子1は低周波側で動
作する集中定数型で構成され、サーキュレータ素子9は
高周波側で動作する分布定数型で構成されている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は移動体通信分野にお
いて2つの異なる周波数の無線サービスを1つの端末で
送受信するような場合に用いられる2つの異なる周波数
帯域で動作するデュアルバンド非可逆回路装置に関する
ものである。
いて2つの異なる周波数の無線サービスを1つの端末で
送受信するような場合に用いられる2つの異なる周波数
帯域で動作するデュアルバンド非可逆回路装置に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】従来技術として、特開平2−55406
号公報に開示された発明がある。同一磁気回路中に2つ
のサーキュレータを配置することによって、磁界の強さ
の調整が容易になり、部品点数が減り構造が簡単なサー
キュレータを提供しようとするものである。
号公報に開示された発明がある。同一磁気回路中に2つ
のサーキュレータを配置することによって、磁界の強さ
の調整が容易になり、部品点数が減り構造が簡単なサー
キュレータを提供しようとするものである。
【0003】以下、特開平2−55406号公報に開示
された発明について、図9を参照して具体的に説明す
る。該公報に記載された発明はサーキュレ−タ一体型ハ
イブリッドに関する発明である。このサーキュレ−タ一
体型ハイブリッドは、図9に示すように、ハイブリッド
の入力側または出力側のインピ−ダンス整合のための2
つのサーキュレータをハイブリッドと一体的にもつサー
キュレータ一体型ハイブリッドにおいて、ハイブリッド
の入力側または出力側の2つのサーキュレータ(41,
42)の内部導体(51,52)、フェライト(61,
62)、接地導体(71,72)、磁石(81,82)
を鉄などの磁性体(110)の上下に2段重ねし、該2
つのサーキュレータ(41,42)の磁石(81,8
2)の着磁の際に、同一方向の磁界による同時着磁を可
能とすることを特徴としている。
された発明について、図9を参照して具体的に説明す
る。該公報に記載された発明はサーキュレ−タ一体型ハ
イブリッドに関する発明である。このサーキュレ−タ一
体型ハイブリッドは、図9に示すように、ハイブリッド
の入力側または出力側のインピ−ダンス整合のための2
つのサーキュレータをハイブリッドと一体的にもつサー
キュレータ一体型ハイブリッドにおいて、ハイブリッド
の入力側または出力側の2つのサーキュレータ(41,
42)の内部導体(51,52)、フェライト(61,
62)、接地導体(71,72)、磁石(81,82)
を鉄などの磁性体(110)の上下に2段重ねし、該2
つのサーキュレータ(41,42)の磁石(81,8
2)の着磁の際に、同一方向の磁界による同時着磁を可
能とすることを特徴としている。
【0004】この場合、2個のサーキュレータの磁石の
着磁を同一磁界で同時に行える為、それぞれの磁界の強
さの調整が容易となる効果の他に、サーキュレータ一体
型ハイブリッドの構成部品点数が減り、構造が簡単とな
る効果が得られる。
着磁を同一磁界で同時に行える為、それぞれの磁界の強
さの調整が容易となる効果の他に、サーキュレータ一体
型ハイブリッドの構成部品点数が減り、構造が簡単とな
る効果が得られる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した従来
のデュアルサーキュレータの場合、2つの非可逆回路装
置を並列接続するとインピーダンスの不整合によって挿
入損失が劣化するという問題があった。
のデュアルサーキュレータの場合、2つの非可逆回路装
置を並列接続するとインピーダンスの不整合によって挿
入損失が劣化するという問題があった。
【0006】また近年の通信システムでは回線容量を多
く確保するために通過帯域幅が広くなる傾向があるが、
従来の非可逆回路装置では帯域幅が狭いため、これらシ
ステムに適用できないという問題があった。
く確保するために通過帯域幅が広くなる傾向があるが、
従来の非可逆回路装置では帯域幅が狭いため、これらシ
ステムに適用できないという問題があった。
【0007】また2倍、3倍での高調波を抑制するには
大きな減衰量が必要になるが、従来構成の場合、スプリ
アス帯域で大きな減衰量を確保することは困難であると
いう問題があった。また形状面では小型で低背化が、生
産性の観点からは簡単な構造が求められている。本発明
の目的は、かかる問題点を鑑みて行われ、2つの非可逆
回路装置を並列接続しても挿入損失の劣化を生じること
なく、帯域幅が広く、小型、低背で構造が簡単なデュア
ルバンド非可逆回路装置を提供することにある。
大きな減衰量が必要になるが、従来構成の場合、スプリ
アス帯域で大きな減衰量を確保することは困難であると
いう問題があった。また形状面では小型で低背化が、生
産性の観点からは簡単な構造が求められている。本発明
の目的は、かかる問題点を鑑みて行われ、2つの非可逆
回路装置を並列接続しても挿入損失の劣化を生じること
なく、帯域幅が広く、小型、低背で構造が簡単なデュア
ルバンド非可逆回路装置を提供することにある。
【0008】また、従来2つの周波数帯に対応させるア
ンテナ共用器として図10に示すような構成が考えられ
ていたが、ダイプレクサー201、スイッチ202,2
03、LPF204,206、BPF205,207な
どのそれぞれの挿入損失が加算されるため、送受信信号
の損失によって、送信パワーが不足したり受信感度が劣
化するという問題があった。さらにスイッチ切り替え時
には電力を消費するためにバッテリーの寿命が短くなる
という問題があった。本発明の他の目的はかかる問題点
を鑑みて行われ、挿入損失が小さく、電力消費のないア
ンテナ共用器を提供することにある。
ンテナ共用器として図10に示すような構成が考えられ
ていたが、ダイプレクサー201、スイッチ202,2
03、LPF204,206、BPF205,207な
どのそれぞれの挿入損失が加算されるため、送受信信号
の損失によって、送信パワーが不足したり受信感度が劣
化するという問題があった。さらにスイッチ切り替え時
には電力を消費するためにバッテリーの寿命が短くなる
という問題があった。本発明の他の目的はかかる問題点
を鑑みて行われ、挿入損失が小さく、電力消費のないア
ンテナ共用器を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、1つの
筐体中に、少なくともフェライト板と、中心導体と、磁
石と、接地導体とからなる2つの非可逆回路素子を有し
ており、該2つの非可逆回路素子は、1つの磁気回路中
で、各々異なった周波数帯域で動作するものであって、
前記2つの非可逆回路装置のうち、該周波数帯が低周波
側で動作する一方の前記非可逆回路素子が集中定数型で
構成され、高周波側で動作する他方の前記非可逆回路素
子が分布定数型で構成されていることを特徴とするデュ
アルバンド非可逆回路装置が得られる。
筐体中に、少なくともフェライト板と、中心導体と、磁
石と、接地導体とからなる2つの非可逆回路素子を有し
ており、該2つの非可逆回路素子は、1つの磁気回路中
で、各々異なった周波数帯域で動作するものであって、
前記2つの非可逆回路装置のうち、該周波数帯が低周波
側で動作する一方の前記非可逆回路素子が集中定数型で
構成され、高周波側で動作する他方の前記非可逆回路素
子が分布定数型で構成されていることを特徴とするデュ
アルバンド非可逆回路装置が得られる。
【0010】さらに、本発明によれば、前記少なくとも
1つの非可逆回路素子が、各々の入出力端子にインダク
タ及びコンデンサからなる一次チェビシェフ回路が直列
に接続され、広帯域化されていることを特徴とするデュ
アルバンド非可逆回路装置が得られる。
1つの非可逆回路素子が、各々の入出力端子にインダク
タ及びコンデンサからなる一次チェビシェフ回路が直列
に接続され、広帯域化されていることを特徴とするデュ
アルバンド非可逆回路装置が得られる。
【0011】さらに、本発明によれば、前記2つの非可
逆回路素子の各々1つの端子が、インピーダンス整合の
ための回路を介して並列接続されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載のデュアルバンド非可逆回
路素子が得られる。
逆回路素子の各々1つの端子が、インピーダンス整合の
ための回路を介して並列接続されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載のデュアルバンド非可逆回
路素子が得られる。
【0012】さらに、本発明によれば、前記2つの非可
逆回路装置が並列に接続された端子にアンテナが接続さ
れ、第1の周波数帯に対応する前記非可逆回路装置の2
つの端子には、第1の周波数に対応する送信装置と受信
装置が接続され、第2の周波数帯に対応する前記非可逆
回路装置の2つの端子には、第2の周波数に対応する送
信装置と受信装置が接続されていることを特徴とする特
許請求の範囲第3項記載のデュアルバンド非可逆回路装
置が得られる。
逆回路装置が並列に接続された端子にアンテナが接続さ
れ、第1の周波数帯に対応する前記非可逆回路装置の2
つの端子には、第1の周波数に対応する送信装置と受信
装置が接続され、第2の周波数帯に対応する前記非可逆
回路装置の2つの端子には、第2の周波数に対応する送
信装置と受信装置が接続されていることを特徴とする特
許請求の範囲第3項記載のデュアルバンド非可逆回路装
置が得られる。
【0013】さらに、本発明によれば、前記非可逆回路
装置は、サーキュレータ又はアイソレータであることを
特徴とするデュアルバンド非可逆回路装置が得られる。
装置は、サーキュレータ又はアイソレータであることを
特徴とするデュアルバンド非可逆回路装置が得られる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。図1にPDC/800M
Hz帯とPHS/1.9GHz帯の2つの周波数帯に対
応したデュアルバンドサーキュレータの構造を示す。8
00MHz帯サーキュレータ素子1の構造はフェライト
円板2に網目状をした中心導体3が貼り合わされて構成
されている。PDC/800MHz帯は受信帯域で81
0〜830MHz、送信帯域で940〜960MHzの
周波数帯を使用しており、送受信帯全域をカバーするた
めには810〜960MHzの帯域に対応させる必要が
ある。
いて図面を参照して説明する。図1にPDC/800M
Hz帯とPHS/1.9GHz帯の2つの周波数帯に対
応したデュアルバンドサーキュレータの構造を示す。8
00MHz帯サーキュレータ素子1の構造はフェライト
円板2に網目状をした中心導体3が貼り合わされて構成
されている。PDC/800MHz帯は受信帯域で81
0〜830MHz、送信帯域で940〜960MHzの
周波数帯を使用しており、送受信帯全域をカバーするた
めには810〜960MHzの帯域に対応させる必要が
ある。
【0015】サーキュレータの通過帯域幅は通常80M
Hz程度であるが、図2に示すようにサーキュレータ1
の3つの入出力端子4,5,6にコイル7、コンデンサ
8を直列に接続することによって、チェビシェフ特性の
広帯域化を図ることによってPDC/800MHzに必
要な帯域幅150MHzを確保することができる。コイ
ル7、コンデンサ8は実装基板25上に実装される。
Hz程度であるが、図2に示すようにサーキュレータ1
の3つの入出力端子4,5,6にコイル7、コンデンサ
8を直列に接続することによって、チェビシェフ特性の
広帯域化を図ることによってPDC/800MHzに必
要な帯域幅150MHzを確保することができる。コイ
ル7、コンデンサ8は実装基板25上に実装される。
【0016】次に1.9GHz帯用のサーキュレータ素
子9は図3に示すようにフェライト円板10の外周をリ
ング形状の誘電体板11で囲み、フェライト円板10上
には中心導体12が形成され、誘電体板11上には電極
13が形成され容量14を得る。このような構成の場
合、中心導体12と容量14によって等価的にローパス
フィルタが構成されるために、通過帯域の2倍、3倍の
周波数帯で減衰量が大きくなり、高調波を抑制すること
ができる。また構造が単純なために製造工程が簡略化で
きるというメリットがある。
子9は図3に示すようにフェライト円板10の外周をリ
ング形状の誘電体板11で囲み、フェライト円板10上
には中心導体12が形成され、誘電体板11上には電極
13が形成され容量14を得る。このような構成の場
合、中心導体12と容量14によって等価的にローパス
フィルタが構成されるために、通過帯域の2倍、3倍の
周波数帯で減衰量が大きくなり、高調波を抑制すること
ができる。また構造が単純なために製造工程が簡略化で
きるというメリットがある。
【0017】これら800MHz帯用サーキュレータ素
子1と1.9GHz帯用サーキュレータ素子9は対向す
る両面に導体膜が形成された一枚の接地用基板15を挟
み込むようにして、違いに対向するように配置される。
スペーサ24はサーキュレータ素子1及び9の高さ寸法
を揃えるためのものである。2つのサーキュレータ素子
1及び9はピン30によって入出力端子に接続されてい
る。
子1と1.9GHz帯用サーキュレータ素子9は対向す
る両面に導体膜が形成された一枚の接地用基板15を挟
み込むようにして、違いに対向するように配置される。
スペーサ24はサーキュレータ素子1及び9の高さ寸法
を揃えるためのものである。2つのサーキュレータ素子
1及び9はピン30によって入出力端子に接続されてい
る。
【0018】サーキュレータ素子は周波数が高くなるほ
ど径方向の寸法が小さくなり、分布定数型で800MH
z帯と1.9GHz帯を構成した場合、1.9GHz帯
の方が径方向が小さくなるが、集中定数型は分布定数型
に比べ径方向を小さくできるため、800MHz帯を集
中定数で、1.9GHz帯を分布定数型で構成すること
で、2つのサーキュレータ素子の径寸法をほぼ同じにす
ることができ、2つのサーキュレータ素子を重ね合わせ
るのに適した構造となる。また分布定数型は構造上薄型
であるため、集中定数型を2つ重ね合わせた場合に比べ
低背化が可能である。
ど径方向の寸法が小さくなり、分布定数型で800MH
z帯と1.9GHz帯を構成した場合、1.9GHz帯
の方が径方向が小さくなるが、集中定数型は分布定数型
に比べ径方向を小さくできるため、800MHz帯を集
中定数で、1.9GHz帯を分布定数型で構成すること
で、2つのサーキュレータ素子の径寸法をほぼ同じにす
ることができ、2つのサーキュレータ素子を重ね合わせ
るのに適した構造となる。また分布定数型は構造上薄型
であるため、集中定数型を2つ重ね合わせた場合に比べ
低背化が可能である。
【0019】さらに800MHz帯用サーキュレータ1
と1.9GHz帯用サーキュレータ9それぞれの端子
6,16は、図4に示されるように、コイル19、コン
デンサ20等からなるインピーダンス整合回路を介して
並列接続されコモン端子21に接続されている。コイル
19及びコンデンサ20は実装基板25上に実装され
る。コイル19、コンデンサ20の定数を自由に選ぶこ
とによって、インピーダンス整合の調整を容易に行うこ
とができる。
と1.9GHz帯用サーキュレータ9それぞれの端子
6,16は、図4に示されるように、コイル19、コン
デンサ20等からなるインピーダンス整合回路を介して
並列接続されコモン端子21に接続されている。コイル
19及びコンデンサ20は実装基板25上に実装され
る。コイル19、コンデンサ20の定数を自由に選ぶこ
とによって、インピーダンス整合の調整を容易に行うこ
とができる。
【0020】フェライト円板2,10の両側に所望の磁
界が得られるように所定の間隔を置いて2つの永久磁石
22が配置され、ヨークを兼ねた金属ケース23によっ
て全体を覆われている。
界が得られるように所定の間隔を置いて2つの永久磁石
22が配置され、ヨークを兼ねた金属ケース23によっ
て全体を覆われている。
【0021】尚、上記した実施の形態では2つの永久磁
石22に2つのサーキュレータ素子1,9が挟み込まれ
るようにして形成されているが、図6に示すように、1
つの永久磁石29が2つのサーキュレータ素子1,9に
挟み込まれるように配置されても良い。
石22に2つのサーキュレータ素子1,9が挟み込まれ
るようにして形成されているが、図6に示すように、1
つの永久磁石29が2つのサーキュレータ素子1,9に
挟み込まれるように配置されても良い。
【0022】コモン端子21から入力されたRF信号は
端子17及び端子27に出力される。また端子26及び
端子18から入力されたRF信号はコモン端子21に出
力される。また磁界の方向を逆にすることによって、コ
モン端子21から入力されたRF信号は端子26及び端
子18に出力される。また端子17及び端子27から入
力されたRF信号はコモン端子21に出力することもで
きる。
端子17及び端子27に出力される。また端子26及び
端子18から入力されたRF信号はコモン端子21に出
力される。また磁界の方向を逆にすることによって、コ
モン端子21から入力されたRF信号は端子26及び端
子18に出力される。また端子17及び端子27から入
力されたRF信号はコモン端子21に出力することもで
きる。
【0023】具体的例として、800MHz帯用サーキ
ュレータのフェライト径φ4mm、4πMs=760G
auss、中心導体幅d=1mm、C1=12pF、広
帯域化用コイルLs=10nH、広帯域化用コンデンサ
Cs=1.5pFである。また、1.9GHz帯用サー
キュレータはフェライト径φ3.5mm、4πMs=5
50Gauss、中心導体幅d2=0.5mmである。
図7(a)には本発明によるデュアルサーキュレータの
800MHz帯での周波数特性を、図7(b)には1.
9GHz帯での周波数特性をそれぞれ示す。
ュレータのフェライト径φ4mm、4πMs=760G
auss、中心導体幅d=1mm、C1=12pF、広
帯域化用コイルLs=10nH、広帯域化用コンデンサ
Cs=1.5pFである。また、1.9GHz帯用サー
キュレータはフェライト径φ3.5mm、4πMs=5
50Gauss、中心導体幅d2=0.5mmである。
図7(a)には本発明によるデュアルサーキュレータの
800MHz帯での周波数特性を、図7(b)には1.
9GHz帯での周波数特性をそれぞれ示す。
【0024】図8に上記した構成のデュアルバンドサー
キュレータのPDC/800MHzに対応した送受信装
置及びPHS/1.9GHzに対応した送受信装置への
適用例を示す。上記した本発明の一実施の形態で述べた
デュアルバンドサーキュレータのコモン端子21にアン
テナを接続し、端子26及び端子27には、それぞれP
DC/800MHzに対応した800MHz送信装置3
1及び800MHz受信装置34が接続されている。さ
らに端子17及び端子18には、それぞれPHS/1.
9GHzに対応した1.9GHz受信装置33及び1.
9GHz送信装置32が接続されている。上記した本発
明の一実施の形態で述べたとおりデュアルサーキュレー
タのマイクロ波信号の流れから、このように2つの周波
数帯に対応した送受信装置31,32,33,34を1
つのアンテナ35で共用することが可能になり、従来の
スイッチ切り替えによる場合に比べ、挿入損失が小さ
く、電力の消費のないデュアルバンドアンテナ共用器を
実現することができる。
キュレータのPDC/800MHzに対応した送受信装
置及びPHS/1.9GHzに対応した送受信装置への
適用例を示す。上記した本発明の一実施の形態で述べた
デュアルバンドサーキュレータのコモン端子21にアン
テナを接続し、端子26及び端子27には、それぞれP
DC/800MHzに対応した800MHz送信装置3
1及び800MHz受信装置34が接続されている。さ
らに端子17及び端子18には、それぞれPHS/1.
9GHzに対応した1.9GHz受信装置33及び1.
9GHz送信装置32が接続されている。上記した本発
明の一実施の形態で述べたとおりデュアルサーキュレー
タのマイクロ波信号の流れから、このように2つの周波
数帯に対応した送受信装置31,32,33,34を1
つのアンテナ35で共用することが可能になり、従来の
スイッチ切り替えによる場合に比べ、挿入損失が小さ
く、電力の消費のないデュアルバンドアンテナ共用器を
実現することができる。
【0025】
【発明の効果】以上述べたとおり本発明によれば、一次
チェビシェフ回路を付加することによって広帯域なシス
テムにも対応でき、分布定数型の非可逆回路素子を用い
ることで高調波の抑制が可能となる。また構造が簡単な
ため低コスト化や生産性を向上することが可能である。
また2つの非可逆回路素子をコイルやコンデンサ等から
なる整合回路を介して並列接続することによって、イン
ピーダンスマッチングの調整を容易に行うことができ
る。
チェビシェフ回路を付加することによって広帯域なシス
テムにも対応でき、分布定数型の非可逆回路素子を用い
ることで高調波の抑制が可能となる。また構造が簡単な
ため低コスト化や生産性を向上することが可能である。
また2つの非可逆回路素子をコイルやコンデンサ等から
なる整合回路を介して並列接続することによって、イン
ピーダンスマッチングの調整を容易に行うことができ
る。
【0026】さらに本発明による非可逆回路装置を2つ
の周波数に対応したアンテナ共用器として用いることに
よって電力消費のない挿入損失が小さいアンテナ共用器
を構成することができる。
の周波数に対応したアンテナ共用器として用いることに
よって電力消費のない挿入損失が小さいアンテナ共用器
を構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るデュアルバンド非可逆回路装置の
一実施の形態を示す分解斜視図である。
一実施の形態を示す分解斜視図である。
【図2】広帯域化のための回路構成を示す図である。
【図3】分布定数型非可逆回路素子の構造を示す図であ
る。
る。
【図4】本発明に係るデュアルバンド非可逆回路装置の
回路構成を示す図である。
回路構成を示す図である。
【図5】本発明に係るデュアルバンド非可逆回路装置の
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図6】本発明に係るデュアルバンド非可逆回路装置を
示す他の実施の形態を示す断面図である。
示す他の実施の形態を示す断面図である。
【図7】(a)は、本発明によるデュアルサーキュレー
タの800MHz帯での周波数特性を示す図であり、
(b)は本発明によるデュアルサーキュレータの1.9
GHz帯での周波数特性を示す図である。
タの800MHz帯での周波数特性を示す図であり、
(b)は本発明によるデュアルサーキュレータの1.9
GHz帯での周波数特性を示す図である。
【図8】本発明に係るデュアルバンドサーキュレータの
PDC/800MHzに対応した送受信装置及びPHS
/1.9GHzに対応した送受信装置への適用例を示す
図である。
PDC/800MHzに対応した送受信装置及びPHS
/1.9GHzに対応した送受信装置への適用例を示す
図である。
【図9】従来のサーキュレータ一体型ハイブリッドの構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図10】従来のデュアルバンドRF構成を示す図であ
る。
る。
1 800MHz帯サーキュレータ素子 2 フェライト円板 3 中心導体 4,5,6 入出力端子 7 コイル 8 コンデンサ 9 1.9GHz帯用サーキュレータ素子 10 フェライト円板 11 誘電体板 12 中心導体 13 電極 14 容量 15 接地用基板 16,17,18,26,27 端子 19 コイル 20 コンデンサ 21 コモン端子 22,29 磁石 23 金属ケース 24 スペーサ 25 実装基板 30 ピン 31 800MHz送信装置 32 1.9GHz送信装置 33 1.9GHz受信装置 34 800MHz受信装置 35 アンテナ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古田 淳 宮城県仙台市太白区郡山六丁目7番1号 株式会社トーキン内 (72)発明者 小野 典彦 宮城県仙台市太白区郡山六丁目7番1号 株式会社トーキン内 (72)発明者 ▲吉▼田 栄▲吉▼ 宮城県仙台市太白区郡山六丁目7番1号 株式会社トーキン内 (72)発明者 高師 健二 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気株 式会社内 Fターム(参考) 5J006 LA02 LA05 LA25 PB00 5J013 EA01 FA01 FA07
Claims (7)
- 【請求項1】 1つの筐体中に、少なくともフェライト
板と、中心導体と、磁石と、接地導体とからなる第1及
び第2の非可逆回路素子を有し、該各非可逆回路素子
は、1つの磁気回路中で、各々異なった周波数帯域で動
作するものであって、前記第1の非可逆回路素子は、該
周波数帯が低周波側で動作する集中定数型で構成され、
前記第2の非可逆回路素子は、該周波数帯が高周波側で
動作する分布定数型で構成されていることを特徴とする
デュアルバンド非可逆回路装置。 - 【請求項2】 前記第1及び前記第2の非可逆回路素子
の少なくとも1つの非可逆回路素子に、各々の入出力端
子にインダクタ及びコンデンサからなる一次チェビシェ
フ回路が接続され、広帯域化されていることを特徴とす
る請求項1記載のデュアルバンド非可逆回路装置。 - 【請求項3】 前記第1及び前記第2の非可逆回路素子
は、互いに、インピーダンス整合のためのインピーダン
ス整合回路を介して並列接続されていることを特徴とす
る請求項1記載のデュアルバンド非可逆回路素子。 - 【請求項4】 前記インピーダンス整合回路に設けら
れ、かつ、前記第1及び第2の非可逆回路素子に共通接
続されている共通端子にアンテナが接続され、第1の周
波数帯に対応する前記各非可逆回路装置の端子には、第
1の周波数に対応する送信装置と受信装置が接続され、
第2の周波数帯に対応する前記各非可逆回路装置の端子
には、第2の周波数に対応する送信装置と受信装置が接
続されていることを特徴とする請求項3記載のデュアル
バンド非可逆回路装置。 - 【請求項5】 前記各非可逆回路装置はサーキュレータ
であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一つ
に記載のデュアルバンド非可逆回路装置。 - 【請求項6】 前記各非可逆回路装置はアイソレータで
あることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一つに
記載のデュアルバンド非可逆回路装置。 - 【請求項7】 前記第1及び前記第2の非可逆回路装置
のいずれか一方がアイソレータであり、他方がサーキュ
レータであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれ
か一つに記載のデュアルバンド非可逆回路装置。
Priority Applications (4)
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-
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- 2000-03-30 CN CN 00117950 patent/CN1271975A/zh active Pending
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Legal Events
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