JP2000286204A - 回転機構部を有する縦型装置 - Google Patents
回転機構部を有する縦型装置Info
- Publication number
- JP2000286204A JP2000286204A JP11086753A JP8675399A JP2000286204A JP 2000286204 A JP2000286204 A JP 2000286204A JP 11086753 A JP11086753 A JP 11086753A JP 8675399 A JP8675399 A JP 8675399A JP 2000286204 A JP2000286204 A JP 2000286204A
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- quartz
- gas
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- quartz cap
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 酸化工程において腐食性ガスを流しても露出
した金属部品を腐食させないようにする。 【解決手段】 反応管１２内に回転可能に上端が挿入さ
れる回転軸１４に固定されるベース受け１６、及びベー
ス受け１６上に一体に回転するように載置されるととも
に、上部に複数枚のウエハ２０を上下方向に所定間隔を
あけて載置可能な石英ボート２２が載置される石英キャ
ップ１８の底部１８ａと、石英キャップ１８の下方に設
けられ、中心部に回転軸１４及びベース受け１６が回転
可能に貫通する石英ベース２６と、の間で構成されるガ
ス流路２４を、石英キャップ１８の外周部１８ｂ側が低
くかつ中心部寄りに一旦高くなる高さ位置を有するよう
に構成する。
した金属部品を腐食させないようにする。 【解決手段】 反応管１２内に回転可能に上端が挿入さ
れる回転軸１４に固定されるベース受け１６、及びベー
ス受け１６上に一体に回転するように載置されるととも
に、上部に複数枚のウエハ２０を上下方向に所定間隔を
あけて載置可能な石英ボート２２が載置される石英キャ
ップ１８の底部１８ａと、石英キャップ１８の下方に設
けられ、中心部に回転軸１４及びベース受け１６が回転
可能に貫通する石英ベース２６と、の間で構成されるガ
ス流路２４を、石英キャップ１８の外周部１８ｂ側が低
くかつ中心部寄りに一旦高くなる高さ位置を有するよう
に構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、酸化工程におい
て腐食性ガスを流しても露出した金属部品を腐食させな
い回転機構部を有する縦型装置に関する。
て腐食性ガスを流しても露出した金属部品を腐食させな
い回転機構部を有する縦型装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の回転機構部を有する縦型装置４８
は、図４に示されるように、反応管５０内に回転軸５２
の上端が挿入されており、回転軸５２の上端には該回転
軸５２と一体に回転するベース受け５４が取付けられて
いる。ベース受け５４上には該ベース受け５４と一体に
回転するように石英キャップ５６が載置されており、石
英キャップ５６上には複数のウエハ５８を上下方向に所
定間隔をあけて載置可能な石英ボート６０が固定されて
いる。石英キャップ５６の下方にはこれの底部５６ａ及
びベース受け５４との間でＮ2 ガスが流れるガス流路６
２を構成する石英ベース６４が設けられており、石英ベ
ース６４の外周部と反応管５０との間にはＯリング６６
が設けられて石英ベース６４と反応管５０との間の隙間
が塞がれている。
は、図４に示されるように、反応管５０内に回転軸５２
の上端が挿入されており、回転軸５２の上端には該回転
軸５２と一体に回転するベース受け５４が取付けられて
いる。ベース受け５４上には該ベース受け５４と一体に
回転するように石英キャップ５６が載置されており、石
英キャップ５６上には複数のウエハ５８を上下方向に所
定間隔をあけて載置可能な石英ボート６０が固定されて
いる。石英キャップ５６の下方にはこれの底部５６ａ及
びベース受け５４との間でＮ2 ガスが流れるガス流路６
２を構成する石英ベース６４が設けられており、石英ベ
ース６４の外周部と反応管５０との間にはＯリング６６
が設けられて石英ベース６４と反応管５０との間の隙間
が塞がれている。
【０００３】図５に示されるように石英キャップ５６の
底部５６ａは、断面直線状の部材５６ｂと断面凹字状の
部材５６ｃとが交互に組み合わされてＣ部において溶接
されることにより構成されており、断面直線状の部材５
６ｂの外周部と側部５６ｄの下端部とが溶接されること
により石英キャップ５６が構成されている。ガス流路６
２は、石英キャップ５６の外周部側が高く、中心部側が
低い高さ位置を有するように構成されている。
底部５６ａは、断面直線状の部材５６ｂと断面凹字状の
部材５６ｃとが交互に組み合わされてＣ部において溶接
されることにより構成されており、断面直線状の部材５
６ｂの外周部と側部５６ｄの下端部とが溶接されること
により石英キャップ５６が構成されている。ガス流路６
２は、石英キャップ５６の外周部側が高く、中心部側が
低い高さ位置を有するように構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のものでは次のような問題がある。すなわち、基板処
理プロセスで良質な酸化膜を形成するために、金属除去
効果のあるＨＣｌガスやＤＣＥガスなどの腐食性ガスを
原料ガスと同時に流すが、ベース受け５４や回転軸５２
は金属部品であるため、これらのガスに触れると腐食し
てしまう。そこで、ベース受け５４や回転軸５２の腐食
を防止するために、腐食性ガスを流す際には回転軸５２
の周りからガス流路６２にＮ2 ガスを１ｌ／ｍｉｎ流し
ている。しかしながら、ガス流路６２の高さ位置が、石
英キャップ５６の中心部側が低く、外周部側が高くなっ
ているため、原子量の大きい腐食性ガスが上から下へ、
すなわち石英キャップ５６の外周部側から中心部へ流れ
込みやすいガス流路の構造になっているとともに、Ｎ2
ガスが置換しなければならない部分であるＡ部の距離が
長く、この部分の体積が大きいため、上記Ｎ2 ガスの流
量では、完全に置換することができない。このため、ベ
ース受け５４や回転軸５２のところまで腐食性ガスが流
れ込み、ベース受け５４や回転軸５２を腐食させてしま
っている。そこで、Ｎ2 ガス流量を増やせばＡ部が置換
できるので、腐食という問題は回避できるが、大量に流
すことにより、逆に、ガス流路６２から流出してウエハ
５８の存在する部分にまでＮ2 ガスが流れ込み、酸化速
度が遅くなり酸化処理時間が長くなってしまうという課
題が生じる。
来のものでは次のような問題がある。すなわち、基板処
理プロセスで良質な酸化膜を形成するために、金属除去
効果のあるＨＣｌガスやＤＣＥガスなどの腐食性ガスを
原料ガスと同時に流すが、ベース受け５４や回転軸５２
は金属部品であるため、これらのガスに触れると腐食し
てしまう。そこで、ベース受け５４や回転軸５２の腐食
を防止するために、腐食性ガスを流す際には回転軸５２
の周りからガス流路６２にＮ2 ガスを１ｌ／ｍｉｎ流し
ている。しかしながら、ガス流路６２の高さ位置が、石
英キャップ５６の中心部側が低く、外周部側が高くなっ
ているため、原子量の大きい腐食性ガスが上から下へ、
すなわち石英キャップ５６の外周部側から中心部へ流れ
込みやすいガス流路の構造になっているとともに、Ｎ2
ガスが置換しなければならない部分であるＡ部の距離が
長く、この部分の体積が大きいため、上記Ｎ2 ガスの流
量では、完全に置換することができない。このため、ベ
ース受け５４や回転軸５２のところまで腐食性ガスが流
れ込み、ベース受け５４や回転軸５２を腐食させてしま
っている。そこで、Ｎ2 ガス流量を増やせばＡ部が置換
できるので、腐食という問題は回避できるが、大量に流
すことにより、逆に、ガス流路６２から流出してウエハ
５８の存在する部分にまでＮ2 ガスが流れ込み、酸化速
度が遅くなり酸化処理時間が長くなってしまうという課
題が生じる。
【０００５】また、石英キャップ５６の底部５６ａの形
状が複雑であり、溶接個所も多いため、石英にひずみが
入りやすく加工効率が悪い。さらには、底部５６ａの肉
厚が薄いため、断熱効率が悪く、ベース受け５４、回転
軸５２及びＯリング６６の焼き付きが起きやすくなって
いる。本発明は、このような課題を解決するためのもの
である。
状が複雑であり、溶接個所も多いため、石英にひずみが
入りやすく加工効率が悪い。さらには、底部５６ａの肉
厚が薄いため、断熱効率が悪く、ベース受け５４、回転
軸５２及びＯリング６６の焼き付きが起きやすくなって
いる。本発明は、このような課題を解決するためのもの
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために、この発明は、反応管内に回転軸の上端が挿入さ
れており、回転軸の上端には該回転軸と一体に回転する
ベース受けが取付けられており、ベース受け上には該ベ
ース受けと一体に回転するように石英キャップが載置さ
れており、石英キャップ上には複数のウエハを上下方向
に所定間隔をあけて載置可能な石英ボートが載置されて
おり、石英キャップの下方には中心部に回転軸及びベー
ス受けが回転可能に貫通し、石英キャップの底部及びベ
ース受けとの間でガスが流れるガス流路を構成する石英
ベースが設けられている回転機構部を有する縦型装置に
おいて、前記ガス流路は、石英キャップの外周部側が低
くかつ中心部寄りに一旦高くなる高さ位置を有するよう
に構成されていることを特徴とするものである。
ために、この発明は、反応管内に回転軸の上端が挿入さ
れており、回転軸の上端には該回転軸と一体に回転する
ベース受けが取付けられており、ベース受け上には該ベ
ース受けと一体に回転するように石英キャップが載置さ
れており、石英キャップ上には複数のウエハを上下方向
に所定間隔をあけて載置可能な石英ボートが載置されて
おり、石英キャップの下方には中心部に回転軸及びベー
ス受けが回転可能に貫通し、石英キャップの底部及びベ
ース受けとの間でガスが流れるガス流路を構成する石英
ベースが設けられている回転機構部を有する縦型装置に
おいて、前記ガス流路は、石英キャップの外周部側が低
くかつ中心部寄りに一旦高くなる高さ位置を有するよう
に構成されていることを特徴とするものである。
【０００７】これにより、ガス流路は、石英キャップの
外周部側から中心部に向かってガスの流れが一旦上方を
向くことになるため、原子量の大きい腐食性ガスはガス
流路を上昇しづらく、石英キャップの外周部側に溜まり
中心部に流れ込みにくくなるので、回転軸やベース受け
の腐食が防止される。
外周部側から中心部に向かってガスの流れが一旦上方を
向くことになるため、原子量の大きい腐食性ガスはガス
流路を上昇しづらく、石英キャップの外周部側に溜まり
中心部に流れ込みにくくなるので、回転軸やベース受け
の腐食が防止される。
【０００８】また、ガス流路の高さ位置が最も高い部分
は、石英キャップの中心部寄りなので、石英キャップの
中心部から高さ位置が最も高い部分までのガス流路の距
離が小さくなり、この部分の体積が小さくなる。これに
より、ガス流路にＮ2 ガスを流した際に、少量の流量で
上記部分を置換することができるので、腐食性ガスを石
英キャップの中心部に流入させることなく、Ｎ2 ガスが
ガス流路から外部に流出してウエハの酸化処理時間を遅
らせたりすることを防止することができる。
は、石英キャップの中心部寄りなので、石英キャップの
中心部から高さ位置が最も高い部分までのガス流路の距
離が小さくなり、この部分の体積が小さくなる。これに
より、ガス流路にＮ2 ガスを流した際に、少量の流量で
上記部分を置換することができるので、腐食性ガスを石
英キャップの中心部に流入させることなく、Ｎ2 ガスが
ガス流路から外部に流出してウエハの酸化処理時間を遅
らせたりすることを防止することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は、この発明
の実施の形態１における回転機構部を有する縦型装置１
０の断面図を示す。図１においては、反応管１２内に回
転軸１４の上端が回転可能に挿入されており、回転軸１
４の上端には該回転軸１４と一体に回転するベース受け
１６が取付けられている。ベース受け１６上には該ベー
ス受け１６と一体に回転するように石英キャップ１８が
載置されており、石英キャップ１８上には複数のウエハ
２０を上下方向に所定間隔をあけて載置可能な石英ボー
ト２２が載置されている。石英キャップ１８の下方には
中心部に回転軸１４及びベース受け１６が回転可能に貫
通し、石英キャップ１８の底部１８ａ及びベース受け１
６との間でＮ2 ガスが流れるガス流路２４を構成する石
英ベース２６が設けられている。石英ベース２６の外周
部と反応管１２との間にはＯリング２８が設けられて石
英ベース２６と反応管１２との間の隙間が塞がれてい
る。
の実施の形態１における回転機構部を有する縦型装置１
０の断面図を示す。図１においては、反応管１２内に回
転軸１４の上端が回転可能に挿入されており、回転軸１
４の上端には該回転軸１４と一体に回転するベース受け
１６が取付けられている。ベース受け１６上には該ベー
ス受け１６と一体に回転するように石英キャップ１８が
載置されており、石英キャップ１８上には複数のウエハ
２０を上下方向に所定間隔をあけて載置可能な石英ボー
ト２２が載置されている。石英キャップ１８の下方には
中心部に回転軸１４及びベース受け１６が回転可能に貫
通し、石英キャップ１８の底部１８ａ及びベース受け１
６との間でＮ2 ガスが流れるガス流路２４を構成する石
英ベース２６が設けられている。石英ベース２６の外周
部と反応管１２との間にはＯリング２８が設けられて石
英ベース２６と反応管１２との間の隙間が塞がれてい
る。
【００１０】図２に示されるように、石英キャップ１８
の底部１８ａは、外周部１８ｂが肉厚の断面略逆凹字状
の形状を有するように一体物からの削り出しにより加工
されており、底部１８ａの外周部１８ｂの端部上面と側
部１８ｃの下端部とが溶接により結合されている（すな
わちＣ部）。
の底部１８ａは、外周部１８ｂが肉厚の断面略逆凹字状
の形状を有するように一体物からの削り出しにより加工
されており、底部１８ａの外周部１８ｂの端部上面と側
部１８ｃの下端部とが溶接により結合されている（すな
わちＣ部）。
【００１１】ガス流路２４は、石英ベース２６が石英キ
ャップ１８の底部１８ａ及びベース受け１６の形状に沿
った形状を有するように形成されているので、石英キャ
ップ１８の外周部１８ｂの部分の高さ位置が低く、石英
キャップ１８の上方に窪んだ部分１８ｄの高さ位置が最
も高くなっている。したがって、全ガス流路２４の内、
石英キャップの中心部から高さ位置が最も高くなってい
る部分までのＡ部分をＮ2 ガスで置換すれば、回転軸１
４やベース受け１６に腐食性ガスが接触しないことにな
る。
ャップ１８の底部１８ａ及びベース受け１６の形状に沿
った形状を有するように形成されているので、石英キャ
ップ１８の外周部１８ｂの部分の高さ位置が低く、石英
キャップ１８の上方に窪んだ部分１８ｄの高さ位置が最
も高くなっている。したがって、全ガス流路２４の内、
石英キャップの中心部から高さ位置が最も高くなってい
る部分までのＡ部分をＮ2 ガスで置換すれば、回転軸１
４やベース受け１６に腐食性ガスが接触しないことにな
る。
【００１２】次に、実施の形態１の動作について説明す
る。ウエハ２０に酸化膜を形成するために、金属除去効
果のあるＨＣｌガスやＤＣＥガスなどの腐食性ガスを原
料ガスとともに流すと同時に、回転軸１４の外周面に沿
ってガス流路２４内にＮ2 ガスを流入させる。腐食性ガ
スは原子量が大きく上から下に流れていくので、ガス流
路２４の内、高さ位置が低い石英キャップ１８の外周部
１８ｂの部分には流れ込んでいくが、石英キャップ１８
の窪んだ部分１８ｄの高さ位置が高くなる部分には上昇
しずらいのでなかなか流入していかない。また、Ａ部の
体積が小さく少量のＮ2 ガスでＡ部が容易に置換される
ため、腐食性ガスのＡ部への侵入が防止される。
る。ウエハ２０に酸化膜を形成するために、金属除去効
果のあるＨＣｌガスやＤＣＥガスなどの腐食性ガスを原
料ガスとともに流すと同時に、回転軸１４の外周面に沿
ってガス流路２４内にＮ2 ガスを流入させる。腐食性ガ
スは原子量が大きく上から下に流れていくので、ガス流
路２４の内、高さ位置が低い石英キャップ１８の外周部
１８ｂの部分には流れ込んでいくが、石英キャップ１８
の窪んだ部分１８ｄの高さ位置が高くなる部分には上昇
しずらいのでなかなか流入していかない。また、Ａ部の
体積が小さく少量のＮ2 ガスでＡ部が容易に置換される
ため、腐食性ガスのＡ部への侵入が防止される。
【００１３】これにより、回転軸１４やベース受け１６
に腐食性ガスが接触することがないため、これらの腐食
を防止することができる。また、Ｎ2 ガスの流量を少な
くすることができることに加え、ガス流路２４の石英キ
ャップ１８の外周部１８ｂの部分には腐食性ガスが侵入
しているため、Ｎ2 ガスがガス流路２４から外部に流出
することがほとんどないので、ウエハ２０の存在する部
分にまでＮ2 ガスが流れ込むことはなく、従来と同等の
酸化処理時間で酸化処理を行うことができる。
に腐食性ガスが接触することがないため、これらの腐食
を防止することができる。また、Ｎ2 ガスの流量を少な
くすることができることに加え、ガス流路２４の石英キ
ャップ１８の外周部１８ｂの部分には腐食性ガスが侵入
しているため、Ｎ2 ガスがガス流路２４から外部に流出
することがほとんどないので、ウエハ２０の存在する部
分にまでＮ2 ガスが流れ込むことはなく、従来と同等の
酸化処理時間で酸化処理を行うことができる。
【００１４】また、石英キャップ１８の底部１８ａは、
断面略凹字状という単純な形状のため、一体物からの削
り出しにより加工することができるとともに溶接個所が
一箇所なので、石英にひずみが入りづらく、加工効率が
向上する。さらには、石英キャップ１８の外周部１８は
肉厚なので、断熱効果が向上し、ベース受け１６、回転
軸１４、Ｏリング２８への熱の影響を低減することがで
きる。
断面略凹字状という単純な形状のため、一体物からの削
り出しにより加工することができるとともに溶接個所が
一箇所なので、石英にひずみが入りづらく、加工効率が
向上する。さらには、石英キャップ１８の外周部１８は
肉厚なので、断熱効果が向上し、ベース受け１６、回転
軸１４、Ｏリング２８への熱の影響を低減することがで
きる。
【００１５】図３に第２の実施の形態を示す。これに示
されるものは、石英キャップ３０の底部３０ａの径方向
に所定間隔をあけた３カ所に窪み３０ｃを形成し、これ
に沿った形状に石英ベース３２を形成することにより、
ガスの流れが上方に向かう部分を３カ所有するガス流路
３４を構成したものである。これにより、原子量の大き
い腐食性ガスの回転軸１４及びベース受け１６部分への
流入をさらに防止することができる。
されるものは、石英キャップ３０の底部３０ａの径方向
に所定間隔をあけた３カ所に窪み３０ｃを形成し、これ
に沿った形状に石英ベース３２を形成することにより、
ガスの流れが上方に向かう部分を３カ所有するガス流路
３４を構成したものである。これにより、原子量の大き
い腐食性ガスの回転軸１４及びベース受け１６部分への
流入をさらに防止することができる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ガス流路が、石英キャップの外周部側から中心部に向か
ってガスの流れが一旦上方を向く構成となるため、原子
量の大きい腐食性ガスはガス流路を上昇しづらく、石英
キャップの中心部に流れ込みにくくなるので、回転軸や
ベース受けの腐食が防止される。
ガス流路が、石英キャップの外周部側から中心部に向か
ってガスの流れが一旦上方を向く構成となるため、原子
量の大きい腐食性ガスはガス流路を上昇しづらく、石英
キャップの中心部に流れ込みにくくなるので、回転軸や
ベース受けの腐食が防止される。
【００１７】また、石英キャップの中心部から高さ位置
が最も高い部分までのガス流路の距離が小さくなり、こ
の部分の体積が小さくなるため、ガス流路にＮ2 ガスを
流した際に、少量の流量で上記部分を置換することがで
きる。これにより、腐食性ガスを石英キャップの中心部
に流入させることなく、Ｎ2 ガスがガス流路から外部に
流出してウエハの酸化処理時間を遅らせたりすることを
防止することができる。
が最も高い部分までのガス流路の距離が小さくなり、こ
の部分の体積が小さくなるため、ガス流路にＮ2 ガスを
流した際に、少量の流量で上記部分を置換することがで
きる。これにより、腐食性ガスを石英キャップの中心部
に流入させることなく、Ｎ2 ガスがガス流路から外部に
流出してウエハの酸化処理時間を遅らせたりすることを
防止することができる。
【００１８】また、石英キャップの底部が、断面略凹字
状という単純な形状のため、一体物からの削り出しによ
り加工することができるとともに、溶接個所が一箇所
で、石英にひずみが入りづらいので、加工効率が向上す
る。また、外周部を肉厚にすることにより、断熱効果が
向上するので、ベース受けや回転軸への熱の影響を低減
することができる。
状という単純な形状のため、一体物からの削り出しによ
り加工することができるとともに、溶接個所が一箇所
で、石英にひずみが入りづらいので、加工効率が向上す
る。また、外周部を肉厚にすることにより、断熱効果が
向上するので、ベース受けや回転軸への熱の影響を低減
することができる。
【図１】本発明の回転機構部を有する縦型装置の概略断
面図である。
面図である。
【図２】石英キャップの底部付近の拡大断面図である。
【図３】第２の実施の形態を示す断面図である。
【図４】従来の回転機構部を有する縦型装置の概略断面
図である。
図である。
【図５】石英キャップの底部付近の拡大断面図である。
【符号の説明】 １２ 反応管 １４ 回転軸 １６ ベース受け １８ 石英キャップ １８ａ 底部 ２０ ウエハ ２２ 石英ボート ２４ ガス流路 ２６ 石英ベース
Claims (1)
- 【請求項１】 反応管内に回転軸の上端が挿入されてお
り、回転軸の上端には該回転軸と一体に回転するベース
受けが取付けられており、ベース受け上には該ベース受
けと一体に回転するように石英キャップが載置されてお
り、石英キャップ上には複数のウエハを上下方向に所定
間隔をあけて載置可能な石英ボートが載置されており、
石英キャップの下方には中心部に回転軸及びベース受け
が回転可能に貫通し、石英キャップの底部及びベース受
けとの間でガスが流れるガス流路を構成する石英ベース
が設けられている回転機構部を有する縦型装置におい
て、 前記ガス流路は、石英キャップの外周部側が低くかつ中
心部寄りに一旦高くなる高さ位置を有するように構成さ
れていることを特徴とする回転機構部を有する縦型装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11086753A JP2000286204A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 回転機構部を有する縦型装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11086753A JP2000286204A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 回転機構部を有する縦型装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000286204A true JP2000286204A (ja) | 2000-10-13 |
Family
ID=13895536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11086753A Withdrawn JP2000286204A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 回転機構部を有する縦型装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000286204A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6712909B2 (en) | 2001-07-19 | 2004-03-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
-
1999
- 1999-03-29 JP JP11086753A patent/JP2000286204A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6712909B2 (en) | 2001-07-19 | 2004-03-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060606 |