JP2000281916A - Resin composition - Google Patents

Resin composition

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JP2000281916A
JP2000281916A JP11091616A JP9161699A JP2000281916A JP 2000281916 A JP2000281916 A JP 2000281916A JP 11091616 A JP11091616 A JP 11091616A JP 9161699 A JP9161699 A JP 9161699A JP 2000281916 A JP2000281916 A JP 2000281916A
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伊津夫 渡辺
Akira Nagai
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Kenzo Takemura
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide resin compositions suitable as low-elastic, heat-resistant resin molded articles, particularly adhesives. SOLUTION: Resin compositions comprise (A) a resin composed of a structure represented by the formula, wherein R1 is hydrogen or 1-2C alkyl; R2 is 4-13C straight-chain or branched alkyl; and n and m are each an integer of 5-250 and (B) a three-dimensionally crosslinkable resin. Preferably, the resin (A) composed of a structure represented by the formula has a glass transition temperature of 80 deg.C-150 deg.C and is soluble in an aromatic hydrocarbon solvent or a mixed solvent of an aromatic hydrocarbon solvent with another organic solvent.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、低弾性、耐熱性の
樹脂成形品を与える樹脂組成物に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin composition which gives a resin molded article having low elasticity and heat resistance.

【0002】[0002]

【従来の技術分野】現在、半導体分野ではエポキシ樹脂
などの有機材料が多く使われている。封止材の分野で
は、封止システムの90%以上が樹脂封止システムに置
き換わっている。封止材はエポキシ樹脂、硬化剤、各種
添加剤、無機充填剤などによって構成される複合材料で
あり、エポキシ樹脂としてはクレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂が多く使用されている。しかし、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂は低吸水率、低弾性率といっ
た特性において満足する要求特性を有していないため、
表面実装方式への対応が困難である。そのため、これに
代わる新規高性能エポキシ樹脂が多く提案され実用化に
至っている。また、ダイボンディング用導電性接着剤と
して、エポキシ樹脂に銀粉を混練した、銀ペーストで多
く使用されている。しかし、半導体素子の配線基板への
装着方法が表面実装法に移行するに従い、銀ペーストに
対する耐はんだリフロー性向上の要求が強まっている。
この問題を解決するために、硬化後のダイボンディング
用接着層のボイド、ピール強度、吸水率、弾性率等の改
善がなされている。半導体実装分野では、低コスト化・
高精細化に対応した新しい実装形態としてICチップを
直接プリント基板やフレキシブル配線板に搭載するフリ
ップチップ実装が注目されている。フリップチップ実装
方式としては、チップの端子にはんだバンプを設け、は
んだ接続を行う方式や導電性接着剤を介して電気的接続
を行う方式が知られている。これらの方式では、接続す
るチップと基板の熱膨張係数差に基づくストレスが、各
種環境に曝した場合、接続界面で発生し接続信頼性が低
下するという問題がある。このため、接続界面のストレ
スを緩和する目的で一般にエポキシ樹脂系のアンダフィ
ル材をチップ/基板の間隙に注入する方式が検討されて
いる。しかし、このアンダフィル注入工程は、プロセス
を煩雑化し、生産性、コストの面で不利になるという問
題がある。このような問題を解決すべく最近では、異方
導電性と封止機能を有する異方導電性接着剤を用いたフ
リップチップ実装が、プロセス簡易性という観点から注
目されている。
2. Description of the Related Art At present, organic materials such as epoxy resins are widely used in the semiconductor field. In the field of encapsulants, over 90% of encapsulation systems have been replaced by resin encapsulation systems. The sealing material is a composite material composed of an epoxy resin, a curing agent, various additives, an inorganic filler, and the like. As the epoxy resin, a cresol novolac epoxy resin is often used. However, cresol novolak type epoxy resin does not have the required characteristics to satisfy the characteristics such as low water absorption and low elastic modulus,
It is difficult to respond to the surface mounting method. For this reason, many new high-performance epoxy resins have been proposed and commercialized. Further, as a conductive adhesive for die bonding, a silver paste obtained by kneading silver powder with an epoxy resin is often used. However, as the mounting method of the semiconductor element on the wiring board shifts to the surface mounting method, there is an increasing demand for improving the solder reflow resistance of the silver paste.
In order to solve this problem, improvements have been made to the voids, peel strength, water absorption, elastic modulus, and the like of the cured die bonding adhesive layer. In the semiconductor packaging field, cost reduction
Flip-chip mounting, in which an IC chip is directly mounted on a printed circuit board or a flexible wiring board, has attracted attention as a new mounting mode corresponding to high definition. As a flip-chip mounting method, a method of providing a solder bump on a terminal of a chip and performing solder connection or a method of performing electrical connection via a conductive adhesive is known. In these systems, there is a problem that stress based on a difference in thermal expansion coefficient between a chip and a substrate to be connected is generated at a connection interface when exposed to various environments, and connection reliability is reduced. For this reason, a method of injecting an epoxy resin-based underfill material into a gap between a chip and a substrate is generally studied for the purpose of reducing stress at a connection interface. However, the underfill injection step has a problem that the process is complicated and disadvantageous in productivity and cost. In order to solve such a problem, flip-chip mounting using an anisotropic conductive adhesive having anisotropic conductivity and a sealing function has recently attracted attention from the viewpoint of process simplicity.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】チップを異方導電性接
着剤を介して基板に搭載する場合、吸湿条件下では接着
剤とチップまたは接着剤と基板界面の接着力が低下し、
さらに、温度サイクル条件下ではチップと基板の熱膨張
係数差に基づくストレスが接続部において生じることに
よって、熱衝撃試験、PCT試験、高温高湿試験等の信
頼性試験を行うと接続抵抗の増大や接着剤の剥離が生じ
るという問題がある。また、半導体パッケージでは高温
高湿試験で吸湿させた後に耐はんだリフロー温度試験を
行うため、接着剤中に吸湿された水分が急激に膨張する
ことによって接続抵抗の増大や接着剤の剥離が生じると
いう問題がある。一般に、エポキシ樹脂の内部応力を緩
和し強靱化を図る目的で、液状ゴムや架橋ゴム及びコア
シェル型のゴム粒子を分散させる技術が知られている。
しかしながら、エポキシ樹脂中にゴムを分散させた硬化
物はエポキシ樹脂単体の硬化物に対して軟化点温度(又
はガラス転移温度、以下Tgと記す)が低下することが
知られており、高耐熱性が要求される分野では信頼性を
低下させる原因となる。一方、ゴム分散系でTgを向上
させるべくエポキシ樹脂の架橋密度を増加させること
は、ゴム分散の効果を低下させ、硬化物の脆さを増加さ
せると共に、吸水率を増加させ、信頼性を低下させる原
因となる。また、Tgを低下させずにエポキシ樹脂を強
靱化させる方法として、エンジニアリングプラスチック
として知られる高耐熱性の熱可塑性樹脂との配合が知ら
れているが、一般に、これらのエンジニアリングプラス
チックは溶剤に対する溶解性に乏しい為、エポキシ樹脂
との配合は粉体の練り込みによるものであり、エンジニ
アリングプラスチックの微細な粉体を形成することが困
難であること、また、その均一分散が困難であり場所に
より物性が異なり均一性に乏しくなるなどの接着剤用途
への展開は不適当である。本発明は、低弾性、耐熱性の
樹脂成形品、特に接着剤として好適な樹脂組成物を提供
するものである。
When a chip is mounted on a substrate via an anisotropic conductive adhesive, the adhesive force between the adhesive and the chip or between the adhesive and the substrate decreases under moisture absorbing conditions.
Furthermore, under the temperature cycle condition, stress based on the difference in thermal expansion coefficient between the chip and the substrate is generated in the connection portion. Therefore, when a reliability test such as a thermal shock test, a PCT test, and a high temperature and high humidity test is performed, an increase in connection resistance may occur. There is a problem that peeling of the adhesive occurs. In addition, since the semiconductor package is subjected to a solder reflow temperature test after absorbing moisture in a high-temperature and high-humidity test, the moisture absorbed in the adhesive rapidly expands, thereby causing an increase in connection resistance and peeling of the adhesive. There's a problem. In general, a technique of dispersing a liquid rubber, a crosslinked rubber, and core-shell type rubber particles for the purpose of relaxing the internal stress of the epoxy resin and increasing the toughness is known.
However, it is known that a cured product obtained by dispersing a rubber in an epoxy resin has a lower softening point temperature (or glass transition temperature, hereinafter referred to as Tg) than a cured product of an epoxy resin alone, and has a high heat resistance. In fields where is required, reliability may be reduced. On the other hand, increasing the crosslink density of the epoxy resin to improve Tg in the rubber dispersion system reduces the effect of rubber dispersion, increases the brittleness of the cured product, increases the water absorption rate, and decreases the reliability. This can cause As a method for toughening an epoxy resin without lowering Tg, blending with a highly heat-resistant thermoplastic resin known as an engineering plastic is known. However, in general, these engineering plastics are soluble in a solvent. Because it is poor, the compounding with the epoxy resin is based on the kneading of the powder, it is difficult to form a fine powder of engineering plastic, and it is difficult to disperse it uniformly, and the physical properties are difficult depending on the location It is unsuitable for application to adhesives, such as poor uniformity. The present invention provides a low-elasticity and heat-resistant resin molded product, particularly a resin composition suitable as an adhesive.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明は、下記一般式
(I)で示される構造からなる樹脂(A)と三次元架橋
性樹脂(B)を含む樹脂組成物である。
The present invention is a resin composition comprising a resin (A) having a structure represented by the following general formula (I) and a three-dimensional crosslinkable resin (B).

【0005】[0005]

【化2】 (ここでR1は水素原子または炭素数1〜2のアルキル基
であり、R2は炭素数4〜13の直鎖状または分岐したア
ルキル基であり、n、mは5〜250の整数である。)
Embedded image (Where R 1 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 2 carbon atoms, R 2 is a linear or branched alkyl group having 4 to 13 carbon atoms, and n and m are integers of 5 to 250. is there.)

【0006】また、本発明は、一般式(I)で示される
構造からなる樹脂(A)のガラス転移温度が80〜15
0℃であり、芳香族炭化水素系溶剤または芳香族炭化水
素系溶剤と他の有機溶剤との混合溶剤に溶解することが
好ましい樹脂組成物であり、三次元架橋性樹脂(B)が
少なくともエポキシ樹脂であり潜在性硬化剤を含有する
ことが好ましい樹脂組成物である。さらに、本発明は、
三次元架橋性樹脂(B)が少なくともラジカル重合物質
であり、光照射または加熱により遊離ラジカルを発生す
る硬化剤を含むと好ましい樹脂組成物である。そして、
本発明は、一般式(1)で示される構造からなる樹脂
(A)と三次元架橋性樹脂(B)を芳香族炭化水素系溶
剤に溶解して溶液状態で均一混合し、混合後に溶剤を除
去して得られるフィルム状接着剤用の樹脂組成物である
ことが好ましい。また、本発明は、一般式(I)で示さ
れる構造からなる樹脂(A)と三次元架橋性樹脂(B)
が回路接続用部材に用いられると好ましい。さらに、本
発明は、前記樹脂組成物に0.1〜20体積%の導電粒
子が分散されていると好ましい。
Further, according to the present invention, the resin (A) having a structure represented by the general formula (I) has a glass transition temperature of 80 to 15:
0 ° C., and is preferably a resin composition which is soluble in an aromatic hydrocarbon solvent or a mixed solvent of an aromatic hydrocarbon solvent and another organic solvent, wherein the three-dimensional crosslinkable resin (B) is at least epoxy The resin composition is preferably a resin and preferably contains a latent curing agent. Further, the present invention provides
It is a preferable resin composition that the three-dimensional crosslinkable resin (B) is at least a radical polymerizable substance and contains a curing agent that generates free radicals by light irradiation or heating. And
In the present invention, a resin (A) having a structure represented by the general formula (1) and a three-dimensionally crosslinkable resin (B) are dissolved in an aromatic hydrocarbon-based solvent and uniformly mixed in a solution state. It is preferable that the resin composition for a film adhesive obtained by removal is used. Further, the present invention provides a resin (A) having a structure represented by the general formula (I) and a three-dimensional crosslinkable resin (B)
Is preferably used for the circuit connecting member. Furthermore, in the present invention, it is preferable that 0.1 to 20% by volume of conductive particles is dispersed in the resin composition.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】本発明に用いる一般式(I)で示
される構造から成る樹脂(A)は、ガラス転移温度が8
0℃〜150℃で、かつ芳香族炭化水素系溶剤または、
芳香族炭化水素系溶剤と他の有機溶剤との混合溶媒に溶
解できると好ましく、熱可塑性樹脂の特性を示す。前記
一般式(I)で示される構造からなる樹脂(A)は、ビ
スフェノール化合物とビス(p−ヒドロキシフェニル)
スルホンとそれらのジグリシジルエーテル化物から合成
される。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The resin (A) having a structure represented by the general formula (I) used in the present invention has a glass transition temperature of 8
0 ° C. to 150 ° C., and an aromatic hydrocarbon solvent or
It is preferable that it can be dissolved in a mixed solvent of an aromatic hydrocarbon solvent and another organic solvent, and exhibits properties of a thermoplastic resin. The resin (A) having the structure represented by the general formula (I) comprises a bisphenol compound and bis (p-hydroxyphenyl)
Synthesized from sulfones and their diglycidyl etherified products.

【0008】一般式(I)で示される構造からなる樹脂
(A)を合成するためのビスフェノール化合物として
は、1,1−(4,4’−ジヒドロキシジフェニル)−
3−メチルブタン(R1は水素原子、R2は炭素数4の分
岐したアルキル基)、2,2−(4,4’−ジヒドロキ
シジフェニル)−4−メチルペンタン(R1は炭素数1
のアルキル基、R2は炭素数4の分岐したアルキル
基)、1,1−(4,4’−ジヒドロキシジフェニル)
−3−エチルヘキサン(R1は水素原子、R2は炭素数7
の分岐したアルキル基)、3,3−(4,4’−ジヒド
ロキシジフェニル)ペンタン(R1は炭素数2のアルキ
ル基、R2は炭素数2のアルキル基)、2,2−(4,
4’−ジヒドロキシジフェニル)ヘプタン(R1は炭素
数1のアルキル基、R2は炭素数5の直鎖状アルキル
基)、1,1−(4,4’−ジヒドロキシジフェニル)
ヘプタン(R1は水素原子、R2は炭素数6の直鎖状アル
キル基)、2,2−(4,4’−ジヒドロキシジフェニ
ル)オクタン(R1は炭素数1のアルキル基、R2は炭素
数6の直鎖状アルキル基)、1,1−(4,4’−ジヒ
ドロキシジフェニル)オクタン(R1は炭素数1のアルキ
ル基、R2は炭素数7の直鎖状アルキル基)、2,2−
(4,4’−ジヒドロキシジフェニル)ノナン(R1
炭素数1のアルキル基、R2は炭素数7の直鎖状アルキ
ル基)、1,1−(4,4’−ジヒドロキシジフェニ
ル)ノナン(R1は炭素数1のアルキル基、R2は炭素数
8の直鎖状アルキル基)、2,2−(4,4’−ジヒド
ロキシジフェニル)デカン(R1は炭素数1のアルキル
基、R2は炭素数8の直鎖状アルキル基)、1,1−
(4,4’−ジヒドロキシジフェニル)デカン(R1
水素原子、R2は炭素数9の直鎖状アルキル基)、2,
2−(4,4’−ジヒドロキシジフェニル)ウンデカン
(R1は炭素数1のアルキル基、R2は炭素数9の直鎖状
アルキル基)、1,1−(4,4’−ジヒドロキシジフ
ェニル)ウンデカン(R1は水素原子、R2は炭素数10
の直鎖状アルキル基)、2,2−(4,4’−ジヒドロ
キシジフェニル)ドデカン(R1は炭素数1のアルキル
基、R2は炭素数10の直鎖状アルキル基)、1,1−
(4,4’−ジヒドロキシジフェニル)ドデカン(R1
は水素原子、R2は炭素数11の直鎖状アルキル基)、
2,2−(4,4’−ジヒドロキシジフェニル)トリデ
カン(R1は炭素数1のアルキル基、R2は炭素数11の
直鎖状アルキル基)、1,1−(4,4’−ジヒドロキ
シジフェニル)トリデカン(R1は水素原子、R2は炭素
数12の直鎖状アルキル基)、2,2−(4,4’−ジ
ヒドロキシジフェニル)テトラデカン(R1は炭素数1
のアルキル基、R2は炭素数12の直鎖状アルキル
基)、1,1−(4,4’−ジヒドロキシジフェニル)
テトラデカン(R1は水素原子、R2は炭素数13の直鎖
状アルキル基)、2,2−(4,4’−ジヒドロキシジ
フェニル)ペンタデカン(R1は炭素数1のアルキル
基、R2は炭素数13の直鎖状アルキル基)が挙げら
れ、これらは2種以上が混合されていてもよい。好まし
くは2,2−(4,4’−ジヒドロキシジフェニル)オ
クタン(R1は炭素数1のアルキル基、R2は炭素数6の
直鎖状アルキル基)、1,1−(4,4’−ジヒドロキ
シジフェニル)デカン(R1は炭素数1のアルキル基、
2は炭素数9の直鎖状アルキル基)が使用される。
As the bisphenol compound for synthesizing the resin (A) having the structure represented by the general formula (I), 1,1- (4,4'-dihydroxydiphenyl)-
3-methylbutane (R 1 is a hydrogen atom, R 2 is a branched alkyl group having 4 carbon atoms), 2,2- (4,4′-dihydroxydiphenyl) -4-methylpentane (R 1 has 1 carbon atom)
R 2 is a branched alkyl group having 4 carbon atoms), 1,1- (4,4′-dihydroxydiphenyl)
-3-ethylhexane (R 1 is a hydrogen atom, R 2 is a carbon atom 7
3,3- (4,4′-dihydroxydiphenyl) pentane (R 1 is an alkyl group having 2 carbon atoms, R 2 is an alkyl group having 2 carbon atoms), 2,2- (4,
4′-dihydroxydiphenyl) heptane (R 1 is an alkyl group having 1 carbon atom, R 2 is a linear alkyl group having 5 carbon atoms), 1,1- (4,4′-dihydroxydiphenyl)
Heptane (R 1 is a hydrogen atom, R 2 is a linear alkyl group having 6 carbon atoms), 2,2- (4,4′-dihydroxydiphenyl) octane (R 1 is an alkyl group having 1 carbon atom, R 2 is A linear alkyl group having 6 carbon atoms), 1,1- (4,4'-dihydroxydiphenyl) octane (R1 is an alkyl group having 1 carbon atom, R2 is a linear alkyl group having 7 carbon atoms), 2, 2-
(4,4′-dihydroxydiphenyl) nonane (R 1 is an alkyl group having 1 carbon atom, R 2 is a linear alkyl group having 7 carbon atoms), 1,1- (4,4′-dihydroxydiphenyl) nonane ( R 1 is an alkyl group having 1 carbon atom; R 2 is a linear alkyl group having 8 carbon atoms); 2,2- (4,4′-dihydroxydiphenyl) decane (R 1 is an alkyl group having 1 carbon atom; 2 is a linear alkyl group having 8 carbon atoms), 1,1-
(4,4′-dihydroxydiphenyl) decane (R 1 is a hydrogen atom, R 2 is a linear alkyl group having 9 carbon atoms), 2,
2- (4,4'-dihydroxydiphenyl) undecane (R 1 is an alkyl group having 1 carbon atoms, R 2 is a linear alkyl group having 9 carbon atoms), 1,1 (4,4'-dihydroxydiphenyl) Undecane (R 1 is a hydrogen atom, R 2 is a carbon atom 10
Linear alkyl group), 2,2- (4,4′-dihydroxydiphenyl) dodecane (R 1 is an alkyl group having 1 carbon atom, R 2 is a linear alkyl group having 10 carbon atoms), 1,1 −
(4,4′-dihydroxydiphenyl) dodecane (R 1
Is a hydrogen atom, R 2 is a linear alkyl group having 11 carbon atoms),
2,2- (4,4′-dihydroxydiphenyl) tridecane (R 1 is an alkyl group having 1 carbon atom, R 2 is a straight-chain alkyl group having 11 carbon atoms), 1,1- (4,4′-dihydroxy) Diphenyl) tridecane (R 1 is a hydrogen atom, R 2 is a linear alkyl group having 12 carbon atoms), 2,2- (4,4′-dihydroxydiphenyl) tetradecane (R 1 is a carbon atom having 1 carbon atom)
R 2 is a linear alkyl group having 12 carbon atoms), 1,1- (4,4′-dihydroxydiphenyl)
Tetradecane (R 1 is a hydrogen atom, R 2 is a linear alkyl group having 13 carbon atoms), 2,2- (4,4′-dihydroxydiphenyl) pentadecane (R 1 is an alkyl group having 1 carbon atom, R 2 is A straight-chain alkyl group having 13 carbon atoms), and two or more of these may be mixed. Preferably 2,2- (4,4'-dihydroxydiphenyl) octane (R 1 is an alkyl group having 1 carbon atoms, R 2 is a linear alkyl group having 6 carbon atoms), 1,1 (4,4 ' -Dihydroxydiphenyl) decane (R 1 is an alkyl group having 1 carbon atom,
R 2 is a linear alkyl group having 9 carbon atoms).

【0009】ジグリシジルエーテル化物は上記のビスフ
ェノール化合物およびビス(p−ヒドロキシフェニル)
スルホンをジグリシジルエーテル化したものが使用され
る。一般式(I)で示される構造からなる樹脂(A)
は、溶液重合法の通常の方法で合成することができる。
例えば、溶液重合法の場合、ビスフェノール化合物とビ
ス(p−ヒドロキシフェニル)スルホンとそれらのジグ
リシジルエーテル化物を反応生成物であるポリヒドロキ
シエーテル系樹脂が溶解する溶剤、例えば、N−メチル
−2−ピロリドン等に溶かし、これに、水酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム等の塩基を加え、110〜120℃
で、2〜8時間反応させて、反応生成物である一般式
(I)で示される構造からなる樹脂(A)を合成する。
本発明で用いる一般式(I)で示される構造からなる樹
脂(A)は、テトラヒドロフランを溶媒としたゲルパー
ミエーションクロマトグラフィーで測定した際の分子量
が、ポリスチレン換算で1万以上、10万以下が好まし
い。1万未満では樹脂組成物が脆くなるおそれがあり、
10万以上では樹脂組成物の流動性が低下し、電子部材
の接続端子と回路基板の接続端子の接続を行った際、電
子部品と回路基板間の接着剤による充填が困難になる。
The diglycidyl ether compound can be obtained by mixing the above bisphenol compound and bis (p-hydroxyphenyl)
Diglycidyl ether of sulfone is used. Resin (A) having a structure represented by the general formula (I)
Can be synthesized by an ordinary solution polymerization method.
For example, in the case of the solution polymerization method, a bisphenol compound, bis (p-hydroxyphenyl) sulfone, and a diglycidyl etherified product thereof are dissolved in a solvent in which a polyhydroxyether resin as a reaction product is dissolved, for example, N-methyl-2-. Dissolved in pyrrolidone or the like, and added thereto a base such as sodium hydroxide, potassium carbonate or the like.
Then, a reaction is performed for 2 to 8 hours to synthesize a resin (A) having a structure represented by the general formula (I), which is a reaction product.
The resin (A) having a structure represented by the general formula (I) used in the present invention has a molecular weight of 10,000 or more and 100,000 or less in terms of polystyrene when measured by gel permeation chromatography using tetrahydrofuran as a solvent. preferable. If it is less than 10,000, the resin composition may become brittle,
If it is 100,000 or more, the fluidity of the resin composition decreases, and when the connection terminal of the electronic member is connected to the connection terminal of the circuit board, it becomes difficult to fill the electronic component with the adhesive between the circuit board and the circuit board.

【0010】芳香族炭化水素系溶剤としては、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、エチルベンゼンが挙げられ
る。芳香族炭化水素系溶剤と混合して使われる他の有機
溶剤としては、分子中に酸素原子を含む溶剤が好まし
く、この様な酸素原子含有有機溶剤としては、酢酸エチ
ルなどのエステル系溶剤、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶剤、テトラヒド
ロフラン、ジオキサンなどのエーテル系溶剤、ジメチル
スルホキシドなどの溶剤、ジメチルホルムアミド、N−
メチルピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミドなど
のアミド系溶剤が挙げられる。前記した中でもケトン系
溶剤以外が特に好ましい。
[0010] Examples of aromatic hydrocarbon solvents include benzene, toluene, xylene and ethylbenzene. As the other organic solvent used by mixing with the aromatic hydrocarbon solvent, a solvent containing an oxygen atom in the molecule is preferable. As such an oxygen atom-containing organic solvent, an ester solvent such as ethyl acetate, acetone, etc. , Methyl ethyl ketone, ketone solvents such as cyclohexanone, ether solvents such as tetrahydrofuran and dioxane, solvents such as dimethyl sulfoxide, dimethylformamide, N-
Amide solvents such as methylpyrrolidone and N, N-dimethylacetamide. Among the above, those other than ketone solvents are particularly preferred.

【0011】本発明に使用する三次元架橋性樹脂(B)
は、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂、イミド系
樹脂、ラジカル重合物質であるアクリレート・メタクリ
レート・マレイミド化合物等が挙げられ、硬化剤ととも
に用いられる。エポキシ樹脂の場合、硬化剤として公知
のイミダゾール系、ヒドラジド系、三フッ化ホウ素−ア
ミン錯体、スルホニウム塩、アミンイミド、ポリアミン
の塩、ジシアンジアミド等の硬化剤またはその混合物が
用いられ、エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA,
F,S,AD等から誘導されるビスフェノール型エポキ
シ樹脂、フェノールノボラック、クレゾールノボラック
から誘導されるエポキシノボラック型樹脂、ナフタレン
骨格を有するナフタレン系エポキシ樹脂、グリシジルア
ミン型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹
脂、ビフェニル・脂環式等の1分子内に2個以上のグリ
シジル基を有する各種のエポキシ化合物、その他公知の
エポキシ樹脂が単独あるいは混合して用いられ、これら
のエポキシ樹脂には不純物イオンである、アルカリ金属
イオン、アルカリ土類金属イオン、ハロゲンイオン、特
に塩素イオンや加水分解性塩素等を300ppm以下に
低減した高純度品を用いることがエレクトロマイグレー
ション防止や回路金属導体の腐食防止のために好まし
い。
The three-dimensional crosslinkable resin (B) used in the present invention
Examples thereof include an epoxy resin, a cyanate ester resin, an imide-based resin, an acrylate / methacrylate / maleimide compound as a radical polymerizable substance, and are used together with a curing agent. In the case of an epoxy resin, a known imidazole-based, hydrazide-based, boron trifluoride-amine complex, sulfonium salt, amine imide, polyamine salt, dicyandiamide, or other curing agent or a mixture thereof is used as a curing agent. Bisphenol A,
Bisphenol type epoxy resin derived from F, S, AD, etc., phenol novolak, epoxy novolak type resin derived from cresol novolak, naphthalene type epoxy resin having a naphthalene skeleton, glycidylamine type epoxy resin, glycidyl ether type epoxy resin, Various epoxy compounds having two or more glycidyl groups in one molecule, such as biphenyl and alicyclic, and other known epoxy resins may be used alone or as a mixture. It is preferable to use a high-purity product in which metal ions, alkaline earth metal ions, halogen ions, particularly chlorine ions and hydrolyzable chlorine, etc. are reduced to 300 ppm or less, in order to prevent electromigration and corrosion of circuit metal conductors.

【0012】シアネートエステル樹脂としては、ビス
(4−シアナトフェニル)エタン、2,2−ビス(4−
シアナトフェニル)プロパン、2,2−ビス(3,5−
ジメチル−4−シアナトフェニル)メタン、2,2−ビ
ス(4−シアナトフェニル)−1,1,1,3,3,3
−ヘキサフルオロプロパン、α,α’−ビス(4−シア
ナトフェニル)−m−ジイソプロピルベンゼン、フェノ
ール付加ジシクロペンタジエン重合体のシアネートエス
テル化物等が挙げられ、そのプレポリマーなどが単独若
しくは混合して用いられる。その中でも、2,2−ビス
(4−シアナトフェニル)プロパン及び2,2−ビス
(3,5−ジメチル−4−シアナトフェニル)等が硬化
物の誘電特性が特に良好であるため好ましい。シアネー
トエステル樹脂の硬化剤として金属系反応触媒類が用い
られ、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛等
の金属触媒類が用いられ、具体的には、2−エチルヘキ
サン酸塩やナフテン酸塩等の有機金属塩化合物及びアセ
チルアセトン錯体などの有機金属錯体として用いられ
る。
As the cyanate ester resin, bis (4-cyanatophenyl) ethane, 2,2-bis (4-
Cyanatophenyl) propane, 2,2-bis (3,5-
Dimethyl-4-cyanatophenyl) methane, 2,2-bis (4-cyanatophenyl) -1,1,1,3,3,3
-Hexafluoropropane, α, α'-bis (4-cyanatophenyl) -m-diisopropylbenzene, a cyanate esterified product of a phenol-added dicyclopentadiene polymer, or the like, or a prepolymer thereof alone or as a mixture. Used. Among them, 2,2-bis (4-cyanatophenyl) propane, 2,2-bis (3,5-dimethyl-4-cyanatophenyl) and the like are preferable because the cured product has particularly good dielectric properties. Metal-based reaction catalysts are used as a curing agent for the cyanate ester resin, and metal catalysts such as manganese, iron, cobalt, nickel, copper, and zinc are used. Specifically, 2-ethylhexanoate and naphthenic acid are used. It is used as an organic metal salt compound such as a salt and an organic metal complex such as an acetylacetone complex.

【0013】金属系反応触媒の配合量は、シアネートエ
ステル類化合物に対して1〜3000ppmとすること
が好ましく、1〜1000ppmとすることがより好ま
しく、2〜300ppmとすることがさらに好ましい。
金属系反応触媒の配合量が1ppm未満では反応性及び
硬化性が不十分となる傾向があり、3000ppmを超
えると反応の制御が難しくなったり、硬化が速くなりす
ぎる傾向があるが制限するものではない。
The amount of the metal-based reaction catalyst is preferably from 1 to 3000 ppm, more preferably from 1 to 1000 ppm, and even more preferably from 2 to 300 ppm, based on the cyanate ester compound.
If the blending amount of the metal-based reaction catalyst is less than 1 ppm, the reactivity and curability tend to be insufficient, and if it exceeds 3000 ppm, the control of the reaction becomes difficult, or the curing tends to be too fast. Absent.

【0014】本発明で用いる三次元架橋性樹脂のアクリ
レート・メタクリレート・マレイミド化合物等のラジカ
ル重合物質は、ラジカルにより重合する官能基を有する
物質である。ラジカル重合物質はモノマー、オリゴマー
いずれの状態でも用いることが可能であり、モノマーと
オリゴマーを併用することも可能である。アクリレート
(メタクリレート)の具体例てしては、メチルアクリレ
ート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレー
ト、イソブチルアクリレート、エチレングリコールジア
クリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ト
リメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロ
ールメタンテトラアクリレート、2−ヒドロキシ−1,
3−ジアクリロキシプロパン、2,2−ビス〔4−(ア
クリロキシメトキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビ
ス〔4−(アクリロキシポリエトキシ)フェニル〕プロ
パン、ジシクロペンテニルアクリレート、トリシクロデ
カニルアクリレート、トリス(アクリロイロキシエチ
ル)イソシアヌレート等が例示される。これらは単独ま
たは併用して用いることができ、必要によっては、ハイ
ドロキノン、メチルエーテルハイドロキノン類などの重
合禁止剤を適宜用いてもよい。また、ジシクロペンテニ
ル基および/またはトリシクロデカニル基および/また
はトリアジン環を有する場合は、耐熱性が向上するので
好ましい。
The radically polymerizable substance such as an acrylate / methacrylate / maleimide compound of the three-dimensional crosslinkable resin used in the present invention is a substance having a functional group which is polymerized by radicals. The radical polymerizable substance can be used in any state of a monomer and an oligomer, and a monomer and an oligomer can be used in combination. Specific examples of acrylate (methacrylate) include methyl acrylate, ethyl acrylate, isopropyl acrylate, isobutyl acrylate, ethylene glycol diacrylate, diethylene glycol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, tetramethylol methanetetraacrylate, and 2-hydroxy-1. ,
3-diacryloxypropane, 2,2-bis [4- (acryloxymethoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (acryloxypolyethoxy) phenyl] propane, dicyclopentenyl acrylate, tricyclodeca Nyl acrylate, tris (acryloyloxyethyl) isocyanurate and the like are exemplified. These can be used alone or in combination. If necessary, a polymerization inhibitor such as hydroquinone or methyl ether hydroquinone may be appropriately used. In addition, it is preferable to have a dicyclopentenyl group and / or a tricyclodecanyl group and / or a triazine ring, since heat resistance is improved.

【0015】マレイミド化合物としては、分子中にマレ
イミド基を少なくとも2個以上含有するもので、例え
ば、1−メチル−2,4−ビスマレイミドベンゼン、
N,N’−m−フェニレンビスマレイミド、N,N’−
p−フェニレンビスマレイミド、N,N’−m−トルイ
レンビスマレイミド、N,N’−4,4−ビフェニレン
ビスマレイミド、N,N’−4,4−(3,3’−ジメ
チルビフェニレン)ビスマレイミド、N,N’−4,4
−(3,3’−ジメチルジフェニルメタン)ビスマレイ
ミド、N,N’−4,4−(3,3’−ジエチルジフェ
ニルメタン)ビスマレイミド、N,N’−4,4−ジフ
ェニルメタンビスマレイミド、N,N’−4,4−ジフ
ェニルプロパンビスマレイミド、N,N’−4,4−ジ
フェニルエーテルビスマレイミド、N,N’−3,3’
−ジフェニルスルホンビスマレイミド、2,2−ビス
(4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)プロパ
ン、2,2−ビス(3−s−ブチル−4,8−(4−マ
レイミドフェノキシ)フェニル)プロパン、1,1−ビ
ス(4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)デカ
ン、4,4’−シクロヘキシリデン−ビス(1−(4−
マレイミドフェノキシ)−2−シクロヘキシルベンゼ
ン、2,2−ビス(4−(4−マレイミドフェノキシ)
フェニル)ヘキサフルオロプロパンなどを挙げることが
できる。これらは単独でもまた組み合わせても使用でき
る。
The maleimide compound is a compound containing at least two maleimide groups in the molecule, for example, 1-methyl-2,4-bismaleimidebenzene,
N, N'-m-phenylenebismaleimide, N, N'-
p-phenylenebismaleimide, N, N'-m-toluylenebismaleimide, N, N'-4,4-biphenylenebismaleimide, N, N'-4,4- (3,3'-dimethylbiphenylene) bis Maleimide, N, N'-4,4
-(3,3'-dimethyldiphenylmethane) bismaleimide, N, N'-4,4- (3,3'-diethyldiphenylmethane) bismaleimide, N, N'-4,4-diphenylmethanebismaleimide, N, N '-4,4-diphenylpropanebismaleimide, N, N'-4,4-diphenyletherbismaleimide, N, N'-3,3'
-Diphenylsulfonebismaleimide, 2,2-bis (4- (4-maleimidophenoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (3-s-butyl-4,8- (4-maleimidophenoxy) phenyl) propane, 1,1-bis (4- (4-maleimidophenoxy) phenyl) decane, 4,4′-cyclohexylidene-bis (1- (4-
(Maleimidophenoxy) -2-cyclohexylbenzene, 2,2-bis (4- (4-maleimidophenoxy)
Phenyl) hexafluoropropane and the like. These can be used alone or in combination.

【0016】アクリレート・メタクリレート・マレイミ
ド化合物等のラジカル重合性物質の硬化剤として、熱ま
たは光によって遊離ラジカルを発生する硬化剤の混合物
が使用される。具体的には、パーオキシエステル、ジア
ルキルパーオキサイド、ハイドロパーオキサイド、シリ
ルパーオキサイドから選定され、高反応性が得られるパ
ーオキシエステルから選定されることがより好ましい。
上記硬化剤は、適宜混合して用いることができる。
As a curing agent for a radical polymerizable substance such as an acrylate / methacrylate / maleimide compound, a mixture of a curing agent that generates free radicals by heat or light is used. Specifically, it is selected from peroxyesters, dialkyl peroxides, hydroperoxides, and silyl peroxides, and is more preferably selected from peroxyesters having high reactivity.
The above-mentioned curing agents can be appropriately mixed and used.

【0017】パーオキシエステルとしては、クミルパー
オキシネオデカノエート、1,1,3,3−テトラメチ
ルブチルパーオキシネオデカノエート、1−シクロヘキ
シル−1−メチルエチルパーオキシノエデカノエート、
t−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、t−ブチル
パーオキシピバレート、1,1,3,3,−テトラメチ
ルブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノネート、2,
5−ジメチル−2,5−ジ(2−エチルヘキサノイルパ
ーオキシ)ヘキサン、1−シクロヘキシル−1−メチル
エチルパーオキシ−2−エチルヘキサノネート、t−ヘ
キシルパーオキシ−2−エチルヘキサノネート、t−ブ
チルパーオキシ−2−エチルヘキサノネート、t−ブチ
ルパーオキシイソブチレート、1,1−ビス(t−ブチ
ルパーオキシ)シクロヘキサン、t−ヘキシルパーオキ
シイソプロピルモノカーボネート、t−ブチルパーオキ
シ−3,5,5−トリメチルヘキサノネート、t−ブチ
ルパーオキシラウレート、2,5−ジメチル−2,5−
ジ(m−トルオイルパーオキシ)ヘキサン、t−ブチル
パーオキシイソプロピルモノカーボネート、t−ブチル
パーオキシ−2−エチルヘキシルモノカーボネート、t
−ヘキシルパーオキシベンゾエート、t−ブチルパーオ
キシアセテート等が使用できる。ジアルキルパーオキサ
イドとしては、α,α’−ビス(t−ブチルパーオキ
シ)ジイソプロピルベンゼン、ジクミルパーオキサイ
ド、2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオ
キシ)ヘキサン、t−ブチルクミルパーオキサイド等が
使用できる。
Examples of the peroxyester include cumyl peroxy neodecanoate, 1,1,3,3-tetramethylbutyl peroxy neodecanoate, 1-cyclohexyl-1-methylethyl peroxynodecanoate,
t-hexylperoxyneodecanoate, t-butylperoxypivalate, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy-2-ethylhexanoate, 2,
5-dimethyl-2,5-di (2-ethylhexanoylperoxy) hexane, 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxy-2-ethylhexanate, t-hexylperoxy-2-ethylhexanonate , T-butylperoxy-2-ethylhexanonate, t-butylperoxyisobutyrate, 1,1-bis (t-butylperoxy) cyclohexane, t-hexylperoxyisopropylmonocarbonate, t-butylperoxy Oxy-3,5,5-trimethylhexanonate, t-butylperoxylaurate, 2,5-dimethyl-2,5-
Di (m-toluoylperoxy) hexane, t-butylperoxyisopropyl monocarbonate, t-butylperoxy-2-ethylhexyl monocarbonate, t
-Hexylperoxybenzoate, t-butylperoxyacetate and the like can be used. Examples of the dialkyl peroxide include α, α′-bis (t-butylperoxy) diisopropylbenzene, dicumyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-di (t-butylperoxy) hexane, t-butyl Cumyl peroxide and the like can be used.

【0018】ハイドロパーオキサイドとしては、ジイソ
プロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、クメンハイ
ドロパーオキサイド等が使用できるジアシルパーオキサ
イドとしては、イソブチルパーオキサイド、2,4−ジ
クロロベンゾイルパーオキサイド、3,5,5−トリメ
チルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオ
キサイド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイルパ
ーオキサイド、スクシニックパーオキサイド、ベンゾイ
ルパーオキシトルエン、ベンゾイルパーオキサイド等が
使用できる。パーオキシジカーボネートとしては、ジ−
n−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピ
ルパーオキシジカーボネート、ビス(4−t−ブチルシ
クロヘキシル)パーオキシジカーボネト、ジ−2−エト
キシメトキシパーオキシジカーボネート、ジ(2−エチ
ルヘキシルパーオキシ)ジカーボネート、ジメトキシブ
チルパーオキシジカーボネート、ジ−(3−メチル−3
−メトキシブチルパーオキシ)ジカーボネート等が使用
できる。
Examples of the hydroperoxide include diisopropylbenzene hydroperoxide and cumene hydroperoxide. Examples of the diacyl peroxide include isobutyl peroxide, 2,4-dichlorobenzoyl peroxide, and 3,5,5-trimethylhexaoxide. Noyl peroxide, octanoyl peroxide, lauroyl peroxide, stearoyl peroxide, succinic peroxide, benzoylperoxytoluene, benzoyl peroxide and the like can be used. As peroxydicarbonate, di-
n-propylperoxydicarbonate, diisopropylperoxydicarbonate, bis (4-t-butylcyclohexyl) peroxydicarbonate, di-2-ethoxymethoxyperoxydicarbonate, di (2-ethylhexylperoxy) dicarbonate , Dimethoxybutyl peroxydicarbonate, di- (3-methyl-3
-Methoxybutylperoxy) dicarbonate and the like can be used.

【0019】パーオキシケタールとしては、1,1−ビ
ス(t−ヘキシルパーオキシ)−3,3,5−トリメチ
ルシクロヘキサン、1,1−ビス(t−ヘキシルパーオ
キシ)シクロヘキサン、1,1−ビス(t−ブチルパー
オキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、
1,1−(t−ブチルパーオキシ)シクロドデカン、
2,2−ビス(t−ブチルパーオキシ)デカン等が使用
できる。シリルパーオキサイドとしてはt−ブチルトリ
メチルシリルパーオキサイド、ビス(t−ブチル)ジメ
チルシリルパーオキサイド、t−ブチルトリビニルシリ
ルパーオキサイド、ビス(t−ブチル)ジビニルシリル
パーオキサイド、トリス(t−ブチル)ビニルシリルパ
ーオキサイド、t−ブチルトリアリルシリルパーオキサ
イド、ビス(t−ブチル)ジアリルシリルパーオキサイ
ド、トリス(t−ブチル)アリルシリルパーオキサイド
等が使用できる。
Examples of the peroxyketal include 1,1-bis (t-hexylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane, 1,1-bis (t-hexylperoxy) cyclohexane, 1,1-bis (T-butylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane,
1,1- (t-butylperoxy) cyclododecane,
2,2-bis (t-butylperoxy) decane and the like can be used. Examples of the silyl peroxide include t-butyltrimethylsilyl peroxide, bis (t-butyl) dimethylsilyl peroxide, t-butyltrivinylsilyl peroxide, bis (t-butyl) divinylsilyl peroxide, and tris (t-butyl) vinyl. Silyl peroxide, t-butyl triallyl silyl peroxide, bis (t-butyl) diallylsilyl peroxide, tris (t-butyl) allylsilyl peroxide and the like can be used.

【0020】これらの遊離ラジカルを発生する硬化剤は
単独または混合して使用することができ、分解促進剤、
抑制剤等を混合して用いてもよい。また、前記した硬化
剤をポリウレタン系、ポリエステル系の高分子物質等で
被覆してマイクロカプセル化したものは、可使時間が延
長されるために好ましい。
These hardeners generating free radicals can be used alone or in admixture.
Inhibitors and the like may be mixed and used. A microcapsule obtained by coating the above-mentioned curing agent with a polyurethane-based or polyester-based polymer substance or the like is preferable because the pot life is extended.

【0021】本発明の樹脂組成物は一般式(I)で示さ
れる構造からなる樹脂(A)と三次元架橋性樹脂(B)
の配合比が重量部で(A):(B)=1:99〜99:
1で使用することができ、好ましくは10:90〜9
0:10である。本発明の樹脂組成物は(A)および
(B)を芳香族炭化水素系溶剤に溶解させて溶液状態で
均一混合することができ、混合後溶剤を乾燥除去してフ
ィルム状の樹脂組成物を得ることができる。本発明の樹
脂組成物には硬化物の弾性率を低減する目的でアクリル
ゴム等のゴム成分を配合することもできる。また、本発
明の樹脂組成物にはフィルム形成性をより容易にするた
めに、フェノキシ樹脂等の熱可塑性樹脂を配合すること
もできる。特に、フェノキシ樹脂は、エポキシ系樹脂と
構造が類似しているため、エポキシ樹脂との相溶性、接
着性に優れる等の特徴を有するので好ましい。
The resin composition of the present invention comprises a resin (A) having a structure represented by the general formula (I) and a three-dimensional crosslinkable resin (B)
(A) :( B) = 1: 99-99:
1, preferably from 10:90 to 9
0:10. The resin composition of the present invention can be obtained by dissolving (A) and (B) in an aromatic hydrocarbon-based solvent and uniformly mixing in a solution state. After mixing, the solvent is removed by drying to obtain a film-shaped resin composition. Obtainable. The resin composition of the present invention may contain a rubber component such as an acrylic rubber for the purpose of reducing the elastic modulus of the cured product. In addition, a thermoplastic resin such as a phenoxy resin can also be blended with the resin composition of the present invention in order to make the film formability easier. In particular, a phenoxy resin is preferable because it has a similar structure to an epoxy resin and has characteristics such as excellent compatibility with an epoxy resin and excellent adhesiveness.

【0022】本発明の樹脂組成物を樹脂成形品、例え
ば、フィルム状に形成するには、一般式(I)で示され
る構造からなる樹脂(A)と三次元架橋性樹脂(B)と
その硬化剤、その他の配合剤を含む樹脂組成物を有機溶
剤に溶解あるいは分散させて、ワニス化して、剥離性基
材上に塗布し、硬化剤の活性温度以下で溶剤を除去する
ことにより行われる。この時用いる溶剤は、芳香族炭化
水素系溶剤単独か芳香族炭化水素系溶剤と他の有機溶
剤、特に酸素原子含有有機溶剤の混合溶剤が樹脂組成物
の溶解性を向上させるため好ましい。特に、三次元架橋
性樹脂としてエポキシ樹脂と潜在性硬化剤、一般式
(I)で示される構造からなる樹脂(A)含む樹脂組成
物を有機溶剤に溶解あるいは分散により液状化して、剥
離性基材上に塗布し、硬化剤の活性温度以下で溶剤を除
去することにより行われる。本発明の樹脂組成物は各成
分を有機溶剤に溶解あるいは分散させ、任意の方法で撹
拌、混合することによって容易に製造することもでき、
さらに、剥離性基材上に塗布し、硬化剤の活性温度以下
で溶剤を除去することによってフィルム形成を行うこと
ができる。
In order to form the resin composition of the present invention into a resin molded product, for example, a film, a resin (A) having a structure represented by the general formula (I), a three-dimensional crosslinkable resin (B) and It is performed by dissolving or dispersing a resin composition containing a curing agent and other compounding agents in an organic solvent, forming a varnish, applying the composition on a peelable substrate, and removing the solvent at or below the activation temperature of the curing agent. . The solvent used at this time is preferably an aromatic hydrocarbon-based solvent alone or a mixed solvent of an aromatic hydrocarbon-based solvent and another organic solvent, particularly an organic solvent containing an oxygen atom, for improving the solubility of the resin composition. In particular, a resin composition containing an epoxy resin as a three-dimensional crosslinkable resin, a latent curing agent, and a resin (A) having a structure represented by the general formula (I) is liquefied by dissolution or dispersion in an organic solvent to form a releasable group. It is carried out by coating on a material and removing the solvent at a temperature lower than the activation temperature of the curing agent. The resin composition of the present invention can be easily produced by dissolving or dispersing each component in an organic solvent, stirring and mixing by any method,
Further, a film can be formed by applying the composition on a peelable substrate and removing the solvent at a temperature lower than the activation temperature of the curing agent.

【0023】本発明の樹脂組成物は、チップのバンプや
基板電極等の高さばらつきを吸収するために、異方導電
性を積極的に付与する目的で導電粒子を分散することも
できる。本発明において使用する導電粒子は、例えばA
u、Ni、Ag、Cuやはんだ等の金属の粒子またはこ
れらの金属表面に金やパラジウムなどの薄膜をめっきや
蒸着によって形成した金属粒子であり、また、ポリスチ
レン等の高分子の球状の核材にNi、Cu、Au、はん
だ等の導電層を設けた導電粒子を用いることができる。
粒径は基板の電極の最小の間隔よりも小さいことが必要
で、電極の高さばらつきがある場合、高さばらつきより
も大きいことが好ましく、かつ無機充填材の平均粒径よ
り大きいことが好ましく、1〜10μmが好ましい。ま
た、樹脂組成物に分散される導電粒子の量は、0.1〜
20体積%であり、好ましくは0.2〜15体積%であ
る。
In the resin composition of the present invention, conductive particles may be dispersed for the purpose of positively imparting anisotropic conductivity in order to absorb variations in the height of chip bumps and substrate electrodes. The conductive particles used in the present invention are, for example, A
Metal particles such as u, Ni, Ag, Cu, and solder, or metal particles formed by plating or vapor-depositing a thin film of gold or palladium on the surface of these metals, and a spherical core material of a polymer such as polystyrene. Conductive particles provided with a conductive layer of Ni, Cu, Au, solder, or the like.
It is necessary that the particle size is smaller than the minimum distance between the electrodes of the substrate, and if there is a height variation of the electrodes, it is preferably larger than the height variation, and preferably larger than the average particle size of the inorganic filler. 1 to 10 μm is preferred. The amount of the conductive particles dispersed in the resin composition is 0.1 to
It is 20% by volume, preferably 0.2 to 15% by volume.

【0024】本発明の樹脂組成物は、前記したように、
各成分を有機溶剤に溶解あるいは分散させ、任意の方法
で撹拌、混合することによって容易に製造することがで
き、さらに、剥離性基材上に塗布し、硬化剤の活性温度
以下で溶剤を除去することによってフィルム形成を行う
ことができる。その際に、上記の配合組成物以外にも、
通常のエポキシ樹脂系組成物の調整で用いられる添加剤
を加えて差し支えない。 樹脂組成物によりフィルム状
の接着剤とした場合の膜厚は、特に制限するものではな
いが、回路部材間のギャップに比べ、厚いほうが好まし
く、一般にはギャップに対して5μm以上厚い膜厚が望
ましい。
As described above, the resin composition of the present invention comprises:
It can be easily manufactured by dissolving or dispersing each component in an organic solvent, stirring and mixing by an arbitrary method, and further, is applied on a peelable substrate, and the solvent is removed below the activation temperature of the curing agent. By doing so, a film can be formed. At that time, besides the above composition,
Additives used in the preparation of ordinary epoxy resin compositions may be added. The thickness of the film-shaped adhesive made of the resin composition is not particularly limited, but is preferably larger than the gap between the circuit members, and is generally preferably 5 μm or more with respect to the gap. .

【0025】[0025]

【実施例】以下に、本発明を実施例に基づいて具体的に
説明する。 (実施例1)ビス(p−ヒドロキシフェニル)スルホン
32g、ビス(p−ヒドロキシフェニル)スルホンジグ
リシジルエーテル化物52g、1,1−(4,4’−ジ
ヒドロキシジフェニル)ウンデカン41.7gと1,1−
(4,4’−ジヒドロキシジフェニル)ウンデカンジグ
リシジルエーテル化物56gをN−メチル−2−ピロリ
ドン1000mlに溶解し、これに炭酸カリウム51g
を加え、110℃で攪拌した。3時間攪拌後、多量のメ
タノールに滴下し、生成した沈殿物をろ取して目的物質
である一般式(1)で示される構造からなる樹脂(A)
を82g得た。GPCで測定した結果、ポリスチレン換
算でMn=10301、Mw=17089、Mw/Mn
=1.66であった。生成した一般式(I)で示される
構造からなる樹脂(A)をトルエンに溶解させ、シャー
レに塗布し、溶剤を揮散させることによってキャストフ
ィルムを作製した。キャストフィルムを2cm角に切断
し、減圧下に100℃で乾燥させた後、重量を測定し、
さらに、純水に24時間浸漬後、重量を測定して重量増
加を算出することによって、ポリヒドロキシエーテル系
樹脂の吸水率を測定した。吸水率測定の結果、生成した
ポリヒドロキシエーテル系樹脂の吸水率は1.5重量%
であった。また、キャストフィルムを動的粘弾性測定装
置を用いて弾性率を測定し(昇温速度5℃/分、10H
z)、tanδのピーク値によってTgを測定した結
果、130℃にピークが観測された。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be specifically described below based on embodiments. (Example 1) 32 g of bis (p-hydroxyphenyl) sulfone, 52 g of bis (p-hydroxyphenyl) sulfone diglycidyl etherified product, 41.7 g of 1,1- (4,4′-dihydroxydiphenyl) undecane and 1,1 −
56 g of (4,4'-dihydroxydiphenyl) undecanediglycidyl etherate was dissolved in 1000 ml of N-methyl-2-pyrrolidone, and 51 g of potassium carbonate was added thereto.
Was added and stirred at 110 ° C. After stirring for 3 hours, the mixture is added dropwise to a large amount of methanol, and the resulting precipitate is collected by filtration. The target substance is a resin (A) having a structure represented by the general formula (1).
82 g was obtained. As a result of measurement by GPC, Mn = 10301, Mw = 17089, Mw / Mn in terms of polystyrene.
= 1.66. The resulting resin (A) having the structure represented by the general formula (I) was dissolved in toluene, applied to a petri dish, and the solvent was evaporated to produce a cast film. The cast film was cut into 2 cm squares, dried at 100 ° C. under reduced pressure, weighed,
Furthermore, after immersing in pure water for 24 hours, the weight was measured and the weight increase was calculated, thereby measuring the water absorption of the polyhydroxyether-based resin. As a result of the water absorption measurement, the water absorption of the produced polyhydroxyether resin was 1.5% by weight.
Met. The elastic modulus of the cast film was measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (heating rate 5 ° C./min, 10H
z), as a result of measuring Tg by the peak value of tan δ, a peak was observed at 130 ° C.

【0026】生成した一般式(I)で示される構造から
なる樹脂(A)10gをトルエン:酢酸エチル=1:1
(重量比)の混合溶媒30gに溶解し、25重量%溶液
を得た。次いで、市販のマイクロカプセル型潜在性硬化
剤を含有する液状エポキシ(ビスフェノールF型エポキ
シ樹脂:エポキシ当量185、イミダゾール系硬化剤を
ビスフェノールF型エポキシ樹脂でカプセル化)18.
5gをこの溶液に加え、撹拌し、さらにポリスチレン系
核体(直径:5μm)の表面に、厚み0.2μmのニッ
ケル層を設け、このニッケル層の外側に厚み0.04μ
mのAu層を形成した導電粒子を3容量%分散してフィ
ルム塗工用ワニス溶液を得た。この溶液を剥離性基材と
してセパレータ(シリコーン処理したポリエチレンテレ
フタレートフィルム、厚み40μm)にロールコータで
塗布し、100℃、10分乾燥し厚み40μmの樹脂組
成物からなる接着フィルムを作製した。接着フィルムを
150℃で3時間硬化させ、硬化フィルムを動的粘弾性
測定装置を用いて弾性率を測定し(昇温速度5℃/分、
10Hz)、tanδのピーク値によってTgを測定し
た結果、170℃であった。また、40℃での貯蔵弾性
率は、1.7GPaであった。作製した接着フィルムを
用いて、金バンプ(面積:80×80μm、スペース3
0μm、高さ:15μm、バンプ数288)付きチップ
(10×10mm、厚み:0.5mm)とNi/Auめ
っきCu回路プリント基板(電極高さ:20μm、厚
み:0.8mm)の接続を以下に示すように行った。セ
パレータ付接着フィルムを12mm×12mmに形成
し、Ni/AuめっきCu回路プリント基板にセパレー
タ反対面の接着フィルムを重ね、60℃、0.5MPa
で仮接続工程を行った。仮接続工程後、セパレータを剥
離した。チップのバンプとNi/AuめっきCu回路プ
リント基板の位置合わせを行った後、180℃、100
g/バンプ、20秒の条件でチップ上方から加熱、加圧
を行い、本接続を行って回路板を得た。
10 g of the resin (A) having the structure represented by the general formula (I) is mixed with 1: 1 toluene: ethyl acetate.
(Weight ratio) in 30 g of a mixed solvent to obtain a 25% by weight solution. Next, a liquid epoxy containing a commercially available microcapsule-type latent curing agent (bisphenol F-type epoxy resin: epoxy equivalent: 185, imidazole-based curing agent encapsulated in bisphenol F-type epoxy resin) 18.
5 g was added to this solution and stirred, and a nickel layer having a thickness of 0.2 μm was provided on the surface of the polystyrene core (diameter: 5 μm).
The conductive particles on which the Au layer of m was formed were dispersed at 3% by volume to obtain a varnish solution for film coating. This solution was applied to a separator (silicone-treated polyethylene terephthalate film, thickness 40 μm) as a peelable substrate by a roll coater, and dried at 100 ° C. for 10 minutes to produce an adhesive film made of a resin composition having a thickness of 40 μm. The adhesive film was cured at 150 ° C. for 3 hours, and the elastic modulus of the cured film was measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (temperature rising rate: 5 ° C./min,
As a result of measuring Tg by the peak value of tan δ, the temperature was 170 ° C. The storage modulus at 40 ° C. was 1.7 GPa. Using the produced adhesive film, gold bumps (area: 80 × 80 μm, space 3)
The connection between a chip (10 × 10 mm, thickness: 0.5 mm) with a Ni / Au plating Cu circuit printed circuit board (electrode height: 20 μm, thickness: 0.8 mm) with 0 μm, height: 15 μm, and bump number: 288) is as follows. Performed as shown. An adhesive film with a separator is formed in a size of 12 mm × 12 mm, and the adhesive film on the opposite side of the separator is laminated on a Ni / Au plated Cu circuit printed board, and the temperature is 60 ° C. and 0.5 MPa.
A temporary connection step was performed. After the temporary connection step, the separator was peeled off. After aligning the bumps on the chip with the Ni / Au plated Cu circuit printed circuit board,
Heating and pressurizing were performed from above the chip under the conditions of g / bump and 20 seconds, and the main connection was performed to obtain a circuit board.

【0027】本接続後の回路板の接続抵抗は、1バンプ
あたり最高で5mΩ、平均で1.6mΩ、絶縁抵抗は1
8Ω以上であった。この回路板を同様にして多数個作
製し、−55〜125℃の熱衝撃試験試験を1000サ
イクル行い処理した。またPCT試験(121℃、2気
圧)を200時間、260℃のはんだバス浸漬を10秒
間行い前記と同様接続抵抗を測定した結果、1バンプあ
たり最高で5mΩ、平均で1.6mΩ、絶縁抵抗は10
8Ω以上の値に変化がなく良好な接続信頼性を示した。
The connection resistance of the circuit board after the actual connection is 5 mΩ at maximum per bump, 1.6 mΩ on average, and the insulation resistance is 1
Was 0 8 Ω or more. A large number of such circuit boards were prepared in the same manner, and subjected to a thermal shock test test at −55 to 125 ° C. for 1000 cycles. In addition, a PCT test (121 ° C., 2 atm) was performed for 200 hours, and a solder bath immersion at 260 ° C. was performed for 10 seconds, and the connection resistance was measured in the same manner as described above. 10
There was no change in the value of 8 Ω or more, indicating good connection reliability.

【0028】(実施例2)実施例1で得られたセパレー
タ付接着フィルムを室温で1カ月保存した後、実施例1
と同様にしてチップと基板を接続し回路板を得た。接続
後の回路板の接続抵抗は、1バンプあたり最高で7m
Ω、平均で1.7mΩ、絶縁抵抗は108Ω以上であっ
た。この回路板を同様にして多数個作製し、実施例1と
同様に、−55〜125℃の熱衝撃試験試験を1000
サイクル行い処理した。またPCT試験(121℃、2
気圧)を200時間、260℃のはんだバス浸漬を10
秒間行い前記と同様接続抵抗を測定した結果、1バンプ
あたり最高で7mΩ、平均で1.7mΩ、絶縁抵抗は1
8Ω以上の値に変化がなく良好な接続信頼性を示し
た。
Example 2 The adhesive film with a separator obtained in Example 1 was stored at room temperature for one month.
A chip and a substrate were connected in the same manner as in the above to obtain a circuit board. Connection resistance of the circuit board after connection is up to 7m per bump
Ω, the average was 1.7 mΩ, and the insulation resistance was 10 8 Ω or more. A large number of the circuit boards were manufactured in the same manner, and a thermal shock test at −55 to 125 ° C. was performed in the same manner as in Example 1.
Cycled and processed. PCT test (121 ° C, 2
Pressure) for 200 hours and 260 ° C solder bath immersion for 10 hours.
The connection resistance was measured in the same manner as described above, and as a result, the maximum resistance per bump was 7 mΩ, the average was 1.7 mΩ, and the insulation resistance was 1
0 changing to 8 Omega or more values showed no good connection reliability.

【0029】(実施例3)実施例1で合成した一般式
(I)で示される構造からなる樹脂(A)10g、次い
で、ラジカル重合物質としてビスフェノールAジグリシ
ジルエーテルメタクリル酸付加物(エポキシエステル3
000M,共栄社化学株式会社製商品名)10g、t−
ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート1gをト
ルエン:酢酸エチル=1:1の混合溶剤に25重量%と
なるよう溶解した。さらに実施例1と同じ導電粒子を3
容量%分散してフィルム塗工用ワニス溶液を得た。この
溶液を剥離性基材としてセパレータ(シリコーン処理し
たポリエチレンテレフタレートフィルム、厚み40μ
m)にロールコータで塗布し、100℃、10分乾燥し
厚み40μmの樹脂組成物からなる接着フィルムを作製
した。接着フィルムを150℃で3時間硬化させ、硬化
フィルムを動的粘弾性測定装置を用いて弾性率を測定し
(昇温速度5℃/分、10Hz)、tanδのピーク値
によってTgを測定した結果、120℃であった。
Example 3 10 g of the resin (A) having the structure represented by the general formula (I) synthesized in Example 1 and then a bisphenol A diglycidyl ether methacrylic acid adduct (epoxy ester 3) as a radical polymerizable substance
000M, trade name, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) 10 g, t-
1 g of butyl peroxy-2-ethylhexanoate was dissolved in a mixed solvent of toluene: ethyl acetate = 1: 1 so as to be 25% by weight. Further, the same conductive particles as in Example 1
The varnish solution for film coating was obtained by dispersing by volume%. Using this solution as a peelable substrate, a separator (silicon-treated polyethylene terephthalate film, thickness 40 μm) was used.
m) was applied by a roll coater and dried at 100 ° C. for 10 minutes to prepare an adhesive film made of a resin composition having a thickness of 40 μm. The adhesive film was cured at 150 ° C. for 3 hours, and the elasticity of the cured film was measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (heating rate 5 ° C./min, 10 Hz), and Tg was measured by the peak value of tan δ. , 120 ° C.

【0030】(比較例1)一般式(I)で示される構造
からなる樹脂(A)の代わりにビスフェノールS型エポ
キシ樹脂(エポキシ当量308)10gをトルエン:酢
酸エチル=1:1の混合溶媒30gに溶解し、25重量
%溶液を得た。次いで、市販のマイクロカプセル型潜在
性硬化剤を含有する液状エポキシ(ビスフェノールF型
エポキシ樹脂:エポキシ当量185、イミダゾール系硬
化剤をビスフェノールF型エポキシ樹脂でカプセル化)
18.5gをこの溶液に加え、撹拌し、さらにポリスチ
レン系核体(直径:5μm)の表面に、厚み0.2μm
のニッケル層を設け、このニッケル層の外側に厚み0.
04μmのAu層を形成した導電粒子を3容量%分散し
てフィルム塗工用ワニス溶液を得ようとしたが、ビスフ
ェノールS型エポキシ樹脂が溶解せずワニス溶液を得る
ことができなかった。
Comparative Example 1 10 g of a bisphenol S type epoxy resin (epoxy equivalent 308) was used instead of the resin (A) having the structure represented by the general formula (I), and 30 g of a mixed solvent of toluene: ethyl acetate = 1: 1 was used. To give a 25% by weight solution. Next, a liquid epoxy containing a commercially available microcapsule type latent curing agent (bisphenol F type epoxy resin: epoxy equivalent 185, imidazole type curing agent encapsulated in bisphenol F type epoxy resin)
18.5 g was added to this solution, and the solution was stirred. Further, a 0.2 μm thick polystyrene nucleus (diameter: 5 μm) was placed on the surface of the core.
A nickel layer having a thickness of 0.1 mm outside the nickel layer.
An attempt was made to obtain a varnish solution for film coating by dispersing 3% by volume of the conductive particles having the Au layer having a thickness of 04 μm, but the bisphenol S-type epoxy resin was not dissolved and a varnish solution could not be obtained.

【0031】(比較例2)比較例1の溶剤をトルエン:
酢酸エチル=1:1の混合溶媒からメチルエチルケト
ン:酢酸エチル=1:1重量比の混合溶媒にしたこと以
外比較例1と同様な配合でフィルム塗工用ワニス溶液を
得た。この溶液を実施例1と同様に、剥離性基材として
セパレータ(シリコーン処理したポリエチレンテレフタ
レートフィルム、厚み40μm)にロールコータで塗布
し、100℃、10分乾燥し厚み40μmの接着フィル
ムを作製した。接着フィルムを150℃で3時間硬化さ
せ、硬化フィルムを動的粘弾性測定装置を用いて弾性率
を測定し、tanδのピーク値によってTgを測定した結
果、Tgは120℃であった。また、40℃での貯蔵弾
性率は2.5GPaであった。作製した接着フィルムを
用いて、実施例1と同様に、金バンプ(面積:80×8
0μm、スペース30μm、高さ:15μm、バンプ数
288)付きチップ(10×10mm、厚み:0.5m
m)とNi/AuめっきCu回路プリント基板(電極高
さ:20μm、厚み:0.8mm)の接続を以下に示す
ように行った。セパレータ付接着フィルムを12mm×
12mmに形成し、Ni/AuめっきCu回路プリント
基板にセパレータ反対面の接着フィルムを重ね、60
℃、0.5MPaで仮接続工程を行った。仮接続工程
後、セパレータを剥離した。チップのバンプとNi/A
uめっきCu回路プリント基板の位置合わせを行った
後、180℃、100g/バンプ、20秒の条件でチッ
プ上方から加熱、加圧を行い、本接続を行って回路板を
得た。
Comparative Example 2 The solvent of Comparative Example 1 was toluene:
A varnish solution for film coating was obtained with the same formulation as in Comparative Example 1 except that the mixed solvent of ethyl acetate = 1: 1 was changed to a mixed solvent of methyl ethyl ketone: ethyl acetate = 1: 1 by weight. This solution was applied to a separator (silicone-treated polyethylene terephthalate film, thickness: 40 μm) as a peelable substrate by a roll coater in the same manner as in Example 1, and dried at 100 ° C. for 10 minutes to produce an adhesive film having a thickness of 40 μm. The adhesive film was cured at 150 ° C. for 3 hours, the elastic modulus of the cured film was measured using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus, and Tg was measured by the peak value of tan δ. As a result, Tg was 120 ° C. The storage modulus at 40 ° C. was 2.5 GPa. Using the produced adhesive film, gold bumps (area: 80 × 8) were formed in the same manner as in Example 1.
0 μm, space 30 μm, height: 15 μm, number of bumps 288) (10 × 10 mm, thickness: 0.5 m)
m) and a Ni / Au plated Cu circuit printed circuit board (electrode height: 20 μm, thickness: 0.8 mm) were connected as shown below. 12mm x adhesive film with separator
It is formed to 12 mm, and the adhesive film on the opposite side of the separator is overlaid on the Ni / Au-plated Cu circuit printed circuit board.
A temporary connection step was performed at 0.5 ° C. and 0.5 ° C. After the temporary connection step, the separator was peeled off. Chip bump and Ni / A
After positioning of the u-plated Cu circuit printed circuit board, heating and pressurizing were performed from above the chip under the conditions of 180 ° C., 100 g / bump, and 20 seconds, and the circuit was obtained by performing the main connection.

【0032】接続後の回路板の接続抵抗は、1バンプあ
たり最高で6mΩ、平均で1.7mΩ、絶縁抵抗は10
8Ω以上であった。この回路板を同様にして多数個作製
し、−55〜125℃の熱衝撃試験試験を1000サイ
クル行い処理した。またPCT試験(121℃、2気
圧)を200時間、260℃のはんだバス浸漬を10秒
間行い前記と同様接続抵抗を測定した結果、いずれの場
合でもチップと接着剤、接着剤とプリント基板間で剥離
が生じ導通不良を生じた。
The connection resistance of the circuit board after connection is 6 mΩ at maximum per bump, 1.7 mΩ on average, and the insulation resistance is 10 mΩ.
It was 8 Ω or more. A large number of such circuit boards were prepared in the same manner, and subjected to a thermal shock test test at −55 to 125 ° C. for 1000 cycles. In addition, a PCT test (121 ° C., 2 atm) was performed for 200 hours, and a solder bath immersion at 260 ° C. was performed for 10 seconds, and the connection resistance was measured in the same manner as described above. Peeling occurred, resulting in poor conduction.

【0033】(比較例3)比較例2で得られたセパレー
タ付接着フィルムを室温で1ヶ月間保存した後、実施例
1と同様にチップと基板を接続し回路板を得ようとした
が、接着剤を保存中に接着フィルムの硬化が進み、流動
性が不足して一部導通不良を生じた。
(Comparative Example 3) After storing the adhesive film with a separator obtained in Comparative Example 2 at room temperature for one month, a chip and a substrate were connected in the same manner as in Example 1 to obtain a circuit board. During storage of the adhesive, the curing of the adhesive film progressed, and the fluidity was insufficient, resulting in partial conduction failure.

【0034】(比較例4)実施例3で一般式(I)で示
される構造からなる樹脂(A)の代わりにフェノキシ樹
脂10gを用いたこと以外実施例3と同様に行い、フィ
ルム塗工用ワニス溶液を得た。この溶液を剥離性基材と
してセパレータ(シリコーン処理したポリエチレンテレ
フタレートフィルム、厚み40μm)にロールコータで
塗布し、100℃、10分乾燥し厚み40μmの樹脂組
成物からなる接着フィルムを作製した。接着フィルムを
150℃で3時間硬化させ、硬化フィルムを動的粘弾性
測定装置を用いて弾性率を測定し(昇温速度5℃/分、
10Hz)、tanδのピーク値によってTgを測定し
た結果、90℃であった。
(Comparative Example 4) The procedure of Example 3 was repeated except that 10 g of a phenoxy resin was used instead of the resin (A) having the structure represented by the general formula (I). A varnish solution was obtained. This solution was applied to a separator (silicone-treated polyethylene terephthalate film, thickness 40 μm) as a peelable substrate by a roll coater, and dried at 100 ° C. for 10 minutes to produce an adhesive film made of a resin composition having a thickness of 40 μm. The adhesive film was cured at 150 ° C. for 3 hours, and the elastic modulus of the cured film was measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (temperature rising rate: 5 ° C./min,
As a result of measuring Tg by the peak value of tan δ, the temperature was 90 ° C.

【0035】比較例1は、一般式(I)で示される構造
からなる樹脂(A)の繰り返し単位と同じ構造単位を含
むビスフェノールS型エポキシ樹脂を用いたものである
が、トルエン:酢酸エチル混合溶媒に溶解せずフィルム
塗工用ワニス溶液を得ることができない。一方、比較例
2に示したように、溶剤をメチルエチルケトン:酢酸エ
チルにすると溶解はするが、マイクロカプセル型潜在性
硬化剤のカプセルを溶解し硬化剤が溶出するので初期状
態の接続特性は良好であるが、1カ月の保存では、マイ
クロカプセル型潜在性硬化剤のカプセルがエポキシ樹脂
の被膜であり、メチルエチルケトンに溶解したため保存
安定性に劣る結果になったと思われる。これに対して、
実施例1、2では、一般式(I)で示される構造からな
る樹脂(A)を用いていることにより耐熱性が向上し、
また、マイクロカプセル型潜在性硬化剤のカプセルを溶
解する溶剤を使用することなくフィルム塗工用ワニス溶
液を得ることができ、保存安定性に優れ、耐熱性、接続
信頼性にも優れる。また、硬化物の弾性率が低いのでチ
ップと回路基板の熱膨張差に起因する応力を緩和するこ
とができ、接続直後の接続抵抗が比較的低く、更に各種
の処理後における接続信頼性に優れた樹脂組成物を提供
することができる。
Comparative Example 1 uses a bisphenol S type epoxy resin containing the same structural unit as the repeating unit of the resin (A) having the structure represented by the general formula (I). The varnish solution for film coating cannot be obtained because it does not dissolve in the solvent. On the other hand, as shown in Comparative Example 2, when the solvent is methyl ethyl ketone: ethyl acetate, the solvent is dissolved, but the capsule of the microcapsule type latent curing agent is dissolved and the curing agent is eluted, so that the connection characteristics in the initial state are good. However, it is considered that the storage of the microcapsule-type latent curing agent was a coating of an epoxy resin and dissolved in methyl ethyl ketone, resulting in poor storage stability after storage for one month. On the contrary,
In Examples 1 and 2, heat resistance is improved by using the resin (A) having the structure represented by the general formula (I),
In addition, a varnish solution for film coating can be obtained without using a solvent that dissolves the capsule of the microcapsule-type latent curing agent, and is excellent in storage stability, heat resistance, and connection reliability. In addition, since the elasticity of the cured product is low, the stress caused by the difference in thermal expansion between the chip and the circuit board can be reduced, the connection resistance immediately after connection is relatively low, and the connection reliability after various processes is excellent. Can be provided.

【0036】[0036]

【発明の効果】本発明の樹脂組成物は、一般式(I)で
示される構造からなる樹脂(A)と三次元架橋性樹脂
(B)を含む樹脂組成物であり、耐熱性で低弾性の樹脂
成形品を与えることができ、電子材料分野における接着
剤組成物に適応することで接続信頼性に優れた特性を付
与することができる。
The resin composition of the present invention is a resin composition containing a resin (A) having a structure represented by the general formula (I) and a three-dimensionally crosslinkable resin (B), and has heat resistance and low elasticity. A resin molded product of the above can be provided, and by applying to an adhesive composition in the field of electronic materials, characteristics excellent in connection reliability can be provided.

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C08L 71/10 C08L 71/10 81/06 81/06 C09J 9/02 C09J 9/02 H05K 3/32 H05K 3/32 B (72)発明者 永井 朗 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社筑波開発研究所内 (72)発明者 竹村 賢三 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社筑波開発研究所内 Fターム(参考) 4J002 AA02X BG03X BH02X CD00X CD04X CD05X CD06X CH08W CM02X CM04X CN03W DA077 DA087 DK008 EK006 EK016 EK036 EK056 EK066 EN008 EQ028 ER028 EU118 EV298 FB077 FD117 FD148 FD156 GQ00 4J005 AA24 BD06 4J030 BA09 BA42 BA48 BA49 BB61 BB67 BC02 BC08 BD01 BF03 BF07 BF09 BF13 BF19 BG03 BG09 4J040 EC002 EC061 EC171 HB03 JA01 JA02 JB08 JB10 KA03 KA16 KA23 KA32 LA02 LA06 LA08 NA20 5E319 BB11 BB13 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (Reference) C08L 71/10 C08L 71/10 81/06 81/06 C09J 9/02 C09J 9/02 H05K 3/32 H05K 3/32 B (72) Inventor Akira Nagai 48 Wadai, Tsukuba, Ibaraki Pref.Hitachi Chemical Industry Co., Ltd.Tsukuba R & D Co., Ltd. Reference) 4J002 AA02X BG03X BH02X CD00X CD04X CD05X CD06X CH08W CM02X CM04X CN03W DA077 DA087 DK008 EK006 EK016 EK036 EK056 EK066 EN008 EQ028 ER028 EU118 EV298 FB077 FD117 BF148 BA18BC084 FD156 AQ08 BF156 AQ18 BG03 BG09 4J040 EC002 EC061 EC171 HB03 JA01 JA02 JB08 JB10 KA03 KA16 KA23 KA32 LA02 LA06 LA08 NA20 5E319 BB11 BB13

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記一般式(I)で示される構造からな
る樹脂(A)と三次元架橋性樹脂(B)を含む樹脂組成
物。 【化1】 (ここでR1は水素原子または炭素数1〜2のアルキル基
であり、R2は炭素数4〜13の直鎖状または分岐したア
ルキル基であり、n、mは5〜250の整数である。)
1. A resin composition comprising a resin (A) having a structure represented by the following general formula (I) and a three-dimensionally crosslinkable resin (B). Embedded image (Where R 1 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 2 carbon atoms, R 2 is a linear or branched alkyl group having 4 to 13 carbon atoms, and n and m are integers of 5 to 250. is there.)
【請求項2】 一般式(1)で示される構造からなる樹
脂(A)のガラス転移温度が80〜150℃であり、芳
香族炭化水素系溶剤または芳香族炭化水素系溶剤と他の
有機溶剤との混合溶剤に溶解することを特徴とする請求
項1に記載の樹脂組成物。
2. The resin (A) having a structure represented by the general formula (1) has a glass transition temperature of 80 to 150 ° C., and an aromatic hydrocarbon solvent or an aromatic hydrocarbon solvent and another organic solvent. The resin composition according to claim 1, wherein the resin composition is dissolved in a mixed solvent of
【請求項3】 三次元架橋性樹脂(B)が少なくともエ
ポキシ樹脂であり潜在性硬化剤を含有する請求項1また
は請求項2に記載の樹脂組成物。
3. The resin composition according to claim 1, wherein the three-dimensional crosslinkable resin (B) is at least an epoxy resin and contains a latent curing agent.
【請求項4】 三次元架橋性樹脂(B)が少なくともラ
ジカル重合物質であり、光照射または加熱により遊離ラ
ジカルを発生する硬化剤を含む請求項1または請求項3
のいずれかに記載の樹脂組成物。
4. The three-dimensional crosslinkable resin (B) is at least a radical polymerizable substance, and contains a curing agent that generates free radicals by light irradiation or heating.
The resin composition according to any one of the above.
【請求項5】 一般式(1)で示される構造からなる樹
脂(A)と三次元架橋性樹脂(B)を芳香族炭化水素系
溶剤に溶解して溶液状態で均一混合し、混合後に溶剤を
除去して得られる請求項1ないし請求項4のいずれかに
記載の樹脂組成物。
5. A resin (A) having a structure represented by the general formula (1) and a three-dimensionally crosslinkable resin (B) are dissolved in an aromatic hydrocarbon solvent and uniformly mixed in a solution state. The resin composition according to any one of claims 1 to 4, which is obtained by removing
【請求項6】 一般式(1)で示される構造からなる樹
脂(A)と三次元架橋性樹脂(B)が回路接続用部材に
用いられることを特徴とする樹脂組成物。
6. A resin composition comprising a resin (A) having a structure represented by the general formula (1) and a three-dimensional crosslinkable resin (B) used for a circuit connecting member.
【請求項7】 請求項1ないし請求項6のうちいずれか
に記載の樹脂組成物に0.1〜20体積%の導電粒子が
分散されていることを特徴とする樹脂組成物。
7. A resin composition comprising the resin composition according to claim 1 and 0.1 to 20% by volume of conductive particles dispersed therein.
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