JP2000277852A - 表面発光型半導体レーザ、及びその製造方法 - Google Patents

表面発光型半導体レーザ、及びその製造方法

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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004529487A (ja) * 2000-11-28 2004-09-24 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド 単一モードｖｃｓｅｌ用の多機能方法およびシステム
JP2006114915A (ja) * 2004-10-14 2006-04-27 Samsung Electronics Co Ltd ファンネル構造のｖｅｃｓｅｌ
JP2007201398A (ja) * 2005-07-04 2007-08-09 Sony Corp 面発光型半導体レーザ
JP2010040605A (ja) * 2008-07-31 2010-02-18 Canon Inc 面発光レーザおよびその製造方法、面発光レーザアレイ、面発光レーザアレイの製造方法、および面発光レーザアレイを備えている光学機器
WO2011034194A1 (en) * 2009-09-18 2011-03-24 Ricoh Company, Ltd. Surface-emitting laser, surface-emitting laser array, optical scanning apparatus, and image forming apparatus
JP2014086565A (ja) * 2012-10-24 2014-05-12 Fuji Xerox Co Ltd 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置
JP2017163140A (ja) * 2016-03-07 2017-09-14 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 発光素子
EP3244497A1 (en) 2016-04-18 2017-11-15 Stanley Electric Co., Ltd. Vertical cavity light-emitting element and method for manufacturing the same
JP7103552B1 (ja) * 2022-01-27 2022-07-20 三菱電機株式会社 光半導体装置
CN116646815A (zh) * 2023-03-27 2023-08-25 中国科学院半导体研究所 激光器及其制备方法

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004529487A (ja) * 2000-11-28 2004-09-24 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド 単一モードｖｃｓｅｌ用の多機能方法およびシステム
JP2006114915A (ja) * 2004-10-14 2006-04-27 Samsung Electronics Co Ltd ファンネル構造のｖｅｃｓｅｌ
JP2007201398A (ja) * 2005-07-04 2007-08-09 Sony Corp 面発光型半導体レーザ
US8385381B2 (en) 2005-07-04 2013-02-26 Sony Corporation Vertical cavity surface emitting laser
JP2010040605A (ja) * 2008-07-31 2010-02-18 Canon Inc 面発光レーザおよびその製造方法、面発光レーザアレイ、面発光レーザアレイの製造方法、および面発光レーザアレイを備えている光学機器
WO2011034194A1 (en) * 2009-09-18 2011-03-24 Ricoh Company, Ltd. Surface-emitting laser, surface-emitting laser array, optical scanning apparatus, and image forming apparatus
US8624950B2 (en) 2009-09-18 2014-01-07 Ricoh Company, Ltd. Surface-emitting laser comprising emission region having peripheral portion with anisotropy in two perpendicular directions, and surface-emitting laser array, optical scanning apparatus and image forming apparatus including the same
JP2014086565A (ja) * 2012-10-24 2014-05-12 Fuji Xerox Co Ltd 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置
JP2017163140A (ja) * 2016-03-07 2017-09-14 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 発光素子
JP7068772B2 (ja) 2016-03-07 2022-05-17 晶元光電股▲ふん▼有限公司 発光素子
JP2022093631A (ja) * 2016-03-07 2022-06-23 晶元光電股▲ふん▼有限公司 発光素子
EP3244497A1 (en) 2016-04-18 2017-11-15 Stanley Electric Co., Ltd. Vertical cavity light-emitting element and method for manufacturing the same
US9935427B2 (en) 2016-04-18 2018-04-03 Stanley Electric Co., Ltd. Vertical cavity light-emitting element and method for manufacturing the same
JP7103552B1 (ja) * 2022-01-27 2022-07-20 三菱電機株式会社 光半導体装置
WO2023144960A1 (ja) * 2022-01-27 2023-08-03 三菱電機株式会社 光半導体装置
CN116646815A (zh) * 2023-03-27 2023-08-25 中国科学院半导体研究所 激光器及其制备方法

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