JP2000277686A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JP2000277686A JP2000277686A JP11086147A JP8614799A JP2000277686A JP 2000277686 A JP2000277686 A JP 2000277686A JP 11086147 A JP11086147 A JP 11086147A JP 8614799 A JP8614799 A JP 8614799A JP 2000277686 A JP2000277686 A JP 2000277686A
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- Japan
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- semiconductor integrated
- integrated circuit
- transistor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度勾配による素子の温度特性のばらつきを
圧縮できる半導体集積回路を提供する。 【解決手段】 この半導体集積回路10は、パワートラ
ンジスタ11を配設し、さらに、NPNトランジスタ1
2、PNPトランジスタ13、PNPトランジスタ14
を実装している。また、各素子12,13,14は、温
度により特性が変動するので、パワートランジスタ11
から等距離Zだけ離して配設している。さらに、これら
の各素子12,13,14はアルミニウム配線15で覆
うようにしている。PNPトランジスタ13及び14に
より差動増幅回路が形成されているのであれば、基板よ
りも熱伝導率の高いアルミニウム配線15は温度勾配に
よる特性のばらつきを圧縮し、熱分布を平均化するので
有効である。もちろん、PNPトランジスタ13及び1
4はペア性が向上する。
圧縮できる半導体集積回路を提供する。 【解決手段】 この半導体集積回路10は、パワートラ
ンジスタ11を配設し、さらに、NPNトランジスタ1
2、PNPトランジスタ13、PNPトランジスタ14
を実装している。また、各素子12,13,14は、温
度により特性が変動するので、パワートランジスタ11
から等距離Zだけ離して配設している。さらに、これら
の各素子12,13,14はアルミニウム配線15で覆
うようにしている。PNPトランジスタ13及び14に
より差動増幅回路が形成されているのであれば、基板よ
りも熱伝導率の高いアルミニウム配線15は温度勾配に
よる特性のばらつきを圧縮し、熱分布を平均化するので
有効である。もちろん、PNPトランジスタ13及び1
4はペア性が向上する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、パワートランジス
タ等のパワーデバイスを内蔵する半導体集積回路に関す
る。
タ等のパワーデバイスを内蔵する半導体集積回路に関す
る。
【0002】
【従来の技術】パワートランジスタ等の発熱する素子を
内蔵するチップでは、その素子から離れるにしたがって
温度が下がり温度勾配ができる。しかし、同チップ上に
実装されるトランジスタや抵抗は温度により特性が変動
する。
内蔵するチップでは、その素子から離れるにしたがって
温度が下がり温度勾配ができる。しかし、同チップ上に
実装されるトランジスタや抵抗は温度により特性が変動
する。
【0003】例えば、図6に示すように、パワートラン
ジスタ11を内蔵したチップ10上に、さらに、NPN
トランジスタ12、PNPトランジスタ13、PNPト
ランジスタ14が実装されているとする。これらの各素
子12,13,14は、温度により特性が変動するの
で、パワートランジスタ11から等距離Zだけ離し、温
度特性を揃えるようにしている。特に、入力段差動素
子、カレントミラー回路等のペア性を備える素子は、熱
源から等距離に配置し、温度による特性を揃える必要が
ある。
ジスタ11を内蔵したチップ10上に、さらに、NPN
トランジスタ12、PNPトランジスタ13、PNPト
ランジスタ14が実装されているとする。これらの各素
子12,13,14は、温度により特性が変動するの
で、パワートランジスタ11から等距離Zだけ離し、温
度特性を揃えるようにしている。特に、入力段差動素
子、カレントミラー回路等のペア性を備える素子は、熱
源から等距離に配置し、温度による特性を揃える必要が
ある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記チップ
を形成している基盤はあまり熱伝導率が高くないので、
温度勾配による素子のばらつきがあまり圧縮できなかっ
た。
を形成している基盤はあまり熱伝導率が高くないので、
温度勾配による素子のばらつきがあまり圧縮できなかっ
た。
【0005】本発明は、上記実情に鑑みてなされたもの
であり、温度勾配による素子の温度特性のばらつきを圧
縮できる半導体集積回路の提供を目的とする。
であり、温度勾配による素子の温度特性のばらつきを圧
縮できる半導体集積回路の提供を目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体集積
回路は、上記課題を解決するために、発熱する素子を基
板上に配設してなる半導体集積回路において、上記基板
よりも熱伝導率の高い金属で、上記基板上に配設されて
いる熱温度感度の高い他の複数の素子を覆う。
回路は、上記課題を解決するために、発熱する素子を基
板上に配設してなる半導体集積回路において、上記基板
よりも熱伝導率の高い金属で、上記基板上に配設されて
いる熱温度感度の高い他の複数の素子を覆う。
【0007】上記熱温度感度の高い他の複数の素子は、
差動増幅回路を構成する同じ型のトランジスタである。
また、上記熱伝導率の高い金属として、アルミニウムを
用いる。
差動増幅回路を構成する同じ型のトランジスタである。
また、上記熱伝導率の高い金属として、アルミニウムを
用いる。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体集積回
路の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
路の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【0009】上記半導体集積回路の具体例を図1に示
す。この半導体集積回路10は、パワートランジスタ1
1を配設し、さらに、NPNトランジスタ12、PNP
トランジスタ13、PNPトランジスタ14を実装して
いる。
す。この半導体集積回路10は、パワートランジスタ1
1を配設し、さらに、NPNトランジスタ12、PNP
トランジスタ13、PNPトランジスタ14を実装して
いる。
【0010】また、各素子12,13,14は、温度に
より特性が変動するので、パワートランジスタ11から
等距離Zだけ離して配設している。さらに、これらの各
素子12,13,14は基板よりも熱伝導率の高い金
属、例えばアルミニウム配線15で覆うようにしてい
る。
より特性が変動するので、パワートランジスタ11から
等距離Zだけ離して配設している。さらに、これらの各
素子12,13,14は基板よりも熱伝導率の高い金
属、例えばアルミニウム配線15で覆うようにしてい
る。
【0011】特に、PNPトランジスタ13及び14に
より差動増幅回路が形成されているのであれば、基板よ
りも熱伝導率の高いアルミニウム配線15は温度勾配に
よる特性のばらつきを圧縮し、熱分布を平均化するので
有効である。もちろん、PNPトランジスタ13及び1
4はペア性が向上する。
より差動増幅回路が形成されているのであれば、基板よ
りも熱伝導率の高いアルミニウム配線15は温度勾配に
よる特性のばらつきを圧縮し、熱分布を平均化するので
有効である。もちろん、PNPトランジスタ13及び1
4はペア性が向上する。
【0012】図2には、上記半導体集積回路の変形例を
示す。この半導体集積回路10は、NPNトランジスタ
12、PNPトランジスタ13、PNPトランジスタ1
4をパワートランジスタ11から等距離に配設すること
なく、すなわちそれぞれ距離X,Y,Zの位置に配設し
ながらも、アルミニウム配線15で覆っている。基板よ
りも熱伝導率の高い金属であるアルミニウム配線15で
覆うだけでも、十分に温度勾配を少なくでき、ペア性を
保つことができるものもある。
示す。この半導体集積回路10は、NPNトランジスタ
12、PNPトランジスタ13、PNPトランジスタ1
4をパワートランジスタ11から等距離に配設すること
なく、すなわちそれぞれ距離X,Y,Zの位置に配設し
ながらも、アルミニウム配線15で覆っている。基板よ
りも熱伝導率の高い金属であるアルミニウム配線15で
覆うだけでも、十分に温度勾配を少なくでき、ペア性を
保つことができるものもある。
【0013】図3には上記変形例の、さらに詳細な具体
例を示す。
例を示す。
【0014】半導体集積回路20には、パワートランジ
スタ21と、差動増幅回路を構成する二つのPNPトラ
ンジスタ31及び41が配設されている。
スタ21と、差動増幅回路を構成する二つのPNPトラ
ンジスタ31及び41が配設されている。
【0015】パワートランジスタ21の、コレクタ2
2、ベース24、エミッタ26には、コレクタ取り出し
部23、ベース取り出し部25a及び25b、エミッタ
取り出し部27が形成されている。
2、ベース24、エミッタ26には、コレクタ取り出し
部23、ベース取り出し部25a及び25b、エミッタ
取り出し部27が形成されている。
【0016】PNPトランジスタ31及び41には、コ
レクタ32及び42、ベース34及び44、エミッタ3
6及び46の他、各取り出し部、すなわち、コレクタ取
り出し部33及び43、ベース取り出し部35及び4
5、エミッタ取り出し部37及び47が形成されてい
る。
レクタ32及び42、ベース34及び44、エミッタ3
6及び46の他、各取り出し部、すなわち、コレクタ取
り出し部33及び43、ベース取り出し部35及び4
5、エミッタ取り出し部37及び47が形成されてい
る。
【0017】図4に示すように、差動増幅回路71はP
NPトランジスタ31及び41で構成されている。この
ため、二つの同じPNPトランジスタ31及び41の、
温度勾配に対する熱伝導率が異なるのは、特性上好まし
くない。そこで、これら二つのPNPトランジスタ31
及び41をアルミニウム配線51で覆っている。この図
3に示した半導体集積回路20は、基板よりも熱伝導率
の高い金属であるアルミニウム配線51で二つのPNP
トランジスタ31及び41を覆っているので、十分に温
度勾配を少なくでき、ペア性を保つことができるものも
ある。
NPトランジスタ31及び41で構成されている。この
ため、二つの同じPNPトランジスタ31及び41の、
温度勾配に対する熱伝導率が異なるのは、特性上好まし
くない。そこで、これら二つのPNPトランジスタ31
及び41をアルミニウム配線51で覆っている。この図
3に示した半導体集積回路20は、基板よりも熱伝導率
の高い金属であるアルミニウム配線51で二つのPNP
トランジスタ31及び41を覆っているので、十分に温
度勾配を少なくでき、ペア性を保つことができるものも
ある。
【0018】図5には、図3上のAA’での断面を示
す。左側にはパワートランジスタ21の断面を、右側に
は差動増幅回路71を構成する二つのPNPトランジス
タ31及び41の断面を示す。この図5において、61
は酸化膜であり、62は保護膜である。
す。左側にはパワートランジスタ21の断面を、右側に
は差動増幅回路71を構成する二つのPNPトランジス
タ31及び41の断面を示す。この図5において、61
は酸化膜であり、62は保護膜である。
【0019】
【発明の効果】本発明によれば、発熱する素子を基板上
に配設してなる半導体集積回路において、上記基板より
も熱伝導率の高い金属で、上記基板上に配設されている
熱温度感度の高い他の複数の素子を覆うので、温度勾配
による素子の温度特性のばらつきを圧縮できる。
に配設してなる半導体集積回路において、上記基板より
も熱伝導率の高い金属で、上記基板上に配設されている
熱温度感度の高い他の複数の素子を覆うので、温度勾配
による素子の温度特性のばらつきを圧縮できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体集積回路の具体例を示す平面図
である。
である。
【図2】本発明の半導体集積回路の変形例を示す平面図
である。
である。
【図3】本発明の半導体集積回路の変形例の、さらに詳
細な具体例を示す平面図である。
細な具体例を示す平面図である。
【図4】上記図3に示した詳細な具体例中の、差動増幅
回路の等価回路図である。
回路の等価回路図である。
【図5】上記図3に示した詳細な具体例の、断面図であ
る。
る。
【図6】従来の半導体集積回路の平面図である。
10 半導体集積回路 11 パワートランジスタ 12 NPNトランジスタ 13 PNPトランジスタ 14 PNPトランジスタ 15 アルミニウム配線
Claims (3)
- 【請求項1】 発熱する素子を基板上に配設してなる半
導体集積回路において、 上記基板よりも熱伝導率の高い金属で、上記基板上に配
設されている熱温度感度の高い他の複数の素子を覆うこ
とを特徴とする半導体集積回路。 - 【請求項2】 上記熱温度感度の高い他の複数の素子
は、差動増幅回路を構成する同じ型のトランジスタであ
ることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。 - 【請求項3】 上記熱伝導率の高い金属として、アルミ
ニウムを用いることを特徴とする請求項1記載の半導体
集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11086147A JP2000277686A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11086147A JP2000277686A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000277686A true JP2000277686A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13878636
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11086147A Pending JP2000277686A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000277686A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005079425A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Rohm Co Ltd | 半導体集積回路 |
JP2007043153A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Marvell World Trade Ltd | ダイを急熱するためのオンダイ加熱回路及び制御ループ |
US7852098B2 (en) | 2005-08-01 | 2010-12-14 | Marvell World Trade Ltd. | On-die heating circuit and control loop for rapid heating of the die |
-
1999
- 1999-03-29 JP JP11086147A patent/JP2000277686A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005079425A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Rohm Co Ltd | 半導体集積回路 |
CN100369250C (zh) * | 2003-09-02 | 2008-02-13 | 罗姆股份有限公司 | 半导体集成电路 |
JP2007043153A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Marvell World Trade Ltd | ダイを急熱するためのオンダイ加熱回路及び制御ループ |
US7852098B2 (en) | 2005-08-01 | 2010-12-14 | Marvell World Trade Ltd. | On-die heating circuit and control loop for rapid heating of the die |
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