JP2000277498A - プラズマエッチング装置 - Google Patents
プラズマエッチング装置Info
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- JP2000277498A JP2000277498A JP2000013923A JP2000013923A JP2000277498A JP 2000277498 A JP2000277498 A JP 2000277498A JP 2000013923 A JP2000013923 A JP 2000013923A JP 2000013923 A JP2000013923 A JP 2000013923A JP 2000277498 A JP2000277498 A JP 2000277498A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】鉄（Fe）、クロム（Cr）、ニッケル（Ni）の金
属汚染とともにアルミニウム（Al）による金属汚染を防
止し、デバイス劣化を抑制するのに好適なプラズマエッ
チング装置を提供する。 【解決手段】アース電極の材料に炭化珪素を、載置電極
を覆っているカバーにアルミニウムを含まない絶縁材料
を用いてこれらの部品からのアルミニウムの発生を防止
し、デバイス劣化を抑制する。すなわち、真空処理室に
設けられた載置電極とアース電極及びプラズマ発生源を
備え、プラズマを利用して前記載置電極に載置された基
板をプラズマエッチングするプラズマエッチング装置に
おいて、前記アース電極の材料を炭素または炭化珪素と
し、前記載置電極の基板載置部分以外の前記真空処理室
内に面する表面部分を、Siの化合物を含む絶縁材料で覆
ったことを特徴とする。
属汚染とともにアルミニウム（Al）による金属汚染を防
止し、デバイス劣化を抑制するのに好適なプラズマエッ
チング装置を提供する。 【解決手段】アース電極の材料に炭化珪素を、載置電極
を覆っているカバーにアルミニウムを含まない絶縁材料
を用いてこれらの部品からのアルミニウムの発生を防止
し、デバイス劣化を抑制する。すなわち、真空処理室に
設けられた載置電極とアース電極及びプラズマ発生源を
備え、プラズマを利用して前記載置電極に載置された基
板をプラズマエッチングするプラズマエッチング装置に
おいて、前記アース電極の材料を炭素または炭化珪素と
し、前記載置電極の基板載置部分以外の前記真空処理室
内に面する表面部分を、Siの化合物を含む絶縁材料で覆
ったことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する利用分野】本発明は、載置電極に載置さ
れた基板をプラズマを用いてエッチングするプラズマエ
ッチング装置に関するものである。本発明は、特に、塩
素ガス（Cl2）あるいは臭化水素ガス（HBr）の単独ガス
あるいは塩素ガス（Cl2）と酸素ガス（O2）の混合ガス
あるいは臭化水素ガス（HBr）と酸素ガス（O2）の混合
ガスをエッチングガスとして用い、シリコンのエッチン
グを行うプラズマエッチング装置に関するものである。
れた基板をプラズマを用いてエッチングするプラズマエ
ッチング装置に関するものである。本発明は、特に、塩
素ガス（Cl2）あるいは臭化水素ガス（HBr）の単独ガス
あるいは塩素ガス（Cl2）と酸素ガス（O2）の混合ガス
あるいは臭化水素ガス（HBr）と酸素ガス（O2）の混合
ガスをエッチングガスとして用い、シリコンのエッチン
グを行うプラズマエッチング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、塩素ガス（Cl2）あるいは臭化水
素ガス（HBr）の単独ガスあるいは塩素ガス（Cl2）と酸
素ガス（O2）の混合ガスあるいは臭化水素ガス（HBr）
と酸素（O2）の混合ガスをエッチングガスとして用い、
シリコンのエッチングを行うプラズマエッチング装置と
して例えばマイクロ波プラズマエッチング装置が知られ
ている。
素ガス（HBr）の単独ガスあるいは塩素ガス（Cl2）と酸
素ガス（O2）の混合ガスあるいは臭化水素ガス（HBr）
と酸素（O2）の混合ガスをエッチングガスとして用い、
シリコンのエッチングを行うプラズマエッチング装置と
して例えばマイクロ波プラズマエッチング装置が知られ
ている。
【０００３】マイクロ波プラズマエッチング装置では、
接地電位にある電極（アース電極）の材料に基板への金
属（鉄（Fe）、クロム（Cr）、ニッケル（Ni））汚染を
防止するために、アース電極の材料としてこれらの汚染
源を含む材料に代えて、アルミニウム（Al）を使用して
いる。また、塩素ガス（Cl2）プラズマあるいは臭化水
素ガス（HBr）プラズマによる電極の損傷、消耗を防止
するために、アルミニウム（Al）の表面にはさらに、陽
極酸化処理（アルマイト処理）している。また、載置電
極の損傷、消耗を防止するために、載置電極では、基板
を載置する部分以外が絶縁材料である酸化アルミニウム
（アルミナ）で覆われている。
接地電位にある電極（アース電極）の材料に基板への金
属（鉄（Fe）、クロム（Cr）、ニッケル（Ni））汚染を
防止するために、アース電極の材料としてこれらの汚染
源を含む材料に代えて、アルミニウム（Al）を使用して
いる。また、塩素ガス（Cl2）プラズマあるいは臭化水
素ガス（HBr）プラズマによる電極の損傷、消耗を防止
するために、アルミニウム（Al）の表面にはさらに、陽
極酸化処理（アルマイト処理）している。また、載置電
極の損傷、消耗を防止するために、載置電極では、基板
を載置する部分以外が絶縁材料である酸化アルミニウム
（アルミナ）で覆われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のプラズマエッチ
ング装置では、エッチング処理室内の構成部品からのア
ルミニウム（Al）による金属汚染を考慮していないため
に、近年の高集積化が進んだデバイス、特に微細なゲー
ト構造を含むデバイスにおいて、エッチングにより基板
にアルミニウム（Al）による金属汚染が発生し界面順位
が増加するという問題が出始めている。
ング装置では、エッチング処理室内の構成部品からのア
ルミニウム（Al）による金属汚染を考慮していないため
に、近年の高集積化が進んだデバイス、特に微細なゲー
ト構造を含むデバイスにおいて、エッチングにより基板
にアルミニウム（Al）による金属汚染が発生し界面順位
が増加するという問題が出始めている。
【０００５】本発明の目的は、従来から問題となってい
る鉄（Fe）、クロム（Cr）、ニッケル（Ni）の金属汚染
とともにアルミニウム（Al）による金属汚染を防止し、
デバイス劣化を抑制するのに好適なプラズマエッチング
装置を提供することにある。
る鉄（Fe）、クロム（Cr）、ニッケル（Ni）の金属汚染
とともにアルミニウム（Al）による金属汚染を防止し、
デバイス劣化を抑制するのに好適なプラズマエッチング
装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】発明者等が行った解析す
なわち、全反射蛍光X線分析装置による金属汚染の評価
により、アルミニウム（Al）の汚染源がアルミニウム
（Al）製のアース電極と載置電極を覆っているカバー
（アルミナ）であることがわかった。
なわち、全反射蛍光X線分析装置による金属汚染の評価
により、アルミニウム（Al）の汚染源がアルミニウム
（Al）製のアース電極と載置電極を覆っているカバー
（アルミナ）であることがわかった。
【０００７】このことより上記目的は、アース電極の材
料に炭化珪素を、載置電極を覆っているカバーにアルミ
ニウム（Al）を含まない絶縁材料を用いてこれらの部品
からのアルミニウム（Al）の発生を防止することによっ
て、解決できる。
料に炭化珪素を、載置電極を覆っているカバーにアルミ
ニウム（Al）を含まない絶縁材料を用いてこれらの部品
からのアルミニウム（Al）の発生を防止することによっ
て、解決できる。
【０００８】本発明の特徴は、真空処理室に設けられた
載置電極とアース電極及びプラズマ発生源を備え、プラ
ズマを利用して前記載置電極に載置された基板をプラズ
マエッチングするプラズマエッチング装置において、前
記アース電極の材料を炭素または炭化珪素とし、前記載
置電極の基板載置部分以外の前記真空処理室内に面する
表面部分を、Siの化合物を含む絶縁材料で覆ったことに
ある。
載置電極とアース電極及びプラズマ発生源を備え、プラ
ズマを利用して前記載置電極に載置された基板をプラズ
マエッチングするプラズマエッチング装置において、前
記アース電極の材料を炭素または炭化珪素とし、前記載
置電極の基板載置部分以外の前記真空処理室内に面する
表面部分を、Siの化合物を含む絶縁材料で覆ったことに
ある。
【０００９】本発明によれば、エッチング処理室の構成
部品からの金属汚染源（Fe、Cr、Ni、Al）の発生を防止
し、デバイス劣化を抑制することができる。
部品からの金属汚染源（Fe、Cr、Ni、Al）の発生を防止
し、デバイス劣化を抑制することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の一実施例を図１、図２に
より説明する。図１は、マイクロ波プラズマエッチング
装置の断面図を、図２は図１のエッチング処理室の横断
面を示した図である。マグネトロン１から発振したマイ
クロ波は、導波管２を伝播しベルジャー３を介してエッ
チング処理室４に導かれる。エッチング処理室４は石英
製ベルジャー３、載置電極５、石英製電極カバー６及び
炭化珪素製アース電極７によって構成されている。載置
電極５の電極部分はアルミニウムを含む材料で構成され
ている。また、エッチング処理室４は、磁界発生用直流
電源８、ソレノイドコイル９、ガス供給装置１０を備え
ている。
より説明する。図１は、マイクロ波プラズマエッチング
装置の断面図を、図２は図１のエッチング処理室の横断
面を示した図である。マグネトロン１から発振したマイ
クロ波は、導波管２を伝播しベルジャー３を介してエッ
チング処理室４に導かれる。エッチング処理室４は石英
製ベルジャー３、載置電極５、石英製電極カバー６及び
炭化珪素製アース電極７によって構成されている。載置
電極５の電極部分はアルミニウムを含む材料で構成され
ている。また、エッチング処理室４は、磁界発生用直流
電源８、ソレノイドコイル９、ガス供給装置１０を備え
ている。
【００１１】ガス供給装置１０からエッチング処理室４
に供給されるガスは、磁界発生用直流電源８からソレノ
イドコイル９に供給される直流電流によって形成される
磁界とマイクロ波電界によってプラズマ化される。プラ
ズマにより基板１１のエッチングが行われる。エッチン
グ時の圧力は、真空排気装置１２によって制御される。
基板１１に入射するイオンのエネルギは載置電極５に高
周波電源１３から供給される高周波電力によって制御さ
れる。
に供給されるガスは、磁界発生用直流電源８からソレノ
イドコイル９に供給される直流電流によって形成される
磁界とマイクロ波電界によってプラズマ化される。プラ
ズマにより基板１１のエッチングが行われる。エッチン
グ時の圧力は、真空排気装置１２によって制御される。
基板１１に入射するイオンのエネルギは載置電極５に高
周波電源１３から供給される高周波電力によって制御さ
れる。
【００１２】図３は、図１の装置によるエッチング前の
基板１１の断面図である。基板１１は、シリコン基板１
４の上に酸化膜１５、多結晶シリコン１６が形成されて
おり、多結晶シリコン１６の上にはマスク１７がパター
ニングされている。エッチングガスとしては、Cl2とO2
の混合ガスを用いる。そして、磁界とマイクロ波電界に
よってエッチングガスをプラズマ化し、プラズマ中のイ
オン及びラジカルにより載置電極５に載置された基板１
１の多結晶シリコン１６をエッチングする。この時、基
板１１に入射するプラズマ中のイオンのエネルギは高周
波電源１３から供給される周波数８００kHzの高周波電
力によって制御される。
基板１１の断面図である。基板１１は、シリコン基板１
４の上に酸化膜１５、多結晶シリコン１６が形成されて
おり、多結晶シリコン１６の上にはマスク１７がパター
ニングされている。エッチングガスとしては、Cl2とO2
の混合ガスを用いる。そして、磁界とマイクロ波電界に
よってエッチングガスをプラズマ化し、プラズマ中のイ
オン及びラジカルにより載置電極５に載置された基板１
１の多結晶シリコン１６をエッチングする。この時、基
板１１に入射するプラズマ中のイオンのエネルギは高周
波電源１３から供給される周波数８００kHzの高周波電
力によって制御される。
【００１３】図４は、エッチング後の基板１１の断面図
である。多結晶シリコン１６のエッチング終了後の酸化
膜１５のエッチング時には、酸化膜１５のエッチング量
を抑制するために高周波電源１３から供給される高周波
電力を減少させて入射する該プラズマ中のイオンのエネ
ルギを低減させる。
である。多結晶シリコン１６のエッチング終了後の酸化
膜１５のエッチング時には、酸化膜１５のエッチング量
を抑制するために高周波電源１３から供給される高周波
電力を減少させて入射する該プラズマ中のイオンのエネ
ルギを低減させる。
【００１４】本発明によれば、石英製電極カバー６と炭
化珪素製アース電極７を用いることにより、エッチング
時に電極カバー６とアース電極７から基板の金属汚染源
となる鉄（Fe）、クロム（Cr）、ニッケル（Ni）及びア
ルミニウム（Al）が発生するのを防止することができ
る。
化珪素製アース電極７を用いることにより、エッチング
時に電極カバー６とアース電極７から基板の金属汚染源
となる鉄（Fe）、クロム（Cr）、ニッケル（Ni）及びア
ルミニウム（Al）が発生するのを防止することができ
る。
【００１５】このように、本発明によればエッチング処
理室の構成部品からの金属汚染源（Fe、Cr、Ni、Al）の
発生を防止することができる。
理室の構成部品からの金属汚染源（Fe、Cr、Ni、Al）の
発生を防止することができる。
【００１６】なお、本発明において、アース電極は電気
抵抗率が104Ω・cm以下の材料とするのが望ましい。こ
のような材料としては、例えば、石英あるいは窒化珪素
が挙げられる。
抵抗率が104Ω・cm以下の材料とするのが望ましい。こ
のような材料としては、例えば、石英あるいは窒化珪素
が挙げられる。
【００１７】次に、本発明の第２の実施例について説明
する。この実施例では、前記実施例と同様に、図1、２
に示すマイクロ波プラズマエッチング装置を使用して多
結晶シリコンのゲート構造をエッチングする。エッチン
グ前の基板１１は、図３の断面図に示すように、シリコ
ン基板１４の上に酸化膜１５、多結晶シリコン１６が形
成されており、多結晶シリコン１６の上にはマスク１７
がパターニングされている。エッチングガスとしてＨBr
とO2の混合ガスを用い磁界とマイクロ波電界によってエ
ッチングガスをプラズマ化し、プラズマ中のイオン及び
ラジカルにより載置電極５に載置された基板１１の多結
晶シリコン１６をエッチングする。この時、基板１１に
入射するプラズマ中のイオンのエネルギは高周波電源１
３から供給される周波数８００kHzの高周波電力によっ
て制御される。
する。この実施例では、前記実施例と同様に、図1、２
に示すマイクロ波プラズマエッチング装置を使用して多
結晶シリコンのゲート構造をエッチングする。エッチン
グ前の基板１１は、図３の断面図に示すように、シリコ
ン基板１４の上に酸化膜１５、多結晶シリコン１６が形
成されており、多結晶シリコン１６の上にはマスク１７
がパターニングされている。エッチングガスとしてＨBr
とO2の混合ガスを用い磁界とマイクロ波電界によってエ
ッチングガスをプラズマ化し、プラズマ中のイオン及び
ラジカルにより載置電極５に載置された基板１１の多結
晶シリコン１６をエッチングする。この時、基板１１に
入射するプラズマ中のイオンのエネルギは高周波電源１
３から供給される周波数８００kHzの高周波電力によっ
て制御される。
【００１８】図４はエッチング後の基板１１の断面図で
ある。多結晶シリコン１６のエッチング終了後酸化膜１
５のエッチング量を抑制するために、高周波電源１３か
ら供給される高周波電力を減少させて入射する該プラズ
マ中のイオンのエネルギを低減する。石英製電極カバー
６と炭化珪素製アース電極７を用いることにより、エッ
チング時に電極カバー６とアース電極７から、金属汚染
源となる鉄（Fe）、クロム（Cr）、ニッケル（Ni）及び
アルミニウム（Al）の発生を防止することができる。
ある。多結晶シリコン１６のエッチング終了後酸化膜１
５のエッチング量を抑制するために、高周波電源１３か
ら供給される高周波電力を減少させて入射する該プラズ
マ中のイオンのエネルギを低減する。石英製電極カバー
６と炭化珪素製アース電極７を用いることにより、エッ
チング時に電極カバー６とアース電極７から、金属汚染
源となる鉄（Fe）、クロム（Cr）、ニッケル（Ni）及び
アルミニウム（Al）の発生を防止することができる。
【００１９】このように、本発明によればエッチング処
理室の構成部品からの金属（Fe、Cr、Ni、Al）汚染源の
発生を防止することができる。
理室の構成部品からの金属（Fe、Cr、Ni、Al）汚染源の
発生を防止することができる。
【００２０】本発明のさらに他の実施例を図５、図６に
より説明する。図５は、マイクロ波プラズマエッチング
装置の断面図を、図６は図５のエッチング処理室の横断
面図を示したものである。マグネトロン１８から発振し
たマイクロ波は導波管１９をを伝播し石英製の窓２０を
介してエッチング処理室２１に導かれる。エッチング処
理室２１は石英製内筒２２、アルミニウム製の真空容器
２３、載置電極２４、石英製電極カバー２５及び炭化珪
素製アース電極２６によって構成されている。磁界発生
用直流電２７からソレノイドコイル２８に供給される直
流電流によって形成される磁界とマイクロ波電界によっ
てガス供給装置２９から供給されるガスはプラズマ化さ
れる。プラズマにより基板３０のエッチングが行われ
る。エッチング時の圧力は真空排気装置３１によって制
御される。基板３０に入射するイオンのエネルギは載置
電極２４に高周波電源３２から供給される高周波電力に
よって制御される。
より説明する。図５は、マイクロ波プラズマエッチング
装置の断面図を、図６は図５のエッチング処理室の横断
面図を示したものである。マグネトロン１８から発振し
たマイクロ波は導波管１９をを伝播し石英製の窓２０を
介してエッチング処理室２１に導かれる。エッチング処
理室２１は石英製内筒２２、アルミニウム製の真空容器
２３、載置電極２４、石英製電極カバー２５及び炭化珪
素製アース電極２６によって構成されている。磁界発生
用直流電２７からソレノイドコイル２８に供給される直
流電流によって形成される磁界とマイクロ波電界によっ
てガス供給装置２９から供給されるガスはプラズマ化さ
れる。プラズマにより基板３０のエッチングが行われ
る。エッチング時の圧力は真空排気装置３１によって制
御される。基板３０に入射するイオンのエネルギは載置
電極２４に高周波電源３２から供給される高周波電力に
よって制御される。
【００２１】先に記載した実施例と同様な手順で、基板
３０のエッチングを行う。真空処理室内の構成材料とし
て、石英製電極カバー２５と炭化珪素製アース電極２６
を用いることにより、エッチング時に電極カバー２５と
アース電極２６から金属汚染となる鉄（Fe）、クロム
（Cr）、ニッケル（Ni）及びアルミニウム（Al）の発生
を防止することができる。
３０のエッチングを行う。真空処理室内の構成材料とし
て、石英製電極カバー２５と炭化珪素製アース電極２６
を用いることにより、エッチング時に電極カバー２５と
アース電極２６から金属汚染となる鉄（Fe）、クロム
（Cr）、ニッケル（Ni）及びアルミニウム（Al）の発生
を防止することができる。
【００２２】これにより、本発明によればエッチング処
理室の構成部品からの金属（Fe、Cr、Ni、Al）汚染を防
止することができる。
理室の構成部品からの金属（Fe、Cr、Ni、Al）汚染を防
止することができる。
【００２３】なお、本実施例では石英製電極カバーを用
いた場合の効果について説明したが、窒化シリコン製の
電極カバーを用いても同様な効果が得られる。
いた場合の効果について説明したが、窒化シリコン製の
電極カバーを用いても同様な効果が得られる。
【００２４】また、基板に入射するイオンエネルギーを
制御するためには、基板電極からアース電極がアースと
して明瞭に見えていること、換言するとアースが十分な
面積を有することが望ましい。図７に示すように、基板
の面積をＷs、アース電極の面積をEsとしたとき、Es／
Ｗs＞２ とするのが望ましい。基板の面積Ｗsが大きく
なれば、それに応じて望ましいアース電極面積Esも大き
くなる。なお、アース面積の観点からは、Es／Ｗsの上
限は特にないが、エッチング処理室の構造上の他の制約
によって限界が決まる。
制御するためには、基板電極からアース電極がアースと
して明瞭に見えていること、換言するとアースが十分な
面積を有することが望ましい。図７に示すように、基板
の面積をＷs、アース電極の面積をEsとしたとき、Es／
Ｗs＞２ とするのが望ましい。基板の面積Ｗsが大きく
なれば、それに応じて望ましいアース電極面積Esも大き
くなる。なお、アース面積の観点からは、Es／Ｗsの上
限は特にないが、エッチング処理室の構造上の他の制約
によって限界が決まる。
【００２５】また、図７に示したように、アース電極の
下端面は、基板電極の基板載置面とほぼ同じ高さ、ある
いは、載置面より若干下まで伸びているのが良い。一例
として、アース電極の高さｈは、４５ｍｍ〜７０ｍｍ程
度である。従って、望ましい構成としては、アース電極
が全体として基板電極の基板載置面の半径方向外側斜上
方の位置において、真空処理室の内壁の一部を構成して
いるのが良い。
下端面は、基板電極の基板載置面とほぼ同じ高さ、ある
いは、載置面より若干下まで伸びているのが良い。一例
として、アース電極の高さｈは、４５ｍｍ〜７０ｍｍ程
度である。従って、望ましい構成としては、アース電極
が全体として基板電極の基板載置面の半径方向外側斜上
方の位置において、真空処理室の内壁の一部を構成して
いるのが良い。
【００２６】一方、本実施例で記載されている載置電極
に供給される高周波電力は、２Ｍｚ以下、好ましくは、
４００ＫＨｚ〜８００ＫＨｚの範囲とするのが良い。ま
た、この高周波電力（１３、３２）が、時間変調バイア
スであっても同様な効果が得られる。
に供給される高周波電力は、２Ｍｚ以下、好ましくは、
４００ＫＨｚ〜８００ＫＨｚの範囲とするのが良い。ま
た、この高周波電力（１３、３２）が、時間変調バイア
スであっても同様な効果が得られる。
【００２７】本実施例ではマイクロ波プラズマエッチン
グ装置についてその効果を説明したが、他の放電方式例
えばヘリコン（helicon Type）、TCP（Transform Cou
pledPlasma）においても同様な効果が得られる。
グ装置についてその効果を説明したが、他の放電方式例
えばヘリコン（helicon Type）、TCP（Transform Cou
pledPlasma）においても同様な効果が得られる。
【００２８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によればエッ
チング処理室の構成部品からの金属汚染源（Fe、Cr、N
i、Al）の発生を防止し、デバイス劣化を抑制すること
ができる。
チング処理室の構成部品からの金属汚染源（Fe、Cr、N
i、Al）の発生を防止し、デバイス劣化を抑制すること
ができる。
【図１】本発明の一実施例になるマイクロ波プラズマエ
ッチング装置の縦断面図である。
ッチング装置の縦断面図である。
【図２】図１のエッチング処理室の横断面図である。
【図３】図１の装置によるエッチング前の基板の断面図
である。
である。
【図４】図１の装置によるエッチング後の基板の断面図
である。
である。
【図５】本発明の他の実施例になるマイクロ波プラズマ
エッチング装置の縦断面図である。
エッチング装置の縦断面図である。
【図６】図５のエッチング処理室の横断面図である。
【図７】本発明におけるアース電極と基板電極の基板載
置面の関係を示す図である。
置面の関係を示す図である。
１…マグネトロン、２…、導波管、３…ベルジャー、４
…エッチング処理室、５…載置電極、６…石英製電極カ
バー、７…炭化珪素製アース電極、８…磁界発生用直流
電源、９…ソレノイドコイル、１０…ガス供給装置、、
１１…基板、１２…真空排気装置、１３…高周波電源、
１４…シリコン基板、１５…酸化膜、１６…多結晶シリ
コン、１７…マスク
…エッチング処理室、５…載置電極、６…石英製電極カ
バー、７…炭化珪素製アース電極、８…磁界発生用直流
電源、９…ソレノイドコイル、１０…ガス供給装置、、
１１…基板、１２…真空排気装置、１３…高周波電源、
１４…シリコン基板、１５…酸化膜、１６…多結晶シリ
コン、１７…マスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田村 智行 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸事業所内 Ｆターム(参考） 4K057 DA20 DB20 DD01 DD08 DE01 DE11 DM06 DM09 DM18 DM29 DN01 5F004 AA08 BA20 BB18 BC08 DA00 DA04 DA26 DB02 EB08
Claims (10)
- 【請求項１】真空処理室に設けられた載置電極とアース
電極及びプラズマ発生源を備え、プラズマを利用して前
記載置電極に載置された基板をプラズマエッチングする
プラズマエッチング装置において、 前記アース電極の材料を炭素または炭化珪素とし、前記
載置電極の基板載置部分以外の前記真空処理室内に面す
る表面部分を、Siの化合物を含む絶縁材料で覆ったこと
を特徴とするプラズマエッチング装置。 - 【請求項２】真空処理室に設けられた載置電極とアース
電極及びプラズマ発生源を備え、プラズマを利用して前
記載置電極に載置された基板をプラズマエッチングする
プラズマエッチング装置において、 前記アース電極は、前記載置電極の基板載置面の半径方
向外側斜上方の位置において、前記真空処理室の内壁の
一部を構成し、該アース電極の材料を炭素または炭化珪
素とし、 前記載置電極の前記アース電極に対応する表面部分を、
Siの化合物を含む絶縁材料で覆ったことを特徴とするプ
ラズマエッチング装置。 - 【請求項３】請求項１または２に記載のプラズマエッチ
ング装置において、前記アース電極を構成する材料の電
気抵抗率が104Ω・cm以下であることを特徴とするプラ
ズマエッチング装置。 - 【請求項４】請求項１ないし３のいずれかに記載のプラ
ズマエッチング装置において、前記アース電極を構成す
る材料が石英あるいは窒化珪素であることを特徴とする
プラズマエッチング装置。 - 【請求項５】請求項１ないし３のいずれかに記載のプラ
ズマエッチング装置において、前記載置電極に高周波電
源から１００ＫＨｚ〜２Ｍｚの高周波電力を供給するこ
とを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 【請求項６】請求項５に記載のプラズマエッチング装置
において、前記高周波電力が時間変調するよう構成され
たものであることを特徴とするプラズマエッチング装
置。 - 【請求項７】請求項１ないし３のいずれかに記載のプラ
ズマエッチング装置において、前記基板の面積の大きさ
に対応させて前記アース電極の面積を大きくしたことを
特徴とするプラズマエッチング装置。 - 【請求項８】請求項７に記載のプラズマエッチング装置
において、アース電極面積／基板面積を２以上としたこ
とを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 【請求項９】真空処理室に設けられた載置電極とアース
電極及びプラズマ発生源を備え、塩素ガスの単独ガスあ
るいは塩素ガスと酸素ガスの混合ガスをエッチングガス
として用い、ガス圧力３Pa以下で前記載置電極に載置さ
れたシリコン基板をプラズマエッチングするプラズマエ
ッチング装置において、 前記アース電極の材料を炭素または炭化珪素とし、前記
載置電極の基板載置部分以外の前記真空処理室内に面す
る表面部分を、Siの化合物を含む絶縁材料で覆ったこと
を特徴とするプラズマエッチング装置。 - 【請求項１０】真空処理室に設けられた載置電極とアー
ス電極及びプラズマ発生源を備え、臭化水素ガスの単独
ガスあるいは臭化水素ガスと酸素ガスの混合ガスをエッ
チングガスとして用い、ガス圧力３Pa以下で前記載置電
極に載置されたシリコン基板をプラズマエッチングする
プラズマエッチング装置において、 前記アース電極の材料を炭素または炭化珪素とし、前記
載置電極の基板載置部分以外の前記真空処理室内に面す
る表面部分を、Siの化合物を含む絶縁材料で覆ったこと
を特徴とするプラズマエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000013923A JP2000277498A (ja) | 1999-01-20 | 2000-01-18 | プラズマエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1147199 | 1999-01-20 | ||
| JP11-11471 | 1999-01-20 | ||
| JP2000013923A JP2000277498A (ja) | 1999-01-20 | 2000-01-18 | プラズマエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000277498A true JP2000277498A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=26346897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000013923A Pending JP2000277498A (ja) | 1999-01-20 | 2000-01-18 | プラズマエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000277498A (ja) |
-
2000
- 2000-01-18 JP JP2000013923A patent/JP2000277498A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040128 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20040416 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060404 |