JP2000274531A - 摺動部材 - Google Patents
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- Pistons, Piston Rings, And Cylinders (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
し、信頼性・耐久性に優れた摺動部材を提供する。 【解決手段】 ピストンリング1の外周面のガス窒化層
2上に、実質的に酸素を固溶していないTiN皮膜から
なる下地皮膜3を被覆し、更にその上に酸素を固溶した
TiN皮膜4を被覆する。酸素を固溶したTiN皮膜4
は、破断面が柱状組織を呈し、TiN結晶が(111)
又は(200)の優先方位を有し、酸素含有量が0.5
〜20重量%であり、皮膜硬度がビッカース硬さでHV
1000〜2200の範囲にある。皮膜4の厚さは1〜
90μmである。下地皮膜3は、酸素を固溶したTiN
皮膜4よりもビッカース硬さでHV200以上低い硬さ
を有するのが望ましい。
Description
の摺動部材に関する。
を摺動面に被覆したピストンリングが開発され、一部の
エンジンで使用されている(特公平1−52471
号)。しかし、このTiN皮膜は、耐摩耗性、耐焼付性
が優れているものの皮膜厚さを厚くできない不都合があ
り、広く普及していない。
提案された。
3):(0.3〜1)であり、硬度がHV1000〜2
000のTi−N−O系のイオンプレーティング皮膜を
ピストンリングの外周面に被覆して、初期なじみ性を改
善し、皮膜色調の自動検査を可能とする。この皮膜は、 ・X線組織がTiN構造を有し、 ・TiN結晶が(111)、(200)、(220)の
優先方位を有している。また、この皮膜の酸素含有量を
重量%に換算すると、7.4〜23.5%である。
面に向かって増加させ、基体との密着性、耐摩耗性、相
手材を摩耗させない性質、及び耐焼付性を改善させる。
この皮膜の硬度はHV1000〜2000の範囲にあ
り、酸素濃度が表面で高く、基体側で低くされている。
酸素が増加すると、硬度が低下する。
膜は、皮膜結晶の優先方位、析出組織、及び下地皮膜と
その上の皮膜の硬さ関係が密着性に及ぼす影響を全く記
載していない。そして、上記皮膜でも、十分な密着性が
得られていない。
膜の密着性を改善し、信頼性・耐久性に優れた摺動部材
を提供することである。
たTiN皮膜が摺動面に被覆されている摺動部材におい
て、前記TiN皮膜は、破断面が柱状組織を呈し、Ti
N結晶が(111)又は(200)の優先方位を有し、
酸素含有量が0.5〜20重量%であり、皮膜硬度がビ
ッカース硬さでHV1000〜2200の範囲にあるこ
とを特徴とする。
囲にあるのが好ましい。
固溶していないTiN皮膜からなる下地皮膜が形成され
るのが好ましい。その場合、下地皮膜の硬さは、前記酸
素を固溶したTiN皮膜の硬さよりもビッカース硬さで
HV200以上低いのが望ましい。
及びその下に被覆される実質的に酸素を固溶していない
TiN皮膜からなる下地皮膜は、本発明の効果を損なわ
ない範囲であれば、PVD過程で不可避的に形成される
マクロパーティクルによるTi相が混入した皮膜を含む
ものとする。
リングの外周面がある。
態であるピストンリングの一部分を示す縦断面図であ
る。
母材はマルテンサイト系ステンレス鋼であり、ピストン
リング1の全表面にガス窒化層2が形成されている。ガ
ス窒化層2は、厚さが20〜90μm、表面硬度はビッ
カース硬さでHV700〜1100である。ピストンリ
ング1の外周面の窒化層2上には、実質的に酸素を固溶
していないTiN皮膜からなる下地皮膜3が被覆され、
更にその上に酸素を固溶したTiN皮膜4が被覆されて
いる。
柱状組織を呈し、TiN結晶が(111)又は(20
0)の優先方位を有し、酸素含有量が0.5〜20重量
%であり、皮膜硬度がビッカース硬さでHV1000〜
2200の範囲にある。この皮膜4の厚さは1〜90μ
mの範囲にある。下地皮膜3は、酸素を固溶したTiN
皮膜4よりもビッカース硬さでHV200以上低い硬さ
を有するのが望ましい。
有量の一例を表1に示す。
明する。
リングし、これを切断して合い口を有するピストンリン
グとし、これの全表面にガス窒化処理を行い、外周面の
最表面の白層を除去する。
iN皮膜からなる下地皮膜と、酸素を固溶したTiN皮
膜とを、外周面に被覆する。これらの皮膜は、アークイ
オンプレーティング炉で、窒素、更には窒素及び酸素雰
囲気中で、Tiを蒸発源としてイオンプレーティングを
行うことによって、被覆される。
し、炉内にセットし、真空引きする。炉内圧力を1×1
0−3Pa以下に減圧した後、ピストンリングを473
〜773°Kに加熱する。加熱により、炉内圧力は一時
的に上昇する。減圧によって再び圧力が5×10−3P
a以下になった後、−800〜−1000Vのバイアス
電圧を印加し、陰極のTiターゲットと陽極の間でアー
ク放電させ、窒素ガスを導入して、メタルボンバード処
理を行う。その後、バイアス電圧を−20〜−100V
印加し、圧力が5×10−1〜2.0Paで、実質的に
酸素を固溶しないTiN皮膜からなる下地皮膜をピスト
ンリングの外周面に被覆する。次いで、炉内雰囲気を窒
素ガスと酸素ガスの分圧比が1:(0.01〜0.2
5)、全圧が5×10−1〜2.0Paとなるように調
整し、バイアス電圧を−20〜−100Vとして、イオ
ンプレーティングを続行する。これにより、酸素を固溶
したTiN皮膜が下地皮膜上に被覆される。
いと、TiN結晶中に固溶する酸素含有量が増し、低い
と減少する。バイアス電圧、全圧、酸素含有量を加減す
ることにより、皮膜硬度をコントロールできる。バイア
ス電圧を高く、全圧を低く、酸素含有量を増加させる
と、皮膜硬度は高くなる。TiN皮膜組織は、バイアス
電圧を低くすると柱状組織となる。また、炉内圧力を高
くすると柱状組織となる。酸素含有量が少ないと、Ti
N結晶が(111)の優先方位を得られ、多いと(20
0)の優先方位を得られる。
ある。ピストンリングを半径方向に破断し、SEMによ
って、皮膜の破断面組織を観察する。皮膜の破断面が平
滑で結晶粒が微細であるものを粒状組織とし、破断面の
結晶が皮膜の厚さ方向に成長しているものを柱状組織と
した。
通りである。X線回折装置を用い(管球:Cu)、回折
角度(2θ)が30〜90°の範囲の回折図形におい
て、(111)回折線の強度/((200)、(22
0)、(311)、(222)回折線のうちで最も高い
回折線の強度)が1.2以上あるものを(111)優先
方位と決定し、(200)回折線の強度/((11
1)、(220)、(311)、(222)回折線のう
ちで最も高い回折線の強度)が1.2以上あるものを
(200)優先方位と決定した。
のX線回折図形(管球:Cu)で、(111)の優先方
位を持つことを観察でき、(111)の回折強度と(2
00)、(220)、(311)及び(222)の回折
線のうちで最も高い回折線である(200)の回折強度
との相対比率が略1.6であることを観察できる。図5
は、表2に示す実施例2の摺動面皮膜のX線回折図形
(管球:Cu)で、(200)の優先方位を持つことを
観察できる。
るピストンリングの一部分を示す縦断面図である。
膜3が酸素を固溶したTiN皮膜4の下に形成されてい
ない点でのみ上記実施例と異なっており、酸素を固溶し
たTiN皮膜4は外周面の窒化層2上に直接形成されて
いる。
皮膜の被覆方法において、下地皮膜3を被覆する工程が
ないだけで、他は同じである。
TiN皮膜が密着性に優れていることを確認するために
行った皮膜の密着性評価試験を説明する。
を押し込み、圧痕を形成した。ダイヤモンド圧子の形状
は、頂角が120°の円錐形である。ダイヤモンド圧子
の押し込み荷重は、686,980,1470,166
6Nである。その後、皮膜の圧痕を光学顕微鏡で観察
し、剥離の有無を調査した。
を試験片とした。
う。 注2:皮膜の全厚さは、15μmである。 注3:皮膜硬度の下地皮膜欄における−は、下地皮膜を
被覆していないことを示している。 注4:比較例6,7,8,9及び実施例2,3,4,5
の下地皮膜は、実質的に酸素を固溶していないTiN皮
膜である。 注5:比較例8の摺動面皮膜は、実質的に酸素を固溶し
ていないTiN皮膜である。 注6:硬度欄の↓は、母材近傍から表面に向かって硬度
が段階的に変化していることを示す。 注7:酸素固溶量の欄の↓は、母材近傍から表面に向か
って酸素濃度が段階的に変化していることを示す。
的に図2(a)、(b)のように観察される。図2
(a)は、ピストンリングの外周面10にクラック11
が発生した場合を示し、図2(b)は、ピストンリング
の外周面10にクラック11が発生するとともに、圧痕
12の周辺部に剥離(13は剥離個所を示す)が発生し
た場合を示している。
は、圧痕の周辺の皮膜に剥離が認められなかったことを
示し、×印は、剥離が認められたことを示す。
を生じない。 2.これに対し、優先方位が(111)及び(200)
でない比較例9、酸素を実質的に固溶していない比較例
8、酸素含有量が少ない比較例7、酸素含有量が多い比
較例6の皮膜は、1470Nの荷重で剥離を生じ、破断
面組織が粒状組織の比較例1〜5の皮膜は、980Nの
荷重で剥離を生じる。 3.硬度がHV200以上低い下地皮膜の上に酸素を固
溶したTiN皮膜を形成した実施例3,4,5の皮膜
は、最も密着性が優れており、荷重1666Nでも剥離
を生じない。
EM写真(倍率:950倍、膜厚:41μm)と、比較
例のピストンリングの皮膜破断面のSEM写真(倍率:
1250倍、膜厚:5.6μm)を図3に示す。
素を固溶したTiN皮膜の密着性が改善され、信頼性・
耐久性に優れた摺動部材を提供できる。
ス窒化層上に形成した下地皮膜の上に、酸素を固溶した
TiN皮膜を被覆したピストンリングの一部分を示す縦
断面図、(b)は外周面のガス窒化層上に酸素を固溶し
たTiN皮膜を直接被覆したピストンリングの一部分を
示す縦断面図である。
ストンリングの外周面にクラックが発生した場合を説明
するための図、(b)は圧痕法による密着性試験におい
て、ピストンリングの外周面にクラックと剥離とが発生
した場合を説明するための図である。
のSEM写真(倍率:950倍)、(b)は比較例のピ
ストンリングの皮膜破断面のSEM写真(倍率:125
0倍)である。
形を示す。
形を示す。
Claims (5)
- 【請求項1】 酸素を固溶したTiN皮膜が摺動面に被
覆されている摺動部材において、 前記TiN皮膜は、破断面が柱状組織を呈し、TiN結
晶が(111)又は(200)の優先方位を有し、酸素
含有量が0.5〜20重量%であり、皮膜硬度がビッカ
ース硬さでHV1000〜2200の範囲にあることを
特徴とする摺動部材。 - 【請求項2】 前記TiN皮膜の厚さが1〜90μmの
範囲にあることを特徴とする請求項1記載の摺動部材。 - 【請求項3】 前記TiN皮膜の下に、実質的に酸素を
固溶していないTiN皮膜からなる下地皮膜が形成され
ていることを特徴とする請求項1記載の摺動部材。 - 【請求項4】 前記下地皮膜の硬さが、前記酸素を固溶
したTiN皮膜の硬さよりもビッカース硬さでHV20
0以上低いことを特徴とする請求項3記載の摺動部材。 - 【請求項5】 前記摺動面が、ピストンリングの外周面
であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載
の摺動部材。
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- 1999-03-23 JP JP11692299A patent/JP4282821B2/ja not_active Expired - Fee Related
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