JP2000274531A - 摺動部材 - Google Patents

摺動部材

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JP2000274531A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 酸素を固溶したTiN皮膜の密着性を改善
し、信頼性・耐久性に優れた摺動部材を提供する。 【解決手段】 ピストンリング1の外周面のガス窒化層
2上に、実質的に酸素を固溶していないTiN皮膜から
なる下地皮膜3を被覆し、更にその上に酸素を固溶した
TiN皮膜4を被覆する。酸素を固溶したTiN皮膜4
は、破断面が柱状組織を呈し、TiN結晶が(111)
又は(200)の優先方位を有し、酸素含有量が0.5
〜20重量%であり、皮膜硬度がビッカース硬さでHV
1000〜2200の範囲にある。皮膜4の厚さは1〜
90μmである。下地皮膜3は、酸素を固溶したTiN
皮膜4よりもビッカース硬さでHV200以上低い硬さ
を有するのが望ましい。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ピストンリング等
の摺動部材に関する。
【0002】
【従来の技術】イオンプレーティングによるTiN皮膜
を摺動面に被覆したピストンリングが開発され、一部の
エンジンで使用されている(特公平1−52471
号)。しかし、このTiN皮膜は、耐摩耗性、耐焼付性
が優れているものの皮膜厚さを厚くできない不都合があ
り、広く普及していない。
【0003】最近、TiN皮膜に関して、以下の改良が
提案された。
【0004】1.特開平6−94130号 組成が原子比率で、Ti:N:O=1:(0.9〜0.
3):(0.3〜1)であり、硬度がHV1000〜2
000のTi−N−O系のイオンプレーティング皮膜を
ピストンリングの外周面に被覆して、初期なじみ性を改
善し、皮膜色調の自動検査を可能とする。この皮膜は、 ・X線組織がTiN構造を有し、 ・TiN結晶が(111)、(200)、(220)の
優先方位を有している。また、この皮膜の酸素含有量を
重量%に換算すると、7.4〜23.5%である。
【0005】2.特開平10−227360号 Ti−N−O系皮膜の酸素原子%を基体表面から皮膜表
面に向かって増加させ、基体との密着性、耐摩耗性、相
手材を摩耗させない性質、及び耐焼付性を改善させる。
この皮膜の硬度はHV1000〜2000の範囲にあ
り、酸素濃度が表面で高く、基体側で低くされている。
酸素が増加すると、硬度が低下する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記1.及び2.の皮
膜は、皮膜結晶の優先方位、析出組織、及び下地皮膜と
その上の皮膜の硬さ関係が密着性に及ぼす影響を全く記
載していない。そして、上記皮膜でも、十分な密着性が
得られていない。
【0007】本発明の目的は、酸素を固溶したTiN皮
膜の密着性を改善し、信頼性・耐久性に優れた摺動部材
を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、酸素を固溶し
たTiN皮膜が摺動面に被覆されている摺動部材におい
て、前記TiN皮膜は、破断面が柱状組織を呈し、Ti
N結晶が(111)又は(200)の優先方位を有し、
酸素含有量が0.5〜20重量%であり、皮膜硬度がビ
ッカース硬さでHV1000〜2200の範囲にあるこ
とを特徴とする。
【0009】前記TiN皮膜の厚さは1〜90μmの範
囲にあるのが好ましい。
【0010】前記TiN皮膜の下には、実質的に酸素を
固溶していないTiN皮膜からなる下地皮膜が形成され
るのが好ましい。その場合、下地皮膜の硬さは、前記酸
素を固溶したTiN皮膜の硬さよりもビッカース硬さで
HV200以上低いのが望ましい。
【0011】なお、本発明の酸素を固溶したTiN皮膜
及びその下に被覆される実質的に酸素を固溶していない
TiN皮膜からなる下地皮膜は、本発明の効果を損なわ
ない範囲であれば、PVD過程で不可避的に形成される
マクロパーティクルによるTi相が混入した皮膜を含む
ものとする。
【0012】前記摺動部材の摺動面としては、ピストン
リングの外周面がある。
【0013】
【発明の実施の形態】図1(a)は、本発明の一実施形
態であるピストンリングの一部分を示す縦断面図であ
る。
【0014】図1(a)において、ピストンリング1の
母材はマルテンサイト系ステンレス鋼であり、ピストン
リング1の全表面にガス窒化層2が形成されている。ガ
ス窒化層2は、厚さが20〜90μm、表面硬度はビッ
カース硬さでHV700〜1100である。ピストンリ
ング1の外周面の窒化層2上には、実質的に酸素を固溶
していないTiN皮膜からなる下地皮膜3が被覆され、
更にその上に酸素を固溶したTiN皮膜4が被覆されて
いる。
【0015】酸素を固溶したTiN皮膜4は、破断面が
柱状組織を呈し、TiN結晶が(111)又は(20
0)の優先方位を有し、酸素含有量が0.5〜20重量
%であり、皮膜硬度がビッカース硬さでHV1000〜
2200の範囲にある。この皮膜4の厚さは1〜90μ
mの範囲にある。下地皮膜3は、酸素を固溶したTiN
皮膜4よりもビッカース硬さでHV200以上低い硬さ
を有するのが望ましい。
【0016】これらの皮膜3,4の厚さ、硬さ、酸素含
有量の一例を表1に示す。
【0017】
【表1】
【0018】以下、上記ピストンリングの製造方法を説
明する。
【0019】マルテンサイト系ステンレス鋼線材をコイ
リングし、これを切断して合い口を有するピストンリン
グとし、これの全表面にガス窒化処理を行い、外周面の
最表面の白層を除去する。
【0020】その後、実質的に酸素を固溶していないT
iN皮膜からなる下地皮膜と、酸素を固溶したTiN皮
膜とを、外周面に被覆する。これらの皮膜は、アークイ
オンプレーティング炉で、窒素、更には窒素及び酸素雰
囲気中で、Tiを蒸発源としてイオンプレーティングを
行うことによって、被覆される。
【0021】以下、皮膜の被覆方法を説明する。
【0022】ピストンリングをアセトンで超音波洗浄
し、炉内にセットし、真空引きする。炉内圧力を1×1
0−Pa以下に減圧した後、ピストンリングを473
〜773°Kに加熱する。加熱により、炉内圧力は一時
的に上昇する。減圧によって再び圧力が5×10−
a以下になった後、−800〜−1000Vのバイアス
電圧を印加し、陰極のTiターゲットと陽極の間でアー
ク放電させ、窒素ガスを導入して、メタルボンバード処
理を行う。その後、バイアス電圧を−20〜−100V
印加し、圧力が5×10−1〜2.0Paで、実質的に
酸素を固溶しないTiN皮膜からなる下地皮膜をピスト
ンリングの外周面に被覆する。次いで、炉内雰囲気を窒
素ガスと酸素ガスの分圧比が1:(0.01〜0.2
5)、全圧が5×10−〜2.0Paとなるように調
整し、バイアス電圧を−20〜−100Vとして、イオ
ンプレーティングを続行する。これにより、酸素を固溶
したTiN皮膜が下地皮膜上に被覆される。
【0023】イオンプレーティング炉内の酸素分圧が高
いと、TiN結晶中に固溶する酸素含有量が増し、低い
と減少する。バイアス電圧、全圧、酸素含有量を加減す
ることにより、皮膜硬度をコントロールできる。バイア
ス電圧を高く、全圧を低く、酸素含有量を増加させる
と、皮膜硬度は高くなる。TiN皮膜組織は、バイアス
電圧を低くすると柱状組織となる。また、炉内圧力を高
くすると柱状組織となる。酸素含有量が少ないと、Ti
N結晶が(111)の優先方位を得られ、多いと(20
0)の優先方位を得られる。
【0024】皮膜破断面組織の確認方法は、次の通りで
ある。ピストンリングを半径方向に破断し、SEMによ
って、皮膜の破断面組織を観察する。皮膜の破断面が平
滑で結晶粒が微細であるものを粒状組織とし、破断面の
結晶が皮膜の厚さ方向に成長しているものを柱状組織と
した。
【0025】TiN結晶の優先方位の確認方法は、次の
通りである。X線回折装置を用い(管球:Cu)、回折
角度(2θ)が30〜90°の範囲の回折図形におい
て、(111)回折線の強度/((200)、(22
0)、(311)、(222)回折線のうちで最も高い
回折線の強度)が1.2以上あるものを(111)優先
方位と決定し、(200)回折線の強度/((11
1)、(220)、(311)、(222)回折線のう
ちで最も高い回折線の強度)が1.2以上あるものを
(200)優先方位と決定した。
【0026】図4は、表2に示す実施例1の摺動面皮膜
のX線回折図形(管球:Cu)で、(111)の優先方
位を持つことを観察でき、(111)の回折強度と(2
00)、(220)、(311)及び(222)の回折
線のうちで最も高い回折線である(200)の回折強度
との相対比率が略1.6であることを観察できる。図5
は、表2に示す実施例2の摺動面皮膜のX線回折図形
(管球:Cu)で、(200)の優先方位を持つことを
観察できる。
【0027】図1(b)は、本発明の別の実施形態であ
るピストンリングの一部分を示す縦断面図である。
【0028】この実施例のピストンリング1は、下地皮
膜3が酸素を固溶したTiN皮膜4の下に形成されてい
ない点でのみ上記実施例と異なっており、酸素を固溶し
たTiN皮膜4は外周面の窒化層2上に直接形成されて
いる。
【0029】皮膜の被覆方法は、前記実施例で説明した
皮膜の被覆方法において、下地皮膜3を被覆する工程が
ないだけで、他は同じである。
【0030】以下、本発明の摺動部材の酸素を固溶した
TiN皮膜が密着性に優れていることを確認するために
行った皮膜の密着性評価試験を説明する。
【0031】1.試験方法 ロックウェル試験機を用いて、皮膜にダイヤモンド圧子
を押し込み、圧痕を形成した。ダイヤモンド圧子の形状
は、頂角が120°の円錐形である。ダイヤモンド圧子
の押し込み荷重は、686,980,1470,166
6Nである。その後、皮膜の圧痕を光学顕微鏡で観察
し、剥離の有無を調査した。
【0032】2.試験片 ピストンリングの外周面に、表2の皮膜を形成し、これ
を試験片とした。
【0033】
【表2】
【0034】表2において、 注1:摺動面皮膜は、下地皮膜の上に被覆した皮膜を言
う。 注2:皮膜の全厚さは、15μmである。 注3:皮膜硬度の下地皮膜欄における−は、下地皮膜を
被覆していないことを示している。 注4:比較例6,7,8,9及び実施例2,3,4,5
の下地皮膜は、実質的に酸素を固溶していないTiN皮
膜である。 注5:比較例8の摺動面皮膜は、実質的に酸素を固溶し
ていないTiN皮膜である。 注6:硬度欄の↓は、母材近傍から表面に向かって硬度
が段階的に変化していることを示す。 注7:酸素固溶量の欄の↓は、母材近傍から表面に向か
って酸素濃度が段階的に変化していることを示す。
【0035】3.試験結果 圧痕形成後の試験片の皮膜は、剥離の有無に応じ、模式
的に図2(a)、(b)のように観察される。図2
(a)は、ピストンリングの外周面10にクラック11
が発生した場合を示し、図2(b)は、ピストンリング
の外周面10にクラック11が発生するとともに、圧痕
12の周辺部に剥離(13は剥離個所を示す)が発生し
た場合を示している。
【0036】表3に剥離の有無を一括して示す。○印
は、圧痕の周辺の皮膜に剥離が認められなかったことを
示し、×印は、剥離が認められたことを示す。
【0037】
【表3】
【0038】結果は、以下のように総括できる。 1.実施例1〜5の皮膜は、1470Nの荷重でも剥離
を生じない。 2.これに対し、優先方位が(111)及び(200)
でない比較例9、酸素を実質的に固溶していない比較例
8、酸素含有量が少ない比較例7、酸素含有量が多い比
較例6の皮膜は、1470Nの荷重で剥離を生じ、破断
面組織が粒状組織の比較例1〜5の皮膜は、980Nの
荷重で剥離を生じる。 3.硬度がHV200以上低い下地皮膜の上に酸素を固
溶したTiN皮膜を形成した実施例3,4,5の皮膜
は、最も密着性が優れており、荷重1666Nでも剥離
を生じない。
【0039】本発明のピストンリングの皮膜破断面のS
EM写真(倍率:950倍、膜厚:41μm)と、比較
例のピストンリングの皮膜破断面のSEM写真(倍率:
1250倍、膜厚:5.6μm)を図3に示す。
【0040】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、酸
素を固溶したTiN皮膜の密着性が改善され、信頼性・
耐久性に優れた摺動部材を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態を示し、(a)は外周面のガ
ス窒化層上に形成した下地皮膜の上に、酸素を固溶した
TiN皮膜を被覆したピストンリングの一部分を示す縦
断面図、(b)は外周面のガス窒化層上に酸素を固溶し
たTiN皮膜を直接被覆したピストンリングの一部分を
示す縦断面図である。
【図2】(a)は圧痕法による密着性試験において、ピ
ストンリングの外周面にクラックが発生した場合を説明
するための図、(b)は圧痕法による密着性試験におい
て、ピストンリングの外周面にクラックと剥離とが発生
した場合を説明するための図である。
【図3】(a)は本発明のピストンリングの皮膜破断面
のSEM写真(倍率:950倍)、(b)は比較例のピ
ストンリングの皮膜破断面のSEM写真(倍率:125
0倍)である。
【図4】表2に示す実施例1の摺動面皮膜のX線回折図
形を示す。
【図5】表2に示す実施例2の摺動面皮膜のX線回折図
形を示す。
【符号の説明】
1 ピストンリング 2 ガス窒化層 3 下地皮膜 4 酸素を固溶したTiN皮膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川合 清行 東京都中央区八重洲一丁目9番9号 帝国 ピストンリング株式会社内 Fターム(参考) 3J044 BB29 BB30 CB02 CB40 DA09 DA16

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 酸素を固溶したTiN皮膜が摺動面に被
    覆されている摺動部材において、 前記TiN皮膜は、破断面が柱状組織を呈し、TiN結
    晶が(111)又は(200)の優先方位を有し、酸素
    含有量が0.5〜20重量%であり、皮膜硬度がビッカ
    ース硬さでHV1000〜2200の範囲にあることを
    特徴とする摺動部材。
  2. 【請求項2】 前記TiN皮膜の厚さが1〜90μmの
    範囲にあることを特徴とする請求項1記載の摺動部材。
  3. 【請求項3】 前記TiN皮膜の下に、実質的に酸素を
    固溶していないTiN皮膜からなる下地皮膜が形成され
    ていることを特徴とする請求項1記載の摺動部材。
  4. 【請求項4】 前記下地皮膜の硬さが、前記酸素を固溶
    したTiN皮膜の硬さよりもビッカース硬さでHV20
    0以上低いことを特徴とする請求項3記載の摺動部材。
  5. 【請求項5】 前記摺動面が、ピストンリングの外周面
    であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載
    の摺動部材。
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