JP2000273315A - 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 - Google Patents
封止用樹脂組成物および半導体封止装置Info
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- JP2000273315A JP2000273315A JP7891099A JP7891099A JP2000273315A JP 2000273315 A JP2000273315 A JP 2000273315A JP 7891099 A JP7891099 A JP 7891099A JP 7891099 A JP7891099 A JP 7891099A JP 2000273315 A JP2000273315 A JP 2000273315A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表裏面の厚み比が大きいパッケージなどのト
ランスファー成形に適して充填性や作業性がよい、封止
用樹脂組成物および半導体封止装置を提供する。 【解決手段】 （Ａ）熱硬化性樹脂、（Ｂ）極性溶剤お
よび（Ｃ）シリカ充填剤を必須成分とし、前記（Ｃ）シ
リカ充填剤は、その最大粒子径が２００μｍ以下で平均
粒子径が２５μｍ以上５０μｍ以下であるとともに、
（Ａ）熱硬化性樹脂１００重量部に対して３００〜６０
０重量部の割合で含有する封止用樹脂組成物であり、ま
たこの封止用樹脂組成物の硬化物によって、半導体チッ
プが封止されてなる半導体封止装置である。
ランスファー成形に適して充填性や作業性がよい、封止
用樹脂組成物および半導体封止装置を提供する。 【解決手段】 （Ａ）熱硬化性樹脂、（Ｂ）極性溶剤お
よび（Ｃ）シリカ充填剤を必須成分とし、前記（Ｃ）シ
リカ充填剤は、その最大粒子径が２００μｍ以下で平均
粒子径が２５μｍ以上５０μｍ以下であるとともに、
（Ａ）熱硬化性樹脂１００重量部に対して３００〜６０
０重量部の割合で含有する封止用樹脂組成物であり、ま
たこの封止用樹脂組成物の硬化物によって、半導体チッ
プが封止されてなる半導体封止装置である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップ等の
電子部品をトランスファー成形などで封止するに用いる
封止用樹脂組成物と、該組成物によって樹脂封止された
半導体封止装置に関する。
電子部品をトランスファー成形などで封止するに用いる
封止用樹脂組成物と、該組成物によって樹脂封止された
半導体封止装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体ディスクリートの分野にお
いて、高信頼性化の動きがある。例えば、ＴＯ−２２０
の場合、従来、熱放散させるために、ヒートシンク（放
熱金属板）がついていたが、信頼性を向上させるため、
ヒートシンクをとり、代わりに熱伝導性のある樹脂でパ
ッケージ裏面も封止するという方向に進んでいる。さら
に、熱放散性を高めるため、パッケージ裏面層は、年々
薄くなってきている。
いて、高信頼性化の動きがある。例えば、ＴＯ−２２０
の場合、従来、熱放散させるために、ヒートシンク（放
熱金属板）がついていたが、信頼性を向上させるため、
ヒートシンクをとり、代わりに熱伝導性のある樹脂でパ
ッケージ裏面も封止するという方向に進んでいる。さら
に、熱放散性を高めるため、パッケージ裏面層は、年々
薄くなってきている。
【０００３】従来の封止用樹脂組成物によって表裏両面
を封止した半導体装置は、トランスファー成形などで封
止すると、パッケージの表裏面の厚み比が大きく、樹脂
が均一に流れず、その部分からリーク電流や腐食が発生
し、長期間の信頼性を保証することができないという欠
点があった。
を封止した半導体装置は、トランスファー成形などで封
止すると、パッケージの表裏面の厚み比が大きく、樹脂
が均一に流れず、その部分からリーク電流や腐食が発生
し、長期間の信頼性を保証することができないという欠
点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、表裏
面などの厚み比が大きいパッケージのトランスファー成
形に適して充填性や作業性がよい、封止用樹脂組成物お
よび半導体封止装置を提供しようとするものである。
面などの厚み比が大きいパッケージのトランスファー成
形に適して充填性や作業性がよい、封止用樹脂組成物お
よび半導体封止装置を提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、最大粒子径が
２００μｍ以下で、平均粒子径が２５μｍ以上５０μｍ
以下であるシリカ充填剤を熱硬化性樹脂１００重量部に
対して３００〜６００重量部含有し、特に極性溶剤を樹
脂１００重量部に対して５〜２０重量部を熱硬化性樹脂
に配合すれば、トランスファー成形における充填性や作
業性がよい、封止用樹脂組成物が得られることを見いだ
し、本発明を完成したものである。
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、最大粒子径が
２００μｍ以下で、平均粒子径が２５μｍ以上５０μｍ
以下であるシリカ充填剤を熱硬化性樹脂１００重量部に
対して３００〜６００重量部含有し、特に極性溶剤を樹
脂１００重量部に対して５〜２０重量部を熱硬化性樹脂
に配合すれば、トランスファー成形における充填性や作
業性がよい、封止用樹脂組成物が得られることを見いだ
し、本発明を完成したものである。
【０００６】即ち、本発明の封止用樹脂組成物は、
（Ａ）熱硬化性樹脂、（Ｂ）極性溶剤および（Ｃ）シリ
カ充填剤を必須成分とし、前記（Ｃ）シリカ充填剤は、
その最大粒子径が２００μｍ以下で平均粒子径が２５μ
ｍ以上５０μｍ以下であるとともに、（Ａ）熱硬化性樹
脂１００重量部に対して３００〜６００重量部の割合で
含有することを特徴とし、また本発明の半導体封止装置
は、（Ａ）熱硬化性樹脂、（Ｂ）極性溶剤および（Ｃ）
シリカ充填剤を必須成分とし、前記（Ｃ）シリカ充填剤
は、その最大粒子径が２００μｍ以下で平均粒子径が２
５μｍ以上５０μｍ以下であるとともに、（Ａ）熱硬化
性樹脂１００重量部に対して３００〜６００重量部の割
合で含有する封止用樹脂組成物の硬化物によって、半導
体チップが封止されてなることを特徴とする。
（Ａ）熱硬化性樹脂、（Ｂ）極性溶剤および（Ｃ）シリ
カ充填剤を必須成分とし、前記（Ｃ）シリカ充填剤は、
その最大粒子径が２００μｍ以下で平均粒子径が２５μ
ｍ以上５０μｍ以下であるとともに、（Ａ）熱硬化性樹
脂１００重量部に対して３００〜６００重量部の割合で
含有することを特徴とし、また本発明の半導体封止装置
は、（Ａ）熱硬化性樹脂、（Ｂ）極性溶剤および（Ｃ）
シリカ充填剤を必須成分とし、前記（Ｃ）シリカ充填剤
は、その最大粒子径が２００μｍ以下で平均粒子径が２
５μｍ以上５０μｍ以下であるとともに、（Ａ）熱硬化
性樹脂１００重量部に対して３００〜６００重量部の割
合で含有する封止用樹脂組成物の硬化物によって、半導
体チップが封止されてなることを特徴とする。
【０００７】以下、本発明を詳細に説明する。
【０００８】本発明に用いる（Ａ）熱硬化性樹脂として
は、例えば、ユリア樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹
脂、レゾルシノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン
樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ア
クリル樹脂、ビニルウレタン樹脂、シリコーン樹脂、α
−オレフィン無水マレイン酸樹脂、ポリアミド樹脂、ポ
リイミド樹脂等が挙げられ、これらは単独又は２種以上
混合して使用することができる。このなかでもエポキシ
樹脂が工業的に有利に用いられる。
は、例えば、ユリア樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹
脂、レゾルシノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン
樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ア
クリル樹脂、ビニルウレタン樹脂、シリコーン樹脂、α
−オレフィン無水マレイン酸樹脂、ポリアミド樹脂、ポ
リイミド樹脂等が挙げられ、これらは単独又は２種以上
混合して使用することができる。このなかでもエポキシ
樹脂が工業的に有利に用いられる。
【０００９】また有利に用いられるエポキシ樹脂として
は、1 分子中に2 個以上のエポキシ基を有する化合物で
あればよく、例えば、汎用されているビスフェノールＡ
型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ポ
リカルボン酸のグリシジルエステル、シクロヘキサン誘
導体のエポキシ化によって得られるエポキシ樹脂等が挙
げられ、これらは単独または2 種以上混合して使用する
ことができる。また、これらのエポキシ樹脂に、必要に
応じて、液状のモノエポキシ樹脂等を併用することがで
きる。
は、1 分子中に2 個以上のエポキシ基を有する化合物で
あればよく、例えば、汎用されているビスフェノールＡ
型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ポ
リカルボン酸のグリシジルエステル、シクロヘキサン誘
導体のエポキシ化によって得られるエポキシ樹脂等が挙
げられ、これらは単独または2 種以上混合して使用する
ことができる。また、これらのエポキシ樹脂に、必要に
応じて、液状のモノエポキシ樹脂等を併用することがで
きる。
【００１０】本発明に用いる（Ｂ）極性溶剤としては、
水または極性を有する有機溶剤を使用する。極性を有す
る有機溶剤としては、メタノール、エタノール、酢酸セ
ロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブアセテ
ート、ブチルカルビトールアセテート、ジメチルホルム
アミド、ジメチルアセトアミド等が挙げられ、これらは
単独又は２種以上混合して使用することができる。ま
た、これら極性溶剤の配合割合は、（Ａ）熱硬化性樹脂
１００重量部に対して５〜２０重量部、好ましくは、５
〜１５重量部である。その割合が、５重量部未満では流
動性および硬化後の樹脂強度が低下し、２０重量部を超
えると、付着などの影響で封止樹脂の製造がで著しく低
下して好ましくない。なお、上記した（Ａ）熱硬化性樹
脂の１００重量部のなかには、その熱硬化性樹脂に必要
な硬化剤および硬化触媒の配合量が含まれる。
水または極性を有する有機溶剤を使用する。極性を有す
る有機溶剤としては、メタノール、エタノール、酢酸セ
ロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブアセテ
ート、ブチルカルビトールアセテート、ジメチルホルム
アミド、ジメチルアセトアミド等が挙げられ、これらは
単独又は２種以上混合して使用することができる。ま
た、これら極性溶剤の配合割合は、（Ａ）熱硬化性樹脂
１００重量部に対して５〜２０重量部、好ましくは、５
〜１５重量部である。その割合が、５重量部未満では流
動性および硬化後の樹脂強度が低下し、２０重量部を超
えると、付着などの影響で封止樹脂の製造がで著しく低
下して好ましくない。なお、上記した（Ａ）熱硬化性樹
脂の１００重量部のなかには、その熱硬化性樹脂に必要
な硬化剤および硬化触媒の配合量が含まれる。
【００１１】本発明に用いる（Ｃ）シリカ充填剤は、結
晶シリカ、溶融シリカのいずれでも構わないが、熱伝導
性を高めるため、結晶シリカを使用するのが望ましい。
結晶シリカとしては、一般に天然の高純度の珪石、珪
砂、水晶等が用いられ、溶融シリカは、これら結晶シリ
カを高温で溶融してインゴットにしたものである。通
常、これらをジョークラッシャー、ロールクラッシャー
等で粗砕し、これら粗砕品をさらにボールミル等で微粉
砕し、本発明における破砕状シリカとして用いる。
晶シリカ、溶融シリカのいずれでも構わないが、熱伝導
性を高めるため、結晶シリカを使用するのが望ましい。
結晶シリカとしては、一般に天然の高純度の珪石、珪
砂、水晶等が用いられ、溶融シリカは、これら結晶シリ
カを高温で溶融してインゴットにしたものである。通
常、これらをジョークラッシャー、ロールクラッシャー
等で粗砕し、これら粗砕品をさらにボールミル等で微粉
砕し、本発明における破砕状シリカとして用いる。
【００１２】本発明に用いる（Ｃ）シリカ充填剤は、最
大粒子径は、２００μｍ以下で、好ましくは１５０μｍ
以下である。粒子径が２００μｍを超えると、半導体の
樹脂封止の工程でつまりを生じる場合があるため使用で
きない。更に平均粒子径は、２５μｍ以上５０μｍ以下
であり、好ましくは４０μｍ以上５０μｍである。２５
μｍ未満では、薄面パッケージの充填性が損なわれ、５
０μｍを超えると樹脂組成物の良好な流動性が損なわれ
る。
大粒子径は、２００μｍ以下で、好ましくは１５０μｍ
以下である。粒子径が２００μｍを超えると、半導体の
樹脂封止の工程でつまりを生じる場合があるため使用で
きない。更に平均粒子径は、２５μｍ以上５０μｍ以下
であり、好ましくは４０μｍ以上５０μｍである。２５
μｍ未満では、薄面パッケージの充填性が損なわれ、５
０μｍを超えると樹脂組成物の良好な流動性が損なわれ
る。
【００１３】また、（Ｃ）シリカ充填剤の配合割合は、
（Ａ）熱硬化性樹脂１００重量部に対して３００〜６０
０重量部であり、好ましくは５００〜６００重量部の範
囲である。シリカ充填剤の配合が３００重量部以下では
内部応力低下の効果がみられず、６００重量部を超える
と、樹脂の流動性が著しく低下するので好ましくない。
なお、（Ａ）熱硬化性樹脂の１００重量部のなかには、
その熱硬化性樹脂に必要な硬化剤および硬化触媒の配合
量が含まれる。
（Ａ）熱硬化性樹脂１００重量部に対して３００〜６０
０重量部であり、好ましくは５００〜６００重量部の範
囲である。シリカ充填剤の配合が３００重量部以下では
内部応力低下の効果がみられず、６００重量部を超える
と、樹脂の流動性が著しく低下するので好ましくない。
なお、（Ａ）熱硬化性樹脂の１００重量部のなかには、
その熱硬化性樹脂に必要な硬化剤および硬化触媒の配合
量が含まれる。
【００１４】本発明の樹脂組成物は、上述した（Ｃ）シ
リカ充填剤および（Ｂ）極性溶剤を（Ａ）熱硬化性樹脂
に配合させたものであるが、本発明の目的に反しない限
度において、また必要に応じて、例えば天然ワックス
類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド、
エステル類、パラフィン等の離型剤、三酸化アンチモン
等の難燃剤、カーボンブラック等の着色剤、ゴム系やシ
リコーン系の低応力付与剤等を適宜添加配合することが
できる。
リカ充填剤および（Ｂ）極性溶剤を（Ａ）熱硬化性樹脂
に配合させたものであるが、本発明の目的に反しない限
度において、また必要に応じて、例えば天然ワックス
類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド、
エステル類、パラフィン等の離型剤、三酸化アンチモン
等の難燃剤、カーボンブラック等の着色剤、ゴム系やシ
リコーン系の低応力付与剤等を適宜添加配合することが
できる。
【００１５】本発明のエポキシ樹脂組成物を成形材料と
して調製する場合の一般的方法は、前述した熱硬化性樹
脂、極性溶剤、シリカ充填剤、その他の成分を配合し、
ミキサー等によって十分均一に混合し、さらに熱ロール
による溶融混合処理またはニーダ等による混合処理を行
い、次いで冷却固化させ適当な大きさに粉砕して成形材
料とすることができる。こうして得られた成形材料は、
半導体装置をはじめとする電子部品或いは電気部品の封
止、被覆、絶縁等に適用すれば優れた特性と信頼性を付
与させることができる。
して調製する場合の一般的方法は、前述した熱硬化性樹
脂、極性溶剤、シリカ充填剤、その他の成分を配合し、
ミキサー等によって十分均一に混合し、さらに熱ロール
による溶融混合処理またはニーダ等による混合処理を行
い、次いで冷却固化させ適当な大きさに粉砕して成形材
料とすることができる。こうして得られた成形材料は、
半導体装置をはじめとする電子部品或いは電気部品の封
止、被覆、絶縁等に適用すれば優れた特性と信頼性を付
与させることができる。
【００１６】また、本発明の半導体封止装置は、上述の
成形材料を用いて半導体チップを封止することにより容
易に製造することができる。封止を行う半導体チップと
しては、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジス
タ、サイリスタ、ダイオード等で特に限定されるもので
はない。封止の最も一般的な方法としては、低圧トラン
スファー成形法があるが、射出成形、圧縮成形、注形等
による封止も可能である。成形材料で封止後加熱して硬
化させ、最終的にはこの硬化物によって封止された半導
体封止装置が得られる。加熱による硬化は、150 ℃以上
に加熱して硬化させることが望ましい。
成形材料を用いて半導体チップを封止することにより容
易に製造することができる。封止を行う半導体チップと
しては、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジス
タ、サイリスタ、ダイオード等で特に限定されるもので
はない。封止の最も一般的な方法としては、低圧トラン
スファー成形法があるが、射出成形、圧縮成形、注形等
による封止も可能である。成形材料で封止後加熱して硬
化させ、最終的にはこの硬化物によって封止された半導
体封止装置が得られる。加熱による硬化は、150 ℃以上
に加熱して硬化させることが望ましい。
【００１７】
【作用】本発明において平均粒子径を調整した特定のシ
リカ充填剤と、特定の極性溶剤と、熱硬化性樹脂とを特
定範囲量で配合することによって、本発明の封止用樹脂
組成物が得られる。この樹脂組成物を使用することによ
り、トランスファー成形における充填性や作業性を大幅
に向上することができる。
リカ充填剤と、特定の極性溶剤と、熱硬化性樹脂とを特
定範囲量で配合することによって、本発明の封止用樹脂
組成物が得られる。この樹脂組成物を使用することによ
り、トランスファー成形における充填性や作業性を大幅
に向上することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例によって具
体的に説明するが、本発明は、これらの実施例によって
限定されるものではない。以下の実施例および比較例に
おいて「部」とは「重量部」を意味する。
体的に説明するが、本発明は、これらの実施例によって
限定されるものではない。以下の実施例および比較例に
おいて「部」とは「重量部」を意味する。
【００１９】実施例１ クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２
００）７０部に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０４）３０部、エタノール１０部、最大粒子
径１５０μｍで平均粒子径３５μｍである結晶シリカ粉
末４００部、およびトリフェニルホスフィン３部を配合
し、ロールミルにて混練後、粉砕して実施例１のエポキ
シ樹脂組成物を得た。
００）７０部に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０４）３０部、エタノール１０部、最大粒子
径１５０μｍで平均粒子径３５μｍである結晶シリカ粉
末４００部、およびトリフェニルホスフィン３部を配合
し、ロールミルにて混練後、粉砕して実施例１のエポキ
シ樹脂組成物を得た。
【００２０】実施例２ クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２
００）７０部に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０４）３０部、エタノール１０部、最大粒子
径１５０μｍで平均粒子径３５μｍである結晶シリカ粉
末６００部、およびトリフェニルホスフィン３部を配合
し、ロールミルにて混練後、粉砕して実施例２のエポキ
シ樹脂組成物を得た。
００）７０部に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０４）３０部、エタノール１０部、最大粒子
径１５０μｍで平均粒子径３５μｍである結晶シリカ粉
末６００部、およびトリフェニルホスフィン３部を配合
し、ロールミルにて混練後、粉砕して実施例２のエポキ
シ樹脂組成物を得た。
【００２１】実施例３ クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２
００）７０部に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０４）３０部、エタノール２部、最大粒子径
１５０μｍで平均粒子径３５μｍである結晶シリカ粉末
５５０部、およびトリフェニルホスフィン３部を配合
し、ロールミルにて混練後、粉砕して実施例３のエポキ
シ樹脂組成物を得た。
００）７０部に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０４）３０部、エタノール２部、最大粒子径
１５０μｍで平均粒子径３５μｍである結晶シリカ粉末
５５０部、およびトリフェニルホスフィン３部を配合
し、ロールミルにて混練後、粉砕して実施例３のエポキ
シ樹脂組成物を得た。
【００２２】実施例４ クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２
００）７０部に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０４）３０部、ジメチルホルムアミド１０
部、最大粒子径１５０μｍで平均粒子径３５μｍである
結晶シリカ粉末５５０部、およびトリフェニルホスフィ
ン３部を配合し、ロールミルにて混練後、粉砕して実施
例４のエポキシ樹脂組成物を得た。
００）７０部に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０４）３０部、ジメチルホルムアミド１０
部、最大粒子径１５０μｍで平均粒子径３５μｍである
結晶シリカ粉末５５０部、およびトリフェニルホスフィ
ン３部を配合し、ロールミルにて混練後、粉砕して実施
例４のエポキシ樹脂組成物を得た。
【００２３】実施例５ クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２
００）７０部に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０４）３０部、水２部、最大粒子径１５０μ
ｍで平均粒子径３５μｍである結晶シリカ粉末５５０
部、およびトリフェニルホスフィン３部を配合し、ロー
ルミルにて混練後、粉砕して実施例５のエポキシ樹脂組
成物を得た。
００）７０部に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０４）３０部、水２部、最大粒子径１５０μ
ｍで平均粒子径３５μｍである結晶シリカ粉末５５０
部、およびトリフェニルホスフィン３部を配合し、ロー
ルミルにて混練後、粉砕して実施例５のエポキシ樹脂組
成物を得た。
【００２４】実施例６ クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２
００）７０部に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０４）３０部、水１０部、最大粒子径１５０
μｍで平均粒子径３５μｍである結晶シリカ粉末５５０
部、およびトリフェニルホスフィン３部を配合し、ロー
ルミルにて混練後、粉砕して実施例５のエポキシ樹脂組
成物を得た。
００）７０部に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０４）３０部、水１０部、最大粒子径１５０
μｍで平均粒子径３５μｍである結晶シリカ粉末５５０
部、およびトリフェニルホスフィン３部を配合し、ロー
ルミルにて混練後、粉砕して実施例５のエポキシ樹脂組
成物を得た。
【００２５】比較例１ クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２
００）７０部に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０４）３０部、エタノール１０部、最大粒子
径１２０μｍで平均粒子径２０μｍである結晶シリカ粉
末４００部、およびトリフェニルホスフィン３部を配合
し、ロールミルにて混練後、粉砕して比較例１のエポキ
シ樹脂組成物を得た。
００）７０部に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０４）３０部、エタノール１０部、最大粒子
径１２０μｍで平均粒子径２０μｍである結晶シリカ粉
末４００部、およびトリフェニルホスフィン３部を配合
し、ロールミルにて混練後、粉砕して比較例１のエポキ
シ樹脂組成物を得た。
【００２６】比較例２ クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２
００）７０部に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０４）３０部、エタノール１０部、最大粒子
径１２０μｍで平均粒子径２０μｍである結晶シリカ粉
末６００部、およびトリフェニルホスフィン３部を配合
し、ロールミルにて混練後、粉砕して比較例２のエポキ
シ樹脂組成物を得た。
００）７０部に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０４）３０部、エタノール１０部、最大粒子
径１２０μｍで平均粒子径２０μｍである結晶シリカ粉
末６００部、およびトリフェニルホスフィン３部を配合
し、ロールミルにて混練後、粉砕して比較例２のエポキ
シ樹脂組成物を得た。
【００２７】比較例３ クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２
００）７０部に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０４）３０部、ジメチルホルムアミド１０
部、最大粒子径１２０μｍで平均粒子径２０μｍである
結晶シリカ粉末５５０部、およびトリフェニルホスフィ
ン３部を配合し、ロールミルにて混練後、粉砕して比較
例３のエポキシ樹脂組成物を得た。
００）７０部に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０４）３０部、ジメチルホルムアミド１０
部、最大粒子径１２０μｍで平均粒子径２０μｍである
結晶シリカ粉末５５０部、およびトリフェニルホスフィ
ン３部を配合し、ロールミルにて混練後、粉砕して比較
例３のエポキシ樹脂組成物を得た。
【００２８】比較例４ クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２
００）７０部に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０４）３０部、水１０部、最大粒子径１２０
μｍで平均粒子径２０μｍである結晶シリカ粉末５５０
部、およびトリフェニルホスフィン３部を配合し、ロー
ルミルにて混練後、粉砕して比較例４のエポキシ樹脂組
成物を得た。
００）７０部に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０４）３０部、水１０部、最大粒子径１２０
μｍで平均粒子径２０μｍである結晶シリカ粉末５５０
部、およびトリフェニルホスフィン３部を配合し、ロー
ルミルにて混練後、粉砕して比較例４のエポキシ樹脂組
成物を得た。
【００２９】比較例５ クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２
００）７０部に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０４）３０部、エタノール２部、最大粒子径
１２０μｍで平均粒子径２０μｍである結晶シリカ粉末
５５０部、およびトリフェニルホスフィン３部を配合
し、ロールミルにて混練後、粉砕して比較例５のエポキ
シ樹脂組成物を得た。
００）７０部に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０４）３０部、エタノール２部、最大粒子径
１２０μｍで平均粒子径２０μｍである結晶シリカ粉末
５５０部、およびトリフェニルホスフィン３部を配合
し、ロールミルにて混練後、粉砕して比較例５のエポキ
シ樹脂組成物を得た。
【００３０】比較例６ クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２
００）７０部に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０４）３０部、最大粒子径１５０μｍで平均
粒子径３５μｍである結晶シリカ粉末５５０部、および
トリフェニルホスフィン３部を配合し、ロールミルにて
混練後、粉砕して比較例６のエポキシ樹脂組成物を得
た。
００）７０部に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０４）３０部、最大粒子径１５０μｍで平均
粒子径３５μｍである結晶シリカ粉末５５０部、および
トリフェニルホスフィン３部を配合し、ロールミルにて
混練後、粉砕して比較例６のエポキシ樹脂組成物を得
た。
【００３１】前記実施例および比較例で作成したエポキ
シ樹脂組成物の流動性および成形性をみるため、高化式
フロー粘度およびスパイラルフローを測定し、また、上
記樹脂組成物を用いて封止した半導体装置の外観検査を
行い、この結果を表１〜２にそれぞれ示した。実施例１
〜６のシリカ充填剤を使用した樹脂組成物が比較例１〜
６のシリカ充填剤を使用した樹脂組成物より成形性が良
好であった。また、実施例１〜６の極性溶剤で５〜２０
重量％添加すると、さらに成形性が向上し、本発明の効
果が確認された。
シ樹脂組成物の流動性および成形性をみるため、高化式
フロー粘度およびスパイラルフローを測定し、また、上
記樹脂組成物を用いて封止した半導体装置の外観検査を
行い、この結果を表１〜２にそれぞれ示した。実施例１
〜６のシリカ充填剤を使用した樹脂組成物が比較例１〜
６のシリカ充填剤を使用した樹脂組成物より成形性が良
好であった。また、実施例１〜６の極性溶剤で５〜２０
重量％添加すると、さらに成形性が向上し、本発明の効
果が確認された。
【００３２】
【表１】 ＊１：島津フローテスターＣＦＴ−５００型を用い、１
７５℃、荷重１０ｋｇの条件にて測定。
７５℃、荷重１０ｋｇの条件にて測定。
【００３３】＊２：ＥＭＭＩ規格１一６６に準じ、１７
５℃×２分硬化の条件にて測定。
５℃×２分硬化の条件にて測定。
【００３４】＊３：１８０℃×６０秒の条件で成形し
た、裏面厚０．３ｍｍのＴＯ−２２０フルパックタイプ
の成形品１０００個について。成形品の裏面を目視によ
り観察し、巣の数をかぞえる。
た、裏面厚０．３ｍｍのＴＯ−２２０フルパックタイプ
の成形品１０００個について。成形品の裏面を目視によ
り観察し、巣の数をかぞえる。
【００３５】＊４：吸湿、半田処理後の、裏面厚０．３
ｍｍのＴＯ−２２０フルパックタイプの成形品１０００
個当たりのフクレ数をかぞえる。
ｍｍのＴＯ−２２０フルパックタイプの成形品１０００
個当たりのフクレ数をかぞえる。
【００３６】
【表２】 ＊１：島津フローテスターＣＦＴ−５００型を用い、１
７５℃、荷重１０ｋｇの条件にて測定。
７５℃、荷重１０ｋｇの条件にて測定。
【００３７】＊２：ＥＭＭＩ規格１一６６に準じ、１７
５℃×２分硬化の条件にて測定。
５℃×２分硬化の条件にて測定。
【００３８】＊３：１８０℃×６０秒の条件で成形し
た、裏面厚０．３ｍｍのＴＯ−２２０フルパックタイプ
の成形品１０００個について。成形品の裏面を目視によ
り観察し、巣の数をかぞえる。
た、裏面厚０．３ｍｍのＴＯ−２２０フルパックタイプ
の成形品１０００個について。成形品の裏面を目視によ
り観察し、巣の数をかぞえる。
【００３９】＊４：吸湿、半田処理後の、裏面厚０．３
ｍｍのＴＯ−２２０フルパックタイプの成形品１０００
個当たりのフクレ数をかぞえる。
ｍｍのＴＯ−２２０フルパックタイプの成形品１０００
個当たりのフクレ数をかぞえる。
【００４０】
【発明の効果】本発明のシリカ充填剤を含有する熱硬化
性樹脂組成物を半導体等の電子部品の封止に用いること
により、トランスファー成形工程における成形性および
信頼性の改善をはかることができる。
性樹脂組成物を半導体等の電子部品の封止に用いること
により、トランスファー成形工程における成形性および
信頼性の改善をはかることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J002 BE021 BF021 BG001 BH021 CC041 CC061 CC161 CC181 CD001 CK021 CL001 CM041 CP031 DE026 DJ017 EC036 ED026 EP016 FD017 GQ05 4M109 AA01 BA01 CA21 EA01 EA02 EA07 EA10 EA11 EB02 EB04 EB09 EB13 EB18 EB19 EC20
Claims (6)
- 【請求項１】 （Ａ）熱硬化性樹脂、（Ｂ）極性溶剤お
よび（Ｃ）シリカ充填剤を必須成分とし、前記（Ｃ）シ
リカ充填剤は、その最大粒子径が２００μｍ以下で平均
粒子径が２５μｍ以上５０μｍ以下であるとともに、
（Ａ）熱硬化性樹脂１００重量部に対して３００〜６０
０重量部の割合で含有することを特徴とする封止用樹脂
組成物。 - 【請求項２】 （Ｂ）極性溶剤が水であって、（Ａ）熱
硬化性樹脂１００重量部に対して５〜２０重量部の割合
で配合される、請求項１記載の封止用樹脂組成物。 - 【請求項３】 （Ｂ）極性溶剤が有機溶剤であって、
（Ａ）熱硬化性樹脂１００重量部に対して５〜２０重量
部の割合で配合される、請求項１記載の封止用樹脂組成
物。 - 【請求項４】 （Ａ）熱硬化性樹脂、（Ｂ）極性溶剤お
よび（Ｃ）シリカ充填剤を必須成分とし、前記（Ｃ）シ
リカ充填剤は、その最大粒子径が２００μｍ以下で平均
粒子径が２５μｍ以上５０μｍ以下であるとともに、
（Ａ）熱硬化性樹脂１００重量部に対して３００〜６０
０重量部の割合で含有する封止用樹脂組成物の硬化物に
よって、半導体チップが封止されてなることを特徴とす
る半導体封止装置。 - 【請求項５】 （Ｂ）極性溶剤が水であって、（Ａ）熱
硬化性樹脂１００重量部に対して５〜２０重量部の割合
で配合される、請求項４記載の半導体封止装置。 - 【請求項６】 （Ｂ）極性溶剤が有機溶剤であって、
（Ａ）熱硬化性樹脂１００重量部に対して５〜２０重量
部の割合で配合される、請求項４記載の半導体封止装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07891099A JP3883730B2 (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | ディスクリート半導体封止用樹脂組成物およびディスクリート半導体封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07891099A JP3883730B2 (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | ディスクリート半導体封止用樹脂組成物およびディスクリート半導体封止装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000273315A true JP2000273315A (ja) | 2000-10-03 |
| JP3883730B2 JP3883730B2 (ja) | 2007-02-21 |
Family
ID=13675010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07891099A Expired - Fee Related JP3883730B2 (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | ディスクリート半導体封止用樹脂組成物およびディスクリート半導体封止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3883730B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018179438A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 日立化成株式会社 | エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂硬化物及び電子部品装置 |
-
1999
- 1999-03-24 JP JP07891099A patent/JP3883730B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018179438A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 日立化成株式会社 | エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂硬化物及び電子部品装置 |
| CN110431185A (zh) * | 2017-03-31 | 2019-11-08 | 日立化成株式会社 | 环氧树脂组合物、环氧树脂固化物和电子部件装置 |
| JPWO2018179438A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2020-02-27 | 日立化成株式会社 | エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂硬化物及び電子部品装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3883730B2 (ja) | 2007-02-21 |
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