JP2000273078A - アミジン誘導体の製造方法 - Google Patents
アミジン誘導体の製造方法Info
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Pyridine Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】種々のベンゼン環置換基を有するベンズアミド
キシム誘導体を出発原料として、対応するベンズアミジ
ン誘導体を工業的に有利に製造することができる製造方
法を提供する。 【解決手段】一般式(1)で表される化合物又はその塩
を、不活性溶媒中、周期律表第VIII族触媒の存在下に水
素を作用させることを特徴とする、一般式(2)で表さ
れるベンズアミジン誘導体又はその塩の製造方法。 【化1】 (式中、Aは、置換基を有していてもよいフェニル基又
は置換基を有していてもよいヘテロ環基を表し、Rは、
置換基を有していてもよいC1-6 アルキル基、置換基を
有していてもよいC3-8シクロアルキル基、置換基を有
していてもよいC1-6 ハロアルキル基又は置換基を有し
ていてもよいフェニル基を表す。)
キシム誘導体を出発原料として、対応するベンズアミジ
ン誘導体を工業的に有利に製造することができる製造方
法を提供する。 【解決手段】一般式(1)で表される化合物又はその塩
を、不活性溶媒中、周期律表第VIII族触媒の存在下に水
素を作用させることを特徴とする、一般式(2)で表さ
れるベンズアミジン誘導体又はその塩の製造方法。 【化1】 (式中、Aは、置換基を有していてもよいフェニル基又
は置換基を有していてもよいヘテロ環基を表し、Rは、
置換基を有していてもよいC1-6 アルキル基、置換基を
有していてもよいC3-8シクロアルキル基、置換基を有
していてもよいC1-6 ハロアルキル基又は置換基を有し
ていてもよいフェニル基を表す。)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、農薬・医薬の製造
中間体、特に農園芸用殺菌剤の製造中間体として有用な
アミジン誘導体の製造方法に関する。
中間体、特に農園芸用殺菌剤の製造中間体として有用な
アミジン誘導体の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ベンズアミジン誘導体は、農薬や医薬品
製造における鍵中間体であり、従来から、これらを工業
的に製造する種々の方法が知られている。例えば、J.
Med.Chem.,18,1117(1975)に
は、下記に示すように、一般式(4)で表される化合物
を、ラネーニッケル及び水素を用いて還元させることに
よりベンズアミジン誘導体(3)を得ている。
製造における鍵中間体であり、従来から、これらを工業
的に製造する種々の方法が知られている。例えば、J.
Med.Chem.,18,1117(1975)に
は、下記に示すように、一般式(4)で表される化合物
を、ラネーニッケル及び水素を用いて還元させることに
よりベンズアミジン誘導体(3)を得ている。
【0003】
【化3】
【0004】また、特開平4−282356号公報に
は、下記に示すように、一般式(5)で表されるアミド
キシム誘導体を、Ru3 (CO)12,Co2 (CO)8
等の周期律表第VIII族元素の担体又は化合物(以下、
「周期律表第VIII族触媒」という。)の存在下に一酸化
炭素を反応させることを特徴とする、一般式(6)で表
されるアミジン誘導体の製造方法が記載されている。
は、下記に示すように、一般式(5)で表されるアミド
キシム誘導体を、Ru3 (CO)12,Co2 (CO)8
等の周期律表第VIII族元素の担体又は化合物(以下、
「周期律表第VIII族触媒」という。)の存在下に一酸化
炭素を反応させることを特徴とする、一般式(6)で表
されるアミジン誘導体の製造方法が記載されている。
【0005】
【化4】
【0006】〔式中、R’は、水素原子、C1-6 アルキ
ル基、C2-6 アルケニル基、C2-6 アルキニル基、又は
下記化5
ル基、C2-6 アルケニル基、C2-6 アルキニル基、又は
下記化5
【0007】
【化5】
【0008】(x,y,zは、それぞれ独立して、水素
原子、C1-6 アルキル基、C2-6 アルケニル基、C2-6
アルキニル基、C1-6 アルコキシ基、水酸基、ハロゲン
原子等を表す。)で示される基を表す。〕
原子、C1-6 アルキル基、C2-6 アルケニル基、C2-6
アルキニル基、C1-6 アルコキシ基、水酸基、ハロゲン
原子等を表す。)で示される基を表す。〕
【0009】さらに、Syn.Commun.,26
(23)4351(1996)には、下記に示すよう
に、ベンズアミドキシム誘導体(7)を、酢酸及び無水
酢酸中で、パラジウム−カーボン(Pd−C)触媒の存
在下に水素を作用させることにより、ベンズアミジン誘
導体(8)を製造する方法が記載されている。
(23)4351(1996)には、下記に示すよう
に、ベンズアミドキシム誘導体(7)を、酢酸及び無水
酢酸中で、パラジウム−カーボン(Pd−C)触媒の存
在下に水素を作用させることにより、ベンズアミジン誘
導体(8)を製造する方法が記載されている。
【0010】
【化6】
【0011】(式中、r1 ,r2 及びr3 はそれぞれ独
立して、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、
ジメチルアミノ基、メトキシカルボニル基等を表す。)
立して、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、
ジメチルアミノ基、メトキシカルボニル基等を表す。)
【0012】
【発明が解決しようとする課題】上記した製造方法のう
ち、ラネーニッケルを触媒として用いる方法は、ラネー
ニッケルが強力な還元触媒であるため、ベンズアミジン
誘導体を製造する場合に、ベンゼン環の置換基の種類に
よっては、アミドキシム部分のみならずベンゼン環の置
換基も同時に還元されてしまう場合があるため、ベンゼ
ン環の置換基の選択に制約があった。
ち、ラネーニッケルを触媒として用いる方法は、ラネー
ニッケルが強力な還元触媒であるため、ベンズアミジン
誘導体を製造する場合に、ベンゼン環の置換基の種類に
よっては、アミドキシム部分のみならずベンゼン環の置
換基も同時に還元されてしまう場合があるため、ベンゼ
ン環の置換基の選択に制約があった。
【0013】また、周期律表第VIII族触媒と一酸化炭素
を用いる反応では、特開平4−282356号公報に記
載されているように、収率が相対的に低く工業的な製造
法とは言い難い。
を用いる反応では、特開平4−282356号公報に記
載されているように、収率が相対的に低く工業的な製造
法とは言い難い。
【0014】さらに、Syn.Commun.,26
(23)4351(1996)に記載されている方法に
よりベンズアミジン誘導体を製造する場合には、ベンゼ
ン環の置換基の種類によっては目的物が得られない場合
がある。例えば、後述するように、ベンゼン環のオルト
位にトリフルオロメチル基を有するベンズアミドキシム
誘導体(13)を、酢酸及び無水酢酸中で、Pd−Cの
存在下に水素を作用させても、主生成物は対応するO−
アセチル体(15)であり、目的とするベンズアミジン
誘導体(14)は殆ど得られなかった。
(23)4351(1996)に記載されている方法に
よりベンズアミジン誘導体を製造する場合には、ベンゼ
ン環の置換基の種類によっては目的物が得られない場合
がある。例えば、後述するように、ベンゼン環のオルト
位にトリフルオロメチル基を有するベンズアミドキシム
誘導体(13)を、酢酸及び無水酢酸中で、Pd−Cの
存在下に水素を作用させても、主生成物は対応するO−
アセチル体(15)であり、目的とするベンズアミジン
誘導体(14)は殆ど得られなかった。
【0015】そこで本発明は、種々のアミドキシム誘導
体を出発原料として、対応するアミジン誘導体を工業的
に有利に製造することができる製造方法を提供すること
を目的とする。
体を出発原料として、対応するアミジン誘導体を工業的
に有利に製造することができる製造方法を提供すること
を目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検討
した結果、種々のアミドキシム誘導体を出発原料とし
て、先ず、アミドキシム誘導体を所定のアシル化剤によ
り対応するO−アシル体とした後、適当な溶媒中、Pd
−C等の周期律表第VIII族触媒の存在下、水素を作用さ
せることにより、対応するアミジン誘導体を工業的に有
利に製造することができることを見い出し、本発明を完
成するに至った。
した結果、種々のアミドキシム誘導体を出発原料とし
て、先ず、アミドキシム誘導体を所定のアシル化剤によ
り対応するO−アシル体とした後、適当な溶媒中、Pd
−C等の周期律表第VIII族触媒の存在下、水素を作用さ
せることにより、対応するアミジン誘導体を工業的に有
利に製造することができることを見い出し、本発明を完
成するに至った。
【0017】即ち、本発明は、一般式(1)
【0018】
【化7】
【0019】(式中、Aは、置換基を有していてもよい
フェニル基又は置換基を有していてもよいヘテロ環基を
表し、Rは、置換基を有していてもよいC1-6 アルキル
基、置換基を有していてもよいC3-8シクロアルキル
基、置換基を有していてもよいC1-6 ハロアルキル基又
は置換基を有していてもよいフェニル基を表す。)で表
される化合物又はその塩を、不活性溶媒中、周期律表第
VIII族触媒の存在下に水素作用させることを特徴とす
る、一般式(2)
フェニル基又は置換基を有していてもよいヘテロ環基を
表し、Rは、置換基を有していてもよいC1-6 アルキル
基、置換基を有していてもよいC3-8シクロアルキル
基、置換基を有していてもよいC1-6 ハロアルキル基又
は置換基を有していてもよいフェニル基を表す。)で表
される化合物又はその塩を、不活性溶媒中、周期律表第
VIII族触媒の存在下に水素作用させることを特徴とす
る、一般式(2)
【0020】
【化8】
【0021】(式中、Aは前記と同じ意味を表す。)で
表されるアミジン誘導体又はその塩の製造方法である。
表されるアミジン誘導体又はその塩の製造方法である。
【0022】又、前記本発明の製造方法においては、前
記周期律表第VIII族触媒は、Pd又はPt系触媒を用い
るのが好ましい。
記周期律表第VIII族触媒は、Pd又はPt系触媒を用い
るのが好ましい。
【0023】
【発明の実施の形態】以下、本発明の製造方法を詳細に
説明する。本発明は、前記一般式(1)で表される化合
物を、不活性溶媒中、周期律表第VIII族触媒の存在下に
水素を作用させることを特徴とする、前記一般式(2)
で表される化合物の製造方法である。
説明する。本発明は、前記一般式(1)で表される化合
物を、不活性溶媒中、周期律表第VIII族触媒の存在下に
水素を作用させることを特徴とする、前記一般式(2)
で表される化合物の製造方法である。
【0024】前記一般式(1)及び(2)において、A
は、ベンゼン環の任意の位置に置換基を有していてもよ
いフェニル基、又はヘテロ環の任意の位置に置換基を有
していてもよいヘテロ環基を表す。
は、ベンゼン環の任意の位置に置換基を有していてもよ
いフェニル基、又はヘテロ環の任意の位置に置換基を有
していてもよいヘテロ環基を表す。
【0025】前記ヘテロ環基としては、環内に窒素原
子、酸素原子、硫黄原子を1〜3個含む5ないしは6員
のヘテロ環基が好ましい。
子、酸素原子、硫黄原子を1〜3個含む5ないしは6員
のヘテロ環基が好ましい。
【0026】かかるヘテロ環としては、例えば、2−ピ
リジル、3−ピリジル、4−ピリジル、2−ピリミジ
ル、4−ピリミジル、5−ピリミジル、6−ピリミジ
ル、3−ピリダジニル、4−ピリダジニル、5−ピリダ
ジニル、6−ピリダジニル、ピロール−1−イル、ピロ
ールー2−イル、ピロールー3−イル、イミダゾール−
2−イル、イミダゾール−4−イル、イミダゾール−5
−イル、ピラゾール−3−イル、ピラール−4−イル、
ピラゾール−5−イル、オキサゾール−2−イル、オキ
サゾール−4−イル、オキサゾール−5−イル、イソオ
キサゾール−2−イル、イソオキサゾール−4−イル、
イソオキサゾール−5−イル、チアゾール−2−イル、
チアゾール−4−イル、チアゾール−5−イル、イソチ
アゾール−2−イル、イソチアゾール−4−イル、イソ
チアゾール−5−イル、
リジル、3−ピリジル、4−ピリジル、2−ピリミジ
ル、4−ピリミジル、5−ピリミジル、6−ピリミジ
ル、3−ピリダジニル、4−ピリダジニル、5−ピリダ
ジニル、6−ピリダジニル、ピロール−1−イル、ピロ
ールー2−イル、ピロールー3−イル、イミダゾール−
2−イル、イミダゾール−4−イル、イミダゾール−5
−イル、ピラゾール−3−イル、ピラール−4−イル、
ピラゾール−5−イル、オキサゾール−2−イル、オキ
サゾール−4−イル、オキサゾール−5−イル、イソオ
キサゾール−2−イル、イソオキサゾール−4−イル、
イソオキサゾール−5−イル、チアゾール−2−イル、
チアゾール−4−イル、チアゾール−5−イル、イソチ
アゾール−2−イル、イソチアゾール−4−イル、イソ
チアゾール−5−イル、
【0027】2−ピペリジニル、3−ピペリジニル、4
−ピペリジニル、2−ピペラジニル、3−ピペラジニ
ル、2−モルホリル、3−モルホリル等の含窒素ヘテロ
環基、2−ピラニル、3−ピラニル、4−ピラニル、2
−ジオキサニル、3−ジオキサニル、2−フリル、3−
フリル、1,3−ジオキソラン−2−イル等の含酸素ヘ
テロ環基、2−チオピラニル、3−チオピラニル、4−
チオピラニル、2−チエニル、3−チエニル等の不飽和
含硫黄ヘテロ環基等が挙げられる。
−ピペリジニル、2−ピペラジニル、3−ピペラジニ
ル、2−モルホリル、3−モルホリル等の含窒素ヘテロ
環基、2−ピラニル、3−ピラニル、4−ピラニル、2
−ジオキサニル、3−ジオキサニル、2−フリル、3−
フリル、1,3−ジオキソラン−2−イル等の含酸素ヘ
テロ環基、2−チオピラニル、3−チオピラニル、4−
チオピラニル、2−チエニル、3−チエニル等の不飽和
含硫黄ヘテロ環基等が挙げられる。
【0028】Rは、置換基を有していてもよいC1-6 ア
ルキル基、置換基を有していてもよいC3-8シクロアル
キル基、置換基を有していてもよいC1-6 ハロアルキル
基又は置換基を有していてもよいフェニル基を表す。
ルキル基、置換基を有していてもよいC3-8シクロアル
キル基、置換基を有していてもよいC1-6 ハロアルキル
基又は置換基を有していてもよいフェニル基を表す。
【0029】前記C1-6 アルキル基としては、例えばメ
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、se
c−ブチル、イソブチル、t−ブチル、ペンチル、ヘキ
シル基等が挙げられる。
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、se
c−ブチル、イソブチル、t−ブチル、ペンチル、ヘキ
シル基等が挙げられる。
【0030】前記C3-8シクロアルキル基としては、例
えばシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル
基等が挙げられる。
えばシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル
基等が挙げられる。
【0031】また、前記C1-6 ハロアルキル基として
は、クロロメチル、フルオロメチル、ブロモメチル、ジ
クロロメチル、ジフルオロメチル、トリクロロメチル、
トリフルオロメチル、トリブロモメチル、ジフルオロク
ロロメチル、トリクロロエチル、トリフルオロエチル、
ペンタフルオロエチル基等を例示することができる。
は、クロロメチル、フルオロメチル、ブロモメチル、ジ
クロロメチル、ジフルオロメチル、トリクロロメチル、
トリフルオロメチル、トリブロモメチル、ジフルオロク
ロロメチル、トリクロロエチル、トリフルオロエチル、
ペンタフルオロエチル基等を例示することができる。
【0032】前記置換基を有していてもよい(C1-6 ア
ルキル基、C3-8シクロアルキル基、C1-6 ハロアルキ
ル基及びフェニル基)の置換基としては、ニトロ基、シ
アノ基、水酸基、ホルミル基、フッ素、塩素、臭素等の
ハロゲン原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル基等のC1-6 アルキル基、クロロメチル、フルオロメ
チル、ブロモメチル、ジクロロメチル、ジフルオロメチ
ル、トリクロロメチル、トリフルオロメチル、トリブロ
モメチル、ジフルオロクロロメチル、トリクロロエチ
ル、トリフルオロエチル、ペンタフルオロエチル基等の
C1-6 ハロアルキル基、
ルキル基、C3-8シクロアルキル基、C1-6 ハロアルキ
ル基及びフェニル基)の置換基としては、ニトロ基、シ
アノ基、水酸基、ホルミル基、フッ素、塩素、臭素等の
ハロゲン原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル基等のC1-6 アルキル基、クロロメチル、フルオロメ
チル、ブロモメチル、ジクロロメチル、ジフルオロメチ
ル、トリクロロメチル、トリフルオロメチル、トリブロ
モメチル、ジフルオロクロロメチル、トリクロロエチ
ル、トリフルオロエチル、ペンタフルオロエチル基等の
C1-6 ハロアルキル基、
【0033】メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプ
ロポキシ、ブトキシ、sec−ブトキシ、t−ブトキシ
基等のC1-6 アルコキシ基、メトキシカルボニル、エト
キシカルボニル、プロポキシカルボニル、イソプロポキ
シカルボニル、ブトキシカルボニル、t−ブトキシカル
ボニル基等のC1-6アルコキシカルボニル基、
ロポキシ、ブトキシ、sec−ブトキシ、t−ブトキシ
基等のC1-6 アルコキシ基、メトキシカルボニル、エト
キシカルボニル、プロポキシカルボニル、イソプロポキ
シカルボニル、ブトキシカルボニル、t−ブトキシカル
ボニル基等のC1-6アルコキシカルボニル基、
【0034】アセチル、プロピオニル基等のC1-6 アル
キルカルボニル基、メチルスルホニル、エチルスルホニ
ル、プロピルスルホニル、イソプロピルスルホニル、ブ
チルスルホニル基等のC1-6 アルキルスルホニル基、ト
リメチルシリル、トリエチルシリル、t−ブチルジメチ
ルシリル基等の式SiRa Rb RC (式中、Ra ,Rb
及びRc は、それぞれ独立して水素原子、C 1-6 アルキ
ル基等を表す。)で表されるシリル基等を例示すること
ができる。
キルカルボニル基、メチルスルホニル、エチルスルホニ
ル、プロピルスルホニル、イソプロピルスルホニル、ブ
チルスルホニル基等のC1-6 アルキルスルホニル基、ト
リメチルシリル、トリエチルシリル、t−ブチルジメチ
ルシリル基等の式SiRa Rb RC (式中、Ra ,Rb
及びRc は、それぞれ独立して水素原子、C 1-6 アルキ
ル基等を表す。)で表されるシリル基等を例示すること
ができる。
【0035】また、これら置換基の置換位置及び数には
特に制限はなく、置換基が複数の場合、置換基は同一で
も相異なっていてもよい。
特に制限はなく、置換基が複数の場合、置換基は同一で
も相異なっていてもよい。
【0036】前記一般式(1)及び(2)で表される化
合物の塩としては、前記一般式(1)及び(2)で表さ
れる化合物と安定して塩を形成するものであれば特に制
限はないが、塩酸、硝酸、硫酸等の無機酸、酢酸、プロ
ピオン酸等の有機酸の塩を例示することができる。
合物の塩としては、前記一般式(1)及び(2)で表さ
れる化合物と安定して塩を形成するものであれば特に制
限はないが、塩酸、硝酸、硫酸等の無機酸、酢酸、プロ
ピオン酸等の有機酸の塩を例示することができる。
【0037】本発明の製造方法に用いることのできる溶
媒としては、反応に不活性なものであれば特に制限はな
いが、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン
(THF)、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、
1,2−ジメトキシエタン等のエーテル類、酢酸エチ
ル、酢酸プロピル等のエステル類、アセトン、メチルエ
チルケトン、エチルイソブチルケトン等のケトン類、ジ
クロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン
化炭化水素類、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、
ヘプタン、オクタン等の炭化水素類、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の
芳香族炭化水素類、
媒としては、反応に不活性なものであれば特に制限はな
いが、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン
(THF)、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、
1,2−ジメトキシエタン等のエーテル類、酢酸エチ
ル、酢酸プロピル等のエステル類、アセトン、メチルエ
チルケトン、エチルイソブチルケトン等のケトン類、ジ
クロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン
化炭化水素類、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、
ヘプタン、オクタン等の炭化水素類、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の
芳香族炭化水素類、
【0038】メタノール、エタノール、プロピルアルコ
ール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール等の
アルコール類、酢酸、プロピオン酸等の脂肪酸類、N,
N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセタミ
ド等のアミド類、ジメチルスルホキシド、アセトニトリ
ル、ベンゾニトリル、水等、及びこれらの混合物を挙げ
ることができる。
ール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール等の
アルコール類、酢酸、プロピオン酸等の脂肪酸類、N,
N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセタミ
ド等のアミド類、ジメチルスルホキシド、アセトニトリ
ル、ベンゾニトリル、水等、及びこれらの混合物を挙げ
ることができる。
【0039】これらのうち、メタノール、エタノール、
プロパノール、イソプロピルアルコール等のアルコール
系溶媒の使用が特に好ましい。
プロパノール、イソプロピルアルコール等のアルコール
系溶媒の使用が特に好ましい。
【0040】本発明に用いることのできる触媒として
は、接触水素還元に用いられる周期律表第VIII族触媒で
ある。例えば、Fe,Co,Ni,Ru,Rh,Pd,
Os,Ir,Ptの単体及びこれらの酸化物、ハロゲン
化物、硫酸塩、硝酸塩、酢酸塩、水酸化物等の化合物の
担持体を挙げることができる。
は、接触水素還元に用いられる周期律表第VIII族触媒で
ある。例えば、Fe,Co,Ni,Ru,Rh,Pd,
Os,Ir,Ptの単体及びこれらの酸化物、ハロゲン
化物、硫酸塩、硝酸塩、酢酸塩、水酸化物等の化合物の
担持体を挙げることができる。
【0041】これらの内、よりソフトな性質を有するR
u,Rh,Pd,Os,Ir,Pt及びこれらの化合物
の担持体が好ましい。より具体的には、パラジウム−炭
素(Pd−C)、水酸化パラジウム−炭素、PtO
2(酸化白金)等を例示することができる。これらの触
媒の使用量は、一般式(1)で表される化合物(基質)
1モルに対し、0.0001〜1モル程度が好ましい。
u,Rh,Pd,Os,Ir,Pt及びこれらの化合物
の担持体が好ましい。より具体的には、パラジウム−炭
素(Pd−C)、水酸化パラジウム−炭素、PtO
2(酸化白金)等を例示することができる。これらの触
媒の使用量は、一般式(1)で表される化合物(基質)
1モルに対し、0.0001〜1モル程度が好ましい。
【0042】本発明の製造方法は、前記一般式(1)を
水素により接触還元せしめるものである。水素源として
は、水素ガスや水素貯蔵合金等を用いることができる。
反応系内の水素圧としては、通常1Pa〜100Pa程
度である。また、反応は、通常、室温〜用いる溶媒の沸
点までの温度範囲で円滑に進行する。
水素により接触還元せしめるものである。水素源として
は、水素ガスや水素貯蔵合金等を用いることができる。
反応系内の水素圧としては、通常1Pa〜100Pa程
度である。また、反応は、通常、室温〜用いる溶媒の沸
点までの温度範囲で円滑に進行する。
【0043】前記一般式(1)で表される化合物は、下
記に示すようにして製造することができる。
記に示すようにして製造することができる。
【0044】
【化9】
【0045】(式中、A及びRは前記と同じ意味を表
す。) 即ち、一般式(9)で表されるベンズアミドキシム誘導
体に、一般式RCO−hal(ここで、Rは前記と同じ
意味を表し、halはハロゲン原子を表す。)で表され
る酸ハライド、或いは一般式(RCO)2 O(ここで、
Rは前記と同じ意味を表す。)で表される酸無水物を、
不活性溶媒中、好ましくは塩基の存在下に作用させるこ
とにより、一般式(1)で表される化合物を得ることが
できる。
す。) 即ち、一般式(9)で表されるベンズアミドキシム誘導
体に、一般式RCO−hal(ここで、Rは前記と同じ
意味を表し、halはハロゲン原子を表す。)で表され
る酸ハライド、或いは一般式(RCO)2 O(ここで、
Rは前記と同じ意味を表す。)で表される酸無水物を、
不活性溶媒中、好ましくは塩基の存在下に作用させるこ
とにより、一般式(1)で表される化合物を得ることが
できる。
【0046】この反応に用いることのできる塩基として
は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸化物、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の炭酸塩、ナトリウム
メチラート、ナトリウムエチラート、カリウム t−ブ
トキシド等の金属アルコラート類、トリエチルアミン、
ジイソプロピルエチルアミン等のアミン類、ピリジン等
を挙げることができる。
は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸化物、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の炭酸塩、ナトリウム
メチラート、ナトリウムエチラート、カリウム t−ブ
トキシド等の金属アルコラート類、トリエチルアミン、
ジイソプロピルエチルアミン等のアミン類、ピリジン等
を挙げることができる。
【0047】また、この反応に用いることのできる溶媒
としては、反応に不活性なものであれば特に制限はない
が、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン
(THF)、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、
1,2−ジメトキシエタン等のエーテル類、酢酸エチ
ル、酢酸プロピル等のエステル類、アセトン、メチルエ
チルケトン、エチルイソブチルケトン等のケトン類、ペ
ンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタ
ン等の炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、ク
ロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族炭化水素
類、メタノール、エタノール、プロピルアルコール、イ
ソプロピルアルコール、ブチルアルコール等のアルコー
ル類、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチ
ルアセタミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド、ア
セトニトリル、ベンゾニトリル等、及びこれらの混合物
を挙げることができる。
としては、反応に不活性なものであれば特に制限はない
が、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン
(THF)、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、
1,2−ジメトキシエタン等のエーテル類、酢酸エチ
ル、酢酸プロピル等のエステル類、アセトン、メチルエ
チルケトン、エチルイソブチルケトン等のケトン類、ペ
ンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタ
ン等の炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、ク
ロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族炭化水素
類、メタノール、エタノール、プロピルアルコール、イ
ソプロピルアルコール、ブチルアルコール等のアルコー
ル類、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチ
ルアセタミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド、ア
セトニトリル、ベンゾニトリル等、及びこれらの混合物
を挙げることができる。
【0048】前記一般式(9)で表されるベンズアミド
キシム誘導体は、例えば、Syn.Commun.,2
6(23)4351(1996)に記載の方法により製
造することができる。反応例を下記に示す。
キシム誘導体は、例えば、Syn.Commun.,2
6(23)4351(1996)に記載の方法により製
造することができる。反応例を下記に示す。
【0049】
【化10】
【0050】(式中、Aは前記と同じ意味を表す。) 即ち、一般式(10)で表されるベンゾニトリルに、エ
タノール−水、メタノール−トルエン等の不活性溶媒
中、ヒドロキシルアミン(NH2 OH)を作用させるこ
とにより、一般式(9)で表される化合物を得ることが
できる。
タノール−水、メタノール−トルエン等の不活性溶媒
中、ヒドロキシルアミン(NH2 OH)を作用させるこ
とにより、一般式(9)で表される化合物を得ることが
できる。
【0051】いずれの場合も、反応終了後は通常の後処
理工程を経て目的物を得ることができる。反応生成物の
構造は、IR、NMRスペクトル等の各種スペクトルに
より決定することができる。
理工程を経て目的物を得ることができる。反応生成物の
構造は、IR、NMRスペクトル等の各種スペクトルに
より決定することができる。
【0052】
【実施例】次に、実施例により本発明を更に詳細に説明
する。実施例1 2,3−ジフルオロ−6−トリフルオロメチルベンズア
ミジンの製造
する。実施例1 2,3−ジフルオロ−6−トリフルオロメチルベンズア
ミジンの製造
【0053】
【化11】
【0054】2,3−ジフルオロ−6−トリフルオロメ
チル−O−フェニルアセチルベンズアミドキシム(1
1)42.0g(0.1195mol)をTHF300
mlに溶解し、そこへ10%パラジウム−炭素2.14
gを添加して、反応系内を水素雰囲気にとし、常圧、室
温で反応混合物を12時間攪拌した。反応液を濾過し、
濾液を減圧濃縮し、残渣を酢酸エチルに溶解させた。不
溶物を濾別し、濾液を2規定の水酸化ナトリウム水溶
液、次いで飽和食塩水で洗浄したのち、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥した。硫酸マグネシウムを濾別後、濾液を
減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフィー(クロロホルム〜クロロホルム/メタノール
/アンモニア水=88/10/2)で精製することによ
り、目的物(12)を16.4g得た。収率=61.2
% mp.64−66℃
チル−O−フェニルアセチルベンズアミドキシム(1
1)42.0g(0.1195mol)をTHF300
mlに溶解し、そこへ10%パラジウム−炭素2.14
gを添加して、反応系内を水素雰囲気にとし、常圧、室
温で反応混合物を12時間攪拌した。反応液を濾過し、
濾液を減圧濃縮し、残渣を酢酸エチルに溶解させた。不
溶物を濾別し、濾液を2規定の水酸化ナトリウム水溶
液、次いで飽和食塩水で洗浄したのち、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥した。硫酸マグネシウムを濾別後、濾液を
減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフィー(クロロホルム〜クロロホルム/メタノール
/アンモニア水=88/10/2)で精製することによ
り、目的物(12)を16.4g得た。収率=61.2
% mp.64−66℃
【0055】比較例1 Syn.Commun.,26(23)4351(19
96)に記載の方法による2,3−ジフルオロ−6−ト
リフルオロメチルベンズアミジン酢酸塩の製造
96)に記載の方法による2,3−ジフルオロ−6−ト
リフルオロメチルベンズアミジン酢酸塩の製造
【0056】
【化12】
【0057】2,3−ジフルオロ−6−トリフルオロベ
ンズアミドキシム(13)1.5g(6.25mmo
l)を、酢酸30ml及び無水酢酸0.96g(9.3
75mmol)中に溶解し、そこへ、10%パラジウム
−炭素0.02g(0.188mmol)を添加した。
反応系を水素雰囲気として、常温、常圧で、経時的に反
応の進行度をチェックしながら72時間攪拌した。
ンズアミドキシム(13)1.5g(6.25mmo
l)を、酢酸30ml及び無水酢酸0.96g(9.3
75mmol)中に溶解し、そこへ、10%パラジウム
−炭素0.02g(0.188mmol)を添加した。
反応系を水素雰囲気として、常温、常圧で、経時的に反
応の進行度をチェックしながら72時間攪拌した。
【0058】反応液を濾過して不溶物をろ別したのち、
不溶物を少量の酢酸で洗浄した。濾液を集めて減圧濃縮
し、残渣にn−ヘプタンを加え、再度減圧濃縮すること
により酢酸を完全に減圧留去させた。得られた残渣を薄
層クロマトグラフィーの手法により分析した結果、主生
成物は,2,3−ジフルオロ−6−トリフルオロ−O−
アセチルベンズアミドキシム(15)であり、目的物で
ある2,3−ジフルオロ−6−トリフルオロメチルベン
ズアミジン酢酸塩(14)は殆ど生成していないことが
わかった。
不溶物を少量の酢酸で洗浄した。濾液を集めて減圧濃縮
し、残渣にn−ヘプタンを加え、再度減圧濃縮すること
により酢酸を完全に減圧留去させた。得られた残渣を薄
層クロマトグラフィーの手法により分析した結果、主生
成物は,2,3−ジフルオロ−6−トリフルオロ−O−
アセチルベンズアミドキシム(15)であり、目的物で
ある2,3−ジフルオロ−6−トリフルオロメチルベン
ズアミジン酢酸塩(14)は殆ど生成していないことが
わかった。
【0059】参考例1 2,3−ジフルオロ−6−トリフルオロメチル−O−フ
ェニルアセチルベンズアミドキシムの合成
ェニルアセチルベンズアミドキシムの合成
【0060】
【化13】
【0061】2,3−ジフルオロ−6−トリフルオロメ
チルベンズアミドキシム(13)30g(0.125m
ol)をアセトニトリル300mlに溶解し、そこへ、
フェニルアセチルクロリド19.3g(0.125mo
l)及びピリジン10.9g(0.138mol)を氷
冷下に加え、室温で2時間攪拌した。反応混合物を氷水
中に注加し、酢酸エチルで抽出した。有機層を水、次い
で飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾
燥し、溶媒を減圧留去した。得られた粗結晶を、n−ヘ
キサン−ジエチルエーテル(9:1)で洗浄することに
より、結晶化するので目的物(11)を42.8g得
た。収率=96% mp.158〜160℃
チルベンズアミドキシム(13)30g(0.125m
ol)をアセトニトリル300mlに溶解し、そこへ、
フェニルアセチルクロリド19.3g(0.125mo
l)及びピリジン10.9g(0.138mol)を氷
冷下に加え、室温で2時間攪拌した。反応混合物を氷水
中に注加し、酢酸エチルで抽出した。有機層を水、次い
で飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾
燥し、溶媒を減圧留去した。得られた粗結晶を、n−ヘ
キサン−ジエチルエーテル(9:1)で洗浄することに
より、結晶化するので目的物(11)を42.8g得
た。収率=96% mp.158〜160℃
【0062】このようにして得られる一般式(2)で表
される化合物及び原料となる一般式(1)で表される化
合物の例を、下記第1表〜第7表にまとめて示す。
される化合物及び原料となる一般式(1)で表される化
合物の例を、下記第1表〜第7表にまとめて示す。
【0063】
【表1】
【0064】
【表2】
【0065】
【表3】
【0066】
【表4】
【0067】
【表5】
【0068】
【表6】
【0069】
【表7】
【0070】
【表8】
【0071】
【表9】
【0072】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の製造方法
によれば、種々のベンゼン環置換基を有するベンズアミ
ドキシム誘導体を出発原料として、農薬、医薬として有
用な対応するベンズアミドキシム誘導体を工業的に有利
に製造することができる。
によれば、種々のベンゼン環置換基を有するベンズアミ
ドキシム誘導体を出発原料として、農薬、医薬として有
用な対応するベンズアミドキシム誘導体を工業的に有利
に製造することができる。
【0073】本発明の製造方法は、特に、ベンゼン環
に、ハロゲン原子やトリフルオロメチル基等のC1-6 ハ
ロアルキル基を有するベンズアミジン誘導体の製造に好
ましく適用することができる。
に、ハロゲン原子やトリフルオロメチル基等のC1-6 ハ
ロアルキル基を有するベンズアミジン誘導体の製造に好
ましく適用することができる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C07D 233/90 C07D 233/90 A C 239/26 239/26 307/68 307/68 309/32 309/32 // C07B 61/00 300 C07B 61/00 300 (72)発明者 丸山 智裕 神奈川県小田原市高田345 日本曹達株式 会社小田原研究所内 (72)発明者 八木原 富男 神奈川県小田原市高田345 日本曹達株式 会社小田原研究所内 Fターム(参考) 4C037 MA05 4C055 AA01 BA01 CA01 CA58 CB15 DA01 4C062 CC41 4H006 AA02 AC11 AC59 BA25 BA26 BA32 4H039 CA73 CB30
Claims (2)
- 【請求項1】一般式(1) 【化1】 (式中、Aは、置換基を有していてもよいフェニル基又
は置換基を有していてもよいヘテロ環基を表し、 Rは、置換基を有していてもよいC1-6 アルキル基、置
換基を有していてもよいC3-8シクロアルキル基、置換
基を有していてもよいC1-6 ハロアルキル基又は置換基
を有していてもよいフェニル基を表す。)で表される化
合物又はその塩を、不活性溶媒中、周期律表第VIII族触
媒の存在下に水素を作用させることを特徴とする、一般
式(2) 【化2】 (式中、Aは前記と同じ意味を表す。)で表されるアミ
ジン誘導体又はその塩の製造方法。 - 【請求項2】前記周期律表第VIII族触媒は、Pd又はP
t系触媒である、 請求項1記載のアミジン誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11315022A JP2000273078A (ja) | 1999-01-20 | 1999-11-05 | アミジン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1242099 | 1999-01-20 | ||
JP11-12420 | 1999-01-20 | ||
JP11315022A JP2000273078A (ja) | 1999-01-20 | 1999-11-05 | アミジン誘導体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000273078A true JP2000273078A (ja) | 2000-10-03 |
Family
ID=26348031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11315022A Pending JP2000273078A (ja) | 1999-01-20 | 1999-11-05 | アミジン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000273078A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7723276B2 (en) | 2001-04-06 | 2010-05-25 | Nippon Oil Corporation | Oil for cutting and grinding by ultra low volume oil feed system and for sliding surface and method for cutting and grinding by ultra low volume feed system using the oil |
-
1999
- 1999-11-05 JP JP11315022A patent/JP2000273078A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7723276B2 (en) | 2001-04-06 | 2010-05-25 | Nippon Oil Corporation | Oil for cutting and grinding by ultra low volume oil feed system and for sliding surface and method for cutting and grinding by ultra low volume feed system using the oil |
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