JP2000269000A - セプタム電磁石 - Google Patents
セプタム電磁石Info
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- JP2000269000A JP2000269000A JP11068233A JP6823399A JP2000269000A JP 2000269000 A JP2000269000 A JP 2000269000A JP 11068233 A JP11068233 A JP 11068233A JP 6823399 A JP6823399 A JP 6823399A JP 2000269000 A JP2000269000 A JP 2000269000A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 セプタム厚を薄くすると共に、コアに対して
コイルと真空ダクトの位置を容易に調整できるセプタム
電磁石を提供する。 【解決手段】 断面形状がＣ型であるコア１を設け、こ
のコア１の空隙部内に、絶縁テープ５で結束し一体化し
た荷電粒子の通過する真空ダクト２とセプタムコイル３
とリターンコイル４を嵌合させる。
コイルと真空ダクトの位置を容易に調整できるセプタム
電磁石を提供する。 【解決手段】 断面形状がＣ型であるコア１を設け、こ
のコア１の空隙部内に、絶縁テープ５で結束し一体化し
た荷電粒子の通過する真空ダクト２とセプタムコイル３
とリターンコイル４を嵌合させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、円形粒子加速器
もしくは蓄積リング装置において、荷電粒子の取り込み
及び取り出しに用いられるセプタム電磁石に関するもの
である。
もしくは蓄積リング装置において、荷電粒子の取り込み
及び取り出しに用いられるセプタム電磁石に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】図９は例えば特開平５−２２６１００号
公報に示された従来のセプタム電磁石を示す断面図であ
り、図において、セプタムコイル１１とリターンコイル
１２は真空ダクト１３を挟んでコア１４の空隙部内に配
置される。コア１４はマグネットホルダ１５およびセプ
タムコイル押え板１６により囲まれており、コア１４の
空隙部内にモールド樹脂１７を充填、硬化させてセプタ
ムコイル１１、リターンコイル１２、真空ダクト１３、
コア１４が一体化されている。
公報に示された従来のセプタム電磁石を示す断面図であ
り、図において、セプタムコイル１１とリターンコイル
１２は真空ダクト１３を挟んでコア１４の空隙部内に配
置される。コア１４はマグネットホルダ１５およびセプ
タムコイル押え板１６により囲まれており、コア１４の
空隙部内にモールド樹脂１７を充填、硬化させてセプタ
ムコイル１１、リターンコイル１２、真空ダクト１３、
コア１４が一体化されている。
【０００３】次に動作について説明する。セプタムコイ
ル１１とリターンコイル１２には、流れの向きが反対で
同じ大きさの電流が流れ、これにより、コア１４の空隙
部分に磁場が発生する。真空ダクト１３の中を進む荷電
粒子は、磁場による力を受けて偏向され、リング型加速
器あるいは蓄積リングに入射される。
ル１１とリターンコイル１２には、流れの向きが反対で
同じ大きさの電流が流れ、これにより、コア１４の空隙
部分に磁場が発生する。真空ダクト１３の中を進む荷電
粒子は、磁場による力を受けて偏向され、リング型加速
器あるいは蓄積リングに入射される。
【０００４】また、リング型加速器からの荷電粒子の取
り出しに使われる場合は、リング側を走っていた荷電粒
子が、真空ダクト１３の中を通って偏向され、取り出さ
れる。セプタムコイル１１とリターンコイル１２に電流
を流すことによって発生した磁場により、セプタムコイ
ル１１がコア１４から押し出される方向に電磁力を受け
るが、セプタムコイル押さえ板１６およびモールド樹脂
１７によりこの電磁力を支持している。
り出しに使われる場合は、リング側を走っていた荷電粒
子が、真空ダクト１３の中を通って偏向され、取り出さ
れる。セプタムコイル１１とリターンコイル１２に電流
を流すことによって発生した磁場により、セプタムコイ
ル１１がコア１４から押し出される方向に電磁力を受け
るが、セプタムコイル押さえ板１６およびモールド樹脂
１７によりこの電磁力を支持している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のセプタム電磁石
は以上のように構成されているので、セプタムコイル１
１を薄くしたときにコイルに加わる電磁力を支持するた
めに、セプタムコイル押さえ板１６が必要である。ま
た、上記のように樹脂１７を充填して固定を行うには、
モールド用の治具を準備する必要があり、モールド樹脂
１７の放射線による劣化が生じてしまうという問題もあ
った。また、コア１４、セプタムコイル１１、リターン
コイル１２、真空ダクト１３をモールド時に一体化して
しまうため、その後コイル１１，１２と真空ダクト１３
のコア１４に対する位置を調整することができないとい
う問題があった。
は以上のように構成されているので、セプタムコイル１
１を薄くしたときにコイルに加わる電磁力を支持するた
めに、セプタムコイル押さえ板１６が必要である。ま
た、上記のように樹脂１７を充填して固定を行うには、
モールド用の治具を準備する必要があり、モールド樹脂
１７の放射線による劣化が生じてしまうという問題もあ
った。また、コア１４、セプタムコイル１１、リターン
コイル１２、真空ダクト１３をモールド時に一体化して
しまうため、その後コイル１１，１２と真空ダクト１３
のコア１４に対する位置を調整することができないとい
う問題があった。
【０００６】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたものであり、セプタムコイルを薄くした場
合にも、セプタムコイルに作用する電磁力に十分耐えら
れるとともに、セプタムコイル押さえ板も必要としない
ため、セプタム厚を薄くでき、コアに対して、コイルと
真空ダクトの位置を容易に調整できるセプタム電磁石を
得ることを目的とする。
めになされたものであり、セプタムコイルを薄くした場
合にも、セプタムコイルに作用する電磁力に十分耐えら
れるとともに、セプタムコイル押さえ板も必要としない
ため、セプタム厚を薄くでき、コアに対して、コイルと
真空ダクトの位置を容易に調整できるセプタム電磁石を
得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
るセプタム電磁石は、空隙部を有する断面Ｃ型のコア
と、空隙部内に絶縁テープを巻回することにより一体化
させた真空ダクトとセプタムコイルとリターンコイルと
を備えたものである。
るセプタム電磁石は、空隙部を有する断面Ｃ型のコア
と、空隙部内に絶縁テープを巻回することにより一体化
させた真空ダクトとセプタムコイルとリターンコイルと
を備えたものである。
【０００８】この発明の請求項２に係るセプタム電磁石
は、空隙部を有する断面Ｃ型のコアと、空隙部内に真空
ダクトとセプタムコイルとリターンコイルとを挟み込ん
で一体化させた固定スペーサとを備え、更にその周囲に
絶縁テープを巻回させたものである。
は、空隙部を有する断面Ｃ型のコアと、空隙部内に真空
ダクトとセプタムコイルとリターンコイルとを挟み込ん
で一体化させた固定スペーサとを備え、更にその周囲に
絶縁テープを巻回させたものである。
【０００９】この発明の請求項３に係るセプタム電磁石
は、空隙部を有する断面Ｃ型のコアと、空隙部内に真空
ダクトとセプタムコイルとリターンコイルとを挟み込ん
で一体化させた固定スペーサとを備え、固定スペーサに
溝部を設けると共にこの溝部に絶縁テープを貼り付けた
ものである。
は、空隙部を有する断面Ｃ型のコアと、空隙部内に真空
ダクトとセプタムコイルとリターンコイルとを挟み込ん
で一体化させた固定スペーサとを備え、固定スペーサに
溝部を設けると共にこの溝部に絶縁テープを貼り付けた
ものである。
【００１０】この発明の請求項４に係るセプタム電磁石
は、荷電粒子が通過する方向に沿って固定スペーサを分
割して配置したものである。
は、荷電粒子が通過する方向に沿って固定スペーサを分
割して配置したものである。
【００１１】この発明の請求項５に係るセプタム電磁石
は、絶縁テープに硬化性ワニスを塗布したものである。
は、絶縁テープに硬化性ワニスを塗布したものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の
実施の形態１を図に基づいて説明する。図１はこの発明
の実施の形態１によるセプタム電磁石を示す平面図、図
２は図１のＡ−Ａ線断面図である。図において、１は磁
性体からなる薄板、例えば珪素鋼板を積み重ねて形成さ
れたコアであり、この空隙部分に荷電粒子が通る真空ダ
クト２と、それを挟み込む形でセプタムコイル３とリタ
ーンコイル４を配置する。セプタムコイル３とリターン
コイル４は、例えばガラステープなどからなる絶縁テー
プ５で真空ダクト２と一緒に縛り固定される。６はリン
グ側ダクトである。
実施の形態１を図に基づいて説明する。図１はこの発明
の実施の形態１によるセプタム電磁石を示す平面図、図
２は図１のＡ−Ａ線断面図である。図において、１は磁
性体からなる薄板、例えば珪素鋼板を積み重ねて形成さ
れたコアであり、この空隙部分に荷電粒子が通る真空ダ
クト２と、それを挟み込む形でセプタムコイル３とリタ
ーンコイル４を配置する。セプタムコイル３とリターン
コイル４は、例えばガラステープなどからなる絶縁テー
プ５で真空ダクト２と一緒に縛り固定される。６はリン
グ側ダクトである。
【００１３】次に動作について説明する。シンクロトロ
ンや蓄積リングの入射部において、セプタムコイル３と
リターンコイル４に電流を流すことによって、コア１の
空隙部に磁場が発生し、真空ダクト２の中を走る荷電粒
子は電磁力によって曲げられ、リング側ダクト６に入射
される。リング入射部においては、真空ダクト２とリン
グ側ダクト６との間隔を小さくして効率をあげる必要が
あるため、セプタムコイル３を薄くしている。セプタム
コイル３とリターンコイル４に電流を流して磁場を発生
させると、セプタムコイル３とリターンコイル４がコア
１の外側に押し出される方向に電磁力が働くが、絶縁テ
ープ５により真空ダクト２に固定されているため押し出
されない。
ンや蓄積リングの入射部において、セプタムコイル３と
リターンコイル４に電流を流すことによって、コア１の
空隙部に磁場が発生し、真空ダクト２の中を走る荷電粒
子は電磁力によって曲げられ、リング側ダクト６に入射
される。リング入射部においては、真空ダクト２とリン
グ側ダクト６との間隔を小さくして効率をあげる必要が
あるため、セプタムコイル３を薄くしている。セプタム
コイル３とリターンコイル４に電流を流して磁場を発生
させると、セプタムコイル３とリターンコイル４がコア
１の外側に押し出される方向に電磁力が働くが、絶縁テ
ープ５により真空ダクト２に固定されているため押し出
されない。
【００１４】なお、セプタムコイル３及びリターンコイ
ル４を絶縁テープ５により真空ダクト２に固定したた
め、セプタムコイル３を固定するための押さえ金具が不
要となり、真空ダクト２とリング側ダクト６との間隔を
小さくすることができ、すなわちセプタム厚を薄くする
ことができる。また、セプタムコイル３とリターンコイ
ル４および真空ダクト２のみ一体化することにより、コ
ア１から着脱可能となり、コア１単体でアライメントで
き、その後、真空ダクト２を挿入することができるよう
になり、アライメント作業が容易になる。また、コイル
の絶縁などが放射線等により損傷を受け、交換が必要に
なった場合も、容易に交換できるなどの効果がある。
ル４を絶縁テープ５により真空ダクト２に固定したた
め、セプタムコイル３を固定するための押さえ金具が不
要となり、真空ダクト２とリング側ダクト６との間隔を
小さくすることができ、すなわちセプタム厚を薄くする
ことができる。また、セプタムコイル３とリターンコイ
ル４および真空ダクト２のみ一体化することにより、コ
ア１から着脱可能となり、コア１単体でアライメントで
き、その後、真空ダクト２を挿入することができるよう
になり、アライメント作業が容易になる。また、コイル
の絶縁などが放射線等により損傷を受け、交換が必要に
なった場合も、容易に交換できるなどの効果がある。
【００１５】実施の形態２．図３はこの発明の実施の形
態２によるセプタム電磁石を示す断面側面図である。上
記実施の形態１では、絶縁テープ５により真空ダクト２
にセプタムコイル３とリターンコイル４を固定する場合
について述べたが、本実施形態では、図３に示すよう
に、絶縁テープ５に常温硬化性ワニス７を塗布して巻き
付け、硬化させて一体化するようにしたものである。こ
れにより、電磁力による絶縁テープ５のゆるみを防止す
ることができる。また、常温硬化性ワニス７を塗布する
ことによって、絶縁テープ５自体の強度も向上すること
になり、コイル３，４に加わる電磁力がより大きなもの
についても耐えることができるようになる。
態２によるセプタム電磁石を示す断面側面図である。上
記実施の形態１では、絶縁テープ５により真空ダクト２
にセプタムコイル３とリターンコイル４を固定する場合
について述べたが、本実施形態では、図３に示すよう
に、絶縁テープ５に常温硬化性ワニス７を塗布して巻き
付け、硬化させて一体化するようにしたものである。こ
れにより、電磁力による絶縁テープ５のゆるみを防止す
ることができる。また、常温硬化性ワニス７を塗布する
ことによって、絶縁テープ５自体の強度も向上すること
になり、コイル３，４に加わる電磁力がより大きなもの
についても耐えることができるようになる。
【００１６】なお、絶縁テープ５は絶縁シートで構成し
ても良く、この場合、絶縁テープ５は放射線に強いガラ
ステープが好ましい。又、常温硬化性ワニス７を塗布し
ながら巻き付ける方法に対して、あらかじめ熱硬化性の
ワニスを塗布したテープを巻き付けた後に、熱硬化させ
る方法(プリプレグ法)を採っても良い。
ても良く、この場合、絶縁テープ５は放射線に強いガラ
ステープが好ましい。又、常温硬化性ワニス７を塗布し
ながら巻き付ける方法に対して、あらかじめ熱硬化性の
ワニスを塗布したテープを巻き付けた後に、熱硬化させ
る方法(プリプレグ法)を採っても良い。
【００１７】実施の形態３．図４はこの発明の実施の形
態３によるセプタム電磁石を示す断面側面図である。上
記実施の形態１，２では、絶縁テープ５により真空ダク
ト２にセプタムコイル３とリターンコイル４を固定する
場合について述べたが、本実施形態では、図４に示すよ
うに、固定スペーサ８により、真空ダクト２とセプタム
コイル３及びリターンコイル４を挟み込み、その上から
絶縁テープ５を巻き付けるようにしたものである。これ
により、図に示すように真空ダクト２の形状が例えば円
形であるため、セプタムコイル３およびリターンコイル
４と真空ダクト２との接触面積が小さい場合において
も、固定スペーサ８の形状を真空ダクト２とセプタムコ
イル３及びリターンコイル４の形状に合わせたものとす
ることができるので、従来のモールド方式と同様に、接
触面積を増加させることができ、安定して固定すること
ができる。
態３によるセプタム電磁石を示す断面側面図である。上
記実施の形態１，２では、絶縁テープ５により真空ダク
ト２にセプタムコイル３とリターンコイル４を固定する
場合について述べたが、本実施形態では、図４に示すよ
うに、固定スペーサ８により、真空ダクト２とセプタム
コイル３及びリターンコイル４を挟み込み、その上から
絶縁テープ５を巻き付けるようにしたものである。これ
により、図に示すように真空ダクト２の形状が例えば円
形であるため、セプタムコイル３およびリターンコイル
４と真空ダクト２との接触面積が小さい場合において
も、固定スペーサ８の形状を真空ダクト２とセプタムコ
イル３及びリターンコイル４の形状に合わせたものとす
ることができるので、従来のモールド方式と同様に、接
触面積を増加させることができ、安定して固定すること
ができる。
【００１８】実施の形態４．図５はこの発明の実施の形
態４によるセプタム電磁石を示す断面側面図、図６は正
面図である。上記実施の形態３では、固定スペーサ８に
よって、セプタムコイル３、リターンコイル４及び真空
ダクト２を挟み込んで、その上から絶縁テープ５によっ
て固定する場合について述べたが、本実施形態では、図
５、図６に示すように、固定スペーサ８で挟んで絶縁テ
ープ５で巻き付ける部分については、コア１との間に溝
部８ａを設け、この溝部８ａに絶縁テープ５を貼り付け
ることにより、コア１と絶縁テープ５とが直接接触しな
いようにし、絶縁テープ５を巻き付けない部分の固定ス
ペーサ８は、コア１と直接接触するようにしたものであ
る。
態４によるセプタム電磁石を示す断面側面図、図６は正
面図である。上記実施の形態３では、固定スペーサ８に
よって、セプタムコイル３、リターンコイル４及び真空
ダクト２を挟み込んで、その上から絶縁テープ５によっ
て固定する場合について述べたが、本実施形態では、図
５、図６に示すように、固定スペーサ８で挟んで絶縁テ
ープ５で巻き付ける部分については、コア１との間に溝
部８ａを設け、この溝部８ａに絶縁テープ５を貼り付け
ることにより、コア１と絶縁テープ５とが直接接触しな
いようにし、絶縁テープ５を巻き付けない部分の固定ス
ペーサ８は、コア１と直接接触するようにしたものであ
る。
【００１９】これにより、コア１の取り付け、取り外し
時に、絶縁テープ５を傷つけないようにすることができ
る。また、固定スペーサ８がコア１に当たる構造である
ため、セプタムコイル３、リターンコイル４及び真空ダ
クト２のコア１に対する上下方向の位置決めを容易に行
うことができる効果がある。
時に、絶縁テープ５を傷つけないようにすることができ
る。また、固定スペーサ８がコア１に当たる構造である
ため、セプタムコイル３、リターンコイル４及び真空ダ
クト２のコア１に対する上下方向の位置決めを容易に行
うことができる効果がある。
【００２０】実施の形態５．図７はこの発明の実施の形
態５によるセプタム電磁石を示す断面側面図、図８は正
面図である。上記実施の形態４では、荷電粒子が通過す
る方向に沿って、固定スペーサ８に溝部８ａを設ける部
分と、設けない部分を区別し、絶縁テープ５により固定
する部分と、そうでない部分を作る場合について述べた
が、本実施形態では、図７，図８に示すように、荷電粒
子が通過する方向に沿って、固定スペーサ８を軸方向に
分割し、各固定スペーサ８の間に空隙部８ｂをおいて配
置するようにしたものである。
態５によるセプタム電磁石を示す断面側面図、図８は正
面図である。上記実施の形態４では、荷電粒子が通過す
る方向に沿って、固定スペーサ８に溝部８ａを設ける部
分と、設けない部分を区別し、絶縁テープ５により固定
する部分と、そうでない部分を作る場合について述べた
が、本実施形態では、図７，図８に示すように、荷電粒
子が通過する方向に沿って、固定スペーサ８を軸方向に
分割し、各固定スペーサ８の間に空隙部８ｂをおいて配
置するようにしたものである。
【００２１】これにより、固定スペーサ８の構造が簡略
化でき、また、セプタムコイル３、リターンコイル４及
び真空ダクト２のそれぞれの荷電粒子の通過方向に対す
る製作誤差を、各固定スペーサ８の形状を変えることに
よって調整することができる効果がある。
化でき、また、セプタムコイル３、リターンコイル４及
び真空ダクト２のそれぞれの荷電粒子の通過方向に対す
る製作誤差を、各固定スペーサ８の形状を変えることに
よって調整することができる効果がある。
【００２２】
【発明の効果】この発明の請求項１に係るセプタム電磁
石によれば、空隙部を有する断面Ｃ型のコアと、空隙部
内に絶縁テープを巻回することにより一体化させた真空
ダクトとセプタムコイルとリターンコイルとを備えたの
で、セプタムコイルを固定するための押さえ金具が不要
となり、セプタム厚を薄く構成することができる。又、
コア単体でアライメントでき、その後、真空ダクトを挿
入することができるようになり、アライメント作業が容
易になると共に、コイル交換が必要になった場合も、容
易に交換することができる。
石によれば、空隙部を有する断面Ｃ型のコアと、空隙部
内に絶縁テープを巻回することにより一体化させた真空
ダクトとセプタムコイルとリターンコイルとを備えたの
で、セプタムコイルを固定するための押さえ金具が不要
となり、セプタム厚を薄く構成することができる。又、
コア単体でアライメントでき、その後、真空ダクトを挿
入することができるようになり、アライメント作業が容
易になると共に、コイル交換が必要になった場合も、容
易に交換することができる。
【００２３】この発明の請求項２に係るセプタム電磁石
によれば、空隙部を有する断面Ｃ型のコアと、空隙部内
に真空ダクトとセプタムコイルとリターンコイルとを挟
み込んで一体化させた固定スペーサとを備え、更にその
周囲に絶縁テープを巻回させたので、安定して固定させ
ることができる。
によれば、空隙部を有する断面Ｃ型のコアと、空隙部内
に真空ダクトとセプタムコイルとリターンコイルとを挟
み込んで一体化させた固定スペーサとを備え、更にその
周囲に絶縁テープを巻回させたので、安定して固定させ
ることができる。
【００２４】この発明の請求項３に係るセプタム電磁石
によれば、空隙部を有する断面Ｃ型のコアと、空隙部内
に真空ダクトとセプタムコイルとリターンコイルとを挟
み込んで一体化させた固定スペーサとを備え、固定スペ
ーサに溝部を設けると共にこの溝部に絶縁テープを貼り
付けたので、コアの取付け、取り外し時に絶縁テープを
傷つけないようにすることができる。
によれば、空隙部を有する断面Ｃ型のコアと、空隙部内
に真空ダクトとセプタムコイルとリターンコイルとを挟
み込んで一体化させた固定スペーサとを備え、固定スペ
ーサに溝部を設けると共にこの溝部に絶縁テープを貼り
付けたので、コアの取付け、取り外し時に絶縁テープを
傷つけないようにすることができる。
【００２５】この発明の請求項４に係るセプタム電磁石
によれば、荷電粒子が通過する方向に沿って固定スペー
サを分割して配置したので、固定スペーサの構造を簡略
化でき、また、セプタムコイル、リターンコイル及び真
空ダクトのそれぞれの荷電粒子の通過方向に対する製作
誤差を、各固定スペーサの形状を変えることによって容
易に調整することができる効果がある。
によれば、荷電粒子が通過する方向に沿って固定スペー
サを分割して配置したので、固定スペーサの構造を簡略
化でき、また、セプタムコイル、リターンコイル及び真
空ダクトのそれぞれの荷電粒子の通過方向に対する製作
誤差を、各固定スペーサの形状を変えることによって容
易に調整することができる効果がある。
【００２６】この発明の請求項５に係るセプタム電磁石
によれば、絶縁テープに硬化性ワニスを塗布したので、
電磁力による絶縁テープのゆるみを防止することができ
る。
によれば、絶縁テープに硬化性ワニスを塗布したので、
電磁力による絶縁テープのゆるみを防止することができ
る。
【図１】 この発明の実施の形態１によるセプタム電磁
石を示す平面図である。
石を示す平面図である。
【図２】 図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】 この発明の実施の形態２によるセプタム電磁
石を示す断面側面図である。
石を示す断面側面図である。
【図４】 この発明の実施の形態３によるセプタム電磁
石を示す断面側面図である。
石を示す断面側面図である。
【図５】 この発明の実施の形態４によるセプタム電磁
石を示す断面側面図である。
石を示す断面側面図である。
【図６】 この発明の実施の形態４によるセプタム電磁
石を示す正面図である。
石を示す正面図である。
【図７】 この発明の実施の形態５によるセプタム電磁
石を示す断面側面図である。
石を示す断面側面図である。
【図８】 この発明の実施の形態５によるセプタム電磁
石を示す正面図である。
石を示す正面図である。
【図９】 従来のセプタム電磁石を示す断面図である。
１ コア、２ 真空ダクト、３ セプタムコイル、４
リターンコイル、５絶縁テープ、７ 硬化性ワニス、８
固定スペーサ、８ａ 溝部。
リターンコイル、５絶縁テープ、７ 硬化性ワニス、８
固定スペーサ、８ａ 溝部。
Claims (5)
- 【請求項１】 空隙部を有する断面Ｃ型のコアと、上記
空隙部内に絶縁テープを巻回することにより一体化させ
た真空ダクトとセプタムコイルとリターンコイルとを備
えたことを特徴とするセプタム電磁石。 - 【請求項２】 空隙部を有する断面Ｃ型のコアと、上記
空隙部内に真空ダクトとセプタムコイルとリターンコイ
ルとを挟み込んで一体化させた固定スペーサとを備え、
更にその周囲に絶縁テープを巻回させたことを特徴とす
るセプタム電磁石。 - 【請求項３】 空隙部を有する断面Ｃ型のコアと、上記
空隙部内に真空ダクトとセプタムコイルとリターンコイ
ルとを挟み込んで一体化させた固定スペーサとを備え、
上記固定スペーサに溝部を設けると共にこの溝部に絶縁
テープを貼り付けたことを特徴とする請求項３記載のセ
プタム電磁石。 - 【請求項４】 荷電粒子が通過する方向に沿って固定ス
ペーサを分割して配置したことを特徴とするセプタム電
磁石。 - 【請求項５】 絶縁テープに硬化性ワニスを塗布したこ
とを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に
記載のセプタム電磁石。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06823399A JP3513417B2 (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | セプタム電磁石 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP06823399A JP3513417B2 (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | セプタム電磁石 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000269000A true JP2000269000A (ja) | 2000-09-29 |
| JP3513417B2 JP3513417B2 (ja) | 2004-03-31 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06823399A Expired - Fee Related JP3513417B2 (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | セプタム電磁石 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3513417B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5112571B1 (ja) * | 2012-02-13 | 2013-01-09 | 三菱電機株式会社 | セプタム電磁石および粒子線治療装置 |
| JP2014075294A (ja) * | 2012-10-05 | 2014-04-24 | Toshiba Corp | 荷電粒子偏向装置、荷電粒子照射装置、荷電粒子加速器、及び、荷電粒子偏向装置の製造方法 |
-
1999
- 1999-03-15 JP JP06823399A patent/JP3513417B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5112571B1 (ja) * | 2012-02-13 | 2013-01-09 | 三菱電機株式会社 | セプタム電磁石および粒子線治療装置 |
| JP2014075294A (ja) * | 2012-10-05 | 2014-04-24 | Toshiba Corp | 荷電粒子偏向装置、荷電粒子照射装置、荷電粒子加速器、及び、荷電粒子偏向装置の製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3513417B2 (ja) | 2004-03-31 |
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