JP2000268759A - 高電圧導入機構 - Google Patents
高電圧導入機構Info
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- JP2000268759A JP2000268759A JP11071730A JP7173099A JP2000268759A JP 2000268759 A JP2000268759 A JP 2000268759A JP 11071730 A JP11071730 A JP 11071730A JP 7173099 A JP7173099 A JP 7173099A JP 2000268759 A JP2000268759 A JP 2000268759A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 試料移動精度を向上させる。
【解決手段】 電源２８から低電圧を低電圧用ケーブル
２９を通じて高電圧出力型ＤＣ−ＤＣコンバータ２６に
入力する。コンバータは入力されてきた電圧を必要なレ
ベルまで昇圧し、該昇圧した高電圧をターゲット支持台
２４を介してターゲット２５へ印加する。ステージ駆動
機構によりステージ２２を移動させることによりターゲ
ットを移動する。ステージ上に載置されたターゲット支
持台２４に取り付けられた前記高電圧出力型ＤＣ−ＤＣ
コンバータ２６も同期して移動し、低電圧用ケーブル２
９も移動する。このケーブル２９は低電圧用なので、ケ
ーブルの構成要素の１つの円柱状絶縁部材層の径がより
高電圧用のケーブルに対して小さく、その為に、フレキ
シビリティ（柔軟性）が高い。
２９を通じて高電圧出力型ＤＣ−ＤＣコンバータ２６に
入力する。コンバータは入力されてきた電圧を必要なレ
ベルまで昇圧し、該昇圧した高電圧をターゲット支持台
２４を介してターゲット２５へ印加する。ステージ駆動
機構によりステージ２２を移動させることによりターゲ
ットを移動する。ステージ上に載置されたターゲット支
持台２４に取り付けられた前記高電圧出力型ＤＣ−ＤＣ
コンバータ２６も同期して移動し、低電圧用ケーブル２
９も移動する。このケーブル２９は低電圧用なので、ケ
ーブルの構成要素の１つの円柱状絶縁部材層の径がより
高電圧用のケーブルに対して小さく、その為に、フレキ
シビリティ（柔軟性）が高い。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、ターゲットに高電圧を
印加するように成した高電圧導入機構に関する。
印加するように成した高電圧導入機構に関する。
【０００２】
【従来の技術】ターゲットに高電圧を印加する場合が多
々ある。例えば、荷電粒子ビーム装置では、試料や材料
の如きターゲット上を荷電粒子ビームで走査し、所定の
加工を行ったり、この走査によりターゲットから得られ
た二次電子や二次イオンに基づいてターゲットの表面観
察や分析等を行っている。この様な荷電粒子ビーム装置
において、高い加速電圧に基づいて加速された荷電粒子
ビームをターゲットに照射した場合、ターゲットがエッ
チング等のダメージを受ける場合がある。その様に場合
に、荷電粒子ビームの加速電圧を低くし、ターゲットに
照射される荷電粒子ビームのエネルギーを低くすると、
ターゲットのダメージ等は回避されるが、集束レンズで
ビームを細く集束することが出来なくなり、ターゲット
上の微細な箇所へ高精度にビーム照射を行うことが出来
なくなる。その為、最終段集束レンズとターゲットの間
に減速の電界を印加するように成して、集束レンズには
高いエネルギーの状態でビームを入射させ、ターゲット
には減速したビームを照射することによって、ビームを
細く集束すると共に、該ターゲットのダメージを防止す
る対策が取られている。
々ある。例えば、荷電粒子ビーム装置では、試料や材料
の如きターゲット上を荷電粒子ビームで走査し、所定の
加工を行ったり、この走査によりターゲットから得られ
た二次電子や二次イオンに基づいてターゲットの表面観
察や分析等を行っている。この様な荷電粒子ビーム装置
において、高い加速電圧に基づいて加速された荷電粒子
ビームをターゲットに照射した場合、ターゲットがエッ
チング等のダメージを受ける場合がある。その様に場合
に、荷電粒子ビームの加速電圧を低くし、ターゲットに
照射される荷電粒子ビームのエネルギーを低くすると、
ターゲットのダメージ等は回避されるが、集束レンズで
ビームを細く集束することが出来なくなり、ターゲット
上の微細な箇所へ高精度にビーム照射を行うことが出来
なくなる。その為、最終段集束レンズとターゲットの間
に減速の電界を印加するように成して、集束レンズには
高いエネルギーの状態でビームを入射させ、ターゲット
には減速したビームを照射することによって、ビームを
細く集束すると共に、該ターゲットのダメージを防止す
る対策が取られている。
【０００３】図１はこの様な対策の施されたイオンビー
ム装置の概略を示している。図中１はイオンエミッタ、
２は引き出し電極、３は接地電位の加速電極で、エミッ
タ１には加速電圧源４から加速電圧が印加され、引き出
し電極２には引き出し電圧源（図示せず）から引き出し
電圧が印加されている。５は対物レンズで、アインツェ
ル型の静電レンズであって、接地電位の外側電極６と、
レンズ電源７からレンズ電圧が印加される中心電極８か
ら成っている。９は偏向電極、１０はターゲットであ
る。このターゲット１０には減速電場電源１１から減速
電圧が印加されている。
ム装置の概略を示している。図中１はイオンエミッタ、
２は引き出し電極、３は接地電位の加速電極で、エミッ
タ１には加速電圧源４から加速電圧が印加され、引き出
し電極２には引き出し電圧源（図示せず）から引き出し
電圧が印加されている。５は対物レンズで、アインツェ
ル型の静電レンズであって、接地電位の外側電極６と、
レンズ電源７からレンズ電圧が印加される中心電極８か
ら成っている。９は偏向電極、１０はターゲットであ
る。このターゲット１０には減速電場電源１１から減速
電圧が印加されている。
【０００４】この様な構成のイオンビーム装置におい
て、特定物質のイオンがエミッタ１から引き出し電極２
によって引き出され、該イオンは加速電極３によって加
速される。例えば、該エミッタには電源４から＋３０Ｋ
Ｖの加速電圧が印加されている。該加速されたイオンビ
ームは、電源７から中心電極８に＋１５ＫＶの電圧が印
加されている対物レンズ５に高いエネルギー状態で入射
するので、該対物レンズによってターゲット１０上に細
く集束される。この際、ターゲット１０には、電源１１
から、例えば、＋２７ＫＶの減速電圧が印加されている
ので、対物レンズ５の外側電極６と該ターゲット１０と
の間にはイオンビームの減速電場が形成され、その為
に、イオンビームはエネルギーが低い状態でターゲット
１０に照射されることになる。即ち、ターゲット１０に
照射されるイオンビームの加速電圧は、実質的に３ＫＶ
となる。この様なイオンビームは偏向電圧が印加されて
いる偏向電極９によりターゲット上の所定の領域を走査
する。この走査によりターゲットから発生した、例え
ば、二次電子が検出器（図示せず）に検出され、該検出
信号に基づいた二次電子像がＣＲＴ（図示せず）に表示
される。
て、特定物質のイオンがエミッタ１から引き出し電極２
によって引き出され、該イオンは加速電極３によって加
速される。例えば、該エミッタには電源４から＋３０Ｋ
Ｖの加速電圧が印加されている。該加速されたイオンビ
ームは、電源７から中心電極８に＋１５ＫＶの電圧が印
加されている対物レンズ５に高いエネルギー状態で入射
するので、該対物レンズによってターゲット１０上に細
く集束される。この際、ターゲット１０には、電源１１
から、例えば、＋２７ＫＶの減速電圧が印加されている
ので、対物レンズ５の外側電極６と該ターゲット１０と
の間にはイオンビームの減速電場が形成され、その為
に、イオンビームはエネルギーが低い状態でターゲット
１０に照射されることになる。即ち、ターゲット１０に
照射されるイオンビームの加速電圧は、実質的に３ＫＶ
となる。この様なイオンビームは偏向電圧が印加されて
いる偏向電極９によりターゲット上の所定の領域を走査
する。この走査によりターゲットから発生した、例え
ば、二次電子が検出器（図示せず）に検出され、該検出
信号に基づいた二次電子像がＣＲＴ（図示せず）に表示
される。
【０００５】
【発明が解決使用とする課題】さて、前記荷電粒子ビー
ム装置の本体は、ターゲット１０が配置されたターゲッ
ト室の上に、前記エミッタ１，引き出し電極２，加速電
極３，対物レンズ５の如き荷電粒子光学系が備えられた
鏡筒が載った構造を成しており、前記例では特に説明し
なかったが、通常、ターゲット室には、例えば、荷電粒
子ビーム軸に垂直な二次元方向（Ｘ，Ｙ方向）に移動可
能なステージが備えられており、該ステージ上にターゲ
ット１０が載置されている。
ム装置の本体は、ターゲット１０が配置されたターゲッ
ト室の上に、前記エミッタ１，引き出し電極２，加速電
極３，対物レンズ５の如き荷電粒子光学系が備えられた
鏡筒が載った構造を成しており、前記例では特に説明し
なかったが、通常、ターゲット室には、例えば、荷電粒
子ビーム軸に垂直な二次元方向（Ｘ，Ｙ方向）に移動可
能なステージが備えられており、該ステージ上にターゲ
ット１０が載置されている。
【０００６】一方、ターゲット１０へ減速電圧を印加す
る為の前記減速電場電源１１は、荷電粒子ビーム装置本
体外に設置されており、該電源からの高電圧を、高圧ケ
ーブルを介して、ターゲット１０とステージの間に設け
られた導電性のターゲット支持台に印加することによ
り、ターゲット１０に減速電圧が印加されるように成し
ている。
る為の前記減速電場電源１１は、荷電粒子ビーム装置本
体外に設置されており、該電源からの高電圧を、高圧ケ
ーブルを介して、ターゲット１０とステージの間に設け
られた導電性のターゲット支持台に印加することによ
り、ターゲット１０に減速電圧が印加されるように成し
ている。
【０００７】所で、ターゲット１０は視野移動等の為に
移動させられる。例えば、ターゲットがウエハで、電子
ビーム照射に基づいて該ウエハの上にパターンを描く荷
電粒子ビーム装置の場合や、該ウエハの上に描かれたパ
ターン等を電子ビーム照射或いはイオンビーム照射に基
づいて検査する荷電粒子ビーム装置であって、ウエハが
大型（例えば、３００ｍｍ）の場合、ステージを二次元
方向にそれぞれ３００ｍｍ移動させる必要が出てくる。
この様な場合、次の様な問題が発生する。
移動させられる。例えば、ターゲットがウエハで、電子
ビーム照射に基づいて該ウエハの上にパターンを描く荷
電粒子ビーム装置の場合や、該ウエハの上に描かれたパ
ターン等を電子ビーム照射或いはイオンビーム照射に基
づいて検査する荷電粒子ビーム装置であって、ウエハが
大型（例えば、３００ｍｍ）の場合、ステージを二次元
方向にそれぞれ３００ｍｍ移動させる必要が出てくる。
この様な場合、次の様な問題が発生する。
【０００８】前記高圧ケーブルは、円柱状の絶縁部材
（例えば、テフロン）層の中心に芯線が埋め込まれてお
り、円柱状の絶縁部材（例えば、テフロン）層の周囲を
編み線で囲い、該網線の周囲を丈夫な布等で覆った構造
のもので、伝送する電圧が大きい程、縁面放電防止を考
慮して前記絶縁層の径が大きくなっており、それに応じ
てフレキシビリテイーが低くなっている。その為に、ス
テージの移動の度に、この様な高圧ケーブルに応力が掛
かると、短期間に、ケーブルが破損してしまう。
（例えば、テフロン）層の中心に芯線が埋め込まれてお
り、円柱状の絶縁部材（例えば、テフロン）層の周囲を
編み線で囲い、該網線の周囲を丈夫な布等で覆った構造
のもので、伝送する電圧が大きい程、縁面放電防止を考
慮して前記絶縁層の径が大きくなっており、それに応じ
てフレキシビリテイーが低くなっている。その為に、ス
テージの移動の度に、この様な高圧ケーブルに応力が掛
かると、短期間に、ケーブルが破損してしまう。
【０００９】又、高圧ケーブルのフレキシビリテイーの
低さから、ステージ移動そのものがスムースに行かず、
結果的にターゲット移動精度が悪化する。
低さから、ステージ移動そのものがスムースに行かず、
結果的にターゲット移動精度が悪化する。
【００１０】本発明はこの様な問題を解決する新規な高
電圧導入機構を提供することを目的としたものである。
電圧導入機構を提供することを目的としたものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】 本発明に基づく高電圧
導入機構は、チャンバー内のターゲットに高電圧を印加
する高電圧導入機構であって、ターゲット支持台に昇圧
手段を取り付け、前記チャンバー外に設けられた電圧源
からの電圧をケーブルを介して前記昇圧手段に入力する
ように成したことを特徴とする。
導入機構は、チャンバー内のターゲットに高電圧を印加
する高電圧導入機構であって、ターゲット支持台に昇圧
手段を取り付け、前記チャンバー外に設けられた電圧源
からの電圧をケーブルを介して前記昇圧手段に入力する
ように成したことを特徴とする。
【００１２】本発明に基づく高電圧導入機構は、ターゲ
ット支持台が移動台上に載置されたことを特徴とする。
本発明に基づく高電圧導入機構は、チャンバー内のター
ゲットに高電圧を印加する高電圧導入機構であって、電
池からの電圧を昇圧手段で昇圧し、該昇圧した電圧をタ
ーゲットに印加するように成したことを特徴とする。本
発明に基づく高電圧導入機構は、チャンバー内に電池と
昇圧手段を設けたことを特徴とする。本発明に基づく高
電圧導入機構は、ターゲット支持台に電池と昇圧手段を
取り付け、前記電池からの電圧を昇圧手段で昇圧するよ
うに成したことを特徴とする。本発明に基づく高電圧導
入機構は、昇圧手段が、高電圧出力型ＤＣ−ＤＣコンバ
ータであること特徴とする。本発明に基づく高電圧導入
機構は、電池のオン，オフを光波若しくは音波若しくは
電波に基づいて行うように成したことを特徴とする。
ット支持台が移動台上に載置されたことを特徴とする。
本発明に基づく高電圧導入機構は、チャンバー内のター
ゲットに高電圧を印加する高電圧導入機構であって、電
池からの電圧を昇圧手段で昇圧し、該昇圧した電圧をタ
ーゲットに印加するように成したことを特徴とする。本
発明に基づく高電圧導入機構は、チャンバー内に電池と
昇圧手段を設けたことを特徴とする。本発明に基づく高
電圧導入機構は、ターゲット支持台に電池と昇圧手段を
取り付け、前記電池からの電圧を昇圧手段で昇圧するよ
うに成したことを特徴とする。本発明に基づく高電圧導
入機構は、昇圧手段が、高電圧出力型ＤＣ−ＤＣコンバ
ータであること特徴とする。本発明に基づく高電圧導入
機構は、電池のオン，オフを光波若しくは音波若しくは
電波に基づいて行うように成したことを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
施の形態を詳細に説明する。
【００１４】図２は本発明に基づく高圧導入機構を備え
た荷電粒子ビーム装置のターゲット室の一例を示してい
る。尚、実際には、このターゲット室２０の上蓋部の中
心部には孔２１が開けられており、この上蓋上に荷電粒
子光学系鏡筒が載せられている。
た荷電粒子ビーム装置のターゲット室の一例を示してい
る。尚、実際には、このターゲット室２０の上蓋部の中
心部には孔２１が開けられており、この上蓋上に荷電粒
子光学系鏡筒が載せられている。
【００１５】図２中、２２は室外に設けられたステージ
駆動機構（図示せず）によりＸ，Ｙ方向に移動可能なス
テージで、該ステージ上には絶縁部材２３を介して導電
性材料で形成されたターゲット支持台２４が載せられて
いる。２５は該ターゲット支持台上に載せられたウエハ
の如きターゲットである。前記ターゲット支持台２４上
には、入力されてきた電圧を昇圧して出力する高電圧出
力型ＤＣ−ＤＣコンバータ２６が設けられている。前記
ターゲット室２０の側壁には孔が開けられており、その
孔に縁面放電対策などを考慮して作成された電圧導入端
子２７がはめ込まれている。尚、電圧導入端子２７と孔
の間からガスの出入りがないように、電圧導入端子２７
と孔の間は、例えば、ロー付けされている。該電圧導入
端子２７の中心孔部には、電源２８からの電圧を前記高
電圧出力型ＤＣ−ＤＣコンバータ２６に入力するための
低電圧用ケーブル２９がはめ込まれている。尚、該ケー
ブルと孔の間からガスの出入りがないように、ケーブル
と孔の間は、例えば、ロー付けされている。その際、タ
ーゲット室内においてケーブル自体が移動出来るよう
に、ターゲット室内で余裕を有するようにケーブル２９
が電圧導入端子２７に取り付けられている。
駆動機構（図示せず）によりＸ，Ｙ方向に移動可能なス
テージで、該ステージ上には絶縁部材２３を介して導電
性材料で形成されたターゲット支持台２４が載せられて
いる。２５は該ターゲット支持台上に載せられたウエハ
の如きターゲットである。前記ターゲット支持台２４上
には、入力されてきた電圧を昇圧して出力する高電圧出
力型ＤＣ−ＤＣコンバータ２６が設けられている。前記
ターゲット室２０の側壁には孔が開けられており、その
孔に縁面放電対策などを考慮して作成された電圧導入端
子２７がはめ込まれている。尚、電圧導入端子２７と孔
の間からガスの出入りがないように、電圧導入端子２７
と孔の間は、例えば、ロー付けされている。該電圧導入
端子２７の中心孔部には、電源２８からの電圧を前記高
電圧出力型ＤＣ−ＤＣコンバータ２６に入力するための
低電圧用ケーブル２９がはめ込まれている。尚、該ケー
ブルと孔の間からガスの出入りがないように、ケーブル
と孔の間は、例えば、ロー付けされている。その際、タ
ーゲット室内においてケーブル自体が移動出来るよう
に、ターゲット室内で余裕を有するようにケーブル２９
が電圧導入端子２７に取り付けられている。
【００１６】尚、前記ターゲット室１には排気口（図示
せず）が設けられており、該排気口を通じてターゲット
室外に設けられた排気装置（図示せず）によりターゲッ
ト室２０内が真空排気されるように成してある。
せず）が設けられており、該排気口を通じてターゲット
室外に設けられた排気装置（図示せず）によりターゲッ
ト室２０内が真空排気されるように成してある。
【００１７】この様な構成の装置において、電源２８か
ら低電圧を低電圧用ケーブル２９を通じて高電圧出力型
ＤＣ−ＤＣコンバータ２６に入力する。該コンバータは
入力されてきた電圧を必要なレベルまで昇圧し、該昇圧
した高電圧をターゲット支持台２４を介してターゲット
２５へ印加する。
ら低電圧を低電圧用ケーブル２９を通じて高電圧出力型
ＤＣ−ＤＣコンバータ２６に入力する。該コンバータは
入力されてきた電圧を必要なレベルまで昇圧し、該昇圧
した高電圧をターゲット支持台２４を介してターゲット
２５へ印加する。
【００１８】さて、ターゲットを移動する必要が発生し
た場合、ステージ駆動機構（図示せず）によりステージ
２２を移動させることによりターゲットを移動する。こ
の移動により、該ステージ上に載置されたターゲット支
持台２４に取り付けられた前記高電圧出力型ＤＣ−ＤＣ
コンバータ２６も同期して移動し、低電圧用ケーブル２
９も移動する。このケーブル２９は低電圧用なので、該
ケーブルの構成要素の１つの円柱状絶縁部材層の径が、
高電圧用のケーブルに対して小さく、その為に、フレキ
シビリティ（柔軟性）が高い。従って、ステージ２２の
移動により高電圧出力型ＤＣ−ＤＣコンバータ２６が同
期して移動しても、ケーブル２９はスムーズに動き、
又、その為に、ターゲット支持台２４に負荷が掛からな
い。この結果、ケーブル２９が破損する事が無くなり、
又、ターゲットの移動精度も低下しない。又、低電圧用
のケーブルになったので、ケーブルと該ケーブル周囲の
部材との間の放電の心配もなくなった。又、従来に比
べ、装置全体のスペースも小さく済む。又、ターゲット
に印加出来る電圧の範囲も広くなった。
た場合、ステージ駆動機構（図示せず）によりステージ
２２を移動させることによりターゲットを移動する。こ
の移動により、該ステージ上に載置されたターゲット支
持台２４に取り付けられた前記高電圧出力型ＤＣ−ＤＣ
コンバータ２６も同期して移動し、低電圧用ケーブル２
９も移動する。このケーブル２９は低電圧用なので、該
ケーブルの構成要素の１つの円柱状絶縁部材層の径が、
高電圧用のケーブルに対して小さく、その為に、フレキ
シビリティ（柔軟性）が高い。従って、ステージ２２の
移動により高電圧出力型ＤＣ−ＤＣコンバータ２６が同
期して移動しても、ケーブル２９はスムーズに動き、
又、その為に、ターゲット支持台２４に負荷が掛からな
い。この結果、ケーブル２９が破損する事が無くなり、
又、ターゲットの移動精度も低下しない。又、低電圧用
のケーブルになったので、ケーブルと該ケーブル周囲の
部材との間の放電の心配もなくなった。又、従来に比
べ、装置全体のスペースも小さく済む。又、ターゲット
に印加出来る電圧の範囲も広くなった。
【００１９】図３は本発明に基づく高圧導入機構を備え
た荷電粒子ビーム装置のターゲット室の他の例を示して
いる。図中前記第２図と同一番号の付されたものは同一
構成要素を示す。
た荷電粒子ビーム装置のターゲット室の他の例を示して
いる。図中前記第２図と同一番号の付されたものは同一
構成要素を示す。
【００２０】図３の例では、電圧導入端子２７，電源２
８及びケーブル２９を設けずに、電池を設ける。図中３
０は内部に電池３１を備えた電池容器で、ターゲット室
２０内との間でガスの出入りがないように、ターゲット
室内に対して密封されている。該電池容器には電池３１
の出力リードを容器外に出すための穴が設けられてお
り、当然のことながら、この穴と出力リードの間からガ
スの出入りがないように両者間は、例えば、ロー付けさ
れている。この出力リード３２は高電圧出力型ＤＣ−Ｄ
Ｃコンバータ２６の入力端子と繋がっている。又、該電
池容器には電池３１のオン，オフ信号を送るためのオン
オフリード（図示せず）を容器外に出すための穴が設け
られており、当然のことながら、この穴と出力リードの
間からガスの出入りがないように両者間は、例えば、ロ
ー付けされている。このオンオフリード（図示せず）は
該容器の外壁に取り付けられたホトトランジスタ３３に
繋がっている。該ホトトランジスタの対向するターゲッ
ト室２０の壁には発光ダイオード３４が取り付けられて
いる。尚、特に図示していないが、発光ダイオード３４
のオン，オフを制御する制御装置がターゲット室２０外
に設けられている。
８及びケーブル２９を設けずに、電池を設ける。図中３
０は内部に電池３１を備えた電池容器で、ターゲット室
２０内との間でガスの出入りがないように、ターゲット
室内に対して密封されている。該電池容器には電池３１
の出力リードを容器外に出すための穴が設けられてお
り、当然のことながら、この穴と出力リードの間からガ
スの出入りがないように両者間は、例えば、ロー付けさ
れている。この出力リード３２は高電圧出力型ＤＣ−Ｄ
Ｃコンバータ２６の入力端子と繋がっている。又、該電
池容器には電池３１のオン，オフ信号を送るためのオン
オフリード（図示せず）を容器外に出すための穴が設け
られており、当然のことながら、この穴と出力リードの
間からガスの出入りがないように両者間は、例えば、ロ
ー付けされている。このオンオフリード（図示せず）は
該容器の外壁に取り付けられたホトトランジスタ３３に
繋がっている。該ホトトランジスタの対向するターゲッ
ト室２０の壁には発光ダイオード３４が取り付けられて
いる。尚、特に図示していないが、発光ダイオード３４
のオン，オフを制御する制御装置がターゲット室２０外
に設けられている。
【００２１】この様な構成の装置において、制御装置
（図示せず）からの指令により発光ダイオード３４がオ
ンして発光すると、その光を受けたホトトランジスタ３
３がオンの状態となり、それにより電池３１がオンす
る。該電池３１からの低電圧が出力リード３２を通じて
高電圧出力型ＤＣ−ＤＣコンバータ２６に入力される。
該コンバータは入力されてきた電圧を必要なレベルまで
昇圧し、該昇圧した高電圧をターゲット支持台２４を介
してターゲット２５へ印加する。
（図示せず）からの指令により発光ダイオード３４がオ
ンして発光すると、その光を受けたホトトランジスタ３
３がオンの状態となり、それにより電池３１がオンす
る。該電池３１からの低電圧が出力リード３２を通じて
高電圧出力型ＤＣ−ＤＣコンバータ２６に入力される。
該コンバータは入力されてきた電圧を必要なレベルまで
昇圧し、該昇圧した高電圧をターゲット支持台２４を介
してターゲット２５へ印加する。
【００２２】さて、ターゲットを移動する必要が発生し
た場合、ステージ駆動機構（図示せず）によりステージ
２２を移動させることによりターゲットを移動する。こ
の移動により、該ステージ上に載置されたターゲット支
持台２４に取り付けられた前記高電圧出力型ＤＣ−ＤＣ
コンバータ２６も同期して移動する。この時、ターゲッ
トに電圧を印加するために高電圧ケーブルが使用されて
いないので、ターゲット支持台２４には負荷が全く掛か
らない。この結果、ケーブルが破損するとか、ターゲッ
トの移動精度が低下するというように問題は全く発生し
ない。又、装置全体のスペースも前記図２のものより更
に小さくなった。尚、前記図３に示した例では、電池を
光信号に基づいてオン，オフさせるように成したが、超
音波信号若しくは電波信号に基づいてオン，オフさせる
ように成しても良い。
た場合、ステージ駆動機構（図示せず）によりステージ
２２を移動させることによりターゲットを移動する。こ
の移動により、該ステージ上に載置されたターゲット支
持台２４に取り付けられた前記高電圧出力型ＤＣ−ＤＣ
コンバータ２６も同期して移動する。この時、ターゲッ
トに電圧を印加するために高電圧ケーブルが使用されて
いないので、ターゲット支持台２４には負荷が全く掛か
らない。この結果、ケーブルが破損するとか、ターゲッ
トの移動精度が低下するというように問題は全く発生し
ない。又、装置全体のスペースも前記図２のものより更
に小さくなった。尚、前記図３に示した例では、電池を
光信号に基づいてオン，オフさせるように成したが、超
音波信号若しくは電波信号に基づいてオン，オフさせる
ように成しても良い。
【００２３】尚、前記説明では、荷電粒子ビーム装置に
おいて試料に高電圧の減速電圧を印加する場合を例に上
げたが、ターゲット室内において、ウエハ等のターゲッ
トを載置台上に静電チャックにより保持させる場合、例
えば、絶縁材料製の載置台中に設けられた電極に高電圧
を印加するが、この様な高電圧導入系にも、本発明の高
電圧導入機構を応用することが出来ることは言うまでも
ない。
おいて試料に高電圧の減速電圧を印加する場合を例に上
げたが、ターゲット室内において、ウエハ等のターゲッ
トを載置台上に静電チャックにより保持させる場合、例
えば、絶縁材料製の載置台中に設けられた電極に高電圧
を印加するが、この様な高電圧導入系にも、本発明の高
電圧導入機構を応用することが出来ることは言うまでも
ない。
【図１】 荷電粒子ビーム装置の一例を示している。
【図２】 本発明に基づく高圧導入機構を備えた荷電粒
子ビーム装置のターゲット室の一例を示している。
子ビーム装置のターゲット室の一例を示している。
【図３】 本発明に基づく高圧導入機構を備えた荷電粒
子ビーム装置のターゲット室の他の例を示している。
子ビーム装置のターゲット室の他の例を示している。
２０…ターゲット室 ２１…孔 ２２…ステージ ２３…絶縁部材 ２４…ターゲット支持台 ２５…ターゲット ２６…高電圧出力型ＤＣ−ＤＣコンバータ ２７…電圧導入端子 ２８…電源 ２９…ケーブル ３０…電池容器 ３１…電池 ３２…出力リード ３３…ホトトランジスタ ３４…発光ダイオード
Claims (7)
- 【請求項１】 チャンバー内のターゲットに高電圧を印
加する高電圧導入機構であって、ターゲット支持台に昇
圧手段を取り付け、前記チャンバー外に設けられた電圧
源からの電圧をケーブルを介して前記昇圧手段に入力す
るように成したことを特徴とする高電圧導入機構。 - 【請求項２】 前記ターゲット支持台が移動台上に載置
されたことを特徴とする請求項１記載の高電圧導入機
構。 - 【請求項３】 チャンバー内のターゲットに高電圧を印
加する高電圧導入機構であって、電池からの電圧を昇圧
手段で昇圧し、該昇圧した電圧をターゲットに印加する
ように成したことを特徴とする高電圧導入機構。 - 【請求項４】 チャンバー内に電池と昇圧手段を設けた
ことを特徴とする請求項３記載の高電圧導入機構。 - 【請求項５】 ターゲット支持台に電池と昇圧手段を取
り付け、前記電池からの電圧を昇圧手段で昇圧するよう
に成したことを特徴とする請求項３記載の高電圧導入機
構。 - 【請求項６】 前記昇圧手段は、高電圧出力型ＤＣ−Ｄ
Ｃコンバータであること特徴とする請求項１，３，４及
び５記載の高電圧導入機構。 - 【請求項７】 前記電池のオン，オフを光波若しくは音
波若しくは電波に基づいて行うように成したことを特徴
とする請求項３，４，５及び６記載の高電圧導入機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11071730A JP2000268759A (ja) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | 高電圧導入機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11071730A JP2000268759A (ja) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | 高電圧導入機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000268759A true JP2000268759A (ja) | 2000-09-29 |
Family
ID=13468943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11071730A Withdrawn JP2000268759A (ja) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | 高電圧導入機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000268759A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006185661A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
| JP2010165699A (ja) * | 2010-05-07 | 2010-07-29 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置、及び加工用の試料台 |
| JP2013025911A (ja) * | 2011-07-19 | 2013-02-04 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子顕微鏡 |
-
1999
- 1999-03-17 JP JP11071730A patent/JP2000268759A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006185661A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
| JP4537194B2 (ja) * | 2004-12-27 | 2010-09-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
| JP2010165699A (ja) * | 2010-05-07 | 2010-07-29 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置、及び加工用の試料台 |
| JP2013025911A (ja) * | 2011-07-19 | 2013-02-04 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子顕微鏡 |
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| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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