JP2000264687A - セメントキルン排ガスの処理方法及びその装置 - Google Patents

セメントキルン排ガスの処理方法及びその装置

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JP2000264687A
JP2000264687A JP11076507A JP7650799A JP2000264687A JP 2000264687 A JP2000264687 A JP 2000264687A JP 11076507 A JP11076507 A JP 11076507A JP 7650799 A JP7650799 A JP 7650799A JP 2000264687 A JP2000264687 A JP 2000264687A
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exhaust gas
bypass
cement
kiln
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Hirobumi Tsutsumi
博文 堤
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Kobe Steel Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 セメントキルン排ガスから抽出するバイパス
ガスの抽出量に制約されずバイパスガス中のバイパスダ
ストを有効に再利用することができ、且つコーティング
トラブルを解消して安定した操業を実現する。 【解決手段】 セメント原料予熱装置SPに連続するセメ
ントキルン11内で発生する排ガスを抽出してセメントキ
ルン排ガス中の揮発性不純物濃度を低下させるセメント
キルン排ガスの処理装置ETにおいて、抽出した排ガスか
らバイパスダストを捕集するサイクロン14と、サイクロ
ン14で捕集されたバイパスダストを不純物揮発温度以上
に加熱する加熱炉18と、加熱炉18によって不純物が取り
除かれたバイパスダストをセメント焼成設備1に戻す還
流路24とを備えてなることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セメント製造プラ
ントにおけるセメントキルンから排出されるセメントキ
ルン排ガスの処理方法及びその装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、セメントの焼成には図６に示すよ
うに、一般的にロータリーキルン６０が使用されている
が、セメント原料にはアルカリ、塩素、硫黄の化合物等
の揮発性不純物が多量に含まれているため、セメント製
造の際に発生するセメントキルン排ガス中にはこれらの
不純物が気化した状態で存在している。セメントキルン
排ガスは排ガス誘引通風機６１の誘引によって、多段サ
イクロン６２ａ〜６２ｄから構成されるセメント原料予
熱装置（以下、サスペンションプレヒータＳＰと呼ぶ）
に向けて流れる。
【０００３】このサスペンションプレヒータＳＰはエネ
ルギー消費量を抑制するためのものであるが、その内部
温度は、ロータリキルン６０内の温度よりも低いため、
揮発した不純物はサスペンションプレヒータＳＰ内で液
化または固化しその壁面等に付着して、コーティングを
発生させる。このようなコーティングは通路を閉塞する
というトラブルを起こし、場合によっては操業停止を招
く恐れもある。
【０００４】このような問題を防ぐために、ロータリキ
ルン６０で発生するセメントキルン排ガスの一部（以
下、バイパスガスと呼ぶ）をサスペンションプレヒータ
ＳＰに通さずにバイパス通路６３から抽出し、サイクロ
ン６４ａ，集塵機６４ｂ等から構成される排ガス処理装
置６４に通して処理し、排ガス中の不純物濃度を低下さ
せることが行われている。なお、図中、６５は急冷送風
機６５ａを備えたバイパスガス冷却装置であり、６６は
クリンカクーラである。
【０００５】この排ガス処理方法は、セメントキルン排
ガスの一部を焼成設備系外に持ち出し、処理した後に大
気に放出するものであるため、排ガス処理装置によって
処理されるバイパスガス中に含まれるバイパスダスト等
の処分用地が必要となる。さらに、そのバイパスガスに
よって持ち去られる熱量の損失も大きい。そこで、抽出
したバイパスガスを再利用する方法が検討され、例えば
特公平3-72027号公報に記載の排ガス処理方法や、特公
平4-32792号公報に記載の焼成方法が提案されている。
【０００６】前者の処理方法は、セメントキルン排ガス
の一部を抽出したバイパスガスに冷空気を混合してバイ
パスガス温度を不純物の融点以下（600〜700℃）に低下
させ、分級器に導いてバイパスガス中の粗粒ダストを分
級してロータリキルンに戻すことにより、従来廃棄され
ていたバイパスダストの再利用を可能にするとともに、
焼成設備系外に持ち去られる熱量の損失を少なくすると
いうものである。
【０００７】一方、後者の処理方法は、セメントキルン
排ガスの一部を抽出したバイパスガスの温度を不純物の
融点以下に低下させてバイパスガスを霧状とし、不純物
がバイパスダストに付着した状態でダスト加熱炉に導入
し、ダスト加熱炉にて再加熱を行うことによりバイパス
ダストから不純物を揮発分離させ、さらに不純物の除去
されたバイパスダストをダスト分離器にて分級し、粗粒
ダストを再びロータリーキルンに還流させるというもの
である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た前者の処理方法では、セメントキルン排ガスの一部、
具体的には総セメントキルン排ガス中の１０％程度を抽
出し、排ガス処理してロータリキルンに還流させるもの
であり、セメント原料に不純物が多く含まれている場合
にバイパスガス抽出量を増やそうとすると、分級能力を
越えた量のバイパスガス及びバイパスダストが分級器に
導入され、分級器によって回収されたバイパスダスト中
に不純物が多量に残存することになる。そのようなバイ
パスダストをロータリーキルンに還流させると、ロータ
リーキルン内で不純物が気化してしまうため、コーティ
ングのトラブルを解消することができないという問題が
ある。
【０００９】また、後者の処理方法では、抽出したバイ
パスガスを霧状とした上で流動層式または噴流式のダス
ト加熱炉に導入して再加熱することによりバイパスダス
トから揮発成分を取り除くものであるため、ダスト加熱
炉手前のバイパスガス導入部に不純物の揮発温度に近い
温度領域が形成され、バイパスガス中のバイパスダスト
に付着している不純物がバイパスガス導入部で揮発して
しまい、バイパスダストを付着させる可能性がある。
【００１０】本発明は以上のような従来の排ガス処理方
法における課題を考慮してなされたものであり、セメン
トキルン排ガスから抽出するバイパスガスの抽出量に制
約されずバイパスガス中のバイパスダストを有効に再利
用することができ、且つ焼成設備系でのコーティングに
よるトラブルを解消して安定した操業を実現することの
できるセメントキルン排ガスの処理方法及びその装置を
提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１の本発明は、セ
メント原料予熱装置に連続するセメントキルン内で発生
する排ガスを抽出してセメントキルン排ガス中の揮発性
不純物濃度を低下させるセメントキルン排ガスの処理方
法において、抽出した排ガスをダスト捕集器に導入して
その排ガス中に含まれるバイパスダストを捕集し、その
バイパスダストを加熱炉に導入して不純物揮発温度以上
に加熱することによりバイパスダストから不純物を取り
除き、不純物が取り除かれたバイパスダストをセメント
焼成設備に戻しセメント原料として再利用するセメント
キルン排ガスの処理方法である。
【００１２】請求項２の本発明は、上記処理方法におい
て不純物が取り除かれたバイパスダストをセメントキル
ンの窯入口部に戻すことを要旨とする。
【００１３】請求項３の本発明は、上記処理方法におい
て不純物が取り除かれたバイパスダストをクリンカ冷却
装置に戻すことを要旨とする。
【００１４】請求項４の本発明は、上記処理方法におい
て不純物が取り除かれたバイパスダストを冷却し、クリ
ンカ冷却装置から排出されるクリンカと混合することを
要旨とする。
【００１５】請求項５の本発明は、上記処理方法におい
てクリンカ冷却装置で使用される冷却用ガスの一部を抽
出して加熱炉に導入し、加熱炉の燃焼用空気として使用
することを要旨とする。
【００１６】請求項６の本発明は、上記処理方法におい
てダスト捕集器で捕集し得なかった残留バイパスダスト
を集塵機に導入して捕集し、捕集された残留バイパスダ
ストを必要に応じてダスト捕集器で捕集されたバイパス
ダストとともに加熱炉に導入することを要旨とする。
【００１７】請求項７の本発明は、上記処理方法におい
て、加熱炉がロータリキルンから構成され、セメント焼
成設備の系外の廃棄ダストを、そのロータリキルンに導
入することを要旨とする。
【００１８】請求項８の本発明は、上記加熱炉におい
て、バイパスダストから不純物を取り除いた後、引き続
いてセメントキルンと同等の温度でバイパスダストを焼
成することを要旨とする。
【００１９】請求項９の本発明は、セメント原料予熱装
置に連続するセメントキルン内で発生する排ガスを抽出
してセメントキルン排ガス中の揮発性不純物濃度を低下
させるセメントキルン排ガスの処理装置において、抽出
した排ガスからバイパスダストを捕集するダスト捕集器
と、該ダスト捕集器で捕集されたバイパスダストを不純
物揮発温度以上に加熱する加熱炉と、該加熱炉によって
不純物が取り除かれたバイパスダストをセメント焼成設
備に戻す還流路と、を備えてなるセメントキルン排ガス
の処理装置である。
【００２０】請求項１０の本発明は、上記処理装置にお
いて還流路がセメントキルンの窯入口部に接続されてい
ることを要旨とする。
【００２１】請求項１１の本発明は、上記処理装置にお
いて還流路がクリンカ冷却装置に接続されていることを
要旨とする。
【００２２】請求項１２の本発明は、上記処理装置にお
いて不純物が取り除かれたバイパスダストを冷却し、ク
リンカ冷却装置から排出されるクリンカと混合するよう
に構成されていること要旨とする。
【００２３】請求項１３の本発明は、上記処理装置にお
いてダスト捕集器で捕集されたバイパスダストを通路を
介して加熱炉に供給し、ダスト捕集器で捕集し得なかっ
た残留バイパスダストを集塵機に供給して捕集し、該集
塵機で捕集された残留バイパスダストを必要に応じて第
２の通路を介し加熱炉に供給するように構成したことを
要旨とする。
【００２４】請求項１４の本発明は、上記加熱炉がロー
タリキルンから構成され、セメント焼成設備の系外から
そのロータリキルンに廃棄ダストを導入する手段を備え
てなることを要旨とする。
【００２５】請求項１５の本発明は、上記加熱炉におい
て、バイパスダストから不純物を取り除いた後、引き続
いてセメントキルンと同等の温度でバイパスダストを焼
成するように構成したことを要旨とする。
【００２６】本発明において、ダストとはバイパスガス
中に含まれるバイパスダストであり、ダスト捕集器で捕
集されるバイパスダストは、粒径が概ね１０μｍを上回
るサイズのダストを示し、捕集し得なかった残留バイパ
スダストとは、粒径が概ね１０μｍを下回るダストを示
している。なお、知られているように、１０μｍ以下の
バイパスダストには、アルカリ、塩素等の含まれる割合
が高く、１０μｍを上回るバイパスダストには、アルカ
リ、塩素等が含まれる割合が少ない。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、図面に示した実施の形態に
基づいて本発明を詳細に説明する。
【００２８】図１は、本発明に係る排ガス処理装置の第
一の実施形態を焼成設備に適用したものである。なお、
同図において、破線矢印はセメント原料の流れを、実線
矢印はガスの流れをそれぞれ示している。
【００２９】同図に示すセメント焼成設備１おいて、投
入シュート２より投入されたセメント原料は、セメント
原料予熱用のサイクロン３〜６の各原料出口３ａ〜６ａ
を経由しながら順次降下していき、その間に各サイクロ
ンのガス出口６ｂ〜３ｂ及びダクト８を通して上昇する
高温のガスと熱交換されることによって徐々に予熱さ
れ、最下段の分離サイクロン６に供給される。なお、上
記高温のガスは排ガス誘引通風機７により吸引されるよ
うになっており、また、上記各サイクロン３〜６はサス
ペンションプレヒータＳＰを構成する。
【００３０】分離サイクロン６から排出されたセメント
原料は、原料シュート９及び窯入口部としての接続ハウ
ジング１０を経てセメントキルンとしてのロータリーキ
ルン１１内に導入され、バーナ１１ａの燃焼により１４
００℃以上の高温で焼成されてクリンカとなり、クリン
カクーラー１２に排出される。クリンカクーラー１２で
冷却されたクリンカは、図示しないセメント粉砕工程で
粉砕されてセメントとなる。
【００３１】ロータリーキルン１１の窯入口部に設けら
れた接続ハウジング１０にはバイパス通路１３の一方端
が接続されており、その他方端にダスト捕集器としての
サイクロン１４が接続されている。このバイパス通路１
３には急冷送風機１５を備えたバイパスガス冷却装置１
６が介設されている。なお、接続ハウジング１０の上部
には仮焼炉１０ａが立設されており、この仮焼炉１０ａ
はロータリキルン１１から排出される排ガスをバーナ１
０ｂでさらに加熱して昇温させ、昇温させた高温のガス
を分離サイクロン６に供給してサスペンションプレヒー
タＳＰの予熱効率を高めている。
【００３２】バイパス通路１３内に抽出されたバイパス
ガスは、不純物揮発性成分を含んでおり、バイパスガス
冷却装置１６を通過することにより、不純物揮発性成分
の融点以下の温度（６００〜７００℃程度）に冷却さ
れ、それにより揮発性成分が凝縮され、バイパスガス中
のバイパスダストへの付着が起きる。冷却されたバイパ
スガスは次いでサイクロン１４に供給される。なお、バ
イパスガス冷却装置１６は、バイパス管１３内にセメン
ト原料が付着することを防止するようにもなっている。
【００３３】サイクロン１４ではバイパスガス中のバイ
パスダストを捕集し、捕集されたバイパスダスト（以
下、粗粒ダストという）は原料出口１４ａから排出し、
通路１７を経由して加熱炉としてのバイパスキルン１８
の燃焼室１８ａに投入される。一方、サイクロン１４で
捕集されなかった残留バイパスダスト（以下、細粒ダス
トという）は、急冷ファン１９を備えた冷却装置２０を
通すことによって電気集塵機２１に供給できる程度の温
度まで冷却された後、電気集塵機２１に供給される。
【００３４】電気集塵機２１は細粒ダストを捕集し、ガ
スはファン２２を介して大気に放出され、捕集された細
粒ダストはダンパ２３を介して通路１７に供給される。
上記ダンパ２３は、捕集された細粒ダストを通路２３ａ
と通路２３ｂに対し任意の比率で排出することができ、
焼成設備系において不純物の量が多い場合にはダンパ２
３を閉じて第２の通路２３ａを遮断し、別の回収通路２
３ｂに細粒ダストを送るようになっている。
【００３５】本実施形態では、基本的に細粒ダストの全
量をバイパスキルン１８に送ることを前提としている
が、そうすると、不純化合物はすべてガス状態で大気に
排出されることになる。その結果、サイクロン１４と電
気集塵機２１との系統で不純化合物の濃度が異常に高く
なり、その系統に対し腐食を助長させる等の悪影響を与
える虞れがある。従って、このような事態を防止する目
的で、細粒ダストの排出先を選択できるようにし、電気
集塵機２１から排出される不純揮発性成分を含んだバイ
パスダストをある程度、系外に出し、バイパスガス系内
の不純化合物をコントロールできるようにしている。
【００３６】また、バイパスキルン１８は、ロータリー
キルン１１と基本的に同じ構成からなり、処理されるバ
イパスダストの量に応じた規模となっている。このバイ
パスキルン１８は、サイクロン１４の原料出口１４ａか
ら排出された粗粒ダスト及び第２の通路２３ａから戻さ
れた細粒ダストを不純物揮発温度以上、具体的には約１
０００℃〜１３００℃の高温に加熱してダスト中の不純
物を取り除くようになっている。なお、バイパスキルン
１８から排出されるバイパスダストをロータリーキルン
１１下流に供給する場合は、クリンカ焼成温度、具体的
には１４００℃〜１５００℃程度に加熱する。
【００３７】ロータリキルンから抽出したバイパスガス
を霧状とし流動層等のダスト加熱炉に導入する従来の構
成では、ダスト加熱炉手前のバイパスガス導入通路に不
純物の揮発温度に近い温度領域が形成されてしまい、バ
イパスガス中のダストに付着している不純物がそのバイ
パスガス導入通路で揮発し、コーティングを発生させる
可能性があったが、本実施形態では抽出したバイパスガ
スをまずバイパスガス冷却装置１６で冷却してサイクロ
ン１４に供給し、捕集された粗粒ダストについては通路
１７を介してバイパスキルン１８に供給し、残りの細粒
ダストについては電気集塵機２１で捕集し必要に応じて
バイパスキルン１８に供給して加熱させるように構成し
ているため、バイパスガスの抽出通路でコーティングを
起こすことがない。しかもサイクロン１４の捕集能力を
上回る量のバイパスガスをサイクロン１４に導入した場
合であってもそのサイクロン１４の下流側に設けたバイ
パスキルン１８でバイパスダストを加熱しているため、
サイクロン１４から排出された粗粒ダスト中に揮発性不
純物が多量に残存していても不純物を完全に取り除くこ
とができる。
【００３８】従って、セメント原料中に含まれる不純物
の量が多い場合であっても、バイパス抽出量を高めるだ
けで不純物を処理することが可能になり、処理後のバイ
パスダストも再利用することができる。
【００３９】なお、符号ＥＴは、上記サイクロン１４，
バイパスガス冷却装置１６，バイパスキルン１８，電気
集塵機２１等から構成される排ガス処理装置を示してい
る。
【００４０】また、本実施形態では、バイパスキルン１
８の燃焼室１８ａ側（上流側）にダスト投入部を配置
し、それにより、燃焼ガスの流れとバイパスダストの流
れを並流にしている。その理由は、燃焼室１８ａをバイ
パスキルン１８の下流側に配置すると、燃焼ガスの流れ
とバイパスダストの流れが向流となって燃焼ガス温度が
バイパスキルン１８内で不純物の揮発温度以下に下が
り、一端、揮発した不純物が再びバイパスダストに付着
してバイパスキルン１８内で不純物の高濃度化が起こる
ことが予想されるからである。
【００４１】すなわち、向流にて行う場合は、バイパス
キルン１８投入部における発塵作用により、投入直後の
バイパスダストが燃焼ガスと共に電気集塵機２１へ持ち
去られる比率が高くなるが、並流とした場合は、発塵し
燃焼ガスにより持ち上げられたバイパスダストも、バイ
パスキルン内ガス流速を調整することで、ガス移動中で
の沈降が促進されることになる。
【００４２】このようなバイパスキルン１８から排出さ
れるバイパスダストは、還流路２４を介してロータリキ
ルン１１の窯入口部である接続ハウジング１０内に戻さ
れる。
【００４３】図２は本発明の排ガス処理装置の第２の実
施形態を示したものである。なお、以下の説明におい
て、図１と同じ構成要素については同一符号を付してそ
の説明を省略する。
【００４４】図２に示す排ガス処理装置ＥＴでは、クリ
ンカクーラ１２から通風路３０を延設し、その延長先を
バイパスキルン１８における燃焼室１８ａの燃焼用空気
導入管１８ｂに接続している。それにより、バイパスキ
ルン１８の燃焼に必要な燃焼用空気をクリンカクーラ１
２から取り入れることができ、燃焼用燃料の消費量を節
約することができる。なお、図中、３１はクリンカクー
ラの排気ファンであり、３２は燃焼用空気を誘引するた
めのファンである。
【００４５】図３は本発明に係る排ガス処理装置の第３
の実施形態を示したものである。
【００４６】同図に示す排ガス処置装置ＥＴでは、バイ
パスキルン１８に対してセメント焼成設備系外からも廃
棄ダストを供給できるようにしたものである。
【００４７】図中のＤは廃棄されて堆積されているダス
トであり、その廃棄ダストＤをコンベア４０で排ガス処
理装置ＥＴまで搬送し、供給量調整機及びエアーシール
装置等から構成されるダスト供給機４１を介してバイパ
スキルン１８の燃焼室１８ａに供給している。この構成
によれば、既に廃棄されている廃棄ダストについてもバ
イパスキルン１８で処理し、再利用することが可能にな
る。上記コンベア４０，ダスト供給機４１は廃棄ダスト
を導入する手段とみなすことができる。
【００４８】なお、廃棄ダストとはセメント焼成設備
（主にバイパス排ガス処理装置）から排出されたダスト
のことであるが、セメント原料となり得るものであれ
ば、例えば汚泥など、セメント焼成設備から排出される
ダスト以外のものを含むことができる。
【００４９】図４は本発明に係る排ガス処理装置の第４
の実施形態を示したものである。
【００５０】同図に示す排ガス処置装置ＥＴでは、バイ
パスキルン１８で焼成され揮発性不純物が取り除かれた
バイパスダストを、還流路としての通路４５を経由して
クリンカクーラ１２に供給するように構成されている。
この構成によれば、バイパスキルン１８内でのガス温度
をロータリーキルン１１と同じ温度まで高めることでバ
イパスキルン１８内での焼成行程を終えることができる
ので、バイパスダストをセメン焼成設備１に還流しても
ロータリキルン１１及びサスペンションプレヒータＳＰ
の運転状態に何ら影響を与えることがないという利点が
ある。また、バイパスダストをロータリキルン１１の窯
出口側に供給しているため、バイパスキルン１８を独自
に運転することができるという利点がある。
【００５１】図５は本発明に係る排ガス処理装置の第５
の実施形態を示したものである。
【００５２】上述した第４の実施形態ではバイパスキル
ン１８で焼成されたバイパスダストをクリンカクーラ１
２に供給したが、図５に示す排ガス処置装置ＥＴの構成
では、バイパスキルン１８についてもクリンカクーラ５
０を設け、バイパスキルン１８で焼成されたバイパスダ
ストを、一般の搬送装置でも搬送できる程度まで冷却し
ている。このように冷却されたバイパスダストは通路５
１を介して送られ、クリンカクーラ１２の窯出口部から
排出されるクリンカと混合することができる。
【００５３】従って、この構成によれば、バイパスダス
トを再利用するにあたり、セメント焼成設備の運転状態
に関係することなく排ガス処理装置ＥＴを独自に運転す
ることができるという利点がある。
【００５４】なお、上記した実施形態においてサイクロ
ン１４、バイパスガス冷却装置１６、電気集塵機２１、
クリンカ５０は、セメント焼成設備の焼成能力、セメン
ト原料中に含まれる不純物量に応じて適宜選択すること
ができる。
【００５５】また、上記実施形態ではダスト捕集器をサ
イクロンで構成し、集塵機を電気集塵機で構成したが、
これに限らず、ダスト捕集器としてマルチサイクロン、
セットリングチャンバ等を使用することができ、また、
集塵機としてバグフィルター等を使用することができ
る。さらに、バイパスダストを捕集するにあたっては、
ダスト捕集器及び集塵機の２工程で捕集せず、１工程で
捕集するものであってもよい。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
請求項１の排ガスの処理方法によれば、セメント原料に
含まれる揮発性不純物の量が多い場合であってもバイパ
スガスの抽出量を増加させることにより、バイパスガス
中の不純物を取り除いてバイパスダストを効率良く再利
用することができる。また、バイパスダストを再利用す
る排ガス処理装置内においてダストの付着を確実に防止
することができる。
【００５７】請求項３の排ガスの処理方法によれば、バ
イパスダストをクリンカクーラに還流させるため、ロー
タリキルンの運転状態に影響を与えることなくバイパス
ダストを再利用することができる。
【００５８】請求項４の排ガス処理方法によれば、バイ
パスダストを冷却した後、クリンカクーラから排出され
るクリンカと混合させるため、セメント焼成設備の運転
状態に影響を与えることなくバイパスダストを再利用す
ることができる。
【００５９】請求項５の排ガス処理方法によれば、バイ
パスダストから不純物を取り除く加熱炉の燃焼用空気を
節約することができる。
【００６０】請求項６の排ガス処理方法によれば、抽出
したバイパスガスに含まれるバイパスダストのすべてを
セメント焼成設備系外に取り出すことなく処理すること
が可能になる。
【００６１】請求項７の排ガス処理方法によれば、既に
廃棄されている廃棄ダストについてもセメント原料とし
て再利用することが可能になる。
【００６２】請求項８の排ガス処理方法によれば、ロー
タリーキルンまたはセメント焼成設備の運転状態に影響
を与えることなくバイパスダストを再利用することがで
きる。
【００６３】請求項９の排ガス処理装置は、ダスト捕集
器で捕集されたバイパスダストがセメントキルンに戻さ
れる前に再び加熱炉で加熱され、不純物が取り除かれた
バイパスダストのみ還流路を介してセメント焼成設備に
戻すように構成したため、セメント原料に揮発性不純物
が多く含まれており、総セメントキルン排ガス中のバイ
パスガス抽出率を高める必要がある場合であっても不純
物を確実に除去してバイパスダストを再利用することが
可能になる。
【００６４】請求項１１の排ガス処理装置によれば、セ
メントキルンの運転状態に影響を与えることなくバイパ
スダストを再利用することができる。
【００６５】請求項１２の排ガス処理装置によれば、セ
メント焼成設備の運転状態に影響を与えることなくバイ
パスダストを再利用することができる。
【００６６】請求項１３の排ガス処理装置によれば、抽
出したバイパスガスに含まれるバイパスダストのすべて
をセメント焼成設備系外に取り出すことなく処理するこ
とができる。
【００６７】請求項１４の排ガス処理装置によれば、既
に廃棄されている廃棄ダストについてもセメント原料と
して再利用することが可能になる。
【００６８】請求項１５の排ガス処理装置によれば、ロ
ータリーキルンまたはセメント焼成設備の運転状態に影
響を与えることなくバイパスダストを再利用することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の排ガス処理装置を備えたセメント焼成
設備の構成図である。
【図２】本発明に係る排ガス処理装置の第２の実施形態
を示す図１相当図である。
【図３】本発明に係る排ガス処理装置の第３の実施形態
を示す図１相当図である。
【図４】本発明に係る排ガス処理装置の第４の実施形態
を示す図１相当図である。
【図５】本発明に係る排ガス処理装置の第５の実施形態
を示す図１相当図である。
【図６】従来の排ガス処理装置を備えたセメント焼成設
備の構成図である。
【符号の説明】
１ セメント焼成設備 ３〜６ サイクロン ７ 排ガス誘引通風機 ８ ダクト １０ 接続ハウジング １１ ロータリキルン １２ クリンカクーラ １３ バイパス管 １４ サイクロン １６ バイパスガス冷却装置 １８ バイパスキルン ２０ 冷却装置 ２１ 電気集塵機 ２４ 還流路

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 セメント原料予熱装置に連続するセメン
    トキルン内で発生する排ガスを抽出してセメントキルン
    排ガス中の揮発性不純物濃度を低下させるセメントキル
    ン排ガスの処理方法において、 抽出した排ガスをダスト捕集器に導入してその排ガス中
    に含まれるバイパスダストを捕集し、そのバイパスダス
    トを加熱炉に導入して不純物揮発温度以上に加熱するこ
    とによりバイパスダストから不純物を取り除き、不純物
    が取り除かれたバイパスダストをセメント焼成設備に戻
    しセメント原料として再利用することを特徴とするセメ
    ントキルン排ガスの処理方法。
  2. 【請求項２】 前記不純物が取り除かれたバイパスダス
    トをセメントキルンの窯入口部に戻すことを特徴とする
    請求項１記載のセメントキルン排ガスの処理方法。
  3. 【請求項３】 前記不純物が取り除かれたバイパスダス
    トをクリンカ冷却装置に戻すことを特徴とする請求項１
    記載のセメントキルン排ガスの処理方法。
  4. 【請求項４】 前記不純物が取り除かれたバイパスダス
    トを冷却し、クリンカ冷却装置から排出されるクリンカ
    と混合する請求項１記載のセメントキルン排ガスの処理
    方法。
  5. 【請求項５】 前記クリンカ冷却装置で使用される冷却
    用ガスの一部を抽出して前記加熱炉に導入し、加熱炉の
    燃焼用空気として使用する請求項１〜４のいずれかに記
    載のセメントキルン排ガスの処理方法。
  6. 【請求項６】 前記ダスト捕集器で捕集し得なかった残
    留バイパスダストを集塵機に導入して捕集し、捕集され
    た残留バイパスダストを必要に応じて前記ダスト捕集器
    で捕集されたバイパスダストとともに前記加熱炉に導入
    する請求項１〜５のいずれかに記載のセメントキルン排
    ガスの処理方法。
  7. 【請求項７】 前記加熱炉がロータリキルンから構成さ
    れ、セメント焼成設備の系外の廃棄ダストを、そのロー
    タリキルンに導入する請求項１〜６のいずれかに記載の
    セメントキルン排ガスの処理方法。
  8. 【請求項８】 前記加熱炉において、バイパスダストか
    ら不純物を取り除いた後、引き続いてセメントキルンと
    同等の温度でバイパスダストを焼成することを特徴とす
    る請求項１〜７のいずれに記載のセメントキルン排ガス
    の処理方法。
  9. 【請求項９】 セメント原料予熱装置に連続するセメン
    トキルン内で発生する排ガスを抽出してセメントキルン
    排ガス中の揮発性不純物濃度を低下させるセメントキル
    ン排ガスの処理装置において、 抽出した排ガスからバイパスダストを捕集するダスト捕
    集器と、該ダスト捕集器で捕集されたバイパスダストを
    不純物揮発温度以上に加熱する加熱炉と、該加熱炉によ
    って不純物が取り除かれたバイパスダストをセメント焼
    成設備に戻す還流路と、を備えてなることを特徴とする
    セメントキルン排ガスの処理装置。
  10. 【請求項１０】 前記還流路が前記セメントキルンの窯
    入口部に接続されている請求項９記載のセメントキルン
    排ガスの処理装置。
  11. 【請求項１１】 前記還流路がクリンカ冷却装置に接続
    されている請求項９記載のセメントキルン排ガスの処理
    装置。
  12. 【請求項１２】 前記不純物が取り除かれたバイパスダ
    ストを冷却し、クリンカ冷却装置から排出されるクリン
    カと混合するように構成されている請求項９記載のセメ
    ントキルン排ガスの処理装置。
  13. 【請求項１３】 前記ダスト捕集器で捕集されたバイパ
    スダストを通路を介して前記加熱炉に供給し、前記ダス
    ト捕集器で捕集し得なかった残留バイパスダストを集塵
    機に供給して捕集し、該集塵機で捕集された残留バイパ
    スダストを必要に応じて第２の通路を介し前記加熱炉に
    供給するように構成した請求項９〜１２のいずれかに記
    載のセメントキルン排ガスの処理装置。
  14. 【請求項１４】 前記加熱炉がロータリキルンから構成
    され、セメント焼成設備の系外からそのロータリキルン
    に廃棄ダストを導入する手段を備えてなる請求項９〜１
    ３のいずれかに記載のセメントキルン排ガスの処理装
    置。
  15. 【請求項１５】 前記加熱炉において、バイパスダスト
    から不純物を取り除いた後、引き続いてセメントキルン
    と同等の温度でバイパスダストを焼成するように構成し
    たことを特徴とする請求項９〜１４のいずれに記載のセ
    メントキルン排ガスの処理装置。
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