JP2000260893A - Semiconductor package and manufacture of the same - Google Patents

Semiconductor package and manufacture of the same

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JP2000260893A
JP2000260893A JP6038099A JP6038099A JP2000260893A JP 2000260893 A JP2000260893 A JP 2000260893A JP 6038099 A JP6038099 A JP 6038099A JP 6038099 A JP6038099 A JP 6038099A JP 2000260893 A JP2000260893 A JP 2000260893A
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JP
Japan
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wiring
wiring board
semiconductor element
layer
printed wiring
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Takashi Ikeda
尊士 池田
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Original Assignee
Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor package for loading a semiconductor element with high density, and for reducing manufacturing cost. SOLUTION: A semiconductor element is loaded on a tape automated bonding(TAB) tape 10, and signal wiring is arranged mainly by wiring 12 of the TAB tape 10, and a wiring layer 22 of a core substrate 20 basically constitutes a power source layer and a ground layer. Thus, the constitution of a package can be simplified, and manufacturing costs can be reduced. Moreover, the TAB tape 10 and the core substrate 20 are manufactured separately, and then by having them electrically and mechanically connected, the flexibility of design is increased and the package size can be reduced. Moreover, the high density of the wiring 12 of the TAB tape 10 can be realized, and the connection with the semiconductor element having large number of input and output signals can be realized with multiple terminals and narrow pitches, and the package size can be reduced.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケージ
およびその製造方法に関し、特にプリント配線板上に半
導体素子を搭載するようにした半導体パッケージおよび
その製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor package and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a semiconductor package having a semiconductor element mounted on a printed wiring board and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置において、ICチップやLS
Iチップ等の半導体素子は、半導体パッケージに設けら
れた半導体素子搭載部に搭載されて実用に供されてい
る。樹脂モールドパッケージはセラミック製の半導体パ
ッケージに比べて製造コストが安価であり、特にリード
フレームを用いずにプリント配線板上に半導体素子を搭
載し、プリント配線板の電極部に取付けたはんだボール
等でマザーボードに接続するようにしたBGA(Ball Gr
id Array) パッケージが注目されている。BGAパッケ
ージは、QFP(Quad Flat Package) 等のリードフレー
ムを用いたパッケージに比べて、リードを面的にとる
ため多ピン化が可能である。リードピッチが大きく、
マウンタ等の精度が甘くてもよいので、製造歩留りが向
上する。製造コストが比較的安価である等の長所を有
している。
2. Description of the Related Art In a semiconductor device, an IC chip or an LS
2. Description of the Related Art A semiconductor element such as an I-chip is mounted on a semiconductor element mounting portion provided in a semiconductor package and put to practical use. The resin mold package has a lower manufacturing cost than a ceramic semiconductor package.Especially, a semiconductor element is mounted on a printed wiring board without using a lead frame, and solder balls attached to the electrodes of the printed wiring board are used. BGA (Ball Gr connected to motherboard)
id Array) Package is drawing attention. The BGA package has more pins than the package using a lead frame such as a QFP (Quad Flat Package), so that the number of pins can be increased. Lead pitch is large,
Since the accuracy of the mounter or the like may be low, the production yield is improved. It has advantages such as relatively low manufacturing cost.

【0003】従来のBGAパッケージは、半導体素子が
プリント配線板の上部に搭載され、ボンディングワイ
ヤ、プリント配線板の配線、プリント配線板の周辺に設
けたスルーホール、プリント配線板の下部の電極部等を
介してはんだボール等に半導体素子の電極部が電気的に
接続されており、半導体素子搭載後にモールド樹脂で封
止されている。
In a conventional BGA package, a semiconductor element is mounted on a printed wiring board, and bonding wires, wiring of the printed wiring board, through holes provided in the periphery of the printed wiring board, electrode portions below the printed wiring board, and the like. The electrode portion of the semiconductor element is electrically connected to a solder ball or the like via a via, and is sealed with a mold resin after mounting the semiconductor element.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところが上記のBGA
パッケージにおいては、積層板を積層してめっきスルー
ホールで導体パターンの層間接続を行うスルーホール基
板構造をプリント配線板として用いているので、導体パ
ターンの微細化が困難であるとともに、導体パターンの
層間接続のためには積層した全ての積層板を貫通するス
ルーホールを設ければならない。このため、配線密度を
高めることができず、その結果、半導体装置の小型化が
困難であるという問題があった。
However, the above BGA
In the package, the printed wiring board uses a through-hole board structure that laminates the laminates and connects the conductive patterns with each other through plated through holes. For connection, through holes must be provided to penetrate all the laminated boards. Therefore, the wiring density cannot be increased, and as a result, there is a problem that it is difficult to reduce the size of the semiconductor device.

【0005】そこで、プリント配線板として、ビルドア
ップ基板と称される構造のものがある。このビルドアッ
プ基板は、例えば図5に示すように、積層板等からなる
コア基板1の上に、導体パターン2と感光性樹脂からな
る絶縁層3とをビア4を形成しながら交互に積み上げる
方法(ビルドアップ法)で形成し、ビア4で導体パター
ン2の層間接続を行うものである。なお、スルーホール
5はコア基板1に形成されている。
Accordingly, there is a printed wiring board having a structure called a build-up board. For example, as shown in FIG. 5, this build-up board is formed by alternately stacking a conductor pattern 2 and an insulating layer 3 made of a photosensitive resin on a core board 1 made of a laminated board or the like while forming vias 4. It is formed by (build-up method), and the interlayer connection of the conductor pattern 2 is performed by the via 4. Note that the through hole 5 is formed in the core substrate 1.

【0006】上記のように、プリント配線板としてビル
ドアップ基板を使用すると、導体パターンの微細化が可
能であるとともに、各絶縁層ごとに形成するビアで導体
パターンの層間接続がなされるため、スルーホール基板
の場合より配線密度を高めることができ、したがって半
導体装置の小型化が容易である。
As described above, when a build-up board is used as a printed wiring board, the conductor pattern can be miniaturized, and the interlayer connection of the conductor pattern is made by vias formed for each insulating layer. The wiring density can be increased as compared with the case of the hole substrate, so that the semiconductor device can be easily reduced in size.

【0007】ところで、プリント配線板としてビルドア
ップ基板を用いた半導体装置においては、コア基板の両
面に導体パターンと絶縁層とを交互に積み上げて形成
し、配線の高密度化を達成している。コア基板の片面に
のみ導体パターンと絶縁層とを交互に積み上げて形成し
たのでは、プリント配線板に反りが発生するため、実際
に製造することは困難であった。
In a semiconductor device using a build-up substrate as a printed wiring board, a conductor pattern and an insulating layer are alternately stacked on both surfaces of a core substrate to achieve a high-density wiring. If the conductor pattern and the insulating layer were alternately stacked only on one surface of the core substrate, the printed wiring board would be warped, and it was difficult to actually manufacture the printed wiring board.

【0008】コア基板の両面に導体パターンと絶縁層と
を交互に積み上げて形成した場合、プリント配線板の半
導体素子搭載側の面は半導体素子の入出力部のピッチを
広げるため高密度配線が必要であるが、しかし、プリン
ト配線板の反半導体素子搭載側の面は電源層や接地層等
の低密度配線層が形成されており、プリント配線板の半
導体素子搭載側の面と反半導体素子搭載側の面とで配線
密度に大きな差があった。したがって、高密度配線が必
要でないプリント配線板の反半導体素子搭載側の面にま
で、導体パターンと絶縁層とを交互に積み上げて形成し
ているため、製造コストが増大するという問題があっ
た。
When conductor patterns and insulating layers are alternately stacked on both surfaces of a core substrate, a high-density wiring is required on the surface of the printed wiring board on the semiconductor element mounting side in order to increase the pitch of the input / output portions of the semiconductor elements. However, a low-density wiring layer such as a power supply layer and a ground layer is formed on the surface of the printed wiring board on the side opposite to the semiconductor element mounting side, and the surface of the printed wiring board on the side opposite to the semiconductor element mounting side and the anti-semiconductor element mounting side There was a large difference in the wiring density between the side surface and the side surface. Therefore, since the conductor pattern and the insulating layer are alternately stacked up to the surface on the side opposite to the semiconductor element mounting side of the printed wiring board where high-density wiring is not required, there is a problem that the manufacturing cost increases.

【0009】本発明は、このような問題を解決するため
になされたものであり、高密度な半導体素子の搭載を可
能とし、製造コストを低減する半導体パッケージを提供
することを目的とする。本発明の他の目的は、設計の自
由度が広く、パッケージサイズを小さくすることが可能
な半導体パッケージおよびその製造方法を提供すること
にある。
The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a semiconductor package which enables mounting of high-density semiconductor elements and reduces manufacturing costs. It is another object of the present invention to provide a semiconductor package having a large degree of freedom in design and capable of reducing the package size, and a method of manufacturing the same.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1記載の
半導体パッケージによると、プリント配線板は、半導体
素子を搭載するための半導体素子搭載部と、半導体素子
と電気的に接続される配線とを有しており、配線基板
は、プリント配線板の反半導体素子搭載側に設けられ、
電源層および/または接地層となる配線層を有してい
る。このため、プリント配線板に高密度配線を形成し、
配線基板に電源層や接地層等の低密度配線層を形成して
いるので、プリント配線板と配線基板とを電気的および
機械的に接続することにより、パッケージの構成を簡単
なものとすることができる。したがって、製造コストを
低減することができる。
According to the semiconductor package of the present invention, the printed wiring board includes a semiconductor element mounting portion for mounting the semiconductor element, and a wiring electrically connected to the semiconductor element. The wiring board is provided on the side opposite to the semiconductor element mounting side of the printed wiring board,
It has a wiring layer serving as a power supply layer and / or a ground layer. For this reason, high-density wiring is formed on the printed wiring board,
Since a low-density wiring layer such as a power supply layer and a ground layer is formed on the wiring board, the package structure can be simplified by electrically and mechanically connecting the printed wiring board and the wiring board. Can be. Therefore, the manufacturing cost can be reduced.

【0011】さらに、プリント配線板と配線基板とを別
々に作製し、その後両者を電気的および機械的に接続す
ることにより、設計の自由度が広がり、パッケージサイ
ズを小さくすることができる。
Further, by separately manufacturing a printed wiring board and a wiring board and then electrically and mechanically connecting them, the degree of freedom of design is increased and the package size can be reduced.

【0012】本発明の請求項2記載の半導体パッケージ
によると、プリント配線板は絶縁性フィルムを有するフ
ィルム状基板であるので、例えば絶縁性樹脂フィルムの
片面あるいは両面に配線が形成されたTAB(Tape Auto
mated Bonding)テープをプリント配線板として用いるこ
とにより、配線を高密度にすることができる。したがっ
て、入出力信号数の多い半導体素子と多端子、狭ピッチ
で接続することが可能であるので、高密度な半導体素子
を搭載することができる。
According to the semiconductor package of the present invention, since the printed wiring board is a film-like substrate having an insulating film, for example, a TAB (Tape) having wiring formed on one or both surfaces of an insulating resin film. Auto
By using a mated bonding tape as a printed wiring board, the density of wiring can be increased. Therefore, it is possible to connect a semiconductor element having a large number of input / output signals with a large number of terminals and a narrow pitch, so that a high-density semiconductor element can be mounted.

【0013】絶縁性フィルムとしては、ポリイミド、エ
ポキシ樹脂、ポリアミド等のプラスチックフィルム、あ
るいはポリイミド、エポキシ樹脂、ポリアミド等のプラ
スチックをガラス不織布等の基材に含浸・硬化したもの
などを使用することができる。
As the insulating film, a plastic film such as polyimide, epoxy resin or polyamide, or a film obtained by impregnating and curing a plastic such as polyimide, epoxy resin or polyamide in a base material such as glass nonwoven fabric can be used. .

【0014】絶縁性樹脂フィルムの片面あるいは両面に
配線を形成するには、銅(Cu)や銅合金等の箔をエッ
チングする方法、所定の箇所にCuめっきを施す方法、
ならびにそれらを併用する方法などを使用することがで
きる。
In order to form wiring on one or both sides of the insulating resin film, a method of etching a foil such as copper (Cu) or a copper alloy, a method of applying Cu plating to a predetermined location,
In addition, a method of using them in combination can be used.

【0015】プリント配線板の配線間の電気的な接続
は、導電性ビアホールにドリルをかけるかレーザ照射し
て不要物を除去した後めっきすることにより行うことが
できる。配線の露出部分にニッケル(Ni)、金(A
u)等のめっきを施すことにより電極部を形成すること
ができる。
The electrical connection between the wirings of the printed wiring board can be made by drilling the conductive via hole or irradiating a laser to remove unnecessary matter and then plating. Nickel (Ni), gold (A)
The electrode portion can be formed by plating such as u).

【0016】半導体素子とプリント配線板の配線層との
電気的な接続は、ワイヤボンディング、フリップチッ
プ、TAB等により行うことができる。
The electrical connection between the semiconductor element and the wiring layer of the printed wiring board can be made by wire bonding, flip chip, TAB or the like.

【0017】配線基板としては、耐熱性のある樹脂製フ
ィルムまたは薄い積層板を基材として用いることができ
る。フィルムの材料としては、例えばポリイミド、ポリ
エステル、ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトン等
の樹脂とするのが好ましく、積層板の樹脂としては、エ
ポキシ、ポリイミド、ビスマレイミドトリアジン(B
T)等とするのが好ましい。配線は、Cu等の薄層のフ
ォトリソグラフィ、エッチング、酸化処理等により形成
することができる。積層板はガラス等を補強板としてエ
ポキシ等で積層することが可能である。積層板の配線間
の電気的な接続は、導電性ビアホールやCu等のめっき
を施したスルーホールにドリルをかけるかレーザ照射し
て不要物を除去した後めっきすることにより行うことが
できる。配線の露出部分にNi、Au等のめっきを施す
ことにより電極部を形成することができる。
As the wiring substrate, a heat-resistant resin film or a thin laminated plate can be used as a base material. As the material of the film, for example, a resin such as polyimide, polyester, polyamide, or polyetheretherketone is preferable. As the resin for the laminate, epoxy, polyimide, bismaleimide triazine (B
T) and the like are preferable. The wiring can be formed by photolithography, etching, oxidation treatment, or the like of a thin layer of Cu or the like. The laminate can be laminated with epoxy or the like using glass or the like as a reinforcing plate. Electrical connection between the wirings of the laminated board can be made by drilling a conductive via hole or a through-hole plated with Cu or the like or by irradiating a laser to remove unnecessary matter and then plating. The electrode portion can be formed by plating the exposed portion of the wiring with Ni, Au, or the like.

【0018】本発明の請求項3記載の半導体パッケージ
によると、プリント配線板と配線基板との間に設けられ
る接続部は、プリント配線板と配線基板とを接合し、プ
リント配線板の配線の一部と配線基板の配線層とを電気
的に接続する。このため、接続部として導電性接着剤や
はんだボール等を用いることにより、プリント配線板と
配線基板との接合と、プリント配線板の配線の一部と配
線基板の配線層との電気的な接続を同時に行うことがで
きる。したがって、簡単な構成で製造コストを低減する
ことができる。
According to the semiconductor package of the third aspect of the present invention, the connecting portion provided between the printed wiring board and the wiring board joins the printed wiring board and the wiring board and forms one of the wirings of the printed wiring board. Section and the wiring layer of the wiring board are electrically connected. Therefore, by using a conductive adhesive, a solder ball, or the like as the connection portion, the connection between the printed wiring board and the wiring board, and the electrical connection between a part of the wiring of the printed wiring board and the wiring layer of the wiring board. Can be performed simultaneously. Therefore, the manufacturing cost can be reduced with a simple configuration.

【0019】導電性接着剤としては、例えば熱硬化性の
樹脂内に導電性の微小な粒子を分散させてシート状にし
た異方性導電シートや、ペースト状にした異方性導電ペ
ーストを用いることができる。また、はんだボールとし
ては、例えば鉛錫共晶はんだ、金錫共晶はんだ等の材料
を用いることができる。
As the conductive adhesive, for example, an anisotropic conductive sheet formed by dispersing fine conductive particles in a thermosetting resin to form a sheet or an anisotropic conductive paste formed into a paste is used. be able to. Further, as the solder ball, for example, a material such as a lead-tin eutectic solder or a gold-tin eutectic solder can be used.

【0020】本発明の請求項4記載の半導体パッケージ
の製造方法によると、半導体素子を搭載するための半導
体素子搭載部を有するプリント配線板に半導体素子と電
気的に接続される配線を形成し、電源層および/または
接地層となる配線層を配線基板に形成し、配線を形成し
たプリント配線板と、配線層を形成した配線基板とを接
合し、プリント配線板の配線の一部と配線基板の配線層
とを電気的に接続する。
According to the method of manufacturing a semiconductor package of the present invention, a wiring electrically connected to the semiconductor element is formed on a printed wiring board having a semiconductor element mounting portion for mounting the semiconductor element. A wiring layer serving as a power supply layer and / or a ground layer is formed on a wiring board, and the printed wiring board on which the wiring is formed and the wiring board on which the wiring layer is formed are joined to form a part of the wiring of the printed wiring board and the wiring board Is electrically connected to the wiring layer.

【0021】したがって、プリント配線板と配線基板と
を別々に作製し、その後両者を電気的および機械的に接
続することにより、設計の自由度が広がり、パッケージ
サイズを小さくすることができる。
Therefore, by separately manufacturing the printed wiring board and the wiring board and then electrically and mechanically connecting them, the degree of freedom of design is increased and the package size can be reduced.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、本発明の複数の実施例を図
面に基づいて説明する。 (第1実施例)フリップチップ構造の半導体素子を搭載
するようにした半導体パッケージに本発明を適用した第
1実施例について、図1〜図3を用いて説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a plurality of embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. (First Embodiment) A first embodiment in which the present invention is applied to a semiconductor package in which a semiconductor element having a flip-chip structure is mounted will be described with reference to FIGS.

【0023】図1に示すように、半導体パッケージ10
0は、プリント配線板としてのTABテープ10と、配
線基板としてのコア基板20と、接続部としてのはんだ
ボール30とから構成される。
As shown in FIG. 1, the semiconductor package 10
Numeral 0 is composed of a TAB tape 10 as a printed wiring board, a core substrate 20 as a wiring substrate, and a solder ball 30 as a connection.

【0024】TABテープ10は、例えばポリイミド樹
脂フィルム等の絶縁樹脂フィルムからなるテープキャリ
ア11に例えばCu箔からなる配線12を形成したもの
であり、図示しない半導体素子の電極パッドと電気的お
よび機械的に接続されるはんだバンプ13を有してい
る。このはんだバンプ13が設けられているTABテー
プ10の上面は半導体素子搭載部を構成している。配線
12は、はんだバンプ13を介して図示しない半導体素
子の信号配線等と電気的に接続されている。したがっ
て、半導体素子の信号配線等は配線12により取回され
ている。配線12の表面にははんだレジストとしてポリ
イミドコート14が施されており、配線12の露出部分
にNi、Au等のめっきが施されている。TABテープ
10の下面であって、コア基板20側の配線12に電極
部15が形成されている。
The TAB tape 10 is formed by forming a wiring 12 made of, for example, Cu foil on a tape carrier 11 made of, for example, an insulating resin film such as a polyimide resin film, and electrically and mechanically connecting electrode pads of a semiconductor element (not shown). Has a solder bump 13 connected to the substrate. The upper surface of the TAB tape 10 on which the solder bumps 13 are provided constitutes a semiconductor element mounting portion. The wiring 12 is electrically connected to a signal wiring of a semiconductor element (not shown) via a solder bump 13. Therefore, the signal wiring and the like of the semiconductor element are routed by the wiring 12. The surface of the wiring 12 is coated with a polyimide coat 14 as a solder resist, and the exposed portion of the wiring 12 is plated with Ni, Au, or the like. The electrode portion 15 is formed on the lower surface of the TAB tape 10 and on the wiring 12 on the core substrate 20 side.

【0025】コア基板20は、例えばBT等の絶縁層2
1と、配線層としてのCu等の配線層22とをエポキシ
樹脂等で積層した薄い積層板からなり、Cu等をめっき
したスルーホール23を有している。配線層22は、基
本的に電源層および接地層を構成するものであって、配
線層22の表面にははんだレジストとしてポリイミドコ
ート24が施されており、配線層22の露出部分にN
i、Au等のめっきが施されている。コア基板20の上
面であって、TABテープ側の配線層22に電極部25
が形成されており、コア基板20の下面であって、反T
ABテープ側の配線層22に電極部26が形成されてい
る。
The core substrate 20 is made of, for example, an insulating layer 2 such as BT.
1 and a wiring layer 22 made of Cu or the like as a wiring layer is formed of a thin laminated plate in which an epoxy resin or the like is laminated, and has a through hole 23 plated with Cu or the like. The wiring layer 22 basically constitutes a power supply layer and a ground layer. The surface of the wiring layer 22 is coated with a polyimide coat 24 as a solder resist.
The plating of i, Au, etc. is performed. The electrode section 25 is formed on the wiring layer 22 on the TAB tape side on the upper surface of the core substrate 20.
Are formed on the lower surface of the core substrate 20 and the anti-T
An electrode portion 26 is formed on the wiring layer 22 on the AB tape side.

【0026】TABテープ10とコア基板20との間に
ははんだボール30が設けられている。はんだボール3
0は、TABテープ10の電極部15の一部とコア基板
20の電極部25とを電気的および機械的に接続してい
る。したがって、はんだボール30は、TABテープ1
0とコア基板20とを接合しており、TABテープ10
の配線12の一部とコア基板20の配線層22とを電気
的に接続している。また、TABテープ10とコア基板
20との間にはエポキシ等の樹脂40が充填されてい
る。
A solder ball 30 is provided between the TAB tape 10 and the core substrate 20. Solder ball 3
Numeral 0 electrically and mechanically connects a part of the electrode portion 15 of the TAB tape 10 and the electrode portion 25 of the core substrate 20. Therefore, the solder ball 30 is the TAB tape 1
0 and the core substrate 20 and the TAB tape 10
Of the wiring 12 and the wiring layer 22 of the core substrate 20 are electrically connected. The space between the TAB tape 10 and the core substrate 20 is filled with a resin 40 such as epoxy.

【0027】上記の構成により、半導体素子の信号配線
は、基本的にTABテープ10の配線12により取回さ
れているが、信号配線の一部をコア基板20の配線層2
2により取回すことも可能である。そして、電極部25
を介して図示しないはんだボールや導電性接着剤等によ
りマザーボードとしての図示しないPCB(Print Circu
it Board) 等に接続可能としている。
According to the above configuration, the signal wiring of the semiconductor element is basically routed by the wiring 12 of the TAB tape 10, but a part of the signal wiring is formed by the wiring layer 2 of the core substrate 20.
It is also possible to handle by 2. And the electrode part 25
PCB (Print Circuit) (not shown) as a motherboard with solder balls or conductive adhesive (not shown)
it Board).

【0028】次に、図1に示す半導体パッケージ100
の製造方法について説明する。まず、TABテープ10
の作製方法について述べる。 (1) 図2(A)および(B)に示すように、ポリイミド
樹脂フィルム等の絶縁樹脂フィルムからなるテープキャ
リア111の両面にCu箔112を貼り合せたTABテ
ープ用フィルムを公知のフォトリソグラフ工程およびエ
ッチング工程に投入し、上面の不要なCu箔を除去す
る。
Next, the semiconductor package 100 shown in FIG.
A method of manufacturing the device will be described. First, TAB tape 10
Will be described. (1) As shown in FIGS. 2A and 2B, a TAB tape film in which a Cu foil 112 is bonded to both sides of a tape carrier 111 made of an insulating resin film such as a polyimide resin film is subjected to a known photolithography process. Then, the substrate is put into an etching step to remove unnecessary Cu foil on the upper surface.

【0029】(2) 図2(C)に示すように、上面の不要
なCu箔を除去したTABテープ用フィルムに穴部11
3を形成し、樹脂残さを除去してテープキャリア11を
作製する。
(2) As shown in FIG. 2C, a hole 11 is formed in the TAB tape film from which unnecessary Cu foil has been removed from the upper surface.
Then, the tape carrier 11 is manufactured by removing the resin residue.

【0030】(3) 図2(D)に示すように、テープキャ
リア11を作製したTABテープ用フィルムに無電解C
uめっき、電解Cuめっきを施してCuによる導通路1
14を形成する。
(3) As shown in FIG. 2 (D), the TAB tape film on which the tape carrier 11 was made was electroless C
Conductive path 1 made of Cu by applying u plating and electrolytic Cu plating
14 is formed.

【0031】(4) 図2(E)に示すように、導通路11
4を形成したTABテープ用フィルムを再びフォトリソ
グラフ工程およびエッチング工程に投入し、パターン形
成を行って配線12を形成する。
(4) As shown in FIG.
The TAB tape film on which 4 has been formed is again subjected to a photolithography step and an etching step, and a pattern is formed to form the wiring 12.

【0032】(5) 図2(F)および(G)に示すよう
に、配線12の表面にポリイミドコート14を施し、配
線12の露出部分にNi、Au等のめっきを施して下面
に電極部15を形成する。
(5) As shown in FIGS. 2F and 2G, the surface of the wiring 12 is coated with a polyimide coat 14, the exposed portion of the wiring 12 is plated with Ni, Au, or the like, and the electrode portion is formed on the lower surface. 15 are formed.

【0033】(6) 図2(H)に示すように、電極部15
を形成したTABテープ用フィルムの上面の穴部にはん
だバンプ13を設けることにより、TABテープ10が
作製される。
(6) As shown in FIG.
The TAB tape 10 is manufactured by providing the solder bumps 13 in the holes on the upper surface of the TAB tape film on which is formed.

【0034】次に、コア基板20の作製方法について述
べる。 (7) 図3に示すように、例えばBT等の絶縁層21と、
Cu等の配線層22とをエポキシ樹脂等で積層し、Cu
等のめっきを施したスルーホール23を形成し、配線層
22の表面にポリイミドコート24を施し、配線層22
の露出部分にNi、Au等のめっきを施すことにより電
極部25および26を形成してコア基板20を作製す
る。
Next, a method for manufacturing the core substrate 20 will be described. (7) As shown in FIG. 3, an insulating layer 21 such as BT
A wiring layer 22 of Cu or the like is laminated with an epoxy resin or the like, and Cu
The wiring layer 22 is coated with a polyimide coat 24 on the surface of the wiring layer 22.
The exposed portions are plated with Ni, Au, or the like to form the electrode portions 25 and 26, and the core substrate 20 is manufactured.

【0035】次に、上記の(1)〜(6)の工程で作製したT
ABテープ10と、上記の(7)の工程で作製したコア基
板20とを、図1に示すように、はんだボール30を用
いて接合する。このとき、はんだボール30は、TAB
テープ10の電極部15の一部とコア基板20の電極部
25とを電気的および機械的に接続している。したがっ
て、はんだボール30は、TABテープ10とコア基板
20とを接合しており、TABテープ10の配線12の
一部とコア基板20の配線層22とを電気的に接続して
いる。そして、TABテープ10とコア基板20との間
にエポキシ等の樹脂40を充填する。
Next, the T prepared in the above steps (1) to (6)
The AB tape 10 and the core substrate 20 manufactured in the above step (7) are joined using solder balls 30 as shown in FIG. At this time, the solder balls 30
A part of the electrode portion 15 of the tape 10 and the electrode portion 25 of the core substrate 20 are electrically and mechanically connected. Therefore, the solder ball 30 joins the TAB tape 10 and the core substrate 20, and electrically connects a part of the wiring 12 of the TAB tape 10 and the wiring layer 22 of the core substrate 20. Then, a resin 40 such as epoxy is filled between the TAB tape 10 and the core substrate 20.

【0036】このようにして作製された半導体パッケー
ジ100は、半導体素子をTABテープ10上に搭載
し、主としてTABテープ10の配線12で信号配線を
取回すようにしており、コア基板20の配線層22は、
基本的に電源層および接地層を構成している。したがっ
て、パッケージの構成を簡単なものとしており、これに
より、製造コストを低減することができる。
In the semiconductor package 100 manufactured as described above, the semiconductor elements are mounted on the TAB tape 10, and the signal wiring is mainly routed by the wiring 12 of the TAB tape 10. Layer 22 is
Basically, it constitutes a power supply layer and a ground layer. Therefore, the configuration of the package is simplified, and thereby the manufacturing cost can be reduced.

【0037】さらに、TABテープ10とコア基板20
とを別々に作製し、その後両者を電気的および機械的に
接続することにより、設計の自由度が広がり、パッケー
ジサイズを小さくすることができる。
Further, the TAB tape 10 and the core substrate 20
Are separately manufactured, and then both are electrically and mechanically connected, whereby the degree of freedom of design is expanded and the package size can be reduced.

【0038】さらにまた、TABテープ10の配線12
を高密度にすることができるので、入出力信号数の多い
半導体素子と多端子、狭ピッチで接続し、パッケージサ
イズを小型にすることができる。すなわち、半導体素子
の入出力信号数の増加に対応させるとともに、パッケー
ジサイズを小型にすることが可能である。さらには、パ
ッケージサイズの小型化に伴って信号配線長を短くする
ことができ、またTABテープ10においては配線材料
としてCu等を使用することができるため、信号配線を
低抵抗化および低インダクタンス化することができる。
これらは動作周波数の高周波化が進められている半導体
素子に対して特に有効である。
Further, the wiring 12 of the TAB tape 10
Can be connected to a semiconductor element having a large number of input / output signals at a large number of terminals and at a narrow pitch, and the package size can be reduced. That is, it is possible to cope with an increase in the number of input / output signals of the semiconductor element and to reduce the package size. Furthermore, the signal wiring length can be shortened as the package size is reduced, and Cu or the like can be used as the wiring material in the TAB tape 10, so that the signal wiring has low resistance and low inductance. can do.
These are particularly effective for semiconductor devices whose operating frequency is increasing.

【0039】以上説明した本発明の第1実施例において
は、高密度な半導体素子の搭載を可能とし、製造コスト
を低減するともに、半導体装置の設計の自由度が広くな
り、かつパッケージサイズを小さくすることができる。
In the first embodiment of the present invention described above, high-density semiconductor elements can be mounted, manufacturing costs can be reduced, the degree of freedom in designing a semiconductor device can be increased, and the package size can be reduced. can do.

【0040】上記第1実施例では、TABテープ10と
コア基板20とをはんだボール30を用いて接合した
が、本発明では、TABテープとコア基板とを導電性接
着剤を用いて接合してもよい。
In the first embodiment, the TAB tape 10 and the core substrate 20 are joined by using the solder balls 30, but in the present invention, the TAB tape and the core substrate are joined by using a conductive adhesive. Is also good.

【0041】また第1実施例では、BT等の絶縁層21
とCu等の配線層22とをエポキシ樹脂等で積層した積
層板をコア基板20に用いたが、本発明では、コア基板
はその材質および構成に限定されず、樹脂製フィルム等
を用いてもよい。
In the first embodiment, the insulating layer 21 such as BT is used.
And a wiring layer 22 made of Cu or the like, which is laminated with an epoxy resin or the like, is used for the core substrate 20. However, in the present invention, the core substrate is not limited to its material and configuration, and a resin film or the like Good.

【0042】(第2実施例)図2に示す第1実施例のT
ABテープ10の製造方法を変更した第2実施例につい
て、図4を用いて説明する。第1実施例と実質的に同一
部分に同一符号を付す。
(Second Embodiment) T of the first embodiment shown in FIG.
A second embodiment in which the method of manufacturing the AB tape 10 is changed will be described with reference to FIG. The substantially same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals.

【0043】第2実施例のTABテープの作製方法につ
いて述べる。 (1) 図4(A)および(B)に示すように、ポリイミド
樹脂フィルム等の絶縁樹脂フィルムからなるテープキャ
リア111の両面にCu箔112を貼り合せたTABテ
ープ用フィルムを公知のフォトリソグラフ工程およびエ
ッチング工程に投入し、パターン形成を行って配線62
を形成する。
A method of manufacturing the TAB tape of the second embodiment will be described. (1) As shown in FIGS. 4A and 4B, a TAB tape film in which a Cu foil 112 is bonded to both sides of a tape carrier 111 made of an insulating resin film such as a polyimide resin film is subjected to a known photolithography process. And an etching process, and a pattern is formed.
To form

【0044】(2) 図4(C)に示すように、配線62を
形成したTABテープ用フィルムに穴部163を形成
し、樹脂残さを除去してテープキャリア61を作製す
る。 (3) 図4(D)および(E)に示すように、配線62の
表面にポリイミドコート64を施し、配線62の露出部
分にNi、Au等のめっきを施して下面に電極部65を
形成する。
(2) As shown in FIG. 4C, a hole 163 is formed in the TAB tape film on which the wiring 62 has been formed, and the resin residue is removed to manufacture the tape carrier 61. (3) As shown in FIGS. 4D and 4E, the surface of the wiring 62 is coated with a polyimide coat 64, and the exposed portion of the wiring 62 is plated with Ni, Au or the like to form an electrode portion 65 on the lower surface. I do.

【0045】(4) 図4(F)に示すように、電極部65
を形成したTABテープ用フィルムの上面の穴部163
にはんだバンプ63を設けることにより、TABテープ
60が作製される。
(4) As shown in FIG.
Hole 163 on the upper surface of the TAB tape film in which
The TAB tape 60 is manufactured by providing the solder bumps 63 on the substrate.

【0046】上記の(1)〜(5)の工程で作製したTABテ
ープ60と、第1実施例の(7)の工程で作製したコア基
板とを導電性接着剤やはんだボール等を用いて接合し、
半導体パッケージを作製する。
The TAB tape 60 manufactured in the steps (1) to (5) and the core substrate manufactured in the step (7) of the first embodiment are connected to each other by using a conductive adhesive or a solder ball. Joined,
A semiconductor package is manufactured.

【0047】第2実施例においても、半導体素子をTA
Bテープ60上に搭載し、主としてTABテープ60の
配線62で信号配線を取回すようにしており、コア基板
の配線層は、基本的に電源層および接地層を構成してい
る。したがって、パッケージの構成を簡単なものとして
おり、これにより、製造コストを低減することができ
る。
Also in the second embodiment, the semiconductor element is TA
The signal wiring is mounted on the B tape 60 and the signal wiring is mainly routed by the wiring 62 of the TAB tape 60, and the wiring layer of the core substrate basically constitutes a power supply layer and a ground layer. Therefore, the configuration of the package is simplified, and thereby the manufacturing cost can be reduced.

【0048】さらに、TABテープ60とコア基板とを
別々に作製し、その後両者を電気的および機械的に接続
することにより、設計の自由度が広がり、パッケージサ
イズを小さくすることができる。
Further, by separately manufacturing the TAB tape 60 and the core substrate and then electrically and mechanically connecting them, the degree of freedom of design is increased and the package size can be reduced.

【0049】さらにまた、TABテープ60の配線62
を高密度にすることができるので、入出力信号数の多い
半導体素子と多端子、狭ピッチで接続し、パッケージサ
イズを小型にすることができる。
Further, the wiring 62 of the TAB tape 60
Can be connected to a semiconductor element having a large number of input / output signals at a large number of terminals and at a narrow pitch, and the package size can be reduced.

【0050】以上説明した本発明の複数の実施例では、
1層構造のTABテープを備えた半導体パッケージに本
発明を適用したが、複数層構造のTABテープを備えた
半導体パッケージに本発明を適用可能なことはいうまで
もない。
In the embodiments of the present invention described above,
Although the present invention is applied to a semiconductor package having a TAB tape having a single-layer structure, it is needless to say that the present invention can be applied to a semiconductor package having a TAB tape having a multi-layer structure.

【0051】上記複数の実施例では、フリップチップ構
造の半導体素子を搭載するようにした半導体パッケージ
に本発明を適用したが、半導体素子とTABテープとの
ボンディングは、フリップチップに限らず、ワイヤボン
ディングやTABで行うようにしてもよい。
In the above embodiments, the present invention is applied to a semiconductor package in which a semiconductor element having a flip-chip structure is mounted. However, the bonding between the semiconductor element and the TAB tape is not limited to the flip chip, but may be performed by wire bonding. Or TAB.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】フリップチップ構造の半導体素子を搭載するよ
うにした半導体パッケージに本発明を適用した第1実施
例を示す模式的断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a first embodiment in which the present invention is applied to a semiconductor package on which a semiconductor element having a flip-chip structure is mounted.

【図2】本発明の第1実施例による半導体パッケージの
製造方法を説明するためのものであって、TABテープ
を示す模式的断面図である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a method of manufacturing a semiconductor package according to a first embodiment of the present invention and showing a TAB tape;

【図3】本発明の第1実施例による半導体パッケージの
製造方法を説明するためのものであって、コア基板を示
す模式的断面図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining a method of manufacturing a semiconductor package according to a first embodiment of the present invention and illustrating a core substrate.

【図4】本発明の第2実施例による半導体パッケージの
製造方法を説明するためのものであって、TABテープ
を示す模式的断面図である。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a semiconductor package according to a second embodiment of the present invention and showing a TAB tape;

【図5】従来のビルドアップ基板を示す模式的断面図で
ある。
FIG. 5 is a schematic sectional view showing a conventional build-up substrate.

【符号の説明】 10 TABテープ(プリント配線板) 11 テープキャリア 12 配線 13 はんだバンプ 14 ポリイミドコート 15 電極部 20 コア基板(配線基板) 21 絶縁層 22 配線層 23 スルーホール 24 ポリイミドコート 25、26 電極部 30 はんだボール(接続部) 60 TABテープ(プリント配線板) 61 テープキャリア 62 配線 63 はんだバンプ 64 ポリイミドコート 65 電極部DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 TAB tape (printed wiring board) 11 Tape carrier 12 Wiring 13 Solder bump 14 Polyimide coat 15 Electrode part 20 Core substrate (Wiring board) 21 Insulation layer 22 Wiring layer 23 Through hole 24 Polyimide coat 25, 26 Electrode Part 30 Solder ball (connection part) 60 TAB tape (printed wiring board) 61 Tape carrier 62 Wiring 63 Solder bump 64 Polyimide coat 65 Electrode part

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体素子を搭載するための半導体素子
搭載部、ならびに前記半導体素子と電気的に接続される
配線を有するプリント配線板と、 前記プリント配線板の反半導体素子搭載側に設けられ、
電源層および/または接地層となる配線層を有する配線
基板と、 を備えることを特徴とする半導体パッケージ。
A semiconductor element mounting portion for mounting a semiconductor element, a printed wiring board having a wiring electrically connected to the semiconductor element, and a printed wiring board provided on an anti-semiconductor element mounting side of the printed wiring board;
A wiring board having a wiring layer serving as a power supply layer and / or a ground layer.
【請求項2】 前記プリント配線板は、絶縁性フィルム
を有するフィルム状基板であることを特徴とする請求項
1記載の半導体パッケージ。
2. The semiconductor package according to claim 1, wherein said printed wiring board is a film-like substrate having an insulating film.
【請求項3】 前記プリント配線板と前記配線基板との
間に設けられて前記プリント配線板と前記配線基板とを
接合し、前記プリント配線板の配線の一部と前記配線基
板の配線層とを電気的に接続する接続部を備えることを
特徴とする請求項1または2記載の半導体パッケージ。
3. The printed wiring board is provided between the printed wiring board and the wiring board to join the printed wiring board and the wiring board, and a part of wiring of the printed wiring board and a wiring layer of the wiring board are formed. 3. The semiconductor package according to claim 1, further comprising: a connecting portion that electrically connects the semiconductor package.
【請求項4】 半導体素子を搭載するための半導体素子
搭載部を有するプリント配線板に前記半導体素子と電気
的に接続される配線を形成する工程と、 電源層および/または接地層となる配線層を配線基板に
形成する工程と、 配線を形成したプリント配線板と、配線層を形成した配
線基板とを接合し、前記プリント配線板の配線の一部と
前記配線基板の配線層とを電気的に接続する工程と、 を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
4. A step of forming a wiring electrically connected to the semiconductor element on a printed wiring board having a semiconductor element mounting portion for mounting the semiconductor element, and a wiring layer serving as a power supply layer and / or a ground layer Forming the wiring on the wiring board, bonding the printed wiring board on which the wiring is formed, and the wiring board on which the wiring layer is formed, and electrically connecting a part of the wiring of the printed wiring board and the wiring layer of the wiring board. A method of manufacturing a semiconductor package, comprising the steps of:
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7217370B2 (en) 2001-09-05 2007-05-15 Hitachi Cable, Ltd. Wiring board and process for producing the same

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