JP2000260762A - Method and device for manufacturing semiconductor - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置及び
方法に係り、特に試料表面に薄膜を形成して半導体装置
を製造するベルト駆動型常圧ＣＶＤ装置と称する半導体
製造装置及びその装置を用いた製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and method, and more particularly, to a semiconductor manufacturing apparatus called a belt-driven atmospheric pressure CVD apparatus for manufacturing a semiconductor device by forming a thin film on a sample surface and using the apparatus. It relates to a manufacturing method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の半導体製造装置として、ベルト駆
動型常圧ＣＶＤ装置においては、半導体ウェハ表面に膜
厚均一性の高い薄膜を形成することが検討されている。
例えば、特開平８−２０３８３５号公報記載の半導体製
造装置では、図２（Ａ）の斜視図及び図２（Ｂ）の要部
上面図に示すように、高温に加熱した半導体ウェハＳを
プラテンＴａに載置した状態で、一定速度で回転しなが
ら搬送ベルトＢによって成膜領域に搬送し、反応ガス噴
射装置Ａから噴射される反応ガスに晒して、半導体ウェ
ハＳの表面に所望の薄膜を成膜する。2. Description of the Related Art As a conventional semiconductor manufacturing apparatus, in a belt-driven atmospheric pressure CVD apparatus, formation of a thin film having high uniformity of film thickness on the surface of a semiconductor wafer has been studied.
For example, in a semiconductor manufacturing apparatus described in JP-A-8-203835, as shown in a perspective view of FIG. 2A and a top view of a main part of FIG. The wafer is conveyed to the film formation region by the conveyor belt B while rotating at a constant speed while being mounted on the substrate, and is exposed to the reaction gas injected from the reaction gas injection device A to form a desired thin film on the surface of the semiconductor wafer S. Film.
【０００３】また、特開平３−６９１１４号公報には、
ウェハを搬送するベルトとこのベルト上のウェハにガス
を吹きつけるガス混合吹き出しヘッドとを備えた常圧Ｃ
ＶＤ装置において、ガス混合吹き出しヘッダとベルト上
のウェハとの平行度及び隙間距離を一定に保つためのセ
ンサと、このセンサからの測定信号に基づき平行度及び
隙間距離を設定値に調整する調整手段とを具備した構成
により、ウェハ上の薄膜の膜厚のばらつきを少なくしよ
うとした半導体製造装置が提案されている。[0003] Also, Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-69114 discloses that
Atmospheric pressure C equipped with a belt for transporting a wafer and a gas mixing blow head for blowing gas to the wafer on the belt
In the VD apparatus, a sensor for keeping constant the parallelism and the gap distance between the gas mixture blowing header and the wafer on the belt, and adjusting means for adjusting the parallelism and the gap distance to set values based on a measurement signal from the sensor. There has been proposed a semiconductor manufacturing apparatus which aims to reduce the variation in the thickness of a thin film on a wafer with a configuration having the above.
【０００４】更に、特開平８−１１１４０８号公報に
は、図３に示すように、放熱装置４０の円板状の放熱板
５が、反応ガス噴射装置３の下方の成膜領域内にある上
方の搬送ベルト２とヒータ本体４との間に設置されてい
て、放熱板５を複数枚、半導体ウェハ１の進行方向Ｘに
配列することにより、ヒータ本体４のみで半導体ウェハ
１を加熱した場合に比べて、ばらつきの少ない温度分布
を得るようにした半導体製造装置が提案されている。Japanese Patent Laid-Open Publication No. HEI 8-111408 discloses that, as shown in FIG. 3, a disc-shaped heat radiating plate 5 of a heat radiating device 40 is provided in an upper part of a film forming region below a reactive gas injection device 3. When the semiconductor wafer 1 is heated only by the heater body 4 by arranging a plurality of heat sinks 5 in the traveling direction X of the semiconductor wafer 1 There has been proposed a semiconductor manufacturing apparatus capable of obtaining a temperature distribution with less variation.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかるに、特開平８−
２０３８３５号公報記載の従来の半導体製造装置では、
半導体ウェハＳがプラテンＴａ上に、図２（Ｂ）に示し
たように、２枚１組で反応ガス噴射装置Ａの噴出口に平
行に配置されている（搬送ベルトＢの移動方向Ｘに対し
て直交方向に整列して配置されている）ので、反応ガス
噴出口から見た場合、搬送ベルトＢの移動によって半導
体ウェハＳが存在する場合と存在しない場合があるた
め、反応ガス噴射装置Ａの噴出口から噴出したガスに対
して、半導体ウェハＳ上の反応ガスの消費量が変動する
こととなり、このため均一な膜厚を半導体ウェハＳの表
面に成膜することが困難である。また、搬送ベルトＢ上
の半導体ウェハＳを回転させながら搬送するので、半導
体ウェハＳの回転のための機構が必要で装置が高価にな
るという問題もある。SUMMARY OF THE INVENTION However, Japanese Unexamined Patent Publication No.
In the conventional semiconductor manufacturing apparatus described in JP 203835A,
As shown in FIG. 2B, the semiconductor wafers S are arranged on the platen Ta in pairs and in parallel to the ejection port of the reaction gas ejection device A (with respect to the moving direction X of the transport belt B). When the semiconductor wafer S is viewed from the reactive gas injection port, the semiconductor wafer S may or may not be present due to the movement of the transport belt B. The consumption amount of the reactant gas on the semiconductor wafer S fluctuates with respect to the gas ejected from the ejection port. Therefore, it is difficult to form a uniform film thickness on the surface of the semiconductor wafer S. Further, since the semiconductor wafer S on the transport belt B is transported while being rotated, there is a problem that a mechanism for rotating the semiconductor wafer S is required and the apparatus becomes expensive.
【０００６】また、特開平３−６９１１４号公報記載の
従来の半導体製造装置では、半導体ウェハの表面に成膜
する薄膜の膜厚のばらつきを少なくすることを目的とし
ており、搬送ベルト上の半導体ウェハの配置により均一
な膜厚を半導体ウェハＳの表面に成膜することついての
言及は全くなく、また、センサ及びその測定信号に基づ
く調整手段を有するために装置が高価になるという問題
がある。A conventional semiconductor manufacturing apparatus described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-69114 aims to reduce the variation in the thickness of a thin film formed on the surface of a semiconductor wafer. There is no reference to forming a uniform film thickness on the surface of the semiconductor wafer S by the arrangement of the above, and there is a problem that the apparatus becomes expensive because of having a sensor and an adjusting means based on the measurement signal thereof.
【０００７】更に、特開平８−１１１４０８号公報記載
の従来の半導体装置では、半導体ウェハの搬送方向及び
それに直交する方向の各温度分布のばらつきを少なくす
ることを目的としており、このものも搬送ベルト上の半
導体ウェハの配置により均一な膜厚を半導体ウェハＳの
表面に成膜することの言及は全くない。A further object of the conventional semiconductor device described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-111408 is to reduce variations in temperature distribution in the direction of transport of a semiconductor wafer and in the direction orthogonal thereto. There is no mention of forming a uniform film thickness on the surface of the semiconductor wafer S by disposing the upper semiconductor wafer.
【０００８】本発明は以上の点に鑑みなされたもので、
搬送ベルト上の半導体ウェハの配置を工夫することによ
り均一な膜厚を半導体ウェハＳの表面に成膜し得る半導
体製造装置及び方法を提供することを目的とする。[0008] The present invention has been made in view of the above points,
It is an object of the present invention to provide a semiconductor manufacturing apparatus and method capable of forming a uniform film thickness on the surface of a semiconductor wafer S by devising the arrangement of the semiconductor wafer on a transport belt.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は反応ガス噴出装置の反応ガス噴出口に離間
した位置を、搬送ベルト上に載置された試料が搬送ベル
トにより搬送されていくときに、反応ガス噴出口から反
応ガスを試料の表面に噴出して、試料の表面に薄膜を形
成する半導体製造装置において、試料を搬送ベルトの搬
送方向に対して平行に複数列配置すると共に、反応ガス
噴出口の開口面積内に占める試料の占有面積が一定の範
囲内になるように、試料を搬送ベルトの搬送方向に直交
する方向に対して、互い違いに配置したことを特徴とす
る。In order to achieve the above object, according to the present invention, a sample placed on a transport belt is transported by a transport belt at a position separated from a reactive gas outlet of a reactive gas ejector. In a semiconductor manufacturing apparatus in which a reaction gas is ejected from a reaction gas ejection port to a surface of a sample to form a thin film on the surface of the sample, a plurality of samples are arranged in parallel to a conveyance direction of a conveyance belt. In addition, the sample is arranged alternately with respect to a direction orthogonal to the transport direction of the transport belt so that the area occupied by the sample in the opening area of the reaction gas outlet is within a certain range. .
【００１０】この発明では、反応ガス噴出口の開口面積
内に占める試料の占有面積が一定の範囲内になるよう
に、搬送ベルト上に試料を配置するようにしているた
め、反応ガス噴出口から噴出した反応ガスのうち、試料
上に堆積する反応ガスの量と搬送ベルト上に堆積する反
応ガスの量とを常に一定の範囲に保つことができる。In the present invention, the sample is arranged on the conveyor belt such that the area occupied by the sample in the opening area of the reaction gas outlet is within a certain range. Among the ejected reaction gases, the amount of the reaction gas deposited on the sample and the amount of the reaction gas deposited on the transport belt can be always kept within a certain range.
【００１１】また、本発明装置においては、反応ガス噴
出口の開口面積Ｋを、反応ガス噴出口の開口面積内に占
める試料の占有面積Ｗと、反応ガス噴出口の開口面積内
に占める搬送ベルトのみの部分の面積Ｖとの和にほぼ等
しいことを特徴とする。Further, in the apparatus of the present invention, the opening area K of the reaction gas outlet is defined by the area occupied by the sample occupying the opening area of the reaction gas outlet, and the conveying belt occupied by the opening area of the reaction gas outlet. It is substantially equal to the sum of the area V and the area V of only the portion.
【００１２】更に、本発明は、反応ガス噴出口の開口面
積内に占める試料の占有面積Ｗと、反応ガス噴出口の開
口面積内に占める搬送ベルトのみの部分の面積Ｖは、 ０．１＜Ｗ／Ｖ＜０．９ なる不等式を満足するように、試料が搬送ベルトに配置
されていることを特徴とする。Further, according to the present invention, the area occupied by the sample occupying the opening area of the reaction gas outlet and the area V of only the transport belt occupying the opening area of the reaction gas outlet are 0.1 <0.1. The sample is arranged on the transport belt so as to satisfy the inequality W / V <0.9.
【００１３】また、反応ガス噴出装置の反応ガス噴出口
は、搬送ベルトの搬送方向に対して複数個、所定間隔で
配置されており、各反応ガス噴出口の各開口面積は等し
く設定されていることを特徴とする。A plurality of reaction gas jets of the reaction gas jetting device are arranged at predetermined intervals in the conveying direction of the conveying belt, and the opening areas of the reaction gas jets are set to be equal. It is characterized by the following.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施の形態につ
いて図面と共に説明する。図１（Ａ）は本発明になる半
導体製造装置の一実施の形態の縦断側面図、同図（Ｂ）
は本発明になる半導体製造装置の一実施の形態の要部の
上面図を示す。同図（Ａ）において、試料としての半導
体ウェハ１１が搬送ベルト１２上に載置されて、矢印Ｘ
方向に搬送されると共に、この半導体ウェハ１１の上方
には反応ガス噴出装置１３が設けられ、搬送ベルト１２
の下方にはヒータ１４が設けられている。反応ガス噴出
装置１３は、ガス導入口１５より導入した反応ガスを、
一定間隔で矢印Ｘ方向に半値された、それぞれ同一開口
面積の反応ガス噴出口１６ａ、１６ｂ及び１６ｃよりそ
れぞれ噴出し、噴出後の反応ガスを排気口１７より排出
する構成である。Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1A is a vertical sectional side view of an embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, and FIG.
1 shows a top view of a main part of an embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention. In FIG. 1A, a semiconductor wafer 11 as a sample is placed on a transport belt 12 and
The semiconductor wafer 11 is provided with a reactive gas ejecting device 13 above the semiconductor wafer 11.
The heater 14 is provided below the heater. The reaction gas ejection device 13 converts the reaction gas introduced from the gas introduction port 15 into
Reaction gas outlets 16a, 16b, and 16c, each having the same opening area and being halved at regular intervals in the direction of the arrow X, are respectively ejected, and the ejected reaction gas is discharged from the exhaust port 17.
【００１５】本実施の形態では、半導体ウェハ１１は搬
送ベルト１２上、その搬送方向Ｘに対して図１（Ｂ）に
１１ａ、１１ｂで示すように、２列平行に固定配置され
ており、かつ、搬送方向Ｘに直交するＹ方向では、各反
応ガス噴出口１６ａ、１６ｂ、１６ｃの開口面積内に占
める半導体ウェハ１１（１１ａ、１１ｂ）の占有面積が
一定になるように互い違いに固定配置されている。In the present embodiment, the semiconductor wafers 11 are fixedly arranged on the transfer belt 12 in two rows parallel to the transfer direction X as shown by 11a and 11b in FIG. 1B. In the Y direction orthogonal to the transport direction X, the semiconductor wafers 11 (11a, 11b) are fixedly arranged alternately so that the area occupied by the semiconductor wafers 11 (11a, 11b) in the opening area of each of the reaction gas outlets 16a, 16b, 16c is constant. I have.
【００１６】ここで、上記の反応ガス噴出口１６ａ〜１
６ｃの各開口面積Ｋは、各反応ガス噴出口１６ａ〜１６
ｃの直下の離間した位置にある半導体ウェハ１１の面積
Ｗ（図１（Ｂ）中、ハッチングで示す部分）と、各反応
ガス噴出口１６ａ〜１６ｃの直下にある搬送ベルト１２
のみの部分の面積Ｖ（図１（Ｂ）中、破線で囲まれた矩
形の中のハッチング以外の部分）との和にほぼ等しく、
次式 Ｋ≒Ｗ＋Ｖ （１） が成立する。Here, the above-mentioned reaction gas outlets 16a to 16a-1
The opening area K of each of the reaction gas injection ports 16a to 16c
1C, the area W of the semiconductor wafer 11 at a separated position directly below (indicated by hatching in FIG. 1B) and the transport belt 12 immediately below each of the reaction gas outlets 16a to 16c.
And is substantially equal to the sum of the area V of the only part (the part other than the hatching in the rectangle surrounded by the broken line in FIG. 1B),
The following equation K ≒ W + V (1) holds.
【００１７】一方、反応ガスの成膜速度は半導体ウェハ
１１（１１ａ、１１ｂ）の表面上と搬送ベルト１２の表
面上で異なるため、反応ガス噴出口１６ａ〜１６ｃそれ
ぞれの開口面積Ｋに占める半導体ウェハ１１（１１ａ、
１１ｂ）の面積Ｗが大きくなると、半導体ウェハ１１
（１１ａ、１１ｂ）上で反応する単位面積当たりの反応
ガス量が減少するので、半導体ウェハ１１（１１ａ、１
１ｂ）上に形成させる薄膜の膜厚が薄くなる。On the other hand, since the deposition rate of the reactive gas is different on the surface of the semiconductor wafer 11 (11a, 11b) and on the surface of the conveyor belt 12, the semiconductor wafer occupies the opening area K of each of the reactive gas outlets 16a to 16c. 11 (11a,
11b), the area W increases.
Since the amount of reaction gas per unit area reacting on (11a, 11b) decreases, the semiconductor wafer 11 (11a, 11b)
1b) The thickness of the thin film formed thereon becomes thin.
【００１８】逆に、反応ガス噴出口１６ａ〜１６ｃそれ
ぞれの開口面積Ｋに占める搬送ベルト１２のみの部分の
面積Ｖが大きくなると、半導体ウェハ１１（１１ａ、１
１ｂ）で反応する単位面積当たりの反応ガス量が増加す
るので、半導体ウェハ１１（１１ａ、１１ｂ）上に形成
される薄膜の膜厚が厚くなる。以上より、この実施の形
態では、上記の反応ガス噴出口１６ａ〜１６ｃそれぞれ
の開口面積Ｋに占める半導体ウェハ１１（１１ａ、１１
ｂ）の面積Ｗと搬送ベルト１２のみの部分の面積Ｖの比
を、以下の不等式を満足するように設定している。Conversely, when the area V of only the conveyor belt 12 in the opening area K of each of the reaction gas outlets 16a to 16c increases, the semiconductor wafer 11 (11a, 1a
Since the amount of the reaction gas per unit area reacted in 1b) increases, the thickness of the thin film formed on the semiconductor wafer 11 (11a, 11b) increases. As described above, in the present embodiment, the semiconductor wafer 11 (11a, 11a, 11a, 11c) occupies the opening area K of each of the reaction gas outlets 16a to 16c.
The ratio between the area W of b) and the area V of only the conveyor belt 12 is set so as to satisfy the following inequality.
【００１９】 ０．１＜Ｗ／Ｖ＜０．９ （２） 次に、この実施の形態の動作について説明する。図１
（Ａ）及び（Ｂ）において、ヒータ１４により例えば４
００℃程度で加熱した状態で、半導体ウェハ１１を搬送
ベルト１２上、その搬送方向Ｘに対して図１（Ｂ）に１
１ａ、１１ｂで示すように、２列平行に配置し、かつ、
搬送方向Ｘに直交するＹ方向では、各反応ガス噴出口１
６ａ、１６ｂ、１６ｃの開口面積内に占める半導体ウェ
ハ１１の占有面積Ｗが一定になるように互い違いに配置
する。0.1 <W / V <0.9 (2) Next, the operation of this embodiment will be described. FIG.
In (A) and (B), for example, 4
In a state where the semiconductor wafer 11 is heated at about 00 ° C., the semiconductor wafer 11 is placed on the transfer belt 12 in the transfer direction X in FIG.
As shown by 1a and 11b, two rows are arranged in parallel, and
In the Y direction orthogonal to the transport direction X, each reaction gas jet 1
The semiconductor wafers 11 are alternately arranged so that the occupied area W of the semiconductor wafer 11 in the opening areas of 6a, 16b, and 16c is constant.
【００２０】続いて、この状態で搬送ベルト１２を図示
しない公知の手段により矢印Ｘ方向に搬送すると、半導
体ウェハ１１が反応ガス噴出装置１３のガス噴出口１６
ａ、１６ｂ、１６ｃの順にそれらガス噴出口１６ａ、１
６ｂ、１６ｃに近接離間した下方位置を一定速度で移動
していく。反応ガス噴出装置１３は、例えば酸化膜成長
時には、シラン（ＳｉＨ4）と酸素（Ｏ2）からなる反応
ガスをガス導入口１５から導入し、ガス噴出口１６ａ、
１６ｂ、１６ｃを通して、それらの直下に位置する半導
体ウェハ１１の表面に噴出する。これにより、半導体ウ
ェハ１１の表面に酸化膜が成膜される。Subsequently, in this state, when the transport belt 12 is transported in a direction indicated by an arrow X by a known means (not shown), the semiconductor wafer 11 is transferred to the gas outlet 16 of the reactive gas injector 13.
a, 16b, 16c in the order of the gas outlets 16a, 1
It moves at a constant speed in a lower position close to and away from 6b and 16c. For example, at the time of growing an oxide film, the reaction gas ejection device 13 introduces a reaction gas composed of silane (SiH 4 ) and oxygen (O 2 ) from the gas introduction port 15 and a gas ejection port 16 a.
Through 16b and 16c, it squirts onto the surface of the semiconductor wafer 11 located immediately below them. Thereby, an oxide film is formed on the surface of the semiconductor wafer 11.
【００２１】ここで、半導体ウェハ１１はガス噴出口１
６ａ、１６ｂ、１６ｃの直下を一定速度で移動するの
で、ガス噴出口１６ａ、１６ｂ、１６ｃから見た場合、
各反応ガス噴出口１６ａ、１６ｂ、１６ｃの開口面積内
に占める半導体ウェハ１１の占有面積Ｗと搬送ベルト１
２のみの部分の面積Ｖの割合が、搬送ベルト１２の移動
と共に時間的に常に変動することになる。その結果、半
導体ウェハ１１上に堆積した薄膜（ここでは、一例とし
て酸化膜）の膜厚は、搬送ベルト１２の搬送方向Ｘに沿
って、膜厚変動を受けることになる。Here, the semiconductor wafer 11 is connected to the gas ejection port 1.
6a, 16b, and 16c, which move at a constant speed just below, when viewed from the gas outlets 16a, 16b, and 16c,
The occupied area W of the semiconductor wafer 11 occupying the opening area of each reaction gas outlet 16a, 16b, 16c and the transport belt 1
The ratio of the area V of only the portion 2 always changes with time as the transport belt 12 moves. As a result, the thickness of the thin film (here, an oxide film as an example) deposited on the semiconductor wafer 11 undergoes a variation in the thickness along the transport direction X of the transport belt 12.
【００２２】しかし、この実施の形態では、前述したよ
うに、搬送ベルト１２上の半導体ウェハ１１（１１ａ、
１１ｂ）は、各反応ガス噴出口１６ａ、１６ｂ、１６ｃ
の開口面積内に占める半導体ウェハ１１の占有面積Ｗが
一定になるように配置されており、前記半導体ウェハ１
１（１１ａ、１１ｂ）の占有面積Ｗと搬送ベルト１２の
みの部分の面積Ｖとの比Ｗ／Ｖが一定範囲に保たれるの
で、噴出した反応ガスのうち半導体ウェハ１１（１１
ａ、１１ｂ）上に堆積する反応ガスの量と、搬送ベルト
１２上に堆積する反応ガスの量が常に一定の範囲に保た
れる。この結果、この実施の形態では、半導体ウェハ１
１（１１ａ、１１ｂ）の表面に膜厚均一性の高い薄膜を
形成することができる。However, in this embodiment, as described above, the semiconductor wafer 11 (11a, 11a,
11b) shows the respective reaction gas injection ports 16a, 16b, 16c
Are arranged so that the occupied area W of the semiconductor wafer 11 in the opening area of the semiconductor wafer 11 is constant.
Since the ratio W / V of the occupied area W of the first and second portions 11 (11a, 11b) to the area V of the portion of only the conveyor belt 12 is kept within a certain range, the semiconductor wafer 11 (11
a, 11b) The amount of the reactive gas deposited on the conveyor belt 12 and the amount of the reactive gas deposited on the conveyor belt 12 are always kept within a certain range. As a result, in this embodiment, the semiconductor wafer 1
1 (11a, 11b), it is possible to form a thin film having high film thickness uniformity.
【００２３】なお、本発明は上記の実施の形態に限定さ
れるものではなく、半導体ウェハ１１は搬送ベルト１２
の搬送方向Ｘに対して３列以上平行に配置してもよく、
また半導体ウェハ１１を公知の手段により回転しながら
搬送させるようにしてもよい。The present invention is not limited to the above embodiment, and the semiconductor wafer 11
May be arranged in parallel with three or more rows with respect to the transport direction X,
Further, the semiconductor wafer 11 may be conveyed while rotating by a known means.
【００２４】[0024]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
反応ガス噴出口の開口面積内に占める試料の占有面積が
一定の範囲内になるように、搬送ベルト上に試料を配置
することにより、反応ガス噴出口から噴出した反応ガス
のうち、試料上に堆積する反応ガスの量と搬送ベルト上
に堆積する反応ガスの量とを常に一定の範囲に保つよう
にしたため、一定速度で移動する搬送ベルト上の半導体
ウェハ等の試料の表面に成膜される薄膜の膜厚を均一に
することができる。As described above, according to the present invention,
By arranging the sample on the conveyor belt so that the area occupied by the sample in the opening area of the reaction gas outlet is within a certain range, the reaction gas ejected from the reaction gas outlet can be placed on the sample. Since the amount of the reactive gas deposited and the amount of the reactive gas deposited on the transport belt are always kept within a certain range, a film is formed on the surface of a sample such as a semiconductor wafer on the transport belt that moves at a constant speed. The thickness of the thin film can be made uniform.
【００２５】また、本発明によれば、搬送ベルト上の試
料は回転させることがなく、よって、回転のための各種
機構が不要であり、またセンサも一切不要であるので、
従来装置に比べて安価に構成することができる。Further, according to the present invention, the sample on the transport belt is not rotated, so that various mechanisms for rotation are unnecessary, and no sensor is required.
It can be configured at a lower cost than conventional devices.
【図１】本発明の一実施の形態の縦断面図及び要部平面
図である。FIG. 1 is a vertical sectional view and a main part plan view of an embodiment of the present invention.
【図２】従来装置の一例の斜視図及び要部平面図であ
る。FIG. 2 is a perspective view and a main part plan view of an example of a conventional device.
【図３】従来装置の他の例の概略構成図である。FIG. 3 is a schematic configuration diagram of another example of the conventional device.
１１、１１ａ、１１ｂ 半導体ウェハ １２ 搬送ベルト １３ 反応ガス噴出装置 １４ ヒータ １６ａ、１６ｂ、１６ｃ 反応ガス噴出口 11, 11a, 11b Semiconductor wafer 12 Conveying belt 13 Reaction gas ejection device 14 Heater 16a, 16b, 16c Reaction gas ejection port
─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成１２年３月２４日（２０００．３．２
４）[Submission date] March 24, 2000 (200.3.2.
4)
【手続補正１】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】請求項１[Correction target item name] Claim 1
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【手続補正２】[Procedure amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００９[Correction target item name] 0009
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は反応ガス噴出装置の反応ガス噴出口に離間
した位置を、搬送ベルト上に載置された試料が搬送ベル
トにより搬送されていくときに、反応ガス噴出口から反
応ガスを試料の表面に噴出して、試料の表面に薄膜を形
成する、ベルト駆動型常圧ＣＶＤ装置と称する半導体製
造装置において、試料を搬送ベルトの搬送方向に対して
平行に複数列配置すると共に、反応ガス噴出口の開口面
積内に占める試料の占有面積が一定の範囲内になるよう
に、試料を搬送ベルトの搬送方向に直交する方向に対し
て、互い違いに配置したことを特徴とする。In order to achieve the above object, according to the present invention, a sample placed on a transport belt is transported by a transport belt at a position separated from a reactive gas outlet of a reactive gas ejector. In a semiconductor manufacturing apparatus called a belt-driven atmospheric pressure CVD apparatus, in which a reaction gas is ejected from a reaction gas outlet to a surface of a sample to form a thin film on the surface of the sample, the sample is transported by a transport belt. A plurality of rows are arranged in parallel to the direction, and the sample is moved in a direction perpendicular to the transport direction of the transport belt so that the area occupied by the sample in the opening area of the reaction gas outlet is within a certain range. , Are arranged alternately.
【手続補正３】[Procedure amendment 3]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１４[Correction target item name] 0014
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施の形態につ
いて図面と共に説明する。図１（Ａ）は本発明になる半
導体製造装置の一実施の形態の縦断側面図、同図（Ｂ）
は本発明になる半導体製造装置の一実施の形態の要部の
上面図を示す。同図（Ａ）において、試料としての半導
体ウェハ１１が搬送ベルト１２上に載置されて、矢印Ｘ
方向に搬送されると共に、この半導体ウェハ１１の上方
には反応ガス噴出装置１３が設けられ、搬送ベルト１２
の下方にはヒータ１４が設けられている。反応ガス噴出
装置１３は、ガス導入口１５より導入した反応ガスを、
一定間隔で矢印Ｘ方向に配置された、それぞれ同一開口
面積の反応ガス噴出口１６ａ、１６ｂ及び１６ｃよりそ
れぞれ噴出し、噴出後の反応ガスを排気口１７より排出
する構成である。Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1A is a vertical sectional side view of an embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, and FIG.
1 shows a top view of a main part of an embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention. In FIG. 1A, a semiconductor wafer 11 as a sample is placed on a transport belt 12 and
The semiconductor wafer 11 is provided with a reactive gas ejecting device 13 above the semiconductor wafer 11.
The heater 14 is provided below the heater. The reaction gas ejection device 13 converts the reaction gas introduced from the gas introduction port 15 into
The configuration is such that the reaction gas outlets 16a, 16b, and 16c, which are arranged at regular intervals in the direction of the arrow X and have the same opening area, respectively, are ejected, and the ejected reaction gas is discharged from the exhaust port 17.
Claims (6)
間した位置を、搬送ベルト上に載置された試料が該搬送
ベルトにより搬送されていくときに、該反応ガス噴出口
から反応ガスを前記試料の表面に噴出して、該試料の表
面に薄膜を形成する半導体製造装置において、 前記試料を前記搬送ベルトの搬送方向に対して平行に複
数列配置すると共に、前記反応ガス噴出口の開口面積内
に占める前記試料の占有面積が一定の範囲内になるよう
に、該試料を該搬送ベルトの搬送方向に直交する方向に
対して、互い違いに配置したことを特徴とする半導体製
造装置。When a sample placed on a transport belt is transported by the transport belt, the reaction gas is discharged from the reactive gas outlet to a position separated from the reactive gas outlet of the reactive gas injector. In a semiconductor manufacturing apparatus for ejecting a thin film on the surface of the sample by spraying the sample on the surface of the sample, the sample is arranged in a plurality of rows in parallel with a transport direction of the transport belt, and an opening of the reactive gas outlet is provided. A semiconductor manufacturing apparatus, wherein the samples are alternately arranged in a direction perpendicular to the transport direction of the transport belt so that the area occupied by the sample in the area is within a certain range.
反応ガス噴出口の開口面積内に占める前記試料の占有面
積Ｗと、該反応ガス噴出口の開口面積内に占める前記搬
送ベルトのみの部分の面積Ｖとの和にほぼ等しいことを
特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。2. An opening area K of the reaction gas jet port is determined by only an occupied area W of the sample occupying the opening area of the reaction gas jet port and the transport belt occupying an opening area of the reaction gas jet port. 2. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the sum is substantially equal to the sum of the area V and the area V.
る前記試料の占有面積Ｗと、該反応ガス噴出口の開口面
積内に占める前記搬送ベルトのみの部分の面積Ｖは、 ０．１＜Ｗ／Ｖ＜０．９ なる不等式を満足するように、前記試料が前記搬送ベル
トに配置されていることを特徴とする請求項１又は２記
載の半導体製造装置。3. An area occupied by the sample occupying the opening area of the reaction gas jet port and an area V of only the transport belt occupying the opening area of the reaction gas jet port are 0.1 <0.1. 3. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the sample is arranged on the transport belt so as to satisfy an inequality W / V <0.9. 4.
は、前記搬送ベルトの搬送方向に対して複数個、所定間
隔で配置されており、各反応ガス噴出口の各開口面積は
等しく設定されていることを特徴とする請求項１記載の
半導体製造装置。4. A plurality of reaction gas jets of the reaction gas jetting device are arranged at a predetermined interval in a conveying direction of the conveyor belt, and the opening areas of the reaction gas jets are set to be equal. 2. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein:
間した位置を、搬送ベルト上に載置された試料が該搬送
ベルトにより搬送されていくときに、該反応ガス噴出口
から反応ガスを前記試料の表面に噴出して、該試料の表
面に薄膜を形成するベルト駆動型常圧ＣＶＤ装置を用い
た半導体製造方法において、 前記試料を前記搬送ベルトの搬送方向に対して平行に複
数列配置すると共に、前記反応ガス噴出口の開口面積内
に占める前記試料の占有面積が一定の範囲内になるよう
に、該試料を該搬送ベルトの搬送方向に直交する方向に
対して、互い違いに配置したことを特徴とする半導体製
造方法。5. A reaction gas ejection port of a reaction gas ejection device is separated from a reaction gas ejection port of a reaction gas ejection port when a sample placed on the conveyance belt is conveyed by the conveyance belt. In a semiconductor manufacturing method using a belt-driven normal-pressure CVD apparatus which jets onto a surface of the sample to form a thin film on the surface of the sample, a plurality of rows of the samples are arranged in parallel with a transport direction of the transport belt. At the same time, the samples are arranged alternately with respect to a direction perpendicular to the transport direction of the transport belt so that the occupied area of the sample occupying the opening area of the reaction gas outlet is within a certain range. A semiconductor manufacturing method characterized by the above-mentioned.
る前記試料の占有面積Ｗと、該反応ガス噴出口の開口面
積内に占める前記搬送ベルトのみの部分の面積Ｖは、 ０．１＜Ｗ／Ｖ＜０．９ なる不等式を満足するように、前記試料が前記搬送ベル
トに配置されていることを特徴とする請求項５記載の半
導体製造方法。6. The area occupied by the sample occupying the opening area of the reaction gas outlet and the area V of only the transport belt occupying the opening area of the reaction gas outlet are 0.1 <0.1. 6. The method according to claim 5, wherein the sample is arranged on the transport belt so as to satisfy an inequality of W / V <0.9.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11058156A JP3076326B1 (en) | 1999-03-05 | 1999-03-05 | Semiconductor manufacturing apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11058156A JP3076326B1 (en) | 1999-03-05 | 1999-03-05 | Semiconductor manufacturing apparatus and method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3076326B1 JP3076326B1 (en) | 2000-08-14 |
| JP2000260762A true JP2000260762A (en) | 2000-09-22 |
Family
ID=13076143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11058156A Expired - Lifetime JP3076326B1 (en) | 1999-03-05 | 1999-03-05 | Semiconductor manufacturing apparatus and method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3076326B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7077911B2 (en) * | 2003-03-03 | 2006-07-18 | Seiko Epson Corporation | MOCVD apparatus and MOCVD method |
-
1999
- 1999-03-05 JP JP11058156A patent/JP3076326B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7077911B2 (en) * | 2003-03-03 | 2006-07-18 | Seiko Epson Corporation | MOCVD apparatus and MOCVD method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3076326B1 (en) | 2000-08-14 |
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