JP2000258520A - 超電導体の冷却装置 - Google Patents
超電導体の冷却装置Info
- Publication number
- JP2000258520A JP2000258520A JP11063614A JP6361499A JP2000258520A JP 2000258520 A JP2000258520 A JP 2000258520A JP 11063614 A JP11063614 A JP 11063614A JP 6361499 A JP6361499 A JP 6361499A JP 2000258520 A JP2000258520 A JP 2000258520A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- container
- superconductor
- outer container
- window
- inner container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 82
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims abstract description 72
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 30
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 41
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 31
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 17
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 10
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 5
- 229920002430 Fibre-reinforced plastic Polymers 0.000 claims description 4
- 239000011151 fibre-reinforced plastic Substances 0.000 claims description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 52
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 49
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 abstract description 49
- 241000238366 Cephalopoda Species 0.000 abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 36
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 26
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 21
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 12
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 11
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 11
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 102100040287 GTP cyclohydrolase 1 feedback regulatory protein Human genes 0.000 description 3
- 101710185324 GTP cyclohydrolase 1 feedback regulatory protein Proteins 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空断熱式の超電導体の冷却装置において、
冷却性能により優れた超電導体の冷却装置を提供するこ
と。 【解決手段】 冷却装置1は、外容器2と、外容器2内
に配設される内容器3とを有している。内容器3の蓋部
37には、貫通孔21(内側部18及び第1孔部30)
と同軸の位置に貫通孔42が設けられており、この貫通
孔42に熱伝導体としてのサファイア棒43が貫通固定
されている。サファイア棒43の一方端(下方端)は、
内容器3の内部に位置して液体窒素4に接しており、そ
の他方端(上方端)は、第2容器部の内側部18の内周
部分を通った状態で、内容器3の外部でサファイア板3
3に対向する位置にまで延びて配設されている。サファ
イア棒43の他方端の取り付け面43aに超電導体とし
てのSQUID基板44が載置されて取り付けられてい
る。
冷却性能により優れた超電導体の冷却装置を提供するこ
と。 【解決手段】 冷却装置1は、外容器2と、外容器2内
に配設される内容器3とを有している。内容器3の蓋部
37には、貫通孔21(内側部18及び第1孔部30)
と同軸の位置に貫通孔42が設けられており、この貫通
孔42に熱伝導体としてのサファイア棒43が貫通固定
されている。サファイア棒43の一方端(下方端)は、
内容器3の内部に位置して液体窒素4に接しており、そ
の他方端(上方端)は、第2容器部の内側部18の内周
部分を通った状態で、内容器3の外部でサファイア板3
3に対向する位置にまで延びて配設されている。サファ
イア棒43の他方端の取り付け面43aに超電導体とし
てのSQUID基板44が載置されて取り付けられてい
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、超電導体の冷却装
置に関し、詳しくは真空断熱式の超電導体の冷却装置に
関する。
置に関し、詳しくは真空断熱式の超電導体の冷却装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】超電導体の冷却装置の従来技術として
は、T. S. Leeらにより、超電導量子干渉デバイス( Su
perconducting Quantum Interference Device;以下単
にSQUIDと云う)を超電導遷移温度以下に冷却する
真空断熱式の冷却装置が文献(Rev. Sci. Instrum. 67
(12) 1996 )に報告されている。図6は、この従来の超
電導体の冷却装置の構造を示す断面図である。
は、T. S. Leeらにより、超電導量子干渉デバイス( Su
perconducting Quantum Interference Device;以下単
にSQUIDと云う)を超電導遷移温度以下に冷却する
真空断熱式の冷却装置が文献(Rev. Sci. Instrum. 67
(12) 1996 )に報告されている。図6は、この従来の超
電導体の冷却装置の構造を示す断面図である。
【0003】この冷却装置50は、密閉容器としての筐
体を成す外容器51内に、密閉容器としての金属製の内
容器52が配設されて成っている。外容器51の上壁
は、その周方向に複数配置されたボルトで側壁に固定さ
れている。内容器52の内部には冷媒としての液体窒素
53が収納されており、この液体窒素53に熱伝導体と
しての冷却棒54の下端部が浸漬されている。冷却棒5
4は内容器52の上壁を貫通し、さらに外容器51の上
壁に穿設された孔部55を挿通して外容器51の外部に
突設されており、上端に超電導体としてのSQUIDチ
ップ56が設置されている。この冷却棒54は二分割さ
れ、その下端部側は熱膨張係数が内容器52と略同等の
銅製の棒から成り、これに連結された上端部側は熱膨張
係数が比較的小さいサファイア製の棒からなる。
体を成す外容器51内に、密閉容器としての金属製の内
容器52が配設されて成っている。外容器51の上壁
は、その周方向に複数配置されたボルトで側壁に固定さ
れている。内容器52の内部には冷媒としての液体窒素
53が収納されており、この液体窒素53に熱伝導体と
しての冷却棒54の下端部が浸漬されている。冷却棒5
4は内容器52の上壁を貫通し、さらに外容器51の上
壁に穿設された孔部55を挿通して外容器51の外部に
突設されており、上端に超電導体としてのSQUIDチ
ップ56が設置されている。この冷却棒54は二分割さ
れ、その下端部側は熱膨張係数が内容器52と略同等の
銅製の棒から成り、これに連結された上端部側は熱膨張
係数が比較的小さいサファイア製の棒からなる。
【0004】冷却棒54の上方には、冷却棒54の上端
部に被さるように、窓部57を有するカップ状部材58
が設置され、当該窓部57がSQUIDチップ56に対
向するように配設されている。このカップ状部材58の
開放端は、当該カップ状部材58の上下動を許容するベ
ローズ59を介して、外容器51上壁の上記孔部55の
周辺に結合されている。そして、外容器51、カップ状
部材58およびベローズ59で画成された内空間は略真
空に保持され真空断熱層60が形成されている。
部に被さるように、窓部57を有するカップ状部材58
が設置され、当該窓部57がSQUIDチップ56に対
向するように配設されている。このカップ状部材58の
開放端は、当該カップ状部材58の上下動を許容するベ
ローズ59を介して、外容器51上壁の上記孔部55の
周辺に結合されている。そして、外容器51、カップ状
部材58およびベローズ59で画成された内空間は略真
空に保持され真空断熱層60が形成されている。
【0005】SQUIDチップ56には、このSQUI
Dチップ56で得られる情報信号等を伝送するための配
線61が接続されており、この配線61は外容器51の
上記孔部55から一旦下方に導出され、外容器51の上
壁に穿設された導出孔62から上方の外部へ導出され
る。また、外容器51の上壁には、内容器52に液体窒
素53を供給するための供給管63が貫通配置され、内
容器52に接続されている。また、カップ状部材58
は、支持板65および支持アーム66を介して、当該カ
ップ状部材58の上下動を可能とする送りねじ67に螺
合される。この送りねじ67は、外容器51の上壁上面
に固定されている。
Dチップ56で得られる情報信号等を伝送するための配
線61が接続されており、この配線61は外容器51の
上記孔部55から一旦下方に導出され、外容器51の上
壁に穿設された導出孔62から上方の外部へ導出され
る。また、外容器51の上壁には、内容器52に液体窒
素53を供給するための供給管63が貫通配置され、内
容器52に接続されている。また、カップ状部材58
は、支持板65および支持アーム66を介して、当該カ
ップ状部材58の上下動を可能とする送りねじ67に螺
合される。この送りねじ67は、外容器51の上壁上面
に固定されている。
【0006】このように構成された従来の冷却装置50
では、内容器52に収納された液体窒素53により、冷
却棒54を介してSQUIDチップ56が冷却される。
また、冷却棒54およびSQUIDチップ56が、上記
真空断熱層60内に位置するので、外部との熱交換が遮
断されてSQUIDチップ56の冷却状態が保持され
る。そして、この状態で、カップ状部材58に設けられ
た窓部57の上方に被検体64が設置され、SQUID
チップ56による被検体64の磁気計測が実施される。
この時、上記送りねじ67を回転し、カップ状部材58
を上下に移動することで、SQUIDチップ56と窓部
57との間隔が最適な間隔にされて被検体64の測定感
度が高められる。
では、内容器52に収納された液体窒素53により、冷
却棒54を介してSQUIDチップ56が冷却される。
また、冷却棒54およびSQUIDチップ56が、上記
真空断熱層60内に位置するので、外部との熱交換が遮
断されてSQUIDチップ56の冷却状態が保持され
る。そして、この状態で、カップ状部材58に設けられ
た窓部57の上方に被検体64が設置され、SQUID
チップ56による被検体64の磁気計測が実施される。
この時、上記送りねじ67を回転し、カップ状部材58
を上下に移動することで、SQUIDチップ56と窓部
57との間隔が最適な間隔にされて被検体64の測定感
度が高められる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したよ
うな真空断熱式の超電導体の冷却装置において、冷却性
能により優れた超電導体の冷却装置を提供することを課
題としている。
うな真空断熱式の超電導体の冷却装置において、冷却性
能により優れた超電導体の冷却装置を提供することを課
題としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者らの調査研究の
結果、上述した従来技術の冷却装置に対して、以下のよ
うな事実を新たに見出した。
結果、上述した従来技術の冷却装置に対して、以下のよ
うな事実を新たに見出した。
【0009】(1)超電導体(SQUIDチップ56)
が、窓部を挟んで反対側に設けられている被検体の状態
を検知する際に、被検体等の外部からの輻射熱が窓部を
介して、超電導体に伝達される。これにより、超電導体
の温度が上昇し、超電導体の冷却効率が悪くなってしま
うことが判明した。
が、窓部を挟んで反対側に設けられている被検体の状態
を検知する際に、被検体等の外部からの輻射熱が窓部を
介して、超電導体に伝達される。これにより、超電導体
の温度が上昇し、超電導体の冷却効率が悪くなってしま
うことが判明した。
【0010】(2)熱伝導体(冷却棒54)が、内容器
を貫通する下端部側を銅とし、上端部側を非磁性で且つ
熱膨張係数が比較的小さいサファイアとされた二分割構
成とされている。しかしながら、このように異種部材を
連結する構成とすると、その連結部での熱伝導率が悪く
なり、超電導体の冷却効率が悪くなってしまうことも判
明した。
を貫通する下端部側を銅とし、上端部側を非磁性で且つ
熱膨張係数が比較的小さいサファイアとされた二分割構
成とされている。しかしながら、このように異種部材を
連結する構成とすると、その連結部での熱伝導率が悪く
なり、超電導体の冷却効率が悪くなってしまうことも判
明した。
【0011】上述した(1)の点を考慮し、請求項1に
記載の発明は、略密閉される内部空間を有し、窓部が設
けられた外容器と、外容器の内部空間内に配設され、冷
媒が収納される内容器と、内容器を貫通し、一方端が内
容器の内部に位置して冷媒に接すると共に他方端が窓部
に対向する位置に配設される熱伝導体と、熱伝導体の他
方端に取り付けられ、窓部を挟んで反対側に設けられる
被検体の状態を検知する超電導体と、を備え、外容器と
内容器とにより画成される空間が略真空に保持されて、
真空断熱層が形成され、窓部には、外容器外部からの輻
射熱の超電導体への伝達を抑制するための被覆層が形成
されていることを特徴としている。
記載の発明は、略密閉される内部空間を有し、窓部が設
けられた外容器と、外容器の内部空間内に配設され、冷
媒が収納される内容器と、内容器を貫通し、一方端が内
容器の内部に位置して冷媒に接すると共に他方端が窓部
に対向する位置に配設される熱伝導体と、熱伝導体の他
方端に取り付けられ、窓部を挟んで反対側に設けられる
被検体の状態を検知する超電導体と、を備え、外容器と
内容器とにより画成される空間が略真空に保持されて、
真空断熱層が形成され、窓部には、外容器外部からの輻
射熱の超電導体への伝達を抑制するための被覆層が形成
されていることを特徴としている。
【0012】このように構成された超電導体の冷却装置
によれば、窓部には、外容器外部からの輻射熱の超電導
体への伝達を抑制するための被覆層が形成されているの
で、超電導体が、窓部を挟んで反対側に設けられている
被検体の状態を検知する際等に、被検体等の外容器外部
からの輻射される熱が窓部を介して、超電導体に伝達さ
れるのが抑制される。これにより、外部からの輻射熱の
伝達に起因した超電導体の温度の上昇を抑制し、超電導
体の冷却効率を向上することができる。
によれば、窓部には、外容器外部からの輻射熱の超電導
体への伝達を抑制するための被覆層が形成されているの
で、超電導体が、窓部を挟んで反対側に設けられている
被検体の状態を検知する際等に、被検体等の外容器外部
からの輻射される熱が窓部を介して、超電導体に伝達さ
れるのが抑制される。これにより、外部からの輻射熱の
伝達に起因した超電導体の温度の上昇を抑制し、超電導
体の冷却効率を向上することができる。
【0013】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の発明において、窓部の所定位置は、被覆層が非形成と
されていることを特徴としている。この場合には、被覆
層が非形成とされている所定位置を介して、超電導体を
外部から観察することができる。
の発明において、窓部の所定位置は、被覆層が非形成と
されていることを特徴としている。この場合には、被覆
層が非形成とされている所定位置を介して、超電導体を
外部から観察することができる。
【0014】上述した(2)の点を考慮し、請求項3に
記載の発明は、略密閉される内部空間を有し、上面に窓
部が設けられた外容器と、外容器の内部空間内に配設さ
れる内容器と、内容器を貫通し、下方端が内容器の内部
に位置すると共に上方端が窓部に対向する位置に配設さ
れ、一つの部材からなる熱伝導体と、熱伝導体の上方端
の上面に載置される超電導体と、を備え、外容器と内容
器とにより画成される空間が略真空に保持されて、真空
断熱層が形成され、内容器の内部には、超電導体を冷却
するための冷媒が、熱伝導体の内容器の内部に位置する
部分と接するように収納されていることを特徴としてい
る。
記載の発明は、略密閉される内部空間を有し、上面に窓
部が設けられた外容器と、外容器の内部空間内に配設さ
れる内容器と、内容器を貫通し、下方端が内容器の内部
に位置すると共に上方端が窓部に対向する位置に配設さ
れ、一つの部材からなる熱伝導体と、熱伝導体の上方端
の上面に載置される超電導体と、を備え、外容器と内容
器とにより画成される空間が略真空に保持されて、真空
断熱層が形成され、内容器の内部には、超電導体を冷却
するための冷媒が、熱伝導体の内容器の内部に位置する
部分と接するように収納されていることを特徴としてい
る。
【0015】このように構成された超電導体の冷却装置
によれば、冷媒の熱を、内容器を貫通し、下方端が内容
器の内部に位置すると共に上方端が窓部に対向する位置
に配設され、一つの部材からなる熱伝導体を通して、熱
伝導体の上方端の上面に載置される超電導体に伝導して
いる。これにより、上述した従来技術の冷却装置が有す
るような、異種部材が連結された連結部を介することな
く、冷媒の熱を超電導体に伝達することができ、熱伝導
率の悪化を抑制し、超電導体の冷却効率を向上すること
ができる。
によれば、冷媒の熱を、内容器を貫通し、下方端が内容
器の内部に位置すると共に上方端が窓部に対向する位置
に配設され、一つの部材からなる熱伝導体を通して、熱
伝導体の上方端の上面に載置される超電導体に伝導して
いる。これにより、上述した従来技術の冷却装置が有す
るような、異種部材が連結された連結部を介することな
く、冷媒の熱を超電導体に伝達することができ、熱伝導
率の悪化を抑制し、超電導体の冷却効率を向上すること
ができる。
【0016】請求項4に記載の発明は、請求項3に記載
の発明において、外容器は、内部に内容器が配設される
第1外容器部と、第1外容器部の上方に位置し、窓部が
設けられる第2外容器部と、を備え、第2外容器部は、
外周面に雄ねじ部が設けられる筒状部分を有し、筒状部
分の内側に熱伝導体が位置する内側部と、内周面に雄ね
じ部に螺合する雌ねじ部が設けられる筒状部分を有する
外側部と、を備えており、内側部と外側部のいずれか一
方が、第1外容器部に固定されており、内側部と外側部
のいずれか他方が、窓部が設けられた上面部を有してい
ることを特徴としている。この場合には、第1外容器部
の上方に位置し、窓部が設けられる第2外容器部が、内
側部の雄ねじ部が外側部の雌ねじ部へ螺合して結合され
る構造とされる。これにより、両ねじ部の螺合位置を変
化させて、内側部と外側部のうち第1外容器部に固定さ
れるいずれか一方と、内側部と外側部のうち窓部が設け
られた上面部を有するいずれか他方との相対位置が自在
に調整され、超電導体と窓部との間隔が容易に調整され
る。従って、従来の部品点数が多く複雑な位置調整機構
が不要とされる。
の発明において、外容器は、内部に内容器が配設される
第1外容器部と、第1外容器部の上方に位置し、窓部が
設けられる第2外容器部と、を備え、第2外容器部は、
外周面に雄ねじ部が設けられる筒状部分を有し、筒状部
分の内側に熱伝導体が位置する内側部と、内周面に雄ね
じ部に螺合する雌ねじ部が設けられる筒状部分を有する
外側部と、を備えており、内側部と外側部のいずれか一
方が、第1外容器部に固定されており、内側部と外側部
のいずれか他方が、窓部が設けられた上面部を有してい
ることを特徴としている。この場合には、第1外容器部
の上方に位置し、窓部が設けられる第2外容器部が、内
側部の雄ねじ部が外側部の雌ねじ部へ螺合して結合され
る構造とされる。これにより、両ねじ部の螺合位置を変
化させて、内側部と外側部のうち第1外容器部に固定さ
れるいずれか一方と、内側部と外側部のうち窓部が設け
られた上面部を有するいずれか他方との相対位置が自在
に調整され、超電導体と窓部との間隔が容易に調整され
る。従って、従来の部品点数が多く複雑な位置調整機構
が不要とされる。
【0017】上述した(2)の点を考慮し、請求項5に
記載の発明は、略密閉される内部空間を有し、窓部が設
けられた外容器と、外容器の内部空間内に配設される内
容器と、内容器を貫通し、一方端が内容器の内部に位置
すると共に他方端が窓部に対向する位置に配設され、一
つの部材からなる熱伝導体と、熱伝導体の他方端に取り
付けられる超電導体と、を備え、外容器と内容器とによ
り画成される空間が略真空に保持されて、真空断熱層が
形成され、内容器の内部には、超電導体を冷却するため
の冷媒が、熱伝導体の内容器の内部に位置する部分と接
するように収納されていることを特徴としている。
記載の発明は、略密閉される内部空間を有し、窓部が設
けられた外容器と、外容器の内部空間内に配設される内
容器と、内容器を貫通し、一方端が内容器の内部に位置
すると共に他方端が窓部に対向する位置に配設され、一
つの部材からなる熱伝導体と、熱伝導体の他方端に取り
付けられる超電導体と、を備え、外容器と内容器とによ
り画成される空間が略真空に保持されて、真空断熱層が
形成され、内容器の内部には、超電導体を冷却するため
の冷媒が、熱伝導体の内容器の内部に位置する部分と接
するように収納されていることを特徴としている。
【0018】このように構成された超電導体の冷却装置
によれば、冷媒の熱を、内容器を貫通し、一方端が内容
器の内部に位置すると共に他方端が窓部に対向する位置
に配設され、一つの部材からなる熱伝導体を通して、熱
伝導体の他方端に取り付けられる超電導体に伝導してい
る。これにより、上述した従来技術の冷却装置が有する
ような、異種部材が連結された連結部を介することな
く、冷媒の熱を超電導体に伝達することができ、熱伝導
率の悪化を抑制し、超電導体の冷却効率を向上すること
ができる。
によれば、冷媒の熱を、内容器を貫通し、一方端が内容
器の内部に位置すると共に他方端が窓部に対向する位置
に配設され、一つの部材からなる熱伝導体を通して、熱
伝導体の他方端に取り付けられる超電導体に伝導してい
る。これにより、上述した従来技術の冷却装置が有する
ような、異種部材が連結された連結部を介することな
く、冷媒の熱を超電導体に伝達することができ、熱伝導
率の悪化を抑制し、超電導体の冷却効率を向上すること
ができる。
【0019】請求項6に記載の発明は、請求項5に記載
の発明において、外容器は、内部に内容器が配設される
第1外容器部と、窓部が設けられた第2外容器部と、を
備え、第2外容器部は、外周面に雄ねじ部が設けられる
筒状部分を有し、筒状部分の内側に熱伝導体が位置する
内側部と、内周面に雄ねじ部に螺合する雌ねじ部が設け
られる筒状部分を有する外側部と、を備えており、内側
部と外側部のいずれか一方が、第1外容器部に固定され
ており、内側部と外側部のいずれか他方が、窓部が設け
られた面部を有していることを特徴としている。この場
合には、窓部が設けられる第2外容器部が、内側部の雄
ねじ部が外側部の雌ねじ部へ螺合して結合される構造と
される。これにより、両ねじ部の螺合位置を変化させ
て、内側部と外側部のうち第1外容器部に固定されるい
ずれか一方と、内側部と外側部のうち窓部が設けられた
面部を有するいずれか他方との相対位置が自在に調整さ
れ、超電導体と窓部との間隔が容易に調整される。従っ
て、従来の部品点数が多く複雑な位置調整機構が不要と
される。
の発明において、外容器は、内部に内容器が配設される
第1外容器部と、窓部が設けられた第2外容器部と、を
備え、第2外容器部は、外周面に雄ねじ部が設けられる
筒状部分を有し、筒状部分の内側に熱伝導体が位置する
内側部と、内周面に雄ねじ部に螺合する雌ねじ部が設け
られる筒状部分を有する外側部と、を備えており、内側
部と外側部のいずれか一方が、第1外容器部に固定され
ており、内側部と外側部のいずれか他方が、窓部が設け
られた面部を有していることを特徴としている。この場
合には、窓部が設けられる第2外容器部が、内側部の雄
ねじ部が外側部の雌ねじ部へ螺合して結合される構造と
される。これにより、両ねじ部の螺合位置を変化させ
て、内側部と外側部のうち第1外容器部に固定されるい
ずれか一方と、内側部と外側部のうち窓部が設けられた
面部を有するいずれか他方との相対位置が自在に調整さ
れ、超電導体と窓部との間隔が容易に調整される。従っ
て、従来の部品点数が多く複雑な位置調整機構が不要と
される。
【0020】請求項7に記載の発明は、請求項3〜6に
記載の発明において、超電導体が、窓部を挟んで反対側
に設けられる被検体の状態を検知する検知手段であっ
て、前記窓部には、外容器外部からの輻射熱の超電導体
への伝達を抑制するための被覆層が形成されていること
を特徴としている。この場合には、窓部には、外容器外
部からの輻射熱の超電導体への伝達を抑制するための被
覆層が形成されているので、超電導体が、窓部を挟んで
反対側に設けられている被検体の状態を検知する際等
に、被検体等の外容器外部からの輻射される熱が窓部を
介して、超電導体に伝達されるのが抑制される。これに
より、外部からの輻射熱の伝達に起因した超電導体の温
度の上昇を抑制し、超電導体の冷却効率を向上すること
ができる。
記載の発明において、超電導体が、窓部を挟んで反対側
に設けられる被検体の状態を検知する検知手段であっ
て、前記窓部には、外容器外部からの輻射熱の超電導体
への伝達を抑制するための被覆層が形成されていること
を特徴としている。この場合には、窓部には、外容器外
部からの輻射熱の超電導体への伝達を抑制するための被
覆層が形成されているので、超電導体が、窓部を挟んで
反対側に設けられている被検体の状態を検知する際等
に、被検体等の外容器外部からの輻射される熱が窓部を
介して、超電導体に伝達されるのが抑制される。これに
より、外部からの輻射熱の伝達に起因した超電導体の温
度の上昇を抑制し、超電導体の冷却効率を向上すること
ができる。
【0021】請求項8に記載の発明は、請求項7に記載
の発明において、窓部の所定位置は、被覆層が非形成と
されていることを特徴としている。この場合には、被覆
層が非形成とされている所定位置を介して、超電導体を
外部から観察することができる。
の発明において、窓部の所定位置は、被覆層が非形成と
されていることを特徴としている。この場合には、被覆
層が非形成とされている所定位置を介して、超電導体を
外部から観察することができる。
【0022】請求項9に記載の発明は、請求項4又は6
に記載の発明において、超電導体には、当該超電導体に
て得られた情報を伝送する配線が接続され、第1外容器
部に固定される内側部と外側部のいずれか一方には、配
線を外部に導出する導出孔が形成されていることを特徴
としている。この場合には、超電導体に接続された配線
は、内側部と外側部のうち第1外容器部に固定されるい
ずれか一方に形成された導出孔を通して真空断熱層から
外部へと導出される。これにより、内側部と外側部とに
よる超電導体と窓部との間隔調整を可能とした構造にお
いて、配線の挿通作業を簡易に行うことができる。
に記載の発明において、超電導体には、当該超電導体に
て得られた情報を伝送する配線が接続され、第1外容器
部に固定される内側部と外側部のいずれか一方には、配
線を外部に導出する導出孔が形成されていることを特徴
としている。この場合には、超電導体に接続された配線
は、内側部と外側部のうち第1外容器部に固定されるい
ずれか一方に形成された導出孔を通して真空断熱層から
外部へと導出される。これにより、内側部と外側部とに
よる超電導体と窓部との間隔調整を可能とした構造にお
いて、配線の挿通作業を簡易に行うことができる。
【0023】請求項10に記載の発明は、請求項4、6
及び9のいずれか一項に記載の発明において、内側部と
外側部との間に配設され、両ねじ部の螺合部よりも真空
断熱層寄りの部分の内側部と外側部との両方に当接し
て、真空断熱層を封止する封止部材が備えられているこ
とを特徴としている。この場合には、上記の両ねじ部の
螺合部よりも真空断熱層寄りの部分において、真空断熱
層が封止される。これにより、この両ねじ部の螺合部か
らの真空漏れが有効に防止できる。
及び9のいずれか一項に記載の発明において、内側部と
外側部との間に配設され、両ねじ部の螺合部よりも真空
断熱層寄りの部分の内側部と外側部との両方に当接し
て、真空断熱層を封止する封止部材が備えられているこ
とを特徴としている。この場合には、上記の両ねじ部の
螺合部よりも真空断熱層寄りの部分において、真空断熱
層が封止される。これにより、この両ねじ部の螺合部か
らの真空漏れが有効に防止できる。
【0024】請求項11に記載の発明は、請求項3〜1
0のいずれか一項に記載の発明において、内容器と外容
器とは、内容器を外容器の内部空間内に配設するための
固定部材を介して接続されており、内容器の固定部材が
固定される位置の周囲に、内容器の壁部の一部が薄形化
された薄形部が設けられていることを特徴としている。
この場合には、内容器の固定部材が固定される位置の周
囲に、内容器の壁部の一部が薄形化された薄形部が設け
られているので、内容器から固定部材への熱伝達が抑制
される。これにより、冷媒の熱が固定部材を介して内容
器から外容器に伝導されるのを抑制でき、外容器が冷却
されることを抑制できる。
0のいずれか一項に記載の発明において、内容器と外容
器とは、内容器を外容器の内部空間内に配設するための
固定部材を介して接続されており、内容器の固定部材が
固定される位置の周囲に、内容器の壁部の一部が薄形化
された薄形部が設けられていることを特徴としている。
この場合には、内容器の固定部材が固定される位置の周
囲に、内容器の壁部の一部が薄形化された薄形部が設け
られているので、内容器から固定部材への熱伝達が抑制
される。これにより、冷媒の熱が固定部材を介して内容
器から外容器に伝導されるのを抑制でき、外容器が冷却
されることを抑制できる。
【0025】請求項12に記載の発明は、請求項3〜1
1のいずれか一項に記載の発明において、内容器が繊維
強化プラスチックからなることを特徴としている。この
場合には、繊維強化プラスチックはその熱伝導率が金属
よりも小さいという特性を有しているので、冷媒の熱が
内容器を伝導して外部へ散逸することが抑制される。ま
た、内容器の熱伝導率が小さいため、これに接する封止
部材の冷却が一層抑制される。さらに、繊維強化プラス
チックが非磁性という特性を有しているので、超電導体
によって磁気計測を行う場合に磁気的な悪影響を及ぼす
ことがない。
1のいずれか一項に記載の発明において、内容器が繊維
強化プラスチックからなることを特徴としている。この
場合には、繊維強化プラスチックはその熱伝導率が金属
よりも小さいという特性を有しているので、冷媒の熱が
内容器を伝導して外部へ散逸することが抑制される。ま
た、内容器の熱伝導率が小さいため、これに接する封止
部材の冷却が一層抑制される。さらに、繊維強化プラス
チックが非磁性という特性を有しているので、超電導体
によって磁気計測を行う場合に磁気的な悪影響を及ぼす
ことがない。
【0026】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【0027】図1は、本発明による超電導体の冷却装置
の一実施形態を示す概略上面図であり、図2は、図1の
II−II線に沿った概略断面図である。尚、図1において
は、窓部を取り外した状態を示している。冷却装置1
は、外容器2と、外容器2内に配設される内容器3とを
有している。
の一実施形態を示す概略上面図であり、図2は、図1の
II−II線に沿った概略断面図である。尚、図1において
は、窓部を取り外した状態を示している。冷却装置1
は、外容器2と、外容器2内に配設される内容器3とを
有している。
【0028】外容器2はガラス繊維強化プラスチック
( Glass Fiber Reinforced Plastics;以下単にGFR
Pと呼ぶ)で形成されており、第1外容器部11と第2
外容器部12を有している。第1外容器部11は、主
に、筒状の胴部13、板状の底部14及び蓋部15にて
構成されている。胴部13と底部14とは、一体成形さ
れている。胴部13と蓋部15とは、エポキシ樹脂を主
成分とする接着剤を用いて互いに固定されている。な
お、胴部13と底部14とを別体に形成し、エポキシ樹
脂を主成分とする接着剤を用いて、封止された状態で互
いに固定されるように構成することも可能である。ま
た、胴部13と蓋部15との固定部分の構造に関し、胴
部13の蓋部15側の端部に環状溝を設け、この環状溝
にフッ素樹脂からなるOリングを配設し、後述する真空
引きにより、蓋部15と胴部13を固定するように構成
することも可能である。
( Glass Fiber Reinforced Plastics;以下単にGFR
Pと呼ぶ)で形成されており、第1外容器部11と第2
外容器部12を有している。第1外容器部11は、主
に、筒状の胴部13、板状の底部14及び蓋部15にて
構成されている。胴部13と底部14とは、一体成形さ
れている。胴部13と蓋部15とは、エポキシ樹脂を主
成分とする接着剤を用いて互いに固定されている。な
お、胴部13と底部14とを別体に形成し、エポキシ樹
脂を主成分とする接着剤を用いて、封止された状態で互
いに固定されるように構成することも可能である。ま
た、胴部13と蓋部15との固定部分の構造に関し、胴
部13の蓋部15側の端部に環状溝を設け、この環状溝
にフッ素樹脂からなるOリングを配設し、後述する真空
引きにより、蓋部15と胴部13を固定するように構成
することも可能である。
【0029】第2外容器部12は、主に、筒状の内側部
18、外側部19及び蓋部20にて構成される。内側部
18は、第1外容器部11の蓋部15に対して一体成形
されている。従って、底部14、胴部13及び蓋部15
により画成される第1外容器2の内部空間は、貫通孔2
1を介して、第2外容器部12の内部空間(内側部18
の内側の空間部分)と通じるように構成される。なお、
内側部18を蓋部15と別体に形成し、内側部18の一
方の端部(下端部)と蓋部15とが、エポキシ樹脂を主
成分とする接着剤により、封止された状態で固定される
ように構成することも可能である。
18、外側部19及び蓋部20にて構成される。内側部
18は、第1外容器部11の蓋部15に対して一体成形
されている。従って、底部14、胴部13及び蓋部15
により画成される第1外容器2の内部空間は、貫通孔2
1を介して、第2外容器部12の内部空間(内側部18
の内側の空間部分)と通じるように構成される。なお、
内側部18を蓋部15と別体に形成し、内側部18の一
方の端部(下端部)と蓋部15とが、エポキシ樹脂を主
成分とする接着剤により、封止された状態で固定される
ように構成することも可能である。
【0030】内側部18には、第1外容器部11の蓋部
15に固定される一方の端部の近傍位置の外周面に、雄
ねじ部22が設けられている。外側部19の一方の端部
(下端部)の近傍位置の内周面には、雄ねじ部22に螺
合する雌ねじ部23が設けられている。内側部18の雄
ねじ部22が形成された位置よりも他方の端部(上端
部)寄りの部分において、内側部18の外周には、環状
溝24が設けられ、環状溝24には封止部材としてのフ
ッ素樹脂からなるOリング25が配設される。このOリ
ング25は外側部19の内周面に圧接される。なお、環
状溝24を複数形成し、各環状溝24にOリング25を
配設するように構成することも可能である。
15に固定される一方の端部の近傍位置の外周面に、雄
ねじ部22が設けられている。外側部19の一方の端部
(下端部)の近傍位置の内周面には、雄ねじ部22に螺
合する雌ねじ部23が設けられている。内側部18の雄
ねじ部22が形成された位置よりも他方の端部(上端
部)寄りの部分において、内側部18の外周には、環状
溝24が設けられ、環状溝24には封止部材としてのフ
ッ素樹脂からなるOリング25が配設される。このOリ
ング25は外側部19の内周面に圧接される。なお、環
状溝24を複数形成し、各環状溝24にOリング25を
配設するように構成することも可能である。
【0031】外側部19の他方の端部(上端部)には、
蓋部20が外側部19と一体形成されている。蓋部20
の略中央位置には、所定の径を有する第1孔部30が穿
設されている。また、蓋部20には、第1孔部30と略
同心軸の位置に、第1孔部30の径より小さい径を有す
る第2孔部31が、第1孔部30に連続して穿設されて
いる。なお、蓋部20と外側部19とを別体に形成し、
エポキシ樹脂を主成分とする接着剤により、封止された
状態で固定されるように構成することも可能である。蓋
部20と外側部19とを別体に形成し、固定する場合、
蓋部20に、外側部19の他方の端部(上端部)の端面
に当接する第1部分と、外側部19の他方の端部(上端
部)の内周面に対抗する外周面を有する第2部分とを設
けると共に、この第2部分の外側部19の他方の端部
(上端部)の内周面に対抗する外周面に環状溝を設け、
この環状溝にフッ素樹脂からなるOリングを配設させ
て、蓋部20と外側部19とを固定するように構成する
ことも可能である。
蓋部20が外側部19と一体形成されている。蓋部20
の略中央位置には、所定の径を有する第1孔部30が穿
設されている。また、蓋部20には、第1孔部30と略
同心軸の位置に、第1孔部30の径より小さい径を有す
る第2孔部31が、第1孔部30に連続して穿設されて
いる。なお、蓋部20と外側部19とを別体に形成し、
エポキシ樹脂を主成分とする接着剤により、封止された
状態で固定されるように構成することも可能である。蓋
部20と外側部19とを別体に形成し、固定する場合、
蓋部20に、外側部19の他方の端部(上端部)の端面
に当接する第1部分と、外側部19の他方の端部(上端
部)の内周面に対抗する外周面を有する第2部分とを設
けると共に、この第2部分の外側部19の他方の端部
(上端部)の内周面に対抗する外周面に環状溝を設け、
この環状溝にフッ素樹脂からなるOリングを配設させ
て、蓋部20と外側部19とを固定するように構成する
ことも可能である。
【0032】図2に示されるように、第1孔部30には
窓部としてのサファイア板33が外挿されている。サフ
ァイア板33は、蓋部20の第1孔部30と第2孔部3
1とで形成される段部34に対して、エポキシ樹脂を主
成分とする接着剤により、封止された状態で固定され
る。サファイア板33は、透磁性および透光性を有し、
平面視で略真円状に且つ略200μmの厚さに形成され
ている。また、サファイア板33は、サファイア板33
と段部34との間にOリングを介して、真空吸着させ
て、固定するように構成してもよい。
窓部としてのサファイア板33が外挿されている。サフ
ァイア板33は、蓋部20の第1孔部30と第2孔部3
1とで形成される段部34に対して、エポキシ樹脂を主
成分とする接着剤により、封止された状態で固定され
る。サファイア板33は、透磁性および透光性を有し、
平面視で略真円状に且つ略200μmの厚さに形成され
ている。また、サファイア板33は、サファイア板33
と段部34との間にOリングを介して、真空吸着させ
て、固定するように構成してもよい。
【0033】内容器3も、外容器2と同様にGFRPで
形成されており、筒状の胴部35、板状の底部36及び
蓋部37にて構成されている。胴部35と底部36とは
一体形成されている。胴部35と蓋部37とは、エポキ
シ樹脂を主成分とする接着剤を用いて、封止された状態
で互いに固定される。胴部35、底部36及び蓋部37
により画成される内部空間には、冷媒としての液体窒素
4が収納されている。液体窒素4は、図示しない液体窒
素供給源から液体窒素供給通路5を介して内容器3内に
供給される。また、液体窒素4から気化した窒素は、窒
素排出通路6を介して内容器3及び外容器2の外側に排
出される。内容器3の蓋部37及び第1外容器部11の
蓋部15には、液体窒素供給通路5及び窒素排出通路6
を通すための貫通孔7が設けられている。液体窒素供給
通路5及び窒素排出通路6とは、二重管構造となってお
り、内管と外管との間には発砲ウレタン49が挿入され
ている。なお、胴部35と底部36とを別体に形成し、
エポキシ樹脂を主成分とする接着剤により、封止された
状態で固定されるように構成することも可能である。
形成されており、筒状の胴部35、板状の底部36及び
蓋部37にて構成されている。胴部35と底部36とは
一体形成されている。胴部35と蓋部37とは、エポキ
シ樹脂を主成分とする接着剤を用いて、封止された状態
で互いに固定される。胴部35、底部36及び蓋部37
により画成される内部空間には、冷媒としての液体窒素
4が収納されている。液体窒素4は、図示しない液体窒
素供給源から液体窒素供給通路5を介して内容器3内に
供給される。また、液体窒素4から気化した窒素は、窒
素排出通路6を介して内容器3及び外容器2の外側に排
出される。内容器3の蓋部37及び第1外容器部11の
蓋部15には、液体窒素供給通路5及び窒素排出通路6
を通すための貫通孔7が設けられている。液体窒素供給
通路5及び窒素排出通路6とは、二重管構造となってお
り、内管と外管との間には発砲ウレタン49が挿入され
ている。なお、胴部35と底部36とを別体に形成し、
エポキシ樹脂を主成分とする接着剤により、封止された
状態で固定されるように構成することも可能である。
【0034】外容器2と内容器3とは、固定部材38を
介して固定される。固定部材38は、外容器2(第1外
容器部11)の蓋部15の内面(下面)と内容器3の蓋
部37の外面(上面)とに固定される。詳細には、外容
器2(第1外容器部11)の蓋部15の内面(下面)と
内容器3の蓋部37の外面(上面)との両者に形成され
た凹部に、固定部材38の端部が嵌合された状態で、エ
ポキシ樹脂を主成分とする接着剤を用いて固定される。
内容器3の蓋部37の凹部の周囲には、凹部を取り囲む
状態で溝部40が形成されており、この溝部40の形成
により、薄形部41が形成されることになる。
介して固定される。固定部材38は、外容器2(第1外
容器部11)の蓋部15の内面(下面)と内容器3の蓋
部37の外面(上面)とに固定される。詳細には、外容
器2(第1外容器部11)の蓋部15の内面(下面)と
内容器3の蓋部37の外面(上面)との両者に形成され
た凹部に、固定部材38の端部が嵌合された状態で、エ
ポキシ樹脂を主成分とする接着剤を用いて固定される。
内容器3の蓋部37の凹部の周囲には、凹部を取り囲む
状態で溝部40が形成されており、この溝部40の形成
により、薄形部41が形成されることになる。
【0035】また、内容器3の蓋部37には、貫通孔2
1(内側部18及び第1孔部30)と同軸の位置に貫通
孔42が設けられており、この貫通孔42に熱伝導体と
してのサファイア棒43が貫通固定されている。孔部は
エポキシ樹脂を主成分とする接着剤で封止されている。
サファイア棒43の一方端(下方端)は、内容器3の内
部に位置して液体窒素4に接しており、その他方端(上
方端)は、第2容器部の内側部18の内周部分を通った
状態で、内容器3の外部でサファイア板33に対向する
位置にまで延びて配設されている。サファイア棒43の
他方端の取り付け面43aに超電導体としてのSQUI
D基板44が載置されて取り付けられている。第2外容
器部12の蓋部20の上方近傍には、図2に示されるよ
うに、サファイア板33を挟んでSQUID基板44に
対向するように、SQUID基板44の測定対象である
被検体70が設置される。SQUID基板44は、平面
視で略正方形状の基板を有しており、基板の中心位置に
は、SQUIDの接合(磁気センサを実現するためのジ
ョセフソン接合部)が設けられている。
1(内側部18及び第1孔部30)と同軸の位置に貫通
孔42が設けられており、この貫通孔42に熱伝導体と
してのサファイア棒43が貫通固定されている。孔部は
エポキシ樹脂を主成分とする接着剤で封止されている。
サファイア棒43の一方端(下方端)は、内容器3の内
部に位置して液体窒素4に接しており、その他方端(上
方端)は、第2容器部の内側部18の内周部分を通った
状態で、内容器3の外部でサファイア板33に対向する
位置にまで延びて配設されている。サファイア棒43の
他方端の取り付け面43aに超電導体としてのSQUI
D基板44が載置されて取り付けられている。第2外容
器部12の蓋部20の上方近傍には、図2に示されるよ
うに、サファイア板33を挟んでSQUID基板44に
対向するように、SQUID基板44の測定対象である
被検体70が設置される。SQUID基板44は、平面
視で略正方形状の基板を有しており、基板の中心位置に
は、SQUIDの接合(磁気センサを実現するためのジ
ョセフソン接合部)が設けられている。
【0036】内側部18に外側部19を外挿し、両ねじ
部22,23が螺合された状態では、底部14、胴部1
3、蓋部15、内側部18、外側部19及び蓋部20
(サファイア板33)とにより画成される内部空間は、
実質的に密閉された状態となる。胴部13には、一端側
が図示しない真空ポンプに接続された真空引き通路8の
他端側が、胴部13内部(第1外容器部11内部)に開
口して接続されている。真空ポンプが作動し、真空引き
(減圧)が行われた状態では、底部14、胴部13、蓋
部15、内側部18、外側部19及び蓋部20(サファ
イア板33)とにより画成される内部空間は、実質的に
真空状態(大気圧よりも減圧された状態)が維持される
ことになる。これにより、外容器2と内容器3とにより
画成される空間は、実質的に真空(大気圧よりも減圧さ
れた状態)に保持されて真空断熱層9が形成されること
になる。
部22,23が螺合された状態では、底部14、胴部1
3、蓋部15、内側部18、外側部19及び蓋部20
(サファイア板33)とにより画成される内部空間は、
実質的に密閉された状態となる。胴部13には、一端側
が図示しない真空ポンプに接続された真空引き通路8の
他端側が、胴部13内部(第1外容器部11内部)に開
口して接続されている。真空ポンプが作動し、真空引き
(減圧)が行われた状態では、底部14、胴部13、蓋
部15、内側部18、外側部19及び蓋部20(サファ
イア板33)とにより画成される内部空間は、実質的に
真空状態(大気圧よりも減圧された状態)が維持される
ことになる。これにより、外容器2と内容器3とにより
画成される空間は、実質的に真空(大気圧よりも減圧さ
れた状態)に保持されて真空断熱層9が形成されること
になる。
【0037】SQUID基板44に接続され、SQUI
D基板44に加えるバイアス電流及び被検体70周辺の
情報信号を電圧として伝送する配線と、サファイア棒4
3に巻き付けられ、SQUID基板44に印加するバイ
アス磁場用の配線とにより構成される配線ユニット45
が設けられている。配線ユニット45は、第2外容器部
12の内側部18、詳細には、内側部18の雄ねじ部2
2と蓋部15に固定される一方の端部との間に、穿設さ
れた導出孔46を挿通して真空断熱層9内(内側部18
の内周部分)から外部に導出され、信号処理手段80等
に接続されている。また、導出孔46はエポキシ樹脂を
主成分とする接着剤47で封止され、真空断熱層9の略
真空が保持されている。
D基板44に加えるバイアス電流及び被検体70周辺の
情報信号を電圧として伝送する配線と、サファイア棒4
3に巻き付けられ、SQUID基板44に印加するバイ
アス磁場用の配線とにより構成される配線ユニット45
が設けられている。配線ユニット45は、第2外容器部
12の内側部18、詳細には、内側部18の雄ねじ部2
2と蓋部15に固定される一方の端部との間に、穿設さ
れた導出孔46を挿通して真空断熱層9内(内側部18
の内周部分)から外部に導出され、信号処理手段80等
に接続されている。また、導出孔46はエポキシ樹脂を
主成分とする接着剤47で封止され、真空断熱層9の略
真空が保持されている。
【0038】サファイア板33には、SQUID基板4
4側の面に、図3のハッチングにて示される領域に、被
覆層48が形成されている。被覆層48は、図4に示さ
れるように、サファイア板33上に銀が蒸着されること
りより形成される厚さ略0.15μmの第1被覆層48
aと、第1被覆層48a上に金が蒸着されることりより
形成される厚さ略0.15μmの第2被覆層48bとに
より構成されている。被覆層48(第1被覆層48a)
の材料として銀を用いたのは、図5に示されるように、
「低温工学ハンドブック(内田老鶴圃新社:昭和57年
9月15日発行)」に記載されたポリエステルフィルム
に蒸着した金属膜の厚さと放射率の関係から見ると、銀
の放射率が極めて低い値を示しているからであり、銀の
膜厚も上記の関係に基づいて略0.15μmに設定し
た。第2被覆層48bとして、金を被覆したのは、第1
被覆層48aとして用いた銀の酸化防止のためである。
なお、被覆層48(第1被覆層48a)として、上述し
た銀以外に、図5に示されるような、アルミニウム、銅
あるいは金をサファイア板33上に蒸着させるようにし
てもよい。また、被覆層48を形成するに際して、蒸着
以外の手法を用いてもよい。
4側の面に、図3のハッチングにて示される領域に、被
覆層48が形成されている。被覆層48は、図4に示さ
れるように、サファイア板33上に銀が蒸着されること
りより形成される厚さ略0.15μmの第1被覆層48
aと、第1被覆層48a上に金が蒸着されることりより
形成される厚さ略0.15μmの第2被覆層48bとに
より構成されている。被覆層48(第1被覆層48a)
の材料として銀を用いたのは、図5に示されるように、
「低温工学ハンドブック(内田老鶴圃新社:昭和57年
9月15日発行)」に記載されたポリエステルフィルム
に蒸着した金属膜の厚さと放射率の関係から見ると、銀
の放射率が極めて低い値を示しているからであり、銀の
膜厚も上記の関係に基づいて略0.15μmに設定し
た。第2被覆層48bとして、金を被覆したのは、第1
被覆層48aとして用いた銀の酸化防止のためである。
なお、被覆層48(第1被覆層48a)として、上述し
た銀以外に、図5に示されるような、アルミニウム、銅
あるいは金をサファイア板33上に蒸着させるようにし
てもよい。また、被覆層48を形成するに際して、蒸着
以外の手法を用いてもよい。
【0039】サファイア板33の中心位置近傍には、図
3に示されるように、略円形の被覆層48が非形成とさ
れた部分48cが設けられている。この被覆層48が非
形成とされた部分48cは、サファイア板33の中心位
置αから僅かにずれて設けられているが、これは、上述
したように、SQUID基板44の基板の中心位置にS
QUIDの接合(磁気センサを実現するためのジョセフ
ソン接合部)が設けられているため、この接合部に外部
からの輻射熱が伝達されるのを避けているからである。
また、被覆層48は、サファイア板33の周辺部分48
dにも形成されていない。サファイア板33の周辺部分
48dに被覆層48を形成しない理由は、サファイア板
33と蓋部20(段部34)との接着固定に際して、密
着性をより向上させるためである。略円形の被覆層48
の非形成部分48cから外周に向けて伸びる直線状の被
覆層48の非形成部分48eが存在するが、この直線状
の非形成部分48eは、略円形の非形成部分48cを設
けるためのマスク部を被覆層48の蒸着前にサファイア
板33に製作し、蒸着後このマスク部を取り除いて略円
形の非形成部分48cを形成する上で生じるものであ
る。
3に示されるように、略円形の被覆層48が非形成とさ
れた部分48cが設けられている。この被覆層48が非
形成とされた部分48cは、サファイア板33の中心位
置αから僅かにずれて設けられているが、これは、上述
したように、SQUID基板44の基板の中心位置にS
QUIDの接合(磁気センサを実現するためのジョセフ
ソン接合部)が設けられているため、この接合部に外部
からの輻射熱が伝達されるのを避けているからである。
また、被覆層48は、サファイア板33の周辺部分48
dにも形成されていない。サファイア板33の周辺部分
48dに被覆層48を形成しない理由は、サファイア板
33と蓋部20(段部34)との接着固定に際して、密
着性をより向上させるためである。略円形の被覆層48
の非形成部分48cから外周に向けて伸びる直線状の被
覆層48の非形成部分48eが存在するが、この直線状
の非形成部分48eは、略円形の非形成部分48cを設
けるためのマスク部を被覆層48の蒸着前にサファイア
板33に製作し、蒸着後このマスク部を取り除いて略円
形の非形成部分48cを形成する上で生じるものであ
る。
【0040】図2に示されるように、内容器3の周囲に
は、吸着用活性炭層90(紙状)と輻射熱を反射するた
めのスーパーインシュレーション層100が設けられて
いる。スーパーインシュレーション層100は、一方の
面にアルミニウム蒸着膜が形成され、他方の面に紙等の
繊維質材料からなる膜(層)が形成されたポリエステル
樹脂フィルムが多層に重ねられて構成されている。ま
た、スーパーインシュレーション層100は、サファイ
ア棒43の内容器3から外側に出ている部分にも設けら
れている。吸着用活性炭層90は、活性炭粒子を通気性
を有する袋部材に入れ、この袋部材を内容器3の周囲に
巻くように構成しても良い。
は、吸着用活性炭層90(紙状)と輻射熱を反射するた
めのスーパーインシュレーション層100が設けられて
いる。スーパーインシュレーション層100は、一方の
面にアルミニウム蒸着膜が形成され、他方の面に紙等の
繊維質材料からなる膜(層)が形成されたポリエステル
樹脂フィルムが多層に重ねられて構成されている。ま
た、スーパーインシュレーション層100は、サファイ
ア棒43の内容器3から外側に出ている部分にも設けら
れている。吸着用活性炭層90は、活性炭粒子を通気性
を有する袋部材に入れ、この袋部材を内容器3の周囲に
巻くように構成しても良い。
【0041】このように構成された冷却装置1では、S
QUID基板44は、サファイア棒43を介して内容器
3に収納された液体窒素4により、液体窒素温度(約7
7K)付近まで冷却され、動作可能になる。また、液体
窒素4の熱を伝導するサファイア棒43の他方端とSQ
UID基板44とは真空断熱層9内に位置しており、外
部との熱交換が遮断されるので、SQUID基板44は
冷却状態に保持されてその安定な動作が保証される。
QUID基板44は、サファイア棒43を介して内容器
3に収納された液体窒素4により、液体窒素温度(約7
7K)付近まで冷却され、動作可能になる。また、液体
窒素4の熱を伝導するサファイア棒43の他方端とSQ
UID基板44とは真空断熱層9内に位置しており、外
部との熱交換が遮断されるので、SQUID基板44は
冷却状態に保持されてその安定な動作が保証される。
【0042】液体窒素4の熱を、内容器3を貫通し、一
方端(下方端)が内容器3の内部に位置すると共に他方
端(上方端)がサファイア板33に対向する位置に配設
され、一つの部材からなるサファイア棒43を通して、
サファイア棒43の他方端(上方端)の取り付け面43
a(上面)に取り付けられるSQUID基板44に伝導
している。これにより、上述した従来技術の冷却装置が
有するような、異種部材が連結された連結部を介するこ
となく、冷媒の熱をSQUID基板44に伝達すること
ができ、熱伝導率の悪化を抑制し、SQUID基板44
の冷却効率を向上することができる。
方端(下方端)が内容器3の内部に位置すると共に他方
端(上方端)がサファイア板33に対向する位置に配設
され、一つの部材からなるサファイア棒43を通して、
サファイア棒43の他方端(上方端)の取り付け面43
a(上面)に取り付けられるSQUID基板44に伝導
している。これにより、上述した従来技術の冷却装置が
有するような、異種部材が連結された連結部を介するこ
となく、冷媒の熱をSQUID基板44に伝達すること
ができ、熱伝導率の悪化を抑制し、SQUID基板44
の冷却効率を向上することができる。
【0043】また、サファイア板33には、外容器2外
部からの輻射熱のSQUID基板44への伝達を抑制す
るための被覆層48が形成されているので、SQUID
基板44が、サファイア板33を挟んで反対側に設けら
れている被検体70の状態を検知する際等に、被検体7
0等の外容器2外部からの輻射される熱がサファイア板
33を介して、SQUID基板44に伝達されるのが抑
制される。これにより、外部からの輻射熱の伝達に起因
したSQUID基板44の温度の上昇を抑制し、SQU
ID基板44の冷却効率を向上することができる。
部からの輻射熱のSQUID基板44への伝達を抑制す
るための被覆層48が形成されているので、SQUID
基板44が、サファイア板33を挟んで反対側に設けら
れている被検体70の状態を検知する際等に、被検体7
0等の外容器2外部からの輻射される熱がサファイア板
33を介して、SQUID基板44に伝達されるのが抑
制される。これにより、外部からの輻射熱の伝達に起因
したSQUID基板44の温度の上昇を抑制し、SQU
ID基板44の冷却効率を向上することができる。
【0044】更に、第2外容器部12、すなわち、内側
部18と外側部19とが、内側部18の雄ねじ部22が
外側部19の雌ねじ部23へ螺合して結合される構造と
される。これにより、両ねじ部22,23の螺合位置を
変化させて、第1外容器部11に固定される内側部18
と、サファイア板33が設けられる蓋部20が固定され
る外側部19との相対位置が自在に調整され、SQUI
D基板44とサファイア板33との間隔が容易に調整さ
れる。従って、SQUID基板44とサファイア板33
との間隔が最適な間隔にされて被検体70の測定感度が
高められる。例えば、外側部19の内側部18へのねじ
込み量を大きくすることにより、SQUID基板44を
サファイア板33に近接させ、SQUID基板44から
被検体70までの距離を1mm以下として非常に高感度
な計測を可能にした。このように、両ねじ部22,23
の螺合位置を変化させて、SQUID基板44とサファ
イア板33との間隔を調整するので、従来の部品点数が
多く複雑な位置調整機構を必要としない。その結果、冷
却装置1を安価に構成することも可能となる。
部18と外側部19とが、内側部18の雄ねじ部22が
外側部19の雌ねじ部23へ螺合して結合される構造と
される。これにより、両ねじ部22,23の螺合位置を
変化させて、第1外容器部11に固定される内側部18
と、サファイア板33が設けられる蓋部20が固定され
る外側部19との相対位置が自在に調整され、SQUI
D基板44とサファイア板33との間隔が容易に調整さ
れる。従って、SQUID基板44とサファイア板33
との間隔が最適な間隔にされて被検体70の測定感度が
高められる。例えば、外側部19の内側部18へのねじ
込み量を大きくすることにより、SQUID基板44を
サファイア板33に近接させ、SQUID基板44から
被検体70までの距離を1mm以下として非常に高感度
な計測を可能にした。このように、両ねじ部22,23
の螺合位置を変化させて、SQUID基板44とサファ
イア板33との間隔を調整するので、従来の部品点数が
多く複雑な位置調整機構を必要としない。その結果、冷
却装置1を安価に構成することも可能となる。
【0045】更に、サファイア板33には被覆層48の
非形成部分48cが設けられており、この被覆層48の
非形成部分48cを介して、SQUID基板44を外部
から観察することができる。この被覆層48の非形成部
分48cは、SQUID基板44の基板の中心位置に設
けられたSQUIDの接合(磁気センサを実現するため
のジョセフソン接合部)に外部からの輻射熱が伝達され
るのを避けるために、サファイア板33の中心位置から
離れた位置に設けられている。従って、被覆層48の非
形成部分48cを設けた場合でも、外部からの輻射熱の
伝達に起因したSQUID基板44、特にSQUIDの
接合の温度上昇を抑制し、SQUID基板44の冷却効
率の低下を抑制することができる。
非形成部分48cが設けられており、この被覆層48の
非形成部分48cを介して、SQUID基板44を外部
から観察することができる。この被覆層48の非形成部
分48cは、SQUID基板44の基板の中心位置に設
けられたSQUIDの接合(磁気センサを実現するため
のジョセフソン接合部)に外部からの輻射熱が伝達され
るのを避けるために、サファイア板33の中心位置から
離れた位置に設けられている。従って、被覆層48の非
形成部分48cを設けた場合でも、外部からの輻射熱の
伝達に起因したSQUID基板44、特にSQUIDの
接合の温度上昇を抑制し、SQUID基板44の冷却効
率の低下を抑制することができる。
【0046】更に、SQUID基板44に接続された配
線ユニット45は、第1外容器部11に固定される内側
部18に穿設された導出孔46を通して真空断熱層9か
ら外部へと導出されるので、内側部18と外側部19と
によるSQUID基板44とサファイア板33との間隔
調整を可能とした構造において、配線ユニット45の挿
通作業を簡易に行うことができる。また、配線ユニット
45を外部に導出するのに1つの導出孔46を同一方向
に通せばよく、2つの導出孔46を往復方向に通す従来
に比して配線ユニット45の挿通作業を簡易にすること
ができ、作業性を一層向上できる。
線ユニット45は、第1外容器部11に固定される内側
部18に穿設された導出孔46を通して真空断熱層9か
ら外部へと導出されるので、内側部18と外側部19と
によるSQUID基板44とサファイア板33との間隔
調整を可能とした構造において、配線ユニット45の挿
通作業を簡易に行うことができる。また、配線ユニット
45を外部に導出するのに1つの導出孔46を同一方向
に通せばよく、2つの導出孔46を往復方向に通す従来
に比して配線ユニット45の挿通作業を簡易にすること
ができ、作業性を一層向上できる。
【0047】更に、両ねじ部22,23の螺合部よりも
真空断熱層9寄りの部分において、Oリングによって真
空断熱層9を封止するので、この両ねじ部22,23の
螺合部からの真空漏れを防止することができ、真空断熱
層9の略真空を一層保持してSQUID基板44の冷却
状態を一層安定に維持できる。
真空断熱層9寄りの部分において、Oリングによって真
空断熱層9を封止するので、この両ねじ部22,23の
螺合部からの真空漏れを防止することができ、真空断熱
層9の略真空を一層保持してSQUID基板44の冷却
状態を一層安定に維持できる。
【0048】更に、内容器3の蓋部37の固定部材38
が固定される部分(凹部)の周囲には、固定部材38が
固定される部分(凹部)を取り囲む状態で溝部40が形
成されており、この溝部40により薄形部41が形成さ
れることになる。この薄形部41により、内容器3から
固定部材38への熱伝達が抑制され、液体窒素4の熱が
固定部材38を介して内容器3から外容器2に伝導され
るのを抑制でき、外容器2が冷却されることを抑制でき
る。
が固定される部分(凹部)の周囲には、固定部材38が
固定される部分(凹部)を取り囲む状態で溝部40が形
成されており、この溝部40により薄形部41が形成さ
れることになる。この薄形部41により、内容器3から
固定部材38への熱伝達が抑制され、液体窒素4の熱が
固定部材38を介して内容器3から外容器2に伝導され
るのを抑制でき、外容器2が冷却されることを抑制でき
る。
【0049】更に、内容器3は熱伝導率が金属よりも小
さいGFRPで形成されているので、液体窒素4の熱が
内容器3を伝導して外部へ散逸することを抑制でき、液
体窒素4の保持性能が向上し、SQUID基板44の冷
却状態をさらに一層安定に維持できる。
さいGFRPで形成されているので、液体窒素4の熱が
内容器3を伝導して外部へ散逸することを抑制でき、液
体窒素4の保持性能が向上し、SQUID基板44の冷
却状態をさらに一層安定に維持できる。
【0050】なお、上述した実施形態においては、内側
部18が第1外容器部11に固定され、外側部19にサ
ファイア板33が設けられる蓋部20が固定される構成
となっているが、これに限られることなく、外側部19
が第1外容器部11に固定され、内側部18にサファイ
ア板33が設けられる蓋部20が固定される構成として
もよい。この場合には、配線ユニット45を真空断熱層
9から外部へと導出ための導出孔46は、外側部19に
設けられることになる。
部18が第1外容器部11に固定され、外側部19にサ
ファイア板33が設けられる蓋部20が固定される構成
となっているが、これに限られることなく、外側部19
が第1外容器部11に固定され、内側部18にサファイ
ア板33が設けられる蓋部20が固定される構成として
もよい。この場合には、配線ユニット45を真空断熱層
9から外部へと導出ための導出孔46は、外側部19に
設けられることになる。
【0051】また、本実施形態においては、図2にも示
されるように、SQUID基板44(冷却装置1)の上
方に設けられる被検体の状態を検出するように構成され
ているが、被検体がSQUID基板44(冷却装置1)
の下方に設けられるような構成のものにおいても適用す
ることが可能である。
されるように、SQUID基板44(冷却装置1)の上
方に設けられる被検体の状態を検出するように構成され
ているが、被検体がSQUID基板44(冷却装置1)
の下方に設けられるような構成のものにおいても適用す
ることが可能である。
【0052】また、超電導体をSQUID基板44とし
ているが、他の超電導体であってもよく、例えば、高温
超電導体磁気センサ等にも適用し得る。この場合、冷媒
はその超電導体の臨界温度に対応した温度のものが選択
される。また、熱伝導体はサファイア棒43に限られる
ものではなく、熱伝導性に優れ、熱膨張係数が小さく、
且つ非磁性といった特性を有する材質で成るもの、例え
ばルビー等であってもよく、また形状は棒状でなく、例
えば板状であってもよい。また、接着剤としてエポキシ
樹脂を主成分とするものを用いているが、その他の不飽
和ポリエステル系樹脂を主成分とするものでもよいし、
GFRPと同系の有機成分を含むものであってもよく、
さらには、接着接合ではなく溶着してもよい。さらに、
窓部は透光性を有していなくても構わないが、超電導体
(SQUID基板44)の状態を外部から観察するため
には、透光性を有しているほうが好ましい。
ているが、他の超電導体であってもよく、例えば、高温
超電導体磁気センサ等にも適用し得る。この場合、冷媒
はその超電導体の臨界温度に対応した温度のものが選択
される。また、熱伝導体はサファイア棒43に限られる
ものではなく、熱伝導性に優れ、熱膨張係数が小さく、
且つ非磁性といった特性を有する材質で成るもの、例え
ばルビー等であってもよく、また形状は棒状でなく、例
えば板状であってもよい。また、接着剤としてエポキシ
樹脂を主成分とするものを用いているが、その他の不飽
和ポリエステル系樹脂を主成分とするものでもよいし、
GFRPと同系の有機成分を含むものであってもよく、
さらには、接着接合ではなく溶着してもよい。さらに、
窓部は透光性を有していなくても構わないが、超電導体
(SQUID基板44)の状態を外部から観察するため
には、透光性を有しているほうが好ましい。
【0053】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、特に、真
空断熱式の超電導体の冷却装置において、冷却性能によ
り優れた超電導体の冷却装置を提供することが可能とな
る。
空断熱式の超電導体の冷却装置において、冷却性能によ
り優れた超電導体の冷却装置を提供することが可能とな
る。
【図1】本発明による超電導体の冷却装置の実施形態を
示す概略上面図である。
示す概略上面図である。
【図2】図1のII−II線に沿った概略断面図である。
【図3】本発明による超電導体の冷却装置の実施形態に
含まれる、窓部の上面図である。
含まれる、窓部の上面図である。
【図4】本発明による超電導体の冷却装置の実施形態に
含まれる、窓部の一部断面図である。
含まれる、窓部の一部断面図である。
【図5】ポリエステルフィルムに蒸着した金属膜の厚さ
と放射率の関係を示す図表である。
と放射率の関係を示す図表である。
【図6】従来の超電導体の冷却装置の構造を示す断面図
である。
である。
1…冷却装置、2…外容器、3…内容器、4…液体窒
素、5…液体窒素供給通路、6…窒素排出通路、8…真
空引き通路、9…真空断熱層、11…第1外容器部、1
2…第2外容器部、18…内側部、19…外側部、22
…雄ねじ部、23…雌ねじ部、24…環状溝、25…O
リング、33…サファイア板、38…固定部材、40…
溝部、41…薄形部、42…貫通孔、43…サファイア
棒、43a…取り付け面、44…SQUID基板、45
…配線ユニット、46…導出孔、47…接着剤、48…
被覆層、48a…第1被覆層、48b…第2被覆層、4
8c…被覆層の非形成部分、70…被検体、80…信号
処理手段。
素、5…液体窒素供給通路、6…窒素排出通路、8…真
空引き通路、9…真空断熱層、11…第1外容器部、1
2…第2外容器部、18…内側部、19…外側部、22
…雄ねじ部、23…雌ねじ部、24…環状溝、25…O
リング、33…サファイア板、38…固定部材、40…
溝部、41…薄形部、42…貫通孔、43…サファイア
棒、43a…取り付け面、44…SQUID基板、45
…配線ユニット、46…導出孔、47…接着剤、48…
被覆層、48a…第1被覆層、48b…第2被覆層、4
8c…被覆層の非形成部分、70…被検体、80…信号
処理手段。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2G017 AB05 AD32 AD33 3L044 AA04 BA07 CA16 DA02 DB03 EA04 KA04 4M114 AA17 AA19 AA28 AA31 BB03 BB05 CC08 CC11 CC18 DA02 DA07 DA09 DA13 DA54
Claims (12)
- 【請求項1】 略密閉される内部空間を有し、窓部が設
けられた外容器と、 前記外容器の前記内部空間内に配設され、冷媒が収納さ
れる内容器と、 前記内容器を貫通し、一方端が前記内容器の内部に位置
して前記冷媒に接すると共に他方端が前記窓部に対向す
る位置に配設される熱伝導体と、 前記熱伝導体の前記他方端に取り付けられ、前記窓部を
挟んで反対側に設けられる被検体の状態を検知する超電
導体と、を備え、 前記外容器と前記内容器とにより画成される空間が略真
空に保持されて、真空断熱層が形成され、 前記窓部には、前記外容器外部からの輻射熱の前記超電
導体への伝達を抑制するための被覆層が形成されている
ことを特徴とする超電導体の冷却装置。 - 【請求項2】 前記窓部の所定位置は、前記被覆層が非
形成とされていることを特徴とする請求項1に記載の超
電導体の冷却装置。 - 【請求項3】 略密閉される内部空間を有し、上面に窓
部が設けられた外容器と、 前記外容器の前記内部空間内に配設される内容器と、 前記内容器を貫通し、下方端が前記内容器の内部に位置
すると共に上方端が前記窓部に対向する位置に配設さ
れ、一つの部材からなる熱伝導体と、 前記熱伝導体の前記上方端の上面に載置される超電導体
と、を備え、 前記外容器と前記内容器とにより画成される空間が略真
空に保持されて、真空断熱層が形成され、 前記内容器の内部には、前記超電導体を冷却するための
冷媒が、前記熱伝導体の前記内容器の内部に位置する部
分と接するように収納されていることを特徴とする超電
導体の冷却装置。 - 【請求項4】 前記外容器は、 内部に前記内容器が配設される第1外容器部と、 前記第1外容器部の上方に位置し、前記窓部が設けられ
た第2外容器部と、を備え、 前記第2外容器部は、 外周面に雄ねじ部が設けられる筒状部分を有し、前記筒
状部分の内側に前記熱伝導体が位置する内側部と、 内周面に前記雄ねじ部に螺合する雌ねじ部が設けられる
筒状部分を有する外側部と、を備えており、 前記内側部と前記外側部のいずれか一方が、前記第1外
容器部に固定されており、 前記内側部と前記外側部のいずれか他方が、前記窓部が
設けられた上面部を有していることを特徴とする請求項
3に記載の超電導体の冷却装置。 - 【請求項5】 略密閉される内部空間を有し、窓部が設
けられた外容器と、 前記外容器の前記内部空間内に配設される内容器と、 前記内容器を貫通し、一方端が前記内容器の内部に位置
すると共に他方端が前記窓部に対向する位置に配設さ
れ、一つの部材からなる熱伝導体と、 前記熱伝導体の前記一方端に取り付けられる超電導体
と、を備え、 前記外容器と前記内容器とにより画成される空間が略真
空に保持されて、真空断熱層が形成され、 前記内容器の内部には、前記超電導体を冷却するための
冷媒が、前記熱伝導体の前記内容器の内部に位置する部
分と接するように収納されていることを特徴とする超電
導体の冷却装置。 - 【請求項6】 前記外容器は、内部に前記内容器が配設
される第1外容器部と、前記窓部が設けられた第2外容
器部と、を備え、 前記第2外容器部は、 外周面に雄ねじ部が設けられる筒状部分を有し、前記筒
状部分の内側に前記熱伝導体が位置する内側部と、 内周面に前記雄ねじ部に螺合する雌ねじ部が設けられる
筒状部分を有する外側部と、を備えており、 前記内側部と前記外側部のいずれか一方が、前記第1外
容器部に固定されており、 前記内側部と前記外側部のいずれか他方が、前記窓部が
設けられた面部を有していることを特徴とする請求項5
に記載の超電導体の冷却装置。 - 【請求項7】 前記超電導体が、前記窓部を挟んで反対
側に設けられる被検体の状態を検知する検知手段であっ
て、 前記窓部には、前記外容器外部からの輻射熱の前記超電
導体への伝達を抑制するための被覆層が形成されている
ことを特徴とする請求項3〜6のいずれか一項に 記載
の超電導体の冷却装置。 - 【請求項8】 前記窓部の所定位置は、前記被覆層が非
形成とされていることを特徴とする請求項7に記載の超
電導体の冷却装置。 - 【請求項9】 前記超電導体には、当該超電導体にて得
られた情報を伝送する配線が接続され、 前記前記第1外容器部に固定される前記内側部と前記外
側部のいずれか一方には、前記配線を外部に導出する導
出孔が形成されていることを特徴とする請求項4又は6
に記載の超電導体の冷却装置。 - 【請求項10】 前記内側部と前記外側部との間に配設
され、前記両ねじ部の螺合部よりも真空断熱層寄りの部
分の前記内側部と前記外側部との両方に当接して、前記
真空断熱層を封止する封止部材が備えられていることを
特徴とする請求項4、6及び9のいずれか一項に記載の
超電導体の冷却装置。 - 【請求項11】 前記内容器と前記外容器とは、前記内
容器を前記外容器の前記内部空間内に配設するための固
定部材を介して接続されており、 前記内容器の前記固定部材が固定される位置の周囲に、
前記内容器の壁部の一部が薄形化された薄形部が設けら
れていることを特徴とする請求項3〜10のいずれか一
項に記載の超電導体の冷却装置。 - 【請求項12】 前記内容器が繊維強化プラスチックか
らなることを特徴とする請求項3〜11のいずれか一項
に記載の超電導体の冷却装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11063614A JP2000258520A (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | 超電導体の冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11063614A JP2000258520A (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | 超電導体の冷却装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000258520A true JP2000258520A (ja) | 2000-09-22 |
Family
ID=13234374
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11063614A Pending JP2000258520A (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | 超電導体の冷却装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000258520A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020078787A (ko) * | 2001-04-10 | 2002-10-19 | 엘지전자 주식회사 | 초전도 양자간섭소자 주사현미경 |
JP2002344037A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-29 | Hitachi Ltd | 極低温格納容器及びそれを用いた生体磁気計測装置 |
US9126715B2 (en) | 2012-08-16 | 2015-09-08 | Mirapro Co., Ltd. | Metallic sealed double container |
JP2018004637A (ja) * | 2016-06-28 | 2018-01-11 | カンタクローム・コーポレーション | 容量収着分析器のための極低温制御器 |
JP2021044429A (ja) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | キオクシア株式会社 | 磁気記憶装置 |
-
1999
- 1999-03-10 JP JP11063614A patent/JP2000258520A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020078787A (ko) * | 2001-04-10 | 2002-10-19 | 엘지전자 주식회사 | 초전도 양자간섭소자 주사현미경 |
JP2002344037A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-29 | Hitachi Ltd | 極低温格納容器及びそれを用いた生体磁気計測装置 |
JP4519363B2 (ja) * | 2001-05-16 | 2010-08-04 | 株式会社日立製作所 | 極低温格納容器及びそれを用いた生体磁気計測装置 |
US9126715B2 (en) | 2012-08-16 | 2015-09-08 | Mirapro Co., Ltd. | Metallic sealed double container |
DE112012002952B4 (de) * | 2012-08-16 | 2018-02-01 | Mirapro Co., Ltd. | Metallischer, verschlossener Doppel-Behälter |
JP2018004637A (ja) * | 2016-06-28 | 2018-01-11 | カンタクローム・コーポレーション | 容量収着分析器のための極低温制御器 |
JP7060340B2 (ja) | 2016-06-28 | 2022-04-26 | アントン・パール・カンタテック・インコーポレーテッド | 容量収着分析器のための極低温制御器 |
JP2021044429A (ja) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | キオクシア株式会社 | 磁気記憶装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4960539B2 (ja) | ゼロ・ボイルオフ冷凍剤冷却式再凝縮形超伝導磁石集成体 | |
EP3550226B1 (en) | Cryostat | |
JP2002076453A (ja) | 微弱磁場計測デュワー | |
JPH0523509B2 (ja) | ||
JPH11102800A (ja) | 超電導高周波加速空胴および粒子加速器 | |
JP2000258520A (ja) | 超電導体の冷却装置 | |
JP3358658B2 (ja) | 磁気センサ | |
JP3509092B2 (ja) | 超電導体の冷却装置 | |
US20010040447A1 (en) | Dewar and biological magnetism measurement apparatus using the dewar | |
KR100344333B1 (ko) | 냉매 용기 및 이의 제조방법 | |
JP2001066354A (ja) | 超電導量子干渉デバイス格納用極低温容器 | |
JPS63299180A (ja) | 超電導装置 | |
JP3949201B2 (ja) | 極低温装置 | |
JPH051048Y2 (ja) | ||
JPH05280694A (ja) | 低熱放射極低温容器 | |
JP3490449B2 (ja) | 固体熱伝導冷却手段を備えた生体磁気測定装置 | |
JP2010251501A (ja) | クライオスタット | |
JPH0283475A (ja) | Squid用クライオスタット | |
JPH0283476A (ja) | Squid用クライオスタット | |
JP2004226161A (ja) | Squid非破壊検査装置 | |
JP2002341000A (ja) | 磁気計測装置 | |
JP2000004052A (ja) | 超電導装置 | |
JPH0734486B2 (ja) | 水素流量制御弁 | |
JPS629683A (ja) | クライオスタツト | |
JPS6266079A (ja) | 試料冷却装置 |