JP2000256809A - 溶接ワイヤ及びこれを用いた溶接方法 - Google Patents

溶接ワイヤ及びこれを用いた溶接方法

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JP2000256809A JP11063846A JP6384699A JP2000256809A JP 2000256809 A JP2000256809 A JP 2000256809A JP 11063846 A JP11063846 A JP 11063846A JP 6384699 A JP6384699 A JP 6384699A JP 2000256809 A JP2000256809 A JP 2000256809A
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Yoji Toki
洋司 土岐
Satoshi Nagase
智 長瀬
Akio Kaminaka
明郎 上仲
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Abstract

(57)【要約】 【課題】フェライト系ステンレス鋼の母材同士の溶接に
用いられ、溶着金属の溶接割れを抑制し、溶接部の靱性
を高める溶接ワイヤと溶接方法を提供する。 【解決手段】C:0.030wt%以下、Si:0.4〜1.5
wt%、Mn:1.0wt%以下、Cr:12.0〜25.0wt
%、P:0.030wt%以下、S:0.020wt%以下、N
i:0.2wt%以下、Cu:0.4wt%以下、残部が実質的
にFeからなるフェライト系ステンレス鋼のワイヤ2
と、該ワイヤ2の表面にメッキされたCuメッキ層4と
からなり、上記ワイヤ2中とCuメッキ層4中のCuの
合計重量をワイヤ2及びCuメッキ層4の総重量の0.
1〜0.6wt%の範囲とした溶接ワイヤ1。また、上記
ワイヤ2とCuメッキ層4との間にNiメッキ層6が形
成され、ワイヤ2中及びNiメッキ層6中のNiの合計
重量が、上記ワイヤ2とCu及びNiメッキ層4,6の
総重量の0.4wt%以下とした溶接ワイヤ1′も含まれ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フェライト系ステ
ンレス鋼からなる母材同士の溶接に用いられ、表面にメ
ッキ層を有する溶接ワイヤ及びこれを用いた溶接方法で
あって、溶着金属の溶接割れを抑制し、溶接部の靱性を
高める溶接ワイヤと溶接方法に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、自動車の排気ガスを浄化する触
媒用コンバータのケースやエキゾーストマニホールド
は、フェライト系ステンレス鋼からなる板をプレス成形
や曲げ加工した後、同様の成分のステンレス鋼(JIS:Y
430)に準じた溶接ワイヤを用いてMIG溶接等を施
して組立てられている。しかし、係る溶接ワイヤを用い
て得られた溶接ビードには、割れを生じることがあり、
溶接強度を著しく損ねてしまう、という問題があった。
【0003】一方、フェライト系ステンレス鋼からなる
溶接ワイヤは、炭素鋼溶接ワイヤや低合金鋼溶接ワイヤ
に比べて、MIG溶接等する際の通電性やアークスター
ト性が劣る。このため、その表面にCu(銅)のみ又はこ
れとNi(ニッケル)のメッキを施して通電性やアークス
タート性を良好ならしめ、且つスパッタリングの発生を
抑えたメッキ付き溶接ワイヤが提案されている(特開平
4−41099、同4−231195号公報参照)。上記
メッキ付き溶接ワイヤにより、MIG溶接等の自動又は
半自動アーク溶接における溶接作業性を高めることが可
能となった。
【0004】
【発明が解決すべき課題】しかしながら、通電性等を高
めるワイヤ表面の上記メッキ中のCuやNiが、溶接後
に形成される溶接ビード中に溶け込むことよって、割れ
の発生を却って促進したり、溶接部付近の母材の靱性を
低下させてしまう、という問題があった。本発明は、以
上に述べた従来の技術の問題点を解決し、フェライト系
ステンレス鋼からなるワイヤで、且つその表面にCuメ
ッキ層、及び/又は、Niメッキ層を有する溶接ワイヤに
おいて、溶接ビードの割れを抑制し且つ溶接部の靱性を
高め得る溶接ワイヤとこれを用いた溶接方法を提供する
ことを課題とする。
【0005】
【課題を解決するたの手段】本発明は、上記課題を解決
するため、ワイヤ中及びメッキ層中のCuやNiの総重
量が溶接ビードを形成する溶着金属の組成に深く関連し
ていることに着目して成されたものである。即ち、本発
明の溶接ワイヤは、C:0.030wt%以下、Si:0.4
〜1.5wt%、Mn:1.0wt%以下、Cr:12.0〜2
5.0wt%、P:0.030wt%以下、S:0.020wt%
以下、Ni:0.2wt%以下、Cu:0.4wt%以下、残部
が実質的にFeからなるフェライト系ステンレス鋼のワ
イヤと、このワイヤの表面にメッキされたCuメッキ層
とからなり、上記ワイヤ中及びCuメッキ層におけるC
uの合計重量を上記ワイヤ及びメッキ層の総重量の0.
1〜0.6wt%の範囲とした、ことを特徴とする。
【0006】これによれば、溶接により得られる溶接ビ
ード内のCuを0.6wt%以下に抑制することが可能と
なるため、溶着金属が凝固する際に過剰なCu分による
凝固過程における局部的な凝固のバラツキを抑制でき、
これに基づく割れの発生を抑制することが可能となる。
且つ、溶着金属の均一な凝固によって、溶接ビード内の
成分分布も均一化されるため、該ビードを含む溶接部付
近の靱性を高めることも可能となる。尚、上記Cuの合
計重量が0.1wt%未満になるとワイヤ表面に形成され
るCuメッキ層が薄くなるため、通電性やアークスター
ト性が不安定になり始め、一方、Cuの合計重量が0.
6wt%を超えると過剰なCu分による凝固のバラツキを
抑制しにくくなるため、上記の範囲としたものである。
【0007】ここで、上記ワイヤのフェライト系ステン
レス鋼における各成分の限定理由を説明する。Cは溶接
部の強度を高めるが、0.030wt%を超えるとマルテン
サイトを生成し脆くなって割れを誘発する恐れがあるた
め、0.030wt%以下とした。Siは0.4wt%以上に
すると溶着金属の流動性を高め、溶接割れを抑制できる
が、1.5wt%を超えると溶接部の靱性を低下させるの
で、係る間の範囲とした。Mnはステンレス鋼の溶製時
に脱酸剤として添加されるが、1.0wt%を超えると溶接
部の耐食性や耐酸化性を低下させるので、1.0wt%以
下とした。
【0008】Crはフェライト系ステンレス鋼の基本成
分であり、溶接ビード及び溶接部の強度を高め且つ耐食
性や耐酸化性を確保するため、12.0wt%以上添加する
が、25.0wt%を超えると上記効果が飽和しコスト高
になるためこれ以下とした。P及びSは溶接割れを生じ
易く靱性や耐食性を低下させるので、これら生じないよ
うPは0.030wt%以下、Sは0.020wt%以下とし
た。Niは上記ステンレス鋼の耐孔食性を高めるが、0.
2wt%を超えるとその効果が飽和するためこれ以下とし
た。Cuはδ(テ゛ルタ)フェライトの生成を抑制し且つ靱性
の向上に寄与するが、0.4wt%を超えるとその効果が飽
和するためこれ以下とした。
【0009】また、前記ステンレス鋼が、更に1wt%以
下のMo、Nb、及びTiの一種又は二種以上を含む溶
接ワイヤも含まれる。これによれば、溶接部の靱性を一
層高めることができる。尚、上記各元素の何れも1wt%
を超えると、上記の靱性を高める効果が飽和するためこ
れ以下とした。更に、前記ワイヤと前記Cuメッキ層と
の間にNiメッキ層が形成されると共に、上記ワイヤ中
及びNiメッキ層におけるNiの合計重量が、該ワイヤ
とCu及びNiメッキ層との総重量の0.4wt%以下で
ある、溶接ワイヤも含まれる。これによれば、Niメッ
キ層をワイヤとCuメッキ層との間に形成するとこによ
り、Niメッキ層がCuメッキ層の下地となってメッキ
後の伸線加工時や、溶接時においてコンジットチューブ
内や溶接トーチ内をワイヤ送給する際に外側のCuメッ
キ層の剥離を防止することが可能となる。尚、上記Ni
の合計重量が0.4wt%を越えると、溶接割れを生じ易
くなり、且つ下地層を形成する上で不経済となるのでこ
れ以下とした。
【0010】また、前記ワイヤ中と前記Cu及びNiメ
ッキ層におけるCuとNiの合計重量が、上記ワイヤ及
び上記各メッキ層の総重量の1.0wt%以下である、溶
接ワイヤも含まれる。これによれば、Cuメッキ層の剥
離防止及び前記溶接割れの抑制や溶接部の靱性の向上を
一層確実にすることができる。尚、上記CuとNiの合
計重量が1.0wt%を越えると、溶接割れや靱性低下を
来たし易くなるためこれ以下とした。
【0011】加えて、本発明は、以上の溶接ワイヤを用
いて、フェライト系ステンレス鋼からなる母材同士の接
合部にMIG又はMAG溶接を施す、溶接方法も含む。
これによれば、母材同士の接合部に沿って割れのない溶
接ビードを形成でき、該ビード及び付近の母材を含む溶
接部の靱性を高める得ると共に、MIG溶接等の自動、
又は半自動溶接を能率良く施すことが可能となる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下において、本発明の実施に好
適な形態を図面と共に説明する。先ず、C:0.030wt
%以下、Si:0.4〜1.5wt%、Mn:1.0wt%以
下、Cr:12.0〜25.0wt%、P:0.030wt%以
下、S:0.020wt%以下、Ni:0.2wt%以下、Cu:
0.4wt%以下、残部が実質的にFeからなるフェライト
系ステンレス鋼を溶製し、分塊圧延、及び熱間圧延した
後、透孔を有する複数のダイスを通す伸線加工により、
直径約1.2〜1.4mmのワイヤ2を得る。次に、ワイ
ヤ2の表面に無電解及び電解銅メッキを施し、更に伸線
加工を行う。これにより、図1(A)及び(B)に示すよう
に、ワイヤ2の表面にCuメッキ層4を被覆した直径約
1.0〜1.2mmの溶接ワイヤ1が得られる。該溶接ワ
イヤ1における全Cu量は、ワイヤ2とCuメッキ層4
との総重量の0.1〜0.6wt%の範囲内に調整されてい
る。尚、メッキ層4の厚さは約0.2〜5μmである。
【0013】また、上記ワイヤ2の表面に予め無電解及
び電解NiメッキによりNiメッキ層6を被覆した後、
上記と同様のメッキによりCuメッキ層4を被覆し、更
に伸線加工を行うことにより、図1(C)及び(D)に示す
ように、ワイヤ2の表面にNi及びCuメッキ層6,4
を被覆した溶接ワイヤ1′を得ることもできる。係る溶
接ワイヤ1′における全Ni量は、ワイヤ2とメッキ層
4,6との総重量の0.4wt%以下に調整されている。
尚、メッキ層6の厚さは約0.2〜2μmである。この
ワイヤ1′では、Niメッキ層6がCuメッキ層4の下
地層となってCuメッキ層4を強固に密着するので、伸
線加工時や溶接時のワイヤ1′送給の際にCuメッキ層
4が剥離することを防止できる。
【0014】溶接ワイヤ1,1′をフェライト系ステン
レス鋼からなる一対の母材同士の接合部に沿って送給し
て、アルゴン等の不活性ガスをシールドに用いるMIG
(ミク゛)溶接法、或いは、アルゴンと炭酸ガスやその他と
の混合ガスをシールドに用いるMAG(マク゛)溶接法によ
る溶接を施す。これにより、過剰なCuやNi分による
溶着金属の凝固過程における局部的な凝固のバラツキを
抑制でき、溶接割れの発生を抑制できる。しかも、溶着
金属の均一な凝固により溶接ビード内の成分分布も均一
化されるため、該ビードを含む溶接部付近の靱性を高め
ることもできる。
【0015】
【実施例】以下において本発明の具体的な実施例を比較
例と共に説明する。表1に示す成分組成(残部はFeと
不可避的不純物)を有する直径1.2mmのワイヤ2の表
面に、表1に示す量(wt%)のCuメッキ層4のみ又はC
uメッキ層4及びNiメッキ層6の双方をメッキした実
施例1〜16の溶接ワイヤ1,1′を用意した。実施例
1〜8では、ワイヤ2中とCuメッキ層4とのCu合計
重量が、ワイヤ2及びCuメッキ層4の総重量の0.1
〜0.6wt%とされている。更に、実施例9〜16で
は、上記に加えワイヤ2中とNiメッキ層6とのNi合
計重量が、ワイヤ2及びメッキ層4,6の総重量の0.4
wt%以下とされている。
【0016】一方、比較例として表1に示す成分組成を
有する直径1.2mmのワイヤ2のみからなる比較例1
と、ワイヤ2の表面に表1に示す量のCuメッキ層4の
みをメッキした比較例2,3と、ワイヤ2の表面にCu
メッキ層4及びNiメッキ層6の双方をメッキした比較
例4,5とを用意した。また、図2(A)に示すように、
板厚10mm、幅(図示で前後方向)50mm、長さ(図示
で左右方向)100mmのFeライト系ステンレス鋼(S
US430)からなる一対の母材7,8を所要数用意し、
且つ両者の接合部に沿って開先9,9を形成した後、図
示のように母材7,8を突合わせた状態で拘束した。
【0017】各実施例及び比較例の溶接ワイヤ(1,
1′)ごとに母材7,8を開先9,9に沿ってMAG溶接
し、図2(B)に示すように、3パスの溶接ビードWを形
成した。係るMAG溶接の条件は、シールドガス:Ar
+20vol%CO2、電流:200A、アーク電圧:20
V、溶接速度:8mm/秒である。溶接後の各例の溶接
ビードWの表面を目視により観察し、割れの有無を調べ
た。その結果を、割れ無しは〇印、割れ有りは×印で表
1中に示した。また、溶接部(W)の靱性を調べるため、
溶接された各例の母材7,8からなる試験片を引張試験
機に標点間距離を100mmとしてセットし、2000
kgの荷重を各試験片の長手方向に沿って加え、係る引
張り後における各例の伸び率を測定した。伸び率が4%
未満は×印、4%〜8%は〇印、8%超は◎印として表
1中に示した。尚、比較例1は△印で表示した。
【0018】更に、ワイヤ2にCuメッキ層4を被覆し
た実施例1〜8と比較例1〜3の各伸び率を縦軸に、ワ
イヤ2中とCuメッキ層4中の全Cu量を横軸として、
図3(A)のグラフを作成した。尚、このグラフ中におけ
る各例の印は、上記表1の印と共通とし、参考として無
メッキの比較例1を△印で表示した。また、ワイヤ2に
Cuメッキ層4及びNiメッキ層6を被覆した実施例1
1,13〜16と比較例1,4,5の各伸び率を縦軸に、
ワイヤ2中とCuメッキ層4中の全Cu量、及び、ワイヤ
2中とNiメッキ層6中の全Ni量の合計重量を横軸と
して、図3(B)のグラフを作成した。尚、このグラフ中
における各例の印も上記印と共通とし、且つ無メッキの
比較例1も△印で表示した。
【0019】
【表1】
【0020】表1における割れの有無に関する結果は、
実施例1〜16では溶接ビードWの表面に割れは確認さ
れなかったのに対し、比較例2〜5では全て割れが確認
された。因みに無メッキの比較例1でも割れは確認され
なかった。係る割れの結果から、各実施例では溶接ワイ
ヤ1,1′におけるワイヤ2中とメッキ層4中の全Cu
含有量を0.6wt%以下としたこと、更に実施例9〜1
6ではワイヤ2中とメッキ層6中の全Ni含有量を0.
4wt%以下としたことにより、過剰なCuやNi分によ
る凝固過程における局部的な凝固のバラツキを抑制で
き、溶接割れの発生を抑制できたものと思われる。
【0021】一方、比較例2〜4ではワイヤ2中とメッ
キ層4中の全Cu含有量が0.7wt%以上であり、ま
た、比較例5ではワイヤ2中とメッキ層6中の全Ni含
有量が0.50wt%であったため、過剰なCuやNi分
による凝固過程における局部的な凝固のバラツキによ
り、溶接割れが発生したものと思われる。尚、参考の比
較例1で溶接割れが生じなかった結果も上述した推測を
裏付けている。但し、比較例1の無メッキの溶接ワイヤ
では、前記MAG溶接時の通電性及びアークスタート性
が不安定で、前記条件の溶接速度に達せず溶接作業性が
著しく低かったことを付言する。以上の結果から、本発
明の溶接ワイヤによる溶接割れに関する効果が裏付けら
れたことが容易に理解されよう。
【0022】また、表1における靱性に関する結果は、
実施例1〜16では全て4%以上の伸び率となったのに
対し、比較例2〜5では全て4%未満であった。図3
(A)のグラフに示すように、ワイヤ2にCuメッキ層4
のみを被覆した溶接ワイヤ(1)を用いた場合、ワイヤ2
中とメッキ層4中の全Cu含有量(横軸)が少なくなるに
連れて伸び率が高くなり、上記全Cu含有量が多くなる
連れて伸び率が低下する傾向(グラフ中の曲線で示す)を
示すことが判る。更に、図3(B)のグラフに示すよう
に、ワイヤ2にCuメッキ層4とNiメッキ層6を被覆
した溶接ワイヤ(1′)を用いた場合、ワイヤ2中とメッ
キ層4,6中の全Cu含有量及び全Ni含有量の合計重
量(横軸)が少なくなるに連れ伸び率が高くなり、逆に全
Cu及び全Ni含有量が多くなるに連れて伸び率が低下
する傾向(グラフ中の曲線で示す)を示すことが判る。
【0023】しかも、実施例1,3〜6のように全Cu
含有量が少ないほど伸び率が8%以上と高くなり、実施
例11,13のように全Cu及び全Ni含有量が少ない
ほど伸び率が8%以上と高くなった。即ち、均一な凝固
により溶接ビード内の成分分布も均一化され、該ビード
を含む溶接部付近の靱性が向上したしたもの思われる。
加えて、Mo又はNbを添加した実施例3,5,11,1
5は、図3(A)及び(B)の各グラフ中に示すように、何れ
も高い伸び率を示し、一層靱性が向上したことが認めら
れた。これらの結果から、本発明の溶接ワイヤによる靱
性に関する効果が裏付けられたことが容易に理解されよ
う。
【0024】
【発明の効果】以上において説明したように、本発明の
溶接ワイヤによれば、溶着金属が凝固する際に過剰なC
u分による凝固過程における局部的な凝固のバラツキを
抑制でき、これに基づく割れの発生を抑制することが可
能となる。しかも、溶着金属の均一な凝固によって、溶
接ビード内の成分分布も均一化されるため、該ビードを
含む溶接部付近の靱性を高めることも可能となる。ま
た、請求項3又は4の溶接ワイヤによれば、上記に加え
て、Niメッキ層がCuメッキ層の下地となってメッキ
後の伸線加工時や溶接時のワイヤ送給の際に外側のCu
メッキ層の剥離を防止することが可能となる。更に、本
発明の溶接方法によれば、母材同士の接合部に沿って割
れのない溶接ビードを形成でき、該ビード及び付近の母
材を含む溶接部の靱性を高める得ると共に、MIG溶接
等の自動、又は半自動溶接を能率良く施すことが可能と
なる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)乃至(D)は本発明の溶接ワイヤを模式的に
示す断面図又は部分斜視図。
【図2】(A),(B)は実施例等の溶接方法の各工程を示
す概略図。
【図3】(A),(B)は本発明の実施例及び比較例の各溶
接ワイヤ中Cu又はCu+Niの全含有量と、各ワイヤ
による溶接部付近の伸び率との関係を示すグラフ。
【符号の説明】
1,1′…溶接ワイヤ 2…………ワイヤ 4…………Cuメッキ層 6…………Niメッキ層 7,8……母材 W…………溶接ビード(溶接)
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成11年3月11日(1999.3.1
1)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項4
【補正方法】変更
【補正内容】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C22C 38/50 C22C 38/50 // C23C 18/52 C23C 18/52 B 28/02 28/02 C25D 7/06 C25D 7/06 U Fターム(参考) 4E001 AA03 BB06 BB08 CA03 DC01 EA05 4K022 AA02 AA34 BA08 BA14 CA28 DA01 4K024 AA03 AA09 AB01 AB02 AB17 BA04 BB28 BC03 GA14 4K044 AA03 AB04 BA06 BB01 BB03 BC08 CA15 CA18

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】C:0.030wt%以下、 Si:0.4〜1.5wt%、 Mn:1.0wt%以下、 Cr:12.0〜25.0wt%、 P:0.030wt%以下、S:0.020wt%以下、 Ni:0.2wt%以下、 Cu:0.4wt%以下、 残部が実質的にFeからなるフェライト系ステンレス鋼
    のワイヤと、 上記ワイヤの表面にメッキされたCuメッキ層とからな
    り、 上記ワイヤ中及びCuメッキ層におけるCuの合計重量
    を該ワイヤ及びメッキ層の総重量の0.1〜0.6wt%の
    範囲とした、ことを特徴とする溶接ワイヤ。
  2. 【請求項2】前記ステンレス鋼が、更に1wt%以下のM
    o、Nb、及びTiの一種又は二種以上を含む、ことを
    特徴とする請求項1に記載の溶接ワイヤ。
  3. 【請求項3】前記ワイヤと前記Cuメッキ層との間にN
    iメッキ層が形成されると共に、上記ワイヤ中及びNi
    メッキ層におけるNiの合計重量が、該ワイヤとCu及
    びNiメッキ層との総重量の0.4wt%以下である、 ことを特徴とする請求項1又は2に記載の溶接ワイヤ。
  4. 【請求項4】前記ワイヤ中と前記Cu及びNiメッキ層
    におけるCuとNiとの合計重量が、上記ワイヤ及び上
    記各メッキ層の総重量の1.0wt%以下である、ことを特
    徴とする請求項1乃至3の何れかに記載の溶接ワイヤ。
  5. 【請求項5】請求項1乃至4の何れかの溶接ワイヤを用
    いて、フェライト系ステンレス鋼からなる母材同士の接
    合部にMIG又はMAG溶接を施す、 ことを特徴とする溶接方法。
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