JP2000252486A

JP2000252486A - 薄膜光電変換装置およびその製造方法

Info

Publication number: JP2000252486A
Application number: JP11053131A
Authority: JP
Inventors: Hiroko Tawada; 裕子多和田; Kenji Yamamoto; 憲治山本
Original assignee: Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1999-03-01
Filing date: 1999-03-01
Publication date: 2000-09-14

Abstract

(57)【要約】【課題】光電変換層における光吸収量を増大させるこ
とにより、高い電流密度を得ることが出来る、安価でか
つ高性能の薄膜光電変換装置を製造する方法を提供する
こと。【解決手段】薄膜光電変換装置は、基板上に堆積され
た光反射性金属薄膜１０２を含む第１の電極１０、少く
とも１つの結晶質光電変換ユニット１１、および第２の
電極２を含み、光反射性金属膜１０２は背圧が１×１０
^-7Ｔｏｒｒ以下の条件で成膜されることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は薄膜光電変換装置お
よびその製造方法に係り、特に、シリコン系薄膜を光電
変換層として用いた光電変換装置の低コスト化と性能改
善に関する。なお、本願明細書において、「結晶質」と
「微結晶」の用語は、部分的に非結晶質を含むものを意
味するものとする。

【０００２】

【従来の技術】近年、非晶質シリコン薄膜を用いた光電
変換装置とともに、例えば多結晶シリコンや微結晶シリ
コンのような結晶質シリコンを含む薄膜を利用した光電
変換装置の開発が精力的に行われている。これらの開発
は、安価な基板上に低温プロセスで良質のシリコン薄膜
を形成することによって光電変換装置の低コスト化と高
性能化を両立させようという試みであり、太陽電池だけ
でなく光センサ等の様々な光電変換装置への応用が期待
される。

【０００３】しかし、光電変換層が薄膜である場合、そ
の吸収係数の小さな長波長領域の光に対して十分な吸収
が生じず、光電変換層における光電変換量がその膜厚に
よって制限されることになる。このようなことから、特
開平１０−１１７００６に示すように光電変換層を含む
光電変換ユニットに入射した光をより有効に利用するた
めに、光反射率の高い金属薄膜層を光電変換ユニットの
裏側に設け、この金属薄膜層に表面凹凸（表面テクスチ
ャ）構造を設けることによって、光を光電変換ユニット
内へ散乱反射させる工夫がなされている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、金属薄
膜層の表面テクスチャ構造によって、入射した光をより
有効に利用するために検討を重ねた結果、金属薄膜形成
時に基板温度や堆積速度を調整して堆積すると、金属薄
膜表面での反射率が低下するという問題があることを見
いだした。

【０００５】また、本発明者たちは、用いる薄膜光電変
換層の光吸収係数の小さな長波長領域において、特にテ
クスチャ構造が光の波長程度の大きさ以上の凹凸を有す
る場合に、光反射性金属表面上で顕著な反射率の低下を
引き起こし、薄膜光電変換層における光吸収量を向上さ
せることが出来ないという問題があることを見いだし
た。

【０００６】本発明の目的は、上述の従来技術の問題に
鑑み、安価な基板が使用可能な低温プロセスを用いて、
光電変換層における光吸収量を増大させ、高い短絡電流
密度を得ることが出来る、安価でかつ高性能の薄膜光電
変換装置を製造する方法、およびこの方法により製造さ
れた薄膜光電変換装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上述した
課題を解決すべく検討を重ねた結果、超高真空の背圧下
で成膜した金属薄膜が、非常に高い反射率を有してお
り、この金属薄膜を下地電極に用いることにより、高性
能の光電変換装置を低コストで得ることが出来ることを
見出した。本発明は、このような知見の下になされたも
のである。

【０００８】即ち、本発明は、基板上に、光反射性金属
薄膜を含む第１の電極、１導電型半導体層と、真性半導
体からなる光電変換層と、逆導電型半導体層とを含む光
電変換ユニット、及び第２の電極を順次形成することか
らなる薄膜光電変換装置の製造方法であって、前記光反
射性金属薄膜は、１×１０^-7Ｔｏｒｒ以下の背圧の条件
で成膜されることを特徴とする薄膜光電変換装置の製造
方法を提供する。

【０００９】また、本発明は、基板上に形成された光反
射性金属薄膜を含む第１の電極、この第１の電極上に形
成された１導電型半導体層と、真性半導体からなる光電
変換層と、逆導電型半導体層とを含む光電変換ユニッ
ト、及びこの光電変換ユニット上に形成された第２の電
極を具備し、前記反射性金属薄膜は、１×１０^-7Ｔｏｒ
ｒ以下の背圧の条件で成膜されたことを特徴とする薄膜
光電変換装置を提供する。

【００１０】以上の本発明の薄膜光電変換装置は、特
に、光電変換層を構成する真性半導体としては結晶質半
導体を用いた場合に、望ましく適用することが出来る。
また、反射性金属薄膜は、光電変換ユニット側の表面が
凹凸構造を有し、この凹凸の高低差が０．０１〜２μｍ
の範囲内にあるものであることが望ましい。

【００１１】更に、光電変換層は、結晶質シリコン系で
あり、４００℃以下の下地温度のもとに形成され、８０
％以上の体積結晶化分率と、１〜３０原子％の水素含有
量と、０．５〜２０μｍの厚さと、その膜面に平行な
（１１０）の優先結晶配向面を有し、そのＸ線回折にお
ける（２２０）回折ピークに対する（１１１）回折ピー
クの強度比が０．２以下であるものであることが望まし
い。

【００１２】以上のように構成される本発明の薄膜光電
変換装置では、第１の電極を構成する反射性金属薄膜
が、１×１０^-7Ｔｏｒｒ以下の背圧の条件で成膜されて
いるため、その反射率が極めて高く、そのため、高い短
絡電流密度を示す。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態について説明する。

【００１４】図１は、本発明に係る薄膜光電変換装置の
一例を示す断面図である。この光電変換装置の基板１と
しては、ステンレス等の金属、有機フィルム、セラミッ
クス、または低融点の安価なガラス等を用いることが出
来る。

【００１５】基板１上には第１の電極１０が配置され
る。この第１の電極１０としては、光反射性金属薄膜１
０２と透明導電性酸化膜１０３を含む複合層を用いるこ
とが出来る。だだし、透明導電性酸化膜１０３を設けな
い場合もある。光反射性金属薄膜１０２は、真空蒸着法
やスパッタリング法などにより基板１上に形成すること
ができる。光反射性金属薄膜１０２のうち透明導電性酸
化膜側は、高反射率を得るためにＡｇおよびＡｌから選
択された１つまたはその合金を含むものであることが好
ましい。

【００１６】光反射性金属薄膜１０２を形成する装置
は、超高真空排気が可能な成膜装置でなければならず、
排気設備としては、装置内が１×１０^-7Ｔｏｒｒ以下の
圧力に保持できるものであればよい。そのような排気設
備として、例えばターボ分子ポンプを使用することが出
来る。

【００１７】ガラス基板１上に光反射性金属薄膜１０２
を成膜するには、まず、ガラス基板１を超高真空排気が
可能な成膜装置内に設置し、ターボ分子ポンプを用いて
１×１０^-7Ｔｏｒｒ以下の圧力に、成膜される金属薄膜
の反射率を更に向上させるためには、好ましくは１×１
０^-8Ｔｏｒｒ以下の圧力に、更に好ましくは１×１０ ^-9
Ｔｏｒｒ以下の圧力に排気する。

【００１８】その後、２０〜４００℃、所望の凹凸形状
を得るために、好ましくは１００〜３００℃、更に好ま
しくは２００〜３００℃の基板温度の下で、ＡｇやＡｌ
等の金属をスパッタまたは真空蒸着等の成膜方法で成膜
する。なお、金属薄膜のテクスチャ構造が容易に作製で
きるという観点から、スパッタ成膜法が好ましい。

【００１９】なお、ガラス基板１と金属薄膜１０２の間
に、２０〜５０ｎｍの範囲内の厚さを有するＴｉ層１０
１を挿入することにより、ガラス基板１と金属薄膜１０
２との間の付着性を向上させることができる。このよう
なＴｉ層１０１は、スパッタや蒸着によって形成するこ
とが出来る。

【００２０】光反射性金属膜１０２の表面におけるテク
スチャ構造は、基板１の表面を予めエッチング等によっ
てテクスチャ構造に加工し、その凹凸を自分自身の上表
面に伝達し得るような薄い金属薄膜１０２をスパッタま
たは真空蒸着することによって得ることができる。或い
は、基板１の表面をテクスチャ構造に加工する代わり
に、基板１上に凹凸表面を有する透明導電性酸化物層
（図示せず）を堆積した後に、その凹凸を自分自身の上
表面に伝達し得るような金属薄膜１０２を形成してもよ
い。

【００２１】金属薄膜１０２の光電変換ユニット側の表
面の凹凸高低差は、０．０１〜２μｍの範囲内であるこ
とが好ましい。なお、このような表面凹凸の高低差は、
金属薄膜１０２の断面のＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写
真やＡＦＭ（原子間力顕微鏡）による表面観察によって
測定され得る。

【００２２】光反射性金属薄膜１０２上に形成される透
明導電性酸化膜１０３は、ＩＴＯ、ＳｎＯ₂、およびＺ
ｎＯから選択された少なくとも１つ以上の層からなるこ
とが好ましく、なかでもＺｎＯを主成分とする膜である
ことが特に好ましい。透明導電性酸化膜１０３の膜厚
は、０．０５〜１μｍの範囲内にあることが好ましい。

【００２３】第１の電極である裏面電極１０上には、た
とえばシリコン系光電変換ユニット１１が形成される。
この光電変換ユニット１１に含まれるすべての半導体層
が、４００℃以下の下地温度条件の下にたとえばプラズ
マＣＶＤ法によって堆積される。プラズマＣＶＤ法とし
ては、一般的によく知られている平行平板型のＲＦプラ
ズマＣＶＤを用いる他、周波数が１５０ＭＨｚ以下のＲ
Ｆ帯からＶＨＦ帯までの高周波電源を利用するプラズマ
ＣＶＤを用いてもよい。

【００２４】光電変換ユニット１１の形成は、次のよう
にして行われる。即ち、まず裏面電極１０上に、１導電
型半導体層１１１が堆積される。この１導電型半導体層
１１１としては、たとえば導電型決定不純物原子である
リンがドープされたｎ型シリコン系薄膜、またはボロン
がドープされたｐ型シリコン系薄膜などが用いられ得
る。しかし、この１導電型半導体層１１１についてはこ
れらの条件は限定的なものではなく、不純物原子として
は、たとえばｎ型層においては窒素等でもよい。

【００２５】また、１導電型半導体層１１１の材料とし
ては非結晶シリコンの他に非晶質シリコンカーバイドや
非晶質シリコンゲルマニウム等の合金材料、多結晶もし
くは部分的に非晶質を含む微結晶のシリコンまたはその
合金材料を用いることもできる。なお、望まれる場合に
は、堆積されたこのような１導電型半導体層１１１にパ
ルスレーザー光を照射することにより、その結晶化分率
や導電型決定不純物原子によるキャリア濃度を制御する
こともできる。

【００２６】１導電型半導体層１１１上には、真性光電
変換層１１２として、たとえば結晶質シリコン系薄膜光
電変換層が堆積される。この結晶質シリコン系薄膜光電
変換層１１２としては、ノンドープの真正半導体の多結
晶シリコン薄膜や体積結晶化分率が８０％以上の微結晶
シリコン膜、または微量の不純物を含む弱ｐ型もしくは
ｎ型で光電変換機能を十分備えているシリコン系薄膜材
料を用いることが出来る。しかし、光電変換層１１２と
してはこれらに限定されず、シリコンカーバイドやシリ
コンゲルマニウム等の合金材料を用いて形成されてもよ
い。

【００２７】このような真性光電変換層１１２の厚さは
０．５〜２０μｍ、好ましくは０．５〜１０μｍ、より
好ましくは０．５〜５μｍの範囲内である。また、この
真性光電変換層１１２は４００℃以下の低温で形成され
るので、結晶粒界や粒内における欠陥を終端または不活
性化させる水素原子を多く含み、その水素含有量は１〜
３０原子％の範囲内にある。

【００２８】更に、シリコン系薄膜光電変換層に含まれ
る結晶粒の多くは下地層から上方に柱状に延びて成長し
ており、その膜面に平行に（１１０）の優位結晶配向面
を有し、そのＸ線回折における（２２０）回折ピークに
対する（１１１）回折ピークの強度比は０．２以下であ
る。

【００２９】結晶質真性光電変換層１１２上には、１導
電型半導体層１１１とは逆タイプの逆導電型半導体層１
１３としてのシリコン系薄膜が堆積される。この逆導電
型半導体層１１３としては、たとえば導電型決定不純物
原子であるボロンがドープされたｐ型シリコン系薄膜、
またはリンがドープされたｎ型シリコン系薄膜などを用
いることが出来る。しかし、この逆導電型層１１３につ
いてのこれらの条件は限定的なものではなく、不純物原
子としては、たとえばｐ型層においてはアルミニウム等
でもよい。

【００３０】逆導電型層１１３の材料としては、非晶質
シリコンの他に非晶質シリコンカーバイドや非晶質シリ
コンゲルマニウム等の合金材料を用いてもよく、多結晶
もしくは部分的に結晶質を含む微結晶のシリコンまたは
その合金材料を用いることもできる。

【００３１】光電変換ユニット１１の積層が終了した後
に、ＩＴＯ、ＳｎＯ₂およびＺｎＯから選択された少な
くとも１つ以上の層を含む透明導電性酸化膜２が第２の
電極として形成される。更に、この第２の電極２上のグ
リッド電極３としてＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、ＣｕおよびＰｔ
から選択された少なくとも１つ以上の金属またはこれら
の合金の層を含む櫛形状の金属電極を形成してもよい。

【００３２】このようにして、シリコン系薄膜光電変換
装置が完成する。このような光電変換装置において、光
電変換されるべき光４は、第２の電極である透明前面電
極２側から照射される。

【００３３】次に、図２の模式的な断面図を参照して、
本発明の他の実施形態に係るタンデム型シリコン系薄膜
光電変換装置について説明する。図２に示すタンデム型
光電変換装置においては、図１に示すシリコン系薄膜光
電変換装置の場合と同様に、基板１上の複数の層２０１
〜２０３および２１１〜２１３が、図１に示す基板１上
の複数の層１０１〜１０３および１１１〜１１３に対応
して同様に形成される。

【００３４】しかし、図２に示すタンデム型光電変換装
置においては、後方光電変換ユニットとしての第１のユ
ニット２１上に重ねて前方光電変換ユニットとしての第
２のユニット２２がさらに形成される。

【００３５】第２の光電変換ユニット２２は、たとえば
プラズマＣＶＤ法にて順次堆積された第１導電型の微結
晶または非晶質のシリコン系薄膜２２１、実質的に真性
半導体である非結晶シリコン系薄膜光電変換層２２２、
および逆導電型の微結晶または非晶質のシリコン系薄膜
２２３を含むものである。

【００３６】第２の光電変換ユニット２２上には、第２
の電極である前面透明電極２および櫛型金属電極３が、
図１に示す光電変換装置の場合と同様に形成され、これ
によって図２に示されているようなタンデム型光電変換
装置が完成する。

【００３７】

【実施例】以下、本発明の種々の実施例に係るシリコン
系薄膜光電変換装置について、比較例に係る光電変換装
置とともに説明する。

【００３８】（実施例１）図１を参照して説明した実施
の形態に対応して、シリコン系薄膜光電変換装置を作製
した。この実施例１に係るシリコン系薄膜光電変換装置
においては、ガラス基板１上に第１の電極である裏面電
極１０が形成された。裏面電極１０は、順次堆積された
厚さ２０ｎｍのＴｉ層１０１、厚さ３００ｎｍのＡｇ層
１０２、および厚さ１００ｎｍのＺｎＯ層１０３を含ん
でいる。

【００３９】これらの層のうち、光反射性金属膜として
作用するＡｇ層１０２は、超高真空排気可能なスパッタ
装置において、ターボ分子ポンプを用いて背圧を１．０
×１０^-8Ｔｏｒｒにした後、３００℃の基板温度でＡｒ
ガスを導入することにより作製された。Ａｇターゲット
としては、９９．９％の純度のものを使用した。金属薄
膜１０２の凹凸の高低差は、平均１５０ｎｍであった。

【００４０】以上のように成膜した裏面電極１０上に、
シリコン系薄膜光電変換ユニット１１に含まれるｎ型層
１１１、ノンドープの結晶質真性シリコン系光電変換層
１１２、およびｐ型層１１３をプラズマＣＶＤ法によっ
て形成した。そして、光電変換ユニット１１上に、前面
電極２として厚さ８０ｎｍの透明導電性ＩＴＯ膜を形成
し、その上に更に電流取出し用の櫛形Ａｇ電極３を形成
した。

【００４１】光電変換ユニット１１に含まれるノンドー
プの結晶質シリコン系光電変換層１１２は、３００℃の
下地温度の下でＲＦプラズマＣＶＤ法にて堆積し、その
膜厚は４．０μｍとした。同層の二次イオン質量分析法
から求めた膜中水素原子含有量は２．３％であり、Ｘ線
回折スペクトルで求めた（２２０）回折ピークに対する
（１１１）回折ピークの比は０．０８１であった。

【００４２】（比較例１）光反射性金属薄膜を形成する
際、背圧を３．０×１０^-7Ｔｏｒｒの条件で作製したこ
とを除いて、他の条件は実施例１と全く同じ条件で薄膜
多結晶シリコン光電変換装置を作製した。

【００４３】光電変換層であるノンドープ多結晶シリコ
ン層１１２の二次イオン質量分析法から求めた膜中水素
原子含有量は２．４％であり、Ｘ線回折スペクトルで求
めた（２２０）回折ピークに対する（１１１）回折ピー
クの比は０．０８０であった。

【００４４】これらの光電変換装置（実施例１と比較例
１）に入射光４としてＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ²
光量で照射した時の出力特性は、実施例１では開放端電
圧０．５１６Ｖ、短絡電流密度２９．８ｍＡ／ｃｍ²、
曲線因子７３．６％、変換効率１１．３％であり、比較
例１では開放端電圧０．５２１Ｖ、短絡電流密度２６．
９ｍＡ／ｃｍ²、曲線因子７４．０％、変換効率１０．
４％であった。

【００４５】（実施例２〜３および比較例２〜３）実施
例２〜３および比較例２〜３においては、光反射性金属
薄膜であるＡｇ層１０２を形成する際の下地温度と膜の
堆積速度を変化させることによってその表面凹凸形状を
変えたことと、光電変換ユニット１１に含まれるノンド
ープの結晶質シリコン系光電変換層１１２の膜厚を変え
たことを除いて、それぞれ実施例１および比較例１に対
応した条件の下で、シリコン系薄膜光電変換装置を作製
した。

【００４６】形成されたＡｇ層１０２の表面凹凸の高低
差を、光電変換装置の種々の光電変換特性とともに下記
表１に示す。なお、下記表１においては、実施例１およ
び比較例１に関する結果も示されている。

【００４７】

【表１】

【００４８】上記表１に示す結果から、実施例３および
比較例３のように光反射性金属薄膜の表面凹凸が小さい
場合、即ち、平面に近い場合は、薄膜光電変換装置の性
能の差は少ない。一方、実施例１，２および比較例１，
２のような光反射性金属薄膜の表面凹凸が比較的大きい
場合は、光反射性金属薄膜が背圧１．０×１０^-7Ｔｏｒ
ｒ以下の超高真空排気条件にて作製された、実施例に係
る薄膜光電変換装置の方が、高い短絡電流密度を示して
いる。特に、この効果は、光電変換ユニットの膜厚が厚
い場合に顕著であり、この結果は光閉じ込め効果の影響
を受けていると考えられるため、光反射性金属薄膜の表
面凹凸における光反射率が向上していることを示してい
る。

【００４９】（実施例４）図３に示すようなタンデム型
光電変換装置を作製した。まず、実施例１と同様にし
て、裏面下地電極部２０、下部セルである薄膜多結晶シ
リコン光電変換ユニット２１を形成した。ただし、多結
晶光電変換層２１２の膜厚を３．５μｍの厚さに設定し
た。

【００５０】その後、上部セルとなるアモルファスシリ
コン光電変換ユニット２２としてｎ型層２２１、アモル
ファスシリコン光電変換層２２２、およびｐ型層２２３
の順に積層した。このうち、光電変換層であるアモルフ
ァスシリコン光電変換層２２２の膜厚は３００ｎｍとし
た。

【００５１】このアモルファスシリコン／薄膜多結晶シ
リコンの積層を用いたタンデム型光電変換装置に、入射
光４としてＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ²の光量の光
を照射した時の出力特性は、開放端電圧１．４０Ｖ、短
絡電流密度１３．６ｍＡ／ｃｍ²、曲線因子７３．６
％、変換効率１４．０％であった。

【００５２】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、超高真
空の背圧下での成膜により高反射率の金属薄膜を得るこ
とが出来、これを下地電極部に用いることによって、高
い短絡電流密度を示す薄膜光電変換装置を得ることがで
き、それによって薄膜光電変換装置の高性能化・低コス
ト化に大きく貢献することが可能である。

【００５３】なお、本発明の効果は、テクスチャ構造を
有する光電変換装置の場合に、特に顕著なものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る結晶質薄膜光電変換
装置の構造を模式的に示す断面図。

【図２】本発明の他の実施形態に係るアモルファスシリ
コン／結晶質シリコンタンデム型光電変換装置の構造を
模式的に示す断面図。

【符号の説明】

１…ガラス基板２…透明導電性酸化膜（ＩＴＯ）３…櫛型電極（Ａｇ）４…入射光１０，２０…裏面電極部１１，２１…薄膜多結晶シリコン光電変換ユニット２２…アモルファスシリコン光電変換ユニット１０１，２０１…Ｔｉ膜１０２，２０２…Ａｇ膜１０３，２０３…透明導電性酸化膜（ＺｎＯ）１１１，２１１，２２１…ｎ型層１１２，２１２…真性薄膜多結晶シリコン光電変換層２２２…真性アモルファスシリコン光電変換層１１３，２１３，２２３…ｐ型層１Ａ，１Ｂ，２Ａ，２Ｂ…上記各構成ユニットや電極部
の界面部分

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、光反射性金属薄膜を含む第１の
電極、１導電型半導体層と、真性半導体からなる光電変
換層と、逆導電型半導体層とを含む光電変換ユニット、
及び第２の電極を順次形成することからなる薄膜光電変
換装置の製造方法であって、前記光反射性金属薄膜は、
１×１０^-7Ｔｏｒｒ以下の背圧の条件で成膜されること
を特徴とする薄膜光電変換装置の製造方法。
【請求項２】前記真性半導体は、結晶質半導体であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の薄膜光電変換装置の製
造方法。
【請求項３】前記金属薄膜は、前記光電変換ユニット側
の表面が凹凸構造を有し、前記凹凸の高低差が０．０１
〜２μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項１また
は２に記載の薄膜光電変換装置の製造方法。
【請求項４】前記光電変換層は、結晶質シリコン系であ
り、４００℃以下の下地温度のもとに形成され、８０％
以上の体積結晶化分率と、１〜３０原子％の水素含有量
と、０．５〜２０μｍの厚さと、その膜面に平行な（１
１０）の優先結晶配向面を有し、そのＸ線回折における
（２２０）回折ピークに対する（１１１）回折ピークの
強度比が０．２以下であることを特徴とする請求項１な
いし３のいずれかの項に記載の薄膜光電変換装置の製造
方法。
【請求項５】前記金属薄膜は、ＡｇおよびＡｌから選択
された１つまたはその合金を含むことを特徴とする請求
項１ないし４のいずれかの項に記載の薄膜光電変換装置
の製造方法。
【請求項６】基板上に形成された光反射性金属薄膜を含
む第１の電極、この第１の電極上に形成された１導電型
半導体層と、真性半導体からなる光電変換層と、逆導電
型半導体層とを含む光電変換ユニット、及びこの光電変
換ユニット上に形成された第２の電極を具備し、前記反
射性金属薄膜は、１×１０^-7Ｔｏｒｒ以下の背圧の条件
で成膜されたことを特徴とする薄膜光電変換装置。
【請求項７】前記真性半導体は、結晶質半導体であるこ
とを特徴とする請求項６に記載の薄膜光電変換装置。
【請求項８】前記金属薄膜は、前記光電変換ユニット側
の表面が凹凸構造を有し、前記凹凸の高低差が０．０１
〜２μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項６また
は７に記載の薄膜光電変換装置。
【請求項９】前記光電変換層は、結晶質シリコン系であ
り、４００℃以下の下地温度のもとに形成され、８０％
以上の体積結晶化分率と、１〜３０原子％の水素含有量
と、０．５〜２０μｍの厚さと、その膜面に平行な（１
１０）の優先結晶配向面を有し、そのＸ線回折における
（２２０）回折ピークに対する（１１１）回折ピークの
強度比が０．２以下であることを特徴とする請求項６な
いし８のいずれかの項に記載の薄膜光電変換装置。
【請求項１０】前記金属薄膜は、ＡｇおよびＡｌから選
択された１つまたはその合金を含むことを特徴とする請
求項６ないし９のいずれかの項に記載の薄膜光電変換装
置。