JP2000252381A - Mounting structure of lsi chip on multilayer substrate - Google Patents

Mounting structure of lsi chip on multilayer substrate

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JP2000252381A
JP2000252381A JP11050287A JP5028799A JP2000252381A JP 2000252381 A JP2000252381 A JP 2000252381A JP 11050287 A JP11050287 A JP 11050287A JP 5028799 A JP5028799 A JP 5028799A JP 2000252381 A JP2000252381 A JP 2000252381A
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lsi chip
laminated substrate
mounting structure
terminals
terminal
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Yasuaki Fukuma
靖晃 福間
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To accelerate the high speed performance and reduce the size of an LSI chip and increase the number of terminals by removing the influence by the through hole capacitance to prevent noise. SOLUTION: This is a mounting structure of an LSI chip for mounting an LSI chip 1 on a multilayer substrate 5 made by stacking a plurality of signal layer 5a-5h through insulators 6. This mounting structure comprises the LSI chip 1 having a step-formed terminal face 2 and terminals 3 formed on each of steps 2a-2e, the mutilayer substrate 5 having an LSI chip mounting section which is step-formed from the mounting face side in conformity with the terminal face 2 of the LSI chip 1, and connections 9 which are formed on exposed parts 8a-8e of each signal layer exposed when the substrate 5 is step-formed to be connected to the terminals 3 of the LSI chip 1. When mounting the LSI chip 1, the LSI chip 1 is inserted into the LSI chip mounting section of the substrate 5 and then the connections 9 and the terminals 3 of the LSI chip 1 are connected.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、多数の端子を有す
るLSIチップを積層基板に実装するLSIチップの実
装構造に関する。
The present invention relates to an LSI chip mounting structure for mounting an LSI chip having a large number of terminals on a laminated substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体の高集積化及び大容量化に
伴い、LSIチップを実装する積層基板についてもノイ
ズの減少及び接続端子の高密度化が求められている。こ
のような課題を解決するものとして、例えば特開平8−
181445号は、LSIチップのコンデンサ部が内臓
された積層基板とをバンプ電極で接続する発明が開示さ
れている。この発明によれば、積層基板に内臓したコン
デンサ部がノイズをフィルタリングするので、スイッチ
ングノイズが大幅に低減され、誤動作の発生を防止する
ことができる。
2. Description of the Related Art In recent years, as the integration and capacity of semiconductors have increased, there has been a demand for a laminated substrate on which LSI chips are mounted to reduce noise and increase the density of connection terminals. To solve such a problem, for example, Japanese Patent Application Laid-Open
No. 181445 discloses an invention in which a bump substrate is connected to a laminated substrate having a built-in capacitor portion of an LSI chip. According to the present invention, since the capacitor section incorporated in the laminated substrate filters noise, switching noise is greatly reduced, and malfunction can be prevented.

【0003】ところで、上記特開平8−181445号
にも示すように、LSIチップが端子面に多数の端子を
有する場合は、信号層数の少ない積層基板に実装した場
合には信号の引き出しが困難となるため、多数の信号層
を有する積層基板にLSIチップを実装するのが一般的
である。図6はLSIチップの実装構造の従来例を説明
する積層基板及びLSIチップの概略図、図7は図6の
積層基板のLSIチップの実装面の平面図である。図6
に示すように、積層基板5’は複数の信号層(図6に示
す例では、5a’〜5h’の8層)から形成されてい
る。
As described in JP-A-8-181445, when an LSI chip has a large number of terminals on a terminal surface, it is difficult to extract a signal when the LSI chip is mounted on a laminated board having a small number of signal layers. Therefore, an LSI chip is generally mounted on a laminated substrate having a large number of signal layers. FIG. 6 is a schematic view of a laminated substrate and an LSI chip illustrating a conventional example of a mounting structure of an LSI chip, and FIG. 7 is a plan view of a mounting surface of the laminated substrate of FIG. 6 on which the LSI chip is mounted. FIG.
As shown in Fig. 6, the laminated substrate 5 'is formed of a plurality of signal layers (eight layers 5a' to 5h 'in the example shown in Fig. 6).

【0004】そして、積層基板5’の表面(LSIチッ
プ1’を実装する面)に端子3’に対応して接続パッド
9’を配置し、この接続パッド9’の近傍に所定の信号
層5a’〜5h’に達するスルーホール9a’を形成
し、このスルーホール9a’を介して信号層5a’〜5
h’の配線9b’と接続パッド9’とを接続している。
LSIチップへの電源の供給も、積層基板5’の任意の
信号層(例えば5e’)を電源供給専用の信号層とし、
この信号層5e’からスルーホール9a’を介して行っ
ている。
[0004] A connection pad 9 'is arranged on the surface of the laminated substrate 5' (the surface on which the LSI chip 1 'is mounted) in correspondence with the terminal 3', and a predetermined signal layer 5a is provided near the connection pad 9 '. Through holes 9a 'reaching' 5h 'are formed, and the signal layers 5a'-5' are formed through the through holes 9a '.
The wiring 9b 'of h' is connected to the connection pad 9 '.
For power supply to the LSI chip, an arbitrary signal layer (for example, 5e ') of the laminated substrate 5' is used as a signal layer dedicated to power supply.
The communication is performed from the signal layer 5e 'through the through hole 9a'.

【0005】しかしながら、上記のように信号がスルー
ホール9a’を経由する場合、周波数が高くなるほど、
あるいはスルーホール9a’が長くなるほどスルーホー
ルキャパシタンスの影響が大きくなり、ノイズが増加す
るとともに高速化を妨げる傾向が強くなるという問題が
ある。また、電源の供給についてもスルーホール9a’
を介して行っているため、ノイズや電圧降下が生じると
いう問題がある。図8はLSIチップ1’の伝送波形を
示すグラフであるが、図に示すように伝送波の途中にノ
イズNが生じている。
However, when the signal passes through the through hole 9a 'as described above, the higher the frequency,
Alternatively, there is a problem that the longer the through hole 9a ', the greater the influence of the through hole capacitance, which increases the noise and the tendency to hinder high speed operation. The power supply is also made through hole 9a '.
However, there is a problem that noise and voltage drop occur. FIG. 8 is a graph showing a transmission waveform of the LSI chip 1 ′. As shown in FIG. 8, noise N occurs in the middle of the transmission wave.

【0006】また、接続パッド9’間にスルーホール9
a’を形成しているため、ある程度の端子間距離が必要
となり、LSIチップ1’の小型化や端子数の増加が図
りにくいという問題もある。このような問題は、上記特
開平8−181445号に記載の発明によっても解決す
ることはできない。すなわち、上記特開平8−1814
45号に記載の実装構造も、スルーホールを介してLS
Iチップと配線基板とを接続しているため、スルーホー
ルキャパシタンスの影響が生じる。
Also, a through hole 9 is provided between the connection pads 9 '.
Since a 'is formed, a certain distance between terminals is required, and there is a problem that it is difficult to reduce the size of the LSI chip 1' and increase the number of terminals. Such a problem cannot be solved by the invention described in the above-mentioned JP-A-8-181445. That is, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei.
The mounting structure described in No. 45 is also LS
Since the I chip and the wiring board are connected, the influence of through-hole capacitance occurs.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】この発明は上記の問題
点にかんがみてなされたもので、スルーホールキャパシ
タンスを除去してノイズを生じにくくするとともに、高
速化を促進することができるLSIチップの実装構造を
提供すること、及び、電圧降下やノイズを発生させるこ
となくLSIチップに電源を供給することのできるLS
Iチップの実装構造を提供すること、及びLSIチップ
の小型化や端子数の増加を図りやすいLSIチップの実
装構造を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems, and has been made in consideration of the above problems. LS capable of providing a structure and supplying power to an LSI chip without generating a voltage drop or noise
It is an object of the present invention to provide an I-chip mounting structure, and to provide an LSI chip mounting structure that makes it easy to reduce the size of the LSI chip and increase the number of terminals.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1に記載の発明は、複数の信号層を有する積
層基板にLSIチップを実装するLSIチップの実装構
造であって、端子面が階段状に形成され、各段ごとに端
子が設けられたLSIチップと、LSIチップ実装部が
前記LSIチップの端子面に合わせて実装面側から階段
状に形成された積層基板と、階段状に形成されることに
より露出した各信号層の露出面に形成され、前記LSI
チップの端子と接続される接続部とを有し、前記LSI
チップ実装部に前記LSIチップを挿入し、前記接続部
と前記LSIチップの端子とを接続して実装した構成と
してある。この構成により、LSIチップの端子と所定
の信号層の配線とをスルーホールを介することなく接続
することができるので、スルーホールキャパシタンスの
影響を取り除いてノイズの発生を防止するとともにLS
Iチップの高速化を図ることが可能になる。また、同一
端子数の場合には端子間の距離を小さくしてLSIチッ
プを小型化することができ、LSIチップの大きさが同
一である場合には、端子面に設けることのできる端子数
をより多くすることができる。
According to an aspect of the present invention, there is provided an LSI chip mounting structure for mounting an LSI chip on a laminated substrate having a plurality of signal layers, comprising: An LSI chip in which a surface is formed in a step-like manner, and a terminal is provided for each step; a laminated substrate in which an LSI chip mounting portion is formed in a step-like manner from the mounting surface side in accordance with the terminal surface of the LSI chip; The LSI is formed on the exposed surface of each signal layer exposed by
A connection portion connected to a terminal of the chip;
The configuration is such that the LSI chip is inserted into a chip mounting portion, and the connection portion and a terminal of the LSI chip are connected and mounted. With this configuration, it is possible to connect the terminals of the LSI chip and the wiring of the predetermined signal layer without passing through the through-holes.
It is possible to increase the speed of the I chip. When the number of terminals is the same, the distance between the terminals can be reduced to reduce the size of the LSI chip. When the size of the LSI chip is the same, the number of terminals that can be provided on the terminal surface is reduced. You can do more.

【0009】請求項2に記載の発明は、前記複数の信号
層が、同じ厚さの絶縁体を介して積層した構成としてあ
る。この構成によれば、各ボール状の端子が均等状態で
対応する各パッドと接触する。したがって、各端子の溶
融後における各パッドとの接続状態も均一となり、接触
不良等がなくなる。
According to a second aspect of the present invention, the plurality of signal layers are stacked via an insulator having the same thickness. According to this configuration, each ball-shaped terminal contacts each corresponding pad in an equal state. Therefore, the connection state of each terminal with each pad after the melting of each terminal becomes uniform, and a contact failure or the like is eliminated.

【0010】請求項3の発明は、前記LSIチップの端
子面は、この端子面を取り囲む全周辺から中央に向けて
階段状に形成されている構成としてある。この構成によ
れば、端子数が多数個のLSIチップにも本発明を適用
することが可能である。
According to a third aspect of the present invention, the terminal surface of the LSI chip is formed stepwise from the entire periphery surrounding the terminal surface toward the center. According to this configuration, the present invention can be applied to an LSI chip having a large number of terminals.

【0011】請求項4に記載の発明は、前記LSIチッ
プの端子面は、対向する二つの辺の一方又は両方から階
段状に形成されている構成としてある。この構成によれ
ば、端子数が多数個のLSIチップにも本発明を適用す
ることができるうえ、LSIチップからの信号の引き出
し方向がLSIチップの左右方向に限定されるので、信
号を引き出すための配線の形成が容易になる。
According to a fourth aspect of the present invention, the terminal surface of the LSI chip is formed stepwise from one or both of two opposing sides. According to this configuration, the present invention can be applied to an LSI chip having a large number of terminals, and the direction of extracting signals from the LSI chip is limited to the left and right directions of the LSI chip. Wiring can be easily formed.

【0012】請求項5に記載の発明は、前記積層基板に
は前記LSIチップに電源を供給するための専用の信号
層が含まれる構成としてある。この構成によれば、電源
の供給もスルーホールを介することなく行うことができ
るので、スルーホールキャパシタンスによるノイズの発
生や電圧降下を防止することができる。
According to a fifth aspect of the present invention, the laminated substrate includes a dedicated signal layer for supplying power to the LSI chip. According to this configuration, power can be supplied without passing through the through-hole, so that noise generation and voltage drop due to the through-hole capacitance can be prevented.

【0013】請求項6に記載の発明は、前記LSIチッ
プの端子又は前記積層基板の接続部をボール状の電極で
構成している。この構成によれば、LSIチップの端子
と配線基板の接続部との接続を確実にすることができ、
ノイズの発生をさらに低減することができる。
According to a sixth aspect of the present invention, a terminal of the LSI chip or a connection portion of the laminated substrate is formed of a ball-shaped electrode. According to this configuration, the connection between the terminal of the LSI chip and the connection portion of the wiring board can be ensured,
Generation of noise can be further reduced.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、この発明の積層基板へのL
SIチップの実装構造を図面にしたがって詳細に説明す
る。図1は本発明の一実施形態にかかり、積層基板への
LSIチップの実装構造を説明する概略側面図、図2は
接続部の配置を説明する積層基板の平面図、図3はこの
実施形態の作用の説明図で、LSIチップの伝送波形を
示すグラフである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the following, L is applied to a laminated substrate of the present invention.
The mounting structure of the SI chip will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic side view illustrating a mounting structure of an LSI chip on a laminated substrate according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view of the laminated substrate illustrating an arrangement of connection portions, and FIG. 7 is a graph illustrating a transmission waveform of an LSI chip in the explanatory diagram of the operation of FIG.

【0015】LSIチップ1の端子面2は、端子面2を
取り囲む周囲の四辺から中央に向けて階段状に形成され
ている。この実施形態では、LSIチップ1は10列1
0行の合計100個の端子3を有している。この実施形
態において端子3はボール状の半田から形成される。端
子面2の階段は5段に形成され、各段部2a,2b,2
c,2d,2eごとに端子3がほぼ均等間隔で配置され
ている。
The terminal surface 2 of the LSI chip 1 is formed stepwise from four sides surrounding the terminal surface 2 toward the center. In this embodiment, the LSI chip 1 has 10 columns 1
It has a total of 100 terminals 3 in 0 rows. In this embodiment, the terminals 3 are formed of a ball-shaped solder. The steps on the terminal surface 2 are formed in five steps, and each step 2a, 2b, 2
The terminals 3 are arranged at substantially equal intervals for each of c, 2d, and 2e.

【0016】このLSIチップ1が実装される積層基板
5は8層の信号層5a〜5hを積層してなる。各信号層
5a〜5hには図示しない配線が形成され、各信号層間
には同じ厚さの絶縁体6がそれぞれ介在させてある。積
層基板5の表面(実装面)から3層目と5層目の信号層
5c,5eは、LSIチップ1に電源を供給するための
電源専用層である。
The laminated substrate 5 on which the LSI chip 1 is mounted is formed by laminating eight signal layers 5a to 5h. Wiring not shown is formed in each of the signal layers 5a to 5h, and an insulator 6 having the same thickness is interposed between the signal layers. The third and fifth signal layers 5c and 5e from the surface (mounting surface) of the multilayer substrate 5 are power-only layers for supplying power to the LSI chip 1.

【0017】LSIチップ1が実装される積層基板5の
実装部分は、LSIチップ1の端子面2の形状に合わせ
て、四角形が段階的に小さくなるように表面側から絶縁
体6と信号層5a〜5eを順次切り取って階段状に形成
される。積層基板5の階段は、LSIチップ1の階段と
同様に5段形成され、各信号層5b〜5fの露出部分8
a〜8eには、LSIチップ1の端子3の配置に応じ
て、接続部としての接続パッド9がほぼ均等間隔で形成
される。各接続パッド9は、各信号層5b〜5f上の配
線に接続されている。
The mounting portion of the laminated substrate 5 on which the LSI chip 1 is mounted is arranged such that the square is gradually reduced in accordance with the shape of the terminal surface 2 of the LSI chip 1 so that the insulator 6 and the signal layer 5a are formed from the front side. To 5e are sequentially cut out to form a step shape. Five steps of the laminated substrate 5 are formed in the same manner as the steps of the LSI chip 1, and the exposed portions 8 of the signal layers 5b to 5f are formed.
In a to 8e, connection pads 9 as connection portions are formed at substantially equal intervals according to the arrangement of the terminals 3 of the LSI chip 1. Each connection pad 9 is connected to a wiring on each of the signal layers 5b to 5f.

【0018】LSIチップ1は、階段状に形成された積
層基板5の前記実装部に挿入され(挿入方向を図1中矢
印で示す)、各段部2a〜2eごとの端子3が、各信号
層5b〜5fの接続パッド9に接続される。絶縁体6,
…,6の厚さが同じとなっているので、各ボール状の端
子3が均等状態で対応する各パッド9と接触する。した
がって、各端子3の溶融後における各パッド9との接続
状態も均一となり、接触不良等がなくなる。
The LSI chip 1 is inserted into the mounting portion of the laminated substrate 5 formed in a step shape (the insertion direction is indicated by an arrow in FIG. 1), and the terminal 3 of each of the step portions 2a to 2e is connected to each signal. Connected to connection pads 9 of layers 5b to 5f. Insulator 6,
Since the thicknesses of..., 6 are the same, each ball-shaped terminal 3 contacts each corresponding pad 9 in an equal state. Therefore, the connection state of each terminal 3 with each pad 9 after melting is uniform, and a contact failure or the like is eliminated.

【0019】このように構成されたLSIチップの実装
構造によれば、スルーホールを介することなくLSIチ
ップの各端子3と所定の信号層5b〜5fの配線とを接
続することができるため、スルーホールキャパシタンス
の影響を完全に無くすことができ、ノイズの発生や電圧
降下を防止でき、かつ、高速化を妨げることもない。図
3はこの実施形態のLSIチップの実装構造におけるL
SIチップの伝送波形を示すグラフである。図3に示す
ように、LSIチップの伝送波形はフラットであり、ノ
イズが生じていないことがわかる。
According to the mounting structure of the LSI chip configured as described above, each terminal 3 of the LSI chip can be connected to the wiring of the predetermined signal layer 5b to 5f without passing through a through hole. The effect of Hall capacitance can be completely eliminated, noise generation and voltage drop can be prevented, and high speed operation is not hindered. FIG. 3 is a view showing an L chip in the mounting structure of the LSI chip of this embodiment.
4 is a graph showing a transmission waveform of an SI chip. As shown in FIG. 3, it can be seen that the transmission waveform of the LSI chip is flat and no noise occurs.

【0020】また、この実施形態のLSIチップの実装
構造によれば、スルーホールを介することなくLSIチ
ップ1の各段部2a〜2eの端子3と各信号層5b〜5
fの接続パッド9とを接続することができるので、同一
端子数の場合には端子間の距離を小さくしてLSIチッ
プを小型化することができ、LSIチップの大きさが同
一である場合には、端子面に設けることのできる端子数
をより多くすることができる。
Further, according to the mounting structure of the LSI chip of this embodiment, the terminals 3 of the steps 2a to 2e and the signal layers 5b to 5b of the LSI chip 1 are not inserted through the through holes.
f, the connection pads 9 can be connected to each other, so that when the number of terminals is the same, the distance between the terminals can be reduced to reduce the size of the LSI chip. Can increase the number of terminals that can be provided on the terminal surface.

【0021】次に、この発明の他の実施形態を図4及び
図5にしたがって説明する。図4は本発明の他の実施形
態にかかり、積層基板へのLSIチップの実装構造を説
明する概略側面図、図5は接続部の配置を説明する積層
基板の平面図である。
Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a schematic side view illustrating a mounting structure of an LSI chip on a laminated substrate according to another embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a plan view of the laminated substrate illustrating an arrangement of connection portions.

【0022】LSIチップ11の端子面12は、端子面
12の平行な2辺の各々から中央に向けて階段状に形成
されている。この実施形態では、LSIチップ11は6
列10行の合計60個の端子13を有している。端子面
12の階段は3段に形成され、各段部12a,12b,
12cごとに端子13が均等間隔で10個づつ配置され
ている。
The terminal surface 12 of the LSI chip 11 is formed stepwise from each of two parallel sides of the terminal surface 12 toward the center. In this embodiment, the LSI chip 11 has 6
It has a total of 60 terminals 13 in 10 columns. The steps of the terminal surface 12 are formed in three steps, and each step 12a, 12b,
Ten terminals 13 are arranged at equal intervals for each 12c.

【0023】このLSIチップ11が実装される積層基
板15は、先の実施形態と同様に6層の信号層15a〜
15fを積層してなる。15a〜15fには図示しない
配線が形成され、各信号層間には絶縁体16が形成され
る。積層基板15の表面から3層目の信号層15cは、
LSIチップ11に電源を供給するための電源専用層で
ある。LSIチップ11が実装される積層基板15の実
装部分は、LSIチップ11の端子面12の形状に合わ
せて、表面側から絶縁体16と信号層15a,15b,
15cとを順次平行に切り取って階段状に形成される。
The laminated substrate 15 on which the LSI chip 11 is mounted has six signal layers 15a to 15a as in the previous embodiment.
15f. Wirings (not shown) are formed in 15a to 15f, and an insulator 16 is formed between signal layers. The third signal layer 15c from the surface of the laminated substrate 15 is
A power supply dedicated layer for supplying power to the LSI chip 11. The mounting portion of the laminated substrate 15 on which the LSI chip 11 is mounted has an insulator 16 and signal layers 15a, 15b,
15c are sequentially cut in parallel to form a step shape.

【0024】積層基板15の階段は、LSIチップ11
の階段と同様に3段形成され、各信号層15b,15
c,15dの露出部分18a,18b,18cには、L
SIチップ11の各段部12a,12b,12cごとに
端子13に応じて接続パッド19が形成される。各接続
パッド19は、各信号層15b,15c,15d上の配
線に接続される。
The steps of the laminated substrate 15 correspond to the LSI chip 11
And three signal layers 15b and 15
The exposed portions 18a, 18b, 18c of c, 15d have L
A connection pad 19 is formed in accordance with the terminal 13 for each of the steps 12a, 12b, and 12c of the SI chip 11. Each connection pad 19 is connected to a wiring on each signal layer 15b, 15c, 15d.

【0025】この実施形態においても、先の実施形態と
同様、スルーホールの形成を必要としないので、ノイズ
の発生と電圧降下を防止でき、かつ、高速化を妨げるこ
ともない。すなわち、図3に示したのと同様のフラット
な伝送波形を得ることができる。また、同一端子数の場
合には端子間の距離を小さくしてLSIチップを小型化
することができ、LSIチップの大きさが同一である場
合には、端子面に設けることのできる端子数をより多く
することができる。さらに、この実施形態の実装構造に
よれば、LSIチップ11からの信号の引き出し方向が
LSIチップ11の左右方向に限定されるので、先の実
施形態に比して信号を引き出すための配線の形成が容易
になるという利点も有する。
In this embodiment, as in the previous embodiment, the formation of through holes is not required, so that generation of noise and voltage drop can be prevented, and speeding up is not hindered. That is, a flat transmission waveform similar to that shown in FIG. 3 can be obtained. When the number of terminals is the same, the distance between the terminals can be reduced to reduce the size of the LSI chip. When the size of the LSI chip is the same, the number of terminals that can be provided on the terminal surface is reduced. You can do more. Further, according to the mounting structure of this embodiment, the direction of extracting signals from the LSI chip 11 is limited to the left and right directions of the LSI chip 11, so that formation of wiring for extracting signals is more difficult than in the previous embodiment. Also has the advantage of being easier.

【0026】この発明の好適な実施形態について説明し
てきたがこの発明は上記の実施形態により何ら限定され
るものではない。例えば、上記の実施形態では、端子数
が100個のLSIチップ1と60個のLSIチップ1
1とを例に挙げて説明したが、60個未満又は100個
より多い端子3,13を有するLSIチップにも適用が
可能である。この場合、端子の個数に合わせて、LSI
チップの端面に形成する階段の段数を増減変更するとよ
い。また、端子面及び積層基板に形成する階段の形状
は、上記の実施形態では左右対称形であるが、左右非対
称形であっても差し支えない。
Although the preferred embodiment of the present invention has been described, the present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the above embodiment, the LSI chip 1 having 100 terminals and the LSI chip 1 having 60 terminals
1 has been described as an example, but the present invention is also applicable to an LSI chip having less than 60 or more than 100 terminals 3 and 13. In this case, according to the number of terminals, the LSI
The number of steps formed on the end face of the chip may be increased or decreased. Further, the shape of the stairs formed on the terminal surface and the laminated substrate is symmetric in the above embodiment, but may be asymmetric in the left and right.

【0027】[0027]

【発明の効果】この発明のLSIチップの実装構造によ
れば以下のような効果を奏する。LSIチップの各端子
と積層基板の所定の信号層の配線とをスルーホールを介
することなく接続することができるので、スルーホール
キャパシタンスの影響を取り除いてノイズの発生を防止
するとともにLSIチップの高速化を図ることが可能に
なる。
According to the LSI chip mounting structure of the present invention, the following effects can be obtained. Since each terminal of the LSI chip can be connected to a wiring of a predetermined signal layer of the laminated substrate without passing through the through-hole, the influence of the through-hole capacitance can be eliminated to prevent the generation of noise and increase the speed of the LSI chip. Can be achieved.

【0028】また、スルーホールを必要としないので、
端子数が多くなっても容易に積層基板にLSIチップを
実装することができる。さらに、同一端子数の場合には
端子間の距離を小さくしてLSIチップを小型化するこ
とができ、LSIチップの大きさが同一である場合に
は、端子面に設けることのできる端子数をより多くする
ことができる。また、電源の供給についてもスルーホー
ルを介することなく行うことができるので、電圧降下や
ノイズの発生という不都合を回避することができる。
Also, since no through hole is required,
Even if the number of terminals increases, the LSI chip can be easily mounted on the laminated substrate. Furthermore, when the number of terminals is the same, the distance between the terminals can be reduced to reduce the size of the LSI chip. When the size of the LSI chip is the same, the number of terminals that can be provided on the terminal surface is reduced. You can do more. In addition, power can be supplied without passing through the through-hole, so that inconveniences such as voltage drop and noise can be avoided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態にかかり、積層基板へのL
SIチップの実装構造を説明する概略側面図である。
FIG. 1 shows an embodiment of the present invention in which L is applied to a laminated substrate.
FIG. 2 is a schematic side view illustrating a mounting structure of an SI chip.

【図2】接続部の配置を説明する積層基板の平面図であ
る。
FIG. 2 is a plan view of a laminated substrate for explaining an arrangement of connection portions.

【図3】この実施形態の作用の説明図で、LSIチップ
の伝送波形を示すグラフである。
FIG. 3 is an explanatory diagram of the operation of this embodiment, and is a graph showing a transmission waveform of an LSI chip.

【図4】本発明の他の実施形態にかかり、積層基板への
LSIチップの実装構造を説明する概略側面図である。
FIG. 4 is a schematic side view illustrating a mounting structure of an LSI chip on a laminated substrate according to another embodiment of the present invention.

【図5】本発明の他の実施形態にかかり、接続部の配置
を説明する積層基板の平面図である。
FIG. 5 is a plan view of a laminated substrate illustrating an arrangement of connection portions according to another embodiment of the present invention.

【図6】LSIチップの実装構造の従来例を説明する積
層基板及びLSIチップの概略図である。
FIG. 6 is a schematic view of a laminated substrate and an LSI chip for explaining a conventional example of a mounting structure of the LSI chip.

【図7】図6の積層基板のLSIチップの実装面の平面
図である。
FIG. 7 is a plan view of a mounting surface of an LSI chip of the laminated substrate of FIG. 6;

【図8】従来のLSIチップの実装構造におけるLSI
チップの伝送波形を示すグラフである。
FIG. 8 shows an LSI in a conventional LSI chip mounting structure.
4 is a graph showing a transmission waveform of a chip.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 LSIチップ 2 端子面 2a〜2e 段部 3 端子 5 積層基板 6 絶縁体 8a〜8e 露出部 9 接続パッド 11 LSIチップ 12 端子面 12a〜12c 段部 13 端子 15 積層基板 16 絶縁体 18a〜18c 露出部 19 接続パッド N ノイズ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 LSI chip 2 Terminal surface 2a-2e Step part 3 Terminal 5 Laminated substrate 6 Insulator 8a-8e Exposed part 9 Connection pad 11 LSI chip 12 Terminal surface 12a-12c Step 13 Terminal 15 Laminated substrate 16 Insulator 18a-18c Exposed Part 19 Connection pad N Noise

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の信号層を有する積層基板にLSI
チップを実装するLSIチップの実装構造であって、 端子面が階段状に形成され、各段ごとに端子が設けられ
たLSIチップと、 LSIチップ実装部が前記LSIチップの端子面に合わ
せて実装面側から階段状に形成された積層基板と、 階段状に形成されることにより露出した各信号層の露出
面に形成され、前記LSIチップの端子と接続される接
続部とを有し、 前記LSIチップ実装部に前記LSIチップを挿入し、
前記接続部と前記LSIチップの端子とを接続して実装
したこと、 を特徴とするLSIチップの実装構造。
An LSI is mounted on a laminated substrate having a plurality of signal layers.
An LSI chip mounting structure for mounting a chip, wherein an LSI chip in which a terminal surface is formed in a stepped shape and a terminal is provided for each stage, and an LSI chip mounting portion is mounted according to the terminal surface of the LSI chip A laminated substrate formed stepwise from the surface side, and a connection portion formed on an exposed surface of each signal layer exposed by being formed stepwise and connected to a terminal of the LSI chip; Inserting the LSI chip into the LSI chip mounting portion,
The connection structure and a terminal of the LSI chip are connected and mounted, the mounting structure of the LSI chip.
【請求項2】 前記LSIチップの端子を前記接続部に
直接当接させて前記端子と前記接続部とを接続した前記
複数の信号層が、同じ厚さの絶縁体を介して積層してあ
ること、 を特徴とする請求項1に記載の積層基板へのLSIチッ
プの実装構造。
2. The plurality of signal layers, in which terminals of the LSI chip are brought into direct contact with the connection portions to connect the terminals and the connection portions, are laminated via an insulator having the same thickness. The mounting structure of an LSI chip on a laminated substrate according to claim 1, wherein:
【請求項3】 前記LSIチップの端子面が、この端子
面を取り囲む全周辺から中央に向けて階段状に形成され
ていること、 を特徴とする請求項1又は請求項2に記載の積層基板へ
のLSIチップの実装構造。
3. The laminated substrate according to claim 1, wherein the terminal surface of the LSI chip is formed in a step shape from the entire periphery surrounding the terminal surface toward the center. LSI chip mounting structure.
【請求項4】 前記LSIチップの端子面が、対向する
二つの辺の一方又は両方から階段状に形成されているこ
と、 を特徴とする請求項1,2又は3に記載の積層基板への
LSIチップの実装構造。
4. The laminated substrate according to claim 1, wherein the terminal surface of the LSI chip is formed in a step shape from one or both of two opposing sides. LSI chip mounting structure.
【請求項5】 前記積層基板には前記LSIチップに電
源を供給するための専用の信号層が含まれること、 を特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載
の積層基板へのLSIチップの実装構造。
5. The laminated substrate according to claim 1, wherein the laminated substrate includes a dedicated signal layer for supplying power to the LSI chip. LSI chip mounting structure.
【請求項6】 前記LSIチップの端子又は前記積層基
板の接続部が、ボール状の電極から構成されること、を
特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の
積層基板へのLSIチップの実装構造。
6. The laminated substrate according to claim 1, wherein the terminal of the LSI chip or the connection portion of the laminated substrate is formed of a ball-shaped electrode. LSI chip mounting structure.
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