JP2000251221A

JP2000251221A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法及びその装置

Info

Publication number: JP2000251221A
Application number: JP11050571A
Authority: JP
Inventors: Kaoru Shibata; 馨柴田; Hironori Araki; 宏典荒木; Toshihide Suehiro; 利英末広; Shoichi Murakami; 彰一村上; Hikari Adachi; 光足立; Katsushi Hanada; 克司花田
Original assignee: Sumitomo Metal Industries Ltd
Current assignee: Nippon Steel Corp
Priority date: 1999-02-26
Filing date: 1999-02-26
Publication date: 2000-09-14

Abstract

(57)【要約】【課題】磁性層に腐食を発生させることなく、エッチ
ング速度が速く、対マスク選択比率も向上させることが
できる薄膜磁気ヘッドの製造方法、及びその実施に使用
する装置を提供する。【解決手段】第１チャンバ１内に、塩素系ガスを導入
してプラズマを生成し、アルミナ又はアルチックを用い
てなる絶縁層をエッチングする。第３チャンバ３に設け
てある搬送用アームによって、減圧した第３チャンバ３
を介して第１チャンバ１から第２チャンバ２へ基材を搬
送する。第２チャンバ２内に酸素系ガスを導入してプラ
ズマを生成し、基材に設けてあるレジスト及びエッチン
グ処理にて生成された反応生成物の一部を前記プラズマ
によってアッシング除去する。アッシング処理済の基材
を、搬出用ロードロック室14に設けてある搬出装置によ
って洗浄器５に搬出し、洗浄器５は、基材を回転させつ
つその表面を純水で洗浄する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁性層及び絶縁層
を積層した薄膜磁気ヘッド用基材をエッチングして薄膜
磁気ヘッドを製造する方法、及びその実施に使用する装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ハードディスクドライブ装置では、磁気
ギャップが小さい薄膜磁気ヘッドが設けてあるスライダ
がハードディスクに対向配置してあり、ハードディスク
の回転によって生じる気流によってスライダを浮上さ
せ、該スライダをハードディスクの直径方向へ移動させ
つつ、前記薄膜磁気ヘッドによってハードディスクに磁
気データを高密度に記録し、また記録した磁気データを
読み出している。薄膜磁気ヘッドでは、パーマロイ（Ｆ
ｅＮｉ）等の磁性層上に、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）若し
くはアルチック（Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ）又は二酸化珪素
（ＳｉＯ₂）等の絶縁層を積層した基材が用いられてお
り、該基材の表面に溝及び段差等が所要の凹凸パターン
で形成してある。なお、アルチックは、一般的にＴｉＣ
を１０％〜５０％程度含有している。

【０００３】従来より、前述した基材の表面に凹凸パタ
ーンを形成するには、絶縁層上にマスクとしてレジスト
層及び磁性層を所要のパターンで積層した後、Ａｒガス
といった不活性ガスを励起して得たイオンを加速し、該
イオンを基材の表面に衝突させるイオンミリング法を用
いていた。しかし、イオンミリング法を用いた場合、絶
縁層を除去する速度が遅いという問題があった。また、
マスクに対する選択比率が低く、凹凸パターンを高精度
に形成し難いという問題もあった。

【０００４】そのため、フッ素系ガス又は塩素系ガス等
の反応性ガスを励起してプラズマを生成し、得られたプ
ラズマによって絶縁層をエッチングすることが考えられ
る。この場合、プラズマの衝突によるスパッタリング効
果に加えて、反応性イオンによる化学反応によって絶縁
層が除去されるため、エッチング速度が速く、また対マ
スク選択比率も向上する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、反応性ガスと
してハロゲン系ガスを用いて基材をエッチングする場
合、エッチング処理した基材の表面にフッ素系反応生成
物又は塩素系反応生成物等が残留し、これら残留物と大
気中の水分との化学反応によって、基材の磁性層が腐食
されるという問題があった。

【０００６】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、その目的とするところは絶縁層及び磁性層を
積層した薄膜磁気ヘッド用基材を第１容器内でハロゲン
を含む反応性ガスを用いてエッチングし、ハロゲンを含
む反応生成物による前記磁性層の腐食を防止する雰囲気
内で薄膜磁気ヘッド用基材を第１容器から第２容器へ搬
送し、該第２容器内でアッシングした薄膜磁気ヘッド用
基材を洗浄液で洗浄することによって、磁性層に腐食を
発生させることなく、エッチング速度が速く、対マスク
選択比率も向上させることができる薄膜磁気ヘッドの製
造方法、及びその実施に使用する装置を提供することに
ある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】第１発明に係る薄膜磁気
ヘッドの製造方法は、絶縁層及び磁性層を積層した薄膜
磁気ヘッド用基材を第１容器に装入し、該第１容器内に
反応性ガスを導入してプラズマを生成し、得られたプラ
ズマによって前記絶縁層をエッチングし、エッチングし
た薄膜磁気ヘッド用基材を前記第１容器から第２容器へ
搬送し、それを第２容器内でアッシングして薄膜磁気ヘ
ッドを製造する方法であって、前記反応性ガスとしてハ
ロゲンを含むガスを用い、ハロゲンを含む反応生成物に
よる前記磁性層の腐食を防止する雰囲気内で、前記薄膜
磁気ヘッド用基材を前記第１容器から第２容器へ搬送
し、前記第２容器でアッシングした薄膜磁気ヘッド用基
材を洗浄液で洗浄することを特徴とする。

【０００８】第２発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、第１発明において、アルミナ又はアルチックを用い
てなる絶縁層を積層した薄膜磁気ヘッド用基材を前記第
１容器に装入し、該第１容器内に塩素を含む反応性ガス
を導入することを特徴とする。

【０００９】第３発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、第１発明において、二酸化珪素を用いてなる絶縁層
を積層した薄膜磁気ヘッド用基材を前記第１容器に装入
し、該第１容器内にフッ素を含む反応性ガスを導入する
ことを特徴とする。

【００１０】第４発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、第１乃至第３発明の何れかにおいて、前記洗浄液と
して純水を用いることを特徴とする。

【００１１】第５発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造装置
は、絶縁層及び磁性層を積層した薄膜磁気ヘッド用基材
を装入した第１容器内で前記絶縁層をエッチングし、エ
ッチングした薄膜磁気ヘッド用基材を前記第１容器から
第２容器へ搬送し、それを第２容器内でアッシングして
薄膜磁気ヘッドを製造する装置であって、前記第１容器
は、ハロゲンを含む反応性ガスから生成したプラズマに
よって前記絶縁層をエッチングするようになしてあり、
ハロゲンを含む反応生成物による前記磁性層の腐食を防
止する雰囲気内で、前記薄膜磁気ヘッド用基材を前記第
１容器から第２容器へ搬送すべく、第１容器と第２容器
との間に介装した第３容器と、これら容器外に配置して
あり、第２容器でアッシングした薄膜磁気ヘッド用基材
を洗浄液で洗浄する洗浄機とを備えることを特徴とす
る。

【００１２】絶縁層及び磁性層を積層した薄膜磁気ヘッ
ド用基材を第１容器内に装入し、ハロゲンを含む反応性
ガスを第１容器内に導入してプラズマを生成し、該プラ
ズマによって基材の絶縁層をエッチングする。これによ
って、エッチング速度が速く、対マスク選択比率も向上
させることができる。

【００１３】絶縁層がアルミナ又はアルチックを用いて
形成してある場合、塩素を含む、例えばＢＣｌ₃ガス及
びＣｌ₂ガスの混合ガスを用いる。また、絶縁層が二酸
化珪素を用いて形成してある場合、フッ素を含む、例え
ばＣＦ₄ガス、ＣＨＦ₃ガス及びＡｒガスの混合ガスを
用いる。これによって、アルミナ又はアルチックを用い
てなる絶縁層、又は二酸化珪素を用いてなる絶縁層を、
所要の断面形状にエッチングすることができる。

【００１４】エッチングした薄膜磁気ヘッド用基材には
ハロゲンを含む反応生成物が残留するため、前記第１容
器とアッシングを行う第２容器との間に介装した第３容
器の内気を、例えば排出することによって大気を除去し
た雰囲気になし、該雰囲気内で薄膜磁気ヘッド用基材を
第１容器から第２容器へ搬送する。なお、第３容器の内
気を排出すると共に、乾燥させた適宜の気体を第３容器
内へ導入するようになしてもよい。これによって、薄膜
磁気ヘッド用基材に残留する反応生成物によって磁性層
が腐食されることが防止される。

【００１５】第２容器内に装入した薄膜磁気ヘッド用基
材はそこでアッシングされ、前記反応生成物の一部は薄
膜磁気ヘッド用基材の予め設けたレジストと共に除去さ
れる。アッシングした基材を第１〜第３容器外に設置し
た洗浄機に、第２容器から直接又は第３容器を介して搬
出し、洗浄機は洗浄液によって薄膜磁気ヘッド用基材の
表面を洗浄する。これによって、薄膜磁気ヘッド用基材
に残留するハロゲンを含む反応生成物が洗浄除去される
ため、大気中に薄膜磁気ヘッド用基材を放置した場合で
も、薄膜磁気ヘッド用基材に腐食が発生しない。このと
き、洗浄液として純水を用いることによって、薄膜磁気
ヘッド用基材に残留する反応生成物を、可及的に低いコ
ストで効率良く洗浄除去することができる。また、洗浄
廃液による環境汚染を容易に回避することができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて具体的に説明する。（実施の形態１）図１は本発明に係る装置の構成を示す
模式的平面図であり、図中、１は、エッチング処理を行
う第１チャンバ、２は、アッシング処理を行う第２チ
ャンバである。第１チャンバ１及び第２チャンバ２はそ
れぞれ、開閉扉７，８を介して第３チャンバ３に連結し
てあり、第１〜第３チャンバ１〜３内は各別に減圧し得
るようになっている。

【００１７】第３チャンバ３には、未処理の基材を第３
チャンバ３内へ搬入するための搬入用ロードロック室1
3、及び処理済の基材を第３チャンバ３外へ搬出するた
めの搬出用ロードロック室14がそれぞれ設けてあり、両
ロードロック室13，14内の圧力は各別に調整される。ま
た、第３チャンバ３内には、基材を搬送する搬送用アー
ム（図示せず）が回動自在に設けてあり、搬入用ロード
ロック室13内へ搬入された基材は、搬送用アームによっ
て、搬入用ロードロック室13から第１チャンバ１内へ搬
送された後、第１チャンバ１から第２チャンバ２内へ搬
送され、更に第２チャンバ２から搬出用ロードロック室
14内へ搬送される。

【００１８】搬入用ロードロック室13の近傍には、未処
理の複数の基材を格納する第１カセット21が第１載置部
11上に載置してあり、搬入用ロードロック室13内には、
第１カセット21から基材を搬入する搬入装置（図示せ
ず）が進退自在に設けてある。また、搬出用ロードロッ
ク室14の近傍には、処理済の複数の基材を格納する第２
カセット22が第２載置部12上に載置してあり、搬出用ロ
ードロック室14内には、第３チャンバ３外へ基材を搬出
する搬出装置（図示せず）が進退自在に設けてある。

【００１９】第２載置部12と搬出用ロードロック室14と
の間には、基材を回転させつつその表面を純水で洗浄す
る洗浄器５が配置してあり、該洗浄器５には前述した搬
出装置によって基材が搬送される。洗浄器５と第２載置
部12との間には図示しない搬送装置が設けてあり、洗浄
器５によって洗浄処理された基材は、該搬送装置によっ
て第２カセット22へ搬送され、そこに収納される。

【００２０】このような装置によって薄膜磁気ヘッドを
製造するには、例えば、パーマロイ等の第１磁性層、及
びアルミナ又はアルチックを用いてなる絶縁層をこの順
番に積層し、絶縁層上にレジスト及び第２磁性層を所要
のマスクパターンになるように堆積した複数の基材が収
納してある第１カセット21を第１載置部11に載置し、空
の第２カセット22を第２載置部12に載置しておく。ま
た、第１チャンバ１、第２チャンバ２及び第３チャンバ
３内を所定の圧力に減圧しておく。

【００２１】搬入用ロードロック室13内を大気圧にな
し、搬入用ロードロック室13の外気側に予め設けてある
搬入用外扉を開いた後、前述した搬入装置によって第１
カセット21から搬入用ロードロック室13内へ未処理の基
材を搬入する。そして、搬入用外扉を閉じ、搬入用ロー
ドロック室13内を第３チャンバ３内の圧力まで減圧した
後、搬入用ロードロック室13の内気側に予め設けてある
搬入用内扉を開く。

【００２２】第３チャンバ３と第１チャンバ１との間に
設けてある開閉扉７を開け、搬送用アームによって搬入
用ロードロック室13から第１チャンバ１内へ基材を搬送
した後、前記開閉扉７を閉じる。第１チャンバ１内を所
要の圧力に調整した後、第１チャンバ１内に、反応性ガ
スとして塩素系ガスを所定の流量で導入しつつマイクロ
波を供給することによってプラズマを生成し、レジスト
及び第２磁性層をマスクとして、アルミナ又はアルチッ
クを用いてなる絶縁層を、生成したプラズマによってエ
ッチングする。

【００２３】エッチングを行う条件としては、例えば、
第１チャンバ１内の圧力を２ｍＴｏｒｒに調整し、ＢＣ
ｌ₃ガス及びＣｌ₂ガスの混合ガスをＢＣｌ₃ガス／Ｃ
ｌ₂ガス＝５０ｓｃｃｍ／５０ｓｃｃｍの流量で導入
し、１０００Ｗのパワーで励振したマイクロ波によって
前記混合ガスを励起してプラズマを生成する。

【００２４】エッチング処理を開始してから所定時間経
過したとき、混合ガス及びマイクロ波の供給を停止し、
第１チャンバ１の内圧を第３チャンバ３の内圧に調整し
た後、第３チャンバ３と第１チャンバ１との間に設けて
ある開閉扉７及び第３チャンバ３と第２チャンバ２との
間に設けてある開閉扉８を開け、前述した搬送用アーム
によって、エッチング処理した基材を第１チャンバ１か
ら第２チャンバ２へ搬送する。

【００２５】図２はエッチングに供した基材の部分断面
図である。また、図３は、図２に示した基材を、塩素系
ガスから生成したプラズマによってエッチングした状態
を示す模式的部分断面図であり、図４は、図２に示した
基材を、フッ素系ガスから生成したプラズマによってエ
ッチングした状態を示す模式的部分断面図である。

【００２６】図２に示した如く、基材30は、パーマロイ
を用いてなる第１磁性層31上にアルミナを用いてなる絶
縁層33が積層してあり、該絶縁層33上にパーマロイを用
いてなる第２磁性層32及びレジスト36，36が所要のパタ
ーンで設けてある。この基材30を、ＢＣｌ₃ガス及びＣ
ｌ₂ガスの混合ガスをマイクロ波で励起することによっ
て生成したプラズマによってエッチングした場合、図３
に示した如く、第２磁性層32及びレジスト36，36をマス
クとして、断面視が矩形状に除去された除去部分の両側
に、島状の絶縁層33，33，33が形成されており、除去部
分の形状は良好であった。また、基材30の表面には複数
の塩素系反応生成物41，41，…が残留している。

【００２７】これに対して、図２に示した基材30を、Ｃ
Ｆ₄ガス及びＣＨＦ₃ガスの混合ガスをマイクロ波で励
起することによって生成したプラズマによってエッチン
グした場合、図４に示した如く、絶縁層33，33，33の間
の除去部分の側面がテーパ状になっており、所要の形状
を得ることができなかった。また、基材30の表面には複
数のフッ素系反応生成物42，42，…が残留している。

【００２８】エッチング処理した基材が第２チャンバ２
に搬送された場合、第３チャンバ３と第２チャンバ２と
の間に設けてある開閉扉８を閉じ、第２チャンバ２内を
所要の圧力に調整した後、第２チャンバ２内に酸素系ガ
スを所定の流量で導入しつつマイクロ波を供給すること
によってプラズマを生成し、該プラズマによって、レジ
スト36の全部又は一部及びエッチング処理にて生成され
た反応生成物の一部又は全部をアッシング除去する。

【００２９】アッシングを行う条件としては、例えば、
第２チャンバ２内の圧力を０．９Ｔｏｒｒに調整し、Ｏ
₂ガス及びＣＦ₄ガスの混合ガスをＯ₂ガス／ＣＦ₄ガ
ス＝７７６ｓｃｃｍ／２４ｓｃｃｍの流量で導入し、１
２００Ｗのパワーで励振したマイクロ波によって前記混
合ガスを励起してプラズマを生成する。

【００３０】図５は、図３に示したエッチング済の基材
をアッシングした状態を示す模式的部分断面図である。
図５に示した如く、アッシングによってレジスト36の一
部が除去されている。また、Ｏ₂ガス及びＣＦ₄ガスの
混合ガスを用いてアッシングした場合、エッチングした
基材30に残留する塩素系反応生成物41，41，…の一部が
フッ素系反応生成物42，42，…に置換されているが、ア
ッシングした基材30に残留する塩素系反応生成物41，4
1，…及びフッ素系反応生成物42，42，…の総量は、図
３に示したエッチングした基材30に残留する塩素系反応
生成物41，41，…の総量より少なくなっている。

【００３１】アッシング処理を開始してから所定時間経
過したとき、混合ガス及びマイクロ波の供給を停止し、
第２チャンバ２の内圧を第３チャンバ３の内圧に調整し
た後、第３チャンバ３と第２チャンバ２との間に設けて
ある開閉扉８及び搬出用ロードロック室14の内気側に予
め設けてある搬出用内扉を開け、前述した搬送用アーム
によって、アッシング処理した基材を第２チャンバ２か
ら搬出用ロードロック室14内に搬送する。

【００３２】アッシング処理済の基材が搬出用ロードロ
ック室14に搬送されると、前記搬出用内扉を閉じて、搬
出用ロードロック室14内の圧力を大気圧に調整した後、
搬出用ロードロック室14の外気側に予め設けてある搬出
用外扉を開け、搬出用ロードロック室14に設けてある搬
出装置によって、前記基材を洗浄器５に搬出する。そし
て、洗浄器５は、基材を回転させつつその表面を純水で
洗浄する。

【００３３】これによって、基材の表面に残留するハロ
ゲンを含む反応生成物が洗浄除去され、第１及び第２磁
性層に腐食が発生することが防止される。

【００３４】純水による洗浄が終了した場合、基材は前
述した搬送装置によって洗浄器５から第２カセット22へ
搬送され、そこに収納される。

【００３５】（実施の形態２）本実施の形態では、前述
したアルミナ又はアルチックを用いてなる絶縁層に代え
て、二酸化珪素を用いてなる絶縁層を設けた基材を使用
した場合について説明する。このような基材を用いて薄
膜磁気ヘッドを製造する場合、次のような条件でエッチ
ング及びアッシングを行う以外は、図１に示した装置に
よって前同様の操作を行う。

【００３６】エッチングを行う条件としては、例えば、
第１チャンバ１内の圧力を４ｍＴｏｒｒに調整し、ＣＦ
₄ガス、ＣＨＦ₃ガス及びＡｒガスの混合ガスをＣＦ₄
ガス／ＣＨＦ₃ガス／Ａｒガス＝２０ｓｃｃｍ／２０ｓ
ｃｃｍ／１６０ｓｃｃｍの流量で導入し、１０００Ｗの
パワーで励振したマイクロ波によって前記混合ガスを励
起してプラズマを生成する。ここで、上述した如くＡｒ
ガスを添加した場合、それを添加しなかった場合に比べ
て、プラズマの電離が促進されるため、プラズマ放電が
安定化されると共に、対レジスト選択比が向上される。

【００３７】図６はエッチングに供した基材の部分断面
図である。また、図７は、図６に示した基材を、フッ素
系ガスから生成したプラズマによってエッチングした状
態を示す模式的部分断面図であり、図８は、図６に示し
た基材を、塩素系ガスから生成したプラズマによってエ
ッチングした状態を示す模式的部分断面図である。

【００３８】図６に示した如く、基材30は、パーマロイ
を用いてなる第１磁性層31上に二酸化珪素を用いてなる
絶縁層34が積層してあり、該絶縁層34上にパーマロイを
用いてなる第２磁性層32及びレジスト36，36が所要のパ
ターンで設けてある。この基材30を、ＣＦ₄ガス，ＣＨ
Ｆ₃ガス及びＡｒガスからなる混合ガスをマイクロ波で
励起することによって生成したプラズマによってエッチ
ングした場合、図７に示した如く、第２磁性層32及びレ
ジスト36，36をマスクとして、断面視が矩形状に除去さ
れた除去部分の両側に、島状の絶縁層34，34，34が形成
されており、除去部分の形状は良好であった。また、基
材30の表面には複数のフッ素系又は炭素系の反応生成物
42，42，…が残留している。

【００３９】これに対して、図６に示した基材30を、Ｂ
Ｃｌ₃ガス及びＣｌ₂ガスの混合ガスをマイクロ波で励
起することによって生成したプラズマによってエッチン
グした場合、図８に示した如く、絶縁層34，34，34の除
去部分の側面がテーパ状になっており、所要のエッチン
グ形状を得ることができなかった。また、基材30の表面
には複数の塩素系の反応生成物41，41，…が残留してい
る。

【００４０】二酸化珪素を用いてなる絶縁層をフッ素系
ガスから生成したプラズマでエッチングした基材を、第
２チャンバ２に装入してアッシングする。アッシングを
行う条件としては、例えば、第２チャンバ２内の圧力を
０．９Ｔｏｒｒに調整し、Ｏ ₂ガス及びＣＦ₄ガスの混
合ガスをＯ₂ガス／ＣＦ₄ガス＝７７６ｓｃｃｍ／２４
ｓｃｃｍの流量で導入し、１２００Ｗのパワーで励振し
たマイクロ波によって前記混合ガスを励起してプラズマ
を生成する。

【００４１】

【発明の効果】以上詳述した如く、第１及び第５発明に
あっては、薄膜磁気ヘッド用基材に設けた絶縁層をハロ
ゲンを含む反応性ガスから生成したプラズマによってエ
ッチングするため、エッチング速度が速く、対マスク選
択比率も向上させることができる。また、例えば大気を
除去した雰囲気内で薄膜磁気ヘッド用基材を搬送して、
アッシングするため、薄膜磁気ヘッド用基材に残留する
反応生成物によって磁性層が腐食されることが防止され
る。更に、アッシングした薄膜磁気ヘッド用基材を洗浄
液によって洗浄するため、薄膜磁気ヘッド用基材に残留
するハロゲンを含む反応生成物が洗浄除去され、大気中
に薄膜磁気ヘッド用基材を放置した場合でも、薄膜磁気
ヘッド用基材に腐食が発生しない。

【００４２】第２発明にあっては、絶縁層がアルミナ又
はアルチックを用いて形成してある場合、塩素を含む反
応性ガスを用いることによって、絶縁層を所要の断面形
状にエッチングすることができる。

【００４３】第３発明にあっては、絶縁層が二酸化珪素
を用いて形成してある場合、フッ素を含む反応性ガスを
用いることによって、絶縁層を所要の断面形状にエッチ
ングすることができる。

【００４４】第４発明にあっては、洗浄液として純水を
用いることによって、薄膜磁気ヘッド用基材に残留する
反応生成物を、可及的に低いコストで効率良く洗浄除去
することができる。また、洗浄廃液による環境汚染を容
易に回避することができる等、本発明は優れた効果を奏
する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る装置の構成を示す模式的平面図で
ある。

【図２】エッチングに供した基材の部分断面図である。

【図３】図２に示した基材を、塩素系ガスから生成した
プラズマによってエッチングした状態を示す模式的部分
断面図である。

【図４】図２に示した基材を、フッ素系ガスから生成し
たプラズマによってエッチングした状態を示す模式的部
分断面図である。

【図５】図３に示したエッチング済の基材をアッシング
した状態を示す模式的部分断面図である。

【図６】エッチングに供した基材の部分断面図である。

【図７】図６に示した基材を、フッ素系ガスから生成し
たプラズマによってエッチングした状態を示す模式的部
分断面図である。

【図８】図６に示した基材を、塩素系ガスから生成した
プラズマによってエッチングした状態を示す模式的部分
断面図である。

【符号の説明】

１第１チャンバ２第２チャンバ３第３チャンバ５洗浄器７開閉扉８開閉扉１３搬入用ロードロック室１４搬出用ロードロック室２１第１カセット２２第２カセット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者末広利英兵庫県尼崎市扶桑町１番８号住友金属工業株式会社半導体装置事業部内 (72)発明者村上彰一兵庫県尼崎市扶桑町１番８号住友金属工業株式会社半導体装置事業部内 (72)発明者足立光兵庫県尼崎市扶桑町１番８号住友金属工業株式会社半導体装置事業部内 (72)発明者花田克司兵庫県尼崎市扶桑町１番８号住友金属工業株式会社半導体装置事業部内Ｆターム(参考） 5D033 BA01 BA41 CA06 DA08 DA21 DA31

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁層及び磁性層を積層した薄膜磁気ヘ
ッド用基材を第１容器に装入し、該第１容器内に反応性
ガスを導入してプラズマを生成し、得られたプラズマに
よって前記絶縁層をエッチングし、エッチングした薄膜
磁気ヘッド用基材を前記第１容器から第２容器へ搬送
し、それを第２容器内でアッシングして薄膜磁気ヘッド
を製造する方法であって、前記反応性ガスとしてハロゲンを含むガスを用い、ハロ
ゲンを含む反応生成物による前記磁性層の腐食を防止す
る雰囲気内で、前記薄膜磁気ヘッド用基材を前記第１容
器から第２容器へ搬送し、前記第２容器でアッシングし
た薄膜磁気ヘッド用基材を洗浄液で洗浄することを特徴
とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】アルミナ又はアルチックを用いてなる絶
縁層を積層した薄膜磁気ヘッド用基材を前記第１容器に
装入し、該第１容器内に塩素を含む反応性ガスを導入す
る請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】二酸化珪素を用いてなる絶縁層を積層し
た薄膜磁気ヘッド用基材を前記第１容器に装入し、該第
１容器内にフッ素を含む反応性ガスを導入する請求項１
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】前記洗浄液として純水を用いる請求項１
乃至３の何れかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】絶縁層及び磁性層を積層した薄膜磁気ヘ
ッド用基材を装入した第１容器内で前記絶縁層をエッチ
ングし、エッチングした薄膜磁気ヘッド用基材を前記第
１容器から第２容器へ搬送し、それを第２容器内でアッ
シングして薄膜磁気ヘッドを製造する装置であって、前記第１容器は、ハロゲンを含む反応性ガスから生成し
たプラズマによって前記絶縁層をエッチングするように
なしてあり、ハロゲンを含む反応生成物による前記磁性
層の腐食を防止する雰囲気内で、前記薄膜磁気ヘッド用
基材を前記第１容器から第２容器へ搬送すべく、第１容
器と第２容器との間に介装した第３容器と、これら容器
外に配置してあり、第２容器でアッシングした薄膜磁気
ヘッド用基材を洗浄液で洗浄する洗浄機とを備えること
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造装置。