JP2000245855A - レーザ脱毛方法 - Google Patents
レーザ脱毛方法Info
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- JP2000245855A JP2000245855A JP11056333A JP5633399A JP2000245855A JP 2000245855 A JP2000245855 A JP 2000245855A JP 11056333 A JP11056333 A JP 11056333A JP 5633399 A JP5633399 A JP 5633399A JP 2000245855 A JP2000245855 A JP 2000245855A
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- removal method
- hair
- hair removal
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Abstract
(57)【要約】
【課題】扱いが面倒なクリームを使用しないで、簡単で
手間のかからないレーザ脱毛方法を提供する。 【解決手段】むだ毛の部分にパック剤を塗布するパック
剤塗布工程と、パック剤を乾燥させて凝固しパック被膜
を形成するパック被膜形成工程と、パック被膜の上から
レーザ光を照射するレーザ光照射工程と、パック被膜を
剥離してパック被膜に付着させたむだ毛を取り除くパッ
ク被膜剥離工程で構成する。
手間のかからないレーザ脱毛方法を提供する。 【解決手段】むだ毛の部分にパック剤を塗布するパック
剤塗布工程と、パック剤を乾燥させて凝固しパック被膜
を形成するパック被膜形成工程と、パック被膜の上から
レーザ光を照射するレーザ光照射工程と、パック被膜を
剥離してパック被膜に付着させたむだ毛を取り除くパッ
ク被膜剥離工程で構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光をむだ毛
の部分に照射して脱毛する際、パック剤を併用して効果
的な脱毛処理を行う美容用のレーザ脱毛方法に関する。
の部分に照射して脱毛する際、パック剤を併用して効果
的な脱毛処理を行う美容用のレーザ脱毛方法に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】従来の美容用に行うレ
ーザ脱毛は、脱毛クリームをむだ毛の部分に塗り、表面
の毛を溶かして除去した跡に半導体レーザのレーザ光を
照射して皮脂腺や毛乳頭部にダメージを与え、毛根の生
長を止め、毛の再生を防いでいた。
ーザ脱毛は、脱毛クリームをむだ毛の部分に塗り、表面
の毛を溶かして除去した跡に半導体レーザのレーザ光を
照射して皮脂腺や毛乳頭部にダメージを与え、毛根の生
長を止め、毛の再生を防いでいた。
【０００３】さらに、カーボンを添加したクリームを毛
を除去した跡の毛穴に塗って黒く染め、これにより低出
力の半導体レーザのパワー密度を高めてレーザ光の光熱
反応を助長させていた。
を除去した跡の毛穴に塗って黒く染め、これにより低出
力の半導体レーザのパワー密度を高めてレーザ光の光熱
反応を助長させていた。
【０００４】このため、脱毛の前後にクリームを塗った
り、拭き取る必要があるため、面倒で煩わしいという問
題があった。また、これらのクリームが皮膚に浸透する
場合は、脱毛後に皮膚をきれいに洗浄するなどの手間を
要した。
り、拭き取る必要があるため、面倒で煩わしいという問
題があった。また、これらのクリームが皮膚に浸透する
場合は、脱毛後に皮膚をきれいに洗浄するなどの手間を
要した。
【０００５】そこで本発明は、扱いが面倒なクリームを
使用しないで、簡単で手間のかからないレーザ脱毛方法
を提供することを目的になされたものである。
使用しないで、簡単で手間のかからないレーザ脱毛方法
を提供することを目的になされたものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに、本発明は以下のように構成した。
めに、本発明は以下のように構成した。
【０００７】すなわち、請求項１の発明は、むだ毛の部
分にパック剤を塗布するパック剤塗布工程と、パック剤
を乾燥させて凝固しパック被膜を形成するパック被膜形
成工程と、パック被膜の上からレーザ光を照射するレー
ザ光照射工程と、パック被膜を剥離してパック被膜に付
着させたむだ毛を取り除くパック被膜剥離工程と、から
成るレーザ脱毛方法である。請求項２の発明は、前記パ
ック剤の主成分が被膜剤と基剤および保湿剤であること
を特徴とする請求項１記載のレーザ脱毛方法である。請
求項３の発明は、前記パック剤にカーボンを添加するこ
とを特徴とする請求項１記載のレーザ脱毛方法である。
請求項４の発明は、前記パック剤に表面麻酔を行う麻酔
剤を配合することを特徴とする請求項１記載のレーザ脱
毛方法である。請求項５の発明は、前記パック剤に抗生
物質入りのステロイド剤を配合することを特徴とする請
求項１記載のレーザ脱毛方法である。請求項６の発明
は、前記パック剤に美肌効果のある栄養成分を配合する
ことを特徴とする請求項１記載のレーザ脱毛方法であ
る。請求項７の発明は、前記レーザ光をピーク波長６０
０〜１６００ｎｍの半導体レーザ光とする請求項１記載
のレーザ脱毛方法である。請求項８の発明は、前記レー
ザ光を光出力５〜５００ｍＷの半導体レーザ光とする請
求項１記載のレーザ脱毛方法である。
分にパック剤を塗布するパック剤塗布工程と、パック剤
を乾燥させて凝固しパック被膜を形成するパック被膜形
成工程と、パック被膜の上からレーザ光を照射するレー
ザ光照射工程と、パック被膜を剥離してパック被膜に付
着させたむだ毛を取り除くパック被膜剥離工程と、から
成るレーザ脱毛方法である。請求項２の発明は、前記パ
ック剤の主成分が被膜剤と基剤および保湿剤であること
を特徴とする請求項１記載のレーザ脱毛方法である。請
求項３の発明は、前記パック剤にカーボンを添加するこ
とを特徴とする請求項１記載のレーザ脱毛方法である。
請求項４の発明は、前記パック剤に表面麻酔を行う麻酔
剤を配合することを特徴とする請求項１記載のレーザ脱
毛方法である。請求項５の発明は、前記パック剤に抗生
物質入りのステロイド剤を配合することを特徴とする請
求項１記載のレーザ脱毛方法である。請求項６の発明
は、前記パック剤に美肌効果のある栄養成分を配合する
ことを特徴とする請求項１記載のレーザ脱毛方法であ
る。請求項７の発明は、前記レーザ光をピーク波長６０
０〜１６００ｎｍの半導体レーザ光とする請求項１記載
のレーザ脱毛方法である。請求項８の発明は、前記レー
ザ光を光出力５〜５００ｍＷの半導体レーザ光とする請
求項１記載のレーザ脱毛方法である。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。
施の形態について説明する。
【０００９】本発明を実施したレーザ脱毛方法は、パッ
ク剤塗布工程と、パック被膜形成工程と、レーザ光照射
工程と、パック被膜剥離工程で構成する。
ク剤塗布工程と、パック被膜形成工程と、レーザ光照射
工程と、パック被膜剥離工程で構成する。
【００１０】パック剤塗布工程は、専用の刷毛を使用し
てむだ毛の部分にまんべんなくパック剤を塗布する。
てむだ毛の部分にまんべんなくパック剤を塗布する。
【００１１】パック剤は、高分子化合物のポリビニルア
ルコールやポリ酢酸ビニルエマルジョンなどの被膜剤、
変性アルコールや精製水などの基剤、１，３−ブチレン
グリコールなどの保湿剤、パラオキシ安息香酸エステル
などの防腐剤を配合する。
ルコールやポリ酢酸ビニルエマルジョンなどの被膜剤、
変性アルコールや精製水などの基剤、１，３−ブチレン
グリコールなどの保湿剤、パラオキシ安息香酸エステル
などの防腐剤を配合する。
【００１２】また、着色剤としてカーボン微粒子を分散
させて添加し、パック剤が光学的に半透明になるように
する。
させて添加し、パック剤が光学的に半透明になるように
する。
【００１３】また、脱毛時の痛みを緩和するため、表面
麻酔を行う麻酔剤を配合する。
麻酔を行う麻酔剤を配合する。
【００１４】また、脱毛した跡をケアするため、抗生物
質入りのステロイド剤を配合する。
質入りのステロイド剤を配合する。
【００１５】また、肌に潤いを与えるなどの美肌効果の
ある各種の栄養成分を配合する。
ある各種の栄養成分を配合する。
【００１６】パック被膜形成工程は、パック剤を乾燥さ
せて凝固しパック被膜を形成する。このとき、パック被
膜にむだ毛を付着させる。
せて凝固しパック被膜を形成する。このとき、パック被
膜にむだ毛を付着させる。
【００１７】レーザ光照射工程は、パック被膜の上から
レーザ光を照射する。このとき、パック被膜はレーザ光
の一部を吸収して残りを透過する。パック被膜を透過し
たレーザ光は、表皮内メラニンに吸収されて発熱し、こ
の熱によって皮膚組織にたんぱく変性が起こる。同時
に、パック剤に添加したカーボン微粒子がレーザ光を吸
収し、ジュール熱が発生してパック被膜が被覆する皮膚
表層部の温度を上昇し、レーザ光の光熱反応を助長す
る。
レーザ光を照射する。このとき、パック被膜はレーザ光
の一部を吸収して残りを透過する。パック被膜を透過し
たレーザ光は、表皮内メラニンに吸収されて発熱し、こ
の熱によって皮膚組織にたんぱく変性が起こる。同時
に、パック剤に添加したカーボン微粒子がレーザ光を吸
収し、ジュール熱が発生してパック被膜が被覆する皮膚
表層部の温度を上昇し、レーザ光の光熱反応を助長す
る。
【００１８】さらに、レーザ光の光熱反応によって皮脂
腺や毛乳頭部にもダメージが及び、ケラチンの変性・分
解を促進する。このときレーザ光を照射したむだ毛は、
ケラチンの変性・分解によってすでに毛根部から抜けや
すくなっている。また、皮脂腺や毛乳頭部が凝縮して毛
包の組織が硬くなり、新生毛が育ちにくくなることによ
り毛の発育が抑制される。
腺や毛乳頭部にもダメージが及び、ケラチンの変性・分
解を促進する。このときレーザ光を照射したむだ毛は、
ケラチンの変性・分解によってすでに毛根部から抜けや
すくなっている。また、皮脂腺や毛乳頭部が凝縮して毛
包の組織が硬くなり、新生毛が育ちにくくなることによ
り毛の発育が抑制される。
【００１９】レーザ光の光源には、ＧａＡｓ（ガリウム
アルセナイド）などの化合物半導体を用いたＰＮ接合ダ
イオードに直接電流を流して励起し、レーザ発振を得る
半導体レーザダイオードを使用する。半導体レーザダイ
オードは、ピーク波長６００〜１６００ｎｍのレーザ光
を出力し、表皮内メラニンとパック剤に添加したカーボ
ンに選択的に反応して十分な光熱反応を起こす。また、
光出力５〜５００ｍＷのレーザ光を出力し、適正なパワ
ー密度で生体組織を損傷する作用はなく、皮膚に障害を
起こす危険性はない。
アルセナイド）などの化合物半導体を用いたＰＮ接合ダ
イオードに直接電流を流して励起し、レーザ発振を得る
半導体レーザダイオードを使用する。半導体レーザダイ
オードは、ピーク波長６００〜１６００ｎｍのレーザ光
を出力し、表皮内メラニンとパック剤に添加したカーボ
ンに選択的に反応して十分な光熱反応を起こす。また、
光出力５〜５００ｍＷのレーザ光を出力し、適正なパワ
ー密度で生体組織を損傷する作用はなく、皮膚に障害を
起こす危険性はない。
【００２０】パック被膜剥離工程は、パック被膜を剥離
してパック被膜に付着させてすでに毛根部から抜けやす
くなっているむだ毛を取り除く。
してパック被膜に付着させてすでに毛根部から抜けやす
くなっているむだ毛を取り除く。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明のレーザ脱毛
方法は、むだ毛の部分にパック剤を塗布してパック被膜
を形成し、パック被膜の上からレーザ光を照射した後、
パック被膜を剥離してパック被膜に付着させたむだ毛を
取り除く。従って、本発明によれば、パック被膜がレー
ザ光の光熱反応を助長し、ケラチンの変性・分解を促し
てむだ毛を毛根部から抜けやすくすると共に、パック被
膜にむだ毛を付着させるので、パック被膜を剥離するこ
とによって簡単に、素早く、痛みなしにむだ毛を取り除
くことができる。
方法は、むだ毛の部分にパック剤を塗布してパック被膜
を形成し、パック被膜の上からレーザ光を照射した後、
パック被膜を剥離してパック被膜に付着させたむだ毛を
取り除く。従って、本発明によれば、パック被膜がレー
ザ光の光熱反応を助長し、ケラチンの変性・分解を促し
てむだ毛を毛根部から抜けやすくすると共に、パック被
膜にむだ毛を付着させるので、パック被膜を剥離するこ
とによって簡単に、素早く、痛みなしにむだ毛を取り除
くことができる。
Claims (8)
- 【請求項１】 むだ毛の部分にパック剤を塗布するパッ
ク剤塗布工程と、 パック剤を乾燥させて凝固しパック被膜を形成するパッ
ク被膜形成工程と、 パック被膜の上からレーザ光を照射するレーザ光照射工
程と、 パック被膜を剥離してパック被膜に付着させたむだ毛を
取り除くパック被膜剥離工程と、から成るレーザ脱毛方
法。 - 【請求項２】 前記パック剤の主成分が被膜剤と基剤お
よび保湿剤であることを特徴とする請求項１記載のレー
ザ脱毛方法。 - 【請求項３】 前記パック剤にカーボンを添加すること
を特徴とする請求項１記載のレーザ脱毛方法。 - 【請求項４】 前記パック剤に表面麻酔を行う麻酔剤を
配合することを特徴とする請求項１記載のレーザ脱毛方
法。 - 【請求項５】 前記パック剤に抗生物質入りのステロイ
ド剤を配合することを特徴とする請求項１記載のレーザ
脱毛方法。 - 【請求項６】 前記パック剤に美肌効果のある栄養成分
を配合することを特徴とする請求項１記載のレーザ脱毛
方法。 - 【請求項７】 前記レーザ光をピーク波長６００〜１６
００ｎｍの半導体レーザ光とする請求項１記載のレーザ
脱毛方法。 - 【請求項８】 前記レーザ光を光出力５〜５００ｍＷの
半導体レーザ光とする請求項１記載のレーザ脱毛方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11056333A JP2000245855A (ja) | 1999-03-04 | 1999-03-04 | レーザ脱毛方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11056333A JP2000245855A (ja) | 1999-03-04 | 1999-03-04 | レーザ脱毛方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000245855A true JP2000245855A (ja) | 2000-09-12 |
Family
ID=13024289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11056333A Pending JP2000245855A (ja) | 1999-03-04 | 1999-03-04 | レーザ脱毛方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000245855A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003012487A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-15 | Ya Man Ltd | レーザートリートメント用美容液及びレーザートリートメント方法 |
-
1999
- 1999-03-04 JP JP11056333A patent/JP2000245855A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003012487A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-15 | Ya Man Ltd | レーザートリートメント用美容液及びレーザートリートメント方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040105 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040323 |