JP2000242919A - Floppy disk - Google Patents

Floppy disk

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JP2000242919A
JP2000242919A JP27264499A JP27264499A JP2000242919A JP 2000242919 A JP2000242919 A JP 2000242919A JP 27264499 A JP27264499 A JP 27264499A JP 27264499 A JP27264499 A JP 27264499A JP 2000242919 A JP2000242919 A JP 2000242919A
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JP
Japan
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layer
underlayer
magnetic
seed layer
floppy disk
Prior art date
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Pending
Application number
JP27264499A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shoichi Nishikawa
正一 西川
Makoto Nagao
信 長尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication of JP2000242919A publication Critical patent/JP2000242919A/en
Priority to US09/670,616 priority patent/US6833173B1/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the occurrence of cracks in the production of a floppy disk having a high recording density. SOLUTION: In a magnetic recording medium with a flattening layer having 0.1-5.0 μm thickness, a seed layer, a chromium-containing nonmagnetic underlayer having a concentration of chromium in the range of 77-100 at.%, a Co-Cr alloy magnetic layer, a protective layer and a lubricative layer in order on at least one face of a flexible nonmagnetic substrate, the coefficient (ESE) of linear expansion of the metallic seed layer and the coefficient (EUL) of linear expansion of the nonmagnetic underlayer satisfy the relation of |ESE-EUL|/EUL <0.3 and the tensile strength (SSE) of the metallic seed layer and the tensile strength (SUL) of the nonmagnetic underlayer satisfy the relation of SSE/SUL>1.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体に関
し、とくにコンピュータの補助記憶装置、画像記憶装置
などに用いられるリムーバブル型磁気記録媒体に係り高
記録密度を有する磁気記録媒体に関するものであり、と
くに1平方インチ当たり1ギガビット以上の高い記録密
度を有する可撓性支持体を基板としたフロッピーディス
クに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic recording medium, and more particularly to a magnetic recording medium having a high recording density, particularly to a removable magnetic recording medium used for an auxiliary storage device and an image storage device of a computer. The present invention relates to a floppy disk having a flexible support having a high recording density of 1 gigabit or more per square inch as a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】パソコンなどで作成される電子データの
容量の増大に伴って大量の電子データの保存、バックア
ップ用に高容量の磁気記録媒体からなるリムーバブル型
ディスクが望まれている。また、これまで業務用超高密
度記録媒体としてデジタルビデオテープが主に用いられ
てきたが、近年情報量の増大に伴い、更なる高容量化、
記録・再生速度向の要請されている。そこで、現在主流
のビデオテープに変わり、記録・再生速度が優れたリム
ーバブル型ディスクが業務用デジタル記録媒体として検
討され始めている。
2. Description of the Related Art Along with the increase in the capacity of electronic data created by a personal computer or the like, a removable disk comprising a high-capacity magnetic recording medium for storing and backing up a large amount of electronic data is desired. In addition, digital video tapes have been mainly used as ultra-high-density recording media for business use.
There is a demand for recording and playback speed. In view of the above, instead of the current mainstream video tape, a removable disk having an excellent recording / reproducing speed is being studied as a digital recording medium for business use.

【0003】しかし現存のギガバイト級の高密度磁気記
録媒体の支持体は、アルミニウム、ガラス等の円盤、い
わゆるハードディスクを使用しているため、装置に衝撃
が加わると、ヘッドクラッシュが発生し、媒体、ヘッド
とも大きな損傷を受ける可能性があった。リムーバブル
ハードディスクにおいても、この耐衝撃性の問題が未だ
解決されておらず、デジタルディスクカメラをはじめと
した携帯機器等における記録手段として使用する上では
障害となっていた。
However, the support of the existing gigabyte-class high-density magnetic recording medium uses a disk, such as aluminum or glass, or a so-called hard disk. Both heads could be severely damaged. Even in the case of a removable hard disk, the problem of shock resistance has not been solved yet, and it has been an obstacle to use as a recording means in a portable device such as a digital disk camera.

【0004】そこで、支持体をハードディスクからフロ
ッピーディスクと同様の可撓性のものに変えることで、
記録部の軽量化、ヘッドクラッシュ時の損傷低減ができ
ることなどの有利性があり、耐衝撃性に優れている可撓
性支持体を基板に使用した高密度リムーバブル磁気記録
媒体が望まれている。
Therefore, by changing the support from a hard disk to a flexible one similar to a floppy disk,
A high-density removable magnetic recording medium using a flexible support having excellent impact resistance as a substrate is desired, which has advantages such as a reduction in the weight of a recording unit and a reduction in damage at the time of a head crash.

【0005】リムーバブル磁気記録媒体は、基板上に強
磁性金属あるいは合金からなる磁性層を形成している。
特に高密度磁気記録媒体では、磁気記録媒体表面に形成
する強磁性層は、真空成膜法を用いて磁性膜を形成して
いる。ところが、可撓性支持体を用いたリムーバブル磁
気記録媒体においては、製造工程においてクラックが発
生し、媒体として使用できないという問題があった。
[0005] The removable magnetic recording medium has a magnetic layer formed of a ferromagnetic metal or alloy on a substrate.
In particular, in a high-density magnetic recording medium, a ferromagnetic layer formed on the surface of the magnetic recording medium forms a magnetic film by using a vacuum film forming method. However, a removable magnetic recording medium using a flexible support has a problem that cracks occur in the manufacturing process and the medium cannot be used.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、可撓性支持
体を基板としたリムーバブル型高密度磁気記録媒体にお
いて、製造工程において発生するクラックを防止して、
高品質のフロッピーディスク型磁気記録媒体を提供する
ことを課題とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a removable high-density magnetic recording medium having a flexible support as a substrate, which prevents cracks from occurring in the manufacturing process.
It is an object of the present invention to provide a high quality floppy disk type magnetic recording medium.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の課題は、可撓性
非磁性支持体の少なくとも一方の面に、下地層、磁性
膜、保護膜、潤滑膜を積層した構成のフロッピーディス
クにおいて可撓性支持体と下地層間にシード層を設ける
ことによって解決することができる。また、平坦化層の
厚さが0.1〜5μmの範囲にある前記のフロッピーデ
イスクである。可撓性支持体の厚さが30〜100μm
の範囲にある前記のフロッピーデイスクである。磁性層
がCr濃度が10〜30at%の範囲にあるCoCr合
金を用いた前記のフロッピーデイスクである。下地層が
Cr濃度が77〜100at%の範囲にあるCr合金を
用いた前記のフロッピーデイスクである。厚さが30〜
100μmの範囲にある可撓性支持体の少なくとも一方
の面に、厚さ0.1〜5μmの範囲にある平坦化層、シ
ード層、Cr濃度が77〜100at%の範囲にあるC
r合金からなる非磁性下地層、Cr濃度が10〜30a
t%の範囲にあるCoCr合金からなる磁性層、保護
層、および潤滑層を具備し、シード層として膜厚が5〜
100nmの範囲にあり、シード層の線膨張係数
(E SE)と該非磁性下地層の線膨張係数(EUL)が、|
SE−EUL|/EUL<0.3の関係を満たし、該金属シ
ード層の引っ張り強さ(SSE)と該非磁性下地層の引っ
張り強さ(SUL)がSSE/SUL>1の関係を満たす前記
のフロッピーデイスクである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a flexible device.
An underlayer and a magnetic layer are provided on at least one surface of the non-magnetic support.
Floppy disk with laminated film, protective film and lubricating film
A seed layer between the flexible support and the underlying layer
This can be solved by: In addition, the flattening layer
The above floppy disk having a thickness in the range of 0.1 to 5 μm.
Isk. The thickness of the flexible support is 30 to 100 μm
Is the above-mentioned floppy disk in the range. Magnetic layer
Is a CoCr alloy having a Cr concentration of 10 to 30 at%.
This is the above-mentioned floppy disk using gold. The underlayer is
Cr alloy with Cr concentration in the range of 77 to 100 at%
This is the above-mentioned floppy disk used. Thickness 30 ~
At least one of the flexible supports in the range of 100 μm
A flattening layer having a thickness in the range of 0.1 to 5 μm,
C with a Cr layer having a Cr concentration in the range of 77 to 100 at%.
Nonmagnetic underlayer made of r alloy, Cr concentration of 10 to 30a
Magnetic layer made of CoCr alloy in the range of t%, protection
Layer, and a lubricating layer, and the seed layer has a thickness of 5 to 5.
The linear expansion coefficient of the seed layer in the range of 100 nm
(E SE) And the linear expansion coefficient (EUL) But |
ESE-EUL| / EUL<0.3
Tensile strength (SSE) And the nonmagnetic underlayer
Tensile strength (SUL) Is SSE/ SUL> 1
It is a floppy disk.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】本発明者らは、可撓性非磁性支持
体上の少なくとも一方の面に、下地層、磁性膜、保護
膜、潤滑膜を積層した構成のフロッピーディスクにおい
て可撓性支持体と下地層間にシード層を設けることによ
って、製造工程においてクラックが発生することを防止
し、性能の安定したフロッピーディスクを提供すること
が可能であることを見出したものである。さらに、非磁
性支持体上に、特定の平坦化層、下地層、磁性層を形成
することにより、また金属シード層の線膨張係数
(ESE)と非磁性下地層の線膨張係数(EUL)が|ESE
−EUL|/EUL<0.3の関係を満たし、金属シード層
引っ張り強さ(ESE)と非磁性下地層の引っ張り強さ
(SUL)がSSE/SUL>1の関係を満たす材料をシード
層に用いることで、媒体作成時のクラックの発生を防止
できることを見いだし本発明に到った。すなわち、非磁
性支持体として可撓性材料を用いた基体上に形成した強
磁性金属薄膜のクラックは、高記録密度磁気記録媒体に
要求される平坦性とその上に形成される、シード層、下
地層等の熱膨張に起因することを見いだしたものであ
る。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present inventors have proposed a flexible non-magnetic support having a structure in which an underlayer, a magnetic film, a protective film and a lubricating film are laminated on at least one surface thereof. It has been found that by providing a seed layer between the support and the underlying layer, it is possible to prevent the occurrence of cracks in the manufacturing process and to provide a floppy disk with stable performance. Further, by forming a specific flattening layer, underlayer, and magnetic layer on the nonmagnetic support, the linear expansion coefficient (E SE ) of the metal seed layer and the linear expansion coefficient (E UL ) of the nonmagnetic underlayer can be improved. ) Is | E SE
−E UL | / E UL <0.3, and the relation between the metal seed layer tensile strength (E SE ) and the non-magnetic underlayer tensile strength (S UL ) is S SE / S UL > 1. The present inventors have found that the use of a material that satisfies the seed layer makes it possible to prevent the occurrence of cracks during the production of the medium, and has reached the present invention. That is, cracks in a ferromagnetic metal thin film formed on a substrate using a flexible material as a non-magnetic support are formed by a flatness required for a high-density magnetic recording medium and a seed layer formed thereon. It has been found that it is caused by thermal expansion of an underlayer or the like.

【0009】アルミニウム、ガラス等のハードディスク
を支持体として使用する場合、研磨加工などにより鏡面
に近い平坦性を作り出すことができる。しかしフロッピ
ーディスクの場合、支持体として可撓性支持体を使用し
ていることから、研磨加工により平坦性を向上させるこ
とは難しい。そこで可撓性支持体上では高分子物質から
なる平坦化層を設けることで、ハードディスク支持体と
同様の表面性を実現している。平坦化層上には、非磁性
下地層、磁性層をスパッタリングによって形成している
が、磁性層の静磁気特性、電磁変換特性を高めるために
100〜300℃の高温で支持体を加熱する必要が生じ
る。あるいはバイアス印加、RFスパッタリング法など
を使用するために実効的に支持体温度が上昇してしま
う。非磁性下地層、磁性層を形成した媒体は室温まで冷
却しスパッタリング装置から取り出される。このような
温度の変化する製造工程において、可撓性支持体、平坦
化層、非磁性下地層、磁性層は熱膨張、収縮を起こすこ
ととなる。
When a hard disk made of aluminum, glass or the like is used as a support, flatness close to a mirror surface can be produced by polishing or the like. However, in the case of a floppy disk, since a flexible support is used as a support, it is difficult to improve flatness by polishing. Therefore, by providing a flattening layer made of a polymer substance on the flexible support, the same surface properties as those of the hard disk support are realized. A non-magnetic underlayer and a magnetic layer are formed on the flattening layer by sputtering, but it is necessary to heat the support at a high temperature of 100 to 300 ° C. in order to enhance the magnetostatic characteristics and electromagnetic conversion characteristics of the magnetic layer. Occurs. Alternatively, the use of bias application, RF sputtering, or the like effectively increases the temperature of the support. The medium on which the nonmagnetic underlayer and the magnetic layer are formed is cooled to room temperature and taken out of the sputtering apparatus. In such a manufacturing process in which the temperature changes, the flexible support, the planarizing layer, the nonmagnetic underlayer, and the magnetic layer undergo thermal expansion and contraction.

【0010】ハードディスクでは、支持体が硬質の材料
で形成されていることに加えて、材質が金属、セラミッ
クス、ガラス等で構成されているので、下地層と支持体
の膨張係数の相違が小さいために、熱膨張の相違に基づ
いて加熱、冷却工程でクラック等が発生する可能性は小
さかったが、可撓性支持体を基板に用いた磁気記録媒体
においては、可撓性支持体、平坦化層は高分子組成物で
形成されており、非磁性下地層および磁性層は金属材料
であるため、両者間で熱膨張あるいは収縮量が1桁程度
は異なる。そのため冷却時の支持体の変形量に非磁性下
地層材料が耐えきれず、磁気記録媒体にクラックが発生
するものと考えられる。
In the hard disk, since the support is made of a hard material and the material is made of metal, ceramics, glass, or the like, the difference in the expansion coefficient between the underlayer and the support is small. Although the possibility of cracks or the like occurring in the heating and cooling steps based on the difference in thermal expansion was small, in the case of a magnetic recording medium using a flexible support as a substrate, the flexible support, The layer is formed of a polymer composition, and since the non-magnetic underlayer and the magnetic layer are metallic materials, the amounts of thermal expansion and contraction differ between the two by about one digit. Therefore, it is considered that the nonmagnetic underlayer material cannot withstand the deformation of the support during cooling, and cracks are generated in the magnetic recording medium.

【0011】そこで平坦層・下地層間に非磁性下地層つ
まりシード層を設けることで、支持体冷却時に発生する
平坦層・下地層間の力を下地層・シード層が受け、膜強
度が向上しクラックを防止できるものと考えられる。ま
た、シード層・下地層材料としてシード層の線膨張係数
(ESE)と下地層の線膨張係数(EUL)が|ESE一EUL
|/EUL<0.3の関係を満たし、シード層引っ張り強
さ(SSE)と下地層の引っ張り強さ(SUL)がSSE/S
UL>1の関係を満たす林料を選択することで、冷却行程
で下地層・磁性層間の線膨張係数の違いにより発生する
力に対抗することができ、より高い水準でクラックの発
生を防止することができると考えられる。即ち、可撓性
支持体の少なくとも一方に下地層、磁性膜、保護膜、潤
滑膜を積層した構成のフロッピーディスクにおいて、可
撓性支持体と下地層間にシード層を設けることで、媒体
作成時に発生するクラックを防止し、超高記録密度フロ
ッピーディスクを提供するものである。
Therefore, by providing a nonmagnetic underlayer, that is, a seed layer between the flat layer and the underlayer, the underlayer and the seed layer receive the force between the flat layer and the underlayer generated when the support is cooled, and the film strength is improved and the cracks are improved. Can be prevented. In addition, the linear expansion coefficient (E SE ) of the seed layer and the linear expansion coefficient (E UL ) of the under layer as the material of the seed layer and the under layer are | E SE- E UL
| / E UL <0.3, the seed layer tensile strength (S SE ) and the underlying layer tensile strength (S UL ) are S SE / S
By selecting a forest material that satisfies the relationship of UL > 1, it is possible to counteract the force generated by the difference in the coefficient of linear expansion between the underlayer and the magnetic layer during the cooling process, and to prevent cracks at a higher level It is thought that it is possible. That is, in a floppy disk having a structure in which an underlayer, a magnetic film, a protective film, and a lubricating film are laminated on at least one of the flexible supports, a seed layer is provided between the flexible support and the underlayer, so that a medium can be formed at the time of producing a medium. An object of the present invention is to provide an ultra-high-density floppy disk by preventing cracks from occurring.

【0012】すなわち、本発明は上記工程中に発生する
クラックを防止するために、金属シード層の線膨張係数
(ESE)及び非磁性下地層の線膨張係数(EUL)が|E
SE−EUL|/EUL<0.3の関係を満たし、シード層引
っ張り強さ(SSE)、及び非磁性下地層の引っ張り強さ
(SUL)がSSE/SUL>1の関係を満たす金属シード層
を設けることで、媒体作成時に発生するクラックを防止
し、高記録密度フロッピーディスクを提供するものであ
る。
That is, according to the present invention, the linear expansion coefficient (E SE ) of the metal seed layer and the linear expansion coefficient (E UL ) of the nonmagnetic underlayer are set to | E in order to prevent cracks occurring during the above-mentioned steps.
The relationship of SE− E UL │ / E UL <0.3 is satisfied, and the relationship between the seed layer tensile strength (S SE ) and the non-magnetic underlayer tensile strength (S UL ) is S SE / S UL > 1. By providing a metal seed layer that satisfies the above condition, it is possible to prevent cracks generated at the time of producing a medium and to provide a high recording density floppy disk.

【0013】次に、本発明に用いることができる好まし
い材料等について説明する。本発明の磁気記録媒体の支
持体としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチ
レンナフタレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミ
ドイミド、ポリベンゾキシアゾール等の材料を挙げるこ
とができる。また、本発明の磁気記録媒体の支持体のヤ
ング率は、200〜1600kg/mm2 が好ましく、
特に望ましくは300〜800kg/mm2 である。支
持体厚さは20〜150μmが好ましく、更に望ましく
は30〜80μmの範囲のものである。
Next, preferable materials and the like which can be used in the present invention will be described. Examples of the support of the magnetic recording medium of the present invention include materials such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyimide, polyamide, polyamideimide, and polybenzoxazole. Further, the Young's modulus of the support of the magnetic recording medium of the present invention is preferably from 200 to 1600 kg / mm 2 ,
Particularly desirable is 300 to 800 kg / mm 2 . The thickness of the support is preferably from 20 to 150 μm, and more preferably from 30 to 80 μm.

【0014】支持体の表面の平面性を向上させるために
支持体上に平坦化層が設けられている。平坦化層には、
耐熱性高分子材料を広く使用することができる。特に好
ましくはシリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミド
イミド樹脂、ポリイミド樹脂などの材料である。これら
の材料は耐熱性に優れているのに加え、表面性及び静磁
気特性において良好な特性を実現できる。平坦化層の塗
布厚は0.1〜5.0μmであり、望ましくは0.5〜
3.0μm、特に望ましくは0.8〜2.0μmの範囲
である。
In order to improve the flatness of the surface of the support, a flattening layer is provided on the support. In the planarization layer,
A heat-resistant polymer material can be widely used. Particularly preferred are materials such as silicone resin, polyamide resin, polyamideimide resin, and polyimide resin. These materials are not only excellent in heat resistance, but also can achieve good surface properties and magnetostatic properties. The coating thickness of the flattening layer is 0.1 to 5.0 μm, preferably 0.5 to 5.0 μm.
3.0 μm, particularly preferably in the range of 0.8 to 2.0 μm.

【0015】平坦化層表面に微小な突起、例えばSiO
2、Al23、TiO2等の無機物の微粒子、または有機
物の微粒子を設けても良い。微少な突起の形成に使用す
る微粒子の粒径は、5〜40nmであることが好まし
く、より好ましくは10〜35nmであり、さらに好ま
しくは15〜30nmの範囲である。そして、平坦化層
表面に形成される突起高さは30nm以下であることが
好ましい。平坦化層表面に形成される微粒子の粒径が5
nm未満では、平坦化層表面に微粒子を存在させたこと
による効果を得ることができず、また40nm以上で
は、その後に形成した層に凹凸が生じることとなり、平
面性が低下する。
On the surface of the flattening layer, minute projections such as SiO
2 , inorganic fine particles such as Al 2 O 3 and TiO 2 or organic fine particles may be provided. The particle size of the fine particles used for forming the fine projections is preferably 5 to 40 nm, more preferably 10 to 35 nm, and further preferably 15 to 30 nm. The height of the protrusion formed on the surface of the flattening layer is preferably 30 nm or less. The particle size of the fine particles formed on the surface of the flattening layer is 5
If it is less than nm, the effect due to the presence of the fine particles on the surface of the flattening layer cannot be obtained, and if it is more than 40 nm, the layer formed thereafter will have irregularities and the flatness will be reduced.

【0016】平坦化層と下地層の間に形成するシード層
は、Ta、Mo、W、V、Zr、Cr、Rh、Hf、N
b、Mn、Ni、Al、RuおよびTiのうち、少なく
とも一種類の金属もしくは二種類以上の元素を含む合金
等が好ましい。また、酸素、窒素等を含有しても良い。
The seed layer formed between the planarizing layer and the underlayer is made of Ta, Mo, W, V, Zr, Cr, Rh, Hf, N
Among b, Mn, Ni, Al, Ru and Ti, an alloy containing at least one kind of metal or two or more kinds of elements is preferable. Further, oxygen, nitrogen and the like may be contained.

【0017】シード層の厚さは、10nm〜100nm
であることが好ましく、より好ましくは15〜80n
m、更に好ましいのは20〜60nmである。シード層
厚を10nm以下に薄くすると、シード層構造が不連続
になり熱収縮によって発生する力が下地層に加わってし
まい、クラックが発生する。100nm以上に厚くする
と、シード層の持つ膜応力により、磁気記録媒体にクラ
ック、膜剥がれ等が起こる。シード層はアルゴン雰囲気
中で直流スパッタリングにより作製することができる。
シード層作製温度は、5〜250℃であり、好ましくは
10〜200℃である。
The thickness of the seed layer is 10 nm to 100 nm.
And more preferably 15 to 80 n
m, more preferably 20 to 60 nm. When the thickness of the seed layer is reduced to 10 nm or less, the structure of the seed layer becomes discontinuous, and a force generated by heat shrinkage is applied to the underlayer, thereby causing cracks. When the thickness is more than 100 nm, cracks, film peeling, etc. occur in the magnetic recording medium due to the film stress of the seed layer. The seed layer can be formed by DC sputtering in an argon atmosphere.
The seed layer forming temperature is 5 to 250 ° C, preferably 10 to 200 ° C.

【0018】非磁性下地層材料としては、クロム、ある
いはクロムとTi、W、Mo、V、Ta、B、Si、N
b、Zr、Al及びMnのうちの少なくとも一種の金属
を含む合金等が好ましい。非磁性下地層のCr濃度は7
7〜100原子%、好ましくは80〜95原子%であ
り、残部はその他の元素金属である。非磁性下地層膜厚
は5nm〜500nmであり、好ましくは10〜100
nmである。下地層厚を500nm以上に厚くすると磁
性層の粒径が大きくなり、媒体ノイズの増加がおこる。
The material of the nonmagnetic underlayer is chromium, or chromium and Ti, W, Mo, V, Ta, B, Si, N
An alloy containing at least one metal of b, Zr, Al and Mn is preferable. The Cr concentration of the nonmagnetic underlayer is 7
It is 7 to 100 atomic%, preferably 80 to 95 atomic%, and the balance is other elemental metals. The thickness of the nonmagnetic underlayer is 5 nm to 500 nm, preferably 10 to 100 nm.
nm. When the thickness of the underlayer is increased to 500 nm or more, the grain size of the magnetic layer increases, and the medium noise increases.

【0019】以上のような方法によって形成する、金属
シード層の線膨張係数(ESE)及び非磁性下地層の線膨
張係数(EUL)が|ESE−EUL|/EUL<0.3の関係
を満たし、シード層引っ張り強さ(SSE)、及び非磁性
下地層の引っ張り強さ(SUL)がSSE/SUL>1の関係
を満たす金属シード層を設けることが必要となる。より
好ましくは、|ESE−EUL|/EUL<0.2の関係を満
たし、SSE/SUL>1.1である。
The linear expansion coefficient (E SE ) of the metal seed layer and the linear expansion coefficient (E UL ) of the non-magnetic underlayer formed by the above method are | E SE −E UL | / E UL <0. It is necessary to provide a metal seed layer that satisfies the relationship of (3) and the tensile strength of the seed layer (S SE ) and the tensile strength of the nonmagnetic underlayer (S UL ) satisfy the relationship of S SE / S UL > 1. Become. More preferably, the relationship | E SE −E UL | / E UL <0.2 is satisfied, and S SE / S UL > 1.1.

【0020】また、このような関係を満たすシード層、
および非磁性下地層は、具体的にはシード層材料とし
て、Ta(膜厚:20nm、投入電力:11.4W/c
2 、アルゴン分圧:8mTorr )、非磁性下地層材料と
してCrTi20(膜厚:60nm、投入電力:11.4
W/cm2、アルゴン分圧:15mTorr)を用いた媒体を
挙げることができる。
Further, a seed layer satisfying the above relationship,
The non-magnetic underlayer is made of Ta (film thickness: 20 nm, input power: 11.4 W / c) as a seed layer material.
m 2 , partial pressure of argon: 8 mTorr), CrTi 20 (film thickness: 60 nm, input power: 11.4) as a nonmagnetic underlayer material
(W / cm 2 , partial pressure of argon: 15 mTorr).

【0021】磁性層を形成する磁性材料としては、コバ
ルトクロム合金が好ましく、特にPt、Ta、Ni、S
i、B、Ni、Pdを含むコバルト−クロム合金、さら
にこれらに酸素を含むものが挙げられる。これらのなか
でも、特にCoCrPt、CoCrPtTaが好まし
い。これらは出力、ノイズ特性ともに優れているためで
ある。またコバルトクロム合金以外にはバリウムフェラ
イトを用いることができる。強磁性層中のCr濃度は1
0〜30原子%であり、好ましくは12〜28原子%、
更に好ましくは15〜25原子%である。磁性層膜厚は
10〜300nmであり、好ましくは10〜60nmで
ある。非磁性下地層及び磁性層は真空成膜法で設けるこ
とが好ましい。特にスパッタリングは元素の組成を変え
ることなく成膜できるため好ましい。また、シード層、
下地層、磁性層ともに真空状態のまま連続的に成膜を行
うことが好ましい。
As the magnetic material forming the magnetic layer, a cobalt chromium alloy is preferable, and particularly, Pt, Ta, Ni, S
Cobalt-chromium alloys containing i, B, Ni, and Pd, and those containing oxygen are also included. Among these, CoCrPt and CoCrPtTa are particularly preferred. These are because both the output and the noise characteristics are excellent. Barium ferrite other than the cobalt chromium alloy can be used. The Cr concentration in the ferromagnetic layer is 1
0 to 30 atomic%, preferably 12 to 28 atomic%,
More preferably, it is 15 to 25 atomic%. The thickness of the magnetic layer is 10 to 300 nm, preferably 10 to 60 nm. The nonmagnetic underlayer and the magnetic layer are preferably provided by a vacuum film forming method. In particular, sputtering is preferable because a film can be formed without changing the composition of elements. Also, a seed layer,
It is preferable to form films continuously in a vacuum state for both the underlayer and the magnetic layer.

【0022】磁性上には、保護膜として、プラズマCV
D法、スパッタリング法等で作製したアモルファス、グ
ラファイト、ダイヤモンド構造、もしくはこれらの混合
物からなるカーボン膜を設けることが好ましい。特に好
ましくは一般にダイヤモンドライクカーボンと呼ばれる
硬質の非晶質カーボン膜である。この硬質炭素膜はビッ
カース硬度で1000kg/mm2 以上、好ましくは2
000kg/mm2 以上の硬質の炭素膜である。保護膜
の膜厚は、2.5〜30nmが好ましく、特に好ましく
は5〜25nmである。
On the magnetism, a plasma CV
It is preferable to provide a carbon film made of an amorphous structure, a graphite structure, a diamond structure, or a mixture thereof prepared by the method D, the sputtering method, or the like. Particularly preferred is a hard amorphous carbon film generally called diamond-like carbon. This hard carbon film has a Vickers hardness of 1000 kg / mm 2 or more, preferably 2 kg / mm 2 or more.
It is a hard carbon film of 000 kg / mm 2 or more. The thickness of the protective film is preferably 2.5 to 30 nm, particularly preferably 5 to 25 nm.

【0023】本発明の磁気記録媒体において、走行耐久
性および耐食性を改善するため、上記磁性膜もしくは保
護膜上に潤滑剤や防錆剤を付与することが好ましい。潤
滑剤としては、公知の炭化水素系潤滑剤、フッ素系潤滑
剤、極圧添加剤などが使用できる。炭化水素系潤滑剤と
してはステアリン酸、オレイン酸等のカルボン酸類、ス
テアリン酸ブチル等のエステル類、オクタデシルスルホ
ン酸等のスルホン酸類、リン酸モノオクタデシル等のリ
ン酸エステル類、ステアリルアルコール、オレイルアル
コール等のアルコール類、ステアリン酸アミド等のカル
ボン酸アミド類、ステアリルアミン等のアミン類などが
挙げられる。
In the magnetic recording medium of the present invention, in order to improve running durability and corrosion resistance, it is preferable to add a lubricant or a rust inhibitor to the magnetic film or the protective film. As the lubricant, known hydrocarbon-based lubricants, fluorine-based lubricants, extreme pressure additives and the like can be used. Examples of the hydrocarbon-based lubricant include carboxylic acids such as stearic acid and oleic acid, esters such as butyl stearate, sulfonic acids such as octadecylsulfonic acid, phosphoric esters such as monooctadecyl phosphate, stearyl alcohol, oleyl alcohol and the like. Alcohols, carboxylic acid amides such as stearic acid amide, and amines such as stearylamine.

【0024】フッ素系潤滑剤としては上記炭化水素系潤
滑剤のアルキル基の一部または全部をフルオロアルキル
基もしくはパーフルオロポリエーテル基で置換した潤滑
剤が挙げられる。パーフルオロポリエーテル基としては
パーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロ
エチレンオキシド重合体、パーフルオロ−n−プロピレ
ンオキシド重合体(CF2CF2CF2O)n 、パーフル
オロイソプロピレンオキシド重合体(CF(CF3)C
2O)n、またはこれらの共重合体等である。
Examples of the fluorine-based lubricant include lubricants in which part or all of the alkyl group of the hydrocarbon-based lubricant is substituted with a fluoroalkyl group or a perfluoropolyether group. Examples of the perfluoropolyether group include a perfluoromethylene oxide polymer, a perfluoroethylene oxide polymer, a perfluoro-n-propylene oxide polymer (CF 2 CF 2 CF 2 O) n , and a perfluoroisopropylene oxide polymer (CF ( CF 3 ) C
F 2 O) n or a copolymer thereof.

【0025】極圧添加剤としてはリン酸トリラウリル等
のリン酸エステル類、亜リン酸トリラウリル等の亜リン
酸エステル類、トリチオ亜リン酸トリラウリル等のチオ
亜リン酸エステルやチオリン酸エステル類、二硫化ジベ
ンジル等の硫黄系極圧剤などが挙げられる。
Examples of extreme pressure additives include phosphoric esters such as trilauryl phosphate, phosphites such as trilauryl phosphite, thiophosphites and thiophosphoric esters such as trilauryl trithiophosphite, and the like. And sulfur-based extreme pressure agents such as dibenzyl sulfide.

【0026】上記潤滑剤は単独もしくは複数を併用して
使用される。これらの潤滑剤を磁性膜もしくは保護膜上
に付与する方法としては潤滑剤を有機溶剤に溶解し、ワ
イヤーバー法、グラビア法、スピンコート法、ディップ
コート法等で塗布するか、真空蒸着法によって付着させ
ればよい。潤滑剤の塗布量としては1〜30mg/m2
が好ましく、2〜20mg/m2が特に好ましい。
The above lubricants are used alone or in combination of two or more. As a method of applying these lubricants on a magnetic film or a protective film, a lubricant is dissolved in an organic solvent and applied by a wire bar method, a gravure method, a spin coating method, a dip coating method, or a vacuum evaporation method. What is necessary is just to make it adhere. The amount of the lubricant to be applied is 1 to 30 mg / m 2.
Preferably, 2 to 20 mg / m 2 is particularly preferred.

【0027】本発明で使用できる防錆剤としてはベンゾ
トリアゾール、ベンズイミダゾール、プリン、ピリミジ
ン等の窒素含有複素環類およびこれらの母核にアルキル
側鎖等を導入した誘導体、ベンゾチアゾール、2−メル
カプトンベンゾチアゾール、テトラザインデン環化合
物、チオウラシル化合物等の窒素および硫黄含有複素環
類およびこの誘導体等が挙げられる。
The rust preventives usable in the present invention include nitrogen-containing heterocycles such as benzotriazole, benzimidazole, purine and pyrimidine, and derivatives having an alkyl side chain introduced into the mother nucleus, benzothiazole, 2-mercapto. And nitrogen- and sulfur-containing heterocycles such as benzothiazole, tetrazaindene ring compounds and thiouracil compounds, and derivatives thereof.

【0028】[0028]

【実施例】以下に、本発明の実施例および比較例を示
し、本発明を説明する。 実施例1 75μmポリイミド可撓性支持体上に厚さ1μmのポリ
イミド樹脂を平坦化層として施し、その上にシード層と
してアルゴン分圧8mTorr 、投入電力11.4W/cm
2 、支持体温度20℃の条件で直流スパッタリングによ
って、タンタルを20nmの厚さに被覆した。さらに非
磁性下地層として、アルゴン分圧15mTorr、投入電力
11.4W/cm2 、支持体温200℃で、チタンを2
0原子%含むクロム合金を直流スパッタリング法により
60nmの厚さに被覆した。
The present invention will be described below with reference to examples and comparative examples of the present invention. Example 1 A polyimide resin having a thickness of 1 μm was applied as a flattening layer on a 75 μm polyimide flexible support, and a partial pressure of 8 mTorr of argon and a power supply of 11.4 W / cm were formed thereon as a seed layer.
2. Tantalum was coated to a thickness of 20 nm by DC sputtering at a substrate temperature of 20 ° C. Further, as a non-magnetic underlayer, titanium was applied at a partial pressure of 15 mTorr, an applied power of 11.4 W / cm 2 and a support temperature of 200 ° C.
A chromium alloy containing 0 atomic% was coated to a thickness of 60 nm by a direct current sputtering method.

【0029】次に非磁性下地層上に磁性層として、アル
ゴン分圧1.5mTorr、投入電力11.4W/cm2
支持体温度200℃で、膜厚30nmの、Crを20原
子%、Ptを12原子%含むCo合金薄膜を直流スパッ
タリングにより形成した。次いで、磁性層上に、アルゴ
ン分圧3mTorr、投入電力5.71W/cm2の条件で直
流スパッタリングによって膜厚20nmのカーボンの保
護膜を設けた。
Next, as a magnetic layer on the non-magnetic underlayer, an argon partial pressure of 1.5 mTorr, an input power of 11.4 W / cm 2 ,
At a support temperature of 200 ° C., a 30 nm-thick Co alloy thin film containing 20 atomic% of Cr and 12 atomic% of Pt was formed by DC sputtering. Next, a 20 nm-thick carbon protective film was provided on the magnetic layer by DC sputtering under the conditions of an argon partial pressure of 3 mTorr and an input power of 5.71 W / cm 2 .

【0030】さらに、潤滑剤としては、モノラウリルホ
スフェート(CH3(CH211OPO32)とステアリ
ン酸アミン(CH3(CH217NH2) をメタノールに
溶解した溶液を、有機酸とアミンがモル比で1:1であ
り、両方を併せた塗布量が6mg/m2 となるようにワ
イヤーバー法で塗布し、フロッピーディスクを作製し
た。
Further, as a lubricant, a solution obtained by dissolving monolauryl phosphate (CH 3 (CH 2 ) 11 OPO 3 H 2 ) and amine stearate (CH 3 (CH 2 ) 17 NH 2 ) in methanol was used. The acid and the amine were applied by a wire bar method so that the molar ratio of the acid and the amine was 1: 1 and the applied amount of both was 6 mg / m 2 to prepare a floppy disk.

【0031】実施例2〜6 実施例1記載のシード層材料、あるいは非磁性下地層の
材料を表1に示したものに変更した点を除き、実施例1
と同様に作製した実施例2〜12のフロッピーディスク
を作製した。
Examples 2 to 6 Example 1 was repeated except that the material of the seed layer described in Example 1 or the material of the nonmagnetic underlayer was changed to those shown in Table 1.
The floppy disks of Examples 2 to 12 produced in the same manner as described above were produced.

【0032】比較例1 シード層を設けない点を除き実施例1と同様に比較例1
のフロッピーディスクを作製した。
Comparative Example 1 Comparative Example 1 was performed in the same manner as in Example 1 except that no seed layer was provided.
Was prepared.

【0033】比較例2〜11 実施例1に記載のシード層の材料を表1に記載の材料に
変更した点を除き実施例1と同様にして比較例2〜11
のフロッピーディスクを作製した。
Comparative Examples 2 to 11 Comparative Examples 2 to 11 were performed in the same manner as in Example 1 except that the material of the seed layer described in Example 1 was changed to the material described in Table 1.
Was prepared.

【0034】得られた実施例および比較例の磁気記録媒
体を下記の測定方法によって、測定し、その測定結果を
表1に示す。 (測定方法) (1)線膨張係数 線膨張係数の測定はスパッタリング装置(芝浦製作所製
S−50S)を使用し、10-6Torr以下の真空下でラ
ンプヒーターによって300℃までの試料加熱を行い、
試料の両面に取り付けた歪みゲージ(マイクロメジャー
メント社製 歪みゲージWK)から試料の変形量を求め
た。試料は、ポリイミド支持体の両面に単独の層形成を
行った5mm×30mmのものを使用した。支持体の変
形の影響を取り除くために、ポリイミド支持体のみにつ
いても歪みゲージを取り付けて試料の変形量の測定を行
った。膜形成をした試料の変形量Vsp、ポリイミド支
持体のみの変形量Vpiを測定し、両者の変形量の差
(Vsp−Vpi)を成膜した膜による変形量とし、下
記の式 線膨張係数=(Vsp−Vpi)/試料の長さ/温度差 によって求めた。
The obtained magnetic recording media of Examples and Comparative Examples were measured by the following measurement methods, and the measurement results are shown in Table 1. (Measurement Method) (1) Linear Expansion Coefficient The linear expansion coefficient is measured using a sputtering apparatus (S-50S manufactured by Shibaura Seisakusho) and heating the sample to 300 ° C. with a lamp heater under a vacuum of 10 −6 Torr or less. ,
The amount of deformation of the sample was determined from a strain gauge (Strain gauge WK manufactured by Micro Measurement Co., Ltd.) attached to both surfaces of the sample. The sample used had a size of 5 mm × 30 mm in which a single layer was formed on both sides of the polyimide support. In order to remove the influence of the deformation of the support, a strain gauge was attached to only the polyimide support, and the amount of deformation of the sample was measured. The deformation amount Vsp of the film-formed sample and the deformation amount Vpi of only the polyimide support are measured, and the difference (Vsp-Vpi) between the two is defined as the deformation amount of the formed film, and the following equation is used. (Vsp-Vpi) / sample length / temperature difference.

【0035】(2)引っ張り強度 実施例、比較例に記載の条件でポリイミド支持体の両面
に単独の層形成を行った5mm×30mmの試料を、引
っ張り試験機(東洋ボーリング社製テンシロンSTM−
T−50BP)を使用して引っ張り、成膜した膜表面を
顕微鏡で200倍の倍率で観測を行い、クラックが発生
した荷重を引っ張り強度とした。 (3)クラック 保護膜をスパッタリングによって形成した後に、冷却後
の試料表面を微分干渉型顕微鏡(ニコン社製 XP
(U)NR−A)により観測を行う。倍率は200倍
で、ランダムに30点観測を行う。この30測定中にク
ラックが確認されないものを「優秀」とし、2カ所以内
であれば「良好」とし、それ以上であれば「不良」とし
た。
(2) Tensile Strength A 5 mm × 30 mm sample obtained by forming a single layer on both sides of the polyimide support under the conditions described in Examples and Comparative Examples was applied to a tensile tester (Tensilon STM- manufactured by Toyo Boring Co., Ltd.).
T-50BP), the surface of the formed film was observed with a microscope at a magnification of 200 times, and the load at which cracks occurred was defined as the tensile strength. (3) Crack After the protective film was formed by sputtering, the surface of the cooled sample was examined with a differential interference microscope (Nikon XP).
(U) Observe by NR-A). The magnification is 200 times, and 30 observations are made at random. If no crack was observed during the 30 measurements, it was regarded as “excellent”, and if it was within two places, it was regarded as “good”, and if it was more than 2 points, it was regarded as “bad”.

【0036】[0036]

【表1】 下地層 EULUL シート゛層 ESESE 膨張比 強度比 クラック 実施例1 CrTi20 6.9 38.4 Ta 6.5 53.0 0.13 1.38 優秀 実施例2 CrTi20 6.9 38.4 Mo 5.1 49.0 0.26 1.28 優秀 実施例3 CrTi20 6.9 38.4 Rh 8.5 54.9 0.23 1.43 優秀 実施例4 CrMo20 6.2 43.0 Ta 6.5 53.0 0.04 1.23 優秀実施例5 CrMo20 6.2 43.0 Mo 5.1 49.0 0.18 1.13 優秀 実施例6 CrTi20 6.9 38.4 CrTi25 6.3 39.2 0.09 1.00 良好 実施例7 CrTi20 6.9 38.4 Zr 5.0 35.0 0.27 0.91 良好 実施例8 CrTi20 6.9 38.4 Nb 7.2 21.0 0.04 0.73 良好 実施例9 CrTi20 6.9 38.4 Ir 6.8 20.3 0.01 0.53 良好 実施例10 CrTi20 6.9 38.4 Mn 23.0 50.4 2.33 1.31 良好 実施例11 CrTi20 6.9 38.4 Al 23.5 4.76 2.41 0.13 良好実施例12 CrMo20 6.2 43.0 Rh 8.5 54.9 0.37 1.27 良好 比較例1 CrTi20 6.9 38.4 - - - - - 不良 比較例2 CrMo20 5.8 43.0 - - - - - 不良 比較例3 Cr 6.2 42.0 - - - - - 不良 比較例4 Rh 8.5 54.9 - - - - - 不良 比較例5 Zr 5.0 35.0 - - - - - 不良 比較例6 Ta 6.5 53.0 - - - - - 不良 比較例7 Mo 5.1 49.0 - - - - - 不良 比較例8 Mn 23.0 50.4 - - - - - 不良 比較例9 Al 23.5 4.76 - - - - - 不良 比較例10 Mo 5.1 49.0 - - - - - 不良 比較例11 CrTi20 6.3 39.2 - - - - - 不良[Table 1] Underlayer E UL S UL sheet ゛ E SE S SE Expansion ratio Strength ratio Crack Example 1 CrTi 20 6.9 38.4 Ta 6.5 53.0 0.13 1.38 Excellent Example 2 CrTi 20 6.9 38.4 Mo 5.1 49.0 0.26 1.28 Excellent Example 3 CrTi 20 6.9 38.4 Rh 8.5 54.9 0.23 1.43 Excellent Example 4 CrMo 20 6.2 43.0 Ta 6.5 53.0 0.04 1.23 Excellent Example 5 CrMo 20 6.2 43.0 Mo 5.1 49.0 0.18 1.13 Excellent Example 6 CrTi 20 6.9 38.4 CrTi 25 6.3 39.2 0.09 1.00 Good Example 7 CrTi 20 6.9 38.4 Zr 5.0 35.0 0.27 0.91 Good Example 8 CrTi 20 6.9 38.4 Nb 7.2 21.0 0.04 0.73 Good Example 9 CrTi 20 6.9 38.4 Ir 6.8 20.3 0.01 0.53 Good Example 10 CrTi 20 6.9 38.4 Mn 23.0 50.4 2.33 1.31 Good Example 11 CrTi 20 6.9 38.4 Al 23.5 4.76 2.41 0.13 Good Example 12 CrMo 20 6.2 43.0 Rh 8.5 54.9 0.37 1.27 Good Comparative Example 1 CrTi 20 6.9 38.4-----Poor Comparative Example 2 CrMo 20 5.8 43.0-- ---Defective Comparative Example 3 Cr 6.2 42.0-----defective Comparative Example 4 Rh 8.5 54.9-----defective Comparative Example 5 Zr 5.0 35.0-----defective ratio Example 6 Ta 6.5 53.0-----Poor Comparative Example 7 Mo 5.1 49.0-----Poor Comparative Example 8 Mn 23.0 50.4-----Poor Comparative Example 9 Al 23.5 4.76-----Poor Comparative Example 10 Mo 5.1 49.0-----Bad Comparative Example 11 CrTi 20 6.3 39.2-----Bad

【0037】表1において、 EUL:下地層線膨張係数 単位:10-6UL:下地層線引張り強さ 単位:kg/mm2SE:シード層線膨張係数 単位:10-6SE:シード層引張り強さ 単位:kg/mm2 膨張比:|ESE−EUL|/EUL 強度比:SSE/SUL In Table 1, E UL : Underlayer linear expansion coefficient Unit: 10 -6 S UL : Underlayer linear tensile strength Unit: kg / mm 2 E SE : Seed layer linear expansion coefficient Unit: 10 -6 S SE : Tensile strength of seed layer Unit: kg / mm 2 Expansion ratio: | E SE -E UL | / E UL Strength ratio: S SE / S UL

【0038】[0038]

【発明の効果】可撓性支持体上に形成した平坦化層と、
磁性層の下地として設ける非磁性下地層の間にシード層
を設けるとともに、シード層と非磁性下地層の線膨張係
数および引張り強度を特定の大きさとしたので膜強度が
増加し、磁気記録媒体の製造時に曝される温度上昇、冷
却による熱膨張によるクラックの発生を防止することが
でき、高記録密度用の磁気記録媒体を安定して製造する
ことができる。
According to the present invention, a flattening layer formed on a flexible support,
A seed layer is provided between the nonmagnetic underlayer provided as the underlayer of the magnetic layer, and the linear expansion coefficient and the tensile strength of the seed layer and the nonmagnetic underlayer are set to specific values. It is possible to prevent the occurrence of cracks due to thermal expansion due to temperature rise and cooling during manufacturing, and to stably manufacture a magnetic recording medium for high recording density.

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 可撓性非磁性支持体の少なくとも一方の
面に、下地層、磁性膜、保護膜、潤滑膜を積層した構成
のフロッピーディスクにおいて可撓性支持体と下地層間
にシード層を設けることを特徴とするフロッピーディス
ク。
1. A floppy disk having a structure in which an underlayer, a magnetic film, a protective film, and a lubricating film are laminated on at least one surface of a flexible nonmagnetic support, a seed layer is provided between the flexible support and the underlayer. A floppy disk characterized by being provided.
【請求項2】 可撓性非磁性支持体上に耐熱性高分子で
構成される平坦化層を有することを特徴とする請求項1
記載のフロッピーディスク。
2. The method according to claim 1, wherein a flattening layer made of a heat-resistant polymer is provided on the flexible non-magnetic support.
The floppy disk described.
【請求項3】 平坦化層の厚さが0.1〜5μmの範囲
にあることを特徴とする請求項1ないし2のいずれか1
項に記載のフロッピーデイスク。
3. The method according to claim 1, wherein the thickness of the planarizing layer is in a range of 0.1 to 5 μm.
Floppy disk according to the item.
【請求項4】 可撓性支持体の厚さが30〜100μm
の範囲にあることを特徴とする請求項1ないし3のいず
れか1項に記載のフロッピーディスク。
4. The thickness of the flexible support is 30 to 100 μm.
The floppy disk according to any one of claims 1 to 3, characterized in that:
【請求項5】 磁性層がCr濃度が10〜30at%の
範囲にあるCoCr合金を用いたことを特徴とする請求
項1ないし4のいずれか1項に記載のフロッピーディス
ク。
5. The floppy disk according to claim 1, wherein the magnetic layer is made of a CoCr alloy having a Cr concentration in a range of 10 to 30 at%.
【請求項6】 下地層がCr濃度が77〜100at%
の範囲にあるCr合金を用いたことを特徴とする請求項
1ないし5のいずれか1項に記載のフロッピーディス
ク。
6. The underlayer having a Cr concentration of 77 to 100 at%.
The floppy disk according to any one of claims 1 to 5, wherein a Cr alloy in the range of (1) is used.
【請求項7】 厚さが30〜100μmの範囲にある可
撓性支持体の少なくとも一方の面に、厚さ0.1〜5μ
mの範囲にある平坦化層、シード層、Cr濃度が77〜
100at%の範囲にあるCr合金からなる非磁性下地
層、Cr濃度が10〜30at%の範囲にあるCoCr
合金からなる磁性層、保護層、および潤滑層を具備し、
シード層として膜厚が5〜100nmの範囲にあり、シ
ード層の線膨張係数(ESE)と該非磁性下地層の線膨張
係数(EUL)が、|ESE−EUL|/EUL<0.3の関係
を満たし、該金属シード層の引っ張り強さ(SSE)と該
非磁性下地層の引っ張り強さ(SUL)がSSE/SUL>1
の関係を満たすことを特徴とするフロッピーディスク。
7. A flexible support having a thickness in the range of 30 to 100 μm is provided on at least one surface of the flexible support in a thickness of 0.1 to 5 μm.
m, a flattening layer, a seed layer, and a Cr concentration of 77 to
Non-magnetic underlayer made of a Cr alloy in the range of 100 at%, CoCr having a Cr concentration in the range of 10 to 30 at%
A magnetic layer made of an alloy, a protective layer, and a lubricating layer,
The thickness of the seed layer is in the range of 5 to 100 nm, and the linear expansion coefficient (E SE ) of the seed layer and the linear expansion coefficient (E UL ) of the nonmagnetic underlayer are | E SE −E UL | / E UL < 0.3, and the tensile strength (S SE ) of the metal seed layer and the tensile strength (S UL ) of the non-magnetic underlayer are S SE / S UL > 1.
A floppy disk characterized by satisfying the following relationship:
JP27264499A 1998-12-24 1999-09-27 Floppy disk Pending JP2000242919A (en)

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