JP2000241130A - Method and apparatus for inspecting pattern - Google Patents

Method and apparatus for inspecting pattern

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JP2000241130A
JP2000241130A JP11045298A JP4529899A JP2000241130A JP 2000241130 A JP2000241130 A JP 2000241130A JP 11045298 A JP11045298 A JP 11045298A JP 4529899 A JP4529899 A JP 4529899A JP 2000241130 A JP2000241130 A JP 2000241130A
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JP
Japan
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pattern
inspection
wiring
defect
wiring pattern
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP11045298A
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Japanese (ja)
Inventor
Hideo Okada
英夫 岡田
Moritoshi Ando
護俊 安藤
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and apparatus for inspecting patterns which is capable of inspecting wiring patterns different in line width, shape and size, permits an allowance to be set every wiring, and inspecting at a high precision. SOLUTION: A means 44 is provided for comparing a fatal region pattern 34 which is generated from design data for forming a wiring pattern and shows necessary indispensable regions corresponding to the center of the wiring pattern with an inspected pattern obtained from wiring patterns on an object under test, thereby detecting the defect from the non-coincidence of both patterns. Thus, the fatal region pattern and the inspected pattern are compared to detect the defect from the non-coincidence of both patterns and hence the defect of the necessary indispensable regions corresponding to the center of the wiring pattern can be detected at a high precision.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はパターン検査方法及
びその装置に関し、特に、プリント配線板のパターンを
検査するパターン検査方法及びその装置に関する。近
年、電子機器の高密度化に伴い、電子機器内部のプリン
ト配線板も高密度配線を目的とした多層薄膜パターンの
開発が盛んになっている。この製造工程においては、配
線パターンの欠けまたは断線や短絡などのパターン検査
が必須である。配線パターンは増々微細化しているた
め、この検査は、もはや作業者の目視では困難となって
いるため、自動外観検査装置が使われている。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pattern inspection method and apparatus, and more particularly, to a pattern inspection method and apparatus for inspecting a pattern of a printed wiring board. 2. Description of the Related Art In recent years, with the increase in the density of electronic devices, the development of multilayer thin film patterns for printed wiring boards inside electronic devices for high-density wiring has become active. In this manufacturing process, it is essential to inspect the wiring pattern for chipping or disconnection or short circuit. Since the wiring patterns are becoming finer and finer, it is no longer possible for this inspection to be visually observed by an operator. Therefore, an automatic visual inspection device is used.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の配線パターンの欠陥を自動検査す
るための技術は、光学的に配線パターンを読み取り、電
気信号に変換する。一般的には、ここで二値化画像を得
る。そして、得られた画像から欠陥を検出する。従来の
技術として、本出願人の提案になる特開昭62−263
404号(特願昭61−107407号)に記載の装置
がある。図1は、この従来のパターン検査装置のブロッ
ク構成図を示す。同図中、検査対象のプリント配線板1
をCCDカメラ2で撮像し、得られたアナログ画像信号
を二値化回路3で二値化し、記憶回路4に記憶する。測
長回路5は、放射状の測長センサを用いて、各方向のパ
ターンの長さを測長し、パターンの中心であるか否かを
調べる(中心検出6)。ラジアルコード化回路7は、中
心となったものに対して、複数方向のパターンの長さの
値を「ラジアルコード」と呼ばれる16ビットのコード
に変換する。予め各ラジアルコードの良否を記憶した欠
陥辞書8と、検出したラジアルコードを対応させて良否
(正常、または、欠陥)を判定する。この方法は、辞書
データを入れ換えることができるので、様々なパターン
に適用できる汎用性を持っている。
2. Description of the Related Art In a conventional technique for automatically inspecting a wiring pattern for defects, the wiring pattern is optically read and converted into an electric signal. Generally, a binarized image is obtained here. Then, a defect is detected from the obtained image. As a conventional technique, Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-263 proposed by the present applicant has been proposed.
No. 404 (Japanese Patent Application No. 61-107407). FIG. 1 shows a block diagram of the conventional pattern inspection apparatus. In the figure, the printed wiring board 1 to be inspected
Is imaged by the CCD camera 2, and the obtained analog image signal is binarized by the binarization circuit 3 and stored in the storage circuit 4. The length measuring circuit 5 measures the length of the pattern in each direction using a radial length measuring sensor, and checks whether or not the pattern is at the center of the pattern (center detection 6). The radial coding circuit 7 converts the value of the pattern length in a plurality of directions into a 16-bit code called a "radial code" for the central one. The defect (normal or defective) is determined by associating the defect dictionary 8 in which the quality of each radial code is stored in advance with the detected radial code. This method has versatility that can be applied to various patterns because the dictionary data can be exchanged.

【0003】さらに、上記の発明を改良するものとして
本出願人の提案になる特開平5−264240号公報に
記載の装置がある。図2は、この従来のパターン検査装
置のブロック構成図を示す。同図中、図1と同一部分に
は同一符号を付す。図2において、予め各ラジアルコー
ドの良否を記憶した欠陥辞書8と、検出したラジアルコ
ードを対応させて良否(正常、または、欠陥候補)を判
定するまでは、図1と同一である。
Further, as an improvement of the above invention, there is an apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-264240 proposed by the present applicant. FIG. 2 shows a block diagram of the conventional pattern inspection apparatus. In the figure, the same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. In FIG. 2, the process is the same as that of FIG. 1 until the defect dictionary 8 in which the quality of each radial code is stored in advance and the detected radial codes are associated with each other to determine the quality (normal or defect candidate).

【0004】この後、カテゴリ変換回路10で各ラジア
ルコードをカテゴリ(例えば、銅残り、突起)を表すカ
テゴリコードに変換し、カテゴリマップ変換回路11で
欠陥候補のカテゴリを中心として、周囲のカテゴリ分布
を探索し、良否判定ルール辞書12を用いて、大局的に
良否と欠陥の種類を判定する。図3は、カテゴリマップ
変換回路11及び良否判定ルール辞書12及び比較回路
14で行う処理のフローチャートを示す。ステップS1
では、カテゴリ変換回路10からカテゴリコードを供給
されてカテゴリの分布を表すカテゴリマップを作成す
る。次にステップS2で入力カテゴリと一致するカテゴ
リが良否判定辞書12にあるか否かを判定し、例えば入
力カテゴリが「銅残り」として良否判定辞書12にあっ
た場合には、ステップS3で具体的な探索方法を探索方
法辞書13から読み取る。銅残りの場合、探索方法は例
えば「両側探索」となる。
Thereafter, the category conversion circuit 10 converts each radial code into a category code representing a category (for example, copper residue or protrusion), and a category map conversion circuit 11 centers on the category of the defect candidate and distributes the surrounding category distribution. And using the pass / fail decision rule dictionary 12 to decide pass / fail and the type of defect on a global basis. FIG. 3 shows a flowchart of processing performed by the category map conversion circuit 11, the pass / fail judgment rule dictionary 12, and the comparison circuit 14. Step S1
Then, a category code is supplied from the category conversion circuit 10 to create a category map representing the distribution of categories. Next, in step S2, it is determined whether or not a category that matches the input category is present in the acceptability dictionary 12. For example, if the input category is "copper remaining" in the acceptability dictionary 12, a specific process is performed in step S3. The appropriate search method is read from the search method dictionary 13. When copper remains, the search method is, for example, “two-sided search”.

【0005】次に、ステップS4ではカテゴリマップ上
で上記銅残りを中心として両側探索を行い、ステップS
5で比較回路14は探索カテゴリ(直線リードやランド
等)を探索できたか否かによって、正常(孤立銅残り)
または異常(銅残り)等の判定を行って、その判定結果
を出力する。例えば、図4(A)に示すプリント配線板
20について、同図(B)、(C),(D)それぞれに
示す銅残り1,2,3の良否判定を行う場合は、次のよ
うな探索方法と良否判定ルールを用いる。探索方法は、
図5に示すように、あるカテゴリXを中心として、ある
方向Aと、その方向Aと180度異なる方向Bの両方
に、指定カテゴリYが存在するかを調べる探索方法を用
いる。
Next, in step S4, a two-sided search is performed centering on the copper residue on the category map.
In step 5, the comparison circuit 14 determines whether or not the search category (straight lead, land, etc.) has been searched, and determines whether the search category is normal (isolated copper remaining).
Alternatively, a determination such as abnormality (residual copper) is performed, and the determination result is output. For example, with respect to the printed wiring board 20 shown in FIG. 4A, the pass / fail judgment of the remaining coppers 1, 2, and 3 shown in FIGS. 4B, 4C, and 4D is performed as follows. A search method and a pass / fail rule are used. The search method is
As shown in FIG. 5, a search method is used for checking whether a specified category Y exists in both a certain direction A and a direction B 180 degrees different from the direction A, centering on a certain category X.

【0006】良否判定ルールは、この探索方法を用い
て、銅残りカテゴリを中心として、両側に間隔不良カテ
ゴリがあれば「銅残り欠陥」、間隔不良カテゴリが片側
だけに存在、もしくは、両側に存在しない場合は「正常
銅残りjとする良否判定ルールを用いる。具体的に、図
4(B)の銅残り1の場合は、銅残り1の両側に間隔不
良のカテゴリが存在しないので、「正常銅残り」と判定
できる。図4(C)の銅残り2の場合は、間隔不良のカ
テゴリが銅残り2の片側だけにしか存在しないため、
「正常銅残り」と判定できる。
The pass / fail judgment rule uses this search method to center on the copper remaining category, and if there is a defective spacing category on both sides, "copper remaining defect", the defective spacing category exists on only one side, or exists on both sides. If not, use the pass / fail judgment rule of “normal copper remaining j.” Specifically, in the case of copper remaining 1 in FIG. 4B, since there is no category of defective spacing on both sides of copper remaining 1, “normal” Copper residue "can be determined. In the case of the remaining copper 2 in FIG. 4C, the category of the poor spacing exists only on one side of the remaining copper 2, so that
It can be determined that "normal copper remains".

【0007】また、図4(D)の銅残り3の場合は、両
側に間隔不良のカテゴリが存在するため、「銅残り欠
陥」となり、良否と種類を判定できる。この方法は、ラ
ジアルコードをカテゴリに変換することにより、大局的
に良否を判定でき、良否結果を欠陥の種類を含めて出力
することができる。この他にも、設計データ(CADビ
ットマップ)を利用した検査方法が提案されている。C
ADビットマップ参照型の検査論理では、基本的に、C
ADビットマップを欠陥がない正常(理想的)な配線パ
ターンとしてとらえ、被検査パターンとの相違点(差
分)を抽出し、その相違点を欠陥と判定するか、もしく
は、得られた相違点をさらに、高度に欠陥と正常に分類
するかなどの検査を行う。
In the case of copper remaining 3 in FIG. 4 (D), since there is a category of poor spacing on both sides, it becomes a “copper remaining defect”, and the quality and type can be determined. According to this method, by converting a radial code into a category, pass / fail can be determined globally, and a pass / fail result can be output including the type of defect. In addition, an inspection method using design data (CAD bitmap) has been proposed. C
In the check logic of the AD bitmap reference type, basically, C
The AD bitmap is regarded as a normal (ideal) wiring pattern having no defect, and a difference (difference) from the pattern to be inspected is extracted, and the difference is determined as a defect, or the obtained difference is determined. In addition, an inspection is performed to determine whether a defect is highly classified as normal.

【0008】その他の従来技術として、本出願人の提案
になる特開平3−163845号公報に記載の装置があ
る。この従来技術では、設計データに基づいたパターン
をX方向、Y方向、θ方向それぞれに移動させて検査基
準パターンを作成して許容範囲を設定しており、この検
査基準パターンと被検査パターンとの内包関係を照合し
て検査を行っている。
As another prior art, there is an apparatus described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-163845 proposed by the present applicant. In this conventional technique, an inspection reference pattern is created by moving a pattern based on design data in each of the X direction, the Y direction, and the θ direction, and an allowable range is set. Inspection is performed by collating inclusive relations.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】図1、図2に示す従来
のラジアルマッチングを行う検査装置では、1種類のリ
ードパターンに対して、検査規格より許容範囲(正常な
リードと判定する範囲)を設定していた。例えば、図6
のようなリードパターンがあった場合、線幅測長値a,
b,cよりそれぞれ、正常、細り、太りと判定される。
どころが、従来の検査装置は、線幅許容範囲を1種類し
か設定できず、複数の線幅に対応できない。
In the conventional inspection apparatus for performing radial matching shown in FIGS. 1 and 2, an allowable range (a range to be determined as a normal read) for one type of lead pattern is determined by an inspection standard. Was set. For example, FIG.
When there is a lead pattern as shown in FIG.
From b and c, respectively, it is determined as normal, thin, and fat.
On the contrary, the conventional inspection apparatus can set only one kind of line width allowable range and cannot cope with a plurality of line widths.

【0010】例えば、図7に示すような複数の線幅が混
在する正常配線パターンの場合を考える。このパターン
に対して、例えば、直線リード2を基準として許容範囲
を設定すると、直線リード1は細り、直線リード2は太
りと判定される。しかし、本来は、いずれも正常な直線
リードであるから、誤判定をしたことになる。また、直
線リード1を基準として、許容範囲を設定した場合は、
直線リード2,3ともに太りとなり、直線リード3を基
準とした場合は、直線リード1,2ともに綱りとなり、
いずれも誤判定となる。その他にもランドの大きさがさ
まざまあるものに対しても、許容値を複数設定できない
ため、上記と同様な不具合が生じる。また、仮に複数の
線幅を設定できたとしても、各線幅やランドに対して別
々の許容範囲を設定したい場合には、どの配線に対して
どの許容値を設定すれぱよいかがわからないという問題
があった。
For example, consider the case of a normal wiring pattern having a plurality of line widths as shown in FIG. For example, when an allowable range is set for this pattern with reference to the linear lead 2, the linear lead 1 is determined to be thin and the linear lead 2 is determined to be thick. However, originally, all of them are normal linear leads, so that an erroneous determination is made. When the allowable range is set based on the straight lead 1,
Both straight leads 2 and 3 become thicker, and when straight lead 3 is used as a reference, both straight leads 1 and 2 become tighter,
In each case, an erroneous determination is made. In addition, since a plurality of allowable values cannot be set for lands having various sizes, the same problem as described above occurs. Further, even if a plurality of line widths can be set, if it is desired to set a different allowable range for each line width and land, there is a problem that it is difficult to know which allowable value should be set for which wiring. Was.

【0011】図1、図2に示す従来のラジアルマッチン
グを行う検査装置では、図8に示す測長センサの大きさ
を越えるものを測長することはできない。このため、測
長センサは配線パターンに適合した大きさに設定しなけ
ればならない。しかし、複数の線幅を有するものや、大
きなランド(パット)を有するプリント配線板において
は、できる限り測長センサを大きく設定しなくてはなら
ない。しかし、測長センサを大きくすれぱするほど、図
8に示すセンサ間の間隔が大きくなるため、正しく形状
を認識することができなくなる。また、現実問題とし
て、測長センサの大きさをあまり大きくすると、レジス
タ等の回路規模が大きくなり、処理時間がかかるといっ
た問題が生じる。
The conventional inspection apparatus for performing radial matching shown in FIGS. 1 and 2 cannot measure a length exceeding the size of the length measurement sensor shown in FIG. Therefore, the length measurement sensor must be set to a size suitable for the wiring pattern. However, in a printed wiring board having a plurality of line widths or a large land (pat), the length measuring sensor must be set as large as possible. However, as the size of the length measuring sensor increases, the distance between the sensors shown in FIG. 8 increases, and the shape cannot be recognized correctly. Further, as a practical problem, if the size of the length measuring sensor is too large, a circuit scale of a register or the like becomes large, and a problem that processing time is required occurs.

【0012】設計データ(CADビットマップ)を利用
した検査方法では、各配線ごとに許容値を設定すること
ができない。よって、例えば、許容値を一律に設定し、
CADパターンと検査パターンとの相違点(差分)の大
きさから良否を判定するものなどがある。そのときは、
例えば、図9に示すようなCADパターンに対して、同
一細り幅の検査パターン1,2があった場合、検査パタ
ーン1とCADパターンとの相違点はd1とd2との2
つ発生し、d1,d2それぞれの大きさは許容値より小
さいため正常と判定されるが、検査パターン2とCAD
パターンとの相違点は、d3が1つ発生し、d3(=d
1+d2)の大きさは検査パターン1のときと比較して
かなり大きくなり許容値を超えるため欠陥と判定される
ことになる。このように1つの許容値に対して異なる結
果が生じ、判定の信頼性が低くなるという問題があっ
た。
In an inspection method using design data (CAD bitmap), an allowable value cannot be set for each wiring. Therefore, for example, the allowable value is set uniformly,
There is a method of judging pass / fail from the magnitude of a difference (difference) between the CAD pattern and the inspection pattern. That time,
For example, when there are inspection patterns 1 and 2 having the same narrow width with respect to the CAD pattern as shown in FIG. 9, the difference between the inspection pattern 1 and the CAD pattern is 2 between d1 and d2.
And the size of each of d1 and d2 is smaller than the allowable value and is determined to be normal.
The difference from the pattern is that one d3 occurs and d3 (= d
The size of (1 + d2) is considerably larger than that of the inspection pattern 1 and exceeds the allowable value, so that the defect is determined. As described above, there is a problem that different results are generated for one allowable value, and the reliability of the determination is reduced.

【0013】また、設計データに基づいたパターンをX
方向、Y方向、θ方向それぞれに移動させて検査基準パ
ターンを作成し被検査パターンとの内包関係を照合する
方法を、例えば、図7に示すプリント配線板の画像に適
応した場合には、画像全体をシフトするために、直線リ
ード1,2,3の全てが同一許容値となってしまうこと
になる。よって、複数線幅の検査は不可能である。ま
た、マスクデータは、指定方向(X、Y、θ)を拡大し
ただけであるため、図9に示すように、細った線幅は同
一の欠陥であっても、検査パターン2は欠陥と判定可能
であるが、検査パターン1は正常と誤判定することにな
るという問題があった。
Further, a pattern based on the design data is represented by X
In the case of applying a method of creating an inspection reference pattern by moving in each of the direction, the Y direction, and the θ direction and collating the inclusive relation with the pattern to be inspected, for example, an image of a printed wiring board shown in FIG. In order to shift the whole, all of the linear leads 1, 2, and 3 have the same allowable value. Therefore, it is impossible to inspect a plurality of line widths. In addition, since the mask data is only enlarged in the designated direction (X, Y, θ), as shown in FIG. 9, even if the thin line width is the same defect, the inspection pattern 2 is determined to be a defect. Although it is possible, there is a problem that the test pattern 1 is erroneously determined to be normal.

【0014】本発明は、上記の点に鑑みてなされたもの
で、線幅や形状や大きさの異なる配線パターンそれぞれ
についてパターン検査を行うことができ、また、配線毎
に許容値を設定でき、精度の高い検査が可能となるパタ
ーン検査方法及びその装置を提供することを目的とす
る。
The present invention has been made in view of the above points, and can perform a pattern inspection for each of wiring patterns having different line widths, shapes, and sizes, and can set an allowable value for each wiring. An object of the present invention is to provide a pattern inspection method and an apparatus thereof that enable highly accurate inspection.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、被検査物に形成された、線幅の異なる複数の配線及
び形状や大きさの異なる複数のランドを有する配線パタ
ーンに発生した欠陥を検出して検査を行うパターン検査
装置において、前記配線パターンを形成するための設計
データから生成され前記配線パターンの中心部に対応す
る必要不可欠な領域を示す致命領域パターンと、前記被
検査物上の配線パターンから得た検査パターンとを比較
して、両パターンの不一致により欠陥を検出する比較手
段を有する。
According to the first aspect of the present invention, a wiring pattern having a plurality of wirings having different line widths and a plurality of lands having different shapes and sizes formed on an object to be inspected is generated. In a pattern inspection apparatus for detecting and inspecting a defect, a critical area pattern generated from design data for forming the wiring pattern and indicating an indispensable area corresponding to a central portion of the wiring pattern; A comparison unit is provided for comparing a test pattern obtained from the upper wiring pattern and detecting a defect due to a mismatch between the two patterns.

【0016】このように、致命領域パターンと、検査パ
ターンとを比較して、両パターンの不一致により欠陥を
検出するため、大型の配線パターンであってもこの配線
パターンの中心部に対応する必要不可欠な領域の欠陥を
高精度に検出できる。請求項2に記載の発明は、請求項
1記載のパターン検査装置において、前記設計データか
ら生成され前記配線パターンの中心部に対応する大型パ
ターン変換用パターンと、前記被検査物上の配線パター
ンから得た検査パターンとを演算して、前記検査パター
ンの中心部を削除した周縁部パターンを取り出す周縁部
パターン作成手段と、前記周縁部パターンの線幅を測長
して前記線幅が許容値の範囲外であるとき欠陥を検出す
る測長手段とを有する。
As described above, since the critical area pattern and the inspection pattern are compared with each other to detect a defect due to a mismatch between the two patterns, even a large wiring pattern must correspond to the center of the wiring pattern. Can detect defects in various areas with high accuracy. According to a second aspect of the present invention, in the pattern inspection apparatus according to the first aspect, a large pattern conversion pattern generated from the design data and corresponding to a central portion of the wiring pattern and a wiring pattern on the inspection object are provided. Calculating the obtained inspection pattern, a peripheral pattern creating means for extracting a peripheral pattern from which the central part of the inspection pattern is deleted, and measuring the line width of the peripheral pattern to determine that the line width is an allowable value. And length measuring means for detecting a defect when the defect is out of the range.

【0017】このように、検査パターンの中心部を削除
した周縁部パターンの線幅を測長して線幅が許容値の範
囲外であるとき欠陥を検出するため、大型の配線パター
ンであってもこの配線パターンの周縁部パターンの欠陥
を高精度に検出できる。請求項3に記載の発明は、被検
査物に形成された、線幅の異なる複数の配線及び形状の
異なる複数のランドを有する配線パターンに発生した欠
陥を検出して検査を行うパターン検査方法において、前
記配線パターンを形成するための設計データから生成さ
れ前記配線パターンの中心部に対応する必要不可欠な領
域を示す致命領域パターンと、前記被検査物上の配線パ
ターンから得た検査パターンとを比較して、両パターン
の不一致により欠陥を検出する。
As described above, since the line width of the peripheral pattern from which the center portion of the inspection pattern is deleted is measured and a defect is detected when the line width is out of the allowable range, a large wiring pattern is used. Also, the defect of the peripheral pattern of the wiring pattern can be detected with high accuracy. According to a third aspect of the present invention, there is provided a pattern inspection method for detecting and inspecting a defect generated in a wiring pattern formed on an inspection object and having a plurality of wirings having different line widths and a plurality of lands having different shapes. Comparing a critical area pattern generated from design data for forming the wiring pattern and indicating an indispensable area corresponding to the center of the wiring pattern with an inspection pattern obtained from the wiring pattern on the inspection object. Then, a defect is detected by a mismatch between the two patterns.

【0018】このように、致命領域パターンと、検査パ
ターンとを比較して、両パターンの不一致により欠陥を
検出するため、大型の配線パターンであってもこの配線
パターンの中心部に対応する必要不可欠な領域の欠陥を
高精度に検出できる。請求項4に記載の発明は、請求項
3記載のパターン検査方法において、前記設計データか
ら生成され前記配線パターンの中心部に対応する大型パ
ターン変換用パターンと、前記被検査物上の配線パター
ンから得た検査パターンとを演算して、前記検査パター
ンの中心部を削除した周縁部パターンを取り出し、前記
周縁部パターンの線幅を測長して前記線幅が許容値の範
囲外であるとき欠陥を検出する。
As described above, the critical area pattern and the inspection pattern are compared to detect a defect due to a mismatch between the two patterns. Therefore, even if the wiring pattern is a large wiring pattern, it is indispensable to correspond to the center of the wiring pattern. Can detect defects in various areas with high accuracy. According to a fourth aspect of the present invention, in the pattern inspection method according to the third aspect, a large pattern conversion pattern generated from the design data and corresponding to a central portion of the wiring pattern and a wiring pattern on the inspection object are provided. By calculating the obtained inspection pattern, the peripheral pattern from which the center part of the inspection pattern is deleted is taken out, and the line width of the peripheral pattern is measured. When the line width is out of the allowable range, the defect is detected. Is detected.

【0019】このように、検査パターンの中心部を削除
した周縁部パターンの線幅を測長して線幅が許容値の範
囲外であるとき欠陥を検出するため、大型の配線パター
ンであってもこの配線パターンの周縁部パターンの欠陥
を高精度に検出できる。請求項5に記載の発明は、請求
項4記載のパターン検査方法において、前記設計データ
から生成され前記配線パターンの各アドレス毎に少なく
とも許容値を登録した許容値パターンを有し、前記線幅
に対する許容値の範囲を前記許容値パターンから得る。
As described above, since the line width of the peripheral pattern from which the center portion of the inspection pattern is deleted is measured and a defect is detected when the line width is out of the allowable range, a large wiring pattern is used. Also, the defect of the peripheral pattern of the wiring pattern can be detected with high accuracy. According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the pattern inspection method according to the fourth aspect, further comprising an allowable value pattern generated from the design data and registering at least an allowable value for each address of the wiring pattern. A range of allowable values is obtained from the allowable value pattern.

【0020】このように、配線パターンの各アドレス毎
に許容値を登録した許容値パターンから線幅に対する許
容値の範囲を得るため、配線パターン毎に許容値の範囲
を異ならせることができる。請求項6に記載の発明は、
請求項3または4記載のパターン検査方法において、前
記致命領域パターンは、前記設計データから生成された
配線パターンを位置ずれ許容量と欠け許容量との合計値
である相違許容量だけ縮小し、前記相違許容量以下の部
分については1画素分を残して作成する。
As described above, in order to obtain the allowable value range for the line width from the allowable value pattern in which the allowable value is registered for each address of the wiring pattern, the allowable value range can be varied for each wiring pattern. The invention according to claim 6 is
5. The pattern inspection method according to claim 3, wherein the critical area pattern reduces a wiring pattern generated from the design data by a difference allowable amount that is a total value of a positional deviation allowable amount and a chipping allowable amount. The portion below the difference allowable amount is created leaving one pixel.

【0021】このように配線パターンを位置ずれ許容量
と欠け許容量との合計値である相違許容量だけ縮小し、
前記相違許容量以下の部分については1画素分を残すこ
とにより、致命領域パターンを作成することができる。
請求項7に記載の発明は、請求項6記載のパターン検査
方法において、前記大型パターン変換用パターンは、前
記致命領域パターンを所定画素数分だけ縮小して作成す
る。
As described above, the wiring pattern is reduced by the difference allowable amount which is the total value of the positional deviation allowable amount and the chipping allowable amount,
A fatal area pattern can be created by leaving one pixel for the portion equal to or less than the difference allowable amount.
According to a seventh aspect of the present invention, in the pattern inspection method according to the sixth aspect, the large pattern conversion pattern is created by reducing the critical area pattern by a predetermined number of pixels.

【0022】このように、致命領域パターンを所定画素
数分だけ縮小することにより、大型パターン変換用パタ
ーンを作成することができる。請求項8に記載の発明
は、請求項4記載のパターン検査方法において、前記周
縁部パターンの線幅の測長は、前記周縁部パターンのラ
ジアル測長を行い、最小の測長値を線幅とする。
As described above, by reducing the critical area pattern by a predetermined number of pixels, a large pattern conversion pattern can be created. According to an eighth aspect of the present invention, in the pattern inspection method according to the fourth aspect, the line width of the peripheral portion pattern is measured by performing a radial length measurement of the peripheral portion pattern, and the minimum measured value is determined by the line width. And

【0023】このように、ラジアル測長を行い、最小の
測長値を線幅とすることにより、周縁部パターンの線幅
を測長することができる。
As described above, by performing the radial measurement and setting the minimum measured value to the line width, the line width of the peripheral pattern can be measured.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】本発明では、各配線ごとに許容範
囲を設定する。通常、設計データであるCADビットマ
ップは、ビットマップ画像データとして保持するには、
容量が大きくなるため、ベクトル形式のデータで保存さ
れる。ベクトルデータとは、開始点と終了点、及び、ア
パーチャが記述された展開命令と、アパーチャの詳細が
記されたアパーチャリストで構成されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the present invention, an allowable range is set for each wiring. Normally, a CAD bitmap that is design data is stored as bitmap image data by:
Since the capacity is large, the data is stored in vector format data. The vector data is composed of a development instruction describing a start point and an end point, an aperture, and an aperture list describing details of the aperture.

【0025】図10(A),(B)にベクトルデータの
一例を示す。図10(A)に示すアパーチャリストに
は、アパーチャの種類を表すコードと、寸法、そして、
そのアパーチャが実際の配線上で何に相当するかを表す
種類が記述されている。例えば、A01であれば、円形
の直径100μmのアパーチャで、リードを描くことに
なる。また、B02であれば、正方形の一辺が500μ
mのアパーチャでランドを描くことになる。図10
(B)に示す展開命令では、開始点と終了点、及び、ア
パーチャが記述されている。このベクトルデータに従っ
てCADビットマップに展開したものを図11に示す。
FIGS. 10A and 10B show examples of vector data. In the aperture list shown in FIG. 10A, a code indicating the type of the aperture, dimensions, and
A type indicating what the aperture corresponds to on the actual wiring is described. For example, in the case of A01, a lead is drawn with a circular aperture having a diameter of 100 μm. In the case of B02, one side of the square is 500 μm.
The land is drawn with the aperture of m. FIG.
In the expansion instruction shown in (B), a start point, an end point, and an aperture are described. FIG. 11 shows a CAD bit map developed according to the vector data.

【0026】本発明では、図12(A)に示すように、
各部(パーツ)のコードと種類と寸法が書かれたアパー
チャリストに、配線毎に許容値を付加しており、このア
パーチャリストのデータと、図12(B)に示す展開命
令からなるベクトルデータを用いて、図12(C)に示
す許容値パターンを作成する。また、この許容値パター
ンで図12(D)に示すCADパターン上で配線部以外
の場所(基材部=空域部)には、あらかじめ、最小導体
間隔の値などを設定しておく。
In the present invention, as shown in FIG.
A permissible value is added for each wiring to an aperture list in which codes, types, and dimensions of respective parts (parts) are written. The data of the aperture list and the vector data composed of the expansion instruction shown in FIG. Using this, an allowable value pattern shown in FIG. 12C is created. In addition, in the allowable value pattern, a value of the minimum conductor interval or the like is set in advance in a place other than the wiring part (base part = air space part) on the CAD pattern shown in FIG.

【0027】従来の通常のCADビットマップは、各ア
ドレスごとに配線か否かを示した二値データ(パターン
信号)であるが、本発明においては、図12(C)に示
すように、各アドレスに対して、パターン信号以外に、
種類、寸法、許容範囲などを付加して多値のデータと
し、これを許容値パターンとしている。次に、本発明で
作成する致命領域パターンについて説明する。ベクトル
データからCADビットマップを作成するときに、この
CADビットマップを位置ずれ許容量と、大型パターン
での欠け許容長の合計値である相違許容量分だけ縮小さ
せて、配線パターン(この場合、ランド)の中心部に対
応する必要不可欠な領域を示す致命領域パターンを作成
する。具体的には、図13(A)に示すCADビットマ
ップを作成し、これを位置ずれ許容量だけ縮小処理して
図13(B)のパターンが得られる。また、図13
(A)に示すCADビットマップを相違許容量分だけ縮
小処理して図13(C)に示す致命領域パターンを得
る。
The conventional normal CAD bit map is binary data (pattern signal) indicating whether or not a wiring is provided for each address. In the present invention, as shown in FIG. In addition to the pattern signal,
Type, size, allowable range, etc. are added to form multi-value data, which is used as an allowable value pattern. Next, a critical region pattern created by the present invention will be described. When a CAD bitmap is created from vector data, the CAD bitmap is reduced by the difference allowable amount, which is the total value of the positional deviation allowable amount and the chipping allowable length in the large pattern, and the wiring pattern (in this case, A critical area pattern indicating an indispensable area corresponding to the center of the land is created. More specifically, a CAD bitmap shown in FIG. 13A is created, and the CAD bitmap is reduced by an allowable amount of displacement to obtain a pattern shown in FIG. 13B. FIG.
A critical area pattern shown in FIG. 13C is obtained by reducing the CAD bitmap shown in FIG.

【0028】ただし、縮小するときは、幅が相違許容量
のパターンは消去されてしまうので、この場合は、少な
くとも1画素は残す細線化処理を行う。さらに、致命領
域パターンを作成するときに、許容値パターンに変換後
寸法として、上記相違許容量を付加していく。この変換
後寸法はラジアル測長部での判定の際に基準値として用
いられる。
However, when the image is reduced, a pattern having an allowable difference in width is erased. In this case, a thinning process is performed in which at least one pixel is left. Further, when creating a critical area pattern, the above-mentioned difference allowable amount is added as a dimension after conversion to an allowable value pattern. The dimension after conversion is used as a reference value at the time of determination by the radial length measuring unit.

【0029】図13(A),(B),(C)では、一例
として、位置ずれ許容量を50μm、相違許容量を25
0μmとしている。この数値は、分解能を10μmとし
て、最小線幅が100μm(10画素)の場合、位置合
わせ精度が線幅1本以内のずれ量で位置が合わせられる
程度と仮定したときに、位置ずれが±50μm(5画
素)となる意味である。また、大型パターンの欠け欠陥
許容値は200μm(20画素)とした。このようにし
て作成した致命領域パターンの領域は、正常な検査パタ
ーン上で必ず存在しなければならない。なぜならぱ、相
違許容畳を見込んで作成したパターンであるためであ
る。正常パターンと致命領域パターンのアンド演算を行
った場合(パターン部分を値1、それ以外の基材部分を
0として)、正常であれば1となり、逆に欠陥は0とな
る。
In FIGS. 13A, 13B and 13C, as an example, the allowable displacement is 50 μm and the allowable difference is 25.
It is 0 μm. This numerical value indicates that when the resolution is 10 μm and the minimum line width is 100 μm (10 pixels), the positional deviation is ± 50 μm, assuming that the alignment accuracy can be adjusted with a deviation amount within one line width. (5 pixels). The allowable value of the chip defect of the large pattern was set to 200 μm (20 pixels). The region of the critical region pattern created in this way must exist on a normal inspection pattern. This is because the pattern is created in consideration of the difference allowable tatami mat. When an AND operation is performed on a normal pattern and a critical region pattern (the pattern portion is set to a value of 1 and the other base portions are set to 0), the value is 1 if the pattern is normal and 0 if the pattern is normal.

【0030】図14(A)に示す検査パターンP1に2
カ所の欠けK1,K2がある。これと、図14(C)に
梨地で示す致命領域パターンP2とのアンド演算を行
う。この場合、図14(B)に示すように、検査パター
ンP1と致命領域パターンP2との位置ずれは、斜線部
で示す許容範囲内(50μm以内)である。このとき、
大きい欠けK2は致命領域パターンP2と重なり、これ
を侵しているので欠陥であり、小さい欠けK1は致命領
域パターンP2と重なっておらず、これを侵していない
ので欠陥とはならない。
The test pattern P1 shown in FIG.
There are missing parts K1 and K2. An AND operation is performed on this and a critical area pattern P2 indicated by a satin finish in FIG. In this case, as shown in FIG. 14B, the displacement between the inspection pattern P1 and the critical area pattern P2 is within the allowable range (within 50 μm) indicated by the hatched portion. At this time,
The large chip K2 overlaps with the critical area pattern P2 and is a defect because it invades it, and the small chip K1 does not overlap with the critical area pattern P2 and is not a defect because it does not invade it.

【0031】次に、本発明で作成する大型パターン変換
用パターンについて説明する。図15(A)に示すよう
な致命領域パターンP2を所定画素数分(例えば1画素
分)縮小することにより、配線パターンの中心部に対応
する図15(B)に示すような大型パターン変換用パタ
ーンP3が作成される。言い換えると、致命領域パター
ンP2のリード配線部の1画素のパターンを削除したも
のであり、大型パターン変換用パターンP3はランドに
対応する大型パターンのみのパターンとなる。
Next, a description will be given of a large pattern conversion pattern created by the present invention. By reducing the critical area pattern P2 as shown in FIG. 15A by a predetermined number of pixels (for example, one pixel), a large pattern conversion pattern as shown in FIG. A pattern P3 is created. In other words, the pattern of one pixel in the lead wiring portion of the fatal region pattern P2 is deleted, and the large pattern conversion pattern P3 is a pattern of only a large pattern corresponding to a land.

【0032】図16に、上記致命領域パターン、大型パ
ターン変換用パターンの作成をまとめて示す。同図中、
CADビットマップ22に位置ずれ許容量を付加して展
開し、相違許容量分だけ縮小処理して致命領域パターン
24を得る。さらに、これを1画素縮小することによ
り、大型パターン変換用パターン25が作成される。図
17は、本発明のパターン検査装置の一実施例のブロッ
ク構成図を示す。同図中、記憶部30にはCADデータ
から作成された、図12(C)に示すような許容値パタ
ーンが格納されている。また、記憶部32にはCADデ
ータから作成された、図15(B)に示すような大型パ
ターン変換用パターンが格納され、記憶部34にはCA
Dデータから作成された、図13(C)に示すような致
命領域パターンが格納されている。上記の許容値パター
ン、大型パターン変換用パターン、致命領域パターンそ
れぞれは、パターン部分を値1、それ以外の部分を値0
としている。
FIG. 16 collectively shows the creation of the critical area pattern and the large pattern conversion pattern. In the figure,
A permissible displacement amount is added to the CAD bitmap 22 and expanded, and the critical area pattern 24 is obtained by performing a reduction process by the permissible difference amount. Further, by reducing this by one pixel, a large pattern conversion pattern 25 is created. FIG. 17 is a block diagram showing an embodiment of the pattern inspection apparatus according to the present invention. In the figure, the storage unit 30 stores an allowable value pattern as shown in FIG. 12C created from CAD data. Further, the storage unit 32 stores a large pattern conversion pattern as shown in FIG. 15B created from the CAD data.
A critical area pattern as shown in FIG. 13C created from the D data is stored. In each of the above-mentioned allowable value pattern, large pattern conversion pattern, and critical area pattern, the pattern portion has a value of 1 and the other portions have a value of 0.
And

【0033】光学系36のCCDカメラ等で撮像された
被検査プリント配線板等の検査画像は、一旦、記憶部3
8に記憶される。ここから読み出された検査画像の画像
データは前処理部40で二値化(パターン部分を値1、
それ以外の基材部分を値0として)された後、位置合わ
せ部42に供給される。位置合わせ部42では、記憶部
30から読み出された許容値パターンと、検査画像の二
値化データの検査パターンとの位置合わせを行う。許容
値パターンに対して位置合わせされた検査パターンは、
比較演算部44及び演算部46に供給される。
The inspection image of the inspection target printed wiring board or the like captured by the CCD camera or the like of the optical system 36 is temporarily stored in the storage unit 3.
8 is stored. The image data of the inspection image read therefrom is binarized by the pre-processing unit 40 (the pattern portion is set to the value 1,
After the other substrate portion is set to a value of 0), it is supplied to the alignment unit 42. The alignment unit 42 aligns the allowable value pattern read from the storage unit 30 with the inspection pattern of the binarized data of the inspection image. The inspection pattern aligned with the tolerance pattern
It is supplied to the comparison operation unit 44 and the operation unit 46.

【0034】比較演算部44は、検査パターンと、記憶
部32から読み出された致命領域パターンとのアンド演
算を行い、図14(B)に示したように、検査パターン
に欠けや消失などにより、致命領域と重ならない部分が
あると欠陥と判定し、この判定結果を良否結果出力部5
0に供給する。演算部46は、検査パターンと、記憶部
32から読み出された大型パターン変換用パターンとの
イクスクルーシブオア演算を行い、例えば図18(A)
に示す検査画像に対して、大型パターン変換用パターン
に対応する部分をくりぬいて削除し、図18(B)に示
すような検査パターンの中心部を削除した周縁部パター
ンとしてのEXORパターンを得て、ラジアル測長部4
8に供給する。
The comparison operation unit 44 performs an AND operation on the inspection pattern and the critical area pattern read from the storage unit 32, and as shown in FIG. If there is a portion that does not overlap with the fatal area, it is determined that there is a defect, and the determination result is output as a pass / fail result output unit 5.
Supply 0. The operation unit 46 performs an exclusive OR operation on the inspection pattern and the large-size pattern conversion pattern read from the storage unit 32. For example, FIG.
18B, the portion corresponding to the large pattern conversion pattern is cut out and deleted, and an EXOR pattern as a peripheral pattern in which the center portion of the test pattern is deleted as shown in FIG. , Radial measuring unit 4
8

【0035】次に、ラジアル測長部48での判定方法に
ついて説明する。所定の大きさの測長センサを用いて大
型の検査パターンを測長しようとすると、図18(A)
に示すように、測長センサ60が大型の検査パターンの
輪郭と交差しないために、検査パターンを測長できない
という問題が生じる。そこで、大型の検査パターンを大
型パターン変換用パターン(致命領域パターンに含ま
れ、致命領域パターンは比較演算部44にて検査)とイ
クスクルーシブオア演算を行うことにより、測長センサ
60で測長可能なEXORパターンヘ変換する。
Next, the determination method in the radial length measuring section 48 will be described. When attempting to measure a large inspection pattern using a length measurement sensor of a predetermined size, FIG.
As shown in (1), the length of the inspection pattern cannot be measured because the length measurement sensor 60 does not intersect with the contour of the large inspection pattern. Therefore, the large measurement pattern is measured by the length measurement sensor 60 by performing an exclusive OR operation with the large pattern conversion pattern (included in the critical region pattern, and the critical region pattern is inspected by the comparison operation unit 44). Convert to a possible EXOR pattern.

【0036】これにより、図18(B)に示すように、
未検査領域を測長センサ60で測長できるようになる。
この測長センサ60は中心から直径方向に8方向、2
2.5度刻みに配置され、現実的な大きさは例えば64
画素分(640μm)の長さとする。なお、図18に示
す測長センサは、作図上簡略化して4方向としている。
測長は対象性が認められた画素に対してのみ行い、測長
した8方向の長さの中で、最小の測長値を線幅とする。
As a result, as shown in FIG.
The unmeasured area can be measured by the length measuring sensor 60.
The length measuring sensor 60 has eight directions from the center in the diametric direction,
It is arranged in 2.5 degree steps, and a realistic size is 64, for example.
The length is equal to the length of a pixel (640 μm). The length measuring sensor shown in FIG. 18 is simplified in drawing to have four directions.
The length measurement is performed only on the pixels for which the symmetry is recognized, and the minimum length measurement value among the lengths in the eight measured directions is defined as the line width.

【0037】ラジアル測長部48は、図18(C)に実
線62で示す走査軌跡上の各画素に対する測長値が得ら
れると、記憶部30から読み出された上記走査軌跡上の
各画素に対応する画素の許容値パターンと比較して、許
容範囲内か否か判定する。許容範囲内であれば正常と
し、許容範囲内でなければ欠陥として、判定結果を良否
結果出力部50に供給する。
When the length measurement value for each pixel on the scanning trajectory indicated by the solid line 62 in FIG. 18C is obtained, the radial measurement unit 48 reads each pixel on the scanning trajectory read from the storage unit 30. Is compared with the allowable value pattern of the pixel corresponding to. If it is within the allowable range, it is determined to be normal, and if it is not within the allowable range, it is determined to be defective, and the determination result is supplied to the pass / fail result output unit 50.

【0038】例えば、図19に示すEXORパターン7
0について測長を行い、EXORパターン70の欠け部
分72のアドレスが(530,150)であったとす
る。このとき、最短の測長値が線幅となり、これが18
0μmであった。ここで、許容値パターンのアドレス
(530,150)を参照すると、設計上の幅である変
換後寸法は250μm、許容値は±100μmである。
For example, the EXOR pattern 7 shown in FIG.
It is assumed that the length measurement is performed for 0 and the address of the missing portion 72 of the EXOR pattern 70 is (530, 150). At this time, the shortest measured value is the line width, which is 18
It was 0 μm. Here, referring to the address (530, 150) of the allowable value pattern, the dimension after conversion, which is the design width, is 250 μm, and the allowable value is ± 100 μm.

【0039】このため、線幅が150〜350μmであ
れば正常と判定されるが、図19に示すように、最短の
測長値が180μmであるため、この欠け部分72は正
常と判定される。なお、請求項に記載の比較手段は比較
演算部44に対応し、周縁部パターン作成手段は演算部
46に対応し、測長手段はラジアル測長部48に対応す
る。
For this reason, if the line width is 150 to 350 μm, it is determined to be normal. However, as shown in FIG. 19, since the shortest measured value is 180 μm, this missing portion 72 is determined to be normal. . The comparing means described in the claims corresponds to the comparison calculating section 44, the peripheral pattern creating means corresponds to the calculating section 46, and the length measuring means corresponds to the radial length measuring section 48.

【0040】[0040]

【発明の効果】上述の如く、請求項1に記載の発明は、
配線パターンを形成するための設計データから生成され
前記配線パターンの中心部に対応する必要不可欠な領域
を示す致命領域パターンと、前記被検査物上の配線パタ
ーンから得た検査パターンとを比較して、両パターンの
不一致により欠陥を検出する比較手段を有する。
As described above, the first aspect of the present invention provides
A critical area pattern generated from design data for forming a wiring pattern and indicating an indispensable area corresponding to the center of the wiring pattern is compared with an inspection pattern obtained from the wiring pattern on the inspection object. And comparing means for detecting a defect due to a mismatch between the two patterns.

【0041】このように、致命領域パターンと、検査パ
ターンとを比較して、両パターンの不一致により欠陥を
検出するため、大型の配線パターンであってもこの配線
パターンの中心部に対応する必要不可欠な領域の欠陥を
高精度に検出できる。請求項2に記載の発明は、設計デ
ータから生成され前記配線パターンの中心部に対応する
大型パターン変換用パターンと、前記被検査物上の配線
パターンから得た検査パターンとを演算して、前記検査
パターンの中心部を削除した周縁部パターンを取り出す
周縁部パターン作成手段と、前記周縁部パターンの線幅
を測長して前記線幅が許容値の範囲外であるとき欠陥を
検出する測長手段とを有する。
As described above, the critical area pattern and the inspection pattern are compared with each other to detect a defect based on a mismatch between the two patterns. Therefore, even if the wiring pattern is large, it is indispensable to correspond to the center of the wiring pattern. Can detect defects in various areas with high accuracy. The invention according to claim 2 calculates a large pattern conversion pattern generated from design data and corresponding to a central portion of the wiring pattern, and an inspection pattern obtained from the wiring pattern on the inspection object, and A peripheral pattern creating means for extracting a peripheral pattern from which a central portion of the inspection pattern is deleted; and a length measuring unit for measuring a line width of the peripheral pattern and detecting a defect when the line width is outside a range of an allowable value. Means.

【0042】このように、検査パターンの中心部を削除
した周縁部パターンの線幅を測長して線幅が許容値の範
囲外であるとき欠陥を検出するため、大型の配線パター
ンであってもこの配線パターンの周縁部パターンの欠陥
を高精度に検出できる。また、請求項3に記載の発明
は、配線パターンを形成するための設計データから生成
され前記配線パターンの中心部に対応する必要不可欠な
領域を示す致命領域パターンと、前記被検査物上の配線
パターンから得た検査パターンとを比較して、両パター
ンの不一致により欠陥を検出する。
As described above, since the line width of the peripheral pattern from which the center portion of the inspection pattern is deleted is measured and a defect is detected when the line width is out of the allowable range, a large wiring pattern is used. Also, the defect of the peripheral pattern of the wiring pattern can be detected with high accuracy. According to a third aspect of the present invention, there is provided a critical area pattern generated from design data for forming a wiring pattern and indicating an indispensable area corresponding to a central portion of the wiring pattern, and a wiring on the inspection object. A defect is detected by comparing the inspection pattern obtained from the pattern with a mismatch between the two patterns.

【0043】このように、致命領域パターンと、検査パ
ターンとを比較して、両パターンの不一致により欠陥を
検出するため、大型の配線パターンであってもこの配線
パターンの中心部に対応する必要不可欠な領域の欠陥を
高精度に検出できる。請求項4に記載の発明は、設計デ
ータから生成され前記配線パターンの中心部に対応する
大型パターン変換用パターンと、前記被検査物上の配線
パターンから得た検査パターンとを演算して、前記検査
パターンの中心部を削除した周縁部パターンを取り出
し、前記周縁部パターンの線幅を測長して前記線幅が許
容値の範囲外であるとき欠陥を検出する。
As described above, the critical area pattern and the inspection pattern are compared with each other to detect a defect due to a mismatch between the two patterns. Therefore, even if the wiring pattern is large, it is indispensable to correspond to the center of the wiring pattern. Can detect defects in various areas with high accuracy. The invention according to claim 4, wherein a large pattern conversion pattern corresponding to the center of the wiring pattern generated from design data and an inspection pattern obtained from the wiring pattern on the inspection object are calculated, and The peripheral pattern from which the central part of the inspection pattern is deleted is taken out, and the line width of the peripheral pattern is measured. When the line width is out of the allowable range, a defect is detected.

【0044】このように、検査パターンの中心部を削除
した周縁部パターンの線幅を測長して線幅が許容値の範
囲外であるとき欠陥を検出するため、大型の配線パター
ンであってもこの配線パターンの周縁部パターンの欠陥
を高精度に検出できる。請求項5に記載の発明は、設計
データから生成され前記配線パターンの各アドレス毎に
少なくとも許容値を登録した許容値パターンを有し、前
記線幅に対する許容値の範囲を前記許容値パターンから
得る。
As described above, since the line width of the peripheral pattern from which the center portion of the inspection pattern is deleted is measured and a defect is detected when the line width is out of the allowable range, a large wiring pattern is used. Also, the defect of the peripheral pattern of the wiring pattern can be detected with high accuracy. The invention according to claim 5 has an allowable value pattern generated from design data and at least an allowable value registered for each address of the wiring pattern, and a range of allowable values for the line width is obtained from the allowable value pattern. .

【0045】このように、配線パターンの各アドレス毎
に許容値を登録した許容値パターンから線幅に対する許
容値の範囲を得るため、配線パターン毎に許容値の範囲
を異ならせることができる。請求項6に記載の発明で
は、致命領域パターンは、前記設計データから生成され
た配線パターンを位置ずれ許容量と欠け許容量との合計
値である相違許容量だけ縮小し、前記相違許容量以下の
部分については1画素分を残して作成する。このように
配線パターンを位置ずれ許容量と欠け許容量との合計値
である相違許容量だけ縮小し、前記相違許容量以下の部
分については1画素分を残すことにより、致命領域パタ
ーンを作成することができる。
As described above, in order to obtain the allowable value range for the line width from the allowable value pattern in which the allowable value is registered for each address of the wiring pattern, the allowable value range can be varied for each wiring pattern. In the invention according to claim 6, the critical area pattern reduces a wiring pattern generated from the design data by a difference allowable amount that is a total value of a positional deviation allowable amount and a chipping allowable amount, and is equal to or smaller than the difference allowable amount. Is created except for one pixel. In this manner, the critical area pattern is created by reducing the wiring pattern by the difference allowance, which is the total value of the positional shift allowance and the chipping allowance, and leaving one pixel for the portion below the difference allowance. be able to.

【0046】請求項7に記載の発明では、大型パターン
変換用パターンは、前記致命領域パターンを所定画素数
分だけ縮小して作成する。このように、致命領域パター
ンを所定画素数分だけ縮小することにより、大型パター
ン変換用パターンを作成することができる。請求項8に
記載の発明では、周縁部パターンの線幅の測長は、前記
周縁部パターンのラジアル測長を行い、最小の測長値を
線幅とする。
According to the seventh aspect of the present invention, the large pattern conversion pattern is created by reducing the critical area pattern by a predetermined number of pixels. In this way, by reducing the critical area pattern by a predetermined number of pixels, a large pattern conversion pattern can be created. In the invention according to claim 8, in measuring the line width of the peripheral portion pattern, the radial length of the peripheral portion pattern is measured, and the minimum measured value is defined as the line width.

【0047】このように、ラジアル測長を行い、最小の
測長値を線幅とすることにより、周縁部パターンの線幅
を測長することができる。
As described above, by performing the radial measurement and setting the minimum measured value to the line width, the line width of the peripheral pattern can be measured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来のパターン検査装置のブロック構成図であ
る。
FIG. 1 is a block diagram of a conventional pattern inspection apparatus.

【図2】従来のパターン検査装置のブロック構成図であ
る。
FIG. 2 is a block diagram of a conventional pattern inspection apparatus.

【図3】図2のカテゴリマップ変換回路及び良否判定ル
ール辞書及び比較回路で行う処理のフローチャートであ
る。
FIG. 3 is a flowchart of processing performed by a category map conversion circuit, a pass / fail judgment rule dictionary, and a comparison circuit of FIG. 2;

【図4】プリント配線板の良否判定を説明するための図
である。
FIG. 4 is a diagram for explaining quality judgment of a printed wiring board;

【図5】探索方法を説明するための図である。FIG. 5 is a diagram for explaining a search method.

【図6】リードパターンを示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a lead pattern.

【図7】複数の線幅が混在する正常配線パターンを示す
図である。
FIG. 7 is a diagram showing a normal wiring pattern in which a plurality of line widths are mixed.

【図8】測長センサを示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a length measuring sensor.

【図9】同一細り幅の検査パターンを示す図である。FIG. 9 is a diagram showing inspection patterns having the same narrow width.

【図10】ベクトルデータの一例を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating an example of vector data.

【図11】図10のベクトルデータから展開されるCA
Dビットマップを示す図である。
FIG. 11 shows a CA developed from the vector data of FIG.
It is a figure showing a D bitmap.

【図12】本発明のベクトルデータの一実施例を示す図
である。
FIG. 12 is a diagram showing an embodiment of the vector data of the present invention.

【図13】致命領域パターンの作成を説明するための図
である。
FIG. 13 is a diagram for explaining creation of a critical area pattern.

【図14】致命領域内欠陥を説明するための図である。FIG. 14 is a diagram for explaining a defect in a critical area.

【図15】大型パターン変換用パターンの作成を説明す
るための図である。
FIG. 15 is a diagram for explaining creation of a large pattern conversion pattern.

【図16】致命領域パターン、大型パターン変換用パタ
ーンの作成をまとめて示す図である。
FIG. 16 is a diagram collectively showing creation of a critical area pattern and a large pattern conversion pattern.

【図17】本発明のパターン検査装置の一実施例のブロ
ック構成図である。
FIG. 17 is a block diagram of an embodiment of the pattern inspection apparatus of the present invention.

【図18】本発明のパターン検査を説明するための図で
ある。
FIG. 18 is a diagram illustrating a pattern inspection according to the present invention.

【図19】EXORパターンのラジアル測長を説明する
ための図である。
FIG. 19 is a diagram for explaining radial measurement of an EXOR pattern.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

30,32,34,38 記憶部 36 光学系 40 前処理部 42 位置合わせ部 44 比較演算部 46 演算部 50 良否結果出力部 60 測長センサ 30, 32, 34, 38 storage unit 36 optical system 40 preprocessing unit 42 positioning unit 44 comparison operation unit 46 operation unit 50 pass / fail result output unit 60 length measurement sensor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/00 G06F 15/62 405A 15/70 455A Fターム(参考) 2F065 AA22 AA49 BB02 CC01 DD00 DD06 DD07 FF02 FF04 FF61 HH15 JJ03 JJ09 JJ26 QQ00 QQ04 QQ21 QQ23 QQ24 QQ25 QQ31 QQ32 QQ37 QQ47 RR05 RR08 2F069 AA49 AA60 BB14 CC06 DD08 DD15 DD16 GG04 GG07 GG72 NN08 2G051 AA65 AB02 AC21 CA03 CA04 EA06 EA11 EA14 EB01 EB09 EC01 ED01 ED08 ED12 ED13 ED15 ED23 5B057 AA03 BA02 CA02 CA06 CA12 CA16 DA03 DB02 DB05 DB08 DC03 DC08 DC33 5L096 AA03 AA07 BA03 BA18 CA02 CA14 FA17 FA62 FA64 FA67 GA24 HA07 JA09 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI Theme coat ゛ (Reference) H05K 3/00 G06F 15/62 405A 15/70 455A F term (Reference) 2F065 AA22 AA49 BB02 CC01 DD00 DD06 DD07 FF02 FF04 FF61 HH15 JJ03 JJ09 JJ26 QQ00 QQ04 QQ21 QQ23 QQ24 QQ25 QQ31 QQ32 QQ37 QQ47 RR05 RR08 2F069 AA49 AA60 BB14 CC06 DD08 DD15 DD16 GG04 GG07 GG72 NN08 2G05 EA01ED02 EC05 EA01 EA01 EA04 EA04 BA02 CA02 CA06 CA12 CA16 DA03 DB02 DB05 DB08 DC03 DC08 DC33 5L096 AA03 AA07 BA03 BA18 CA02 CA14 FA17 FA62 FA64 FA67 GA24 HA07 JA09

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被検査物に形成された、線幅の異なる複
数の配線及び形状や大きさの異なる複数のランドを有す
る配線パターンに発生した欠陥を検出して検査を行うパ
ターン検査装置において、 前記配線パターンを形成するための設計データから生成
され前記配線パターンの中心部に対応する必要不可欠な
領域を示す致命領域パターンと、前記被検査物上の配線
パターンから得た検査パターンとを比較して、両パター
ンの不一致により欠陥を検出する必要不可欠な領域を示
す致命領域パターンと、前記被検査物上の配線パターン
比較手段を有することを特徴とするパターン検査装置。
1. A pattern inspection apparatus for detecting and inspecting a defect formed in a wiring pattern formed on an object to be inspected and having a plurality of wirings having different line widths and a plurality of lands having different shapes and sizes. A critical area pattern generated from design data for forming the wiring pattern and indicating an indispensable area corresponding to the center of the wiring pattern is compared with an inspection pattern obtained from the wiring pattern on the inspection object. A pattern inspection apparatus comprising: a critical area pattern indicating an indispensable area for detecting a defect due to a mismatch between the two patterns; and a wiring pattern comparing means on the inspection object.
【請求項2】 請求項1記載のパターン検査装置におい
て、 前記設計データから生成され前記配線パターンの中心部
に対応する大型パターン変換用パターンと、前記被検査
物上の配線パターンから得た検査パターンとを演算し
て、前記検査パターンの中心部を削除した周縁部パター
ンを取り出す周縁部パターン作成手段と、 前記周縁部パターンの線幅を測長して前記線幅が許容値
の範囲外であるとき欠陥を検出する測長手段とを有する
ことを特徴とするパターン検査装置。
2. The pattern inspection apparatus according to claim 1, wherein a large pattern conversion pattern generated from the design data and corresponding to a central portion of the wiring pattern, and an inspection pattern obtained from the wiring pattern on the inspection object. And a peripheral pattern creating means for extracting a peripheral pattern from which the central part of the inspection pattern is deleted, and measuring a line width of the peripheral pattern and the line width is out of a range of an allowable value. And a length measuring means for detecting a defect.
【請求項3】 被検査物に形成された、線幅の異なる複
数の配線及び形状の異なる複数のランドを有する配線パ
ターンに発生した欠陥を検出して検査を行うパターン検
査方法において、 前記配線パターンを形成するための設計データから生成
され前記配線パターンの中心部に対応する必要不可欠な
領域を示す致命領域パターンと、前記被検査物上の配線
パターンから得た検査パターンとを比較して、両パター
ンの不一致により欠陥を検出することを特徴とするパタ
ーン検査方法。
3. A pattern inspection method for detecting and inspecting a defect generated in a wiring pattern formed on an inspection object and having a plurality of wirings having different line widths and a plurality of lands having different shapes, wherein the wiring pattern is provided. A critical area pattern generated from the design data for forming a critical area corresponding to the central portion of the wiring pattern and an inspection pattern obtained from the wiring pattern on the inspection object is compared. A pattern inspection method characterized by detecting a defect based on a pattern mismatch.
【請求項4】 請求項3記載のパターン検査方法におい
て、 前記設計データから生成され前記配線パターンの中心部
に対応する大型パターン変換用パターンと、前記被検査
物上の配線パターンから得た検査パターンとを演算し
て、前記検査パターンの中心部を削除した周縁部パター
ンを取り出し、 前記周縁部パターンの線幅を測長して前記線幅が許容値
の範囲外であるとき欠陥を検出することを特徴とするパ
ターン検査方法。
4. The pattern inspection method according to claim 3, wherein a large pattern conversion pattern generated from the design data and corresponding to a central portion of the wiring pattern, and an inspection pattern obtained from the wiring pattern on the object to be inspected. Calculating the peripheral pattern from which the central part of the inspection pattern is deleted, measuring the line width of the peripheral pattern, and detecting a defect when the line width is out of the allowable range. A pattern inspection method characterized by the following.
【請求項5】 請求項4記載のパターン検査方法におい
て、 前記設計データから生成され前記配線パターンの各アド
レス毎に少なくとも許容値を登録した許容値パターンを
有し、 前記線幅に対する許容値の範囲を前記許容値パターンか
ら得ることを特徴とするパターン検査方法。
5. The pattern inspection method according to claim 4, further comprising an allowable value pattern generated from the design data and registering at least an allowable value for each address of the wiring pattern, and an allowable value range for the line width. From the allowable value pattern.
【請求項6】 請求項3または4記載のパターン検査方
法において、 前記致命領域パターンは、前記設計データから生成され
た配線パターンを位置ずれ許容量と欠け許容量との合計
値である相違許容量だけ縮小し、前記相違許容量以下の
部分については1画素分を残して作成することを特徴と
するパターン検査方法。
6. The pattern inspection method according to claim 3, wherein the critical area pattern is a difference allowable amount that is a total value of a positional deviation allowable amount and a chipping allowable amount of a wiring pattern generated from the design data. A pattern inspection method wherein a portion smaller than the allowable difference amount is created while leaving one pixel.
【請求項7】 請求項6記載のパターン検査方法におい
て、 前記大型パターン変換用パターンは、前記致命領域パタ
ーンを所定画素数分だけ縮小して作成することを特徴と
するパターン検査方法。
7. The pattern inspection method according to claim 6, wherein the large pattern conversion pattern is created by reducing the critical area pattern by a predetermined number of pixels.
【請求項8】 請求項4記載のパターン検査方法におい
て、 前記周縁部パターンの線幅の測長は、前記周縁部パター
ンのラジアル測長を行い、最小の測長値を線幅とするこ
とを特徴とするパターン検査方法。
8. The pattern inspection method according to claim 4, wherein the line width of the peripheral edge pattern is measured by radially measuring the peripheral edge pattern, and a minimum length measurement value is set to the line width. Characteristic pattern inspection method.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100827906B1 (en) * 2003-12-22 2008-05-07 메가 트레이드 가부시키가이샤 Substrate inspection device
JP2016038311A (en) * 2014-08-08 2016-03-22 株式会社Screenホールディングス Pattern inspection device and pattern inspection method

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