JP2000237949A - 研磨パッドの清掃方法及び装置 - Google Patents
研磨パッドの清掃方法及び装置Info
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- JP2000237949A JP2000237949A JP11206193A JP20619399A JP2000237949A JP 2000237949 A JP2000237949 A JP 2000237949A JP 11206193 A JP11206193 A JP 11206193A JP 20619399 A JP20619399 A JP 20619399A JP 2000237949 A JP2000237949 A JP 2000237949A
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- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は研磨パッドを清掃する方法及び装置
に関する。 【解決手段】 研磨パッドを清掃するための構造部が、
ＤＩ水を高圧で研磨パッドの研磨面に付与するための第
１の装置と、ＤＩ水を除去するための第２の装置とを有
する。第１の装置は、典型的には、研磨パッドの回転
中、研磨パッド上を半径方向に往復運動する１組のノズ
ルを有する。第２の装置は、研磨面から水を除去するた
めの真空吸込口を有するワイパーを含む。この装置は研
磨パッドの有効寿命を延ばし、研磨パッドで作られる製
品の製造良品率を高める。
に関する。 【解決手段】 研磨パッドを清掃するための構造部が、
ＤＩ水を高圧で研磨パッドの研磨面に付与するための第
１の装置と、ＤＩ水を除去するための第２の装置とを有
する。第１の装置は、典型的には、研磨パッドの回転
中、研磨パッド上を半径方向に往復運動する１組のノズ
ルを有する。第２の装置は、研磨面から水を除去するた
めの真空吸込口を有するワイパーを含む。この装置は研
磨パッドの有効寿命を延ばし、研磨パッドで作られる製
品の製造良品率を高める。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は研磨パッドを清掃す
る方法及び装置に関する。
る方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスクは、典型的には次の工程で
製造される。 １．ニッケル−燐層をアルミニウム基材にめっきする。 ２．ニッケル−燐層を研磨する。 ３．ニッケル−燐層をテクスチャー加工（textured）す
る。 ４．下層（例えばＣｒ又はスパッターした（sputtere
d）ＮｉＰ）、磁気層（典型的にはＣｏ合金）及び保護
膜（典型的には水素ドープ（hydrogen-doped）カーボ
ン）をニッケル−燐にスパッターする。 ５．潤滑剤を保護膜に塗布する。
製造される。 １．ニッケル−燐層をアルミニウム基材にめっきする。 ２．ニッケル−燐層を研磨する。 ３．ニッケル−燐層をテクスチャー加工（textured）す
る。 ４．下層（例えばＣｒ又はスパッターした（sputtere
d）ＮｉＰ）、磁気層（典型的にはＣｏ合金）及び保護
膜（典型的には水素ドープ（hydrogen-doped）カーボ
ン）をニッケル−燐にスパッターする。 ５．潤滑剤を保護膜に塗布する。
【０００３】上記の研磨の段階は、典型的には、遊星式
研磨装置、例えば、アリゾナ州チャンドラーのスピード
ファム社製モデルナンバー９Ｂ装置で行なわれる。この
装置を図１Ａに平面図で、図１Ｂに断面図で夫々概略的
に示す。図１Ａ及び１Ｂを参照すれば、装置１０は、ニ
ッケル−燐めっき基材１４ａ、１４ｂ及び１４ｃを研磨
するための、上研磨パッド１２ａ及び下研磨パッド１２
ｂを有する。研磨中、研磨パッド１２ａ及び１２ｂを回
転させる。外歯車１６（“リング歯車”としても知られ
る）をＡ方向に回転させ、一方、同時に中心駆動歯車１
８（“太陽歯車”としても知られる）をＢ方向に回転さ
せ、それにより基材キャリヤー２０をＣ方向に回転させ
る。（基材キャリヤー２０は基材１４ａ、１４ｂ及び１
４ｃを担持する。）スラリーを研磨パッド１２ａと基材
１４との間、及び研磨パッド１２ｂと基材１４との間に
（管路２１ａ、２１ｂを経て）導入する。パッド１２と
基材１４の運動の組合せ及びスラリーの存在によって基
材１４の研磨が行われる。図１Ａには基材ホルダー２０
を１つだけ示すが、典型的には、３つ以上の基材を同時
に研磨するために、いくつかの基材ホルダーを研磨装置
１０に設ける。
研磨装置、例えば、アリゾナ州チャンドラーのスピード
ファム社製モデルナンバー９Ｂ装置で行なわれる。この
装置を図１Ａに平面図で、図１Ｂに断面図で夫々概略的
に示す。図１Ａ及び１Ｂを参照すれば、装置１０は、ニ
ッケル−燐めっき基材１４ａ、１４ｂ及び１４ｃを研磨
するための、上研磨パッド１２ａ及び下研磨パッド１２
ｂを有する。研磨中、研磨パッド１２ａ及び１２ｂを回
転させる。外歯車１６（“リング歯車”としても知られ
る）をＡ方向に回転させ、一方、同時に中心駆動歯車１
８（“太陽歯車”としても知られる）をＢ方向に回転さ
せ、それにより基材キャリヤー２０をＣ方向に回転させ
る。（基材キャリヤー２０は基材１４ａ、１４ｂ及び１
４ｃを担持する。）スラリーを研磨パッド１２ａと基材
１４との間、及び研磨パッド１２ｂと基材１４との間に
（管路２１ａ、２１ｂを経て）導入する。パッド１２と
基材１４の運動の組合せ及びスラリーの存在によって基
材１４の研磨が行われる。図１Ａには基材ホルダー２０
を１つだけ示すが、典型的には、３つ以上の基材を同時
に研磨するために、いくつかの基材ホルダーを研磨装置
１０に設ける。
【０００４】研磨パッド１２ａ、１２ｂは、典型的には
外径約１．３ｍ、内径約０．８ｍの直径及び約０．７ｍ
ｍの厚さを有する。パッド１２ａの上面は接着剤で回転
ディスク２２ａに固定され、一方、パッド１２ｂの底面
は接着剤で回転ディスク２２ｂに固定される。研磨中、
金属粒子が基材１４から除去される。これら金属粒子は
時々、パッド１２ａ、１２ｂの空所に留まる。従って、
定期的にパッド１２ａ、１２ｂを清掃することが必要で
ある。（パッド１２ａ、１２ｂを清掃しないと製造の良
品率が減少し、パッド１２ａ、１２ｂの有効寿命が減少
する。）従来、パッド１２ａ、１２ｂは、ブラシをパッ
ド１２ａ、１２ｂの間で遊星式に回転させながら、研磨
装置からスラリーを洗い流し、研磨装置にすすぎ水を圧
送することによって清掃された。
外径約１．３ｍ、内径約０．８ｍの直径及び約０．７ｍ
ｍの厚さを有する。パッド１２ａの上面は接着剤で回転
ディスク２２ａに固定され、一方、パッド１２ｂの底面
は接着剤で回転ディスク２２ｂに固定される。研磨中、
金属粒子が基材１４から除去される。これら金属粒子は
時々、パッド１２ａ、１２ｂの空所に留まる。従って、
定期的にパッド１２ａ、１２ｂを清掃することが必要で
ある。（パッド１２ａ、１２ｂを清掃しないと製造の良
品率が減少し、パッド１２ａ、１２ｂの有効寿命が減少
する。）従来、パッド１２ａ、１２ｂは、ブラシをパッ
ド１２ａ、１２ｂの間で遊星式に回転させながら、研磨
装置からスラリーを洗い流し、研磨装置にすすぎ水を圧
送することによって清掃された。
【０００５】
【課題を解決するための手段】研磨パッドを清掃するた
めの改良方法が、パッドに流体を高圧で噴霧し、次にパ
ッドから流体をぬぐい、吸い取ることからなる。この方
法は製造の良品率を高め、パッドの有効寿命を伸ばす。
１つの実施形態では、流体はＤＩ水であり、研磨パッド
は研磨装置、例えば、遊星式研磨装置に結合される。装
置は脱イオン（“ＤＩ”）水のような流体を高圧で噴霧
するための多数のノズルを有する第１可動アームを有す
る。パッドが研磨に使用されていないとき、第１アーム
をパッドの近くに移動させ、高圧流体をパッドの清掃に
使用することができる。第１アームは又、パッドの上を
半径方向に往復することができる。
めの改良方法が、パッドに流体を高圧で噴霧し、次にパ
ッドから流体をぬぐい、吸い取ることからなる。この方
法は製造の良品率を高め、パッドの有効寿命を伸ばす。
１つの実施形態では、流体はＤＩ水であり、研磨パッド
は研磨装置、例えば、遊星式研磨装置に結合される。装
置は脱イオン（“ＤＩ”）水のような流体を高圧で噴霧
するための多数のノズルを有する第１可動アームを有す
る。パッドが研磨に使用されていないとき、第１アーム
をパッドの近くに移動させ、高圧流体をパッドの清掃に
使用することができる。第１アームは又、パッドの上を
半径方向に往復することができる。
【０００６】装置は、ワイパーブレードと、パッドから
流体を除去するための真空入口ポートとを有する第２ア
ームを有する。パッドが清掃されているとき、第２アー
ムをパッドの近くに配置することができる。パッドが研
磨に使用されているとき、第２アームをパッドから遠ざ
けることができる。
流体を除去するための真空入口ポートとを有する第２ア
ームを有する。パッドが清掃されているとき、第２アー
ムをパッドの近くに配置することができる。パッドが研
磨に使用されているとき、第２アームをパッドから遠ざ
けることができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】１つの実施形態では、研磨装置は
一組の基材の両側を研磨するために、概ね平行な２つの
パッドを有する。パッドを研磨装置から取外すことなく
清掃できるように、第１及び第２アームを第１パッドと
第２パッドとの間の位置に移動させることができる。第
１アームは高圧流体を上パッド及び下パッドに同時に当
てるためのノズルを上側及び下側に有する。第２アーム
は、各パッドの表面から流体をぬぐい去るための上ワイ
パーブレード及び下ワイパーブレードを収容する。ブレ
ードは、パッドから水を吸い取るための真空入口ポート
を有する。
一組の基材の両側を研磨するために、概ね平行な２つの
パッドを有する。パッドを研磨装置から取外すことなく
清掃できるように、第１及び第２アームを第１パッドと
第２パッドとの間の位置に移動させることができる。第
１アームは高圧流体を上パッド及び下パッドに同時に当
てるためのノズルを上側及び下側に有する。第２アーム
は、各パッドの表面から流体をぬぐい去るための上ワイ
パーブレード及び下ワイパーブレードを収容する。ブレ
ードは、パッドから水を吸い取るための真空入口ポート
を有する。
【０００８】
【実施例】図２乃至６を参照すれば、装置１０’は基材
を研磨するための研磨パッド１２ａ、１２ｂ及び、パッ
ド１２ａ、１２ｂを清掃するための手段を含む。装置１
０’はパッド１２ａ、１２ｂに高圧で水を当てるための
第１構造部１００、及びパッド１２ａ、１２ｂから水を
除去するための第２構造部２００を有する。清掃中、キ
ャリヤー２０及び基材１４（図１Ａ、１Ｂ）は研磨装置
１０’から取り外され、構造部１００及び２００をパッ
ド１２ａ、１２ｂを清掃するためのパッド１２ａとパッ
ド１２ｂとの間の位置へ移動させる。
を研磨するための研磨パッド１２ａ、１２ｂ及び、パッ
ド１２ａ、１２ｂを清掃するための手段を含む。装置１
０’はパッド１２ａ、１２ｂに高圧で水を当てるための
第１構造部１００、及びパッド１２ａ、１２ｂから水を
除去するための第２構造部２００を有する。清掃中、キ
ャリヤー２０及び基材１４（図１Ａ、１Ｂ）は研磨装置
１０’から取り外され、構造部１００及び２００をパッ
ド１２ａ、１２ｂを清掃するためのパッド１２ａとパッ
ド１２ｂとの間の位置へ移動させる。
【０００９】第１構造部１００は一対のアーム１０２
ａ、１０２ｂ（図２乃至４）を有し、各アームは高圧水
をパッド１２ａ、１２ｂに供給するための一組のノズル
１０４を有する。図２及び図４で、アーム１０２ａ、１
０２ｂの頂面１０２ａ’、１０２ｂ’のノズル１０４を
見ることができる。（ノズル１０４は図示を明瞭にする
ために図３には示されていない。）これらノズル１０４
は上パッド１２ａに水を当てる。同様に、アーム１０２
ａ、１０２ｂの底面１０２ａ’’、１０２ｂ’’（図示
せず）にも下パッド１２ｂに水を当てるためのノズルが
ある。ノズル１０４は、典型的には約０．０３１インチ
の内径、及び約０．０４３インチの外径を有する。ノズ
ル１０４は１７５psiと２２５psiとの間の圧力、及び１
６．０gpmの流量で水を供給する。ある実施形態では、
パッド１２ａは５．５rpmの速度でＤ方向に回転し、パ
ッド１２ｂは１６．５rpmの速度でＢ方向に回転し、リ
ング歯車１６は８．９rpmでＥ方向に回転し、太陽歯車
１８は３．６rpmでＥ方向に回転する。又、清掃中アー
ム１０２ａ、１０２ｂが前後に往復運動して、Ｆ、Ｇ方
向に移動する。この方法で、高圧の水をパッド１２ａ、
１２ｂの研磨表面に当てる。（もちろん、他の回転速度
及び回転方向を使用することもできる。）
ａ、１０２ｂ（図２乃至４）を有し、各アームは高圧水
をパッド１２ａ、１２ｂに供給するための一組のノズル
１０４を有する。図２及び図４で、アーム１０２ａ、１
０２ｂの頂面１０２ａ’、１０２ｂ’のノズル１０４を
見ることができる。（ノズル１０４は図示を明瞭にする
ために図３には示されていない。）これらノズル１０４
は上パッド１２ａに水を当てる。同様に、アーム１０２
ａ、１０２ｂの底面１０２ａ’’、１０２ｂ’’（図示
せず）にも下パッド１２ｂに水を当てるためのノズルが
ある。ノズル１０４は、典型的には約０．０３１インチ
の内径、及び約０．０４３インチの外径を有する。ノズ
ル１０４は１７５psiと２２５psiとの間の圧力、及び１
６．０gpmの流量で水を供給する。ある実施形態では、
パッド１２ａは５．５rpmの速度でＤ方向に回転し、パ
ッド１２ｂは１６．５rpmの速度でＢ方向に回転し、リ
ング歯車１６は８．９rpmでＥ方向に回転し、太陽歯車
１８は３．６rpmでＥ方向に回転する。又、清掃中アー
ム１０２ａ、１０２ｂが前後に往復運動して、Ｆ、Ｇ方
向に移動する。この方法で、高圧の水をパッド１２ａ、
１２ｂの研磨表面に当てる。（もちろん、他の回転速度
及び回転方向を使用することもできる。）
【００１０】図４Ａ及び４Ｂは構造部１００を詳細に示
す。構造部１００はカム１１２をＨ方向に回転させるモ
ーター１１０を含み、該モーター１１０がリンク機構１
１４を駆動し、アーム１０２ａ、１０２ｂを前後に駆動
する。水入口パイプ１１６が高圧のＤＩ水を受け入れ
る。パイプ１１６はベロー１２０を介してブロック１１
８内のＬ形パイプ（図示せず）に連結される。ベロー１
２０により、Ｌ形パイプをリンク機構１１４によって前
後に移動させる間、パイプ１１６をＬ形パイプに連結さ
せる。Ｌ形パイプの第２の端がベロー１２２を介してマ
ニホルド１２４に連結され、マニホルド１２４がアーム
１０２に連結される。この方法で、高圧のＤＩ水は、パ
イプ１１６、ベロー１２０、ブロック１１８内のパイ
プ、ベロー１２２、マニホルド１２４及びアーム１０２
を経てパッド１２ａ、１２ｂに付与される。
す。構造部１００はカム１１２をＨ方向に回転させるモ
ーター１１０を含み、該モーター１１０がリンク機構１
１４を駆動し、アーム１０２ａ、１０２ｂを前後に駆動
する。水入口パイプ１１６が高圧のＤＩ水を受け入れ
る。パイプ１１６はベロー１２０を介してブロック１１
８内のＬ形パイプ（図示せず）に連結される。ベロー１
２０により、Ｌ形パイプをリンク機構１１４によって前
後に移動させる間、パイプ１１６をＬ形パイプに連結さ
せる。Ｌ形パイプの第２の端がベロー１２２を介してマ
ニホルド１２４に連結され、マニホルド１２４がアーム
１０２に連結される。この方法で、高圧のＤＩ水は、パ
イプ１１６、ベロー１２０、ブロック１１８内のパイ
プ、ベロー１２２、マニホルド１２４及びアーム１０２
を経てパッド１２ａ、１２ｂに付与される。
【００１１】パッド１２ａ、１２ｂを清掃した後、パッ
ド１２ａ、１２ｂを再び研磨に使用することができるよ
うに、構造部１００を移動させることが必要である。従
って、構造部１００はアーム１０２ａ、１０２ｂをパッ
ド１２ａ、１２ｂから遠ざけることができるように、Ｉ
方向に回転可能に取付けられる。１つの実施形態では、
構造部１００はブロック１２７内に位置決めされたギヤ
とかみ合う回転可能なコア１２８ａ、１２８ｂを含む一
組のアーム１２６ａ、１２６ｂを含む。軸線Ｋを中心に
Ｉ方向に構造部１００を回転させるために、コア１２８
ａ、１２８ｂを回転させることによってピニオンをブロ
ック１１８内で回転させる。
ド１２ａ、１２ｂを再び研磨に使用することができるよ
うに、構造部１００を移動させることが必要である。従
って、構造部１００はアーム１０２ａ、１０２ｂをパッ
ド１２ａ、１２ｂから遠ざけることができるように、Ｉ
方向に回転可能に取付けられる。１つの実施形態では、
構造部１００はブロック１２７内に位置決めされたギヤ
とかみ合う回転可能なコア１２８ａ、１２８ｂを含む一
組のアーム１２６ａ、１２６ｂを含む。軸線Ｋを中心に
Ｉ方向に構造部１００を回転させるために、コア１２８
ａ、１２８ｂを回転させることによってピニオンをブロ
ック１１８内で回転させる。
【００１２】図５及び６を参照すれば、装置１０’の第
２構造部２００はパッド１２ａ、１２ｂから水を除去す
るためのアーム２０２を有する。パッドを清掃すると
き、パッド１２ａ、１２ｂから水を拭い去るために、一
組のワイパーブレード２０４ａ、２０４ｂを設ける。１
つの実施形態では、ブレード２０４はポリウレタン製で
ある。又、ある実施形態では、ブレード２０４は、パッ
ド１２ａ、１２ｂから水を除去するために、アーム２０
２内の導管を介して真空吸込みポート２０８と流体連通
した一組の孔２０６を収容する。吸込みポート２０８は
パイプ２０９（図３）に連結され、水及び汚染物の一部
を吸込むのに使用される。この廃水は機械に取付けられ
たタンク２１０（図３）に集められ、清掃サイクルが終
わった後、排水管に捨てられる。
２構造部２００はパッド１２ａ、１２ｂから水を除去す
るためのアーム２０２を有する。パッドを清掃すると
き、パッド１２ａ、１２ｂから水を拭い去るために、一
組のワイパーブレード２０４ａ、２０４ｂを設ける。１
つの実施形態では、ブレード２０４はポリウレタン製で
ある。又、ある実施形態では、ブレード２０４は、パッ
ド１２ａ、１２ｂから水を除去するために、アーム２０
２内の導管を介して真空吸込みポート２０８と流体連通
した一組の孔２０６を収容する。吸込みポート２０８は
パイプ２０９（図３）に連結され、水及び汚染物の一部
を吸込むのに使用される。この廃水は機械に取付けられ
たタンク２１０（図３）に集められ、清掃サイクルが終
わった後、排水管に捨てられる。
【００１３】構造部２００はアーム２０２を矢印Ｌで示
すように回転させるための回転アクチュエーター２１０
を有する。この方法で、パッド１２ａ、１２ｂを清掃し
た後、アーム２０２をパッド１２ａ、１２ｂから遠ざけ
ることができるので、次いでパッド１２ａ、１２ｂを研
磨に使用することができる。構造部２００は又、アーム
２０２を矢印Ｍで示すように回転させるための第２回転
アクチュエーター２１２を有しているので、アーム２０
２をパッド１２ａ、１２ｂに対して移動させていると
き、パッド１２からワイパーブレード２０４を遠ざける
ことができる。
すように回転させるための回転アクチュエーター２１０
を有する。この方法で、パッド１２ａ、１２ｂを清掃し
た後、アーム２０２をパッド１２ａ、１２ｂから遠ざけ
ることができるので、次いでパッド１２ａ、１２ｂを研
磨に使用することができる。構造部２００は又、アーム
２０２を矢印Ｍで示すように回転させるための第２回転
アクチュエーター２１２を有しているので、アーム２０
２をパッド１２ａ、１２ｂに対して移動させていると
き、パッド１２からワイパーブレード２０４を遠ざける
ことができる。
【００１４】図７は高圧のＤＩ水を構造部１００に供給
するための構造部３００を示す。図７を参照すれば、構
造部３００はパイプ３０４からＤＩ水を受けるための第
１パイプ３０２を有する。パイプ３０２からの水は紫外
線殺菌クリーナー３０６を通ってタンク３０８に送られ
る。水は、パイプ３１２を通して高圧で水を装置１００
に圧送する一対のポンプ３１０によってタンク３０８か
ら移送される。
するための構造部３００を示す。図７を参照すれば、構
造部３００はパイプ３０４からＤＩ水を受けるための第
１パイプ３０２を有する。パイプ３０２からの水は紫外
線殺菌クリーナー３０６を通ってタンク３０８に送られ
る。水は、パイプ３１２を通して高圧で水を装置１００
に圧送する一対のポンプ３１０によってタンク３０８か
ら移送される。
【００１５】本発明を特定の実施形態について説明して
きたが、当業者は、本発明の精神及び範囲から逸脱する
ことなく、形態及び細部において変更ができることを認
識するだろう。例えば、水以外の流体を、研磨パッドを
清掃するのに使用することができる。又、本発明の装置
は、異なる大きさ、直径を有してもよく、異なる圧力、
流量、往復運動速度等で作動してもよい。従って、その
ような変更は全て本発明の範囲に入る。
きたが、当業者は、本発明の精神及び範囲から逸脱する
ことなく、形態及び細部において変更ができることを認
識するだろう。例えば、水以外の流体を、研磨パッドを
清掃するのに使用することができる。又、本発明の装置
は、異なる大きさ、直径を有してもよく、異なる圧力、
流量、往復運動速度等で作動してもよい。従って、その
ような変更は全て本発明の範囲に入る。
【図１Ａ】図１Ａは従来技術によって構成された、基材
を研磨するための遊星運動式研磨装置を平面図で概略的
に示す。
を研磨するための遊星運動式研磨装置を平面図で概略的
に示す。
【図１Ｂ】図１Ｂは図１Ａの研磨装置を断面図で概略的
に示す。
に示す。
【図２】図２は、本発明によって構成された、高圧のＤ
Ｉ水を研磨パッドに噴霧するための第１構造部と、研磨
パッドから水を除去するための第２構造部とを有する、
研磨パッドを清掃する装置の平面図を示す。
Ｉ水を研磨パッドに噴霧するための第１構造部と、研磨
パッドから水を除去するための第２構造部とを有する、
研磨パッドを清掃する装置の平面図を示す。
【図３】図３は図２の装置の概略斜視図である。
【図４Ａ】図４Ａはパッドに高圧で水を当てる第１構造
部の斜視図である。
部の斜視図である。
【図４Ｂ】図４Ｂはパッドに高圧で水を当てる第１構造
部の斜視図である。
部の斜視図である。
【図５】図５はパッドから水を除去するための第２構造
部の断面図である。
部の断面図である。
【図６Ａ】図６Ａは、ワイパーブレードがパッドから離
れるように回転したときの、図５の構造部内のワイパー
ブレードを断面図で示す。
れるように回転したときの、図５の構造部内のワイパー
ブレードを断面図で示す。
【図６Ｂ】図６Ｂは、ワイパーブレードがパッドから水
を除去するときの、図５の構造部内のワイパーブレード
を断面図で示す。
を除去するときの、図５の構造部内のワイパーブレード
を断面図で示す。
【図７】図７は高圧のＤＩ水を供給するための構造部を
示す。
示す。
１０’ 装置 １２ 研磨パッド １４ 基材 ２０ 基材ホルダー １００ 第１構造部 １０２ アーム １０４ ノズル ２００ 第２構造部 ２０２ アーム ２０４ ワイパーブレード ３００ 構造部 ３０８ タンク ３１０ ポンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 シヴァコルンドゥ スレッス アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94539 フリーモント センティネル ド ライヴ 46680 (72)発明者 スティーヴン ショート アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95120 サン ホセ モンタナ コート 6415 Ｆターム(参考） 3C047 GG07 GG13 HH12 3C058 AA07 AA16 AB06 AB08 AC01 BB04 BC03 CB05 DA06 DA09 DA17
Claims (8)
- 【請求項１】 ワークピースを研磨しながら回転する、
ワークピース研磨用の第１研磨パッドと、 前記パッドが研磨に使用されていないとき、前記パッド
を清掃するために圧力流体を当てるためのノズルを含
み、かつ前記パッドが研磨に使用されていないとき、前
記パッドの近くに位置決めすることができ、前記パッド
が研磨に使用されているとき、前記パッドから遠ざける
ことができるように移動できる、第１アームと、 前記パッドから前記流体を除去するための第２アーム
と、を有し、前記第２アームは又、前記パッドが研磨に
使用されていないとき、これを前記パッドの近くに位置
決めすることができ、前記パッドが研磨に使用されてい
るとき、前記パッドから遠ざけることができるように移
動できる、装置。 - 【請求項２】 第２研磨パッドを更に有し、前記第１研
磨パッドが前記ワークピースの第１の側を研磨し、前記
第２研磨パッドが前記ワークピースの第２の側を研磨
し、前記第１及び第２パッドは概ね平面かつ平行であ
り、前記第１アームは前記第１パッドに面する第１の側
と、前記第２パッドに面する第２の側とを有し、前記ノ
ズルの第１の群が前記第１パッドの方に前記圧力流体を
噴霧するために前記第１アームの前記第１の側にあり、
前記ノズルの第２の群が前記第２パッドの方に前記圧力
流体を噴霧するために前記第１アームの前記第２の側に
あり、前記第２アームは前記第１パッドから前記流体を
ぬぐい去るための第１ワイパーブレードと、前記第２パ
ッドから前記流体をぬぐい去るための第２ワイパーブレ
ードとを有する、請求項１に記載の装置。 - 【請求項３】 前記第２アームが、前記第１パッドから
前記流体を吸込むための少なくとも１つの入口ポートを
有する請求項２に記載の装置。 - 【請求項４】 前記第２アームが、前記第１及び第２ワ
イパーブレードを前記パッドに近づけたり遠ざけたりす
ることができるように、前記第２アームの長手方向軸線
を中心に回転できる、請求項２に記載の装置。 - 【請求項５】 研磨装置に連結されるパッドを清掃する
方法において、 前記第１パッドに流体を圧力下で当てるためのノズルを
有する第１アームを前記パッドの近くに移動させる段階
と、 第２アームを前記パッドの近くに移動させる段階と、 前記第１パッドに前記流体を圧力下で当てる段階と、 前記第２アームで前記第１パッドから前記流体を除去す
る段階と、を有する、前記パッドを清掃する方法。 - 【請求項６】 前記第２アームが、前記第１パッドから
前記流体をぬぐい去るためのワイパーブレードと、前記
第１パッドから前記流体を吸い取るための入口ポート
と、を有する、請求項５に記載の方法。 - 【請求項７】 前記研磨装置が前記第１パッドに概ね平
行な第２パッドを有し、前記第１アームは前記第１パッ
ドに面するノズルの第１の群と、前記第２パッドに面す
るノズルの第２の群とを有し、前記方法が前記第１と第
２のパッド両方に前記流体を圧力下で噴霧する段階を有
し、更に、前記方法が前記第２アームによって前記流体
を前記第１と第２のパッドから除去する段階を有する、
請求項６に記載の方法。 - 【請求項８】 更に、前記パッドを清掃した後、前記第
１と第２のアームを前記第１と第２のパッドから遠ざけ
る段階を有する、請求項７に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11995299P | 1999-02-12 | 1999-02-12 | |
| US60/119952 | 1999-02-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000237949A true JP2000237949A (ja) | 2000-09-05 |
Family
ID=22387382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11206193A Pending JP2000237949A (ja) | 1999-02-12 | 1999-07-21 | 研磨パッドの清掃方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000237949A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009039827A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Fujitsu Ltd | 研磨装置、基板及び電子機器の製造方法 |
| JP2014002818A (ja) * | 2012-06-19 | 2014-01-09 | Showa Denko Kk | キャリアプレートおよび円盤状基板の製造方法、円盤状基板の両面加工装置 |
| CN104526561A (zh) * | 2014-12-05 | 2015-04-22 | 哈尔滨泉兴科技有限公司 | 吸尘式打磨平台 |
| CN110774166A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-02-11 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 双面研磨装置和方法 |
| CN110977709A (zh) * | 2018-09-28 | 2020-04-10 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 化学机械研磨方法及设备 |
| CN113858020A (zh) * | 2021-09-15 | 2021-12-31 | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 | 一种控制硅片抛光表面微划伤的装置及工艺方法 |
-
1999
- 1999-07-21 JP JP11206193A patent/JP2000237949A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009039827A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Fujitsu Ltd | 研磨装置、基板及び電子機器の製造方法 |
| JP2014002818A (ja) * | 2012-06-19 | 2014-01-09 | Showa Denko Kk | キャリアプレートおよび円盤状基板の製造方法、円盤状基板の両面加工装置 |
| CN104526561A (zh) * | 2014-12-05 | 2015-04-22 | 哈尔滨泉兴科技有限公司 | 吸尘式打磨平台 |
| CN104526561B (zh) * | 2014-12-05 | 2017-01-11 | 张傲松 | 吸尘式打磨平台 |
| CN110977709A (zh) * | 2018-09-28 | 2020-04-10 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 化学机械研磨方法及设备 |
| US10843307B2 (en) | 2018-09-28 | 2020-11-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Vacuum assembly for chemical mechanical polishing |
| CN110774166A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-02-11 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 双面研磨装置和方法 |
| CN113858020A (zh) * | 2021-09-15 | 2021-12-31 | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 | 一种控制硅片抛光表面微划伤的装置及工艺方法 |
| CN113858020B (zh) * | 2021-09-15 | 2023-10-13 | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 | 一种控制硅片抛光表面微划伤的装置及工艺方法 |
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