JP2000236166A - Connecting structure of via hole and printed wiring board - Google Patents
Connecting structure of via hole and printed wiring boardInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、各種の電子部品を
その表面に搭載して電気的に接続することにより電子回
路を形成することができる配線基板の層間接続などを行
うバイアホール部の接続構造並びにこれらの接続構造を
有する配線基板に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the connection of via holes for interlayer connection of a wiring board on which various electronic parts can be mounted and electrically connected to form an electronic circuit. The present invention relates to a structure and a wiring board having these connection structures.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、電子機器の小型高密度化に伴い、
産業用にとどまらず広く民生用機器の分野においても多
層配線回路基板が安価に供給されることが強く要望され
てきている。このような多層配線回路基板では微細な配
線ピッチで形成された複数層の配線パターン間を高い接
続信頼性で電気的に接続できることが重要である。2. Description of the Related Art In recent years, as electronic devices have become smaller and denser,
There is a strong demand that multilayer wiring circuit boards be supplied at low cost in the field of consumer devices as well as in industrial applications. In such a multilayer wiring circuit board, it is important that a plurality of wiring patterns formed at a fine wiring pitch can be electrically connected with high connection reliability.
【０００３】このような高精度化、多機能化された電子
機器の要求に対し、ドリル加工と銅貼積層板のエッチン
グやめっき加工による従来のプリント配線基板ではもは
やこれらの要求を満足させることは極めて困難となり、
このような問題を解決するために新しい構造を備えたプ
リント配線基板や高密度配線を目的とする製造方法が開
発されつつある。[0003] In response to the demand for such high-precision and multifunctional electronic equipment, conventional printed wiring boards formed by drilling and etching or plating of a copper-clad laminate can no longer satisfy these demands. Very difficult,
In order to solve such a problem, a printed wiring board having a new structure and a manufacturing method for high-density wiring are being developed.
【０００４】例えば、穴に充填した導電性ペーストを有
する基板のプリプレグに銅箔を積層していくスタック配
線基板がある（岡野裕幸“全層IVH構造を有する樹脂多
層基板”’９５マイクロエレクトロニクスシンポジウ
ム、ｐ１６３（１９９５））（一般的にはビルドアップ
多層配線基板として分類されることが多い）。基板材料
としてプリプレグの代わりに接着剤付きのフィルムを使
ったものも研究されている（竹ノ内啓一他“ポリイミド
多層基板の開発”第１０回回路実装学術講演大会、講演
論文集、ｐ８１−８２（１９９６）。[0004] For example, there is a stacked wiring board in which a copper foil is laminated on a prepreg of a board having a conductive paste filled in holes (Hiroyuki Okano, "Resin multilayer board having an all-layer IVH structure"'95 Microelectronics Symposium, p163 (1995)) (generally, it is often classified as a build-up multilayer wiring board). A study using a film with an adhesive instead of a prepreg as a substrate material has also been studied (Keiichi Takenouchi et al., "Development of Polyimide Multilayer Substrates," The 10th Circuit Packaging Academic Conference, Proceedings, p81-82 (1996) ).
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような導
電性ペーストを用いたバイアホールの接続は、工程中で
のペーストの充填不足、基材圧縮量の不足等の理由によ
り、導電性ペーストの圧縮が不十分となり、アニール処
理等の熱ストレス他、各種信頼性試験のストレス下にお
いてバイアホールの接続抵抗値が増大するという問題を
有している。However, the connection of the via holes using such a conductive paste is difficult due to the insufficient filling of the paste during the process and the insufficient amount of compression of the base material. There is a problem that the compression becomes insufficient, and the connection resistance value of the via hole increases under the stress of various reliability tests, in addition to the thermal stress such as annealing.
【０００６】本発明は、バイアホールの接続抵抗値が増
大するといった問題がなく、バイアホールの接続抵抗値
が安定し、信頼性の高いバイアホールの接続を行うこと
が出来る配線基板のバイアホールの接続構造並びにこの
接続構造を有する配線基板を提供することを目的とす
る。According to the present invention, there is no problem that the connection resistance value of the via hole is increased, the connection resistance value of the via hole is stabilized, and the connection of the via hole of the wiring substrate can be performed with high reliability. It is an object to provide a connection structure and a wiring board having the connection structure.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のバイアホールの接続構造並びにこの接続構造
を有する配線基板の発明は次のものである。Means for Solving the Problems In order to achieve the above object, the invention of a connection structure for via holes of the present invention and a wiring board having this connection structure are as follows.
【０００８】（１）導電体が充填されたバイアホールを
有する配線基板において、その両面に配置される配線パ
ターンのランド部のうち、少なくともどちらか一方のラ
ンド部の内側面に導電性材料からなる突起状のバンプを
形成し、前記バンプを介してバイアホール内部に充填さ
れた前記導電体と配線パターンとの接続をおこなうバイ
アホール部の接続構造。(1) In a wiring board having via holes filled with a conductor, at least one of the land portions of the land portions of the wiring pattern disposed on both surfaces thereof is made of a conductive material. A via-hole connection structure in which a protruding bump is formed and a connection is made between the conductor filled in the via-hole and the wiring pattern via the bump.
【０００９】（２）バイアホールに充填された導電体
が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕから選ばれた単独材料あるいはこ
れらの混合材料、もしくはこれらの合金材料からなる金
属粉体を含有する導電性ペーストである前記（１）項に
記載のバイアホール部の接続構造。(2) The conductor filled in the via hole is made of a conductive material containing a metal powder composed of a single material selected from Au, Ag, and Cu, a mixed material thereof, or an alloy material thereof. A via hole connection structure according to the above item (1).
【００１０】（３）バンプが、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕから選
ばれた単独材料あるいはこれらの混合材料、もしくはこ
れらの合金材料からなる金属粉体を含有する導電性ペー
ストを硬化した材料で形成されている前記（１）または
（２）項のいずれかに記載のバイアホール部の接続構
造。(3) The bump is formed of a material obtained by curing a conductive paste containing a metal powder composed of a single material selected from Au, Ag, and Cu, a mixed material thereof, or an alloy material thereof. The via hole connection structure according to any one of the above (1) and (2).
【００１１】（４）バンプが、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎ
ｉ、Ｓｎ、Ｐｂから選ばれた単独材料あるいはこれらの
混合材料、もしくはこれらの合金材料をもちいた導電材
料のめっき膜または蒸着膜で形成されている前記（１）
または（２）項のいずれかに記載のバイアホール部の接
続構造。(4) The bumps are made of Au, Ag, Cu, N
The above (1), which is formed of a plating film or a vapor deposition film of a conductive material using a single material selected from i, Sn, Pb, a mixed material thereof, or an alloy material thereof.
Or the connection structure of the via-hole part as described in any one of (2).
【００１２】（５）バンプの最表面が、非酸化性金属導
電材料のめっき膜または蒸着膜でコーティングされてい
る前記（１）〜（４）項のいずれかに記載のバイアホー
ル部の接続構造。(5) The via hole connection structure according to any one of the above (1) to (4), wherein the outermost surface of the bump is coated with a plating film or a deposition film of a non-oxidizing metal conductive material. .
【００１３】（６）導電体が充填されたバイアホールと
突起状のバンプとの接続界面に金属拡散層が形成されて
いる前記（１）〜（５）項のいずれかに記載のバイアホ
ール部の接続構造。(6) The via hole according to any one of the above (1) to (5), wherein a metal diffusion layer is formed at a connection interface between the via hole filled with the conductor and the bump in the form of a protrusion. Connection structure.
【００１４】（７）バンプの硬度が、バイアホールに充
填されている導電体の硬度より大きい状態において、バ
ンプとバイアホールに充填されている導電体とが接続さ
れてなる前記（１）〜（６）項のいずれかに記載のバイ
アホール部の接続構造。(7) When the hardness of the bump is greater than the hardness of the conductor filled in the via hole, the bump and the conductor filled in the via hole are connected to each other. 6) A connection structure for a via hole according to any one of the above items.
【００１５】（８）前記（１）〜（７）項のいずれかに
記載のバイアホール部の接続構造を有する配線基板。(8) A wiring board having the via hole connection structure according to any one of the above (1) to (7).
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、絶縁性基材に設けられた貫通穴に導電性ペーストが
充填されたバイアホールにおいて、前記バイアホールの
両面に配置される配線パターンのランド部のうち、少な
くともどちらか一方のランド部の内側面に導電性材料か
らなる突起状のバンプを形成し、前記バンプを介して前
記バイアホール中の導電性ペーストと配線パターンとの
接続をおこなうバイアホール部の接続構造であり、前記
バンプの突起によって前記バイアホール中の導電性ペー
ストに充分な圧縮がかかり、その結果、導電体の導体成
分が緻密化され、初期抵抗値が低く、高信頼性を有する
バイアホール接続が可能になるものである。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The invention according to claim 1 of the present invention is arranged in a via hole in which a conductive paste is filled in a through hole provided in an insulating base material, on both surfaces of the via hole. A protruding bump made of a conductive material is formed on the inner surface of at least one of the land portions of the land portion of the wiring pattern, and the conductive paste and the wiring pattern in the via hole are formed via the bump. It is a connection structure of a via hole portion for making a connection, and the bump of the bump sufficiently compresses the conductive paste in the via hole, as a result, the conductor component of the conductor is densified, and the initial resistance value is low. Thus, a via hole connection with high reliability can be realized.
【００１７】また、本発明の請求項２に記載の好ましい
態様においては、バイアホールに充填されている前記導
電性ペーストがＡｕ、Ａｇ、Ｃｕのいずれか1種あるい
はこれらの混合材料、あるいはこれらの合金材料からな
る金属粉体を含有する導電性ペーストであり、これらの
金属粉体は導電性が良好であり、より信頼性の高いバイ
アホール接続が可能になり好ましい。また、前記バンプ
を形成している金属の種類を選定することにより、バン
プとの界面において、例えばＡｇ−Ｃｕ拡散あるいはＡ
ｕ−Ｃｕ拡散のような拡散層を形成することにより、更
に高信頼性を有するバイアホール接続も可能になる。In a preferred embodiment of the present invention, the conductive paste filled in the via hole is made of one of Au, Ag, and Cu, a mixed material thereof, or a mixed material thereof. It is a conductive paste containing a metal powder made of an alloy material, and these metal powders are preferable because they have good conductivity and enable more reliable via hole connection. In addition, by selecting the type of metal forming the bump, for example, Ag-Cu diffusion or A
By forming a diffusion layer such as u-Cu diffusion, a via hole connection with higher reliability can be realized.
【００１８】本発明の請求項３に記載の好ましい態様に
おいては、前記バンプがＡｕ、Ａｇ、Ｃｕの1種あるい
はこれらの混合材料、あるいはこれらの合金材料からな
る金属粉体を含有する導電性ペーストを硬化して形成さ
れたバンプであり、これらの金属粉体は導電性が良好で
あり、より信頼性の高いバイアホール接続が可能になり
好ましい。更に前記バイアホールに充填されている前記
導電性ペーストが未硬化の状態で、硬化したバンプの突
起がバイアホールにプレスされて接続される場合には、
バイアホールに充填されている導電性ペーストが圧縮さ
れて接続されるので、より信頼性の高い接続が可能とな
り好ましい。また、前記バイアホールに充填されている
前記導電性ペーストに含有されている金属の種類を選定
することによって、バンプとの界面において、例えばＡ
ｇ−Ｃｕ拡散あるいはＡｕ−Ｃｕ拡散のような拡散層を
形成することにより、更に高信頼性を有するバイアホー
ル接続も可能になる。In a preferred embodiment of the present invention, the bump contains a metal powder made of one of Au, Ag, and Cu, or a mixed material thereof, or an alloy material thereof. These metal powders are preferable because they have good conductivity and enable more reliable via hole connection. Further, in a case where the conductive paste filled in the via hole is in an uncured state and the protrusion of the cured bump is pressed and connected to the via hole,
Since the conductive paste filled in the via hole is compressed and connected, more reliable connection is possible, which is preferable. Also, by selecting the type of metal contained in the conductive paste filled in the via hole, for example, A
By forming a diffusion layer such as g-Cu diffusion or Au-Cu diffusion, via hole connection with higher reliability can be realized.
【００１９】本発明の請求項４に記載の好ましい態様に
おいては、前記バンプをＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓ
ｎ、Ｐｂから選ばれた単独材料あるいはこれらの混合材
料、もしくはこれらの合金材料からなる導電材料をめっ
き法あるいは蒸着法で形成することにより、より小径の
バンプの形成も可能となり、バイアホールの孔の径がよ
り小さい場合でも適合できるバンプが形成可能となり、
より集積度の高い微細配線基板も信頼性良く製造し得
る。特にバンプの導電材料がＡｕ、Ａｇ、Ｃｕのいずれ
かを含み、更にバイアホールの導電体が、Ａｕ、Ａｇ、
Ｃｕのいずれかを含む組み合わせの場合で両者の金属の
種類の組み合わせの選定によって、バンプとの界面にお
いて、例えばＡｇ−Ｃｕ拡散あるいはＡｕ−Ｃｕ拡散の
ような拡散層を形成することにより、更に高信頼性を有
するバイアホール接続も可能になる。In a preferred aspect of the present invention, the bump is made of Au, Ag, Cu, Ni, S
By forming a conductive material composed of a single material selected from n and Pb, a mixed material thereof, or an alloy material thereof by a plating method or a vapor deposition method, a bump having a smaller diameter can be formed, and the hole of the via hole can be formed. Can be formed even if the diameter of the is smaller,
A fine wiring board with a higher degree of integration can be manufactured with high reliability. In particular, the conductive material of the bump includes any of Au, Ag, and Cu, and the conductive material of the via hole is Au, Ag, or Cu.
In the case of a combination containing any one of Cu, by selecting a combination of the types of both metals, a diffusion layer such as Ag-Cu diffusion or Au-Cu diffusion is formed at the interface with the bump to further improve the quality. A reliable via-hole connection is also possible.
【００２０】本発明の請求項５に記載の好ましい態様に
おいては、前記バンプの最表面が例えばＡｕ、Ａｇ、Ｐ
ｔ、Ｐｄ等の貴金属導電材料のように非酸化性金属の導
電材料になるようにめっき法や蒸着法で表面をコーティ
ングすることにより、前記バンプ表面の酸化を防止する
作用があるため高信頼性を有するバイアホール接続が可
能になる。また、前記バンプを形成している金属並びに
バイアホールに充填されている導電性ペーストの金属の
種類を選定することにより、バンプとの界面において、
例えばＡｇ−Ｃｕ拡散あるいはＡｕ−Ｃｕ拡散のような
拡散層を形成することにより、更に高信頼性を有するバ
イアホール接続も可能になる。In a preferred embodiment of the present invention, the outermost surface of the bump is made of, for example, Au, Ag, P
By coating the surface by a plating method or a vapor deposition method so as to be a non-oxidizing metal conductive material such as a noble metal conductive material such as t or Pd, there is an action of preventing the bump surface from being oxidized. Via hole connection with Further, by selecting the type of metal forming the bump and the metal of the conductive paste filled in the via hole, at the interface with the bump,
For example, by forming a diffusion layer such as Ag-Cu diffusion or Au-Cu diffusion, a via hole connection with higher reliability can be realized.
【００２１】本発明の請求項６に記載の好ましい態様に
おいては、導電体が充填されたバイアホールと突起状の
バンプとの接続界面に金属拡散層が形成されているの
で、更に高信頼性を有するバイアホール接続構造を実現
することが出来る。In a preferred embodiment of the present invention, since a metal diffusion layer is formed at a connection interface between the via hole filled with the conductor and the bump in the form of a protrusion, higher reliability can be achieved. The via-hole connection structure can be realized.
【００２２】本発明の請求項７に記載の好ましい態様に
おいては、バンプの硬度が、バイアホールに充填されて
いる導電体の硬度より大きい状態において、バンプとバ
イアホールに充填されている導電体とが接続されるの
で、前記バンプの突起形状が崩れることなく前記バイア
ホール中の導電性ペーストに充分な圧縮をかけることが
でき、その結果、導電体の導体成分が緻密化され、初期
抵抗値が低く、高信頼性を有するバイアホール接続を可
能とすることが出来る。尚、ここで、「バンプの硬度
が、バイアホールに充填されている導電体の硬度より大
きい状態において」の両者の硬度は、両者の接続作業時
における硬度で比較するものであり、その際のバンプの
硬度がバイアホールに充填されている導電体の硬度より
大きければよく、例えば、バンプが導電性ペーストを硬
化した材料で形成されている場合とか前述した金属のめ
つきまたは蒸着等によって形成されている場合に、バイ
アホール中の導電性ペーストが未硬化かないしは半硬化
状態で、その硬度がバンプの硬度よりも小さい状態で両
者を接続すれば、その後仮にバイアホール中の導電性ペ
ーストが硬化処理されてバンプの硬度と同等かそれより
大きくなっていても差し支えない。すなわち両者の接続
処理時にバンプの硬度が、バイアホールに充填されてい
る導電体の硬度より大きいければよいことを意味してい
る。In a preferred aspect of the present invention, when the hardness of the bump is larger than the hardness of the conductor filled in the via hole, the bump and the conductor filled in the via hole are hardened. Is connected, it is possible to apply sufficient compression to the conductive paste in the via hole without collapsing the protrusion shape of the bump, as a result, the conductor component of the conductor is densified, and the initial resistance value is reduced. A low and highly reliable via hole connection can be made possible. Here, the two hardnesses “in a state where the hardness of the bump is larger than the hardness of the conductor filled in the via hole” are compared by the hardness at the time of the connection work between the two. It is sufficient that the hardness of the bump is larger than the hardness of the conductor filled in the via hole.For example, the bump may be formed of a material obtained by hardening a conductive paste, or may be formed by metal plating or vapor deposition as described above. If the conductive paste in the via hole is uncured or semi-cured, and if the two are connected in a state where the hardness is smaller than the hardness of the bump, the conductive paste in the via hole will be temporarily The hardness of the bump may be equal to or greater than the hardness of the bump. In other words, it means that the hardness of the bumps only needs to be greater than the hardness of the conductor filled in the via hole during the connection process between the two.
【００２３】また、請求項８に記載の本発明の配線基板
は、前述した請求項１〜７のいずれかに記載のバイアホ
ール部の接続構造を有するので、バイアホールの接続抵
抗値が安定し、信頼性の高いバイアホールの接続構造を
有する配線基板が提供される。The wiring board of the present invention according to claim 8 has the via hole connection structure according to any one of claims 1 to 7, so that the connection resistance value of the via hole is stable. Thus, a wiring board having a highly reliable via hole connection structure is provided.
【００２４】以上説明した本発明に係るバイアホールの
接続構造並びに当該接続構造を有する配線基板に関して
は、特に限定するものではないが、配線パターンを形成
する配線部素材としては銅がコストと導電性、信頼性の
バランスが取れている点から好ましく用いられるが、必
要に応じてその他この種の配線基板の製造の際に用いら
れている金属、例えばＡｕ、Ａｇなどを用いてもよい。The connection structure of the via hole and the wiring board having the connection structure according to the present invention described above are not particularly limited, but copper is used as a wiring portion material for forming a wiring pattern because of its cost and conductivity. Although it is preferably used in view of a balance of reliability, other metals used in the manufacture of this type of wiring board, such as Au and Ag, may be used as necessary.
【００２５】バイアホールに充填される導電性ペースト
は、特に限定するものではないが通常、前述した導電性
金属の粉体と、エポキシ樹脂やフェノール樹脂その他の
熱硬化性樹脂、または熱可塑性樹脂などの樹脂成分とそ
の溶剤で構成されているものなど適宜用いることが出来
る。通常かかる導電性ペーストは市販されているものも
種々あるので、そのうち本発明に適用可能なものも勿論
用いることができる。好ましくは前記導電性ペーストの
樹脂成分は熱硬化性樹脂が好ましく、一般にエポキシ樹
脂が耐熱性もよく好ましく用いられる。The conductive paste to be filled in the via hole is not particularly limited, but is usually a powder of the above-described conductive metal, an epoxy resin, a phenol resin, another thermosetting resin, a thermoplastic resin, or the like. The resin component and its solvent may be used as appropriate. Usually, there are various types of such conductive pastes which are commercially available, and of course, those applicable to the present invention can be used. Preferably, the resin component of the conductive paste is a thermosetting resin, and in general, an epoxy resin is preferably used because of its good heat resistance.
【００２６】導電性ペーストを構成する導電性金属の粉
体の粒径についても、目的に応じて適宜のものを選定す
れば良く特に限定するものではないが、通常、２〜２０
μｍ程度のものが用いられる。金属粉体の含有率も金属
粉体の種類によって異なるので特に限定するものではな
いが、導電性ペーストの重量で８８〜９８重量％のもの
が好ましく用いられている。The particle size of the conductive metal powder constituting the conductive paste may be appropriately selected depending on the purpose, and is not particularly limited.
Those having a size of about μm are used. The content of the metal powder also varies depending on the type of the metal powder, and is not particularly limited. However, a powder having a weight of 88 to 98% by weight of the conductive paste is preferably used.
【００２７】バンプの突起の高さも、目的に応じて適宜
の高さとすれば良く、特に制限するものではないが、通
常、５〜１０μｍ程度である。また、バンプ形成材料と
して導電性ペーストを用いる場合の金属粉体の粒径、含
有率、樹脂成分なども、バイアホール充填用の導電性ペ
ーストの場合とほぼ同様である。The height of the bump projection may be appropriately determined according to the purpose, and is not particularly limited, but is usually about 5 to 10 μm. In addition, when a conductive paste is used as the bump forming material, the particle size, content, resin component, and the like of the metal powder are almost the same as those of the conductive paste for filling via holes.
【００２８】配線基板の基材についても特に限定するも
のではないが、アラミド繊維あるいはガラス繊維等の繊
維の不織布などの布帛類にエポキシ樹脂を含浸させたプ
リプレグのような被圧縮性基材（半硬化状態で完全に硬
化されておらず、プレスした場合に圧縮可能な材料であ
り、配線形成や、バンプとバイアホールの導電体との接
続後に硬化させるもの）や、例えばフィルムの両面に接
着剤を塗布したフィルム基材で、具体的には、フィルム
としては例えばポリイミドフィルム、アラミドフィルム
などの耐熱性のよいものなど、また、接着剤としては配
線用の銅箔などの金属箔を接着するための接着剤で、具
体的には例えばポリイミド系の接着剤やエポキシ系の接
着剤など耐熱性のよいものが当該接着剤が完全硬化され
る前の状態で形成されているものを用いる。接着剤部分
が完全硬化されていないので、バンプとバイアホールの
導電体との接続の際のプレスにより、接着剤部分が圧縮
され、その後接着剤を硬化処理させるようにして用いら
れる。Although there is no particular limitation on the substrate of the wiring board, a compressible substrate such as a prepreg obtained by impregnating a cloth such as a non-woven fabric of fibers such as aramid fibers or glass fibers with an epoxy resin (semi-woven fabric). It is a material that is not completely cured in a cured state and can be compressed when pressed, and is cured after wiring formation or connection between bumps and conductors in via holes), or adhesive on both sides of the film, for example. A film substrate coated with, specifically, as a film, for example, a polyimide film, a heat-resistant material such as an aramid film, and as an adhesive, for bonding a metal foil such as a copper foil for wiring. An adhesive having a high heat resistance, such as a polyimide-based adhesive or an epoxy-based adhesive, is formed before the adhesive is completely cured. Use what is. Since the adhesive portion is not completely cured, the adhesive portion is compressed by a press at the time of connection between the bump and the conductor in the via hole, and thereafter the adhesive is cured.
【００２９】[0029]
【実施例】以下、本発明の実施の形態について、配線基
板の具体例を参照しながら図面を用いて説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings, with reference to specific examples of a wiring board.
【００３０】実施例１ 図１は本発明の第１の実施例におけるバイアホール部接
続構造の断面図である。基材１にバイアホール２が設け
てあり、前記バイアホール２の内部には導電体３が充填
されているバイアホール部において、前記基材１の両面
に配置される銅箔からなる配線パターン４のうち前記バ
イアホール内部に充填された導電体３と電気的に接続さ
れるランド部５の内側面に、導電性材料からなる突起状
のバンプ６を形成し、前記バンプ６を介して前記バイア
ホール２の内部に充填された前記導電体３と前記配線パ
ターン４との電気的接続を行う構造となっている。この
とき前記バンプ６は、導電体３が充填されたバイアホー
ル２の上下両面を覆っているランド部５の少なくともど
ちらか一方のランド部５の内側面に設けられていればよ
い。片方のランド部５の内側面にバンプ６が設けられて
いる形態は図２に示した。Embodiment 1 FIG. 1 is a sectional view of a via hole connection structure according to a first embodiment of the present invention. A via hole 2 is provided in a base material 1, and a wiring pattern 4 made of copper foil disposed on both surfaces of the base material 1 in a via hole portion in which a conductor 3 is filled inside the via hole 2. A bump 6 made of a conductive material is formed on an inner surface of a land portion 5 electrically connected to the conductor 3 filled in the via hole, and the via 6 is formed via the bump 6. The electrical connection between the conductor 3 filled in the hole 2 and the wiring pattern 4 is provided. At this time, the bump 6 may be provided on the inner surface of at least one of the land portions 5 covering the upper and lower surfaces of the via hole 2 filled with the conductor 3. FIG. 2 shows an embodiment in which the bumps 6 are provided on the inner side surface of one of the land portions 5.
【００３１】基材１は、アラミド繊維を用いた不織布に
エポキシ樹脂を含浸させたプリプレグである被圧縮性基
材や、あるいはポリイミドフィルムの両面にポリイミド
系接着剤を塗布したフィルム基材を用いた。このような
基材１にレーザー加工法を用いて貫通穴加工を施し、所
定の位置にバイアホール２を形成する。このときレーザ
ーは炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー、ＹＡＧレー
ザー等を用い、加工する基材やバイアホールの直径の大
きさによって最適なレーザー加工法を選択する。次に、
先ほど形成したバイアホール２の内部に導電体３を充填
する。導電体３は、本実施例１ではＣｕペーストを用い
た場合と、もう一つの例としてＡｇとＣｕの傾斜合金ペ
ースト（いずれもペーストの樹脂成分はエポキシ樹脂、
溶剤はブチルカルビトールアセテート）を用いた場合と
２通り作製した。導電性ペーストの充填方法は、スクリ
ーン印刷のようにスキージでペーストをバイアホール内
に押し込む方法を用いた。As the base material 1, a compressible base material which is a prepreg obtained by impregnating an epoxy resin into a nonwoven fabric using aramid fiber, or a film base material having a polyimide adhesive applied to both surfaces of a polyimide film was used. . Through-hole processing is performed on such a base material 1 by using a laser processing method, and a via hole 2 is formed at a predetermined position. At this time, a carbon dioxide laser, an excimer laser, a YAG laser, or the like is used as a laser, and an optimum laser processing method is selected according to a diameter of a base material to be processed or a via hole. next,
The conductor 3 is filled into the via hole 2 formed earlier. In the first embodiment, the conductor 3 is made of a Cu paste, and as another example, a gradient alloy paste of Ag and Cu (the resin component of the paste is epoxy resin,
The solvent was prepared in two cases, namely, when butyl carbitol acetate was used. As a method for filling the conductive paste, a method of pressing the paste into the via holes with a squeegee as in screen printing was used.
【００３２】一方で、配線パターン４になるべき銅箔
の、バイアホールと接続されランド部５が形成される部
分に突起状のバンプ６を形成する。このバンプ６は本実
施例では、Ａｇペースト（ペーストの樹脂成分はエポキ
シ樹脂、溶剤はブチルカルビトールアセテート）を用い
た。バンプの形成は、スクリーン印刷法を用いて所定の
位置に印刷した。バンプの直径は、印刷時、プレス時、
パターニング時それぞれのアライメント精度を考慮し
て、ランド部５の直径よりも小さく設計する必要があ
る。印刷後、ペーストを１５０℃程度の温度で熱硬化
し、前記導電体３よりも硬くした。これは次工程のプレ
ス工程でバンプの形状が崩れることなく前記導電体３を
圧縮するためである。On the other hand, projecting bumps 6 are formed on portions of the copper foil to be the wiring patterns 4 where the land portions 5 are formed by being connected to the via holes. In this embodiment, the bump 6 is made of an Ag paste (the resin component of the paste is an epoxy resin, and the solvent is butyl carbitol acetate). The bumps were formed at predetermined positions using a screen printing method. The diameter of the bump can be determined when printing, pressing,
It is necessary to design smaller than the diameter of the land part 5 in consideration of the respective alignment accuracy at the time of patterning. After printing, the paste was thermoset at a temperature of about 150 ° C. to make it harder than the conductor 3. This is because the conductor 3 is compressed without deforming the shape of the bump in the next pressing step.
【００３３】基材１に形成したバイアホール２とランド
部５の銅箔に形成したバンプ６が一対一で重なり合うよ
うにアライメントしプレスする。このとき、バンプ６は
バイアホール２の上下両面を覆っているランド部５の両
方に設けられていることは必ずしも必要ではなく、図２
のようにどちらか片方だけでもよい。プレス終了後、銅
箔をフォトリソグラフィ法でパターニングして、本発明
のバイアホール部接続構造を得ることができた。The via holes 2 formed on the substrate 1 and the bumps 6 formed on the copper foil of the lands 5 are aligned and pressed so as to overlap one-to-one. At this time, it is not always necessary that the bumps 6 are provided on both of the land portions 5 covering the upper and lower surfaces of the via hole 2.
Or just one of them. After the pressing, the copper foil was patterned by the photolithography method to obtain the via hole connection structure of the present invention.
【００３４】上記実施例より明らかなように本発明は、
配線パターンのランド部に導電性材料からなる突起状の
バンプを形成し、前記バンプを介してバイアホール中の
導電性ペーストを圧縮するような接続をおこなうバイア
ホール部の接続構造が提供される。上記本発明の接続構
造を用いることにより、従来の構造よりも導電性ペース
トの導体成分を緻密化することができた。また、導電体
３とバンプ６の接続部にＡｇとＣｕを介在させることに
より、プレス時にＡｇとＣｕが拡散することによって、
アニール処理等の熱ストレス他、各種信頼性試験のスト
レス下においてバイアホールの接続抵抗値を安定させる
ことができた。As is clear from the above embodiments, the present invention
Provided is a connection structure of a via-hole portion, in which a projection-shaped bump made of a conductive material is formed on a land portion of a wiring pattern, and a connection is performed through the bump to compress a conductive paste in the via hole. By using the connection structure of the present invention, the conductor component of the conductive paste can be made more dense than the conventional structure. Further, by interposing Ag and Cu at the connection between the conductor 3 and the bump 6, Ag and Cu are diffused during pressing,
The connection resistance value of the via hole was stabilized under the stress of various reliability tests other than the thermal stress such as annealing.
【００３５】実施例２ 実施例１に記載のバンプ６をめっき法や蒸着法を用いて
形成しても、実施例１と同様なバイアホール部の接続構
造を得ることができる。本発明の実施例２では、フォト
リソグラフィ法を用いてバンプ６のパターニングを行
い、めっき法や蒸着法を用いてバンプ６の形成をするた
め、小径のバンプを形成することができる。従って実施
例１の方法よりも小径のバイアホールに対応した本発明
のバイアホール部の接続構造を得ることが可能である。
尚、フォトリソグラフィ法でランド部５の表面にバンプ
６を形成するには、例えば、フォトレジストなどでラン
ド部５（実際には配線用の銅箔全面）の表面を被覆し、
フォトレジストを露光した後、現像してバンプを形成す
る部分のみのフォトレジストを除去してランド部５の表
面を露出させ、露出した部分にめっき又は蒸着をした
後、残存しているフォトレジストを除去すればよい。Embodiment 2 Even when the bumps 6 described in Embodiment 1 are formed by plating or vapor deposition, the same connection structure of via holes as in Embodiment 1 can be obtained. In the second embodiment of the present invention, the bumps 6 are patterned by using the photolithography method, and the bumps 6 are formed by using the plating method or the vapor deposition method. Therefore, a small-diameter bump can be formed. Therefore, it is possible to obtain the via hole connection structure of the present invention corresponding to the via hole having a smaller diameter than the method of the first embodiment.
In order to form the bump 6 on the surface of the land portion 5 by photolithography, for example, the surface of the land portion 5 (actually, the entire surface of the copper foil for wiring) is covered with a photoresist or the like,
After exposing the photoresist, developing is performed to remove the photoresist only in a portion where a bump is to be formed, exposing the surface of the land portion 5, plating or evaporating the exposed portion, and removing the remaining photoresist. It may be removed.
【００３６】本実施例２では上記の方法でＣｕめっきで
バンプ６を形成し、その表面をさらにＡｇめっきでコー
ティングした。本実施例では、バンプ６の形成方法が実
施例１と異なるのみで、他は実施例１と同様の方法並び
に素材を用いた。In the second embodiment, the bumps 6 are formed by Cu plating by the above method, and the surfaces thereof are further coated with Ag plating. In the present embodiment, the same method and material as those of the first embodiment were used except that the method of forming the bump 6 was different from that of the first embodiment.
【００３７】上記実施例より明らかなように本発明は、
配線パターンのランド部に導電性材料からなる突起状の
バンプを形成し、前記バンプを介してバイアホール中の
導電性ペーストを圧縮するような接続をおこなうバイア
ホール部の接続構造が提供される。本発明方法の構造を
用いることにより、従来の構造よりも導電性ペーストの
導体成分が緻密化することができた。また、導電体３と
バンプ６の接続部にＡｇとＣｕを介在させることによ
り、プレス時にＡｇとＣｕが拡散することによって、ア
ニール処理等の熱ストレス他、各種信頼性試験のストレ
ス下においてバイアホールの接続抵抗値を安定させるこ
とができた。As is clear from the above examples, the present invention
Provided is a connection structure of a via-hole portion, in which a projection-shaped bump made of a conductive material is formed on a land portion of a wiring pattern, and a connection is performed through the bump to compress a conductive paste in the via hole. By using the structure of the method of the present invention, the conductive component of the conductive paste could be densified more than the conventional structure. In addition, by interposing Ag and Cu at the connection between the conductor 3 and the bump 6, Ag and Cu are diffused at the time of pressing, so that via holes can be formed under thermal stress such as annealing treatment and stress of various reliability tests. Was able to stabilize the connection resistance value.
【００３８】また、前記バンプの最表面が貴金属導電材
料Ａｇのように非酸化性金属の導電材料になるようにめ
っき法や蒸着法で表面がコーティングされていることに
より、前記バンプ表面の酸化を防止する作用があるため
より高信頼性を有するバイアホール接続が可能になっ
た。The surface of the bump is coated by a plating method or a vapor deposition method so that the outermost surface of the bump is made of a non-oxidizing metal conductive material such as a noble metal conductive material Ag. This has the effect of preventing the via hole connection from having higher reliability.
【００３９】実施例３ 本発明の第３の実施例について図３を用いて説明する。
図３の基材１、バイアホール２、導電体３は実施例１と
同様で、基材１は、本実施例ではアラミド繊維を用いた
不織布にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグからなる
被圧縮性基材を用いたが、前述したフィルムの両面に接
着剤を塗布したフィルム基材を用いてもよい。このよう
な基材１にレーザー加工法を用いて貫通穴加工を施し、
所定の位置にバイアホール２を形成する。このときレー
ザーは炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー、ＹＡＧレ
ーザー等を用い、加工する基材やバイアホールの直径の
大きさによって最適なレーザー加工法を選択する。次
に、先ほど形成したバイアホール２の内部に導電体３を
充填する。導電体３は導電性ペーストで、本実施例３で
もＣｕペーストを用いた場合と、もう一つの例としてＡ
ｇとＣｕの傾斜合金ペースト（いずれもペーストの樹脂
成分はエポキシ樹脂、溶剤はブチルカルビトールアセテ
ート）を用いた場合と２通り作製した。導電性ペースト
の充填方法は、スクリーン印刷のようにスキージでペー
ストをバイアホール内に押し込む方法を用いた。Embodiment 3 A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
The base material 1, via hole 2, and conductor 3 in FIG. 3 are the same as in Example 1. In this example, the base material 1 is made of a prepreg obtained by impregnating a non-woven fabric using aramid fiber with an epoxy resin. Although the substrate is used, a film substrate in which an adhesive is applied to both surfaces of the above-described film may be used. Such a base material 1 is subjected to through-hole processing using a laser processing method,
A via hole 2 is formed at a predetermined position. At this time, a carbon dioxide laser, an excimer laser, a YAG laser, or the like is used as a laser, and an optimum laser processing method is selected according to the diameter of the base material to be processed and the diameter of the via hole. Next, the conductor 3 is filled in the via hole 2 formed earlier. The conductor 3 is a conductive paste. In the third embodiment, a Cu paste is used.
g and Cu gradient alloy pastes (resin components of both were epoxy resin and solvent was butyl carbitol acetate) were prepared in two ways. As a method for filling the conductive paste, a method of pressing the paste into the via holes with a squeegee as in screen printing was used.
【００４０】本発明の実施例３では、配線パターン７と
バンプ６をあらかじめＡｌ基板９上に形成しておく方法
を用いた。すなわち配線パターン７をまずＡｌ基板９上
に形成し（図３（ａ）参照）、次いで配線パターン７の
ランド部８に実施例１と同様のスクリーン印刷法を用い
て所定の位置に突起状のバンプ６を形成した（図３
（ｂ）参照）。次いでバイアホール２中に前記導電性ペ
ーストが充填されている基材１で基材１の樹脂成分がま
だ完全硬化していないプリプレグの状態の基材１の上下
面に、配線パターン７及びバンプ６が形成されている側
が基材１に接するように、且つＡｌ基板９をバンプ６の
部分がバイアホール２の位置に適合するように位置合わ
せして基材１と重ね合わせてプレスし、それとともに基
材１のプリプレグを硬化させ（図３（ｃ）参照）、次い
でＡｌ基板９をエッチング除去することで図３（ｄ）に
示したように、基材１に配線パターン７が埋設されるよ
うに形成された。In the third embodiment of the present invention, a method is used in which the wiring patterns 7 and the bumps 6 are formed on the Al substrate 9 in advance. That is, the wiring pattern 7 is first formed on the Al substrate 9 (see FIG. 3A), and then the projections are formed at predetermined positions on the lands 8 of the wiring pattern 7 using the same screen printing method as in the first embodiment. The bump 6 was formed (FIG. 3
(B)). Next, the wiring patterns 7 and the bumps 6 are formed on the upper and lower surfaces of the prepreg 1 in which the resin component of the substrate 1 has not been completely cured yet. The Al substrate 9 is positioned such that the side on which is formed is in contact with the base material 1 and the Al substrate 9 is positioned so that the bump 6 portion matches the position of the via hole 2, and is overlapped with the base material 1 and pressed. The prepreg of the base material 1 is cured (see FIG. 3C), and then the Al substrate 9 is removed by etching so that the wiring pattern 7 is embedded in the base material 1 as shown in FIG. 3D. Formed.
【００４１】このように本実施例では基材１に配線パタ
ーン７が埋設されるとともに更に埋設されたランド部８
に突起状のバンプ６が形成されているため、本発明の実
施例１の構造よりも導電性ペーストの導体成分をより緻
密化することができる。As described above, in this embodiment, the wiring pattern 7 is buried in the base material 1 and the land portions 8 further buried.
Since the bumps 6 are formed in the conductive paste, the conductive component of the conductive paste can be made more dense than the structure of the first embodiment of the present invention.
【００４２】ここで、Ａｌ基板上に配線パターン７を形
成する方法について説明する。第１の方法は、Ａｌ基板
上に均一にＣｕめっきを施し、フォトレジストなどを用
いて、目的の配線パターン部分が残存し、それ以外の部
分のＣｕめっき部分が除去されるようにエッチング法で
配線パターン７を形成する方法である。第２の方法は、
Ａｌ基板上にフォトリソグラフィ法でフォトレジストを
パターニングし、配線パターンを施す部分のみのＡｌ基
板表面を露出させ、Ａｌ基板表面が露出した部分にアデ
ィティブめっき法を用いて、配線パターン７をＣｕのめ
っきで形成する方法である。バンプ６は実施例１と同様
にスクリーン印刷法で形成したが、実施例２のようにめ
っき法や蒸着法を用いて形成してもよい。Here, a method of forming the wiring pattern 7 on the Al substrate will be described. In the first method, Cu plating is uniformly applied on an Al substrate, and an etching method is performed using a photoresist or the like so that a target wiring pattern portion remains and the other portion of the Cu plating portion is removed. This is a method for forming the wiring pattern 7. The second method is
Photoresist is patterned on the Al substrate by photolithography to expose only the surface of the Al substrate where the wiring pattern is to be applied, and the wiring pattern 7 is plated with Cu by additive plating on the exposed portion of the Al substrate surface. It is a method of forming. The bumps 6 are formed by the screen printing method as in the first embodiment, but may be formed by a plating method or an evaporation method as in the second embodiment.
【００４３】上記実施例より明らかなように本発明は、
配線パターンのランド部に導電性材料からなる突起状の
バンプを形成し、前記バンプを介してバイアホール中の
導電性ペーストを圧縮するような接続をおこなうバイア
ホール部の接続構造が提供される。本発明方法の構造を
用いることにより、従来の構造よりも導電性ペーストの
導体成分が緻密化することができた。上述したように特
に本実施例では実施例１の場合よりも導電性ペーストの
導体成分を更に緻密化できた。また、導電体３とバンプ
６の接続部にＡｇとＣｕを介在させることにより、プレ
ス時にＡｇとＣｕが拡散することによって、アニール処
理等の熱ストレス他、各種信頼性試験のストレス下にお
いてバイアホールの接続抵抗値を安定させることができ
た。As is clear from the above embodiment, the present invention
Provided is a connection structure of a via-hole portion, in which a projection-shaped bump made of a conductive material is formed on a land portion of a wiring pattern, and a connection is performed through the bump to compress a conductive paste in the via hole. By using the structure of the method of the present invention, the conductive component of the conductive paste could be densified more than the conventional structure. As described above, particularly in the present embodiment, the conductor component of the conductive paste could be further densified than in the case of the first embodiment. In addition, by interposing Ag and Cu at the connection between the conductor 3 and the bump 6, Ag and Cu are diffused at the time of pressing, so that via holes can be formed under thermal stress such as annealing treatment and stress of various reliability tests. Was able to stabilize the connection resistance value.
【００４４】[0044]
【発明の効果】本発明は、配線パターンのランド部に導
電性材料からなる突起状のバンプを形成し、前記バンプ
を介してバイアホール中の導電性ペーストを圧縮するよ
うな接続をおこなうバイアホール部の接続構造が提供さ
れる。従って本発明のバイアホール部の接続構造を用い
ることにより、従来の構造よりも導電性ペーストの導体
成分が緻密化することができる。また、導電体とバンプ
の接続部にＡｇとＣｕを介在させることにより、プレス
時にＡｇとＣｕが拡散することによって、アニール処理
等の熱ストレス他、各種信頼性試験のストレス下におい
てバイアホールの接続抵抗値を安定させることができ
る。According to the present invention, there is provided a via hole in which a projecting bump made of a conductive material is formed on a land portion of a wiring pattern and a connection is made through the bump to compress a conductive paste in the via hole. A part connection structure is provided. Therefore, by using the via hole connection structure of the present invention, the conductive component of the conductive paste can be made denser than in the conventional structure. Also, by interposing Ag and Cu at the connection between the conductor and the bump, Ag and Cu are diffused at the time of pressing, so that via holes can be connected under thermal stress such as annealing and stress of various reliability tests. The resistance value can be stabilized.
【００４５】また、本発明の配線基板の発明において
は、バイアホールの接続抵抗値が安定した信頼性の高い
バイアホール部の接続構造を有する配線基板を提供でき
る。Further, according to the invention of the wiring board of the present invention, it is possible to provide a wiring board having a highly reliable via hole connection structure in which the connection resistance value of the via hole is stable.
【００４６】[0046]
【図１】本発明の実施例１におけるバイアホール部接続
構造を有する配線基板の断面図。FIG. 1 is a cross-sectional view of a wiring board having a via-hole connection structure according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例１における別の態様の一方側の
みにバンプを具備したバイアホール部接続構造を有する
配線基板の断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view of a wiring board having a via-hole connection structure having a bump only on one side in another embodiment according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施例３におけるバイアホール部接続
構造を有する配線基板の製造工程を示す断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of a wiring board having a via hole connection structure according to a third embodiment of the present invention.
１ 基材 ２ バイアホール ３ 導電体 ４ 配線パターン ５ ランド部 ６ バンプ ７ 埋設された配線パターン ８ 埋設されたランド DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base material 2 Via hole 3 Conductor 4 Wiring pattern 5 Land part 6 Bump 7 Buried wiring pattern 8 Buried land
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 東谷 秀樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 近藤 修司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 安藤 大蔵 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB12 BB13 BB14 BB15 CC22 CC25 CC31 CD27 CD32 5E346 AA43 CC05 CC09 CC32 CC33 CC37 CC38 CC39 DD16 DD22 DD44 EE09 FF24 GG15 GG17 GG18 GG19 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Hideki Azumaya 1006 Kazuma Kadoma, Osaka Prefecture Inside Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 72) Inventor Daizo Ando 1006 Kazuma Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture F-term in Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (reference) GG15 GG17 GG18 GG19
Claims (8)
る配線基板において、その両面に配置される配線パター
ンのランド部のうち、少なくともどちらか一方のランド
部の内側面に導電性材料からなる突起状のバンプを形成
し、前記バンプを介してバイアホール内部に充填された
前記導電体と配線パターンとの接続をおこなうバイアホ
ール部の接続構造。In a wiring board having via holes filled with a conductor, a projection made of a conductive material is formed on the inner surface of at least one of the lands of a wiring pattern disposed on both surfaces thereof. A connection structure of a via-hole portion for forming a bump in a shape and connecting the conductor filled in the via-hole and the wiring pattern via the bump.
ｕ、Ａｇ、Ｃｕから選ばれた単独材料あるいはこれらの
混合材料、もしくはこれらの合金材料からなる金属粉体
を含有する導電性ペーストである請求項１に記載のバイ
アホール部の接続構造。2. The method according to claim 1, wherein the conductor filled in the via hole is A
The connection structure for a via hole according to claim 1, wherein the connection structure is a conductive paste containing a metal powder composed of a single material selected from u, Ag, and Cu, a mixed material thereof, or an alloy material thereof.
た単独材料あるいはこれらの混合材料、もしくはこれら
の合金材料からなる金属粉体を含有する導電性ペースト
を硬化した材料で形成されている請求項１または２のい
ずれかに記載のバイアホール部の接続構造。3. The bump is formed of a material obtained by curing a conductive paste containing a metal powder made of a single material selected from Au, Ag, and Cu, a mixed material thereof, or an alloy material thereof. A connection structure for a via hole according to claim 1.
ｎ、Ｐｂから選ばれた単独材料あるいはこれらの混合材
料、もしくはこれらの合金材料をもちいた導電材料のめ
っき膜または蒸着膜で形成されている請求項１または２
のいずれかに記載のバイアホール部の接続構造。4. The method according to claim 1, wherein the bumps are made of Au, Ag, Cu, Ni, S
3. A plated film or a deposited film of a conductive material using a single material selected from n and Pb, a mixed material thereof, or an alloy material thereof.
The via hole connection structure according to any one of the above.
料のめっき膜または蒸着膜でコーティングされている請
求項１〜４のいずれかに記載のバイアホール部の接続構
造。5. The via hole connection structure according to claim 1, wherein the outermost surface of the bump is coated with a plating film or a deposition film of a non-oxidizing metal conductive material.
状のバンプとの接続界面に金属拡散層が形成されている
請求項１〜５のいずれかに記載のバイアホール部の接続
構造。6. The connection structure for a via hole according to claim 1, wherein a metal diffusion layer is formed at a connection interface between the via hole filled with the conductor and the projecting bump.
れている導電体の硬度より大きい状態において、バンプ
とバイアホールに充填されている導電体とが接続されて
なる請求項１〜６のいずれかに記載のバイアホール部の
接続構造。7. The method according to claim 1, wherein the bump and the conductor filled in the via hole are connected in a state where the hardness of the bump is larger than the hardness of the conductor filled in the via hole. A connection structure for a via hole portion according to (1).
ホール部の接続構造を有する配線基板。8. A wiring board having the via hole connection structure according to claim 1.
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|---|---|
| JP2000236166A true JP2000236166A (en) | 2000-08-29 |
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