JP2000236151A - Combination substrate and method of bonding substrate together - Google Patents

Combination substrate and method of bonding substrate together

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JP2000236151A
JP2000236151A JP11035644A JP3564499A JP2000236151A JP 2000236151 A JP2000236151 A JP 2000236151A JP 11035644 A JP11035644 A JP 11035644A JP 3564499 A JP3564499 A JP 3564499A JP 2000236151 A JP2000236151 A JP 2000236151A
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Tatsuya Shimoda
達也 下田
Satoshi Inoue
聡 井上
Kazuo Yudasaka
一夫 湯田坂
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    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a combination substrate which is large in area out easily manufactured. SOLUTION: Substrates are combined and bonded together into a combination substrate. Substrates A to D are possessed of sides, which are so processed as to enable the substrates A to D to come into contact with each other or approach each other and be combined together. The side is possessed of one or more terminals C. The terminals C are electrically connected to the other terminals C which are provided to the other substrate.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の基板を組み
合わせて大きな面積の基板を提供するための組み合わせ
基板およびその接合方法に関する。
The present invention relates to a combined substrate for providing a large-area substrate by combining a plurality of substrates, and a method for bonding the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】通常の電子回路では、複数のモジュール
ごとに基板が作成される。電気製品製造時には、それら
複数の基板同士をコネクタなどで接続して、まとまった
動作をする完成品として動作させる。このように機能的
に分離した基板をアセンブリする方が大型基板を作成す
るよりも製造上メリットが大きかった。
2. Description of the Related Art In an ordinary electronic circuit, a substrate is formed for each of a plurality of modules. At the time of manufacturing an electric product, the plurality of substrates are connected to each other by a connector or the like, and are operated as a finished product that performs a collective operation. Assembling such functionally separated substrates has a greater manufacturing advantage than producing a large substrate.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところが最近では大型
表示装置に対する需要が高まっており、広い面積の二次
元平面に表示素子を配置する必要が出てきた。しかし基
板外形は製造上の制約から一定の外形より大きくするこ
とが適用でない。一旦接続しさえすれば再び取り外す必
要が無くなる表示装置などにコネクタを使用して複数の
基板を平面状に接続するのは不経済であり、かつ、コネ
クタの面積が無駄である。いままで基板を用いて大面積
の二次元平面を得る適当な方法が無かったのである。
However, recently, a demand for a large-sized display device has been increased, and it has become necessary to arrange a display element on a two-dimensional plane having a large area. However, it is not applicable to make the outer shape of the substrate larger than a certain outer shape due to manufacturing restrictions. It is uneconomical to use a connector to connect a plurality of substrates in a display device or the like that does not need to be removed again once connected, and the area of the connector is wasted. Until now, there has been no suitable method for obtaining a large area two-dimensional plane using a substrate.

【0004】そこで本願発明は、組み合わせが容易な形
態の組み合わせ基板とその接合方法を提供することによ
り、大面積の基板を容易に製作可能にすることを目的と
する。
[0004] Therefore, an object of the present invention is to provide a combined substrate in a form that can be easily combined and a bonding method thereof, thereby making it possible to easily manufacture a large-sized substrate.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本願発明者は、大面積の
基板を組み合わせ接続するために、本発明者の先行発明
である技術(特開平10−125930号公報参照)が
基板の組み合わせに適することに想到し、当該技術を利
用可能な組み合わせ基板の形態と接合方法を発明した。
In order to combine and connect large-area substrates, the inventor of the present invention uses the prior art of the present inventor (see JP-A-10-125930) suitable for combination of substrates. With this in mind, the inventors have invented a form of a combined substrate and a bonding method that can use the technology.

【0006】すなわち、本発明は、他の基板と組み合わ
せて接合される組み合わせ基板であって、端部が接合さ
れるべき他の基板と接触してまたは接近して組み合わせ
可能に形成され、かつ、当該端部に1以上の端子を備
え、端子は、当該他の基板に設けられた端子と直接電気
的に接続可能に配置されていることを特徴とする組み合
わせ基板である。
That is, the present invention relates to a combined substrate to be joined in combination with another substrate, the end of which is formed so as to be able to be combined in contact with or close to another substrate to be joined, and The combination substrate includes one or more terminals at the end portion, and the terminals are arranged so as to be directly electrically connectable to terminals provided on the other substrate.

【0007】上記発明は、基板の1以上の端部に端子が
配列されて構成されているものである。
In the above invention, the terminals are arranged at one or more ends of the substrate.

【0008】一例として、接合されるべき他の基板の端
子と当該端子に対応して接合される当該組み合わせ基板
の端子とが異なる形状に設けられている組み合わせ基板
である。
[0008] As an example, there is a combination board in which terminals of another board to be joined and terminals of the combination board to be joined corresponding to the terminals are provided in different shapes.

【0009】一例として、接合されるべき他の基板の端
子と当該端子に対応して接合される当該組み合わせ基板
の端子とに、相互が接合されるべき旨の識別子が付され
ている組み合わせ基板である。本発明で「識別子」とは
同一の数字や符号(「C1」、「10」など)の文字類
の他、「○」「△」のような記号、さらに赤色や緑色な
ど彩色の共通性でどの端子とどの端子とが接合されるの
かの接合関係を明示するようなものを含む。
As an example, a combination board in which an identifier indicating that the terminals are to be joined to the terminals of the other board to be joined and the terminals of the combination board corresponding to the terminals is attached. is there. In the present invention, "identifier" means not only the same numeral and code ("C1", "10", etc.) but also symbols such as "O" and "△", and common colors such as red and green. Including those that clearly indicate the connection relationship between which terminals are connected to which terminals.

【0010】例えば上記端子は、他の基板と組み合わさ
れた場合にその接合面が同一方向に向いて接合可能に配
置されているものが考えられる。また、上記端子は、他
の基板と組み合わされた場合にその接合面が対向して接
合可能に配置されているものも考えられる。その場合、
端子の設けられている端部が、他の基板と重なり合って
接合可能に構成されている。
[0010] For example, it is conceivable that the terminals are arranged so that their bonding surfaces face in the same direction and can be bonded when combined with another substrate. Further, it is also conceivable that the terminal is arranged so that the bonding surfaces thereof can be bonded to face each other when combined with another substrate. In that case,
The end provided with the terminal is configured to be overlapped with another substrate and to be joined.

【0011】本発明の組み合わせ基板は、組み合わせ前
の状態において、光透過性のある透明基台と、エネルギ
ーの供給により剥離を生ずる、透明基台上に形成された
剥離層と、端子を端部に配置して構成されている配線層
と、を備えている。
The combined substrate of the present invention, before being combined, has a light-transmitting transparent base, a peeling layer formed on the transparent base, which is peeled off by the supply of energy, and a terminal having an end portion. And a wiring layer configured to be arranged in the same manner.

【0012】本発明の組み合わせ基板の接合方法は、接
合されるべき組み合わせ基板同士を、互いの端子が対応
するように接触させまたは接近させて組み合わせる工程
と、組み合わされた基板における互いに対応する端子同
士を電気的に接続する工程と、電気的に接続された端子
のある配線層上に接着層を媒介として転写基台を貼り合
わせる工程と、透明基台側から剥離層にエネルギーを供
給して当該剥離層に剥離を生じさせ、当該透明基台を剥
離する工程と、を備えたことを特徴とする組み合わせ基
板の接合方法である。
According to the method for bonding combined substrates of the present invention, the combined substrates to be bonded are brought into contact with or brought close to each other so that the terminals correspond to each other; Electrically connecting, a step of bonding a transfer base via an adhesive layer on a wiring layer having electrically connected terminals, and supplying energy to the release layer from the transparent base side, Peeling off the release layer and peeling off the transparent base.

【0013】ただし、透明基台側から剥離層にエネルギ
ーを供給した後、転写基台を貼り合せ、その後に力を作
用させて剥離層から透明基台を剥離するような順序で処
理してもよい。
However, even after supplying energy to the release layer from the transparent base side, the transfer base is adhered, and then the processing is performed in such an order that the transparent base is separated from the release layer by applying a force. Good.

【0014】または本発明の組み合わせ基板の接合方法
は、接合されるべき組み合わせ基板同士を、互いの端子
が対応するように接触させまたは接近させて組み合わせ
る工程と、端子のある配線層上に接着層を媒介として第
1転写基台を貼り合わせる工程と、透明基台側から剥離
層にエネルギーを供給して当該剥離層に剥離を生じさ
せ、当該透明基台を剥離する工程と、配線層の透明基台
を剥離した側の面に第2転写基台を貼り合わせる工程
と、配線層上の接着層において第1転写基台を剥離し、
露出した配線層上の互いに対応する端子同士を電気的に
接続する工程と、を備えたことを特徴とする組み合わせ
基板の接合方法である。
[0014] Alternatively, the method of bonding a combined board according to the present invention includes the steps of combining the combined boards to be joined by contacting or approaching each other so that their terminals correspond to each other; Bonding the first transfer base through the medium, supplying energy to the release layer from the transparent base side to cause the release layer to peel, and peeling the transparent base; Bonding the second transfer base to the surface on the side from which the base was peeled off, and peeling the first transfer base on the adhesive layer on the wiring layer;
Electrically connecting terminals corresponding to each other on the exposed wiring layer.

【0015】ただし、透明基台側から剥離層にエネルギ
ーを供給した後、第1転写基台を貼り合せ、その後に力
を作用させて剥離層から透明基台を剥離し、その剥離面
に第2転写基台を貼り合せるような順序で処理してもよ
い。
However, after supplying energy to the peeling layer from the transparent base side, the first transfer base is bonded, and then the transparent base is peeled from the peeling layer by applying a force. The processing may be performed in such an order as to bond the two transfer bases.

【0016】ここで上記端子同士を電気的に接続する工
程では、レーザCVD法、インクジェット方式、無電解
メッキ、リフトオフまたはメッキのいずれか一の方法に
より接続用金属を端子間に設けることが可能である。ま
た接着層は、エネルギーの供給により硬化する樹脂で構
成されている。
Here, in the step of electrically connecting the terminals, a connecting metal can be provided between the terminals by any one of a laser CVD method, an ink jet method, electroless plating, lift-off or plating. is there. The adhesive layer is made of a resin that is cured by supplying energy.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】次に本発明の好適な実施の形態
を、図面を参照しながら説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0018】(実施形態1)本発明の実施形態1は、二
次元的に敷き詰めて組み合わせ可能に構成された組み合
わせ基板とその接合方法に関する。図1に実施形態1の
組み合わせ基板の組み合わせ時における平面図を示す。
図1では、既に基板A〜Cが組み合わされている状態に
おいて基板Dを新たに組み合わせる場合を示している。
図中の矢印は、基板Dを組み合わせる場合の接続方向を
示している。
(Embodiment 1) Embodiment 1 of the present invention relates to a combined substrate which is two-dimensionally spreadable and capable of being combined, and a bonding method therefor. FIG. 1 shows a plan view when the combination substrates of the first embodiment are combined.
FIG. 1 shows a case in which a substrate D is newly combined in a state where the substrates A to C have already been combined.
Arrows in the drawing indicate connection directions when the substrates D are combined.

【0019】本実施形態1の基板A〜Dは、図1に示す
ように、他の基板と組み合わせて接合される組み合わせ
基板であって、その端部が接合されるべき他の基板と接
触してまたは接近して組み合わせ可能に形成されてい
る。各端部には1以上の端子Cxx(xxは所定の数
字)を備えている。各端子Cxxは、他の基板に設けら
れた端子と直接電気的に接続可能に配置されている。組
み合わせ基板の1以上の端部には、これら端子が配列さ
れて構成されている。各端子Cxxは、他の基板と組み
合わされた場合にその接合面が同一方向に向いて接合可
能に配置されている。すなわち、端子が各基板において
同一面上に設けられている。互いに接続されるべき組を
成す端子には、それぞれに対応関係を示す同一の符号を
付してある。例えば基板Aの端子C11は基板Dの端子
C11と接続されることを意味する。符号の他に、数字
や記号、色彩などで二つの端子間に関係があることを示
してもよい。このように接続関係を容易に理解可能な符
号をプリントや刻印しておくことは製造上の誤りを防止
し、組み合わせを容易にするために好ましい。
As shown in FIG. 1, the substrates A to D according to the first embodiment are combined substrates which are joined in combination with another substrate, and whose ends are in contact with another substrate to be joined. It is formed so that it can be combined with or close to. Each end is provided with one or more terminals Cxx (xx is a predetermined number). Each terminal Cxx is arranged so as to be directly electrically connectable to a terminal provided on another substrate. These terminals are arranged at one or more ends of the combination board. Each terminal Cxx is arranged such that when combined with another substrate, the joining surface faces in the same direction and can be joined. That is, the terminals are provided on the same surface in each substrate. Terminals forming a set to be connected to each other are denoted by the same reference numerals indicating the corresponding relationship. For example, it means that the terminal C11 of the substrate A is connected to the terminal C11 of the substrate D. In addition to the codes, numbers, symbols, colors, and the like may indicate that there is a relationship between the two terminals. It is preferable to print or imprint a code that can easily understand the connection relation in this way, in order to prevent a manufacturing error and to facilitate the combination.

【0020】なお、図1では理解を容易にするために、
基板平面形状を方形に描き、その二辺の端部に三個ずつ
端子が配置されるように示したが、これに限定されるも
のではない。基板形状は他の形状をしていてもよい。例
えば端部が鉤型など嵌め合わせることが可能な形状をし
ていてもよい。端子を設ける端部は二辺に限ること無
く、一辺であっても三辺以上であってもよい。端子の個
数は回路に必要とされる端子数に応じて物理的に配列可
能な限度において配列可能である。
In FIG. 1, for easy understanding,
Although the planar shape of the substrate is drawn in a square shape and three terminals are arranged at two ends of the substrate, the present invention is not limited to this. The substrate may have another shape. For example, the end portion may have a shape that can be fitted, such as a hook shape. The end where the terminal is provided is not limited to two sides, and may be one side or three or more sides. The number of terminals can be arranged as long as they can be physically arranged according to the number of terminals required for the circuit.

【0021】図2に実施形態1の組み合わせ基板におけ
る接合部断面図を示す。図2は、基板Aと基板Dとの接
合部における断面図を例示してあるが、他の基板におい
ても同様である。実施形態1の組み合わせ基板は、図2
に示すように接合が完了した状態において、配線層10
1、接着層105および転写基台106を備えている。
端子C同士は溶着金属104で電気的に直接接続されて
いる。配線層101は、電気的な回路を設ける層であ
り、公知の半導体集積技術、ハイブリッド技術またはデ
スクリート部品のアセンブリにより形成されたものであ
る。配線層101には、入力または出力のための端子C
が端部に設けられる。転写基台106は、複数の基板に
またがって共通に設けられる補強基板である。接着層1
05は両者を接着するものである。
FIG. 2 is a cross-sectional view of a joint portion in the combination substrate according to the first embodiment. FIG. 2 illustrates a cross-sectional view of a joint between the substrate A and the substrate D, but the same applies to other substrates. The combination board of the first embodiment is shown in FIG.
In the state where the bonding is completed as shown in FIG.
1, an adhesive layer 105 and a transfer base 106 are provided.
The terminals C are electrically directly connected to each other by the welding metal 104. The wiring layer 101 is a layer on which an electric circuit is provided, and is formed by a known semiconductor integrated technology, a hybrid technology, or an assembly of discrete components. The wiring layer 101 has a terminal C for input or output.
Is provided at the end. The transfer base 106 is a reinforcing substrate provided commonly over a plurality of substrates. Adhesive layer 1
05 is for bonding the two.

【0022】次に、図3を参照して本実施形態1におけ
る組み合わせ基板の接合方法を説明する。接合前の個々
の組み合わせ基板は、層構造上、図3(a)に示すよう
に、透明基台103、剥離層102および配線層101
を備えている。
Next, a method of bonding the combined substrates according to the first embodiment will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 3A, each of the combined substrates before bonding has a transparent base 103, a release layer 102, and a wiring layer 101 as shown in FIG.
It has.

【0023】透明基台は、照射光が透過しうる透光性を
有し、組み合わせ基板の接合工程に対する耐熱性を備え
るものであればよい。照射光の透過率は、10%以上で
あることがことましく、50%以上であることがより好
ましい。透過率が低すぎると照射光の減衰が大きくな
り、剥離層を剥離させるのにより大きなエネルギーを要
するからである。例えば、石英ガラス、ソーダガラス、
コーニング7059、日本電気ガラスOA―2等の耐熱
性ガラスが使用可能である。透明基台103の厚さに
は、大きな制限要素はないが、0.1mm〜0.5mm
程度であることが好ましく、0.5mm〜1.5mmで
あることがより好ましい。基板の厚さが薄すぎると強度
の低下を招き、逆に厚すぎると、基台の透過率が低い場
合に照射光の減衰を招くからである。ただし基台の照射
光の透過率が高い場合には、上限値を越えてその厚みを
厚くすることができる。また照射光を均等に剥離層に届
かせるために、基台の厚みは均一であることが好まし
い。
The transparent base may be of any type as long as it has a light-transmitting property that allows irradiation light to pass therethrough and has heat resistance in the bonding step of the combined substrate. The transmittance of the irradiation light is preferably at least 10%, more preferably at least 50%. This is because if the transmittance is too low, the attenuation of the irradiation light increases, and more energy is required to separate the release layer. For example, quartz glass, soda glass,
Heat-resistant glass such as Corning 7059 and NEC Glass OA-2 can be used. The thickness of the transparent base 103 does not have a large limiting factor, but is 0.1 mm to 0.5 mm.
It is preferably about 0.5 mm, more preferably about 0.5 mm to 1.5 mm. If the thickness of the substrate is too small, the strength is reduced. Conversely, if the substrate is too thick, the irradiation light is attenuated when the transmittance of the base is low. However, when the transmittance of the irradiation light of the base is high, the thickness can be increased beyond the upper limit. Further, in order to make the irradiation light reach the release layer evenly, it is preferable that the thickness of the base is uniform.

【0024】剥離層102は、レーザ光等のエネルギー
の供給により当該層内や界面において剥離(「層内剥
離」または「界面剥離」ともいう)を生ずるものであ
る。すなわち、一定の強度の光を照射することにより、
構成物質を構成する原子または分子における、原子間ま
たは分子間の結合力が消失しまたは減少し、アブレーシ
ョン(ablation)等を生じ、剥離を起こすものである。照
射光の照射により、剥離層から気体が放出され、分離に
至る場合もある。剥離層に含有されていた成分が気体と
なって放出され分離に至る場合と、剥離層が光を吸収し
て気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合と
がある。
The peeling layer 102 causes peeling (also referred to as "intralayer peeling" or "interface peeling") in the layer or at the interface by the supply of energy such as laser light. That is, by irradiating light of a certain intensity,
The bonding force between atoms or molecules in the atoms or molecules constituting the constituent material disappears or decreases, causing ablation or the like and causing peeling. Irradiation with irradiation light releases gas from the peeling layer, which may result in separation. There are a case where the component contained in the release layer is released as a gas to be separated, and a case where the release layer absorbs light to become a gas and the vapor is released to be separated.

【0025】このような剥離層の組成としては、以下が
考えられる。
The following can be considered as the composition of such a release layer.

【0026】1) 非晶質シリコン(a−Si) この非晶質シリコン中には、H(水素)が含有されてい
てもよい。水素の含有量は、2at%程度以上であるこ
とが好ましく、2〜20at%であることがさらに好ま
しい。水素が含有されていると、光の照射により水素が
放出されることにより剥離層に内圧が発生し、これが剥
離を促進するからである。水素の含有量は、成膜条件、
例えば、CVD法を用いる場合には、そのガス組成、ガ
ス圧力、ガス雰囲気、ガス流量、ガス温度、基板温度、
投入する光のパワー等の条件を適宜設定することによっ
て調整する。
1) Amorphous silicon (a-Si) This amorphous silicon may contain H (hydrogen). The content of hydrogen is preferably about 2 at% or more, and more preferably 2 to 20 at%. This is because, when hydrogen is contained, hydrogen is released by light irradiation to generate an internal pressure in the peeling layer, which promotes peeling. The hydrogen content depends on the film formation conditions,
For example, when using the CVD method, its gas composition, gas pressure, gas atmosphere, gas flow rate, gas temperature, substrate temperature,
It is adjusted by appropriately setting conditions such as the power of the light to be input.

【0027】2) 酸化ケイ素若しくはケイ酸化合物、
酸化チタン若しくはチタン酸化合物、酸化ジルコニウム
若しくはジルコン酸化合物、酸化ランタン若しくはラン
タン酸化合物等の各種酸化物セラミックス、または誘電
体あるいは半導体 酸化珪素としては、SiO、SiO2、Si32が挙げ
られる。珪酸化合物としては、例えばK2Si3、Li2
SiO3、CaSiO3、ZrSiO4、Na2SO3が挙
げられる。酸化チタンとしては、TiO、Ti23、T
iO2が挙げられる。チタン酸化合物としては、例えば
BaTiO4、BaTiO3、Ba2Ti920、BaTi
511、CaTiO3、SrTiO3、PbTi3,MgT
iO3、ZrTi2,SnTiO4,Al2Ti5,FeT
iO3が挙げられる。酸化ジルコニウムとしては、Zr
2が挙げられる。ジルコン酸化合物としては、例え
ば、BaZrO3、ZrSiO4、PbZrO3、MgZ
rO3、K2ZrO3が挙げられる。
2) silicon oxide or silicate compound,
Examples of various oxide ceramics such as titanium oxide or titanate compound, zirconium oxide or zirconate compound, lanthanum oxide or lanthanic acid compound, or dielectric or semiconductor silicon oxide include SiO, SiO 2 and Si 3 O 2 . Examples of the silicate compound include K 2 Si 3 and Li 2
SiO 3 , CaSiO 3 , ZrSiO 4 , and Na 2 SO 3 are mentioned. Examples of titanium oxide include TiO, Ti 2 O 3 , T
iO 2 . As the titanate compound, for example, BaTiO 4 , BaTiO 3 , Ba 2 Ti 9 O 20 , BaTi
5 O 11 , CaTiO 3 , SrTiO 3 , PbTi 3 , MgT
iO 3 , ZrTi 2 , SnTiO 4 , Al 2 Ti 5 , FeT
iO 3 . Examples of zirconium oxide include Zr
O 2 . Examples of the zirconate compound include BaZrO 3 , ZrSiO 4 , PbZrO 3 , MgZ
rO 3 and K 2 ZrO 3 .

【0028】3) 窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタ
ン等の窒化物セラミックス 4) 有機高分子材料 有機高分子材料としては、―CH2−、−CO−(ケト
ン)、−CONH−(アド)、−NH−(イミド)、−
COO−(エステル)、−N=N−(アゾ)、−CH=
N−(シフ)等の結合(光の照射によりこれらの原子間
結合が切断される)を有するもの、特に、これらの結合
を多く有するものであれば、他の組成であってもよい。
また、有機高分子材料は、構成式中に、芳香族炭化水素
(1または2以上のベンゼン環またはその縮合環)を有
するものであってもよい。このような有機高分子材料の
具体例としては、ポリエチレン、ポリプロピレンのよう
なポリオレフィン、ポリイミド、ポリアミド、ポリエス
テル、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリフ
ェニレンサルファイド(PPS)、ポリエーテルスルホ
ン(PES)、エポキシ樹脂等が挙げられる。
3) Nitride ceramics such as silicon nitride, aluminum nitride, titanium nitride, etc. 4) Organic polymer materials As organic polymer materials, -CH 2- , -CO- (ketone), -CONH- (add), -NH- (imide),-
COO- (ester), -N = N- (azo), -CH =
Other compositions may be used as long as they have a bond such as N- (shif) (these interatomic bonds are broken by light irradiation), particularly as long as they have many of these bonds.
The organic polymer material may have an aromatic hydrocarbon (one or more benzene rings or a condensed ring thereof) in the structural formula. Specific examples of such organic polymer materials include polyolefins such as polyethylene and polypropylene, polyimides, polyamides, polyesters, polymethyl methacrylate (PMMA), polyphenylene sulfide (PPS), polyether sulfone (PES), and epoxy resins. Is mentioned.

【0029】5) 金属 金属としては、例えば、Al、Li、Ti、Mn,I
n,Sn,Y,La,Ce,Nd,Pr,Gd若しくは
Sm、またはこれらのうち少なくとも一種を含む合金が
挙げられる。
5) Metal As the metal, for example, Al, Li, Ti, Mn, I
n, Sn, Y, La, Ce, Nd, Pr, Gd or Sm, or an alloy containing at least one of these.

【0030】剥離層の厚さとしては、1nm〜20μm
程度であるのが好ましく、10nm〜2μm程度である
のがより好ましく、40nm〜1μm程度であるのがさ
らに好ましい。剥離層の厚みが薄すぎると、形成された
膜厚の均一性が失われて剥離にむらが生ずるからであ
り、剥離層の厚みが厚すぎると、剥離に必要とされる照
射光のパワー(光量)を大きくする必要があったり、ま
た、剥離後に残された剥離層の残渣を除去するのに時間
を要したりするからである。
The thickness of the release layer is 1 nm to 20 μm
It is preferably about 10 nm to 2 μm, and more preferably about 40 nm to 1 μm. This is because if the thickness of the release layer is too small, the uniformity of the formed film thickness is lost, causing unevenness in the release. If the thickness of the release layer is too large, the power of the irradiation light required for the release ( This is because it is necessary to increase the light amount, or it takes time to remove the residue of the peeling layer left after the peeling.

【0031】剥離層の形成方法は、均一な厚みで剥離層
を形成可能な方法であればよく、剥離層の組成や厚み等
の諸条件に応じて適宜選択することが可能である。例え
ば、CVD(MOCCVD、低圧CVD、ECR―CV
D含む)法、蒸着、分子線蒸着(MB)、スパッタリン
グ法、イオンプレーティング法、PVD法等の各種気相
成膜法、電気メッキ、浸漬メッキ(ディッピング)、無
電解メッキ法等の各種メッキ法、ラングミュア・ブロジ
ェット(LB)法、スピンコート、スプレーコート法、
ロールコート法等の塗布法、各種印刷法、転写法、イン
クジェット法、粉末ジェット法等に適用できる。これら
のうち2種以上の方法を組み合わせてもよい。特に剥離
層の組成が非晶質シリコン(a−Si)の場合には、C
VD、特に低圧CVDやプラズマCVDにより成膜する
のが好ましい。また剥離層をゾルーゲル(sol-gel)法に
よりセラミックを用いて成膜する場合や有機高分子材料
で構成する場合には、塗布法、特にスピンコートにより
成膜するのが好ましい。
The method of forming the release layer may be any method that can form the release layer with a uniform thickness, and can be appropriately selected according to various conditions such as the composition and thickness of the release layer. For example, CVD (MOCCVD, low pressure CVD, ECR-CV
D), various vapor deposition methods such as vapor deposition, molecular beam deposition (MB), sputtering, ion plating, and PVD, various platings such as electroplating, immersion plating (dipping), and electroless plating. Method, Langmuir-Blodgett (LB) method, spin coating, spray coating method,
It can be applied to coating methods such as a roll coating method, various printing methods, transfer methods, ink jet methods, powder jet methods and the like. Two or more of these methods may be combined. In particular, when the composition of the release layer is amorphous silicon (a-Si), C
It is preferable to form the film by VD, particularly by low pressure CVD or plasma CVD. In the case where the release layer is formed by using a ceramic by a sol-gel method or by using an organic polymer material, it is preferable to form the film by a coating method, particularly, spin coating.

【0032】なお、剥離層102と配線層101との間
に、中間層を形成することは好ましい。この中間層は、
例えば製造時または使用時において配線層を物理的また
は化学的に保護する保護層、絶縁層、配線層へのまたは
配線層からの成分の移行(毎グレーション)を阻止する
バリア層、反射層としての機能のうち少なくとも一つを
発揮するものである。この中間層の組成は、その目的に
応じて適宜選択されえる。例えば非晶質シリコンで構成
された剥離層と被転写層との間に形成される中間層の場
合には、SiO2等の酸化珪素が挙げられる。また、他
の中間層の組成としては、例えば、Pt、Au、W,T
a,Mo,Al,Cr,Tiまたはこれらを主成分とす
る合金のような金属が挙げられる。中間層の厚みは、そ
の形成目的に応じて適宜決定される。通常は、10nm
〜5μm程度であるのが好ましく、40nm〜1μm程
度であるのがより好ましい。中間層の形成方法として
は、剥離層で説明した各種の方法が適用可能である。中
間層は、一層で形成する他、同一または異なる組成を有
する複数の材料を用いて二層以上形成することもでき
る。
It is preferable to form an intermediate layer between the peeling layer 102 and the wiring layer 101. This intermediate layer
For example, as a protective layer that physically or chemically protects the wiring layer during manufacturing or use, an insulating layer, a barrier layer that prevents the migration of components to or from the wiring layer (every migration), or a reflective layer At least one of the functions described above. The composition of the intermediate layer can be appropriately selected according to the purpose. For example, in the case of an intermediate layer formed between a separation layer and a transfer layer made of amorphous silicon, a silicon oxide such as SiO 2 may be used. The composition of another intermediate layer is, for example, Pt, Au, W, T
a, Mo, Al, Cr, Ti or a metal such as an alloy containing these as a main component. The thickness of the intermediate layer is appropriately determined according to the purpose of the formation. Usually 10nm
The thickness is preferably about 5 μm, more preferably about 40 nm to 1 μm. Various methods described for the release layer can be applied as the method for forming the intermediate layer. The intermediate layer may be formed as one layer, or may be formed as two or more layers using a plurality of materials having the same or different compositions.

【0033】組み合わせ工程(図3(a)): この工
程は、接合されるべき組み合わせ基板同士を、互いの端
子Cxxが対応するように接触させまたは接近させる工
程である。組み合わせ基板同士を近接させる距離は、次
の接続工程で対応する端子間の電気的接続が確実に行え
るような距離にする。
Combining Step (FIG. 3A): This step is a step of bringing the combined substrates to be joined into contact or approaching each other so that the terminals Cxx correspond to each other. The distance at which the combined substrates are brought close to each other is set so that electrical connection between the corresponding terminals can be reliably performed in the next connection step.

【0034】接続工程(図3(b)): この工程は、
組み合わされた基板における互いに対応する端子Cxx
同士を電気的に接続する工程である。対応する端子同士
は接触または極めて接近しているので、この接続点に公
知の金属接続方法を適用することが可能である。例え
ば、接続方法として、レーザCVD法、インクジェット
方式、無電解メッキ、リフトオフまたはメッキのいずれ
か一の方法が使用可能である。レーザCVD法は、図4
に示すようなレーザCVD装置を端子Cに接近させ、各
種金属元素を含む反応ガスを供給しながら接合点にレー
ザ光を照射することにより金属を端子の接合面に成長さ
せ、電気的に接合を施すものである。この方法によれば
直接端子に接触することが無いので位置ずれが生じな
い。インクジェット方式は、ピエゾジェットまたはバブ
ルジェットにより金属元素を含む溶液を端子の接合面に
付着させ加熱処理等を加えて金属を溶解させ接続する方
法である。無電解メッキは、電気的エネルギーを供給す
ること無く、金属塩水溶液中の金属イオンを、酸化還元
反応または置換反応によって端子表面に金属として析出
させる方法である。リフトオフは、リバースエッチング
法とも呼ばれる方法で、端子上にレジストを設けてから
アルミニウムなどの金属を設け、超音波洗浄などでリフ
トオフを行いこの金属で端子同士を接続する方法であ
る。メッキ法は、通常の電着工程一般を意味する。
Connection step (FIG. 3 (b)):
Terminals Cxx corresponding to each other on the combined substrate
This is a step of electrically connecting them. Since the corresponding terminals are in contact with or very close to each other, it is possible to apply a known metal connection method to this connection point. For example, as a connection method, any one of a laser CVD method, an ink jet method, electroless plating, lift-off, and plating can be used. FIG. 4 shows the laser CVD method.
A laser CVD apparatus as shown in Fig. 3 is brought close to the terminal C, and a metal is grown on the bonding surface of the terminal by irradiating a laser beam to the bonding point while supplying a reaction gas containing various metal elements, thereby electrically connecting the terminal. It is something to give. According to this method, there is no direct contact with the terminal, so that no displacement occurs. The ink-jet method is a method in which a solution containing a metal element is attached to a joint surface of a terminal by a piezo jet or a bubble jet, and heat treatment or the like is applied to dissolve and connect the metal. Electroless plating is a method in which metal ions in an aqueous solution of a metal salt are deposited as metal on a terminal surface by an oxidation-reduction reaction or a substitution reaction without supplying electric energy. The lift-off method is a method also called a reverse etching method, in which a resist is provided on a terminal, a metal such as aluminum is provided, lift-off is performed by ultrasonic cleaning or the like, and the terminals are connected by this metal. The plating method means a general electrodeposition process in general.

【0035】貼り合わせ工程(図3(c)): この工
程は、電気的に接続された端子Cxxのある配線層10
1上に、接着層105を媒介として転写基台106を貼
り合わせる工程である。接着層105としては、端子C
を含めた配線層101上の凹凸をカバーし、回路素子に
影響を与えず、かつ剥離時の熱によって軟化することが
無いものを選択する。例えば接着層105として、反応
性硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤
等の光硬化型接着剤、嫌気硬化型接着剤等の各種硬化型
接着剤が挙げられ得る。エポキシ系、アクリレート系、
シリコーン系等いかなる接着剤でも適用することが可能
である。接着層105の形成は、例えば塗布法によって
回路素子を十分に覆う程度の厚みに接着剤を塗る。硬化
型接着剤を用いる場合は、被転写層上に硬化型接着剤を
塗布し、それに基台を接合した後、硬化型接着剤の特性
に応じた硬化方法により、硬化型接着剤を硬化させて、
転写基台106と配線層101とを接着する。光硬化型
接着剤を用いる場合は、透光性の転写基台106を未硬
化の接着層105上に配置した後、転写基台106側か
ら硬化用の光を照射して接着剤を硬化させることが好ま
しい。なお、転写基台106側に接着層105を形成し
てから配線層101を接着してもよい。配線層101と
接着層105との間に、前述した中間層を設けてもよ
い。
Bonding step (FIG. 3 (c)): This step is performed in the wiring layer 10 having the electrically connected terminals Cxx.
1 is a step of attaching a transfer base 106 via the adhesive layer 105 as a medium. As the adhesive layer 105, the terminal C
Is selected so as to cover the irregularities on the wiring layer 101 including the above, do not affect the circuit elements, and do not soften by heat at the time of peeling. For example, examples of the adhesive layer 105 include various curable adhesives such as a reactive curable adhesive, a thermosetting adhesive, a photocurable adhesive such as an ultraviolet curable adhesive, and an anaerobic curable adhesive. Epoxy, acrylate,
Any adhesive such as a silicone adhesive can be used. The adhesive layer 105 is formed, for example, by applying an adhesive to a thickness enough to sufficiently cover the circuit element by a coating method. When using a curable adhesive, apply the curable adhesive on the transfer-receiving layer, bond the base to it, and then cure the curable adhesive by a curing method according to the characteristics of the curable adhesive. hand,
The transfer base 106 and the wiring layer 101 are bonded. In the case of using a photo-curing adhesive, the translucent transfer base 106 is disposed on the uncured adhesive layer 105, and then the curing base is irradiated with light for curing from the transfer base 106 side to cure the adhesive. Is preferred. Note that the wiring layer 101 may be bonded after forming the bonding layer 105 on the transfer base 106 side. The above-described intermediate layer may be provided between the wiring layer 101 and the adhesive layer 105.

【0036】転写基台106は、複数の基板A〜D全体
を覆って機械的に一つの大きな基板として固定する基礎
となるものであり、機械的強度がある程度あれば、耐熱
性、耐食性等の特性が劣るものであっても支障がない。
転写基台側には熱が直接加えられないからである。ただ
し組み合わせ基板が表示用ディスプレイなど光の入出力
がある素子として構成してある場合には、これら光を遮
らないような光透過性のある材料で構成する必要があ
る。例えば転写基台の構成材料としては、各種合成樹脂
または各種ガラス材が挙げられ、ガラス材としては、通
常の(低融点の)安価なガラス材料でよい。なお組み合
わせ基板を表示用ディスプレイに使用する場合でカラー
フィルタその他の光学素子が必要な場合には、この転写
基台にカラーフィルタを形成してもよい。
The transfer base 106 is a base which covers the whole of the plurality of substrates A to D and is mechanically fixed as one large substrate. If there is a certain degree of mechanical strength, heat transfer, corrosion resistance, etc. There is no problem even if the characteristics are inferior.
This is because heat is not directly applied to the transfer base side. However, when the combination substrate is configured as an element having light input and output such as a display for display, it is necessary to be formed of a material having a light transmitting property so as not to block such light. For example, as a constituent material of the transfer base, various synthetic resins or various glass materials can be mentioned, and as the glass material, an ordinary (low melting point) inexpensive glass material may be used. When a color filter and other optical elements are required when the combined substrate is used for a display for display, a color filter may be formed on the transfer base.

【0037】剥離工程(図3(d)): この工程は、
透明基台103側から剥離層102にエネルギーを供給
して当該剥離層102に剥離を生じさせ、当該透明基台
103を剥離する工程である。
Peeling step (FIG. 3D):
This is a step in which energy is supplied to the release layer 102 from the transparent base 103 side to cause release in the release layer 102, and the transparent base 103 is released.

【0038】照射光により剥離層に生ずる層内剥離が生
ずるか、界面剥離が生ずるか、または層内剥離が生ずる
かは、剥離層の組成や、照射光、その他の要因により定
まる。その要因としては、例えば、照射光の種類、波
長、強度、到達深さ等が挙げられる。
Whether the irradiation light causes in-layer peeling, interfacial peeling, or in-layer peeling occurring in the peeling layer is determined by the composition of the peeling layer, irradiation light, and other factors. The factors include, for example, the type, wavelength, intensity, and reaching depth of the irradiation light.

【0039】照射光(レーザ光)Lとしては、剥離層1
02に層内剥離および/または界面剥離を起こさせるも
のであればいかなるものでもよい。例えば、X線、紫外
線、可視光、赤外線(熱線)、レーザ光、ミリ波、マイ
クロ波等の各波長の光が適用できる。電子線であっても
放射線(α線、β線、γ線)等であってもよい。それら
の中でも、剥離層にアブレーションを生じさせ易いとい
う点で、レーザ光が好ましい。このレーザ光Lを発生さ
せるレーザ装置としては、各種気体レーザ、個体レーザ
(半導体レーザ)等が挙げられるが、特にエキシマレー
ザ、Nd−YAGレーザ、アルゴンレーザ、CO2レー
ザ、COレーザ、He−Neレーザ等が好ましく、その
中でもエシキマレーザが特に好ましい。エキシマレーザ
は、短波長域で高エネルギーを出力するため、極めて短
時間で剥離層にアブレーションを生じさせることができ
る。このため隣接する層や近接する層に温度上昇を生じ
させることがほとんどなく、層の劣化や損傷を可能な限
り少なくして剥離を達成することができる。
As the irradiation light (laser light) L, the release layer 1
02 may cause any peeling in the layer and / or the interface. For example, light of each wavelength such as X-ray, ultraviolet light, visible light, infrared light (heat ray), laser light, millimeter wave, and microwave can be applied. It may be an electron beam or radiation (α ray, β ray, γ ray) or the like. Among them, a laser beam is preferable in that ablation easily occurs in the peeling layer. Examples of a laser device that generates the laser light L include various gas lasers and solid lasers (semiconductor lasers). In particular, excimer lasers, Nd-YAG lasers, argon lasers, CO 2 lasers, CO lasers, He-Ne Lasers and the like are preferable, and among them, an escimer laser is particularly preferable. An excimer laser outputs high energy in a short wavelength range, so that ablation can occur in the peeling layer in a very short time. Therefore, there is almost no rise in the temperature of the adjacent layer or the adjacent layer, and the delamination can be achieved while minimizing the deterioration and damage of the layer.

【0040】剥離層102に、アブレーションを生じる
波長依存性がある場合、照射されるレーザ光の波長は、
100nm〜350nm程度であることが好ましい。剥
離層に、ガス放出、気化または昇華等の層変化を起こさ
せるためには、照射されるレーザ光の波長は、350n
m〜1200nm程度であることが好ましい。また、照
射されるレーザ光のエネルギー密度は、エキシマレーザ
の場合、10〜5000mJ/cm2程度とするのが好
ましく、特に100〜5299mJ/cm2程度とする
のがより好ましい。1〜1000nsec程度とするの
が好ましく、10〜100nsec程度とするのがより
好ましい。エネルギー密度が低いか照射時間が短いと、
十分なアブレーションが生ぜず、エネルギー密度が高い
か照射時間が長いと、剥離層を透過した照射光により、
配線層101へ悪影響を及ぼすことがある。光の照射
は、その強度が均一となるように照射するのが好まし
い。光の照射方向は、剥離層に対し垂直な方向に限ら
ず、剥離層に対し所定角傾斜した方向であってもよい。
また、剥離層の面積が照射光1回の照射面積より大きい
場合には、剥離層全領域に対し、複数回に分け光を照射
してもよい。また、同一箇所に複数回照射してもよい。
また異なる種類、異なる波長(波長域)の光を同一領域
または異なる領域に複数回照射してもよい。
When the peeling layer 102 has a wavelength dependency that causes ablation, the wavelength of the laser light to be applied is
It is preferably about 100 nm to 350 nm. In order to cause the release layer to undergo a layer change such as gas release, vaporization, or sublimation, the wavelength of the irradiated laser beam is 350 n
It is preferably about m to 1200 nm. In addition, the energy density of the laser beam irradiated in the case of excimer lasers, it is preferable to be 10~5000mJ / cm 2 or so, and more preferably, especially 100~5299mJ / cm 2 approximately. It is preferably about 1 to 1000 nsec, and more preferably about 10 to 100 nsec. If the energy density is low or the irradiation time is short,
If sufficient ablation does not occur and the energy density is high or the irradiation time is long, the irradiation light transmitted through the release layer
The wiring layer 101 may be adversely affected. Light irradiation is preferably performed such that the intensity becomes uniform. The light irradiation direction is not limited to the direction perpendicular to the release layer, and may be a direction inclined at a predetermined angle with respect to the release layer.
When the area of the peeling layer is larger than the irradiation area of one irradiation light, the entire area of the peeling layer may be irradiated with the light in a plurality of times. The same location may be irradiated several times.
Light of different types and different wavelengths (wavelength ranges) may be irradiated to the same region or different regions a plurality of times.

【0041】なお透明基台103の剥離後、剥離層10
2の残さが配線層101の底面に残るような場合には、
適当な洗浄液により洗浄しておく。また配線層101を
保護するために、透明基台103の剥離後に、さらに別
の基板を貼りつけたり樹脂などで保護層を形成したりす
ることは好ましい。
After the transparent base 103 is peeled off, the release layer 10
In the case where the residue of 2 remains on the bottom surface of the wiring layer 101,
Wash with an appropriate washing solution. Further, in order to protect the wiring layer 101, it is preferable that, after the transparent base 103 is peeled off, another substrate is attached or a protective layer is formed with a resin or the like.

【0042】上記実施形態1によれば、以下の利点があ
る。
The first embodiment has the following advantages.

【0043】1)本実施形態によれば、組み合わせ基板
を組み合わせて大面積にすることが可能に構成されてい
るので、従来製造できなかったような大面積の基板、例
えば大型ディスプレイ基板などを簡単に製造することが
可能である。
1) According to the present embodiment, since a large area can be obtained by combining the combined substrates, a large area substrate, such as a large display substrate, which cannot be manufactured conventionally, can be easily manufactured. It is possible to manufacture.

【0044】2)本実施形態によれば、二次元的に組み
合わせ基板を敷き詰めて接合可能に構成されているの
で、端子の接合までは一方の面から作業が行えるため作
業がし易い。
2) According to the present embodiment, the combined boards can be spread two-dimensionally so as to be joined, so that the work can be performed from one side until the terminals are joined, so that the work is easy.

【0045】3)本実施形態によれば、組み合わせ基板
を接合した後、転写基台に接着するので、全体として機
械的強度の高い完成基板を提供可能である。
3) According to the present embodiment, since the combined substrate is bonded and then bonded to the transfer base, it is possible to provide a completed substrate having high mechanical strength as a whole.

【0046】4)本実施形態によれば、端子の接合部が
転写基台と接着層とにより保護されるので、電気的接触
面を保護することが可能である。
4) According to the present embodiment, since the bonding portion of the terminal is protected by the transfer base and the adhesive layer, it is possible to protect the electrical contact surface.

【0047】5)本実施形態によれば、透明基台は剥離
後回収して再使用が可能なので経済的である。
5) According to this embodiment, the transparent base is economical because it can be recovered after peeling and reused.

【0048】6)本実施形態によれば、端子の接続にレ
ーザCVD法など非接触の接続方法を採用することで、
基板の保持も簡単でよく、位置ずれを生じ難い。よって
細かい端子の接続も高精度に行うことが可能である。
6) According to the present embodiment, by adopting a non-contact connection method such as a laser CVD method for connecting terminals,
The holding of the substrate may be simple, and the displacement is unlikely to occur. Therefore, connection of fine terminals can be performed with high accuracy.

【0049】7)本実施形態によれば、レーザにより剥
離層に瞬時にエネルギーを与え剥離を生じさせるため、
配線層にダメージを与える危険が少ない。
7) According to the present embodiment, since energy is instantaneously applied to the peeling layer by the laser to cause peeling,
Less risk of damaging the wiring layer.

【0050】8)本実施形態によれば、配線層の表側に
基台を備えているので、この基台をカラーフィルタやブ
ラックマトリクスなどの機能基板として使用可能であ
る。
8) According to the present embodiment, since the base is provided on the front side of the wiring layer, this base can be used as a functional substrate such as a color filter or a black matrix.

【0051】(実施形態2)本発明の実施形態2は、上
記実施形態1とは異なる組み合わせ基板の接合方法に関
する。本実施形態2で使用する各組み合わせ基板は実施
形態1で使用した基板A〜Dと同様の平面外形および層
構造を備えている(図3(a)および図6(a)参照)
ので、その説明を省略する。ただし透明基台103は剥
離して再使用可能に回収されるため、高価なものを用い
てもコストアップを避けることが可能である。
(Embodiment 2) Embodiment 2 of the present invention relates to a method of bonding a combined substrate which is different from Embodiment 1 described above. Each combination board used in the second embodiment has the same planar outer shape and layer structure as the boards A to D used in the first embodiment (see FIGS. 3A and 6A).
Therefore, the description is omitted. However, since the transparent base 103 is peeled off and collected in a reusable manner, it is possible to avoid an increase in cost even if an expensive one is used.

【0052】図5に、組み合わせ接合後の接合部におけ
る断面図を示す。図5に示すように、接合後において組
み合わせ基板は、第2転写基台112上に接着層113
で配線層101が貼り合わせられて構成される。端子C
は露出しており溶着104が施されている。実施形態1
では、配線層101の上に基台が貼り合わせられていた
のに対し、本実施形態では配線層101の下に基台が貼
り合わせられている点で異なる。
FIG. 5 shows a cross-sectional view of the joint after the combination joining. As shown in FIG. 5, after bonding, the combined substrate is placed on the second transfer base 112 with an adhesive layer 113.
And the wiring layer 101 is bonded. Terminal C
Are exposed and welded 104 is applied. Embodiment 1
In this embodiment, the base is bonded on the wiring layer 101, whereas the present embodiment is different in that the base is bonded below the wiring layer 101.

【0053】図6を参照して本実施形態2における組み
合わせ基板の接合方法を説明する。
Referring to FIG. 6, a method of bonding the combined substrates according to the second embodiment will be described.

【0054】組み合わせ工程(図6(a)): この工
程は、接合されるべき組み合わせ基板A〜D同士を、互
いの端子Cが対応するように接触させまたは接近させて
組み合わせる工程である。組み合わせ基板同士を近接さ
せる距離は、後の接続工程で対応する端子間の電気的接
続が確実に行えるような距離にする。
Combining Step (FIG. 6 (a)): This step is a step of combining the combined substrates A to D to be joined together by bringing the terminals C into contact with or approaching each other. The distance at which the combined substrates are brought close to each other is set so that electrical connection between the corresponding terminals can be reliably performed in a later connection step.

【0055】第1転写基台貼り合わせ工程(図6
(b)): この工程は、端子Cのある配線層101上
に接着層105を媒介として第1転写基台111を貼り
合わせる工程である。接着層105については上記実施
形態1と同様である。ただしこの接着層は再び剥離され
るものであるため、化学的または物理的作用により剥離
が容易なものを使用する。剥離層102に用いるような
材料を適用してもよい。第1転写基台111も実施形態
1の転写基台106と同様に考えられる。ただしこの第
1転写基台111は、後に剥離されてしまうものなの
で、光透過性が問われない。また再使用されるものなの
で高価なものであっても問題ない。
The first transfer base bonding step (FIG. 6)
(B)): This step is a step of bonding the first transfer base 111 on the wiring layer 101 having the terminal C via the adhesive layer 105. The adhesive layer 105 is the same as in the first embodiment. However, since this adhesive layer is to be peeled again, a material that can be easily peeled by chemical or physical action is used. A material used for the release layer 102 may be used. The first transfer base 111 can be considered similarly to the transfer base 106 of the first embodiment. However, since the first transfer base 111 is peeled off later, light transmittance is not required. Also, since it is reused, there is no problem even if it is expensive.

【0056】剥離工程(図6(c)): この工程は、
透明基台103側から剥離層102にエネルギーを供給
して剥離層に剥離を生じさせ、透明基台103を剥離す
る工程である。この工程は上記実施形態1と同様に行え
ばよいため説明を省略する。ただし透明基台103の剥
離後、第2転写層112を貼り合わせる必要があるた
め、剥離層の残さは十分に取り除いておくことが好まし
い。
Peeling Step (FIG. 6C):
In this step, energy is supplied to the release layer 102 from the transparent base 103 side to cause separation of the release layer, and the transparent base 103 is separated. This step may be performed in the same manner as in the first embodiment, and a description thereof will be omitted. However, since the second transfer layer 112 needs to be bonded after the transparent base 103 is peeled off, it is preferable to sufficiently remove the residue of the peeling layer.

【0057】第2転写基台貼り合わせ工程(図6
(d)): この工程は、配線層101の透明基台10
3を剥離した側の面に第2転写基台112を貼り合わせ
る工程である。第2転写基台112については、上記透
明基台103と同様に考えられるが、総ての組み合わせ
基板に共通に貼り合わせられるものであるため、十分な
機械的強度を備えている必要がある。また第2転写基台
112は、配線層101の裏側に配置され光の入出力が
無いため、実施形態1の転写基台106のような光透過
性を持たせる必要が無い。
The second transfer base bonding step (FIG. 6)
(D)): In this step, the transparent base 10 of the wiring layer 101 is
This is a step of attaching the second transfer base 112 to the surface on the side from which 3 has been peeled off. The second transfer base 112 can be considered in the same manner as the transparent base 103, but must be provided with sufficient mechanical strength because it can be bonded to all the combined substrates in common. Further, since the second transfer base 112 is arranged on the back side of the wiring layer 101 and there is no light input / output, it is not necessary to provide light transmittance like the transfer base 106 of the first embodiment.

【0058】第2転写基台112は、接着層113を介
して配線層101に貼り合わせられる。接着層113
は、接着剤としての作用を果たすだけなので、半永久的
に接着力を維持できるものであれば十分である。接着層
105の材料を接着層113にも使用可能である。
The second transfer base 112 is bonded to the wiring layer 101 via the adhesive layer 113. Adhesive layer 113
Has only a function as an adhesive, so that it is sufficient if the adhesive can maintain the adhesive force semipermanently. The material of the adhesive layer 105 can be used for the adhesive layer 113.

【0059】接続工程(図6(f)): この工程は、
配線層101上の接着層105において第1転写基台1
11を剥離し、露出した配線層101上の互いに対応す
る端子C同士を電気的に接続する工程である。第1転写
基台111の剥離は、例えば接着層105に水溶性接着
剤を使用した場合には、水中に基台をしばらく放置する
ことで剥離できる。剥離後に配線層101表面に残った
接着剤は、薬品を使用して洗い落とす。特に端子Cの部
分は配線をする必要があるので、十分に洗浄する必要が
ある。露出した端子C同士は接触または極めて接近して
いるので、この接続点に公知の金属接続方法を適用する
ことが可能である。例えば接続方法として、実施形態1
で説明したレーザCVD法、インクジェット方式、無電
解メッキ、リフトオフまたはメッキのいずれか一の方法
が使用可能である。
Connection step (FIG. 6 (f)):
In the adhesive layer 105 on the wiring layer 101, the first transfer base 1
In this step, the terminals 11 corresponding to each other on the exposed wiring layer 101 are electrically connected to each other. For example, when a water-soluble adhesive is used for the adhesive layer 105, the first transfer base 111 can be separated by leaving the base in water for a while. The adhesive remaining on the surface of the wiring layer 101 after peeling is washed away using a chemical. In particular, since the terminal C needs to be wired, it needs to be sufficiently cleaned. Since the exposed terminals C are in contact with or extremely close to each other, a known metal connection method can be applied to this connection point. For example, as a connection method, the first embodiment
Any one of the laser CVD method, the ink jet method, the electroless plating, the lift-off method, and the plating method described above can be used.

【0060】以上で組み合わせ基板の接合が終了する
が、配線層101表面を保護する必要がある場合にはさ
らに樹脂などを利用して公知の方法で端子接続後の配線
層上に保護層を設けてもよい。
The joining of the combined substrates is completed as described above. If the surface of the wiring layer 101 needs to be protected, a protective layer is further provided on the wiring layer after the terminals are connected by a known method using a resin or the like. You may.

【0061】本実施形態2によれば、上記実施形態1と
同様の効果を奏する他、組み合わせ後に配線層101表
面が露出するので、配線その他の処理を最後に行う必要
がある場合に便利である。
According to the second embodiment, in addition to the same effects as those of the first embodiment, since the surface of the wiring layer 101 is exposed after the combination, it is convenient when wiring or other processing needs to be performed last. .

【0062】(実施形態3)本実施形態3は、組み合わ
せ基板の一部を重ね合わせる上記と異なる接合方法に関
する。図7に実施形態3の組み合わせ基板の組み合わせ
時における平面図を示す。図7では、既に基板A2〜C
2が組み合わされている状態において基板D2を新たに
組み合わせる場合を示している。図中の矢印は、基板D
2を組み合わせる場合の接続方向を示している。また図
8(a)には、組み合わせ基板接合部の断面図、図8
(b)にはその平面図において端子の重なりを破線で示
してある。
(Embodiment 3) Embodiment 3 relates to a bonding method different from the above-described bonding method in which a part of a combination substrate is overlapped. FIG. 7 is a plan view when the combination substrates of the third embodiment are combined. In FIG. 7, the substrates A2 to C
2 shows a case where the substrate D2 is newly combined in a state where the two are combined. The arrow in the figure indicates the substrate D
2 shows the connection direction in the case of combining the two. FIG. 8A is a cross-sectional view of the combined substrate bonding portion, and FIG.
In (b), the overlap of the terminals is shown by a broken line in the plan view.

【0063】本実施形態3の基板A2〜D2は、図7に
示すように、他の基板と組み合わせて接合される組み合
わせ基板であって、その端部が接合されるべき他の基板
と接触してまたは接近して組み合わせ可能に形成されて
いる。組み合わせ基板の端部は、図8に示すように、他
の基板と重なり合って接合可能に構成されている。重な
りの幅は、端子を十分に覆う程度に設定する。各組み合
わせ基板の端子Cは、他の基板と組み合わされた場合に
その接合面が対向して接合可能に配置されている。さら
に接合されるべき他の基板の端子と当該端子に対応して
接合される当該組み合わせ基板の端子とが異なる形状に
設けられている。具体的には、図8(b)に例示するよ
うに、一方の基板D2における端子C2Dよりも他方の
基板A2における端子C2Aの方が、接合面が一回り大
きく形成されている。このように対応する端子の形態を
異ならせておくと、両者を重ね合わせた場合に重なり具
合を視覚的に把握し易く、製造上便利である。
As shown in FIG. 7, the substrates A2 to D2 of the third embodiment are combined substrates which are combined with another substrate, and the ends of which are in contact with other substrates to be joined. It is formed so that it can be combined with or close to. As shown in FIG. 8, the end of the combination substrate is configured to be overlapped with and joined to another substrate. The width of the overlap is set so as to sufficiently cover the terminals. The terminals C of each combination board are arranged such that when combined with another board, their joining surfaces face each other and can be joined. Further, the terminals of another substrate to be joined and the terminals of the combination substrate joined corresponding to the terminals are provided in different shapes. Specifically, as illustrated in FIG. 8B, the bonding surface of the terminal C2A on the other substrate A2 is formed to be slightly larger than the terminal C2D on the one substrate D2. If the form of the corresponding terminal is made different in this way, it is easy to visually grasp the degree of overlap when both are overlapped, which is convenient in manufacturing.

【0064】本実施形態における基板の接合方法として
は、図8に示すように、隣接する基板の端子が対向する
ように端部において基板同士を重ね合わせておき、公知
の接合方法で重なった端子同士を溶着等する。基板同士
が重なっているため、異方性導電接着剤を利用して接着
するなどが適当である。
As shown in FIG. 8, the method of bonding substrates according to the present embodiment is to overlap the substrates at the ends so that the terminals of adjacent substrates face each other, and to overlap the terminals by a known bonding method. Weld each other. Since the substrates overlap each other, it is appropriate to use an anisotropic conductive adhesive for bonding.

【0065】(実施形態4)本実施形態4は、組み合わ
せ基板の一部を重ね合わせる上記と異なる接合方法に関
する。図9に実施形態4の組み合わせ基板の組み合わせ
時における平面図を示す。図9では、既に基板A3〜C
3が組み合わされている状態において基板D3を新たに
組み合わせる場合を示している。図中の矢印は、基板D
3を組み合わせる場合の接続方向を示している。また図
10(a)には、組み合わせ基板接合部の断面図、図1
0(b)にはその平面図において端子の重なりを破線で
示してある。
(Embodiment 4) Embodiment 4 relates to a bonding method different from the above, in which a part of a combination substrate is overlapped. FIG. 9 is a plan view showing a combination of the combination substrates according to the fourth embodiment. In FIG. 9, the substrates A3 to C
3 shows a case where the substrate D3 is newly combined in a state where the substrates 3 are combined. The arrow in the figure indicates the substrate D
3 shows the connection direction in the case of combining the three. FIG. 10A is a cross-sectional view of the combined substrate bonding portion, and FIG.
In FIG. 0 (b), the overlap of the terminals is indicated by a broken line in the plan view.

【0066】本実施形態4の基板A3〜D3は、図9に
示すように、他の基板と組み合わせて接合される組み合
わせ基板であって、その端部が接合されるべき他の基板
と接触してまたは接近して組み合わせ可能に形成されて
いる。組み合わせ基板の端部は、上記実施形態1や2と
同様に、二次元平面的に敷き詰めて組み合わされる。特
に本実施形態では、端子が基板の端面に露出して構成さ
れている。各組み合わせ基板の端子Cは、他の基板と端
面を接触または近接させて組み合わされた場合に端子の
接合面が対向して接合可能に配置されている。ここで、
実施形態3のように対応する端子の組において、接合さ
れるべき他の基板の端子と当該端子に対応して接合され
る当該組み合わせ基板の端子とが異なる形状に設けられ
ていてもよい。具体的には、図10(b)に例示するよ
うに、一方の基板D3における端子C3Dよりも他方の
基板A3における端子C3Aの方が、接合面が一回り大
きく形成されている。このように対応する端子の形態を
異ならせておくと、両者を接触させた場合に接触具合を
視覚的に把握し易く、製造上便利である。
As shown in FIG. 9, the substrates A3 to D3 of the fourth embodiment are combined substrates which are combined with another substrate and whose ends are in contact with other substrates to be joined. It is formed so that it can be combined with or close to. The ends of the combination substrates are spread and combined in a two-dimensional plane, as in the first and second embodiments. In particular, in the present embodiment, the terminal is configured to be exposed at the end face of the substrate. The terminals C of each combination board are arranged such that the joining surfaces of the terminals are opposed to each other and can be joined when the terminals C are combined with other boards with their end faces in contact with or close to each other. here,
As in the third embodiment, in a corresponding set of terminals, the terminals of another substrate to be bonded and the terminals of the combination substrate to be bonded corresponding to the terminals may be provided in different shapes. Specifically, as illustrated in FIG. 10B, the bonding surface of the terminal C3A of the other substrate A3 is formed to be slightly larger than the terminal C3D of the one substrate D3. When the form of the corresponding terminal is made different in this way, when both are brought into contact, it is easy to visually grasp the degree of contact, which is convenient in manufacturing.

【0067】本実施形態における基板の接合方法として
は、図10に示すように、隣接する基板の端面が対向す
るように平面的に組み合わせておき、公知の接合方法で
対向した端子同士を溶着等する。接合方法には、公知の
ものが適用可能である。また組み合わせた基板全体を補
強するために、複数の基板全体にまたがった補強基台と
組み合わせ基板とを貼り合わせておいてもよい。
As shown in FIG. 10, the method of joining substrates according to the present embodiment is as follows: adjacent substrates are planarly combined so that end faces of the substrates face each other, and terminals facing each other are welded by a known bonding method. I do. Known joining methods can be applied. In addition, in order to reinforce the combined substrate as a whole, the combined base may be bonded to a reinforcing base extending over a plurality of substrates.

【0068】(その他の変形例)本発明は上記実施形態
に限定されることなく、種々に変形して適用することが
可能である。例えば端子の形状や基板の外形は実施形態
に拘束されず設計変更が可能である。また基板の接合方
法も実施形態に拘束されず工程の省略や付加その他の設
計変更が可能である。
(Other Modifications) The present invention is not limited to the above embodiment, but can be applied in various modifications. For example, the shape of the terminal and the outer shape of the substrate are not restricted by the embodiment, and the design can be changed. Also, the method of bonding the substrates is not limited to the embodiment, and the omission of the process, addition, and other design changes are possible.

【0069】製造方法では、上記実施形態では転写基台
を貼り合せてから透明基台側からエネルギーを供給して
剥離させていたが、先に透明基台側から剥離層にエネル
ギーを供給した後、転写基台を貼り合せ、その後に力を
作用させて剥離層から透明基台を剥離するような順序で
処理してもよい。
In the manufacturing method, in the above embodiment, energy is supplied from the transparent base side and peeled after the transfer base is bonded, but first, energy is supplied to the peeling layer from the transparent base side. Alternatively, the processing may be performed in such an order that the transfer base is adhered, and then a force is applied to peel the transparent base from the release layer.

【0070】組み合わせ基板の配線層には、任意の回路
を適用可能である。例えば表示パネルをモジュール化し
組み合わせ可能な表示回路を形成しておけば、組み合わ
せ方によって任意の大きさの表示装置を形成することが
可能になる。また基板上に、表示用の素子(液晶やEL
素子)に駆動回路(表示制御用TFTやドライバ回路)
を併せて形成しておいてもよい。
An arbitrary circuit can be applied to the wiring layer of the combination substrate. For example, if the display panel is modularized to form a display circuit that can be combined, a display device having an arbitrary size can be formed depending on the combination. A display element (liquid crystal or EL) is provided on the substrate.
Element) and drive circuit (display control TFT and driver circuit)
May be formed together.

【0071】[0071]

【発明の効果】本願発明によれば、互いに接触させまた
は近接させた状態で、端子同士を直接電気的に接続可能
に構成した組み合わせ基板とその接合方法を提供したの
で、大面積の基板を容易に製作することが可能となる。
According to the present invention, there is provided a combined substrate and a method of joining the terminals in which terminals can be directly electrically connected to each other in a state where the terminals are brought into contact with or close to each other. Can be manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施形態1における組み合わせ基板の平面図FIG. 1 is a plan view of a combination substrate according to a first embodiment.

【図2】実施形態1における組み合わせ基板の接合部断
面図
FIG. 2 is a cross-sectional view of a bonding portion of the combination substrate according to the first embodiment.

【図3】実施形態1における組み合わせ基板の接合工程
断面図
FIG. 3 is a sectional view of a bonding process of the combination substrate according to the first embodiment.

【図4】本発明における端子接合方法の一例FIG. 4 shows an example of a terminal joining method according to the present invention.

【図5】実施形態2における組み合わせ基板の接合部断
面図
FIG. 5 is a sectional view of a joint portion of the combination substrate according to the second embodiment.

【図6】実施形態2における組み合わせ基板の接合工程
断面図
FIG. 6 is a cross-sectional view of a bonding process of the combination substrate according to the second embodiment.

【図7】実施形態3における組み合わせ基板の平面図FIG. 7 is a plan view of a combination board according to a third embodiment.

【図8】実施形態3における組み合わせ基板の接合部断
面図
FIG. 8 is a sectional view of a joint portion of the combination substrate according to the third embodiment.

【図9】実施形態4における組み合わせ基板の平面図FIG. 9 is a plan view of a combination substrate according to a fourth embodiment.

【図10】実施形態4における組み合わせ基板の接合部
断面図
FIG. 10 is a sectional view of a joint portion of the combination substrate according to the fourth embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Cxx(xは任意の数字)…端子 101、201…配線層 102…剥離層 103…基台 104、202…溶着 105、113…接着層 106…転写基台 111…第1転写基台 112…第2転写基台 Cxx (x is an arbitrary number) terminal 101, 201 wiring layer 102 release layer 103 base 104, 202 welding 105, 113 adhesive layer 106 transfer base 111 first transfer base 112 first 2 transfer base

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 湯田坂 一夫 長野県諏訪市大和3丁目3番5号 セイコ ーエプソン株式会社内 Fターム(参考) 5E344 AA04 AA23 BB01 BB06 CC23 DD01 EE30  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Kazuo Yudazaka 3-3-5 Yamato, Suwa City, Nagano Prefecture Seiko Epson Corporation F-term (reference) 5E344 AA04 AA23 BB01 BB06 CC23 DD01 EE30

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 他の基板と組み合わせて接合される組み
合わせ基板であって、 端部が接合されるべき他の基板と接触してまたは接近し
て組み合わせ可能に形成され、かつ、当該端部に1以上
の端子を備え、 前記端子は、当該他の基板に設けられた端子と直接電気
的に接続可能に配置されていることを特徴とする組み合
わせ基板。
1. A combined substrate to be joined in combination with another substrate, wherein an end portion is formed so as to be able to be combined in contact with or close to another substrate to be joined, and A combination substrate comprising one or more terminals, wherein the terminals are arranged so as to be directly electrically connectable to terminals provided on the other substrate.
【請求項2】 当該基板の1以上の端部に前記端子が配
列されて構成されている請求項1に記載の組み合わせ基
板。
2. The combination board according to claim 1, wherein the terminals are arranged at one or more ends of the board.
【請求項3】 接合されるべき他の基板の端子と当該端
子に対応して接合される当該組み合わせ基板の端子とが
異なる形状に設けられている請求項1に記載の組み合わ
せ基板。
3. The combination substrate according to claim 1, wherein terminals of another substrate to be joined and terminals of the combination substrate joined corresponding to the terminals are provided in different shapes.
【請求項4】 接合されるべき他の基板の端子と当該端
子に対応して接合される当該組み合わせ基板の端子と
に、相互が接合されるべき旨の識別子が付されている請
求項1に記載の組み合わせ基板。
4. The terminal according to claim 1, wherein the terminal of the other substrate to be joined and the terminal of the combination substrate joined corresponding to the terminal have an identifier indicating that they are to be joined to each other. The combination board as described.
【請求項5】 前記端子は、他の基板と組み合わされた
場合にその接合面が同一方向に向いて接合可能に配置さ
れている請求項1に記載の組み合わせ基板。
5. The combination substrate according to claim 1, wherein the terminals are arranged so that when they are combined with another substrate, their joining surfaces face in the same direction and can be joined.
【請求項6】 前記端子は、他の基板と組み合わされた
場合にその接合面が対向して接合可能に配置されている
請求項1に記載の組み合わせ基板。
6. The combination substrate according to claim 1, wherein the terminals are arranged such that their joint surfaces face and can be joined when combined with another substrate.
【請求項7】 前記端子の設けられている端部が、他の
基板と重なり合って接合可能に構成されている請求項6
に記載の組み合わせ基板。
7. An end provided with said terminal is configured to overlap with another substrate and to be joined thereto.
The combination substrate according to any one of the above.
【請求項8】 光透過性のある透明基台と、 エネルギーの供給により剥離を生ずる、前記透明基台上
に形成された剥離層と、 前記端子を端部に配置して構成されている配線層と、を
備えている請求項1に記載の組み合わせ基板。
8. A light-transmitting transparent base, a peeling layer formed on the transparent base, which is peeled off by supply of energy, and a wiring comprising the terminal arranged at an end. The combination substrate according to claim 1, comprising a layer.
【請求項9】 請求項8に記載の組み合わせ基板を使用
した組み合わせ基板の接合方法において、 接合されるべき組み合わせ基板同士を、互いの端子が対
応するように接触させまたは接近させて組み合わせる工
程と、 組み合わされた前記基板における互いに対応する端子同
士を電気的に接続する工程と、 電気的に接続された端子のある前記配線層上に接着層を
媒介として転写基台を貼り合わせる工程と、 前記透明基台側から前記剥離層にエネルギーを供給して
当該剥離層に剥離を生じさせ、当該透明基台を剥離する
工程と、を備えたことを特徴とする組み合わせ基板の接
合方法。
9. A method for joining a combined board using the combined board according to claim 8, wherein the combined boards to be joined are brought into contact with each other or brought close to each other so as to correspond to each other, and Electrically connecting terminals corresponding to each other on the combined substrate; bonding a transfer base via an adhesive layer on the wiring layer having the electrically connected terminals; Supplying energy to the peeling layer from the base side to cause peeling in the peeling layer, and peeling the transparent base.
【請求項10】 請求項8に記載の組み合わせ基板を使
用した組み合わせ基板の接合方法において、 接合されるべき組み合わせ基板同士を、互いの端子が対
応するように接触させまたは接近させて組み合わせる工
程と、 前記端子のある前記配線層上に接着層を媒介として第1
転写基台を貼り合わせる工程と、 前記透明基台側から前記剥離層にエネルギーを供給して
当該剥離層に剥離を生じさせ、当該透明基台を剥離する
工程と、 前記配線層の前記透明基台を剥離した側の面に第2転写
基台を貼り合わせる工程と、 前記配線層上の接着層において第1転写基台を剥離し、
露出した前記配線層上の互いに対応する端子同士を電気
的に接続する工程と、を備えたことを特徴とする組み合
わせ基板の接合方法。
10. A method of bonding a combined board using the combined board according to claim 8, wherein the combined boards to be joined are brought into contact with each other or brought close to each other so as to correspond to each other, and combined. A first layer is provided on the wiring layer having the terminals through an adhesive layer.
Bonding a transfer base; supplying energy to the release layer from the transparent base side to cause release in the release layer; and peeling the transparent base; and removing the transparent base of the wiring layer. Bonding a second transfer base to the surface on which the base has been peeled off, and peeling the first transfer base on the adhesive layer on the wiring layer;
Electrically connecting the corresponding terminals on the exposed wiring layer to each other.
【請求項11】 前記端子同士を電気的に接続する工程
では、レーザCVD法、インクジェット方式、無電解メ
ッキ、リフトオフまたはメッキのいずれか一の方法によ
り接続用金属を端子間に設ける請求項9または請求項1
0のいずれか一項に記載の組み合わせ基板の接合方法。
11. The method according to claim 9, wherein in the step of electrically connecting the terminals, a connecting metal is provided between the terminals by any one of a laser CVD method, an inkjet method, electroless plating, lift-off or plating. Claim 1
0. The method for bonding a combination substrate according to any one of items 0 to 10.
【請求項12】 前記接着層は、エネルギーの供給によ
り硬化する樹脂で構成されている請求項9または請求項
10のいずれか一項に記載の組み合わせ基板の接合方
法。
12. The method according to claim 9, wherein the adhesive layer is made of a resin that is cured by supplying energy.
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JP5454681B2 (en) * 2010-05-26 2014-03-26 株式会社村田製作所 Module substrate and manufacturing method thereof

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003100753A1 (en) * 2002-05-29 2003-12-04 Seiko Epson Corporation Electrooptic device and production method therefor, element drive device and production method therefor, element substrate and electronic equipment
US7183582B2 (en) 2002-05-29 2007-02-27 Seiko Epson Coporation Electro-optical device and method of manufacturing the same, element driving device and method of manufacturing the same, element substrate, and electronic apparatus
US7364928B2 (en) 2002-05-29 2008-04-29 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and method of manufacturing the same, element driving device and method of manufacturing the same, element substrate, and electronic apparatus
JP5454681B2 (en) * 2010-05-26 2014-03-26 株式会社村田製作所 Module substrate and manufacturing method thereof

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