JPH11243209A - Transfer method of thin-film device, the thin-film device, thin-film integrated circuit device, active matrix substrate, liquid crystal display device, and electronic apparatus - Google Patents

Transfer method of thin-film device, the thin-film device, thin-film integrated circuit device, active matrix substrate, liquid crystal display device, and electronic apparatus

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JPH11243209A
JPH11243209A JP6059398A JP6059398A JPH11243209A JP H11243209 A JPH11243209 A JP H11243209A JP 6059398 A JP6059398 A JP 6059398A JP 6059398 A JP6059398 A JP 6059398A JP H11243209 A JPH11243209 A JP H11243209A
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Tatsuya Shimoda
達也 下田
聡 井上
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide simple manufacturing process and a low-cost thin-film device, while laminating order at manufacturing of a thin-film device is maintained, by allowing transfer of the thin-film device to a substrate at actual use. SOLUTION: With a first separation layer such as amorphous silicon provided on a substrate which allows transmission of laser light, a thin-film device 140 such as TFT(thin-film-transistor) is formed on the substrate. A second separation layer 160 is formed on the thin-film device 140, over which a primary transfer body 180 is formed. By removing the substrate with a weakened bonding strength of the first separation layer under light irradiation, the thin-film device is primary-transferred to a primary-transfer body. Furthermore a secondary transfer body 200 is jointed to the underside surface of an exposed thin-film device via a bonding layer 190, and a second separation layer is fused with heat for weakened bonding strength, to have the primary-transfer body removed. Thus, the thin-film device is secondary-transferred to the secondary-transfer body.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置、アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器に関する。 The present invention relates to a method transferring a thin film device, a thin film device, a thin film integrated circuit device, an active matrix substrate, a liquid crystal display device and an electronic apparatus.

【0002】 [0002]

【背景技術】例えば、薄膜トランジスタ(TFT)を用いた液晶ディスプレイを製造するに際しては、基板上に薄膜トランジスタをCVD等により形成する工程を経る。 BACKGROUND ART For example, in manufacturing a liquid crystal display using a thin film transistor (TFT) undergoes a step of forming by the CVD or the like a thin film transistor on a substrate. 薄膜トランジスタを基板上に形成する工程は高温処理を伴うため、基板は耐熱性に優れる材質のもの、すなわち、軟化点および融点が高いものを使用する必要がある。 Forming a thin film transistor on the substrate to accompany high-temperature treatment, the substrate is made of a material having excellent heat resistance, i.e., it is necessary to use a high softening point and melting point. そのため、現在では、1000℃程度の温度に耐える基板としては石英ガラスが使用され、500℃前後の温度に耐える基板としては耐熱ガラスが使用されている。 Therefore, at present, the substrate to withstand temperatures of about 1000 ° C. is used quartz glass, heat resistant glass is used as the substrate to withstand the longitudinal 500 ° C. temperature.

【0003】上述のように、薄膜デバイスを搭載する基板は、それらの薄膜デバイスを製造するための条件を満足するものでなければならない。 [0003] As described above, the substrate for mounting the thin-film devices, shall satisfy the conditions for producing them of thin film device. つまり、使用する基板は、搭載されるデバイスの製造条件を必ず満たすように決定される。 That is, the substrate to be used is determined so as to satisfy always the production conditions of the device to be mounted.

【0004】しかし、TFT等の薄膜デバイスを搭載した基板が完成した後の段階のみに着目すると、上述の「基板」が必ずしも好ましくないこともある。 However, when the substrate provided with the thin film device such as TFT is focusing only on the stage after completion, sometimes "substrates" described above is not always preferable.

【0005】例えば、上述のように、高温処理を伴う製造プロセスを経る場合には、石英基板や耐熱ガラス基板等が用いられるが、これらは非常に高価であり、したがって製品価格の上昇を招く。 [0005] For example, as described above, when going through the manufacturing process with high temperature treatment is a quartz substrate or a heat-resistant glass substrate is used, these are very expensive, thus causing an increase in product price.

【0006】また、ガラス基板は重く、割れやすいという性質をもつ。 [0006] In addition, with the property that the glass substrate is heavy, fragile. パームトップコンピュータや携帯電話機等の携帯用電子機器に使用される液晶ディスプレイでは、可能な限り安価で、軽くて、多少の変形にも耐え、 In the liquid crystal display used in portable electronic devices such as palm top computers and mobile phones, as long as an inexpensive as possible, is light, withstand slight deformation,
かつ落としても壊れにくいのが望ましいが、現実には、 And it is also difficult is desirable broken down, in reality,
ガラス基板は重く、変形に弱く、かつ落下による破壊の恐れがあるのが普通である。 Glass substrate is heavy, vulnerable to deformation, and it is common there is a risk of destruction due to dropping.

【0007】つまり、製造条件からくる制約と製品に要求される好ましい特性との間に溝があり、これら双方の条件や特性を満足させることは極めて困難であった。 [0007] That is, there is a groove between the preferred characteristics required for the constraint and products coming from the manufacturing conditions, it is extremely difficult to satisfy both of these conditions and characteristics.

【0008】そこで本発明者等は、薄膜デバイスを含む被転写層を従来のプロセスにて基板上に形成した後に、 [0008] The present inventors have a transferred layer including a thin film device after formation on the substrate in a conventional process,
この薄膜デバイスを含む被転写層を基板から離脱させて、転写体に転写させる技術を提案している(特願平8 The transferred layer including the thin film device is detached from the substrate, it has proposed a technique of transferring the transfer member (Japanese Patent Application No. 8
−225643号)。 No. -225,643). このために、基板と被転写層である薄膜デバイスとの間に、分離層を形成している。 For this, between the thin film device is a substrate and the transfer layer, to form a separation layer. この分離層に光を照射することで、分離層の層内および/または界面を剥離させて、基板と被転写層との結合力を弱めることで、被転写層を基板から離脱させることを可能としている。 By irradiating light to the separation layer, by peeling off the layer in and / or interface of the separation layer, by weakening the bonding force between the substrate and the transfer layer, it allows to disengage the transferred layer from the substrate It is set to. この結果、被転写層は転写体に転写される。 As a result, the transfer layer is transferred to the transfer member. ここで、薄膜デバイスを形成するのに高温処理を伴う製造プロセスを経る場合には、石英基板や耐熱ガラス基板等が用いられる。 Here, when going through the manufacturing process with high temperature treatment to form a thin film device, a quartz substrate or a heat-resistant glass substrate or the like is used. しかし、転写体はこのような高温処理に晒されることがないので、転写体として求められる制約が大幅に緩和される利点がある。 However, transfer member because not exposed to such high temperature treatment, there is the advantage that restrictions to be determined as a transfer member is greatly reduced.

【0009】 [0009]

【発明が解決しようとする課題】ここで薄膜デバイスが薄膜トランジスタ(TFT)を含む場合のプロセスについて説明する。 THE INVENTION Problems to be Solved thin film device here described process may include a thin film transistor (TFT). TFTは、絶縁層、導電層、ソース、ドレイン及びチャネル領域を有するシリコン半導体層を少なくとも有する複数の薄膜から成る薄膜積層構造を有する。 TFT has an insulating layer, a conductive layer, a source, a thin film stack structure comprising a plurality of thin film having at least a silicon semiconductor layer having a drain and a channel region. TFTのコストは、この薄膜積層構造の製造コストの大きく依存している。 Cost of TFT is heavily dependent of the manufacturing cost of the thin film stack.

【0010】この薄膜積層構造のうちの絶縁層の形成には、一般にNPCVD(Nomal Pressure Chemical Vapo [0010] The formation of the insulating layer of the thin film stack, generally NPCVD (Nomal Pressure Chemical Vapo
r Deposition)では膜厚の均一性が低いために、LP r Deposition) due to the low uniformity of the film thickness in, LP
(LowPressure)CVDやPE(Plasma Enhanced)CV (LowPressure) CVD and PE (Plasma Enhanced) CV
Dが用いられる。 D is used. 金属層で代表される導電層は、スパッタにより形成される。 Conductive layer typified by a metal layer is formed by sputtering. シリコン半導体層を形成するためのシリコン膜も、PECVDやLPCVDにて形成される。 Silicon film for forming the silicon semiconductor layer is also formed by PECVD or LPCVD. さらに、このシリコン膜に対して、イオン打ち込み法やイオンドーピング法により不純物を導入する方法が用いられていた。 Further, with respect to the silicon film, a method of introducing an impurity has been used by an ion implantation method or an ion doping method. あるいは、ソース・ドレイン領域となる高濃度不純物領域は、CVD装置により、不純物ドープのシリコン膜で形成する方法が採用されていた。 Alternatively, the high concentration impurity regions serving as source and drain regions, a CVD apparatus, a method of forming a silicon film of an impurity-doped has been adopted.

【0011】上述の各種成膜に用いられるCVD装置、 [0011] CVD apparatus used in a variety of film formation described above,
スパッタ装置などはいずれも真空下にて処理する真空処理装置であり、大規模な真空排気設備を必要として初期投資コストが増大している。 Both sputtering device is a vacuum processing apparatus for processing under vacuum, initial investment costs are increased as require extensive evacuation equipment. さらに、真空処理装置では、真空排気、基板加熱、成膜、ベントの順に基板が搬送されることにより、成膜などの処理がなされる。 Furthermore, in the vacuum processing apparatus, evacuated, substrate heating, deposition, by which the substrate is conveyed in the order of the vent, processing such as film formation is performed. このため基板雰囲気を大気−真空に置換する必要があり、スループットにも限界がある。 Therefore air substrates atmosphere - it is necessary to replace the vacuum, there is a limit on throughput.

【0012】また、イオン打ち込み装置やイオンドーピング装置も基本的に真空処理装置であり上記と同じ問題が生ずる。 [0012] In addition, ion implantation apparatus or an ion doping apparatus is also basically a vacuum processing apparatus same problem as described above occurs. さらにこのイオン打ち込み装置やイオンドーピング装置では、プラズマの生成、イオンの引き出し、 In addition, this ion implantation apparatus or an ion doping apparatus, a plasma generation of drawer ions,
イオンの質量分析(イオン打ち込み装置の場合)、イオンの加速、イオンの集束、イオンの走査など極めて複雑な機構が必要であり、初期投資がかなり高価となる。 (Case of the ion implantation apparatus) mass spectrometry of ions, ion acceleration, focused ion requires a very complicated mechanism such as a scanning ion, initial investment is quite expensive.

【0013】このように、薄膜積層構造を製造するための薄膜形成技術やその加工技術は、基本的にはLSIの製造技術と同様である。 [0013] Thus, a thin film forming technique and the processing technology for producing a thin-film laminated structure is basically the same as the manufacturing technology of LSI. 従って、TFT基板のコスト低減の主要な手段は、TFTを形成する基板サイズの大型化、薄膜形成とその加工工程の効率向上及び歩留まり向上である。 Thus, the primary means of reducing costs in TFT substrate is larger substrate size for forming the TFT, it is efficiency and yield improvement of a thin film formation and their processing steps.

【0014】しかし、コスト低減と大型の液晶表示装置の製造とを目的とした基板サイズの大型化は、真空処理装置内での基板の高速搬送の障害になるだけでなく、成膜工程の熱ストレスによって基板が割れ易くなるなどの問題があり、成膜装置のスループット向上は極めて困難である。 [0014] However, the cost reduction and enlargement of the substrate size for the manufacture and large-sized liquid crystal display device, not only a failure of the high-speed transfer of the substrate in a vacuum processing apparatus, the film forming process heat There is a problem, such as a substrate is easily cracked by stress, increased throughput of the film forming apparatus is extremely difficult. また、基板サイズの大型化は、同時に成膜装置の大型化を強いることになる。 Further, enlargement of the substrate size would force an increase in the size of the film-forming apparatus simultaneously. この結果、真空排気される容積の増大に起因した成膜装置の価格アップにより、 As a result, the price up of a film forming apparatus due to the increase of the volume to be evacuated,
初期投資のさらなる増大を招くことになり、結局大幅なコスト低減が困難となる。 It will be lead to a further increase of the initial investment, after all significant cost reduction becomes difficult.

【0015】尚、TFTの歩留まり向上はコスト低減の有力な手段であるが、既に極限に近い歩留まりが達成されており、大幅な歩留まり向上は数字的にも困難な状況になっている。 [0015] In addition, improvement in yield of the TFT is a powerful means of cost reduction, already has been achieved yield close to the limit, a significant improvement in yield has become numerically in difficult situations.

【0016】また、各種層のパターニングのために、フォトリソグラフィ工程が実施されている。 Further, for patterning the various layers, photolithography step is performed. このフォトリソグラフィ工程では、レジスト膜の塗布工程、露光工程、現像工程が必要となる。 In the photolithography process, the steps of coating the resist film, an exposure step, a developing step is required. さらにその後にエッチング工程、レジスト除去工程が必要であり、パターニングのための工程が薄膜形成方法の工程数を増大する要因ともなっている。 Thereafter the etching step, the resist removing step are required, has also become factors that step for patterning increases the number of steps of the thin film forming method. これが薄膜デバイスの製造コストアップの原因ともなっている。 This has also become a cause of the production cost of the thin film device.

【0017】このフォトリソグラフィ工程の中のレジスト塗布工程についても、基板上に滴下されたレジスト液のうち、スピン塗布後にレジスト膜として残存するのは1%に満たない量であり、レジスト液の使用効率が悪化しているという問題がある。 [0017] For even resist coating process in the photolithography process, among the resist solution dropped onto a substrate, an amount less than 1% from remaining as a resist film after spin coating, the use of the resist solution there is a problem that efficiency is getting worse.

【0018】また、露光工程に用いられる大型の露光装置にかわる低コストな方法として、印刷法などが提案されているが、加工精度などの問題があり実用には至っていない。 Further, as a low-cost alternative to a large exposure apparatus used in the exposure process, but a printing method has been proposed, it does not reach the practical there are problems such as processing accuracy.

【0019】前述のように、現在の液晶表示装置は市場から大幅な価格低減を要求されていながら、TFT基板の大幅なコスト低減が困難な状況にある。 [0019] As described above, the current liquid crystal display device while have been requesting a significant price reduction from the market, significant cost reduction of the TFT substrate is in a difficult situation.

【0020】本発明は、薄膜デバイスの製造時に使用する基板と、例えば製品の実使用時に使用する基板(製品の用途からみて好ましい性質をもった基板)とを、独立に自由に選択することを可能とし、しかも、その製造時に成膜される薄膜を、真空処理装置を用いずに成膜して、初期投資コスト及びランニングコストの低減と共にスループットを高めて、もって製造コストを大幅に低減することができる薄膜デバイス転写方法並びにそれを用いて製造される薄膜デバイス、アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器を提供することにある。 [0020] The present invention includes a substrate for use in production of thin film devices, such as a substrate used in the actual use of the product (substrate having applications as viewed from the preferred properties of the product), that freely selected independently possible and then, moreover, that the thin film formed at the time of manufacture, by forming without using the vacuum processing apparatus, to increase the throughput with reduced initial investment and running costs, significantly reduces production costs with and to provide a thin film device manufactured using the thin film device transfer method as well as it may, the active matrix substrate, a liquid crystal display device and an electronic apparatus.

【0021】本発明の他の目的は、製造コストを低減しながらも、製造時に使用した基板に対する薄膜デバイスの積層関係をそのまま維持して、その薄膜デバイスを実使用時に使用する基板に転写することができる新規な技術を提供することにある。 Another object of the present invention, while reducing the manufacturing cost, and maintaining the stacked relationship of the thin film device to the substrate used during manufacture, be transferred to the substrate using that thin film device during actual use it is to provide a novel technology that can.

【0022】 [0022]

【課題を解決するための手段】本発明に係る薄膜デバイスの転写方法は、基板上に分離層を形成する第1工程と、前記分離層上に複数の薄膜から成る薄膜デバイスを含む被転写層を形成する第2工程と、前記被転写層上に転写体を接合する第3工程と、前記分離層を境にして前記被転写層より前記基板を除去して、前記被転写層を前記転写体に転写する第4工程と、を有し、前記薄膜デバイスを構成する前記複数の薄膜及び前記分離層の少なくとも一層の薄膜を、該薄膜の構成成分を含む液体が塗布された後に固化される液相プロセスを用いて形成することを特徴とする。 Means for Solving the Problems] transfer process of a thin film device according to the present invention includes a first step of forming a separation layer on a substrate, the transfer layer comprising a thin film device comprising a plurality of thin films on said separating layer a second step of forming, said third step of bonding the transfer member onto the transfer layer, and removing the substrate from the layer to be transferred to the boundary of the separation layer, the transfer of the transferred layer a fourth step of transferring the body, and at least one layer of a thin film of said plurality of thin film and the separation layer constituting the thin film device, is solidified after the liquid containing the components of the thin film is applied and forming by a liquid phase process.

【0023】本発明の他の態様に係る薄膜デバイスの転写方法は、基板上に第1分離層を形成する第1工程と、 The method of transferring a thin film device according to another aspect of the present invention includes a first step of forming a first separation layer on a substrate,
前記第1分離層上に複数の薄膜から成る薄膜デバイスを含む被転写層を形成する第2工程と、前記被転写層上に第2分離層を形成する第3工程と、前記第2分離層上に一次転写体を接合する第4工程と、前記第1分離層を境にして、前記被転写層より前記基板を除去する第5工程と、前記被転写層の下側に二次転写体を接合する第6工程と、前記第2分離層を境にして、前記被転写層より前記一次転写体を除去して、前記被転写層を前記二次転写体に転写する第7工程と、を有し、前記薄膜デバイスを構成する前記複数の薄膜及び前記第1,第2分離層の少なくとも一層の薄膜を、該薄膜の構成成分を含む液体が塗布された後に固化される液相プロセスを用いて形成することを特徴とする。 A second step of forming a transferred layer including a thin film device comprising a plurality of thin films on the first separation layer, and a third step of forming a second separation layer on the transferred layer on the second isolation layer a fourth step of bonding the primary transcript above, in the boundary of the first separation layer, wherein a fifth step of removing the substrate from the transfer layer, the under side of the transfer layer secondary transfer member a sixth step of joining, and the boundary of the second separation layer, and the seventh step of the removing the primary transcript from the transfer layer, to transfer the transferred layer to the secondary transfer member, have the plurality of thin film and the first constituting the thin film device, at least one layer of a thin film of the second separation layer, a liquid-phase process liquid containing the components of the thin film is solidified after being applied and forming using.

【0024】前者の発明では、基板に対する薄膜デバイスの製造時の積層順序と、転写体に対する薄膜デバイスの完成時の積層順序が反対となるのに対し、後者の発明では2度転写するので、製造時と完成時の積層順序は一致する。 [0024] In the former invention, the stacking order of the time of manufacture of the thin film device to the substrate, with respect to the order of stacking the time of completion of the thin film device to the transfer member that is opposite, so in the latter invention is transferred twice, producing stacking order at the time of completion and time is consistent.

【0025】両発明では、薄膜デバイス及び分離層(あるいは第1,第2の分離層)のうちの少なくとも1層が、真空処理装置によらずに塗布膜として形成される。 [0025] In both inventions, at least one layer of thin film device and the separation layer (or the first, second separation layer) is formed as a coating film without depending on the vacuum processing apparatus.

【0026】本発明は、分離層あるいは薄膜デバイスを構成する絶縁層や導電層自体を塗布膜にて形成するものであり、同時に薄膜の平坦化も可能となる。 [0026] The present invention is to form an insulating layer or a conductive layer itself constituting the separation layer or thin film device by a coating film, it is possible simultaneously flattening the film. この塗布膜は、CVD装置やスパッタ装置などの真空処理装置によらずに形成できるので、量産ラインを従来に比較して極めて少ない投資で構築することができ、製造装置のスループットが高くでき、薄膜デバイスのコストを大幅に削減することができる。 The coating film can be formed without depending on the vacuum processing apparatus such as a CVD apparatus or a sputtering apparatus, by comparing the production line in the conventional can be constructed in very small investment, can increase the throughput of the manufacturing apparatus, a thin film it can significantly reduce the cost of the device.

【0027】薄膜デバイスとしては、半導体層を含むもの、薄膜トランジスタを含むもの、下地絶縁層や上層の保護用絶縁層を含むものなど、種々の構造が対象となる。 [0027] As the thin film device, which includes a semiconductor layer, which includes a thin film transistor, such as those comprising a base insulating layer and the upper protective insulating layer, various structures of interest.

【0028】このとき、薄膜デバイスに含まれる全ての絶縁層を塗布膜にすることが好ましい。 [0028] In this case, it is preferable that all the insulating layers contained in the thin film device to the coating film. ただし、薄膜トランジスタの特性を確保するのに膜質の条件が厳しいゲート絶縁層は、塗布膜以外の方法で形成しても良い。 However, the quality of the conditions to ensure the characteristics of the thin film transistor strict gate insulating layer may be formed by a method other than the coating film.

【0029】特に本発明の目的であるデバイスコストを低減するには、薄膜デバイスに含まれる2層以上の薄膜が塗布膜にて形成されていることが望ましい。 [0029] Particularly in order to reduce the target device cost is the present invention, it is desirable that the two or more layers of thin film included in the thin film device is formed by a coating film.

【0030】絶縁層は、例えばSi−N結合を有するポリマー(ポリシラザン)を含む液体が塗布されかつ酸素雰囲気にて第1の熱処理がなされて得られるSiO 2の塗布膜にて形成することができる。 The insulating layer can be a liquid containing a polymer (polysilazane) having, for example, Si-N bond is formed in the first heat treatment is made in the resulting SiO 2 coating film at the coating and oxygen atmosphere . 上記の組成で示されるポリシラザンは、クラック耐性が高く、耐酸素プラズマ性があり、単層でもある程度の膜厚の絶縁層として使用できる。 Polysilazane represented by the above composition has a high cracking resistance, there is resistance to oxygen plasma, can be used as some degree of thickness of the insulating layer be a single layer.

【0031】この絶縁層は、第1の熱処理後に該第1の熱処理よりも高温にて第2の熱処理がなされて、前記第1の熱処理後よりもその界面が清浄にされていることが好ましい。 [0031] The insulating layer is a second heat treatment at a temperature higher than the heat treatment of the first is performed after the first heat treatment, it is preferable that the interface thereof than after the first heat treatment is cleaned . この第2の熱処理を、レーザアニールまたはランプアニールにより、高温短時間にて実施することができる。 The second heat treatment, by laser annealing or lamp annealing can be performed in a short time high temperature.

【0032】半導体層は、シリコン粒子を含む液体が塗布されかつ第1の熱処理がなされたシリコン塗布膜中に、不純物が含有されて構成される。 The semiconductor layer is a silicon coating film which liquid is applied and the first heat treatment was made containing silicon particles, impurities are contained configured.

【0033】この半導体層も、第1の熱処理後に該第1 [0033] The semiconductor layer is also the first after the first heat treatment
の熱処理よりも高温にて第2の熱処理がなされて、前記第1の熱処理後よりもその結晶性が向上されていることが好ましい。 A second heat treatment is performed at a temperature higher than the heat treatment, it is preferable that the crystallinity is improved than after the first heat treatment. この第2の熱処理も、レーザアニールまたはランプアニールにより、高温短時間にて実施することができる。 The second heat treatment also, the laser annealing or lamp annealing can be performed in a short time high temperature.

【0034】半導体層は、有機半導体膜を用いることでも塗布形成することが可能となる。 The semiconductor layer, it is possible to also applied and formed by using the organic semiconductor film.

【0035】シリコン塗布膜中に不純物を拡散させる方法として、シリコン塗布膜上に、不純物含有層を塗布形成する工程と、不純物含有層を加熱して、前記不純物を前記シリコン塗布膜中に拡散させる工程と、を含むことが好ましい。 [0035] As a method for diffusing impurities into the silicon coating film, on a silicone-coated film, a step of applying an impurity-containing layer, by heating the impurity-containing layer, to diffuse the impurity in the silicon coating film preferably includes a step.

【0036】従来、ソース・ドレイン領域となる高濃度不純物領域はCVD装置により不純物ドープのシリコン膜で形成する方法や、イオン打ち込み法やイオンドーピング法により不純物を導入する方法が用いられていたが、本発明では液体を塗布し焼成することにより不純物を含有する薄膜を形成し、該薄膜をランプアニールやレーザアニールなどの高温短時間の熱処理をして高濃度不純物領域を形成することによりソース・ドレイン領域を形成する。 [0036] Conventionally, the high concentration impurity regions serving as source and drain regions and a method for forming a silicon film doped by the CVD apparatus, a method of introducing an impurity has been used by an ion implantation method or an ion doping method, in the present invention forms a thin film containing impurities by firing by applying a liquid source and drain by a thin film by a high-temperature short-time heat treatment, such as lamp annealing or laser annealing to form high concentration impurity regions to form a region. イオン打ち込み装置やイオンドーピング装置は基本的に真空装置であると同時にプラズマの生成、イオンの引き出し、イオンの質量分析(イオン打ち込み装置の場合)、イオンの加速、イオンの集束、イオンの走査など極めて複雑な機構が必要であり、不純物を含有する薄膜を塗布して熱処理をする装置に比較して装置価格の差は歴然としている。 Ion implantation apparatus or an ion doping apparatus generates at the same time the plasma when basically the vacuum device, drawer ions (for the ion implanter) mass spectrometry of ions, ion acceleration, focusing of ions, such as scanning of the ion very complicated mechanism is required, the difference between the device price compared to a device for heat treatment by applying a thin film containing impurities are evident.

【0037】導電層は、2つの形成方法があり、その一つは金属薄膜を形成する方法であり、他の一つは透明導電薄膜を形成する方法である。 [0037] The conductive layer has two forming methods, one is a method of forming a metal thin film, the other one is a method of forming a transparent conductive thin film.

【0038】導電層として金属薄膜を形成するには、導電性粒子を含む液体が塗布された後に、第1の熱処理により液体成分を蒸発させ、これにより導電性塗布膜を形成できる。 [0038] To form the metal thin film as a conductive layer, after the liquid containing conductive particles is applied, the liquid component is evaporated by the first heat treatment, thereby forming a conductive coating film.

【0039】この導電層も、第1の熱処理後に該第1の熱処理よりも高温にて第2の熱処理がなされて、前記第1の熱処理後よりも低抵抗にされていることが好ましい。 [0039] The conductive layer may, than the first heat treatment after the first heat treatment the second heat treatment is performed at a high temperature, which is preferably a lower resistance than after the first heat treatment. この第2の熱処理も、レーザアニールまたはランプアニールにより、高温短時間にて実施することができる。 The second heat treatment also, the laser annealing or lamp annealing can be performed in a short time high temperature.

【0040】導電層として透明導電薄膜を形成する方法としては、塗布面を酸素雰囲気もしくは非還元性雰囲気にて熱処理する第1熱処理工程と、塗布面を水素雰囲気もしくは還元性雰囲気にて熱処理する第2熱処理工程と、を有することが好ましい。 [0040] As a method for forming a transparent conductive thin film as a conductive layer, a first heat treatment step of heat-treating the coated surface in an oxygen atmosphere or a non-reducing atmosphere, the heat treatment of the coated surface under a hydrogen atmosphere or a reducing atmosphere it is preferred to have the 2 heat treatment step.

【0041】導電層として透明電極を形成する場合には、塗布液として例えばインジウムとスズを含む有機酸が用いられる。 [0041] When forming a transparent electrode as the conductive layer, an organic acid including, for example, indium and tin as a coating solution is used. この場合、好ましくは塗布後に粘度制御用に用いられた溶剤を蒸発(例えば100℃程度の温度で)させた後に、上述の第1,第2の熱処理が実施される。 In this case, preferably after evaporation of the solvent used for viscosity control after application (for example of the order of 100 ° C. temperature), first described above, the second heat treatment is performed. 第1の熱処理でインジウム酸化物およびスズ酸化物が形成され、第2の熱処理は水素雰囲気もしくは還元性雰囲気にて還元処理を行う。 Indium oxide and tin oxide is formed by the first heat treatment, the second heat treatment is subjected to reduction treatment under a hydrogen atmosphere or a reducing atmosphere.

【0042】ここで、第2熱処理工程での熱処理温度を、第1熱処理工程での熱処理温度よりも低く設定することが好ましい。 [0042] Here, the heat treatment temperature in the second heat treatment step, it is preferable to set lower than the heat treatment temperature in the first heat treatment step. このようにすると、第1熱処理工程を経た透明導電性塗布膜が、第2熱処理工程にて熱劣化することを防止できる。 In this way, a transparent conductive coating film after the first heat treatment step can be prevented from thermal deterioration in the second heat treatment step.

【0043】第2熱処理工程後に、前記基板の温度が2 [0043] After the second heat treatment step, the temperature of the substrate 2
00℃以下になるまで、非酸化雰囲気に保持するとよい。 00 ° C. until less or is held in a non-oxidizing atmosphere. こうすると、第2熱処理工程にて還元処理を受けた透明導電性塗布膜が大気中で再酸化することが抑制されるので、透明導電性塗布膜のシート抵抗値が増大しない。 In this way, since the transparent conductive coating film which has received the reduction treatment in the second heat treatment step is suppressed to be re-oxidized in the atmosphere, the sheet resistance of the transparent conductive coating film does not increase. 再酸化を確実に防止するには、大気への取り出し時の基板温度を100℃以下とすると良い。 To prevent re-oxidation reliably, the substrate temperature during extraction into the atmosphere may be set to be 100 ° C. or less. 特に、塗布I In particular, the application I
TO膜の比抵抗は膜中の酸素欠陥が多いほど低くなるので、大気中の酸素によって透明導電性塗布膜に再酸化が起きると比抵抗が増大するからである。 Since the specific resistance of the TO film becomes lower as the oxygen defects in the film is large, because the specific resistance increases when the re-oxidation occurs in an oxygen transparent conductive coating film by atmospheric.

【0044】この透明導電性塗布膜を形成するには、インジウム(In)及びスズ(Sn)を含む塗布液が前記基板上に塗布される。 [0044] To form the transparent conductive coating film, a coating solution containing indium (In) and tin (Sn) is applied onto the substrate. この塗布膜は第1熱処理にて酸化されてITO膜になる。 The coating film is an ITO film is oxidized in the first heat treatment. この塗布ITO膜を用いれば、 Using this coating ITO film,
導電層を透明電極としても利用できる。 The conductive layer can be used as a transparent electrode.

【0045】塗布ITO膜表面に金属メッキがなされると、透明電極以外の導電層として利用でき、しかも金属メッキによりコンタクト抵抗を下げることができる。 [0045] When the metal plating is made on the coated ITO film surface can be used as a conductive layer other than the transparent electrode, moreover it is possible to reduce the contact resistance by metal plating.

【0046】このコンタクト抵抗を下げるためには、塗布ITOのコンタクト面に、スパッタにより形成された導電性スパッタ膜をさらに設けると良い。 [0046] In order to reduce the contact resistance, the contact surface of the coating ITO, may further include a conductive sputtering film formed by sputtering.

【0047】薄膜デバイスとしては、薄膜トランジスタを画素スイッチング素子するアクティブマトリクス基板を挙げることができる。 [0047] As the thin film device may include an active matrix substrate pixel switching element TFT. この場合、画素電極を導電性塗布膜にて形成することが好ましい。 In this case, it is preferable to form the pixel electrodes with a conductive coating film. この画素電極が形成される面は通常段差があるが、導電性塗布膜にて画素電極を形成すると、導電性塗布膜の表面はほぼ平坦になるからである。 Although the surface of the pixel electrode is formed is usually a step, when forming the pixel electrode with a conductive coating film, the surface of the conductive coating film is because becomes almost flat. このため、ラビングが良好に実施され、リバースチルドドメインの発生を防止できる。 Therefore, rubbing is satisfactorily carried out, it is possible to prevent occurrence of a reverse chilled domain.

【0048】画素電極に用いられる導電性塗布膜としては、塗布ITO膜が好ましい。 [0048] As the conductive coating film used for the pixel electrode, coating the ITO film is preferable. 塗布ITOは透明電極となり、透過型液晶表示装置のアクティブマトリクス基板を製造するのに適している。 Coating ITO becomes transparent electrode is suitable for producing an active matrix substrate of the transmission type liquid crystal display device.

【0049】また本発明は、このアクティブマトリクス基板を用いた液晶表示装置、あるいは転写された薄膜デバイスを含む電子機器に適用することができる。 [0049] The present invention can be applied to an electronic apparatus including the liquid crystal display device or the transferred thin film device, using the active matrix substrate.

【0050】 [0050]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, a description with reference to the drawings, embodiments of the present invention.

【0051】(第1の実施の形態)図1〜図9は本発明の第1の実施の形態(薄膜デバイスの転写方法)を説明するための図である。 [0051] (First Embodiment) FIGS. 1-9 is a diagram for explaining the first embodiment (method of transferring a thin film device) of the present invention. なお、第1の実施の形態は、薄膜デバイス層から構成される被転写層を2度転写して転写体に転写する方法に関するが、1度転写により転写体に転写するたげでもよい。 The first embodiment is directed to a method of transferring the transfer member to be transferred layer composed of a thin film device layer twice transferred and may be Tage be transferred onto the transfer member by a time transfer. また、各膜の成膜法のうち、液相プロセスについては、膜の種類毎に分けて後に整理して説明する。 Further, among the film forming method of each layer, the liquid phase process will be described with organized after separately for each type of film.

【0052】[工程1]図1に示すように、基板100上に第1分離層(光吸収層)120を形成する。 [0052] [Step 1] As shown in FIG. 1, a first separation layer (light absorbing layer) 120 on the substrate 100. なお、一度転写の場合には、第1分離層120が分離層が唯一の分離層として機能する。 Incidentally, once the case of transfer, the first separation layer 120 functions as the sole separating layer separating layer.

【0053】以下、基板100および第1分離層120 [0053] Hereinafter, the substrate 100 and the first separation layer 120
について説明する。 It will be described.

【0054】基板100についての説明 基板100は、光が透過し得る透光性を有するものであるのが好ましい。 [0054] Description substrate 100 of the substrate 100 is preferably one having translucency which light can transmit.

【0055】この場合、光の透過率は10%以上であるのが好ましく、50%以上であるのがより好ましい。 [0055] In this case, the transmittance of light and even preferably 10% or more, more preferably 50% or more. この透過率が低過ぎると、光の減衰(ロス)が大きくなり、第1分離層120を剥離するのにより大きな光量を必要とする。 If the transmittance is too low, attenuation of light (loss) increases, requiring a large amount of light by peeling off the first separation layer 120.

【0056】また、基板100は、信頼性の高い材料で構成されているのが好ましい。 [0056] The substrate 100 is preferably composed a reliable material. この基板100上に形成される被転写層140を構成する全ての膜が液相プロセスにて実施される場合には、耐熱性も必要とされない。 If all films constituting the transferred layer 140 formed on the substrate 100 is carried out in a liquid phase process it is not required heat resistance.

【0057】ただし、基板100は、被転写層140の形成の際の最高温度をTmaxとしたとき、歪点がTmax以上の材料で構成されているのものが好ましい。 [0057] However, the substrate 100, when the maximum temperature during the formation of the transferred layer 140 was Tmax, that of strain point is composed of more than one material Tmax is preferred. 被転写層140の一部の膜を液層プロセス以外の比較的高温プロセスにて形成する場合には、基板100の構成材料は、 When forming a portion of the membrane of the transfer layer 140 at a relatively high temperature processes other than the liquid layer process, the material of the substrate 100,
歪点が350℃以上のものが好ましく、500℃以上のものがより好ましい。 Strain point thereof is preferably more than 350 ° C., and more preferably not less than 500 ° C.. このようなものとしては、例えば、石英ガラス、コーニング7059、日本電気ガラスOA−2等の耐熱性ガラスが挙げられる。 These include, for example, quartz glass, Corning 7059, and a heat-resistant glass NEC such as glass OA-2.

【0058】また、基板100の厚さは、特に限定されないが、通常は、0.1〜5.0mm程度であるのが好ましく、0.5〜1.5mm程度であるのがより好ましい。 [0058] The thickness of the substrate 100 is not particularly limited, usually, is preferably about 0.1 to 5.0 mm, more preferably about 0.5 to 1.5 mm.
基板100の厚さが薄すぎると強度の低下を招き、厚すぎると、基板100の透過率が低い場合に、光の減衰を生じ易くなる。 If the thickness of the substrate 100 is too thin cause a decrease in strength, is too thick, when the transmittance of the substrate 100 is low, easily occurs attenuation of light. なお、基板100の光の透過率が高い場合には、その厚さは、前記上限値を超えるものであってもよい。 Note that when the light transmittance of the substrate 100 is high, the thickness may be in excess of the upper limit. なお、光を均一に照射できるように、基板10 In addition, as the light can be uniformly irradiated, the substrate 10
0の厚さは、均一であるのが好ましい。 The thickness of 0 is preferably uniform.

【0059】第1分離層120の説明 第1分離層120は、物理的作用(光、熱など)、化学的作用(薬液との化学反応など)あるいは機械的作用(引っ張り力、振動)のいずれか一つあるいは悪数の作用を受けることで、その結合力が減少されあるいは消滅され、それによりこの第1分離層120を介して基板1 [0059] The first separating layer 120 described in the first separation layer 120, physical action (light, heat, etc.), any chemical action or mechanical action (chemical reaction such as a chemical) (tensile force, vibration) or one or by receiving the action of the evil number, its binding force is reduced or is eliminated, whereby the substrate 1 through the first separation layer 120
00の分離を促すものである。 00 is intended to facilitate the separation.

【0060】この第1分離層120として例えば、照射される光を吸収し、その層内および/または界面において剥離(以下、「層内剥離」、「界面剥離」と言う)を生じるような性質を有するものであり、好ましくは、光の照射により、第1分離層120を構成する物質の原子間または分子間の結合力が消失または減少すること、すなわち、アブレーションが生じて層内剥離および/または界面剥離に至るものがよい。 [0060] For example in this first separation layer 120 absorbs the irradiation light, the peeling in the layer in and / or interfacial properties such as occurs (hereinafter "intralayer delamination", referred to as "interfacial peeling") are those having, preferably, by irradiation of light, the bonding force between atoms or molecules of the material constituting the first separation layer 120 is lost or reduced, namely, the intralayer and ablation occurs peeling and / or it is what leads to interfacial peeling.

【0061】さらに、光の照射により、第1分離層12 [0061] Further, by irradiation of light, the first separation layer 12
0から気体が放出され、分離効果が発現される場合もある。 0 gas is released from, in some cases separation effect is expressed. すなわち、第1分離層120に含有されていた成分が気体となって放出される場合と、第1分離層120が光を吸収して一瞬気体になり、その蒸気が放出され、分離に寄与する場合とがある。 That is, a case where components contained in the first separation layer 120 is released as a gas, the first separating layer 120 is momentarily absorbs light gas, the vapor is released to contribute to separation If there is a. このような第1分離層12 The first separation layer 12
0の組成としては、例えば、次のA〜Eに記載されるものが挙げられる。 The composition of 0, for example, those described in the following A-E.

【0062】A. [0062] A. アモルファスシリコン(a−Si) このアモルファスシリコン中には、水素(H)が含有されていてもよい。 The amorphous silicon (a-Si) This amorphous silicon, hydrogen (H) may be contained. この場合、Hの含有量は、2原子%以上程度であるのが好ましく、2〜20原子%程度であるのがより好ましい。 In this case, the content of H is preferably of the order 2 atomic% or more, more preferably about 2 to 20 atomic%. このように、水素(H)が所定量含有されていると、光の照射によって水素が放出され、第1分離層120に内圧が発生し、それが上下の薄膜を剥離する力となる。 Thus, the hydrogen (H) are predetermined amount of hydrogen is released by light irradiation, the first pressure in the separation layer 120 occurs, and it is peeled off the upper and lower thin film force. アモルファスシリコン中の水素(H) Hydrogen in amorphous silicon (H)
の含有量は、成膜条件、例えばCVDにおけるガス組成、ガス圧、ガス雰囲気、ガス流量、温度、基板温度、 The content of the deposition conditions, for example, gas in the CVD composition, gas pressure, gas atmosphere, gas flow rate, temperature, substrate temperature,
投入パワー等の条件を適宜設定することにより調整することができる。 It can be adjusted by setting the conditions such as input power as appropriate.

【0063】B. [0063] B. 酸化ケイ素又はケイ酸化合物、酸化チタンまたはチタン酸化合物、酸化ジルコニウムまたはジルコン酸化合物、酸化ランタンまたはランタン酸化化合物等の各種酸化物セラミックス、透電体(強誘電体)あるいは半導体 酸化ケイ素としては、SiO、SiO 2 、Si 32が挙げられ、ケイ酸化合物としては、例えばK 2 SiO 3 、L Silicon oxide or silicic acid compound, titanium oxide or titanate compound, zirconium oxide or zirconate compound, various oxide ceramics such as lanthanum oxide or lanthanum oxide compound, Torudentai (ferroelectric) or as a semiconductor silicon oxide, SiO , SiO 2, Si 3 O 2, and examples of silicate compounds, e.g., K 2 SiO 3, L
2 SiO 3 、CaSiO 3 、ZrSiO 4 、Na 2 SiO 3 i 2 SiO 3, CaSiO 3, ZrSiO 4, Na 2 SiO 3
が挙げられる。 And the like.

【0064】酸化チタンとしては、TiO、Ti 23 [0064] As the titanium oxide, TiO, Ti 2 0 3,
Ti0 2が挙げられ、チタン酸化合物としては、例えば、BaTi0 4 、BaTiO 3 、Ba 2 Ti 920 、Ba Ti0 2, and examples of titanate compounds, for example, BaTi0 4, BaTiO 3, Ba 2 Ti 9 O 20, Ba
Ti 511 、CaTiO 3 、SrTiO 3 、PbTiO 3 Ti 5 O 11, CaTiO 3, SrTiO 3, PbTiO 3,
MgTiO 3 、ZrTiO 2 、SnTiO 4 、Al 2 TiO MgTiO 3, ZrTiO 2, SnTiO 4 , Al 2 TiO
5 、FeTiO 3が挙げられる。 5, FeTiO 3, and the like.

【0065】酸化ジルコニウムとしては、ZrO 2が挙げられ、ジルコン酸化合物としては、例えばBaZrO [0065] The zirconium oxide, ZrO 2, and examples of zirconate compound, such as BaZrO
3 、ZrSiO 4 、PbZrO 3 、MgZrO 3 、K 2 Zr 3, ZrSiO 4, PbZrO 3, MgZrO 3, K 2 Zr
3が挙げられる。 O 3, and the like.

【0066】C. [0066] C. PZT、PLZT、PLLZT、PB PZT, PLZT, PLLZT, PB
ZT等のセラミックスあるいは誘電体(強誘電体) D. Ceramic or a dielectric such as ZT (ferroelectric) D. 窒化珪素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化物セラミックス E. Silicon nitride, aluminum nitride, nitrides such as titanium nitride ceramics E. 有機高分子材料 有機高分子材料としては、−CH−、−CO−(ケトン)、−CONH−(アミド)、−NH−(イミド)、 As the organic polymer material organic polymeric materials, -CH -, - CO- (ketone), - CONH- (amide), - NH- (imide),
−COO−(エステル)、−N=N−(アゾ)、ーCH -COO- (ester), - N = N- (azo), over CH
=N−(シフ)等の結合(光の照射によりこれらの結合が切断される)を有するもの、特に、これらの結合を多く有するものであればいかなるものでもよい。 = Those with N- (Schiff) bond such as (these bonds are cleaved by irradiation of light), in particular, may be any as long as it has many of these bonds. また、有機高分子材料は、構成式中に芳香族炭化水素(1または2以上のベンゼン環またはその縮合環)を有するものであってもよい。 The organic polymeric material may have aromatic hydrocarbon (one or more benzene rings or condensed rings) during configuration type.

【0067】このような有機高分子材料の具体例としては、ポリエチレン,ポリプロピレンのようなポリオレフィン,ポリイミド,ポリアミド,ポリエステル,ポリメチルメタクリレート(PMMA),ポリフェニレンサルファイド(PPS),ポリエーテルスルホン(PE [0067] Specific examples of such organic polymeric materials include polyethylene, polyolefin such as polypropylene, polyimide, polyamide, polyester, polymethylmethacrylate (PMMA), polyphenylene sulfide (PPS), polyether sulfone (PE
S),エポキシ樹脂等があげられる。 S), an epoxy resin and the like.

【0068】F. [0068] F. 金属 金属としては、例えば、Al,Li,Ti,Mn,I The metal metal, for example, Al, Li, Ti, Mn, I
n,Sn,Y,La,Ce,Nd,Pr,Gd,Smまたはこれらのうちの少なくとも1種を含む合金が挙げられる。 n, Sn, Y, La, Ce, Nd, Pr, Gd, include alloys containing Sm or at least one of these.

【0069】また、第1分離層120の厚さは、剥離目的や第1分離層120の組成、層構成、形成方法等の諸条件により異なるが、通常は、1nm〜20μm程度であるのが好ましく、10nm〜2μm程度であるのがより好ましく、40nm〜1μm程度であるのがさらに好ましい。 [0069] The thickness of the first separation layer 120, the composition of the peeling object and the first separation layer 120, the layer configuration may vary depending on various conditions such as forming method, usually, and even about 1nm~20μm preferably, more preferably about 10Nm~2myuemu, even more preferably about 40Nm~1myuemu. 第1分離層120の膜厚が小さすぎると、成膜の均一性が損なわれ、剥離にムラが生じることがあり、 When the thickness of the first separation layer 120 is too small, the uniformity of the film formation is impaired, may uneven peeling occurs,
また、膜厚が厚すぎると、第1分離層120の良好な剥離性を確保するために、光のパワー(光量)を大きくする必要があるとともに、後に第1分離層120を除去する際に、その作業に時間がかかる。 Further, the film thickness is too thick, in order to ensure good release of the first separation layer 120, together with the need to increase the light power (light intensity), in removing the first separation layer 120 after , it takes a long time to the work. なお、第1分離層1 The first separation layer 1
20の膜厚は、できるだけ均一であるのが好ましい。 The film thickness of 20 is preferably as uniform as possible.

【0070】第1分離層120の形成方法は、特に限定されず、膜組成や膜厚等の諸条件に応じて適宜選択される。 [0070] method of forming the first separation layer 120 is not particularly limited and is appropriately selected depending on conditions such as the film composition and film thickness. たとえば、CVD(MOCVD、低圧CVD、EC For example, CVD (MOCVD, low pressure CVD, EC
R−CVDを含む)、蒸着、分子線蒸着(MB)、スパッタリング、イオンプレーティング、PVD等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッキ(ディッピング)、 Including R-CVD), vapor deposition, molecular beam deposition (MB), sputtering, ion plating, various vapor phase film forming method such as PVD, electroplating, immersion plating (dipping),
無電解メッキ等の各種メッキ法、ラングミュア・プロジェット(LB)法、スピンコート、スプレーコート、ロールコート等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジェット法等が挙げられ、これらのうちの2以上を組み合わせて形成することもできる。 Various plating methods such as electroless plating, Langmuir-Blodgett (LB) method, spin coating, spray coating, a coating method such as roll coating, various printing methods, transfer methods, ink jet method, powder jet method, etc. These It can be formed by combining two or more of. なお、 It should be noted that,
液相プロセスについては後述する。 It will be described later liquid phase process.

【0071】例えば、第1分離層120の組成がアモルファスシリコン(a−Si)の場合には、CVD、特に低圧CVDやプラズマCVDにより成膜することができる。 [0071] For example, when the composition of the first isolation layer 120 is an amorphous silicon (a-Si), CVD, can be particularly formed by low pressure CVD or plasma CVD.

【0072】[工程2]次に、図2に示すように、第1分離層120上に、被転写層(薄膜デバイス層)140を形成する。 [0072] [Step 2] Next, as shown in FIG. 2, on the first separation layer 120, forming the transferred layer (thin film device layer) 140.

【0073】この薄膜デバイス層140のK部分(図2 [0073] K portion of the thin film device layer 140 (FIG. 2
において1点線鎖線で囲んで示される部分)の拡大断面図を、図2の右側に示す。 An enlarged cross-sectional view of a portion) shown enclosed by 1 dotted chain line in, shown on the right side of FIG. 図示されるように、薄膜デバイス層140は、例えば、SiO 2膜(中間層)142 As shown, the thin film device layer 140, for example, SiO 2 film (intermediate layer) 142
上に形成されたTFT(薄膜トランジスタ)を含んで構成され、このTFTは、ポリシリコン層にn型不純物を導入して形成されたソース,ドレイン層146と、チャネル層144と、ゲート絶縁膜148と、ゲート電極1 Is configured to include a TFT (thin film transistor) formed on the upper, this TFT has a source formed by introducing n-type impurities into the polysilicon layer, a drain layer 146, a channel layer 144, a gate insulating film 148 , the gate electrode 1
50と、層間絶縁膜154と、例えばアルミニュウムからなる電極152とを具備する。 50, includes an interlayer insulating film 154, for example, an electrode 152 made of aluminum.

【0074】本実施の形態では、第1分離層120に接して設けられる中間層としてSi0 2膜を使用しているが、Si 34などのその他の絶縁膜を使用することもできる。 [0074] In this embodiment, the use of the Si0 2 film as an intermediate layer provided in contact with the first separation layer 120, it is also possible to use other insulating film such as Si 3 N 4. Si0 2膜(中間層)の厚みは、その形成目的や発揮し得る機能の程度に応じて適宜決定されるが、通常は、10nm〜5μm程度であるのが好ましく、40nm〜 Si0 thickness of 2 film (intermediate layer) is appropriately determined in accordance with the degree of its formation purpose and exhibit and can function normally is preferably in the range of about 10 nm to 5 [mu] m, 40 nm to
1μm程度であるのがより好ましい。 And more preferably in the range of about 1 [mu] m. 中間層は、種々の目的で形成され、例えば、被転写層140を物理的または化学的に保護する保護層,絶縁層,導電層,レーザー光の遮光層,マイグレーション防止用のバリア層,反射層としての機能の内の少なくとも1つを発揮するものが挙げられる。 Intermediate layer is formed for various purposes, for example, a protective layer for protecting the transferred layer 140 physically or chemically, insulating layer, conductive layer, the light-shielding layer of the laser light, a barrier layer for preventing migration, the reflective layer which exhibits at least one of the functions as and the like.

【0075】なお、場合によっては、Si0 2膜等の中間層を形成せず、第1分離層120上に直接被転写層(薄膜デバイス層)140を形成してもよい。 [0075] In some cases, Si0 without forming an intermediate layer of 2 film or the like, the transfer layer directly on the first separation layer 120 (thin film device layer) 140 may be formed.

【0076】被転写層140(薄膜デバイス層)は、図2の右側に示されるようなTFT等の薄膜デバイスを含む層である。 [0076] the transfer layer 140 (thin film device layer) is a layer including a thin film device such as TFT, as shown on the right side of FIG. 2.

【0077】薄膜デバイスとしては、TFTの他に、例えば、薄膜ダイオードや、シリコンのPIN接合からなる光電変換素子(光センサ、太陽電池)やシリコン抵抗素子、その他の薄膜半導体デバイス、電極(例:IT [0077] As the thin film device, in addition to the TFT, for example, a thin film diode or a photoelectric conversion element comprising a PIN junction of silicon (photosensors, solar cells), silicon resistor element, other thin film semiconductor devices, electrodes (e.g. IT
O、メサ膜のような透明電極)、スイッチング素子、メモリー、圧電素子等のアクチュエータ、マイクロミラー(ピエゾ薄膜セラミックス)、磁気記録薄膜ヘッド、コイル、インダクター、薄膜高透磁材料およびそれらを組み合わせたマイクロ磁気デバイス、フィルター、反射膜、ダイクロイックミラー等がある。 O, the transparent electrode), a switching element such as a mesa film, memory, actuators such as a piezoelectric element, a micro mirror (piezo thin film ceramics), magnetic recording thin film head, coils, inductors, thin film high 磁材 fees and micro combinations thereof magnetic devices, filters, reflective film, there is a dichroic mirror or the like. 上記の例示に限らず、本発明の趣旨に反しない種々の薄膜デバイスに適用できる。 Not limited to the above examples, it can be applied to a variety of thin film devices that do not depart from the scope of the present invention.

【0078】このような薄膜デバイスは、その形成方法との関係で、通常、比較的高いプロセス温度を経て形成される。 [0078] Such thin film devices, in relation to its forming method, normally, is formed at a relatively high process temperatures. したがって、この場合、前述したように、基板100としては、そのプロセス温度に耐え得る信頼性の高いものが必要となる。 Therefore, in this case, as described above, as the substrate 100, it is necessary to have high endure reliability to the process temperature.

【0079】[工程3]次に、図3に示すように、薄膜デバイス層140上に、第2分離層として例えば熱溶融性接着層160を形成する。 [0079] [Step 3] Then, as shown in FIG. 3, on the thin film device layer 140, to form a hot-melt adhesive layer 160, for example, as a second separation layer. なお、第2分離層は、第1分離層と同様にアブレーション層で構成することもできる。 Incidentally, the second separation layer may be composed of a ablation layer as in the first separation layer. また、一度転写の場合には、この第2分離層は不要である。 Also, once in the case of transfer, the second separation layer is not required.

【0080】この熱溶融性接着層160として、薄膜デバイスへの不純物(ナトリウム、カリウムなど)汚染の虞が少ない、例えばプルーフワックス(商品名)などのエレクトロンワックスを挙げることができる。 [0080] As the hot-melt adhesive layer 160, an impurity (sodium, potassium, etc.) to the thin film device contamination risk is small, for example, can be mentioned electron wax such as proof wax (trade name).

【0081】なお、この種の熱溶融性接着層160は液相プロセスである塗布法、例えばスピンコート法により形成することができる。 [0081] Incidentally, this kind of hot-melt adhesive layer 160 may be formed by a coating method, such as spin coating method which is a liquid phase process.

【0082】第2分離層として、水溶性接着剤を用いることもできる。 [0082] As a second separation layer, it is also possible to use a water-soluble adhesive. この種の水溶性接着剤として、例えばケミテック株式会社製のケミシール U−451D(商品名)、株式会社スリーボンド製のスリーボンド3046 As this type of water-soluble adhesive, for example Chemtech Kemishiru U-451D (trade name) manufactured by Ltd., ThreeBond manufactured by Three Bond Co., Ltd. 3046
(商品名)などを挙げることができる。 (Trade name), and the like.

【0083】このように、第2分離層160は薄膜デバイス層140の形成時には存在しないので、第1分離層120の材質よりも制約は少なく、耐熱性などは要求されない。 [0083] Thus, the second isolation layer 160 does not exist when forming the thin film device layer 140, constraint than the material of the first separation layer 120 is small, no heat resistance is required.

【0084】[工程4]さらに、図3に示すように、第2 [0084] [Step 4] Further, as shown in FIG. 3, the second
分離層である例えば熱溶融性接着層160の上に、一次転写体180を接着する。 Over the separation layer, for example, thermal melt adhesive layer 160 to bond the first transfer body 180. この一次転写体180は、薄膜デバイス層140の製造後に接着されるものであるので、薄膜デバイス層140の製造時のプロセス温度などに対する制約はなく、常温時に保型性さえあればよい。 The first transfer body 180, since it is intended to be adhered after production of the thin film device layer 140, constraints on such a process temperature during the manufacture of thin film device layer 140 is not, it is sufficient even shape retention at room temperature.
本実施の形態ではガラス基板、合成樹脂など、比較的安価で保型性のある材料を用いている。 In the present embodiment uses a glass substrate, a synthetic resin, a relatively inexpensive and shape retention resistant material. なお、この一次転写体180としては、詳細を後述する二次転写体200 As the primary transcript 180, will be described in detail later secondary transfer member 200
と同一の材料を用いることができる。 It is possible to use the same material as the. なお、一度転写の場合には、この一次転写体が最終の転写体として機能する。 Incidentally, once in the case of transfer, the primary transfer member serves as a transfer member in the final. この場合、最終転写体180と被転写層140とは例えば適宜の接着層を介して接着される。 In this case, the final transfer body 180 and the transfer layer 140 for example is bonded via an appropriate adhesive layer.

【0085】[工程5]次に、図4に示すように、基板1 [0085] [Step 5] Then, as shown in FIG. 4, the substrate 1
00の裏面側から光を照射する。 Irradiating light from the back side 00.

【0086】この光は、基板100を透過した後に第1 [0086] first after the light is transmitted through the substrate 100
分離層120に照射される。 It is applied to the separation layer 120. これにより、第1分離層1 Thus, the first separation layer 1
20に層内剥離および/または界面剥離が生じ、結合力が減少または消滅する。 20 to cause intralayer delamination and / or interfacial peeling, bonding strength decreases or disappears.

【0087】第1分離層120の層内剥離および/または界面剥離が生じる原理は、第1分離層120の構成材料にアブレーションが生じること、また、第1分離層1 [0087] The principle of the intralayer delamination and / or interfacial separation in the first separation layer 120 occurs, that ablation occurs in the material of the first separation layer 120, also the first separation layer 1
20に含まれているガスの放出、さらには照射直後に生じる溶融、蒸散等の相変化によるものであることが推定される。 The gas contained in the 20 release, more molten occurring immediately after irradiation, it is estimated is by phase change transpiration like.

【0088】ここで、アブレーションとは、照射光を吸収した固定材料(第1分離層120の構成材料)が光化学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出することをいい、主に、 [0088] Here, the ablation fixing material which has absorbed the irradiated light (the material of the first separation layer 120) is photochemically or thermally excited, the binding of the surface or inside of the atoms or molecules are cleaved means that the release Te, mainly,
第1分離層120の構成材料の全部または一部が溶融、 Whole or in part molten constituent material of the first separation layer 120,
蒸散(気化)等の相変化を生じる現象として現れる。 Transpiration appears as phenomenon caused a phase change (vaporization), or the like. また、前記相変化によって微小な発砲状態となり、結合力が低下することもある。 Also, it is very small fire condition by the phase change, sometimes binding force decreases.

【0089】第1分離層120が層内剥離を生じるか、 [0089] or the first separation layer 120 occurs within the stripping layer,
界面剥離を生じるか、またはその両方であるかは、第1 Or causing interfacial peeling, or a either both, first
分離層120の組成や、その他種々の要因に左右され、 Composition and the separation layer 120 is dependent on various other factors,
その要因の1つとして、照射される光の種類、波長、強度、到達深さ等の条件が挙げられる。 One of the factors, the type of light emitted, wavelength, intensity, and a condition such as penetration depth.

【0090】照射する光としては、第1分離層120に層内剥離および/または界面剥離を起こさせるものであればいかなるものでもよく、例えば、X線、紫外線、可視光、赤外線(熱線)、レーザ光、ミリ波、マイクロ波、電子線、放射線(α線、β線、γ線)等が挙げられる。 [0090] As the irradiation light, as long as to cause intralayer delamination and / or interfacial separation in the first separation layer 120 may be any, for example, X-rays, ultraviolet rays, visible light, infrared rays (heat rays), laser light, millimeter waves, microwaves, electron beam, radiation (alpha rays, beta rays, gamma rays) and the like. そのなかでも、第1分離層120の剥離(アブレーション)を生じさせ易いという点で、レーザ光が好ましい。 Among them, in terms of easily causing separation of the first separation layer 120 (ablation), laser light is preferred.

【0091】このレーザ光を発生させるレーザ装置としては、各種気体レーザ、固体レーザ(半導体レーザ)等が挙げられるが、エキシマレーザ、Nd−YAGレーザ、Arレーザ、CO 2レーザ、COレーザ、He−N [0091] The laser device for generating the laser beam, various gas lasers, solid-state laser is (semiconductor laser) and the like, an excimer laser, Nd-YAG laser, Ar laser, CO 2 laser, CO laser, He- N
eレーザ等が好適に用いられ、その中でもエキシマレーザが特に好ましい。 e laser and the like are preferably used, an excimer laser is particularly preferred.

【0092】エキシマレーザは、短波長域で高エネルギーを出力するため、極めて短時間で第1分離層2にアブレーションを生じさせることができ、よって隣接する転写体180や基板100等に温度上昇をほとんど生じさせることなく、すなわち劣化、損傷を生じさせることなく、第1分離層120を剥離することができる。 [0092] Excimer lasers, for outputting high energy in the short wavelength region, it is possible to produce a first ablation in the separation layer 2 within a very short time, thus the temperature rise on the transfer member 180 and the substrate 100, etc., adjacent less likelihood of causing, i.e. degradation, without causing damage, it is possible to peel off the first separation layer 120.

【0093】また、第1分離層120にアブレーションを生じさせるに際して、光の波長依存性がある場合、照射されるレーザ光の波長は、100nm〜350nm程度であるのが好ましい。 [0093] Moreover, when causing ablation in the first separation layer 120, if there is a wavelength dependence of the light, the wavelength of the laser beam irradiated is preferably about 100Nm~350nm.

【0094】図10に、基板100の、光の波長に対する透過率の一例を示す。 [0094] Figure 10 shows the substrate 100, an example of the transmittance to the wavelength of light. 図示されるように、200nm As shown, 200nm
の波長に対して透過率が急峻に増大する特性をもつ。 It has a characteristic in which the transmittance increases steeply with respect to the wavelength. このような場合には、210nm以上の波長の光例えば、 In such a case, the above wavelength 210nm light for example,
Xe−Clエキシマレーザー光(波長308nm)、K Xe-Cl excimer laser light (wavelength 308 nm), K
rFレーザ光(波長248nm)などを照射する。 Including irradiating rF laser beam (wavelength 248 nm).

【0095】また、第1分離層120に、例えばガス放出、気化、昇華等の相変化を起こさせて分離特性を与える場合、照射されるレーザ光の波長は、350から12 [0095] Also, the first isolation layer 120, such as gas release, vaporization, if provide isolation characteristics to cause a phase change of sublimation, the wavelength of the laser beam irradiated from 350 12
00nm程度であるのが好ましい。 A is preferably about 00nm.

【0096】また、照射されるレーザ光のエネルギー密度、特に、エキシマレーザの場合のエネルギー密度は、 [0096] In addition, the energy density of the laser beam irradiated, particularly the energy density in the case of excimer lasers,
10〜5000mJ/cm 2程度とするのが好ましく、 It is preferable to be 10~5000mJ / cm 2 or so,
100〜500mJ/cm 2程度とするのがより好ましい。 It is more preferable to be 100 to 500 mJ / cm 2 or so. また、照射時間は、1〜1000nsec程度とするのが好ましく、10〜100nsec程度とするのがより好ましい。 The irradiation time is preferably about 1~1000Nsec, and more preferably about 10~100Nsec. エネルギー密度が低いかまたは照射時間が短いと、十分なアブレーション等が生じず、また、エネルギー密度が高いかまたは照射時間が長いと、第1分離層120を透過した照射光により被転写層140に悪影響を及ぼすおそれがある。 When either or irradiation time energy density is low is short, sufficient ablation or the like occurs, and if either or irradiation time of high energy density is long, on the transfer layer 140 by irradiation light transmitted through the first separation layer 120 It may be adversely affected.

【0097】なお、第1分離層120を透過した照射光が被転写層140にまで達して悪影響を及ぼす場合の対策としては、例えば、第1分離層(レーザー吸収層)1 [0097] Incidentally, as a countermeasure when the irradiation light transmitted through the first separation layer 120 is adversely affected reaches to the transfer layer 140, for example, the first separation layer (laser absorbing layer) 1
20上にタンタル(Ta)等の金属膜を形成する方法がある。 There is a method of forming a metal film such as tantalum (Ta) on 20. これにより、第1分離層120を透過したレーザー光は、金属膜124の界面で完全に反射され、それよりの上の薄膜デバイスに悪影響を与えない。 Thus, the laser light transmitted through the first separation layer 120 is completely reflected by the interface between the metal film 124 does not adversely affect the thin film device on the higher. あるいは、 Alternatively,
第1分離層120上にシリコン系介在層例えばSiO 2 Silicon on the first separation layer 120 interposed layer such as SiO 2
を介して、シリコン系レーザー吸収層であるアモルファスシリコン層を形成することもできる。 Through, it is also possible to form an amorphous silicon layer is a silicon-based laser absorbing layer. こうすると、第1分離層120を透過した光は、その上のアモルファスシリコン層にて吸収される。 In this way, light transmitted through the first separation layer 120 is absorbed by the amorphous silicon layer thereon. ただしその透過光は、上層のアモルファスシリコン層にて再度アブレーションを生ずるほどの光エネルギーがない。 However the transmitted light, no light energy as to cause again ablation at the upper layer of the amorphous silicon layer. また、金属とは異なり、アモルファスシリコン層上に薄膜デバイス層を形成できるので、既に確立された薄膜形成技術により品質の優れた薄膜デバイス層を形成できる。 Also, unlike metal, it is possible to form a thin film device layer on the amorphous silicon layer can be formed excellent thin film device layer quality by already established thin film forming technique.

【0098】レーザ光に代表される照射光は、その強度が均一となるように照射されるのが好ましい。 [0098] irradiated light typified by laser light is preferably irradiated such that the intensity is uniform. 照射光の照射方向は、第1分離層120に対し垂直な方向に限らず、第1分離層120に対し所定角度傾斜した方向であってもよい。 Irradiation direction of the irradiation light is not limited to a direction perpendicular to the first separation layer 120, relative to the first separation layer 120 may be a direction inclined at a predetermined angle.

【0099】また、第1分離層120の面積が照射光の1回の照射面積より大きい場合には、第1分離層120 [0099] Also, when the area of ​​the first separation layer 120 is greater than one irradiation area of ​​the irradiation light is first separation layer 120
の全領域に対し、複数回に分けて照射光を照射することもできる。 The entire area of ​​the hand, it is also possible to irradiate the illumination light a plurality of times. また、同一箇所に2回以上照射してもよい。 Further, it may be irradiated two or more times at the same place.
また、異なる種類、異なる波長(波長域)の照射光(レーザ光)を同一領域または異なる領域に2回以上照射してもよい。 Also, different types may be irradiated two or more times different irradiation light wavelength (wavelength region) (laser beam) in the same area or different areas.

【0100】次に、図5に示すように、基板100に力を加えて、この基板100を第1分離層120から離脱させる。 Next, as shown in FIG. 5, by applying a force to the substrate 100, thereby leaving the substrate 100 from the first separation layer 120. 図5では図示されないが、この離脱後、基板1 Although not shown in FIG. 5, after the withdrawal, the substrate 1
00上に第1分離層120が付着することもある。 On 00 sometimes first separation layer 120 adheres.

【0101】[工程6]次に、図6に示すように、残存している第1分離層120を、例えば洗浄、エッチング、 [0102] [Step 6] Then, as shown in FIG. 6, the first separation layer 120 remaining, such as washing, etching,
アッシング、研磨等の方法またはこれらを組み合わせた方法により除去する。 Ashing, is removed by a method or a combination of these methods such as polishing. これにより、被転写層(薄膜デバイス層)140が、一次転写体180に転写されたことになる。 Thus, the transferred layer (thin film device layer) 140 is thus transferred to the primary transfer member 180.

【0102】なお、離脱した基板100にも第1分離層120の一部が付着している場合には同様に除去する。 [0102] Incidentally, similarly removed if even leaving the substrate 100 is part of the first separation layer 120 are attached.
なお、基板100が石英ガラスのような高価な材料、希少な材料で構成されている場合等には、基板100は、 Note that expensive material such as a substrate 100 is quartz glass, in such a case that consists of rare material, the substrate 100,
好ましくは再利用(リサイクル)に供される。 Preferably it is subjected to re-use (recycling). すなわち、再利用したい基板100に対し、本発明を適用することができ、有用性が高い。 That is, with respect to the substrate 100 to be reused, it is possible to apply the present invention, highly useful. ここで、一度転写の場合には、本工程が最終工程となり、被転写層140の最終転写体180への転写が終了する。 Here, once in the case of transfer, the present process is the final process, transfer to the final transfer body 180 of the transfer layer 140 is completed.

【0103】[工程7]次に、図7に示すように、薄膜デバイス層140の下面(露出面)に、接着層190を介して、二次転写層200を接着する。 [0103] [Step 7] Then, as shown in FIG. 7, the lower surface of the thin film device layer 140 (exposed surface), through the adhesive layer 190 to bond the secondary transfer layer 200.

【0104】接着層190を構成する接着剤の好適な例としては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤、嫌気硬化型接着剤等の各種硬化型接着剤が挙げられる。 [0104] Preferred examples of the adhesive constituting the adhesive layer 190, the reaction-curing adhesive, thermosetting adhesive, such as an ultraviolet curable adhesive photosetting adhesive, such as an anaerobic curing adhesive various curable adhesive. 接着剤の組成としては、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン系等、いかなるものでもよい。 The composition of the adhesive, e.g., epoxy-based, acrylate-based, silicone-based, etc., may be any. このような接着層190 Such an adhesive layer 190
の形成は、例えば、塗布法によりなされる。 Formation of, for example, be done by a coating method. なお、この接着層190の材料は、一度転写の場合の被転写層14 The material of the adhesive layer 190, once the transfer of the case of the transfer layer 14
0と最終転写層180との接着に使用することができる。 It can be used for adhesion between 0 and the final transfer layer 180.

【0105】前記硬化型接着剤を用いる場合、例えば被転写層(薄膜デバイス層)140の下面に硬化型接着剤を塗布し、さらに二次転写体200を接合した後、硬化型接着剤の特性に応じた硬化方法により前記硬化型接着剤を硬化させて、被転写層(薄膜デバイス層)140と二次転写体200とを接着し、固定する。 [0105] When using the curable adhesive, for example by applying a curable adhesive layer to be transferred to the lower surface of the (thin film device layer) 140, was further bonded to the second transfer body 200, the characteristics of the curable adhesive wherein curing the curable adhesive by curing method corresponding to, adhered to and between 140 the transferred layer (thin film device layer) secondary transfer member 200 is fixed.

【0106】接着剤が光硬化型の場合、好ましくは光透過性の二次転写体200の外側から光を照射する。 [0106] If the adhesive is photocurable, preferably light is irradiated from the outside of the light transmitting secondary transfer member 200. 接着剤としては、薄膜デバイス層に影響を与えにくい紫外線硬化型などの光硬化型接着剤を用いれば、光透過性の一次転写体180側から、あるいは光透過性の一次、二次転写体180,200の両側から光照射しても良い。 As the adhesive, using light curing adhesive agent such as impact given hard ultraviolet curable into thin film device layer, the light transmitting primary transcript 180 side or the light transmitting primary, secondary transfer member 180 it may be irradiated with light from both sides of the 200.

【0107】なお、図示と異なり、二次転写体200側に接着層190を形成し、その上に被転写層(薄膜デバイス層)140を接着してもよい。 [0107] Unlike the illustration, the adhesive layer 190 is formed on the second transfer body 200 side, may be bonded to the transfer layer (thin film device layer) 140 formed thereon. なお、例えば二次転写体200自体が接着機能を有する場合等には、接着層190の形成を省略してもよい。 Incidentally, for example, secondary transfer member 200 itself is like when having an adhesive function may be omitted to form the adhesive layer 190.

【0108】二次転写体200としては、特に限定されないが、基板(板材)、特に透明基板が挙げられる。 [0108] as a secondary transfer member 200 is not particularly limited, a substrate (plate material), and in particular transparent substrates. なお、このような基板は平板であっても、湾曲板であってもよい。 Even such a substrate is a flat plate, or may be a curved plate. また、二次転写体200は、前記基板100 The secondary transfer member 200, the substrate 100
に比べ、耐熱性、耐食性等の特性が劣るものであってもよい。 The comparison may be those heat resistance, characteristics such as corrosion resistance inferior. その理由は、本発明では、基板100側に被転写層(薄膜デバイス層)140を形成し、その後、被転写層(薄膜デバイス層)140を二次転写体200に転写するため、二次転写体200に要求される特性、特に耐熱性は、被転写層(薄膜デバイス層)140の形成の際の温度条件等に依存しないからである。 The reason is that in the present invention, to form a transferred layer (thin film device layer) 140 on the substrate 100 side, then, for transferring the transferred layer (thin film device layer) 140 to the secondary transfer member 200, a secondary transfer characteristics required for the body 200, particularly heat resistance does not depend on the temperature conditions and the like during the formation of the transferred layer (thin film device layer) 140. この点は、一次転写体180についても同様である。 This is also true for the primary transcript 180.

【0109】したがって、被転写層140の形成の際の最高温度をTmaxとしたとき、一次、二次転写体18 [0109] Thus, when the maximum temperature during the formation of the transferred layer 140 was set to Tmax, primary, secondary transfer member 18
0,200の構成材料として、ガラス転移点(Tg)または軟化点がTmax以下のものを用いることができる。 As the material of 0, 200, a glass transition temperature (Tg) or softening point can be used are as follows Tmax.
例えば、一次、二次転写体180,200は、ガラス転移点(Tg)または軟化点が好ましくは800℃以下、 For example, primary, secondary transfer member 180, 200 is a glass transition point (Tg) or softening point less preferably 800 ° C.,
より好ましくは500℃以下、さらに好ましくは320 More preferably at 500 ° C. or less, more preferably 320
℃以下の材料で構成することができる。 ℃ it can be composed of the following materials.

【0110】また、一次、二次転写体180,200の機械的特性としては、ある程度の剛(強度)を有するものが好ましいが、可撓性、弾性を有するものであってもよい。 [0110] The primary, as the mechanical characteristics of the secondary transfer member 180, 200, but preferably has a certain degree of stiffness (strength), flexibility, may have an elasticity.

【0111】このような一次、二次転写体180,20 [0111] Such a primary, secondary transfer member 180,20
0の構成材料としては、各種合成樹脂または各種ガラス材が挙げられ、特に、各種合成樹脂や通常の(低融点の)安価なガラス材が好ましい。 The zero configuration materials include various synthetic resins or various types of glass material, in particular, various synthetic resins and conventional (low melting point) inexpensive glass materials are preferred.

【0112】合成樹脂としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のいずれでもよく、例えば、ポリエチレン、ポロプロピレン、エチレン−プレピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)等のポリオレフィン、 [0112] As the synthetic resin, a thermoplastic resin may be either a thermosetting resin, such as polyethylene, polypropylene, ethylene - Purepiren copolymer, ethylene - vinyl acetate copolymer (EVA) polyolefins such,
環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−(4−メチルベンテン−1)、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体(AS樹脂)、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体(EVOH)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリプチレンテレフタレート(PBT)、プリシクロヘキサンテレフタレート(PCT)等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン(PEK)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリエーテルイミド、ポリアセタール(POM)、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリアリレ Cyclic polyolefin, modified polyolefin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polystyrene, polyamide, polyimide, polyamideimide, polycarbonate, poly - (4-polymethylpentene -1), ionomer, acrylic resins, polymethyl methacrylate, acryl - styrene copolymer polymer (AS resin), butadiene - styrene copolymer, polio copolymers (EVOH), polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (PBT), pre-terephthalate (PCT) polyesters such as, polyethers, polyether ketone (PEK), polyether ether ketone (PEEK), polyetherimide, polyacetal (POM), polyphenylene oxide, modified polyphenylene oxide, polyarylate ト、芳香族ポリエステル(液晶ポリマー)、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、 DOO, aromatic polyester (liquid crystal polymer), polytetrafluoroethylene, polyvinylidene fluoride, other fluorine-based resins, styrene-based,
ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エボキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて(例えば2層以上の積層体として)用いることができる。 Polyolefin, polyvinyl chloride, polyurethane, fluorine rubber, various thermoplastic elastomers such as chlorinated polyethylene, Ebokishi resin, phenol resin, urea resin, melamine resin, unsaturated polyester, silicone resin, polyurethane, etc. or they, the main and co-polymers, blends thereof, include polymer alloy and the like, can be used singly or in combination of two or more of these (e.g., a laminate of two or more layers).

【0113】ガラス材としては、例えば、ケイ酸ガラス(石英ガラス)、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ石灰ガラス、鉛(アルカリ)ガラス、バリウムガラス、ホウケイ酸ガラス等が挙げられる。 [0113] As the glass material, for example, silicate glass (quartz glass), alkali silicate glass, soda lime glass, potash lime glass, lead (alkaline) glass, barium glass, and borosilicate glass, and the like. このうち、ケイ酸ガラス以外のものは、ケイ酸ガラスに比べて融点が低く、また、成形、加工も比較的容易であり、しかも安価であり、好ましい。 Among them, other than silicate glass, low melting point in comparison with silicate glass, also forming, machining is also relatively easy and inexpensive, preferred.

【0114】二次転写体200として合成樹脂で構成されたものを用いる場合には、大型の二次転写体200を一体的に成形することができるとともに、湾曲面や凹凸を有するもの等の複雑な形状であっても容易に製造することができ、また、材料コスト、製造コストも安価であるという種々の利点が享受できる。 [0114] When using those made of synthetic resin as a secondary transfer member 200, along with a large secondary transfer member 200 may be integrally molded, complex or the like having a curved surface or unevenness even a shape can be easily manufactured, and the material cost, various advantages that the manufacturing cost is inexpensive can be enjoyed. したがって、合成樹脂の使用は、大型で安価なデバイス(例えば、液晶ディスプレイ)を製造する上で有利である。 Accordingly, use of a synthetic resin, large and inexpensive devices (e.g., liquid crystal display) which is advantageous in manufacturing.

【0115】なお、二次転写体200は、例えば、液晶セルのように、それ自体独立したデバイスを構成するものや、例えばカラーフィルター、電極層、誘電体層、絶縁層、半導体素子のように、デバイスの一部を構成するものであってもよい。 [0115] Incidentally, the secondary transfer member 200 is, for example, as in the liquid crystal cell, and what constitutes itself independent device, for example a color filter, electrode layer, dielectric layer, an insulating layer, as a semiconductor element , it may constitute a part of the device.

【0116】さらに、一次、二次転写体180,200 [0116] In addition, primary, secondary transfer member 180 and 200
は、金属、セラミックス、石材、木材紙等の物質であってもよいし、ある品物を構成する任意の面上(時計の面上、エアコンの表面上、プリント基板の上等)、さらには壁、柱、天井、窓ガラス等の構造物の表面上であってもよい。 A metal, ceramic, stone, may be a material wood paper or the like, any of the surfaces constituting the certain article (on clock face, air conditioner on the surface, choice of the printed circuit board), and further walls , pillar, ceiling, may be on the surface of the structure such as a window glass.

【0117】[工程8]次に、図8に示すように、第2分離層である熱溶融性接着層160を加熱し、熱溶融させる。 [0117] [Step 8] Then, as shown in FIG. 8, heating the hot-melt adhesive layer 160 is a second isolation layer is thermally melted. この結果、熱溶融性接着層160の接着力が弱まるため、一次転写体180を、薄膜デバイス層140により離脱させることができる。 As a result, since the adhesive force of the heat-fusible adhesive layer 160 is weakened, it is possible to first transfer body 180, is detached by a thin film device layer 140. なお、一次転写体180に付着した熱溶融性接着剤を除去することで、この一次転写体180を繰り返し再利用することができる。 Incidentally, by removing the hot melt adhesive adhering to the primary transfer member 180 can be reused repeatedly the first transfer body 180.

【0118】第2分離層160として上述した水溶性接着剤を用いた場合には、少なくとも第2分離層160を含む領域を純水に浸せばよい。 [0118] When using a water-soluble adhesive described above as the second separation layer 160 may be Hitase a region including at least a second isolation layer 160 in pure water.

【0119】[工程9]最後に、薄膜デバイス層140の表面に付着した第2分離層160を除去することで、図9に示すように、二次転写体200に転写された薄膜デバイス層140を得ることができる。 [0119] to [Step 9] Finally, by removing the second isolation layer 160 adhering to the surface of the thin film device layer 140, as shown in FIG. 9, has been thin film device layer 140 transferred to the secondary transfer member 200 it is possible to obtain. ここで、この二次転写体200に対する薄膜デバイス層140の積層関係は、図2に示すように当初の基板100に対する薄膜デバイス層140の積層関係と同じとなる。 Here, stacked relationship of the thin film device layer 140 for the second transfer body 200 is the same as the stacked relationship of the thin film device layer 140 for the initial substrate 100 as shown in FIG.

【0120】以上のような各工程を経て、被転写層(薄膜デバイス層)140の二次転写体200への転写が完了する。 [0120] Through the steps described above, the transfer to the secondary transfer member 200 of the transfer layer (thin film device layer) 140 is completed. その後、被転写層(薄膜デバイス層)140に隣接するSiO 2膜の除去や、被転写層140上への配線等の導電層や所望の保護膜の形成等を行うこともできる。 Then, it is also possible to carry out formation or the like of the SiO 2 film is removed and the conductive layer and the desired protective film such as wiring into the transferred layer 140 on adjacent 140 the transferred layer (thin film device layer).

【0121】本発明では、被剥離物である被転写層(薄膜デバイス層)140自体を直接に剥離するのではなく、第1分離層120及び第2分離層160において分離して二次転写体200に転写するため、被分離物(被転写層140)の特性、条件等にかかわらず、容易かつ確実に、しかも均一に転写することができ、分離操作に伴う被分離物(被転写層140)へのダメージもなく、 [0121] In the present invention, the transferred layer (thin film device layer) is peeled product rather than peeling directly 140 itself separates the first separation layer 120 and the second isolation layer 160 second transfer member for transferring the 200, characteristics of the isolate (the transferred layer 140), regardless of the conditions, etc., easily and reliably, yet can be uniformly transferred, the isolate accompanying separation (the transfer layer 140 ) without any damage to,
被転写層140の高い信頼性を維持することができる。 It is possible to maintain high reliability of the transfer layer 140.

【0122】次に、図2〜図9の具体的な製造プロセスの例を図11〜図21を用いて説明する。 [0122] will be described with reference to FIGS. 11 to 21 is an example of a specific manufacturing process of FIGS. 2-9.

【0123】(工程1)図11に示すように、基板(例えば石英基板)100上に、第1分離層(例えば、LP [0123] (Step 1) As shown in FIG. 11, the substrate (e.g., quartz substrate) 100 on the first separation layer (e.g., LP
CVD法により形成されたアモルファスシリコン層)) Amorphous silicon layer formed by a CVD method))
120と、中間層(例えば、SiO 2膜)142と、アモルファスシリコン層(例えばLPCVD法により形成される)143とを順次に積層形成し、続いて、アモルファスシリコン層143の全面に上方からレーザー光を照射し、アニールを施す。 120, an intermediate layer (eg, SiO 2 film) 142, an amorphous silicon layer (e.g., formed by the LPCVD method) and 143 sequentially laminated, followed by the laser light from above on the entire surface of the amorphous silicon layer 143 irradiated with, annealing. これにより、アモルファスシリコン層143は再結晶化してポリシリコン層となる。 Thereby, the amorphous silicon layer 143 is a polysilicon layer and recrystallized.

【0124】(工程2)続いて、図12に示すように、 [0124] (Step 2) Subsequently, as shown in FIG. 12,
レーザーアニールにより得られたポリシリコン層をパターニングして、アイランド144a,144bを形成する。 By patterning the polysilicon layer obtained by laser annealing to form islands 144a, the 144b.

【0125】(工程3)図13に示されるように、アイランド144a,144bを覆うゲート絶縁膜148 [0125] (Step 3) As shown in FIG. 13, the gate insulating film 148 covering the island 144a, a 144b
a,148bを、例えば、CVD法により形成する。 a, the 148b, for example, is formed by CVD.

【0126】(工程4)図14に示されるように、ポリシリコンあるいはメタル等からなるゲート電極150 [0126] (Step 4) As shown in FIG. 14, a gate electrode 150 made of polycrystalline silicon or metal, etc.
a,150bを形成する。 a, to form a 150b.

【0127】(工程5)図15に示すように、ポリイミド等からなるマスク層170を形成し、ゲート電極15 [0127] As shown in (Step 5) Figure 15, a mask layer 170 made of polyimide or the like, the gate electrode 15
0bおよびマスク層170をマスクとして用い、セルフアラインで、例えばボロン(B)のイオン注入を行う。 Using 0b and the mask layer 170 as a mask, by self-alignment, by ion implantation of, for example, boron (B).
これによって、p +層172a,172bが形成される。 Thus, p + layers 172a, 172 b are formed.

【0128】(工程6)図16に示すように、ポリイミド等からなるマスク層174を形成し、ゲート電極15 [0128] (Step 6) As shown in FIG. 16, a mask layer 174 made of polyimide or the like, the gate electrode 15
0aおよびマスク層174をマスクとして用い、セルフアラインで、例えばリン(P)のイオン注入を行う。 Using 0a and the mask layer 174 as a mask in a self-aligned manner, for example, the ion implantation of phosphorus (P). これによって、n +層146a,146bが形成される。 Thus, n + layers 146a, 146b are formed.

【0129】(工程7)図17に示すように、層間絶縁膜154を形成し、選択的にコンタクトホール形成後、 [0129] (Step 7) As shown in FIG. 17, an interlayer insulating film 154, after selectively forming a contact hole,
電極152a〜152dを形成する。 Forming electrodes 152a to 152d.

【0130】このようにして形成されたCMOS構造のTFTが、図2〜図9における被転写層(薄膜デバイス層)140に該当する。 [0130] TFT of the thus CMOS structure formed is, corresponds to the transfer layer (thin film device layer) 140 in Figures 2-9. なお、層間絶縁膜154上に保護膜を形成してもよい。 Incidentally, a protective film may be formed on the interlayer insulating film 154.

【0131】(工程8)図18に示すように、CMOS [0131] As shown in (step 8) Figure 18, CMOS
構成のTFT上に、第2分離層としての熱溶融性接着層160を形成する。 On the configuration of the TFT, to form a hot-melt adhesive layer 160 serving as a second separation layer. このとき、TFTの表層に生じていた段差が、熱溶融性接着剤160により平坦化される。 In this case, the step that occurs in the surface layer of the TFT is planarized by hot-melt adhesive 160.
なお、第2分離層は、第1分離層と同様にアブレーション層で構成することもでき、あるいは水溶性接着剤を用いることもできる。 Incidentally, the second separation layer, can also be composed of a first separating layer as well as the ablation layer, or may be used a water-soluble adhesive.

【0132】ここで、薄膜デバイスであるTFT上にまず絶縁層などの保護層を形成し、その保護層上に第2分離層を設けることが好ましい。 [0132] Here, first, to form a protective layer such as an insulating layer on the TFT is a thin film device, it is preferable to provide a second separation layer on the protective layer. 特に、第2分離層をアブレーション層とした場合に、アブレーション時に保護層により薄膜デバイス層を保護することができる。 In particular, it is possible in the case of the second separation layer and the ablation layer, to protect the thin film device layer by the protective layer at the time of ablation.

【0133】また、特に第2分離層をアブレーション層にて形成する場合には、その第2分離層自体を第1分離層と同様に多層にて形成することもできる。 [0133] In the case of forming particularly the second isolation layer in the ablation layer may be formed by multi-layer the second separation layer itself as in the first separation layer. さらに、この第2分離層と薄膜デバイス層との間に、金属層等の遮光層を設けるとさらに良い。 Further, between the second separation layer and the thin film device layer, better it is provided a light-shielding layer of the metal layer or the like. アブレーション時に、薄膜デバイス層に光が入射することを防止できるからである。 During ablation, because it is possible to prevent the light incident on the thin film device layer.

【0134】この第2分離層形成後に、第2分離層である熱溶融性接着層160を介して、TFTを一次転写体(例えば、ソーダガラス基板)180に貼り付ける。 [0134] After the second isolation layer formed, via a hot-melt adhesive layer 160 is a second separation layer, the primary transcript of TFT (e.g., soda glass substrate) pasted to 180.

【0135】(工程9)図19に示すように、基板10 [0135] As shown in (Step 9) 19, a substrate 10
0の裏面から、例えば、Xe−Clエキシマレーザー光を照射する。 From the back of 0, for example, irradiation with Xe-Cl excimer laser beam. これにより、第1分離層120の層内および/または界面において剥離を生じせしめる。 Thereby, it allowed to rise to peeling in the layer in and / or interface of the first separation layer 120.

【0136】(工程10)図20に示すように、基板1 [0136] (Step 10) as shown in FIG. 20, the substrate 1
00を引き剥がす。 00 peeled off.

【0137】(工程11)さらに、第1分離層120をエッチングにより除去する。 [0137] (Step 11) Further, the first separating layer 120 is removed by etching. これにより、図21に示すように、CMOS構成のTFTが、一次転写体180に転写されたことになる。 Thus, as shown in FIG. 21, TFT of a CMOS configuration, will have been transferred to the primary transfer member 180.

【0138】(工程12)次に、図22に示すように、 [0138] (Step 12) Next, as shown in FIG. 22,
CMOS構成のTFTの下面に、熱溶融性樹脂層160 The lower surface of the TFT of the CMOS structure, hot-melt resin layer 160
よりも硬化点が低い接着層として、例えばエポキシ樹脂層190を形成する。 As the adhesive layer is lower cure point than, for example, to form an epoxy resin layer 190. 次に、そのエポキシ樹脂層190 Next, the epoxy resin layer 190
を介して、TFTを二次転写体(例えば、ソーダガラス基板)200に貼り付ける。 Via the TFT secondary transfer member (e.g., soda glass substrate) pasted to 200. 続いて、熱を加えてエポキシ樹脂層190を硬化させ、二次転写体200とTFT Subsequently, the resultant is heated to cure the epoxy resin layer 190, the second transfer body 200 and the TFT
とを接着(接合)する。 Preparative adhered (joined).

【0139】(工程13)次に、図23に示すように例えばオーブン210を用いて熱溶融性樹脂層160を熱により溶融させ、この熱溶融性樹脂層160を境にして、TFTを一次転写体180より引き剥がす。 [0139] (Step 13) Next, the hot-melt resin layer 160 using, for example, an oven 210, as shown in FIG. 23 is melted by heat, and the heat-fusible resin layer 160 as a boundary, one of the TFT transfer peeled off from the body 180. さらに、TFTの下面に残存している熱溶融性樹脂層160 Further, heat remaining in the lower surface of the TFT-melt resin layer 160
を、例えばキシレンなどにより除去する。 The, for example, by removing xylene. これにより、 As a result,
図24に示すように、TFTが二次転写体200に転写される。 As shown in FIG. 24, TFT is transferred onto the secondary transfer member 200. この図24の状態は、図17に示す基板100 State of FIG. 24, the substrate 100 shown in FIG. 17
及び第1分離層120を、二次転写体200及び接着層190に置き換えたものと同じとなる。 And a first separation layer 120, the same as those obtained by replacing the secondary transfer member 200 and the adhesive layer 190. 従って、TFT Therefore, TFT
の製造工程に用いた基板100に対する積層関係が、二次転写体200上にて確保される。 Stacked relationship with respect to the substrate 100 using a manufacturing process is ensured by the secondary transfer member 200 above. このため、電極15 Thus, electrodes 15
2a〜152dが露出され、それへのコンタクトあるいは配線を容易に行うことができる。 2a~152d is exposed, it is possible to perform the contact or wiring to it easily. なお、図24の状態とした後に、その表層に保護層を形成しても良い。 Incidentally, after the state of FIG. 24, it may be formed a protective layer on its surface.

【0140】以上の説明は、第1分離層120、薄膜デバイス層140などを通常の製造プロセスにより形成する例を説明したが、以下、各膜を真空処理装置の不要な塗布膜として、液相プロセスにて形成する場合について説明する。 [0140] The above description, the first separation layer 120, but such as thin film device layer 140 has been described an example of forming the normal manufacturing process, hereinafter, each membrane as an unnecessary coating film of the vacuum processing apparatus, the liquid phase It will be described for forming at process.

【0141】(塗布絶縁膜の形成方法)以下、図2に示す中間層142、ゲート絶縁膜148(図13に示すゲート絶縁膜148a,148b)及層間絶縁膜154 [0141] (Formation of coating insulating film method) or less, the intermediate layer 142 shown in FIG. 2, the gate insulating film 148 (gate insulating film 148a shown in FIG. 13, 148b) 及層 insulating film 154
を、塗布絶縁膜にて形成する液相プロセスについて説明する。 The will be described a liquid phase process of forming by a coating insulating film. この方法は、図2に示す分離層120を、B. This method, the separation layer 120 shown in FIG. 2, B. の酸化物にて形成する場合にも適用することができる。 It can be applied to a case of forming by the oxide.

【0142】図39は、液体を塗布し熱処理することにより薄膜例えば絶縁膜を形成する塗布型絶縁膜形成装置を示す。 [0142] Figure 39 shows a coating-type insulating film forming apparatus for forming a thin film for example, an insulating film by liquid was applied heat treatment. 塗布された後に熱処理されることで絶縁膜となる液体として、ポリシラザン(Si−N結合を有する高分子の総称である)を挙げることができる。 As a liquid comprising an insulating film by being heat-treated after being applied, mention may be made of polysilazane (a generic term is a polymer having a Si-N bond). ポリシラザンのひとつは、[SiH 2 NH]n(nは正の整数)であり、ポリペルヒドロシラザンと言われる。 One polysilazane is [SiH 2 NH] n (n is a positive integer), said poly perhydrosilazane. この製品は、東燃(株)より「東燃ポリシラザン」の製品名で市販されている。 This product is commercially available under the product name of "Tonen polysilazane" from Tonen Corporation. なお、[SiH 2 NH]n中のHがアルキル基(例えばメチル基、エチル基など)で置換されると、有機ポリシラザンとなり、無機ポリシラザンとは区別されることがある。 Incidentally, when [SiH 2 NH] H in n is substituted with an alkyl group (e.g., methyl group, ethyl group), becomes organic polysilazane, A distinction is made between it and the inorganic polysilazane. 本実施の形態では無機ポリシラザンを使用することが好ましい。 It is preferable to use the inorganic polysilazane in the present embodiment.

【0143】このポリシラザンをキシレンなどの液体に混合して、基板上に例えばスピン塗布する。 [0143] The polysilazane is mixed in a liquid such as xylene, for example spin-coated on a substrate. この塗布膜は、水蒸気または酸素を含む雰囲気で熱処理することにより、SiO 2に転化する。 The coating film by heat treatment in an atmosphere containing water vapor or oxygen, converted to SiO 2.

【0144】塗布された後に熱処理することで得られる絶縁膜として、SOG(SpinーOnーGlass)膜を挙げることができる。 [0144] As the insulating film obtained by heat treatment after being applied, mention may be made of SOG (Spin chromatography On over Glass) film. このSOG膜は、シロキサン結合を基本構造とするポリマーで、アルキル基を有する有機SOGとアルキル基を持たない無機SOGがあり、アルコールなどが溶媒として使用される。 The SOG film is a polymer having a siloxane bond as a basic structure, there is an inorganic SOG having no organic SOG and alkyl groups having alkyl groups, such as alcohol is used as the solvent. SOG膜は平坦化を目的としてLSIの層間絶縁膜に使用されている。 SOG film is used in the interlayer insulating film of an LSI for the purpose of flattening. ただし、有機SOG膜は酸素プラズマ処理に対してエッチングされ易く、無機SOG膜は数千オングストロームの膜厚でもクラックが発生し易すいなどの問題がある。 However, the organic SOG film is easily etched by the oxygen plasma treatment, the inorganic SOG film has a problem such as easy Sui cracks occur in the film thickness thousands angstroms. 従って、従来は単層で層間絶縁膜などに使用されることは殆どなく、CVD絶縁膜の上層の平坦化層として利用される程度である。 Therefore, conventionally is seldom used like in the interlayer insulating film in a single layer, is the extent to be used as a flattening layer of the upper layer of the CVD insulating film.

【0145】この点、ポリシラザンはクラック耐性が高く、また耐酸素プラズマ性があり、単層でもある程度厚い絶縁膜として使用可能である。 [0145] In this regard, polysilazane has high crack resistance, also has resistance to oxygen plasma, can be used as a somewhat thicker insulating film in a single layer. 従って、ここではポリシラザンを使用する場合について説明する。 Therefore, here it will be described when using the polysilazane.

【0146】なお本実施の形態は、転写される薄膜積層構造を含む形成膜の少なくとも1層好ましくは複数層を塗布膜にて形成するものであり、この条件を満足する限りにおいて、SOG膜を付加的に使用するものであっても良い。 [0146] Note that this embodiment mode, at least one layer, preferably the formed film comprising the thin film stack to be transferred is intended to form a plurality of layers in the coating film, as long as satisfying this condition, the SOG film be one which additionally used may be.

【0147】図39において、ローダ601は、カセットに収納されている複数枚のガラス基板を一枚づつ取り出し、スピンコータ602にガラス基板を搬送する。 [0147] In FIG 39, the loader 601, a plurality of glass substrates contained in the cassette is taken out one by one, conveys the glass substrate in a spin coater 602. スピンコータ602では、図46に示すように、ステージ630上に基板632が真空吸着され、ディスペンサ6 In a spin coater 602, as shown in FIG. 46, the substrate 632 is vacuum-adsorbed on the stage 630, the dispenser 6
34のノズル636からポリシラザン638が基板63 Polysilazane 638 from the nozzle 636 of 34 substrate 63
2上に滴下される。 It is dropped onto 2. 滴下されたポリシラザン638は基板中央部に図46のように広がる。 The dropped polysilazane 638 spread like Figure 46 to the substrate central portion. ポリシラザンとキシレンの混合液はキャニスター缶と呼ばれる容器に入れられおり、図39,図46に示す液体保管部605に保管される。 Mixture of polysilazane and xylene is placed in a container called a canister cans, Figure 39, is stored in liquid storage portion 605 shown in FIG. 46. ポリシラザンとキシレンの混合液は、液体保管部605から供給管640を介してディスペンサ634 Mixture of polysilazane and xylene, via a supply pipe 640 from the liquid storage portion 605 dispenser 634
に供給され、基板上に塗布される。 It is supplied to and coated on a substrate. さらに、ステージ6 In addition, stage 6
30の回転により、図47に示すように、ポリシラザン638がガラス基板632の全面に引き延ばされて塗布される。 Rotation of 30, as shown in FIG. 47, the polysilazane 638 is applied stretched over the entire surface of the glass substrate 632. このとき、大部分のキシレンは蒸発する。 At this time, most of the xylene is evaporated. ステージ630の回転数や回転時間は、図39に示す制御部606で制御され、数秒間で1000rpmまで回転数が上昇し、1000rpmで20秒程度保持され、さらに数秒後に停止する。 Speed ​​and rotation time of the stage 630 is controlled by the control unit 606 shown in FIG. 39, the number of rotation in a few seconds until 1000rpm rises, it held approximately 20 seconds at 1000rpm, and stops further after a few seconds. この塗布条件にて、ポリシラザンの塗布膜の膜厚は約7000オングストロームとなる。 At the coating conditions, the thickness of the coating film of polysilazane is about 7000 Angstroms.

【0148】次に、ガラス基板は熱処理部603に搬送され、水蒸気雰囲気で温度100−350℃、10−6 [0148] Next, the glass substrate is conveyed into the heat treatment unit 603, temperature 100-350 ° C. in a water vapor atmosphere, 10-6
0分間熱処理され、SiO2に変成される。 Heat treated for 10 minutes, is transformed into SiO2. この熱処理は、温度制御部607で制御される。 This heat treatment is controlled by the temperature controller 607. 熱処理部603 Heat treatment unit 603
は、塗布型絶縁膜形成装置の処理能力を高くするため、 In order to increase the processing capability of the coating type insulating film forming apparatus,
前記スピンコータ602のタクトタイムと熱処理時間が整合するように、熱処理部603の長さや該炉内の基板収容枚数が設定される。 As tact time and the heat treatment time of the spin coater 602 is aligned, the substrate housing the number of the length and the furnace of the heat treatment section 603 is set. ポリシラザンが混合される液体には例えばキシレンが用いられ、また変成時に水素やアンモニアなどが発生するため、少なくともスピンコータ602と熱処理部603には排気設備608が必要である。 The liquid polysilazane is mixed is used, for example xylene, also for such as hydrogen and ammonia generated during metamorphic, at least the spin coater 602 and the heat treatment section 603 is required exhaust system 608. 熱処理され絶縁膜が形成されたガラス基板はアンローダ604でカセットに収納される。 Glass substrate on which an insulating film is formed is heat treated is accommodated in a cassette in the unloader 604.

【0149】図39に示す塗布型絶縁膜形成装置は、従来のCVD装置に比較して、装置構成が著しく簡単であり、従って装置価格が格段に安くなる。 [0149] coating type insulating film forming apparatus shown in FIG. 39, as compared with the conventional CVD apparatus, apparatus arrangements are remarkably simple, thus device cost is much cheaper. しかもCVD装置に比較してスループットが高く、メンテナンスが簡単であり装置の稼動率が高いなどの特徴がある。 Moreover higher throughput compared to CVD apparatus, there are features such as a high rate of operation of the maintenance is simple device. この特徴により液晶表示装置のコストを大幅に低減することができる。 It is possible to significantly reduce the cost of the liquid crystal display device by this feature.

【0150】ここで、図2に示すゲート絶縁膜148はTFTの電気的特性を左右する重要な絶縁膜であり、膜厚、膜質と同時にシリコン膜との界面特性も制御されなければならない。 [0150] Here, the gate insulating film 148 shown in FIG. 2 is an important insulating film affects the electrical characteristics of the TFT, the film thickness must be controlled interface characteristics between the silicon film at the same time as the film quality.

【0151】このためには、ゲート絶縁膜148の塗布形成前のシリコン膜の表面状態を清浄にすることの他に、図40に示す塗布型絶縁膜形成装置を使用することが好ましい。 [0151] For this purpose, in addition to the surface state of the silicon film before the coating formation of the gate insulating film 148 clean, it is preferable to use a coating-type insulating film forming apparatus shown in FIG. 40. 図40に示す装置は、図39に示す装置の熱処理部603と同じ機能の第1の熱処理部603A Apparatus shown in FIG. 40, the first heat treatment section 603A having the same functions as the heat treatment unit 603 of the apparatus shown in FIG. 39
と、アンローダ604との間に、第2の熱処理部603 If, between the unloader 604, the second heat treatment section 603
Bを設けている。 It is provided with a B. この第2の熱処理部603Bでは、第1の熱処理部603Aでの上述した熱処理の後に、第1 In the second heat treatment section 603B, after the above-described heat treatment at the first annealing section 603A, first
の熱処理部603Aでの熱処理温度より高い400−5 Higher than the heat treatment temperature of the heat treatment section 603A of 400-5
00℃にて30−60分の熱処理を行うか、あるいはランプアニール、レーザアニールなどの高温短時間の熱処理を行うのが望ましい。 00 or ℃ heat treatment is performed 30-60 minutes at, or lamp annealing, it is desirable to carry out the high-temperature short-time heat treatment, such as laser annealing.

【0152】これにより、ゲート絶縁膜148などの絶縁膜は、図39の熱処理部603での熱処理のみの場合と比較して、より緻密化され、膜質及び界面特性が改善される。 [0152] Accordingly, an insulating film such as a gate insulating film 148, as compared with the case where only the heat treatment in the heat treatment unit 603 of FIG. 39, a more dense film quality and interface characteristics are improved.

【0153】なお、界面特性に関して言えば、塗布絶縁膜に比べて真空雰囲気で形成されるCVD膜の方が制御し易いため、高性能なTFTが要求される場合には、T [0153] Incidentally, with respect to the interface properties, because easily controlled better of the CVD film formed in a vacuum atmosphere as compared with the coating insulating film, when a high-performance TFT is required, T
FTを構成する絶縁膜のうちゲート絶縁膜はCVD膜で形成し、その他の絶縁膜を本発明による塗布絶縁膜で形成してもよい。 The gate insulating film of the insulating film of the FT is formed by the CVD film may be formed of other insulating films at coating insulating film according to the present invention.

【0154】(塗布シリコン膜の形成方法)次に、図1 [0154] (method of forming a coating silicon film) Next, FIG. 1
1のチャネル層143を、液相プロセスを用いた塗布シリコン膜にて形成する方法について説明する。 The first channel layer 143, describes a method of forming by a coating silicon film using a liquid phase process. この方法は、図2に示す分離層120をA. This method, A. The isolation layer 120 shown in FIG. 2 アモルファスシリコン及びB. Amorphous silicon and B. 半導体で形成された形成する場合にも適用することができる。 Can also be applied to a case of forming are formed of a semiconductor.

【0155】図39または図40に示す塗布液保管部6 [0155] coating solution storage section 6 shown in FIG. 39 or FIG. 40
05内に保管される塗布液として、シリコン粒子を含む液体を用意することで、図39または図40の装置と同じ装置を利用して、塗布シリコン膜を形成することができる。 As a coating liquid, which is stored in 05, by preparing a liquid containing silicon particles, it may utilize the same apparatus of FIG. 39 or FIG. 40, to form a coating silicon film.

【0156】塗布液に含有されるシリコン粒子の粒径は、例えば0.01〜10μmのものを使用することができる。 [0156] The particle size of the silicon particles contained in the coating liquid can be used, for example those of 0.01 to 10 [mu] m. このシリコン粒子の粒径は、塗布されるシリコン膜の膜厚に応じて選択される。 The particle size of the silicon particles are selected depending on the thickness of the silicon film to be applied. 本発明者等が入手したシリコン粒子の粒径は、1μm程度のものが10%、1 The particle size of the silicon particles present inventors have obtained the of about 1μm is 10%, 1
0μm以下のものが95%を占めた。 0μm following are accounted for 95 percent. この粒径のシリコン粒子を、微粒子化装置によりさらに微粒子化することで、所望の粒径のシリコン粒子を得ることができる。 Silicon particles of this particle size, by further fine by micronization device, it is possible to obtain silicon particles having a desired particle size.

【0157】所定範囲の粒径を持つシリコン粒子は例えばアルコール等の液体に混ぜられた懸濁液とされ、塗布液保管部605に保管される。 [0157] Silicon particles having a particle size of the predetermined range is a suspension that is mixed with a liquid such as alcohol or the like, is stored in the coating liquid storage portion 605. そして、ローダ605よりスピンコータ606に搬入された基板上に、シリコン粒子とアルコールとの懸濁液を吐出する。 Then, on the substrate carried into the spin coater 606 from the loader 605, for discharging a suspension of silicon particles and alcohol. そして、塗布絶縁膜の形成と同様な塗布条件にてステージ630を回転させて、シリコン粒子の塗布膜を基板上にて引き延ばし、このとき大部分のアルコールが蒸発される。 Then, by rotating the stage 630 under the same coating conditions and the formation of the coating insulating film, stretching the coated film of the silicon particles at the substrate, alcohol most this time is evaporated.

【0158】次に、熱処理部603または第1の熱処理部603Aにて、塗布絶縁膜形成の場合と同様な熱処理条件にて基板を熱処理する。 [0158] Next, in the heat treatment section 603 or the first annealing section 603A, the substrate is heat-treated under the same heat treatment conditions in the case of the coating insulating film formed. このとき、シリコン同士の反応により結晶化されたシリコン膜が基板に形成される。 In this case, the silicon film crystallized is formed on the substrate by the reaction of the silicon with each other.

【0159】図39の装置を用いた場合には、さらに第2の熱処理部603Bにて、その基板を第1の熱処理部603Aでの熱処理温度より高い温度で熱処理する。 [0159] When using the apparatus of FIG. 39, in further second annealing section 603B, a heat treatment the substrate at a temperature higher than the heat treatment temperature in the first heat treatment section 603A. この熱処理は、レーザアニールまたはランプアニールにより短時間で行うことが好ましい。 This heat treatment is preferably carried out in a short time by laser annealing or lamp annealing.

【0160】この第2の熱処理部603Bにて再度熱処理することで、第1の熱処理部603Aのみで熱処理されたものと比較して、シリコン膜の結晶性、緻密性及び他の膜との密着性が向上する。 [0160] By heat treatment again at the second heat treatment section 603B, as compared with those heat treated only in the first heat treatment section 603A, the adhesion of the crystalline, compactness and other film of a silicon film sex can be improved.

【0161】図41、図42は、塗布シリコン膜及び塗布絶縁膜を連続して形成する成膜装置の構成図である。 [0161] Figure 41, Figure 42 is a configuration diagram of a film forming apparatus for forming continuously coated silicon film and the coating insulating film.

【0162】図41の成膜装置は、ローダ601、第1 [0162] the film deposition apparatus shown in FIG. 41, a loader 601, a first
のスピンコータ602A、第1の熱処理部603A、第2の熱処理部603B、第2のスピンコータ602B、 Spin coater 602A, a first heat treatment section 603A, the second heat treatment section 603B, a second spin coater 602B,
熱処理部603及びアンローダ604をインライン接続している。 The thermal processing unit 603 and the unloader 604 are in-line connection. 第1のスピンコータ602Aには、シリコン粒子とアルコールとの懸濁液を保管する第1の塗布液保管部605Aと第1の制御部606Aとが接続される。 The first spin coater 602A, a first and a coating solution storage section 605A and the first control unit 606A is connected to store the suspension of silicon particles and alcohol.
第2のスピンコータ部602Bには、ポリシラザンとキシレンとの混合液を保管する第2の塗布液保管部605 The second spin coater unit 602B, the stored a mixed solution of polysilazane and xylene second coating solution storage part 605
Bと第2の制御部606Bとが接続される。 B and the second control unit 606B is connected.

【0163】図41の装置を使用すれば、ロード、アンロードの回数が1回ずつ減るので、スループットがさらに高まる。 [0163] By using the apparatus of FIG. 41, load, because the number of unloading is reduced once, further increases the throughput.

【0164】図42の成膜装置は、図41の成膜装置の第2の熱処理部603Bを、塗布絶縁膜の熱処理部60 [0164] the film deposition apparatus shown in FIG. 42, the second heat treatment section 603B of the film deposition apparatus of FIG. 41, the thermal processing of the coating insulating film 60
3の後に配置し、結晶化シリコンを形成するための変形例を示している。 Placed after 3 shows a modification for forming a crystallized silicon. この場合は、絶縁膜のキャップ層がついたシリコン膜を、レーザアニール等を実施する第2の熱処理部603Bによって結晶化することになる。 In this case, the silicon film with a cap layer of an insulating film, will be crystallized by the second heat treatment section 603B for performing the laser annealing or the like. 絶縁膜はシリコン表面の反射率を下げる効果があるので、レーザエネルギが効率よくシリコン膜に吸収されるという利点がある。 The insulating film has the effect of lowering the reflectance of the silicon surface, there is an advantage that the laser energy is absorbed efficiently silicon film. また、レーザアニール後のシリコン膜の表面が平滑であることなどの特徴がある。 The surface of the silicon film after the laser annealing is characterized such that it is smooth. なお、図42中の熱処理部603と第2の熱処理部603Bとを、一つの熱処理部で兼用しても良い。 Incidentally, the heat treatment unit 603 in FIG. 42 and the second heat treatment section 603B, may be combined in a single heat treatment section. この場合には、この兼用された一つの熱処理部において、塗布絶縁膜の焼成と、 In this case, in one heat treatment section this which is also used, and baking the coating insulating film,
その上のシリコン膜の結晶化の熱処理とを、同時に行うことができる。 A heat treatment for the crystallization of silicon film thereon, can be carried out simultaneously.

【0165】(塗布シリコン膜の他の形成方法)塗布液を塗布し、その後熱処理することによりシリコン膜を形成する他の塗布型シリコン膜形成装置を図43に示す。 [0165] The (other method of forming a coating silicon film) coating liquid was applied, shown in Figure 43 another coating type silicon film forming apparatus for forming a silicon film by subsequent heat treatment.
CVD法でシリコン膜を形成するときにはモノシラン(SiH 4 )やジシラン(Si 26 )が用いられるが、 While monosilane (SiH 4) or disilane (Si 2 H 6) is used in forming the silicon film by the CVD method,
本実施の形態ではジシランやトリシラン(Si 38 )などの高次のシランを用いる。 In this embodiment using the higher order silanes such as disilane and trisilane (Si 3 H 8). シラン類の沸点は、モノシランが−111.9℃、ジシランが−14.5℃、トリシランが52.9℃、テトラシラン(Si 410 )が1 Boiling silanes monosilane -111.9 ° C., disilane -14.5 ° C., trisilane 52.9 ° C., is tetrasilane (Si 4 H 10) 1
08.1℃である。 08.1 is ℃. モノシランとジシランは常温、常圧で気体であるが、トリシラン以上の高次のシランは液体である。 Monosilane and disilane normal temperature, but a gas at normal pressure, higher order silanes or trisilane are liquid. ジシランはマイナス数十℃にすれば液体となり塗布膜として利用することができる。 Disilane can be utilized as a coating film it becomes liquid if the minus several tens ° C.. ここでは主にトリシランを使用する場合について説明する。 Here is mainly description will be given of a case where the use of trisilane.

【0166】図43において、ローダ701でカセットからガラス基板が1枚づつ取り出されてロードロック室702に搬送され、ロードロック室702は排気装置7 [0166] In FIG. 43, is transported retrieved one by one is a glass substrate from the cassette loader 701 into the load lock chamber 702, the load lock chamber 702 is an exhaust device 7
11により減圧される。 It is reduced by 11. 所定の圧力に達した後、ガラス基板は前記圧力と同程度の減圧状態となっているスピンコータ703に移動し、トリシランがトリシラン保管部707からディスペンサを介してガラス基板上に塗布される。 After reaching a predetermined pressure, the glass substrate is moved to a spin coater 703 which is a vacuum of the same degree as the pressure, trisilane is coated on a glass substrate through a dispenser from trisilane storage section 707. スピンコート部703では回転数数100乃至2 Number rotation speed in the spin-coating portion 703 100 to 2
000rpmで数秒から20秒基板が回転しトリシランがスピンコートされる。 20 seconds substrate from a few seconds rotated trisilane is spin coated at 000 rpm. トリシランがスピンコートされたガラス基板は前記圧力と同程度となっている第1の熱処理部704に直ちに搬送され、300−450℃で数10分熱処理され膜厚が数100オングストロームのシリコン膜が形成される。 Trisilane glass substrate was spin-coated immediately be conveyed to a first heat treatment section 704 which is between the pressure and the same degree, 300-450 silicon film thickness is heat treated several tens of minutes is several 100 angstroms ℃ is formed It is. 次に、ガラス基板は前記圧力と同程度となっている第2の熱処理部705に搬送され、 Then, the glass substrate is conveyed to the second heat treatment section 705 which is between the pressure and the same degree,
レーザアニールやランプアニールなどの高温短時間の熱処理を受ける。 Subjected to high temperature for a short time heat treatment such as laser annealing or lamp annealing. これにより、シリコン膜が結晶化される。 Thus, the silicon film is crystallized. 次に、ガラス基板はロードロック室706に搬送され、窒素ガスにより大気圧に戻された後、アンローダ7 Then, the glass substrate is transferred into the load lock chamber 706, after returning to atmospheric pressure with nitrogen gas, the unloader 7
07に搬送されカセットに収納される。 07 is transported to be stored in the cassette.

【0167】ここで排気装置711は、2つのロードロック室702,706に接続される1台と、スピンコート部703、第1,第2の熱処理部704,705に接続される1台の計2台で構成するのが望ましい。 [0167] Here, the exhaust system 711, and one connected to the two load lock chambers 702 and 706, spin coating unit 703, first, a single meter which is connected to a second heat treatment section 704 and 705 it is desirable to construct by two. そしてスピンコータ703、第1の熱処理部704及び第2の熱処理部705は、排気装置711により常に排気され、不活性雰囲気の減圧状態(1.0−0.5気圧程度)が保持される。 The spin coater 703, the first heat treatment section 704 and the second heat treatment section 705 is always exhausted by an exhaust system 711, a vacuum of an inert atmosphere (about 1.0-0.5 atm) is maintained. シラン類は毒性がありガス化したシラン類が装置外に漏れないようにするためである。 Silanes in order that the silanes gasified toxic does not leak out of the apparatus. モノシランの許容濃度(TLV)は5ppmであり、ジシランなど高次のシランも同程度の許容濃度であると考えられている。 Allowable concentration of monosilane (TLV) is 5 ppm, even higher order silanes such as disilane is believed to be the allowable concentration comparable. また、シラン類は常温空気中で自然燃焼し、 Furthermore, silanes can be spontaneous combustion in air at room temperature,
濃度が高いと爆発的に燃焼する。 Concentration is high, the explosive combustion. 従って、少なくともスピンコータ703、第1,第2の熱処理部704,70 Therefore, at least the spin coater 703, the first, second annealing section 704,70
5に接続される排気装置711の排気は、シラン類を無害化する排ガス処理装置712に接続する。 Exhaust of the exhaust device 711 connected to the 5 is connected to the exhaust gas treatment device 712 to detoxify the silanes. 尚、図43 Incidentally, FIG. 43
の各処理室701〜707は互いにゲートバルブで接続され、ガス化したシラン類が2つのロードロック室に流れ込まないように、ガラス基板の搬送時に該ゲートバルブが開閉される。 The respective processing chambers 701 to 707 of connected to each other gate valves, gasified silanes such not flow into the two load lock chambers, the gate valve is opened and closed during transport of the glass substrate.

【0168】スピンコータ703の主要部は図46とほぼ同じであるが、図43においてガラス基板が真空チャックされるステージの温度は、温度制御部710で制御されることが好ましい。 [0168] the main part of the spin coater 703 is almost the same as FIG. 46, the temperature of the stage glass substrate is vacuum chuck in FIG. 43 is preferably controlled by the temperature controller 710. ここで、トリシランのときは常温望ましくは0℃程度、ジシランを使用するときは−4 Here, normal temperature preferably about 0 ℃ When the trisilane, when using disilane -4
0℃以下望ましくは−60℃以下に制御される。 0 ℃ less desirably controlled to -60 ° C. or less. また、 Also,
ジシランやトリシランの保管部708や供給ライン(図示せず)も温度制御部710により、ステージ温度とほぼ同程度の温度に制御されることが好ましい。 The storage unit 708 and the supply line (not shown) the temperature control unit 710 of the disilane and trisilane, preferably controlled to a temperature substantially the same as the stage temperature.

【0169】ジシランやトリシランを液体として塗布するためには、これらの沸点より低い温度で塗布作業が行われなければならないが、トリシランの蒸気圧は常温常圧で約0.4気圧、ジシランの蒸気圧は常圧、−40℃ [0169] The disilane and trisilane to be applied as a liquid, although the coating operation at temperatures lower than those boiling point must be made, about 0.4 atm vapor pressure normal temperature and pressure of trisilane, disilane vapor pressure is atmospheric pressure, -40 ℃
で約0.3気圧であることを考慮し、該蒸気圧をできるだけ下げる必要がある。 Considering that in about 0.3 atmospheres, it is possible need to lower the the evaporated air pressure. このために、これらシラン類や基板の温度をできるだけ下げることが好ましい。 For this, it is preferable to reduce these silanes and temperature of the substrate as possible.

【0170】ジシランやトリシランなどの蒸気圧をより低くし、塗布膜の均一性を向上させるために、スピンコータ703や第1,第2の熱処理部704,705を、 [0170] to lower the vapor pressure, such as disilane and trisilane, in order to improve the uniformity of the coating film, a spin coater 703 and the first, the second heat treatment section 704 and 705,
不活性ガスによる加圧状態としてもよい。 It may be pressurized with inert gas. 加圧状態ではジシランなどの沸点温度が上昇し、同じ温度における蒸気圧が低くなるため、スピンコータ703の温度を前述の設定温度より高めにし、室温に近い温度に設定することもできる。 Pressure increases and the boiling point temperature, such as disilane is pressure state, the vapor pressure at the same temperature is lowered, the temperature of the spin coater 703 to higher than the set temperature mentioned above can be set to a temperature close to room temperature. この場合には、万一トリシランなどが漏洩したときのことを考慮して、加圧状態が可能な構造の外側に減圧状態にできる2重構造とし、漏洩したトリシランなどを別に設ける排気装置で排気することが好ましい。 In this case, considering that when the event leaked like is trisilane, and a double structure which can be depressurized to the outside of the structure capable pressurized, evacuated separately by providing an exhaust device such as a trisilane leaked it is preferable to. この該排気ガスは、排ガス処理部712にて処理される。 The exhaust gas is processed in the exhaust gas treatment unit 712.

【0171】また、スピンコータ703や第1,第2の熱処理部704,705の内部に滞留するシランガスも、排気装置711で排気される。 [0171] Further, the spin coater 703 and the first, silane gas remaining in the interior of the second heat treatment section 704 and 705 is also exhausted by the exhaust system 711.

【0172】図44に示すシリコン膜形成装置は、図4 [0172] silicon film forming apparatus shown in FIG. 44, FIG. 4
3に示すシリコン膜形成装置と、図39に示す絶縁膜形成装置をインライン結合したものである。 A silicon film forming apparatus shown in 3, is obtained by in-line coupling an insulating film forming apparatus shown in FIG. 39. 即ち、図43 That is, FIG. 43
の第2の熱処理部705とロードロック室706の間に、図39のスピンコート部602及び熱処理炉603 During the second heat treatment section 705 and the load lock chamber 706, a spin-coating portion 602 and the heat treatment furnace 603 of Fig. 39
を導入した構成となっている。 And it has a introduced constitute a.

【0173】図44において、シリコン膜は第2の熱処理部705でレーザアニールにより結晶化される処理までは、図43の装置の動作と同じである。 [0173] In FIG. 44, the silicon film until the process to be crystallized by laser annealing in the second heat treatment section 705 is the same as the operation of the apparatus of FIG. 43. 結晶化されたシリコン膜は、スピンコータ602において、ポリシラザンや無機のSOG膜が塗布される。 Crystallized silicon film, the spin coater 602, SOG film polysilazane or inorganic is applied. 次に熱処理部60 Next, heat treatment unit 60
3において、塗布された膜が絶縁膜に変成される。 In 3, the coated film is transformed into the insulating film.

【0174】スピンコータ703、第1,第2の熱処理部704,705は、図43と同様に不活性ガス雰囲気の減圧状態である。 [0174] spin coater 703, the first, second annealing section 704 and 705 is a vacuum of similarly inert gas atmosphere Figure 43. 図39では絶縁膜のスピンコータ6 Spin coater of Figure 39 in the insulating film 6
02及び熱処理部603は常圧であったが、図44の装置では不活性ガス雰囲気の減圧状態とする。 02 and the heat treatment section 603 was the normal pressure, in the apparatus of FIG. 44 is a vacuum of an inert gas atmosphere. このための排気は排気装置608で行う。 Exhaust for this is carried out in an exhaust system 608.

【0175】図44により形成されるシリコン膜は、該シリコン膜の上に不活性雰囲気で絶縁膜が形成されるため、大気に晒されることがない。 [0175] silicon film formed by the FIG. 44, since the insulating film is formed in an inert atmosphere over the silicon film, not exposed to the atmosphere. 従って、TFT素子の特性を左右するシリコン膜と絶縁膜の界面を制御できるので、TFT素子の特性や該特性の均一性を向上させることができる。 Accordingly, since the characteristics of the TFT device can be controlled interface between the silicon film and the insulating film influence, it is possible to improve the uniformity of characteristics and the characteristic of the TFT device.

【0176】なお、図44ではシリコン膜の上の絶縁膜形成はシリコン膜の結晶化の後で行ったが、図42の装置と同様にして、シリコン膜の第1の熱処理後に絶縁膜を形成し、シリコン膜の結晶化をその絶縁膜の熱処理後に行ってもよい。 [0176] Note that the insulating film formed on the silicon film in Figure 44 was carried out after the crystallization of the silicon film, as in the apparatus of FIG. 42, an insulating film is formed after the first heat treatment of the silicon film and it may be crystallized silicon film after the heat treatment of the insulating film. この場合も、図42の場合と同様に、 In this case, as in the case of FIG. 42,
絶縁膜のキャップ層がついたシリコン膜をレーザアニールによって結晶化することになる。 It will be crystallized by laser annealing the silicon film with a cap layer of insulating film. 絶縁膜はシリコン表面の反射率を下げる効果があるので、レーザエネルギが効率よくシリコン膜に吸収されるという利点がある。 The insulating film has the effect of lowering the reflectance of the silicon surface, there is an advantage that the laser energy is absorbed efficiently silicon film. また、レーザアニール後のシリコン膜の表面が平滑であることなどの特徴がある。 The surface of the silicon film after the laser annealing is characterized such that it is smooth.

【0177】(シリコン以外の半導体膜の形成方法)チャネル層となる半導体膜は、有機半導体膜にて形成することもできる。 [0177] semiconductor film serving as a channel layer (method of forming a semiconductor film other than silicon) may also be formed with an organic semiconductor film. この有機半導体膜としては、ペンタセン(Pentacene)等があり、その成膜方法として蒸着法や溶液キャスト法を用いることができる。 As the organic semiconductor film, there are pentacene (Pentacene) or the like, can be used vapor deposition method or a solution casting as a film formation method.

【0178】(塗布シリコン膜への不純物拡散方法)図15及び図16に示すように、ソース、ドレイン領域となるシリコン膜へ不純物を拡散させる方法は、従来のイオン注入装置などを用いて実施しても良いが、不純物含有絶縁層を塗布した後に、その下層のシリコン膜に不純物を拡散させることが好ましい。 [0178] As shown in FIGS. 15 and 16 (the impurity diffusion process of the coating silicon film), a source, a method of diffusing an impurity into the silicon film serving as the drain region is performed by using a conventional ion implantation apparatus and may, but after coating the impurity-containing insulating layer, it is preferable to diffuse the impurity into the silicon film of the lower layer.

【0179】この不純物含有絶縁膜の形成は、図40に示す装置と同じ装置を用いることができる。 [0179] The formation of the impurity-containing insulating film can be used the same apparatus as the apparatus shown in FIG. 40. 本実施の形態では、リンガラスまたはボロンガラスを含むSOG膜を、不純物含有塗布膜として塗布するものとする。 In this embodiment, an SOG film containing phosphorus glass or boron glass shall be applied as an impurity-containing coating film. N型の高濃度不純物領域を形成する場合は、エタノール及び酢酸エチルを溶媒としてSi濃度が数wt%となるようにシロキサンポリマーを含有する液体に、該液体100 When forming a high-concentration impurity regions of N-type, ethanol and ethyl acetate in a liquid containing a siloxane polymer as Si concentration of several wt% as a solvent, the liquid 100
mlあたり数百μgのP2O5を含有するSOG膜を不純物含有塗布膜として使用する。 The SOG film containing P2O5 hundreds μg per ml used as an impurity-containing coating film. この場合、図2の塗布液保管部605に、その塗布液を保管し、スピンコータ602より該塗布液を基板上に塗布する。 In this case, the coating solution storage section 605 in FIG. 2, and stores the coating liquid, applying the coating liquid onto the substrate from the spin coater 602. さらにスピンコータ602において、回転数が数1000rpmで基板を回転することで、前記記SOG膜として数1000 Further in the spin coater 602, that speed is rotating the substrate at several 1000 rpm, the number as the SL SOG film 1000
オングストロームの膜厚が得られる。 The film thickness of the angstrom is obtained. この不純物含有塗布膜は、第1の熱処理部603Aで300℃乃至500 The impurity-containing coating film, the first heat treatment section 300 ° C. to 500 603A
℃で熱処理され、数モル%のP2O5を含むリンガラス膜となる。 ℃ heat treated at, a phosphorus glass film containing P2O5 number mole%. リンガラス膜が形成された基板は、第2の熱処理部603Bにおいて、ランプアニールまたはレーザアニールの高温短時間の熱処理を受け、SOG膜中の不純物がその下層のシリコン膜中に固相拡散して、該シリコン膜中に高濃度不純物領域が形成される。 Substrate phosphorus glass film is formed, in the second heat treatment section 603B, it receives the high-temperature short-time heat treatment of lamp annealing or laser annealing, impurities in the SOG film by solid phase diffusion into the silicon film in the underlying , the high concentration impurity region is formed in the silicon film. TFT基板は最後にアンローダ604でカセットに収納される。 TFT substrate is finally accommodated in the cassette in the unloader 604.

【0180】このソース・ドレイン領域の形成では、塗布工程及び高温短時間のアニール工程とも1分以内の処理が可能であり、非常に高い生産性を有する。 [0180] In the formation of the source and drain regions, the processing within one minute with the coating step and the high-temperature short-time annealing step are possible, have a very high productivity. 尚、熱処理工程は数10分程度必要であるが熱処理炉の長さや構造を工夫することによりタクト時間を削減できる。 The heat treatment step can be reduced tact time by it is necessary several 10 minutes to devise the length and structure of the heat treatment furnace.

【0181】本実施の形態よれば、ソース・ドレイン領域の形成は、従来のイオン打ち込みやイオンドーピングの代わりに塗布膜の形成と高温短時間の熱処理により行われるので、安価で且つスループットの高い装置を用いてTFTを製造することができる。 [0181] According the present embodiment, formation of the source and drain regions, since is performed by forming a high temperature for a short time heat treatment of the coating film instead of the conventional ion implantation or ion doping, high and throughput inexpensive apparatus it is possible to produce a TFT using.

【0182】(塗布導電膜の形成方法)次に、導電性粒子を含有した液体を塗布して、図2に示す導電膜152 [0182] (Method for Forming coating conductive film) Next, by applying a liquid containing conductive particles, conductive film 152 shown in FIG. 2
(図17に示す導電膜152a,1572b,152 (Conductive film 152a shown in FIG. 17, 1572b, 152
c,152d)を塗布導電膜を形成する方法について説明する。 c, 152d) a method of forming a coating conductive film will be described. この方法は、分離層120を、F. This method, the separation layer 120, F. 金属として形成する場合にも用いることができる。 It can be used in forming the metal. この塗布導電膜も、図39または図40に示す装置を用いて製造することができる。 The coating conductive film can be produced using the apparatus shown in FIG. 39 or FIG. 40. このとき、図39,図40の塗布液保管部605に保管される液体は、金属などの導電性物質の微粒子を液体例えば有機溶媒に分散させたものを用いる。 In this case, FIG. 39, the liquid to be stored in the coating liquid storage portion 605 of FIG. 40, used as the fine particles of conductive material such as metal are dispersed in a liquid such as an organic solvent.
例えば、粒径80−100オングストロームの銀微粒子をテルピネオールやトルエンなどの有機溶媒に分散させたものを、スピンコータ602より基板上に吐出する。 For example, for discharging the particle size 80-100 Angstrom silver microparticles are dispersed in an organic solvent such as terpineol or toluene, more spin coater 602 on the substrate.
その後、基板を1000rpmで回転させてその塗布液を基板上にスピンコートする。 Thereafter, spin-coating the coating liquid onto the substrate by rotating the substrate at 1000 rpm. さらに、図39の熱処理部603あるいは図40の第1の熱処理部603Aにて、250−300℃で熱処理すれば、数千オングストロームの導電膜を得ることができる。 Further, in the first heat treatment section 603A of the thermal processing unit 603 or FIG. 40 in FIG. 39, if a heat treatment at 250-300 ° C., can be obtained thousands angstroms conductive film. 導電性物質の微粒子には、そのほかにAu、Al、Cu、Ni、Co、C The fine particles of conductive material, its addition to Au, Al, Cu, Ni, Co, C
r、ITOなどがあり、塗布型導電膜形成装置により導電膜を形成することができる。 r, include ITO, it is possible to form a conductive film by a coating-type conductive film forming apparatus.

【0183】得られた導電膜は微粒子の集合であり非常に活性であるため、スピンコータ602と、熱処理部6 [0183] For the obtained conductive film are very active is a collection of fine particles, the spin coater 602, heat treatment section 6
03または第1の熱処理部603Aは不活性ガス雰囲気にする必要がある。 03 or the first heat treatment section 603A must be in an inert gas atmosphere.

【0184】また、塗布導電膜の抵抗値はバルクの抵抗値に比べると1桁程度高くなることがある。 [0184] The resistance value of the coating conductive film may be higher by about one digit than the resistance value of the bulk. この場合には、図40の第2の熱処理部603Bにて、塗布導電膜を300乃至500℃にてさらに熱処理すると、導電膜の抵抗値が低下する。 In this case, in the second heat treatment unit 603B of FIG. 40, further heat-treating the coated conductive film at 300 to 500 ° C., the resistance value of the conductive film is lowered. このとき同時に、TFTのソース領域と、塗布導電膜で形成したソース配線とのコンタクト抵抗、さらにはドレイン領域と、塗布導電膜で形成したドレイン電極とのコンタクト抵抗を低減することができる。 At the same time, it can be reduced and the source region of the TFT, the contact resistance between the source wiring formed by coating a conductive film, further a drain region, the contact resistance between the drain electrode formed by coating a conductive film. 第2の熱処理部603Bにて、ランプアニールやレーザアニールなどの高温短時間の熱処理を行うと、塗布導電膜の低抵抗化とコンタクト抵抗の低減をより効果的に行うことができる。 In the second heat treatment section 603B, performed a short time at a high temperature heat treatment such as lamp annealing or laser annealing, it is possible to reduce the low-resistance and contact resistance of the coating conductive film more effectively. また、異種の金属を多層形成して、信頼性を向上させることもできる。 Moreover, the dissimilar metals and multilayer form, it is also possible to improve the reliability. Agは比較的空気中で酸化され易いので、Agの上に空気中で酸化されにくいAlやCuなどを形成するとよい。 Since Ag is relatively oxidized in air easily, it may be formed and which is hard Al and Cu oxide in the air over the Ag.

【0185】(塗布導電層の他の形成方法)この方法は、後述する塗布ITO膜の上に、金属メッキ層を形成して導電膜を形成する方法である。 [0185] (Another method for forming a coating conductive layer) The method, on the coating ITO film which will be described later, is a method of forming a conductive film to form a metal plating layer.

【0186】図45は、塗布ITO表面にNiメッキを施すフローチャートを示している。 [0186] Figure 45 shows a flowchart for performing Ni plating on the coated ITO surface. 図45のステップ1 Step in Figure 45 1
にて、上述した方法で塗布ITO膜を形成する。 At, to form a coating ITO film in the manner described above. 次にステップ2にて、塗布ITO表面を例えばライトエッチングして、その表面を活性化させる。 Next, in step 2, the coating ITO surface for example by light etching, activating its surface. ステップ3では、ステップ4のNiメッキ処理の前処理として、まず塗布I In Step 3, as pretreatment Ni plating of Step 4, first coating I
TOの表面に、Pd/Snの錯塩を付着させ、次に表面にPdを析出させる処理を行う。 The TO surface of, depositing a complex of Pd / Sn, then performs processing to deposit Pd on the surface.

【0187】ステップ4のNiメッキ工程では、例えば無電解メッキ工程を実施することで、塗布ITO表面に析出されたPdが、Niに置換されてNiメッキ処理がなされる。 [0187] In the Ni plating process step 4, for example by carrying out the electroless plating, Pd is that is deposited on the coated ITO surface, Ni plating is substituted with Ni is made. ステップ4にてさらにNiメッキ層をアニールすることで、そのメッキ層が緻密化される。 By further annealing the Ni plating layer in step 4, the plating layer is densified. 最後に、 Finally,
ステップ5にて、Niメッキ上に酸化防止層としての貴金属メッキ例えばAuメッキ処理することで、導電層が完成する。 In step 5, by noble metal plating such as Au plating treatment as an antioxidant layer on the Ni plating, the conductive layer is completed.

【0188】この方法により、塗布ITO膜をベースとしながらも、メッキ層を形成して透明電極以外の導電層を形成することができる。 [0188] By this method, while a base coated ITO film, it is possible to form the conductive layer other than the transparent electrode to form a plated layer.

【0189】(スピンコート以外の塗布方法)図48乃至図50は、薄膜を形成するための液体やフォトエッチング時のマスクに使用されるレジストなどの液体を塗布する塗布装置を示す図である。 [0189] (Method of application other than spin coating) FIGS. 48 to 50 are views showing a coating apparatus for applying a liquid such as a resist used for the mask in the liquid or photo etching to form a thin film. 本実施の形態では塗布する液体としてレジストを例に挙げて説明する。 In the present embodiment will be described as an example using the resist as a liquid to be applied. レジスト塗布に限らず、もちろん上述した各種塗布膜の形成にも利用できる。 Not only to the resist coating, of course utilized in the formation of various coating film described above. 図48において、ステージ801上に基板802が真空吸着されている。 In Figure 48, the substrate 802 is vacuum-adsorbed on the stage 801. レジストは液体保管部8 The resist liquid storage unit 8
07から供給管806を通してディスペンサヘッド80 07 dispenser head 80 through the supply pipe 806 from
4に供給される。 It is supplied to the 4. レジストはさらに、ディスペンサヘッド807に設けられた複数のノズル805から、基板8 Resist further plurality of nozzles 805 provided on the dispenser head 807, the substrate 8
02上に非常に多くのドット803として塗布される。 02 is applied as a very many of the dot 803 on.

【0190】ノズル805の詳細断面図を図49に示す。 [0190] A detailed cross-sectional view of the nozzle 805 in FIG. 49. 図49はインクジェットプリンタのヘッドと同様な構造であり、ピエゾ素子の振動でレジストを吐出するようになっている。 Figure 49 is a similar structure to the ink-jet printer head, so as to discharge the resist vibration of the piezoelectric element. レジストは入り口部811から供給口812を介してキャビティ部813に溜まる。 Resist collects in the cavity portion 813 from the inlet 811 through the supply port 812. 振動板8 The diaphragm 8
15に密着しているピエゾ素子814の伸縮により該振動板815が動き、キャビティ813の体積が減少または増加する。 The diaphragm 815 moves by expansion and contraction of the piezoelectric element 814 is in close contact with the 15, the volume of the cavity 813 decreases or increases. レジストはキャビティ813の体積が減少するときノズル口816から吐出され、キャビティ81 Resist is discharged from the nozzle opening 816 when the volume of the cavity 813 decreases, the cavity 81
3の体積が増加するとき、レジストは供給口812からキャビティ813に供給される。 When 3 to increase the volume, the resist is supplied from the supply port 812 to the cavity 813. ノズル口816は例えば図50に示すように2次元的に複数個配列されており、図48に示したように、基板802またはディスペンサ804が相対的に移動することによって、基板全面にレジストがドット状に塗布される。 Nozzle opening 816 is a plurality arranged two-dimensionally as shown in FIG. 50 for example, as shown in FIG. 48, by the substrate 802 or the dispenser 804 moves relatively, the resist dot on the entire surface of the substrate It is applied to Jo. 図50において、 In FIG. 50,
ノズル口816の配列ピッチは、横方向ピッチP1が数100μm、縦方向ピッチP2が数mmである。 The arrangement pitch of the nozzle openings 816, transverse pitch P1 of several 100 [mu] m, the vertical-direction pitch P2 of a few mm. ノズル口816の口径は数10μm乃至数100μmである。 Diameter of the nozzle opening 816 is several 10μm to several 100 [mu] m.
一回の吐出量は数10ng乃至数100ngで、吐出されるレジストの液滴の大きさは直径数10μm乃至数1 In a single discharge amount several 10ng to several 100 ng, resist droplet size diameter number 10μm to several 1 to be discharged
00μmである。 It is 00μm. ドット状に塗布されるレジストは、ノズル805から吐出された直後は数100μmの円形である。 Resist applied in a dot shape, immediately after discharged from the nozzle 805 is a circular several 100 [mu] m. レジストを基板全面に塗布する場合は、前記ドット803のピッチも数100μmとし、回転数が数百乃至数千rpmで数秒間基板を回転すれば、均一な膜厚の塗布膜が得られる。 When applying a resist on the entire surface of the substrate is the pitch number 100μm of the dot 803, if rotated a few seconds the substrate speed in hundreds to thousands of rpm, the coating film having a uniform thickness is obtained. 塗布膜の膜厚は基板の回転数や回転時間だけでなく、ノズル口816の口径及びドット80 The film thickness of the coating film is not only the rotation speed and rotation time of the substrate, diameter and dot 80 of the nozzle port 816
3のピッチによっても制御可能である。 By 3 the pitch can be controlled.

【0191】このレジスト塗布方式はインクジェット方式の液体塗布方式であり、基板全面にドット状に塗布されるため、ドット803間のレジストのない部分にレジストが塗布されるように基板を移動例えば回転させればよいので、レジストを効率的に使用することができる。 [0191] The resist coating method is a liquid coating method of an ink jet system, because it is applied in the form of dots on the entire surface of the substrate, is moved for example rotating the substrate so as to resist the resist-free portions between the dots 803 are applied since it is Re, it can be used resist efficiently.
この方式はレジストだけでなく、前述した塗布膜にて形成される絶縁膜、シリコン膜、導電膜の形成にも同様に適用できるので、液晶表示装置のコスト低減に非常に大きな効果をもたらすものである。 This method not only resist, an insulating film formed by a coating film described above, a silicon film, since equally applicable to formation of the conductive film, one that results in a very large effect on the cost of the liquid crystal display device is there.

【0192】また、インクジェット方式の液体塗布において、ノズル口816の口径は更に小さくすることができるので、10〜20μm幅の線状のパタンに塗布することも可能である。 [0192] In the liquid coating of the ink-jet method, since the diameter of the nozzle opening 816 can be further reduced, it is also possible to apply the linear pattern of 10~20μm width. この技術をシリコン膜や導電膜の形成に用いれば、フォトリソグラフィ工程が不要な直接描画が可能となる。 The use of this technique for the formation of the silicon film and the conductive film, a photolithography process can be realized drawing unwanted directly. TFTのデザインルールが数10μm Number TFT of design rules is 10μm
程度であれば、この直接描画と塗布方式の薄膜形成技術を組み合わせることにより、CVD装置、スパッタ装置、イオン打ち込みやイオンドーピング装置、露光装置、エッチング装置を使用しない液晶表示装置の製造が可能となる。 As long as, by combining film formation technique of the direct writing a coating method, CVD apparatus, a sputtering apparatus, an ion implantation or ion doping apparatus, an exposure apparatus, it is possible to manufacture a liquid crystal display device not using the etching apparatus . 即ち、本発明によるインクジェット方式の液体塗布装置と、レーザアニール装置やランプアニール装置などの熱処理装置のみで液晶表示装置が製造できるのである。 That is, a liquid coating apparatus of an ink jet type according to the present invention, a liquid crystal display device only in the heat treatment apparatus such as a laser annealing apparatus or a lamp annealing apparatus is to be produced.

【0193】(その他の膜形成方法に関して)分離層1 [0193] (for other film forming methods) separating layer 1
20を、E. The 20, E. 有機高分子材料にて形成する場合には、液状の有機高分子をスピンコート法などで塗布し、その後にベークすることで、塗布膜として形成することができる。 In the case of forming in an organic polymeric material, an organic polymer liquid was coated by spin coating or the like, is followed by baking, it can be formed as a coating film. 図18に示す接着層160も、塗布膜にて形成することができる。 Adhesive layer 160 shown in FIG. 18 can also be formed by a coating film. 分離層120を、B. The separation layer 120, B. 〜C. ~C. に示す各種セラミックスにて形成する場合も、液状のセラミックス材料を塗布したのち、熱処理好ましくはレーザアニールなどの低温熱処理にて燒結することで得ることができる。 When forming at various ceramics shown also, after applying the ceramic material of the liquid, the heat treatment can be preferably obtained by sintering at a low temperature heat treatment such as laser annealing.

【0194】(第2の実施の形態)上述の第1の実施の形態の形態で説明した技術を用いると、例えば、図25 [0194] When the (second embodiment) using the technique described in the form of the first embodiment described above, for example, FIG. 25
(a)に示すような、薄膜デバイスを用いて構成されたマイクロコンピュータを所望の基板上に形成できるようになる。 As (a), the so a microcomputer that is configured with the thin film device can be formed to a desired substrate.

【0195】図25(a)では、プラスチック等からなる二次転写体としてのフレキシブル基板182上に、薄膜デバイスを用いて回路が構成されたCPU300,R [0195] In FIG. 25 (a), the on the flexible substrate 182 as a secondary transfer member made of a plastic or the like, CPU 300 circuit is constituted by using the thin film device, R
AM320,入出力回路360ならびに、これらの回路の電源電圧を供給するための、アモルファスシリコンのPIN接合を具備する太陽電池340が搭載されている。 AM320, output circuit 360 and, for supplying a power supply voltage of these circuits, a solar cell 340 having a PIN junction of amorphous silicon is mounted.

【0196】図25(a)のマイクロコンピュータは二次転写体であるフレキシブル基板182上に形成されているため、図25(b)に示すように曲げに強く、また、軽量であるために落下にも強いという特徴がある。 [0196] Figure 25 (a) for the microcomputer is formed on the flexible substrate 182 is a secondary transfer member, falls to strongly bend as shown in FIG. 25 (b), also a lightweight is characterized in that the strong also.
また、図25(a)に示すプラスチック基板182は、 Further, the plastic substrate 182 shown in FIG. 25 (a)
電子機器のケースを兼用しても良い。 It may also serve as a case of the electronic devices. こうすると、ケースの内面および外面の少なくとも一方に薄膜デバイスが転写された電子機器を製造できる。 In this way, it can be produced an electronic device in which a thin film device is transferred to at least one of the case of the inner and outer surfaces.

【0197】(第3の実施の形態)本実施の形態では、 [0197] (Third Embodiment) In this embodiment,
上述の薄膜デバイスの転写技術を用いて、図26に示されるような、アクティブマトリクス基板を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置を作成する場合の製造プロセスの例について説明する。 Using a transfer technique of the above thin film device, as shown in FIG. 26, an example of the manufacturing process for creating an active matrix type liquid crystal display device using the active matrix substrate.

【0198】(液晶表示装置の構成)図26に示すように、アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、バックライト等の照明光源400,偏光板420,アクティブマトリクス基板440,液晶460,対向基板480, [0198] As shown in FIG. 26 (structure of a liquid crystal display device), an active matrix liquid crystal display device, the illumination light source 400 such as a backlight, a polarizing plate 420, the active matrix substrate 440, liquid crystal 460, a counter substrate 480,
偏光板500を具備する。 It includes a polarizing plate 500.

【0199】なお、本発明のアクティブマトリクス基板440と対向基板480にプラスチックフィルムのようなフレキシブル基板を用いる場合は、照明光源400に代えて反射板を採用した反射型液晶パネルとして構成すると、可撓性があって衝撃に強くかつ軽量なアクティブマトリクス型液晶パネルを実現できる。 [0199] In the case where the active matrix substrate 440 and the counter substrate 480 of the present invention using a flexible substrate such as a plastic film, when configured as a reflection type liquid crystal panel adopting the reflection plate instead of the illumination light source 400, the flexible sex strong and lightweight can be realized active matrix liquid crystal panel in an impact there. なお、画素電極を金属で形成した場合、反射板および偏光板420は不要となる。 In the case of forming the pixel electrodes with a metal, the reflecting plate and the polarizing plate 420 is not required.

【0200】本実施の形態で使用するアクティブマトリクス基板440は、画素部442にTFTを配置し、さらに、ドライバ回路(走査線ドライバおよびデータ線ドライバ)444を搭載したドライバ内蔵型のアクティブマトリクス基板である。 [0200] The active matrix substrate 440 used in this embodiment, a TFT arranged in the pixel portion 442, further, the active matrix substrate of the driver built-in equipped with a driver circuit (scanning line driver and data line driver) 444 is there.

【0201】このアクティブマトリクス型液晶表示装置の要部の断面図が図27に示され、また、液晶表示装置の要部の回路構成が図28に示される。 [0201] sectional view of a main portion of the active matrix type liquid crystal display device shown in FIG. 27, also, the circuit configuration of a main part of a liquid crystal display device is shown in Figure 28.

【0202】図28に示されるように、画素部442 [0202] As shown in FIG. 28, the pixel portion 442
は、ゲートがゲート線G1に接続され、ソース・ドレインの一方がデータ線D1に接続され、ソース・ドレインの他方が液晶460に接続されたTFT(M1)と、液晶460とを含む。 Has a gate connected to the gate line G1, including one of a source and a drain connected to the data line D1, the TFT and the other of the source and drain are connected to the liquid crystal 460 (M1), and a liquid crystal 460.

【0203】また、ドライバー部444は、画素部のT [0203] In addition, the driver unit 444, the pixel portion T
FT(M1)と同じプロセスにより形成されるTFT TFT formed by the same process as FT (M1)
(M2)を含んで構成される。 Configured to include a (M2).

【0204】図27の左側に示されるように、画素部4 [0204] As shown on the left side of FIG. 27, the pixel portion 4
42におけるTFT(M1)は、ソース・ドレイン層1 TFT in 42 (M1), the source-drain layer 1
100a,1100bと、チャンネル1100eと、ゲート絶縁膜1200aと、ゲート電極1300aと、絶縁膜1500と、ソース・ドレイン電極1400a,1 100a, and 1100b, a channel 1100E, a gate insulating film 1200a, a gate electrode 1300a, an insulating film 1500, the source-drain electrodes 1400a, 1
400bとを含んで構成される。 Configured to include a and 400b.

【0205】なお、参照番号1700は画素電極であり、参照番号1702は画素電極1700が液晶460 [0205] Reference numeral 1700 is a pixel electrode, reference numeral 1702 denotes a pixel electrode 1700 is a liquid crystal 460
に電圧を印加する領域(液晶への電圧印加領域)を示す。 Indicating an area for applying the voltage (voltage application region of the liquid crystal) to. 図中、配向膜は省略してある。 In the figure, the orientation film is omitted. 画素電極1700はITO(光透過型の液晶パネルの場合)あるいはアルミニュウム等の金属(反射型の液晶パネルの場合)により構成される。 Pixel electrode 1700 is composed of ITO (the case of the reflection type liquid crystal panel) (light if transmission type liquid crystal panel) or a metal such as aluminum.

【0206】また、図27の右側に示されるように、ドライバー部444を構成するTFT(M2)は、ソース,ドレイン層1100c,1100dと、チャンネル1100fと、ゲート絶縁膜1200bと、ゲート電極1300bと、絶縁膜1500と、ソース・ドレイン電極1400c,1400dとを含んで構成される。 [0206] Also, as shown on the right side of FIG. 27, TFT constituting the driver unit 444 (M2), the source, drain layer 1100c, and 1100d, a channel 1100F, a gate insulating film 1200 b, and a gate electrode 1300b configured to include an insulation film 1500, the source-drain electrodes 1400c, and 1400d.

【0207】なお、図27において、参照番号480 [0207] It should be noted that in FIG. 27, reference number 480
は、例えば、対向基板(例えば、ソーダガラス基板)であり、参照番号482は共通電極である。 Is, for example, a counter substrate (e.g., soda glass substrate), and reference numeral 482 is a common electrode. また、参照番号1000はSiO 2膜であり、参照番号1600は層間絶縁膜(例えば、SiO 2膜)であり、参照番号18 Further, reference numeral 1000 is a SiO 2 film, reference numeral 1600 denotes an interlayer insulating film (e.g., SiO 2 film), reference numeral 18
00は接着層である。 00 is an adhesive layer. また、参照番号1900は、例えばソーダガラス基板からなる基板(転写体)である。 Further, reference numeral 1900 is, for example, a substrate made of soda glass substrate (transfer member).

【0208】(液晶表示装置の製造プロセス)以下、図27の液晶表示装置の製造プロセスについて、図29〜 [0208] (manufacturing process of the liquid crystal display device) Hereinafter, a manufacturing process of the liquid crystal display device of FIG. 27, FIG. 29
図34を参照して説明する。 Referring to FIG. 34 will be described.

【0209】まず、図11〜図21と同様の製造プロセスを経て、図29のようなTFT(M1,M2)を、信頼性が高くかつレーザー光を透過する基板(例えば、石英基板)3000上に形成し、保護膜1600を構成する。 [0209] First, through the same manufacturing process as FIG. 11 to FIG. 21, the TFT (M1, M2) as shown in FIG. 29, a substrate which transmits reliable and laser light (e.g., quartz substrate) 3000 over formed in, constituting the protective film 1600. なお、図29において、参照番号3100は第1分離層(レーザー吸収層)である。 Incidentally, in FIG. 29, reference numeral 3100 denotes a first separation layer (laser absorbing layer). また、図29では、T In addition, in FIG. 29, T
FT(M1,M2)は共にn型のMOSFETとしている。 FT (M1, M2) are both an n-type MOSFET. 但し、これに限定されるものではなく、p型のMO However, the present invention is not limited to this, p-type MO
SFETや、CMOS構造としてもよい。 SFET or may be a CMOS structure.

【0210】次に、図30に示すように、保護膜160 [0210] Next, as shown in FIG. 30, the protective film 160
0を選択的にエッチングし、電極1400aに導通するITO膜あるいはアルミニュウム等の金属からなる画素電極1700を形成する。 0 selectively etched to form a pixel electrode 1700 made of a metal ITO film or aluminum or the like that conducts to the electrode 1400a. ITO膜を用いる場合には透過型の液晶パネルとなり、アルミニュウム等の金属を用いる場合には反射型の液晶パネルとなる。 It becomes transmissive liquid crystal panel in the case of using an ITO film, a reflective liquid crystal panel in the case of using a metal such as aluminum.

【0211】次に、図31に示すように、第2分離層である熱溶融性接着層1800を介して、一次転写体である基板1900を接合(接着)する。 [0211] Next, as shown in FIG. 31, through the hot-melt adhesive layer 1800 which is the second separation layer, bonding the substrate 1900 is a primary transcript (adhesion). なお、第2分離層は、第1分離層と同様にアブレーション層で構成することもできる。 Incidentally, the second separation layer may be composed of a ablation layer as in the first separation layer.

【0212】次に、図31に示すように、基板3000 [0212] Next, as shown in FIG. 31, the substrate 3000
の裏面からエキシマレーザー光を照射し、この後、基板3000を引き剥がす。 The back is irradiated with excimer laser light from, thereafter, peeling the substrate 3000.

【0213】次に、第1分離層(レーザー吸収層)31 [0213] Then, the first separation layer (laser absorbing layer) 31
00を除去する。 00 is removed. これにより、図32に示すように、画素部442及びドライバー部44は、一次転写体190 Thus, as shown in FIG. 32, the pixel portion 442 and the driver unit 44, a primary transfer member 190
0に転写される。 0 is transferred to.

【0214】次に、図33に示すように、熱硬化性接着層2000を介して、二次転写体2100を、SiO 2 [0214] Next, as shown in FIG. 33, through the thermosetting adhesive layer 2000, the second transfer member 2100, SiO 2
膜1000の下面に接合する。 Bonded to the lower surface of the membrane 1000.

【0215】その後、例えば一次転写体1900をオーブン上に載置して、熱溶融性接着剤1800を溶融させ、一次転写体1900を離脱させる。 [0215] Then, for example, the primary transcript 1900 was placed on the oven, to melt the hot melt adhesive 1800, disengaging the primary transcript 1900. 保護膜1600 The protective film 1600
及び画素電極1700に付着している熱溶融性接着層1 And hot-melt adhesive layer adhered to the pixel electrode 1700 1
900も除去する。 900 is also removed.

【0216】これにより、図34に示すように、二次転写体2100に転写されたアクティブマトリクス基板4 [0216] Thus, as shown in FIG. 34, the active matrix substrate 4, which is transferred to the secondary transfer member 2100
40が完成する。 40 is completed. 画素電極1700は表層より露出しており、液晶との電気的な接続が可能となっている。 Pixel electrode 1700 is exposed from the surface layer, which enables electrical connection to the liquid crystal. この後、アクティブマトリクス基板440の絶縁膜(SiO Thereafter, an insulating film (SiO active matrix substrate 440
2などの中間層)1000の表面および画素電極170 2 surface and a pixel electrode 170 of the intermediate layer) 1000, such as
0の表面に配向膜を形成して配向処理が施される。 Alignment treatment is performed to form an alignment layer on the 0 surface. 図3 Figure 3
4では、配向膜は省略してある。 In 4, the alignment film is omitted.

【0217】そしてさらに、図27に示すように、その表面に画素電極1700と対向する共通電極が形成され、その表面が配向処理された対向基板480と、アクティブマトリク基板440とを封止材(シール材)で封止し、両基板の間に液晶を封入して、液晶表示装置が完成する。 [0217] and further, as shown in FIG. 27, the common electrode is formed to face the pixel electrode 1700 on the surface thereof, the sealing material and the counter substrate 480 whose surface is oriented processing and active matrix substrate 440 ( sealed with a sealing material), and a liquid crystal is sealed between the two substrates, a liquid crystal display device is completed.

【0218】なお、上述した液晶表示装置を構成する部材上の塗布膜のうち、第1の実施の形態に示した膜と同様の機能を有する膜については、第1の実施の形態にて示した液相プロセスを用いて形成することができる。 [0218] Among the coating film on the member constituting the liquid crystal display device described above, for the films having the same functions as the film shown in the first embodiment, shown in the first embodiment it can be formed by using a liquid phase process.

【0219】以下は、透明電極1700を塗布膜にて形成するための液相プロセスについて説明する。 [0219] Hereinafter will be described a liquid phase process for forming a transparent electrode 1700 by a coating film.

【0220】(透明電極の形成方法)次に、塗布ITO [0220] (Method for Forming Transparent Electrode) Next, the coating ITO
膜を用いた透明電極の成形方法について説明する。 Illustrating a method of forming the transparent electrode using a membrane. この塗布ITOの成膜も、図40と同じ装置を用いて実施できる。 Deposition of the coating ITO can also be carried out using the same apparatus as Figure 40. 本実施の形態で用いる塗布液は、有機インジウムと有機スズとがキシロール中に97:3の比率で8%配合された液状のもの(たとえば、旭電化工業株式会社製の商品名:アデカITO塗布膜/ITO−103L)である。 Coating liquid used in the present embodiment, an organic indium and an organic tin 97 in xylene: one 8% compounded liquid at a ratio of 3 (e.g., trade name manufactured by Asahi Denka Kogyo: ADEKA ITO coating film is / ITO-103L). なお、塗布液としては、有機インジウムと有機スズとの比が99:1から90:10までの範囲にあるものを使用することができる。 As the coating solution, the ratio of the organic indium and an organic tin 99: it is possible to use those in the range from 1 to 90:10. この塗布液が図40の塗布液保管部605に保管される。 The coating solution is stored in the coating liquid storage portion 605 of FIG. 40.

【0221】この塗布液が、スピンコータ602にて基板上に吐出され、さらに基板を回転させることでスピンコートされる。 [0221] The coating solution is discharged by a spin coater 602 on the substrate, it is further spin-coated by rotating the substrate.

【0222】次に、塗布膜の熱処理が実施されるが、このときの熱処理条件は下記の通り設定した。 [0222] Next, heat treatment of the coating film is performed, heat treatment conditions at this time were set as follows. まず、図4 First, as shown in FIG. 4
0の第1の熱処理部603Aにて、250℃〜450℃ In the first heat treatment section 603A of 0, 250 ℃ ~450 ℃
の空気中あるいは酸素雰囲気中で30分から60分の第1の熱処理を行った。 Of 30 to 60 minutes the first heat treatment was carried out in air or an oxygen atmosphere. 次に、第2の熱処理部603Bにて、200℃〜400℃の水素含有雰囲気中で30分から60分の第2の熱処理を行った。 Next, in the second heat treatment section 603B, a second heat treatment for 30 to 60 minutes was carried out in a hydrogen-containing atmosphere at 200 ° C. to 400 ° C.. その結果、有機成分が除去され、インジウム酸化物と錫酸化物の混合膜(I As a result, organic components are removed, mixed film of indium oxide and tin oxide (I
TO膜)が形成される。 TO film) is formed. 上記熱処理により、膜厚が約5 By the heat treatment, the film thickness of about 5
00オングストローム〜約2000オングストロームのITO膜は、シート抵抗が10 2 Ω/□〜10 4 Ω/□ 00 angstroms to about 2000 angstroms of ITO film has a sheet resistance of 10 2 Ω / □ ~10 4 Ω / □
で、光透過率が90%以上となり、画素電極41として十分な性能を備えたITO膜とすることができる。 In the light transmittance is 90% or more, can be an ITO film having a sufficient performance as a pixel electrode 41. 前記第1の熱処理後のITO膜のシート抵抗は10 5 〜10 6 The sheet resistance of the first ITO film after heat treatment is 105 to 106
Ω/□のオーダであるが、前記第2の熱処理のよりシート抵抗は10 2 〜10 4 Ω/□のオーダまで低下する。 Omega / □ but the order of more sheet resistance of the second heat treatment is reduced to 10 2 ~10 4 Ω / □ of the order.

【0223】この塗布ITO膜の形成は、図41または図42に示す装置によって、塗布ITO膜と塗布絶縁膜とをインラインにて製造することができる。 [0223] The formation of the coating ITO film may be by the apparatus shown in FIG. 41 or FIG. 42, to produce a the coating ITO film and the coating insulating film at line. このようにすれば形成直後の活性な塗布ITO膜の表面を絶縁膜で保護することができる。 Thus the surface of the active coating ITO film immediately after forming when it can be protected by the insulating film.

【0224】なお、この実施の形態はTFTアクティブマトリクス基板を例に挙げて薄膜デバイスを説明したが、同じアクティブマトリクス基板としてTFD(Thin [0224] Although this embodiment has been described a thin film device by way of the TFT active matrix substrate as an example, TFD (Thin as the same active matrix substrate
FilmDiode)、MIS(金属−絶縁−シリコン)などの他の2端子、3端子素子を画素スイッチング素子とするものにも同様に適用できる。 FilmDiode), MIS (metal - insulator - silicon) other two terminals, such as can be applied to three-terminal element equally to those with a pixel switching element. 例えばTFDを用いたアクティブマトリクス基板の薄膜積層構造は半導体層を含まず、導電層と絶縁層のみで構成されるが、この場合にも本発明を適用できる。 For example thin film stack structure of an active matrix substrate using the TFD includes no semiconductor layer, conductive layer and is composed only of the insulating layer, the present invention is also applicable to this case. さらには、本発明はアクティブマトリクス基板にのみでなく、表示要素としても液晶によらずに例えばEL(エレクトロ ルミネッセンス)などを用いるものでも良い。 Furthermore, the present invention not only to the active matrix substrate, for example, EL (electroluminescence) without also depending on the liquid crystal as a display element may be one and the like. さらには、TFTを含む半導体デバイス、DMD(デジタル ミラー デバイス)など、導電層と絶縁層を含み、さらには半導体層を含む種々の薄膜積層構造を有する薄膜デバイス及びそれを搭載した電子機器に本発明を適用可能である。 Further, a semiconductor device including a TFT, such as DMD (digital mirror device), the conductive layer and comprising an insulating layer, more present invention to thin film devices and electronic device equipped with it has a variety of thin film stack including a semiconductor layer it is possible to apply.

【0225】また、本発明の転写方法により製造される薄膜デバイスの利用形態として、製品の価格などのID [0225] As usage of the thin film device manufactured by a transfer method of the present invention, ID, such as the price of products
を象徴する従来のバーコードに置き換えられるID回路を挙げることができる。 Can be exemplified ID circuit is replaced with a conventional bar code to symbolize. この場合、例えば薄膜デバイスが転写されたラベル状の転写体は両面テープを介して種々の物品に貼付される。 In this case, for example, a thin film device is transferred label-like transfer member is attached to a variety of articles via the double-sided tape. 物品に付されたID回路に通電することで、その物品のIDが読みとられる。 By energizing the ID circuit added to the product, ID of the article is read.

【0226】(第4の実施の形態)図35に本発明の第4の実施の形態を示す。 [0226] A fourth embodiment of the present invention (Fourth Embodiment) FIG 35.

【0227】本実施の形態では、上述の薄膜デバイスの転写方法を複数回実行して、転写元の基板よりも大きい基板(転写体)上に薄膜デバイスを含む複数のパターンを転写し、最終的に大規模なアクティブマトリクス基板を形成する。 [0227] In this embodiment, the transfer method of the above thin film device running a plurality of times, transferring the plurality of patterns including a thin film device on large substrates from the transfer source substrate (transfer member), finally to form a large-scale active matrix substrate to.

【0228】つまり、大きな基板7000上に、複数回の転写を実行し、画素部7100a〜7100Pを形成する。 [0228] That is, on the large substrate 7000 to perform multiple transfer, forming a pixel portion 7100A~7100P. 図35の上側に一点鎖線で囲んで示されるように、画素部には、TFTや配線が形成されている。 As shown enclosed by the chain line in the upper part of FIG. 35, in the pixel portion, TFT and wiring are formed. 図3 Figure 3
5において、参照番号7210は走査線であり、参照番号7200は信号線であり、参照番号7220はゲート電極であり、参照番号7230は画素電極である。 In 5, reference numeral 7210 denotes a scanning line, reference numeral 7200 denotes a signal line, reference numeral 7220 denotes a gate electrode, reference numeral 7230 is a pixel electrode.

【0229】信頼性の高い基板を繰り返し使用し、あるいは複数の第1の基板を使用して薄膜パターンの転写を複数回実行することにより、信頼性の高い薄膜デバイスを搭載した大規模なアクティブマトリクス基板を作成できる。 [0229] By repeating the reliable substrate used, or to perform multiple transfer of the thin film pattern using a plurality of first substrate, a large active matrix equipped with highly reliable thin film devices You can create a board.

【0230】(第5の実施の形態)本発明の第5の実施の形態を図36に示す。 [0230] The fifth embodiment of the Fifth Embodiment The present invention is shown in FIG. 36.

【0231】本実施の形態の特徴は、上述の薄膜デバイスの転写方法を複数回実行して、転写元の基板上よりも大きな基板上に、設計ルール(つまりパターン設計する上でのデザインルール)が異なる薄膜デバイス(つまり、最小線幅が異なる薄膜デバイス)を含む複数のパターンを転写することである。 [0231] This embodiment is characterized in that, the transfer method of the above thin film device running a plurality of times, on a large substrate from the transfer source substrate, (design rules in order to words pattern design) design rule is that to transfer a plurality of patterns including different thin film device (i.e., a thin film device the minimum line width are different).

【0232】図36では、ドライバー搭載のアクティブマトリクス基板において、画素部(7100a〜710 [0232] In FIG. 36, in the active matrix substrate of the driver mounting, the pixel portion (7100A~710
0p)よりも、より微細な製造プロセスで作成されたドライバ回路(8000〜8032)を、複数回の転写によって基板6000の周囲に作成してある。 0p) than the finer manufacturing process driver created by the circuit (8000 to 8032), it is created around the substrate 6000 by a plurality of times of transfer.

【0233】ドライバ回路を構成するシフトレジスタは、低電圧下においてロジックレベルの動作をするので画素TFTよりも耐圧が低くてよく、よって、画素TF [0233] The shift register constituting the driver circuit may have low breakdown voltage than the pixel TFT since the logic level of operating at low voltage under Accordingly, pixel TF
Tより微細なTFTとなるようにして高集積化を図ることができる。 As a fine TFT than T can be highly integrated.

【0234】本実施の形態によれば、設計ルールレベルの異なる(つまり製造プロセスが異なる)複数の回路を、一つの基板上に実現できる。 According to [0234] this embodiment, the design rule levels of different (i.e. manufacturing process are different) a plurality of circuits, can be realized on a single substrate. なお、シフトレジスタの制御によりデータ信号をサンプリングするサンプリング手段(図25の薄膜トランジスタM2)は、画素TF Incidentally, (thin film transistor M2 in Figure 25) a sampling means for sampling the data signal under the control of the shift register, pixels TF
T同様に高耐圧が必要なので、画素TFTと同一プロセス/同一設計ルールで形成するとよい。 Since T Similarly high withstand voltage is required, it may be formed in the pixel TFT and the same process / the same design rule.

【0235】(第6の実施の形態)図37、図38は、 [0235] (Sixth Embodiment) FIG. 37, FIG. 38,
第1の実施の形態にて用いた第2分離層としての熱溶融性接着層160に代えて、第1の実施の形態の第1分離層120と同じ例えばアモルファスシリコン層220を用いた変形例を示している。 Instead of the hot-melt adhesive layer 160 serving as a second separation layer used in the first embodiment, modification using the same example, amorphous silicon layer 220 and the first separation layer 120 in the first embodiment the shows. 図37に示すように、このフモルファスシリコン層220の上に、接着層230を介して一次転写体180が接合されている。 As shown in FIG. 37, this on the Fumo Rufasu silicon layer 220, primary transfer body 180 via the adhesive layer 230 is bonded. また、図3 In addition, FIG. 3
7は第1分離層120にてアブレーションを生じさせるための光照射工程を示し、これは図4の工程と対応している図37の光照射工程の後に基板100及び第1分離層120を、薄膜デバイス層140の下面より除去し、 7 shows a light irradiation process for producing ablation in the first separation layer 120, which is the substrate 100 and the first separation layer 120 after the light irradiation step in Figure 37 correspond to the steps of FIG. 4, was removed from the lower surface of the thin film device layer 140,
図38に示すように、接着層190を介して二次転写体200を接合する。 As shown in FIG. 38, joining the secondary transfer member 200 through the adhesive layer 190. この後に、図38に示すように、例えば一次転写体180側からアモルファスシリコン層2 After this, as shown in FIG. 38, for example, amorphous silicon layer from the primary transfer member 180 side 2
20に光照射する。 Irradiated with light 20. これにより、アモルファスシリコン層220にてアブレーションが生ずる。 Thus, the ablation occurs in the amorphous silicon layer 220. この結果、一次転写体180及び接着層230を、薄膜デバイス層14 As a result, the primary transfer material 180 and adhesive layer 230, the thin film device layer 14
0かせ除去することができる。 0 skein can be removed.

【0236】このように、本発明では第1,第2分離層の双方にて順次アブレーションを生じさせて、薄膜デバイス層140を二次転写体200に転写させても良い。 [0236] Thus, first in the present invention, by causing sequential ablation in both the second separation layer may be a thin film device layer 140 is transferred to the secondary transfer member 200.

【0237】 [0237]

【実施例】次に、本発明の具体的実施例について説明する。 EXAMPLES Next, detailed embodiments of the present invention.

【0238】(実施例1)縦50mm×横50mm×厚さ1.1mmの石英基板(軟化点:1630℃、歪点:10 [0238] (Example 1) quartz substrate vertical 50 mm × horizontal 50 mm × thickness 1.1 mm (softening point: 1630 ° C., strain point: 10
70℃、エキシマレーザの透過率:ほぼ100%)を用意し、この石英基板の片面に、第1分離層(レーザ光吸収層)として非晶質シリコン(a−Si)膜を低圧CV 70 ° C., excimer laser transmittance: providing a substantially 100%), on one surface of this quartz substrate, an amorphous silicon as a first separation layer (laser absorbing layer) (a-Si) film low CV
D法(Si 26ガス、425℃)により形成した。 Method D (Si 2 H 6 gas, 425 ° C.) was formed by. 第1分離層の膜厚は、100nmであった。 The thickness of the first separation layer was 100 nm.

【0239】次に、第1分離層上に、中間層としてSi [0239] Then, the first separation layer, Si as an intermediate layer
2膜を形成した。 O 2 film was formed. このSiO 2膜の形成に液相プロセスを用いた。 Using liquid phase process for the formation of the SiO 2 film. すなわち、東燃株式会社のポリシラザン(商品名)をキシレンに混合して、基板上にスピン塗布し、この塗布膜を、水蒸気を含む雰囲気で熱処理することでSiO 2膜に転化させた。 That is, by mixing the polysilazane (trade name) of Tonen Corporation in xylene was spin coated on a substrate, the coating film was converted into a SiO 2 film by a heat treatment in an atmosphere containing water vapor. この中間層の膜厚は、2 The thickness of the intermediate layer is 2
00nmであった。 It was 00nm.

【0240】次に、中間層上に、被転写層として膜厚5 [0240] Next, on the intermediate layer, the film thickness as the transferred layer 5
0nmの非晶質シリコン膜を低圧CVD法(Si 26ガス、425℃)により形成し、この非晶質シリコン膜にレーザ光(波長308nm)を照射して、結晶化させ、ポリシリコン膜とした。 Amorphous silicon film of low-pressure CVD method (Si 2 H 6 gas, 425 ° C.) of 0nm formed by, by irradiating a laser beam (wavelength 308 nm) in the amorphous silicon film, is crystallized, a polysilicon film and the. その後、このポリシリコン膜に対し、所定のパターンニングを施し、薄膜トランジスタのソース・ドレイン・チャネルとなる領域を形成した。 Then, with respect to the polysilicon film is subjected to predetermined patterning to form regions serving as source-drain channel of the thin film transistor. この後、中間層SiO 2と同様の液相プロセスを用いて上記ポリシラザンからなるゲート絶縁膜SiO 2を形成した。 Thereafter, the formation of the gate insulating film SiO 2 made of the polysilazane with the same liquid-phase process as the intermediate layer SiO 2. その後、ゲート絶縁膜上にゲート電極を液相プロセスにて形成した。 Thereafter, the gate electrode was formed by a liquid phase process over the gate insulating film. このために、旭電化工業株式会社製の商品名:アデカITO塗布膜/ITO−103Lを液状とした塗布液をスピンコートし、これを上述の第1,第2の熱処理部603A,603Bにて熱処理して塗布I For this, a trade name manufactured by Asahi Denka Kogyo: ADEKA ITO coating film / ITO-103L was spin-coated a coating liquid obtained by a liquid, which first mentioned above, the second heat treatment section 603A, at 603B application I and heat-treated
TO膜を形成した。 TO film was formed. その後、塗布ITO膜上に、図45 Then, on the coating ITO film, FIG. 45
の手順で金属メッキ層を形成した。 Forming a metal plating layer in the procedure. そして、塗布ITO Then, the coating ITO
膜及び金属メッキ層をパターニングしてゲート電極を形成した。 Forming a gate electrode by patterning the film and the metal plating layer. このゲート電極をマスクとしてイオン注入することによって、自己整合的(セルファライン)にソース・ドレイン領域を形成し、薄膜トランジスタを形成した。 By ion implantation using the gate electrode as a mask, a self-aligned manner (self-alignment) to form the source and drain regions, to form a thin film transistor. この後、必要に応じて、ソース・ドレイン領域に接続される電極及び配線、ゲート電極につながる配線が形成される。 Thereafter, if necessary, the source-drain region connected to the electrodes and wirings, connected to the gate electrode wiring is formed. これらの電極や配線も、ゲート電極と同様にして同一材料により液相プロセスを用いて形成した。 These electrodes and wiring were also formed by a liquid phase process the same material in the same manner as the gate electrode.

【0241】次に、前記薄膜トランジスタの上に、熱溶融性接着剤(商品名:プルーフワックス)を塗布し、一次転写体として縦200mm×横300mm×厚さ1.1mm [0241] Then, on the thin film transistor, hot-melt adhesive (trade name: Proof Wax) was applied to the vertical 200 mm × horizontal 300 mm × thickness of 1.1mm as a primary transfer member
の大型の透明なガラス基板(ソーダガラス、軟化点:7 Large transparent glass substrate (soda glass, softening point: 7
40℃、歪点:511℃)を接合した。 40 ° C., strain point: 511 ° C.) by joining.

【0242】次に、Xe−Clエキシマレーザ(波長: [0242] Next, Xe-Cl excimer laser (wavelength:
308nm)を石英基板側から照射し、第1分離層に剥離(層内剥離および界面剥離)を生じさせた。 The 308 nm) was irradiated from the quartz substrate side, it caused peeled (intralayer delamination and surface peeling) in the first separation layer. 照射したX Irradiated X
e−Clエキシマレーザのエネルギー密度は、250mJ e-Cl energy density of the excimer laser, 250 mJ
/cm 2 、照射時間は、20nsecであった。 / cm 2, irradiation time was 20 nsec. なお、エキシマレーザの照射は、スポットビーム照射とラインビーム照射とがあり、スポットビーム照射の場合は、所定の単位領域(例えば8mm×8mm)にスポット照射し、このスポット照射を単位領域の1/10程度ずつずらしながら照射していく。 The irradiation of the excimer laser, there is a spot beam irradiation and line beam irradiation, in the case of spot beam irradiation, and spot irradiation in a predetermined unit region (e.g., 8 mm × 8 mm), the spot irradiation of the unit region 1 / go with radiation shifted by about 10. また、ラインビーム照射の場合は、所定の単位領域(例えば378mm×0.1mmや378mm×0. The line beam when the irradiation, a predetermined unit region (e.g., 378 mm × 0.1 mm and 378 mm × 0.
3mm(これらはエネルギーの90%以上が得られる領域))を同じく1/10程度ずつずらしながら照射していく。 3 mm (these regions more than 90% is obtained of energy) will be irradiated while shifting by same extent 1/10). これにより、第1分離層の各点は少なくとも10 Thus, each point of the first separation layer is at least 10
回の照射を受ける。 Irradiated times. このレーザ照射は、石英基板全面に対して、照射領域をずらしながら実施される。 The laser irradiation with respect to the quartz substrate whole surface is carried out while shifting the irradiation region.

【0243】この後、石英基板とガラス基板一次(転写体)とを第1分離層において引き剥がし、石英基板上に形成された薄膜トランジスタおよび中間層を、一次転写体であるガラス基板側に一次転写した。 [0243] Thereafter, a quartz substrate and a glass substrate primary (transcript) and the peeling in the first separating layer, a thin film transistor and interlayer formed on the quartz substrate, primary transfer to the glass substrate side is a primary transcript did.

【0244】その後、ガラス基板側の中間層の表面に付着した第1分離層を、エッチングや洗浄またはそれらの組み合わせにより除去した。 [0244] Then, the first separation layer adhering to the surface of the glass substrate side of the intermediate layer was removed by etching or washing, or a combination thereof. また、石英基板についても同様の処理を行い、再使用に供した。 Further, the same processing for the quartz substrate and subjected to reuse.

【0245】さらに、露出した中間層の下面に、紫外線硬化型接着剤を塗布し(膜厚:100μm )、さらにその塗膜に、二次転写体として縦200mm×横300mm× [0245] Further, the lower surface of the exposed intermediate layer, an ultraviolet curable adhesive is applied (film thickness: 100 [mu] m), further to the coating film, vertical 200 mm × horizontal 300 mm × as a secondary transfer member
厚さ1.1mmの大型の透明なガラス基板(ソーダガラス、軟化点:740℃、歪点:511℃)を接合した後、ガラス基板側から紫外線を照射して接着剤を硬化させ、これらを接着固定した。 Thickness 1.1mm large transparent glass substrate (soda glass, softening point: 740 ° C., strain point: 511 ° C.) after bonding and curing the adhesive by irradiating ultraviolet rays from the glass substrate side, these It was bonded and fixed.

【0246】その後、熱溶融性接着剤を熱溶融させ、一次転写体であるガラス基板を除去した。 [0246] Thereafter, the hot-melt adhesive is hot melt, removing the glass substrate is a primary transcript. これにより、薄膜トランジスタおよび中間層を、二次転写体であるガラス基板側に二次転写した。 Thus, a thin film transistor and interlayer were transferred secondarily glass substrate side is a secondary transfer member. なお、一次転写体も洗浄により再利用可能である。 Note that it is reusable by even washing primary transcript.

【0247】ここで、一次転写体となるガラス基板が石英基板より大きな基板であれば、本実施例のような石英基板からガラス基板への一次転写を、平面的に異なる領域に繰り返して実施し、ガラス基板上に、石英基板に形成可能な薄膜トランジスタの数より多くの薄膜トランジスタを形成することができる。 [0247] Here, if a large substrate glass substrate of quartz substrate as a primary transfer member, a primary transfer from the quartz substrate as in this embodiment the glass substrate was performed repeatedly in different areas in plan view , can be formed on a glass substrate, a number of thin film transistors than the number of formable thin film transistor on a quartz substrate. さらに、ガラス基板上に繰り返し積層し、同様により多くの薄膜トランジスタを形成することができる。 Furthermore, repeatedly laminated on a glass substrate, it is possible to form more thin film transistors as well. あるいは、二次転写体となるガラス基板を、一次転写体及び石英基板よりも大型基板とし、二次転写を繰り返し実施して、石英基板に形成可能な薄膜トランジスタの数より多くの薄膜トランジスタを形成することもできる。 Alternatively, a glass substrate serving as a secondary transfer member, that a large substrate of the first transfer body and the quartz substrate, repeatedly carrying out the secondary transfer, to form a number of thin film transistors than the number of formable thin film transistor on a quartz substrate It can also be.

【0248】(実施例2)第1分離層を、H(水素)を20at%含有する非晶質シリコン膜とした以外は実施例1と同様にして、薄膜トランジスタの転写を行った。 [0248] (Example 2) first separation layer, except that the amorphous silicon film H (hydrogen) containing 20at% in the same manner as in Example 1, was transferred a thin film transistor.

【0249】なお、非晶質シリコン膜中のH量の調整は、低圧CVD法による成膜時の条件を適宜設定することにより行った。 [0249] The adjustment of the H amount of the amorphous silicon film was carried out by setting the conditions at the time of film formation by the low pressure CVD method as appropriate.

【0250】(実施例3)第1分離層を、スピンコートによりゾル−ゲル法で形成したセラミックス薄膜(組成:PbTiO 3 、膜厚:200nm)とした以外は実施例1と同様にして、薄膜トランジスタの転写を行った。 [0250] (Example 3) the first separation layer, the sol by spin-coating - ceramic thin film formed by gel method (composition: PbTiO 3, thickness: 200 nm) except for using in the same manner as in Example 1, a thin film transistor It was transferred.

【0251】(実施例4)第1分離層を、スパッタリングにより形成したセラミックス薄膜(組成:BaTiO [0251] (Example 4) a first separation layer, ceramic thin film formed by sputtering (composition: BaTiO
3 、膜厚:400nm)とした以外は実施例1と同様にして、薄膜トランジスタの転写を行った。 3, film thickness: except for using 400 nm) in the same manner as in Example 1, was transferred a thin film transistor.

【0252】(実施例5)第1分離層を、レーザ−アブレーション法により形成したセラミックス薄膜(組成: [0252] (Example 5) first separating layer, laser - ceramic thin film formed by ablation (composition:
Pb(Zr,Ti)O 3 (PZT)、膜厚:50nm)とした以外は実施例1と同様にして、薄膜トランジスタの転写を行った。 Pb (Zr, Ti) O 3 (PZT), thickness: except for using 50 nm) in the same manner as in Example 1, it was transferred a thin film transistor.

【0253】(実施例6)第1分離層を、スピンコートにより形成したポリイミド膜(膜厚:200nm)とした以外は実施例1と同様にして、薄膜トランジスタの転写を行った。 [0253] (Example 6) the first separation layer, a polyimide film (thickness: 200 nm) formed by spin coating except for using in the same manner as in Example 1, was transferred a thin film transistor.

【0254】(実施例7)第1分離層を、スピンコートにより形成したポリフェニレンサルファイド膜(膜厚: [0254] (Example 7) a first separation layer, polyphenylene sulfide film formed by spin coating (film thickness:
200nm)とした以外は実施例1と同様にして、薄膜トランジスタの転写を行った。 Except for using 200 nm) in the same manner as in Example 1, it was transferred a thin film transistor.

【0255】(実施例8)第1分離層を、スパッタリングにより形成したAl層(膜厚:300nm)とした以外は実施例1と同様にして、薄膜トランジスタの転写を行った。 [0255] (Example 8) the first separation layer, Al layer formed by sputtering (film thickness: 300 nm) except for using in the same manner as in Example 1, was transferred a thin film transistor.

【0256】(実施例9)照射光として、Kr−Fエキシマレーザ(波長:248nm)を用いた以外は実施例2 [0256] (Example 9) as the irradiation light, Kr-F excimer laser (wavelength: 248 nm) except for using Example 2
と同様にして、薄膜トランジスタの転写を行った。 In the same manner as were transferred thin film transistors. なお、照射したレーザのエネルギー密度は、250mJ/c Incidentally, the energy density of the laser was irradiated, 250 mJ / c
m 2 、照射時間は、20nsecであった。 m 2, the irradiation time was 20 nsec.

【0257】(実施例10)照射光として、Nd−YA [0257] As the irradiation light (Example 10), Nd-YA
IGレーザ(波長:1068nm)を用いた以外は実施例2と同様にして薄膜トランジスタの転写を行った。 IG laser (wavelength: 1068 nm) except for using in the same manner as in Example 2 was transferred thin film transistors. なお、照射したレーザのエネルギー密度は、400mJ/c Incidentally, the energy density of the laser was irradiated, 400 mJ / c
m 2 、照射時間は、20nsecであった。 m 2, the irradiation time was 20 nsec.

【0258】(実施例11)被転写層として、高温プロセス1000℃によるポリシリコン膜(膜厚80nm)の薄膜トランジスタとした以外は実施例1と同様にして、 [0258] (Example 11) the transfer layer, except that the thin film transistor of a polysilicon film (thickness 80 nm) by a high temperature process 1000 ° C. in the same manner as in Example 1,
薄膜トランジスタの転写を行った。 Was the transfer of the thin film transistor.

【0259】(実施例12)転写体として、ポリカーボネート(ガラス転移点:130℃)製の透明基板を用いた以外は実施例1と同様にして、薄膜トランジスタの転写を行った。 [0259] (Example 12) transcript, a polycarbonate (glass transition point: 130 ° C.) except that a transparent substrate made of in the same manner as in Example 1, was transferred a thin film transistor.

【0260】(実施例13)転写体として、AS樹脂(ガラス転移点:70〜90℃)製の透明基板を用いた以外は実施例2と同様にして、薄膜トランジスタの転写を行った。 [0260] (Example 13) transcript, AS resin (glass transition point: 70 to 90 ° C.) except that a transparent substrate made of in the same manner as in Example 2, was transferred a thin film transistor.

【0261】(実施例14)転写体として、ポリメチルメタクリレート(ガラス転移点:70〜90℃)製の透明基板を用いた以外は実施例3と同様にして、薄膜トランジスタの転写を行った。 [0261] (Example 14) transcript, polymethyl methacrylate (glass transition point: 70 to 90 ° C.) except that a transparent substrate made of in the same manner as in Example 3, was transferred a thin film transistor.

【0262】(実施例15)転写体として、ポリエチレンテレフタレート(ガラス転移点:67℃)製の透明基板を用いた以外は、実施例5と同様にして、薄膜トランジスタの転写を行った。 [0262] (Example 15) transcript, a polyethylene terephthalate (glass transition point: 67 ° C.) except that a transparent substrate made of, the same procedure as in Example 5, was transferred a thin film transistor.

【0263】(実施例16)転写体として、高密度ポリエチレン(ガラス転移点:77〜90℃)製の透明基板を用いた以外は実施例6と同様にして、薄膜トランジスタの転写を行った。 [0263] (Example 16) transcript, a high density polyethylene (glass transition point: 77 to 90 ° C.) except that a transparent substrate made of in the same manner as in Example 6, was subjected to transfer of the thin film transistor. (実施例17)転写体として、ポリアミド(ガラス転移点:145℃)製の透明基板を用いた以外は実施例9と同様にして、薄膜トランジスタの転写を行った。 (Example 17) transcript, a polyamide (glass transition point: 145 ° C.) except that a transparent substrate made of in the same manner as in Example 9, were transferred thin film transistors.

【0264】(実施例18)転写体として、エポキシ樹脂(ガラス転移点:120℃)製の透明基板を用いた以外は実施例10と同様にして、薄膜トランジスタの転写を行った。 [0264] (Example 18) transcript, epoxy resin (glass transition point: 120 ° C.) except that a transparent substrate made of in the same manner as in Example 10, was subjected to transfer of the thin film transistor.

【0265】(実施例19)転写体として、ポリメチルメタクリレート(ガラス転移点:70〜90℃)製の透明基板を用いた以外は実施例11と同様にして、薄膜トランジスタの転写を行った。 [0265] (Example 19) transcript, polymethyl methacrylate (glass transition point: 70 to 90 ° C.) except that a transparent substrate made of in the same manner as in Example 11, was subjected to transfer of the thin film transistor.

【0266】実施例1〜19について、それぞれ、転写された薄膜トランジスタの状態を肉眼と顕微鏡とで視観察したところ、いずれも、欠陥やムラがなく、均一に転写がなされていた。 [0266] For Examples 1 to 19, respectively, were observed viewed in a state of macroscopic and microscopic of the transferred thin film transistors, either, no defects or unevenness, uniform transfer has been made.

【0267】以上述べたように、本発明の転写技術を用いれば、基板に形成した積層順序を維持したまま、薄膜デバイス(被転写層)を種々の転写体へ二次転写することが可能となる。 [0267] As described above, by using a transfer technique of the present invention, while maintaining the stacking order formed on a substrate, the thin film device (transfer layer) was it possible to secondary transfer to the various transcripts Become. 例えば、薄膜を直接形成することができないかまたは形成するのに適さない材料、成形が容易な材料、安価な材料等で構成されたものや、移動しにくい大型の物体等に対しても、転写によりそれを形成することができる。 For example, the material unsuitable for a thin film directly or can not be formed or formed, molded easy material, and those composed of inexpensive materials such as, with respect to an object such as a mobile hard large, transfer it can be formed thereby.

【0268】特に、転写体は、各種合成樹脂や融点の低いガラス材のような、基板材料に比べ耐熱性、耐食性等の特性が劣るものを用いることができる。 [0268] In particular, the transfer body, such as various synthetic resins and low melting point glass material, heat resistance compared to the substrate material, it is possible to use those characteristics such as poor corrosion resistance. そのため、例えば、透明基板上に薄膜トランジスタ(特にポリシリコンTFT)を形成した液晶ディスプレイを製造するに際しては、基板として、耐熱性に優れる石英ガラス基板を用い、転写体として、各種合成樹脂や融点の低いガラス材のような安価でかつ加工のし易い材料の透明基板を用いることにより、大型で安価な液晶ディスプレイを容易に製造することができるようになる。 Therefore, for example, in manufacturing a liquid crystal display to form a thin film transistor (especially polysilicon TFT) on a transparent substrate, as the substrate, a quartz glass substrate having excellent heat resistance, as a transfer member, low various synthetic resins and melting point the use of inexpensive and transparent substrate processing-prone materials such as glass material, it is possible to easily manufacture an inexpensive liquid crystal display large. このような利点は、液晶ディスプレイに限らず、他のデバイスの製造についても同様である。 Such advantages are not limited to the liquid crystal display is the same for the production of other devices.

【0269】また、以上のような利点を享受しつつも、 [0269] Also, while enjoying the benefits as described above,
信頼性の高い基板、特に石英ガラス基板のような耐熱性の高い基板に対し機能性薄膜のような被転写層を形成し、さらにはパターニングすることができるので、転写体の材料特性にかかわらず、転写体上に信頼性の高い機能性薄膜を形成することができる。 High substrate reliability, especially to form a transferred layer such as a functional thin film to highly heat-resistant substrate such as a quartz glass substrate, the more can be patterned, irrespective of the material properties of the transfer member , it is possible to form a highly reliable functional thin film on the transfer member.

【0270】また、このような信頼性の高い基板は、高価であるが、それを再利用することも可能であり、よって、製造コストも低減される。 [0270] Moreover, such a highly reliable substrate is expensive, it is also possible to reuse it, therefore, the manufacturing cost is also reduced.

【0271】また、本発明の別の形態によれば、上述した通り、必ずしも第1,第2分離層および一次、二次転写体を用いずに、一層の分離層および1つの転写体のみを用いて、保形性のある被転写層を基板より転写体側に転写することも可能である。 [0271] According to another aspect of the present invention, as described above, necessarily the first, second separation layer and the primary, without using a secondary transfer member, only more of the separating layer and one transfer member used, it is also possible to transfer the transferred layer with a shape retaining property to the transfer side from the substrate. 被転写層自体に保形性を持たせるために、薄膜デバイス中の絶縁層を厚くしたり、 In order to impart shape retention to the transfer layer itself, or thickening the insulation layer in the thin film device,
あるいは補強層を形成することができる。 Alternatively it is possible to form a reinforcing layer.

【0272】 [0272]

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の薄膜デバイスの転写方法の第1の実施の形態における第1の工程を示す断面図である。 1 is a cross-sectional view showing a first step in the first embodiment of the method of transferring a thin film device of the present invention.

【図2】本発明の薄膜デバイスの転写方法の第1の実施の形態における第2の工程を示す断面図である。 2 is a sectional view showing a second step in the first embodiment of the method of transferring a thin film device of the present invention.

【図3】本発明の薄膜デバイスの転写方法の第1の実施の形態における第3の工程を示す断面図である。 3 is a cross-sectional view showing a third step in the first embodiment of the method of transferring a thin film device of the present invention.

【図4】本発明の薄膜デバイスの転写方法の第1の実施の形態における第4の工程を示す断面図である。 It is a sectional view showing a fourth step in the first embodiment of the method of transferring a thin film device of the present invention; FIG.

【図5】本発明の薄膜デバイスの転写方法の第1の実施の形態における第5の工程を示す断面図である。 5 is a cross-sectional view showing a fifth step in the first embodiment of the method of transferring a thin film device of the present invention.

【図6】本発明の薄膜デバイスの転写方法の第1の実施の形態における第6の工程を示す断面図である。 6 is a sectional view showing a sixth step in the first embodiment of the method of transferring a thin film device of the present invention.

【図7】本発明の薄膜デバイスの転写方法の第1の実施の形態における第7の工程を示す断面図である。 7 is a sectional view showing a seventh step in the first embodiment of the method of transferring a thin film device of the present invention.

【図8】本発明の薄膜デバイスの転写方法の第1の実施の形態における第8の工程を示す断面図である。 8 is a cross-sectional view showing an eighth step in the first embodiment of the method of transferring a thin film device of the present invention.

【図9】本発明の薄膜デバイスの転写方法の第1の実施の形態における第9の工程を示す断面図である。 9 is a sectional view showing a ninth step in the first embodiment of the method of transferring a thin film device of the present invention.

【図10】第1の基板(図1の基板100)のレーザー光の波長に対する透過率の変化を示す図である。 10 is a diagram showing a change in transmittance with respect to the wavelength of the laser beam of the first substrate (substrate 100 in Fig. 1).

【図11】図2の薄膜デバイスを形成するための第1の工程を示す断面図である。 11 is a sectional view showing a first step for forming a thin film device of FIG.

【図12】図2の薄膜デバイスを形成するための第2の実施の形態における第2の工程を示す断面図である。 12 is a sectional view showing a second step in the second embodiment for forming a thin film device of FIG.

【図13】図2の薄膜デバイスを形成するための第3の工程を示す断面図である。 13 is a sectional view showing a third step for forming a thin film device of FIG.

【図14】図2の薄膜デバイスを形成するための第4の工程を示す断面図である。 14 is a cross-sectional view showing a fourth step for forming a thin film device of FIG.

【図15】図2の薄膜デバイスを形成するための第5の工程を示す断面図である。 15 is a sectional view showing a fifth step for forming a thin film device of FIG.

【図16】図2の薄膜デバイスを形成するための第6の工程を示す断面図である。 16 is a sectional view showing a sixth step for forming a thin film device of FIG.

【図17】図2の薄膜デバイスを形成するための第7の工程を示す断面図である。 17 is a sectional view showing a seventh step for forming a thin film device of FIG.

【図18】図3の工程を具体的構造にて説明する第8の工程の断面図である。 18 is a cross-sectional view of an eighth step for explaining the process of FIG. 3 in specific structure.

【図19】図4の工程を具体的構造にて説明する第9の工程の断面図である。 19 is a cross-sectional view of a ninth step of explaining the 4 steps at specific structure.

【図20】図5の工程を具体的構造にて説明する第10 [20] Tenth illustrating a step of Figure 5 in detail the structure
の工程の断面図である。 It is a cross-sectional view of the process.

【図21】図6の工程を具体的構造にて説明する第11 [21] Eleventh illustrating a process of FIG. 6 at specific structure
の工程の断面図である。 It is a cross-sectional view of the process.

【図22】図7の工程を具体的構造にて説明する第12 [22] Twelfth described in detail the structure of FIG. 7 steps
の工程の断面図である。 It is a cross-sectional view of the process.

【図23】図8の工程を具体的構造にて説明する第13 [Figure 23] A 13 illustrating a step of Figure 8 in specific structure
の工程の断面図である。 It is a cross-sectional view of the process.

【図24】図9の工程を具体的構造にて説明する第14 [Figure 24] A 14 illustrating a process of FIG. 9 in specific structure
の工程の断面図である。 It is a cross-sectional view of the process.

【図25】(a),(b)は共に、本発明を用いて製造された第2の実施の形態に係るマイクロコンピュータの斜視図である。 [Figure 25] (a), a perspective view of a microcomputer according to (b) are both second embodiment produced using the present invention.

【図26】本発明の第3の実施の形態に係る液晶表示装置の構成を説明するための図である。 26 is a diagram for explaining the structure of a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention.

【図27】図26の液晶表示装置の要部の断面構造を示す図である。 27 is a diagram showing a sectional structure of a main part of a liquid crystal display device in FIG 26.

【図28】図26の液晶表示装置の要部の構成を説明するための図である。 28 is a diagram for explaining the configuration of a main part of a liquid crystal display device in FIG 26.

【図29】本発明を用いたアクティブマトリクス基板の製造方法の第1の工程を示すデバイスの断面図である。 29 is a cross-sectional view of the device showing a first step of the manufacturing method of the active matrix substrate using the present invention.

【図30】本発明を用いたアクティブマトリクス基板の製造方法の第2の工程を示すデバイスの断面図である。 It is a cross-sectional view of the device showing the second step of the manufacturing method of the active matrix substrate using the [30] present invention.

【図31】本発明を用いたアクティブマトリクス基板の製造方法の第3の工程を示すデバイスの断面図である。 31 is a cross-sectional view of the device showing a third step of the manufacturing method of the active matrix substrate using the present invention.

【図32】本発明を用いたアクティブマトリクス基板の製造方法の第4の工程を示すデバイスの断面図である。 32 is a cross-sectional view of the device showing a fourth step of the manufacturing method of the active matrix substrate using the present invention.

【図33】本発明を用いたアクティブマトリクス基板の製造方法の第5の工程を示すデバイスの断面図である。 33 is a cross-sectional view of the device showing a fifth step of the manufacturing method of the active matrix substrate using the present invention.

【図34】本発明を用いたアクティブマトリクス基板の製造方法の第5の工程を示すデバイスの断面図である。 34 is a cross-sectional view of the device showing a fifth step of the manufacturing method of the active matrix substrate using the present invention.

【図35】本発明の薄膜デバイスの転写方法の第4の実施の形態を説明すための図である。 It is a diagram for explaining the fourth embodiment of the method of transferring a thin film device of Figure 35 the present invention.

【図36】本発明の薄膜デバイスの転写方法の第5の実施の形態を説明すための図である。 36 is a diagram for explaining the fifth embodiment of the method of transferring a thin film device of the present invention.

【図37】本発明の薄膜デバイスの転写方法の第6の実施の形態における第1光照射工程を説明すための図である。 FIG. 37 is a sixth diagram for explaining the first light irradiation step in the embodiment of the transfer method of the thin film device of the present invention.

【図38】本発明の薄膜デバイスの転写方法の第6の実施の形態における第2光照射工程を説明すための図である。 38 is a sixth diagram for explaining the second light irradiation step in the embodiment of the transfer method of the thin film device of the present invention.

【図39】本発明の第1の実施の形態に用いる塗布膜形成装置の構成図である。 39 is a configuration diagram of a coating film forming apparatus used in the first embodiment of the present invention.

【図40】本発明の第1の実施の形態に用いる他の塗布膜形成装置の構成図である。 It is a block diagram of another coating film forming apparatus used in the first embodiment of FIG. 40 the present invention.

【図41】本発明の第1の実施形態に用いるインライン型の塗布膜形成装置の構成図である。 41 is a block diagram of a line type of the coating film forming apparatus used in the first embodiment of the present invention.

【図42】本発明の第1の実施の形態に用いる他のインライン型の塗布膜形成装置の構成図である。 FIG. 42 is a configuration diagram of a first alternate-line used in the embodiment of the coating film forming apparatus of the present invention.

【図43】本発明の第1の実施の形態に用いる塗布シリコン膜形成装置の構成図である。 FIG. 43 is a configuration diagram of a first used in the embodiment the coating silicon film forming apparatus of the present invention.

【図44】本発明の第1の実施の形態に用いる他の塗布シリコン膜形成装置の構成図である。 FIG. 44 is a block diagram of another coating silicon film forming apparatus used in the first embodiment of the present invention.

【図45】塗布ITO膜表面への金属メッキ方法を説明するフローチャートである。 FIG. 45 is a flowchart for explaining a metal plating method for coating the ITO film surface.

【図46】本発明の第1の実施の形態に用いる液体塗布装置の構成図である。 46 is a configuration diagram of a liquid coating apparatus used in the first embodiment of the present invention.

【図47】図46の液体塗布装置でのスピンコート後の状態を示す概略説明図である。 FIG. 47 is a schematic explanatory view showing a state after the spin coating in the liquid coating apparatus of FIG. 46.

【図48】本発明による他の液体塗布装置の構成図である。 FIG. 48 is a configuration diagram of another liquid applying apparatus according to the present invention.

【図49】図48に示す液体塗布装置の部分拡大図である。 FIG. 49 is a partially enlarged view of the liquid coating apparatus illustrated in FIG. 48.

【図50】図48に示す液体塗布装置の部分拡大図である。 FIG. 50 is a partially enlarged view of the liquid coating apparatus illustrated in FIG. 48.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

100、3000 基板 120、3100 第1分離層 140、1000〜1700 被転写層(薄膜デバイス層) 160、1800 第2分離層 180、1900 一次転写体 190、2000 接着層 200、2100 二次転写層 100,3000 substrate 120,3100 first separation layer 140,1000~1700 the transferred layer (thin film device layer) 160,1800 second separation layer 180,1900 primary transcript 190,2000 adhesive layer 200,2100 secondary transfer layer

Claims (8)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 基板上に分離層を形成する第1工程と、 前記分離層上に複数の薄膜から成る薄膜デバイスを含む被転写層を形成する第2工程と、 前記被転写層上に転写体を接合する第3工程と、 前記分離層を境にして前記被転写層より前記基板を除去して、前記被転写層を前記転写体に転写する第4工程と、 を有し、 前記薄膜デバイスを構成する前記複数の薄膜及び前記分離層の少なくとも一層の薄膜を、該薄膜の構成成分を含む液体が塗布された後に固化される液相プロセスを用いて形成することを特徴とする薄膜デバイスの転写方法。 A first step of forming a 1. A separation layer on a substrate, a second step of forming a transferred layer including a thin film device comprising a plurality of thin film on the separation layer, transferring the transferred layer onto a third step of joining the body, the separation layer as a boundary and removing the substrate from the transferred layer, and a fourth step of transferring the transferred layer to the transfer member, wherein the thin film thin film device to the at least one layer of a thin film of said plurality of thin film and the separation layer constituting the device, and forming by a liquid phase process in which the liquid containing the components of the thin film is solidified after being applied the method of transfer.
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の転写方法を用いて前記転写体に転写されてなる薄膜デバイス。 2. A thin film device formed by transferring to the transfer material using a transfer method according to claim 1.
  3. 【請求項3】 基板上に第1分離層を形成する第1工程と、 前記第1分離層上に複数の薄膜から成る薄膜デバイスを含む被転写層を形成する第2工程と、 前記被転写層上に第2分離層を形成する第3工程と、 前記第2分離層上に一次転写体を接合する第4工程と、 前記第1分離層を境にして、前記被転写層より前記基板を除去する第5工程と、 前記被転写層の下側に二次転写体を接合する第6工程と、 前記第2分離層を境にして、前記被転写層より前記一次転写体を除去して、前記被転写層を前記二次転写体に転写する第7工程と、 を有し、 前記薄膜デバイスを構成する前記複数の薄膜及び前記第1,第2分離層の少なくとも一層の薄膜を、該薄膜の構成成分を含む液体が塗布された後に固化される液相プロセスを用いて形成することを 3. A first step of forming a first separation layer on a substrate, a second step of forming a transferred layer including a thin film device comprising a plurality of thin films on the first separation layer, wherein the transfer a third step of forming a second isolation layer over the layer, and a fourth step of bonding the primary transcript to the second separation layer, and the boundary of the first separation layer, the substrate than the layer to be transferred a fifth step of removing said sixth step of joining the lower the secondary transfer member of the transfer layer, and the boundary of the second separation layer, wherein the removing the primary transcript from the transfer layer Te, a seventh step of transferring the transferred layer to the secondary transfer member has a plurality of thin film and the first constituting the thin film device, at least one layer of a thin film of the second separation layer, that liquid containing the components of the thin film is formed by a liquid-phase process is solidified after being applied 徴とする薄膜デバイスの転写方法。 Method for transferring a thin film device according to symptoms.
  4. 【請求項4】 請求項3に記載の転写方法を用いて前記二次転写体に転写されてなることを特徴とする薄膜デバイス。 4. A thin film device characterized by comprising been transferred to the secondary transfer member using a transfer method according to claim 3.
  5. 【請求項5】 請求項2または4に記載の前記薄膜デバイスを含んで構成されることを特徴とする薄膜集積回路装置。 5. A thin film integrated circuit device characterized by being configured to include the thin film device according to claim 2 or 4.
  6. 【請求項6】 マトリクス状に配置された薄膜トランジスタ(TFT)と、その薄膜トランジスタの一端に接続された画素電極とを含んで画素部が構成されるアクティブマトリクス基板であって、 請求項2または4に記載の薄膜デバイスが前記画素部の薄膜トランジスタを含んで形成されて転写されて成ることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 6. The thin film transistor arranged in a matrix and (TFT), a pixel portion and a pixel electrode connected to one end of the thin film transistor is an active matrix substrate configured to claim 2 or 4 the active matrix substrate on which the thin film device according to, characterized in that formed by transferred is formed to include a thin film transistor of the pixel portion.
  7. 【請求項7】 請求項6に記載のアクティブマトリクス基板を有することを特徴とする液晶表示装置。 7. A liquid crystal display device characterized by having an active matrix substrate according to claim 6.
  8. 【請求項8】 請求項2または4に記載の薄膜デバイスを有することを特徴とする電子機器。 8. An electronic apparatus characterized by having a thin film device according to claim 2 or 4.
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