JP2000232250A - 長波長帯面発光型レーザ装置及びその作製方法 - Google Patents
長波長帯面発光型レーザ装置及びその作製方法Info
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- JP2000232250A JP2000232250A JP11032765A JP3276599A JP2000232250A JP 2000232250 A JP2000232250 A JP 2000232250A JP 11032765 A JP11032765 A JP 11032765A JP 3276599 A JP3276599 A JP 3276599A JP 2000232250 A JP2000232250 A JP 2000232250A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 直接接着の回数が１回で済み、かつ生産性に
優れた長波長帯面発光型レーザ装置及びその作製方法を
提供する。 【解決手段】 本長波長帯面発光型レーザ装置４０は、
半導体多層膜反射鏡２、５と、発振波長９８０ｎｍ帯の
ＩｎＧａＡｓ歪量子井戸活性とを有し、ポンピング光源
として機能するＧａＡｓ系面発光型レーザ素子４１と、
面発光型レーザ素子上に縦集積され、発振波長１３００
ｎｍの長波長帯活性層２４と長波長帯活性層の両側に設
けられたａ−Ｓｉ／Ａｌ2 Ｏ3 からなる誘電体多層膜反
射鏡２６、２７とを有する長波長帯共振器構造４２とを
備える。
優れた長波長帯面発光型レーザ装置及びその作製方法を
提供する。 【解決手段】 本長波長帯面発光型レーザ装置４０は、
半導体多層膜反射鏡２、５と、発振波長９８０ｎｍ帯の
ＩｎＧａＡｓ歪量子井戸活性とを有し、ポンピング光源
として機能するＧａＡｓ系面発光型レーザ素子４１と、
面発光型レーザ素子上に縦集積され、発振波長１３００
ｎｍの長波長帯活性層２４と長波長帯活性層の両側に設
けられたａ−Ｓｉ／Ａｌ2 Ｏ3 からなる誘電体多層膜反
射鏡２６、２７とを有する長波長帯共振器構造４２とを
備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、長波長帯面発光型
レーザ装置及びその作製方法に関し、更に詳細には、作
製に当たり直接接着（fusion) の回数が少ない、即ち基
板の枚数や作製工程数が少なくて済む構成を備えた長波
長帯面発光型レーザ装置及びその作製方法に関するもの
である。
レーザ装置及びその作製方法に関し、更に詳細には、作
製に当たり直接接着（fusion) の回数が少ない、即ち基
板の枚数や作製工程数が少なくて済む構成を備えた長波
長帯面発光型レーザ装置及びその作製方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】１３１０〜１５５０ｎｍの長波長帯面発
光型レーザ装置は、光ファイバ・ネットワークを介して
光通信を行う光通信分野での利用に適し、多くの点で優
れた特性を有する有用な装置として評価されている。こ
こで、図６及び論文（V. Jayaraman, et al., Electro
n. Lett. 34, 1405-1406, 1998 ）を参照して、従来の
長波長帯面発光型レーザ装置の構成を説明する。図６
は、論文に開示された長波長帯面発光型レーザ装置の構
成を示す模式的断面図である。論文に開示された長波長
帯面発光型レーザ装置５０は、図６に示すように、Ｇａ
Ａｓ基板５２上に形成された１３００ｎｍ帯共振器構造
５４と、その上に縦集積された８５０ｎｍ帯面発光型レ
ーザ素子５６とから構成されている。１３００ｎｍ帯共
振器構造５４は、波長１３００ｎｍ帯の光に対して最適
化されている活性層（以下１３００ｎｍ組成の活性層と
いう）５８の両側に直接接着（fusion)により接着され
ている２個のアンドープＤＢＲ６０、６２を有する。こ
の長波長帯面発光型レーザ装置５０は、３枚の基板上に
それぞれ結晶成長を行って、１３００ｎｍ組成の活性層
を有する積層構造、ＤＢＲ６０を有する積層構造、ＤＢ
Ｒ６２及び面発光型レーザ素子５６を有する積層構造を
形成し、それを活性層を挟む２回の直接接着（fusion）
で一つの積層構造を形成することにより、作製されてい
る。
光型レーザ装置は、光ファイバ・ネットワークを介して
光通信を行う光通信分野での利用に適し、多くの点で優
れた特性を有する有用な装置として評価されている。こ
こで、図６及び論文（V. Jayaraman, et al., Electro
n. Lett. 34, 1405-1406, 1998 ）を参照して、従来の
長波長帯面発光型レーザ装置の構成を説明する。図６
は、論文に開示された長波長帯面発光型レーザ装置の構
成を示す模式的断面図である。論文に開示された長波長
帯面発光型レーザ装置５０は、図６に示すように、Ｇａ
Ａｓ基板５２上に形成された１３００ｎｍ帯共振器構造
５４と、その上に縦集積された８５０ｎｍ帯面発光型レ
ーザ素子５６とから構成されている。１３００ｎｍ帯共
振器構造５４は、波長１３００ｎｍ帯の光に対して最適
化されている活性層（以下１３００ｎｍ組成の活性層と
いう）５８の両側に直接接着（fusion)により接着され
ている２個のアンドープＤＢＲ６０、６２を有する。こ
の長波長帯面発光型レーザ装置５０は、３枚の基板上に
それぞれ結晶成長を行って、１３００ｎｍ組成の活性層
を有する積層構造、ＤＢＲ６０を有する積層構造、ＤＢ
Ｒ６２及び面発光型レーザ素子５６を有する積層構造を
形成し、それを活性層を挟む２回の直接接着（fusion）
で一つの積層構造を形成することにより、作製されてい
る。
【０００３】この長波長帯面発光型レーザ装置５０は、
共振器構造５４上に縦集積した波長８５０ｎｍ帯の面発
光型レーザ素子５６により、共振器構造５４の波長１３
００ｎｍの活性層５８をポンピングし、１３００ｎｍの
レーザ光を得るものである。波長１３００ｎｍの光に対
して、８５０ｎｍの材料は透明であることから、光は８
５０ｎｍ帯レーザを透過して出力される。従来、長波長
帯面発光型レーザを連続発振させる上で、温度特性、特
に高温域におけるレーザ発振の安定化などの実現が大き
な障害となっていた。一方、この長波長帯面発光型レー
ザ装置５０では、波長８５０ｎｍの活性層に電流を流し
て１３００ｎｍ組成の活性層をポンピングし、１３００
ｎｍのレーザ発振を実現しているので、この長波長帯面
発光型レーザ装置５０の温度特性は、温度特性に優れた
ＧａＡｓ系の８５０ｎｍ帯の面発光レーザ素子５６の特
性で決定される。これにより、温度特性が大幅に改善さ
れ、８０℃までの温度で連続動作を実現している。
共振器構造５４上に縦集積した波長８５０ｎｍ帯の面発
光型レーザ素子５６により、共振器構造５４の波長１３
００ｎｍの活性層５８をポンピングし、１３００ｎｍの
レーザ光を得るものである。波長１３００ｎｍの光に対
して、８５０ｎｍの材料は透明であることから、光は８
５０ｎｍ帯レーザを透過して出力される。従来、長波長
帯面発光型レーザを連続発振させる上で、温度特性、特
に高温域におけるレーザ発振の安定化などの実現が大き
な障害となっていた。一方、この長波長帯面発光型レー
ザ装置５０では、波長８５０ｎｍの活性層に電流を流し
て１３００ｎｍ組成の活性層をポンピングし、１３００
ｎｍのレーザ発振を実現しているので、この長波長帯面
発光型レーザ装置５０の温度特性は、温度特性に優れた
ＧａＡｓ系の８５０ｎｍ帯の面発光レーザ素子５６の特
性で決定される。これにより、温度特性が大幅に改善さ
れ、８０℃までの温度で連続動作を実現している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の長波長
帯面発光型レーザ装置を作製するためには、上述のよう
に、直接接着を２回行う必要があり、また、２回の直接
接着のためには、３枚の基板及び各基板上にエピタキシ
ャル成長させた積層構造を用意しなければならないの
で、製造コストが高くなってしまうという問題があっ
た。また、８５０ｎｍ帯の面発光型レーザ素子と１３０
０ｎｍ帯の共振器構造の双方のミラーに、半導体多層膜
からなるＤＢＲミラーを用いているため、膜厚１０μｍ
以上の結晶成長が必要となる。このような非常に厚い膜
の良好な結晶成長は、技術的に著しく難しく、良好な表
面モフォロジーを得ることが困難であるという問題もあ
り、このためにfusion工程での歩止まりの低下を招くこ
ともあった。また、ＤＢＲミラーは各層の膜厚と組成を
厳密に制御する必要があるが、従来の長波長帯面発光型
レーザ装置では、５０ペア以上も積層する必要があり、
歩止まり、或いは生産性の向上が困難であった。そこ
で、直接接着の回数が１回で済む経済的な構成で表面モ
フォロジーが良好であり、また生産性の良好な長波長帯
面発光型レーザ装置の開発が望まれていた。
帯面発光型レーザ装置を作製するためには、上述のよう
に、直接接着を２回行う必要があり、また、２回の直接
接着のためには、３枚の基板及び各基板上にエピタキシ
ャル成長させた積層構造を用意しなければならないの
で、製造コストが高くなってしまうという問題があっ
た。また、８５０ｎｍ帯の面発光型レーザ素子と１３０
０ｎｍ帯の共振器構造の双方のミラーに、半導体多層膜
からなるＤＢＲミラーを用いているため、膜厚１０μｍ
以上の結晶成長が必要となる。このような非常に厚い膜
の良好な結晶成長は、技術的に著しく難しく、良好な表
面モフォロジーを得ることが困難であるという問題もあ
り、このためにfusion工程での歩止まりの低下を招くこ
ともあった。また、ＤＢＲミラーは各層の膜厚と組成を
厳密に制御する必要があるが、従来の長波長帯面発光型
レーザ装置では、５０ペア以上も積層する必要があり、
歩止まり、或いは生産性の向上が困難であった。そこ
で、直接接着の回数が１回で済む経済的な構成で表面モ
フォロジーが良好であり、また生産性の良好な長波長帯
面発光型レーザ装置の開発が望まれていた。
【０００５】以上の状況に照らして、本発明の目的は、
直接接着の回数が１回で済み、かつ生産性に優れた長波
長帯面発光型レーザ装置及びその作製方法を提供するこ
とである。
直接接着の回数が１回で済み、かつ生産性に優れた長波
長帯面発光型レーザ装置及びその作製方法を提供するこ
とである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、ポンピング
光源として機能するＧａＡｓ系面発光型レーザ素子上
に、反射鏡として誘電体多層膜反射鏡を備える長波長帯
共振器構造を縦集積した長波長帯面発光型レーザ装置を
着想し、実験を重ねて、本発明を完成するに到った。
光源として機能するＧａＡｓ系面発光型レーザ素子上
に、反射鏡として誘電体多層膜反射鏡を備える長波長帯
共振器構造を縦集積した長波長帯面発光型レーザ装置を
着想し、実験を重ねて、本発明を完成するに到った。
【０００７】上記目的を達成するために、上述の知見に
基づいて、本発明に係る長波長帯面発光型レーザ装置
は、半導体多層膜反射鏡を有し、ポンピング光源として
機能するＧａＡｓ系面発光型レーザ素子と、前記面発光
型レーザ素子上に縦集積され、前記面発光型レーザ素子
の発振波長より長い発振波長の長波長帯活性層と、長波
長帯活性層の少なくとも一方に誘電体多層膜反射鏡が形
成された長波長帯共振器構造とを備えることを特徴とし
ている。
基づいて、本発明に係る長波長帯面発光型レーザ装置
は、半導体多層膜反射鏡を有し、ポンピング光源として
機能するＧａＡｓ系面発光型レーザ素子と、前記面発光
型レーザ素子上に縦集積され、前記面発光型レーザ素子
の発振波長より長い発振波長の長波長帯活性層と、長波
長帯活性層の少なくとも一方に誘電体多層膜反射鏡が形
成された長波長帯共振器構造とを備えることを特徴とし
ている。
【０００８】本発明に係る長波長帯面発光型レーザ装置
の作製に際し、その作製方法（以下、第１の発明方法と
言う）は、ＧａＡｓからなる第１の基板上に、半導体多
層膜反射鏡を有する面発光型レーザ素子積層構造を形成
する工程と、第２の基板上に、面発光型レーザ素子の発
振波長より長い発振波長の長波長帯活性層と、誘電体多
層膜反射鏡を形成する工程と、面発光型レーザ素子積層
構造の半導体多層膜反射鏡と、第２の基板上に形成した
誘電体多層膜反射鏡とを直接接着法により接着する工程
と、第２の基板を除去する工程と、基板除去により露出
した長波長帯活性層上に誘電体多層膜反射鏡を形成し、
長波長帯共振器構造を形成する工程とを有することを特
徴としている。
の作製に際し、その作製方法（以下、第１の発明方法と
言う）は、ＧａＡｓからなる第１の基板上に、半導体多
層膜反射鏡を有する面発光型レーザ素子積層構造を形成
する工程と、第２の基板上に、面発光型レーザ素子の発
振波長より長い発振波長の長波長帯活性層と、誘電体多
層膜反射鏡を形成する工程と、面発光型レーザ素子積層
構造の半導体多層膜反射鏡と、第２の基板上に形成した
誘電体多層膜反射鏡とを直接接着法により接着する工程
と、第２の基板を除去する工程と、基板除去により露出
した長波長帯活性層上に誘電体多層膜反射鏡を形成し、
長波長帯共振器構造を形成する工程とを有することを特
徴としている。
【０００９】また、本発明に係る別の作成方法（以下、
第２の発明方法と言う）は、ＧａＡｓからなる第１の基
板上に、半導体多層膜反射鏡を有する面発光型レーザ素
子及び長波長帯共振器構造の片側の反射鏡となる半導体
多層膜反射鏡を形成する工程と、第２の基板上に、面発
光型レーザ素子の発振波長より長い発振波長の長波長帯
活性層を形成する工程と、面発光型レーザ素子積層構造
の半導体多層膜反射鏡と第２の基板上に形成した長波長
帯活性層とを直接接着法により接着する工程と、第２の
基板を除去する工程と、基板除去により露出した長波長
帯活性層上に誘電体多層膜反射鏡を形成し、長波長帯共
振器構造を形成する工程とを有することを特徴としてい
る。
第２の発明方法と言う）は、ＧａＡｓからなる第１の基
板上に、半導体多層膜反射鏡を有する面発光型レーザ素
子及び長波長帯共振器構造の片側の反射鏡となる半導体
多層膜反射鏡を形成する工程と、第２の基板上に、面発
光型レーザ素子の発振波長より長い発振波長の長波長帯
活性層を形成する工程と、面発光型レーザ素子積層構造
の半導体多層膜反射鏡と第２の基板上に形成した長波長
帯活性層とを直接接着法により接着する工程と、第２の
基板を除去する工程と、基板除去により露出した長波長
帯活性層上に誘電体多層膜反射鏡を形成し、長波長帯共
振器構造を形成する工程とを有することを特徴としてい
る。
【００１０】本発明の長波長帯面発光型レーザ装置で
は、第１の基板上に形成した面発光型レーザ構造と、第
２の基板上に形成した、長波長帯活性層を含む長波長帯
共振器構造とを直接接着しているので、直接接着回数が
１回であって、基板数が２枚で済む。また、長波長帯共
振器構造の反射鏡として誘電体多層膜反射鏡を採用して
いるので、結晶成長の膜厚を半導体多層膜反射鏡の半分
程度とすることができ、結晶成長に要する時間を低減で
きる。また、表面モフォロジーの良好な結晶を成長させ
ることができ、よってfusion工程での歩止まりも向上さ
せることができる。
は、第１の基板上に形成した面発光型レーザ構造と、第
２の基板上に形成した、長波長帯活性層を含む長波長帯
共振器構造とを直接接着しているので、直接接着回数が
１回であって、基板数が２枚で済む。また、長波長帯共
振器構造の反射鏡として誘電体多層膜反射鏡を採用して
いるので、結晶成長の膜厚を半導体多層膜反射鏡の半分
程度とすることができ、結晶成長に要する時間を低減で
きる。また、表面モフォロジーの良好な結晶を成長させ
ることができ、よってfusion工程での歩止まりも向上さ
せることができる。
【００１１】本発明で長波長帯共振器構造の反射鏡とし
て形成する誘電体多層膜反射鏡の膜種には制約はなく、
例えばＡｌ2 Ｏ3 層とａ−Ｓｉ層のペアで誘電体多層膜
反射鏡を構成する。また、ポンピング光源として機能す
る面発光型レーザ素子の発振波長は、長波長帯共振器構
造の長波長帯活性層の発振波長よりも短ければ良く、即
ち、前記面発光型レーザ素子の活性層のバンドギャップ
は、長波長帯共振器構造の長波長帯活性層のバンドギャ
ップより大きければ良い。例えば前記面発光型レーザ素
子の発振波長を９８０ｎｍ、長波長帯活性層の発振波長
を１３００ｎｍとする。
て形成する誘電体多層膜反射鏡の膜種には制約はなく、
例えばＡｌ2 Ｏ3 層とａ−Ｓｉ層のペアで誘電体多層膜
反射鏡を構成する。また、ポンピング光源として機能す
る面発光型レーザ素子の発振波長は、長波長帯共振器構
造の長波長帯活性層の発振波長よりも短ければ良く、即
ち、前記面発光型レーザ素子の活性層のバンドギャップ
は、長波長帯共振器構造の長波長帯活性層のバンドギャ
ップより大きければ良い。例えば前記面発光型レーザ素
子の発振波長を９８０ｎｍ、長波長帯活性層の発振波長
を１３００ｎｍとする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に、添付図面を参照して、実
施形態例に基づいて本発明をより詳細に説明する。長波長帯面発光型レーザ装置の実施形態例 本実施形態例は、本発明に係る長波長帯面発光型レーザ
装置の実施形態の一例であって、図１は本実施形態例の
長波長帯面発光型レーザ装置の構成を示す断面図であ
る。本実施形態例の長波長帯面発光型レーザ装置４０
（以下、面発光型レーザ４０と言う）は、波長９８０ｎ
ｍのレーザ光を発光する面発光型レーザ素子４１と、面
発光型レーザ素子４１上にポスト状に形成された波長１
３００ｎｍ組成の活性層を有する長波長帯共振器構造４
２とから構成されている。９８０ｎｍ帯面発光型レーザ
素子４１を駆動して、９８０ｎｍの光をレーザ発振さ
せ、その光により１３００ｎｍ帯長波長帯共振器構造４
２のバンドギャップの小さい１３００ｎｍ組成の帯活性
層をポンピングすることにより、１３００ｎｍのレーザ
光を発振させることができる。
施形態例に基づいて本発明をより詳細に説明する。長波長帯面発光型レーザ装置の実施形態例 本実施形態例は、本発明に係る長波長帯面発光型レーザ
装置の実施形態の一例であって、図１は本実施形態例の
長波長帯面発光型レーザ装置の構成を示す断面図であ
る。本実施形態例の長波長帯面発光型レーザ装置４０
（以下、面発光型レーザ４０と言う）は、波長９８０ｎ
ｍのレーザ光を発光する面発光型レーザ素子４１と、面
発光型レーザ素子４１上にポスト状に形成された波長１
３００ｎｍ組成の活性層を有する長波長帯共振器構造４
２とから構成されている。９８０ｎｍ帯面発光型レーザ
素子４１を駆動して、９８０ｎｍの光をレーザ発振さ
せ、その光により１３００ｎｍ帯長波長帯共振器構造４
２のバンドギャップの小さい１３００ｎｍ組成の帯活性
層をポンピングすることにより、１３００ｎｍのレーザ
光を発振させることができる。
【００１３】面発光型レーザ素子４１は、厚さ１００μ
m のｎ−ＧａＡｓ基板１上に、順次、成膜された、ｎ−
ＧａＡｓ／ｎ−Ａｌ0.98ＧａＡｓの２５ペアからなるｎ
−ＤＢＲミラー２、波長９８０ｎｍのＩｎＧａＡｓ歪量
子井戸活性層３、ｐ−ＡｌＡｓ被酸化層４、及び、ｐ−
ＧａＡｓ／ｐ−Ａｌ0.98ＧａＡｓの１８ペアからなるｐ
−ＤＢＲミラー５の積層構造を有する。ｎ−ＤＢＲミラ
ー２及びｐ−ＤＢＲミラー５のＧａＡｓ／ｎ−Ａｌ0.98
ＧａＡｓの各層の厚さは、λ／４ｎ（λ：発振波長、
ｎ：屈折率、以下、同様）である。ＤＢＲミラー２の上
層、歪量子井戸活性層３、ＡｌＡｓ被酸化層４、及びＤ
ＢＲミラー５は、環状溝４３によりポスト状に、例えば
直径５０μｍのポスト状に区画されている。ＡｌＡｓ被
酸化層４は、直径約１５μｍの中央部を除くポスト側壁
部のＡｌＡｓ層中のＡｌが酸化されてＡｌ酸化層３１と
なっている。Ａｌ酸化層３１は、酸化されていない中央
領域が電流経路になるようにする電流狭窄機能を果たし
ている。
m のｎ−ＧａＡｓ基板１上に、順次、成膜された、ｎ−
ＧａＡｓ／ｎ−Ａｌ0.98ＧａＡｓの２５ペアからなるｎ
−ＤＢＲミラー２、波長９８０ｎｍのＩｎＧａＡｓ歪量
子井戸活性層３、ｐ−ＡｌＡｓ被酸化層４、及び、ｐ−
ＧａＡｓ／ｐ−Ａｌ0.98ＧａＡｓの１８ペアからなるｐ
−ＤＢＲミラー５の積層構造を有する。ｎ−ＤＢＲミラ
ー２及びｐ−ＤＢＲミラー５のＧａＡｓ／ｎ−Ａｌ0.98
ＧａＡｓの各層の厚さは、λ／４ｎ（λ：発振波長、
ｎ：屈折率、以下、同様）である。ＤＢＲミラー２の上
層、歪量子井戸活性層３、ＡｌＡｓ被酸化層４、及びＤ
ＢＲミラー５は、環状溝４３によりポスト状に、例えば
直径５０μｍのポスト状に区画されている。ＡｌＡｓ被
酸化層４は、直径約１５μｍの中央部を除くポスト側壁
部のＡｌＡｓ層中のＡｌが酸化されてＡｌ酸化層３１と
なっている。Ａｌ酸化層３１は、酸化されていない中央
領域が電流経路になるようにする電流狭窄機能を果たし
ている。
【００１４】長波長帯共振器構造４２のポストの周りを
除くＤＢＲミラー５の上面及び環状溝４３の溝壁は、Ｓ
ｉＮX 膜３２で被覆されている。ＤＢＲミラー５の露出
面には、長波長帯共振器構造４２のポストの周りを巡る
環状のｐ側電極３３が形成されており、ＧａＡｓ基板１
の裏面にはｎ側電極３４が設けてある。
除くＤＢＲミラー５の上面及び環状溝４３の溝壁は、Ｓ
ｉＮX 膜３２で被覆されている。ＤＢＲミラー５の露出
面には、長波長帯共振器構造４２のポストの周りを巡る
環状のｐ側電極３３が形成されており、ＧａＡｓ基板１
の裏面にはｎ側電極３４が設けてある。
【００１５】長波長帯共振器構造４２は、面発光型レー
ザ素子４１のＤＢＲミラー５上に、順次、形成されてい
る、ａ−Ｓｉ／Ａｌ2 Ｏ3 （各層の厚さはλ／４ｎ）の
６ペアからなる高反射膜２６、ｐ−ＩｎＰクラッド層２
５、波長１．３μｍの歪量子井戸活性層２４、ｎ−Ｉｎ
Ｐクラッド層２３、及び、ａ−Ｓｉ／Ａｌ2 Ｏ3 （各層
の厚さはλ／４ｎ）の５ペアからなる高反射膜２７のポ
スト状の積層構造を有する。積層構造のポストの直径
は、例えば２０μｍである。高反射膜２６及び高反射膜
２７は、発振波長と高反射膜の反射率との関係を規定す
る図２のグラフに示すように、反射率が波長１３００ｎ
ｍでほぼ１００％になり、波長９８０ｎｍで高反射率の
帯域からずれるように設定されている。長波長帯共振器
構造４２の上部のレーザ光の出射窓を除くポスト側壁
は、ＳｉＮX 膜３２で被覆されている。図２は、横軸に
波長（ｎｍ）を、縦軸に反射率（％）を取っている。
ザ素子４１のＤＢＲミラー５上に、順次、形成されてい
る、ａ−Ｓｉ／Ａｌ2 Ｏ3 （各層の厚さはλ／４ｎ）の
６ペアからなる高反射膜２６、ｐ−ＩｎＰクラッド層２
５、波長１．３μｍの歪量子井戸活性層２４、ｎ−Ｉｎ
Ｐクラッド層２３、及び、ａ−Ｓｉ／Ａｌ2 Ｏ3 （各層
の厚さはλ／４ｎ）の５ペアからなる高反射膜２７のポ
スト状の積層構造を有する。積層構造のポストの直径
は、例えば２０μｍである。高反射膜２６及び高反射膜
２７は、発振波長と高反射膜の反射率との関係を規定す
る図２のグラフに示すように、反射率が波長１３００ｎ
ｍでほぼ１００％になり、波長９８０ｎｍで高反射率の
帯域からずれるように設定されている。長波長帯共振器
構造４２の上部のレーザ光の出射窓を除くポスト側壁
は、ＳｉＮX 膜３２で被覆されている。図２は、横軸に
波長（ｎｍ）を、縦軸に反射率（％）を取っている。
【００１６】面発光型レーザ４０では、ｐ側電極３３及
びｎ側電極３４を通して電流を面発光型レーザ素子４１
に流すことにより、面発光型レーザ素子４１を駆動し
て、９８０ｎｍのレーザ光を得る。長波長帯共振器構造
４２のバンドギャップの小さい１３００ｎｍ組成の活性
層を９８０ｎｍのレーザ光によりポンピングすることに
より、長波長帯共振器構造４２において１３００ｎｍの
レーザ発振を得ることができる。
びｎ側電極３４を通して電流を面発光型レーザ素子４１
に流すことにより、面発光型レーザ素子４１を駆動し
て、９８０ｎｍのレーザ光を得る。長波長帯共振器構造
４２のバンドギャップの小さい１３００ｎｍ組成の活性
層を９８０ｎｍのレーザ光によりポンピングすることに
より、長波長帯共振器構造４２において１３００ｎｍの
レーザ発振を得ることができる。
【００１７】長波長帯面発光型レーザ装置の作製方法の実施形態例１ 本実施形態例は、長波長帯面発光型レーザ装置の第１の
発明方法に係る作製方法の実施形態の一例であって、図
３、図４、及び図５は本実施形態例に従って面発光型レ
ーザ４０を作製する際の各工程の層構造を示す断面図で
ある。まず、図３（ａ）に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基
板１上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ−ＧａＡｓ／ｎ−Ａ
ｌ0.98ＧａＡｓの２５ペアからなるｎ−ＤＢＲミラー
２、波長９８０ｎｍのＩｎＧａＡｓ歪量子井戸活性層
３、ｐ−ＡｌＡｓ被酸化層４、及び、ｐ−ＧａＡｓ／ｐ
−Ａｌ0.98ＧａＡｓの１８ペアからなるｐ−ＤＢＲミラ
ー５を順次積層する。
発明方法に係る作製方法の実施形態の一例であって、図
３、図４、及び図５は本実施形態例に従って面発光型レ
ーザ４０を作製する際の各工程の層構造を示す断面図で
ある。まず、図３（ａ）に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基
板１上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ−ＧａＡｓ／ｎ−Ａ
ｌ0.98ＧａＡｓの２５ペアからなるｎ−ＤＢＲミラー
２、波長９８０ｎｍのＩｎＧａＡｓ歪量子井戸活性層
３、ｐ−ＡｌＡｓ被酸化層４、及び、ｐ−ＧａＡｓ／ｐ
−Ａｌ0.98ＧａＡｓの１８ペアからなるｐ−ＤＢＲミラ
ー５を順次積層する。
【００１８】一方、図３（ｂ）に示すように、ｎ−Ｉｎ
Ｐ基板２１上に、ＭＯＣＶＤ法により、ＧａＩｎＡｓエ
ッチング停止層２２、ｎ−ＩｎＰクラッド層２３、波長
１．３μｍの歪量子井戸活性層２４、ｐ−ＩｎＰクラッ
ド層２５を順次積層する。続いて、ｐ−ＩｎＰクラッド
層２５上に、ａ−Ｓｉ／Ａｌ2 Ｏ3 の６ペアからなる高
反射膜２６を形成する。
Ｐ基板２１上に、ＭＯＣＶＤ法により、ＧａＩｎＡｓエ
ッチング停止層２２、ｎ−ＩｎＰクラッド層２３、波長
１．３μｍの歪量子井戸活性層２４、ｐ−ＩｎＰクラッ
ド層２５を順次積層する。続いて、ｐ−ＩｎＰクラッド
層２５上に、ａ−Ｓｉ／Ａｌ2 Ｏ3 の６ペアからなる高
反射膜２６を形成する。
【００１９】次に、ｎ−ＧａＡｓ基板１上のＤＢＲミラ
ー５の表面と、ｎ−ＩｎＰ基板２１上の高反射膜２６と
を室温大気中で密着させる。その後、水素雰囲気中で５
００〜６００℃の温度の熱処理を３０〜６０分間施すこ
とにより、図４に示すように、両基板を接着させること
ができる。なお、ここでｎ−ＧａＡｓ基板１上のＤＢＲ
ミラー５上にＩｎＧａＰ接着層を設けると、接着性を向
上させることができるので好ましい。
ー５の表面と、ｎ−ＩｎＰ基板２１上の高反射膜２６と
を室温大気中で密着させる。その後、水素雰囲気中で５
００〜６００℃の温度の熱処理を３０〜６０分間施すこ
とにより、図４に示すように、両基板を接着させること
ができる。なお、ここでｎ−ＧａＡｓ基板１上のＤＢＲ
ミラー５上にＩｎＧａＰ接着層を設けると、接着性を向
上させることができるので好ましい。
【００２０】次に、図４に示す接着した積層構造のｎ−
ＩｎＰ基板２１を塩酸によるウエットエッチングで除去
する。この時、ＧａＩｎＡｓエッチング停止層２２は、
塩酸でエッチングされないので、ＩｎＰ基板２１のエッ
チングはＧａＩｎＡｓエッチング停止層２２で停止す
る。続いて、硫酸系のエッチング液にて、ＧａＩｎＡｓ
エッチング停止層２２をエッチング除去する。次に、エ
ッチング停止層２２のエッチング除去により露出したｎ
−ＩｎＰクラッド層２３上に、ａ−Ｓｉ／Ａｌ2 Ｏ3 の
５ペアからなる高反射膜２７を形成する。
ＩｎＰ基板２１を塩酸によるウエットエッチングで除去
する。この時、ＧａＩｎＡｓエッチング停止層２２は、
塩酸でエッチングされないので、ＩｎＰ基板２１のエッ
チングはＧａＩｎＡｓエッチング停止層２２で停止す
る。続いて、硫酸系のエッチング液にて、ＧａＩｎＡｓ
エッチング停止層２２をエッチング除去する。次に、エ
ッチング停止層２２のエッチング除去により露出したｎ
−ＩｎＰクラッド層２３上に、ａ−Ｓｉ／Ａｌ2 Ｏ3 の
５ペアからなる高反射膜２７を形成する。
【００２１】次いで、ＲＩＢＥ等を用いたドライエッチ
ングにより、高反射膜２７、ｎ−ＩｎＰクラッド層２
３、波長１．３μｍの歪量子井戸活性層２４、ｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層２５、及び高反射膜２６を環状にエッチン
グ除去し、図５（ａ）に示すように、直径２０μｍの第
１の円柱状ポストを形成すると共にＤＢＲミラー５の上
面を露出させる。エッチングでは、高反射膜２７、２６
の除去にはＳＦ6 又はＣＦ4 ガスを、半導体膜２３、２
４、２５の除去にはＣｌ系のガスをそれぞれエッチング
ガスとして用いる。
ングにより、高反射膜２７、ｎ−ＩｎＰクラッド層２
３、波長１．３μｍの歪量子井戸活性層２４、ｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層２５、及び高反射膜２６を環状にエッチン
グ除去し、図５（ａ）に示すように、直径２０μｍの第
１の円柱状ポストを形成すると共にＤＢＲミラー５の上
面を露出させる。エッチングでは、高反射膜２７、２６
の除去にはＳＦ6 又はＣＦ4 ガスを、半導体膜２３、２
４、２５の除去にはＣｌ系のガスをそれぞれエッチング
ガスとして用いる。
【００２２】続いて、ｐ−ＤＢＲミラー５、ｐ−ＡｌＡ
ｓ被酸化層４、歪量子井戸活性層３、及び、ｎ−ＤＢＲ
ミラー２の上層をＲＩＢＥ等を用いたドライエッチング
によりエッチング除去して、図５（ｂ）に示すように、
環状溝４３を形成する。これにより、上述の第１のポス
トの直下に、直径の大きい、例えば直径５０μｍの第２
のポストが形成される。
ｓ被酸化層４、歪量子井戸活性層３、及び、ｎ−ＤＢＲ
ミラー２の上層をＲＩＢＥ等を用いたドライエッチング
によりエッチング除去して、図５（ｂ）に示すように、
環状溝４３を形成する。これにより、上述の第１のポス
トの直下に、直径の大きい、例えば直径５０μｍの第２
のポストが形成される。
【００２３】次いで、窒素をキャリアガスとした純水バ
ブラーを用いて水分を導入したリアクター内にて、約４
００℃程度の温度で３〜４分の熱処理を基板に施す。こ
れにより、エッチングにより露出した、ｐ−ＡｌＡｓ被
酸化層４をポスト側面より酸化させ、図１に示すよう
に、直径約１５μｍの中央部を除くポスト側壁部のＡｌ
Ａｓ層中のＡｌを酸化してＡｌ酸化物からなる絶縁膜３
１を形成する。直径約１５μｍの酸化されていない中央
領域は、電流経路となる。
ブラーを用いて水分を導入したリアクター内にて、約４
００℃程度の温度で３〜４分の熱処理を基板に施す。こ
れにより、エッチングにより露出した、ｐ−ＡｌＡｓ被
酸化層４をポスト側面より酸化させ、図１に示すよう
に、直径約１５μｍの中央部を除くポスト側壁部のＡｌ
Ａｓ層中のＡｌを酸化してＡｌ酸化物からなる絶縁膜３
１を形成する。直径約１５μｍの酸化されていない中央
領域は、電流経路となる。
【００２４】次に、図１に示すように、第１のポストの
上面のうち第２のポストを巡る環状領域と、第２のポス
トの上面を除く第１のポストの上面及び第２のポストの
側壁をＳｉＮX 膜３２で被覆した後、リング状のｐ側電
極３３を第１のポストの周りのＤＢＲミラー５露出面に
形成する。続いて、ｎ−ＧａＡｓ基板１を約１００μｍ
程度の厚さに研磨した後、ｎ側電極３４をＧａＡｓ基板
１の裏面に形成する。
上面のうち第２のポストを巡る環状領域と、第２のポス
トの上面を除く第１のポストの上面及び第２のポストの
側壁をＳｉＮX 膜３２で被覆した後、リング状のｐ側電
極３３を第１のポストの周りのＤＢＲミラー５露出面に
形成する。続いて、ｎ−ＧａＡｓ基板１を約１００μｍ
程度の厚さに研磨した後、ｎ側電極３４をＧａＡｓ基板
１の裏面に形成する。
【００２５】本実施形態例では、上述のように、従来の
長波長帯面発光型レーザ装置５０とほぼ同等な特性、即
ち８０℃での連続動作を達成できる長波長帯面発光型レ
ーザ装置４０を１回の接着プロセスで形成することがで
きる。よって、作製に要する基板の枚数を減らすことが
できる。また、本実施形態例では、発光型レーザ素子４
１のミラーには半導体多層膜からなるＤＢＲミラーを用
い、長波長帯共振器構造４２のミラーには誘電体膜から
なるミラーを用いている。これにより、前記ミラー結晶
成長の膜厚を、従来の長波長帯面発光型レーザ装置の３
０ペア、約１２μｍに比べて半分程度とすることがで
き、結晶成長に要する時間を低減できるとともに、表面
モフォロジーの良好な結晶を形成することができる。
長波長帯面発光型レーザ装置５０とほぼ同等な特性、即
ち８０℃での連続動作を達成できる長波長帯面発光型レ
ーザ装置４０を１回の接着プロセスで形成することがで
きる。よって、作製に要する基板の枚数を減らすことが
できる。また、本実施形態例では、発光型レーザ素子４
１のミラーには半導体多層膜からなるＤＢＲミラーを用
い、長波長帯共振器構造４２のミラーには誘電体膜から
なるミラーを用いている。これにより、前記ミラー結晶
成長の膜厚を、従来の長波長帯面発光型レーザ装置の３
０ペア、約１２μｍに比べて半分程度とすることがで
き、結晶成長に要する時間を低減できるとともに、表面
モフォロジーの良好な結晶を形成することができる。
【００２６】長波長帯面発光型レーザ装置の作製方法の実施形態例２ 本実施形態例は、長波長帯面発光型レーザ装置の第２の
発明方法に係る作製方法の実施形態の一例である。図７
（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、実施形態例２に従って
長波長帯面発光型レーザ装置を作製する際の各工程の層
構造を示す断面図である。図８は、図７（ｂ）に続い
て、実施形態例２に従って長波長帯面発光型レーザ装置
を作製する際の工程の層構造を示す断面図である。実施
形態例２の作製方法は、実施形態例１の作製方法に比べ
て、次のことを除いてその構成は同じである。即ち、実
施形態例２の作製方法は、（１）基板１上の積層構造上
に更に後述する高反射膜２８を成膜すること、（２）基
板２上の積層構造上には高反射膜２６を成膜しないこ
と、（３）ｐ−ＩｎＰクラッド層２５と高反射膜２８と
を直接接着法により接着して、図４に示す積層構造を形
成することを除いて、実施形態例１と同様にして、長波
長帯面発光型レーザ装置４０を作製する。
発明方法に係る作製方法の実施形態の一例である。図７
（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、実施形態例２に従って
長波長帯面発光型レーザ装置を作製する際の各工程の層
構造を示す断面図である。図８は、図７（ｂ）に続い
て、実施形態例２に従って長波長帯面発光型レーザ装置
を作製する際の工程の層構造を示す断面図である。実施
形態例２の作製方法は、実施形態例１の作製方法に比べ
て、次のことを除いてその構成は同じである。即ち、実
施形態例２の作製方法は、（１）基板１上の積層構造上
に更に後述する高反射膜２８を成膜すること、（２）基
板２上の積層構造上には高反射膜２６を成膜しないこ
と、（３）ｐ−ＩｎＰクラッド層２５と高反射膜２８と
を直接接着法により接着して、図４に示す積層構造を形
成することを除いて、実施形態例１と同様にして、長波
長帯面発光型レーザ装置４０を作製する。
【００２７】実施形態例２の作製方法では、基板１上に
積層構造を形成する際に、実施形態例１と同様に、図７
（ａ）に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ＭＯＣ
ＶＤ法により、ｎ−ＧａＡｓ／ｎ−Ａｌ0.98ＧａＡｓの
２５ペアからなるｎ−ＤＢＲミラー２、波長９８０ｎｍ
のＩｎＧａＡｓ歪量子井戸活性層３、ｐ−ＡｌＡｓ被酸
化層４、及び、ｐ−ＧａＡｓ／ｐ−Ａｌ0.98ＧａＡｓの
１８ペアからなるｐ−ＤＢＲミラー５を順次積層する。
実施形態例１の方法とは異なり、更に、ｐ−ＤＢＲミラ
ー５上に、ノンドープＧａＡs ／ノンドープＡｌ0.9 Ｇ
a 0.1 Ａs の２８ペアからなる高反射膜２８を形成す
る。
積層構造を形成する際に、実施形態例１と同様に、図７
（ａ）に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ＭＯＣ
ＶＤ法により、ｎ−ＧａＡｓ／ｎ−Ａｌ0.98ＧａＡｓの
２５ペアからなるｎ−ＤＢＲミラー２、波長９８０ｎｍ
のＩｎＧａＡｓ歪量子井戸活性層３、ｐ−ＡｌＡｓ被酸
化層４、及び、ｐ−ＧａＡｓ／ｐ−Ａｌ0.98ＧａＡｓの
１８ペアからなるｐ−ＤＢＲミラー５を順次積層する。
実施形態例１の方法とは異なり、更に、ｐ−ＤＢＲミラ
ー５上に、ノンドープＧａＡs ／ノンドープＡｌ0.9 Ｇ
a 0.1 Ａs の２８ペアからなる高反射膜２８を形成す
る。
【００２８】また、図７（ｂ）に示すように、ｎ−Ｉｎ
Ｐ基板２１上に、ＭＯＣＶＤ法により、ＧａＩｎＡｓエ
ッチング停止層２２、ｎ−ＩｎＰクラッド層２３、波長
１．３μｍの歪量子井戸活性層２４、及びｐ−ＩｎＰク
ラッド層２５を順次積層する。続いて、本実施形態例で
は、ｎ−ＩｎＰ基板２１上のｐ−ＩｎＰクラッド層２５
の面と、ｎ−ＧａＡｓ基板１上の高反射膜２８の面とを
室温大気中で密着させる。その後、水素雰囲気中で５０
０〜６００℃の温度の熱処理を３０〜６０分間施すこと
により、図８に示すように、両基板を接着させることが
できる。以下、実施形態例１の方法と同様にして長波長
帯面発光型レーザ装置４０を作製する。
Ｐ基板２１上に、ＭＯＣＶＤ法により、ＧａＩｎＡｓエ
ッチング停止層２２、ｎ−ＩｎＰクラッド層２３、波長
１．３μｍの歪量子井戸活性層２４、及びｐ−ＩｎＰク
ラッド層２５を順次積層する。続いて、本実施形態例で
は、ｎ−ＩｎＰ基板２１上のｐ−ＩｎＰクラッド層２５
の面と、ｎ−ＧａＡｓ基板１上の高反射膜２８の面とを
室温大気中で密着させる。その後、水素雰囲気中で５０
０〜６００℃の温度の熱処理を３０〜６０分間施すこと
により、図８に示すように、両基板を接着させることが
できる。以下、実施形態例１の方法と同様にして長波長
帯面発光型レーザ装置４０を作製する。
【００２９】尚、上述の実施形態例では、ポンピング光
源として波長９８０ｎｍの面発光型レーザ素子４１を用
いているが、面発光型レーザ素子の活性層は、長波長帯
共振器構造の長波長帯活性層の発振波長よりも発振波長
が短ければ、即ちバンドギャップが大きければ良く、波
長９８０ｎｍに限ることはない。また、長波長帯共振器
構造４２の誘電体ミラーにａ−Ｓｉ／Ａｌ2 Ｏ3 からな
るペアを用いたが、これに限ることはない。
源として波長９８０ｎｍの面発光型レーザ素子４１を用
いているが、面発光型レーザ素子の活性層は、長波長帯
共振器構造の長波長帯活性層の発振波長よりも発振波長
が短ければ、即ちバンドギャップが大きければ良く、波
長９８０ｎｍに限ることはない。また、長波長帯共振器
構造４２の誘電体ミラーにａ−Ｓｉ／Ａｌ2 Ｏ3 からな
るペアを用いたが、これに限ることはない。
【００３０】
【発明の効果】本発明の構成によれば、半導体多層膜反
射鏡を有し、ポンピング光源として機能するＧａＡｓ系
面発光型レーザ素子上に、誘電体多層膜反射鏡とを有す
る長波長帯共振器構造を縦集積することにより、直接接
着の回数、従って基板枚数を減らして経済的に作製でき
る構成を備えた長波長帯面発光型レーザ装置を実現して
いる。また、本発明方法は、本発明に係る長波長帯面発
光型レーザ装置を経済的に作製できる方法を実現してい
る。
射鏡を有し、ポンピング光源として機能するＧａＡｓ系
面発光型レーザ素子上に、誘電体多層膜反射鏡とを有す
る長波長帯共振器構造を縦集積することにより、直接接
着の回数、従って基板枚数を減らして経済的に作製でき
る構成を備えた長波長帯面発光型レーザ装置を実現して
いる。また、本発明方法は、本発明に係る長波長帯面発
光型レーザ装置を経済的に作製できる方法を実現してい
る。
【図１】実施形態例の長波長帯面発光型レーザ装置の構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図２】発振波長と高反射膜の反射率との関係を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図３】図３（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、実施形態
例１に従って長波長帯面発光型レーザ装置を作製する際
の各工程の層構造を示す断面図である。
例１に従って長波長帯面発光型レーザ装置を作製する際
の各工程の層構造を示す断面図である。
【図４】図３（ｂ）に続いて、実施形態例１に従って長
波長帯面発光型レーザ装置を作製する際の工程の層構造
を示す断面図である。
波長帯面発光型レーザ装置を作製する際の工程の層構造
を示す断面図である。
【図５】図５（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、図４に続
いて、実施形態例に従って長波長帯面発光型レーザ装置
を作製する際の各工程の層構造を示す断面図である。
いて、実施形態例に従って長波長帯面発光型レーザ装置
を作製する際の各工程の層構造を示す断面図である。
【図６】従来の長波長帯面発光型レーザ装置の構成を示
す断面図である。
す断面図である。
【図７】図７（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、実施形態
例２に従って長波長帯面発光型レーザ装置を作製する際
の各工程の層構造を示す断面図である。
例２に従って長波長帯面発光型レーザ装置を作製する際
の各工程の層構造を示す断面図である。
【図８】図７（ｂ）に続いて、実施形態例２に従って長
波長帯面発光型レーザ装置を作製する際の工程の層構造
を示す断面図である。
波長帯面発光型レーザ装置を作製する際の工程の層構造
を示す断面図である。
１ ｎ−ＧａＡｓ基板 ２ ｎ−ＧａＡｓ／ｎ−Ａｌ0.98ＧａＡｓの２５ペアか
らなるｎ−ＤＢＲミラー ３ 波長９８０ｎｍのＩｎＧａＡｓ歪量子井戸活性層 ４ ｐ−ＡｌＡｓ被酸化層 ５ ｐ−ＧａＡｓ／ｐ−Ａｌ0.98ＧａＡｓの１８ペアか
らなるｐ−ＤＢＲミラー ２３ ｎ−ＩｎＰクラッド層 ２４ 波長１．３μｍの歪量子井戸活性層 ２５ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ２６、２７ ａ−Ｓｉ／Ａｌ2 Ｏ3 の６ペアからなる高
反射膜 ２８ ノンドープＧａＡs ／ノンドープＡｌ0.9 Ｇa 0.
1 Ａs の２８ペアからなる高反射膜 ３１ Ａｌ酸化層 ３２ ＳｉＮX 膜 ３３ 環状のｐ側電極 ３４ ｎ側電極 ４０ 実施形態例の長波長帯面発光型レーザ装置 ４１ ９８０ｎｍ帯面発光型レーザ素子 ４２ １３００ｎｍ帯長波長帯共振器構造 ４３ 環状溝 ５０ 従来の長波長帯面発光型レーザ装置 ５２ ＧａＡｓ基板 ５４ １３００ｎｍ帯共振器構造 ５６ ８５０ｎｍ帯面発光型レーザ素子 ５８ １３００ｎｍ活性層 ６０、６２ アンドープトＤＢＲ
らなるｎ−ＤＢＲミラー ３ 波長９８０ｎｍのＩｎＧａＡｓ歪量子井戸活性層 ４ ｐ−ＡｌＡｓ被酸化層 ５ ｐ−ＧａＡｓ／ｐ−Ａｌ0.98ＧａＡｓの１８ペアか
らなるｐ−ＤＢＲミラー ２３ ｎ−ＩｎＰクラッド層 ２４ 波長１．３μｍの歪量子井戸活性層 ２５ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ２６、２７ ａ−Ｓｉ／Ａｌ2 Ｏ3 の６ペアからなる高
反射膜 ２８ ノンドープＧａＡs ／ノンドープＡｌ0.9 Ｇa 0.
1 Ａs の２８ペアからなる高反射膜 ３１ Ａｌ酸化層 ３２ ＳｉＮX 膜 ３３ 環状のｐ側電極 ３４ ｎ側電極 ４０ 実施形態例の長波長帯面発光型レーザ装置 ４１ ９８０ｎｍ帯面発光型レーザ素子 ４２ １３００ｎｍ帯長波長帯共振器構造 ４３ 環状溝 ５０ 従来の長波長帯面発光型レーザ装置 ５２ ＧａＡｓ基板 ５４ １３００ｎｍ帯共振器構造 ５６ ８５０ｎｍ帯面発光型レーザ素子 ５８ １３００ｎｍ活性層 ６０、６２ アンドープトＤＢＲ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 横内 則之 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内 (72)発明者 粕川 秋彦 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F073 AA65 AA74 AA89 AB17 CA07 CA12 DA31 DA35
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体多層膜反射鏡を有し、ポンピング
光源として機能するＧａＡｓ系面発光型レーザ素子と、 前記面発光型レーザ素子上に縦集積され、前記面発光型
レーザ素子の発振波長より長い発振波長の長波長帯活性
層と、長波長帯活性層の少なくとも一方に誘電体多層膜
反射鏡が形成された長波長帯共振器構造とを備えること
を特徴とする長波長帯面発光型レーザ装置。 - 【請求項２】 ＧａＡｓからなる第１の基板上に、半導
体多層膜反射鏡を有する面発光型レーザ素子積層構造を
形成する工程と、 第２の基板上に、面発光型レーザ素子の発振波長より長
い発振波長の長波長帯活性層と、誘電体多層膜反射鏡を
形成する工程と、 面発光型レーザ素子積層構造の半導体多層膜反射鏡と、
第２の基板上に形成した誘電体多層膜反射鏡とを直接接
着法により接着する工程と、 第２の基板を除去する工程と、 基板除去により露出した長波長帯活性層上に誘電体多層
膜反射鏡を形成し、長波長帯共振器構造を形成する工程
とを有することを特徴とする長波長帯面発光型レーザ装
置の作製方法。 - 【請求項３】 ＧａＡｓからなる第１の基板上に、半導
体多層膜反射鏡を有する面発光型レーザ素子及び長波長
帯共振器構造の片側の反射鏡となる半導体多層膜反射鏡
を形成する工程と、 第２の基板上に、面発光型レーザ素子の発振波長より長
い発振波長の長波長帯活性層を形成する工程と、 面発光型レーザ素子積層構造の半導体多層膜反射鏡と第
２の基板上に形成した長波長帯活性層とを直接接着法に
より接着する工程と、 第２の基板を除去する工程と、 基板除去により露出した長波長帯活性層上に誘電体多層
膜反射鏡を形成し、長波長帯共振器構造を形成する工程
とを有することを特徴とする長波長帯面発光型レーザ装
置の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11032765A JP2000232250A (ja) | 1999-02-10 | 1999-02-10 | 長波長帯面発光型レーザ装置及びその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11032765A JP2000232250A (ja) | 1999-02-10 | 1999-02-10 | 長波長帯面発光型レーザ装置及びその作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=12367949
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|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002305354A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光型半導体レーザ素子 |
| JP2004200210A (ja) * | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ及びその製造方法 |
| KR101100424B1 (ko) | 2005-05-04 | 2011-12-30 | 삼성전자주식회사 | 펌프 레이저가 일체로 결합된 수직 외부 공진기형 면발광레이저 |
-
1999
- 1999-02-10 JP JP11032765A patent/JP2000232250A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002305354A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光型半導体レーザ素子 |
| JP2004200210A (ja) * | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ及びその製造方法 |
| JP4507489B2 (ja) * | 2002-12-16 | 2010-07-21 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ及びその製造方法 |
| KR101100424B1 (ko) | 2005-05-04 | 2011-12-30 | 삼성전자주식회사 | 펌프 레이저가 일체로 결합된 수직 외부 공진기형 면발광레이저 |
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