JP2000230961A - 半導体スイッチの順電圧降下測定装置及び半導体スイッチの選別装置並びに半導体スイッチの劣化検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】順電圧降下を高精度に測定することができる半
導体スイッチの順電圧降下測定装置を得ること。 【解決手段】電流変成器９，ダイオード５及び抵抗器６
と直流電源７の直列回路を特性測定用の半導体スイッチ
１に並列に接続する。このうち、ダイオード５と抵抗器
６の共通端子と、直流電源７の負極側の間に対して、電
圧プローブの入力側を接続する。電流変成器９の二次側
と電圧プローブ３の出力側には、オシロスコープ４を接
続し、このオシロスコープ４の出力側には、演算装置８
の入力端子に接続する。抵抗器６と直流電源７の合成電
圧とダイオード５の順電圧降下の差から、半導体スイッ
チ１の順電圧降下を算出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体スイッチの
順電圧降下を測定する半導体スイッチの順電圧降下測定
装置及び半導体スイッチの選別装置並びに半導体スイッ
チの劣化検出装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】パルス状の大電流を利用してレーザや粒
子加速器に用いられるパルスパワー技術では、高頻度に
繰返しパルス状の大電流を得る方法として、高電圧に充
電されたコンデンサの電荷を高速スイッチで高速に放電
される方法が一般的に用いられており、最近では高速ス
イッチとして半導体スイッチを適用する試みがなされて
いる。

【０００３】パルス状の大電流を得る回路として図６で
示すブロック図がある。図６において、半導体スイッチ
１は、パルス状の大電流を発生するパルス電流発生回路
２に接続されている。

【０００４】ところで、半導体スイッチ１がオンするこ
とにより、半導体スイッチ１にはパルス状の大電流が流
れる。このパルス状の大電流が通電している間の半導体
スイッチ１の順電圧降下（すなわち、オン電圧）は、半
導体スイッチ１の損失や特性を管理するうえで重要であ
る。

【０００５】パルス状の大電流を通電しているときの半
導体スイッチ１の順電圧降下は、図６に示すように半導
体スイッチ１の端子間に印加される電圧プローブ３を使
いオシロスコープ４に入力して測定している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】この方法で半導体スイ
ッチ１の順電圧降下を測定する場合には、測定の精度を
上げるために、オシロスコープ４の測定幅を半導体スイ
ッチ１がオフしているときの半導体スイッチ１の端子間
電圧ＨＶに合わせる必要がある。理由は、オシロスコー
プの測定値に含まれる誤差は、測定する値が測定幅に対
して小さいほど大きくなるからである。

【０００７】このため、この測定方法では順電圧降下が
半導体スイッチ１の端子間電圧ＨＶに対して少ない半導
体スイッチほど、順電圧降下の測定精度が低くなる。そ
こで、第１の発明は半導体スイッチの順電圧降下を高精
度に測定することができる半導体スイッチの順電圧降下
測定装置を提供することを目的とする。

【０００８】一方、半導体スイッチ１は、パルス状大電
流と順電圧降下によって損失が発生する。この損失を減
らすためには、順電圧降下の少ない半導体スイッチを選
別して使用することが望ましい。

【０００９】しかし、順電圧降下が非常に少ない半導体
スイッチでは、測定精度が低く、異なる半導体スイッチ
の順電圧降下の測定値を比較することは不正確となるの
で、半導体スイッチの選別が困難となる。そこで、第２
の発明は、半導体スイッチの特性を容易に選別すること
ができる半導体スイッチの選別装置を提供することを目
的とする。

【００１０】また、パルス状の大電流を繰返し通電して
いるときには、半導体スイッチの順電圧降下をモニタし
て順電圧降下の変化を検出することにより、半導体スイ
ッチの劣化を検出することができる。

【００１１】しかし、順電圧降下が非常に少ない半導体
スイッチの場合には、精度の低い順電圧降下の測定値を
もとに順電圧降下の変化を検出するため、順電圧降下の
変化が少ない場合には検出が困難となり、不正確とな
る。そこで、第３の発明は、半導体スイッチの特性の劣
化を容易に検出することができる半導体スイッチの劣化
検出装置を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】請求項１に対応する発明
においては、ダイオード及び抵抗素子と直流電源の直列
接続回路と、抵抗素子と直流電源の合成電圧を測定する
手段と、ダイオードの順電圧降下を算出する手段とを備
え、ダイオード及び抵抗素子と直流電源を直列接続した
回路を被測定半導体スイッチに並列に接続し、抵抗素子
と直流電源の合成電圧とダイオードの順電圧降下の差か
ら被測定半導体スイッチの順電圧降下を算出する。

【００１３】このような手段によって、電圧測定手段の
測定幅を半導体スイッチのオフ時の端子間電圧に合わせ
ることなく、直流電源の電圧を調整して半導体スイッチ
の順電圧降下の程度に合った測定幅で測定する。

【００１４】請求項２に対応する発明においては、請求
項１の半導体スイッチの順電圧降下測定装置において、
ダイオードの順電圧降下を算出する手段としてダイオー
ドの電流を測定する電流変成器を備え、電流変成器の出
力から得られた電流値と事前に記憶されたダイオードの
電流と順電圧降下の関係からダイオードの順電圧降下を
演算装置で求める。

【００１５】このような手段によって、電圧測定手段の
測定レンジを半導体スイッチのオフ時の端子間電圧に合
わせることなく、直流電源の電圧を調整して半導体スイ
ッチの順電圧降下の程度に合った測定で測定する。

【００１６】請求項３に対応する発明においては、請求
項１の半導体スイッチの順電圧降下測定装置において、
ダイオードの順電圧降下を算出する手段として、抵抗素
子の端子電圧からダイオードの電流を算出し、得られた
電流値と事前に記憶したダイオードの電流と順電圧降下
の関係からダイオードの順電圧降下を演算装置で求め
る。

【００１７】このような手段によって、電圧測定手段の
測定幅を半導体スイッチのオフ時の端子間電圧に合わせ
ることなく、直流電源の電圧を調整して半導体スイッチ
の順電圧降下の程度に合った測定幅で測定する。

【００１８】請求項４に対応する発明においては、請求
項１乃至請求項３の半導体スイッチの順電圧降下測定装
置において、抵抗素子の抵抗値としてダイオードの接合
容量と抵抗値の積が被測定半導体スイッチのターンオン
時の上昇時間よりもダイオードのターンオフ時間が短く
なるようにする。このような手段によって、ダイオード
のターンオン時間が測定値に与える影響を減らす。

【００１９】請求項５に対応する発明においては、請求
項１乃至請求項４の半導体スイッチの順測定装置におい
て、被測定半導体スイッチの遮断時の印加電圧をＶｓ、
直列抵抗素子の抵抗値をＲｓ、ダイオードの定格整流電
流を１ｄとし直流電源の電圧値Ｖｄｃとしたとき、これ
らの関係を0.01Ｖｓ＜Ｖｄｃ＜Ｒｓ×１ｄとする。

【００２０】このような手段によって、直流電源の電圧
を適切な値に選んで半導体スイッチの順電圧降下を測定
する。請求項６に対応する発明においては、半導体スイ
ッチのダイードがオンするまでの端子電圧を、半導体ス
イッチの過渡期の順電圧降下とする。

【００２１】このような手段によって、半導体スイッチ
がオフからオンに至る過渡期の半導体スイッチの順電圧
降下を測定する。請求項７に対応する発明においては、
請求項１乃至請求項６において、測定した半導体スイッ
チの順電圧降下を入力し、その入力値が所定の条件を満
たすとき判定手段で信号を出力する。

【００２２】このような手段によって、請求項１乃至請
求項６の半導体スイッチの順電圧降下測定装置で精度よ
く測定した順電圧降下を使って、順電圧降下が少ない半
導体スイッチでも正確に選別する。

【００２３】請求項８に対応する発明においては、請求
項１乃至請求項６において、測定した半導体スイッチの
順電圧降下を入力しその入力値が所定の変化分を越える
と変化検出手段で信号を出力する。

【００２４】このような手段によって、請求項１乃至請
求項６の半導体スイッチの順電圧降下測定装置で精度よ
く測定した順電圧降下値を採用して、順電圧降下が少な
い半導体スイッチでも正確に劣化を検出する。

【００２５】

【発明の実施の形態】図１は、第１の発明の請求項１及
び請求項２に対応する半導体スイッチの順電圧降下測定
装置の第１の実施形態を示すブロック図で、前述した図
６と同一の要素には、同一符号を付して説明を省略す
る。図１において、半導体スイッチ１の両端には、電流
変成器９，ダイオード５，抵抗器６及び直流電圧源７の
直列回路が並列に接続されている。

【００２６】このうち、ダイオード４のカソード端子
は、半導体スイッチ１の陽極側の端子に接続され、直流
電源７の負極側の端子は、半導体スイッチ１の陰極側の
端子に接続されている。

【００２７】ダイオード５と抵抗器６の共通端子と直流
電源７の負極側の端子との間には、電圧プローブ３の入
力端子が接続されている。オシロスコープ４は、電圧プ
ローブ３と電流変成器９の出力信号線が接続され、演算
装置８の入力端子は、オシロスコープ４の出力端子に接
続されている。

【００２８】なお、半導体スイッチ１がオフのときの半
導体スイッチ１の両端の電圧をＨＶとしたとき、直流電
圧源７の電圧はＨＶよりも低く設定されている。このよ
うに構成された半導体スイッチの順電圧降下測定装置に
おいては、半導体スイッチ１がオフのときには、ダイオ
ード５は逆バイアスされてオフの状態となる。このと
き、電圧プローブ３の入力側の端子間電圧は、直流電源
７の電圧と等しい。

【００２９】半導体スイッチ１がオンしてパルス状の大
電流が流れ始め、半導体スイッチ１の両端の電圧が直流
電源７の電圧値よりも低くなり、ダイオード５の順バイ
アス電圧が印加されると、このダイオード５はオンす
る。

【００３０】このとき、電圧プローブ３の入力側の端子
間には、半導体スイッチ１の順電圧降下とダイオード５
の順電圧降下の和が現れる。このように、電圧プローブ
３の入力側の端子間には、直流電源７の電圧値より高い
電圧が現れることはない。

【００３１】したがって、オシロスコープ４の測定レン
ジの幅を半導体スイッチ１の両端の電圧ＨＶに合わせる
必要はなく、直流電源７の電圧に合わせることができ
る。このため、直流電源７の電圧を調整することによ
り、半導体スイッチ１の順電圧降下とダイオード５の順
電圧降下の和に合った測定幅にすることができる。

【００３２】ダイオード５の順電圧降下は、ダイオード
５に流れる電流が分かれば、ダイオード５の電流と順電
圧降下の関係から求めることができる。ダイオード５に
流れる電流Ｉｄは、電流変成器９により測定され、この
ダイオード５の電流Ｉｄと順電圧降下の関係は、ダイオ
ード５の特性表に記載されているものを採用するか、ま
たは実測したものを演算装置８に事前に入力しておく。

【００３３】この演算装置８は、オシロスコープ４から
入力されたダイオード５に流れる電流の測定値と、事前
に入力されたダイオード５の電流と順電圧降下の関係か
ら、ダイオード５の順電圧降下を求め、オシロスコープ
４から入力された測定値から求めたダイオード５の順電
圧降下を引いた値を求めて、半導体スイッチ１の順電圧
降下の測定値を出力する。

【００３４】このように構成された半導体スイッチの順
電圧降下測定装置においては、電圧測定手段の測定幅を
半導体スイッチの端子間電圧ＨＶに合わせる必要がな
く、直流電源７の電圧を調整して半導体スイッチ１の順
電圧降下とダイオードの順電圧降下の和に合った測定幅
で測定できるので、半導体スイッチの順電圧降下を高精
度に測定することができる。

【００３５】図２は、第１の発明の半導体スイッチの順
電圧降下測定装置の第２の実施形態の構成図を示すブロ
ック図で、請求項３に対応し、前述した図１に対応する
図である。なお、図１と同一要素には、同一符号を付し
て説明を省略する。

【００３６】図２において、前述した第１の実施形態で
示した図１と異なるところは、電流変成器を省き、ダイ
オード５に流れる電流Ｉｄを計算で求めたことである。
すなわち、ダイオード５に流れる電流Ｉｄは式(1) から
求める。 Ｉｄ＝（Ｖｄ−Ｖｍ）／Ｒｄ・・・(1) ここで、Ｖｄ：直流電源７の電圧、Ｖｍ：ダイオード５
と抵抗器６の共通端子と直流電源７の負極端子との間の
電圧

【００３７】図２において、演算装置11では、式(1) か
らダイオード５に流れる電流を算出し、事前に入力され
たダイオード５の電流と順電圧降下の関係からダイオー
ド５の順電圧降下を求め、オシロスコープ４から入力さ
れる電圧プローブ３による測定値から求めたダイオード
５の順電圧降下を引いた値を求め、半導体スイッチ１の
順電圧降下の測定値を出力する。

【００３８】このように構成された半導体スイッチの順
電圧降下測定装置によれば、電圧測定手段の測定幅を半
導体スイッチ１の端子間電圧ＨＶに合わせる必要がなく
なり、直流電源７の電圧を調整して半導体スイッチ１の
順電圧降下とダイオード５の順電圧降下の和に合った測
定幅にして測定できるため、半導体スイッチの順電圧降
下を高い精度で測定することができる。

【００３９】なお、図１又は図２において、半導体スイ
ッチ１がオンしパルス状の大電流が流れ始め、半導体ス
イッチ１の両端の電圧ＨＶが直流電源７の電圧値より低
くなり、ダイオード５に順バイパス電圧が印加されると
ダイオード５がオンする。

【００４０】このとき、半導体スイッチ１とダイオード
５はオンするまでに時間を要する。このダイオード５の
ターンオン時間Ｔｄは、式(2) で示すことができる。 Ｔｄ≒Ｒ×Ｃｄ・・・(2) ここで、Ｒ：抵抗器６の抵抗値、Ｃｄ：ダイオード５の
接合容量

【００４１】抵抗器６には、半導体スイッチ１がオンす
るまでの時間（上昇時間）よりもダイオード５のターン
オン時間Ｔｄが短くなるようにした抵抗値のものを採用
する。

【００４２】このように構成した半導体スイッチの順電
圧降下測定装置においても、ダイオードのターンオン時
間が測定値に与える影響が少なくなるので、より精度の
高い半導体スイッチの順電圧降下測定装置を得ることが
できる。

【００４３】また、図１又は図２において、直流電源７
の電圧Ｖｄを式(3) とする。 0.01Ｖｓ＜Ｖｄ＜Ｒｓ×Ｉｄ・・・(3) ここで、Ｖｓ：半導体スイッチがオフ時の印加電圧、Ｉ
ｄ：ダイオードの定格電流 式(3) では、ダイオード電流が定格電流以下になるよう
にしている。

【００４４】なお、式(3) で直流電源７の電圧Ｖｄの下
限を0.01Ｖｓとした理由は、半導体スイッチ１の順電圧
降下が半導体スイッチがオフ時の印加電圧Ｖｓに対して
最小で１％程度の大きさであるためである。このように
構成された直流電源７の電圧Ｖｄを適切な値に選定する
ことで、半導体スイッチの順電圧降下を測定することが
できる。

【００４５】図３は、第１の発明の半導体スイッチの順
電圧降下測定装置の第３の実施形態を示すブロック図
で、請求項６に対応し、前述した図１及び図２に対応
し、これらの図１，図２と同一要素には同一符号を付し
ている。

【００４６】図３に示した順電圧降下測定装置10は、前
述した図１〜図３で説明した半導体スイッチの順電圧降
下測定装置が組み込まれている。図３において、半導体
スイッチ１の両端には、電圧プローブ３と順電圧降下測
定装置10が並列に接続され、このうち電圧プローブ３の
他側には、図２と同様にオシロスコープ４が接続されて
いる。

【００４７】このオシロスコープ４と順電圧降下測定装
置10の出力側に対して、演算装置12が接続されている。
この演算装置12は、半導体スイッチ１の順電圧降下の値
として、順電圧降下測定装置10の内部のダイオード５が
オンするまではオシロスコープ３の測定値を採用し、ダ
イオード５がオンした後は半導体スイッチの順電圧降下
測定装置10で測定した順電圧降下の測定値を採用して図
３に示すように出力する。

【００４８】このように構成された半導体スイッチの順
電圧降下測定装置においても、半導体スイッチがオフか
らオンに至る過渡期の順電圧降下を高精度に測定するこ
とができる。

【００４９】図４は、第２の発明の半導体スイッチの選
別装置の構成の一例を示すブロック図で、請求項６及び
請求項７に対応する図である。図４において、順電圧降
下測定装置10は、前述した図１から図３で説明した半導
体スイッチの順電圧降下測定装置である。この順電圧降
下測定装置10から出力された測定信号が入力される演算
装置13は、順電圧降下測定装置10から出力された順電圧
降下の実効値を求めて判定装置14に出力する。

【００５０】すると、この判定装置14では、演算装置13
の出力値が所定値以下という条件を満たしたときに信号
を選別信号として出力する。このように構成された半導
体スイッチの選別装置においては、前述した図１〜図３
で述べた半導体スイッチの測定装置で精度よく測定した
順電圧降下を採用したので、順電圧降下が少ない半導体
スイッチでも正確に選別をすることができる。

【００５１】図５は、第３の発明の半導体スイッチの劣
化検出装置の一例を示すブロック図で、請求項８に対応
する図である。図５においても、順電圧降下測定装置10
は前述した半導体スイッチの選別装置と同様に図１〜図
３で述べた順電圧降下測定装置である。半導体スイッチ
１は劣化が進むに従って、順電圧降下が上昇するので、
この順電圧降下の上昇の変化を検出することにより素子
の劣化を検出する。

【００５２】すなわち、変化検出装置16では、入力され
た順電圧降下測定装置10の出力値が所定の変化分を越え
たときに劣化検出信号を出力する。このように構成され
た半導体スイッチの劣化検出装置においては、図１〜図
３で前述した半導体スイッチの順電圧降下測定装置によ
って高精度に測定した順電圧降下値を使っているので、
順電圧降下が少ない半導体スイッチでも正確に劣化の進
行度を検出することができる。

【００５３】

【発明の効果】以上、請求項１に対応する発明によれ
ば、ダイオード及び抵抗素子と直流電源の直列接続回路
と、抵抗素子と直流電源の合成電圧を測定する手段と、
ダイオードの順電圧降下を算出する手段とを備え、ダイ
オード及び抵抗素子と直流電源を直列接続した回路を被
測定半導体スイッチに並列に接続し、抵抗素子と直流電
源の合成電圧とダイオードの順電圧降下の差から被測定
半導体スイッチの順電圧降下を算出することで、電圧測
定手段の測定幅を半導体スイッチのオフ時の端子間電圧
に合わせることなく、直流電源の電圧を調整して半導体
スイッチの順電圧降下程度に合った測定幅で測定したの
で、順電圧降下を高精度に測定することのできる半導体
スイッチの順電圧降下測定装置を得ることができる。

【００５４】請求項２に対応する発明によれば、請求項
１の半導体スイッチの順電圧降下測定装置において、ダ
イオードの順電圧降下を算出する手段としてダイオード
の電流を測定する電流変成器を備え、電流変成器の出力
から得た電流値と事前に記憶されたダイオードの電流と
順電圧降下の関係から、ダイオードの順電圧降下を演算
装置で求めることで、電圧測定手段の測定レンジを半導
体スイッチのオフ時の端子間電圧に合わせることなく、
直流電源の電圧を調整して半導体スイッチの順電圧降下
の程度に合った測定幅で測定したので、順電圧降下を高
精度に測定することのできる半導体スイッチの順電圧降
下測定装置を得ることができる。

【００５５】請求項３に対応する発明によれば、請求項
１の半導体スイッチの順電圧降下測定装置において、ダ
イオードの順電圧降下を算出する手段として、抵抗素子
の端子電圧からダイオードの電流を算出し、得られた電
流値と事前に記憶しダイオードの電流と順電圧降下の関
係からダイオードの順電圧降下を演算装置で求めること
で、電圧測定手段の測定幅を半導体スイッチのオフ時の
端子間電圧に合わせることなく、直流電源の電圧を調整
して半導体スイッチの順電圧降下の程度に合った測定幅
で測定したので、順電圧降下を高精度に測定することの
できる半導体スイッチの順電圧降下測定装置を得ること
ができる。

【００５６】請求項４に対応する発明によれば、請求項
１乃至請求項３の半導体スイッチの順電圧降下測定装置
において、抵抗素子の抵抗値としてダイオードの接合容
量と抵抗値の積が被測定半導体スイッチのターンオン時
の上昇時間よりもダイオードのターンオフ時間が短くな
るようにすることで、ダイオードのターンオン時間が測
定値に与える影響を減らしたので、順電圧降下を高精度
に測定することのできる半導体スイッチの順電圧降下測
定装置を得ることができる。

【００５７】請求項５に対応する発明によれば、請求項
１乃至請求項４の半導体スイッチの順電圧降下測定装置
において、被測定半導体スイッチの遮断時の印加電圧を
Ｖｓ、直列抵抗素子の抵抗値をＲｓ、ダイオードの定格
整流電流をＩｄとし直流電源の電圧値をＶｄｃとしたと
き、これらの関係を0.01Ｖｓ＜Ｖｄｃ＜Ｒｓ×Ｉｄとす
ることで、直流電源の電圧を適切な値に選んで半導体ス
イッチの順電圧降下を測定したので、順電圧降下を高精
度に測定することのできる半導体スイッチの順電圧降下
測定装置を得ることができる。

【００５８】請求項６に対応する発明によれば、半導体
スイッチのダイオードがオンするまでの端子電圧を、半
導体スイッチの過渡期の順電圧降下とすることで、半導
体スイッチがオフからオンに至過渡期の半導体スイッチ
の順電圧降下を測定したので、順電圧降下を高精度に測
定することのできる半導体スイッチの順電圧降下測定装
置を得ることができる。

【００５９】請求項７に対応する発明によれば、請求項
１乃至請求項６において測定した半導体スイッチの順電
圧降下を入力し、その入力値が所定の条件を満たすとき
判定手段で信号を出力することで、請求項１乃至請求項
６の半導体スイッチの順電圧降下測定装置で精度よく測
定した順電圧降下を使って、順電圧降下が少ない半導体
スイッチでも正確に選別したので、順電圧降下を高精度
に選別することのできる半導体スイッチの選別装置を得
ることができる。

【００６０】請求項８に対応する発明によれば、請求項
１乃至請求項６において、測定した半導体スイッチの順
電圧降下を入力しその入力値が所定の変化分を越えると
変化検出手段で信号を出力することで、請求項１乃至請
求項６の半導体スイッチの順電圧降下測定装置で精度よ
く測定した順電圧降下の変化を変化検出手段で検出し所
定以上の変化分を出力したので、半導体素子の劣化を正
確に検出することのできる半導体スイッチの劣化検出装
置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の発明の半導体スイッチの順電圧降下測定
装置の第１の実施形態を示すブロック図。

【図２】第１の発明の半導体スイッチの順電圧降下測定
装置の第２の実施形態を示すブロック図。

【図３】第１の発明の半導体スイッチの順電圧降下測定
装置の第３の実施形態を示すブロック図。

【図４】第２の発明の半導体スイッチの選別装置の一実
施形態を示すブロック図。

【図５】第３の発明の半導体スイッチの劣化検出装置の
一実施形態を示すブロック図。

【図６】従来の半導体スイッチの順電圧降下測定装置の
一例を示すブロック図。

【符号の説明】

１…半導体スイッチ、２…パルス電流発生回路、３…電
圧プローブ、４…オシロスコープ、５…ダイオード、６
…抵抗器、７…直流電源、８，12，13…演算装置、10…
順電圧降下測定装置、14…判定装置、15…選別装置、1
6，17…劣化検出装置。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ダイオード及び抵抗素子と直流電源の直
   列回路と、前記抵抗素子と直流電源の合成電圧を測定す
   る手段と、前記ダイオードの順電圧降下を算出する手段
   とを備え、前記ダイオード及び抵抗素子と直流電源の直
   列回路を被測定半導体スイッチに並列に接続し、前記抵
   抗素子と直流電源の合成電圧と前記ダイオードの順電圧
   降下の差から被測定半導体スイッチの順電圧降下を算出
   する半導体スイッチの順電圧降下測定装置。
2. 【請求項２】 前記ダイオードの順電圧降下を算出する
   手段として、前記ダイオードの電流を測定する電流変成
   器を備え、この電流変成器の出力から得た電流値及び事
   前に記憶されたダイオードの電流と順電圧降下の関係か
   ら前記ダイオードの順電圧降下を求める演算装置を設け
   たことを特徴とする請求項１記載の半導体スイッチの順
   電圧降下測定装置。
3. 【請求項３】 前記ダイオードの順電圧降下を算出する
   手段として、前記抵抗素子の端子電圧から前記ダイオー
   ドの電流を算出して得た電流値と事前に記憶された前記
   ダイオードの電流と順電圧降下の関係から前記ダイオー
   ドの順電圧降下を求める演算装置を設けたことを特徴と
   する請求項１記載の半導体スイッチの順電圧降下測定装
   置。
4. 【請求項４】 前記抵抗素子の抵抗値として、前記ダイ
   オードの接合容量と前記抵抗素子の抵抗値の積が被測定
   半導体スイッチのターンオン時の上昇時間よりも前記ダ
   イードのターンオン時間が短くなるようにしたことを特
   徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導
   体スイッチの順電圧降下測定装置。
5. 【請求項５】 前記被測定半導体スイッチの遮断時の印
   加電圧をＶｓ、前記抵抗素子の抵抗値をＲｓ、前記ダイ
   オードの定格整流電流をｌｄとし、前記直流電源の電圧
   値をＶｄｃとしたとき、 0.01Ｖｓ＜Ｖｄｃ＜Ｒｓ×１ｄ としたことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれ
   かに記載の半導体スイッチの順電圧降下測定装置。
6. 【請求項６】 前記半導体スイッチの前記ダイオードが
   オンするまでの端子電圧を、前記半導体スイッチの過渡
   期の順降下電圧としたことを特徴とする請求項１乃至請
   求項５のいずれかに記載の半導体スイッチの順電圧降下
   測定装置。
7. 【請求項７】 前記請求項１乃至請求項６記載の半導体
   スイッチの順電圧降下測定装置で測定した前記半導体ス
   イッチの順電圧降下が入力されその入力値と設定値を比
   較しその結果を出力する判定手段を備えたことを特徴と
   する半導体スイッチの選別装置。
8. 【請求項８】 前記請求項１乃至請求項６記載の半導体
   スイッチの順電圧降下測定装置で測定した前記半導体ス
   イッチの順電圧降下が入力されその入力値の変化分と設
   定値を比較しその結果を出力する変化分検出手段を備え
   たことを特徴とする半導体スイッチの劣化検出装置。