JP2000228376A - 粒状体に対するプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 - Google Patents
粒状体に対するプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 粒状体に対して、その全周面に関して、等方
性プラズマエッチング等のプラズマ処理を、確実に行う
ことができるようにする。 【解決手段】 粒状体２を、誘導結合プラズマを発生さ
せた通路３中に通過させて、この粒状体２に対するプラ
ズマ処理を行うことによって、粒状体２に対するプラズ
マ処理を、非接触的にその全外周面に関して行うことが
できるようにする。
性プラズマエッチング等のプラズマ処理を、確実に行う
ことができるようにする。 【解決手段】 粒状体２を、誘導結合プラズマを発生さ
せた通路３中に通過させて、この粒状体２に対するプラ
ズマ処理を行うことによって、粒状体２に対するプラズ
マ処理を、非接触的にその全外周面に関して行うことが
できるようにする。
Description
【０００１】本発明は、粒状体に対するプラズマ処理方
法およびプラズマ処理装置、特に微小粒状体例えば球状
半導体に半導体素子が形成された半導体装置、例えば半
導体集積回路装置の製造に用いて好適なプラズマ処理、
例えばドライエッチング処理等のプラズマ処理方法およ
びプラズマ処理装置に係わる。
法およびプラズマ処理装置、特に微小粒状体例えば球状
半導体に半導体素子が形成された半導体装置、例えば半
導体集積回路装置の製造に用いて好適なプラズマ処理、
例えばドライエッチング処理等のプラズマ処理方法およ
びプラズマ処理装置に係わる。
【０００２】
【従来の技術】通常の単体半導体装置、あるいは半導体
集積回路等の半導体装置においては、平板状の半導体ウ
エーハもしくは半導体チップに、半導体素子、あるいは
半導体集積回路が形成されて構成されるが、この構成に
よる場合、半導体装置や製造ラインのコスト増大が問題
となって来ている。
集積回路等の半導体装置においては、平板状の半導体ウ
エーハもしくは半導体チップに、半導体素子、あるいは
半導体集積回路が形成されて構成されるが、この構成に
よる場合、半導体装置や製造ラインのコスト増大が問題
となって来ている。
【０００３】これに対し、昨今、この平板状の半導体ウ
エーハもしくは半導体チップに換えて図５に示すよう
に、例えばシリコン単結晶による球状半導体３１の表面
に、半導体素子３２が形成された半導体集積回路を構成
することが提唱されている。これは、半導体の体積に対
する表面積が平板状に比し大きく、また、この球状半導
体によるチップの、例えば配線へのマウント等に有利性
がある等の利点を有すると考えられることに因る。
エーハもしくは半導体チップに換えて図５に示すよう
に、例えばシリコン単結晶による球状半導体３１の表面
に、半導体素子３２が形成された半導体集積回路を構成
することが提唱されている。これは、半導体の体積に対
する表面積が平板状に比し大きく、また、この球状半導
体によるチップの、例えば配線へのマウント等に有利性
がある等の利点を有すると考えられることに因る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような球状半導体
を用いて半導体装置を製造する場合、エッチング等の加
工処理工程が必要となる。このような加工を球状半導体
の例えばほぼ全周面に関して行うことができるように、
また、その処理例えばエッチングを、スループットを高
める上で、連続的に停滞することなく円滑に、そして、
この処理中に、他物に接触して擦傷、そのほかの機械的
損傷を来して歩留りの低下を来すことがないように、非
接触状態で行うことが要求される。
を用いて半導体装置を製造する場合、エッチング等の加
工処理工程が必要となる。このような加工を球状半導体
の例えばほぼ全周面に関して行うことができるように、
また、その処理例えばエッチングを、スループットを高
める上で、連続的に停滞することなく円滑に、そして、
この処理中に、他物に接触して擦傷、そのほかの機械的
損傷を来して歩留りの低下を来すことがないように、非
接触状態で行うことが要求される。
【０００５】本発明は、このような粒状体に対して、そ
の全周面に関して、特に等方性プラズマエッチング等の
プラズマ処理を、確実に行うことができるようにした粒
状体に対するプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
を提供するものである。
の全周面に関して、特に等方性プラズマエッチング等の
プラズマ処理を、確実に行うことができるようにした粒
状体に対するプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による粒状体に対
するプラズマ処理方法は、粒状体を、誘導結合プラズマ
を発生させた通路中に通過させて、この粒状体に対する
プラズマ処理を行うものである。
するプラズマ処理方法は、粒状体を、誘導結合プラズマ
を発生させた通路中に通過させて、この粒状体に対する
プラズマ処理を行うものである。
【０００７】また、本発明による粒状体に対するプラズ
マ処理装置は、粒状体の通路と、この通路内に誘導結合
プラズマを発生させるプラズマ発生手段とを有し、その
粒状体を、プラズマ中に通過させて上記粒状体に対する
プラズマ処理を行うものである。
マ処理装置は、粒状体の通路と、この通路内に誘導結合
プラズマを発生させるプラズマ発生手段とを有し、その
粒状体を、プラズマ中に通過させて上記粒状体に対する
プラズマ処理を行うものである。
【０００８】上述したように、本発明によるプラズマ処
理方法は、プラズマ、特に誘導結合プラズマ中、すなわ
ち充分高いエネルギーで活性化された高密度の活性種が
存在するプラズマ中に、被プラズマ処理体の粒状体を通
過させるので、この通過過程いおいて、粒状体の例えば
全表面に渡って確実にプラズマ処理を可能とする。
理方法は、プラズマ、特に誘導結合プラズマ中、すなわ
ち充分高いエネルギーで活性化された高密度の活性種が
存在するプラズマ中に、被プラズマ処理体の粒状体を通
過させるので、この通過過程いおいて、粒状体の例えば
全表面に渡って確実にプラズマ処理を可能とする。
【０００９】そして、本発明によるプラズマ処理装置
は、単にコイルへの通電によって定在的にプラズマを発
生させ、効率のよいプラズマ処理を行うことができるも
のである。
は、単にコイルへの通電によって定在的にプラズマを発
生させ、効率のよいプラズマ処理を行うことができるも
のである。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明による粒状体に対するプラ
ズマ処理方法の一実施形態は、粒状体自体、例えばＳｉ
による半導体球状体自体、あるいは粒状体表面に形成し
たＡｌ膜等の金属膜、ＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 等の絶縁膜
等に対するエッチング、更にこのエッチングのマスクを
構成するフォトレジスト層に対するエッチングに適用す
ることのできるプラズマドライエッチングである。
ズマ処理方法の一実施形態は、粒状体自体、例えばＳｉ
による半導体球状体自体、あるいは粒状体表面に形成し
たＡｌ膜等の金属膜、ＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 等の絶縁膜
等に対するエッチング、更にこのエッチングのマスクを
構成するフォトレジスト層に対するエッチングに適用す
ることのできるプラズマドライエッチングである。
【００１１】また、本発明による粒状体に対するプラズ
マ処理装置の一実施形態は、上述したドライエッチング
等のプラズマ処理を行う装置である。
マ処理装置の一実施形態は、上述したドライエッチング
等のプラズマ処理を行う装置である。
【００１２】先ず、本発明による粒状体に対するプラズ
マ処理装置の一実施形態を説明する。図１は、このプラ
ズマ処理装置の一例の一部を断面とした概略配置構成図
を示す。この場合、共振リアクタを構成する例えばＡ
ｌ、ＳＵＳ（ステンレス）等の例えば円筒状の導電性筒
状体１を設ける。そして、この導電性筒状体１内に、こ
の導電性筒状体１の軸心上に、プラズマ処理を行う粒状
体２の通路３を設ける。この通路３は、例えば耐熱性を
有し、化学的に安定な例えば石英より成る例えば円筒状
の絶縁性筒状体より構成する。通路３の外周部には、こ
れと同心的に導電性のヘリカルコイル、すなわち螺旋状
コイル４を配置し、このコイル２の両端を導電性筒状体
１に接続する。通路３の内径は、これに通ずる粒状体２
の直径より充分大に、例えば粒状体２の直径ないしは大
径部の直径の２倍以上に選定する。
マ処理装置の一実施形態を説明する。図１は、このプラ
ズマ処理装置の一例の一部を断面とした概略配置構成図
を示す。この場合、共振リアクタを構成する例えばＡ
ｌ、ＳＵＳ（ステンレス）等の例えば円筒状の導電性筒
状体１を設ける。そして、この導電性筒状体１内に、こ
の導電性筒状体１の軸心上に、プラズマ処理を行う粒状
体２の通路３を設ける。この通路３は、例えば耐熱性を
有し、化学的に安定な例えば石英より成る例えば円筒状
の絶縁性筒状体より構成する。通路３の外周部には、こ
れと同心的に導電性のヘリカルコイル、すなわち螺旋状
コイル４を配置し、このコイル２の両端を導電性筒状体
１に接続する。通路３の内径は、これに通ずる粒状体２
の直径より充分大に、例えば粒状体２の直径ないしは大
径部の直径の２倍以上に選定する。
【００１３】導電性筒状体１、すなわち共振リアクタ内
には、コイル４によって発生する定在波によって発生す
る熱および通路３内のプラズマ発生等に伴って発生する
熱の双方もしくは一方を高い反射率をもって反射させる
ための高熱反射率の面を形成する。この高熱反射率面
は、例えば導電性筒状体１の内面に形成することができ
る。この高熱反射率面は、導電性筒状体１の内面の研
磨、あるいはＡｌ，Ｃｒ等の金属メッキ、蒸着等による
高熱反射率を示す鏡面によって形成される。また、或る
場合は、通路３の内面に同様の高熱反射率面を形成する
こともできる。このようにして、後述するプラズマ発生
等による発熱を閉じ込めて粒状体２に対する反応がより
高められるようにすることができる。
には、コイル４によって発生する定在波によって発生す
る熱および通路３内のプラズマ発生等に伴って発生する
熱の双方もしくは一方を高い反射率をもって反射させる
ための高熱反射率の面を形成する。この高熱反射率面
は、例えば導電性筒状体１の内面に形成することができ
る。この高熱反射率面は、導電性筒状体１の内面の研
磨、あるいはＡｌ，Ｃｒ等の金属メッキ、蒸着等による
高熱反射率を示す鏡面によって形成される。また、或る
場合は、通路３の内面に同様の高熱反射率面を形成する
こともできる。このようにして、後述するプラズマ発生
等による発熱を閉じ込めて粒状体２に対する反応がより
高められるようにすることができる。
【００１４】そして、コイル４に所要の波長例えば２Ｍ
Ｈｚ、１３．５６ＭＨｚの高電流通電を行う。このと
き、コイル４の巻数、ピッチ、通電電流の波長を選定す
ることによって共鳴状態を得てコイル４の軸心を中心と
する定在波を発生させる。すなわち、図２中実線曲線２
１および２２に模式的に示すように、電流および電圧の
正弦波状のいわゆるヘリコン定在波を発生させる。この
場合、導電性筒状体１による共振リアクタとの並列共振
を行わせることにより、顕著な定在波を発生させること
ができる。図２において、図１と対応する部分には同一
符号を付して重複説明を省略する。
Ｈｚ、１３．５６ＭＨｚの高電流通電を行う。このと
き、コイル４の巻数、ピッチ、通電電流の波長を選定す
ることによって共鳴状態を得てコイル４の軸心を中心と
する定在波を発生させる。すなわち、図２中実線曲線２
１および２２に模式的に示すように、電流および電圧の
正弦波状のいわゆるヘリコン定在波を発生させる。この
場合、導電性筒状体１による共振リアクタとの並列共振
を行わせることにより、顕著な定在波を発生させること
ができる。図２において、図１と対応する部分には同一
符号を付して重複説明を省略する。
【００１５】この状態で、通路３内に所要の反応ガスを
供給すると、高電流密度を示すピーク部で、図２に模式
的に示すように、リング状ないしは円盤状の、高密度プ
ラズマ発生部２３が生成される。
供給すると、高電流密度を示すピーク部で、図２に模式
的に示すように、リング状ないしは円盤状の、高密度プ
ラズマ発生部２３が生成される。
【００１６】そして、本発明による粒状体に対するプラ
ズマ処理方法においては、この高密度プラズマ発生部２
３が形成された通路３内に、例えば多数の粒状体２を、
順次例えば所定の間隔をおいて供給し、プラズマ発生部
２３に通過させることによってプラズマ処理、例えばド
ライエッチングを行う。
ズマ処理方法においては、この高密度プラズマ発生部２
３が形成された通路３内に、例えば多数の粒状体２を、
順次例えば所定の間隔をおいて供給し、プラズマ発生部
２３に通過させることによってプラズマ処理、例えばド
ライエッチングを行う。
【００１７】上述した本発明によるプラズマ処理装置
は、図１に示すように、横型配置、すなわち導電性筒状
体１、通路３等をほぼ水平方向に配置することもでき
る。この場合、通路３内に、その一端から他端に向かっ
て、例えば図１において、左端から右端に向かって、反
応ガス、更に或る場合は、この反応ガスと共に、Ａｒ、
Ｎ 2 等のキャリアガスを送給して粒状体２を移行させる
ために、粒状体２を通路３に沿って一端から他端に送給
する。
は、図１に示すように、横型配置、すなわち導電性筒状
体１、通路３等をほぼ水平方向に配置することもでき
る。この場合、通路３内に、その一端から他端に向かっ
て、例えば図１において、左端から右端に向かって、反
応ガス、更に或る場合は、この反応ガスと共に、Ａｒ、
Ｎ 2 等のキャリアガスを送給して粒状体２を移行させる
ために、粒状体２を通路３に沿って一端から他端に送給
する。
【００１８】あるいは、図２に示すように、縦型配置、
すなわち導電性筒状体１、通路３等をほぼ重力方向に配
置して、重力の作用によって、通路３内に、粒状体２を
落下移行させるようにするとか、その落下の速度を制御
するために、ガスを下方から供給するなどの方法をとる
ことができる。
すなわち導電性筒状体１、通路３等をほぼ重力方向に配
置して、重力の作用によって、通路３内に、粒状体２を
落下移行させるようにするとか、その落下の速度を制御
するために、ガスを下方から供給するなどの方法をとる
ことができる。
【００１９】いずれにおいても、通路３内への粒状体２
の供給は、順次、複数の粒状体２を連続的に所要の時間
的間隔を保持して行うことができる。
の供給は、順次、複数の粒状体２を連続的に所要の時間
的間隔を保持して行うことができる。
【００２０】粒状体２は、例えば図５で示した半導体集
積回路等を構成するための球状半導体であり、本発明に
よる粒状体に対するプラズマ処理は、例えばその製造過
程におけるプラズマドライエッチングに適用することが
できる。例えば図３にその要部の概略断面図を示すよう
に、例えば直径１ｍｍ程度の球状半導体、あるいは表面
にＳｉ等の半導体層を有して成る球状半導体による粒状
体２の表面に、例えばＳｉＯ2 による絶縁膜１０を介し
て形成された例えばＡｌ膜による金属膜１１を、この金
属膜１１上に例えばフォトリソグラフィによって所要の
パターンに被着形成したフォトリソグラフィ１２をエッ
チングマスクとして金属膜１１をパターンエッチングす
る場合について説明する。
積回路等を構成するための球状半導体であり、本発明に
よる粒状体に対するプラズマ処理は、例えばその製造過
程におけるプラズマドライエッチングに適用することが
できる。例えば図３にその要部の概略断面図を示すよう
に、例えば直径１ｍｍ程度の球状半導体、あるいは表面
にＳｉ等の半導体層を有して成る球状半導体による粒状
体２の表面に、例えばＳｉＯ2 による絶縁膜１０を介し
て形成された例えばＡｌ膜による金属膜１１を、この金
属膜１１上に例えばフォトリソグラフィによって所要の
パターンに被着形成したフォトリソグラフィ１２をエッ
チングマスクとして金属膜１１をパターンエッチングす
る場合について説明する。
【００２１】プラズマ処理、この例ではエッチングを行
う球状半導体による粒状体２の直径が１ｍｍである場
合、通路３の内径は、例えば２〜３ｍｍ程度に選定する
ことができる。
う球状半導体による粒状体２の直径が１ｍｍである場
合、通路３の内径は、例えば２〜３ｍｍ程度に選定する
ことができる。
【００２２】導電性筒状体１内は、図示しないが高真空
ポンプによって高真空に排気減圧し、コイル４に高周波
電流を通電する。一方、通路３内に、反応ガス例えばＣ
ｌ2ガスとＡｒガスを、それぞれの供給量を、例えば２
０００sccmと１００sccmの流量をもって供給する。通路
３内の圧力は例えば２００Ｐａとする。
ポンプによって高真空に排気減圧し、コイル４に高周波
電流を通電する。一方、通路３内に、反応ガス例えばＣ
ｌ2ガスとＡｒガスを、それぞれの供給量を、例えば２
０００sccmと１００sccmの流量をもって供給する。通路
３内の圧力は例えば２００Ｐａとする。
【００２３】このようにすると、フォトレジスト１２を
エッチングマスクとして、その開口１２Ｗを通じて外部
に露呈したＡｌ膜が、ドライエッチングされて、パター
ン化がなされる。
エッチングマスクとして、その開口１２Ｗを通じて外部
に露呈したＡｌ膜が、ドライエッチングされて、パター
ン化がなされる。
【００２４】そして、このプラズマ処理、この例ではド
ライエッチングは、粒状体２を、プラズマ中に通過させ
ることによって行うので、例えばその全外周に渡って均
一に目的とするプラズマ処理がなされる。
ライエッチングは、粒状体２を、プラズマ中に通過させ
ることによって行うので、例えばその全外周に渡って均
一に目的とするプラズマ処理がなされる。
【００２５】上述した例では、Ａｌに対するドライエッ
チングを行った場合であるが、例えばＳｉに対するエッ
チングを行う場合においても、Ａｌに対すると同様の反
応ガスを用いることができる。また、本発明は、例えば
フォトレジストの除去に適用することもでき、この場合
においては、Ｏ2 とＡｒとを用いるなど、エッチングの
対象に応じてガスの選定がなされる。
チングを行った場合であるが、例えばＳｉに対するエッ
チングを行う場合においても、Ａｌに対すると同様の反
応ガスを用いることができる。また、本発明は、例えば
フォトレジストの除去に適用することもでき、この場合
においては、Ｏ2 とＡｒとを用いるなど、エッチングの
対象に応じてガスの選定がなされる。
【００２６】本発明方法および本発明装置は、上述の例
に限られるものではなく、例えば図４に示すように、共
通の通路３に対して、上述したコイル４および導電性筒
状体１を有する複数段のプラズマ処理装置、図示の例で
は第１〜第３のプラズマ処理部５１〜５２を従属的に配
置することができる。そして、各プラズマ処理装置にお
いて、同一のプラズマエッチング等のプラズマ処理を繰
り返し行って必要充分なプラズマ処理を行うようにする
ことができる。あるいは、各段、もしくは一部の段で、
異なるプラズマ処理を行って、複数種類のプラズマエッ
チング等のプラズマ処理を行うようにすることもでき
る。例えば、図３の構成による粒状体２において、例え
ば第１段のプラズマ処理部５１において金属膜１１に対
するドライエッチングを行い、第２のプラズマ処理部部
５２において絶縁膜１０に対するドライエッチングを行
い、第３のプラズマ処理部５３においてフォトレジスト
１２の除去のプラズマエッチングを行うことができる。
このように、複数のプラズマ処理を、一連のプラズマ処
理によって、外部に粒状体２を取り出すことなく行うこ
とができる。
に限られるものではなく、例えば図４に示すように、共
通の通路３に対して、上述したコイル４および導電性筒
状体１を有する複数段のプラズマ処理装置、図示の例で
は第１〜第３のプラズマ処理部５１〜５２を従属的に配
置することができる。そして、各プラズマ処理装置にお
いて、同一のプラズマエッチング等のプラズマ処理を繰
り返し行って必要充分なプラズマ処理を行うようにする
ことができる。あるいは、各段、もしくは一部の段で、
異なるプラズマ処理を行って、複数種類のプラズマエッ
チング等のプラズマ処理を行うようにすることもでき
る。例えば、図３の構成による粒状体２において、例え
ば第１段のプラズマ処理部５１において金属膜１１に対
するドライエッチングを行い、第２のプラズマ処理部部
５２において絶縁膜１０に対するドライエッチングを行
い、第３のプラズマ処理部５３においてフォトレジスト
１２の除去のプラズマエッチングを行うことができる。
このように、複数のプラズマ処理を、一連のプラズマ処
理によって、外部に粒状体２を取り出すことなく行うこ
とができる。
【００２７】尚、上述した実施形態においては、ドライ
エッチングに本発明を適用した場合であるが、プラズマ
処理は、ドライエッチングに限られるものではなく、例
えばプラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition) 法等
に適用することもできる。また、粒状体２は、球状半導
体に限られるものではなく、プラズマ処理を必要とする
微小粒状体において、これに対するプラズマ処理を必要
とする場合に適用することができるものである。
エッチングに本発明を適用した場合であるが、プラズマ
処理は、ドライエッチングに限られるものではなく、例
えばプラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition) 法等
に適用することもできる。また、粒状体２は、球状半導
体に限られるものではなく、プラズマ処理を必要とする
微小粒状体において、これに対するプラズマ処理を必要
とする場合に適用することができるものである。
【００２８】
【発明の効果】上述したように、本発明による粒状体に
対するプラズマ処理方法によれば、例えば多数の粒状体
を、順次プラズマ中に通過させることによって目的とす
るプラズマ処理を行うことができるものであり、各粒状
体に対して、その全外周に渡って、プラズマによる処理
を行う活性種を、均一に接触させることができることか
ら、プラズマドライエッチング等のプラズマを用いた処
理を、確実、均一に行うことができる。また、この処理
は、他物に対して非接触的に行うことができることか
ら、粒状体の円滑な移行がなされ、スループットの向上
とともに、このプラズマ処理過程で、粒状体を損傷させ
たりすることを回避でき、歩留りの向上、信頼性の向上
を図ることができる。
対するプラズマ処理方法によれば、例えば多数の粒状体
を、順次プラズマ中に通過させることによって目的とす
るプラズマ処理を行うことができるものであり、各粒状
体に対して、その全外周に渡って、プラズマによる処理
を行う活性種を、均一に接触させることができることか
ら、プラズマドライエッチング等のプラズマを用いた処
理を、確実、均一に行うことができる。また、この処理
は、他物に対して非接触的に行うことができることか
ら、粒状体の円滑な移行がなされ、スループットの向上
とともに、このプラズマ処理過程で、粒状体を損傷させ
たりすることを回避でき、歩留りの向上、信頼性の向上
を図ることができる。
【００２９】また、本発明によるプラズマ処理装置によ
れば、簡潔な構造で、プラズマ処理を有効に行うことが
でき、また上述したように、複数段に従属的に、例えば
共通の粒状体通路に関して配置することができることか
ら、粒状体を、これら複数段のプラズマ処理部で同一プ
ラズマ処理、あるいは異なるプラズマ処理を、連続的に
行うことができるので、必要充分に目的とする同一もし
くは異なるプラズマ処理を連続的に行うことができて生
産性の向上と、装置全体の占有面積、空間を小さくする
ことができる。また、これらプラズマ処理相互間におい
て、粒状体を外気に曝すことが回避されることによっ
て、粒状体によって構成する例えば半導体装置の信頼性
を高めることができる。
れば、簡潔な構造で、プラズマ処理を有効に行うことが
でき、また上述したように、複数段に従属的に、例えば
共通の粒状体通路に関して配置することができることか
ら、粒状体を、これら複数段のプラズマ処理部で同一プ
ラズマ処理、あるいは異なるプラズマ処理を、連続的に
行うことができるので、必要充分に目的とする同一もし
くは異なるプラズマ処理を連続的に行うことができて生
産性の向上と、装置全体の占有面積、空間を小さくする
ことができる。また、これらプラズマ処理相互間におい
て、粒状体を外気に曝すことが回避されることによっ
て、粒状体によって構成する例えば半導体装置の信頼性
を高めることができる。
【００３０】また、上述したように、導電性筒状体１の
内面等に高熱反射率面を配置することによって、熱の閉
じ込め効果を得ることができ、これによって通路３内の
温度を、必要充分な温度に保持することができ、より活
性種による反応を高めることができ、プラズマ処理、例
えばプラズマエッチング処理を能率良く行うことができ
る。
内面等に高熱反射率面を配置することによって、熱の閉
じ込め効果を得ることができ、これによって通路３内の
温度を、必要充分な温度に保持することができ、より活
性種による反応を高めることができ、プラズマ処理、例
えばプラズマエッチング処理を能率良く行うことができ
る。
【００３１】上述したように、本発明によれば、工業的
に多くの重要な効果を奏することができるものである。
に多くの重要な効果を奏することができるものである。
【図１】本発明によるプラズマ処理装置の一例の一部を
断面とする概略斜視図である。
断面とする概略斜視図である。
【図２】本発明によるプラズマ処理装置の一例の構成図
である。
である。
【図３】本発明方法を適用する粒状体の一例の要部の概
略断面図である。
略断面図である。
【図４】本発明によるプラズマ処理装置の一例の構成図
である。
である。
【図５】球状半導体装置の一例の斜視図である。
１・・・導電性筒状体、２・・・粒状体、３・・・通
路、４・・・螺旋コイル、１０・・・絶縁膜、１１・・
・金属膜、１２・・・フォトレジスト、１２Ｗ・・・開
口、２１・・・電流定在波、２２・・・電圧定在波、２
３・・・高密度プラズマ発生部、５１・・・第１段のプ
ラズマ処理部、５２・・・第２段のプラズマ処理部、５
３・・・第３段のプラズマ処理部
路、４・・・螺旋コイル、１０・・・絶縁膜、１１・・
・金属膜、１２・・・フォトレジスト、１２Ｗ・・・開
口、２１・・・電流定在波、２２・・・電圧定在波、２
３・・・高密度プラズマ発生部、５１・・・第１段のプ
ラズマ処理部、５２・・・第２段のプラズマ処理部、５
３・・・第３段のプラズマ処理部
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K057 DB05 DB06 DD01 DE01 DE14 DG02 DG14 DM01 DM28 DM35 DM39 5F004 AA16 BA20 BB13 BB16 BB29 BB31 DA04 DA23 DA25 DB03 DB07 DB09 EA37 5F046 MA12
Claims (13)
- 【請求項１】 粒状体を、誘導結合プラズマを発生させ
た通路中に通過させて、上記粒状体に対するプラズマ処
理を行うことを特徴とする粒状体に対するプラズマ処理
方法。 - 【請求項２】 上記粒状体を、誘導結合プラズマを発生
させた通路中に、非接触状態で通過させることを特徴と
する請求項１に記載の粒状体に対するプラズマ処理方
法。 - 【請求項３】 上記通路内に定在波プラズマを発生さ
せ、この定在波プラズマ中に上記粒子体を通過させるこ
とを特徴とする請求項１に記載の粒状体に対するプラズ
マ処理方法。 - 【請求項４】 上記粒状体が粒状半導体装置を構成する
粒状半導体であって、 上記プラズマ処理が、粒状半導体装置の製造工程におけ
る、上記粒状半導体の表面もしくは該表面に形成された
各種材料層に対するプラズマ処理であることを特徴とす
る請求項１に記載の粒状体に対するプラズマ処理方法。 - 【請求項５】 上記プラズマ処理が、上記粒状体もしく
はその表面に形成した材料層に対するエッチング処理で
あることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方
法。 - 【請求項６】 プラズマ処理を行う粒状体の通路と、 該通路内に誘導結合プラズマを発生させるプラズマ発生
手段とを有し、 上記粒状体を上記プラズマ中に通過させて上記粒状体に
対するプラズマ処理を行うことを特徴とする粒状体に対
するプラズマ処理装置。 - 【請求項７】 上記プラズマ発生手段は、粒状体の通路
の外周に配置された螺旋状コイルを有して成り、 該螺旋状コイルに通電し、上記通路にプラズマ発生ガス
を供給することによって、上記通路内に上記プラズマを
発生させて上記粒状体のプラズマ処理を行うことを特徴
とする請求項６に記載の粒状体に対するプラズマ処理装
置。 - 【請求項８】 上記プラズマ発生手段は、上記螺旋状コ
イルと、その外周に配置された共振リアクタとを有して
成り、上記螺旋状コイルへの通電によって、上記通路内
に定在波プラズマを発生させ、該定在波プラズマに上記
粒状体を通過させて、上記粒状体に対するプラズマ処理
を行うことを特徴とする請求項６に記載の粒状体に対す
るプラズマ処理装置。上記プラズマ処理を行う粒状体の
通路は、導電性筒状体内に配置され、 上記プラズマ発生手段は、上記導電性筒状体内の、上記
通路の外周に配置された螺旋状コイルを有して成り、 上記通路にはプラズマ発生のためのガスを供給し、上記
コイルへの通電によって、上記通路内に誘導結合プラズ
マを発生させることを特徴とする請求項６に記載の粒状
体に対するプラズマ処理装置。 - 【請求項９】 上記共振リアクタが、導電性筒状体より
成ることを特徴とする請求項８に記載の粒状体に対する
プラズマ処理装置。 - 【請求項１０】 上記共振リアクタ内が高真空度に保持
されることを特徴とする請求項８に記載の粒状体に対す
るプラズマ処理装置。 - 【請求項１１】 上記共振リアクタ内に、高熱反射率面
が形成されて成ることを特徴とする請求項８に記載の粒
状体に対するプラズマ処理装置。 - 【請求項１２】 上記粒状体を、誘導結合プラズマを発
生させた通路中に、非接触状態で通過させることを特徴
とする請求項６に記載の粒状体に対するプラズマ処理装
置。 - 【請求項１３】 上記粒状体が、粒状半導体装置を構成
する粒状半導体であって、 上記プラズマ処理が、粒状半導体装置の製造工程におけ
る、上記粒状半導体の表面もしくは該表面に形成された
各種材料層に対するプラズマドライエッチング処理であ
ることを特徴とする請求項６に記載の粒状体に対するプ
ラズマ処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02766599A JP4144095B2 (ja) | 1999-02-04 | 1999-02-04 | 粒状体に対するプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
| US09/497,140 US6423177B1 (en) | 1999-02-04 | 2000-02-03 | Apparatus for performing plasma process on particles |
| US10/164,707 US6649076B2 (en) | 1999-02-04 | 2002-06-10 | Method for performing plasma process on particles |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02766599A JP4144095B2 (ja) | 1999-02-04 | 1999-02-04 | 粒状体に対するプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000228376A true JP2000228376A (ja) | 2000-08-15 |
| JP4144095B2 JP4144095B2 (ja) | 2008-09-03 |
Family
ID=12227250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02766599A Expired - Fee Related JP4144095B2 (ja) | 1999-02-04 | 1999-02-04 | 粒状体に対するプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6423177B1 (ja) |
| JP (1) | JP4144095B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101556830B1 (ko) * | 2013-11-25 | 2015-10-01 | 성균관대학교산학협력단 | 스퍼터율 향상을 위한 유도 결합형 플라즈마 소스 및 이를 사용하는 스퍼터링 장치 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060124588A1 (en) * | 1999-01-05 | 2006-06-15 | Berg & Berg Enterprises, Llc | System and method for reducing metal oxides with hydrogen radicals |
| US20030190596A1 (en) * | 2002-04-04 | 2003-10-09 | Robert Brandt | Apparatus and method for reconstituting bone with biological fluids prior to surgical implantation |
| US7398980B2 (en) * | 2003-01-31 | 2008-07-15 | Capers Jr Seth Murph | Self-leveling wheelbarrow |
| JP4405973B2 (ja) * | 2006-01-17 | 2010-01-27 | キヤノンアネルバ株式会社 | 薄膜作製装置 |
| DE102010001395B4 (de) | 2010-01-29 | 2013-11-14 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Miniaturisierbare Plasmaquelle |
| US10777387B2 (en) * | 2012-09-28 | 2020-09-15 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for treating substrate |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4918031A (en) * | 1988-12-28 | 1990-04-17 | American Telephone And Telegraph Company,At&T Bell Laboratories | Processes depending on plasma generation using a helical resonator |
| US5234529A (en) * | 1991-10-10 | 1993-08-10 | Johnson Wayne L | Plasma generating apparatus employing capacitive shielding and process for using such apparatus |
| KR100212125B1 (ko) * | 1996-03-19 | 1999-08-02 | 윤종용 | 고밀도 플라즈마 소스의 이온화 증진 구조 |
| US6095159A (en) * | 1998-01-22 | 2000-08-01 | Micron Technology, Inc. | Method of modifying an RF circuit of a plasma chamber to increase chamber life and process capabilities |
| US6055928A (en) * | 1998-03-02 | 2000-05-02 | Ball Semiconductor, Inc. | Plasma immersion ion processor for fabricating semiconductor integrated circuits |
| US6117772A (en) * | 1998-07-10 | 2000-09-12 | Ball Semiconductor, Inc. | Method and apparatus for blanket aluminum CVD on spherical integrated circuits |
-
1999
- 1999-02-04 JP JP02766599A patent/JP4144095B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-02-03 US US09/497,140 patent/US6423177B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-06-10 US US10/164,707 patent/US6649076B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101556830B1 (ko) * | 2013-11-25 | 2015-10-01 | 성균관대학교산학협력단 | 스퍼터율 향상을 위한 유도 결합형 플라즈마 소스 및 이를 사용하는 스퍼터링 장치 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US6423177B1 (en) | 2002-07-23 |
| US20020148812A1 (en) | 2002-10-17 |
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