JP2000228358A

JP2000228358A - 高解像度投影装置

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Publication number: JP2000228358A
Application number: JP2000000791A
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Inventors: Gerbert Daniel; ジェルバートダニエル
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Filing date: 2000-01-06
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Abstract

(57)【要約】【課題】投影装置の有する迷光のために総露光量が、
所望の露光レベルに近づいてしまう可能性がある。ま
た、光学装置により各像パターンから拡散する光が隣接
する像パターンを露光する光との間で重なりが生じ、実
効的に装置の解像度が低くなる。【解決手段】相反法則あるいは重ね合わせの原理に従
わないサーモレジストを用いて、原像を複数の分割像に
分割し、次に原像全体が再生されるまでそれら分割像を
個々に露光することによって装置の解像度を改善する。
アレイ状のマイクロレンズ群を有する第２のマスクを用
いることによって、複数のマスクによらずに像の分離を
実現し、またサーモレジスト等、完全に線形の重ね合わ
せ領域の外にあるレジスト上の像を実現する。これによ
り、隣接する像パターンを分離して投影が行われ、高解
像度の像がレジスト上に転写される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高解像度投影に関
し、投影用耐エッチング層（一般に「レジスト」と呼ば
れる）において特有の用途を有するものである。本発明
は、隣接する像パターンを分離して投影することによっ
て、高解像度の像をレジスト上に転写するための方法お
よび装置に関する。この方法によれば、半導体組み立て
産業で用いられる種類のマイクロリソグラフィ装置の持
つスキャンニングの特徴の利点を生かすことが可能であ
る。

【０００２】

【従来の技術】原像を含む第１のマスクを形成すること
によって、また、その後、前記像転写面上に、前記第１
のマスクを通して光を照射することによって、像転写面
に原像を光学的に再生することが可能である。第１のマ
スク上にある像パターンの中には、光が像転写面に到達
することを遮るものもあり、また一方、第１のマスク上
にある像パターンの中には、光を前記像転写面に透過さ
せるものもある。透過光によって、像転写面の特性は変
化し、それによって、像転写面上に像を再生する。

【０００３】こうした投影方法の用途は、広く半導体産
業に用いられる耐エッチング層すなわち“レジスト”に
像を生成することである。レジストは、フラットパネル
ディスプレイや回路基板等の製造にも用いられる。一般
的には、レジストは、ウェーハや他の基板にも塗布さ
れ、その後、レジスト上に像を転写するために選択的に
光で“露光”される。例えば、この光は、レーザ装置に
よって供給することが可能である。露光される領域
（“像の形の通り露光される領域”）においては、レジ
ストの化学的或いは物理的特性が変化する。次に、像の
形の通り露光される領域（あるいは、ネガティブ動作レ
ジストの場合、露光されない領域）において、前記レジ
ストが除去される。前記レジストの除去によって、その
下にある材料が剥き出しになり、今度は、その材料に対
してエッチングや成膜あるいは化学反応が可能となる。
レジストによって、その材料は、依然被覆されたまま保
護される。プロセスによっては、前記像の形の通り微細
加工される層がレジストではなく、除去の対象とはなら
ない機能層であるものもある。このような機能層には、
選択的に直接投影される絶縁体および／あるいは導体が
含まれる。

【０００４】歴史的には、たいていのレジストは、光の
光子の作用によって露光される「フォトレジスト」であ
ったり、あるいは電子ビーム放射により露光される「電
子ビームレジスト」である。この２種類のレジストには
共通する特性があるが、それは、両者共、瞬時の照射よ
りもむしろ総露光量に反応することである。総露光量が
しきい値に達した後、両レジストには化学的あるいは物
理的な変化が生じる。一般に、レジストが露光された場
合、特定の現像液中に置かれたレジストの溶解度は変化
する。

【０００５】光学的には、「露光」は、時間に関する照
射の線形積分として定義される。例えば、フォトレジス
トは、１００ｍJ／Ｃｍ²の露光量を生成するために、１
秒間で１００ｍＷ／Ｃｍ²の照射によって露光すること
が可能であり、これと等価的に、同じ総露光量を生成す
るために、０．１秒間で１０００ｍＷ／Ｃｍ²で露光す
ることも可能である。この現象は、“相反法則”として
知られており、放射総露光量に対して反応を示すフォト
レジストおよび電子ビームレジストの投影は、これに従
うものである。

【０００６】光源のコヒーレンス等の二次的な影響を無
視すると、フォトレジストおよび電子ビームレジスト
は、パワーと時間の線形関数に従い振る舞うものであ
る。このように、これらのレジストは、線形の重ね合わ
せの原理、つまりｆ（ａ＋ｂ）＝ｆ（ａ）＋ｆ（ｂ）に
従う。放射に対する数回の露光から生じるフォトレジス
トの総露光量の反応は、個々の露光から生じる露光反応
の総和に等しい。この原則および相反法則のために、フ
ォトレジストおよび電子ビームレジストは、コントラス
ト比が大きくまた光漏れが少ない方法で露光を行なわな
ければならない。

【０００７】例えば、投影装置には、１％程度の迷光漏
れ（つまり、照射が「オフ」である時、光強度はゼロに
ならず、「オン」状態の１％の強度になるのみ）が生ず
る場合がある。この状況においては、迷光が長時間「オ
ン」のままであると、この迷光のために総露光量は、所
望の露光レベルに近づいてしまう可能性がある。光漏れ
によってまた、フォトレジストの保管および取り扱いの
問題が生じる。これは、フォトレジストが周囲の光に曝
されて露光されるようになるためである。

【０００８】相反法則に従うレジストのさらに深刻な欠
点によって、フォトレジスト上への高解像度パターンの
投影に対して悪影響が及ぼされる。光学装置のポイント
拡散機能によって、各像パターンから光が「拡散」す
る。この拡散により隣接する像パターンを露光する光の
間で重なりが生じ、実効的に装置の解像度が低くなる。
明らかに、装置の解像度が低くなることは、特に、像パ
ターンがサブミクロンレベルに達しつつある半導体組み
立て産業においては、好ましくない特性である。

【０００９】最近、サーモレジストとして知られるいる
新しい種類のレジストが開発された。このサーモレジス
トは、主として印刷用プレート及びプリント回路基板の
製造に用いられている。サーモレジストが、蓄積された
露光量ではなく、あるしきい温度に到達すると、サーモ
レジストの化学的特性や物理的特性が変化する。サーモ
レジストは相反法則あるいは重ね合わせの原理に従わな
い。周囲の光に長時間曝されることによって露光されて
しまうフォトレジストに対して、相反法則に従わないた
めに、サーモレジストは、周囲温度（つまり、低温）に
長時間曝されることで露光されることはない。サーモレ
ジストは、偶発的な露光を防ぐためにコストのかかる取
り扱い手順を必要としない。

【００１０】投影の品質を高めるために、様々な方法や
装置が用いられてきている。半導体設備の照射装置の品
質を改善するために、また解像度強化のために、マイク
ロレンズが用いられてきている。クナン（Ｘｕｎａｎ）
らによる論文「サブハーフミクロンリソグラフィにおけ
る複合パターンの実用解像度を改善する新しい方法」
（ＳＰＩＥ、Ｖｏｌ．３３３４、１９９８年）には、マ
イクロレンズを組み込んだ照射装置が開示されている。
米国特許５，７３９，８９８には、多数のサブセットに
像内のパターンを分離するための非常に多くのマスクが
用いられている。この特許には、光積分効果の影響を受
ける非線形性レジストの使用方法が開示されている。非
線形性レジストは、米国特許５，８４７，８１２及びオ
キらによる論文「非線形多重露光方式に関する実験研
究」（ＳＰＩＥ、Ｖｏｌ．３０５１、ｐｐ．８５９３、
１９９７年）に開示されている。非線形性レジストは、
Ｅ＝露光量、Ｉ＝光強度、ｎ＝べき指数（一般的に１か
ら２の範囲の値を取る）、また、ｔ＝時間とした時、関
係式Ｅ＝∫Ｉⁿｄｔに従う。ｎ＝２のレジストは“２光
子レジスト”として知られ、照射量の２乗で反応を起こ
す。非線形性レジストは相互法則に従わないが、相反効
果及び光積分効果に対して自由ではない。低強度の光に
対して長時間曝すことによって、米国特許５，８４７，
２３２に記載されているような材料は露光される。米国
特許５，８５１，７０７では、線形レジストによる像分
割を用いており、極めてわずかな改善しか提案されてい
ない。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、非線型レジ
ストやサーモレジストあるいは従来のフォトレジストや
「相反法則」に従う他の材料が用いられる時でさえ、レ
ーザ等のコヒーレント光源を用いるものであればどのよ
うな投影装置でも、その解像度を改善することを可能な
らしめることを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の好適な実施例に
おいては、サーモレジストの特性の利点を利用してい
る。サーモレジストの利点は、この露光が非線形プロセ
ス（つまり、重ね合わせの理が適用されないケース）で
あるということである。これは、一般的にサーモレジス
ト材の表面から迷走熱が急激に消散するためである。こ
のサーモレジストの特性を用いて、原像を複数の分割像
に分割し、次に原像全体が再生されるまでそれら分割像
を個々に露光することによって装置の解像度を改善する
ことが可能である。

【００１３】一つの分割像が露光されると、投影される
領域は、サーモレジストのしきい値より高温に熱せられ
る。隣接領域は、そこよりも低い温度に熱せられる。所
望外領域においては、サーモレジストの露光は起こらな
い。各分割像が形成された後、迷走熱は分割像の外部領
域から放散することができ、外部領域は実質的に変化し
ない。その結果、所望外領域において迷走露光を複合的
に加えることなく（つまり、積算することなく）複数の
像の形成が可能である。これに対して、フォトレジスト
の露光は線形プロセスであり、重なり合う複数の像を形
成する際、所望外領域において迷光が複合的に加わって
しまう。原像を複数の像のサブセットに分割することに
よって、投影装置の他の要素に対する要求性能は低減さ
れ、また投影プロセス全体の解像度を高めることが可能
である。

【００１４】以下の記述においては、説明の目的のため
に、原像を概念的に「セル」に分割する。これらのセル
は、一般的に最小の像パターンの大きさに相当する。
「セル」の概念は、純粋に議論を容易にするためのもの
であり、物理的に原像をセルに分割する必要は無い。

【００１５】本発明に基づく高解像度投影の方法におい
ては、２つのマスクおよびレーザ装置等の光源を用い
て、サーモレジストでコーティングした像転写面に像を
転写する。好適な実施例においては、前記レーザはパル
ス駆動によるレーザ装置である。像は、例えば集積回路
の製造に用いられるレジストに転写される。第１のマス
クは写し込まれる原像を有しており、また第２のマスク
はアレイ状の小レンズ群を含んでいる。この小レンズア
レイによって、第１のマスク上にある複数の露光ポイン
トに光源からの光を集束させる。その複数の露光ポイン
ト内に含まれる像のパターンは、前記像転写面上にある
対応する複数の露光ポイントにおいて、像の形の通り再
生される。

【００１６】小レンズアレイ内の小レンズ群の寸法およ
び位置は、前記像転写面上に形成される前記複数の露光
ポイントが、実質的に干渉を回避するのに充分な距離を
有するように決定される。第１のマスクと第２のマスク
間の連続的な或いは間欠的な相対運動（“スキャンニン
グ”）によって、第１のマスク上にラスタラインが生成
され、対応する像転写面上のラスタラインに露光され
る。スキャンニングは、像全体が像転写面に転写される
まで継続される。

【００１７】本発明の好適な実施例においては、アレイ
状のマイクロレンズ群を有する第２のマスクを用いるこ
とによって、複数のマスクによらずに像の分離を実現
し、またサーモレジスト等、完全に線形の重ね合わせ領
域の外にあるレジスト上の像を実現している。

【００１８】具体的には、本発明によれば、原像を有す
る第１のマスクに入射する光の経路に挿入可能であり、
また、前記原像を複数の像のサブセットに分割する機能
を有する装置であって、（ａ）前記第１のマスクの一部
分に光が集束するように形状が形成され、また位置決め
された光学要素から構成される第２のマスクを含み、前
記第１のマスクは、複数のセルに分割されており、前記
第１のマスクの前記部分は前記セルのサブセットから構
成されており、（ｂ）前記第１のマスクの近傍に位置す
る面内に前記第２のマスクを移動する機能を有する複数
のアクチュエータを含み、また（ｃ）前記アクチュエー
タと共に、前記第１のマスクに対して前記第２のマスク
の位置制御を行う機能を有する重ね合わせおよび位置制
御装置とを含むことを特徴とする装置が提供される。

【００１９】本発明のさらなる特徴と利点は以下に説明
する。

【００２０】

【発明の実施の形態】Ｉ．装置及び光スキャンニング図５および６は、本発明を実施するに当たり好ましい装
置を示す図である。この装置には、光学ステッパが含ま
れる。像転写面２９は、２つのマスクを通して光源１６
からの放射によって露光される。これら二つのマスク
は、原像３１を備える第１のマスク２と２次元の小レン
ズアレイ３０で構成される第２のマスク１である。小レ
ンズアレイ３０は、光１７ａを大きく減衰させることな
く、光を集束させる。第２のマスク１が与えられた位置
にある時、第２のマスク１の小レンズ３０によって集光
された光１７ａは、第１のマスク２上にあるセルの特定
のサブセット上（つまり、特定の領域）で結像される。
一般的に、小レンズ３０の形状および、第２のマスク１
の位置は、照射されるサブセットのセルが第１のマスク
２上で、あるピッチで分離されるように、決められる。

【００２１】光１７ａは、第１のマスク２上にある照射
対象のセルを透過し、投影レンズ２７を通って像転写面
２９上（例えば、サーモレジストでコーティングされた
半導体の表面）へ透過する。この光は、像転写面２９を
露光し、像２８の部位を形成する。

【００２２】小レンズ群３０と像３１の間隔は、小レン
ズ群３０の焦点距離で決まり、この焦点距離は、レンズ
２７の所要の開口数で決まる。光１７ａが平行光線でな
い場合、小レンズ群３０は、第１のマスク２上において
ピッチを適切に維持するのに充分な距離だけ第１のマス
ク２から遠ざけて設置される。光１７ａが平行光線であ
る場合、小レンズ３０は、もっと近い間隔で配置するこ
とが可能である。小レンズ３０の倍率、寸法、および開
口数、並びにマスク１と２間の距離を制御することによ
って、光が第１のマスク２に当たる位置を正確に制御す
ることが可能である（つまり、マスク１と２のある相対
位置において、照射されるセルのサブセットを制御する
ことが可能である）。

【００２３】小レンズ３０は、他の種類の屈折レンズ系
あるいは回折により光を集束する適切な光学装置等の他
の集光用光学装置で置き換えることも可能である。像の
一つのサブセットが、像転写面２９上で露光された後、
第２のマスク１を移動し、第１のマスク２上にある異な
るサブセットのセルを投影することによって、像転写面
２９上にもう一つの像のサブセットが形成される。図５
の装置において、第２のマスク１は、複数の圧電アクチ
ュエータ２１および２２で動かされる。適切な圧電アク
チュエータは、ラムダフィジーク（Lambda Physique）
社（独）及び他の多数の業者から市場において入手可能
である。

【００２４】図５及び６の装置においては、増幅器３２
（図６）からの電気信号によって、圧電アクチュエータ
２１が制御され、第２のマスク１を軸２１Ａの方向に沿
って所望の位置に維持することができる。圧電アクチュ
エータ２２によって、直交軸上で第２のマスク１の位置
が制御される。図を簡単にするために各圧電アクチュエ
ータ２１、２２の内の一つだけを各軸に示す。図５の装
置においては、第１のマスク２は、その端に沿って配置
される線形格子マーキング２４を有する。光検出器２５
によって、第２の光源２３から第２のマスク１、および
格子２４の内の１つを通る光が検出される。格子２４
は、第１のマスク２のセル寸法と等しい線幅及び間隙幅
を有している。光源２３からの光は、第２のマスク１を
通り、単一セルのスポットサイズで格子２４上で結像さ
れる。

【００２５】図７は、光検出器２５の位置で検出される
光源２３からの光の強度を示す図であり、この光強度
が、格子２４に平行な軸に沿う第２のマスク１の、位置
の関数として示された図である。セルの大きさの光点が
格子２４の不透明線上に結像される時、光検出器におい
て検出される光の強度は最小になる。逆に、セルの大き
さの光点が、格子２４の間隙上において、方形に位置決
めされると、光検出器において検出される光の強度は最
大になる。このようにして、光検出器２５から出力され
る信号は、第２のマスク１の重ね合わせが適切かどうか
を示すものである。

【００２６】光検出器２５から出力される信号は、圧電
アクチュエータ２１を制御する比較増幅器３２に送られ
る。光検出器２５から出力される信号においてピークを
示すように、第２のマスク１が配置された場合、第２の
マスク１は重ね合わされ、単一セルの寸法に対応して、
離散的に動かすだけで良い。例えば、次の像のサブセッ
トを露光するために、制御信号３３は、アクチュエータ
２１に対し命令を発し、マスク１は検出器２５で検出す
る次の信号の最大値を示す位置に移動される。第２のマ
スクは、離散的なピークの回数だけ動かすことができ
る。これは、光検出器２５からの信号のピークは、投影
プロセスに用いられるセルの大きさに一致するよう選択
された格子２４の間隔に対応しているためである。

【００２７】図５および図６は、格子２４を通って透過
する光を測定する検出器２５を示す図であり、反射光や
非光学的位置センサを用いる装置等、他の位置検出装置
を第２のマスク１の位置制御に用いることも可能であ
る。

【００２８】第２のマスク１は、二つの軸上で位置決め
される必要があるため、制御は、上述の説明よりやや複
雑になる。図８は、第２のマスク１の位置決めをするた
めの好ましい装置の平面図を示す図である。図８は、三
つの組の位置決めマーキング２４ａ、２４ｂ、および２
４ｃ、さらに三つの対応するアクチュエータ２１ａ、２
１ｂ、および２１ｃを有する構成を示す図である。二組
のアクチュエータ２１ａおよび２１ｂと対になる二組の
位置決めマーキング２４ａおよび２４ｂは、第２のマス
ク１による１次元の変位、および第２のマスクの潜在的
な回転を制御するために用いることができる。単一の一
組の位置決めマーキング２４ｃ、および単一のアクチュ
エータ２２は、縦軸に沿った第２のマスク１の変位を制
御するために用いることができる。回転を制御する必要
が生じた場合、少なくとも二つのアクチュエータ２１ａ
および２１ｂ、二つのセンサ（図示せず）、さらに少な
くとも１軸上で二組の位置決めマーキング２４ａおよび
２４ｂがあることが望ましい。図８の機構によれば、第
２のマスク１の重ね合わせ、位置および回転を制御する
ことが可能である。

【００２９】図５に示すように、第２のマスク１を横切
ってスキャンニングが可能な光線を備えることによっ
て、像転写面２９に結像される光の強度が強められる。
図５において、このことは、光源１６からの光を、アク
チュエータ１８に搭載されたミラー１９等の可変ビーム
デフレクタに向けることによって達成される。この場
合、前記光源にはレーザ装置を用いるのが望ましい。

【００３０】光源１６は、２４８ｎｍ或いは１９３ｎｍ
の波長で動作し、１０ｍＪ／パルスのパルスエネルギに
より２ｋＨｚでパルス駆動するサイマー（Cymer）社
（カリフォルニア、米）製のパルス駆動式エキシマレー
ザ等を用いることが可能である。アクチュエータ１８
は、検流計を含むことが望ましい。

【００３１】光１７ａが第２のマスク１に一直線に入射
するように、光１７は、光学要素あるいは複数の要素２
０によって集光される。この場合、部品２０はレンズが
望ましい。前記線幅は、０．１から１ｍｍの範囲である
ことが望ましい。その後、光線１７ａは、ミラー１９を
回転することによって、第２のマスク１の表面を横切っ
てスキャンニングを行うことが可能である。第２のマス
ク１の各位置（つまり、任意の時間において投影される
セルの各サブセット）に対して、光線によって第２のマ
スク１を横切ってスキャンニングが行われる。このこと
により、各像のサブセットに対してわずかに時間を長く
するという犠牲を払うことにより、像転写面２９におい
て受ける光のパワー密度は著しく増加する。

【００３２】前記光線のスキャンニングレートは、線幅
およびレーザパルスのレートに制約される。第１のマス
ク２の各セルに対して、少なくとも１つのパルスが出力
されなければならない。例えば、線幅１ｍｍおよびパル
スレート１ｋＨｚの場合、スキャンニングレートは１ｍ
ｍ／ｍｓを超えてはならない。これらのパラメータは全
て、最適な成果が得られるように調整することは簡単で
ある。「ステップ＆スキャン」装置として知られる、よ
り新世代のステッパは、本発明を実施する上で特に適す
るものである。なぜならば、そのような装置には、本発
明で用いることができるスキャンニング光学系が含まれ
ており、またマスクを照射するための線形の光源が備え
られているからである。マイクロリソグラフィおよびス
テッパの動作に関するさらに詳細な内容については、
「マイクロリソグラフィ、マイクロ機械加工、およびマ
イクロ組み立てハンドブック」、１および２巻、Ｐ．レ
イ―コーダリ（Rai-Choudhury）編、SPIE出版、１９９
７年、ISBN０−８１９４−２３７８−５（第１巻）およ
び０８−８１９４−２３７９−３（第２巻）等の、前記
内容に関する最近の書籍を参照されたい。

【００３３】上記集光技術および集束された光により第
２のマスク１を横切ってスキャンニングを行う上記技術
は、“直線形状”に制限されない。光が第２のマスク１
に当たり、その後、マスク表面を横切ってスキャンニン
グを行う前に光を集束するものであれば、どのような方
法あるいは形状でも本発明において用いることが可能で
ある。

【００３４】ＩＩ．投影方法本発明は、ある像を隣接した複数の領域に分け、それを
複数回で物理的に像転写面へ投影するに当たり、この投
影を簡単に行えるようにするものである。この像転写面
がサーモレジストによって構成されている場合、これに
よって、一つのパターンを投影している光が、隣接する
パターンの像に影響を及ぼしこれを変えてしまうことを
防止することができる。上述した通り、本発明では、第
１のマスク２上の、セルのサブセット（つまり、複数の
露光点）に照明を向け、対応する複数の露光ポイントを
像転写面２９へ像の形の通りに写すための小レンズアレ
イあるいは他の光学要素を含む第２のマスクが用いられ
る。

【００３５】前記第２のマスクの前記光学要素（例え
ば、小レンズ群３０）は、所定の構造および方向を有し
ており、前記第１のマスク上で照明を受ける前記複数の
露光ポイントおよび前記像転写面上に像の形の通りに写
される前記対応する複数の露光ポイントは、互いに所定
の間隔だけ分離されている。露光ポイントでの光点の相
対的な大きさ、また第１のマスク上の隣接する露光ポイ
ント間の間隙、および像転写面上に像の形通りに写され
る前記個別に対応する露光ポイントは、「ピッチ」と呼
ばれる。前記第２のマスクは光学要素に関して所定の構
造および方向を有しており、この第２のマスクによっ
て、第１のマスクおよび像転写面上において、前記ピッ
チだけ分離され照明を受ける露光領域が生成される。

【００３６】従来の光学ステッパは、第１および第２の
マスクを、互いに並進（つまり、「ステップ」）が簡単
に行えるようになっており、これによって、露光ポイン
トを第１および像転写面に対して移動させることが可能
である。このようにして、次の露光を別の箇所で行うこ
とが可能である。分割像のステッピングと写し込みは、
第１のマスク上の前記原像全体が前記像転写面に投影さ
れるまで継続される。この際、ステッパによって、前記
第１のマスクと前記像転写面の間の位置決めが継続的に
行われる。明かなように、原像全体の写し込みに要する
ステッピングと写し込み手順の総回数は前記ピッチに左
右される。

【００３７】原像の異なる隣接パターンを複数回に分け
て露光を行う一つの方法として、前記第１のマスク上の
「セル」に対応させて、離散的にインクリメントするこ
とによって第２のマスク１を移動させる方法がある。離
散的な第２のマスクの移動に対して、第２のマスクを連
続的に移動させることによって、利点が得られる。すな
わち、第２のマスクの連続移動とレーザ光源１６の高速
パルス発振とを組み合せることによって、離散的な投影
によってもたらされる「リップル」効果を除去すること
が可能となり、像転写面２９上に滑らかな像を形成する
ことが可能である。明かな様に、前記レーザのパルスレ
ート、および第２のマスクの移動速度、さらに第２のマ
スクにおける前記小レンズ群の大きさは、全て互いに独
立ではない。なぜならば、前記第１のマスク上におい
て、まともな像を形成するためには、少なくとも一つの
セルに対して一つのパルスを必要とするからである。

【００３８】図１は、本発明による方法を簡略化して、
一次元で示した図である。一連の均等な間隔に置かれた
開口部５を有する第２のマスク１を、第１のマスク２に
対して、水平方向に分離した異なる３箇所１A、１B、お
よび１Cに示す（図による説明を簡単にするために、第
２のマスク１の図は縦方向に離して示す）。第１のマス
ク２に原像６が形成されている。第１のマスク２上の異
なる領域は、セルC1からC11として識別する。

【００３９】前記レーザ光源（図示せず）の光が第２の
マスク１の位置１Aに入射した場合、第１のマスク２上
の、複数の露光ポイント（つまり、セルC3、C6、および
C9）が照明を受ける。第２のマスク１の開口部５は、第
１のマスク２上において、３ピッチを形成するように構
成され、また位置決めされ、方向を定められていること
が分かる。つまり、この場合、各々照明を受けるセル
（C3、C6、およびC9）は、照明を受ける隣接セルと合致
するためには、その幅の３倍だけ並進する必要がある。
セルC3およびC6においては、第１のマスク２を通過する
前記光源からの一部の光は前記像転写面に透過される。
セルC9においては、第１のマスク２上の原像６によっ
て、前記光は完全に遮断される。位置１Aにおける第２
のマスク１と第１のマスク２を透過する露光によって、
像転写面上において温度分布３Aが生じる。前記像転写
面がサーモレジストによってコーティングされている場
合、このサーモレジストは光に曝され、しきい温度ｔを
越えるまで熱せられる。グラフ４Aは、この結果得られ
た分割像を示し、露光パターン７Aが前記像転写面に写
し込まれた状態を示す。前記露光パターン７Aは分割像
を表し、これは、前記第２のマスク１が位置１Aにあっ
た時、照明された第１のマスク２上の、複数の露光ポイ
ント（つまり、セル）の、像の形通りの露光である。

【００４０】サーモレジストの解像度特性改善の重要な
側面を以下のことから見ることができる。つまり、前記
分割像７Aは、温度分布３Aの「裾野」に含まれる、セル
C3およびC6の横方向外側へ広がる迷走熱の影響を示して
いないことに気がつく。この迷走熱は前記しきい温度ｔ
以上とならず、また前記サーモレジストは相反法則に従
わないために、前記迷走熱の影響を受ける領域は急冷さ
れ、あたかも前記迷走熱を経験しなかったかのように振
る舞う。一般的なサーモレジスト層の熱時定数は、数マ
イクロ秒の範囲内である。ひとたび迷光からの熱が拡散
した場合、隣接する像パターンは、既存の像パターンに
極めて近い位置で写し込みが可能であり、この場合、前
記既存の像パターンに影響を及ぼすことはない。光ある
いは電子の散乱によって引き起こされる迷光放射が隣接
する像パターンに重なる可能性がある場合、迷走熱の重
なりのない状態においては、レジストを用いて得られる
解像度よりもさらに高い解像度を得ることが可能であ
る。

【００４１】第１の分割像７Aを生成し、若干の時間
（つまり、前記温度分布３Aの「裾野」から前記迷走熱
が放散するまでの時間）が経過した後、第２のマスク１
は位置１Bへステップ送りされるが、この場合、前記開
口部は第１のマスクセルC2、C5、C8、およびC11上に再
配置される。第１のマスク２上の原像６によって、光は
C11を除く全てのセルにおいて遮蔽され、さらに温度分
布３Bが前記像転写面に生成される。グラフ４Bは、これ
らの累積結果として得られた露光パターンを示す図であ
り、分割像７Aおよび７Bの組み合わさったものを示して
いる。最後に、前記第２のマスク１が位置１Cにある状
態で第１のマスクセルC1、C4、C7、およびC10を照射し
て、第３の分割像７Cが生成される。この結果得られる
熱分布はグラフ３Cに示す通りであり、また累積結果と
して得られた分割像７A、７B、および７Cは、グラフ４C
に示す。

【００４２】グラフ４Cによって、第１のマスク２の前
記原像６が前記像転写面に再生されていることが明瞭に
示されている。また同様にグラフ４Cにおいて分かるこ
とは、様々な分割像（つまり、７A、７B、および７C）
からの熱分布（つまり、３A、３B、および３C）の「裾
野」が、前記像転写面へ転写される像４C全体に対して
影響を及ぼしていないということである。

【００４３】図２は、開口部８を有する第２のマスク１
を示すが、この開口部８の大きさとその位置は、第１の
マスク（図示せず）上において三ピッチ毎に複数の露光
ポイントを備えるために決定される。

【００４４】図３は、一つの像の異なる分割部分を複数
回で露光することによって、解像度を改善した例を示す
図である。光投影装置の解像度における制約要素は、光
学系自身の解像度である。実際に用いられている投影装
置においては、原像６を照射してその像の形通り前記像
転写面に結像させるために、光学系（図３には示してい
ない）が、前記第１のマスク２と前記像転写面の間に導
入される。像の全ての部分を同時に露光する従来の方法
においては、非常に解像度の高い投影装置を用いなけれ
ばならなかった。実際、この解像度は、最小の像パター
ンからの像転写面における光の強度の変化が、最大像パ
ターンのそれの５０％を越えさせるにほぼ充分なもので
なければならなかった。

【００４５】この経験則による要求内容は、グラフ１０
に示すが、このグラフ１０は、前記像転写面における従
来技術による単一照射プロセスの装置レスポンスを表し
ている。最も小さい個々の透明な像パターン２‘を解像
するためには、前記像転写面における、これに対応する
レスポンス１０’はしきい値１１を越えなければならな
い。グラフ１０から分かるように、像転写面におけるレ
スポンス１０’は、幅Wを有する像パターン２‘を再生
するには不充分である。装置全体の照射密度（つまり、
レーザ強度）を大きくすると、全レスポンス１０の高さ
は高くなり、またレスポンス１０’の特有のアスペクト
も大きくなり、幅Wを有するパターン２‘が忠実に再生
される。

【００４６】しかしながら、光の強度を大きくすること
によって、小さな不透明のパターンの投影を妨げる可能
性がある。この最小の個々の不透明パターン２“もまた
解像されなければならない。従って、この光強度は、そ
れに相当するレスポンス１０”がしきい値１１を越える
まで大きくすることはできない。この装置全体の照射密
度を大きくすることによって、不透明なパターン２“に
対応する装置レスポンスのアスペクト１０“はしきい値
１１を越え、その結果、前記不透明なパターン２”は解
像されないことになる。

【００４７】単一照射プロセスにおいては、光強度を大
きくすることによってパターン２‘の再生を改善しよう
とすると、このことによってパターン２“を犠牲にする
ことになる。この理由により、しきい値１１は、最大の
不透明領域によって生成される露光レベル（つまり、ほ
ぼゼロ）と最大の透明領域によって生成される露光レベ
ル（図３において１００％で示す）のほぼ中間点に位置
するように選択するのが普通である。このようにして、
単一照射装置に対する実用的なルールは、光学系の解像
度は、最小の像パターンからの像転写面における光の強
度の変化が、最大像パターンのそれの５０％を越えさせ
るにほぼ充分なものでなければならないというものであ
った。

【００４８】上述した問題は、前記原像を複数の分割像
に分割することによって解決することが可能である。図
３は、ピッチを２にした場合の第２のマスク１を示す図
である。前記第２のマスク１が図３の位置１Aにある
時、像転写面においてグラフ１０Aによって与えられる
レスポンスを生成するのに充分な解像度を前記光学装置
が有していると仮定する。このパターン２‘に対応する
レスポンスは高さAしか有していない（つまり、要求さ
れるしきい値１１よりも非常に小さい）。しかしなが
ら、レーザ光源（図示せず）の総強度は、グラフ１０A
がグラフ１４になるまで大きくすることが可能であり、
この強度はしきい値１１を越えて正しいパターンの大き
さWを生成するようになる。第２のマスク１は、その後
図３の位置１Bに移動することができ、またレーザ強度
を大きくすることによって、グラフ１０Bは、同様に
「スケールアップ」が可能である。

【００４９】分割像を用いるという上述した恩恵を利用
するためには、像パターン２‘と２“間の干渉によっ
て、第２のマスク１の開口部８が、最小像パターン以下
の大きさの、第１のマスク２上の被照射露光ポイント
（つまり、セル）を備えることが必要となる。この露光
ポイントのピッチは、２以上でなければならない（つま
り、隣接セルは同時に照射してはならない）。これらの
条件が満たされた場合、第１のマスク２上の隣接する像
パターンは常に異なる分割像の露光の間光に曝されるこ
とになる。隣接像パターンが異なる分割像の露光の間投
影される場合、上述したように、レーザ光源の強度は大
きくすることが可能である。

【００５０】ここで、像パターン２‘と２“間の前記干
渉は、二つの理由により最低限のものである。第１に、
第１のマスク２上の隣接する像パターンは、同時に露光
されないこと。最小像パターンの大きさと第１のマスク
２上にあるセルの大きさが等しい場合の好適な実施例に
おいては、露光されるパターンはどのパターンであれ、
同時に露光される隣接するパターンから少なくとも１セ
ルの幅分離して配置される。第２のマスク１によって、
１ピッチを越えたピッチで、等間隔に配置されたセルに
照射が行われるため、隣接する像パターンは、異なる分
割像の露光中光に曝される。第２に、前記サーモレジス
トしきい値未満の熱エネルギであれば、隣接パターンが
投影される前に消散されること。これによって、パター
ン間の干渉は最小化される。

【００５１】必要なレスポンスAは、像パターン間の前
記干渉によって制限を受ける。Aが非常に小さい場合、
像転写面の被露光領域がしきい値１１に到達するため
に、光強度は非常に大きくしなければならない。その結
果、分割像の前記「隣接」セル間の干渉を避けるため
に、Aが小さい場合、第１のマスク上の露光ポイント
（つまり、セル）のピッチは、より長くなる。例えば、
このピッチは、Aが小さい場合、４、あるいは５、また
はそれ以上である。

【００５２】セルの大きさは前記最小パターンの大きさ
に対応するため、レスポンスレベルAが減少するという
ことは、セルの大きさが小さくなることに対応し、また
ピッチが大きくなること、さらに解像度が高くなること
に対応する。原像を複数の分割像に分割するというプロ
セスは、半導体の処理技術に極めて適したプロセスであ
る。

【００５３】図４は、原像６を４つの分割像６A、６B、
６Cおよび６Dに分離する例を示す図である。挿入図１５
は、分割像６A、６B、６Cおよび６Dを２ピッチで生成す
るために、どのように第２のマスク２を構成し、またそ
の方向を決めるかについて示す図である。第２のマスク
が、奇数行および列のセルを照射するために位置決めさ
れた時、分割像６Aが露光される。同様に、分割像６Bに
対する第２のマスクの位置によって、奇数行のセル、お
よび偶数列のセルの照射を行なうことができ、６Cによ
って偶数行のセル、および奇数列のセルの照射が可能で
あり、さらに６Dによって、偶数行および列のセルの照
射を行うことが可能である。

【００５４】上述したように、第２のマスク２は、一組
の開口部を配置したものよりもむしろ二次元の小レンズ
アレイによって構成する方が好ましい。開口部の不利な
点は、前記レーザ光源から発せられる大部分の光が、開
口された第２のマスクによって吸収や反射を受け、像転
写面での露光に寄与しないということである。一方、小
レンズアレイを用いることによって、光エネルギを集中
させることができる。このようにして、小レンズアレイ
から構成される第２のマスクを用いることによって、第
１のマスクの、複数の露光ポイントに対して光エネルギ
を収束させることができ、像形成の効率を高めることが
でき、また露光時間を短縮することが可能である。第２
のマスクの小レンズ群は、所望のピッチで第１のマスク
上のセルを照射するように、寸法と位置決めを行うこと
ができる。このピッチは、第２のマスクにある小レンズ
群の倍率、寸法、間隔、方向、および開口数を調整する
ことによって設定することが可能であり、また同様に、
第２および第１のマスク間の間隔を変えることによって
も可能である。

【００５５】前記第２のマスクは、その位置および重ね
合わせを精確に制御しつつ、二つの軸上を移動すること
が可能である。前記二つのマスクの相対位置を精確に制
御するということは、様々な分割像に対して露光を適切
に行い、原像の全ての部分を像転写面へ写し込むために
重要なことである。

【００５６】「光学ステッパ」として知られている従来
のマイクロリソグラフィ装置を用いて、本発明を実現す
るために、第１および第２のマスクの位置決めを行うこ
とが可能である。一般的な半導体組み立ての用途におい
ては、前記像転写面は、ウェーハであり、各ウェーハは
いくつかのダイを有し、これらダイは、ウェーハからカ
ットされチップを形成する。光学ステッパ装置は、各ダ
イに像を転写するために、前記ウェーハ上の様々なダイ
の間で離散的な動き（つまり、「ステッピング」）を行
うようになっている。印刷業界で広く用いられ、また最
近マイクロリソグラフィに参入している第２のタイプの
技術分野には、「スキャンニング」が含まれる。スキャ
ンニングマイクロリソグラフィ装置は、マスクに対して
ウェーハを（離散的にというよりはむしろ）連続的に動
かし、各ダイ上に像を再生する。スキャンニング半導体
組み立て装置は、本発明を実現するために用いることが
可能である。

【００５７】前記像転写面がレジストから構成されてい
る場合、解像度を落とす可能性のある横方向の熱拡散を
低減するために薄いレジストを用いるのが好ましい。縦
方向の熱拡散は、解像度に対しては影響を及ぼさない。
さらに薄いレジストはエキシマレーザと相性が良く、こ
のレーザ光はレジストが厚くなるとその表層部で優先的
に吸収される。本発明においては、無機サーモレジスト
が像転写面の用途に特に非常に適している。

【００５８】スキャナの場合の実施例図９は、本発明の一実施例を示す図であり、ここでは、
スキャナを用いて本発明を実現している。第１のマスク
２は、スキャン軸３５の方向で第２のマスク１の下で連
続的に動かされる（つまり、スキャンされる）。レーザ
光源（図示せず）からの光によって、第２のマスク１が
照射され、第２のマスク１上に複数の露光ポイントが形
成され、また像転写面（図示せず）上に、像の形の通り
に対応する複数の露光ポイントが写し込まれる。しかし
ながら、前記第２のマスク１に対して第１のマスク２が
連続的にスキャンされるために、第１のマスク２上の、
前記複数の露光ポイントは、第１のマスク２上におい
て、「ラスタライン」あるいは「トラック」と称される
ライン３１に沿って動く。前記像転写面に原像の複製を
完全に写し込むために、ほぼ第１のマスク２の全体が照
射されるまで、第１のマスク２は、第２のマスク１に対
してスキャンされる。このスキャンニング動作は、スキ
ャナの切り離すことのできない部分であり、本発明のた
めに追加する必要のあるものは、第２のマスク１のみで
ある。

【００５９】第２のマスク１は、二次元の小レンズアレ
イ３０から構成されており、これら小レンズ群は行と列
に配置されている。前記行はスキャン軸３５に対して垂
直であり、また前記列はスキャン軸３５に対して角度θ
の方向に配置されている。第２のマスク１が、前記レー
ザ光源からの照射に曝される場合、複数の露光ポイント
は、第１のマスク２上において照射され、また対応する
複数の露光ポイントは、前記像転写面（図示せず）上に
おいて、像の形通りに照射される。

【００６０】個々の小レンズ３０は、第２のマスク１上
のアレイ内において形成され、また方向を決められ、さ
らに位置決めされる。このようにして、隣接する列の小
レンズ群３０によって照射される第１のマスク２上の露
光ポイントは距離ｐだけ離されて配置され、また一つの
列内の小レンズ群３０によって照射される露光ポイント
は、距離ｄだけ離されて配置される。本発明の利点を最
大限に利用するためには、距離ｐおよびｄは、像転写面
における隣接露光ポイント間の重なりや干渉を実質的に
除去するのに充分な程度に大きい必要がある。距離ｐお
よびｄが充分大きく、また露光ポイントが充分小さい場
合、レーザ光源のパワーを大きくして、図３を参照して
上述したように、第１のマスク２と像転写面間における
解像光学系（図示せず）の光学解像度が小さいことを克
服することができる。

【００６１】第１のマスク２のスキャンニングとの組合
せにおいて、第２のマスク１に対する小レンズ群３０の
角度方向θによって、ラスタラインａの実効的な間隔
は、個々の露光ポイントの間隙ｐあるいはｄよりも小さ
く形成することが可能である。小レンズ群３０のこの方
向によって、装置の解像度もまた改善される。これは、
実際のラスタライン間隙は次式で与えられることによ
る。

【００６２】ａ＝ｄｓｉｎθ （１）隣接する露光ポイント間の距離（ｐおよびｄ）は、実質
的に干渉を除去するのに充分なだけ離れるように維持さ
れている。

【００６３】前記手法の性能をさらに改善するために、
前記レーザ光源は、第２のマスク１に入射する前に焦点
を合わせ、非常に強度の大きい光のライン１７ａを形成
することが可能である。ライン１７ａの幅は、第２のマ
スク１の与えられた列にある小レンズ群３０の数ｎをカ
バーするのに充分な幅でなければならない。この手法が
用いられた場合、ラスタラインａ間の距離は、隣接列ｐ
の露光ポイント間距離および一つの列にある小レンズ群
ｎの数によって制約を受ける。ラスタライン間隔ａは次
式で与えられる。

【００６４】ａ＝ｐ／ｎ（２）式（１）および（２）を用いて、値ｆあるいはｎ、ｐお
よびｄを選択し、所望のラスタライン間隔ａを実現する
ことが可能であり、また、光強度を適切な大きさにする
のに充分なだけ、ライン１７ａの幅を小さくすることが
可能である。

【００６５】本発明はまた、前記光源として、エキシマ
レーザを所定のレートでパルス発振させて用いることに
よって改善することが可能である。レーザを連続発振で
用いる場合、与えられたラスタライン上の露光ポイント
間で分離が発生することはない。すなわち、第１のマス
ク２が、第２のマスク１に対してスキャンされる場合、
与えられたラスタライン上の露光ポイントは、互いに直
近に隣接している。前記サーモレジストの熱時定数およ
びスキャンレートに応じて、直近に隣接するポイントの
露光によって、一つのラスタライン内で隣接する像パタ
ーン間において、像転写面上で干渉が生じたり、あるい
は重なりが生じたりすることがある。パルスレート１〜
１０ｋＨｚのエキシマレーザなどのパルス駆動レーザを
用いて、連続露光の間にわずかな遅延を発生させること
が可能である。一般的に、サーモレジストの時定数は、
マイクロ秒未満であり、これによって、同一ラスタライ
ン内の隣接露光ポイントに対して、冷却するのに充分な
時間が備えられ、約１ＭＨｚのパルスレートまで、隣接
像パターンの重なりが回避される。パルスを数マイクロ
秒以下にすることによって、横方向の熱拡散を低減する
ことが可能である。これを実現することによって、前記
装置のスキャンレートおよび前記レーザ光源のパルスレ
ートは、最小像パターンの大きさによって制約を受ける
（つまり、要求される解像度）。

【００６６】所望の解像度で像転写面上に前記原像を完
全に再生するためには、少なくとも最小パターンの大き
さに等しい距離を第２のマスク１がスキャンされる度に
一個のパルスが必要とされる。

【００６７】上記記述は、説明の目的のみを意図したも
のであり、決して本発明の範囲を制限するものではない
ということを理解されたい。本技術分野に精通した当業
者にとっては、上述した実施例に対して、様々な変形例
を本発明の精神から逸脱することなく提供し得ることは
明白である。

【００６８】本発明の主たる恩恵は、これが非線型レジ
スト、また特にサーモレジストに用いられた場合認識さ
れるものであるが、本発明は、従来のフォトレジストや
「相反法則」に従う他の材料が用いられる時でさえ非常
に大きな恩恵を有する。これらの恩恵は、本発明によっ
て行われる像分離が、複数の露光と等価であるという事
実からもたらされるものである。複数の露光を用いる
と、解像度を大きくする光のコヒーレンスが損なわれ
る。このため、非コヒーレント光源の理論的解像度は、
完全にコヒーレントな解像度の２倍であるため、レーザ
等のコヒーレント光源を用いるものであればどのような
投影装置でも、その解像度は、本発明によって改善され
る。

【００６９】本発明における用語「光」は、可視光か否
かに拘わらず、電子ビーム同様、放射源であればどのよ
うな放射源をも意味するものと理解されたい。本発明は
複数の像の部分に適用することが可能である。例えば、
一つの像の大きなパターン全てを１回の露光で投影する
ことが可能であり、またその後、本発明を用いて、二つ
以上の分割像の、一組の露光において細部パターンを再
生することが可能である。

【００７０】

【発明の効果】上述したように、非線型レジストやサー
モレジストあるいは従来のフォトレジストや「相反法
則」に従う他の材料が用いられる時でさえ、本発明によ
って行われる像分離によって、レーザ等のコヒーレント
光源を用いるものであればどのような投影装置でも、そ
の解像度は、本発明によって改善される。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１のマスク上の原像を多数の分割像に分割
するプロセスを示す図である。

【図２】３ピッチの開口を含む第２のマスクを示す図
である。

【図３】分割像を用いて露光ポイントを分離すること
により得られる利点を説明するいくつかのグラフおよび
線図を示す図である。

【図４】原像を２ピッチで４つの分割像に分割するプ
ロセスを示す図である。

【図５】光学ステッパマイクロリソグラフィ装置内で
構成された本発明を示す図である。

【図６】小レンズアレイの断面を示す図であり、位置
および重ね合わせ制御装置の要素を示す図である。

【図７】位置および重ね合わせ制御装置において用い
られる光検出器の光の強度応答を示す図である。

【図８】位置制御装置を示す概略図であり、複数のア
クチュエータおよび重ね合わせ用マーキングを示す図で
ある。

【図９】スキャンニングマイクロリソグラフィ装置に
おいて用いられる露光ポイントの分離方法を示す図であ
る。

【符号の説明】

１…第２のマスク、２…第１のマスク、１６…光源、２
１、２２…圧電アクチュエータ、２４…線形格子マーキ
ング、２９…像転写面、３０…小レンズアレイ、３１…
原像。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】原像を有する第１のマスクに入射する光
の経路に挿入可能であり、また、前記原像を複数の像の
サブセットに分割する機能を有する装置であって、（ａ）前記第１のマスクの一部分に光が集束するように
形状が形成され、また位置決めされた光学要素から構成
される第２のマスクを含み、前記第１のマスクは、複数
のセルに分割されており、前記第１のマスクの前記部分
は前記セルのサブセットから構成されており、（ｂ）前記第１のマスクの近傍に位置する面内に前記第
２のマスクを移動する機能を有する複数のアクチュエー
タを含み、また（ｃ）前記アクチュエータと共に、前記第１のマスクに
対して前記第２のマスクの位置制御を行う機能を有する
重ね合わせおよび位置制御装置とを含むことを特徴とす
る装置。
【請求項２】請求項１に記載の装置であって、前記第
２のマスクの前記光学要素が、二次元のアレイ状の小レ
ンズを含むことを特徴とする装置。
【請求項３】請求項１に記載の装置であって、前記ア
クチュエータが圧電アクチュエータを含むことを特徴と
する装置。
【請求項４】請求項１に記載の装置であって、前記複
数のアクチュエータが、前記二次元の平面上にある軸の
内一つの方向に前記第２のマスクを移動するように対に
なった、少なくとも二つの離して配置されたアクチュエ
ータを含むことを特徴とする装置。
【請求項５】請求項１に記載の装置であって、前記重
ね合わせおよび位置制御装置が、（ａ）前記第１のマスクの縁に位置された、複数の組の
照射されるマーキングを含み、各組のマーキングは、組
み合わされた前記第１および第２のマスクの光学的透過
を変化させる機能を有し、この変化は、前記マスクの、
互いに対して、横方向の位置の関数として行われ、（ｂ）複数の光検出器を含み、各光検出器は、前記組の
位置決めマーキングの内、一つの組の後に配置され、ま
た光の透過の前記変化を検出する機能を有し、さらに（ｃ）複数のアクチュエータを含み、各アクチュエータ
は、前記位置依存性の光透過パターンを検出する一つの
光検出器からの出力を受信する機能を有し、また、前記
出力を用いて、一つの前記第２のマスクを制御する機能
を有することを特徴とする装置。
【請求項６】請求項５に記載の装置であって、特に前
記組のマーキングを照射する機能を有する複数の外部光
源を含むことを特徴とする装置。
【請求項７】請求項１に記載の装置であって、前記光
源が一つの周波数でパルス駆動されるレーザ装置である
ことを特徴とする装置。
【請求項８】請求項１に記載の装置であって、前記第
２のマスクに入射する光の経路中に配置された光学要素
を含み、前記光学要素は、前記第２のマスク上にある一
つの領域において、前記光を集束し、前記装置は、前記
第２のマスクを横切って前記集束された光を、掃引する
ための手段を含むことを特徴とする装置。