JP2000225104A

JP2000225104A - Ｒｆコイルおよびｍｒｉ装置

Info

Publication number: JP2000225104A
Application number: JP11028774A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Mori; 一生森
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1999-02-05
Filing date: 1999-02-05
Publication date: 2000-08-15

Abstract

(57)【要約】【課題】多素子型ＲＦコイルにおいて、使用する度にコ
イル素子間の相対的な位置関係が変わる場合であって
も、良好な除去能を発揮させる。【解決手段】複数個のコイル素子Ａ，Ｂの近傍に閉ルー
プＣを配置する。複数個のコイル素子Ａ，Ｂはそれらの
空間的位置関係が可変の状態で備えられる。閉ループＣ
を、複数個のコイル素子Ａ，Ｂ相互間の磁気的干渉を除
去または減少させるように形成する。具体的には、閉ル
ープＣは、コイル素子Ａ，Ｂ相互間の空間的位置関係の
変化に伴い生じる一方のコイル素子Ａから他方のコイル
素子Ｂへ鎖交する磁束の変化量と、その一方のコイル素
子Ａから閉ループＣを経由して他方のコイル素子Ｂへ鎖
交する磁束の変化量とを相殺させるように、その配置位
置と形状を設定する。巻き付け型のフェーズドアレイコ
イルや、ＱＤコイルとして使用される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＲＦコイル装置お
よびＭＲＩ（磁気共鳴イメージング）装置に係り、とく
に、コイル部分が複数のコイル素子から成り且つ使用時
におけるその複数のコイル素子間の空間的位置関係が可
変であって、コイル素子相互間の磁気的干渉を除去する
機能を有するアセンブリ構造のＲＦコイル装置、およ
び、この装置を搭載したＭＲＩ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気共鳴イメージングは、静磁場の中に
置かれた被検体の原子核スピンをそのラーモア周波数の
高周波信号で磁気的に励起し、この励起に伴って発生す
るＭＲ信号から画像を再構成する手法である。

【０００３】このイメージングを行なうＭＲＩ装置にお
いて、高周波磁場の送信および受信を司る要素がＲＦコ
イルである。このＲＦコイルには、微弱な信号を扱うた
め、高い信号雑音比（ＳＮＲ）が求められている。これ
に応えるため、複数のコイル素子を配置して１つのＲＦ
コイルを形成して、その複数のコイル素子を同時に駆動
させる多素子型ＲＦコイルがある。この多素子型ＲＦコ
イルにも、種々のタイプがある。

【０００４】その１つは、直交する２つの高周波磁場を
作る２対のコイル素子を組み合わせるＱＤコイルであ
り、また別の１つは、多数のコイル素子を併設して同時
に受信するフェーズド・アレイ・コイル(Phased Array
Coil)である。これらの多素子型ＲＦコイルを搭載する
場合、コイル素子間に、主として磁気的な相互誘導に因
って干渉が発生するという問題がある。この磁気的な干
渉は画像アーチファクトなどを引き起こすので、これを
除去または抑制する必要がある。

【０００５】この干渉除去または抑制（以下、干渉除去
という）の手法には、種々のものがある。第１の干渉除
去手法は、Ｔ．Ｒ．Ｆｏｘの提案に係るコンデンサブリ
ッジによる中和回路である。この回路は、２個のコイル
素子の間をコンデンサブリッジで橋絡し、相互誘導によ
って発生する誘導起電力と逆相となる電圧をコンデンサ
ブリッジで供給して干渉を相殺させるものである。

【０００６】第２の干渉除去手法として、Ｒｏｅｍｅｒ
の論文により提案されている、複数のコイル素子の一部
を互いにオーバーラップさせて配置する手法が知られて
いる。このオーバーラップさせる部分を適宜に調整する
ことで、２個のコイル素子間の磁気的な相互誘導を除去
させることができる。

【０００７】さらに第３の干渉除去手法として、Ｒｏｅ
ｍｅｒの別の論文により提案されている、低入力インピ
ーダンスの前置増幅器を用いる手法がある。この手法
は、低入力インピーダンスの前置増幅器とＲＦコイルの
間を結ぶインダクタンスと、ＲＦコイルの出力コンデン
サとがラーモア周波数で共振する条件に設定するもので
ある。これにより、ＲＦコイルに流れるラーモア周波数
の電流が低減し、コイル素子間の磁気的な相互誘導を除
去することができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た第１〜第３の干渉除去手法には以下ような問題または
不都合があった。

【０００９】（１）まず、第１の干渉除去手法による
コンデンサブリッジの場合、ＲＦコイルを形成するコイ
ル素子の数が増えるにつれて配線が錯綜し、複雑化及び
大形化した配線構造となる。同時に、コンデンサブリッ
ジを経由した閉ループが新たに形成され、コイル素子に
流れる高周波電流によって形成される磁束が当該閉ルー
プと錯綜するので、これにより新たな干渉問題を発生し
てしまう可能性があった。

【００１０】（２）また第２の干渉除去手法に係るオ
ーバーラップ配置の場合、コイル素子の配置に自由度が
低く抑えられ、ＲＦコイルの感度分布や信号雑音比にと
って必ずしも最適な配置を採ることができないという不
都合があった。

【００１１】（３）さらに第３の干渉除去手法である
低入力インピーダンスの前置増幅器を用いるものは、磁
気的干渉がそれほど強くない場合にはこの手法を用いる
ことで足りる。しかし、近傍の例えば隣接したコイル素
子間のように強い磁気的干渉が生じている場合、かかる
前置増幅器による干渉除去手法は除去機能が十分ではな
く、他の干渉除去手法を補完する手法としてしか使える
ものではなかった。

【００１２】（４）さらにまた、この第１、第２の干
渉除去手法に関して、コイル素子間の干渉状態が変化す
るような状態でＲＦコイルを用いた場合、最適な調整状
態からずれてしまうため、当初、見込んでいた干渉除去
機能が低下してしまうという問題があった。

【００１３】このため、例えば隣接したコイル素子で強
い干渉を示す配置構造をとりつつ、使用する度に、この
配置状態が少しずつ変わる場合、干渉抑制機能がその変
化分、劣化してしまうことになる。この状況を具体的に
以下に示す。

【００１４】図１４に示すＲＦコイルは、フレキシブル
プリント基板などのフレキシブルな部材Ｂの上面および
／または下面に合計４個のコイル素子１〜４が取り付け
た構造を有し、コイル素子１−２間、２−３間、および
３−４間は適度なオーバーラップ量をもってオーバーラ
ップ配置されており、それらのコイル素子間の磁気的干
渉は十分に抑制されているとする。そして、イメージン
グ時には、このＲＦコイル（アセンブリ）を被検体の周
りに巻き付けて、フェーズドアレイコイルとして用い
る。つまり、４個のコイル素子から同時にエコーデータ
を収集し、高ＳＮＲで且つ広視野の画像を得るという使
い方である。

【００１５】このＲＦコイルの典型的な使用は、図１５
示す如く、被検体の例えば頭部に巻き付けて頭部をイメ
ージングする場合である。ＲＦコイルのオーバーラップ
量は予め、標準サイズの頭部を想定して設定されてい
る。このため、被検体頭部が標準サイズの場合、ＲＦコ
イルを巻き付けたときの始端側および終端側に位置する
コイル素子１−４間のオーバーラップ量も適切な量にな
り、それらのコイル素子間の磁気的干渉も確実に抑制さ
れる。オーバーラップ量のばらつきなどに因って多少の
干渉が残る場合、この干渉は例えば低入力インピーダン
スの前置増幅器を併用して抑制される。

【００１６】このＲＦコイルを、図１６に示す如く、例
えば幼少児などの小さい頭部に巻き付ける場合、図１５
と同一のオーバーラップ量で巻くと、コイル素子１−４
間のオーバーラップ量は変わらないから、そこでの相互
干渉の除去能には変化がない。しかし、かかる頭部のサ
イズが小さいことによってＲＦコイルとの間に隙間がで
きる。つまり、被検体とＲＦコイルとの間が遠くなっ
て、受信感度が低下し、画像ＳＮＲも下がる。ＲＦコイ
ルの損失が完全に零であれば、かかる感度低下は生じな
いが、実際にはそのようなＲＦコイルの制作は無理であ
り、ＲＦコイルには必ず損失がある（換言すれば、雑音
を発生する）。

【００１７】そこで、このＲＦコイルを図１７の模式図
の如く、標準として定めた範囲よりも小さいサイズの頭
部に、体表との間に適度な隙間（空隙）を残して巻き付
けたとする（適度な隙間を残したのは、ＲＦコイルを体
表に過度に密着させると、ＳＮＲは反って低下するとい
う周知の問題を回避するため）。この場合、コイル素子
１、４間でオーバーラップ量がその標準状態での量から
変わってしまう。低入力インピーダンスの前置増幅器を
併用してはいるが、この増幅器はもともと補助的に設け
ているだけであって、かかるオーバーラップ量の変化に
伴う除去能の低下をカバーできることは殆どない。した
がって、コイル素子１−４間の相互干渉が大きくなり、
最終的な画像ＳＮＲは殆どの場合、低下する。また、コ
イル素子１や４の近傍では異常な感度ムラが観測される
ことにもなる。コイル素子１−４の間に例えばコンデン
サブリッジに拠る中和回路を設けることも考えられる
が、このＲＦコイルを使用する度に干渉状態が変わるこ
とから、この変化に対応して中和回路の諸量を調整する
ことは非現実的である。

【００１８】被検体頭部が図１５の標準状態よりも大き
い場合、今度は反対に、コイル素子１−４間のオーバー
ラップ量が不足し、干渉除去能が低下し、かかる問題が
顕在化する。

【００１９】ところで、上記（１）項〜（３）項に記載
の干渉除去手法の問題を解消または改善するため、本発
明者は特開平８−２２９０１９号公報において、可変リ
アクタンスループを用いた第４の干渉除去手法を提案し
ている。詳しくは、少なくとも２個のコイル素子を有す
るＲＦコイルにおいて、それらのコイル素子に対して電
気的に非接触な状態で磁気的に結合し、良導体による閉
ループから成り、かつ、この閉ループのリアクタンスを
調整できるようにしたものである。

【００２０】しかし、この第４の干渉除去手法を用いて
も、やはり、コイル素子間の干渉状態が変化するような
状態でＲＦコイルを用いた場合、最適な調整状態からず
れてしまうため、当初、見込んでいた干渉除去機能が低
下してしまうという状況は依然として改善できていなか
った。このずれの度に、リアクタンスを調整する方法も
採りうるが、これも同様に非現実的である。

【００２１】本発明は、このような従来のＭＲＩ用多素
子型ＲＦコイルの問題に鑑みてなされたもので、使用す
る度にコイル素子間の相対的な位置関係が変わる場合で
あっても、その都度、干渉除去能の調整ファクタを調整
しなくても、良好な除去能を発揮できるＲＦコイルおよ
びこれを搭載したＭＲＩ装置を提供することを、その目
的とする。

【００２２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係るＲＦコイルは、高周波信号の送受信の
少なとも一方を担う複数個のコイル素子を備え、この複
数個のコイル素子の近傍に閉ループを配置した構造と
し、前記複数個のコイル素子をその素子相互間の空間的
位置関係が可変の状態で備えるとともに、前記閉ループ
を、前記複数個のコイル素子相互間の磁気的干渉を除去
または減少させるように形成したことを特徴とする。

【００２３】好適には、その具体的構成例として、前記
閉ループは、前記複数個のコイル素子においてコイル素
子相互間の前記空間的位置関係の変化に伴い生じる一方
のコイル素子から他方のコイル素子へ鎖交する磁束の変
化量と、その一方のコイル素子から前記閉ループを経由
して前記他方のコイル素子へ鎖交する磁束の変化量とを
相殺させるように、当該閉ループの配置位置と形状を設
定することである。

【００２４】この場合、例えば、前記閉ループが前記磁
束の変化量の相殺を担う前記コイル素子は、隣接する２
個のコイル素子であることが望ましい。一例として、前
記複数のコイル素子は、ＱＤコイルを成す２個のコイル
素子対を形成するコイル素子である。ほかの例として、
前記複数のコイル素子は、フェーズド・アレイ・コイル
を形成する２個以上のコイル素子である。さらに、ほか
の例として、前記複数のコイル素子は、フェーズド・ア
レイ・コイルを形成する２個以上のコイル素子であり、
かつ、被検体の撮像部位の周囲に巻き付けて配置するラ
ップアラウンド型を成す。さらに、前記複数のコイル素
子は、被検体の撮像部位を挟むように対向配置された２
個のコイル素子であってもよい。

【００２５】さらに好適には、前記複数のコイル素子
は、互いにオーバーラップして配置されていることを特
徴とするＲＦコイル。この構成において、前記オーバー
ラップ配置のオーバーラップ量は少なくとも１個所のコ
イル相互間で可変になっていることも１つの特徴であ
る。

【００２６】さらに、前述した好適な具体例の構成にお
いて、前記閉ループを導体で形成するとともに、その導
体途中にリアクタンス素子を介挿し、この閉ループの総
合リアクタンスの絶対値が当該閉ループにそのリアクタ
ンス素子を介挿しない状態に比べて小さくなるように前
記リアクタンス素子のリアクタンスを設定してある、こ
とが望ましい。

【００２７】この構成において、好適には、前記リアク
タンス素子はそのリアクタンス可変タイプの素子である
ことである。また例えば、前記閉ループは、前記導体を
略短冊状に形成したループ体であり、かつ相互に隣接す
る２個のコイル素子に磁気的に結合するように配置され
る。この閉ループは、そのループ途中位置で誘導磁束の
向きが反対となるように前記導体を互いに交差させた形
状を成していてもよい。また、前記閉ループは、前記複
数個のコイル素子が形成するコイル素子群の内側であっ
て一方の側端近傍に配置していてもよいし、このコイル
素子群の外側近傍に配置していてもよい。

【００２８】さらに、上述した各構成において、前記複
数のコイル素子の出力端に低入力インピーダンスの前置
増幅器を備えた干渉抑制回路を補助的に接続していても
よい。

【００２９】一方、本発明は、上述した目的を達成する
ＭＲＩ（磁気共鳴イメージング）装置を提供することが
できる。その構成は、被検体に高周波磁場信号を送信す
る機能およびその被検体に生じた高周波のＭＲ信号を受
信する機能の内の少なくとも一方を担うＲＦコイルを備
えたＭＲＩ装置において、前記ＲＦコイルは、複数個の
コイル素子と、この複数個のコイル素子の近傍に配置し
た閉ループとを備え、前記複数個のコイル素子をその素
子相互間の空間的位置関係が可変の状態で備えるととも
に、前記閉ループを、前記複数個のコイル素子の相互間
の磁気的干渉を除去または減少させるように形成したこ
とを特徴とする。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付図
面に基づき説明する。

【００３１】最初に、以下の実施形態で共通に用いられ
るＭＲＩ（磁気共鳴イメージング）装置の概略構成およ
びその動作を、図１を参照して説明する。

【００３２】このＭＲＩ装置は、被検体としての患者Ｐ
を載せる寝台部と、静磁場を発生させる静磁場発生部
と、静磁場に位置情報を付加するための傾斜磁場発生部
と、高周波信号を送受信する送受信部と、システム全体
のコントロール及び画像再構成を担う制御・演算部とを
備えている。

【００３３】静磁場発生部は、例えば超電導方式の磁石
１と、この磁石１に電流を供給する静磁場電源２とを備
え、被検体Ｐが遊挿される円筒状の開口部（診断用空
間）の軸方向（Ｚ軸方向）に静磁場Ｈ0 を発生させる。
なお、この磁石部にはシムコイル１４が設けられてい
る。このシムコイル１４には、後述するホスト計算機の
制御下で、シムコイル電源１５から静磁場均一化のため
の電流が供給される。寝台部は、被検体Ｐを載せた天板
を磁石１の開口部に退避可能に挿入できる。

【００３４】傾斜磁場発生部は、磁石１に組み込まれた
傾斜磁場コイルユニット３を備える。この傾斜磁場コイ
ルユニット３は、互いに直交するＸ、Ｙ及びＺ軸方向の
傾斜磁場を発生させるための３組（種類）のｘ，ｙ，ｚ
コイル３ｘ〜３ｚを備える。傾斜磁場部はまた、ｘ，
ｙ，ｚコイル３ｘ〜３ｚに電流を供給する傾斜磁場電源
４を備える。この傾斜磁場電源４は、後述するシーケン
サ５の制御のもと、ｘ，ｙ，ｚコイル３ｘ〜３ｚに傾斜
磁場を発生させるためのパルス電流を供給する。

【００３５】傾斜磁場電源４からｘ，ｙ，ｚコイル３ｘ
〜３ｚに供給されるパルス電流を制御することにより、
物理軸である３軸Ｘ，Ｙ，Ｚ方向の傾斜磁場を合成し
て、互いに直交するスライス方向傾斜磁場Ｇｓ、位相エ
ンコード方向傾斜磁場Ｇｅ、および読出し方向（周波数
エンコード方向）傾斜磁場Ｇｒの各論理軸方向を任意に
設定・変更することができる。スライス方向、位相エン
コード方向、および読出し方向の各傾斜磁場は、静磁場
Ｈ0に重畳される。

【００３６】送受信部は、磁石１内の撮影空間にて被検
体Ｐの近傍に配設されるＲＦコイル７と、このＲＦコイ
ル７に接続された送信器８Ｔ及び受信器８Ｒとを備え
る。ＲＦコイルとしては、後述するように、種々の態様
のコイルアセンブリが撮像部位の形態や撮像目的に合わ
せて選択され、配置される。

【００３７】送信器８Ｔ及び受信器８Ｒは、後述するシ
ーケンサ５の制御のもとで動作する。送信器８Ｔは、核
磁気共鳴（ＮＭＲ）を励起させるためのラーモア周波数
のＲＦ電流パルスをＲＦコイル７に供給する。受信器８
Ｒは、ＲＦコイル７が受信したＭＲ信号（高周波信号）
を取り込み、これに前置増幅、中間周波変換、位相検
波、低周波増幅、フィルタリングなどの各種の信号処理
を施した後、Ａ／Ｄ変換してＭＲ信号のデジタル量デー
タ（原データ）を生成する。

【００３８】さらに、制御・演算部は、シーケンサ（シ
ーケンスコントローラとも呼ばれる）５、ホスト計算機
６、演算ユニット１０、記憶ユニット１１、表示器１
２、および入力器１３を備える。この内、ホスト計算機
６は、種々の態様に基づく予め記憶したソフトウエア手
順により、シーケンサ５にパルスシーケンス情報を指令
するとともに、装置全体の動作を統括する機能を有す
る。

【００３９】シーケンサ５は、ＣＰＵおよびメモリを備
えており、ホスト計算機６から送られてきたパルスシー
ケンス情報を記憶し、この情報にしたがって傾斜磁場電
源４、送信器８Ｔ、受信器８Ｒの動作を制御するととも
に、受信器８Ｒが出力したＭＲ信号のデジタルデータを
一旦入力し、これを演算ユニット１０に転送するように
構成されている。ここで、パルスシーケンス情報とは、
一連のパルスシーケンスにしたがって傾斜磁場電源４、
送信器８Ｔおよび受信器８Ｒを動作させるために必要な
全ての情報であり、例えばｘ，ｙ，ｚコイル３ｘ〜３ｚ
に印加するパルス電流の強度、印加時間、印加タイミン
グなどに関する情報を含む。

【００４０】また、演算ユニット１０は、受信器８Ｒが
出力したデジタルデータ（原データまたは生データ）を
シーケンサ５を通して入力し、その内部メモリ上のフー
リエ空間（ｋ空間または周波数空間とも呼ばれる）に原
データを配置し、この原データを各組毎に２次元または
３次元のフーリエ変換に付して実空間の画像データに再
構成する。また演算ユニットは、画像に関するデータの
合成処理、差分演算処理などを行うことが可能にもなっ
ている。

【００４１】記憶ユニット１１はメモリを有し、再構成
された画像データのみならず、上述の合成処理や差分処
理が施された画像データを保管することができる。表示
器１２は画像を表示する。また入力器１３を介して、術
者が希望する撮影条件、パルスシーケンス、画像合成や
差分演算に関する情報をホスト計算機６に入力できる。

【００４２】（第１の実施形態）上述したＭＲＩ装置に
搭載されるＲＦコイル７の第１の実施形態を図２〜図６
を参照して説明する。

【００４３】この実施形態に係るＲＦコイル７は、多素
子型ＲＦコイルの一形態を成すコイルアセンブリであっ
て、頭部などに巻き付けて使用するラップアラウンド
（wraparound ）型として使用可能なフェーズドアレイ
コイルに形成されている。図２に、このＲＦコイル７の
概観を模式的に示す。同図に示す如く、フレキシブルな
基板２１の上面および／または下面に４個のコイル素子
１〜４がアレイ状に、且つ、電気的非接触の状態で一
部、相互にオーバーラップさせて配置させている。図２
では、コイル素子の重なり具合などは一例を示すのみで
あり、また、各コイル素子からの出力コンデンサを介し
て取り出す出力端の経路の図示は省略している。

【００４４】このオーバーラップ量は、ＲＦコイル７を
巻き付けたとき、標準サイズとして予め定めた被検体部
位（例えば頭部）に適度な隙間（体表との空隙）を残し
て巻装でき、コイル素子１〜４の各素子間の磁気的な干
渉は殆ど零となるように、設定されている。

【００４５】このＲＦコイル７を平面状に広げてみたと
き、このＲＦコイルの一端側のコイル素子１の領域には
当該素子１とは電気的に非接触な状態で閉ループ２２が
配置されている。閉ループ２２は、電気的な良導体２３
が略矩形を形成するように巻き回して形成するととも
に、その経路の所定位置にて周回導体の位置を電気的非
接触の状態で互いに入れ替えた交差部Ｐを形成してい
る。導体２３の経路途中にはまた、静電容量可変の可変
コンデンサ２４が介挿されている。

【００４６】閉ループ２２はコイル素子群が作るコイル
面内の一方の側端部に沿って配置される。また、この閉
ループ２２は、その交差部Ｐの一方のループ側を前記コ
イル素子１が作るコイル面内に位置させるとともに、残
りのループ側をコイル素子１から飛び出させた状態で配
置されている。このため、このＲＦコイル７を頭部など
の撮像部位の周囲に巻き付けたとき、閉ループ２２の飛
び出したループ側領域が反対側のコイル素子４が作るコ
イル面の一方の測端部に沿って位置することになる。

【００４７】ここで、このＲＦコイル７の動作を、本発
明に関わる相互干渉除去能の観点を中心に説明する。

【００４８】いま、上述したＲＦコイル７を成す４個の
コイル素子１〜４の内、閉ループ２２の配置位置に相当
するコイル素子１、４に着目し（ＲＦコイルを巻き付け
た状態でのコイル素子）、このコイル素子１、４を便宜
的にＡ，Ｂと表現し、且つ、閉ループ２２をＣと便宜的
に表現して、図３〜６に基づき説明する。

【００４９】２個のほぼ同一値の高周波周波数に同調さ
せたコイル素子Ａ，Ｂがある。このコイル素子Ａおよび
Ｂは、相互誘導によって互いに磁気的に干渉し合ってい
るとする。すなわち、一方のコイル素子Ａに流れる電流
が作る磁束の一部が他方のコイル素子Ｂに鎖交してい
る。この鎖交量をφＡとする。

【００５０】この磁束鎖交量φＡが零でない干渉状態の
場合、電磁誘導により、一方のコイル素子Ａに流れる電
流ＩＡが他方のコイル素子Ｂに電流ＩＢを誘導する。こ
れが相互干渉である。電流ＩＡとＩＢは、図３は同方向
に記載されているが、コイル素子Ｂの出力をどのような
インピーダンスで受けるか等の要因でその方向は変わ
る。コイル素子Ｂを巡るインピーダンスはリアクタンス
よりも抵抗分が支配的であるのが通常である。このた
め、電流ＩＢはＩＡに対し、位相が９０度、ずれている
のが通常である。ただし、以下の説明では、鎖交する磁
束を補償することに専念する。この補償ができれば、電
流ＩＢは零、すなわち相互干渉を除去した状態である。

【００５１】このＲＦコイル７では、上述したオーバー
ラップ配置の２個のコイル素子Ａ，Ｂ（コイル素子１、
４）に、コイル使用時には閉ループＣ（閉ループ２２）
が併設される。この閉ループＣはその途中の交差部Ｐで
導体の位置が互いに入れ替わり、反転している。この交
差部Ｐにおいて、導体は互いに所定のクリアランスをも
って交差し、非接触の状態にある。この閉ループＣは一
方のコイル素子Ａとの間に相互誘導による磁気結合があ
り、もう一方のコイル素子Ｂとの間についても磁気結合
がある。この閉ループＣは良導体で形成されているの
で、閉ループの高周波信号に対するインピーダンスは抵
抗分よりもインダクタンスが支配的である。

【００５２】また、この閉ループＣの途中に静電容量可
変のコンデンサが閉ループと直列に挿入されている。片
方のコイル素子Ａに流れる電流ＩＡが作る高周波磁場の
内、その一部は閉ループＣにも鎖交する。この閉ループ
Ｃに鎖交する磁束は閉ループ内に誘導起電力を発生し、
その結果、閉ループ内に電流ＩＣが流れる。この電流Ｉ
Ｃは閉ループＣのインピーダンスにより、その位相と大
きさが決定される。この電流ＩＣはさらに高周波磁場を
つくり、この高周波磁場の一部は他方のコイル素子Ｂに
鎖交し、その量をφＣとする。

【００５３】図３では、コイル素子ＡおよびＢは互いに
丁度、適正な量だけオーバーラップしているので、一方
のコイル素子Ａの電流ＩＡは他方のコイル素子Ｂに電流
ＩＢを誘起せず、非干渉の状態にある。つまり、鎖交磁
束量φＡはほぼ零である。このときコイル素子Ａの電流
ＩＡは閉ループＣの電流ＩＣを誘起するが、コイル素子
Ｂが作るコイル面には、交差部Ｐを中心にした閉ループ
Ｃの反転前と反転後のループ面ｍ１，ｍ２をほぼ等量ず
つ含む。したがって、鎖交磁束量φＣはほぼ零であり、
閉ループＣの存在によってコイル素子Ａ，Ｂ間の非干渉
状態が乱されることはない。

【００５４】図４では、両方のコイル素子Ａ、Ｂが共に
オーバーラップし過ぎているので、このオーバーラップ
配置構造だけでは非干渉状態を維持できず、一方のコイ
ル素子Ａの電流ＩＡは他方のコイル素子Ｂに電流ＩＢを
誘起してしまう。つまり、干渉し、鎖交磁束量φＡは正
の値である。

【００５５】同時に、かかるコイル素子Ａの電流ＩＡは
閉ループＣに電流ＩＣを誘起する。閉ループＣにはコン
デンサ２４が調整されているので、その静電容量を調整
することで、閉ループＣの総合的リアクタンスを正にも
負にもでき、かつ、その大きさも制御できる。このコン
デンサ２４の静電容量が比較的大きな値に調整されてい
るとする。この場合、閉ループＣの総合的リアクタンス
が正である、すなわちインダクティブである。これによ
り、閉ループＣに誘起される電流ＩＣの位相はコイル素
子Ａの電流ＩＡとは逆相になる。

【００５６】このため、図４において、閉ループＣが作
る磁束は交差部Ｐから左側のループ部分ではコイル素子
Ａの作る磁束と逆向き、すなわちコイル素子Ａからの干
渉と逆方向の干渉をコイル素子Ｂに与える。交差部Ｐか
ら右側のループ部分では、左側と反対向きの磁束をコイ
ル素子Ｂに与える。電流ＩＣの大きさはコンデンサの静
電容量調整により、電流ＩＡの大きさよりも十分に大き
く設定できる。これは、電流ＩＡの方が、コイル素子Ａ
に接続されるプリアンプのインピーダンスなどに因り電
流が低く抑えられているのに対し、電流ＩＣの方は、閉
ループＣのインダクタンスがコンデンサ２４によりかな
り相殺されているので、総リアクタンスが相当に小さく
なることによる。このため、閉ループＣはそのサイズが
小型である割には多量の磁束をコイル素子Ｂに供給でき
る。

【００５７】したがって、図６のコイル配置状態の場
合、閉ループＣがコイル素子Ｂに与える磁束量φＣは、
トータルとしてみたとき、コイル素子Ａがコイル素子Ｂ
に与える磁束量φＡとは逆相になる。そして、コンデン
サ２４の静電容量を調整することで、磁束量φＣの大き
さを調整できるから、結局、φＣ＝−φＡとなる状態が
得られる。これにより、コイル素子Ａ，Ｂ間でオーバー
ラップ過多に伴う干渉が生じようとする場合でも、その
干渉を引き起こしているコイル素子Ａからの磁束が閉ル
ープＣを経由して誘起される磁束に打ち消され、かかる
相互干渉は除去または問題の無いレベルまで抑制され
る。

【００５８】図５のコイル配置状態は、逆に、２個のコ
イル素子Ａ，Ｂ間のオーバーラップ量が足りない状態で
ある。磁束が鎖交する向きを考えると、コイル素子Ａか
らの鎖交磁束量φＡは図４の状態と逆の位相になる。そ
して、閉ループＣからの鎖交磁束量φＣは、図５におい
て、交差部Ｐの右側のループ部分が作る磁束が支配的と
なり、やはり鎖交磁束量φＡを相殺する方向に働く。し
たがって、閉ループＣからの鎖交磁束がコイル素子Ａか
らの鎖交磁束を打ち消すように働き、かかる相互干渉を
除去または低減できる。

【００５９】この場合、コンデンサ２４の静電容量が図
４の干渉除去で用いた値になっているとき、再びφＣ＝
−φＡの条件を満たすかどうかは閉ループＣの詳細な形
状や、コイル素子Ａ，Ｂとの微細な位置関係で決まる。
このため、磁場分布を計算して最適な形状と配置になる
ようにそれらのファクタを設定してある。しかし、この
ファクタ設定がラフであっても、かなりの程度、干渉を
抑制できる。この場合には、図６に示す如く、前述した
低入力インピーダンスの前置増幅器１５による干渉除去
手段を併用すれば、相互干渉をほぼ除去することがで
き、コイルの幾何学的配置や形状の設計をむやみに複雑
にしなくても、優れた干渉除去能を確保できる。

【００６０】このＲＦコイル７は、その使用に際し、両
端のコイル素子１−４間の空間的位置変化に伴う干渉の
発生が特に問題となるので、これを除去する例として説
明したが、他のコイル素子間においてもオーバーラップ
配置だけでは干渉を除去しきれない場合、上述したもの
と同等の閉ループを該当素子間に配置すればよい。

【００６１】以上のように、図２に示したＲＦコイル７
を用いると、使用時における両端のコイル素子１−４間
の磁気的な相互干渉を除去または実用上、殆ど問題とな
らないレベルまで低減させることができ、画像アーチフ
ァクトの発生を除去または抑制して良好な画質を確保す
ることができる。

【００６２】とくに、このＲＦコイル７を例えば患者頭
部に巻き付けて使用する場合、前述した図１５〜図１７
に示す如く、頭部サイズが異なることにより、コイル素
子相互間の空間的位置関係が標準として決めた範囲から
ずれることがある。しかし、そのような場合でも、イメ
ージングの場で何ら調整すること無く、コイル素子間の
相互干渉を的確に除去または抑制できる。

【００６３】さらに、従来の第１の干渉除去手法による
コンデンサブリッジの場合のように、錯綜した配線構造
や、複雑化及び大形化した配線構造を回避できる。同時
に、コンデンサブリッジを経由した閉ループが新たに形
成され、これにより新たな干渉問題を発生してしまうと
いったこともない。

【００６４】さらに、従来の第２の干渉除去手法に係る
オーバーラップ配置の場合とは異なり、コイル素子の配
置の自由度も十分に確保でき、ＲＦコイルの感度分布や
信号雑音比の観点から最適な配置を採ることができる。

【００６５】さらにまた、従来の第３の干渉除去手法で
ある低入力インピーダンスの前置増幅器を補助手段とし
て有効に使用することができる。

【００６６】（第２の実施形態）第２の実施形態に係る
ＲＦコイルを図７〜図９を参照して説明する。

【００６７】このＲＦコイルは、上述した第１の実施形
態において、閉ループの配置位置を変更したものであ
る。これを図７〜図９の原理図に沿って説明する（これ
らの図の参照符号は図３〜図５での符号に一致させてい
る）。

【００６８】閉ループＣに誘起される誘導電流ＩＣはあ
る程度大きな値を呈するので、閉ループ近傍に感度分布
の集中や或いは逆に不感帯など、感度分布の乱れが生じ
る。この乱れは画像むらになる。したがって、閉ループ
Ｃは撮像の関心部位からなるべく遠く、しかしコイル素
子Ａ，Ｂからはなるべく近くに配置することが重要であ
る。

【００６９】この観点から、閉ループＣは望ましくは、
図７〜図９に示す如く、２個のコイル素子Ａ，Ｂのそれ
ぞれが作るコイル面の外側であって、その近傍に置かれ
る。

【００７０】図７は適正なオーバーラップ状態により、
電流ＩＢは零で、コイル素子Ａ，Ｂは互いに干渉してい
ない状態である。閉ループＣの反転前と反転後のループ
部分がほぼ等量ずつコイル素子Ｂの上辺付近に沿って位
置しているので、閉ループＣの存在は干渉に関してはほ
ぼ中立であり、コイル素子Ａ，Ｂ間の無干渉状態が乱さ
れることはない。

【００７１】図８は、コイル素子Ａ，Ｂ間のオーバーラ
ップ過多の状態を示している。この場合、閉ループＣが
存在していないと、コイル素子Ａ、Ｂ間には強い磁気干
渉がある。鎖交磁束φＡは正の値である。コイル素子Ａ
の電流ＩＡはＩＣを誘起する。閉ループＣの可変静電容
量はその総リアクタンスが正であるように設定されてい
る。すなわち、インダクティブであるとする。

【００７２】この場合、コイル素子Ａから閉ループＣへ
鎖交する磁束の向きを考えると、電流ＩＣはＩＡと今度
は同相（同じ向きに回る）である。そして、閉ループＣ
の作る磁束は再び反転してコイル素子Ｂに鎖交する。こ
のため、閉ループＣの作る磁束は、交差部Ｐから左側で
はコイル素子Ａの作る磁束と逆向き、すなわちコイル素
子Ａからの干渉と逆方向の干渉をコイル素子Ｂに与え
る。交差部Ｐから右側では左側と反対の磁束をコイル素
子Ｂに供給する。つまり、コイル素子Ａからコイル素子
Ｂへ鎖交する磁束と同じ向きで、閉ループＣからコイル
素子Ｂに磁束が伝わる。図８の状態では、閉ループＣが
コイル素子Ｂに与える磁束φＣは、トータルでみると、
閉ループＡがコイル素子Ｂに与える磁束φＡとは逆相に
なる。コンデンサの調整により、ちょうどφＣ＝−φＡ
となる状態が得られ、干渉が除去または抑制される。

【００７３】図９は、コイル素子Ａ，Ｂ間のオーバーラ
ップ量が少ない場合であり、このの場合も同様の趣旨で
両者間の干渉が除去または抑制される。

【００７４】したがって、この第２の実施形態に係るＲ
Ｆコイルによっても、第１の実施形態のときと同一また
は同等の作用効果が得られることに加え、閉ループをコ
イル素子アレイの外側近傍に配置したので、コイル面内
の感度分布の乱れを排除し、画像むらの発生を抑制又は
防止することができる。

【００７５】（第３の実施形態）第３の実施形態に係る
ＲＦコイルを図１０〜図１２を参照して説明する。

【００７６】このＲＦコイルは、上述した第１の実施形
態において、閉ループの形状を変更したものである。こ
れを図１０〜図１２の原理図に沿って説明する（これら
の図の参照符号は図３〜図５での符号に一致させてい
る）。

【００７７】この実施形態に係る閉ループＣは、そのル
ープ経路を交差させずにストレートなループで形成し、
これにより本発明の目的を達成することを特徴とする。

【００７８】図１０では、２個のコイル素子Ａ、Ｂは、
前述した図３や図７の構成のものよりもやや深くオーバ
ーラップしている。このため、閉コイルＣを設けなけれ
ば、コイル素子Ａ、Ｂは互いに干渉する。閉コイルＣは
そのコンデンサ２４の容量を適宜に調整することで、そ
の総リアクタンスを正、すなわちインダクティブにして
ある。

【００７９】閉ループＣはコイル素子Ａ，Ｂに深く入り
込んで配置されているので、電流ＩＡにより誘導される
閉コイルＣ上の電流ＩＣはＩＡとは逆向きである。図１
０において、閉コイルＣは、コイル素子Ｂのコイル左辺
より左側の部分ｎ１と右側の部分ｎ２とを比べると、右
側の部分ｎ２の方が大きい。このため、電流ＩＣを起源
として発生した磁束がコイル素子Ｂへ鎖交する磁束φＣ
は、コイル素子Ａからコイル素子Ｂへ鎖交する磁束φＡ
とは逆向きである。このため、コンデンサ調整或いは閉
ループＣの位置や形状により、φＣ＝−φＡの条件を設
定でき、これにより、コイル素子ＡとＢとの間に干渉は
排除されている。

【００８０】図１１のコイル配置の場合、コイル素子
Ａ，Ｂは図１０の場合よりも互いに深く入り込んでいる
ので、コイル素子Ａからコイル素子Ｂへ鎖交する磁束は
増える。しかし、閉ループＣからコイル素子Ｂへ鎖交す
る逆方向の磁束も、コイル素子Ｂは閉ループＣへさらに
深く入り込んでいるから、増える。したがって、概ね、
φＣ＝−φＡの条件が成立し、殆ど干渉の無い状態が維
持される。

【００８１】図１２のオーバーラップが不足しているコ
イル配置についても、同様に、概ね、φＣ＝−φＡの条
件が成立し、無干渉またはこれに近い状態が維持され
る。

【００８２】図１１および図１２において、干渉除去の
条件φＣ＝−φＡがどの程度正確に成立するか、すなわ
ち、どの程度良好に干渉除去できるかは、閉ループＣの
形状の最適化に関わっている。この最適化によれば、閉
ループＣ形状は単純な矩形ではなく、多少歪んだ形状で
あってもよい。

【００８３】なお、上述した図１０〜図１２に記載のＲ
Ｆコイルのコイル配置において、閉ループＣを前述した
第２の実施形態のときと同様に、コイルアレイの外側で
かつその近傍に配置してもよい。

【００８４】（第４の実施形態）第４の実施形態に係る
ＲＦコイルを図１５を参照して説明する。

【００８５】このＲＦコイルは、上述した各実施形態の
ものとは異なり、複数個のコイル素子はオーバーラップ
していない構造に関する。このように本発明を実施する
ＲＦコイルは必ずしもオーバーラップ配置構造を採らな
くてもよい。これを図１３の原理図に沿って説明する
（これらの図の参照符号は図３〜図５での符号に一致さ
せている）。

【００８６】図１３に、腕や膝をイメージングするとき
に好適なボリュームコイルの一種に係るＲＦコイル７を
示す。このＲＦコイル７は、互いに対向して配置された
２個のコイル素子Ａ，Ｂを備え、その対向間隔Ｄを変化
させることで部位サイズに合わせ且つイメージング感度
などを調整することができる。この調整により相互干渉
状態は変化するが、本発明はこのようなコイル配置構成
にも適用できる。閉ループＣは図示の如く、対向するコ
イル素子Ａ，Ｂを同ループを介して磁気的に結合可能に
配置されている。

【００８７】図１５のコイル配置において、例えば、閉
ループＣの総リアクタンスが負に、すなわちキャパシテ
ィブ（容量性）に設定されているとする。上側のコイル
素子Ａの電流と同じ方向に、閉ループＣの上部では電流
ＩＣが誘起される。閉ループＣの下部のループではその
電流ＩＣは逆方向に流れる。コイル素子Ａ、Ｂ間の距離
Ｄ、並びにそれと連動して、コイル素子Ｂと閉コイルＣ
の下部との間の距離ｄは可変構造になっている。

【００８８】コイル素子Ａの電流ＩＡが図示の方向に流
れている瞬間は、コイル素子Ａの作る磁束は大局的には
図面の上から下に向かい（図中、Ｆ１参照）、コイル素
子Ｂに鎖交する。一方、閉ループＣの下部の作る磁束は
大局的には図面の下から上に向かい（図中、Ｆ２参
照）、コイル素子Ｂと鎖交する。すなわち、コイル素子
Ａからの干渉を相殺する方向である。距離Ｄおよびｄが
増えると（または減ると）、一方のコイル素子Ａからも
う一方のコイル素子Ｂに鎖交する磁束は減る（または増
える）。この方向関係は、相殺程度は変わるが、相殺す
る方向であることは変わらない。距離Ｄやｄが変わって
も相殺程度が十分であるためには、閉ループＣの形状や
位置を最適化すればよい。これを最適化することで、閉
ループＣの総リアクタンスを調整するコンデンサは必ず
しも可変でなくてもよいし、無くすることもできる。し
かし、実際の設計においては、可変コンデンサによる調
整は依然として有用である。

【００８９】この実施形態に関しても以下のような変形
が可能である。閉ループＣの総リアクタンスが正である
ようにして使用するには、閉ループＣの電流ＩＣが反転
しているので、下部の電流の向きを元に戻すために閉ル
ープＣの経路が上から下に向かう途中で交差させて当該
閉ループＣの下部の電流を反転させればよい。このよう
な交差構造やリアクタンス極性調整手段により、閉ルー
プＣをコイル素子Ａおよび／またはＢのループ外側に設
置しても同様に機能させることができる。

【００９０】なお、上述した各実施形態およびその変形
例において、閉ループＣのリアクタンス値を変更する手
段として、同ループに直列に介挿するコンデンサに代え
て、ほかの回路要素であってもよい。この閉ループのリ
アクタンスを事前に変更できる回路要素であればよい。
また、場合によっては、この閉ループＣの配置、形状、
および／または大きさを適切に設計することで同ループ
のリアクタンスを調整し、前述したようなリアクタンス
調整手段を必ずしも設けなくてもよい。

【００９１】また、この発明のコイル構成を実施できる
ＲＦコイルは、前述したＱＤ（直交）コイルであっても
よい。

【００９２】本発明は前述した実施形態のものに限定さ
れることなく、請求項記載の発明の要旨を逸脱しない範
囲で適宜に変形可能である。

【００９３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明では、複数
個のコイル素子をその素子相互間の空間的位置関係が可
変の状態で備えるとともに、閉ループを、その複数個の
コイル素子相互間の磁気的干渉を除去または減少させる
ように形成したＲＦコイル、および、このＲＦコイルを
搭載したＭＲＩ装置を構成したので、複数のコイル素子
間の少なくとも一部の素子間のオーバーラップ量が変わ
ったり、対向距離が変わる場合でも、閉ループに適正な
リアクタンスを持たせ且つ適宜な位置に配置すること
で、この閉ループを経由する鎖交磁束が、干渉元から干
渉先に鎖交する磁束を打ち消すまたは低減させることが
できる。したがって、使用する度にコイル素子間の相対
的な位置関係が変わる場合であっても、その都度、干渉
除去能の調整ファクタを調整しなくても、良好な除去能
を発揮できる。

【００９４】これにより、具体的には、被検体毎に最大
のＳＮＲを確保できるフェーズドアレイコイルを提供し
て、画質を向上させることができる。また、使用の度
に、配置を所定範囲で変更できる、複数のコイル素子か
ら成るＲＦコイルアセンブリを提供でき、その場合にも
コイル素子間の相互干渉を確実に除去または低減でき
る。このときに、ＲＦコイルを配置する毎に、ＳＮＲ確
保のための調整は不要であるので、操作者にとって撮像
準備が容易で、使い勝手もよく、かつその能率も向上す
る。さらに、配線の引き回しなどをみても、比較的簡素
な干渉除去構成であるから、ＲＦコイルおよびＭＲＩ装
置の構成の大形化も防止でき、高い信頼性を確保するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係るＭＲＩ装置の概略ブロ
ック図。

【図２】第１の実施形態に係るＲＦコイルの概略を示す
模式図。

【図３】第１の実施形態における干渉除去動作を説明す
る図。

【図４】第１の実施形態における干渉除去動作を説明す
る図。

【図５】第１の実施形態における干渉除去動作を説明す
る図。

【図６】第１の実施形態の変形例を示すＲＦコイルの概
略構成図。

【図７】第２の実施形態における干渉除去動作を説明す
る図。

【図８】第２の実施形態における干渉除去動作を説明す
る図。

【図９】第２の実施形態における干渉除去動作を説明す
る図。

【図１０】第３の実施形態における干渉除去動作を説明
する図。

【図１１】第３の実施形態における干渉除去動作を説明
する図。

【図１２】第３の実施形態における干渉除去動作を説明
する図。

【図１３】第４の実施形態における干渉除去動作を説明
する図。

【図１４】従来例に係るＲＦコイルの模式的な構成図。

【図１５】図１４のＲＦコイルの頭部への巻き付け状態
の一態様を説明する図。

【図１６】図１４のＲＦコイルの頭部への別の巻き付け
状態の一態様を説明する図。

【図１７】図１４のＲＦコイルの頭部への別の巻き付け
状態の一態様を説明する図。

【符号の説明】

１静磁場磁石３傾斜磁場コイル４傾斜磁場電源５シーケンサ６ホスト計算機７ＲＦコイル８Ｔ送信器８Ｒ受信器１０演算ユニット２１フレキシブル基板２２閉ループ２３導体２４容量可変コンデンサＰ交差部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】高周波信号の送受信の少なとも一方を担
う複数個のコイル素子を備え、この複数個のコイル素子
の近傍に閉ループを配置した構造のＭＲイメージング用
ＲＦコイルであって、前記複数個のコイル素子をその素子相互間の空間的位置
関係が可変の状態で備えるとともに、前記閉ループを、
前記複数個のコイル素子相互間の磁気的干渉を除去また
は減少させるように形成したことを特徴とするＲＦコイ
ル。
【請求項２】請求項１記載の発明において、前記閉ループは、前記複数個のコイル素子においてコイ
ル素子相互間の前記空間的位置関係の変化に伴い生じる
一方のコイル素子から他方のコイル素子へ鎖交する磁束
の変化量と、その一方のコイル素子から前記閉ループを
経由して前記他方のコイル素子へ鎖交する磁束の変化量
とを相殺させるように、当該閉ループの配置位置と形状
を設定したことを特徴とするＲＦコイル。
【請求項３】請求項２記載の発明において、前記閉ループが前記磁束の変化量の相殺を担う前記コイ
ル素子は、隣接する２個のコイル素子であることを特徴
とするＲＦコイル。
【請求項４】請求項３記載の発明において、前記複数のコイル素子は、ＱＤコイルを成す２個のコイ
ル素子対を形成するコイル素子であることを特徴とする
ＲＦコイル。
【請求項５】請求項３記載の発明において、前記複数のコイル素子は、フェーズド・アレイ・コイル
を形成する２個以上のコイル素子であることを特徴とす
るＲＦコイル。
【請求項６】請求項３記載の発明において、前記複数のコイル素子は、フェーズド・アレイ・コイル
を形成する２個以上のコイル素子であり、かつ、被検体
の撮像部位の周囲に巻き付けて配置するラップアラウン
ド型を成すことを特徴とするＲＦコイル。
【請求項７】請求項３記載の発明において、前記複数のコイル素子は、被検体の撮像部位を挟むよう
に対向配置された２個のコイル素子であることを特徴と
するＲＦコイル。
【請求項８】請求項５または６記載の発明において、前記複数のコイル素子は、互いにオーバーラップして配
置されていることを特徴とするＲＦコイル。
【請求項９】請求項８記載の発明において、前記オーバーラップ配置のオーバーラップ量は少なくと
も１個所のコイル相互間で可変になっていることを特徴
とするＲＦコイル。
【請求項１０】請求項２記載の発明において、前記閉ループを導体で形成するとともに、その導体途中
にリアクタンス素子を介挿し、この閉ループの総合リア
クタンスの絶対値が当該閉ループにそのリアクタンス素
子を介挿しない状態に比べて小さくなるように前記リア
クタンス素子のリアクタンスを設定してあることを特徴
とするＲＦコイル。
【請求項１１】請求項１０記載の発明において、前記リアクタンス素子はそのリアクタンス可変タイプの
素子であることを特徴とするＲＦコイル。
【請求項１２】請求項１１記載の発明において、前記閉ループは、前記導体を略短冊状に形成したループ
体であり、かつ相互に隣接する２個のコイル素子に磁気
的に結合するように配置したことを特徴とするＲＦコイ
ル。
【請求項１３】請求項１２記載の発明において、前記閉ループは、そのループ途中位置で誘導磁束の向き
が反対となるように前記導体を互いに交差させた形状を
成すことを特徴とするＲＦコイル。
【請求項１４】請求項１１記載の発明において、前記閉ループは、前記複数個のコイル素子が形成するコ
イル素子群の内側であって一方の側端近傍に配置したこ
とを特徴とするＲＦコイル。
【請求項１５】請求項１１記載の発明において、前記閉ループは、前記複数個のコイル素子が形成するコ
イル素子群の外側近傍に配置したことを特徴とするＲＦ
コイル。
【請求項１６】請求項１乃至１５のいずれか一項記載
の発明において、前記複数のコイル素子の出力端に低入力インピーダンス
の前置増幅器を備えた干渉抑制回路を補助的に接続した
構造のＲＦコイル。
【請求項１７】被検体に高周波磁場信号を送信する機
能およびその被検体に生じた高周波のＭＲ信号を受信す
る機能の内の少なくとも一方を担うＲＦコイルを備えた
ＭＲＩ（磁気共鳴イメージング）装置において、前記ＲＦコイルは、複数個のコイル素子と、この複数個
のコイル素子の近傍に配置した閉ループとを備え、前記複数個のコイル素子をその素子相互間の空間的位置
関係が可変の状態で備えるとともに、前記閉ループを、
前記複数個のコイル素子の相互間の磁気的干渉を除去ま
たは減少させるように形成したことを特徴とするＭＲＩ
装置。