JP2000224109A - 分散補償光回路 - Google Patents
分散補償光回路Info
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Abstract
が小さく、補償帯域が広い分散補償素子を提供する。 【解決手段】 本分散補償光回路は、波長に強く依存し
て入射光を大きく屈折させる機能を有し、基板13上に
左右対称に形成され、配置された、フォトニック結晶1
1と、フォトニック結晶12とを備えている。基板は、
自由キャリア吸収の影響をさけるため不純物濃度の低い
高抵抗シリコンからなっている。フォトニック結晶は、
酸化ケイ素中にシリコンよりなる直径0.3μmの円柱
を三角格子状に0.6μmピッチで周期的に配置したも
のである。入射光14は、フォトニック結晶11で短波
長光ほど大きく上方に折れ曲がり、再度、フォトニック
結晶12で同じ角度で下方に戻され、右側の出力光15
となって出力される。
Description
特に波長多重通信システムや超高速光通信システムなど
で用いられる分散補償光回路に関し、更に詳細には、小
さな挿入損失で広帯域の分散補償を行う分散補償光回路
に関するものである。
テムや超高速光通信システムになどで用いられている従
来の分散補償素子の主なるものには、分散補償ファイバ
を用いるものと、ファイバグレーティングを用いるもの
とがある。また、分散補償ファイバ及びファイバグレー
ティングを用いた分散補償素子の問題点を解決する別構
成の分散補償素子として、導波路型の分散補償光回路が
提案されている。これらを以下に順に説明する。
は、ファイバコア部への不純物添加により意図的に分散
量を通常のファイバからずらすことにより分散を補償し
ようとするものである。この分散補償ファイバは、例え
ばOptics lettersの第5巻(1980年)の第476頁
からに478頁に記載されている。この例では、GeO
2 をコア部へ添加することにより、分散補償の効果を得
ている。例えば100kmの通常ファイバの分散を補償
するためには、約10kmのファイバ長が必要となる。
いた分散補償素子は、回折格子を設けたファイバのコア
径を意図的にずらすことにより、実効的に回折格子の間
隔を変化させ、波長に応じて反射される位置に変化を持
たせ、反射時間の波長依存性により分散を補償しようと
するものである。このファイバグレーティングを用いた
分散補償素子は、例えばJournal of Lightwave Technol
ogy の第11巻(1993年)の第1325頁からに1
330頁に記載されている。
を用いた分散補償素子の構成及び機能を説明する。図2
は、ファイバグレーティングの構成を模式的に示す図で
ある。本ファイバへの入射光は、図2の左より入射す
る。コア部の屈折率と回折格子の間隔を固定したまま
で、コア部の径を末端に行くに従って徐々に小さくなる
ように絞ってある。これにより、コア部への光閉じ込め
効果が徐々に弱くなり、光がクラッド部に染み出すた
め、実効的な屈折率が末端に行くに従い徐々に小さくな
る。結果的に、回折格子の間隔が末端に行くに従い短く
なる効果が得られる。従って、入射光は、波長の長いも
のは近端で反射され、波長の短いものは遠端で反射され
ることになり、波長に応じた遅延効果が得られる。ファ
イバの長さを制御することにより、任意の分散補償が可
能となるものである。例えば1.5μm帯の波長域にお
いて1nmの波長分布を持つ信号を通常ファイバ100
km分だけ補償するためには、1m程度のファイバ長が
必要となる。
素子寸法、挿入損失、帯域などの点で課題がある。その
詳細は、あとで述べることにする。
導波路型分散補償光回路が、提案されている。この光回
路は、特願平第5−167645号公報あるいはElectr
onics Letters 第31巻(1995年)の第2192頁
からに2194頁に記載されている。図3を参照しなが
ら、導波路型分散補償光回路の構成を以下に簡単に説明
する。シリコンよりなる基板32上に非対称マッハチェ
ンダ型干渉系を構成する湾曲形状の光導波路31が複数
形成されている。これらの光導波路31は結合強度を温
度により制御できる可変カプラ33及び半分の強度だけ
結合するカプラ34によって直列に接続されている。各
々の光導波路部31では、マッハチェンダ型の干渉効果
により、波長に依存した位相差が生じる。これを複数接
続することにより、一種のグレーティングを構成してい
るが、非対称構成のため、波長により伝播経路に差が生
じ、分散を補償することが可能となる。素子寸法は、7
6x88mmである。
散補償素子には、それぞれ、以下のような問題があっ
た。まず、分散補償ファイバを利用した分散補償素子に
は、素子長が長く、挿入損失が大きいという問題があ
る。例えば100kmの通常ファイバの分散を補償する
ために必要な素子長は、約10kmと長い。また、その
時の挿入損失は、約7dBと大きい。さらに、このファ
イバは振動や温度に対して不安定であって、これを伝送
路として用いることができないという問題がある。
分散補償素子には、素子長が長く、補償帯域が狭いとい
う問題がある。例えば1.5μm帯の波長域において1
nmの波長分布を持つ信号を通常ファイバ100km分
だけ補償するために、1m程度の長い素子長が必要であ
る。また、通常の波長多重通信システムで用いられる波
長域は、少なくとも30nmであるから、全域をカバー
するためには、全長30mあるいは30個のファイバグ
レーティングを用意する必要があり、コストが嵩み、寸
法が大きくなるという問題が生じる。
ァイバ又はファイバグレーティングを利用した分散補償
素子に付帯する上述のような問題は無いものの、やはり
素子長が約8cmと依然大きいのが現状である。その主
な理由は、光導波路により光信号の遅延を生じさせるた
めに、大きな曲率を持つ導波路が必要となるが、挿入損
失の劣化を抑えるためには導波路の曲率半径を1cm程
度に抑えることが必要になるからである。また、基本的
に回折格子と同等の効果しか得られないことも、大きな
光路長依存性が得られない理由となっている。
ぞれ問題があって、満足できるレベルには到達していな
い。そこで、本発明の目的は、上記問題を克服して、素
子寸法がcm程度以下であって、挿入損失が小さく、補
償帯域が広い分散補償素子を提供することである。
に、本発明に係る分散補償光素子(以下、第1の発明と
言う)は、信号光の光ファイバ中の伝播速度の波長依存
を補償する分散補償光回路であって、波長に強く依存し
て入射光を大きく屈折させる機能を有し、光の進行方向
に直列に配置された複数個のフォトニック結晶を備え、
複数個のフォトニック結晶のうち隣合う各2個のフォト
ニック結晶は、その構造が各2個のフォトニック結晶の
中間点を通り光の進行方向に交差する対称軸に関し対称
に形成され、かつ対称軸に関し対称に配置され、信号光
は、信号光が先頭のフォトニック結晶内を伝播する際、
信号光の波長に応じて大きく屈折するように設定された
入射角で、先頭のフォトニック結晶に入射するようにし
たことを特徴としている。
よる光路長の変化と、フォトニック結晶内の遅い伝播速
度の効果により、小さな挿入損失で広帯域にわたり大き
な分散補償を安定的に行う小さな寸法の分散補償光回路
を実現することができる。本発明では、フォトニック結
晶に特徴的な大きな屈折現象と分光現象とを利用する。
即ち、本発明は、結晶中の光伝播がある入射角では非常
に大きな屈折角を持って伝播すると言うフォトニック結
晶の性質と、入射光の波長に大きく依存してその屈折角
が変化するというフォトニック結晶の性質を利用してい
る。本発明で、基板は、自由キャリア吸収の影響をさけ
るため不純物濃度の低い高抵抗シリコン単結晶基板で形
成されている。
測した写真を図4(a)に示す。図4(b)には比較の
ために通常のシリコン結晶に同様の光入射したときの写
真を示す。0.99μmと1.0μmの2つの波長を持
つ光をフォトニック結晶に同一角度、同一位置から入射
すると、図4(a)に示すように、これら2つの波長の
光の伝播方向には約50°の角度差が生じる。この現象
は、波長や入射角を変えると、様々に変化するが、その
一例として図5に伝播角の波長依存性の角度による変化
を示す。15°の入射角において最も角度分散が大き
く、50°/%が得られることが分かる。また波長変化
に応じて、伝播各の角度変化が、ほぼ線形に生じること
が分かる。
大きく屈折し、また波長に応じて伝播角が大きく変化す
る。これにより、波長に応じてフォトニック結晶内で光
路長差を生じさせることが可能となる。また、フォトニ
ック結晶中の群速度は、真空中の光速度に対して極端に
遅いことが知られており、この光路長差は実効的に大き
な伝播時間の差となって現れることになる。
に対して約50倍の光路差増強効果があり、通所のプリ
ズムと比較すると約500倍の効果となる。この点で回
折格子と同等の効果を用いる従来例の導波路型分散補償
光回路とは大きく異なる。好適には、フォトニック結晶
の有する大きな群速度分散との相乗効果を利用して、光
ファイバ中の信号伝播速度の波長依存を補償する。これ
により、小さな寸法の分散補償光回路で大きな寸法の分
散補償光回路と同等の分散補償が可能となる。
質を用いることにより、信号光を大きく屈折させ、フォ
トニック結晶を2つ左右対称に配置することにより、大
きく湾曲した伝播光路を発生させることができる。フォ
トニック結晶内での屈折角は、伝播光の波長に対して敏
感に変化する性質があるため、波長に応じて光路の湾曲
度が大きく変化することになり、結果的に大きな光路差
を生じさせることができる。さらに、フォトニック結晶
内の伝播光は真空中の光速に対して2桁程度遅くできる
という性質があるため、6mm程度の素子サイズでも1
00km程度のファイバ長の波長分散を補償するのに十
分な光路差が得られる。
に波長多重通信システムや超高速光通信システムなどに
用いられる分散補償光回路として最適である。例えば波
長多重通信の分野で使用するときには、本発明に係る分
散補償光回路(以下、第2の発明と言う)は、波長多重
通信システムで複数の波長チャンネルに信号を分割して
伝送する際、各チャンネル毎に信号の波長分散をそれぞ
れ補償する分散補償光回路であって、波長に強く依存し
て入射光を大きく屈折させる機能を有し、光の進行方向
に直列に配置された複数個のフォトニック結晶を備え、
複数個のフォトニック結晶のうち隣合う各2個のフォト
ニック結晶は、その構造が各2個のフォトニック結晶の
中間点を通り光の進行方向に交差する対称軸に関し対称
に形成され、かつ対称軸に関し対称に配置され、信号光
は、信号光が先頭のフォトニック結晶内を伝播する際、
信号光の波長に応じて大きく屈折するように設定された
入射角で、先頭のフォトニック結晶に入射するように
し、隣合う各2個のフォトニック結晶であって、入射端
に近い方の第1のフォトニック結晶と出射端に近い方の
第2のフォトニック結晶の間で、各チャンネル毎に、光
の進行方向に直列に配置された第3及び第4のフォトニ
ック結晶を備え、第3のフォトニック結晶は、光信号を
分岐する機能を有して第1のフォトニック結晶の光出射
側に配置され、第4のフォトニック結晶は、光信号を合
流させる機能を有して第2のフォトニック結晶の光入射
側に配置され、波長多重通信での分散補償機能と、信号
引き出し、挿入(アドドロップ)機能を同時に行うこと
を特徴としている。
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例1 本実施形態例は、第1の発明に係る分散補償光回路の実
施形態の一例であって、図1は本実施形態例の分散補償
光回路の構造を示す模式図である。波長に強く依存して
入射光を大きく屈折させる2個のフォトニック結晶、即
ちフォトニック結晶11とフォトニック結晶12とが、
シリコン半導体基板13上に左右対称に形成され、かつ
配置されている。基板13は、自由キャリア吸収の影響
をさけるため不純物濃度の低い高抵抗シリコンからなっ
ている。フォトニック結晶11とフォトニック結晶12
とは、いずれも、酸化ケイ素中にシリコンよりなる直径
0.3μmの円柱を三角格子状に0.6μmピッチで周
期的に配置したものである。
フォトニック結晶中の光伝播が、ある入射角では非常に
大きな屈折角を持って伝播し、また、その屈折角が入射
光の波長に大きく依存して変化するという屈折現象及び
分光現象を示す性質を持つ構造であり、図1に示すよう
に、信号光の波長に応じてフォトニック結晶中の伝播角
が大きく変化する。図1中には、分かりやすく4本の光
路を矢印で示したが、実際には連続的に波長は変化す
る。フォトニック結晶11とフォトニック結晶12は、
全く同じ構造であり、しかも、図1中でフォトニック結
晶11と12の中間点を通る対称軸に関し、左右対称と
なるように、設計されている。したがって、図1の左方
向からの入射光14は、フォトニック結晶11で短波長
光ほど大きく上方に折れ曲がり、再度、フォトニック結
晶12で同じ角度で下方に戻され、右側の出力光15と
なって出力される。
入射光14の入射角が、フォトニック結晶11の端面に
対して15°となるよう設定すると、50°/%の角度
分散が得られる。入射光の波長分布が1.5μm帯で1
nmあるとすると、この角度分散より3°の伝播角の差
が得られることになる。フォトニック結晶11及び12
の幅をそれぞれ3mmとし、中心となる信号光の伝播角
を70°としたとき、3°の伝播角差は、3mmの光路
長差となって現れる。
空中の光速の100分の1程度まで低減できるので、こ
こで得られた3mmの光路長差は、1nsの信号間時間
差を伴った出射光15として出射されることになる。こ
の1nsの時間差は、通常ファイバを約100km伝播
した後の波長間時間ずれに相当するため、100kmの
ファイバ長の分散補償が可能であるということになる。
施形態の別の例である。実施形態例1では、フォトニッ
ク結晶11及び12の群速度が一定であるという前提で
あったが、実際には、フォトニック結晶11及び12の
群速度には大なり小なり分散があり、つまり波長に応じ
て群速度が変化する。この効果を用いても、等価的に波
長毎の遅延時間に差を付けることが可能となるものの、
これだけでは分散補償素子の寸法を十分に小さくするこ
とが難しい。即ち、この群速度分散を極端に大きく取ろ
うとすると、群速度分散そのものにもさらに分散があ
り、つまり広帯域の全域にわたって一定率の群速度変化
を得ることが難しい。そこで、この群速度分散の効果を
ある程度利用しながら、実施形態例1に関し説明した伝
播角の波長依存効果を同時に用いることにより、実施形
態例1の分散補償光回路より相乗的に素子寸法を小さく
し、しかも波長均一性の良い分散補償効果が得られる。
態例の一例であって、図6は本実施形態例の分散補償光
回路の構成を示す模式的ブロック図である。実施形態例
1を構成する2つのフォトニック結晶11及び12とそ
れぞれ同様のフォトニック結晶61及び62を基板63
の上に形成し、フォトニック結晶61とフォトニック結
晶62の間にさらに別のフォトニック結晶68(図6で
は4個のみ図示)を入射側に、フォトニック結晶69
(図6では4個のみ図示)を出射側に形成する。
2波に分岐する機能を有す。また、フォトニック結晶6
9は、フォトニック結晶68と全く同じものを左右対称
に配置したものであり、2波を合流させる機能を有す
る。フォトニック結晶68により2波に分岐した信号光
のうち一方を受光部66に導入し、もう一方は透過する
構成とする。また、発光部67から出射された信号光
は、フォトニック結晶69により先の透過光と合流され
てフォトニック結晶62に導入される。
ルを有する入射光64は、フォトニック結晶61により
各チャンネル毎に別のフォトニック結晶68に入射し、
それぞれ別の受光部66で電気信号に変換される。ま
た、透過光も同じくそれぞれ別に発光部67により信号
挿入されてフォトニック結晶62により全てのチャンネ
ルからの光信号が合流されて一本の出射光65となって
外部に出射される。
間波長間隔は、1nmであり、受光部66あるいは発光
部67の間隔を160μmとすると、フォトニック結晶
61あるいはフォトニック結晶62の横幅は3mmとな
る。
た分散補償の効果が同時にある。図6では、分かりやす
くするために波長λ1からλ4までのフォトニック結晶
61内での光線間隔を大きく示しているが、実際には3
°間隔でよい。したがって、全てのチャンネル光を傾斜
角70度付近に設定すれば、各チャンネルの光信号に対
し最大1nmの波長幅に対する分散補償が可能となる。
実際にはチャンネル間波長差が1nmであるから、波長
幅は0.5nm以下に抑えられており、フォトニック結
晶68あるいは69内を伝播する光信号の光線幅は80
μm以下であり、受光部66あるいは発光部67の寸法
は80μm以上であれば良い。
は、基板63上に受光素子あるいは半導体レーザ素子を
集積しても良いし、斜めに反射する機構を設けて外部に
受光素子あるいは半導体レーザ素子を配置しても良い。
トニック結晶を用いたが、3つ以上のフォトニック結晶
を用いたり、フォトニック結晶の間に別の結晶を挿入し
たりしても同様の効果が期待できる。また、入射光の中
心波長を1.5μmとしたが、フォトニック結晶の設計
次第でこの波長を変更することは容易に可能である。ま
た、実施形態例では、基板をシリコンとしたが、インジ
ウムリンやガリウムリンなどの化合物半導体材料でも実
現可能である。また、ここでは短波長ほど伝播遅延が生
じる構成としたが、逆に長波長ほど伝播遅延が生じるよ
うるに設計することも容易に可能である。
播速度の波長依存を補償する分散補償素子において、波
長に対する強い伝播角依存性を有するフォトニック結晶
を対称配置し、波長による光路長変化とフォトニック結
晶の有する遅い群速度の効果により、小さな寸法、挿入
損失で広帯域の分散補償を実現することが可能となる。
これにより、以下の効果を奏することができる。第1の
効果は、分散補償光回路を小型・軽量化し、高集積化す
ることができる。その理由は、光導波路に必要な曲率半
径の制限がなく、現状のLSI作製工程に使用されてい
るリソグラフィー技術を応用可能であるからである。第
2の効果は、生産性の向上である。その理由は、第1の
効果により、素子寸法が小さくなり、同一面積のウエハ
から生産できる素子数が多くなるからである。また、フ
ァイバなど個別光学部品の実装に伴う位置合わせ工程が
不要となることによっても、生産性が向上する。第3の
効果は、特性安定性の向上である。その理由は、素子寸
法を小さくできることにより、機械的振動の影響が少な
くなり、また素子温度の管理が容易になるためである。
本発明に係わる分散補償光回路を適用することにより、
低い生産コストで良好な分散補償素子を実現することが
できる。
補償光回路の構成を示すブロック図である。
子の構成を示す模式図である。
模式図である。
ック結晶及びシリコン半導体の内部伝播光のCCD観測
像を示す図面である。
依存性を示す図面である。
引き出し、挿入機能を有する波長多重通信を可能とする
分散補償光回路の構成を示すブロック図である。
Claims (8)
- 【請求項1】 信号光の光ファイバ中の伝播速度の波長
依存を補償する分散補償光回路であって、 波長に強く依存して入射光を大きく屈折させる機能を有
し、光の進行方向に直列に配置された複数個のフォトニ
ック結晶を備え、 複数個のフォトニック結晶のうち隣合う各2個のフォト
ニック結晶は、その構造が各2個のフォトニック結晶の
中間点を通り光の進行方向に交差する対称軸に関し対称
に形成され、かつ対称軸に関し対称に配置され、 信号光は、信号光が先頭のフォトニック結晶内を伝播す
る際、信号光の波長に応じて大きく屈折するように設定
された入射角で、先頭のフォトニック結晶に入射するよ
うにしたことを特徴とする分散補償光回路。 - 【請求項2】 フォトニック結晶の有する大きな群速度
分散との相乗効果を利用して、信号光の光ファイバ中の
伝播速度の波長依存を補償することを特徴とする請求項
1に記載の分散補償光回路。 - 【請求項3】 波長多重通信システムで複数の波長チャ
ンネルに信号を分割して伝送する際、各チャンネル毎に
信号の波長分散をそれぞれ補償する分散補償光回路であ
って、 波長に強く依存して入射光を大きく屈折させる機能を有
し、光の進行方向に直列に配置された複数個のフォトニ
ック結晶を備え、 複数個のフォトニック結晶のうち隣合う各2個のフォト
ニック結晶は、その構造が各2個のフォトニック結晶の
中間点を通り光の進行方向に交差する対称軸に関し対称
に形成され、かつ対称軸に関し対称に配置され、 信号光は、信号光が先頭のフォトニック結晶内を伝播す
る際、信号光の波長に応じて大きく屈折するように設定
された入射角で、先頭のフォトニック結晶に入射するよ
うにし、 隣合う各2個のフォトニック結晶であって、入射端に近
い方の第1のフォトニック結晶と出射端に近い方の第2
のフォトニック結晶の間で、各チャンネル毎に、光の進
行方向に直列に配置された第3及び第4のフォトニック
結晶を備え、 第3のフォトニック結晶は、光信号を分岐する機能を有
して第1のフォトニック結晶の光出射側に配置され、第
4のフォトニック結晶は、光信号を合流させる機能を有
して第2のフォトニック結晶の光入射側に配置され、 波長多重通信での分散補償機能と、信号引き出し、挿入
(アドドロップ)機能を同時に行うことを特徴とする分
散補償光回路。 - 【請求項4】 第3のフォトニック結晶と第4のフォト
ニック結晶との間に、受光部と発光部とを備えているこ
とを特徴とする請求項3に記載の分散補償光回路。 - 【請求項5】 受光部が受光素子、及び、発光部が半導
体レーザ素子であることを特徴とする請求項4に記載の
分散補償光回路。 - 【請求項6】 入射光の波長分布が1.5μm 帯である
ことを特徴とする請求項1から5のうちのいずれか1項
に記載の分散補償光回路。 - 【請求項7】 フォトニック結晶は、酸化ケイ素中にシ
リコンよりなる円柱を所定ピッチの三角格子状で周期的
に配置したものであることを特徴とする請求項1から6
のうちのいずれか1項に記載の分散補償光回路。 - 【請求項8】 基板は不純物濃度の低い高抵抗シリコン
単結晶基板で形成されていることを特徴とする請求項1
から7のうちのいずれか1項に記載の分散補償光回路。
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JP02126099A JP3348431B2 (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | 分散補償光回路 |
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