JP2000223818A - Manufacture of multi-layered wiring board - Google Patents

Manufacture of multi-layered wiring board

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JP2000223818A
JP2000223818A JP1913099A JP1913099A JP2000223818A JP 2000223818 A JP2000223818 A JP 2000223818A JP 1913099 A JP1913099 A JP 1913099A JP 1913099 A JP1913099 A JP 1913099A JP 2000223818 A JP2000223818 A JP 2000223818A
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electroless plating
organic resin
plating layer
resin insulating
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耕三 山崎
Osamu Hisada
修 久田
Katsuhiko Hasegawa
勝彦 長谷川
Naoki Kito
直樹 鬼頭
Satoshi Hirano
平野  聡
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To effectively prevent an electrolytic plating layer from swelling and electrolytic plating layers from short-circuiting by improving the adhesiveness between an electroless plating layer formed on a roughened surface of the organic resin insulating layer of a wiring substrate and a plating resist layer formed on the electroless plating layer. SOLUTION: The surface of the organic resin insulating layer is roughened to Rz=X μm 10-point mean roughness (Rz) prescribed by JIS-B-0601 and on the organic resin insulating layer which is thus roughened, an electroless plating layer 4 of Y μm in thickness is formed. At this time, the thickness of the electroless plating layer is so set that Y <= X/3 and then the surface roughness of the electroless plating layer is equalized to that of the organic resin insulating layer. Consequently, sufficient adhesion between the plating resist and electroless plating layer is obtained to effectively prevent the plating resist layer from floating or peeling.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば基板表面に
無電解メッキ層および電解メッキ層からなる配線層を有
する多層配線基板の製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer wiring board having a wiring layer composed of, for example, an electroless plating layer and an electrolytic plating layer on a substrate surface.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、例えば絶縁基板上に有機樹脂
絶縁層と配線層とを交互に積層して形成した多層配線基
板が知られている。有機樹脂絶縁層の表面に配線層を形
成する場合には、粗化した有機樹脂絶縁層の表面に、セ
ミアディティブ法により配線層を形成する手法が知られ
ている。セミアディティブ法による配線層の形成方法
は、主に以下の工程からなる。 有機樹脂絶縁層の表面に無電解メッキによりの無電解
メッキ層を形成する。 前記無電解メッキ層上に、所定パターンの開口部を有
するメッキレジスト層を形成する。 前記パターンの開口部に対応した無電解メッキ層上
に、電解メッキにより電解メッキ層を形成する。 前記メッキレジスト層を除去する。 メッキレジスト層を除去した箇所に対応する余分な無
電解メッキ層をエッチング除去することにより、配線層
を形成する。
2. Description of the Related Art Conventionally, there has been known a multilayer wiring board formed by alternately laminating organic resin insulating layers and wiring layers on an insulating substrate, for example. When forming a wiring layer on the surface of an organic resin insulating layer, a method of forming a wiring layer on the roughened surface of the organic resin insulating layer by a semi-additive method is known. The method of forming a wiring layer by the semi-additive method mainly includes the following steps. An electroless plating layer is formed on the surface of the organic resin insulating layer by electroless plating. A plating resist layer having a predetermined pattern of openings is formed on the electroless plating layer. An electrolytic plating layer is formed by electrolytic plating on the electroless plating layer corresponding to the opening of the pattern. The plating resist layer is removed. A wiring layer is formed by etching and removing an unnecessary electroless plating layer corresponding to a portion where the plating resist layer has been removed.

【0003】また、この従来の多層配線基板において
は、有機樹脂絶縁層と配線層、特に、上述したセミアデ
ィティブ法においては、無電解メッキ層との密着性を挙
げるために、有機樹脂絶縁層の表面は十分に粗化されて
いる必要がある。したがって、無電解メッキ層を形成す
る前に予め有機樹脂絶縁層の表面を十分に粗化してお
き、この上に無電解メッキを施すという手法が採用され
る。
Further, in this conventional multilayer wiring board, the organic resin insulating layer and the wiring layer, in particular, in the above-described semi-additive method, the organic resin insulating layer is formed in order to improve the adhesiveness with the electroless plating layer. The surface must be sufficiently roughened. Therefore, a method is adopted in which the surface of the organic resin insulating layer is sufficiently roughened in advance before forming the electroless plating layer, and electroless plating is performed thereon.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、有機樹脂絶
縁層の表面を十分に粗化されており、且つ、無電解メッ
キ層の厚さが小さいときは、無電解メッキ層は有機樹脂
絶縁層の表面の起伏に倣って形成されるので、無電解メ
ッキ層上の表面粗さは有機樹脂絶縁層の表面粗さとほぼ
同等にすることができる。したがって、電解メッキ層を
形成する際のメッキレジスト層と無電解メッキ層との密
着性がよくなり、電解メッキ層の膨れ等を防止できる。
When the surface of the organic resin insulating layer is sufficiently roughened and the thickness of the electroless plating layer is small, the electroless plating layer is formed of the organic resin insulating layer. Since it is formed following the undulation of the surface, the surface roughness on the electroless plating layer can be made substantially equal to the surface roughness of the organic resin insulating layer. Therefore, the adhesion between the plating resist layer and the electroless plating layer when forming the electrolytic plating layer is improved, and swelling of the electrolytic plating layer can be prevented.

【0005】これに対し、有機樹脂絶縁層の表面を十分
に粗化していても、その上に形成される無電解メッキ層
の厚さが大きいと、無電解メッキ層が有機樹脂絶縁層の
表面の起伏を均すように形成されるので、その上面の表
面粗度が低下する。このような無電解メッキ層の表面が
十分な粗度を有していないと、無電解メッキ層と、その
上に貼り付けたメッキレジスト層との密着性が悪くな
る。このような場合には、例えば、基板の搬送途中など
で、搬送ローラ等に接触した際などに、メッキレジスト
層と無電解メッキ層との間で部分的に浮きや剥がれが生
じてしまうことがある。
On the other hand, even if the surface of the organic resin insulating layer is sufficiently roughened, if the thickness of the electroless plating layer formed thereon is large, the electroless plating layer is Is formed so as to level the undulations, so that the surface roughness of the upper surface thereof is reduced. If the surface of such an electroless plating layer does not have a sufficient roughness, the adhesion between the electroless plating layer and the plating resist layer attached thereon becomes poor. In such a case, for example, during the transfer of the substrate or the like, when it comes into contact with a transfer roller or the like, partial lifting or peeling may occur between the plating resist layer and the electroless plating layer. is there.

【0006】このような浮きや剥がれがあると、本来電
解メッキ層が形成されてはならない部分にも電解メッキ
層が形成されてしまうことになる。このように形成され
た電解メッキ層は、後のエッチング工程では十分に除去
されないため、配線層間の絶縁不良やショートの原因と
なる。
[0006] If there is such a floating or peeling, the electrolytic plating layer is formed also in a portion where the electrolytic plating layer should not be formed. The electrolytic plating layer thus formed is not sufficiently removed in a later etching step, and causes insulation failure or short circuit between wiring layers.

【0007】本発明は上記欠点に鑑み、案出されたもの
であり、その目的は有機樹脂絶縁層と配線層とを交互に
多層に積層してなる多層配線基板であって、前記無電解
メッキ層上の表面粗さを有機樹脂絶縁層の表面粗さと同
等にし、メッキレジスト層の浮きや剥がれを防止するこ
とにより、不要な電解メッキ層の形成を防止し、さらに
は、配線層間のショート等の不具合を防止することによ
って所望する特性が十分に発揮される多層配線基板を提
供することにある。
The present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks, and has as its object to provide a multilayer wiring board comprising an organic resin insulating layer and a wiring layer alternately laminated in a multilayer. The surface roughness on the layer is made equal to the surface roughness of the organic resin insulation layer, preventing floating and peeling of the plating resist layer, preventing the formation of unnecessary electrolytic plating layers, and furthermore, short-circuiting between wiring layers, etc. It is an object of the present invention to provide a multilayer wiring board in which desired characteristics can be sufficiently exhibited by preventing the above problems.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の請求項1の発明は、絶縁基板上に有機樹脂絶縁層と配
線層とを交互に積層してなる多層配線基板の製造方法で
あって、有機樹脂絶縁層の表面粗さがJIS−B−06
01に規定の十点平均粗さ(Rz)でRz=Xμmに粗
化する粗化工程と、前記粗化された有機樹脂絶縁層の上
面に無電解メッキにより厚さYμmの無電解メッキ層を
形成する工程と、前記無電解メッキ層上に、所定パター
ンの開口部を有するメッキレジスト層を形成する工程
と、前記パターンの開口部に対応した無電解メッキ層上
に、電解メッキにより電解メッキ層を形成する工程と、
前記メッキレジスト層を除去する工程と、前記メッキレ
ジスト層を除去した箇所に対応する余分な無電解メッキ
層を除去することにより、配線層を形成するエッチング
工程と、を含み、粗化工程後の有機樹脂絶縁体層の表面
粗さ(Rz=Xμm)と無電解メッキ層の厚さY(μ
m)とは、Y≦X/3であることを特徴とする多層配線
基板の製造方法を要旨とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a multilayer wiring board comprising an organic resin insulating layer and a wiring layer alternately laminated on an insulating substrate. The surface roughness of the organic resin insulating layer is JIS-B-06
A roughening step of roughening to Rz = X μm with a ten-point average roughness (Rz) specified in No. 01, and forming an electroless plating layer having a thickness of Y μm on the upper surface of the roughened organic resin insulating layer by electroless plating. Forming, a step of forming a plating resist layer having an opening of a predetermined pattern on the electroless plating layer, and forming an electrolytic plating layer on the electroless plating layer corresponding to the opening of the pattern by electrolytic plating. Forming a;
Including a step of removing the plating resist layer, and an etching step of forming a wiring layer by removing an extra electroless plating layer corresponding to a place where the plating resist layer is removed, after the roughening step. The surface roughness (Rz = X μm) of the organic resin insulator layer and the thickness Y (μm) of the electroless plating layer
m) is a summary of a method for manufacturing a multilayer wiring board, wherein Y ≦ X / 3.

【0009】本発明によれば、有機樹脂絶縁層の表面を
十分に粗化した後、その上に十分薄い無電解メッキ層が
形成されるので、無電解メッキ層が有機樹脂絶縁層の表
面の起伏に倣って形成され、無電解メッキ層の上面の粗
度も上記粗化した有機樹脂絶縁層の表面の粗度と同等に
することができる。したがって、無電解メッキ層とメッ
キレジスト層との密着強度を低下させることがないの
で、電解メッキ層を所望のパターンに正確に形成するこ
とができる。したがって、その後形成される配線層間の
絶縁不良やショートなどの不具合を確実に防止できる。
According to the present invention, a sufficiently thin electroless plating layer is formed on the surface of the organic resin insulating layer after the surface of the organic resin insulating layer is sufficiently roughened. The roughness of the upper surface of the electroless plating layer can be made equal to the roughness of the roughened organic resin insulating layer. Therefore, since the adhesion strength between the electroless plating layer and the plating resist layer is not reduced, the electrolytic plating layer can be accurately formed in a desired pattern. Therefore, it is possible to reliably prevent a defect such as a defective insulation or a short circuit between wiring layers formed thereafter.

【0010】なお、有機樹脂絶縁層は、完全に硬化され
ず、半硬化の有機樹脂前駆体層状態でその表面を粗化し
てもよい。このようにすると、有機樹脂絶縁層が粗化さ
れ易く、その表面の粗度を容易に増すことができる。半
硬化の程度とすれば、有機樹脂前駆体層が粗化処理にあ
る程度耐えうる程度の硬化させておけばよく、有機樹脂
の材質に応じて、所定の温度で所定の時間の加熱すれば
よいが、例えば、70℃〜180℃で、0.5〜2時間
の加熱すればよい。
The surface of the organic resin insulating layer may be roughened in a semi-cured organic resin precursor layer state without being completely cured. In this case, the organic resin insulating layer is easily roughened, and the roughness of the surface can be easily increased. If it is a degree of semi-curing, the organic resin precursor layer may be cured to a degree that can withstand the roughening treatment to some extent, and may be heated at a predetermined temperature for a predetermined time depending on the material of the organic resin. However, for example, heating may be performed at 70 ° C. to 180 ° C. for 0.5 to 2 hours.

【0011】さらに、請求項2の発明は、前記無電解メ
ッキ層の厚さ(μm)が、0.3≦Y≦X/3であるこ
とを特徴とする請求項1に記載の多層配線基板の製造方
法を要旨とする。
Further, the invention according to claim 2 is characterized in that the thickness (μm) of the electroless plating layer satisfies 0.3 ≦ Y ≦ X / 3. The gist is the manufacturing method of

【0012】本発明では、無電解メッキ層の厚さが0.
3μm以上であるので、無電解メッキにより、基板表面
を確実に覆うことができる。その為、後に電解メッキを
行っても、形成される配線層にピンホール(図8参照)
を生じることがない。
[0012] In the present invention, the thickness of the electroless plating layer is 0.1 mm.
Since it is 3 μm or more, the substrate surface can be reliably covered by electroless plating. Therefore, even if electrolytic plating is performed later, a pinhole is formed in the formed wiring layer (see FIG. 8).
Does not occur.

【0013】本発明の絶縁基板の材料としては、例え
ば、ガラス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹脂を含浸さ
せたガラスエポキシ樹脂や、酸化アルミニウム質焼結
体、ムライト質焼結体等の酸化物系セラミック、あるい
は、表面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム焼結体、
炭化珪素質焼結体等の非酸化物系セラミック等の電気絶
縁材料でできている。また、金属基板の表面に絶縁樹脂
をコーティングしたものなども用いることができる。な
お、これに限らず、公知の絶縁材料も適宜用いることが
できる。
The material of the insulating substrate of the present invention is, for example, a glass epoxy resin obtained by impregnating a glass fiber woven cloth with an epoxy resin, or an oxide-based material such as an aluminum oxide-based sintered product or a mullite-based sintered product. Ceramic, or aluminum nitride sintered body having an oxide film on the surface,
It is made of an electrically insulating material such as a non-oxide ceramic such as a silicon carbide sintered body. Alternatively, a metal substrate whose surface is coated with an insulating resin or the like can be used. Note that the invention is not limited thereto, and a known insulating material can be used as appropriate.

【0014】本発明のメッキレジスト層の材料として
は、例えば、感光性エポキシ樹脂等の感光性樹脂が好適
である。すなわち、この感光性樹脂に対して、露光現像
等の処理を行うことにより、所望の開口を有するレジス
トパターン、すなわち、形成する配線パターンの周囲を
形成するいわゆるネガパターンを形成することができ
る。
As a material of the plating resist layer of the present invention, for example, a photosensitive resin such as a photosensitive epoxy resin is preferable. That is, by performing a process such as exposure and development on the photosensitive resin, a resist pattern having a desired opening, that is, a so-called negative pattern that forms a periphery of a wiring pattern to be formed can be formed.

【0015】なお、感光性樹脂を基板表面に配置する方
法としては、感光性樹脂をスクリーン印刷やスピンコー
ト等により塗布する方法や、感光性樹脂からなる感光性
フィルムを貼り付ける方法が採用できる。
As a method of disposing the photosensitive resin on the substrate surface, a method of applying the photosensitive resin by screen printing or spin coating, or a method of attaching a photosensitive film made of the photosensitive resin can be adopted.

【0016】前記配線層の種類としては、銅、アルミニ
ウム、ニッケル、金、銀等の導電性を有する金属からな
る配線層が挙げられるので、無電解メッキ層や電解メッ
キ層は、これらの配線に用いられる金属から構成されて
いる。また、長距離配線層には銅、短距離配線層にはア
ルミニウムを用いるなど、用途に応じて金属を変えて配
線層を形成することも可能である。また、例えば、最上
層は銅により配線層を形成し、内部層はアルミニウムに
より配線層を形成するなど、層によって金属を変えるこ
とも可能である。
The type of the wiring layer includes a wiring layer made of a conductive metal such as copper, aluminum, nickel, gold, and silver. It is composed of the metal used. Further, it is also possible to form the wiring layer by changing the metal according to the application, such as using copper for the long distance wiring layer and aluminum for the short distance wiring layer. Further, for example, the metal can be changed depending on the layer, for example, a wiring layer is formed of copper as the uppermost layer and a wiring layer is formed of aluminum as the inner layer.

【0017】また、前記無電解メッキを行う場合には、
その前処理として、無電解メッキ層を形成する部分、す
なわち、有機樹脂絶縁層の表面に対して、無電解メッキ
の成長核(Pd、Au等)を付着させておく方法が採用
できる。
Further, when performing the electroless plating,
As a pretreatment, a method of attaching growth nuclei (Pd, Au, etc.) of electroless plating to a portion where an electroless plating layer is to be formed, that is, to the surface of the organic resin insulating layer can be adopted.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を、図面
を参照しつつ説明する。本実施形態に係る多層配線基板
の製造方法では、図1〜図6に示すように、セミアディ
ティブ法により配線層7を形成して多層配線基板1を製
造する。まず、図1に示す被積層基板2を予め用意す
る。この被積層基板2は、まず、ガラスエポキシからな
る略板状のコア基板11の表裏面(図中上下面)を貫通
するスルーホールを形成する。続いて、スルーホール内
周面およびコア基板11の表裏面に、公知の手法を用い
て、配線層12を形成した後、スルホール内に樹脂を充
填する。ついで、配線層12およびコア基板11上に、
予めフィルム状に形成したエポキシ樹脂(日本ペイント
社製プロビコート:商品名)からなる有機樹脂前駆体層
30、140を貼付けることにより形成する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present embodiment, as shown in FIGS. 1 to 6, the wiring layer 7 is formed by a semi-additive method to manufacture the multilayer wiring board 1. First, the laminated substrate 2 shown in FIG. 1 is prepared in advance. The laminated substrate 2 first forms through holes that penetrate the front and back surfaces (upper and lower surfaces in the figure) of a substantially plate-shaped core substrate 11 made of glass epoxy. Subsequently, the wiring layer 12 is formed on the inner peripheral surface of the through hole and the front and back surfaces of the core substrate 11 by a known method, and then the resin is filled in the through hole. Then, on the wiring layer 12 and the core substrate 11,
The organic resin precursor layers 30 and 140 made of an epoxy resin (Provicoat: trade name, manufactured by Nippon Paint Co., Ltd.) previously formed in a film shape are attached to the film.

【0019】次いで、この有機樹脂前駆体層30、14
0を80℃で15分間の加熱処理を施した後、図示しな
いマスクを配して露光し、その後、さらに80℃で45
分間の加熱処理を行って半硬化状態にする。さらに、半
硬化状態とされた有機樹脂前駆体層30、140に対
し、現像を行い、有機樹脂絶縁前駆体層30、140に
ビア導体を形成するためのビアホール13を複数形成
し、乾燥工程を経て、被積層基板2を形成する。
Next, the organic resin precursor layers 30, 14
After performing a heat treatment at 80 ° C. for 15 minutes, a mask (not shown) is provided for exposure, and then a further 45 ° C. at 80 ° C.
A heat treatment is performed for a minute to obtain a semi-cured state. Furthermore, the semi-cured organic resin precursor layers 30, 140 are developed to form a plurality of via holes 13 for forming via conductors in the organic resin insulating precursor layers 30, 140, and a drying step is performed. After that, the laminated substrate 2 is formed.

【0020】なお、ビアホール13を形成するための現
像工程は、基板を水平に保持した状態で行う。このよう
にすると、例えば垂直に保持した場合のようにビアホー
ルが異形に形成されることがなく、基板表面に対し垂直
方向(深さ方向)に良好に形成される。ただし、水平に
保持して現像を行う場合には、基板の上面と下面におい
て現像の進行に若干の差が生じてしまう。すなわち、基
板の上面には現像液Sや溶け出した樹脂等が溜り易く、
形成途中のビアホールの底面に新しい現像液Sが供給さ
れにくい(図7参照)。
The development process for forming the via hole 13 is performed with the substrate held horizontally. In this case, for example, the via hole is not formed in an irregular shape unlike the case where the via hole is held vertically, but is formed well in the vertical direction (depth direction) with respect to the substrate surface. However, when the development is performed while being held horizontally, there is a slight difference in the progress of the development between the upper surface and the lower surface of the substrate. That is, the developer S, the melted-out resin and the like easily accumulate on the upper surface of the substrate,
It is difficult to supply a new developing solution S to the bottom of the via hole being formed (see FIG. 7).

【0021】これに対し、下面においては、重力により
古い現像液Sや溶け出した樹脂等はすぐに除去され、形
成途中のビアホールの底面には常に新しい現像液Sが供
給される。このような上面と下面との現像の進行のバラ
ツキを防止するために、現像工程の途中で少なくとも1
回基板の上下面を反転させるとよい。この上下面反転工
程は、複数回行ってもよいが、上下面を均一に現像する
ためには、奇数回の反転が好ましい。また、上下面の反
転と同時に左右の向き等を変えると、現像液Sの当たり
のバラツキも防止できるので、より好適である。
On the other hand, on the lower surface, the old developing solution S, the melted resin and the like are immediately removed by gravity, and a new developing solution S is always supplied to the bottom surface of the via hole being formed. In order to prevent such a variation in the progress of development between the upper surface and the lower surface, at least one
It is preferable that the upper and lower surfaces of the round substrate are inverted. This upper and lower surface inversion step may be performed a plurality of times, but in order to uniformly develop the upper and lower surfaces, an odd number of inversions is preferable. Further, it is more preferable to change the left and right directions and the like at the same time as the inversion of the upper and lower surfaces because variation in the contact of the developer S can be prevented.

【0022】図2(a)は、被積層基板2のうち、図中
上側に形成された有機樹脂前駆体層30の部分拡大図で
ある。次に、図2(b)に示すように、粗化工程におい
て、過マンガン酸カリウムを含む溶液を用いて、有機樹
脂前駆体層30の表面30Aの粗化を行う。有機樹脂前
駆体層30は、完全には硬化されていない、半硬化の状
態であるので粗化が極めて良好に行える。有機樹脂前駆
体層30の表面30Aの粗化後の表面粗さは、JIS−
B−0601に規定の十点平均粗さ(Rz)でRz=約
3μmである。なお、ここでは図示しなかったが、ビア
ホール13の内壁も同時に粗化される。このように半硬
化状態の有機樹脂前駆体層30に対して粗化処理したの
で、後に、この上に配置される配線層や有機樹脂絶縁層
とのアンカー効果による密着強度が高くなる。
FIG. 2A is a partially enlarged view of the organic resin precursor layer 30 formed on the upper side in the drawing of the substrate 2 to be laminated. Next, as shown in FIG. 2B, in a roughening step, the surface 30A of the organic resin precursor layer 30 is roughened using a solution containing potassium permanganate. Since the organic resin precursor layer 30 is not completely cured and is in a semi-cured state, it can be roughened very well. The surface roughness of the surface 30A of the organic resin precursor layer 30 after roughening is determined according to JIS-
Rz = about 3 μm at a ten-point average roughness (Rz) specified in B-0601. Although not shown here, the inner wall of the via hole 13 is also roughened at the same time. Since the semi-cured organic resin precursor layer 30 is subjected to the roughening treatment in this manner, the adhesion strength to the wiring layer and the organic resin insulating layer disposed thereon due to the anchor effect is increased.

【0023】次に、無電解銅メッキを施し、図3(a)
に示すように、厚さ0.7μmの無電解メッキ層4を形
成する。無電解メッキ層4の厚さは、有機樹脂前駆体層
30の表面30Aの十点平均粗さ(Rz=3μm)より
も十分に小さいので、無電解メッキ層4の表面4Aで
も、有機樹脂絶縁層30の表面30Aと同程度の凹凸が
得られる。なお、ここでは図示しないが、無電解メッキ
層4はビアホール13の内壁およびビアホール13の底
面に露出した配線層12の表面にも形成される。また、
無電解メッキ層の厚みは、0.3μm以上である0.7
μmとしたので、有機樹脂前駆体層30のほぼ全面を被
覆することができ、0.3μm未満にした場合のように
部分的な無電解メッキ層の欠落(ピンホール)を生じる
ことがない。
Next, electroless copper plating is performed, and FIG.
As shown in FIG. 1, an electroless plating layer 4 having a thickness of 0.7 μm is formed. The thickness of the electroless plating layer 4 is sufficiently smaller than the ten-point average roughness (Rz = 3 μm) of the surface 30A of the organic resin precursor layer 30. Asperities similar to the surface 30A of the layer 30 are obtained. Although not shown here, the electroless plating layer 4 is also formed on the inner wall of the via hole 13 and the surface of the wiring layer 12 exposed on the bottom surface of the via hole 13. Also,
The thickness of the electroless plating layer is 0.3 μm or more and 0.7
Since the thickness is set to μm, almost the entire surface of the organic resin precursor layer 30 can be covered, and there is no partial loss of the electroless plating layer (pinhole) unlike the case where the thickness is set to less than 0.3 μm.

【0024】次に、無電解メッキ層4の表面4Aにドラ
イフィルムを貼付け、所定のパターンを用いて露光・現
像し、図3(b)に示すように、配線層を形成しない場
所にレジスト膜5を形成する。その後、電解メッキを施
し、図3(c)に示すように、レジスト膜5から露出し
た無電解メッキ層4の表面4A上に、厚さ20μmの電
解メッキ層6を形成する。電解メッキ層6形成後、強ア
ルカリ(NaOH水溶液)でレジスト膜5を剥離する。
Next, a dry film is adhered to the surface 4A of the electroless plating layer 4, exposed and developed using a predetermined pattern, and a resist film is formed at a place where no wiring layer is formed as shown in FIG. 5 is formed. Thereafter, electrolytic plating is performed to form an electrolytic plating layer 6 having a thickness of 20 μm on the surface 4A of the electroless plating layer 4 exposed from the resist film 5, as shown in FIG. After the formation of the electrolytic plating layer 6, the resist film 5 is peeled off with a strong alkali (NaOH aqueous solution).

【0025】ここで、150℃で120分間の加熱処理
を施す。この加熱処理により、有機樹脂前駆体層30は
完全に硬化し、有機樹脂絶縁体層3となる(完全硬化工
程)。次に、硫酸ナトリウム系のエッチング液を、露出
した無電解メッキ層4および電解メッキ層6に噴射し
て、90秒間のエッチングを行い(クイックエッチング
工程)、図4(a)に示すように、不要な無電解メッキ
層4を除去して、配線層7、7を形成する。
Here, a heat treatment is performed at 150 ° C. for 120 minutes. By this heat treatment, the organic resin precursor layer 30 is completely cured and becomes the organic resin insulator layer 3 (complete curing step). Next, a sodium sulfate-based etchant is sprayed onto the exposed electroless plating layer 4 and the electrolytic plating layer 6 to perform etching for 90 seconds (quick etching step), and as shown in FIG. Unnecessary electroless plating layer 4 is removed to form wiring layers 7,7.

【0026】無電解メッキ層4の厚みは、0.9μm以
下である0.7μmに十分に薄くしたため、無電解メッ
キ層4のエッチングに要する時間を短くすることができ
るため、電解メッキ層6が過度にエッチングされること
がない。したがって、配線層7の幅や厚みが極端に小さ
くなって配線層7の抵抗値が上がったり、配線層7に断
線が生じたりすることがない。
Since the thickness of the electroless plating layer 4 is sufficiently reduced to 0.7 μm, which is 0.9 μm or less, the time required for etching the electroless plating layer 4 can be shortened. There is no excessive etching. Therefore, the width and the thickness of the wiring layer 7 are not extremely reduced, so that the resistance value of the wiring layer 7 does not increase and the wiring layer 7 is not disconnected.

【0027】また、有機樹脂前駆体層30を完全硬化さ
せるための加熱処理を無電解メッキ層6を形成した後で
行ったので、無電解メッキ層4も加熱処理される。これ
により、無電解メッキ層4のエッチング速度が、被積層
基板2内でほぼ均一になる。したがって、局部的にエッ
チング不足が発生することがない。さらに、上記加熱処
理は、電解メッキ層6が形成された後で行われるので、
電解メッキ層6も加熱処理される。したがって、電解メ
ッキ層6が局部的にオーバーエッチングになることもな
い。これは、加熱処理により、無電解メッキ層4および
電解メッキ層6の金属粒子(銅粒子)の配列が均一にな
るため、エッチング速度が均一化されるためと推察され
る。
Since the heat treatment for completely curing the organic resin precursor layer 30 is performed after forming the electroless plating layer 6, the electroless plating layer 4 is also heat-treated. Thereby, the etching rate of the electroless plating layer 4 becomes substantially uniform in the laminated substrate 2. Therefore, insufficient etching does not occur locally. Further, since the heat treatment is performed after the electrolytic plating layer 6 is formed,
The electrolytic plating layer 6 is also heat-treated. Therefore, the electrolytic plating layer 6 is not locally over-etched. This is presumably because the heat treatment makes the arrangement of the metal particles (copper particles) of the electroless plating layer 4 and the electrolytic plating layer 6 uniform, thereby making the etching rate uniform.

【0028】ただし、無電解メッキ層4のエッチング工
程の際に、有機樹脂絶縁層3の上に残渣4Bが残る場合
がある。これを、過マンガン酸カリウムを含む樹脂エッ
チング液により、80℃で1分間の樹脂エッチングを行
い、図4(b)に示すように配線層7、7間に露出した
有機樹脂絶縁層3の表層部分を、深さ4μm樹脂エッチ
ングする。この樹脂エッチングにより、無電解メッキ層
4の残渣4Bを除去することができる。
However, during the step of etching the electroless plating layer 4, a residue 4B may remain on the organic resin insulating layer 3. This is subjected to resin etching at 80 ° C. for 1 minute with a resin etching solution containing potassium permanganate, and as shown in FIG. 4B, the surface layer of the organic resin insulating layer 3 exposed between the wiring layers 7, 7. The portion is resin etched to a depth of 4 μm. By this resin etching, the residue 4B of the electroless plating layer 4 can be removed.

【0029】また、上記では、樹脂エッチングする深さ
を1μm以上の4μmとしたので、リーク不良の原因と
なる不要な無電解メッキ層4の残渣4Bを確実に除去す
ることができる。さらに、7μm以下の4μmだけ樹脂
エッチングしたので、有機樹脂絶縁層3が大きくエッチ
ングされることがないから、有機樹脂絶縁層30と配線
層7との密着強度を高く維持することができ、また、配
線層7、7間の有機樹脂絶縁層3の表面粗度が著しく低
下することがないので、有機樹脂絶縁層3と後でこの上
に積層する有機樹脂絶縁層との密着強度も高く維持する
ことができる。
Further, in the above description, since the resin etching depth is set to 1 μm or more and 4 μm, unnecessary residues 4 B of the electroless plating layer 4 which cause a leak failure can be surely removed. Further, since the resin is etched only by 4 μm of 7 μm or less, the organic resin insulating layer 3 is not greatly etched, so that the adhesion strength between the organic resin insulating layer 30 and the wiring layer 7 can be maintained high. Since the surface roughness of the organic resin insulating layer 3 between the wiring layers 7 and 7 does not significantly decrease, the adhesion strength between the organic resin insulating layer 3 and an organic resin insulating layer to be laminated thereon later is also kept high. be able to.

【0030】さらに、過マンガン酸カリウムを含む樹脂
エッチング液を用いているので、有機樹脂絶縁層3の表
面3Aを適度に樹脂エッチングすることができ、その調
整が容易である。また、半硬化の有機樹脂前駆体層30
を粗化した液と同じ液を用いて樹脂エッチングするの
で、樹脂エッチング後の粗化状態が、樹脂エッチング前
のそれに近いので、良好な粗化状態を保つことができ
る。
Further, since the resin etching solution containing potassium permanganate is used, the surface 3A of the organic resin insulating layer 3 can be appropriately etched with the resin, and the adjustment thereof is easy. The semi-cured organic resin precursor layer 30
Since the resin is etched using the same liquid as the roughened liquid, the roughened state after the resin etching is close to that before the resin etching, so that a good roughened state can be maintained.

【0031】次に、配線層の粗化工程において、亜塩素
酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、リン酸三ナトリウム
の混液により黒化処理し、図4(c)に示すように、配
線層7の表面7Aを酸化して粗化する。この粗化工程
(黒化処理)により、配線層7と後でこの上に積層する
有機樹脂絶縁層との密着強度を高くすることができる。
Next, in the roughening step of the wiring layer, blackening treatment is performed with a mixed solution of sodium chlorite, sodium hydroxide and trisodium phosphate, and as shown in FIG. 7A is oxidized and roughened. By this roughening step (blackening treatment), the adhesion strength between the wiring layer 7 and an organic resin insulating layer to be laminated thereon later can be increased.

【0032】次に、図5(a)に示すように、配線層7
および有機樹脂絶縁層3の上に、有機樹脂絶縁層3と同
材質のエポキシ樹脂からなるフィルム状の有機樹脂前駆
体を貼付け、80℃で15分間加熱処理して有機樹脂前
駆体層80を形成する。なお、必要に応じて、有機樹脂
前駆体層80を所定のパターンに露光し、80℃で45
分間の加熱処理をした後、現像を行い、図示しないビア
ホールを形成する。また、このビアホールにはメッキ等
により、ビア導体を形成し、ビア導体を介して、配線層
7とその上の配線層とを電気的に接続することができ
る。
Next, as shown in FIG.
A film-like organic resin precursor made of the same resin as the organic resin insulating layer 3 is adhered on the organic resin insulating layer 3 and heated at 80 ° C. for 15 minutes to form the organic resin precursor layer 80. I do. In addition, if necessary, the organic resin precursor layer 80 is exposed to a predetermined pattern,
After the heat treatment for a minute, development is performed to form a via hole (not shown). A via conductor is formed in the via hole by plating or the like, and the wiring layer 7 and the wiring layer thereover can be electrically connected via the via conductor.

【0033】次に、有機樹脂前駆体層80の表面80A
を、図5(b)に示すように、粗化する。その後、上記
工程を繰り返して、図6に示すように、配線層9を形成
し、さらに、その上にソルダーレジスト層10等を形成
して、多層配線基板1を完成させる。なお、説明を省略
したが、多層配線基板1のうち、図中下側に示す配線層
15、17、有機樹脂絶縁層16、ソルダーレジスト層
18についても、上述した手法と同様にして形成する。
また、有機樹脂前駆体層80は、上記製造過程で完全硬
化されることにより、有機樹脂絶縁層8となる。
Next, the surface 80A of the organic resin precursor layer 80
Is roughened as shown in FIG. Thereafter, the above steps are repeated to form a wiring layer 9 as shown in FIG. 6, and further a solder resist layer 10 and the like are formed thereon to complete the multilayer wiring board 1. Although not described, the wiring layers 15, 17, the organic resin insulating layer 16, and the solder resist layer 18 shown in the lower part of the figure in the multilayer wiring board 1 are also formed in the same manner as described above.
Further, the organic resin precursor layer 80 becomes the organic resin insulating layer 8 by being completely cured in the above manufacturing process.

【0034】以上のように、本実施形態の製造方法によ
れば、有機樹脂前駆体層30(有機樹脂絶縁層3)の表
面粗さが十点平均粗さ(Rz)でRz=3μmであるの
に対し、無電解メッキ層4が十分に薄い0.7μmであ
るので、無電解メッキ層の表面もその十点平均粗さ(R
z)が有機樹脂前駆体層30(有機樹脂絶縁層3)の表
面の十点平均粗さ(Rz)と同等にすることができた。
したがって、後で無電解メッキ層4上に形成されるメッ
キレジスト層5の剥がれや浮きが生じなかった。したが
って、メッキレジスト層5に形成されたパターン(開
口)に従って正確に電解メッキ層6を形成することがで
き、さらには、所望の配線層7を形成することができ
る。
As described above, according to the manufacturing method of the present embodiment, the surface roughness of the organic resin precursor layer 30 (organic resin insulating layer 3) is Rz = 3 μm in ten-point average roughness (Rz). On the other hand, since the electroless plating layer 4 has a sufficiently thin thickness of 0.7 μm, the surface of the electroless plating layer has a ten-point average roughness (R
z) was equivalent to the ten-point average roughness (Rz) of the surface of the organic resin precursor layer 30 (organic resin insulating layer 3).
Therefore, the plating resist layer 5 formed on the electroless plating layer 4 later did not peel off or float. Therefore, the electrolytic plating layer 6 can be accurately formed in accordance with the pattern (opening) formed in the plating resist layer 5, and a desired wiring layer 7 can be formed.

【0035】なお、無電解メッキ層の厚さを0.5μ
m、0.9μmとした場合についても、上記実施形態と
同様にメッキレジスト層5の剥がれや浮きが生じず、所
望の配線層を形成することができた。これに対し、無電
解メッキ層の厚さを1.2μm、1.6μm、2.0μ
mとした場合については、基板の搬送工程において、メ
ッキレジスト層の剥がれや浮きが生じ、配線層に膨れや
ショートが生じた。
The thickness of the electroless plating layer is 0.5 μm.
In the case of m and 0.9 μm, the plating resist layer 5 did not peel off or float as in the case of the above embodiment, and a desired wiring layer could be formed. On the other hand, the thickness of the electroless plating layer was set to 1.2 μm, 1.6 μm, 2.0 μm.
In the case of m, the plating resist layer was peeled or floated in the substrate transporting step, and the wiring layer was swollen or short-circuited.

【0036】また、無電解メッキ層の有機樹脂前駆体層
(有機樹脂絶縁層)の表面粗さを十点平均粗さ(Rz)
でRz=5μmとした場合については、無電解メッキ層
の厚さをそれぞれ0.5μm、0.7μm、0.9μ
m、1.2μm、1.6μmとした場合のいずれについ
ても、上記実施形態と同様にメッキレジスト層の剥がれ
や浮きが生じず、所望の配線層を形成することができ
た。これに対し、無電解メッキ層の厚さをそれぞれ1.
8μm、2.0μmとした場合については、基板の搬送
工程において、メッキレジスト層の剥がれや浮きが生
じ、配線層に膨れやショートが生じた。
Further, the surface roughness of the organic resin precursor layer (organic resin insulating layer) of the electroless plating layer is determined by calculating the ten-point average roughness (Rz).
When Rz = 5 μm, the thicknesses of the electroless plating layers are 0.5 μm, 0.7 μm and 0.9 μm, respectively.
In any of the cases of m, 1.2 μm, and 1.6 μm, the desired wiring layer could be formed without peeling or lifting of the plating resist layer as in the above embodiment. On the other hand, the thickness of the electroless plating layer was set to 1.
In the case of 8 μm and 2.0 μm, the plating resist layer was peeled or floated in the substrate transfer step, and the wiring layer was swollen or short-circuited.

【0037】以上の通り、粗化工程後の有機樹脂絶縁体
層の表面の十点平均粗さ(Rz=Xμm)と無電解メッ
キ層の厚さY(μm)とが、Y≦X/3である場合につ
いては、基板の搬送工程において、メッキレジスト層の
剥がれや浮きが生じず、所望の配線層を形成することが
できるが、Y>X/3の場合においては、メッキレジス
ト層の剥がれや浮きが生じ、配線層に膨れやショートが
生じることが分かる。
As described above, the ten-point average roughness (Rz = X μm) of the surface of the organic resin insulator layer after the roughening step and the thickness Y (μm) of the electroless plating layer satisfy Y ≦ X / 3. In the case of, the desired wiring layer can be formed without peeling or floating of the plating resist layer in the substrate transfer step, but in the case of Y> X / 3, the plating resist layer is peeled. It can be seen that a floating occurs and a swelling or short circuit occurs in the wiring layer.

【0038】また、有機樹脂前駆体層が半硬化の状態で
粗化されるので、十分に粗化され、しかも基板内での表
面粗さにバラツキが少ないので、基板全体にわたって、
配線層との十分な密着強度が得られる。また、上記実施
形態においては、配線層を、いわゆるセミアディティブ
法にて形成する場合に、無電解メッキ層を形成した後
で、有機樹脂前駆体層を完全硬化させるための加熱処理
を施すので、無電解メッキ層のエッチング工程における
基板内でのエッチング速度のバラツキもなくすことがで
きる。これは、加熱処理によって、無電解メッキ層中の
金属粒子の配列が均一になり、エッチング速度も均一化
されるものと推察される。
Further, since the organic resin precursor layer is roughened in a semi-cured state, it is sufficiently roughened, and the surface roughness in the substrate has little variation.
Sufficient adhesion strength to the wiring layer is obtained. Further, in the above embodiment, when the wiring layer is formed by the so-called semi-additive method, after forming the electroless plating layer, since the heat treatment for completely curing the organic resin precursor layer is performed, Variations in the etching rate within the substrate in the step of etching the electroless plating layer can be eliminated. This is presumed that the heat treatment makes the arrangement of the metal particles in the electroless plating layer uniform and also makes the etching rate uniform.

【0039】また、配線層を形成する際に、クイックエ
ッチングが不十分で、配線層7、7間の有機樹脂絶縁層
3上に、不要な無電解メッキ層4の残渣4Bが完全に除
去されずに残った場合でも、その後、樹脂エッチング工
程によって、これを除去できることができる。したがっ
て、配線層7、7間でリーク不良が発生することのな
い、信頼性の高い多層配線基板1を製造することができ
る(図6参照)。
When the wiring layer is formed, quick etching is insufficient, and unnecessary residues 4B of the electroless plating layer 4 are completely removed on the organic resin insulating layer 3 between the wiring layers 7, 7. Even if it remains, it can be removed by a resin etching step thereafter. Therefore, it is possible to manufacture a highly reliable multilayer wiring board 1 in which no leak failure occurs between the wiring layers 7 (see FIG. 6).

【0040】以上において、本発明を各実施形態に沿っ
て説明したが、本発明は上記実施形態に限定さえるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して
適用できることはいうまでもない。
In the above, the present invention has been described in accordance with the respective embodiments. However, it is needless to say that the present invention is not limited to the above embodiments, and can be appropriately modified and applied without departing from the gist thereof. Absent.

【0041】[0041]

【発明の効果】本発明の多層配線基板の製造方法によれ
ば、表面粗さがJIS−B−0601に規定の十点平均
粗さ(Rz)でRz=Xμmに粗化された有機樹脂絶縁
層の上面に、無電解メッキにより厚さYμmの無電解メ
ッキ層を形成し、且つ、Y≦X/3である場合において
は、無電解メッキ層の表面の十点平均粗さ(Rz)も、
有機樹脂絶縁層の表面の十点平均粗さ(Rz)と同等に
することができるので、メッキレジスト層の浮きや剥が
れが有効に防止される。したがって、配線層の膨れや配
線層間のショートが防止できる。
According to the method for manufacturing a multilayer wiring board of the present invention, the organic resin insulation whose surface roughness is roughened to Rz = X μm with ten-point average roughness (Rz) specified in JIS-B-0601. On the upper surface of the layer, an electroless plating layer having a thickness of Y μm is formed by electroless plating, and when Y ≦ X / 3, the ten-point average roughness (Rz) of the surface of the electroless plating layer is also ,
Since the surface roughness of the organic resin insulating layer can be made equal to the ten-point average roughness (Rz), floating and peeling of the plating resist layer can be effectively prevented. Therefore, swelling of the wiring layer and short circuit between the wiring layers can be prevented.

【0042】さらに、無電解メッキ層の厚さを0.3μ
m以上にしたので、ピンホール等の欠陥を生じることが
なく、電解メッキ層が良好に形成される。
Further, the thickness of the electroless plating layer is set to 0.3 μm.
Since it is set to m or more, defects such as pinholes do not occur, and the electrolytic plating layer is formed favorably.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態に係り、被積層基板の断面図
を示す。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a laminated substrate according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施形態に係る多層配線基板の製造方
法を示す図であり、(a)は被積層基板の有機樹脂前駆
体層の部分拡大図を示し、(b)は有機樹脂前駆体層の
表面を粗化した状態を示す。
2A and 2B are diagrams illustrating a method for manufacturing a multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention, wherein FIG. 2A is a partially enlarged view of an organic resin precursor layer of a substrate to be laminated, and FIG. 1 shows a state in which the surface of a body layer is roughened.

【図3】本発明の実施形態に係る多層配線基板の製造方
法に示す図であり、(a)は無電解メッキ層を形成した
状態を示し、(b)メッキレジスト層を形成した状態を
示し、(c)は電解メッキ層を形成した状態を示す。
3A and 3B are diagrams illustrating a method for manufacturing a multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention, wherein FIG. 3A illustrates a state in which an electroless plating layer is formed, and FIG. 3B illustrates a state in which a plating resist layer is formed. And (c) shows a state in which an electrolytic plating layer is formed.

【図4】本発明の実施形態に係る多層配線基板の製造方
法に示す図であり、(a)は配線層を形成した状態を示
し、(b)は配線層間の有機樹脂絶縁層の表面部分をエ
ッチングした状態を示し、(c)は配線層の表面を粗化
した状態を示す。
4A and 4B are diagrams illustrating a method of manufacturing a multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention, wherein FIG. 4A illustrates a state in which a wiring layer is formed, and FIG. 4B illustrates a surface portion of an organic resin insulating layer between wiring layers; And (c) shows a state where the surface of the wiring layer is roughened.

【図5】本発明の実施形態に係る多層配線基板の製造方
法を示す図であり、(a)は有機樹脂絶縁層を積層した
状態を示し、(b)は有機樹脂前駆体層の表面を粗化し
た状態を示す。
5A and 5B are diagrams showing a method for manufacturing a multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention, wherein FIG. 5A shows a state in which organic resin insulating layers are stacked, and FIG. This shows a roughened state.

【図6】本発明の実施形態に係り、多層配線基板の断面
図を示す。
FIG. 6 is a sectional view of a multilayer wiring board according to the embodiment of the present invention.

【図7】基板を水平に保持した状態での現像工程を示す
説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram illustrating a developing process in a state where the substrate is held horizontally.

【図8】従来の基板におけるピンホールを示す説明図で
ある。
FIG. 8 is an explanatory view showing a pinhole in a conventional substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:多層配線基板 2:被積層基板 30、80:有機樹脂前駆体層 3:有機樹脂絶縁層 4:無電解メッキ層 5:メッキレジスト層 6:電解メッキ層 7:配線層 1: multilayer wiring board 2: laminated substrate 30, 80: organic resin precursor layer 3: organic resin insulating layer 4: electroless plating layer 5: plating resist layer 6: electrolytic plating layer 7: wiring layer

フロントページの続き (72)発明者 鬼頭 直樹 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 (72)発明者 平野 聡 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 Fターム(参考) 5E343 AA07 AA15 AA17 AA22 AA24 BB14 BB23 BB24 BB25 BB28 BB44 CC73 DD33 DD43 ER16 ER18 ER26 GG02 5E346 AA12 AA32 AA54 CC32 CC34 CC37 CC39 CC54 DD23 DD24 EE33 HH11 Continued on the front page (72) Inventor Naoki Kito 14-18, Takatsuji-cho, Mizuho-ku, Nagoya City, Aichi Prefecture Inside Japan Special Ceramics Co., Ltd. (72) Inventor Satoshi Hirano 14-18, Takatsuji-cho, Mizuho-ku, Nagoya City, Aichi Prefecture Sun F-term (reference) in this special ceramic company 5E343 AA07 AA15 AA17 AA22 AA24 BB14 BB23 BB24 BB25 BB28 BB44 CC73 DD33 DD43 ER16 ER18 ER26 GG02 5E346 AA12 AA32 AA54 CC32 CC34 CC37 CC39 CC54 DD23 DD24 EE33 H

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁基板上に有機樹脂絶縁層と配線層と
を交互に積層してなる多層配線基板の製造方法であっ
て、 有機樹脂絶縁層の表面粗さがJIS−B−0601に規
定の十点平均粗さ(Rz)でRz=Xμmに粗化する粗
化工程と、 前記粗化された有機樹脂絶縁層の上面に無電解メッキに
より厚さYμmの無電解メッキ層を形成する工程と、 前記無電解メッキ層上に、所定パターンの開口部を有す
るメッキレジスト層を形成する工程と、 前記パターンの開口部に対応した無電解メッキ層上に、
電解メッキにより電解メッキ層を形成する工程と、 前記メッキレジスト層を除去する工程と、 前記メッキレジスト層を除去した箇所に対応する余分な
無電解メッキ層を除去することにより、配線層を形成す
るエッチング工程と、を含み、 粗化工程後の有機樹脂絶縁体層の表面粗さ(Rz=Xμ
m)と無電解メッキ層の厚さY(μm)とは、Y≦X/
3であることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
1. A method for manufacturing a multilayer wiring board comprising alternately laminating organic resin insulating layers and wiring layers on an insulating substrate, wherein the surface roughness of the organic resin insulating layer is specified in JIS-B-0601. And a step of forming an electroless plating layer having a thickness of Y μm on the upper surface of the roughened organic resin insulating layer by electroless plating. And forming a plating resist layer having an opening of a predetermined pattern on the electroless plating layer, and on the electroless plating layer corresponding to the opening of the pattern,
Forming a wiring layer by forming an electrolytic plating layer by electrolytic plating, removing the plating resist layer, and removing an extra electroless plating layer corresponding to a portion from which the plating resist layer has been removed. An etching step; and a surface roughness (Rz = Xμ) of the organic resin insulator layer after the roughening step.
m) and the thickness Y (μm) of the electroless plating layer, Y ≦ X /
3. A method for manufacturing a multilayer wiring board, which is characterized in that:
【請求項2】 前記無電解メッキ層の厚さ(μm)が、
0.3≦Y≦X/3であることを特徴とする請求項1に
記載の多層配線基板の製造方法。
2. The thickness (μm) of the electroless plating layer is as follows:
2. The method according to claim 1, wherein 0.3 ≦ Y ≦ X / 3.
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