JP2000216292A - Manufacture of tape type chip-size package - Google Patents

Manufacture of tape type chip-size package

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JP2000216292A
JP2000216292A JP5603099A JP5603099A JP2000216292A JP 2000216292 A JP2000216292 A JP 2000216292A JP 5603099 A JP5603099 A JP 5603099A JP 5603099 A JP5603099 A JP 5603099A JP 2000216292 A JP2000216292 A JP 2000216292A
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    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To allow an electroless Sn plating for a bonding pad part, while a solder ball is strongly joined to the pad part, related to a tape type CSP(chip size package) for flip-chip bonding, for simple manufacturing process and reduced defective and cost. SOLUTION: In a manufacturing method for a tape type CSP wherein a flip chip bonding pad part 10 is provided on the surface of a copper foil 4, while a solder ball pad part 11 on the surface of the copper foil 4, plating 5 of Sn, etc., is applied on at least the rear surface of the copper foil 4 after cleaning the copper foil 4 before a photoresist film is formed, with the rear surface of a resin tape 1 lined using a masking material. A peeling process is provided, if the plating 5 of Sn, etc., is applied to the front surface of copper foil 4 as well, and electroless Sn plating 9 is performed after the photoresist film is peeled to form a bonding pad part 10 on the front surface, and then a lining masking material is peeled from the rear surface of the resin tape 1.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、テープ形チップサ
イズパッケージ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇ
ｅ、以下ＣＳＰとはこの略称をいう）の製造方法、およ
びそれによるテープ形チップサイズパッケージに関する
ものであり、主としてＴＡＢ用テープを用いるＣＳＰの
内で、特にフリップチップボンディング用のものに係
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chip size package (Chip Size Package).
e, hereafter referred to as CSP) and a tape-type chip size package using the same. Particularly, the present invention relates to a CSP using a TAB tape, particularly a flip-chip bonding CSP.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近時、半導体パッケージはますます高密
度化と小型化が進んでおり、半導体チップの実装は表面
実装化され、サイズは半導体チップと同じ大きさに小型
化されるようになっている。そのため、テープ形ＢＧＡ
（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）と同様に、本発明
に係るテープ形ＣＳＰの需要も、今後ますます増大して
いる。2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor packages have become increasingly denser and smaller, and the mounting of semiconductor chips has been reduced to the same size as the semiconductor chips. ing. Therefore, tape type BGA
Like (Ball Grid Array), the demand for the tape-type CSP according to the present invention is increasing more and more in the future.

【０００３】上記テープ形ＣＳＰは、テープ表面の銅箔
の表・裏を利用できることを特徴とする二層構造になっ
ており、銅箔表面にはワイヤボンディングやフリップチ
ップボンディング用のパッド部が、また裏面にはハンダ
ボール用のパッド部が各々形成されている。The above-mentioned tape type CSP has a two-layer structure characterized in that the front and back surfaces of a copper foil on the surface of the tape can be used. Pad portions for wire bonding and flip chip bonding are provided on the copper foil surface. Further, pad portions for solder balls are formed on the back surface.

【０００４】その内で、フリップチップボンディングを
行うテープ形ＣＳＰでは、例えば図２３で示す如く、上
記銅箔表面のボンディング用パッド部、および裏面のハ
ンダボール用のパッド部には、多くは無電解でＳｎメッ
キが施されている。Among them, in a tape type CSP for performing flip chip bonding, for example, as shown in FIG. 23, a bonding pad portion on the surface of the copper foil and a pad portion for a solder ball on the back surface are mostly electroless. Is plated with Sn.

【０００５】上記ボンディング用パッド部には、後に半
導体チップをフリップチップボンディングで実装され、
他方ハンダボール用パッド部にはマザーボード等へ接合
用のハンダボールが接合されることになる（上記図２３
参照）。A semiconductor chip is mounted on the bonding pad portion later by flip chip bonding.
On the other hand, solder balls for bonding to a motherboard or the like are bonded to the solder ball pad portions (FIG. 23 described above).
reference).

【０００６】上記従来のフリップチップボンディング用
テープ形ＣＳＰの製造工程は、通常は次のようなもので
ある。まず、表面に接着剤付きのポリイミド樹脂製フ
ィルムに、プレスまたはドリルにて孔あけして銅箔をラ
ミネートし、または予め銅箔付きの樹脂製フィルムに裏
面からレーザにより孔あけする。次に上記樹脂製フィ
ルム上の銅箔を化学処理にて清浄にする。次に銅箔表
面にフォトレジストインクを塗布した後、ボンディング
用パッド部やリード部を形成用のパターンを露光し、現
像処理する。次に樹脂製フィルムの裏面からマスキン
グ材でマスキングして裏止めし、銅箔表面をエッチング
処理して、ボンディング用パッド部やリード部等のパタ
ーンを形成する。次に上記銅箔表面のフォトレジスト
と裏面の裏止め用マスキング材を剥離して、表面のボン
ディング用パッド部やリード部のパターン、裏面のハン
ダボール用パッド部を露出させる。次に銅箔の表・裏
両面に、無電解でＳｎメッキを施して、表面にはボンデ
ィング用パッド部やリード部を、また裏面にはハンダボ
ール用パッド部を形成する。[0006] The manufacturing process of the above-mentioned conventional flip-chip bonding tape type CSP is usually as follows. First, a copper foil is laminated by pressing or drilling a hole on a polyimide resin film having an adhesive on the front surface, or a laser film is previously formed on the resin film having the copper foil from the back surface. Next, the copper foil on the resin film is cleaned by a chemical treatment. Next, after a photoresist ink is applied to the copper foil surface, a pattern for forming a bonding pad portion and a lead portion is exposed and developed. Next, the back surface of the resin film is masked and masked with a masking material, and the copper foil surface is etched to form a pattern such as a bonding pad portion and a lead portion. Next, the photoresist on the surface of the copper foil and the masking material for backing on the back surface are peeled off to expose the bonding pad portion and the lead portion pattern on the front surface, and the solder ball pad portion on the back surface. Next, the front and rear surfaces of the copper foil are electrolessly plated with Sn to form bonding pad portions and lead portions on the front surface and solder ball pad portions on the rear surface.

【０００７】その後、上記の如くボンディング用パッド
部には、半導体チップをフリップチップボンディングで
実装し、またハンダボール用パッド部には、マザーボー
ド等へ接合可能にハンダボールを接合する。Thereafter, a semiconductor chip is mounted on the bonding pad portion by flip chip bonding as described above, and a solder ball is bonded to the solder ball pad portion so as to be connectable to a motherboard or the like.

【０００８】上記で、テープ形ＣＳＰの銅箔表面のボン
ディング用パッド部に無電解のＳｎメッキを施すのは、
半導体チップ側のバンプ部と直接にボンディングする際
に、バンプ部のＡｕメッキ（またはＣｕやハンダメッ
キ）とテープ形ＣＳＰのパッド部のＳｎメッキとでＳｎ
−Λｕ合金等を生じさせて、比較的簡単に接合できるよ
うにするためである。In the above, the electroless Sn plating is applied to the bonding pad portion on the copper foil surface of the tape type CSP,
When directly bonding to the bump portion on the semiconductor chip side, Sn plating is performed by Au plating (or Cu or solder plating) of the bump portion and Sn plating of the pad portion of the tape type CSP.
This is because a -u alloy or the like is generated so that joining can be performed relatively easily.

【０００９】[0009]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
フリップチップボンディング用テープ形ＣＳＰの製造で
は、次のような問題点があった。即ち、上記の如くテー
プ形ＣＳＰの銅箔表面のボンディング用パッド部に、無
電解のＳｎメッキを施すことで、半導体チップ側のバン
プ部のＡｕメッキ（またはＣｕや半田メッキ）とテープ
形ＣＳＰのパッド部のＳｎメッキとでＳｎ−Ａｕ合金等
が生じる。その際、Ｓｎ−Ａｕ合金等が過剰発生して、
バンプ部周りにバブル（合金ボール）が付着したり、ま
たバンプ部のＡｕメッキのＡｕがＳｎメッキのＳｎ中に
拡散（Ａｕ食われ）したりする等の別のトラブルが生じ
る。そのため、銅箔表面のボンディング用パッド部への
無電解Ｓｎメッキの膜厚は厳しく制限され、一般的には
０．３０μｍ±０．１程度の薄さにする必要があり、膜
厚制御の点から無電解Ｓｎメッキを用いることで対応し
ている。However, the production of the above-mentioned conventional flip-chip bonding tape type CSP has the following problems. That is, by applying electroless Sn plating to the bonding pad portion on the copper foil surface of the tape-type CSP as described above, the Au plating (or Cu or solder plating) of the bump portion on the semiconductor chip side and the tape-type CSP An Sn-Au alloy or the like is generated by the Sn plating of the pad portion. At that time, an excessive amount of Sn—Au alloy is generated,
Other troubles such as bubbles (alloy balls) adhering around the bump portion and diffusion of Au from the Au plating of the bump portion into Sn of the Sn plating occur (Au is eroded). For this reason, the film thickness of the electroless Sn plating on the bonding pad portion on the copper foil surface is severely limited, and generally needs to be as thin as about 0.30 μm ± 0.1. Therefore, the use of electroless Sn plating is supported.

【００１０】また、従来は銅箔表面のボンディング用パ
ッド部と同時に、裏面のハンダボール用パッド部も無電
解Ｓｎメッキによっている。そのため、ボンディング時
の加熱や樹脂モールド時の加熱等で、ハンダボールのＳ
ｎは銅箔のＣｕが拡散して、本来Ｓｎがもっているハン
ダ付性の良い特徴が無くなり、ハンダ付けが非常に難し
くなっている。例えばＳｎの膜厚を０．５５０μｍとし
た場合に、１２５℃で１２時間加熱すると、Ｓｎ−Ｃｕ
合金が生じハンダが付かなくなってしまう。この点から
は、裏面の無電解Ｓｎメッキの膜厚を厚くれは良いのだ
が、それでは表面の無電解Ｓｎメッキの膜厚を薄くせね
ばならぬことと相反することになる。Conventionally, the solder ball pad portion on the back surface is also formed by electroless Sn plating simultaneously with the bonding pad portion on the copper foil surface. Therefore, the solder ball is heated by bonding or heating during resin molding.
In the case of n, Cu of the copper foil is diffused, and the characteristic of Sn having good solderability is lost, and soldering is very difficult. For example, when the thickness of Sn is 0.550 μm, heating at 125 ° C. for 12 hours results in Sn—Cu
An alloy is formed and no solder is attached. From this point, it is good to increase the film thickness of the electroless Sn plating on the back surface, but this contradicts the need to reduce the film thickness of the electroless Sn plating on the front surface.

【００１１】本発明は、フリップチップボンディング用
テープ形ＣＳＰの製造方法、およびそれによるテープ形
ＣＳＰに係り、上記従来のものがもつ問題点の解決を課
題として創作したものである。即ち本発明の目的は、フ
リップチップボンディング用テープ形ＣＳＰに関して、
従来と同様に無電解Ｓｎメッキを容易に行えるようにす
ると共に、Ｓｎ等メッキを行う工程順の工夫により、ハ
ンダボール用パッド部へハンダボールを強力に接合可能
とし、かつ不良品発生の低減とコストダウンも図ること
にある。The present invention relates to a method for manufacturing a tape-type CSP for flip chip bonding and a tape-type CSP using the same, and has been created to solve the above-mentioned problems of the conventional one. That is, an object of the present invention relates to a flip-chip bonding tape type CSP,
As well as the conventional method, the electroless Sn plating can be easily performed, and by devising the order of the plating such as Sn, the solder ball can be strongly bonded to the solder ball pad portion, and the occurrence of defective products can be reduced. The goal is to reduce costs.

【００１２】[0012]

【課題を解決するための手段】Ｉ 本発明に係るテープ
形ＣＳＰの製造方法は、銅箔４の表面にフリップチップ
ボンディング用パッド部１０を、銅箔４裏面にハンダボ
ール用パッド部１１をもつテープ形ＣＳＰの製造方法に
おいて、上記銅箔４を洗浄後でフォトレジスト膜７を形
成する前の段階で、少なくとも銅箔４の裏面にＳｎ等メ
ッキ５を施し、上記樹脂製テープ１の裏面からマスキン
グ材６で裏止めするとともに、上記で銅箔４表面にもＳ
ｎ等メッキ５を施した場合はそれを剥離し、かつ、上記
フォトレジスト膜７を剥離後に、銅箔４表面へのＳｎメ
ッキ９を無電解Ｓｎメッキで行ってボンディング用パッ
ド部１０を形成し、その後に樹脂製テープ１裏面の裏止
め用マスキング材６を剥離するようにしたものである。The method of manufacturing a tape-type CSP according to the present invention has a flip chip bonding pad portion 10 on the surface of the copper foil 4 and a solder ball pad portion 11 on the back surface of the copper foil 4. In the method of manufacturing the tape-type CSP, at a stage after the copper foil 4 is washed and before the photoresist film 7 is formed, at least the back surface of the copper foil 4 is plated with Sn or the like 5 so that the back surface of the resin tape 1 Backing with the masking material 6 and S
When the plating 5 such as n is applied, it is peeled off, and after the photoresist film 7 is peeled off, an Sn plating 9 on the surface of the copper foil 4 is performed by electroless Sn plating to form a bonding pad portion 10. Then, the backing masking material 6 on the back surface of the resin tape 1 is peeled off.

【００１３】ＩＩ 本発明に係るＣＳＰは、樹脂製テー
プ１上の銅箔４表面には、無電解によるＳｎメッキ９が
施されたボンディング用パッド部１０を有するととも
に、他方ハンダボール接合用孔２を介して露呈する銅箔
４裏面には、Ｓｎ等メッキ５が施されたハンダボール用
パッド部１１を有するものである。II A CSP according to the present invention has a bonding pad portion 10 on which electroless Sn plating 9 is applied on the surface of a copper foil 4 on a resin tape 1, and a solder ball bonding hole 2 on the other side. Has a solder ball pad portion 11 plated with Sn or the like 5 on the back surface of the copper foil 4 exposed through the substrate.

【００１４】[0014]

【発明の実施の形態】本発明の上記構成おいて、Ｓｎ等
メッキ９とは、ＳｎメッキやＳｎ合金（＝ハンダ）メッ
キを指すものとする。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the above configuration of the present invention, the plating 9 such as Sn means Sn plating or Sn alloy (= solder) plating.

【００１５】樹脂製テープ１にはポリイミド樹脂製のも
のを用いることが望ましい。上記で樹脂製テープ１表面
に銅箔４がラミネートされ、該樹脂製テープ１裏面から
ハンダボール接合用孔２があけられたものとは、表面に
接着剤３付きのポリイミド樹脂製テープ１に、プレスま
たはドリルにて孔あけして銅箔４をラミネートした３層
構造のものでよいし（例えば図１参照）、また予め銅箔
４がラミネートされた樹脂製テープ１に裏面からレーザ
により孔あけした２層構造のものでもよい（例えば図１
３参照）。It is desirable to use a resin tape 1 made of a polyimide resin. In the above, the copper foil 4 is laminated on the surface of the resin tape 1 and the hole 2 for joining solder balls is formed from the back surface of the resin tape 1 with the polyimide resin tape 1 with the adhesive 3 on the surface. A three-layer structure in which a copper foil 4 is laminated by punching with a press or a drill may be used (see, for example, FIG. 1), or a resin tape 1 on which the copper foil 4 has been laminated is laser-punched from the back surface. A two-layer structure (for example, FIG. 1
3).

【００１６】銅箔４を洗浄後でフォトレジスト膜７を形
成する前に、少なくともその裏面にＳｎ等メッキ５を施
すが、このメッキは銅箔４の裏面だけでもよいが、表・
裏面同時に施す方が、製造上容易である（例えば図３お
よび図１３参照）。After the copper foil 4 is washed and before the photoresist film 7 is formed, at least the back surface is plated with Sn or the like 5. This plating may be performed only on the back surface of the copper foil 4.
Simultaneous application on the back surface is easier in manufacturing (for example, see FIGS. 3 and 13).

【００１７】上記で、銅箔４の裏面にだけＳｎ等メッキ
５を施す場合は、図示は省略したが銅箔４の表面をマス
キングしてメッキすればよい。表面にも同時にメッキを
施した場合には、フォトレジスト膜７を形成する前に、
表面に付着したＳｎ等メッキ５を剥離しておく。上記Ｓ
ｎ等メッキ５の厚みは、通常５〜１０μｍ程度が望まし
い。When the plating 5 such as Sn is applied only to the back surface of the copper foil 4, the surface of the copper foil 4 may be masked and plated, although not shown. If the surface is also plated at the same time, before forming the photoresist film 7,
The plating 5 such as Sn adhered to the surface is peeled off. The above S
The thickness of the plating 5 such as n is usually desirably about 5 to 10 μm.

【００１８】樹脂製テープ１の裏面をマスキング材６に
て裏止めするのは、表面に付着したＳｎ等メッキ５を剥
離時や、フォトレジスト膜７の剥離時に、裏面のＳｎ等
メッキ５を保護することと、表面のボンディング用パッ
ド部１への無電解Ｓｎメッキ時に、裏面のＳｎ等メッキ
５に無電解Ｓｎメッキが付着するのを防止する意味があ
る。The back surface of the resin tape 1 is backed by the masking material 6 when the plating such as Sn adhered to the front surface is peeled or when the photoresist film 7 is peeled, the plating such as Sn on the back surface is protected. In addition, when the electroless Sn plating is performed on the bonding pad portion 1 on the front surface, there is a meaning of preventing the electroless Sn plating from adhering to the plating 5 such as Sn on the rear surface.

【００１９】このマスキング材６には、マスキング用テ
ープの貼布やドライフィルムの貼布でもよいが、後で剥
離する際の便宜上からは剥離可能なソルダーレジストイ
ンクを貼付することが望ましい。The masking material 6 may be a masking tape or a dry film, but it is preferable to apply a releasable solder resist ink for the convenience of later peeling.

【００２０】フォトレジスト膜７を形成して、パターン
を露光し現像した後にエッチングするのは、従来の工程
で行うのと同様であり、フォトレジスト膜７を剥離後
に、上記の如く無電解によるＳｎメッキを施す。Forming the photoresist film 7, exposing and developing the pattern, and then etching is the same as in the conventional process. After the photoresist film 7 is peeled off, the Sn film is formed by electroless as described above. Apply plating.

【００２１】上記による無電解Ｓｎメッキにより、銅箔
４の表面のボンディング用パッド部１０になる部分に無
電解Ｓｎメッキ９が施される。しかし銅箔４の裏面は、
上記の如くマスキング材６が貼布または塗布されている
ので、Ｓｎ等メッキ５のままが維持されている。By the above-described electroless Sn plating, an electroless Sn plating 9 is applied to a portion of the surface of the copper foil 4 to be the bonding pad portion 10. However, the back of the copper foil 4
Since the masking material 6 is adhered or applied as described above, the plating 5 such as Sn is maintained as it is.

【００２２】上記のテープ形ＣＳＰの製造方法では、銅
箔４の裏面にＳｎ等メッキ５を行う工程を、銅箔４にパ
ターン８を形成する前の段階で行っている。この段階で
Ｓｎ等メッキ５を行うことにより、微細なリード部等を
含むパターン８を形成後にＳｎ等メッキを行うのと異な
り、Ｓｎ等メッキ５を行うに際して微細なリード部を被
覆するマスキングの必要が無くなり、製造工程が非常に
簡単になっている。In the above-described method of manufacturing the tape-type CSP, the step of plating the back surface of the copper foil 4 with Sn or the like is performed before the pattern 8 is formed on the copper foil 4. By performing the plating such as Sn at this stage, it is necessary to mask the fine lead when performing the plating such as Sn, unlike performing the plating such as Sn after forming the pattern 8 including the fine lead. And the manufacturing process is very simple.

【００２３】また上記段階でＳｎ等メッキ５を行うこと
により、銅箔４表面のリード部やボンディングパッド部
１０にＳｎ等メッキ５が付着することにならないから、
その後そのままの状態でＳｎメッキ９を無電解メッキに
て行うことが可能となる。そのため、この面でもテープ
形ＣＳＰの製造工程が容易となり、かつ低コストでの製
造が可能となっている。Also, by performing the plating 5 such as Sn at the above stage, the plating 5 such as Sn does not adhere to the lead portion and the bonding pad portion 10 on the surface of the copper foil 4.
Thereafter, the Sn plating 9 can be performed by electroless plating as it is. For this reason, also in this aspect, the manufacturing process of the tape-type CSP is facilitated, and the manufacturing can be performed at low cost.

【００２４】さらに、上記銅箔４裏面のハンダボール用
パッド部１１のＳｎ等メッキ５は、ハンダボール１４を
接合時の熱で溶融するから、ここでのハンダボール１４
の接合は、従来のような酸化膜が付いたり、Ｃｕが拡散
してＣｕ−Ｓｎ合金の薄くハンダ付き性も悪いＳｎメッ
キを介した接合と異なり、十分な厚みをもつＳｎまたは
Ｓｎ合金と銅箔４との接合になるから（図２２参照）、
この点でもハンダボール１４の接合強度は大幅に向上し
ている。Further, since the plating 5 such as Sn of the solder ball pad portion 11 on the back surface of the copper foil 4 is melted by the heat at the time of joining the solder ball 14, the solder ball 14
Is different from the conventional bonding via an Sn plating, which has an oxide film or Cu is diffused and Cu-Sn alloy is thin and has poor solderability. Since it will be joined to the foil 4 (see FIG. 22),
Also in this respect, the joining strength of the solder ball 14 is greatly improved.

【００２５】加えて、上記の如く樹脂製テープ１裏面の
マスキング材６に、テープ、ドライフィルムまたは機械
的に剥離可能なソルダーレジスト膜を用いているので、
従来の例えばマスキング用インクを印刷した場合と異な
り、マスキング材６の境界の精度が向上する。またそれ
らは機械的に剥離可能であるから、上記インクを例えば
カセイソーダ溶液で剥離する場合と異なり、銅箔４表面
のボンディング用パッド部１０のＳｎメッキや、裏面の
ハンダボール用パッド部１１のＳｎ等メッキ５が、剥離
用液で汚されることもない。In addition, since a tape, a dry film, or a mechanically peelable solder resist film is used for the masking material 6 on the back surface of the resin tape 1 as described above,
Unlike the conventional case of printing a masking ink, for example, the accuracy of the boundary of the masking material 6 is improved. Further, since they can be mechanically peeled off, unlike the case where the ink is peeled off with, for example, caustic soda solution, Sn plating of the bonding pad portion 10 on the surface of the copper foil 4 and Sn plating of the solder ball pad portion 11 on the back surface are performed. The equal plating 5 is not contaminated with the stripping solution.

【００２６】なお、上記銅箔４表面のボンディング用パ
ッド部１０には、膜厚の薄い（例えば０．３０μｍ±
０．１程度）の無電解Ｓｎメッキ９が施されている。そ
のためフリップチンプボンディング時に、従来法による
ものと同様に、半導体チップ側のバンプ部１５のＡｕメ
ッキ（またはＣｕやハンダメッキ）とテープ形ＣＳＰの
ボンディング用パッド部１０のＳｎメッキとによるＳｎ
−Ａｕ合金等が過剰発生しない。これで、バンプ部１５
周りにバブル（合金ボール）が付着したり、バンプ部１
５のＡｕメッキのＡｕが無電解Ｓｎメッキ中に拡散した
り（Ａｕ食われ）等のトラブルが生じない。The bonding pad 10 on the surface of the copper foil 4 has a thin film (for example, 0.30 μm ±
(Approximately 0.1). Therefore, at the time of flip-chip bonding, as in the case of the conventional method, Sn by Au plating (or Cu or solder plating) of the bump portion 15 on the semiconductor chip side and Sn plating of the bonding pad portion 10 of the tape type CSP.
-Excessive generation of Au alloy and the like does not occur. Thus, the bump 15
Bubbles (alloy balls) may adhere around the bumps 1
No problem such as Au of No. 5 being diffused during the electroless Sn plating (Au is eroded).

【００２７】[0027]

【実施例】図１ないし図２２は、本発明に係るフリップ
チップボンディング用のテープ形ＣＳＰの製造方法の工
程順、およびそれにより製造されたテープ形ＣＳＰの実
施例を示すものであるが、図では厚みを誇張して示して
ある。また図示例では、半導体チップがフェイスダウン
型のものを示しており、フェイストップ（アップ）型の
ものでは上下が逆になる。1 to 22 show the sequence of steps in a method of manufacturing a tape-type CSP for flip-chip bonding according to the present invention and an example of a tape-type CSP manufactured by the method. The thickness is exaggerated. In the illustrated example, the semiconductor chip is of a face-down type, and the face-up (up) type is upside down.

【００２８】図１ないし図１１、および図２２は、表面
に接着剤付きのポリイミド樹脂製テープ１に銅箔４をラ
ミネートした３層構造のものに関し、図１２ないし図２
１は予め銅箔がラミネートされた樹脂製テープ１を用い
る２層構造のものに関する。FIGS. 1 to 11 and FIG. 22 relate to a three-layer structure in which a copper foil 4 is laminated on a polyimide resin tape 1 having an adhesive on the surface, and FIGS.
Reference numeral 1 relates to a two-layer structure using a resin tape 1 on which a copper foil is laminated in advance.

【００２９】まず図１は、表面に接着剤３が塗布された
ポリイミド樹脂製テープ１を、パンチングによりハンダ
ボール接合用孔２が形成された状態を示す。ポリイミド
樹脂製テープ１の厚みは通常５０〜１２５μｍのものが
用いられるが、ここでは５５μｍのものを用いており、
接着剤３の厚みは１２μｍ程度のものを用いている。First, FIG. 1 shows a state in which holes 2 for joining solder balls are formed by punching a polyimide resin tape 1 having an adhesive 3 applied to the surface. The thickness of the polyimide resin tape 1 is usually 50 to 125 μm. Here, the thickness is 55 μm.
The thickness of the adhesive 3 is about 12 μm.

【００３０】次に図２で示す如く、上記図１で示したポ
リイミド樹脂製テープ１の表面の接着剤３に、銅箔４を
ラミネートする。また図１３は、予め銅箔がラミネート
された樹脂製テープ１で、レーザーによりハンダボール
接合用孔２が形成されたものを示す。銅箔４の厚みは通
常１８μｍまたは２５μｍのものが用いられるが、ここ
では１８μｍのものを用いている。Next, as shown in FIG. 2, a copper foil 4 is laminated on the adhesive 3 on the surface of the polyimide resin tape 1 shown in FIG. FIG. 13 shows a resin tape 1 on which a copper foil is preliminarily laminated, in which a solder ball bonding hole 2 is formed by laser. The thickness of the copper foil 4 is usually 18 μm or 25 μm, but here, 18 μm is used.

【００３１】次に図３や図１３で示す如く、上記図２や
図１２で示したものの銅箔４に、Ｓｎ等メッキとしてこ
こではＳｎ合金メッキ（＝ハンダメッキ）５を施す。ま
たここでは銅箔４の表・裏両面にＳｎ合金メッキ５を施
しており、このＳｎ合金メッキ５の厚みは通常５〜１０
μｍ程度であるが、ここでは７μｍとしている。なお銅
箔４裏面にだけＳｎ合金メッキ５を施してもよく、その
際には銅箔４表面をマスキングしてメッキ処理すればよ
し、Ｓｎ合金メッキ５の代わりにＳｎメッキにしてもよ
いことは上記のとおりである。Next, as shown in FIGS. 3 and 13, the copper foil 4 shown in FIGS. 2 and 12 is plated with Sn alloy (= solder plating) 5 as Sn plating. Here, the Sn alloy plating 5 is applied to both the front and back surfaces of the copper foil 4, and the thickness of the Sn alloy plating 5 is usually 5-10.
It is about μm, but here it is 7 μm. The Sn alloy plating 5 may be applied only to the back surface of the copper foil 4, and in this case, the surface of the copper foil 4 may be masked and plated, and the Sn alloy plating 5 may be replaced with Sn plating. As described above.

【００３２】次に図４や図１４で示す如く、上記図３や
図１３で示したものの裏面に、マスキング材としてここ
では機械的に剥離可能なソルダーレジスト膜６を貼付し
て、裏止めする。このソルダーレジスト膜６により、ハ
ンダボール接合用孔２が覆われ、上記銅箔４の裏面が遮
蔽される。このマスキング材６は、ソルダーレジスト膜
の代わりに、テープやドライフィルムを用いてもよいこ
とは上記のとおりである。Next, as shown in FIGS. 4 and 14, a mechanically peelable solder resist film 6 as a masking material is attached to the back surface of the one shown in FIGS. . The solder resist film 6 covers the solder ball bonding hole 2 and shields the back surface of the copper foil 4. As described above, a tape or a dry film may be used as the masking material 6 instead of the solder resist film.

【００３３】次に図５や図１５で示す如く、上記図４や
図１４で示した銅箔４表面のＳｎ合金メッキ５を、剥離
する。これで、銅箔４表面は全体が露呈されるが、裏面
は上記の如くマスキング材のソルダーレジスト膜６で遮
蔽されたままである。このＳｎ合金メッキ５の剥離は、
従来法と同じように行えばよい。なお図示は省略する
が、先のＳｎ合金メッキ５を銅箔４裏面にのみ施した場
合は、そのメッキの際に形成した表面のマスキングを剥
離すればよいが、マスキングしてメッキをするよりも、
ここでのように表・裏面共にメッキをしておき、それを
剥離する方が簡単で便利である。Next, as shown in FIGS. 5 and 15, the Sn alloy plating 5 on the surface of the copper foil 4 shown in FIGS. 4 and 14 is peeled off. Thus, the entire surface of the copper foil 4 is exposed, but the back surface is still shielded by the solder resist film 6 of the masking material as described above. The separation of the Sn alloy plating 5 is as follows.
What is necessary is just to carry out similarly to a conventional method. Although illustration is omitted, when the Sn alloy plating 5 is applied only to the back surface of the copper foil 4, the masking on the surface formed at the time of the plating may be peeled off. ,
It is easier and more convenient to plate both the front and back surfaces as in this case and then peel them off.

【００３４】次に図６や図１６で示す如く、上記図５や
図１６で示したものの銅箔４表面にフォトレジスト膜７
を形成し、リード部やパッド部等のパターンを露光し、
現像する。このフォトレジスト膜７はネガ型でもポジ型
でもよいが、ここでは精度がよいとされるポジ型を用い
ている。上記現像処理に際して、上記で樹脂製テープ１
裏面に貼付したマスキング材としてのソルダーレジスト
膜６が、現像液から銅箔４裏面のＳｎ合金メッキ５を保
護し汚染を防止している。Next, as shown in FIGS. 6 and 16, a photoresist film 7 is formed on the surface of the copper foil 4 shown in FIGS.
Is formed, and the pattern of the lead portion and the pad portion is exposed,
develop. The photoresist film 7 may be a negative type or a positive type, but here, a positive type which is considered to have high accuracy is used. At the time of the development processing, the resin tape 1
A solder resist film 6 as a masking material adhered to the back surface protects the Sn alloy plating 5 on the back surface of the copper foil 4 from a developing solution to prevent contamination.

【００３５】次に図７や図１７で示す如く、上記図６や
図１６で示したものをエッチング処理する。このエッチ
ング処理も、従来法と同じように塩化第二鉄の溶液を剥
離液として行えばよく、これで銅箔４表面に、フリップ
チップボンディング用のパッド部やリード等のパターン
８が形成される（図８・図１８参照）。このエッチング
処理に際して、樹脂製テープ１裏面に貼付したマスキン
グ材としてのソルダーレジスト膜６が、エッチング液か
ら銅箔４裏面のＳｎ合金メッキ５を保護し浸食を防止し
ている。Next, as shown in FIGS. 7 and 17, the one shown in FIGS. 6 and 16 is etched. This etching treatment may be performed using a solution of ferric chloride as a stripping solution as in the conventional method, and a pattern 8 such as a flip chip bonding pad or a lead is formed on the surface of the copper foil 4. (See FIGS. 8 and 18). During this etching process, a solder resist film 6 as a masking material adhered to the back surface of the resin tape 1 protects the Sn alloy plating 5 on the back surface of the copper foil 4 from an etching solution to prevent erosion.

【００３６】次に図８や図１８で示す如く、上記図７や
図１７で示したもののフォトレジスト膜７を剥離する。
このフォトレジスト膜７の剥離も、ここでは従来法と同
じように剥離液に１〜２パーセントの薄いカセイソーダ
溶液を用いて行っている。これで樹脂製テープ１表面に
は、ボンディング用パッド部やリード部のパターン８と
なった銅箔４が露呈するが、樹脂製テープ１裏面のマス
キング材としてのソルダーレジスト膜６が、剥離液から
銅箔４裏面のＳｎ合金メッキ５を保護し汚染を防止して
いる。Next, as shown in FIGS. 8 and 18, the photoresist film 7 shown in FIGS. 7 and 17 is peeled off.
Here, the photoresist film 7 is also stripped using a thin caustic soda solution of 1 to 2% as a stripping solution as in the conventional method. As a result, the copper foil 4 serving as the bonding pad portion and the lead portion pattern 8 is exposed on the surface of the resin tape 1, but the solder resist film 6 as a masking material on the back surface of the resin tape 1 is removed from the release liquid. The Sn alloy plating 5 on the back surface of the copper foil 4 is protected to prevent contamination.

【００３７】次に図９や図１９で示す如く、上記図８や
図１８で示したものに、ここでは無電解でＳｎメッキ９
を施し、銅箔４表面に露呈しているフリップチップボン
ディング用のパッド部１０等を形成する。この無電解Ｓ
ｎメッキ９の厚みは、通常０．２０〜０．４０μｍ程度
が行われるが、ここでは０．３０μｍとしてある。Next, as shown in FIGS. 9 and 19, an electroless Sn plating 9
To form a flip chip bonding pad portion 10 exposed on the surface of the copper foil 4. This electroless S
The thickness of the n-plate 9 is usually about 0.20 to 0.40 μm, but it is 0.30 μm here.

【００３８】この無電解メッキ処理の際にも、樹脂製テ
ープ１裏面に貼付した上記のマスキング材としてのソル
ダーレジストインク６により、銅箔４の裏面は遮蔽され
たままであり、銅箔４裏面に無電解Ｓｎメッキ９が付着
することが防止されているから、無電解のＳｎメッキが
問題なく行われる。During the electroless plating process, the back surface of the copper foil 4 is still shielded by the solder resist ink 6 as the masking material attached to the back surface of the resin tape 1. Since the adhesion of the electroless Sn plating 9 is prevented, the electroless Sn plating is performed without any problem.

【００３９】次に図１０や図２０で示す如く、上記図９
や図１９で示したものの樹脂製テープ１裏面のマスキン
グ材６としてのソルダーレジストインク６を剥離するこ
とにより、銅箔４裏面でＳｎ合金メッキ５が施されたハ
ンダボール用パッド部１１がハンダボール接合用孔２か
ら露呈される。これで、フリップチップボンディング用
のテープ形ＣＳＰが形成されたことなる。Next, as shown in FIG. 10 and FIG.
By removing the solder resist ink 6 as the masking material 6 on the back surface of the resin tape 1 shown in FIG. 19 or FIG. 19, the solder ball pad portion 11 on which the Sn alloy plating 5 is applied on the back surface of the copper foil 4 becomes the solder ball. It is exposed from the joining hole 2. Thus, a tape type CSP for flip chip bonding is formed.

【００４０】その後は図１１や図２１、および図２２で
示す如く、上記図１０や図２０で示したテープ形ＣＳＰ
に、表面には半導体チップ１３が、上記フリップチップ
ボンディグ用パッド部１０との間でフリップチップボン
ディングされ、また裏面のハンダボール用パッド部１１
には、ハンダボール用孔部２を経てハンダボール１４が
係合・溶融され接合される。Thereafter, as shown in FIGS. 11, 21 and 22, the tape-type CSP shown in FIGS.
A semiconductor chip 13 is flip-chip bonded to the flip chip bonding pad portion 10 on the front surface, and a solder ball pad portion 11 on the back surface is provided.
The solder ball 14 is engaged and melted and joined through the solder ball hole 2.

【００４１】上記実施例によるテープ形ＣＳＰの製造方
法やそれによるテープ形ＣＳＰによる作用は、上記発明
の実施の形態の欄で述べた通りであるから、ここでは省
略する。The method of manufacturing the tape-type CSP according to the above-described embodiment and the operation of the tape-type CSP according to the method are the same as those described in the section of the embodiment of the present invention, and will not be described here.

【００４２】[0042]

【発明の効果】以上で明かな如く、本発明に係るフリッ
プチップボンディング用のテープ形ＣＳＰの製造方法、
およびそれによるテープ形ＣＳＰでは、ハンダボールを
パッド部へ強力に接合できるし、フリップチップボンデ
ィング用のパッド部のＳｎメッキを無電解で行うことが
でき、シンプルな製造工程で製造できるし、不良品発生
も低減でき、かつコストダウンを図ることもできる。As is apparent from the above, a method of manufacturing a tape-type CSP for flip chip bonding according to the present invention,
In addition, in the tape-type CSP, a solder ball can be strongly bonded to a pad portion, Sn plating of a flip-chip bonding pad portion can be performed electrolessly, and it can be manufactured by a simple manufacturing process. Generation can be reduced, and cost can be reduced.

【００４３】即ち、本発明に係るフリップチップボンデ
ィング用のテープ形ＣＳＰの製造方法、およびそれによ
るテープ形ＣＳＰでは、樹脂製テープ上の銅箔の裏面
に、ハンダボール係合用孔を介して露呈するハンダボー
ル用パッド部を形成する際に、該ハンダボール用パッド
部へＳｎ（またはＳｎ合金メッキ）を行う工程を、銅箔
表面でボンディング用パッド部やリード部等のパターン
を形成する前の段階で行っている。That is, in the method of manufacturing the tape-type CSP for flip chip bonding according to the present invention, and the tape-type CSP thereby, the tape-type CSP is exposed on the back surface of the copper foil on the resin tape through the hole for solder ball engagement. When forming the solder ball pad portion, the step of performing Sn (or Sn alloy plating) on the solder ball pad portion is performed before forming a pattern such as a bonding pad portion or a lead portion on the copper foil surface. It is done in.

【００４４】そのため、ａ）銅箔でリード部をもつパタ
ーンを形成後に、ハンダボール用パッド部にＳｎ（Ｓｎ
合金）メッキを行うのと異なり、微細なリード部を被覆
するマスキングの必要が無くなるから、テープ形ＣＳＰ
の製造をきわめて容易に行うことができるようになる。Therefore, a) after forming a pattern having a lead portion with a copper foil, the Sn (Sn
Unlike alloying, plating eliminates the need for masking to cover fine leads, so tape-type CSP
Can be manufactured very easily.

【００４５】ｂ）同じく、ハンダボール用パッド部への
Ｓｎ等メッキの工程を上記の段階で行うことにより、表
面のリード部やボンディングパッド部にＳｎ等メッキが
付着していないから、その後そのままでＳｎ等メッキを
無電解で行うことができるようになり、この面でも製造
工程を簡単なものにできる。B) Similarly, the step of plating Sn or the like on the pad portion for the solder ball is performed at the above stage, so that the plating such as Sn does not adhere to the lead portion or the bonding pad portion on the surface. The plating of Sn or the like can be performed electrolessly, and the manufacturing process can be simplified in this aspect as well.

【００４６】ｃ）また本発明では、銅箔裏面のハンダボ
ール用パッド部へのハンダポールの接合が、従来のよう
な薄いＳｎ等メッキにより、Ｃｕが拡散したＣｕ−Ｓｎ
合金との接合ではなく、ハンダボール用パッド部のＳｎ
等メッキとハンダボールのＳｎ合金間との接合になって
いる。これで、ハンダボールの接合強度は大幅に向上し
ており、かつハンダボールを接合させる際にフラックス
を必ずしも用いる必要がなくなる。C) In the present invention, the solder pole is bonded to the solder ball pad on the back surface of the copper foil by Cu-Sn in which Cu is diffused by thin plating of Sn or the like as in the prior art.
Instead of joining with alloy, Sn of solder ball pad
The connection is made between the uniform plating and the Sn alloy of the solder ball. As a result, the joining strength of the solder ball is greatly improved, and it is not necessary to use the flux when joining the solder ball.

【００４７】ｄ）さらに上記ハンダボール用パッド部の
Ｓｎ等メッキは、ハンダボールを接合時の熱で溶融する
から、ここでのハンダボールの接合は銅箔とＳｎ等との
接合となり、ハンダボールの接合強度をこの点でも大幅
に向上させることができる。D) Further, the plating of Sn or the like on the pad portion for the solder ball is performed by melting the solder ball by heat at the time of joining. Therefore, the joining of the solder ball here is a joining of copper foil and Sn or the like, and the solder ball is soldered. In this regard, the bonding strength of the above can be greatly improved.

【００４８】ｅ）しかも、フリップチップボンディング
用パッド部等への無電解Ｓｎメッキは、ハンダボール用
パッド部が裏止め被覆された状態で行われるから、ハン
ダボール用パッド部表面は汚染されることは無くなる。E) In addition, since the electroless Sn plating on the flip chip bonding pad and the like is performed with the solder ball pad covered with the backing, the surface of the solder ball pad is contaminated. Is gone.

【００４９】ｆ）加えて、上記の如く樹脂製テープ１裏
面のマスキング材に、テープ、ドライフィルムまたは剥
離可能なソルダーレジスト膜を用いているので、従来の
マスキング用インクを印刷した場合と異なり、マスキン
グ材の境界の精度が向上するし、それらは剥離可能であ
るから、上記インクを例えばカセイソーダ溶液で剥離す
るのと異なり、銅箔表面のボンディング用パッド部のＳ
ｎメッキや、裏面のハンダボール用パッド部のＳｎ等メ
ッキが、剥離用液で汚されることを防止でき、この点か
らもハンダボールの接合が強力に行えることになる。F) In addition, since a tape, a dry film or a peelable solder resist film is used for the masking material on the back surface of the resin tape 1 as described above, unlike the case where the conventional masking ink is printed, Since the precision of the boundary of the masking material is improved and they can be peeled off, unlike the case where the above ink is peeled off with, for example, a caustic soda solution, the S of the bonding pad portion on the copper foil surface is reduced.
It is possible to prevent the n-plating and the plating of Sn or the like of the solder ball pad portion on the back surface from being contaminated with the stripping solution. This also enables the solder ball to be strongly joined.

【００５０】ｇ）なお、上記テープ形ＣＳＰの銅箔表面
のフリップチップボンディング用パッド部では、従来法
によるものと同様に、無電解によるＳｎメッキが施され
ているから、ボンディング時に半導体チップのバンプ部
にいわゆるバブルの発生やＡｕ食われ等が生じないよう
な薄いメッキ膜厚に制御できるようになる。G) Since the flip-chip bonding pad portion on the copper foil surface of the tape-type CSP is subjected to electroless Sn plating similarly to the conventional method, the bumps of the semiconductor chip are bonded at the time of bonding. It is possible to control the thickness of the plating so as not to cause generation of so-called bubbles or erosion of Au in the portion.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明に係るテープ形ＣＳＰの製造方法の実施
例で用いる樹脂製テープの拡大断面図である。FIG. 1 is an enlarged sectional view of a resin tape used in an embodiment of a method of manufacturing a tape-type CSP according to the present invention.

【図２】図１で示した樹脂製テープの表面に銅箔をラミ
ネートした状態の拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing a state in which a copper foil is laminated on the surface of the resin tape shown in FIG.

【図３】図２で示したものの銅箔にＳｎ等メッキを施し
た状態の拡大断面図である。FIG. 3 is an enlarged sectional view of the state shown in FIG. 2 in which a copper foil is plated with Sn or the like;

【図４】図３で示したものの裏面にマスキング材を設け
た状態の拡大断面図である。FIG. 4 is an enlarged sectional view of a state shown in FIG. 3 in which a masking material is provided on the back surface.

【図５】図４で示したものの表面のＳｎ等メッキを剥離
した状態の拡大断面図である。FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of the state shown in FIG. 4 in a state where plating such as Sn on the surface is peeled off.

【図６】図５で示したものの表面の銅箔にフォトレジス
ト膜を形成し、露光・現像した状態の拡大断面図であ
る。FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view of a state where a photoresist film is formed on a copper foil on the surface of FIG. 5 and exposed and developed.

【図７】図６で示したものをエッチングした状態の拡大
断面図である。FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view showing a state where the one shown in FIG. 6 is etched.

【図８】図７で示したもののフォトレジスト膜を剥離し
た状態の拡大断面図である。FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view of the state shown in FIG. 7 with the photoresist film removed.

【図９】図８で示したもののに無電解Ｓｎメッキを施し
た状態の拡大断面図である。FIG. 9 is an enlarged cross-sectional view of the state shown in FIG. 8 after electroless Sn plating.

【図１０】図９で示したものの裏面のマスキング材を剥
離した状態を示す拡大断面図である。FIG. 10 is an enlarged cross-sectional view showing a state in which a masking material on the back surface of the device shown in FIG. 9 is peeled off.

【図１１】本発明に係るテープ形ＣＳＰの実施例を示す
拡大断面図である。FIG. 11 is an enlarged sectional view showing an embodiment of a tape-type CSP according to the present invention.

【図１２】本発明に係るテープ形ＣＳＰの他の製造方法
の実施例で用いる銅箔付き樹脂製テープの拡大断面図で
ある。FIG. 12 is an enlarged cross-sectional view of a resin tape with a copper foil used in another embodiment of the method of manufacturing a tape-type CSP according to the present invention.

【図１３】図１２で示したものにＳｎ等メッキを施した
状態の拡大断面図である。FIG. 13 is an enlarged cross-sectional view of a state shown in FIG. 12 in which plating such as Sn is performed.

【図１４】図１３で示したものの裏面に、マスキング材
を貼付した状態の拡大断面図である。FIG. 14 is an enlarged sectional view showing a state in which a masking material is attached to the back surface of the one shown in FIG.

【図１５】図１４で示したものの銅箔表面のＳｎ等メッ
キを剥離した状態の拡大断面図である。FIG. 15 is an enlarged cross-sectional view of the state shown in FIG. 14 in which the plating of Sn or the like on the copper foil surface is peeled off.

【図１６】図１５で示したものの銅箔表面にフォトレジ
スト膜を形成し、露光・現像した状態の拡大断面図であ
る。FIG. 16 is an enlarged sectional view of a state in which a photoresist film is formed on the surface of the copper foil shown in FIG. 15 and exposed and developed.

【図１７】図１６で示したものをエッチング処理した状
態の拡大断面図である。FIG. 17 is an enlarged cross-sectional view of the state shown in FIG. 16 after etching processing.

【図１８】図１７で示したもののフォトレジスト膜を剥
離した状態を示す拡大断面図である。FIG. 18 is an enlarged cross-sectional view showing the state shown in FIG. 17 from which the photoresist film has been peeled off.

【図１９】図１８で示したものに無電解Ｓｎメッキを施
した状態の拡大断面図である。FIG. 19 is an enlarged cross-sectional view of a state shown in FIG. 18 in which electroless Sn plating is performed.

【図２０】図１９で示したものの裏面のマスキング材を
剥離した状態を示す拡大断面図である。FIG. 20 is an enlarged cross-sectional view showing a state where the masking material on the back surface of the device shown in FIG. 19 is peeled off.

【図２１】本発明に係るフリップチップボンディング用
テープ形ＣＳＰの他の実施例を示す拡大断面図である。FIG. 21 is an enlarged sectional view showing another embodiment of the tape type CSP for flip chip bonding according to the present invention.

【図２２】本発明に係るテープ形ＣＳＰで、半導体チッ
プをフリップチップボンディングで搭載し、ハンダボー
ルを接合した状態の拡大断面図である。FIG. 22 is an enlarged sectional view showing a state in which a semiconductor chip is mounted by flip-chip bonding and solder balls are joined in the tape-type CSP according to the present invention.

【図２３】従来のテープ形ＣＳＰで、半導体チップをフ
リップチップボンディングで搭載し、ハンダボールを接
合した状態の拡大断面図である。FIG. 23 is an enlarged cross-sectional view of a conventional tape-type CSP in which a semiconductor chip is mounted by flip chip bonding and solder balls are bonded.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１−樹脂製テープ ２−ハンダボール接合用孔 ３−接着剤 ４−銅箔 ５−Ｓｎ等メッキ ６−マスキング材 ７−フォトレジスト膜 ８−パターン ９−無電解Ｓｎメッキ １０−ボンディング用パッド部 １１−ハンダボール用パッド部 １３−半導体チップ １４−ハンダボール １５−バンプ部 Reference Signs List 1-Resin tape 2-Solder ball bonding hole 3-Adhesive 4-Copper foil 5-Sn plating 6-Masking material 7-Photoresist film 8-Pattern 9-Electroless Sn plating 10-Bonding pad 11 -Solder ball pad 13-Semiconductor chip 14-Solder ball 15-Bump

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────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成１１年１２月１３日（１９９９．１２．
１３）[Submission Date] December 13, 1999 (1999.12.
13)

【手続補正１】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】全文[Correction target item name] Full text

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【書類名】 明細書[Document Name] Statement

【発明の名称】 テープ形チップサイズパッケージの
製造方法 [Title of the Invention] production how the tape-shaped chip size package

【特許請求の範囲】[Claims]

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、テープ形チップサ
イズパッケージ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｄｚｅ Ｐａｃｋａｇ
ｅ、以下ＣＳＰとはこの略称をいう）の製造方法に関す
るものであり、主としてＴＡＢ用テープを用いるＣＳＰ
の内で、特にフリップチップボンディング用のものに係
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a tape-type chip size package (Chip Size Package).
e, the following CSP and are <br/> shall relates to a manufacturing how the refers to the abbreviation), CSP mainly using TAB tape
Among them, the present invention particularly relates to one for flip chip bonding.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近時、半導体パッケージはますます高密
度化と小型化が進んでおり、半導体チップの実装は表面
実装化され、サイズは半導体チップと同じ大きさに小型
化されるようになっている。そのため、テープ形ＢＧＡ
（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）と同様に、本発明
に係るテープ形ＣＳＰの需要も、今後ますます増大して
いる。2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor packages have become increasingly denser and smaller, and the mounting of semiconductor chips has been reduced to the same size as the semiconductor chips. ing. Therefore, tape type BGA
Like (Ball Grid Array), the demand for the tape-type CSP according to the present invention is increasing more and more in the future.

【０００３】上記テープ形ＣＳＰは、テープ表面の銅箔
の表・裏を利用できることを特徴とする二層構造になっ
ており、銅箔表面にはワイヤボンディングやフリップチ
ップボンディング用のパッド部が、また裏面にはハンダ
ボール用のパッド部が各々形成されている。The above-mentioned tape type CSP has a two-layer structure characterized in that the front and back surfaces of a copper foil on the surface of the tape can be used. Pad portions for wire bonding and flip chip bonding are provided on the copper foil surface. Further, pad portions for solder balls are formed on the back surface.

【０００４】その内で、フリップチップボンディングを
行うテープ形ＣＳＰでは、例えば図２３で示す如く、上
記銅箔表面のボンディング用パッド部、および裏面のハ
ンダボール用のパッド部には、多くは無電解でＳｎメッ
キが施されている。Among them, in a tape type CSP for performing flip chip bonding, for example, as shown in FIG. 23, a bonding pad portion on the surface of the copper foil and a pad portion for a solder ball on the back surface are mostly electroless. Is plated with Sn.

【０００５】上記ボンディング用パッド部には、後に半
導体チップをフリップチップボンディングで実装され、
他方ハンダボール用パッド部にはマザーボード等へ接合
用のハンダボールが接合されることになる（上記図２５
参照）。A semiconductor chip is mounted on the bonding pad portion later by flip chip bonding.
On the other hand, solder balls for bonding to a motherboard or the like are bonded to the solder ball pad portions (FIG. 25 described above).
reference).

【０００６】上記従来のフリップチップボンディング用
テープ形ＣＳＰの製造工程は、通常は次のようなもので
ある。まず、表面に接着剤付きのポリイミド樹脂製フ
ィルムに、プレスまたはドリルにて孔あけして銅箔をラ
ミネートし、または予め銅箔付きの樹脂製フィルムに裏
面からレーザにより孔あけする。次に上記樹脂製フィ
ルム上の銅箔を化学処理にて清浄にする。次に銅箔表
面にフォトレジストインクを塗布した後、ボンディング
用パッド部やリード部を形成用のパターンを露光し、現
像処理する。次に樹脂製フィルムの裏面からマスキン
グ材でマスキングして裏止めし、銅箔表面をエッチング
処理して、ボンディング用パッド部やリード部等のパタ
ーンを形成する。次に上記銅箔表面のフォトレジスト
と裏面の裏止め用マスキング材を剥離して、表面のボン
ディング用パッド部やリード部のパターン、裏面のハン
ダボール用パッド部を露出させる。次に銅箔の表・裏
両面に、無電解でＳｎメッキを施して、表面にはボンデ
ィング用パッド部やリード部を、また裏面にはハンダボ
ール用パッド部を形成する。[0006] The manufacturing process of the above-mentioned conventional flip-chip bonding tape type CSP is usually as follows. First, a copper foil is laminated by pressing or drilling a hole on a polyimide resin film having an adhesive on the front surface, or a laser film is previously formed on the resin film having the copper foil from the back surface. Next, the copper foil on the resin film is cleaned by a chemical treatment. Next, after a photoresist ink is applied to the copper foil surface, a pattern for forming a bonding pad portion and a lead portion is exposed and developed. Next, the back surface of the resin film is masked and masked with a masking material, and the copper foil surface is etched to form a pattern such as a bonding pad portion and a lead portion. Next, the photoresist on the surface of the copper foil and the masking material for backing on the back surface are peeled off to expose the bonding pad portion and the lead portion pattern on the front surface, and the solder ball pad portion on the back surface. Next, the front and rear surfaces of the copper foil are electrolessly plated with Sn to form bonding pad portions and lead portions on the front surface and solder ball pad portions on the rear surface.

【０００７】その後、上記の如くボンディング用パッド
部には、半導体チップをフリップチップボンディングで
実装し、またハンダボール用パッド部には、マザーボー
ド等へ接合可能にハンダボールを接合する。Thereafter, a semiconductor chip is mounted on the bonding pad portion by flip chip bonding as described above, and a solder ball is bonded to the solder ball pad portion so as to be connectable to a motherboard or the like.

【０００８】上記で、テープ形ＣＳＰの銅箔表面のボン
ディング用パッド部に無電解のＳｎメッキを施すのは、
半導体チップ側のバンプ部と直接にボンディングする際
に、バンプ部のＡｕメッキ（またはＣｕやハンダメッ
キ）とテープ形ＣＳＰのパッド部のＳｎメッキとでＳｎ
−Ａｕ合金等を生じさせて、比較的簡単に接合できるよ
うにするためである。In the above, the electroless Sn plating is applied to the bonding pad portion on the copper foil surface of the tape type CSP,
When directly bonding to the bump portion on the semiconductor chip side, Sn plating is performed by Au plating (or Cu or solder plating) of the bump portion and Sn plating of the pad portion of the tape type CSP.
-It is to generate an Au alloy or the like so that joining can be performed relatively easily.

【０００９】[0009]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
フリップチップボンディング用テープ形ＣＳＰの製造で
は、次のような問題点があった。即ち、従来は上記の如
く、テープ形ＣＳＰの銅箔表面のボンディング用パッド
部に、無電解のＳｎメッキを施しており、半導体チップ
側のバンプ部のＡｕメッキ（またはＣｕや半田メッキ）
とテープ形ＣＳＰのパッド部のＳｎメッキとでＳｎ−Ａ
ｕ合金等を生じる。その際に膜厚が厚いと、熱が加わる
ことでＳｎ−Ａｕ合金等が過剰発生して、バンプ部周り
にバブル（合金ボール）が付着したり、またバンプ部の
ＡｕメッキのＡｕがＳｎメッキのＳｎ中に拡散し（Ａｕ
食われ）たりする等のトラブルが生じる。そのため、銅
箔表面のボンディング用パッド部へのＳｎメッキの膜厚
は厳しく制限されており、一般的には０．３０μｍ±
０．１程度の薄さにする必要があるから、膜厚制御の点
から無電解Ｓｎメッキが用いられているという面もあ
る。 However, the production of the above-mentioned conventional flip-chip bonding tape type CSP has the following problems. That is, conventionally, as described above, electroless Sn plating is applied to the bonding pad portion on the copper foil surface of the tape-type CSP, and Au plating (or Cu or solder plating) is applied to the bump portion on the semiconductor chip side.
And Sn plating on the pad of the tape type CSP
This produces u alloys and the like. At that time , if the film thickness is large, heat is applied
As a result, an Sn—Au alloy or the like is excessively generated, bubbles (alloy balls) adhere around the bumps, and Au of the Au plating of the bumps diffuses into Sn of the Sn plating (Au).
Trouble such as Erosion) or occurs. Therefore, Sn-plated in the thickness of the bonding pad portion of the copper foil surface is severely limited, typically 0.30 .mu.m ±
Since Ru should be thin as 0.1, terms and electroless Sn plating is used from the thickness control point More
You.

【００１０】他面で従来は、銅箔裏面のハンダボール用
パッド部も、表面のボンディング用パッド部と同時に無
電解Ｓｎメッキにて形成している。そのため、この銅箔
裏面のＳｎメッキの膜厚も薄くなっていると、ボンディ
ング時や樹脂モールド時に加熱されると、ハンダボール
のＳｎに銅箔のＣｕが拡散して、本来Ｓｎがもっている
ハンダ付性の良い特徴が無くなり、ハンダ付けが非常に
難しくなっている。例えば、Ｓｎの膜厚を０．５５０μ
ｍとした場合に、１２５℃で１２時間加熱すると、Ｓｎ
−Ｃｕ合金が生じてハンダが付かなくなってしまう。こ
の点からは、銅箔裏面の無電解Ｓｎメッキの膜厚を厚く
すれば良いのだが、それでは上記銅箔表面の無電解Ｓｎ
メッキの膜厚を薄くせねばならぬことと相反することに
なる。 On the other side, conventionally, for solder balls on the back side of copper foil
Pad portion is also manually formed in an electroless Sn plating at the same time as the bonding pad portion of the surface. Therefore, this copper foil
If the thickness of the Sn plating on the back surface is also thin, when heated at the time of bonding or resin molding, Cu of the copper foil diffuses into Sn of the solder ball, and the solderability which originally has Sn is good. The features have been lost, making soldering very difficult. For example , if the thickness of Sn is 0.550 μm
m and heating at 125 ° C. for 12 hours, Sn
-Cu alloy is generated and solder is not attached. From this point, you may be increasing the thickness of an electroless Sn plating of the copper foil backside but So electroless Sn of the copper foil surface
This is contrary to the need to reduce the plating film thickness.

【００１１】本発明は、フリップチップボンディング用
テープ形ＣＳＰの製造方法に係り、上記従来のものがも
つ問題点の解決を課題として創作したものである。即ち
本発明の目的は、フリップチップボンディング用テープ
形ＣＳＰに関して、従来と同様に無電解Ｓｎメッキを容
易に行えるようにすると共に、Ｓｎ等メッキを行う工程
順の工夫により、ハンダボール用パッド部へハンダボー
ルを強力に接合可能とし、かつ不良品発生の低減とコス
トダウンも図ることにある。[0011] The present invention relates to a flip chip tape shape CSP manufacturing how bonding is obtained by creation as a problem to solve the problems of those of the prior have. That is, an object of the present invention is to facilitate the electroless Sn plating in the same manner as in the past with respect to the flip-chip bonding tape type CSP and to improve the solder ball pad portion by devising the order of the Sn or other plating process. Another object of the present invention is to make it possible to bond solder balls strongly, to reduce the occurrence of defective products and to reduce costs.

【００１２】[0012]

【課題を解決するための手段】Ｉ 本発明に係るテープ
形ＣＳＰの製造方法の第１は、樹脂性テープ１の表面の
銅箔４表面にボンディング用パッド部１０を、裏面にハ
ンダボール用パッド部１１をもつテープ形ＣＳＰの製造
方法において、上記銅箔４を洗浄後で、銅箔４表面の全
体にフォトレジスト膜７を形成する前の段階で、少なく
とも銅箔４の裏面にＳｎ等メッキ５を施し、次に上記樹
脂製テープ１の裏面からマスキング材６で裏止めすると
共に、上記で銅箔４表面にもＳｎ等メッキ５を施した場
合はそのＳｎ等メッキ５を剥離し、次に銅箔４表面の全
体にフォトレジスト膜７を形成して、露光・現像・エッ
チング後に剥離してパターン８を形成し、次に銅箔４表
面に無電解でＳｎメッキ９を行って、ボンディング用パ
ッド部１０を形成し、その後に樹脂製テープ１裏面の裏
止め用マスキング材６を剥離して、銅箔４裏面のハンダ
ボール用パッド部１１を露呈するようにしたものであ
る。First tape-shaped CSP process for producing according to I the invention To achieve the above object, according a <br/> copper foil 4 board bindings pad portion 10 on the front surface of the resin tape first surface, the method of manufacturing a tape-shaped CSP having solder balls pad portion 11 on the back surface, after washing the copper foil 4, the total of the copper foil 4 surface
At a stage before the formation of the photoresist film 7 on the body , at least a plating 5 such as Sn is applied to the back surface of the copper foil 4, and then the backing of the resin tape 1 is backed with a masking material 6.
Both when applying the Sn or the like plating 5 to the copper foil 4 surface above is peeled off the Sn or the like plating 5, all of the next foil 4 surface
A photoresist film 7 is formed on the body and exposed, developed and etched.
After patterning, peeled to form pattern 8, then copper foil 4
The surface is subjected to electroless Sn plating 9 to form a bonding pad portion 10, and thereafter, the backing masking material 6 on the back surface of the resin tape 1 is peeled off, and the soldering material on the back surface of the copper foil 4 is removed.
The ball pad portion 11 is exposed .

【００１３】ＩＩ 本発明に係るテープ形ＣＳＰの製造
方法の第２は、裏面からハンダボール接合用孔２が形成
され、表面に銅箔４が貼付された樹脂製テープ１を化学
処理で清浄化した後に、上記銅箔４の少なくとも裏面に
電解メッキでＳｎ等メッキ５を施し、次に裏面をマスキ
ング材６で裏止めして、先に表面にもＳｎ等メッキ５を
施したものでは表面のＳｎ等メッキ５を剥離し、次に銅
箔４表面の全体にフォトレジスト膜７を塗布して、パッ
ド部等のパターンを露光・現像・エッチングし、次にフ
ォトレジスト膜７を剥離して銅箔４表面にパターン８を
形成し、次に該パターン８に無電解Ｓｎメッキ９を施し
て、ボンディング用パッド部を形成し、その後に上記マ
スキング材６を剥離して、ハンダボール接合用孔２内に
銅箔４裏面のＳｎ等メッキ５を露呈させることにより、
銅箔４表面に無電解Ｓｎメッキによるボンディング用パ
ッド部１０を、裏面に電解メッキによるハンダボール用
パッド部１１を各々形成するようにしたものである。II A second method of manufacturing a tape-type CSP according to the present invention is to form a solder ball bonding hole 2 from the back surface.
The resin tape 1 with the copper foil 4 stuck on the surface
After cleaning by treatment, at least the back surface of the copper foil 4
Apply plating 5 such as Sn by electrolytic plating, and then mask the back surface.
Backing with a plating material 6 and first apply a plating 5 such as Sn on the surface.
After the plating, the plating 5 such as Sn on the surface is peeled off, and then the copper
A photoresist film 7 is applied to the entire surface of the foil 4 and
Exposure, development, and etching of patterns such as
The photoresist film 7 is peeled off to form a pattern 8 on the surface of the copper foil 4.
Then, electroless Sn plating 9 is applied to the pattern 8.
To form a bonding pad, and then
Peel off the Sking material 6 and insert it into the solder ball bonding hole 2.
By exposing the plating 5 such as Sn on the back surface of the copper foil 4,
The surface of copper foil 4 for bonding by electroless Sn plating
For solder ball by electrolytic plating on the back surface
The pad portions 11 are respectively formed .

【００１４】[0014]

【発明の実施の形態】本発明の上記構成おいて、銅箔４
裏面へのＳｎ等メッキ５とは、ＳｎメッキやＳｎ合金
（＝ハンダ）メッキを指すものである。この銅箔４裏面
へのＳｎ等メッキ５は、銅箔４表面へのＳｎメッキ９が
上記の如く無電解Ｓｎメッキとしたのと異なり、この種
の分野で一般的な電解メッキで行えばよい。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the above configuration of the present invention, the copper foil 4
The plating 5 such as Sn on the back surface refers to Sn plating or Sn alloy (= solder) plating . Sn, plating 5 to the copper foil 4 backside of This, Sn plating 9 on the foil 4 surface
Unlike the electroless Sn plating as described above, this type
May be performed by general electrolytic plating in the field of (1).

【００１５】樹脂製テープ１にはポリイミド樹脂製のも
のを用いることが望ましい。上記で樹脂製テープ１表面
に銅箔４がラミネートされ、該樹脂製テープ１裏面から
ハンダボール接合用孔２があけられたものとは、表面に
接着剤３付きのポリイミド樹脂製テープ１に、プレスま
たはドリルにて孔あけして銅箔４をラミネートした３層
構造のものでよいし（例えば図１参照）、また予め銅箔
４がラミネートされた樹脂製テープ１に裏面からレーザ
により孔あけした２層構造のものでもよい（例えば図１
３参照）。It is desirable to use a resin tape 1 made of a polyimide resin. In the above, the copper foil 4 is laminated on the surface of the resin tape 1 and the hole 2 for joining solder balls is formed from the back surface of the resin tape 1 with the polyimide resin tape 1 with the adhesive 3 on the surface. A three-layer structure in which a copper foil 4 is laminated by punching with a press or a drill may be used (see, for example, FIG. 1), or a resin tape 1 on which the copper foil 4 has been laminated is laser-punched from the back surface. A two-layer structure (for example, FIG. 1
3).

【００１６】銅箔４を洗浄後でフォトレジスト膜７を形
成する前に、少なくともその裏面に電解メッキによりＳ
ｎ等メッキ５を施すが、このメッキは銅箔４の裏面だけ
でもよいが、表・裏面同時に施す方が、後記の如く製造
上容易である（例えば図３および図１３参照）。このＳ
ｎ等メッキ５の厚みは、通常５〜１０μｍ程度にしてお
くことが望ましい。 After the copper foil 4 is washed and before the photoresist film 7 is formed, at least the back surface thereof is formed by electrolytic plating.
Although plating 5 such as n is performed, this plating may be performed only on the back surface of the copper foil 4. However, it is easier to manufacture the front and back surfaces simultaneously as described later (for example, see FIGS. 3 and 13). This S
The thickness of the plating 5 such as n is usually about 5 to 10 μm.
Is desirable.

【００１７】上記で、銅箔４の裏面にだけＳｎ等メッキ
５を施す場合は、図示は省略したが銅箔４の表面をマス
キングしてメッキすればよい。表面にも同時にメッキを
施した場合には、フォトレジスト膜７を形成する前に、
表面に付着したＳｎ等メッキ５を剥離しておく。 When the plating 5 such as Sn is applied only to the back surface of the copper foil 4, the surface of the copper foil 4 may be masked and plated, although not shown. If the surface is also plated at the same time, before forming the photoresist film 7,
The plating 5 such as Sn adhered to the surface is peeled off .

【００１８】樹脂製テープ１の裏面をマスキング材６に
て裏止めするのは、表面に付着したＳｎ等メッキ５を剥
離時や、フォトレジスト膜７の剥離時に、裏面のＳｎ等
メッキ５を保護することと、表面のボンディング用パッ
ド部１への無電解Ｓｎメッキ時に、裏面のＳｎ等メッキ
５に無電解Ｓｎメッキが付着するのを防止する意味があ
る。The back surface of the resin tape 1 is backed by the masking material 6 when the plating such as Sn adhered to the front surface is peeled or when the photoresist film 7 is peeled, the plating such as Sn on the back surface is protected. In addition, when the electroless Sn plating is performed on the bonding pad portion 1 on the front surface, there is a meaning of preventing the electroless Sn plating from adhering to the plating 5 such as Sn on the rear surface.

【００１９】このマスキング材６には、マスキング用テ
ープの貼布やドライフィルムの貼布でもよいが、後で剥
離する際の便宜上からは剥離可能なソルダーレジストイ
ンクを貼付することが望ましい。The masking material 6 may be a masking tape or a dry film, but it is preferable to apply a releasable solder resist ink for the convenience of later peeling.

【００２０】フォトレジスト膜７を形成して、パターン
を露光し現像した後にエッチングする手段は、従来の工
程で行うのと同様であり、その後にフォトレジスト膜７
を剥離してパターン８を形成した後に、上記の如く無電
解によるＳｎメッキを施す。この無電解Ｓｎメッキ９の
厚みは、通常０．２０〜０．４０μｍ程度にしておくの
がよい。 [0020] to form a photo-resist film 7, the means for etching after exposing the pattern development is the same as performed in the conventional process, the photoresist film 7 thereafter
Is peeled off to form a pattern 8, and then electroless Sn plating is performed as described above. This electroless Sn plating 9
The thickness is usually about 0.20 to 0.40 μm
Is good.

【００２１】上記による無電解Ｓｎメッキにより、銅箔
４表面の上記パターン８の内でボンディング用パッド部
１０になるパターン部分に無電解Ｓｎメッキ９が施され
る。しかしこれに対して銅箔４の裏面は、上記の如くマ
スキング材６が貼布または塗布されているので、先に施
したＳｎ等メッキ５のままが維持されている。A copper foil is formed by the electroless Sn plating described above.
An electroless Sn plating 9 is applied to a pattern portion that becomes the bonding pad portion 10 in the pattern 8 on the four surfaces . But the back surface of the copper foil 4 on the other hand, since the masking material 6 as described above are patches or coating, facilities previously
The plating 5 such as Sn is maintained.

【００２２】上記の如く、本発明に係るテープ形ＣＳＰ
の製造方法では、銅箔４の裏面にＳｎ等メッキ５を行う
工程を、銅箔４表面にフォトレジスト膜７を塗布してパ
ターン８を形成する前の段階で行っていることに特徴が
ある。この段階でＳｎ等メッキ５を行ってしまうので、
微細なリード部等を含むパターン８を形成後にＳｎ等メ
ッキを行う場合と異なり、Ｓｎ等メッキ５を行うに際し
て微細なリード部を被覆するマスキングの必要が無くな
るから、製造工程が非常に簡単になっている。As described above, the tape-type CSP according to the present invention
In the manufacturing method of (1), the step of performing plating 5 such as Sn on the back surface of the copper foil 4 is performed at a stage before the photoresist film 7 is applied to the surface of the copper foil 4 to form the pattern 8. Specially
is there. Since plating 5 such as Sn is performed at this stage ,
Unlike the case of performing Sn, plating after forming a pattern 8 containing fine leads or the like, it without the need masking coating the fine lead unit when performing Sn or the like plated 5
Therefore , the manufacturing process is greatly simplified.

【００２３】また、上記の段階で銅箔４裏面にＳｎ等メ
ッキ５を行ってしまうことにより、銅箔４表面のリード
部やボンディングパッド部１０上に、Ｓｎ等メッキ５が
付着するようなこともない。そのためそのままの状態
で、換言すれば剥離・洗浄処理を行うことなく、銅箔４
表面のリード部やボンディングパッド部に、無電解メッ
キでＳｎメッキ９を行うことが可能となる。この面でも
テープ形ＣＳＰの製造工程が容易となり、かつ低コスト
での製造が可能となっている。 Further, Ri by that have gone to Sn, plating 5 on the copper foil 4 backside in the steps described above, on the lead portion and the bonding pad portion 10 of the copper foil 4 surface, so that the Sn or the like plating 5 is attached Nothing . Therefore , the copper foil 4 can be used as it is , in other words, without performing the peeling / cleaning process.
Apply electroless mess to the leads and bonding pads on the surface.
It becomes possible to carry out the Sn plating 9 with the keys . It is easy to manufacture process of the tape-shaped CSP in terms of this, and has become possible to manufacture at low cost.

【００２４】他面で、上記銅箔４裏面のハンダボール用
パッド部１１のＳｎ等メッキ５は、ハンダボール１４を
接合時の熱でハンダボール１４と共に溶融するから、こ
こでのハンダボール１４の接合は、十分な厚みをもつＳ
ｎまたはＳｎ合金と銅箔４との接合になる（図２２参
照）。そのため、従来のような接合時に酸化膜が付いた
り、Ｃｕが拡散してＣｕ−Ｓｎ合金の薄くハンダ付き性
も悪いＳｎメッキを介した接合と異なり、ハンダボール
１４の接合強度は大幅に向上している。 On the other side, the plating 5 such as Sn of the solder ball pad portion 11 on the back surface of the copper foil 4 is melted together with the solder ball 14 by heat at the time of joining the solder ball 14. The joint is made of S
n or Sn alloy and the copper foil 4 (see FIG. 22).
See). Therefore, or with a conventional oxide film at the time of bonding, such as, unlike bonding Cu is over the bad Sn plating thin solderability of diffuse Cu-Sn alloy, the bonding strength of the solder balls 14 are greatly improved ing.

【００２５】加えて、上記の如く樹脂製テープ１裏面の
マスキング材６に、テープ、ドライフィルムまたは機械
的に剥離可能なソルダーレジスト膜を用いているので、
従来の例えばマスキング用インクを印刷した場合と異な
り、マスキング材６の境界の精度が向上する。またそれ
らは機械的に剥離可能であるから、上記インクを例えば
カセイソーダ溶液で剥離する場合と異なり、銅箔４表面
のボンディング用パッド部１０のＳｎメッキや、裏面の
ハンダボール用パッド部１１のＳｎ等メッキ５が、剥離
用液で汚されることもない。In addition, since a tape, a dry film, or a mechanically peelable solder resist film is used for the masking material 6 on the back surface of the resin tape 1 as described above,
Unlike the conventional case of printing a masking ink, for example, the accuracy of the boundary of the masking material 6 is improved. Further, since they can be mechanically peeled, unlike the case where the ink is peeled with, for example, a caustic soda solution, Sn plating of the bonding pad portion 10 on the surface of the copper foil 4 and Sn plating of the solder ball pad portion 11 on the back surface are performed. The equal plating 5 is not contaminated with the stripping solution.

【００２６】なお、上記銅箔４表面のボンディング用パ
ッド部１０には、膜厚の薄い（例えば０．３０μｍ±
０．１程度）の無電解Ｓｎメッキ９が施されている。そ
のためフリップチップボンディング時に、半導体チップ
側のバンプ部１５のＡｕメッキ（またはＣｕやハンダメ
ッキ）と、テープ形ＣＳＰのボンディング用パッド部１
０のＳｎメッキとによるＳｎ−Ａｕ合金等が過剰発生す
ることがない。これで、バンプ部１５周りにバブル（合
金ボール）が付着したり、バンプ部１５のＡｕメッキの
Ａｕが無電解Ｓｎメッキ中に拡散したり（Ａｕ食われ）
等のトラブルは生じない。The bonding pad 10 on the surface of the copper foil 4 has a thin film (for example, 0.30 μm ±
(Approximately 0.1). Therefore when Furippuchi-up bonding, the Au plating bump portion 15 of the semi-conductor chip side (or Cu or solder plating), the bonding pad portion 1 of the tape-shaped CSP
Excessive generation of Sn-Au alloy and the like due to Sn plating of 0
Rukoto is not. As a result, bubbles (alloy balls) adhere around the bump portion 15 or Au of the Au portion of the bump portion 15 diffuses during electroless Sn plating (Au is eroded).
Trouble etc. does not occur.

【００２７】[0027]

【実施例】図１ないし図２２は、本発明に係るフリップ
チップボンディング用のテープ形ＣＳＰの製造方法の工
程順、およびそれにより製造されたテープ形ＣＳＰの実
施例を示すものであるが、図では厚みを誇張して示して
ある。また図示例では、半導体チップがフェイスダウン
型のものを示しており、フェイストップ（アップ）型の
ものでは上下が逆になる。1 to 22 show the sequence of steps in a method of manufacturing a tape-type CSP for flip-chip bonding according to the present invention and an example of a tape-type CSP manufactured by the method. The thickness is exaggerated. In the illustrated example, the semiconductor chip is of a face-down type, and the face-up (up) type is upside down.

【００２８】図１ないし図１１、および図２２は、表面
に接着剤付きのポリイミド樹脂製テープ１に銅箔４をラ
ミネートした３層構造のものに関し、図１２ないし図２
１は予め銅箔がラミネートされた樹脂製テープ１を用い
る２層構造のものに関する。FIGS. 1 to 11 and FIG. 22 relate to a three-layer structure in which a copper foil 4 is laminated on a polyimide resin tape 1 having an adhesive on the surface, and FIGS.
Reference numeral 1 relates to a two-layer structure using a resin tape 1 on which a copper foil is laminated in advance.

【００２９】まず図１は、表面に接着剤３が塗布された
ポリイミド樹脂製テープ１を、パンチングによりハンダ
ボール接合用孔２が形成された状態を示す。ポリイミド
樹脂製テープ１の厚みは通常５０〜１２５μｍのものが
用いられるが、ここでは５５μｍのものを用いており、
接着剤３の厚みは１２μｍ程度のものを用いている。First, FIG. 1 shows a state in which holes 2 for joining solder balls are formed by punching a polyimide resin tape 1 having an adhesive 3 applied to the surface. The thickness of the polyimide resin tape 1 is usually 50 to 125 μm. Here, the thickness is 55 μm.
The thickness of the adhesive 3 is about 12 μm.

【００３０】次に図２で示す如く、上記図１で示したポ
リイミド樹脂製テープ１の表面の接着剤３に、銅箔４を
ラミネートする。また図１３は、予め銅箔がラミネート
された樹脂製テープ１で、レーザーによりハンダボール
接合用孔２が形成されたものを示す。銅箔４の厚みは通
常１８μｍまたは２５μｍのものが用いられるが、ここ
では１８μｍのものを用いている。Next, as shown in FIG. 2, a copper foil 4 is laminated on the adhesive 3 on the surface of the polyimide resin tape 1 shown in FIG. FIG. 13 shows a resin tape 1 on which a copper foil is preliminarily laminated, in which a solder ball bonding hole 2 is formed by laser. The thickness of the copper foil 4 is usually 18 μm or 25 μm, but here, 18 μm is used.

【００３１】次に図３や図１３で示す如く、上記図２や
図１２で示したものの銅箔４に、Ｓｎ等メッキとしてこ
こではＳｎ合金メッキ（＝ハンダメッキ）５を施す。ま
たここでは銅箔４の表・裏両面にＳｎ合金メッキ５を施
しており、このＳｎ合金メッキ５の厚みは上記の如く通
常５〜１０μｍ程度であるが、ここでは７μｍとしてい
る。この膜厚を厚くするため、銅箔４表面にＳｎメッキ
を無電解で行うのと異なり、ここでは一般的な電解メッ
キで行えばよい。このＳｎ合金メッキ５は、銅箔４裏面
にだけ施してもよく、その際には銅箔４表面をマスキン
グしてメッキ処理すればよい。Ｓｎ合金メッキ５の代わ
りにＳｎメッキにしてもよいことは上記のとおりであ
る。Next, as shown in FIGS. 3 and 13, the copper foil 4 shown in FIGS. 2 and 12 is plated with Sn alloy (= solder plating) 5 as Sn plating. Here, the Sn alloy plating 5 is applied to both the front and back surfaces of the copper foil 4, and the thickness of the Sn alloy plating 5 is usually about 5 to 10 μm as described above. I have. In order to increase this film thickness, Sn plating is applied to the surface of the copper foil 4.
Unlike electroless electrolysis, a general electrolysis
You can do it with g. The Sn alloy plating 5 may be applied to the copper foil 4 backside only, in that case have good if the plating process by masking the copper foil 4 surface. As described above, Sn plating may be used instead of Sn alloy plating 5.

【００３２】次に図４や図１４で示す如く、上記図３や
図１３で示したものの裏面に、マスキング材としてここ
では機械的に剥離可能なソルダーレジスト膜６を貼付し
て、裏止めする。このソルダーレジスト膜６により、ハ
ンダボール接合用孔２が覆われ、上記銅箔４の裏面が遮
蔽される。このマスキング材６は、ソルダーレジスト膜
の代わりに、テープやドライフィルムを用いてもよいこ
とは上記のとおりである。Next, as shown in FIGS. 4 and 14, a mechanically peelable solder resist film 6 as a masking material is attached to the back surface of the one shown in FIGS. . The solder resist film 6 covers the solder ball bonding hole 2 and shields the back surface of the copper foil 4. As described above, a tape or a dry film may be used as the masking material 6 instead of the solder resist film.

【００３３】次に図５や図１５で示す如く、上記図４や
図１４で示した銅箔４表面のＳｎ合金メッキ５を、剥離
する。これで、銅箔４表面は全体が露呈されるが、裏面
は上記の如くマスキング材のソルダーレジスト膜６で遮
蔽されたままである。このＳｎ合金メッキ５の剥離は、
従来法と同じように行えばよい。なお図示は省略する
が、先のＳｎ合金メッキ５を銅箔４裏面にのみ施した場
合は、そのメッキの際に銅箔４表面に形成してあるマス
キングを剥離すればよいが、マスキングして銅箔４表面
にメッキをするよりも、ここでのように表・裏面共にメ
ッキをしておき、それを剥離する方が製造上簡単で便利
である。Next, as shown in FIGS. 5 and 15, the Sn alloy plating 5 on the surface of the copper foil 4 shown in FIGS. 4 and 14 is peeled off. Thus, the entire surface of the copper foil 4 is exposed, but the back surface is still shielded by the solder resist film 6 of the masking material as described above. The separation of the Sn alloy plating 5 is as follows.
What is necessary is just to carry out similarly to a conventional method. Although illustration is omitted, when the Sn alloy plating 5 is applied only to the back surface of the copper foil 4 , the masking formed on the surface of the copper foil 4 at the time of the plating may be removed. But masking, copper foil 4 surface
Than the plating, wherein leave the plated front and back side both as it is convenient and easy manufacture better to peel it.

【００３４】次に図６や図１６で示す如く、上記図５や
図１６で示したものの銅箔４表面にフォトレジスト膜７
を形成し、リード部やパッド部等のパターンを露光し、
現像する。このフォトレジスト膜７はネガ型でもポジ型
でもよいが、ここでは精度がよいとされるポジ型を用い
ている。上記現像処理に際して、上記で樹脂製テープ１
裏面に貼付したマスキング材としてのソルダーレジスト
膜６が、現像液から銅箔４裏面のＳｎ合金メッキ５を保
護し汚染を防止している。Next, as shown in FIGS. 6 and 16, a photoresist film 7 is formed on the surface of the copper foil 4 shown in FIGS.
Is formed, and the pattern of the lead portion and the pad portion is exposed,
develop. The photoresist film 7 may be a negative type or a positive type, but here, a positive type which is considered to have high accuracy is used. At the time of the development processing, the resin tape 1
A solder resist film 6 as a masking material adhered to the back surface protects the Sn alloy plating 5 on the back surface of the copper foil 4 from a developing solution to prevent contamination.

【００３５】次に図７や図１７で示す如く、上記図６や
図１６で示したものをエッチング処理する。このエッチ
ング処理も、従来法と同じように塩化第二鉄の溶液を剥
離液として行えばよく、これで銅箔４表面に、フリップ
チップボンディング用のパッド部やリード等のパターン
８が形成される（図８・図１８参照）。このエッチング
処理に際して本発明では、樹脂製テープ１裏面に貼付し
たマスキング材としてのソルダーレジスト膜６が、エッ
チング液から銅箔４裏面のＳｎ合金メッキ５を保護し
て、汚染・浸食を防止している。Next, as shown in FIGS. 7 and 17, the one shown in FIGS. 6 and 16 is etched. This etching treatment may be performed using a solution of ferric chloride as a stripping solution as in the conventional method, and a pattern 8 such as a flip chip bonding pad or a lead is formed on the surface of the copper foil 4. (See FIGS. 8 and 18). In the present invention during the etching process, the solder resist film 6 serving as a masking material was adhered to a back surface tree butter made tape protects the Sn alloy plating 5 of the copper foil 4 backside from the etchant
Te, so as to prevent the pollution and erosion.

【００３６】次に図８や図１８で示す如く、上記図７や
図１７で示したもののフォトレジスト膜７を剥離する。
このフォトレジスト膜７の剥離も、ここでは従来法と同
じように剥離液に１〜２パーセントの薄いカセイソーダ
溶液を用いて行っている。これで樹脂製テープ１表面に
は、ボンディング用パッド部やリード部のパターン８と
なった銅箔４が露呈するが、樹脂製テープ１裏面のマス
キング材としてのソルダーレジスト膜６が、剥離液から
銅箔４裏面のＳｎ合金メッキ５を保護して、汚染・浸食
を防止している。Next, as shown in FIGS. 8 and 18, the photoresist film 7 shown in FIGS. 7 and 17 is peeled off.
Here, the photoresist film 7 is also stripped using a thin caustic soda solution of 1 to 2% as a stripping solution as in the conventional method. As a result, the copper foil 4 serving as the bonding pad portion and the lead portion pattern 8 is exposed on the surface of the resin tape 1, but the solder resist film 6 as a masking material on the back surface of the resin tape 1 is removed from the release liquid. It protects the Sn alloy plating 5 of the copper foil 4 backside, thereby preventing the pollution-erosion <br/>.

【００３７】次に図９や図１９で示す如く、上記図８や
図１８で示したものに、ここでは無電解でＳｎメッキ９
を施し、銅箔４表面に露呈しているフリップチップボン
ディング用のパッド部１０等を形成する。この無電解Ｓ
ｎメッキ９の厚みは、上記の如く通常０．２０〜０．４
０μｍ程度が行われるが、ここでは０．３０μｍとして
ある。Next, as shown in FIGS. 9 and 19, an electroless Sn plating 9
To form a flip chip bonding pad portion 10 exposed on the surface of the copper foil 4. This electroless S
The thickness of the n-plate 9 is usually 0.20 to 0.4 as described above.
The thickness is about 0 μm, but is set to 0.30 μm here.

【００３８】この無電解メッキ処理の際にも、樹脂製テ
ープ１裏面に貼付した上記のマスキング材としてのソル
ダーレジストインク６により、銅箔４裏面は遮蔽された
ままである。そのため、銅箔４裏面のＳｎ合金メッキ５
に、ここでの無電解Ｓｎメッキ９が付着することは防止
されており、この無電解のＳｎメッキ処理は何の問題も
なく行われることになる。 [0038] Also during this electroless plating process, the solder resist ink 6 as the masking material was attached to the resin tape 1 back surface, the copper foil 4 back side remains shielded. Therefore , Sn alloy plating 5 on the back surface of copper foil 4
Here, the electroless Sn plating 9 is prevented from adhering , and this electroless Sn plating treatment has no problem.
It will be done without .

【００３９】次に図１０や図２０で示す如く、上記図９
や図１９で示した樹脂製テープ１裏面のマスキング材６
としてのソルダーレジストインク６を剥離することによ
り、銅箔４裏面にＳｎ合金メッキ５が施されたハンダボ
ール用パッド部１１が、ハンダボール接合用孔２から露
呈される。これで、フリップチップボンディング用のテ
ープ形ＣＳＰが形成されたことなる。Next, as shown in FIG. 10 and FIG.
And tree butter tape made 1 rear surface of the masking material 6 shown in FIG. 19
By peeling the solder resist ink 6, the solder ball pad 11 having the Sn alloy plating 5 on the back surface of the copper foil 4 is exposed from the solder ball bonding hole 2. Thus, a tape type CSP for flip chip bonding is formed.

【００４０】その後は図１１や図２１、および図２２で
示す如く、上記図１０や図２０で示したテープ形ＣＳＰ
に、銅箔４表面のボンディング用パッド部１０には半導
体チップ１３がボンディングされ、また裏面のハンダボ
ール用パッド部１１には、ハンダボール用孔部２を経て
ハンダボール１４が係合・溶融されて接合される。Thereafter, as shown in FIGS. 11, 21 and 22, the tape-type CSP shown in FIGS.
The semiconductor chip 13 is bonded to the bonding pad portion 10 on the surface of the copper foil 4 , and the solder ball 14 is engaged and fused to the solder ball pad portion 11 via the solder ball hole 2. Joined.

【００４１】上記実施例によるテープ形ＣＳＰの製造方
法やそれによるテープ形ＣＳＰによる作用は、上記発明
の実施の形態の欄で述べた通りであるから、ここでは省
略する。The method of manufacturing the tape-type CSP according to the above-described embodiment and the operation of the tape-type CSP according to the method are the same as those described in the section of the embodiment of the present invention, and will not be described here.

【００４２】[0042]

【発明の効果】以上で明かな如く、本発明に係るフリッ
プチップボンディング用のテープ形ＣＳＰの製造方法で
は、Ｓｎ等メッキのパッド部へハンダボールを強力に接
合できるし、ボンディング用パッド部のＳｎメッキ処理
を無電解で問題なく行うことができ、シンプルな製造工
程により製造できるし、不良品発生も低減でき、かつコ
ストダウンを図ることもできる。As apparent in the above, according to the present invention, <br/> tape type CSP of a manufacturing method for flip chip bonding according to the present invention, to be strongly bonded to the solder ball to the pad portion of the Sn or the like plating, ball Sn plating <br/> of bindings for Pas head portion can be done without problems by electroless and to be manufactured by simple manufacturing steps, defective products occur can be reduced, and it is also possible to reduce costs.

【００４３】即ち、本発明に係るフリップチップボンデ
ィング用のテープ形ＣＳＰの製造方法では、樹脂製テー
プ上の銅箔裏面に、ハンダボール係合用孔を介して露呈
するハンダボール用パッド部を形成する際に、該ハンダ
ボール用パッド部へＳｎ（またはＳｎ合金メッキ）を行
う工程を、銅箔表面でボンディング用パッド部やリード
部等のパターンを形成する前の段階で行っている。[0043] That is, in the tape type CSP of a manufacturing method for flip chip bonding according to the present invention, the copper Hakuura surface on the resin tape, forming a solder ball pad portion which is exposed through the solder balls engaging hole At this time, a step of performing Sn (or Sn alloy plating) on the solder ball pad portion is performed at a stage before a pattern such as a bonding pad portion or a lead portion is formed on the surface of the copper foil.

【００４４】そのため本発明では、ａ）従来の銅箔表面
にリード部をもつパターンを形成後に、銅箔裏面のハン
ダボール用パッド部にＳｎ（Ｓｎ合金）メッキを行う方
法と異なり、微細なリード部を被覆するマスキングの必
要が無くなっており、テープ形ＣＳＰの製造をきわめて
容易かつ安く行うことができるようになる。Therefore, in the present invention, a) a fine lead is formed, unlike the conventional method of forming a pattern having a lead portion on the surface of a copper foil and then plating the solder ball pad portion on the back surface of the copper foil with Sn (Sn alloy). This eliminates the need for masking the part, and makes it possible to manufacture the tape-type CSP extremely easily and cheaply .

【００４５】ｂ）同じく、銅箔裏面のハンダボール用パ
ッド部へのＳｎ等メッキの工程を上記の段階で行うこと
により、銅箔表面のリード部やボンディングパッド部に
Ｓｎ等メッキが付着していないから、その後そのままで
剥離・洗浄等の工程を経ることなく、銅箔表面のリード
部やボンディングパッド部にＳｎメッキを無電解で行う
ことができるようになり、この面でも製造工程を簡単な
ものにできる。B) Similarly, the step of plating Sn or the like on the solder ball pad portion on the back surface of the copper foil is performed at the above-mentioned stage, so that the plating such as Sn adheres to the lead portion or the bonding pad portion on the copper foil surface. Since there is no
Lead on the copper foil surface without going through steps such as peeling and washing
It can now be carried out by electroless the S n main Tsu key to a department or bonding pad portion, can be a manufacturing process in this respect be simplified.

【００４６】ｃ）また本発明では、銅箔裏面のハンダボ
ール用パッド部のＳｎ等メッキが、電解メッキにより膜
厚の厚くなっている。それゆえ、従来のような薄いＳｎ
等メッキにより、Ｃｕが拡散したＣｕ−Ｓｎ合金との接
合ではなく、パッド部の厚いＳｎ等メッキとハンダボー
ルのＳｎ合金間とが溶融し合っての接合となる。これに
より、ハンダボールの接合強度は大幅に向上しており、
かつハンダボールを接合させる際にフラックスを必ずし
も用いる必要がなくなる。C) In the present invention, the plating of Sn or the like on the solder ball pad on the back surface of the copper foil is performed by electrolytic plating.
It is thicker . Therefore, the conventional thin Sn
The equal plating, rather than the bonding between the Cu-Sn alloy Cu is diffused, and between Sn alloy thick Sn, plating and solder balls of Pas head portion is bonded to each other by melting. to this
More, the bonding strength of the solder balls are greatly improved,
In addition, it is not necessary to use flux when joining the solder balls.

【００４７】ｄ）さらに、銅箔表面のボンディング用パ
ッド部等への無電解Ｓｎメッキは、裏面のハンダボール
用パッド部がマスキング材で裏止め被覆された状態で行
われるから、ハンダボール用パッド部のＳｎ等メッキの
表面が無電解メッキ時の薬品で汚染されることは無くな
る。加えて、銅箔表面のボンディング用パッド部は、無
電解によるＳｎメッキで行われているから、膜厚も薄く
できてボンディング時に半導体チップのバンプ部との間
でバブルの発生やＡｕ食われ等が生じることがない。 D) Further , a bonding pad on the surface of the copper foil
For the electroless Sn plating on the pad part etc.
With the masking pad covered with a masking material.
Of the solder ball pad, etc.
The surface will not be contaminated with chemicals during electroless plating
You. In addition, there is no bonding pad on the copper foil surface.
Since the plating is performed by Sn plating by electrolysis, the film thickness is small.
Between the bumps of the semiconductor chip during bonding
Thus, generation of bubbles and Au erosion do not occur.

【００４８】 ｅ）しかも、上記の如く樹脂製テープ１裏
面のマスキング材に、テープ、ドライフィルムまたは剥
離可能なソルダーレジスト膜を用いているので、従来の
マスキング用インクを印刷した場合と異なり、マスキン
グ材の境界の精度が向上するし、それらは剥離可能であ
るから、上記インクを例えばカセイソーダ溶液で剥離す
るのと異なり、銅箔表面のボンディング用パッド部のＳ
ｎメッキや、裏面のハンダボール用パッド部のＳｎ等メ
ッキが、剥離用液で汚されることを防止でき、この点か
らもハンダボールの接合が強力に行えることになる。 [0048] e) In addition, as described above resin tape 1 back
Use a tape, dry film, or peel
Conventional solder resist film is used.
Unlike printing with masking ink, maskin
The accuracy of the material boundaries is improved and they are peelable.
Therefore, peel off the ink with, for example, caustic soda solution.
Different from that of the bonding pad on the copper foil surface.
n plating and solder ball pad on the back
The stick can be prevented from being stained with the stripping solution.
They will also be able to strongly join the solder balls.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明に係るテープ形ＣＳＰの製造方法の実施
例で用いる樹脂製テープの拡大断面図である。FIG. 1 is an enlarged sectional view of a resin tape used in an embodiment of a method of manufacturing a tape-type CSP according to the present invention.

【図２】図１で示した樹脂製テープの表面に銅箔をラミ
ネートした状態の拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing a state in which a copper foil is laminated on the surface of the resin tape shown in FIG.

【図３】図２で示したものの銅箔にＳｎ等メッキを施し
た状態の拡大断面図である。FIG. 3 is an enlarged sectional view of the state shown in FIG. 2 in which a copper foil is plated with Sn or the like;

【図４】図３で示したものの裏面にマスキング材を設け
た状態の拡大断面図である。FIG. 4 is an enlarged sectional view of a state shown in FIG. 3 in which a masking material is provided on the back surface.

【図５】図４で示したものの表面のＳｎ等メッキを剥離
した状態の拡大断面図である。FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of the state shown in FIG. 4 in a state where plating such as Sn on the surface is peeled off.

【図６】図５で示したものの表面の銅箔にフォトレジス
ト膜を形成し、露光・現像した状態の拡大断面図であ
る。FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view of a state where a photoresist film is formed on a copper foil on the surface of FIG. 5 and exposed and developed.

【図７】図６で示したものをエッチングした状態の拡大
断面図である。FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view showing a state where the one shown in FIG. 6 is etched.

【図８】図７で示したもののフォトレジスト膜を剥離し
た状態の拡大断面図である。FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view of the state shown in FIG. 7 with the photoresist film removed.

【図９】図８で示したもののに無電解Ｓｎメッキを施し
た状態の拡大断面図である。FIG. 9 is an enlarged cross-sectional view of the state shown in FIG. 8 after electroless Sn plating.

【図１０】図９で示したものの裏面のマスキング材を剥
離した状態を示す拡大断面図である。FIG. 10 is an enlarged cross-sectional view showing a state in which a masking material on the back surface of the device shown in FIG. 9 is peeled off.

【図１１】本発明の製造方法によるテープ形ＣＳＰの実
施例を示す拡大断面図である。FIG. 11 is an enlarged sectional view showing an embodiment of a tape-type CSP according to the manufacturing method of the present invention.

【図１２】本発明に係るテープ形ＣＳＰの他の製造方法
の実施例で用いる銅箔付き樹脂製テープの拡大断面図で
ある。FIG. 12 is an enlarged cross-sectional view of a resin tape with a copper foil used in another embodiment of the method of manufacturing a tape-type CSP according to the present invention.

【図１３】図１２で示したものにＳｎ等メッキを施した
状態の拡大断面図である。FIG. 13 is an enlarged cross-sectional view of a state shown in FIG. 12 in which plating such as Sn is performed.

【図１４】図１３で示したものの裏面に、マスキング材
を貼付した状態の拡大断面図である。FIG. 14 is an enlarged sectional view showing a state in which a masking material is attached to the back surface of the one shown in FIG.

【図１５】図１４で示したものの銅箔表面のＳｎ等メッ
キを剥離した状態の拡大断面図である。FIG. 15 is an enlarged cross-sectional view of the state shown in FIG. 14 in which the plating of Sn or the like on the copper foil surface is peeled off.

【図１６】図１５で示したものの銅箔表面にフォトレジ
スト膜を形成し、露光・現像した状態の拡大断面図であ
る。FIG. 16 is an enlarged sectional view of a state in which a photoresist film is formed on the surface of the copper foil shown in FIG. 15 and exposed and developed.

【図１７】図１６で示したものをエッチング処理した状
態の拡大断面図である。FIG. 17 is an enlarged cross-sectional view of the state shown in FIG. 16 after etching processing.

【図１８】図１７で示したもののフォトレジスト膜を剥
離した状態を示す拡大断面図である。FIG. 18 is an enlarged cross-sectional view showing the state shown in FIG. 17 from which the photoresist film has been peeled off.

【図１９】図１８で示したものに無電解Ｓｎメッキを施
した状態の拡大断面図である。FIG. 19 is an enlarged cross-sectional view of a state shown in FIG. 18 in which electroless Sn plating is performed.

【図２０】図１９で示したものの裏面のマスキング材を
剥離した状態を示す拡大断面図である。FIG. 20 is an enlarged cross-sectional view showing a state where the masking material on the back surface of the device shown in FIG. 19 is peeled off.

【図２１】本発明の製造方法によるフリップチップボン
ディング用テープ形ＣＳＰの他の実施例を示す拡大断面
図である。FIG. 21 is an enlarged sectional view showing another embodiment of the tape-type CSP for flip chip bonding according to the manufacturing method of the present invention.

【図２２】本発明の製造方法によるテープ形ＣＳＰで、
半導体チップをフリップチップボンディングで搭載し、
ハンダボールを接合した状態の拡大断面図である。FIG. 22 shows a tape-type CSP according to the manufacturing method of the present invention.
The semiconductor chip is mounted by flip chip bonding,
It is an expanded sectional view in the state where a solder ball was joined.

【図２３】従来のテープ形ＣＳＰで、半導体チップをフ
リップチップボンディングで搭載し、ハンダボールを接
合した状態の拡大断面図である。FIG. 23 is an enlarged cross-sectional view of a conventional tape-type CSP in which a semiconductor chip is mounted by flip chip bonding and solder balls are bonded.

【符号の説明】 １−樹脂製テープ ２−ハンダボール接合用孔 ３−接着剤 ４−銅箔 ５−Ｓｎ等メッキ ６−マスキング材 ７−フォトレジスト膜 ８−パターン ９−無電解Ｓｎメッキ １０−ボンディング用パッド部 １１−ハンダボール用パッド部 １３−半導体チップ １４−ハンダボール １５−バンプ部[Description of Signs] 1-Resin tape 2-Solder ball bonding hole 3-Adhesive 4-Copper foil 5-Sn plating etc. 6-Masking material 7-Photoresist film 8-Pattern 9-Electroless Sn plating 10- Bonding pad section 11-Solder ball pad section 13-Semiconductor chip 14-Solder ball 15-Bump section

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】銅箔４の表面にフリップチップボンディン
グ用パッド部１０を、銅箔４裏面にハンダボール用パッ
ド部１１をもつテープ形ＣＳＰの製造方法において、 上記銅箔４を洗浄後でフォトレジスト膜７を形成する前
の段階で、 少なくとも銅箔４の裏面にＳｎ等メッキ５を施し、 上記樹脂製テープ１の裏面からマスキング材６で裏止め
するとともに、上記で銅箔４表面にもＳｎ等メッキ５を
施した場合はそれを剥離し、 かつ、上記フォトレジスト膜７を剥離後に、 銅箔４表面へのＳｎメッキ９を無電解Ｓｎメッキで行っ
てボンディング用パッド部１０を形成し、 その後に樹脂製テープ１裏面の裏止め用マスキング材６
を剥離する、ことを特徴とするテープ形チップサイズパ
ッケージの製造方法。1. A method of manufacturing a tape-type CSP having a flip chip bonding pad portion 10 on the surface of a copper foil 4 and a solder ball pad portion 11 on a back surface of the copper foil 4; Prior to the formation of the resist film 7, at least the back surface of the copper foil 4 is plated with Sn or the like 5, and the back surface of the resin tape 1 is backed with a masking material 6. When the plating 5 such as Sn is applied, it is peeled off, and after the photoresist film 7 is peeled off, the surface of the copper foil 4 is subjected to Sn plating 9 by electroless Sn plating to form a bonding pad portion 10. After that, a masking material 6 for backing the back surface of the resin tape 1
And a method of manufacturing a tape-type chip size package. 【請求項２】樹脂製テープ１表面に銅箔４がラミネート
され、該樹脂製テープ１裏面からハンダボール接合用孔
２があけられたものを、化学処理して銅箔４を清浄化後
に、銅箔４表面にフォトレジスト膜７を形成しパッド部
等のパターンを露光・現像して、裏面をマスキング材６
で裏止めした状態でエッチング処理にてパターン８を形
成し、上記フォトレジスト膜７を剥離後に、Ｓｎメッキ
９を施して銅箔４の表面にボンディング用パッド部１０
等を形成し、かつ銅箔４裏面にはハンダボール用パッド
部１１を形成する工程をもつテープ形ＣＳＰの製造方法
において、 上記銅箔４を洗浄後でフォトレジスト膜７を形成する前
の段階で、 少なくとも銅箔４の裏面にＳｎ等メッキ５を施し、 次に上記樹脂製テープ１の裏面からマスキング材６で裏
止めすると共に、上記で銅箔４表面にもＳｎ等メッキ５
を施した場合はそれを剥離し、 かつ、上記フォトレジスト膜７を剥離後に、 上記銅箔４表面へのＳｎメッキ９を無電解Ｓｎメッキで
行ってボンディング用パッド部１０を形成し、 その後に上記樹脂製テープ１裏面の裏止め用マスキング
材６を剥離するようにしたことを特徴とする、テープ形
チップサイズパッケージの製造方法。2. A method in which a copper foil 4 is laminated on the surface of a resin tape 1 and a hole 2 for joining solder balls is formed on the back surface of the resin tape 1 and the copper foil 4 is cleaned by a chemical treatment. A photoresist film 7 is formed on the surface of the copper foil 4, a pattern such as a pad portion is exposed and developed, and a masking material 6 is formed on the back surface.
A pattern 8 is formed by an etching process in a state where the backing is performed, and after the photoresist film 7 is peeled off, an Sn plating 9 is applied to the surface of the copper foil 4 to form a bonding pad portion 10.
And the like, and a step of forming a solder ball pad portion 11 on the back surface of the copper foil 4. A method of manufacturing a tape-type CSP, wherein the copper foil 4 is washed and before the photoresist film 7 is formed. Then, at least the back surface of the copper foil 4 is plated with Sn or the like 5. Then, the back surface of the resin tape 1 is backed with a masking material 6 and the surface of the copper foil 4 is plated with the Sn or the like 5 as described above.
Is applied, and after peeling off the photoresist film 7, Sn plating 9 on the surface of the copper foil 4 is performed by electroless Sn plating to form a bonding pad portion 10, and thereafter, A method of manufacturing a tape-type chip size package, wherein a backing masking material 6 on the back surface of the resin tape 1 is peeled off. 【請求項３】樹脂製テープ１上の銅箔４表面には、無電
解によるＳｎメッキ９が施されたボンディング用パッド
部１０を有するとともに、 他方ハンダボール接合用孔２を介して露呈する銅箔４裏
面には、Ｓｎ等メッキ５が施されたハンダボール用パッ
ド部１１を有することを特徴とする、テープ形チップサ
イズパッケージ。3. On the surface of the copper foil 4 on the resin tape 1, there is provided a bonding pad portion 10 on which an electroless Sn plating 9 is applied, and on the other hand, copper exposed through the solder ball bonding hole 2. A tape-type chip-size package having a solder ball pad portion 11 on the back surface of the foil 4 on which plating 5 such as Sn is applied.
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US6329722B1 (en) * 1999-07-01 2001-12-11 Texas Instruments Incorporated Bonding pads for integrated circuits having copper interconnect metallization
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